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KR102612639B1 - Resist composition and method of forming resist pattern - Google Patents

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KR102612639B1
KR102612639B1 KR1020160010291A KR20160010291A KR102612639B1 KR 102612639 B1 KR102612639 B1 KR 102612639B1 KR 1020160010291 A KR1020160010291 A KR 1020160010291A KR 20160010291 A KR20160010291 A KR 20160010291A KR 102612639 B1 KR102612639 B1 KR 102612639B1
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가즈이시 단노
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법.
(해결수단) 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 (B), 용제 (S) 및 전체 고형분 중 0.2~10 질량%의 하기 식 (f1)으로 나타나는 구성단위를 갖는 중합체 (F) 를 함유하는 레지스트 조성물로서, 용제 (S)는 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌글리콜모노메틸 에테르(PGME)를 포함하고, 전체 용제 중 프로필렌카보네이트의 양은 0.1~3 질량%인 레지스트 조성물.
식 (f1)

(식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, L1 및 L2는, 서로 동일하거나 상이하며, 단결합, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10의 탄화수소기이고, x는 0 또는 1이고, m은 1 내지 20의 정수이고, n은 1 내지 2m+1의 정수를 나타내고, p는 1 내지 20의 정수이고, q는 1 내지 2p의 정수를 나타낸다.)
(Assignment) Resist composition and resist pattern formation method.
(Solution means) Base component (A) whose solubility in an alkaline developer changes due to the action of acid, acid generator component (B) which generates acid upon exposure, solvent (S), and 0.2 to 10 mass of total solids. A resist composition containing a polymer (F) having a structural unit represented by the following formula (f1) in %, wherein the solvent (S) is propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether (PGME). A resist composition comprising, and the amount of propylene carbonate in the total solvent is 0.1 to 3% by mass.
Equation (f1)

(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and L 1 and L 2 are the same or different from each other and have a single bond, a carbonyl group, an ether bond, or an ester bond. It is a hydrocarbon group optionally having 1 to 10 carbon atoms, x is 0 or 1, m is an integer of 1 to 20, n represents an integer of 1 to 2m+1, p is an integer of 1 to 20, and q is Represents an integer of 1 to 2p.)

Description

레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법{RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}Resist composition and resist pattern forming method {RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN}

본 발명은 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to resist compositions and methods for forming resist patterns.

리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 소정의 패턴이 형성된 마스크를 개재해서 광, 전자선 등의 방사선으로 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다.In lithography technology, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, the resist film is selectively exposed to radiation such as light or electron beam through a mask on which a predetermined pattern is formed, and development is performed. By performing this, a process of forming a resist pattern of a predetermined shape on the resist film is carried out.

노광된 부분이 현상액에 용해되는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 포지티브형, 노광된 부분이 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화하는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.A resist material whose exposed portion changes in the property of being soluble in the developer is called a positive type, and a resist material whose exposed portion changes to a property of being insoluble in the developer is called a negative type.

최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 의해 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다.Recently, in the manufacture of semiconductor devices and liquid crystal display devices, patterns have been rapidly refined due to advances in lithography technology.

미세화의 수법으로는, 일반적으로 노광 광원의 단파장화 (고에너지화) 가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는 g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었는데, 현재는 KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 개시되어 있다. 또, 이들 엑시머 레이저보다 단파장 (고에너지) 의 전자선, EUV (극자외선) 나 X 선 등에 대해서도 검토가 이루어지고 있다.As a technique for miniaturization, shortening the wavelength (higher energy) of the exposure light source is generally implemented. Specifically, conventionally, ultraviolet rays represented by g-rays and i-rays have been used, but currently, mass production of semiconductor devices using KrF excimer lasers and ArF excimer lasers has been started. In addition, electron beams with shorter wavelengths (higher energy) than these excimer lasers, EUV (extreme ultraviolet rays), and X-rays are also being examined.

액침 노광 프로세스에 있어서, 스캔식의 액침 노광기를 사용하여 노광할 경우, 렌즈의 이동에 따라 액침액이 이동하지 않으면 노광 스피드가 저하되어 생산성에 영향을 줄 수 있다. 이러한 이유로, 레지스트막은 액침액에 대하여 높은 후퇴 접촉각을 갖는 것이 바람직하다.In the liquid immersion exposure process, when exposing using a scan-type liquid immersion exposure machine, if the liquid immersion liquid does not move as the lens moves, the exposure speed may decrease, which may affect productivity. For this reason, it is desirable for the resist film to have a high receding contact angle with respect to the immersion liquid.

이에 액침 노광시 액침액에 대한 후퇴 접촉각을 개선하기 위한 검토가 이루어져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 감마-부틸락톤(GBL) 및 알킬 카르보네이트를 채용하여 후퇴 접촉각을 향상시킨 레지스트 조성물이 개시되어 있다.Accordingly, studies have been conducted to improve the receding contact angle for the immersion liquid during liquid immersion exposure. For example, Patent Document 1 discloses a resist composition that improves the receding contact angle by employing gamma-butyl lactone (GBL) and alkyl carbonate.

일본 공개특허공보 2010-102329호Japanese Patent Publication No. 2010-102329

그러나 특허문헌 1 에 기재된 발명 등에 있어서, 많은 양의 GBL 또는 프로필렌 카르보네이트에 의해, EBR(Edge bread removal)에 의해 형성된 엣지 형태가 거칠다는 문제가 있었다. However, in the invention described in Patent Document 1, etc., there was a problem that the edge shape formed by EBR (Edge bread removal) was rough due to the large amount of GBL or propylene carbonate.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 적은 양의 프로필렌 카보네이트를 포함하는 혼합 용제 및 특정 불소화 중합체를 포함하는 레지스트 조성물을 채용함으로써, 높은 후퇴 접촉각을 얻을 수 있음과 함께 우수한 엣지 형태가 얻어지는 우수한 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and by employing a resist composition containing a mixed solvent containing a small amount of propylene carbonate and a specific fluorinated polymer, a high receding contact angle can be obtained and an excellent resist can be obtained with an excellent edge shape. The object is to provide a composition and a method of forming a resist pattern using the resist composition.

본 발명의 제 1 양태는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 (B), 용제 (S) 및 전체 고형분 중 0.2~10 질량%의 하기 식 (f1)으로 나타나는 구성단위를 갖는 중합체 (F) 를 함유하는 레지스트 조성물로서,The first aspect of the present invention is a base component (A) whose solubility in an alkaline developer changes due to the action of an acid, an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure, a solvent (S), and total solids. A resist composition containing 0.2 to 10% by mass of a polymer (F) having a structural unit represented by the following formula (f1),

용제 (S)는 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌글리콜모노메틸 에테르(PGME)를 포함하고, 전체 용제 중 프로필렌카보네이트의 양은 0.1~3 질량%인 레지스트 조성물이다.The solvent (S) is a resist composition containing propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether (PGME), and the amount of propylene carbonate in the total solvent is 0.1 to 3% by mass.

[화학식 1][Formula 1]

식 (f1)Equation (f1)

(식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, L1 및 L2는, 서로 동일하거나 상이하며, 단결합, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10의 탄화수소기이고, x는 0 또는 1이고, m은 1 내지 20의 정수이고, n은 1 내지 2m+1의 정수를 나타내고, p는 1 내지 20의 정수이고, q는 1 내지 2p의 정수를 나타낸다.)(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and L 1 and L 2 are the same or different from each other and have a single bond, a carbonyl group, an ether bond, or an ester bond. It is a hydrocarbon group optionally having 1 to 10 carbon atoms, x is 0 or 1, m is an integer of 1 to 20, n represents an integer of 1 to 2m+1, p is an integer of 1 to 20, and q is Represents an integer of 1 to 2p.)

본 발명의 제 2 양태는, 지지체 상에, 상기 본 발명의 제 1 양태의 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.A second aspect of the present invention includes a process of forming a resist film on a support using the resist composition of the first aspect of the invention, exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern. A resist pattern forming method comprising:

본 발명에 의하면, 리소그래피 특성이 우수한 레지스트 조성물, 및 그 레지스트 조성물을 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a resist composition with excellent lithographic properties and a method of forming a resist pattern using the resist composition.

본 명세서 및 본 특허청구범위에 있어서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.In this specification and the claims, “aliphatic” is a relative concept to aromatic, and is defined to mean a group, compound, etc. without aromaticity.

「알킬기」는 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.Unless otherwise specified, “alkyl group” includes linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups.

「알킬렌기」는 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.Unless otherwise specified, “alkylene group” includes straight-chain, branched-chain, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups. The alkyl group in the alkoxy group is the same.

「할로겐화 알킬기」는 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이고, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.A “halogenated alkyl group” is a group in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group are replaced with halogen atoms, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

「불소화 알킬기」 또는 「불소화 알킬렌기」는 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.“Fluorinated alkyl group” or “fluorinated alkylene group” refers to a group in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group or alkylene group are replaced with fluorine atoms.

「구성 단위」란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a high molecular compound (resin, polymer, copolymer).

「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열 (開裂) 하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.“Constitutive unit derived from acrylic acid ester” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of acrylic acid ester.

「아크릴산에스테르」는 아크릴산 (CH2=CH-COOH) 의 카르복실기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다.“Acrylic acid ester” is a compound in which the hydrogen atom at the terminal carboxyl group of acrylic acid (CH2=CH-COOH) is replaced with an organic group.

아크릴산에스테르는 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기 (Rα) 는 수소 원자 이외의 원자 또는 기이고, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기, 하이드록시알킬기 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산에스테르의 α 위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 카르보닐기가 결합되어 있는 탄소 원자를 말한다.In the acrylic acid ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position may be substituted with a substituent. The substituent (Rα) that replaces the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position is an atom or group other than a hydrogen atom, such as an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, or a hydroxyalkyl group. I can hear it. Additionally, the carbon atom at the α position of the acrylic acid ester refers to the carbon atom to which the carbonyl group is bonded, unless otherwise specified.

이하, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산에스테르를 α 치환 아크릴산에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산에스테르와 α 치환 아크릴산에스테르를 포괄하여 「(α 치환) 아크릴산에스테르」라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position is replaced with a substituent may be referred to as α-substituted acrylic acid ester. In addition, acrylic acid ester and α-substituted acrylic acid ester are sometimes collectively referred to as “(α-substituted) acrylic acid ester.”

「하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.“Structural unit derived from a hydroxystyrene derivative” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative.

「하이드록시스티렌 유도체」란, 하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 하이드록시스티렌의 벤젠 고리에 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합되어 있는 탄소 원자를 말한다.“Hydroxystyrene derivatives” is a concept that includes those in which the hydrogen atom at the α position of hydroxystyrene is replaced by other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, as well as derivatives thereof. Their derivatives include those in which the hydrogen atom of the hydroxyl group of hydroxystyrene, in which the hydrogen atom in the α position may be substituted with a substituent, is substituted with an organic group, and those in which the hydrogen atom in the α position is optionally substituted with a substituent in the benzene ring of hydroxystyrene with a hydroxyl group. Substituents other than those bonded together may be mentioned. Additionally, the α position (carbon atom at the α position) refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

하이드록시스티렌의 α 위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 있어서 α 위치의 치환기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.Substituents that replace the hydrogen atom at the α position of hydroxystyrene include the same substituents as those exemplified as the substituents at the α position in the α-substituted acrylic acid ester.

「비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.“Constitutive unit derived from vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivative.

「비닐벤조산 유도체」란, 비닐벤조산의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들의 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 카르복실기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐벤조산의 벤젠 고리에 수산기 및 카르복실기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합되어 있는 탄소 원자를 말한다.“Vinylbenzoic acid derivatives” is a concept that includes those in which the hydrogen atom at the α position of vinylbenzoic acid is replaced by other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, as well as derivatives thereof. Their derivatives include those in which the hydrogen atom of the carboxyl group of vinylbenzoic acid, where the hydrogen atom at the α position may be substituted with a substituent, is substituted with an organic group, and those in which the hydrogen atom at the α position is optionally substituted with a substituent, in which the hydrogen atom of the carboxyl group is substituted with an organic group, and those in which the hydrogen atom at the α position is optionally substituted with a substituent, in which the hydrogen atom of the carboxyl group is replaced with an organic group, and those in which the hydrogen atom at the α position is optionally substituted with a substituent, have a hydroxyl group and a carboxyl group in the benzene ring. Substituents other than those bonded together may be mentioned. Additionally, the α position (carbon atom at the α position) refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

「스티렌 유도체」란, 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것을 의미한다.“Styrene derivative” means that the hydrogen atom at the α position of styrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or halogenated alkyl group.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다.“Structural unit derived from styrene” and “structural unit derived from styrene derivative” mean a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of styrene or a styrene derivative.

상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the α position is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl). , tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group), etc.

또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 구체적으로는 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In addition, the halogenated alkyl group as the substituent at the α position specifically includes a group in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α position” are replaced with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

또, α 위치의 치환기로서의 하이드록시알킬기는, 구체적으로는 상기 「α 위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 그 하이드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는 1 ∼ 5 가 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.Moreover, the hydroxyalkyl group as the substituent at the α position specifically includes a group in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α position” are substituted with hydroxyl groups. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and 1 is most preferable.

「치환기를 가지고 있어도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자 (-H) 를 1 가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기 (-CH2-) 를 2 가의 기로 치환하는 경우의 양쪽을 포함한다.When it is stated that “it may have a substituent,” it includes both the case of replacing the hydrogen atom (-H) with a monovalent group and the case of replacing the methylene group (-CH2-) with a divalent group.

「노광」은 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.“Exposure” is a concept that includes the overall irradiation of radiation.

≪레지스트 조성물≫ ≪Resist composition≫

본 발명의 제 1 양태는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 (B), 용제 (S) 및 전체 고형분 중 0.2~10 질량%의 하기 식 (f1)으로 나타나는 구성단위를 갖는 중합체 (F) 를 함유하는 레지스트 조성물로서, 용제 (S)는 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌글리콜모노메틸 에테르(PGME)를 포함하고, 전체 용제 중 프로필렌카보네이트의 양은 0.1~3 질량%인 레지스트 조성물이다.The first aspect of the present invention is a base component (A) whose solubility in an alkaline developer changes due to the action of an acid, an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure, a solvent (S), and total solids. A resist composition containing 0.2 to 10% by mass of a polymer (F) having a structural unit represented by the following formula (f1), wherein the solvent (S) is propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl. It is a resist composition containing ether (PGME), and the amount of propylene carbonate in the total solvent is 0.1 to 3% by mass.

[화학식 2][Formula 2]

식 (f1)Equation (f1)

(식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, L1 및 L2는, 서로 동일하거나 상이하며, 단결합, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10의 탄화수소기이고, x는 0 또는 1이고, m은 1 내지 20의 정수이고, n은 1 내지 2m+1의 정수를 나타내고, p는 1 내지 20의 정수이고, q는 1 내지 2p의 정수를 나타낸다.)(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and L 1 and L 2 are the same or different from each other and have a single bond, a carbonyl group, an ether bond, or an ester bond. It is a hydrocarbon group optionally having 1 to 10 carbon atoms, x is 0 or 1, m is an integer of 1 to 20, n represents an integer of 1 to 2m+1, p is an integer of 1 to 20, and q is Represents an integer of 1 to 2p.)

본 발명에 있어서, 레지스트 조성물은, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분 (A) (이하 「(A) 성분」이라고도 한다) 를 함유한다.In the present invention, the resist composition contains a base component (A) (hereinafter also referred to as “component (A)”) whose solubility in a developer changes due to the action of an acid.

이러한 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여 선택적 노광을 실시하면, 노광부에서는 산이 발생하고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하는 한편, 미노광부에서는 (A) 성분의 현상액에 대한 용해성이 변화하지 않기 때문에, 노광부와 미노광부 사이에서 현상액에 대한 용해성의 차이가 생긴다. 그 때문에 그 레지스트막을 현상하면, 당해 레지스트 조성물이 포지티브형인 경우에는 노광부가 용해 제거되어 포지티브형의 레지스트 패턴이 형성되고, 당해 레지스트 조성물이 네거티브형인 경우에는 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형의 레지스트 패턴이 형성된다.When a resist film is formed using such a resist composition and selective exposure is performed on the resist film, acid is generated in the exposed area, and the solubility of component (A) in the developer solution changes due to the action of the acid. Since the solubility of component (A) in the developer does not change in the exposed area, a difference in solubility in the developer occurs between the exposed and unexposed areas. Therefore, when the resist film is developed, if the resist composition is a positive type, the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern, and if the resist composition is a negative type, the unexposed portion is dissolved and removed to form a negative resist pattern. is formed

본 명세서에 있어서는, 노광부가 용해 제거되어 포지티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 포지티브형 레지스트 조성물이라고 하고, 미노광부가 용해 제거되어 네거티브형 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 조성물을 네거티브형 레지스트 조성물이라고 한다.In this specification, a resist composition in which exposed areas are dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and a resist composition in which unexposed areas are dissolved and removed to form a negative resist pattern is referred to as a negative resist composition.

본 발명에 있어서, 레지스트 조성물은 포지티브형 레지스트 조성물이어도 되고, 네거티브형 레지스트 조성물이어도 된다.In the present invention, the resist composition may be a positive resist composition or a negative resist composition.

또, 본 발명에 있어서, 레지스트 조성물은 레지스트 패턴 형성시의 현상 처리에 알칼리 현상액을 사용하는 알칼리 현상 프로세스용이어도 되고, 그 현상 처리에 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하는 용제 현상 프로세스용이어도 되지만, 용제 현상 프로세스용인 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the resist composition may be used for an alkaline development process using an alkaline developer for the development process when forming a resist pattern, or for a solvent development process using a developer containing an organic solvent (organic developer) for the development treatment. Although it may be for a solvent development process, it is preferable that it is for a solvent development process.

레지스트 패턴을 형성하기 위해서 사용하는 레지스트 조성물은 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생능을 갖는 것으로, (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 되고, (A) 성분과는 별도로 배합된 첨가제 성분이 노광에 의해 산을 발생해도 된다.The resist composition used to form a resist pattern has an acid-generating ability to generate acid upon exposure. Component (A) may generate acid upon exposure, and an additive component is blended separately from component (A). Acid may be generated through this exposure.

구체적으로는, 본 발명에 있어서 레지스트 조성물은,Specifically, in the present invention, the resist composition is:

(1) 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) (이하 「(B) 성분」이라고 한다) 를 함유하는 것이어도 되고;(1) It may contain an acid generator component (B) that generates acid upon exposure (hereinafter referred to as “component (B)”);

(2) (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 성분이어도 되고;(2) The component (A) may be a component that generates acid upon exposure;

(3) (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하는 성분이며, 또한 추가로 (B) 성분을 함유하는 것이어도 된다.(3) The component (A) is a component that generates acid upon exposure, and may further contain the component (B).

즉, 상기 (2) 및 (3) 의 경우, (A) 성분은「노광에 의해 산을 발생하며, 또한 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분」이 된다. (A) 성분이 노광에 의해 산을 발생하며, 또한 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 기재 성분인 경우, 후술하는 (A1) 성분이 노광에 의해 산을 발생하며, 또한 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 고분자 화합물로는, 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 노광에 의해 산을 발생하는 구성 단위로는 공지된 것을 사용할 수 있다.That is, in the cases of (2) and (3) above, component (A) is a “base component that generates acid upon exposure and whose solubility in the developer changes due to the action of the acid.” When the component (A) is a base component that generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes due to the action of the acid, the component (A1) described later generates an acid upon exposure and also the action of the acid. It is preferable that it is a polymer compound whose solubility in the developer changes depending on the condition. As such a polymer compound, a resin having a structural unit that generates acid upon exposure can be used. Known structural units that generate acid upon exposure can be used.

본 발명에 있어서, 레지스트 조성물은 상기 (1) 의 경우인 것이 특히 바람직하다.In the present invention, it is particularly preferable that the resist composition is in the case of (1) above.

<(A) 성분> <(A) component>

본 발명에 있어서, 「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이며, 바람직하게는 분자량이 500 이상인 유기 화합물이 사용된다. 그 유기 화합물의 분자량이 500 이상임으로써, 막 형성능이 향상되고, 이에 더하여 나노 레벨의 감광성 수지 패턴을 형성하기 쉽다.In the present invention, the “base component” is an organic compound having film-forming ability, and preferably an organic compound with a molecular weight of 500 or more is used. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film forming ability is improved, and in addition, it is easy to form a nano-level photosensitive resin pattern.

기재 성분으로서 사용되는 유기 화합물은 비중합체와 중합체로 크게 나뉜다.Organic compounds used as base components are broadly divided into non-polymers and polymers.

비중합체로는, 통상적으로 분자량이 500 이상 4000 미만인 것이 사용된다. 이하, 「저분자 화합물」이라고 하는 경우에는, 분자량이 500 이상 4000 미만인 비중합체를 나타낸다.As a non-polymer, those having a molecular weight of 500 to 4000 are usually used. Hereinafter, when referred to as a “low molecular compound”, it refers to a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000.

중합체로는, 통상적으로 분자량이 1000 이상인 것이 사용된다. 이하, 「수지」라고 하는 경우에는, 분자량이 1000 이상인 중합체를 나타낸다.As a polymer, a polymer having a molecular weight of 1000 or more is usually used. Hereinafter, when referred to as “resin”, it refers to a polymer with a molecular weight of 1000 or more.

중합체의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량을 사용하는 것으로 한다.As the molecular weight of the polymer, the mass average molecular weight calculated in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) is used.

(A) 성분으로는 수지를 사용해도 되고, 저분자 화합물을 사용해도 되며, 이들을 병용해도 된다.As the component (A), a resin may be used, a low molecular compound may be used, or these may be used in combination.

(A) 성분은 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 증대하는 것이다.The component (A) has increased solubility in the developer due to the action of acid.

또한, 본 발명에 있어서 (A) 성분은 노광에 의해 산을 발생하는 것이어도 된다.Additionally, in the present invention, component (A) may be one that generates acid upon exposure.

본 발명에 있어서, (A) 성분은, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 함유하는 구성 단위 (이하, 「구성 단위 (a1)」이라고 하는 경우가 있다) 및 -SO2- 함유 고리형기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기 또는 이들 이외의 복소 고리형기를 갖는 구성 단위 (이하, 「구성 단위 (a2)」라고 하는 경우가 있다), 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 함유하는 구성 단위 (이하, 「구성 단위 (a3)」이라고 하는 경우가 있다) 를 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 함유하고 있는 것이 바람직하다.In the present invention, component (A) is a structural unit containing an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1)”) and a -SO2- containing cyclic group. , a structural unit containing a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a heterocyclic group other than these (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2)”), a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (hereinafter, It is preferable to contain a polymer compound (A1) having a "structural unit (a3)" in some cases.

(구성 단위 (a1)) (Constitutive unit (a1))

구성 단위 (a1) 은, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 함유하는 구성 단위이다.The structural unit (a1) is a structural unit containing an acid-decomposable group whose polarity increases due to the action of an acid.

「산 분해성기」는, 산의 작용에 의해, 당해 산 분해성기 구조 중의 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산 분해성을 갖는 기이다.An “acid-decomposable group” is a group having acid-decomposability in which at least a portion of the bonds in the structure of the acid-decomposable group can be cleaved by the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기로는, 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해되어 극성기를 생성하는 기를 들 수 있다.Examples of acid-decomposable groups whose polarity increases by the action of an acid include groups that decompose by the action of an acid to produce a polar group.

극성기로는, 예를 들어 카르복실기, 수산기, 아미노기, 술포기 (-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 술포기 또는 구조 중에 -OH 를 함유하는 극성기 (이하 「OH 함유 극성기」라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하고, 술포기 또는 카르복실기 또는 수산기가 바람직하며, 카르복실기 또는 수산기가 특히 바람직하다.Examples of polar groups include carboxyl group, hydroxyl group, amino group, and sulfo group (-SO3H). Among these, a sulfo group or a polar group containing -OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as "OH-containing polar group") is preferable, a sulfo group, a carboxyl group, or a hydroxyl group is preferable, and a carboxyl group or a hydroxyl group is especially preferable.

산 분해성기로서 보다 구체적으로는, 상기 극성기가 산 해리성기로 보호된 기 (예를 들어 OH 함유 극성기의 수소 원자를 산 해리성기로 보호한 기) 를 들 수 있다.More specifically, the acid-decomposable group includes a group in which the above-described polar group is protected by an acid-dissociable group (for example, a group in which the hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected by an acid-dissociable group).

여기서 「산 해리성기」란,Here, “mountain dissociation penis” means,

(ⅰ) 산의 작용에 의해, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열될 수 있는 산 해리성을 갖는 기, 또는,(i) a group having an acid dissociable property in which the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the action of an acid, or,

(ⅱ) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열된 후, 추가로 탈탄산 반응이 발생함으로써, 당해 산 해리성기와 그 산 해리성기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열될 수 있는 기,(ii) a group in which a bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by further decarboxylation reaction occurring after some of the bonds are cleaved by the action of an acid;

의 쌍방을 말한다.refers to both sides.

산 분해성기를 구성하는 산 해리성기는 당해 산 해리성기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기일 필요가 있고, 이로써, 산의 작용에 의해 그 산 해리성기가 해리되었을 때, 그 산 해리성기보다 극성이 높은 극성기가 생성되어 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로 현상액에 대한 용해성이 변화하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid dissociable group constituting the acid dissociable group must be a group with a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid dissociable group. Therefore, when the acid dissociable group is dissociated by the action of the acid, it is necessary to be a group less polar than the acid dissociable group. A highly polar group is created and polarity increases. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As polarity increases, the solubility in the developer relatively changes, and when the developer is an organic developer, the solubility decreases.

산 해리성기로는 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용의 베이스 수지의 산 해리성기로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.There is no particular limitation on the acid dissociable group, and any acid dissociable group that has been proposed so far as an acid dissociable group in base resins for chemically amplified resists can be used.

상기 극성기 중, 카르복실기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1) 로 나타내는 산 해리성기 (이하, 편의상 「아세탈형 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.Among the above polar groups, the acid dissociable group that protects the carboxyl group or the hydroxyl group is, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter, for convenience, it is referred to as an “acetal-type acid dissociable group”) ) can be mentioned.

[화학식 3][Formula 3]

…(a1-r-1) … (a1-r-1)

[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기, Ra'3 은 탄화수소기, Ra'3 은 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다. * 는 결합손을 의미한다.][In the formula, Ra' 1 and Ra' 2 are a hydrogen atom or an alkyl group, Ra' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be combined with any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring. * means combined hand.]

식 (a1-r-1) 중, Ra'1, Ra'2 의 알킬기로는, 상기 α 치환 아크릴산에스테르에 대한 설명에서, α 위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 예시한 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.In formula (a1-r-1), the alkyl groups of Ra' 1 and Ra' 2 include the same alkyl groups exemplified as substituents that may be bonded to the carbon atom at the α position in the description of the α-substituted acrylic acid ester. A methyl group or an ethyl group is preferred, and a methyl group is most preferred.

Ra'3 의 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기가 보다 바람직하고; 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, 1,1-디메틸에틸기, 1,1-디에틸프로필기, 2,2-디메틸프로필기, 2,2-디메틸부틸기 등을 들 수 있다.As the hydrocarbon group for Ra' 3 , an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms is preferable, and an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms is more preferable; A straight-chain or branched-chain alkyl group is preferable, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neophene. Tyl group, 1,1-dimethylethyl group, 1,1-diethylpropyl group, 2,2-dimethylpropyl group, 2,2-dimethylbutyl group, etc. are mentioned.

Ra'3 이 고리형의 탄화수소기가 되는 경우, 지방족이어도 되고 방향족이어도 되며, 또 다고리형이어도 되고 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 8 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로옥탄 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.When Ra' 3 is a cyclic hydrocarbon group, it may be aliphatic or aromatic, and may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 8 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane, cyclohexane, and cyclooctane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane, and isocarbon group. Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. can be mentioned.

방향족 탄화수소기가 되는 경우, 포함되는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 ; 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. When it is an aromatic hydrocarbon group, specific examples of aromatic rings included include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; an aromatic heterocycle in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are replaced with heteroatoms; etc. can be mentioned. Hetero atoms in the aromatic heterocycle include oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.

그 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기) ; 상기 아릴기의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기) ; 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specifically, the aromatic hydrocarbon group includes a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group); A group in which one of the hydrogen atoms of the aryl group is replaced with an alkylene group (e.g., benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc. arylalkyl group) ; etc. can be mentioned. The carbon number of the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and especially preferably 1.

Ra'3 이 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성하는 경우, 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원자 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원자 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라하이드로피라닐기, 테트라하이드로푸라닐기 등을 들 수 있다.When Ra' 3 combines with either Ra' 1 or Ra' 2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include tetrahydropyranyl group and tetrahydrofuranyl group.

상기 극성기 중, 카르복실기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기를 들 수 있다 (하기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기 중, 알킬기에 의해 구성되는 것을, 이하 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다).Among the above polar groups, examples of the acid dissociable group that protects the carboxyl group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-2) (acids represented by the following formula (a1-r-2) Among the dissociable groups, those composed of an alkyl group may hereinafter be referred to as “tertiary alkyl ester type acid dissociable groups” for convenience.

[화학식 4][Formula 4]

…(a1-r-2) … (a1-r-2)

[식 중, Ra'4 ~ Ra'6 은 탄화수소기이고, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. * 는 결합손을 의미한다.][In the formula, Ra' 4 to Ra' 6 are hydrocarbon groups, and Ra' 5 and Ra' 6 may be combined with each other to form a ring. * means combined hand.]

Ra'4 ~ Ra'6 의 탄화수소기로는 상기 Ra'3 과 동일한 것을 들 수 있다. Ra'4 는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기인 것이 바람직하다. Ra'5, Ra'6 이 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1) 로 나타내는 기를 들 수 있다.Hydrocarbon groups of Ra' 4 to Ra' 6 include the same hydrocarbon groups as Ra' 3 above. Ra' 4 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. When Ra' 5 and Ra' 6 combine with each other to form a ring, a group represented by the following general formula (a1-r2-1) may be included.

한편, Ra'4 ~ Ra'6 이 서로 결합하지 않고 독립적인 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-2) 로 나타내는 기를 들 수 있다.On the other hand, when Ra' 4 to Ra' 6 are not bonded to each other and are independent hydrocarbon groups, groups represented by the following general formula (a1-r2-2) can be mentioned.

[화학식 5][Formula 5]

(a1-r2-1) (a1-r2-2) (a1-r2-1) (a1-r2-2)

[식 중, Ra'10 은 탄소수 1 ~ 10 의 알킬기, Ra'11 은 Ra'10 이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 고리형기를 형성하는 기, Ra'12 ~ Ra'14 는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다. * 는 결합손을 의미한다.][In the formula, Ra' 10 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, Ra' 11 is a group that forms an aliphatic cyclic group with the carbon atom to which Ra' 10 is bonded, and Ra' 12 to Ra' 14 each independently represent a hydrocarbon group. . * means combined hand.]

식 (a1-r2-1) 중, Ra'10 의 탄소수 1 ~ 10 의 알킬기의 알킬기는 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 바람직하다. 식 (a1-r2-1) 중, Ra'11 이 구성하는 지방족 고리형기는 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 고리형의 알킬기로서 예시한 기가 바람직하다.In formula (a1-r2-1), the alkyl group of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms of Ra' 10 is exemplified as the straight-chain or branched alkyl group of Ra' 3 in formula (a1-r-1). Gi is preferable. In formula (a1-r2-1), the aliphatic cyclic group constituted by Ra' 11 is preferably the group exemplified as the cyclic alkyl group of Ra' 3 in formula (a1-r-1).

식 (a1-r2-2) 중, Ra'12 및 Ra'14 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ~ 10 의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 알킬기는 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기로서 예시한 기가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.In the formula (a1-r2-2), Ra' 12 and Ra' 14 are each independently preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group is represented by Ra' 3 in the formula (a1-r-1). The groups exemplified as straight-chain or branched alkyl groups are more preferable, more preferably straight-chain alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably methyl or ethyl groups.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'13 은 식 (a1-r-1) 에 있어서의 Ra'3 의 탄화수소기로서 예시된 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 알킬기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ra'3 의 고리형의 알킬기로서 예시된 기인 것이 보다 바람직하다.In formula (a1-r2-2), Ra' 13 is preferably a straight-chain, branched-chain or cyclic alkyl group exemplified by the hydrocarbon group of Ra' 3 in formula (a1-r-1). . Among these, the group exemplified as the cyclic alkyl group of Ra' 3 is more preferable.

상기 식 (a1-r2-1) 의 구체예를 이하에 든다. 이하의 식 중, 「*」는 결합손을 나타낸다.Specific examples of the above formula (a1-r2-1) are given below. In the formulas below, “*” represents a bond.

[화학식 6][Formula 6]

상기 식 (a1-r2-2) 의 구체예를 이하에 든다. Specific examples of the above formula (a1-r2-2) are given below.

[화학식 7][Formula 7]

또, 상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성기로는, 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기 (이하, 편의상 「제 3 급 알킬옥시카르보닐 산 해리성기」라고 하는 경우가 있다) 를 들 수 있다.In addition, examples of the acid dissociable group that protects the hydroxyl group among the polar groups include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter referred to as a “tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group” for convenience) There are cases where it is said).

[화학식 8][Formula 8]

…(a1-r-3) … (a1-r-3)

[식 중, Ra'7 ~ Ra'9 는 알킬기를 나타낸다. * 는 결합손을 의미한다.][In the formula, Ra' 7 to Ra' 9 represent an alkyl group. * means combined hand.]

식 (a1-r-3) 중, Ra'7 ~ Ra'9 는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 1 ~ 3 이 보다 바람직하다.In formula (a1-r-3), Ra' 7 to Ra' 9 are preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably 1 to 3 carbon atoms.

또, 각 알킬기의 합계 탄소수는 3 ∼ 7 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다.Moreover, the total carbon number of each alkyl group is preferably 3 to 7, more preferably 3 to 5, and most preferably 3 to 4.

구성 단위 (a1) 로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서, 산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성기를 함유하는 구성 단위 ; 하이드록시스티렌 혹은 하이드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 수산기에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 함유하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위 ; 비닐벤조산 혹은 비닐벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 -C(=O)-OH 에 있어서의 수소 원자의 적어도 일부가 상기 산 분해성기를 함유하는 치환기에 의해 보호된 구성 단위 등을 들 수 있다.The structural unit (a1) is a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position may be substituted with a substituent, and contains an acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid; A structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative in which at least part of the hydrogen atoms in the hydroxyl group of the structural unit is protected by a substituent containing the acid-decomposable group; Examples include structural units derived from vinylbenzoic acid or vinylbenzoic acid derivatives in which at least part of the hydrogen atom in -C(=O)-OH is protected by a substituent containing the acid-decomposable group.

구성 단위 (a1) 로는, 상기 중에서도, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a1), among the above, a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position may be substituted with a substituent is preferable.

구성 단위 (a1) 로서, 하기 일반식 (a1-1) 또는 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (a1), a structural unit represented by the following general formula (a1-1) or (a1-2) is preferable.

[화학식 9][Formula 9]

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va1 은 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, na1 은 0 ~ 2 이고, Ra1 은 상기 식 (a1-r-1) ~ (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2+1 가의 탄화수소기이고, na2 는 1 ~ 3 이며, Ra2 는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.][Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group that may have an ether bond, a urethane bond, or an amide bond, n a1 is 0 to 2, and Ra 1 is one of the above formulas (a1-r-1) to (a1-r-2) It is an acid dissociative group represented by . Wa 1 is a hydrocarbon group with n a2 + 1 valence, n a2 is 1 to 3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3).]

상기 일반식 (a1-1) 중, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In the general formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n -butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are replaced with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

R 로는, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 알킬기가 바람직하고, 공업상 입수하기 용이한 점에서 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group because it is industrially easy to obtain.

Va1 의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고 방향족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다. Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고 불포화이어도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The hydrocarbon group of Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group refers to a hydrocarbon group that does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va1 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

그 지방족 탄화수소기로서 보다 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 함유하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.More specifically, the aliphatic hydrocarbon group includes linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure, and the like.

또 Va1 로는 상기 2 가의 탄화수소기가 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 개재하여 결합한 것을 들 수 있다. Additionally, Va 1 may include a divalent hydrocarbon group bonded to an ether bond, a urethane bond, or an amide bond.

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하며, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직사슬형의 지방족 탄화수소기로는 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸렌기 [-CH2-], 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.The straight-chain aliphatic hydrocarbon group is preferably a straight-chain alkylene group, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], and a trimethylene group [-(CH 2). ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc.

분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는 -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하다.The branched aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched alkylene group, specifically -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C. Alkylmethylene groups such as (CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH Alkylethylene groups such as 2 CH 3 ) 2 -CH 2 - ; Alkyltrimethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkyl alkylene groups such as alkyl tetramethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are mentioned. The alkyl group in the alkyalkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

상기 구조 중에 고리를 함유하는 지방족 탄화수소기로는, 지환식 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기 도중에 개재되는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure includes an alicyclic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms are removed from the aliphatic hydrocarbon ring), and a group in which the alicyclic hydrocarbon group is bonded to the terminal of a straight-chain or branched aliphatic hydrocarbon group. , a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed between a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group, and the like. Examples of the straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group include the same ones as above.

상기 지환식 탄화수소기는 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다. The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환식 탄화수소기는 다고리형이어도 되고 단고리형이어도 된다. 단고리형의 지환식 탄화수소기로는, 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다고리형의 지환식 탄화수소기로는, 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7 ∼ 12 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다. The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane, norbornane, and isocarbon group. Bornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. can be mentioned.

방향족 탄화수소기는 방향 고리를 갖는 탄화수소기이다.An aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring.

상기 Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는 탄소수가 3 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하며, 5 ∼ 20 이 더욱 바람직하고, 6 ∼ 15 가 특히 바람직하고, 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 단, 그 탄소수에는, 치환기에 있어서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, further preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and 6 ~10 is most preferable. However, the carbon number shall not include the carbon number in the substituent.

방향족 탄화수소기가 갖는 방향 고리로서 구체적으로는, 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소 고리 ; 상기 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소 고리 ; 등을 들 수 있다. 방향족 복소 고리에 있어서의 헤테로 원자로는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic ring possessed by the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; an aromatic heterocycle in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are replaced with heteroatoms; etc. can be mentioned. Hetero atoms in the aromatic heterocycle include oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.

그 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기 (아릴렌기) ; 상기 방향족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기 (아릴기) 의 수소 원자 중 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 (예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 기) ; 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기 (아릴알킬기 중의 알킬 사슬) 의 탄소수는 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하며, 1 인 것이 특히 바람직하다.Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); A group in which one hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) is replaced with an alkylene group (e.g., benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group) , a group obtained by removing one hydrogen atom from an aryl group in an arylalkyl group such as a 1-naphthylethyl group or a 2-naphthylethyl group); etc. can be mentioned. The carbon number of the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and especially preferably 1.

상기 식 (a1-2) 중, Wa1 에 있어서의 na2+1 가의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 그 지방족 탄화수소기는 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미하고, 포화이어도 되고 불포화이어도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 함유하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 함유하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있고, 구체적으로는 상기 서술한 식 (a1-1) 의 Va1 과 동일한 기를 들 수 있다.In the above formula (a1-2), the n a2 + 1 valent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group refers to a hydrocarbon group that does not have aromaticity, and may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated. The aliphatic hydrocarbon group includes a straight-chain or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a combination of a straight-chain or branched aliphatic hydrocarbon group with a ring-containing aliphatic hydrocarbon group in the structure. One group can be mentioned, and specifically, the same group as Va 1 of the above-mentioned formula (a1-1) can be mentioned.

상기 na2+1 가는 2 ∼ 4 가가 바람직하고, 2 또는 3 가가 보다 바람직하다.The n a2 +1 value is preferably 2 to 4, and more preferably 2 or 3.

상기 식 (a1-2) 로는, 특히 하기 일반식 (a1-2-01) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.As the above formula (a1-2), a structural unit represented by the following general formula (a1-2-01) is particularly preferable.

[화학식 10] [Formula 10]

식 (a1-2-01) 중, Ra2 는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다. na2 는 1 ~ 3 의 정수이고, 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 보다 바람직하다. c 는 0 ~ 3 의 정수이고, 0 또는 1 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 보다 바람직하다. R 은 상기와 동일하다.In formula (a1-2-01), Ra 2 is an acid dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-3). n a2 is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1. c is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 1. R is the same as above.

이하에 상기 식 (a1-1), (a1-2) 의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Specific examples of the above formulas (a1-1) and (a1-2) are shown below. In each formula below, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

[화학식 11][Formula 11]

[화학식 12] [Formula 12]

[화학식 13] [Formula 13]

[화학식 14] [Formula 14]

[화학식 15] [Formula 15]

(A) 성분 중의 구성 단위 (a1) 의 비율은 (A) 성분을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여 20 ∼ 80 몰% 가 바람직하고, 20 ∼ 75 몰% 가 보다 바람직하며, 25 ∼ 70 몰% 가 더욱 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써, 감도, 해상성, LWR 등의 리소그래피 특성도 향상된다. 또, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 잡을 수 있다.The proportion of the structural unit (a1) in component (A) is preferably 20 to 80 mol%, more preferably 20 to 75 mol%, and 25 to 70 mol% relative to the total structural units constituting component (A). It is more desirable. By exceeding the lower limit, lithography characteristics such as sensitivity, resolution, and LWR are also improved. Also, by setting it below the upper limit, it is possible to achieve balance with other structural units.

(구성 단위 (a2)) (Constitutive unit (a2))

본 발명에 있어서, 상기 기재 성분은, -SO2- 함유 고리형기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기 또는 이들 이외의 복소 고리형기를 갖는 구성 단위 (a2) 를 함유하는 것이 바람직하다.In the present invention, the base component preferably contains a structural unit (a2) having a -SO 2 --containing cyclic group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a heterocyclic group other than these.

구성 단위 (a2) 의 -SO2- 함유 고리형기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기 또는 이들 이외의 복소 고리형기는, (A) 성분을 레지스트막의 형성에 사용한 경우에, 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다.When component (A) is used to form a resist film, the -SO 2 --containing cyclic group, lactone-containing cyclic group, carbonate-containing cyclic group, or heterocyclic group other than these in the structural unit (a2) has an effect on the substrate of the resist film. It is effective in increasing adhesion.

또한, 후술하는 구성 단위 (a1) 이 그 구조 중에 -SO2- 함유 고리형기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기 또는 이들 이외의 복소 고리형기를 함유하는 것인 경우, 그 구성 단위는 구성 단위 (a2) 에도 해당하지만, 이러한 구성 단위는 구성 단위 (a1) 에 해당하고, 구성 단위 (a2) 에는 해당하지 않는 것으로 한다.In addition, when the structural unit (a1) described later contains in its structure an -SO 2 -containing cyclic group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a heterocyclic group other than these, the structural unit is a structural unit. Although it also corresponds to (a2), this structural unit is assumed to correspond to structural unit (a1) and not to structural unit (a2).

구성 단위 (a2) 는 하기 일반식 (a2-1) 로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a2) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-1).

[화학식 16] [Formula 16]

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기이고, Ya21 은 단결합 또는 2 가의 연결기이고, La21 은 -O-, -COO-, -CON(R')-, -OCO-, -CONHCO- 또는 -CONHCS- 이고, R' 는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 단, La21 이 -O- 인 경우, Ya21 은 -CO- 는 되지 않는다. Ra21 은 -SO2- 함유 고리형기, 락톤 함유 고리형기, 카보네이트 함유 고리형기 또는 이들 이외의 복소 고리형기이다.][Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Ya 21 is a single bond or a divalent linking group, and La 21 is -O-, -COO-, -CON( R')-, -OCO-, -CONHCO- or -CONHCS-, and R' represents a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is -O-, Ya 21 does not become -CO-. Ra 21 is a -SO 2 --containing cyclic group, a lactone-containing cyclic group, a carbonate-containing cyclic group, or a heterocyclic group other than these.]

Ya21 의 2 가의 연결기로는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The divalent linking group for Ya 21 is not particularly limited, but preferable examples include a divalent hydrocarbon group that may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.

(치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기)(Divalent hydrocarbon group which may have a substituent)

2 가의 연결기로서의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다.The hydrocarbon group as the divalent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

지방족 탄화수소기는, 방향성을 가지지 않은 탄화수소기를 의미한다. 그 지방족 탄화수소기는 포화이어도 되고, 불포화이어도 되고, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다. An aliphatic hydrocarbon group refers to a hydrocarbon group that does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

상기 지방족 탄화수소기로는 직사슬형 혹은 분기사슬형의 지방족 탄화 수소기 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있으며, 구체적으로는 상술의 식 (a1-1) 에 있어서의 Va1 로 예시한 기를 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group includes linear or branched aliphatic hydrocarbon groups or aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure, and specifically, Va 1 in the above formula (a1-1) Examples include:

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로서는 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는, 고리 구조 중 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되고, 고리형의 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 전기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure may include a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and may be a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms are removed from an aliphatic hydrocarbon ring), an electrocyclic group, etc. Examples include groups in which an aliphatic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and groups in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group include the same ones as above.

고리형의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 3 ~ 20 인 것이 바람직하고, 3 ~ 12인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기로서는, 구체적으로는 상술한 식 (a1-1) 에 있어서의 Va1 로 예시한 기를 들 수 있다.Specific examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include the group exemplified by Va1 in the above-mentioned formula (a1-1).

고리형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다. The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group, and methoxy group. , ethoxy group is most preferred.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Halogen atoms as the substituent include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc., and fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화알킬기로는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with the halogen atoms.

고리형의 지방족 탄화수소기는 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O- 가 바람직하다.In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, some of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As the substituent containing the hetero atom, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O- are preferable. .

2 가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기로서는, 구체적으로는 상술한 식 (a1-1) 에 있어서의 Va1 에서 예시된 기를 들 수 있다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group include the group exemplified by Va1 in the above-mentioned formula (a1-1).

상기 방향족 탄화수소기는 해당 방향족 탄화수소기가 가진 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어, 해당 방향족 탄화수소기 중의 방향 고리에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기로는 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.The hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화 알킬기로는 상기 고리형의 지방족 탄화수소기가 가진 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, halogen atom, and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as substituents that replace the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

(헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기)(Divalent linking group containing a hetero atom)

헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기에 있어서의 헤테로 원자란, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자로, 예를 들어 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.The hetero atom in the divalent linking group containing a hetero atom is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.

Ya21 이 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기인 경우, 그 연결기의 바람직한 것으로는, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(= NH)- (H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22- 또는 -Y21-O-C(=O)-Y22- 로 나타내는 기 [식 중, Y21 및 Y22 는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, O 는 산소 원자이고, m' 는 0 ~ 3 의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Ya 21 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred linking groups include -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -OC(=O)- O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(= NH)- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or acyl group), -S-, -S( =O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C( =O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m' -Y 22 - or -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - A group represented by [Formula, Y 21 and Y 22 is each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m' is an integer of 0 to 3.].

상기 헤테로 원자를 포함하는 2 가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(= NH)- 인 경우, 그 H 는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 그 치환기 (알킬기, 아실기 등) 는, 탄소수가 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 1 ~ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ~ 5 인 것이 특히 바람직하다.When the divalent linking group containing the hetero atom is -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)-, H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or acyl group. do. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and especially preferably 1 to 5 carbon atoms.

식 -Y21-O-Y22 -, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22 - 또는 -Y21-O-C(=O)-Y22- 중, Y21 및 Y22 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이다. 그 2 가의 탄화수소기로는, 상기 2 가의 연결기로서의 설명에서 예시한 「치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기」 와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O) -O] m' -Y 22 - or -Y 21 -OC(=O)-Y 22 -, where Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to the “divalent hydrocarbon group which may have a substituent” exemplified in the description of the divalent linking group above.

Y21 로는, 직사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.

Y22 로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 그 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ~ 3 의 직사슬형의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkylmethylene group is more preferable. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22- 로 나타내는 기에 있어서, m' 는 0 ~ 3 의 정수이고, 0 ~ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다. 요컨대, 식 -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22 - 로 나타내는 기로는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22- 로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'- 로 나타내는 기가 바람직하다. 그 식 중, a' 는 1 ~ 10 의 정수이고, 1 ~ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ~ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다. b' 는 1 ~ 10 의 정수이고, 1 ~ 8 의 정수가 바람직하고, 1 ~ 5 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m' -Y 22 -, m' is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1. And 1 is particularly preferable. In short, as the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m' -Y 22 -, the group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 - is particularly preferable. Among them, a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(=O)-O-(CH 2 ) b' - is preferable. In the formula, a' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b' is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

본 발명에 있어서, Ya21 은 단결합, 또는 에스테르 결합 [-C(=O)-O-], 에테르 결합 (-O-), 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬렌기 혹은 이들의 조합인 것이 바람직하다.In the present invention, Ya 21 is a single bond, an ester bond [-C(=O)-O-], an ether bond (-O-), a straight chain or branched alkylene group, or a combination thereof. desirable.

상기 식 (a2-1) 중, Ra21 은 -SO2- 함유 고리형기, 락톤 함유 고리형기, 복소 고리형기 또는 카보네이트 함유 고리형기이다.In the above formula (a2-1), Ra 21 is an -SO 2 --containing cyclic group, a lactone-containing cyclic group, a heterocyclic group, or a carbonate-containing cyclic group.

「-SO2- 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 함유하는 고리를 함유하는 고리형기를 나타내며, 구체적으로는 -SO2- 에 있어서의 황 원자 (S) 가 고리형기의 고리 골격의 일부를 형성하는 고리형기이다. 그 고리 골격 중에 -SO2- 를 함유하는 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 그 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. -SO2- 함유 고리형기는 단고리형이어도 되고 다고리형이어도 된다.“-SO 2 --containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 - in its ring skeleton, and specifically, the sulfur atom (S) in -SO 2 - is a cyclic group. It is a cyclic group that forms part of the ring skeleton. In the ring skeleton, the ring containing -SO 2 - is counted as the first ring. If it is only that ring, it is called a monocyclic group, and if it also has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The -SO 2 --containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.

-SO2- 함유 고리형기는, 특히, 그 고리 골격 중에 -O-SO2- 를 함유하는 고리형기, 즉 -O-SO2- 중의 -O-S- 가 고리 골격의 일부를 형성하는 술톤 (sultone) 고리를 함유하는 고리형기인 것이 바람직하다. -SO2- 함유 고리형기로서, 보다 구체적으로는 하기 일반식 (a5-r-1) ~ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.The -SO 2 --containing cyclic group is, in particular, a cyclic group containing -O-SO 2 - in its ring skeleton, that is, a sultone in which -OS- in -O-SO 2 - forms a part of the ring skeleton. It is preferable that it is a cyclic group containing a ring. As the -SO 2 --containing cyclic group, more specifically, groups each represented by the following general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) can be mentioned.

[화학식 17][Formula 17]

[식 중, Ra'51 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자 또는 알킬기이고 ; A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이며, n' 는 0 ~ 2 의 정수이다.][In the formula, Ra' 51 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R" is a hydrogen atom or an alkyl group; A" is an alkylene group with 1 to 5 carbon atoms that may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and n' is an integer from 0 to 2.]

상기 일반식 (a5-r-1) ~ (a5-r-4) 중, A" 는 후술하는 일반식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 중의 A" 와 동일하다. Ra'51 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 후술하는 일반식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 중의 Ra'21 과 동일하다.In the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), A" is the same as A" in the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) described later. The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group for Ra' 51 have general formulas (a2-r-1) to (a2) described later. It is the same as Ra' 21 in -r-7).

하기에 일반식 (a5-r-1) ~ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다. 식 중의 「Ac」 는 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of groups each represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are given below. “Ac” in the formula represents an acetyl group.

[화학식 18][Formula 18]

[화학식 19] [Formula 19]

[화학식 20][Formula 20]

본 발명에 있어서, 구성 단위 (a2) 가 -SO2- 함유 고리형기를 함유하는 경우, -SO2- 함유 고리형기를 함유하는 아크릴산에스테르 모노머의 logP 값이 1.2 미만이면 특별히 한정되지 않지만, 상기 중에서도 상기 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 바람직하고, 상기 화학식 (r-sl-1-1), (r-sl-1-18), (r-sl-3-1) 및 (r-sl-4-1) 중 어느 것으로 나타내는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 상기 화학식 (r-sl-1-1) 로 나타내는 기가 가장 바람직하다.In the present invention, when the structural unit (a2) contains an -SO 2 --containing cyclic group, the logP value of the acrylic acid ester monomer containing an -SO 2 --containing cyclic group is not particularly limited as long as it is less than 1.2, but among the above, The group represented by the above general formula (a5-r-1) is preferred, and the above formulas (r-sl-1-1), (r-sl-1-18), (r-sl-3-1) and (r It is more preferable to use at least one member selected from the group consisting of groups represented by any of -sl-4-1), and the group represented by the above formula (r-sl-1-1) is most preferable.

「락톤 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)- 를 함유하는 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 부른다. 락톤 함유 고리형기는 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.“Lactone-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing -O-C(=O)- in its ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring. If it is only a lactone ring, it is called a monocyclic group. If it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

락톤 함유 고리형기로는 특별히 한정되지 않고, 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다. 이하, 「*」은 결합손을 나타낸다.There is no particular limitation on the lactone-containing cyclic group, and any group can be used. Specifically, groups each represented by the following general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) can be mentioned. Hereinafter, “*” represents a bond.

[화학식 21][Formula 21]

[식 중, Ra'21 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자 또는 알킬기이고 ; A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이며, n' 는 0 ~ 2 의 정수이고, m' 는 0 또는 1 이다.][In the formula, Ra' 21 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R" is a hydrogen atom or an alkyl group; A" is an alkylene group with 1 to 5 carbon atoms that may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, n' is an integer from 0 to 2, and m' is It is 0 or 1.]

상기 일반식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 중, A" 는 산소 원자 (-O-) 혹은 황 원자 (-S-) 를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이다. A" 에 있어서 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 그 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 함유하는 경우, 그 구체예로는, 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자 사이에 -O- 또는 -S- 가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A" 로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기 또는 -O- 가 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다. Ra'21 은 각각 독립적으로, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이다.In the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms that may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-). , an oxygen atom or a sulfur atom. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A" is preferably a straight-chain or branched-chain alkylene group, and includes methylene group, ethylene group, n-propylene group, and isopropylene group. etc. can be mentioned. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples include a group in which -O- or -S- is interposed between the ends of the alkylene group or carbon atoms, for example -O -CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 -, and the like. A" is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O-, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group. Ra' 21 is each independently an alkyl group, an alkoxy group, It is a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group.

Ra'21 에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기가 바람직하다. The alkyl group for Ra' 21 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

Ra'21 에 있어서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ~ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 그 알콕시기는 직사슬형 또는 분기사슬형인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기로서 예시한 알킬기와 산소 원자 (-O-) 가 연결된 기를 들 수 있다.The alkoxy group for Ra' 21 is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, a group in which an oxygen atom (-O-) is linked to the alkyl group exemplified as the alkyl group for Ra' 21 above can be mentioned.

Ra'21 에 있어서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom in Ra' 21 includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc., and a fluorine atom is preferable.

Ra'21 에 있어서의 할로겐화 알킬기로는, 상기 Ra'21 에 있어서의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐화 알킬기로는 불소화 알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.Examples of the halogenated alkyl group at Ra' 21 include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group at Ra' 21 are replaced with the halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

하기에 일반식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of groups each represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are given below.

[화학식 22][Formula 22]

본 발명에 있어서, 구성 단위 (a2) 는, 상기 일반식 (a2-r-1) 또는 (a2-r-2) 로 각각 나타내는 기가 바람직하고, 상기 화학식 (r-lc-1-1) 또는 (r-lc-2-7) 로 각각 나타내는 기가 보다 바람직하다.In the present invention, the structural unit (a2) is preferably a group represented by the above general formula (a2-r-1) or (a2-r-2), respectively, and has the above general formula (r-lc-1-1) or ( The groups each represented by r-lc-2-7) are more preferable.

「카보네이트 함유 고리형기」란, 그 고리 골격 중에 -O-C(=O)-O- 를 함유하는 고리 (카보네이트 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 카보네이트 고리를 첫 번째 고리로서 세어, 카보네이트 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다. 카보네이트 함유 고리형기는 단고리형기여도 되고, 다고리형기여도 된다.“Carbonate-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing -O-C(=O)-O- in its ring skeleton. The carbonate ring is counted as the first ring. If it is only a carbonate ring, it is called a monocyclic group. If it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

R1 에 있어서의 고리형 탄화수소기로서의 카보네이트 고리 함유 고리형기로는, 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 하기 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 나타내는 기를 들 수 있다.There is no particular limitation on the carbonate ring-containing cyclic group as the cyclic hydrocarbon group for R 1 , and any one can be used. Specifically, groups represented by the following general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) can be mentioned.

[화학식 23][Formula 23]

[식 중, Ra'x31 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기 또는 시아노기이고 ; R" 는 수소 원자 또는 알킬기이고 ; A" 는 산소 원자 혹은 황 원자를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, q' 는 0 또는 1 이다.][In the formula , Ra' is a hydrogen atom or an alkyl group; A" is an alkylene group of 1 to 5 carbon atoms that may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and q' is 0 or 1.]

상기 일반식 (ax3-r-1) ~ (ax3-r-3) 중 A" 는, A" 는 상기 일반식 (a2-r-1) 중의 A" 와 동일하다.A" in the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) and A" are the same as A" in the general formula (a2-r-1).

Ra'31 에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 하이드록시알킬기로는, 각각 상기 일반식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 중의 Ra'21 에 대한 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.The alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group for Ra' 31 are respectively represented by the above general formulas (a2-r-1) to (a2). The same examples as those exemplified in the description of Ra' 21 in -r-7) can be given.

하기에 일반식 (ax3-r-1) ∼ (ax3-r-3) 으로 나타내는 기의 구체예를 든다.Specific examples of groups represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) are given below.

[화학식 24][Formula 24]

「복소 고리형기」란, 탄소에 추가하여 1 개 이상의 탄소 이외의 원자를 함유하는 고리형기를 말하고, 하기 (r-hr-1) ∼ (r-hr-16) 에 각각 예시하는 복소 고리형기나, 질소 함유 복소 고리 등을 들 수 있다. 질소 함유 복소 고리형기로는, 1 개 또는 2 개의 옥소기로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 8 의 시클로알킬기를 들 수 있다. 그 시클로알킬기로는, 예를 들어, 2,5-디옥소피롤리딘이나, 2,6-디옥소피페리딘을 바람직한 것으로 예시할 수 있다.“Heterocyclic group” refers to a cyclic group containing one or more atoms other than carbon in addition to carbon, and includes heterocyclic groups exemplified by (r-hr-1) to (r-hr-16) below, respectively. , nitrogen-containing heterocycles, etc. Examples of the nitrogen-containing heterocyclic group include cycloalkyl groups having 3 to 8 carbon atoms which may be substituted with one or two oxo groups. Preferred examples of the cycloalkyl group include 2,5-dioxopyrrolidine and 2,6-dioxopiperidine.

[화학식 25][Formula 25]

(A1) 성분이 갖는 구성 단위 (a2) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 되지만, 2종 이상이 바람직하다.The number of structural units (a2) contained in component (A1) may be one or two or more, but two or more types are preferable.

(A1) 성분이 구성 단위 (a2) 를 갖는 경우, 구성 단위 (a2) 의 비율은 당해 (A) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 1 ∼ 80 몰% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 70 몰% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 65 몰% 인 것이 더욱 바람직하고, 10 ∼ 60 몰% 가 특히 바람직하다. 하한치 이상으로 함으로써 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한치 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 균형을 잡을 수 있고, 각종 리소그래피 특성 및 패턴 형상이 양호해진다.When the component (A1) has a structural unit (a2), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol%, and is 5 to 70 mol% relative to the total of all structural units constituting the component (A). It is more preferable that it is mol%, it is still more preferable that it is 10-65 mol%, and 10-60 mol% is especially preferable. By setting it above the lower limit, the effect of containing the structural unit (a2) is sufficiently obtained, and by setting it below the upper limit, it is possible to achieve balance with other structural units, and various lithography characteristics and pattern shapes become good.

(구성 단위 (a3))(Constitutive unit (a3))

구성 단위 (a3) 은 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 함유하는 구성 단위 (단, 상기 서술한 구성 단위 (a1), (a2) 에 해당하는 것을 제외한다) 이다.The structural unit (a3) is a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (however, those corresponding to the structural units (a1) and (a2) described above are excluded).

(A1) 성분이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, (A) 성분의 친수성이 높아져, 해상성의 향상에 기여하는 것으로 생각된다.It is thought that when component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of component (A) increases and contributes to improvement of resolution.

극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기 등을 들 수 있고, 특히 수산기가 바람직하다.The polar group includes a hydroxyl group, a cyano group, a carboxyl group, and a hydroxyalkyl group in which part of the hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with fluorine atoms, and a hydroxyl group is particularly preferable.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 고리형의 지방족 탄화수소기 (고리형기) 를 들 수 있다. 그 고리형기로는 단고리형기여도 되고 다고리형기여도 되며, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용의 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 그 고리형기로는 다고리형기인 것이 바람직하고, 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 보다 바람직하다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms (preferably alkylene groups) and cyclic aliphatic hydrocarbon groups (cyclic groups). The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. For example, in a resin for a resist composition for an ArF excimer laser, it can be appropriately selected and used from among many proposed groups. The cyclic group is preferably a polycyclic group, and more preferably has 7 to 30 carbon atoms.

그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복실기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 함유하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Among them, structural units derived from an acrylic acid ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a portion of the hydrogen atoms of the hydroxyl group, cyano group, carboxyl group, or alkyl group are substituted with fluorine atoms are more preferable. Examples of the polycyclic group include groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from bicycloalkanes, tricycloalkanes, tetracycloalkanes, etc. Specifically, groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane can be mentioned. Among these polycyclic groups, groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from adamantane, groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from norbornane, and groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from tetracyclododecane are industrially preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 함유하는 것이면 특별히 한정되지 않고 임의의 것이 사용 가능하다.The structural unit (a3) is not particularly limited and any unit can be used as long as it contains an aliphatic hydrocarbon group containing a polar group.

구성 단위 (a3) 으로는, α 위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 함유하는 구성 단위가 바람직하다.The structural unit (a3) is preferably a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position may be substituted with a substituent and containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 탄화수소기일 때에는, 아크릴산의 하이드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고, 그 탄화수소기가 다고리형기일 때에는, 하기 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, 식 (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the structural unit (a3), when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a structural unit derived from hydroxyethyl ester of acrylic acid is preferable, When the hydrocarbon group is a polycyclic group, preferred structural units include the structural unit represented by the following formula (a3-1), the structural unit represented by the formula (a3-2), and the structural unit represented by the formula (a3-3).

[화학식 26] [Formula 26]

[식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, k 는 1 ∼ 3 의 정수이고, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이고, l 은 1 ∼ 5 의 정수이고, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다.][Wherein, R is the same as above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t' is an integer of 1 to 3, l is an integer of 1 to 5, and s is It is an integer from 1 to 3.]

식 (a3-1) 중, j 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우, 수산기가 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and is more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd position of the adamantyl group.

j 는 1 인 것이 바람직하고, 특히, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.j is preferably 1, and in particular, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd position of the adamantyl group.

식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은 아크릴산의 카르복실기의 말단에 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합되어 있는 것이 바람직하다. 불소화 알킬알코올은 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), t' is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. These preferably have a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group bonded to the terminal of the carboxyl group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

(A1) 성분이 함유하는 구성 단위 (a3) 은 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.The number of structural units (a3) contained in the component (A1) may be one, and two or more types may be sufficient as them.

(A1) 성분 중, 구성 단위 (a3) 의 비율은 당해 수지 성분 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여 5 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 40 몰% 가 보다 바람직하며, 5 ∼ 25 몰% 가 더욱 바람직하다.Among the components (A1), the proportion of the structural unit (a3) is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, relative to the total of all structural units constituting the resin component (A1). 5 to 25 mol% is more preferable.

구성 단위 (a3) 의 비율을 하한치 이상으로 함으로써, 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한치 이하로 함으로써, 다른 구성 단위와의 균형을 잡기 쉬워진다.By setting the ratio of the structural unit (a3) to the lower limit or more, the effect of containing the structural unit (a3) is sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit or less, it becomes easy to maintain a balance with other structural units.

(A1) 성분은 상기 구성 단위 (a1), (a2), (a3) 외에, 이하의 구성 단위 (a4) 를 가지고 있어도 된다.Component (A1) may have the following structural unit (a4) in addition to the structural units (a1), (a2), and (a3).

(구성 단위 (a4))(Constitutive unit (a4))

구성 단위 (a4) 는 산 비해리성 고리형기를 함유하는 구성 단위이다. (A1) 성분이 구성 단위 (a4) 를 가짐으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다. 또, (A1) 성분의 소수성이 높아진다. 소수성의 향상은, 특히 유기 용제 현상의 경우에, 해상성, 레지스트 패턴 형상 등의 향상에 기여하는 것으로 생각된다.The structural unit (a4) is a structural unit containing an acid non-dissociable cyclic group. When the component (A1) has the structural unit (a4), the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. Additionally, the hydrophobicity of component (A1) increases. It is believed that improvement in hydrophobicity contributes to improvement in resolution, resist pattern shape, etc., especially in the case of organic solvent development.

구성 단위 (a4) 에 있어서의 「산 비해리성 고리형기」는, 노광에 의해 후술하는 (B) 성분으로부터 산이 발생했을 때에, 그 산이 작용해도 해리되지 않고 그대로 당해 구성 단위 중에 남는 고리형기이다.The “acid non-dissociable cyclic group” in the structural unit (a4) is a cyclic group that remains in the structural unit without being dissociated even when the acid acts on it when an acid is generated from the component (B), which will be described later, by exposure to light.

구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어 산 비해리성의 지방족 고리형기를 함유하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 고리형기는, 예를 들어, 상기한 구성 단위 (a1) 의 경우에 예시한 것과 동일한 것을 예시할 수 있고, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.The structural unit (a4) is preferably, for example, a structural unit derived from an acrylic acid ester containing an acid-non-dissociable aliphatic cyclic group. The cyclic group may, for example, be the same as that exemplified in the case of the structural unit (a1) described above, and may be used in resists such as those for ArF excimer lasers and KrF excimer lasers (preferably for ArF excimer lasers). A number of those conventionally known for use in the resin component of the composition can be used.

특히 트리시클로데실기, 아다만틸기, 테트라시클로도데실기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수가 용이하다는 등의 점에서 바람직하다. 이들 다고리형기는 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 치환기로서 가지고 있어도 된다.In particular, at least one type selected from tricyclodecyl group, adamantyl group, tetracyclododecyl group, isobornyl group, and norbornyl group is preferable because it is easy to obtain industrially. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

구성 단위 (a4) 로서 구체적으로는, 하기 일반식 (a4-1) ∼ (a4-7) 의 구조인 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the structural unit (a4) include those having structures of the following general formulas (a4-1) to (a4-7).

[화학식 27][Formula 27]

[식 중, Rα 는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.][Wherein, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.]

(A1) 성분이 함유하는 구성 단위 (a4) 는 1 종이어도 되고 2 종 이상이어도 된다.The number of structural units (a4) contained in the component (A1) may be one, or two or more types may be used.

구성 단위 (a4) 를 (A1) 성분에 함유시킬 때, 구성 단위 (a4) 의 비율은 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해 1 ∼ 30 몰% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 20 몰% 인 것이 보다 바람직하다.When the structural unit (a4) is contained in the (A1) component, the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 30 mol%, 10 to 20 mol%, relative to the total of all structural units constituting the (A1) component. It is more preferable that it is mol%.

(A1) 성분은, (a1), (a2) 및 (a3) 을 갖는 공중합체인 것이 바람직하다.The (A1) component is preferably a copolymer having (a1), (a2), and (a3).

(A1) 성분은 각 구성 단위를 유도하는 모노머를, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아조비스이소부티르산디메틸과 같은 라디칼 중합 개시제를 사용한 공지된 라디칼 중합 등에 의해 중합시킴으로써 얻을 수 있다.Component (A1) can be obtained by polymerizing the monomers from which each structural unit is derived, for example, by known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN) or dimethyl azobisisobutyrate. .

또한, (A1) 성분에는, 상기 중합시에, 예를 들어 HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH 와 같은 연쇄 이동제를 병용하여 사용함으로써, 말단에 -C(CF3)2-OH 기를 도입해도 된다. 이와 같이, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 하이드록시알킬기가 도입된 공중합체는, 현상 결함의 저감이나 LER (라인 에지 러프니스 : 라인 측벽의 불균일한 요철) 의 저감에 유효하다.In addition , in component (A1), during the polymerization, -C ( CF 3 ) 2 -OH group may be introduced. In this way, a copolymer into which a hydroxyalkyl group is introduced, in which some of the hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with fluorine atoms, is effective in reducing development defects and reducing LER (line edge roughness: uneven unevenness of the line side wall).

본 발명에 있어서, (A1) 성분의 중량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 특별히 한정되는 것이 아니라, 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 1500 ∼ 30000 이 보다 바람직하고, 2000 ∼ 20000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한치 이하이면, 레지스트로서 사용하는 데 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한치 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.In the present invention, the weight average molecular weight (Mw) of component (A1) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography) is not particularly limited, and is preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, 2000 to 20000 is most preferable. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent for use as a resist, and if it is above the lower limit of this range, the dry etching resistance and cross-sectional shape of the resist pattern are good.

(A1) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(A1) Component may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

기재 성분 (A) 중의 (A1) 성분의 비율은 기재 성분 (A) 의 총 질량에 대하여 25 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 가 보다 바람직하고, 75 질량% 가 더욱 바람직하며, 100 질량% 이어도 된다. 그 비율이 25 질량% 이상이면, 리소그래피 특성이 보다 향상된다.The ratio of component (A1) in base component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass, further preferably 75% by mass, and 100% by mass relative to the total mass of base component (A). You can continue. When the ratio is 25% by mass or more, lithography characteristics are further improved.

본 발명에 있어서, (A) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.In this invention, component (A) may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

본 발명에 있어서, (A) 성분의 함유량은 형성하고자 하는 레지스트 막두께 등에 따라서 조정하면 된다.In the present invention, the content of component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed, etc.

<산 발생제 성분 ; (B) 성분><Acid generator component; (B) Ingredient>

본 발명에 있어서 레지스트 조성물은, 노광에 의해 산을 발생하는 산 발생제 성분 (B) (이하, (B) 성분이라고 한다) 를 함유한다. (B) 성분으로는 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용의 산 발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다.In the present invention, the resist composition contains an acid generator component (B) (hereinafter referred to as component (B)) that generates acid upon exposure. The component (B) is not particularly limited, and any of the acid generators proposed so far for chemically amplified resists can be used.

이와 같은 산 발생제로는, 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산 발생제, 옥심술포네이트계 산 발생제, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산 발생제, 니트로벤질술포네이트계 산 발생제, 이미노술포네이트계 산 발생제, 디술폰계 산 발생제 등 다종의 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 오늄염계 산 발생제를 사용하는 것이 바람직하다.Such acid generators include onium salt-based acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate-based acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, and poly(bissulfonyl)diazomethane. There are various types of acid generators, such as diazomethane-based acid generators, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators, and disulfone-based acid generators. Among them, it is preferable to use an onium salt-based acid generator.

오늄염계 산 발생제로는, 예를 들어, 하기 일반식 (b-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-1) 성분」이라고도 한다), 일반식 (b-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(b-2) 성분」이라고도 한다), 또는 일반식 (b-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(b-3) 성분」이라고도 한다) 을 사용할 수 있다.Examples of onium salt-based acid generators include compounds represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as “component (b-1)”) and compounds represented by general formula (b-2) (hereinafter referred to as “( (also referred to as “b-2) component”), or a compound represented by general formula (b-3) (hereinafter also referred to as “(b-3) component”) can be used.

[화학식 28][Formula 28]

[식 중, R101, R104 ~ R108 은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R106 ~ R107 중 어느 2 개는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. R102 는 불소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기이다. Y101 은 단결합 또는 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기이다. V101 ~ V103 은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기이다. L101 ~ L102 는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103 ~ L105 는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다. M'm+ 는 m 가의 유기 카티온이다.][In the formula, R 101 , R 104 to R 108 each independently represent a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. Any two of R 106 to R 107 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 are each independently a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO- or -SO 2 -. M' m+ is an m-valent organic cation.]

{아니온부} {Anionbu}

·(b-1) 성분의 아니온부·(b-1) Anionic part of component

식 (b-1) 중, R101 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다.In formula (b-1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent.

(R101 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기)(Cyclic group that may have a substituent at R 101 )

상기 고리형기는 고리형의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 그 고리형의 탄화수소기는, 방향족 탄화수소기여도 되고 지방족 탄화수소기여도 된다.The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.

R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 상기 식 (a1-1) 의 Va1 에 있어서의 2 가의 방향족 탄화수소기에서 예시한 방향족 탄화수소 고리, 또는 2 이상의 방향고리를 함유하는 방향족 화합물로부터 수소 원자를 1 개 제거한 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group for R 101 is an aromatic hydrocarbon ring exemplified by the divalent aromatic hydrocarbon group for Va 1 in the formula (a1-1) above, or one hydrogen atom from an aromatic compound containing two or more aromatic rings. Examples of the removed aryl group include phenyl group and naphthyl group.

R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기는, 상기 식 (a1-1) 의 Va1 에 있어서의 2 가의 지방족 탄화수소기에서 예시한 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 includes groups obtained by removing one hydrogen atom from the monocycloalkane or polycycloalkane exemplified by the divalent aliphatic hydrocarbon group for Va 1 in the above formula (a1-1). and adamantyl group and norbornyl group are preferred.

또, R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기는, 복소 고리 등과 같이 헤테로 원자를 함유해도 되고, 구체적으로는 상기 일반식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ~ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기, 그 밖에 이하 (r-hr-1) ~ (r-hr-16) 에 예시하는 복소 고리형기를 들 수 있다.In addition, the cyclic hydrocarbon group for R 101 may contain a hetero atom such as a heterocyclic ring, and specifically, contains lactones each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) above. Cyclic groups, -SO 2 -containing cyclic groups each represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) above, and others (r-hr-1) to (r-hr-16) below. and heterocyclic groups exemplified by .

[화학식 29][Formula 29]

R101 의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the cyclic hydrocarbon group of R101 include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, and a nitro group.

치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

치환기로서의 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하며, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As the alkoxy group as a substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, and tert-butoxy group are more preferable, and methoxy group is more preferable. , ethoxy group is most preferred.

치환기로서의 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Halogen atoms as substituents include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and iodine atoms, with fluorine atoms being preferred.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Halogenated alkyl groups as substituents include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms, such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl, and tert-butyl groups in which some or all of the hydrogen atoms are replaced with the halogen atoms. .

(R101 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기)(Chain-type alkyl group that may have a substituent at R 101 )

R101 의 사슬형의 알킬기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 된다.The chain alkyl group for R 101 may be either linear or branched.

직사슬형의 알킬기로는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기, 헨이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group. , tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group, etc.

분기사슬형의 알킬기로는 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하며, 3 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2 -Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, etc. are mentioned.

(R101 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기)(Chain-type alkenyl group that may have a substituent at R 101 )

R101 의 사슬형의 알케닐기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 중 어느 것이어도 되고, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 5 가 보다 바람직하며, 2 ∼ 4 가 더욱 바람직하고, 3 이 특히 바람직하다. 직사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기사슬형의 알케닐기로는, 예를 들어, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The chain alkenyl group for R 101 may be linear or branched, and preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, and even more preferably 2 to 4 carbon atoms. 3 is particularly preferable. Examples of straight-chain alkenyl groups include vinyl group, propenyl group (allyl group), and butynyl group. Examples of branched chain alkenyl groups include 1-methylpropenyl group and 2-methylpropenyl group.

사슬형의 알케닐기로는, 상기 중에서도 특히 프로페닐기가 바람직하다.As the chain alkenyl group, among the above, propenyl group is particularly preferable.

R101 의 사슬형의 알킬기 또는 알케닐기에 있어서의 치환기로는, 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101 에 있어서의 고리형기 등을 들 수 있다.Substituents for the chain alkyl or alkenyl group of R 101 include, for example, an alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, hydroxyl group, carbonyl group, nitro group, amino group, and the cyclic group for R 101 . You can.

그 중에서도, R101 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기가 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 상기 식 (a2-r-1) ∼ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 상기 일반식 (a5-r-1) ∼ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기 등이 바람직하다.Among them, R 101 is preferably a cyclic group that may have a substituent, and more preferably is a cyclic hydrocarbon group that may have a substituent. More specifically, a phenyl group, a naphthyl group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, a lactone-containing cyclic group each represented by the above formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), and the above general group. -SO 2 --containing cyclic groups each represented by formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are preferable.

식 (b-1) 중, Y101 은, 단결합 또는 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기이다.In formula (b-1), Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom.

Y101 이 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기인 경우, 그 Y101 은, 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, Y 101 may contain an atom other than an oxygen atom. Atoms other than oxygen atoms include, for example, carbon atoms, hydrogen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.

산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기로는, 예를 들어, 산소 원자 (에테르 결합 : -O-), 에스테르 결합 (-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기 (-O-C(=O)-), 아미드 결합 (-C(=O)-NH-), 카르보닐기 (-C(=O)-), 카보네이트 결합 (-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기 ; 그 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다. 당해 조합에 추가로 술포닐기 (-SO2-) 가 연결되어 있어도 된다. 당해 조합으로는, 예를 들어 하기 식 (y-al-1) ∼ (y-al-7) 로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include oxygen atom (ether bond: -O-), ester bond (-C(=O)-O-), and oxycarbonyl group (-OC(=O)- ), amide bond (-C(=O)-NH-), carbonyl group (-C(=O)-), carbonate bond (-OC(=O)-O-), non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group ; A combination of a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group and an alkylene group may be included. In addition, a sulfonyl group (-SO 2 -) may be connected to the combination. Examples of the combination include linking groups each represented by the following formulas (y-al-1) to (y-al-7).

[화학식 30][Formula 30]

[식 중, V'101 은 단결합 또는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬렌기이고, V'102 는 탄소수 1 ~ 30 의 2 가의 포화 탄화수소기이다.][Wherein, V' 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V' 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.]

V'102 에 있어서의 2 가의 포화 탄화수소기는, 탄소수 1 ~ 30 의 알킬렌기인 것이 바람직하다.The divalent saturated hydrocarbon group at V'102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로는, 직사슬형의 알킬렌기여도 되고 분기사슬형의 알킬렌기여도 되며, 직사슬형의 알킬렌기가 바람직하다.The alkylene group for V'101 and V'102 may be a straight-chain alkylene group or a branched-chain alkylene group, and a straight-chain alkylene group is preferable.

V'101 및 V'102 에 있어서의 알킬렌기로서 구체적으로는, 메틸렌기 [-CH2-] ; -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; 에틸렌기 [-CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기 ; 트리메틸렌기 (n-프로필렌기) [-CH2CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; 테트라메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2-] ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 ; 펜타메틸렌기 [-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.The alkylene group in V' 101 and V' 102 specifically includes a methylene group [-CH 2 -]; -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 Alkylmethylene groups such as CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; Ethylene group [-CH 2 CH 2 -] ; Alkylethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 - ; Trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2 -] ; Alkyltrimethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] ; Alkyl tetramethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -; Pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] and the like can be mentioned.

또, V'101 또는 V'102 에 있어서의 상기 알킬렌기에 있어서의 일부의 메틸렌기가, 탄소수 5 ~ 10 의 2 가의 지방족 고리형기로 치환되어 있어도 된다. 당해 지방족 고리형기는, 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3 의 고리형의 지방족 탄화수소기로부터 수소 원자를 추가로 1 개 제거한 2 가의 기가 바람직하고, 시클로헥실렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기가 보다 바람직하다.Additionally, some of the methylene groups in the alkylene group at V' 101 or V' 102 may be substituted with a divalent aliphatic cyclic group having 5 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is preferably a divalent group obtained by removing one additional hydrogen atom from the cyclic aliphatic hydrocarbon group of Ra' 3 in the formula (a1-r-1), such as a cyclohexylene group, 1,5- An adamantylene group or a 2,6-adamantylene group is more preferable.

Y101 로는, 에스테르 결합 또는 에테르 결합을 포함하는 2 가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 (y-al-1) ~ (y-al-5) 로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.As Y 101 , a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond is preferable, and linking groups each represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) are preferable.

식 (b-1) 중, V101 은, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기이다. V101 에 있어서의 알킬렌기, 불소화 알킬렌기는, 탄소수 1 ~ 4 인 것이 바람직하다. V101 에 있어서의 불소화 알킬렌기로는, V101 에 있어서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101 은, 단결합, 또는 탄소수 1 ~ 4 의 불소화 알킬렌기인 것이 바람직하다.In formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and fluorinated alkylene group for V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group for V 101 include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkylene group for V 101 are substituted with fluorine atoms. Among these, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

식 (b-1) 중, R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기이다. R102 는, 불소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a fluorine atom.

(b-1) 성분의 아니온부의 구체예로는, 예를 들어,Specific examples of the anion portion of the component (b-1) include,

Y101 이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄술포네이트 아니온이나 퍼플루오로부탄술포네이트 아니온 등의 불소화 알킬술포네이트 아니온을 들 수 있고 ; Y101 이 산소 원자를 함유하는 2 가의 연결기인 경우, 하기 식 (an-1) ~ (an-3) 중 어느 것으로 나타내는 아니온을 들 수 있다.When Y 101 is a single bond, fluorinated alkyl sulfonate anions such as trifluoromethane sulfonate anion and perfluorobutane sulfonate anion can be used; When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, an anion represented by any of the following formulas (an-1) to (an-3) can be used.

[화학식 31][Formula 31]

[식 중, R"101 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (r-hr-1) ~ (r-hr-6) 으로 각각 나타내는 기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기이고 ; R"102 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 상기 식 (a2-r-1) ~ (a2-r-7) 로 각각 나타내는 락톤 함유 고리형기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1) ~ (a5-r-4) 로 각각 나타내는 -SO2- 함유 고리형기이고 ; R"103 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고 ; V"101 은, 불소화 알킬렌기이고 ; L"101 은, -C(=O)- 또는 -SO2- 이고 ; v" 는 각각 독립적으로 0 ~ 3 의 정수이고, q" 는 각각 독립적으로 1 ~ 20 의 정수이고, n" 는 0 또는 1 이다.][Wherein, R" 101 is an aliphatic cyclic group that may have a substituent, a group each represented by the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a chain alkyl group that may have a substituent. and R" 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a lactone-containing cyclic group each represented by the above formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), or the above general formula (a5-r- 1) -SO 2 --containing cyclic groups each represented by to (a5-r-4); R" 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent; V" 101 is a fluorinated alkylene group; L" 101 is -C(=O)- or -SO 2 -; v" is each independently an integer from 0 to 3, q" is each independently an integer from 1 to 20, and n" is 0 or It is 1.]

R"101, R"102 및 R"103 의 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 고리형의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic cyclic group that may have a substituent at R" 101 , R" 102 and R" 103 is preferably a group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101. The substituent for R 101 is Examples of the same substituent that may substitute for the cyclic aliphatic hydrocarbon group include the same substituents.

R"103 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 고리형기는, 상기 R101 에 있어서의 고리형의 탄화수소기에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는, R101 에 있어서의 그 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The aromatic cyclic group that may have a substituent for R" 103 is preferably a group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for the cyclic hydrocarbon group for R 101. The substituent for R 101 is preferably The same substituent that may substitute the aromatic hydrocarbon group can be mentioned.

R"101 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R"103 에 있어서의 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 R101 에 있어서의 사슬형의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. V"101 은, 바람직하게는 탄소수 1 ~ 3 의 불소화 알킬렌기이고, 특히 바람직하게는, -CF2-, -CF2CF2-, -CHFCF2-, -CF(CF3)CF2-, -CH(CF3)CF2- 이다.The chain alkyl group which may have a substituent at R" 101 is preferably the group exemplified as the chain alkyl group at R" 101 above. The chain alkyl group which may have a substituent at R" 103 The kenyl group is preferably a group exemplified as the chain alkenyl group for R 101 above. V" 101 is preferably a fluorinated alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and particularly preferably -CF 2 -, -CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 -, -CF(CF 3 )CF 2 -, -CH(CF 3 )CF 2 -.

·(b-2) 성분의 아니온부·(b-2) Anionic part of component

식 (b-2) 중, R104, R105 는, 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 각각 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105 는, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R 104 and R 105 each independently represent a cyclic group that may have a substituent, a chain alkyl group that may have a substituent, or a chain alkenyl group that may have a substituent, respectively. The same thing as R 101 in formula (b-1) can be mentioned. However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105 는, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 혹은 분기사슬형의 알킬기, 또는 직사슬형 혹은 분기사슬형의 불소화 알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 104 and R 105 are preferably a linear alkyl group that may have a substituent, and more preferably a linear or branched alkyl group or a linear or branched fluorinated alkyl group.

그 사슬형의 알킬기의 탄소수는 1 ~ 10 인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ~ 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ~ 3 이다. R104, R105 의 사슬형의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소수의 범위 내에 있어서, 레지스트 용매에 대한 용해성도 양호하다는 등의 이유에 의해 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105 의 사슬형의 알킬기에 있어서는, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지고, 또, 200 ㎚ 이하의 고에너지 광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되므로 바람직하다. 상기 사슬형의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70 ~ 100 %, 더욱 바람직하게는 90 ~ 100 % 이며, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. The smaller the carbon number of the chain alkyl group of R 104 and R 105 within the above-mentioned carbon number range, the better the solubility in the resist solvent. In addition, in the chain alkyl group of R 104 and R 105 , the greater the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the acid strength, and the improved transparency to high-energy light or electron beams of 200 nm or less is preferable. do. The proportion of fluorine atoms in the chain alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably, a perfluoroalkyl group in which all hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms. am.

식 (b-2) 중, V102, V103 은 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기이고, 각각 식 (b-1) 중의 V101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-2), V 102 and V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and examples thereof include the same as V 101 in formula (b-1).

식 (b-2) 중, L101 ~ L102 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In formula (b-2), L 101 to L 102 are each independently a single bond or an oxygen atom.

·(b-3) 성분의 아니온부·Anionic part of (b-3) component

식 (b-3) 중, R106 ~ R108 은, 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, 각각 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (b-3), R 106 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, respectively. The same thing as R 101 in formula (b-1) can be mentioned.

L103 ~ L105 는 각각 독립적으로, 단결합, -CO- 또는 -SO2- 이다.L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO- or -SO 2 -.

{카티온부}{Cation Department}

식 (b-1), (b-2) 및 (b-3) 중, M'm+ 는 m 가의 유기 카티온으로, 그 중에서도 술포늄 카티온 또는 요오드늄 카티온인 것이 바람직하고, 하기 일반식 (ca-1) ~ (ca-4) 로 각각 나타내는 카티온이 특히 바람직하다.In formulas (b-1), (b-2) and (b-3), M' m+ is an m-valent organic cation, preferably a sulfonium cation or an iodonium cation, and has the following general formula: Cations each represented by (ca-1) to (ca-4) are particularly preferred.

[화학식 32][Formula 32]

[식 중, R201 ~ R207, 및 R211 ~ R212 는, 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R201 ~ R203, R206 ~ R207, R211 ~ R212 는, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다. R208 ~ R209 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기를 나타내고, R210 은 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 알킬기, 알케닐기, 또는 -SO2- 함유 고리형기이고, L201 은 -C(=O)- 또는 -C(=O)-O- 를 나타내고, Y201 은, 각각 독립적으로 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타내고, x 는 1 또는 2 이며, W201 은 (x+1) 가의 연결기를 나타낸다.][In the formula, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an aryl group, an alkyl group, or an alkenyl group which may have a substituent, and R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 ~R 212 may be combined with each other to form a ring with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 210 is an aryl group, alkyl group, alkenyl group, or -SO 2 -containing cyclic group that may have a substituent, and L 201 is -C(=O)- or -C(=O)-O-, Y 201 each independently represents an arylene group, alkylene group or alkenylene group, x is 1 or 2, and W 201 is (x+1 ) indicates a linking group.]

R201 ~ R207, 및 R211 ~ R212 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ~ 20 의 무치환 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.The aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 includes an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R201 ∼ R207, 및 R211 ~ R212 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기로서, 탄소수 1 ~ 30 의 것이 바람직하다.The alkyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.

R201 ~ R207, 및 R211 ~ R212 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ~ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R201 ~ R207, 및 R210 ~ R212 가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 예를 들어, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 아릴티오기, 하기 식 (ca-r-1) ~ (ca-r-7) 로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Substituents that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include, for example, an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, an arylthio group, the following formula (ca Groups each represented by -r-1) to (ca-r-7) can be mentioned.

치환기로서의 아릴티오기에 있어서의 아릴기로는, R101 에서 예시한 것과 동일하고, 구체적으로 페닐티오기 또는 비페닐티오기를 들 수 있다.The aryl group in the arylthio group as a substituent is the same as that exemplified for R 101 , and specifically includes a phenylthio group or a biphenylthio group.

[화학식 33][Formula 33]

[식 중, R'201 은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기이다.][In the formula, R' 201 is each independently a hydrogen atom, a cyclic group that may have a substituent, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group.]

R'201 의 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 과 동일한 것을 들 수 있는 것 외에, 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기로서 상기 식 (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기와 동일한 것도 들 수 있다.The cyclic group that may have a substituent for R' 201 , the chain alkyl group that may have a substituent, or the chain alkenyl group that may have a substituent may be the same as R 101 in the formula (b-1) above. In addition to those present, examples of the cyclic group that may have a substituent or the chain alkyl group that may have a substituent include those identical to the acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-2).

R201 ~ R203, R206 ~ R207, R211 ~ R212 는, 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자, 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자나, 카르보닐기, -SO-, -SO2-, -SO3-, -COO-, -CONH- 또는 -N(RN)- (그 RN 은 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기이다) 등의 관능기를 개재하여 결합해도 된다. 형성되는 고리로는, 식 중의 황 원자를 그 고리 골격에 함유하는 1 개의 고리가 황 원자를 포함해서 3 ~ 10 원자 고리인 것이 바람직하고, 5 ~ 7 원자 고리인 것이 특히 바람직하다. 형성되는 고리의 구체예로는, 예를 들어 티오펜 고리, 티아졸 고리, 벤조티오펜 고리, 티안트렌 고리, 벤조티오펜 고리, 디벤조티오펜 고리, 9H-티오크산텐 고리, 티오크산톤 고리, 티안트렌 고리, 페녹사티인 고리, 테트라하이드로티오페늄 고리, 테트라하이드로티오피라늄 고리 등을 들 수 있다.When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 , and R 211 to R 212 combine with each other to form a ring with the sulfur atom in the formula, they are heteroatoms such as sulfur atom, oxygen atom, nitrogen atom, carbonyl group, Even if it is bonded through a functional group such as -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, -CONH- or -N(R N )- (where R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms) do. The ring formed is preferably a 3- to 10-membered ring, with one ring containing the sulfur atom of the formula in its ring skeleton including a sulfur atom, and a 5- to 7-membered ring is particularly preferable. Specific examples of the formed ring include, for example, a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, and a thioxanthone. rings, thianthrene rings, phenoxathiin rings, tetrahydrothiophenium rings, tetrahydrothiopyranium rings, etc.

R208 ~ R209 는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기를 나타내고, 수소 원자 또는 탄소수 1 ~ 3 의 알킬기가 바람직하고, 알킬기가 되는 경우 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group with 1 to 3 carbon atoms, and when they are alkyl groups, they may combine with each other to form a ring.

R210 은, 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알케닐기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기이다.R 210 is an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or an -SO 2 --containing cyclic group which may have a substituent.

R210 에 있어서의 아릴기로는, 탄소수 6 ~ 20 의 무치환 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.The aryl group for R 210 includes an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R210 에 있어서의 알킬기로는, 사슬형 또는 고리형의 알킬기로서, 탄소수 1 ~ 30 인 것이 바람직하다.The alkyl group for R 210 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.

R210 에 있어서의 알케닐기로는, 탄소수가 2 ~ 10 인 것이 바람직하다.The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

R210 에 있어서의, 치환기를 가지고 있어도 되는 -SO2- 함유 고리형기로는, 상기 일반식 (a2-1) 중의 Ra21 의 「-SO2- 함유 고리형기」와 동일한 것을 들 수 있고, 상기 일반식 (a5-r-1) 로 나타내는 기가 바람직하다.Examples of the -SO 2 --containing cyclic group for R 210 that may have a substituent include the same ones as the “-SO 2 --containing cyclic group” for Ra 21 in the general formula (a2-1) above. A group represented by the general formula (a5-r-1) is preferred.

Y201 은 각각 독립적으로, 아릴렌기, 알킬렌기 또는 알케닐렌기를 나타낸다.Y 201 each independently represents an arylene group, an alkylene group, or an alkenylene group.

Y201 에 있어서의 아릴렌기는, 상기 식 (b-1) 중의 R101 에 있어서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 아릴기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기를 들 수 있다.The arylene group for Y 201 includes a group obtained by removing one hydrogen atom from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R 101 in the formula (b-1).

Y201 에 있어서의 알킬렌기, 알케닐렌기는, 상기 일반식 (a1-1) 중의 Va1 에 있어서의 2 가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있다.The alkylene group and alkenylene group for Y 201 may be the same as the aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group for Va 1 in the general formula (a1-1).

상기 식 (ca-4) 중, x 는 1 또는 2 이다.In the above formula (ca-4), x is 1 or 2.

W201 은 (x+1) 가, 즉 2 가 또는 3 가의 연결기이다.W 201 is (x+1) valent, that is, a divalent or trivalent linking group.

W201 에 있어서의 2 가의 연결기로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기가 바람직하고, 상기 일반식 (a2-1) 에 있어서의 Ya21 과 동일한 탄화수소기를 예시할 수 있다. W201 에 있어서의 2 가의 연결기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 고리형인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 아릴렌기의 양단에 2 개의 카르보닐기가 조합된 기가 바람직하다. 아릴렌기로는, 페닐렌기, 나프틸렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.The divalent linking group for W 201 is preferably a divalent hydrocarbon group that may have a substituent, and examples include the same hydrocarbon group as Ya 21 in the general formula (a2-1) above. The divalent linking group in W 201 may be linear, branched, or cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group is preferable. Examples of the arylene group include phenylene group and naphthylene group, and phenylene group is particularly preferable.

W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 상기 W201 에 있어서의 2 가의 연결기로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 상기 2 가의 연결기에 추가로 상기 2 가의 연결기가 결합한 기 등을 들 수 있다. W201 에 있어서의 3 가의 연결기로는, 아릴렌기에 2 개의 카르보닐기가 결합한 기가 바람직하다.Examples of the trivalent linking group in W 201 include a group in which one hydrogen atom is removed from the divalent linking group in W 201 , a group in which the divalent linking group is further bonded to the divalent linking group, and the like. The trivalent linking group for W 201 is preferably a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group.

식 (ca-1) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-1-1) ∼ (ca-1-64) 으로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specifically, preferred cations represented by formula (ca-1) include cations each represented by the following formulas (ca-1-1) to (ca-1-64).

[화학식 34][Formula 34]

[화학식 35][Formula 35]

[화학식 36][Formula 36]

[식 중, g1, g2, g3 은 반복수를 나타내고, g1 은 1 ~ 5 의 정수이고, g2 는 0 ~ 20 의 정수이고, g3 은 0 ~ 20 의 정수이다.][In the formula, g1, g2, and g3 represent the number of repetitions, g1 is an integer from 1 to 5, g2 is an integer from 0 to 20, and g3 is an integer from 0 to 20.]

[화학식 37][Formula 37]

[식 중, R"201 은 수소 원자 또는 치환기이고, 치환기로는 상기 R201 ~ R207, 및 R210 ~ R212 가 가지고 있어도 되는 치환기로서 예시한 것과 동일하다.][In the formula, R" 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituents are the same as those exemplified as the substituents that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have above.]

상기 식 (ca-3) 으로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-3-1) ∼ (ca-3-6) 으로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specifically, preferred cations represented by the formula (ca-3) include cations represented by the following formulas (ca-3-1) to (ca-3-6), respectively.

[화학식 38][Formula 38]

상기 식 (ca-4) 로 나타내는 바람직한 카티온으로서 구체적으로는, 하기 식 (ca-4-1) ∼ (ca-4-2) 로 각각 나타내는 카티온을 들 수 있다.Specifically, preferred cations represented by the formula (ca-4) include cations represented by the following formulas (ca-4-1) to (ca-4-2), respectively.

[화학식 39][Formula 39]

(B) 성분은, 상기 서술한 산 발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(B) Component may use the above-mentioned acid generator individually by 1 type, or may use it in combination of 2 or more types.

본 발명에 있어서 레지스트 조성물이 (B) 성분을 함유하는 경우, (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대해 0.5 ∼ 60 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 50 질량부가 보다 바람직하며, 1 ∼ 40 질량부가 더욱 바람직하다. (B) 성분의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 형성이 충분히 이루어진다. 또, 레지스트 조성물의 각 성분을 유기 용제에 용해했을 때, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.In the present invention, when the resist composition contains component (B), the content of component (B) is preferably 0.5 to 60 parts by mass, more preferably 1 to 50 parts by mass, per 100 parts by mass of component (A), 1 to 40 parts by mass is more preferable. By keeping the content of component (B) within the above range, pattern formation is sufficiently achieved. Additionally, it is preferable because when each component of the resist composition is dissolved in an organic solvent, a uniform solution is obtained and storage stability is improved.

<광 반응성 퀀처 성분 ; (D) 성분> <Photo-reactive quencher component; (D) Ingredient>

본 발명에 있어서 레지스트 조성물은, 또한 광 반응성 퀀처 성분 (이하 「(D) 성분」이라고도 한다) 을 함유해도 된다.In the present invention, the resist composition may further contain a photoreactive quencher component (hereinafter also referred to as “component (D)”).

(D) 성분은, 상기 (B) 성분 등으로부터 노광에 의해 발생하는 산을 트랩하는 퀀처 (산 확산 제어제) 로서 작용하는 것이다.The component (D) acts as a quencher (acid diffusion controller) that traps the acid generated by exposure from the component (B) and the like.

본 발명에서의 (D) 성분은 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 상실하는 광 반응성 퀀처 성분 (D1) (이하 「(D1) 성분」이라고 한다) 이 바람직하다. 또, 그 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 (D2) (이하 「(D2) 성분」이라고 한다) 을 추가로 함유해도 된다.The (D) component in the present invention is preferably a photoreactive quencher component (D1) (hereinafter referred to as “component (D1)”), which decomposes upon exposure and loses acid diffusion control. Additionally, a nitrogen-containing organic compound (D2) (hereinafter referred to as “component (D2)”) that does not correspond to the component (D1) may be additionally contained.

[(D1) 성분][(D1) component]

(D1) 성분을 함유하는 레지스트 조성물로 함으로써, 레지스트 패턴을 형성할 때에 노광부와 비노광부의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.By using a resist composition containing component (D1), the contrast between exposed and unexposed areas can be improved when forming a resist pattern.

(D1) 성분으로는, 노광에 의해 분해되어 산 확산 제어성을 상실하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 하기 일반식 (d1-1) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-1) 성분」이라고 한다), 하기 일반식 (d1-2) 로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-2) 성분」이라고 한다) 및 하기 일반식 (d1-3) 으로 나타내는 화합물 (이하 「(d1-3) 성분」이라고 한다) 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물이 바람직하다.The (D1) component is not particularly limited as long as it decomposes upon exposure and loses acid diffusion control, and includes a compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter referred to as “(d1-1) component”), A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as “(d1-2) component”) and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as “(d1-3) component”) At least one compound selected from the group consisting of is preferable.

(d1-1) ∼ (d1-3) 성분은 노광부에 있어서는 분해되어 산 확산 제어성 (염 기성) 을 상실하기 때문에 퀀처로서 작용하지 않고, 미노광부에 있어서 퀀처로서 작용한다.Components (d1-1) to (d1-3) do not act as a quencher in the exposed area because they decompose and lose acid diffusion control (basicity), but act as a quencher in the unexposed area.

[화학식 40][Formula 40]

[식 중, Rd1 ∼ Rd4 는 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이다. 단, 식 (d1-2) 중의 Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에는 불소 원자는 결합하고 있지 않은 것으로 한다. Yd1 은 단결합, 또는 2 가의 연결기이다. Mm+ 는 각각 독립적으로 m 가의 유기 카티온이다.][In the formula, Rd 1 to Rd 4 are a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent. However, it is assumed that the fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. M m+ is each independently an m-valent organic cation.]

{(d1-1) 성분}{(d1-1) component}

·아니온부·Anion part

식 (d1-1) 중, Rd1 은 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-1), Rd 1 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as R 101 .

이들 중에서도, Rd1 로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 탄화수소기가 바람직하다. 이들 기가 가지고 있어도 되는 치환기로는 수산기, 불소 원자 또는 불소화 알킬기가 바람직하다.Among these, Rd 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group that may have a substituent, an aliphatic cyclic group that may have a substituent, or a chain hydrocarbon group that may have a substituent. The substituent that these groups may have is preferably a hydroxyl group, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group.

상기 방향족 탄화수소기로는 페닐기 또는 나프틸기 등이 보다 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group is more preferably a phenyl group or a naphthyl group.

상기 지방족 고리형기로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.The aliphatic cyclic group is more preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

상기 사슬형의 탄화수소기로는 사슬형의 알킬기가 바람직하다. 사슬형의 알킬기로는 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 직사슬형의 알킬기 ; 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등의 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.The chain-type hydrocarbon group is preferably a chain-type alkyl group. The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically includes straight alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, and decyl groups. Chain alkyl group; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methyl Examples include branched chain alkyl groups such as pentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, and 4-methylpentyl group.

상기 사슬형의 알킬기가 치환기로서 불소 원자 또는 불소화 알킬기를 갖는 불소화 알킬기인 경우, 불소화 알킬기의 탄소수는 1 ∼ 11 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 그 불소화 알킬기는 불소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 불소 원자 이외의 원자로는, 예를 들어 산소 원자, 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.When the chain-like alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the number of carbon atoms of the fluorinated alkyl group is preferably 1 to 11, more preferably 1 to 8, and still more preferably 1 to 4. The fluorinated alkyl group may contain atoms other than fluorine atoms. Atoms other than fluorine atoms include, for example, oxygen atoms, carbon atoms, hydrogen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.

Rd1 로는, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 일부 또는 전부의 수소 원자가 불소 원자에 의해 치환된 불소화 알킬기인 것이 바람직하고, 직사슬형의 알킬기를 구성하는 수소 원자의 전부가 불소 원자로 치환된 불소화 알킬기 (직사슬형의 퍼플루오로알킬기) 인 것이 바람직하다.Rd1 is preferably a fluorinated alkyl group in which some or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms, and a fluorinated alkyl group in which all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted with fluorine atoms ( It is preferable that it is a linear perfluoroalkyl group).

이하에 (d1-1) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Below, preferred specific examples of the anion portion of component (d1-1) are shown.

[화학식 41][Formula 41]

·카티온부·Cation section

식 (d1-1) 중, Mm+ 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (b-1) 내지 (b-3) 중의 Mm+ 와 동일하다.In formula (d1-1), M m+ is an m-valent organic cation, and is the same as M m+ in formulas (b-1) to (b-3) above.

(d1-1) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. (d1-1) A component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

{(d1-2) 성분}{(d1-2) component}

·아니온부·Anion part

식 (d1-2) 중, Rd2 는 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-2), Rd 2 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as R 101 .

단, Rd2 에 있어서의, S 원자에 인접하는 탄소 원자에 2개 이상의 불소 원자는 결합하고 있지 않은 (불소 치환되어 있지 않은) 것으로 한다. 이로써, (d1-2) 성분의 아니온이 적당한 약산 아니온이 되어, (D) 성분의 퀀칭능이 향상된다.However, in Rd 2 , two or more fluorine atoms are not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom (not substituted with fluorine). As a result, the anion of component (d1-2) becomes an appropriate weak acid anion, and the quenching ability of component (D) improves.

Rd2 로는, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 고리형기인 것이 바람직하고, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 (치환기를 가지고 있어도 된다) ; 캠퍼 등으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기인 것이 보다 바람직하다.Rd 2 is preferably an aliphatic cyclic group that may have a substituent, and is a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. (substituents You may have it) ; It is more preferable that it is a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from camphor or the like.

Rd2 의 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 그 치환기로는, 상기 식 (d1-1) 의 Rd1 에 있어서의 탄화수소기 (방향족 탄화수소기, 지방족 탄화수소기) 가 가지고 있어도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and the substituent may be the same as the substituent that the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic hydrocarbon group) in Rd 1 in the above formula (d1-1) may have. there is.

이하에 (d1-2) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Below, preferred specific examples of the anion portion of component (d1-2) are shown.

[화학식 42][Formula 42]

·카티온부·Cation section

식 (d1-2) 중, Mm+ 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm+ 와 동일하다.In formula (d1-2), M m+ is an m-valent organic cation, and is the same as M m+ in formula (d1-1).

(d1-2) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-2) A component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

{(d1-3) 성분}{(d1-3) component}

·아니온부·Anion part

식 (d1-3) 중, Rd3 은 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 불소 원자를 함유하는 고리형기, 사슬형의 알킬기, 또는 사슬형의 알케닐기인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소화 알킬기가 바람직하고, 상기 Rd1 의 불소화 알킬기와 동일한 것이 보다 바람직하다.In formula (d1-3), Rd 3 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as R 101 ; , a cyclic group containing a fluorine atom, a chain alkyl group, or a chain alkenyl group. Among these, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same fluorinated alkyl group of Rd 1 is more preferable.

식 (d1-3) 중, Rd4 는 치환기를 가지고 있어도 되는 고리형기, 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 사슬형의 알케닐기이고, R101 과 동일한 것을 들 수 있다.In formula (d1-3), Rd 4 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, and examples thereof include the same as R 101 .

그 중에서도, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 고리형기인 것이 바람직하다.Among them, alkyl groups, alkoxy groups, alkenyl groups, and cyclic groups that may have substituents are preferable.

Rd4 에 있어서의 알킬기는 탄소수 1 ~ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Rd4 의 알킬기의 수소 원자의 일부가 수산기, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 된다.The alkyl group for Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert- Butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. Part of the hydrogen atom of the alkyl group of Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group, or the like.

Rd4 에 있어서의 알콕시기는 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 ~ 5 의 알콕시기로서 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기를 들 수 있다. 그 중에서도, 메톡시기, 에톡시기가 바람직하다.The alkoxy group for Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms includes methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, and n-butoxy group. group, and tert-butoxy group. Among them, methoxy group and ethoxy group are preferable.

Rd4 에 있어서의 알케닐기는 상기 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기가 바람직하다. 이들 기는 추가로 치환기로서, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기를 가지고 있어도 된다.The alkenyl group for Rd 4 includes the same alkenyl group as R 101 above, and vinyl group, propenyl group (allyl group), 1-methylpropenyl group, and 2-methylpropenyl group are preferable. These groups may further have, as a substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

Rd4 에 있어서의 고리형기는 상기 R101 과 동일한 것을 들 수 있고, 시클로펜탄, 시클로헥산, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 지환식기, 또는, 페닐기, 나프틸기 등의 방향족기가 바람직하다. Rd4 가 지환식기인 경우, 레지스트 조성물이 유기 용제에 양호하게 용해됨으로써, 리소그래피 특성이 양호해진다. 또, Rd4 가 방향족기인 경우, EUV 등을 노광 광원으로 하는 리소그래피에 있어서, 그 레지스트 조성물이 광 흡수 효율이 우수하여, 감도나 리소그래피 특성이 양호해진다.The cyclic group for Rd 4 may be the same as for R 101 above, and may be selected from cycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. An alicyclic group from which two or more hydrogen atoms have been removed, or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group, is preferable. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition dissolves well in an organic solvent, thereby improving lithography characteristics. Moreover, when Rd 4 is an aromatic group, in lithography using EUV or the like as an exposure light source, the resist composition has excellent light absorption efficiency, resulting in good sensitivity and lithography characteristics.

식 (d1-3) 중, Yd1 은 단결합, 또는 2 가의 연결기이다.In formula (d1-3), Yd 1 is a single bond or a divalent linking group.

Yd1 에 있어서의 2 가의 연결기로는 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기 (지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기), 헤테로 원자를 함유하는 2 가의 연결기 등을 들 수 있다. 이들은 각각, 상기 식 (a2-1) 에 있어서의 Ya21 의 2 가의 연결기의 설명에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.The divalent linking group for Yd 1 is not particularly limited, but includes a divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like. These include the same ones as those exemplified in the description of the divalent linking group of Ya 21 in the above formula (a2-1).

Yd1 로는, 카르보닐기, 에스테르 결합, 아미드 결합, 알킬렌기 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 알킬렌기로는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하며, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다.Yd 1 is preferably a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group, or a combination thereof. The alkylene group is more preferably a straight-chain or branched alkylene group, and even more preferably a methylene group or an ethylene group.

이하에 (d1-3) 성분의 아니온부의 바람직한 구체예를 나타낸다.Below, preferred specific examples of the anion portion of component (d1-3) are shown.

[화학식 43][Formula 43]

[화학식 44][Formula 44]

·카티온부·Cation section

식 (d1-3) 중, Mm+ 는 m 가의 유기 카티온이고, 상기 식 (d1-1) 중의 Mm+ 와 동일하다.In formula (d1-3), M m+ is an m-valent organic cation, and is the same as M m+ in formula (d1-1).

(d1-3) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(d1-3) A component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

(D1) 성분은 상기 (d1-1) ∼ (d1-3) 성분 중 어느 1 종만을 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (D1), only one type of the components (d1-1) to (d1-3) above may be used, or two or more types may be used in combination.

(D1) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8 질량부인 것이 보다 바람직하며, 1 ∼ 8 질량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of component (D1) is preferably 0.5 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 8 parts by mass, and still more preferably 1 to 8 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (A).

(D1) 성분의 함유량이 바람직한 하한치 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어진다. 한편, 상한치 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.When the content of component (D1) is equal to or more than the preferred lower limit, particularly good lithographic properties and resist pattern shapes are obtained. On the other hand, if it is below the upper limit, sensitivity can be maintained well and throughput is also excellent.

상기한 (d1-1) 성분, (d1-2) 성분의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The manufacturing method of the above-described component (d1-1) and (d1-2) is not particularly limited, and they can be manufactured by known methods.

(D1) 성분의 함유량은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 10.0 질량부인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 8.0 질량부인 것이 보다 바람직하며, 1.0 ∼ 8.0 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위의 하한치 이상이면, 특히 양호한 리소그래피 특성 및 레지스트 패턴 형상이 얻어진다. 상기 범위의 상한치 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.The content of component (D1) is preferably 0.5 to 10.0 parts by mass, more preferably 0.5 to 8.0 parts by mass, and even more preferably 1.0 to 8.0 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (A). If it is above the lower limit of the above range, particularly good lithographic properties and resist pattern shapes are obtained. If it is below the upper limit of the above range, sensitivity can be maintained well and throughput is also excellent.

((D2) 성분)((D2) component)

(D) 성분은 상기 (D1) 성분에 해당하지 않는 함질소 유기 화합물 성분 (이하, (D2) 성분이라고 한다) 을 함유하고 있어도 된다.Component (D) may contain a nitrogen-containing organic compound component (hereinafter referred to as component (D2)) that does not correspond to the component (D1).

(D2) 성분으로는, 산 확산 제어제로서 작용하는 것이며 또한 (D1) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 된다. 그 중에서도 지방족 아민, 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하다.The component (D2) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion controller and does not fall under the component (D1), and any known component may be used arbitrarily. Among them, aliphatic amines, especially secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines, are preferable.

지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민으로, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 12 인 것이 바람직하다.An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 암모니아 NH3 의 수소 원자 중 적어도 1 개를 탄소수 12 이하의 알킬기 또는 하이드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 또는 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of aliphatic amines include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) or cyclic amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is replaced with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.Specific examples of alkylamine and alkylalcoholamine include monoalkylamine such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, and n-decylamine; dialkylamines such as diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, and dicyclohexylamine; Trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri Trialkylamines such as -n-nonylamine, tri-n-decylamine, and tri-n-dodecylamine; Alkyl alcohol amines such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, and tri-n-octanolamine can be mentioned. Among these, trialkylamine having 5 to 10 carbon atoms is more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferable.

고리형 아민으로는, 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 함유하는 복소 고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소 고리 화합물로는, 단고리형인 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고 다고리형인 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.Examples of cyclic amines include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단고리형 아민으로서 구체적으로는, 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of aliphatic monocyclic amines include piperidine and piperazine.

지방족 다고리형 아민으로는 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.The aliphatic polycyclic amine preferably has 6 to 10 carbon atoms, specifically 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7. -Undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, etc. are mentioned.

그 밖의 지방족 아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민트리아세테이트가 바람직하다.Other aliphatic amines include tris(2-methoxymethoxyethyl)amine, tris{2-(2-methoxyethoxy)ethyl}amine, and tris{2-(2-methoxyethoxymethoxy)ethyl. }Amine, Tris{2-(1-methoxyethoxy)ethyl}amine, Tris{2-(1-ethoxyethoxy)ethyl}amine, Tris{2-(1-ethoxypropoxy)ethyl}amine , tris[2-{2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy}ethyl]amine, triethanolamine triacetate, etc., and triethanolamine triacetate is preferable.

또, (D2) 성분으로는 방향족 아민을 사용해도 된다.Additionally, as the component (D2), an aromatic amine may be used.

방향족 아민으로는, 아닐린, 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 디페닐아민, 트리페닐아민, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.Aromatic amines include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or their derivatives, diphenylamine, triphenylamine, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine, etc. can be mentioned.

(D2) 성분은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.(D2) The component may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

(D2) 성분은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 통상적으로 0.01 ∼ 5.0 질량부의 범위에서 사용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등이 향상된다.Component (D2) is usually used in the range of 0.01 to 5.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A). By setting it within the above range, the resist pattern shape, stability over time after exposure, etc. are improved.

(D) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 본 발명에 있어서 레지스트 조성물이 (D) 성분을 함유하는 경우, (D) 성분은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 15 질량부인 것이 바람직하고, 0.3 ∼ 12 질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5 ∼ 12 질량부인 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위의 하한치 이상이면, 레지스트 조성물로 하였을 때, LWR 등의 리소그래피 특성이 보다 향상된다. 또, 보다 양호한 레지스트 패턴 형상이 얻어진다. 상기 범위의 상한치 이하이면, 감도를 양호하게 유지할 수 있고, 스루풋도 우수하다.(D) Component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types. In the present invention, when the resist composition contains component (D), the amount of component (D) is preferably 0.1 to 15 parts by mass, more preferably 0.3 to 12 parts by mass, and 0.5 parts by mass relative to 100 parts by mass of component (A). It is more preferable that it is ~12 parts by mass. If it is more than the lower limit of the above range, lithography characteristics such as LWR are further improved when used as a resist composition. Additionally, a better resist pattern shape is obtained. If it is below the upper limit of the above range, sensitivity can be maintained well and throughput is also excellent.

[(F) 성분][(F) component]

본 발명에 있어서, 레지스트 조성물은 레지스트막에 발수성을 부여하기 위해, 불소 첨가제 (이하 「(F) 성분」이라고 한다) 를 함유하고 있다.In the present invention, the resist composition contains a fluorine additive (hereinafter referred to as “component (F)”) to impart water repellency to the resist film.

(F) 성분으로는 하기 식 (f1)으로 나타나는 구성단위를 갖는 중합체 (F)가 바람직하다.As the component (F), a polymer (F) having a structural unit represented by the following formula (f1) is preferable.

[화학식 45] [Formula 45]

식 (f1)Equation (f1)

(식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, L1 및 L2는, 서로 동일하거나 상이하며, 단결합, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10의 탄화수소기이고, x는 0 또는 1이고, m은 1 내지 20의 정수이고, n은 1 내지 2m+1의 정수를 나타내고, p는 1 내지 20의 정수이고, q는 1 내지 2p의 정수를 나타낸다.)(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and L 1 and L 2 are the same or different from each other and have a single bond, a carbonyl group, an ether bond, or an ester bond. It is a hydrocarbon group optionally having 1 to 10 carbon atoms, x is 0 or 1, m is an integer of 1 to 20, n represents an integer of 1 to 2m+1, p is an integer of 1 to 20, and q is Represents an integer of 1 to 2p.)

식 (f1) 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.In formula (f1), R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소기로는, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 내지 10의 직사슬형 혹은 분기 사슬형의 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms that may have a carbonyl group, ether bond, or ester bond include straight-chain or branched aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 10 carbon atoms that may have a carbonyl group, ether bond, or ester bond. .

상기 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 그 치환기로서는 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 알킬기, 등을 들 수 있다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and the like.

m 및 p는 1 내지 20의 정수이고, 바람직하게는 1 내지 15의 정수이며, 더욱 바람직하게는 1 내지 10의 정수이다. m and p are integers from 1 to 20, preferably from 1 to 15, and more preferably from 1 to 10.

추가적인 (F) 성분으로는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-002870호, 일본 공개특허공보 2010-032994호, 일본 공개특허공보 2010-277043호, 일본 공개특허공보 2011-13569호, 일본 공개특허공보 2011-128226호에 기재된 함불소 고분자 화합물을 함께 사용할 수 있다.Additional (F) components include, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2010-002870, Japanese Patent Laid-Open No. 2010-032994, Japanese Patent Laid-Open No. 2010-277043, Japanese Patent Laid-Open No. 2011-13569, Japanese Patent Laid-open No. The fluorinated polymer compound described in Patent Publication No. 2011-128226 can be used together.

(F) 성분으로서 보다 구체적으로는, 상기 식 (f1) 으로 나타내는 구성 단위 (f1) 을 갖는 중합체를 들 수 있다. 상기 중합체로는, 상기 식 (f1) 으로 나타내는 구성 단위만으로 이루어지는 중합체 (호모폴리머) ; 상기 식 (f1) 으로 나타내는 구성 단위와 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체 ; 상기 식 (f1) 으로 나타내는 구성 단위와 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유도되는 구성 단위와 상기 구성 단위 (a1) 의 공중합체인 것이 바람직하다. 여기서, 상기 식 (f1) 로 나타내는 구성 단위와 공중합되는 상기 구성 단위 (a1) 로는, 1-에틸-1-시클로옥틸(메트)아크릴레이트 또는 상기 식 (a1-2-01) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.More specifically, the (F) component includes a polymer having a structural unit (f1) represented by the formula (f1) above. Examples of the polymer include a polymer (homopolymer) consisting only of structural units represented by the formula (f1); A copolymer of the structural unit represented by the formula (f1) and the structural unit (a1); It is preferable that it is a copolymer of the structural unit represented by the above formula (f1), a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the structural unit (a1). Here, the structural unit (a1) copolymerized with the structural unit represented by the formula (f1) is 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth)acrylate or the structural unit represented by the formula (a1-2-01). desirable.

또, 불소 원자를 함유하는 탄화수소기(-CmH(2m+1-n)Fn)는 당해 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 25 % 이상이 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 50 % 이상이 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하며, 60 % 이상이 불소화되어 있는 것이 침지 노광시의 레지스트막의 소수성이 높아지는 점에서 특히 바람직하다.In addition, in the hydrocarbon group containing a fluorine atom (-C m H (2m+1-n) F n ), it is preferable that 25% or more of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are fluorinated, and 50% or more are fluorinated. It is more preferable that 60% or more of it is fluorinated, and it is especially preferable that it increases the hydrophobicity of the resist film during immersion exposure.

그 중에서도, 불소 원자를 함유하는 탄화수소기로는, 탄소수 1 ~ 5 의 불소화 탄화수소기가 특히 바람직하고, -CH2-CF3, -CH2-CF2-CF3, -CH(CF3)2, -CH2-CH2-CF3, -CH2-CH2-CF2-CF2-CF2-CF3 이 가장 바람직하다.Among them, as the hydrocarbon group containing a fluorine atom, fluorinated hydrocarbon groups having 1 to 5 carbon atoms are particularly preferable, and are -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH(CF 3 ) 2 , - CH 2 -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 are most preferred.

(F) 성분의 중량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은 1000 ∼ 50000 이 바람직하고, 5000 ∼ 40000 이 보다 바람직하며, 10000 ∼ 30000 이 가장 바람직하다. 이 범위의 상한치 이하이면, 레지스트로서 사용하기에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한치 이상이면, 내드라이 에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.The weight average molecular weight (Mw) of component (F) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography) is preferably 1,000 to 50,000, more preferably 5,000 to 40,000, and most preferably 10,000 to 30,000. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, the dry etching resistance and cross-sectional shape of the resist pattern are good.

(F) 성분의 분산도 (Mw/Mn) 는 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하며, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다.(F) The dispersion degree (Mw/Mn) of component is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5.

(F) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(F) Component may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

(F) 성분은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 10 질량부의 비율로 사용된다.Component (F) is used in a ratio of 0.5 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of component (A).

[(S) 성분][(S) component]

본 발명의 레지스트 조성물은 재료를 유기 용제 (이하, (S) 성분이라고 하는 경우가 있다) 에 용해시켜 제조된다.The resist composition of the present invention is produced by dissolving the material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as the (S) component).

(S) 성분은 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌글리콜모노메틸 에테르(PGME)를 포함한다.(S) Components include propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether (PGME).

(S) 성분 중 프로필렌카보네이트의 양은 용제 전체에 대하여 0.1 ~ 3 질량%이다.The amount of propylene carbonate in the (S) component is 0.1 to 3% by mass based on the entire solvent.

이로 인해, 본 발명의 레지스트 조성물은 충분한 후퇴각을 얻는 것이 가능하며, 또한, 깨끗한 엣지 상태를 얻는 것이 가능하다. 프로필렌카보네이트의 양이 상기 범위를 초과하는 경우, 엣지 부분에 잔사가 쉽게 남아 깨끗한 엣지를 얻을 수 없다.For this reason, the resist composition of the present invention is capable of obtaining a sufficient receding angle and also capable of obtaining a clean edge state. If the amount of propylene carbonate exceeds the above range, residue easily remains on the edge, making it difficult to obtain a clean edge.

상기 언급된 것 이외에, 추가적으로 종래 화학 증폭 형 레지스트의 용제로서 공지 된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적절히 선택하여 사용할 수있다.In addition to those mentioned above, one or two or more of those known as solvents for conventional chemically amplified resists may be appropriately selected and used.

예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로헥사논, 메틸-n-펜틸케톤(2-헵타논), 메틸이소펜틸케톤 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체[이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 는 제외된다]; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레실메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제, 디메틸술폭사이드 (DMSO) 등을 들 수 있다.For example, lactones such as γ-butyrolactone; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone (2-heptanone), and methyl isopentyl ketone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol; Compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl ether of the above polyhydric alcohols or compounds having the above ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols, such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether, or compounds having an ether bond such as monophenyl ether [among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether. (PGME) is excluded]; Cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate; Anisole, ethylbenzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene aromatic organic solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), and the like.

(S) 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포막 두께에 따라서 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 1 ∼ 20 질량%, 바람직하게는 2 ∼ 15 질량% 의 범위 내가 되도록 사용된다.The amount of component (S) used is not particularly limited, and is appropriately set to a concentration that can be applied to a substrate or the like, depending on the thickness of the coating film. Generally, the resist composition is used so that the solid content concentration is within the range of 1 to 20 mass%, preferably within the range of 2 to 15 mass%.

<임의 성분><Arbitrary component>

[(E) 성분][(E) component]

본 발명에 있어서, 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등의 향상 목적에서, 임의의 성분으로서 유기 카르복실산, 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하, (E) 성분이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다.In the present invention, the resist composition includes an organic carboxylic acid as an optional component and a group consisting of phosphorus oxo acid and its derivatives for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape and stability over time after exposure. At least one type of compound (E) (hereinafter referred to as component (E)) selected from can be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.Preferred organic carboxylic acids include, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, and salicylic acid.

인의 옥소산으로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Examples of oxo acids of phosphorus include phosphoric acid, phosphonic acid, and phosphinic acid, and among these, phosphonic acid is particularly preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.Derivatives of phosphorus oxo acid include, for example, esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is replaced with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, an aryl group with 6 to 15 carbon atoms, etc. can be mentioned.

인산의 유도체로는, 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Derivatives of phosphoric acid include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphoric acid ester and diphenyl phosphoric acid ester.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Derivatives of phosphonic acid include phosphonic acid esters such as dimethyl phosphonic acid, di-n-butyl phosphonic acid, phenylphosphonic acid, diphenyl phosphonic acid, and dibenzyl phosphonic acid.

포스핀산의 유도체로는, 포스핀산에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.Derivatives of phosphinic acid include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.

(E) 성분은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(E) Component may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

(E) 성분은 (A) 성분 100 질량부에 대하여 통상적으로 0.01 ∼ 5.0 질량부의 범위에서 사용된다.Component (E) is usually used in the range of 0.01 to 5.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A).

본 발명에 있어서, 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라서 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히 첨가 함유시킬 수 있다.In the present invention, the resist composition may further contain miscible additives as desired, such as additional resins to improve the performance of the resist film, dissolution inhibitors, plasticizers, stabilizers, colorants, anti-halation agents, dyes, etc. It can be added and contained appropriately.

≪레지스트 패턴 형성 방법≫ ≪Resist pattern formation method≫

본 발명에 있어서, 레지스트 패턴은, 지지체 상에, 상기 서술한 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In the present invention, the resist pattern can be formed by forming a resist film on a support using the above-described resist composition, exposing the resist film, and developing the resist film.

패턴 형성 방법은, 예를 들어 다음과 같이 하여 실시할 수 있다.The pattern formation method can be performed, for example, as follows.

먼저, 지지체 상에 상기 서술한 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하여 레지스트막을 형성한다.First, the above-described resist composition is applied onto the support using a spinner or the like, and then subjected to a bake (post-apply bake (PAB)) treatment, for example, at a temperature of 80 to 150°C for 40 to 120 seconds, preferably 60°C. This is carried out for ~90 seconds to form a resist film.

다음으로, 그 레지스트막에 대하여 예를 들어 ArF 노광 장치, 전자선 묘화 장치, EUV 노광 장치 등의 노광 장치를 사용하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크 (마스크 패턴) 를 개재한 노광 또는 마스크 패턴을 개재하지 않는 전자선의 직접 조사에 의한 묘화 등에 의한 선택적 노광을 실시한 후, 베이크 (포스트 익스포저 베이크 (PEB)) 처리를, 예를 들어 80 ∼ 150 ℃ 의 온도 조건에서 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다.Next, the resist film is exposed through a mask (mask pattern) on which a predetermined pattern is formed using an exposure device such as an ArF exposure device, an electron beam drawing device, or an EUV exposure device, or without a mask pattern. After selective exposure such as drawing by direct irradiation of an electron beam, bake (Post Exposure Bake (PEB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150°C for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90°C. Perform for seconds.

다음으로, 상기 레지스트막을 현상 처리한다.Next, the resist film is developed.

현상 처리는 알칼리 현상 프로세스인 경우에는 알칼리 현상액을 사용하고, 용제 현상 프로세스인 경우에는 유기 용제를 함유하는 현상액 (유기계 현상액) 을 사용하여 실시한다.In the case of an alkaline development process, the development treatment is performed using an alkaline developer, and in the case of a solvent development process, a developer containing an organic solvent (organic developer) is used.

현상 처리 후, 바람직하게는 린스 처리를 실시한다. 린스 처리는 알칼리 현상 프로세스인 경우에는 순수를 사용한 물 린스가 바람직하고, 용제 현상 프로세스인 경우에는 유기 용제를 함유하는 린스액을 사용하는 것이 바람직하다.After development treatment, rinsing treatment is preferably performed. In the case of an alkaline development process, water rinsing using pure water is preferable, and in the case of a solvent development process, it is preferable to use a rinse solution containing an organic solvent.

용제 현상 프로세스의 경우, 상기 현상 처리 또는 린스 처리 후에, 패턴 상에 부착되어 있는 현상액 또는 린스액을 초임계 유체에 의해 제거하는 처리를 실시해도 된다.In the case of the solvent development process, after the development or rinsing process, a process of removing the developer or rinse liquid adhering to the pattern with a supercritical fluid may be performed.

현상 처리 후 또는 린스 처리 후, 건조를 실시한다. 또, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트베이크) 를 실시해도 된다. 이와 같이 하여 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.Drying is performed after development or rinsing. Additionally, depending on the case, a bake treatment (post-bake) may be performed after the development treatment. In this way, a resist pattern can be obtained.

본 발명에 있어서 현상 처리는, 알칼리 현상 프로세스이어도 되고 용제 현상 프로세스이어도 된다.In the present invention, the development treatment may be an alkaline development process or a solvent development process.

[지지체][Support]

지지체로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용 가능하다.The support is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. For example, a substrate for electronic components or a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed can be used. More specifically, examples include silicon wafers, metal substrates such as copper, chrome, iron, and aluminum, and glass substrates. Materials for the wiring pattern include, for example, copper, aluminum, nickel, and gold.

또, 지지체로는, 상기 서술한 바와 같은 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계의 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계의 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계의 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 이나 다층 레지스트법에 있어서의 하층 유기막 등의 유기막을 들 수 있다.Additionally, the support may be one in which an inorganic and/or organic film is formed on a substrate as described above. Examples of inorganic films include inorganic antireflection films (inorganic BARC). Examples of organic films include organic anti-reflection films (organic BARC) and organic films such as the lower layer organic film in the multilayer resist method.

여기서 다층 레지스트법이란, 기판 상에, 적어도 1 층의 유기막 (하층 유기막) 과 적어도 1 층의 레지스트막 (상층 레지스트막) 을 형성하고, 상층 레지스트막에 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층 유기막의 패터닝을 실시하는 방법이며, 고애스펙트비의 패턴을 형성할 수 있다고 알려져 있다. 즉, 다층 레지스트법에 의하면, 하층 유기막에 의해 필요한 두께를 확보할 수 있기 때문에, 레지스트막을 박막화할 수 있고, 고애스펙트비의 미세 패턴 형성이 가능해진다.Here, the multilayer resist method refers to forming at least one layer of organic film (lower layer organic film) and at least one layer of resist film (upper layer resist film) on a substrate, and using the resist pattern formed on the upper resist film as a mask to form the lower layer. It is a method of patterning an organic film, and is known to be able to form a pattern with a high aspect ratio. That is, according to the multilayer resist method, the required thickness can be secured by the lower layer organic film, so the resist film can be made thin, making it possible to form a fine pattern with a high aspect ratio.

다층 레지스트법에는, 기본적으로, 상층 레지스트막과 하층 유기막의 2 층 구조로 하는 방법 (2 층 레지스트법) 과, 상층 레지스트막과 하층 유기막 사이에 1 층 이상의 중간층 (금속 박막 등) 을 형성한 3 층 이상의 다층 구조로 하는 방법 (3 층 레지스트법) 으로 나뉜다.The multilayer resist method basically includes a method of forming a two-layer structure of an upper resist film and a lower layer organic film (two-layer resist method), and a method of forming one or more intermediate layers (metal thin film, etc.) between the upper resist film and the lower organic film. It is divided into a method of forming a multi-layer structure of three or more layers (three-layer resist method).

노광에 사용하는 파장은 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다. 상기 레지스트 조성물은 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV 용으로서의 유용성이 높다.The wavelength used for exposure is not particularly limited, and radiation such as ArF excimer laser, KrF excimer laser, F2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet ray), VUV (vacuum ultraviolet ray), EB (electron beam), X-ray, and soft X-ray are used. It can be carried out using. The resist composition has high utility for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV.

레지스트막의 노광 방법은 액침 노광 (Liquid Immersion Lithography) 이다. The exposure method for the resist film is liquid immersion lithography.

액침 노광은 미리 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 노광 (침지 노광) 을 실시하는 노광 방법이다.Liquid immersion exposure is an exposure method in which the space between the resist film and the lens at the lowest position of the exposure apparatus is filled in advance with a solvent (liquid immersion medium) having a refractive index greater than that of air, and then exposure (immersion exposure) is performed in that state.

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크면서 또한 노광되는 레지스트막이 갖는 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the immersion medium, a solvent having a refractive index greater than that of air but smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of this solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크면서 또한 상기 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.Examples of solvents having a refractive index greater than that of air and less than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있고, 비점이 70 ~ 180 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ~ 160 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를 간편한 방법으로 실시할 수 있는 점에서 바람직하다.Specific examples of fluorine-based inert liquids include liquids containing fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as main components. The boiling point is preferably 70 to 180°C, and more preferably 80 to 160°C. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range, it is preferable because the medium used for liquid immersion can be removed in a simple manner after completion of exposure.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 전부 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는 퍼플루오로알킬에테르 화합물이나 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of perfluoroalkyl compounds include perfluoroalkyl ether compounds and perfluoroalkylamine compounds.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는 퍼플루오로(2-부틸-테트라하이드로푸란) (비점 102 ℃) 을 들 수 있고, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174 ℃) 을 들 수 있다.Additionally, specifically, the perfluoroalkyl ether compound includes perfluoro(2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102°C), and the perfluoroalkylamine compound includes perfluorotributyl. and amines (boiling point 174°C).

액침 매체로는, 비용, 안전성, 환경 문제, 범용성 등의 관점에서 물이 바람직하게 사용된다.As an immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental issues, versatility, etc.

알칼리 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 알칼리 현상액으로는, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액을 들 수 있다.As an alkaline developing solution used for development in an alkaline development process, a 0.1-10 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution is mentioned, for example.

용제 현상 프로세스에서 현상 처리에 사용하는 유기계 현상액이 함유하는 유기 용제로는, (A) 성분 (노광 전의 (A) 성분) 을 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 공지된 유기 용제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 알코올계 용제, 아미드계 용제, 에테르계 용제 등의 극성 용제 및 탄화수소계 용제를 사용할 수 있다.The organic solvent contained in the organic developer used for development in the solvent development process may be any solvent that can dissolve component (A) (component (A) before exposure), and may be appropriately selected from known organic solvents. Specifically, polar solvents such as ketone-based solvents, ester-based solvents, alcohol-based solvents, amide-based solvents, and ether-based solvents, and hydrocarbon-based solvents can be used.

유기계 현상액에는, 필요에 따라 공지된 첨가제를 배합할 수 있다. 그 첨가제로는 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온성이나 비이온성의 불소계 및/또는 실리콘계 계면 활성제 등을 사용할 수 있다.Known additives can be added to the organic developer as needed. The additive may include, for example, a surfactant. The surfactant is not particularly limited, but for example, ionic or nonionic fluorine-based and/or silicon-based surfactants can be used.

계면 활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은 유기계 현상액의 전체량에 대하여 통상적으로 0.001 ∼ 5 질량% 이며, 0.005 ∼ 2 질량% 가 바람직하고, 0.01 ∼ 0.5 질량% 가 보다 바람직하다.When blending a surfactant, the blending amount is usually 0.001 to 5 mass%, preferably 0.005 to 2 mass%, and more preferably 0.01 to 0.5 mass%, relative to the total amount of the organic developer.

현상 처리는 공지된 현상 방법에 의해 실시하는 것이 가능하고, 예를 들어 현상액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 현상액을 표면 장력에 의해 담아 올리고 일정 시간 정지하는 방법 (패들법), 지지체 표면에 현상액을 분무하는 방법 (스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 일정 속도로 현상액 도출 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속해서 도출하는 방법 (다이내믹 디스펜스법) 등을 들 수 있다.Development can be performed by known developing methods, for example, a method of immersing the support in a developing solution for a certain period of time (dip method), a method of placing the developer on the surface of the support by surface tension and stopping for a certain period of time (paddle method) ), a method of spraying the developer on the surface of the support (spray method), and a method of continuously dispensing the developer while scanning the developer discharge nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed (dynamic dispensing method). .

린스액을 사용한 린스 처리 (세정 처리) 는 공지된 린스 방법에 의해 실시할 수 있다. 그 방법으로는, 예를 들어 일정 속도로 회전하고 있는 지지체 상에 린스액을 계속 도출하는 방법 (회전 도포법), 린스액 중에 지지체를 일정 시간 침지하는 방법 (딥법), 지지체 표면에 린스액을 분무하는 방법 (스프레이법) 등을 들 수 있다.Rinsing treatment (cleaning treatment) using a rinse liquid can be performed by a known rinsing method. The method includes, for example, a method of continuously drawing a rinse solution onto a support rotating at a constant speed (rotation application method), a method of immersing the support in a rinse solution for a certain period of time (dip method), or applying a rinse solution to the surface of the support. A method of spraying (spray method), etc. may be mentioned.

실시예 Example

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail by examples, but the present invention is not limited to these examples.

<레지스트 조성물의 조제 : 실시예 1 ∼ 12, 비교예 1 ∼ 11> <Preparation of resist composition: Examples 1 to 12, Comparative Examples 1 to 11>

표 1 및 2 에 나타내는 각 성분을 혼합하여 용해시킴으로써 각 예의 레지스트 조성물을 조제하였다.The resist compositions of each example were prepared by mixing and dissolving the components shown in Tables 1 and 2.

[표 1] 및 [표 2] 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [ ] 안의 수치는 배합량 (질량부) 이다.In [Table 1] and [Table 2], each symbol has the following meaning. The numbers in [ ] are the mixing amount (parts by mass).

(A)-1 ∼ (A)-3 : 하기 [표 3]의 고분자 화합물 (A)-1 ∼ (A)-3.(A)-1 to (A)-3: Polymer compounds (A)-1 to (A)-3 shown in Table 3 below.

(B)-1 ~ (B)-3: 하기 화학식 (B)-1 ~(B)-3 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 산 발생제.(B)-1 to (B)-3: Acid generators consisting of compounds represented by the following formulas (B)-1 to (B)-3.

(D)-1 ~ (D)-3: 하기 화학식 (D)-1 ~(D)-3 으로 나타내는 화합물로 이루어지는 화합물.(D)-1 to (D)-3: Compounds consisting of compounds represented by the following formulas (D)-1 to (D)-3.

(F)-1 ~ (F)-6: 하기 화학식 (F)-1 ~ (F)-6 으로 나타내는 함불소 고분자 화합물.(F)-1 to (F)-6: Fluorine-containing polymer compounds represented by the following formulas (F)-1 to (F)-6.

(S1)-1: PGMEA(S1)-1:PGMEA

(S2)-1: PGME(S2)-1: PGME

(S2)-2: 시클로헥사논(S2)-2: Cyclohexanone

(S3)-1: 프로필렌 카보네이트(S3)-1: propylene carbonate

(S3)-2: γ-부티로락톤(S3)-2: γ-butyrolactone

(S3)-3: δ-발레로락톤(S3)-3: δ-valerolactone

(S3)-4: 디프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트(S3)-4: Dipropylene glycol ethyl ether acetate

[Mw = 15,000, Mw/Mn = 1.7, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다][Mw = 15,000, Mw/Mn = 1.7, the figure at the bottom right of ( ) represents the copolymer composition ratio (molar ratio)]

[Mw = 7,000, Mw/Mn = 1.75, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다][Mw = 7,000, Mw/Mn = 1.75, the figure at the bottom right of ( ) represents the copolymer composition ratio (molar ratio)]

[Mw = 7,000, Mw/Mn = 1.78, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다][Mw = 7,000, Mw/Mn = 1.78, the figure at the bottom right of ( ) represents the copolymer composition ratio (molar ratio)]

[Mw = 17,000, Mw/Mn = 1.80, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다][Mw = 17,000, Mw/Mn = 1.80, the figure at the bottom right of ( ) represents the copolymer composition ratio (molar ratio)]

[Mw = 7,000, Mw/Mn = 1.8, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다][Mw = 7,000, Mw/Mn = 1.8, the figure at the bottom right of ( ) represents the copolymer composition ratio (molar ratio)]

[Mw = 14,000, Mw/Mn =1.9, ( ) 의 오른쪽 아래의 수치는 공중합 조성비 (몰비) 를 나타낸다][Mw = 14,000, Mw/Mn = 1.9, the figure at the bottom right of ( ) represents the copolymer composition ratio (molar ratio)]

[표 3] 중, 공중합체 구성단위의 각 약호는 이하의 의미를 갖는다. In [Table 3], each symbol of the copolymer structural unit has the following meaning.

<후퇴각의 측정> <Measurement of retreat angle>

실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 11의 레지스트 조성물을 헥사메틸디실라잔 (HMDS) 처리를 실시한 8 인치 실리콘 웨이퍼 위에, 스피너를 사용하여 각각 도포하고, 핫 플레이트 상에서 110 ℃, 60 초간 프리베이크하여 건조시킴으로서, 막두께 90 ㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.The resist compositions of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 11 were applied using a spinner on an 8-inch silicon wafer treated with hexamethyldisilazane (HMDS), and prebaked on a hot plate at 110°C for 60 seconds. By drying, a resist film with a film thickness of 90 nm was formed.

그 레지스트막 (노광 전의 레지스트막) 의 표면에 물을 적하하고, DROP MASTER-700 (제품명, 쿄와 계면 과학 주식회사 제조) 을 사용하여 후퇴각 (RCA) 의 측정을 실시하였다 (후퇴각의 측정 : 물 50 μL). 이들 결과를 [표 4]에 나타낸다.Water was dropped on the surface of the resist film (resist film before exposure), and the receding angle (RCA) was measured using DROP MASTER-700 (product name, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) (Measurement of the receding angle: 50 μL of water). These results are shown in [Table 4].

<엣지의 확인> <Confirmation of edge>

실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 11의 레지스트 조성물을 헥사메틸실라잔 처리를 실시한 12 인치 웨이퍼 위에 스피너를 사용하여 회전수 1200-1800 rpm 의 범위 내의 적절한 회전수로 도포하고 PGME/PGMEA(70/30)의 용제로 엣지 린스 처리를 10 초간 실시한 후 핫 플레이스 위에서 110 ℃ 60 초간 베이크를 하여 엣지 처리가 끝난 85 ㎚ 막두께의 레지스트막을 형성하였다.The resist compositions of Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 11 were applied on a 12-inch wafer treated with hexamethylsilazane using a spinner at an appropriate rotation speed within the range of 1200-1800 rpm and PGME/PGMEA (70 After edge rinsing with a solvent (/30) for 10 seconds, baking was performed on a hot place at 110°C for 60 seconds to form an edge-treated resist film with a thickness of 85 nm.

그 후 엣지부를 광학 편미경으로 관찰하여, 레지스트 잔류물이 있는 것이나 팽윤 등에 의해 일정한 폭으로 컷되어 있지 않은 것을 NG 로 판단하였다. 이들 결과를 [표 5]에 나타낸다.Thereafter, the edge portion was observed with an optical microscope, and those that had resist residues or were not cut to a certain width due to swelling, etc. were judged to be NG. These results are shown in [Table 5].

상기 결과로부터 나타나는 바와 같이, 전체 고형분 중 0.2~10 질량%의 특정 구성단위를 갖는 중합체 (F) 및 프로필렌카보네이트의 양이 전체 용제 중 0.1~3 질량%인 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌글리콜모노메틸 에테르를 포함하는 용제 (S)를 함유하는 레지스트 조성물을 사용하여 형성한 레지스트막은 후퇴각이 70°을 초과하면서, 우수한 엣지 상태를 나타내었다.As shown from the above results, polymer (F) having a specific structural unit of 0.2 to 10% by mass of the total solid content and propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate and the amount of propylene carbonate are 0.1 to 3% by mass of the total solvent. The resist film formed using a resist composition containing a solvent (S) containing propylene glycol monomethyl ether exhibited excellent edge conditions with a retreat angle exceeding 70°.

Claims (8)

하기 식 (a1-1) 또는 (a1-2) 로 나타내는 구성 단위를 갖고 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 (B), 용제 (S) 및 전체 고형분 중 0.2~10 질량%의 하기 식 (f1)으로 나타나는 구성단위를 갖는 중합체 (F) 를 함유하는 레지스트 조성물로서,
용제 (S)는 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA) 및 프로필렌글리콜모노메틸 에테르(PGME)를 포함하고, 전체 용제 중 프로필렌카보네이트의 양은 0.1~3 질량%인 레지스트 조성물.
식 (f1)

(식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, L1 및 L2는, 서로 동일하거나 상이하며, 단결합, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10의 탄화수소기이고, x는 0 또는 1이고, m은 1 내지 20의 정수이고, n은 1 내지 2m+1의 정수를 나타내고, p는 1 내지 20의 정수이고, q는 1 내지 2p의 정수를 나타낸다.)

[식 중, R 은 수소 원자, 탄소수 1 ~ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5 의 할로겐화 알킬기이다. Va1 은 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 갖고 있어도 되는 2 가의 탄화수소기이고, na1 은 0 이고, Ra1 은 하기 식 (a1-r-1) ~ (a1-r-2) 로 나타내는 산 해리성기이다. Wa1 은 na2+1 가의 탄화수소기이고, na2 는 1 ~ 3 이며, Ra2 는 하기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3) 으로 나타내는 산 해리성기이다.]
…(a1-r-1)
[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기, Ra'3 은 탄화수소기, Ra'3 은 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다. * 는 결합손을 의미한다.]
…(a1-r-2)
[식 중, Ra'4 ~ Ra'6 은 탄화수소기이고, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. * 는 결합손을 의미한다.]
…(a1-r-3)
[식 중, Ra'7 ~ Ra'9 는 알킬기를 나타낸다. * 는 결합손을 의미한다.]
A base component (A) that has a structural unit represented by the following formula (a1-1) or (a1-2) and whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid, and an acid generator component that generates acid upon exposure ( B), a resist composition containing a solvent (S) and 0.2 to 10% by mass of a polymer (F) having a structural unit represented by the following formula (f1) based on the total solid content,
A resist composition in which the solvent (S) contains propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether (PGME), and the amount of propylene carbonate in the total solvent is 0.1 to 3% by mass.
Equation (f1)

(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and L 1 and L 2 are the same or different from each other and have a single bond, a carbonyl group, an ether bond, or an ester bond. It is a hydrocarbon group optionally having 1 to 10 carbon atoms, x is 0 or 1, m is an integer of 1 to 20, n represents an integer of 1 to 2m+1, p is an integer of 1 to 20, and q is Represents an integer of 1 to 2p.)

[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Va 1 is a divalent hydrocarbon group that may have an ether bond, a urethane bond, or an amide bond, n a1 is 0, and Ra 1 is represented by the following formulas (a1-r-1) to (a1-r-2) It's a mountain dissociation penis. Wa 1 is a hydrocarbon group with n a2 + 1 valence, n a2 is 1 to 3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by the following formula (a1-r-1) or (a1-r-3).]
… (a1-r-1)
[In the formula, Ra' 1 and Ra' 2 are a hydrogen atom or an alkyl group, Ra' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be combined with any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring. * means combined hand.]
… (a1-r-2)
[In the formula, Ra' 4 to Ra' 6 are hydrocarbon groups, and Ra' 5 and Ra' 6 may be combined with each other to form a ring. * means combined hand.]
… (a1-r-3)
[In the formula, Ra' 7 to Ra' 9 represent an alkyl group. * means combined hand.]
제 1 항에 있어서,
광반응성 퀀처 성분 (D)를 추가로 함유하는 레지스트 조성물.
According to claim 1,
A resist composition further containing a photoreactive quencher component (D).
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
기재 성분 (A) 가 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 증대되는 기재 성분인 레지스트 조성물.
The method of claim 1 or 2,
A resist composition wherein the base component (A) is a base component whose solubility in a developer is increased by the action of an acid.
지지체 상에, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법.A resist pattern forming method comprising the steps of forming a resist film on a support using the resist composition according to claim 1 or 2, exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern. . 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분 (A), 노광에 의해 산을 발생하는 산발생제 성분 (B), 용제 (S) 및 전체 고형분 중 0.2 ∼ 10 질량% 의 하기 식 (f1) 로 나타내는 구성 단위와, 산 분해성기를 함유하는 구성 단위의 공중합체 (F) 를 함유하는 레지스트 조성물로서,
용제 (S) 는, 프로필렌카보네이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 를 포함하고, 전체 용제 중 프로필렌카보네이트의 양은 0.1~3 질량% 인 레지스트 조성물.
식 (f1)

(식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 할로겐화 알킬기이고, L1 및 L2는, 서로 동일하거나 상이하며, 단결합, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10의 탄화수소기이고, x는 0 또는 1이고, m은 1 내지 20의 정수이고, n은 1 내지 2m+1의 정수를 나타내고, p는 1 내지 20의 정수이고, q는 1 내지 2p의 정수를 나타낸다.)
A base component (A) whose solubility in an alkaline developer changes due to the action of an acid, an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure, a solvent (S), and 0.2 to 10% by mass of the total solids of the following formula: A resist composition containing a copolymer (F) of a structural unit represented by (f1) and a structural unit containing an acid-decomposable group,
A resist composition in which the solvent (S) contains propylene carbonate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether (PGME), and the amount of propylene carbonate in the total solvent is 0.1 to 3% by mass.
Equation (f1)

(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and L 1 and L 2 are the same or different from each other and have a single bond, a carbonyl group, an ether bond, or an ester bond. It is a hydrocarbon group optionally having 1 to 10 carbon atoms, x is 0 or 1, m is an integer of 1 to 20, n represents an integer of 1 to 2m+1, p is an integer of 1 to 20, and q is Represents an integer of 1 to 2p.)
제 1 항에 있어서,
상기 중합체 (F) 가, 산 분해성기를 갖는 레지스트 조성물.
According to claim 1,
A resist composition wherein the polymer (F) has an acid-decomposable group.
제 5 항에 있어서,
상기 산 분해성기를 함유하는 구성 단위가, 하기 식 (a1-r-1a) ∼ (a1-r-3a) 중 어느 것으로 나타내는 산 해리성기를 함유하는 레지스트 조성물.
…(a1-r-1a)
[식 중, Ra'1, Ra'2 는 수소 원자 또는 알킬기, Ra'3 은 탄화수소기, Ra'3 은 Ra'1, Ra'2 중 어느 것과 결합하여 고리를 형성해도 된다. * 는 결합손을 의미한다.]
…(a1-r-2a)
[식 중, Ra'4 ~ Ra'6 은 탄화수소기이고, Ra'5, Ra'6 은 서로 결합하여 고리를 형성한다. * 는 결합손을 의미한다.]
…(a1-r-3a)
[식 중, Ra'7 ~ Ra'9 는 알킬기를 나타낸다. * 는 결합손을 의미한다.]
According to claim 5,
A resist composition wherein the structural unit containing the acid-decomposable group contains an acid-dissociable group represented by any of the following formulas (a1-r-1a) to (a1-r-3a).
… (a1-r-1a)
[In the formula, Ra' 1 and Ra' 2 are a hydrogen atom or an alkyl group, Ra' 3 is a hydrocarbon group, and Ra' 3 may be combined with any of Ra' 1 and Ra' 2 to form a ring. * means combined hand.]
… (a1-r-2a)
[In the formula, Ra' 4 to Ra' 6 are hydrocarbon groups, and Ra' 5 and Ra' 6 are combined with each other to form a ring. * means combined hand.]
… (a1-r-3a)
[In the formula, Ra' 7 to Ra' 9 represent an alkyl group. * means combined hand.]
제 7 항에 있어서,
상기 산 분해성기를 함유하는 구성 단위가, 상기 식 (a1-r-2a) 로 나타내는 산 해리성기를 함유하는 레지스트 조성물.
According to claim 7,
A resist composition wherein the structural unit containing the acid-decomposable group contains an acid-dissociable group represented by the formula (a1-r-2a).
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