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KR102654902B1 - 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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KR102654902B1
KR102654902B1 KR1020210144946A KR20210144946A KR102654902B1 KR 102654902 B1 KR102654902 B1 KR 102654902B1 KR 1020210144946 A KR1020210144946 A KR 1020210144946A KR 20210144946 A KR20210144946 A KR 20210144946A KR 102654902 B1 KR102654902 B1 KR 102654902B1
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지성구
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피에스케이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 처리 공간을 제공하는 하우징, 상기 처리 공간 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지 유닛 및 상기 하우징 상부에 구비되고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛의 상면에는 중심을 포함하는 제1영역과 상기 제1영역을 감싸는 제2영역으로 구성되고, 상기 지지 유닛에는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면으로부터 내측으로 만입된 그루브가 형성되고, 상기 지지 유닛은 상기 제1영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제1지지 돌기, 상기 제2영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제2지지 돌기 및 상기 그루브의 하면에 형성되어 상기 기판을 진공 흡착하는 흡착 홀을 포함하고, 상기 복수의 제1지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제1형태는 상기 복수의 제2지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제2형태와 대칭을 형성할 수 있다.

Description

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUPPORT UNIT, AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}
본 발명은 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 지지하는 지지 유닛을 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회는 일반적으로 매우 작고 얇은 실리콘 칩이지만, 다양한 전자 부품들로 구성되어 있다. 하나의 반도체 칩이 생산되기까지 세정 공정, 증착 공정, 포토 공정, 식각 공정, 그리고 이온 주입 공정과 같은 다양한 공정이 수행된다. 반도체 제조 공정이 수행되는 장치는 반도체 웨이퍼(Wafer)와 같은 기판을 지지하기 위한 척(Chuck)을 구비한다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 기판과 지지 유닛 사이의 접촉에 의해 기판의 하면에 손상이 발생된 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 척은 직접적으로 웨이퍼와 접촉하는 구성으로써, 반도체 공정의 수율에 막대한 영향을 미친다. 척은 웨이퍼의 하면과 직접적으로 접촉함으로써 웨이퍼의 하면에 손상을 야기한다. 웨이퍼의 하면에 손상이 발생되는 과정에서 발생하는 파티클(Particle)은 처리 공간을 부유하며 공정 과정을 방해한다. 또한, 발생된 파티클이 웨이퍼의 하면에 부착되어 후속 공정에서도 악영향을 미친다.
특히, 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 공정에서는 웨이퍼의 온도 균일성이 중요하다. 웨이퍼의 온도가 단위 면적별로 다를 경우, 웨이퍼의 휨(Warpage) 현상이 발생된다. 또한, 웨이퍼의 온도가 단위 면적별로 일정 범위 내로 균일하게 형성되지 않는 경우, 플라즈마가 웨이퍼에 적절히 작용하는 것을 방해한다.
본 발명은 지지 유닛에 지지된 기판의 손상을 최소화할 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 최소한의 접촉 면적으로 지지하는 동시에 기판의 온도 균일성을 확보할 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 지지 유닛에 지지된 기판에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 처리 공간을 제공하는 하우징, 상기 처리 공간 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지 유닛 및 상기 하우징 상부에 구비되고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 지지 유닛의 상면에는 중심을 포함하는 제1영역과 상기 제1영역을 감싸는 제2영역으로 구성되고, 상기 지지 유닛에는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면으로부터 내측으로 만입된 그루브가 형성되고, 상기 지지 유닛은 상기 제1영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제1지지 돌기, 상기 제2영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제2지지 돌기 및 상기 그루브의 하면에 형성되어 상기 기판을 진공 흡착하는 흡착 홀을 포함하고, 상기 복수의 제1지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제1형태는 상기 복수의 제2지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제2형태와 대칭을 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 지지 유닛을 매개로 상기 기판에 열을 전달하는 열 전달 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛의 상면에는 상기 제2영역을 감싸는 제3영역이 더 제공되고, 상기 지지 유닛에는 상기 제2영역과 상기 제3영역 사이에 상기 그루브가 더 형성되고, 상기 지지 유닛은 상기 제3영역에 형성되고, 상기 기판의 가장자리 하면을 지지하는 복수의 제3지지 돌기를 더 포함하고, 상기 제2형태와 상기 복수의 제3지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제3형태는 서로 대칭을 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1지지 돌기, 상기 제2지지 돌기, 그리고 상기 제3지지 돌기의 상면은 라운드지게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1형태, 상기 제2형태, 그리고 제3형태는 삼각형일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 흡착 홀에 연결되고, 상기 지지 유닛의 내부에 설치되는 진공 라인 및 상기 진공 라인에 음압을 전달하는 감압 부재를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상면에 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은 상기 지지 유닛의 상면에는 중심을 포함하는 제1영역과 상기 제1영역을 감싸는 제2영역으로 구성되고, 상기 지지 유닛에는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면으로부터 내측으로 만입된 그루브가 형성되고, 상기 지지 유닛은 상기 제1영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제1지지 돌기, 상기 제2영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제2지지 돌기 및 상기 그루브의 하면에 형성되어 상기 기판을 진공 흡착하는 흡착 홀을 포함하고, 상기 복수의 제1지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제1형태는 상기 복수의 제2지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제2형태와 대칭을 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 지지 유닛을 매개로 상기 기판에 열을 전달하는 열 전달 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛의 상면에는 상기 제2영역을 감싸는 제3영역이 더 제공되고, 상기 지지 유닛에는 상기 제2영역과 상기 제3영역 사이에 상기 그루브가 더 형성되고, 상기 지지 유닛은 상기 제3영역에 형성되고, 상기 기판의 가장자리 하면을 지지하는 복수의 제3지지 돌기를 더 포함하고, 상기 제2형태와 상기 복수의 제3지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제3형태는 서로 대칭을 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1지지 돌기, 상기 제2지지 돌기, 그리고 상기 제3지지 돌기의 상면은 라운드지게 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1형태, 상기 제2형태, 그리고 제3형태는 삼각형일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은 상기 흡착 홀에 연결되고, 상기 지지 유닛의 내부에 설치되는 진공 라인 및 상기 진공 라인에 음압을 전달하는 감압 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 지지 유닛에 지지된 기판의 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 최소한의 접촉 면적으로 지지하는 동시에 기판의 온도 균일성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 지지 유닛에 지지된 기판에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치에서 기판과 지지 유닛 사이의 접촉에 의해 기판의 하면에 손상이 발생된 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 절단한 모습을 개략적으로 보여주는 절단 사시도이다.
도 5는 도 3의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 지지 유닛의 상면에 형성된 지지 돌기의 배열에 따른 기판의 온도 변화 수치와 기판의 휨 발생 정도를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 3의 일 실시예에 따른 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 변화 수치와 기판의 휨 발생 정도를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하에서는 도 2 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다. 이하에서는, 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)이 배치된 방향을 제1방향(2)으로 정의하고, 제1방향(2)과 같은 평면에서 수직한 방향을 제2방향(4)이라 정의한다.
전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(Load port, 200) 및 이송 프레임(220)을 가진다. 로드 포트(200)는 제1방향(2)으로 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(200)는 복수 개의 지지부(202)를 가진다. 각각의 지지부(202)는 제2방향(4)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(C)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(C)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(220)은 로드 포트(200)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(220)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(200)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제1이송 로봇(222)을 포함한다. 제1이송 로봇(222)은 제2방향(4)으로 구비된 이송 레일(224)을 따라 이동하여 캐리어(C)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(300), 트랜스퍼 챔버(400), 그리고 프로세스 챔버(500)를 포함한다.
로드락 챔버(300)는 이송 프레임(220)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(300)는 트랜스퍼 챔버(400)와 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(300)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(500)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(400)는 로드락 챔버(300)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(400)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 트랜스퍼 챔버(400)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖을 수 있다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(300)와 복수 개의 프로세스 챔버(500)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(400)와 로드락 챔버(300) 또는 프로세스 챔버(500)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다.
트랜스퍼 챔버(400)의 내부 공간에는 로드락 챔버(300)와 프로세스 챔버(500)들간에 기판(W)을 이송하는 제2이송 로봇(420)이 배치된다. 제2이송 로봇(420)은 로드락 챔버(300)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(500)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(300)로 이송한다. 그리고, 복수 개의 프로세스 챔버(500)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(500)간에 기판(W)을 이송한다. 일 예로, 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(400)가 오각형의 몸체를 가질 때, 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(300)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(500)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(400)의 형상은 이에 한정되지 않고, 요구되는 공정 모듈에 따라 다양한 형태로 변형되어 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(500)는 트랜스퍼 챔버(400)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(500)는 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(500)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(500)는 제2이송 로봇(420)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제2이송 로봇(420)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(500)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버(500)에 대하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 프로세스 챔버(500)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱(Ashing)할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 선택적으로, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다.
프로세스 챔버(500)는 공정 처리부(520), 플라즈마 발생부(540), 확산부(560), 그리고 배기부(580)를 포함할 수 있다.
공정 처리부(520)는 기판(W)이 놓이고, 기판(W)에 대한 처리가 수행되는 처리 공간(5200)을 제공한다. 후술하는 플라즈마 발생부(540)에서 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성시키고, 이를 공정 처리부(520)의 처리 공간(5200)으로 공급한다. 공정 처리부(520)의 내부에 머무르는 공정 가스 및/또는 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생한 반응 부산물 등은 후술하는 배기부(580)를 통해 프로세스 챔버(500)의 외부로 배출한다. 이로 인해, 공정 처리부(520) 내의 압력을 설정 압력으로 유지할 수 있다.
공정 처리부(520)는 하우징(5220), 지지 유닛(5240), 배기 배플(5260), 그리고 배플(5280)을 포함할 수 있다.
하우징(5220)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(5200)이 제공될 수 있다. 하우징(5220)의 외벽은 도체로 제공될 수 있다. 일 예로, 하우징(5220)의 외벽은 알루미늄을 포함하는 금속 재질로 제공될 수 있다. 하우징(5220)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통해 하우징(5220)의 내부로 출입한다. 개구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(5220)의 바닥면에는 배기홀(5222)이 형성된다.
배기홀(5222)을 통해 처리 공간(5200) 내를 유동하는 공정 가스 및/또는 부산물을 처리 공간(5200)의 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(5222)은 후술하는 배기부(580)를 포함하는 구성들과 연결될 수 있다.
도 4는 도 3의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 절단한 모습을 개략적으로 보여주는 절단 사시도이다. 도 5는 도 3의 일 실시예에 따른 지지 유닛을 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는, 도 4와 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 지지 유닛에 대해 상세히 설명한다.
도 4와 도 5를 참조하면, 지지 유닛(5240)은 하우징(5220) 내부에 배치된다. 예컨대, 지지 유닛(5240)은 처리 공간(5200) 내에 배치될 수 있다. 지지 유닛(5240)은 처리 공간(5200)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(5240)은 척(Chuck)일 수 있다.
지지 유닛(5240)은 몸체(5241), 지지 축(5242), 열 전달 유닛(5243), 지지 돌기(5244), 그리고 진공 유닛(5248)을 포함할 수 있다.
몸체(5241)는 기판(W)이 안착되는 상부면을 가진다. 몸체(5241)의 상부면은 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공될 수 있다. 일 예로, 몸체(5241)의 상부면은 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 또한, 몸체(5241)의 상부면은 상부에서 바라볼 때, 기판(W)의 상부면보다 큰 면적으로 제공될 수 있다. 몸체(5241)의 상면 외측을 따라 돌출부가 형성될 수 있다. 돌출부는 몸체(5241)의 상면으로부터 위 방향으로 돌출되게 형성될 수 있다. 몸체(5241)의 상면으로부터 돌출부의 상단까지의 높이는 기판(W)이 후술하는 지지 돌기(5244)에 안착되었을 때, 몸체(5241)의 상면으로부터 기판(W)의 상단까지의 높이보다 크거나 같을 수 있다. 돌출부의 내측면은 기판(W)이 지지 돌기(5244)에 안착했을 때의 기판(W)의 외측면과 접하도록 제공될 수 있다.
몸체(5241)의 내부에는 후술하는 열 전달 유닛(5243)과 진공 유닛(5248)이 설치될 수 있다. 몸체(5241)의 상부면은 제1영역(A1), 제2영역(A2), 그리고 제3영역(A3)으로 구획될 수 있다. 제1영역(A1)은 몸체(5241)의 중심을 포함하는 영역으로 정의된다. 제2영역(A2)은 제1영역(A1)을 감싸는 영역으로 정의된다. 제3영역(A3)은 제2영역(A2)을 감싸는 영역을 정의된다. 예컨대, 제1영역(A1), 제2영역(A2), 그리고 제3영역(A3)은 몸체(5241)의 중심으로부터 바깥쪽을 향할 때 순차적으로 위치할 수 있다. 제1영역(A1)에는 후술하는 제1지지돌기(5245)가 형성된다. 제2영역(A2)에는 후술하는 제2지지돌기(5246)가 형성된다. 제3영역(A3)에는 후술하는 제3지지돌기(5247)가 형성된다.
몸체(5241)에는 그루브(G)가 형성될 수 있다. 몸체(5241)의 상면에는 그루브(G)가 형성될 수 있다. 그루브(G)는 몸체(5241)의 상면으로부터 내측으로 만입되어 형성될 수 있다. 그루브(G)는 몸체(5241)의 상면으로부터 아래 방향으로 만입될 수 있다. 그루브(G)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 링 형상으로 형성될 수 있다. 그루브(G)는 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 그루브(G)는 제2영역(A2)과 제3영역(A3) 사이에 형성될 수 있다.
그루브(G)에는 흡착 홀(H)이 형성될 수 있다. 그루브(G)의 하면에는 흡착 홀(H)이 형성될 수 있다. 흡착 홀(H)은 그루브(G)의 길이 방향을 따라 복수 개 제공될 수 있다. 흡착 홀(H)은 후술하는 진공 유닛(5249)과 연통할 수 있다. 흡착 홀(H)은 그루브(G)에 음압을 제공할 수 있다. 흡착 홀(H)은 그루브(G)의 내부 공간에 음압을 형성함으로써, 후술하는 지지 돌기(5244), 기판(W)의 하면, 그리고 몸체(5241)의 외측에 형성된 돌출부 사이에 형성된 공간에 음압을 형성할 수 있다. 이에, 기판(W)의 하면은 진공력에 의해 흡착 지지될 수 있다.
지지 축(5242)은 몸체(5241)와 결합한다. 지지 축(5242)은 몸체(5241)의 하면과 결합할 수 있다. 지지 축(5242)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 축(5242)의 내부에는 후술하는 진공 라인(5248a)이 형성될 수 있다. 지지 축(5242)은 대상물을 이동시킬 수 있다. 일 예로, 지지 축(5242)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 지지 축(5242)은 몸체(5241)와 결합하여 몸체(5241)를 승하강시켜 기판(W)을 상하 이동시킬 수 있다.
열 전달 유닛(5243)은 기판(W)을 가열한다. 열 전달 유닛(5243)은 몸체(5241)의 내부에 매설될 수 있다. 열 전달 유닛(5243)은 몸체(5241)의 온도를 상승시켜 기판(W)을 가열한다. 즉, 열 전달 유닛(5243)은 몸체(5241)를 매개로 하여 기판(W)의 온도를 조절한다. 열 전달 유닛(5243)은 도시되지 않은 전원과 연결된다. 열 전달 유닛(5243)은 도시되지 않은 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 발열한다. 발생된 열은 몸체(5241)를 통해 기판(W)으로 전달된다. 열 전달 유닛(5243)에서 발생한 열에 의해 기판(W)은 소정의 온도로 유지될 수 있다.
일 예에 의하면, 열 전달 유닛(5243)은 나선 형상의 코일로 복수 개 제공될 수 있다. 열 전달 유닛(5243)은 몸체(5241)의 서로 다른 영역에 각각 제공될 수 있다. 예컨대, 몸체(5241)의 중앙 영역과 몸체(5241)의 가장자리 영역을 가열하는 열 전달 유닛(5243)이 각각 제공되고, 독립적으로 발열 정도가 조절될 수 있다. 일 예에 의하면, 열 전달 유닛(5243)은 텅스텐과 같은 발열체로 제공될 수 있다.
지지 돌기(5244)는 몸체(5241)에 설치된다. 지지 돌기(5244)는 몸체(5241)의 상면에 설치된다. 지지 돌기(5244)는 기판(W)을 지지한다. 지지 돌기(5244)의 상단은 기판(W)의 하단을 지지한다. 지지 돌기(5244)는 몸체(5241)와 일체로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 지지 돌기(5244)는 몸체(5241)와 일체로 형성되지 않을 수도 있다.
지지 돌기(5244)는 복수 개로 형성될 수 있다. 지지 돌기(5244)는 대체로 원통 형상으로 형성될 수 있다. 일 예에 의하면, 지지 돌기(5244)의 상단은 라운드지게 형성될 수 있다. 이에, 일 예에 따른 지지 돌기(5244)는 기판(W)의 하면을 점 접촉할 수 있다.
지지 돌기(5244)는 제1지지 돌기(5245), 제2지지 돌기(5246), 그리고 제3지지 돌기(5247)를 포함할 수 있다. 제1지지 돌기(5245)는 몸체(5241)의 상부면 중 몸체(5241)의 중심을 포함하는 제1영역(A1)에 형성될 수 있다. 예컨대, 도 5와 같이 제1지지 돌기(5245)는 제1영역(A1) 내에서 3 개 제공될 수 있다. 복수 개의 제1지지 돌기(5245)들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제1형태는 한 변이 제1길이를 가지는 제1삼각형 형태로 형성될 수 있다. 제1지지 돌기(5245)는 기판(W)의 중심을 포함하는 영역을 지지할 수 있다.
제2지지 돌기(5246)는 몸체(5241)의 상부면 중 제1영역(A1)을 감싸는 제2영역(A2)에 형성될 수 있다. 예컨대, 도 5와 같이, 제2지지 돌기(5246)는 제2영역(A2) 내에서 3개 제공될 수 있다. 복수 개의 제2지지 돌기(5246)들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제2형태는 한 변이 제2길이를 가지는 제2삼각형의 형태를 구성할 수 있다.
제3지지 돌기(5247)는 몸체(52441)의 상부면 중 제2영역(A2)을 감싸는 제3영역(A3)에 형성될 수 있다. 예컨대, 도 5와 같이, 제3지지 돌기(5247)는 제3영역(A3) 내에서 3개 제공될 수 있다. 복수 개의 제3지지 돌기(5247)들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제3형태는 한 변이 제3길이를 가지는 제3삼각형의 형태를 이룰 수 있다.
제1지지 돌기(5245)가 이루는 제1형태는 제2지지 돌기(5246)가 이루는 제2형태와 대칭으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1형태는 제2형태가 상하 반전된 형태일 수 있다. 또한, 제2지지 돌기(5246)가 이루는 제2형태와 제3지지 돌기(5247)가 이루는 제3형태는 서로 대칭일 수 있다. 예컨대, 제2형태는 제3형태가 상하 반전된 형태일 수 있다.
진공 유닛(5248)은 그루브(G) 내부 공간에 진공력을 제공할 수 있다. 진공 유닛(5248)은 그루브(G) 내부 공간에 음압을 제공하여 기판(W)을 지지 유닛(5240)에 흡착시킬 수 있다. 진공 유닛(5248)은 진공 라인(5248a)과 감압 부재(5248b)를 포함할 수 있다.
진공 라인(5248a)은 진공 유닛(5240)의 내부에 매설될 수 있다. 예컨대, 진공 라인(5248a)은 몸체(5241)와 지지 축(5242)의 내부에 형성될 수 있다. 진공 라인(5248a)은 열 전달 유닛(5243)과 중첩되지 않는 위치에 설치될 수 있다. 진공 라인(5248a)의 일단은 흡착 홀(H)과 연결될 수 있다. 진공 라인(5248a)의 타단은 후술하는 감압 부재(5248b)와 연결될 수 있다.
감압 부재(5248b)는 그루브(G)에 음압을 제공할 수 있다. 감압 부재(5248b)는 기판(W)이 지지 유닛(5240)에 고정되도록 진공력을 제공한다. 감압 부재(5248b)는 펌프일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 감압 부재(5248b)는 음압을 제공하는 공지된 장치로 다양하게 변형되어 제공될 수 있다.
도 6은 지지 유닛의 상면에 형성된 지지 돌기의 배열에 따른 기판의 온도 변화 수치와 기판의 휨 발생 정도를 보여주는 도면이다. 도 7은 도 3의 일 실시예에 따른 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 변화 수치와 기판의 휨 발생 정도를 보여주는 도면이다.
도 6과 도 7에 표현된 Temp.(VAG)는 기판(W)에 전달되는 평균 온도를 의미하며, Temp.(Range)는 기판(W)의 영역 별 온도 중 가장 높은 온도와 가장 낮은 온도의 차이값을 의미하고, Bare Wafer Warpage는 기판의 휨 발생 여부를 의미한다. 이하에서는, 지지 유닛(5240)에 형성된 지지 돌기(5244)의 개수 및 배열에 따라 기판의 온도 분포와 기판의 휨 발생 여부에 대한 실험 데이터를 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛(5240)에 대한 효과를 설명한다.
이하에서는 왼쪽에서 오른쪽의 실험 데이터를 순차적으로 참조하여 지지 돌기의 개수 및 배열에 따른 기판의 온도 분포와 휨 발생 여부에 대해 설명한다.
지지 돌기(5244)가 몸체(5241)의 상부면 전 영역에 많은 개수로 형성되는 경우, 기판(W)의 평균 온도는 섭씨 245.9도로 측정되었으며, 온도 편차는 섭씨 10.5도로 측정되었다. 다만, 이 경우 많은 수의 지지 돌기(5244)들이 기판(W)의 하면에서 고르게 지지함으로써 기판(W)의 휨 현상은 발생하지 않았다.
다음으로, 기판(W)의 중심 영역과 대응되는 영역에 복수 개의 지지 돌기(5244)들이 좁은 간격으로 배치된 경우, 기판(W)의 평균 온도는 섭씨 247.5도로 측정되었으며, 온도 편차는 섭씨 10도로 측정되었다.
이어서, 기판(W)의 가장자리 영역에 대응되는 몸체(5241)의 가장자리 영역에만 지지 돌기(5244)들을 배치한 경우, 기판(W)의 온도는 섭씨 251.3도, 기판(W)의 온도 편차는 7.4도로 측정되었다. 이 경우, 기판(W)은 휨 현상이 발생하였다.
이와 달리, 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛(5240)에 의할 때, 기판(W)의 평균 온도는 섭씨 248.9도로 측정되었으며, 기판(W)의 영역별 온도 편차는 섭씨 4.3도로 도 6에 나타난 다른 실험예들보다 낮은 온도 편차값을 보였다. 또한, 기판(W)의 온도가 균일하게 형성됨과 동시에, 기판(W)이 휘는 현상은 발생하지 않았다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1지지 돌기(5245), 제2지지 돌기(5246), 그리고 제3지지 돌기(5247)가 각각의 몸체(5241)의 상부에 구분된 영역에 형성되고, 각각의 영역에 형성된 지지 돌기(5244)들이 이루는 형태가 서로 대칭을 이루게 제공됨으로써, 최소한의 지지 돌기(5244)들을 사용하여 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있다. 또한, 최소한의 지지 돌기(5244)들을 사용하여 기판(W)을 지지하면서도, 기판(W)에 전달되는 열이 균일하게 분배될 수 있다. 또한, 최소한의 지지 돌기(5244)들을 사용함으로써, 기판(W)의 하면에 가해지는 접촉 충격을 최소화할 수 있다. 이에, 기판(W)의 손상으로 인해 발생하는 처리 공정의 불량률을 개선할 수 있다.
지지 돌기(5244)의 상단이 라운드지게 형성됨으로써, 지지 돌기(5244)의 상단과 기판(W)의 하면이 점 접촉을 할 수 있다. 기판(W)을 지지할 때, 접촉으로 인해 발생하는 기판(W)의 하면의 손상을 최소화할 수 있다. 이에, 기판(W)을 지지하여 기판(W)에 대한 소정의 처리가 수행될 때, 기판(W)의 손상으로부터 발생되는 파티클 등이 처리 공간으로 유출되는 것을 최소화할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 의한 지지 유닛(5240)은 진공 흡착 방식으로 기판(W)의 하면을 흡착하여 진공압을 이용하여 기판(W)을 지지하는 것을 예로 들어 설명하였다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 지지 유닛(5240)은 아암 혹은 클램프 등을 이용하여 기판(W)의 지지 표면을 눌러 고정하는 기계적 고정 방식, 또는 기판(W)과 지지 유닛(5240) 사이에 정전기를 발생시켜 정전기력으로 기판(W)을 고정하는 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다.
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 몸체(5241)의 상면은 제1영역(A1), 제2영역(A2), 그리고 제3영역(A3)으로 구분되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 몸체(5241)의 상면은 제1영역(A1)과 제1영역(A1)을 감싸는 제2영역(A2)으로 구획되고, 제1영역(A1)에 제1형태를 이루는 제1지지 돌기(5245)가 제공되고, 제2영역(A2)에 제1형태와 대칭을 이루는 제2형태를 형성하는 제2지지 돌기(5246)가 제공될 수 있다.
이와 같은 방식으로, 몸체(5241)의 상면에는 제3영역(A3)을 감싸는 복수 개의 영역들이 더 제공되고, 복수 개의 영역들에는 서로 대칭을 이루는 지지 돌기들이 더 형성될 수도 있다.
다시 도 3을 참조하면, 배기 배플(5260)은 처리 공간(5200)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(5260)은 상부에서 바라볼 때, 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(5260)은 처리 공간(5200) 내에서 하우징(5220)의 내측벽과 지지 유닛(5240) 사이에 위치할 수 있다. 배기 배플(5260)에는 복수의 배기 홀(5262)들이 형성된다. 배기 홀(5262)들은 상하 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 배기 홀(5262)들은 배기 배플(5260)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공될 수 있다. 배기 홀(5262)들은 배기 배플(5260)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열될 수 있다.
배플(5280)은 공정 처리부(520)와 플라즈마 발생부(540) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 배플(5280)은 공정 처리부(520)와 확산부(560) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 배플(5280)은 지지 유닛(5240)과 확산부(560) 사이에 배치될 수 있다. 배플(5280)은 지지 유닛(5240)의 상부에 배치될 수 있다. 일 예로, 배플(5280)은 공정 처리부(520)의 상단에 배치될 수 있다.
배플(5280)은 플라즈마 발생부(540)에서 발생하는 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 균일하게 전달할 수 있다. 배플(5280)에는 배플 홀(5282)이 형성될 수 있다. 배플 홀(5282)은 복수 개로 제공될 수 있다. 배플 홀(5282)들은 서로 이격되게 제공될 수 있다. 배플 홀(5282)들은 배플(5280)의 상단에서 하단까지 관통할 수 있다. 배플 홀(5282)들은 플라즈마 발생부(540)에서 발생하는 플라즈마가 처리 공간(5200)으로 유동하는 통로로 기능할 수 있다.
배플(5280)은 판 형상을 가질 수 있다. 배플(5280)은 상부에서 바라볼 때, 원판 형상을 가질 수 있다. 배플(5280)은 단면에서 바라볼 때, 그 상면의 높이가 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 높아질 수 있다. 일 예로, 배플(5280)은 단면에서 바라볼 때, 그 상면이 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 상향 경사지는 형상을 가질 수 있다.
이에, 플라즈마 발생부(540)에서 발생하는 플라즈마는 배플(5280)의 경사진 단면을 따라 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동할 수 있다. 상술한 예와 달리, 배플(5280)의 단면은 경사지게 제공되지 않을 수 있다. 일 예로, 배플(5280)은 소정의 두께를 가지는 원판 형상으로 제공될 수 있다.
플라즈마 발생부(540)는 후술하는 가스 공급 유닛(5440)으로부터 공급되는 공정 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 공급할 수 있다.
플라즈마 발생부(540)는 공정 처리부(520)의 상부에 위치할 수 있다. 플라즈마 발생부(540)는 하우징(5220)과 후술하는 확산부(560)보다 상부에 위치할 수 있다. 공정 처리부(520), 확산부(560), 그리고 플라즈마 발생부(540)는 제1방향(2) 및 제2방향(4)과 모두 수직한 제3방향(6)을 따라 지면으로부터 순차적으로 위치할 수 있다.
플라즈마 발생부(540)는 플라즈마 챔버(5420), 가스 공급 유닛(5440), 그리고 전력 인가 유닛(5460)을 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(5420)는 상면, 그리고 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 플라즈마 챔버(5420)는 상면, 그리고 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)의 상단 및 하단에는 개구가 형성될 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)는 플라즈마 발생 공간(5422)을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
플라즈마 챔버(5420)의 상면은 가스 공급 포트(5424)에 의해 밀폐될 수 있다. 가스 공급 포트(5424)는 후술하는 가스 공급 유닛(5440)과 연결될 수 있다. 공정 가스는 가스 공급 포트(5424)를 통해 플라즈마 발생 공간(5422)으로 공급될 수 있다. 플라즈마 발생 공간(5422)으로 공급된 공정 가스는 배플 홀(5282)을 거쳐 처리 공간(5200)으로 균일하게 분배될 수 있다.
가스 공급 유닛(5440)은 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(5440)은 가스 공급 포트(5424)와 연결될 수 있다. 가스 공급 유닛(5440)이 공급하는 공정 가스는 플루오린(Fluorine) 및/또는 하이드러전(Hydrogen)을 포함할 수 있다.
전력 인가 유닛(5460)은 플라즈마 발생 공간(5422)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(5460)은 플라즈마 발생 공간(5422)에서 공정 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스일 수 있다. 전력 인가 유닛(5460)은 안테나(5462)와 전원(5464)을 포함할 수 있다.
안테나(5462)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나일 수 있다. 안테나(5462)는 코일 형상으로 제공될 수 있다. 안테나(5462)는 플라즈마 챔버(5420)의 외부에서 플라즈마 챔버(5420)를 복수 회 감을 수 있다. 안테나(5462)는 플라즈마 챔버(5420)의 외부에서 나선 형으로 플라즈마 챔버(5420)를 복수 회 감을 수 있다.
안테나(5462)는 플라즈마 발생 공간(5422)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(5420)에 감길 수 있다. 안테나(5462)의 일단은 플라즈마 챔버(5420)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(5420)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다. 안테나(5462)의 타단은 플라즈마 챔버(5420)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(5420)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다.
전원(5464)은 안테나(5462)에 전력을 인가할 수 있다. 전원(5464)은 안테나(5462)에 고주파 교류 전류를 인가할 수 있다. 안테나(5462)에 인가된 고주파 교류 전류는 플라즈마 발생 공간(5422)에 유도 전기장을 형성할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(5422) 내로 공급되는 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다.
전원(5464)은 안테나(5462)의 일단에 연결될 수 있다. 전원(5464)은 플라즈마 챔버(5420)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(5462)의 일단에 연결될 수 있다. 또한, 안테나(5462)의 타단은 접지될 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(5462)의 타단은 접지될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 안테나(5462)의 일단이 접지되고, 안테나(5462)의 타단에 전원(5464)이 연결될 수 있다.
확산부(560)는 플라즈마 발생부(540)에서 발생된 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 확산시킬 수 있다. 확산부(560)는 확산 챔버(5620)를 포함할 수 있다. 확산 챔버(5620)는 플라즈마 챔버(5420)에서 발생된 플라즈마를 확산시키는 플라즈마 확산 공간(5622)을 제공한다. 플라즈마 발생부(540)에서 발생된 플라즈마는 플라즈마 확산 공간(5622)을 거치면서 확산될 수 있다. 플라즈마 확산 공간(5622)으로 유입된 플라즈마는 배플(5280)을 거쳐 처리 공간(5200)으로 균일하게 분배될 수 있다.
확산 챔버(5620)는 플라즈마 챔버(5420)의 하부에 위치할 수 있다. 확산 챔버(5620)는 하우징(5220)과 플라즈마 챔버(5420) 사이에 위치할 수 있다. 하우징(5220), 확산 챔버(5620), 그리고 플라즈마 챔버(5420)는 제3방향(6)을 따라 지면으로부터 순차적으로 위치할 수 있다. 확산 챔버(5620)의 내주면은 부도체로 제공될 수 있다. 일 예로, 확산 챔버(5620)의 내주면은 석영(Quartz)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
배기부(580)는 처리부(520) 내부의 공정 가스 및 불순물을 외부로 배기할 수 있다. 배기부(580)는 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생하는 불순물과 파티클 등을 프로세스 챔버(500)의 외부로 배기할 수 있다. 배기부(580)는 처리 공간(5200) 내로 공급된 공정 가스를 프로세스 챔버(500)의 외부로 배기할 수 있다. 배기부(580)는 배기 라인(5820)을 포함할 수 있다. 배기 라인(5820)은 하우징(5220)의 바닥면에 형성된 배기 홀(5222)과 연결될 수 있다. 배기 라인(5820)은 도시되지 않은 음압을 제공하는 펌프와 연결되어 하우징(5220)의 외부로 처리 공간(5200)에 잔류하는 플라즈마, 불순물, 그리고 파티클 등을 하우징(5220)의 외부로 배출한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
20 : 전방 단부 모듈
30 : 처리 모듈
500 : 프로세스 챔버
5240 : 지지 유닛
5241 : 몸체
5242 : 지지 축
5243 : 열 전달 유닛
5244 : 지지 돌기
5245 : 제1지지 돌기
5246 : 제2지지 돌기
5247 : 제3지지 돌기
5248 : 진공 유닛
G : 그루브
H : 흡착 홀
A1 : 제1영역
A2 : 제2영역
A3 : 제3영역

Claims (12)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 제공하는 하우징;
    상기 처리 공간 내에 배치되어 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 하우징 상부에 구비되고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 지지 유닛의 상면에는 상기 지지 유닛의 중심을 포함하는 제1영역과 상기 제1영역을 감싸는 제2영역으로 구성되고,
    상기 지지 유닛에는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면으로부터 내측으로 만입된 그루브가 형성되고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제1영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제1지지 돌기;
    상기 제2영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제2지지 돌기; 및
    상기 그루브의 하면에 형성되어 상기 기판을 진공 흡착하는 흡착 홀을 포함하고,
    상기 복수의 제1지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제1형태는 상기 복수의 제2지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제2형태와 180도 대칭을 형성하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 지지 유닛을 매개로 상기 기판에 열을 전달하는 열 전달 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지지 유닛의 상면에는 상기 제2영역을 감싸는 제3영역이 더 제공되고,
    상기 지지 유닛에는 상기 제2영역과 상기 제3영역 사이에 상기 그루브가 더 형성되고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제3영역에 형성되고, 상기 기판의 가장자리 하면을 지지하는 복수의 제3지지 돌기를 더 포함하고,
    상기 제2형태와 상기 복수의 제3지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제3형태는 서로 대칭을 형성하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1지지 돌기, 상기 제2지지 돌기, 그리고 상기 제3지지 돌기의 상면은 라운드지게 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1형태, 상기 제2형태, 그리고 제3형태는 삼각형인 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 흡착 홀에 연결되고, 상기 지지 유닛의 내부에 설치되는 진공 라인; 및
    상기 진공 라인에 음압을 전달하는 감압 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 상면에 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    상기 지지 유닛의 상면에는 상기 지지 유닛의 중심을 포함하는 제1영역과 상기 제1영역을 감싸는 제2영역으로 구성되고,
    상기 지지 유닛에는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에 형성되고, 상기 지지 유닛의 상면으로부터 내측으로 만입된 그루브가 형성되고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제1영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제1지지 돌기;
    상기 제2영역에 형성되고, 상기 기판의 하면을 지지하는 복수의 제2지지 돌기; 및
    상기 그루브의 하면에 형성되어 상기 기판을 진공 흡착하는 흡착 홀을 포함하고,
    상기 복수의 제1지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제1형태는 상기 복수의 제2지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제2형태와 180도 대칭을 형성하는 지지 유닛.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 지지 유닛을 매개로 상기 기판에 열을 전달하는 열 전달 유닛을 더 포함하는 지지 유닛.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지 유닛의 상면에는 상기 제2영역을 감싸는 제3영역이 더 제공되고,
    상기 지지 유닛에는 상기 제2영역과 상기 제3영역 사이에 상기 그루브가 더 형성되고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제3영역에 형성되고, 상기 기판의 가장자리 하면을 지지하는 복수의 제3지지 돌기를 더 포함하고,
    상기 제2형태와 상기 복수의 제3지지 돌기들을 연결한 가상의 직선이 이루는 제3형태는 서로 대칭을 형성하는 지지 유닛.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1지지 돌기, 상기 제2지지 돌기, 그리고 상기 제3지지 돌기의 상면은 라운드지게 형성되는 지지 유닛.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1형태, 상기 제2형태, 그리고 제3형태는 삼각형인 지지 유닛.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 흡착 홀에 연결되고, 상기 지지 유닛의 내부에 설치되는 진공 라인; 및
    상기 진공 라인에 음압을 전달하는 감압 부재를 포함하는 지지 유닛.
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