Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR102679830B1 - Tube and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

Tube and substrate processing apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
KR102679830B1
KR102679830B1 KR1020190135121A KR20190135121A KR102679830B1 KR 102679830 B1 KR102679830 B1 KR 102679830B1 KR 1020190135121 A KR1020190135121 A KR 1020190135121A KR 20190135121 A KR20190135121 A KR 20190135121A KR 102679830 B1 KR102679830 B1 KR 102679830B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
refrigerant
rim
manifold
substrate processing
tube
Prior art date
Application number
KR1020190135121A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210050725A (en
Inventor
김기준
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020190135121A priority Critical patent/KR102679830B1/en
Publication of KR20210050725A publication Critical patent/KR20210050725A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102679830B1 publication Critical patent/KR102679830B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16LPIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L53/00Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
    • F16L53/70Cooling of pipes or pipe systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 입구를 형성하는 테두리의 쿨링이 가능한 튜브 및 그를 이용한 기판처리장치를 개시하며, 매니폴드와 접하는 테두리에 쿨링 유로를 형성함으로써 매니폴드와 튜브의 테두리 사이의 오링의 손상을 방지할 수 있다.The present invention discloses a tube capable of cooling the edge forming an inlet and a substrate processing device using the same, and by forming a cooling passage on the edge in contact with the manifold, damage to the O-ring between the manifold and the edge of the tube can be prevented. .

Description

튜브 및 그를 이용한 기판처리장치{TUBE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}Tube and substrate processing device using the same {TUBE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입구를 형성하는 테두리의 쿨링이 가능한 튜브 및 그를 이용한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a tube capable of cooling an edge forming an inlet and a substrate processing apparatus using the same.

기판처리장치는 웨이퍼와 같은 기판에 절연막, 보호막, 산화막, 금속막 등을 증착하기 위한 장치이다.A substrate processing device is a device for depositing an insulating film, protective film, oxide film, metal film, etc. on a substrate such as a wafer.

기판처리장치의 일례로 리액터(Reactor)가 예시될 수 있다. An example of a substrate processing device may be a reactor.

리액터는 고온의 열처리를 통하여 웨이퍼에 박막을 증착하는 장치이며, 한 번에 많은 수의 웨이퍼를 처리하기 위하여 보트(Boat)를 이용하도록 구성된다.The reactor is a device that deposits a thin film on a wafer through high-temperature heat treatment, and is configured to use a boat to process a large number of wafers at once.

보트는 일정한 매수 단위(예시적으로 180매)로 웨이퍼들을 다층으로 차지(Charge)하도록 구성되며, 리액터는 웨이퍼들을 차지(Charge)한 보트를 수직으로 반입하거나 반출하는 구조를 갖는다. The boat is configured to charge wafers in multiple layers in a certain number of units (for example, 180 sheets), and the reactor has a structure to vertically load or unload the boat charging the wafers.

보트의 하부에는 단열부가 구성된다. 단열부는 웨이퍼 공정이 진행되는 보트가 위치한 공간의 온도 환경을 외부와 분리하기 위한 것이다.An insulating section is formed at the bottom of the boat. The insulation part is intended to separate the temperature environment of the space where the boat where the wafer process is performed is located from the outside.

공정의 진행을 위하여, 보트와 단열부는 리액터에 수직으로 반입되며, 반입된 보트와 단열부는 리액터의 튜브 내에 수용된다. To proceed with the process, the boat and the insulation part are vertically brought into the reactor, and the brought boat and the insulation part are accommodated within the tube of the reactor.

튜브는 웨이퍼 공정이 진행되는 보트가 위치한 공간을 외부와 분리하는 역할을 한다. The tube serves to separate the space where the boat where the wafer process is located from the outside.

리액터는 일반적으로 이너 튜브와 아우터 튜브를 포함하는 이중 튜브 구조로 설계된다. 이너 튜브는 보트 및 단열부를 수용하며 공정 환경을 형성하고, 아우터 튜브는 이너 튜브를 수용하며 이너 튜브를 보호한다.Reactors are generally designed with a double tube structure including an inner tube and an outer tube. The inner tube accommodates the boat and the insulation part and forms a process environment, and the outer tube accommodates the inner tube and protects the inner tube.

아우터 튜브의 외부에는 히팅 블록이 구성되며, 히팅 블록은 이너 튜브의 내부 공간이 공정을 위한 온도 환경을 갖도록 발열된다.A heating block is formed on the outside of the outer tube, and the heating block generates heat so that the inner space of the inner tube has a temperature environment for the process.

이너 튜브와 아우터 튜브의 하부에는 매니폴드가 구성된다. 그리고, 단열부의 하부에는 캡 플랜지가 구성된다.A manifold is formed at the lower part of the inner tube and outer tube. And, a cap flange is formed at the lower part of the insulation part.

캡 플랜지는 보트 및 단열부를 탑재하고 승강 또는 하강할 수 있다.The cap flange mounts the boat and insulation and can be raised or lowered.

캡 플랜지가 승강하면, 보트 및 단열부가 이너 튜브에 반입되고, 캡 플랜지의 테두리는 기밀을 유지하기 위하여 매니폴드의 하부와 조립된다. When the cap flange is raised and lowered, the boat and the insulation part are brought into the inner tube, and the rim of the cap flange is assembled with the lower part of the manifold to maintain airtightness.

캡 플랜지가 하강하면, 보트 및 단열부가 이너 튜브에서 반출되며, 캡 플랜지와 매니폴드의 조립 상태가 해제된다.When the cap flange is lowered, the boat and the insulation are taken out of the inner tube, and the assembled state of the cap flange and manifold is released.

기밀을 유지하기 위하여, 캡 플랜지와 매니폴드 사이 및 매니폴드와 아우터 튜브 사이에 오링이 각각 구성된다.To maintain airtightness, O-rings are formed between the cap flange and the manifold and between the manifold and the outer tube, respectively.

아우터 튜브는 히팅 블록의 발열에 의해 가열된다. 히팅 블록은 캡 플랜지가 하강하여 보트 및 단열부가 이너 튜브에서 반출된 경우에도 발열을 지속하므로, 아우터 튜브도 보트 지속적으로 가열된다.The outer tube is heated by the heat generated by the heating block. The heating block continues to generate heat even when the cap flange is lowered and the boat and insulation are removed from the inner tube, so the outer tube is also continuously heated.

상기와 같이 가열된 아우터 튜브에 의해, 열적 손상(Thermal Damage)이 매니폴드와 아우터 튜브 사이의 오링에 발생될 수 있다. 오링이 열적 손상되는 경우 기밀을 유지하는데 어려움이 있다.Thermal damage may occur in the O-ring between the manifold and the outer tube due to the heated outer tube as described above. If the O-ring is thermally damaged, it is difficult to maintain confidentiality.

상기한 오링의 열적 손상을 방지하기 위하여, 매니폴드는 오링이 구성되는 위치의 하측 내부에 프로세스 쿨링 워터(Process Cooling Water: PCW)가 순환되도록 구성될 수 있다. 매니폴드의 오링이 구성되는 위치는 쿨링 워터의 순환에 의해 쿨링될 수 있으며, 오링의 열적 손상은 쿨링된 매니폴드에 의해 방지될 수 있다.In order to prevent thermal damage to the O-ring, the manifold may be configured to circulate process cooling water (PCW) inside the lower side of the position where the O-ring is formed. The position where the O-ring of the manifold is configured can be cooled by circulation of cooling water, and thermal damage to the O-ring can be prevented by the cooled manifold.

그러나, 프로세스 쿨링 워터는 비열이 높은 액체 냉매이므로 오링에 대한 온도 조절에 한계가 있다.However, because process cooling water is a liquid refrigerant with high specific heat, there are limits to temperature control for the O-ring.

그리고, 매니폴드가 낮은 온도를 유지하는 경우, 공정에 따라 매니폴드의 내벽에 파우더가 형성되는 문제점이 있다.Additionally, when the manifold maintains a low temperature, there is a problem in that powder is formed on the inner wall of the manifold depending on the process.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 오링과 접하는 테두리가 순환되는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 하부에 접하는 매니폴드의 오링을 열적 손상으로부터 보호할 수 있는 기판처리장치의 튜브를 제공함을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the above-described problem, and provides a tube of a substrate processing apparatus that can protect the O-ring of the manifold contacting the lower part from thermal damage by cooling the rim in contact with the O-ring by a refrigerant such as a circulating gas. The purpose.

또한, 본 발명은 매니폴드와 접하는 아우터 튜브의 테두리가 순환되는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 아우터 튜브의 열이 하부의 매니폴드로 전달되는 것을 억제할 수 있는 기판처리장치를 제공함을 다른 목적으로 한다.In addition, the present invention provides a substrate processing device that can suppress the heat of the outer tube from being transferred to the lower manifold by cooling the edge of the outer tube in contact with the manifold by a refrigerant such as a circulating gas. do.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 기판처리장치의 튜브는, 하부에 입구를 형성하는 테두리를 구비하며, 상기 테두리의 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성되고, 상기 냉매에 의해 상부의 열이 상기 테두리의 하부로 전달되는 것이 억제됨을 특징으로 한다.The tube of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem has a rim forming an inlet at the bottom, and a cooling passage for the flow of refrigerant is formed inside the rim, and the refrigerant generates heat at the top. It is characterized by suppressing transmission to the lower part of the border.

또한, 본 발명의 기판처리장치는, 이너 튜브; 하부에 입구를 형성하며 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성된 테두리를 구비하고, 상기 이너 튜브를 수용하는 아우터 튜브; 및 상기 아우터 튜브의 상기 테두리 하부에 조립되는 매니폴드;를 구비함을 특징으로 한다.Additionally, the substrate processing apparatus of the present invention includes an inner tube; an outer tube that forms an inlet at the bottom and has a rim with a cooling passage for the flow of refrigerant therein, and accommodates the inner tube; and a manifold assembled to the lower portion of the edge of the outer tube.

본 발명에 의하면, 튜브의 하부에 입구를 형성하는 테두리가 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 상부의 열이 하부의 매니폴드의 오링으로 전달되는 것이 억제될 수 있고, 그 결과 오링을 열적 손상으로부터 보호할 수 있다.According to the present invention, the rim forming the inlet at the bottom of the tube is cooled by a gas-like refrigerant, thereby suppressing the transfer of upper heat to the O-ring of the lower manifold, and as a result, protecting the O-ring from thermal damage. can do.

또한, 본 발명에 의하면, 이너 튜브와 아우터 튜브 중 아우터 튜브의 테두리가 내부에 순환되는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링됨으로써 상부의 열이 하부의 매니폴드로 전달되는 것이 억제될 수 있다.In addition, according to the present invention, the rim of the outer tube among the inner tube and the outer tube is cooled by a refrigerant such as gas circulating inside, thereby suppressing transfer of upper heat to the lower manifold.

그러므로, 매니폴드와 아우터 튜브의 사이에 실링을 위해 구성되는 오링이 열적 손상으로부터 보호될 수 있으며, 기판처리장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.Therefore, the O-ring configured for sealing between the manifold and the outer tube can be protected from thermal damage, and the reliability of the substrate processing apparatus can be improved.

또한, 오링을 열적 손상으로부터 보호하기 위하여 매니폴드 자체를 쿨링시킬 필요가 없기 때문에, 매니폴드가 과도하게 낮은 온도를 유지하는 것이 방지될 수 있다. 그러므로, 공정에 따라 매니폴드의 내벽에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 공정 신뢰성이 개선될 수 있는 이점이 있다.Additionally, because there is no need to cool the manifold itself to protect the O-ring from thermal damage, the manifold can be prevented from maintaining an excessively low temperature. Therefore, there is an advantage in that powder can be prevented from being generated on the inner wall of the manifold depending on the process, and as a result, process reliability can be improved.

도 1은 본 발명의 기판처리장치의 바람직한 실시예를 나타내는 단면도.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대 단면도.
도 3은 도 2의 3-3 부분 횡 단면도.
도 4는 테두리, 결합 커버 및 포트들의 일부 분해 사시도.
도 5는 냉매 공급 장치와 모니터링 장치를 설명하기 위한 도면.
1 is a cross-sectional view showing a preferred embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of Figure 1.
Figure 3 is a transverse cross-sectional view taken along part 3-3 of Figure 2;
Figure 4 is a partially exploded perspective view of the rim, coupling cover and ports.
Figure 5 is a diagram for explaining a refrigerant supply device and a monitoring device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. Terms used in this specification and patent claims should not be construed as limited to their ordinary or dictionary meanings, but should be construed with meanings and concepts consistent with the technical details of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.The embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are preferred embodiments of the present invention, and do not represent the entire technical idea of the present invention, so various equivalents and modifications that can replace them at the time of filing the present application are available. There may be.

도 1의 기판처리장치의 실시예는 아우터 튜브(10)와 이너 튜브(20)를 갖는 이중 튜브 구조를 갖는 리액터를 예시한 것이다. 그리고, 도 2는 도 1의 A 부분의 확대 단면도이고, 도 3은 도 2의 3-3 부분 횡 단면도이다. 또한, 도 4는 테두리(14), 결합 커버(16) 및 포트들의 일부 분해 사시도이다.The embodiment of the substrate processing apparatus in FIG. 1 illustrates a reactor having a double tube structure having an outer tube 10 and an inner tube 20. And, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of portion A of FIG. 1, and FIG. 3 is a transverse cross-sectional view of portion 3-3 of FIG. 2. Additionally, Figure 4 is a partially exploded perspective view of the edge 14, the coupling cover 16, and the ports.

도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 기판처리장치의 실시예를 설명한다.An embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1의 실시예는 아우터 튜브(10), 이너 튜브(20), 매니폴드(30), 캡 플랜지(40), 단열부(50), 보트(60), 가스 분사 노즐(70), 구동부(80) 및 조립 링(35)을 포함한다.The embodiment of Figure 1 includes an outer tube 10, an inner tube 20, a manifold 30, a cap flange 40, an insulator 50, a boat 60, a gas injection nozzle 70, and a drive unit ( 80) and an assembly ring 35.

아우터 튜브(10)는 이너 튜브(20)가 내부 및 외부의 환경 차(압력 차 및 온도 차)에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 완충 공간 즉 이격된 공간을 형성하기 위한 것이다.The outer tube 10 is used to form a buffer space, that is, a spaced space, to prevent the inner tube 20 from being damaged by internal and external environmental differences (pressure difference and temperature difference).

예시적으로, 아우터 튜브(10)는 실린더 형상을 가지며, 측벽의 하부에 이너 튜브(20)로부터 배기된 가스를 배기하기 위한 배기구(12)가 형성되고, 하부에 개방된 입구를 형성하는 테두리(14)를 구비한다. 아우터 튜브(10)는 예시적으로 석영 재질로 형성될 수 있다.Illustratively, the outer tube 10 has a cylindrical shape, and an exhaust port 12 for exhausting gas exhausted from the inner tube 20 is formed at the lower part of the side wall, and a border forming an open inlet at the lower part ( 14) is provided. The outer tube 10 may be illustratively made of a quartz material.

테두리(14)의 상부의 아우터 튜브(10)의 몸체는 이너 튜브(20)의 직경보다 큰 실린더형으로 예시되며, 아우터 튜브(10)는 이너 튜브(20)를 내부에 수용할 수 있는 볼륨을 갖는다.The body of the outer tube 10 at the top of the rim 14 is illustrated as a cylindrical shape larger than the diameter of the inner tube 20, and the outer tube 10 has a volume that can accommodate the inner tube 20 therein. have

그리고, 아우터 튜브(10)의 테두리(14)는 외측벽에서 소정 폭 돌출되며 소정 두께를 갖도록 형성된다. 그리고, 테두리(14)의 내부에는 쿨링 유로(CL)가 형성되며, 쿨링 유로(CL)는 냉매가 테두리(14)를 따라 순환되도록 형성된다. Additionally, the edge 14 of the outer tube 10 protrudes from the outer wall by a predetermined width and is formed to have a predetermined thickness. Additionally, a cooling passage CL is formed inside the rim 14, and the cooling passage CL is formed to allow refrigerant to circulate along the rim 14.

도 3과 같이, 쿨링 유로(CL)의 인렛 위치에는 인렛 포트(IP)가 구성되고, 쿨링 유로(CL)의 아웃렛 위치에는 아웃렛 포트(OP)가 구성된다. As shown in FIG. 3, an inlet port (IP) is configured at the inlet position of the cooling flow path (CL), and an outlet port (OP) is formed at the outlet position of the cooling flow path (CL).

인렛 포트(IP)는 냉매를 외부로부터 쿨링 유로(CL)로 공급하는 경로를 제공하며, 아웃렛 포트(OP)는 냉매를 쿨링 유로(CL)에서 외부로 배출하는 경로를 제공한다. 상기한 인렛 포트(IP)와 아웃렛 포트(OP)는 결합 커버(16)를 이용하여 테두리(14)의 인렛 위치 및 아웃렛 위치에 구성될 수 있다. 인렛 포트(IP)와 아웃렛 포트(OP)의 구체적인 구성의 설명은 도 3 및 도 4를 참조하여 후술한다.The inlet port (IP) provides a path to supply refrigerant from the outside to the cooling flow path (CL), and the outlet port (OP) provides a path to discharge the refrigerant from the cooling flow path (CL) to the outside. The inlet port (IP) and outlet port (OP) described above can be configured at the inlet and outlet positions of the edge 14 using the combined cover 16. A description of the specific configuration of the inlet port (IP) and outlet port (OP) will be described later with reference to FIGS. 3 and 4.

한편, 상기한 아우터 튜브(10)의 내부에 구성되는 이너 튜브(20)는 기판인 웨이퍼(WF)에 박막이 형성되는 반응 공간을 형성하기 위한 것이며, 하부의 입구를 통하여 반입되는 보트(60) 및 단열부(50)를 수용한다. 보트(60)는 반입되는 경우 이너 튜브(20)의 중앙의 상부에 위치하며, 단열부(50)는 반입되는 경우 이너 튜브(20)의 중앙의 하부에 위치한다.Meanwhile, the inner tube 20 formed inside the outer tube 10 is intended to form a reaction space in which a thin film is formed on the wafer WF, which is a substrate, and the boat 60 is brought in through the lower inlet. and an insulation portion 50. When brought in, the boat 60 is located at the upper center of the inner tube 20, and the insulating part 50 is located below the center of the inner tube 20 when brought in.

이너 튜브(20)의 내부 공간의 일측에 수직으로 설치된 가스 분사 노즐(70)이 위치한다.A gas injection nozzle 70 installed vertically is located on one side of the inner space of the inner tube 20.

이너 튜브(20)의 측벽 중 가스 분사 노즐(70)이 위치한 곳과 반대쪽에는 분사구들(24, 26)이 형성된다. Injection holes 24 and 26 are formed on the side wall of the inner tube 20 opposite to where the gas injection nozzle 70 is located.

이 중, 분사구들(24)은 보트(60)와 마주하는 위치에 수직으로 일렬로 형성되며, 분사구(26)는 아우터 튜브(10)의 분사구(12)와 적어도 일부가 마주하는 위치에 형성된다.Among these, the injection ports 24 are formed in a vertical line at a position facing the boat 60, and the injection port 26 is formed at a position where at least a part of the injection port 12 of the outer tube 10 faces each other. .

분사구들(24)은 보트(60)를 거치며 웨이퍼 공정에 이용된 이너 튜브(20) 내부의 공정 가스를 아우터 튜브(10)로 배기하기 위한 것이며, 분사구(26)는 단열부(50)를 거친 퍼지 가스를 아우터 튜브(10)로 배기하기 위한 것이다. The nozzles 24 are for exhausting the process gas inside the inner tube 20 used in the wafer process through the boat 60 to the outer tube 10, and the nozzles 26 are used to exhaust the process gas inside the inner tube 20 used in the wafer process through the boat 60. This is to exhaust the purge gas into the outer tube (10).

매니폴드(30)는 상기한 아우터 튜브(10)와 이너 튜브(20)의 하부에 구성된다.The manifold 30 is formed below the outer tube 10 and the inner tube 20 described above.

매니폴드(30)는 테두리(16)에 접하는 결합 커버(16)를 이용하여 아우터 튜브(10)의 테두리(14)와 결합될 수 있다. 매니폴드(30)는 결합 커버(16)와 볼트와 너트(도시되지 않음)를 이용하거나 별도의 클램프(도시되지 않음)를 이용하여 조립될 수 있으며, 이는 당업자에 의해 용이하게 실시될 수 있으므로 대한 구체적인 방법의 예시 및 설명은 생략한다. The manifold 30 may be coupled to the rim 14 of the outer tube 10 using the coupling cover 16 in contact with the rim 16. The manifold 30 can be assembled using the coupling cover 16 and bolts and nuts (not shown) or by using separate clamps (not shown), which can be easily performed by a person skilled in the art. Examples and descriptions of specific methods are omitted.

여기에서, 결합 커버(16)는 테두리(14)의 상면과 측면을 커버하면서 접하는 "ㄱ" 형상으로 꺽어진 링 형태로 구성될 수 있으며, 인렛 포트(IP)와 아웃렛 포트(OP)를 결합하기 위한 구성을 가질 수 있다. 상기한 결합 커버(16)의 구체적인 구성의 설명은 후술하는 도 3 및 4를 참조하여 상세히 설명한다.Here, the coupling cover 16 may be configured in the form of a ring bent into an “L” shape that covers the upper and side surfaces of the edge 14 and is in contact with the inlet port (IP) and the outlet port (OP). It can be configured for The specific configuration of the above-mentioned coupling cover 16 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 described later.

그리고, 매니폴드(30)의 내측의 상부에 조립 링(35)이 조립되며, 조립 링(35)은 입구를 형성하는 이너 튜브(20)의 하단을 지지한다. 조립 링(35)은 예시적으로 아우터 튜브(10)의 입구와 이너 튜브(20)의 입구 간의 이격된 간격을 밀폐하기 위하여 구성된 것으로 이해될 수 있다.Then, an assembly ring 35 is assembled on the inner upper part of the manifold 30, and the assembly ring 35 supports the lower end of the inner tube 20 forming the inlet. It can be understood that the assembly ring 35 is illustratively configured to seal the gap between the entrance of the outer tube 10 and the entrance of the inner tube 20.

상기한 매니폴드(30)는 캡 플랜지(40)의 테두리의 상부에 구성되며, 캡 플랜지(40)와 이너 튜브(20) 사이에 가스를 공급하도록 구성된다. 이를 위하여, 매니폴드(30)의 측벽에는 가스를 공급하기 위한 인렛(74)이 설치되며, 인렛(74)은 가스 분사 노즐(70)의 하부와 결합된다.The above-described manifold 30 is configured on the upper portion of the rim of the cap flange 40 and is configured to supply gas between the cap flange 40 and the inner tube 20. For this purpose, an inlet 74 for supplying gas is installed on the side wall of the manifold 30, and the inlet 74 is coupled to the lower part of the gas injection nozzle 70.

매니폴드(30)의 상면에는 아우터 튜브(10)가 구성된다. 아우터 튜브(10)의 테두리(14)의 저면은 매니폴드(30)의 상면과 접하며,, 이들 사이는 오링(O-ring)(OR)이 기밀을 유지하기 위하여 구성된다. 오링(OR)은 매니폴드(30)의 상면에 아우터 튜브(10)의 테두리(14)를 따라 형성된 채널에 삽입되도록 구성되는 것으로 예시될 수 있다.An outer tube 10 is formed on the upper surface of the manifold 30. The bottom of the edge 14 of the outer tube 10 is in contact with the top of the manifold 30, and an O-ring (OR) is formed between them to maintain airtightness. The O-ring (OR) may be illustrated as being inserted into a channel formed along the edge 14 of the outer tube 10 on the upper surface of the manifold 30.

그리고, 매니폴드(30)는 하측이 캡 플랜지(40)와 접하도록 구성되고, 이들 사이도 오링(OR)이 기밀을 유지하기 위하여 구성됨이 바람직하다.Additionally, the lower side of the manifold 30 is preferably in contact with the cap flange 40, and an O-ring (OR) is preferably formed between them to maintain airtightness.

캡 플랜지(40)는 상부에 구성되는 보트(60), 단열부(50)를 지지하며, 승강 또는 하강되도록 구성될 수 있다. The cap flange 40 supports the boat 60 and the insulation unit 50 formed at the top, and may be configured to be raised or lowered.

캡 플랜지(40)의 승강 또는 하강은 하부에 구성되는 승하강 모듈(도시되지 않음)에 의해 제어될 수 있다. The raising or lowering of the cap flange 40 may be controlled by a raising/lowering module (not shown) configured at the bottom.

보트(60) 및 단열부(50)는 캡 플랜지(40)의 승강에 의해 이너 튜브(20) 내에 반입될 수 있다. 이때, 캡 플랜지(40)의 에지는 매니폴드(30)의 하측과 접하여 실링을 유지한다.The boat 60 and the insulation unit 50 can be brought into the inner tube 20 by lifting the cap flange 40. At this time, the edge of the cap flange 40 is in contact with the lower side of the manifold 30 to maintain sealing.

이와 반대로, 보트(60) 및 단열부(50)는 캡 플랜지(40)의 하강에 의해 이너 튜브(20)의 외부로 반출될 수 있다. 이때, 캡 플랜지(40)의 에지는 매니폴드(30)의 하측과 분리된다.Conversely, the boat 60 and the insulation unit 50 may be carried out of the inner tube 20 by lowering the cap flange 40. At this time, the edge of the cap flange 40 is separated from the lower side of the manifold 30.

도 1은 캡 플랜지(40)의 승강에 의해, 이너 튜브(20) 내에 보트(60) 및 단열부(50)가 위치된 상태를 예시한 것이다.Figure 1 illustrates a state in which the boat 60 and the insulation portion 50 are positioned within the inner tube 20 by raising and lowering the cap flange 40.

구동부(80)는 캡 플랜지(40)의 하부에 구성되며 캡 플랜지(40)를 관통하여 단열부(50) 중 내부 단열부(52)와 결합되는 구동축을 구비한다.The driving unit 80 is configured at the lower part of the cap flange 40 and includes a driving shaft that penetrates the cap flange 40 and is coupled to the internal insulating part 52 of the insulating part 50.

구동부(80)는 구동축을 회전시킴으로써 상부의 내부 단열부(52)에 회전력을 전달한다.The drive unit 80 transmits rotational force to the upper internal insulation unit 52 by rotating the drive shaft.

한편, 단열부(50)는 보트(60)의 하부 및 캡 플랜지(40)의 상부에 구성된다. 단열부(50)는 내부 단열부(52)와 외부 단열부(54)를 포함한다. 내부 단열부(52)와 외부 단열부(54)는 단열재로써 구성된다. Meanwhile, the insulation portion 50 is formed at the lower part of the boat 60 and the upper part of the cap flange 40. The insulation unit 50 includes an internal insulation unit 52 and an external insulation unit 54. The internal insulating part 52 and the external insulating part 54 are made of insulating material.

외부 단열부(54)는 중심에 세로 방향의 장공을 가지며 균일한 두께의 측벽을 가지며, 내부 단열부(52)는 외부 단열부(54)의 장공에 삽입되는 원 기둥 형상을 갖는다. 외부 단열부(54)는 캡 플랜지(40)의 상면과 접하면서 고정되도록 구성될 수 있다.The external insulation unit 54 has a longitudinal long hole at the center and has side walls of uniform thickness, and the internal insulation unit 52 has a circular pillar shape inserted into the long hole of the external insulation unit 54. The external insulation portion 54 may be configured to be fixed while contacting the upper surface of the cap flange 40.

내부 단열부(52)는 구동부(80)로부터 전달되는 회전력을 상부의 보트(60)로 전달할 수 있다.The internal insulation unit 52 can transmit the rotational force transmitted from the driving unit 80 to the boat 60 at the top.

보트(60)는 기판들 즉 웨이퍼들(WF)을 차지(Charge)하도록 구성된다. 보트(60)는 상부 지지판(62), 하부 지지판(64) 및 복수의 라드(Rod, 66)를 구비한다. 상부 지지판(62)과 하부 지지판(64)은 서로 평행하게 이격 배치되며 이들 사이에 수직으로 설치되는 복수의 라드(66)에 의해 고정된다. 그리고, 복수의 라드(66) 각각에는 웨이퍼(WF)를 차지하기 위한 슬롯들이 복수의 층을 이루도록 형성된다. 각 층의 웨이퍼(WF)는 복수의 라드(36) 사이에 위치된 후 라드(66)의 동일 층의 슬롯들에 안착될 수 있다.The boat 60 is configured to charge substrates, that is, wafers (WF). The boat 60 includes an upper support plate 62, a lower support plate 64, and a plurality of rods (Rod, 66). The upper support plate 62 and the lower support plate 64 are arranged in parallel and spaced apart from each other and are fixed by a plurality of rods 66 installed vertically between them. In addition, slots for occupying the wafer WF are formed in each of the plurality of rods 66 to form a plurality of layers. The wafer WF of each layer may be positioned between the plurality of rods 36 and then seated in slots of the same layer of the rods 66.

보트(60)는 상기한 단열부(50) 중 내부 단열부(52)의 상부와 결합되도록 구성된다.The boat 60 is configured to be coupled to the upper part of the internal insulation unit 52 of the insulation units 50 described above.

상기한 구성에 의해, 보트(60)는 웨이퍼 공정 중에 내부 단열부(52)를 통해 전달되는 회전력에 의해 회전될 수 있다. 상기한 회전에 의해 공정 가스는 보트(60)에 차지된 웨이퍼들(WF)의 전면에 고르게 공급될 수 있다.With the above-described configuration, the boat 60 can be rotated by rotational force transmitted through the internal insulation portion 52 during wafer processing. By the above-described rotation, the process gas can be evenly supplied to the entire surface of the wafers WF occupied in the boat 60.

보트(60)와 단열부(50)의 일측에 가스 분사 노즐(70)이 수직으로 설치된다. 가스 분사 노즐(70)은 이너 튜브(20)의 노즐 영역에 설치되며 다양한 형상을 갖도록 다양하게 구성될 수 있다. 가스 분사 노즐(70)은 분사구들(72)을 구비한다.A gas injection nozzle 70 is installed vertically on one side of the boat 60 and the insulation unit 50. The gas injection nozzle 70 is installed in the nozzle area of the inner tube 20 and can be configured to have various shapes. The gas injection nozzle 70 has injection nozzles 72 .

상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 의하면, 공정 가스는 가스 분사 노즐(70)로 유입된 후 상부로 이동되는 과정에서 활성화되며 분사구들(72)를 통하여 보트(60)의 웨이퍼들(WF)로 분사될 수 있다. According to the embodiment of the present invention configured as described above, the process gas flows into the gas injection nozzle 70 and is activated in the process of moving upward, and the wafers (WF) of the boat 60 pass through the injection nozzles 72. ) can be sprayed.

그리고, 보트(60)의 웨이퍼들(WF)로 분사된 공정 가스는 보트(60)의 웨이퍼(WF)를 거치거나 이너 튜브(20)의 내벽을 따라 흐른 후 이너 튜브(20)의 배기구들(24)을 통하여 배기될 수 있다. 이너 튜브(20)의 배기구들(24)에서 배기된 대부분의 공정 가스는 아우터 튜브(10)의 배기구(12)를 통하여 외부로 배출된다.In addition, the process gas injected into the wafers WF of the boat 60 flows through the wafers WF of the boat 60 or along the inner wall of the inner tube 20 and then flows through the exhaust ports of the inner tube 20 ( 24) can be exhausted. Most of the process gas exhausted from the exhaust ports 24 of the inner tube 20 is discharged to the outside through the exhaust port 12 of the outer tube 10.

그리고, 캡 플랜지(40) 또는 매니폴드(30)에 퍼지 가스를 위한 유입 구조(도시되지 않음)가 구성될 수 있으며, 이를 통하여 퍼지 가스가 단열부(50)의 하부로 공급될 수 있고 이너 튜브(20)의 배기구(26) 및 아우터 튜브(10)의 배기구(12)를 통하여 배기될 수 있다.In addition, an inlet structure (not shown) for purge gas may be formed on the cap flange 40 or the manifold 30, through which the purge gas can be supplied to the lower part of the insulation portion 50 and the inner tube. It can be exhausted through the exhaust port 26 of (20) and the exhaust port 12 of the outer tube 10.

상기한 도 1과 같이 구성되는 기판 처리 장치에서, 아우터 튜브(10)의 외부에 히팅 블록(도시되지 않음)이 구성된다.In the substrate processing apparatus configured as shown in FIG. 1 above, a heating block (not shown) is configured outside the outer tube 10.

히팅 블록은 아우터 튜브(10)의 측벽과 상면을 둘러싸도록 구성될 수 있으며, 이너 튜브(20) 내부의 반응 공간을 가열하기 위해서 발열된다.The heating block may be configured to surround the side wall and upper surface of the outer tube 10, and generates heat to heat the reaction space inside the inner tube 20.

아우터 튜브(10)는 히팅 블록의 발열에 의해 가열된다. 히팅 블록은 캡 플랜지(40)가 하강하여 보트(60) 및 단열부(50)가 이너 튜브(10)에서 반출된 경우에도 발열을 지속한다. 그러므로, 아우터 튜브(10)는 보트(60) 및 단열부(50)의 반입 및 반출 여부와 무관하게 공정을 위하여 지속적으로 가열된다.The outer tube 10 is heated by the heat generated by the heating block. The heating block continues to generate heat even when the cap flange 40 is lowered and the boat 60 and the insulation portion 50 are taken out of the inner tube 10. Therefore, the outer tube 10 is continuously heated for the process regardless of whether the boat 60 and the insulation unit 50 are brought in or out.

아우터 튜브(10)의 열은 테두리(14)를 통하여 매니폴드(30) 쪽으로 전달될 수 있다. 이때, 열에 의한 열적 손상(Thermal Damage)이 매니폴드(30)와 아우터 튜브(10) 사이의 오링(OR)에 발생될 수 있다.Heat from the outer tube 10 may be transferred toward the manifold 30 through the rim 14. At this time, thermal damage due to heat may occur in the O-ring (OR) between the manifold 30 and the outer tube 10.

상기한 오링(OR)의 열적 손상을 방지하기 위하여, 본 발명의 실시예에서 상술한 바와 같이 아우터 튜브(10)의 테두리(14)에 쿨링 유로(CL)가 형성된다.In order to prevent thermal damage to the O-ring (OR), a cooling passage (CL) is formed on the edge 14 of the outer tube 10 as described above in the embodiment of the present invention.

쿨링 유로(CL)는 매니폴드(30)와 아우터 튜브(10)의 테두리(14) 사이의 실링을 위한 오링(OR)과 중첩되는 상부에 형성된다. The cooling passage CL is formed in the upper part overlapping with the O-ring (OR) for sealing between the manifold 30 and the edge 14 of the outer tube 10.

냉매는 인렛 위치에서 쿨링 유로(CL)로 공급되고, 아우터 튜브(10)의 테두리(14) 내를 순환하며, 아웃렛 위치에서 쿨링 유로(CL)로부터 배출된다. 이때, 인렛 위치와 아웃렛 위치는 인접하게 형성될 수 있으며, 쿨링 유로(CL)는 인렛 위치에서 순환을 시작하며, 테두리(14)를 따라 형성되고, 아웃렛 위치에서 순환을 종료하도록 형성된다.The refrigerant is supplied to the cooling flow path CL at the inlet position, circulates within the rim 14 of the outer tube 10, and is discharged from the cooling flow path CL at the outlet position. At this time, the inlet position and the outlet position may be formed adjacent to each other, and the cooling passage CL starts circulation at the inlet position, is formed along the edge 14, and is formed to end circulation at the outlet position.

쿨링 유로(CL)에 냉매가 순환되는 경우, 냉매에 의해 아우터 튜브(10)의 상부의 열이 테두리(14)의 하부로 전달되는 것이 억제될 수 있다. 즉, 아우터 튜브(10)의 상부의 열이 오링(OR)에 전달되는 것이 억제될 수 있으며, 오링(OR)의 열적 손상이 방지될 수 있다.When the refrigerant circulates in the cooling passage CL, transfer of heat from the upper part of the outer tube 10 to the lower part of the rim 14 by the refrigerant may be suppressed. That is, transfer of heat from the upper part of the outer tube 10 to the O-ring (OR) can be suppressed, and thermal damage to the O-ring (OR) can be prevented.

특히, 본 발명의 실시예는 쿨링 유로(CL)가 오링(OR)의 상부의 중첩된 위치에 형성된다. 그러므로, 보다 효과적으로 열이 오링(OR)에 전달되는 것을 억제할 수 있다.In particular, in an embodiment of the present invention, the cooling passage CL is formed at an overlapped position above the O-ring OR. Therefore, it is possible to more effectively prevent heat from being transferred to the O-ring (OR).

그리고, 쿨링 유로(CL)에 공급되는 냉매로서 기체가 공급됨이 바람직하다. 기체는 액체보다 비열이 낮아서 액체보다 테두리(14)의 온도 조절이 쉬운 용이한 이점이 있다.Also, it is preferable that gas is supplied as a refrigerant to the cooling passage CL. Gas has a lower specific heat than liquid, so it has the advantage of being easier to control the temperature of the edge 14 than liquid.

본 발명의 실시예는 쿨링 유로(CL)를 따라 냉매를 순환시키기 위하여, 인렛 포트(IP), 아웃렛 포트(OP) 및 결합 커버(16)를 구비한다.An embodiment of the present invention includes an inlet port (IP), an outlet port (OP), and a combination cover 16 to circulate the refrigerant along the cooling passage (CL).

인렛 포트(IP)는 상기한 인렛 위치에서 테두리(14)의 측면을 관통하며, 외부에서 쿨링 유로(CL)로 냉매를 공급하도록 구성된다.The inlet port (IP) penetrates the side of the rim (14) at the above-mentioned inlet position and is configured to supply refrigerant to the cooling passage (CL) from the outside.

아웃렛 포트(OP)는 상기한 인렛 위치와 가까운 상기한 아웃렛 위치에서 테두리(14)의 측면을 관통하며, 쿨링 유로(CL)를 순환한 냉매를 배출하도록 구성된다.The outlet port OP penetrates the side of the rim 14 at the outlet position close to the inlet position, and is configured to discharge the refrigerant circulating in the cooling passage CL.

결합 커버(16)는 테두리(14)의 측면과 상면을 커버하며 인렛 위치와 아웃렛 위치에 대응하는 관통구(18)를 구비한다. The coupling cover 16 covers the side and top surfaces of the edge 14 and has through-holes 18 corresponding to the inlet and outlet positions.

상기한 인렛 포트(IO)와 아웃렛 포트(OP)는 노즐(100) 및 지지체(102)를 구비하도록 각각 구성된다. The inlet port (IO) and outlet port (OP) described above are each configured to include a nozzle 100 and a support body 102.

노즐(100)은 일단이 테두리(14)의 측면의 인렛 위치 또는 아웃렛 위치를 관통하여 쿨링 유로(CL)에 도달하도록 구성되며 타단이 결합 커버(16)의 측벽을 관통하여 노출될 수 있는 길이를 가지며 내부에 냉매가 흐르는 관으로 구성될 수 있다. The nozzle 100 is configured so that one end penetrates the inlet position or outlet position on the side of the edge 14 to reach the cooling passage (CL), and the other end penetrates the side wall of the coupling cover 16 and has a length that can be exposed. It may be composed of a pipe through which refrigerant flows.

지지체(102)는 노즐(100)의 외벽에서 돌출되며 테두리(14)의 측면에 밀착되는 판상으로 구성될 수 있다. 지지체(102)는 테두리(14)의 측면과 결합 커버(16)의 측벽 사이에 개재됨으로써 인렛 포트(IO)와 아웃렛 포트(OP)의 위치를 고정하는 역할을 한다.The support 102 may be configured in a plate shape that protrudes from the outer wall of the nozzle 100 and is in close contact with the side of the edge 14. The support 102 serves to fix the positions of the inlet port (IO) and the outlet port (OP) by being interposed between the side of the edge 14 and the side wall of the coupling cover 16.

결합 커버(16)는 지지체의 개재 즉 수용을 위한 수용 공간(19)을 가지며, 수용 공간(19)은 결합 커버(16)의 관통구(18)가 형성된 위치의 내측면에 형성되고 지지체(102)를 수용할 수 있는 볼륨을 갖도록 형성된다.The coupling cover 16 has a receiving space 19 for inserting the support, that is, receiving the support, and the receiving space 19 is formed on the inner surface of the position where the through hole 18 of the coupling cover 16 is formed, and the support 102 ) is formed to have a volume that can accommodate.

테두리(14)가 매니폴드(30)와 조립된 상태는 결합 커버(16)와 매니폴드(30)의 결합에 의해 지지될 수 있으며, 매니폴드(30)는 결합 커버(16)는 상술한 바와 같이 볼트와 너트(도시되지 않음) 또는 별도의 클램프(도시되지 않음)를 이용하여 결합될 수 있다.The state in which the rim 14 is assembled with the manifold 30 can be supported by the combination of the coupling cover 16 and the manifold 30, and the manifold 30 has the coupling cover 16 as described above. It can be coupled together using bolts and nuts (not shown) or separate clamps (not shown).

상술한 구성에 의하여, 본 발명의 실시예는 아우터 튜브(10)의 테두리(14)가 쿨링 유로(CL)을 따라 흐르는 기체와 같은 냉매에 의해 쿨링되며, 아우터 튜브(10)의 상부의 열이 테두리(14)를 경유하여 매니폴드(30)의 오링(OR)으로 전달되는 것이 억제될 수 있다. 그러므로, 열적 손상으로부터 매니폴드(30)와 아우터 튜브(10)의 테두리(14) 사이에 구성되는 오링(OR)이 보호될 수 있다.By the above-described configuration, in the embodiment of the present invention, the edge 14 of the outer tube 10 is cooled by a refrigerant such as gas flowing along the cooling passage CL, and the heat in the upper part of the outer tube 10 is cooled. Transmission to the O-ring (OR) of the manifold 30 via the rim 14 can be suppressed. Therefore, the O-ring (OR) formed between the manifold 30 and the edge 14 of the outer tube 10 can be protected from thermal damage.

또한, 상기한 구성에 의하여, 아우터 튜브(10)의 열이 매니폴드(30)로 전달되는 것이 억제된다. 즉, 본 발명의 실시예는 낮은 온도를 유지하도록 매니폴드(30)를 쿨링 시킬 필요가 없다. 그러므로, 매니폴드(30)가 과도하게 낮은 온도를 유지하는 것이 방지될 수 있다. 따라서, 매니폴드(30)의 낮은 온도에 의해, 공정에 따라 매니폴드(30)의 내벽에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있다.Additionally, due to the above-described configuration, transfer of heat from the outer tube 10 to the manifold 30 is suppressed. That is, the embodiment of the present invention does not need to cool the manifold 30 to maintain a low temperature. Therefore, the manifold 30 can be prevented from maintaining an excessively low temperature. Accordingly, the low temperature of the manifold 30 can prevent powder from being generated on the inner wall of the manifold 30 depending on the process.

그리고, 본 발명의 실시예는 서로 다른 온도 환경에 대응하여 서로 다른 유속으로 냉매를 공급하도록 도 5와 같이 실시될 수 있다.Additionally, an embodiment of the present invention may be implemented as shown in FIG. 5 to supply refrigerant at different flow rates in response to different temperature environments.

도 5의 실시예는 냉매 공급 장치 및 온도 모니터(300)를 구비하도록 구성된다.The embodiment of Figure 5 is configured to be equipped with a refrigerant supply device and a temperature monitor 300.

온도 모니터(300)는 온도 탐칩(RC)를 통하여 오링(OR)의 온도를 측정하는 모니터링 설비로 이해될 수 있다.The temperature monitor 300 can be understood as a monitoring facility that measures the temperature of the O-ring (OR) through a temperature detection chip (RC).

냉매 공급 장치는 서로 다른 온도 환경에 대응하여 서로 다른 유속의 상기 냉매의 공급을 스위칭하는 둘 이상의 공급 스위치를 포함도록 구성되며, 선택된 공급 스위치를 통하여 온도 환경에 대응하는 유속의 냉매를 인렛 위치로 공급하도록 구성될 수 있다.The refrigerant supply device is configured to include two or more supply switches for switching the supply of the refrigerant at different flow rates in response to different temperature environments, and supplies the refrigerant at the flow rate corresponding to the temperature environment to the inlet position through the selected supply switch. It can be configured to do so.

보다 구체적으로, 냉매 공급 장치는 예시적으로 제1 냉매 공급원(200)과 제2 냉매 공급원(202)을 포함할 수 있으며, 제1 냉매 공급원(200)은 제1 온도 환경의 노멀 공정에 대응한 제1 유속으로 냉매의 공급 속도를 조절하는 공급 조절기(210) 및 선택된 경우 제1 유속의 냉매를 쿨링 유로(CL)로 공급하는 제1 공급 스위치(220)를 포함하도록 구성되고, 제2 냉매 공급원(202)은 제1 온도 환경보다 고온의 제2 온도 환경의 고온 공정에 대응한 제2 유속으로 냉매의 공급 속도를 조절하는 공급 조절기(212) 및 선택된 경우 제2 유속의 냉매를 쿨링 유로(CL)로 공급하는 제2 공급 스위치(222)를 포함하도록 구성된다.More specifically, the refrigerant supply device may exemplarily include a first refrigerant source 200 and a second refrigerant source 202, and the first refrigerant source 200 corresponds to the normal process of the first temperature environment. It is configured to include a supply regulator 210 that adjusts the supply speed of the refrigerant at a first flow rate and a first supply switch 220 that supplies the refrigerant at the first flow rate to the cooling passage (CL) when selected, and a second refrigerant source (202) is a supply regulator 212 that adjusts the supply rate of the refrigerant at a second flow rate corresponding to the high temperature process in the second temperature environment higher than the first temperature environment, and a cooling passage (CL) for supplying the refrigerant at the second flow rate when selected. ) is configured to include a second supply switch 222 that supplies to.

따라서, 냉매 공급 장치는 선택된 공급 스위치(제1 공급 스위치(220) 또는 제2 공급 스위치(222))를 통하여 온도 환경에 대응하는 유속의 냉매를 테두리(14)의 인렛 위치로 공급할 수 있다.Accordingly, the refrigerant supply device can supply refrigerant at a flow rate corresponding to the temperature environment to the inlet position of the edge 14 through the selected supply switch (first supply switch 220 or second supply switch 222).

예시적으로, 웨이퍼 공정이 진행되거나 대기 중인 경우 히팅 블록이 600℃로 가열되고, 클리닝 공정인 경우 히팅 블록이 800℃로 가열하는 것으로 예시할 수 있다. For example, when a wafer process is in progress or on standby, the heating block may be heated to 600°C, and if a cleaning process is in progress, the heating block may be heated to 800°C.

본 발명의 실시예는 히팅 블록이 600℃로 가열되는 경우의 제1 온도 환경과 히팅 블록이 800℃로 가열되는 경우의 제2 온도 환경으로 구분하여 동작될 수 있고, 제1 온도 환경인 경우 제1 공급 스위치(220)가 냉매를 공급할 수 있으며, 제2 온도환경인 경우 제2 공급 스위치(222)가 냉매를 공급할 수 있다.Embodiments of the present invention can be operated by dividing into a first temperature environment when the heating block is heated to 600°C and a second temperature environment when the heating block is heated to 800°C, and in the first temperature environment, the first temperature environment is 1 The supply switch 220 can supply refrigerant, and in the case of a second temperature environment, the second supply switch 222 can supply refrigerant.

제1 공급 스위치(220)와 제2 공급 스위치(222)의 제어는 온도 모니터(300)로부터 제어 신호를 수신함에 따른 자동 제어 또는 작업자에 의한 매뉴얼 제어 등 다양하게 구현될 수 있다.Control of the first supply switch 220 and the second supply switch 222 can be implemented in various ways, such as automatic control by receiving a control signal from the temperature monitor 300 or manual control by an operator.

또한, 도 5에서 설명되지 않은 부호 400은 보조적으로 이용될 수 있는 카트리지 블록 히터로 이해될 수 있으며, 카트리지 블록 히터(400)는 매니폴드(30)가 일정한 온도 이상(예시적으로 180℃ 이상)이 유지될 필요성이 있는 경우 설치될 수 있으며 매니폴드(30)의 온도를 제어하기 위한 것이다.In addition, the symbol 400, which is not explained in FIG. 5, can be understood as a cartridge block heater that can be used auxiliary, and the cartridge block heater 400 operates when the manifold 30 is above a certain temperature (for example, above 180°C). It can be installed if there is a need to maintain it and is intended to control the temperature of the manifold 30.

이상과 같이, 본 발명은 쿨링 유로(CL)가 형성된 아우터 튜브(10)의 테두리에 의해 고온이 매니폴드(30)의 오링(OR)으로 전달되는 것이 억제될 수 있으며, 그 결과 오링(OR)이 열적 손상으로부터 보호될 수 있으며, 기판처리장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.As described above, the present invention can suppress high temperature from being transmitted to the O-ring (OR) of the manifold (30) by the edge of the outer tube (10) on which the cooling passage (CL) is formed, and as a result, the O-ring (OR) This can be protected from thermal damage, and the reliability of the substrate processing device can be improved.

또한, 매니폴드가 과도하게 낮은 온도를 유지하는 것이 방지될 수 있으며, 그 결과, 공정에 따라 매니폴드의 내벽에 파우더가 생성되는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 공정 신뢰성이 개선될 수 있다.Additionally, the manifold can be prevented from maintaining an excessively low temperature, and as a result, powder can be prevented from being generated on the inner wall of the manifold depending on the process, and process reliability can be improved as a result.

Claims (14)

하부에 입구를 형성하는 테두리를 구비하며,
상기 테두리의 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성되고,
상기 냉매에 의해 상부의 열이 상기 테두리의 하부에 접하도록 조립된 매니폴드로 전달되는 것이 억제되며,
상기 테두리의 측면을 관통하며, 외부에서 노즐을 통해 상기 쿨링 유로로 상기 냉매를 공급하며, 상기 노즐의 외벽에서 돌출되어 상기 테두리의 측면에 밀착되는 지지체를 포함하는 인렛 포트;
상기 인렛 포트와 가까운 위치에서 상기 테두리의 측면을 관통하며 노즐을 통해 상기 쿨링 유로를 순환한 상기 냉매를 배출하며, 상기 노즐의 외벽에서 돌출되어 상기 테두리의 측면에 밀착되는 지지체를 포함하는 아웃렛 포트; 및
적어도 상기 테두리의 측면을 커버하며 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 인출되는 관통구들이 형성되는 결합 커버;를 포함하며,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트는 상기 결합 커버에 의해 지지되는 상태로 상기 테두리에 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 튜브.
It has a border forming an entrance at the bottom,
A cooling passage for the flow of refrigerant is formed inside the rim,
The transfer of heat from the upper part to the manifold assembled in contact with the lower part of the rim is suppressed by the refrigerant,
an inlet port that penetrates a side of the rim, supplies the refrigerant from the outside to the cooling passage through a nozzle, and includes a support that protrudes from an outer wall of the nozzle and is in close contact with the side of the rim;
an outlet port that penetrates a side of the rim at a position close to the inlet port, discharges the refrigerant circulating in the cooling passage through a nozzle, and includes a support that protrudes from an outer wall of the nozzle and is in close contact with a side of the rim; and
It includes a coupling cover that covers at least a side of the edge and has through-holes through which the inlet port and the outlet port are drawn out,
The tube of the substrate processing apparatus, wherein the inlet port and the outlet port are coupled to the edge while being supported by the coupling cover.
제1 항에 있어서,
상기 쿨링 유로는 상기 매니폴드와 상기 튜브 사이의 실링을 위한 오링과 중첩되는 상부에 형성되는 기판처리장치의 튜브.
According to claim 1,
A tube of a substrate processing apparatus wherein the cooling passage is formed at an upper portion overlapping with an O-ring for sealing between the manifold and the tube.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트는,
상기 지지체를 수용하는 수용 공간이 상기 결합 커버의 상기 관통구가 형성된 위치의 내측면에 형성되고,
상기 지지체가 상기 수용 공간에 삽입됨으로써 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 상기 결합 커버에 의해 지지되는 기판처리장치의 튜브.
According to claim 1,
The inlet port and the outlet port are,
A receiving space for accommodating the support is formed on the inner surface of the coupling cover at a position where the through hole is formed,
A tube of a substrate processing apparatus in which the inlet port and the outlet port are supported by the coupling cover by inserting the support into the receiving space.
제1 항에 있어서,
상기 결합 커버는 상기 테두리의 측면에 접하는 커버 측면과 상기 테두리의 상면과 접하는 커버 상면이 일체로 형성된 링 형태로 구성되며,
상기 테두리가 상기 매니폴드와 조립된 상태는 상기 결합 커버와 상기 매니폴드의 결합에 의해 지지되는 기판처리장치의 튜브.
According to claim 1,
The combined cover is composed of a ring shape in which the side of the cover in contact with the side of the rim and the upper surface of the cover in contact with the upper surface of the rim are integrally formed,
A tube of a substrate processing apparatus in which the edge is assembled with the manifold is supported by a combination of the coupling cover and the manifold.
제1 항에 있어서,
기체가 상기 냉매로서 공급되는 기판처리장치의 튜브.
According to claim 1,
A tube of a substrate processing apparatus through which gas is supplied as the refrigerant.
이너 튜브;
하부에 입구를 형성하며, 내부에 냉매의 흐름을 위한 쿨링 유로가 형성된 테두리를 구비하고, 상기 이너 튜브를 수용하는 아우터 튜브; 및
상기 아우터 튜브의 상기 테두리 하부에 조립되는 매니폴드;를 구비하되,
상기 테두리의 측면을 관통하며, 외부에서 노즐을 통해 상기 쿨링 유로로 상기 냉매를 공급하며, 상기 노즐의 외벽에서 돌출되어 상기 테두리의 측면에 밀착되는 지지체를 포함하는 인렛 포트;
상기 인렛 포트와 가까운 위치에서 상기 테두리의 측면을 관통하며 노즐을 통해 상기 쿨링 유로를 순환한 상기 냉매를 배출하며, 상기 노즐의 외벽에서 돌출되어 상기 테두리의 측면에 밀착되는 지지체를 포함하는 아웃렛 포트; 및
적어도 상기 테두리의 측면을 커버하며 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 인출되는 관통구들이 형성되는 결합 커버;를 더 포함하며,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트는 상기 결합 커버에 의해 지지되는 상태로 상기 테두리에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
inner tube;
an outer tube forming an inlet at the bottom, having a rim with a cooling passage for the flow of refrigerant therein, and accommodating the inner tube; and
A manifold assembled to the lower portion of the edge of the outer tube,
an inlet port that penetrates a side of the rim, supplies the refrigerant from the outside to the cooling passage through a nozzle, and includes a support that protrudes from the outer wall of the nozzle and is in close contact with the side of the rim;
an outlet port that penetrates a side of the rim at a position close to the inlet port, discharges the refrigerant circulating in the cooling passage through a nozzle, and includes a supporter that protrudes from an outer wall of the nozzle and is in close contact with a side of the rim; and
It further includes a coupling cover that covers at least a side of the edge and has through-holes through which the inlet port and the outlet port are drawn out,
A substrate processing apparatus, wherein the inlet port and the outlet port are coupled to the edge while being supported by the coupling cover.
제7 항에 있어서,
상기 쿨링 유로는 상기 매니폴드와 상기 아우터 튜브 사이의 실링을 위한 오링과 중첩되는 상부에 형성되는 기판처리장치.
According to clause 7,
The cooling passage is formed in an upper part overlapping with an O-ring for sealing between the manifold and the outer tube.
삭제delete 제7 항에 있어서,
상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트는,
상기 지지체를 수용하는 수용 공간이 상기 결합 커버의 상기 관통구가 형성된 위치의 내측면에 형성되고,
상기 지지체가 상기 수용 공간에 삽입됨으로써 상기 인렛 포트와 상기 아웃렛 포트가 상기 결합 커버에 의해 지지되는 기판처리장치.
According to clause 7,
The inlet port and the outlet port are,
A receiving space for accommodating the support is formed on the inner surface of the coupling cover at a position where the through hole is formed,
A substrate processing apparatus in which the inlet port and the outlet port are supported by the coupling cover by inserting the support into the receiving space.
제7 항에 있어서,
상기 결합 커버는 상기 테두리의 측면에 접하는 커버 측면과 상기 테두리의 상면과 접하는 커버 상면이 일체로 형성된 링 형태로 구성되며,
상기 테두리가 상기 매니폴드와 조립된 상태는 상기 결합 커버와 상기 매니폴드의 결합에 의해 지지되는 기판처리장치.
According to clause 7,
The combined cover is composed of a ring shape in which the side of the cover in contact with the side of the rim and the upper surface of the cover in contact with the upper surface of the rim are integrally formed,
A substrate processing apparatus in which the state in which the edge is assembled with the manifold is supported by a combination of the coupling cover and the manifold.
제7 항에 있어서,
기체가 상기 냉매로서 공급되는 기판처리장치.
According to clause 7,
A substrate processing device in which gas is supplied as the refrigerant.
제7 항에 있어서,
서로 다른 온도 환경에 대응하여 서로 다른 유속의 상기 냉매의 공급을 스위칭하는 둘 이상의 공급 스위치를 포함하는 냉매 공급 장치를 더 포함하며, 상기 냉매 공급 장치는 선택된 공급 스위치를 통하여 상기 온도 환경에 대응하는 유속의 상기 냉매를 상기 인렛 포트로 공급하는 기판처리장치.
According to clause 7,
It further includes a refrigerant supply device including two or more supply switches for switching the supply of the refrigerant at different flow rates in response to different temperature environments, wherein the refrigerant supply device has a flow rate corresponding to the temperature environment through the selected supply switch. A substrate processing device that supplies the refrigerant to the inlet port.
제13 항에 있어서,
상기 냉매 공급 장치는
제1 온도 환경의 노멀 공정에 대응한 제1 유속의 상기 냉매를 공급하는 제1 공급 스위치; 및
상기 제1 온도 환경보다 고온의 제2 온도 환경의 고온 공정에 대응하여 상기 제1 유속보다 빠른 제2 유속의 상기 냉매를 공급하는 제2 공급 스위치를 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 13,
The refrigerant supply device is
a first supply switch for supplying the refrigerant at a first flow rate corresponding to a normal process in a first temperature environment; and
A substrate processing apparatus comprising a second supply switch for supplying the refrigerant at a second flow rate faster than the first flow rate in response to a high temperature process in a second temperature environment higher than the first temperature environment.
KR1020190135121A 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same KR102679830B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190135121A KR102679830B1 (en) 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190135121A KR102679830B1 (en) 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210050725A KR20210050725A (en) 2021-05-10
KR102679830B1 true KR102679830B1 (en) 2024-07-01

Family

ID=75917206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190135121A KR102679830B1 (en) 2019-10-29 2019-10-29 Tube and substrate processing apparatus using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102679830B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266337A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060080506A (en) * 2005-01-05 2006-07-10 삼성전자주식회사 Chemical vapor deposition equipment and cooling fulid temperaturecontrol method thereof
KR20070089006A (en) * 2006-02-27 2007-08-30 삼성전자주식회사 Diffusion furnace having a flange cooling unit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266337A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210050725A (en) 2021-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5421892A (en) Vertical heat treating apparatus
JP5252457B2 (en) Batch processing chamber with diffuser plate and spray assembly
JP5960028B2 (en) Heat treatment equipment
JP3069412B2 (en) Apparatus and method for processing semiconductor wafer
US5846073A (en) Semiconductor furnace processing vessel base
WO2007047055A2 (en) Reaction chamber with opposing pockets for gas injection and exhaust
US11367633B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
KR100280692B1 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JPH04264716A (en) Heat treatment device
JP2000003918A (en) Semiconductor heat-treating device and method
EP1015831B1 (en) Semiconductor processing furnace heating subassembly
US20230204288A1 (en) High pressure heat treatment apparatus
JP5144207B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR102679830B1 (en) Tube and substrate processing apparatus using the same
JP4969127B2 (en) Substrate processing equipment
KR100639712B1 (en) Furnace apparatus and heat treatment method using the apparatus
JP5252850B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR102631372B1 (en) Substrate processing apparatus
JPH07115066A (en) Semiconductor heat treatment device
JP3863814B2 (en) Substrate processing equipment
JP2005056908A (en) Substrate treatment system
US20240332043A1 (en) Substrate processing apparatus
KR102705800B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2012089603A (en) Substrate processing device
JP2004311550A (en) Substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right