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KR102599407B1 - Scrubber apparatus for reducing energy with high efficiency and operating method thereof - Google Patents

Scrubber apparatus for reducing energy with high efficiency and operating method thereof Download PDF

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KR102599407B1
KR102599407B1 KR1020210116704A KR20210116704A KR102599407B1 KR 102599407 B1 KR102599407 B1 KR 102599407B1 KR 1020210116704 A KR1020210116704 A KR 1020210116704A KR 20210116704 A KR20210116704 A KR 20210116704A KR 102599407 B1 KR102599407 B1 KR 102599407B1
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heat
chamber
gas
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임경철
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이영철
신승규
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주식회사 에프에스티
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Abstract

고효율 에너지 저감형 스크러버 장치는 챔버, 유입부, 방열부, 플라즈마 발생부, 흡열부, 냉각부 및 제거부를 포함한다.
방열부는 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 유입부를 지나가는 유해 가스의 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 챔버로 전달할 수 있다. 흡열부는 챔버의 하측에 설치되고, 챔버에서 열 분해된 열 분해 가스의 열을 이용하여 작동 유체를 기화시켜 작동 유체가 기화 열을 생성할 수 있다.
The high-efficiency energy-saving scrubber device includes a chamber, an inlet, a heat dissipation section, a plasma generation section, a heat absorption section, a cooling section, and a removal section.
The heat dissipation unit is installed around the inlet, and can increase the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to the second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transfer it to the chamber. The heat absorption unit is installed on the lower side of the chamber, and the working fluid can be vaporized using the heat of the thermally decomposed gas in the chamber to generate vaporization heat.

Description

고효율 에너지 저감형 스크러버 장치 및 그 동작 방법{SCRUBBER APPARATUS FOR REDUCING ENERGY WITH HIGH EFFICIENCY AND OPERATING METHOD THEREOF}High-efficiency energy-reducing scrubber device and its operating method {SCRUBBER APPARATUS FOR REDUCING ENERGY WITH HIGH EFFICIENCY AND OPERATING METHOD THEREOF}

실시예는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 실시예는 상변환 열전달 시스템을 이용한 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치이다.The embodiment relates to a high-efficiency energy-saving scrubber device and a method of operating the same. Specifically, the embodiment is a high-efficiency energy-saving scrubber device using a phase change heat transfer system.

화학 공정이나 반도체나 디스플레이 제조 공정 등에서 배출되는 유해 가스는 유동성, 폭발성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 유해할 뿐만 아니라 그대로 대기 중으로 방출될 경우 환경 오염을 유발하는 원인이 된다. Harmful gases emitted from chemical processes, semiconductor or display manufacturing processes, etc. are not only harmful to the human body because they are highly fluid, explosive, and corrosive, but also cause environmental pollution when released into the atmosphere.

따라서, 이러한 유해 가스는 유해 성분의 함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화 처리 과정이 반드시 필요하다. 이러한 정화 처리 과정을 통해 독성 물질이 제거된 무해 가스만이 대기 중으로 배출되도록 법적으로 의무화되어 있다. Therefore, these harmful gases necessarily require a purification process to reduce the content of harmful components to below the allowable concentration. It is legally mandatory that only harmless gases from which toxic substances have been removed through this purification process are discharged into the atmosphere.

이러한 유해 가스를 처리하는 스크러버 장치는 버닝 연소(burning combustions) 방식과 습식 스크러빙(wetting scrubbing) 방식이 있다. 버닝 연소 방식은 주로 탄소 또는 수소기 등을 함유한 발화성 가스를 챔버에서 분해, 반응 또는 연소시켜 유해 가스를 처리하는 방식이다. 습식 스크러빙 방식은 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키는 동안 물에 용해하여 유해 가스를 처리하는 방식이다. Scrubber devices that treat these harmful gases include burning combustions and wet scrubbing. The burning combustion method mainly deals with harmful gases by decomposing, reacting, or burning flammable gases containing carbon or hydrogen groups in a chamber. The wet scrubbing method mainly treats harmful gases by dissolving water-soluble gases in water while passing them through water stored in a water tank.

한편, 버닝 연소 방식은 플라즈마를 발생시켜, 이 플라즈마를 이용하여 해당 가스를 분해시킨다. 플라즈마를 발생시키기 위해서 수십 kW의 파워를 장시간, 즉 반도체나 디스플레이 제조 라인이 동작되는 동안 지속적으로 공급해야 하므로, 상당한 소비 전력이 요구되는 문제가 있다. On the other hand, the burning combustion method generates plasma and uses this plasma to decompose the gas. In order to generate plasma, tens of kW of power must be continuously supplied for a long period of time, that is, while a semiconductor or display manufacturing line is in operation, which poses a problem of requiring significant power consumption.

또한, 유해 가스를 처리하는 연소 방식 중 하나로 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 연소 방식이 있으며, 플라즈마 연소 방식에서는 플라즈마를 이용하여 가스를 분해할 수 있다. 그런데 플라즈마를 발생시키기 위해서 수 십 kW의 에너지를 반도체나 디스플레이 제조 라인이 가동되는 동안 장시간 지속적으로 공급해야 하므로 상당한 에너지가 사용되는 문제가 있다. Additionally, one of the combustion methods for treating harmful gases is a plasma combustion method that generates plasma. In the plasma combustion method, gas can be decomposed using plasma. However, in order to generate plasma, tens of kW of energy must be continuously supplied for a long time while the semiconductor or display manufacturing line is in operation, so there is a problem that a significant amount of energy is used.

또한, 반도체나 디스플레이 제조 시설에서는 다수의 장소에 유해 가스 정화 시설이 설치되어 있는 바, 이들 유해 가스 정화 시설들에서 사용되는 전력이 상당하므로, 더욱 더 소비 전력을 줄이기 위한 방안이 절실하다. In addition, in semiconductor or display manufacturing facilities, harmful gas purification facilities are installed in many locations, and since the power used by these hazardous gas purification facilities is considerable, there is an urgent need for measures to further reduce power consumption.

아울러, 버닝 연소 방식에서 유해 가스가 플라즈마에 의해 분해되기 위해서 유해 가스의 온도가 예컨대, 적어도 1000℃ 이상으로 상승되어야 한다. 통상 상온의 유해 가스가 챔버로 공급되므로, 챔버에서 유해 가스가 상온에서 1000℃ 이상의 온도로 상승될 때까지 분해 과정이 진행되지 않으므로, 유해 가스 정화 처리 시간이 지연되는 문제가 있다. 따라서, 유해 가스 정화 처리 시간을 단축할 수 있는 방안이 강력히 요구된다.In addition, in order for the harmful gas to be decomposed by plasma in the burning combustion method, the temperature of the harmful gas must be raised to, for example, at least 1000°C or higher. Normally, harmful gases at room temperature are supplied to the chamber, so the decomposition process does not proceed until the harmful gases rise from room temperature to 1000°C or higher in the chamber, so there is a problem that the harmful gas purification processing time is delayed. Therefore, there is a strong need for a method to shorten the harmful gas purification treatment time.

통상 상온의 유해 가스는 다양한 종류의 독성 화학 물질로 구성되며, 각 물질은 분해가 가능한 특정 온도까지 상승되어야 적절한 분해 과정이 진행되므로, 온도 상승에 필요한 물리적 시간이 필요하게 되고 유해 가스 정화 처리 시간이 지연되는 문제가 있다. 따라서, 유해 가스 정화 처리 시간을 단축하면서도 소비 전력을 줄이기 위한 방안이 강력히 요구되고 있다.Normally, harmful gases at room temperature are composed of various types of toxic chemical substances, and each substance must be raised to a certain temperature at which decomposition is possible for the proper decomposition process to proceed. Therefore, the physical time required for the temperature to rise is required, and the harmful gas purification treatment time is required. There is a delay problem. Therefore, there is a strong demand for a method to reduce power consumption while shortening the harmful gas purification treatment time.

실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.The embodiments aim to solve the above-described problems and other problems.

실시예의 다른 목적은 소비 전력을 상당히 줄일 수 있는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치 및 그 동작 방법을 제공하는 것이다.Another object of the embodiment is to provide a high-efficiency energy-saving scrubber device and a method of operating the same that can significantly reduce power consumption.

또한 실시예의 또 다른 목적은 유해 가스 정화 처리 시간을 단축할 수 있는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치 및 그 동작 방법을 제공하는 것이다.Another purpose of the embodiment is to provide a high-efficiency energy-saving scrubber device and a method of operating the same that can shorten the harmful gas purification processing time.

실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않으며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this item and include those that can be understood through the description of the invention.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 제1 측면에 따르면, 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치는, 챔버; 상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부; 상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부; 상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부; 상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부; 상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 급속 냉각시키는 냉각부; 및 상기 급속 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부를 포함한다. According to a first aspect of the embodiment to achieve the above or other objects, a high-efficiency energy-saving scrubber device includes a chamber; an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature; a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber; a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas; a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid; a cooling unit installed below the heat absorption unit and rapidly cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and a removal unit that removes the rapidly cooled thermal decomposition gas.

상기 방열부는, 상기 유입부의 둘레를 따라 감기는 제1 튜브를 포함하고, 상기 흡열부에서 전달된 상기 기화된 작동 유체는 상기 감긴 제1 튜브를 지나가면서 상기 유입부를 지나가는 유해 가스에 열을 전달함으로써 액화될 수 있다. The heat dissipating unit includes a first tube wound around the inlet part, and the vaporized working fluid delivered from the heat absorbing part passes through the wound first tube and transfers heat to the harmful gas passing through the inlet part. It can be liquefied.

상기 흡열부는, 상기 챔버의 하측의 둘레를 따라 감기는 제2 튜브를 포함하고, 상기 방열부에서 전달된 상기 액화된 작동 유체는 상기 감긴 제2 튜브를 지나가면서 상기 챔버에서 상기 냉각부로 지나가는 열 분해 가스의 열을 전달받음으로써 기화될 수 있다. The heat absorbing unit includes a second tube wound along a lower circumference of the chamber, and the liquefied working fluid delivered from the heat dissipating unit undergoes thermal decomposition passing through the wound second tube and passing from the chamber to the cooling unit. It can be vaporized by receiving heat from the gas.

상기 방열부와 상기 흡열부 사이에 설치되는 작동유 유로(190)를 포함하고, 상기 방열부, 상기 작동유 유로 및 상기 흡열부에 의해 상기 작동 유체가 순환될 수 있다.It includes a working oil flow path 190 installed between the heat dissipating part and the heat absorbing part, and the working fluid can be circulated by the heat dissipating part, the working oil flow path, and the heat absorbing part.

상기 냉각부는, 상기 열 분해 가스가 지나가는 통로를 구비하고, 상기 열 분해 가스를 급속 냉각시키기 위해 냉각수를 상기 통로를 지나가는 상기 열 분해 가스에 분사될 수 있다. The cooling unit may be provided with a passage through which the thermally decomposed gas passes, and coolant may be sprayed onto the thermally decomposed gas passing through the passage to rapidly cool the thermally decomposed gas.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 제2 측면에 따르면, 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법은, 유입부에 의해, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입하는 단계; 방열부에 의해, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 챔버로 전달하는 단계; 플라즈마 발생부에 의해, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 단계; 흡열부에 의해, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 단계; 냉각부에 의해, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 급속 냉각시키는 단계; 및 제거부에 의해, 상기 급속 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 단계를 포함한다.According to a second aspect of the embodiment to achieve the above or other objects, a method of operating a high-efficiency energy-saving scrubber device includes the steps of introducing a harmful gas having a first temperature through an inlet; Raising the temperature of the harmful gas passing through the inflow part from the first temperature to the second temperature by using the liquefaction heat of the working fluid by a heat dissipation unit and transferring it to the chamber; generating plasma in the chamber by a plasma generator to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas; vaporizing the working fluid using heat of the pyrolysis gas having the third temperature by a heat absorbing unit, so that the working fluid generates heat of vaporization; Rapidly cooling the temperature of the thermal decomposition gas, which has decreased while passing through the heat absorption unit, from a fourth temperature to a fifth temperature by a cooling unit; and removing the rapidly cooled thermal decomposition gas by a removal unit.

실시예는 유해 가스를 정화 처리하는데 있어서, 소비 전력을 줄일 수 있다. The embodiment can reduce power consumption in purifying and treating harmful gases.

도 1에 도시한 바와 같이, 챔버(130)에서 유해 가스는 고온, 예컨대 적어도 1000℃ 이상에서 플라즈마에 의해 열 분해될 수 있다. 이에 따라, 챔버(130)에서 유입부(110)를 통해 챔버(130)로 공급된 유해 가스는 1000℃ 이상의 타겟 온도, 즉 제3 온도(도 6의 T3)로 상승되는 시간이 필요하다. 이러한 상승 시간을 단축하기 위해서는 플라즈마 발생부(120)의 파워를 증가시켜야 하므로 소비 전력이 증가되는 문제가 있으며, 플라즈마 발생부(120)의 정격 특성 상 파워를 증가시키는데 한계가 있다. As shown in FIG. 1, harmful gases in the chamber 130 may be thermally decomposed by plasma at a high temperature, for example, at least 1000° C. or higher. Accordingly, the harmful gas supplied from the chamber 130 to the chamber 130 through the inlet 110 requires time to rise to the target temperature of 1000°C or more, that is, the third temperature (T3 in FIG. 6). In order to shorten this rise time, the power of the plasma generator 120 must be increased, so there is a problem of increased power consumption, and there is a limit to increasing the power due to the rated characteristics of the plasma generator 120.

실시예에 따르면, 방열부(170), 흡열부(180) 및 방열부(170)와 흡열부(180) 사이에 설치되는 작동유 유로(190)에 의해 상변환 열 전달 시스템이 구성될 수 있다. According to the embodiment, a phase change heat transfer system may be configured by the heat dissipating part 170, the heat absorbing part 180, and the hydraulic fluid flow path 190 installed between the heat dissipating part 170 and the heat absorbing part 180.

예컨대, 방열부(170)가 유입부(110)의 둘레를 따라 설치되고, 흡열부(180)가 챔버(130)의 하측의 둘레를 따라 설치될 수 있다. 이러한 경우, 흡열부(180)는 챔버(130)에서 플라즈마에 의해 유해 가스로부터 열 분해된 열 분해 가스나 부산물의 열을 이용하여 작동 유체를 액상에서 기상으로 상변환할 수 있다. 흡열부(180)에서 기화된 작동 유체는 방열부(170)로 전달될 수 있다. 방열부(170)에서 상기 기화된 작동 유체가 액화되면서 발생된 열, 즉 액화 열이 유입부(110)를 지나가는 유해 가스로 전달되어, 유해 가스의 온도가 제1 온도(도 6의 T1)에서 제2 온도(T2)로 상승되고, 제2 온도(T2)를 갖는 유해 가스가 챔버(130)로 공급될 수 있다. 제2 온도(T2)는 제1 온도(T1)보다 적어도 200℃ 이상 높을 수 있다. For example, the heat radiating part 170 may be installed along the perimeter of the inlet 110, and the heat absorbing part 180 may be installed along the lower circumference of the chamber 130. In this case, the heat absorption unit 180 can phase convert the working fluid from a liquid phase to a gas phase using the heat of thermal decomposition gas or by-products thermally decomposed from harmful gases by plasma in the chamber 130. The working fluid vaporized in the heat absorption unit 180 may be transferred to the heat dissipation unit 170. The heat generated as the vaporized working fluid is liquefied in the heat dissipation unit 170, that is, the liquefaction heat, is transferred to the harmful gas passing through the inlet 110, so that the temperature of the harmful gas decreases from the first temperature (T1 in FIG. 6). It is raised to the second temperature T2, and harmful gas having the second temperature T2 may be supplied to the chamber 130. The second temperature T2 may be at least 200°C higher than the first temperature T1.

따라서, 챔버(130)에서 유해 가스의 온도가 제1 온도(T1)에서 제3 온도(T3)로 상승시키는 대신 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 상승되므로, 온도 상승 폭이 단축되어 파워를 증가시킬 필요가 없어 소비 전력을 줄일 수 있다. Therefore, since the temperature of the harmful gas in the chamber 130 increases from the second temperature (T2) to the third temperature (T3) instead of increasing from the first temperature (T1) to the third temperature (T3), the temperature increase range is increased. Because it is shortened, there is no need to increase power, so power consumption can be reduced.

실시예는 유해 가스 정화 처리 시간을 단축할 수 있다. The embodiment can shorten the harmful gas purification processing time.

챔버(130)로 공급되기 전에 유해 가스의 온도를 챔버(130)에서 열 분해를 위한 온도, 즉 제3 온도(T3)에 근접한 온도, 즉, 제2 온도(T2)로 상승시킴으로써, 챔버(130)에서 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)으로 상승시키데 걸린 시간이 단축될 수 있고, 이러한 시간 단축으로 인해 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치(100)의 전체적인 유해 가스 정화 처리 시간을 단축시킬 수 있다. Before being supplied to the chamber 130, the temperature of the harmful gas is raised to a temperature close to the temperature for thermal decomposition in the chamber 130, that is, the third temperature T3, that is, the second temperature T2, so that the chamber 130 ), the time taken to increase from the second temperature (T2) to the third temperature (T3) can be shortened, and due to this time reduction, the overall harmful gas purification of the high-efficiency energy-saving scrubber device 100 according to the embodiment Processing time can be shortened.

특히, 실시예는 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 높이기 위해 별도의 추가 열원이 필요 없다. 즉, 상변환 열전달 시스템을 이용함으로써, 방열부(170)와 흡열부(180) 사이에서 작동 유체가 순환되고, 흡열부(180)에서 방열부(170)로 지속적으로 전달되는 작동 유체의 기화 잠 열을 이용하여 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 상승시킬 수 있다. 따라서, 추가 열원이 필요 없어 추가 비용이 들지 않고 구조가 컴팩트한 장점이 있다. In particular, the embodiment does not require a separate additional heat source to increase the temperature of the harmful gas passing through the inlet 110. That is, by using a phase change heat transfer system, the working fluid is circulated between the heat dissipation part 170 and the heat absorber 180, and the vaporization of the working fluid continuously transferred from the heat absorber 180 to the heat dissipation part 170 is maintained. The temperature of the harmful gas passing through the inlet 110 can be increased using heat. Therefore, there is no need for an additional heat source, so there is no additional cost and the structure is compact.

실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. Additional scope of applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description that follows. However, since various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments may be clearly understood by those skilled in the art, the detailed description and specific embodiments, such as preferred embodiments, should be understood as being given by way of example only.

도 1은 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치를 도시한다.
도 2는 실시예의 상변환 열 전달 시스템을 도시한다.
도 3은 실시예의 방열부를 도시한다.
도 4는 실시예의 흡열부를 도시한다.
도 5는 실시예의 냉각부를 도시한 단면도이다.
도 6은 가스나 열 분해 가스의 온도 변화를 도시한다.
도 7은 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법을 설명하는 순서도이다.
1 shows a high-efficiency, energy-saving scrubber device according to an embodiment.
2 shows an embodiment phase change heat transfer system.
Figure 3 shows a heat dissipation portion of an embodiment.
Figure 4 shows the heat absorption portion of the embodiment.
Figure 5 is a cross-sectional view showing the cooling unit of the embodiment.
Figure 6 shows the temperature change of gas or thermal decomposition gas.
Figure 7 is a flowchart explaining the operation method of a high-efficiency energy-saving scrubber device according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 '모듈' 및 '부'는 명세서 작성의 용이함이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 '상(on)'에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 다른 중간 요소가 존재할 수도 있는 것을 포함한다.Hereinafter, embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. The suffixes 'module' and 'part' for components used in the following description are given or used interchangeably in consideration of ease of specification preparation, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, the attached drawings are intended to facilitate easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings. Additionally, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being 'on' another component, this includes either directly on the other element or there may be other intermediate elements in between. do.

일반적으로, 챔버에서 유해 가스를 잘 분해할수록 상기 분해된 가스의 제거가 용이하다. 챔버에서 유해 가스가 분해되는 정도로서, DRE(Destruction Removal Efficiency)이 사용된다. 예컨대, 반도체 제조 공정에서 요구되는 DRE는 적어도 95% 이상이 요구된다. In general, the better the harmful gas is decomposed in the chamber, the easier it is to remove the decomposed gas. DRE (Destruction Removal Efficiency) is used to measure the degree to which harmful gases are decomposed in the chamber. For example, at least 95% of the DRE required in the semiconductor manufacturing process is required.

통상 유해 가스의 온도를 높일수록 DRE가 증가되고, DRE를 증가시키기 위해서는 RF 파워가 증가되어야 한다. 하지만, RF 파워를 증가시키는 데에는 한계가 있으며, 또한 높은 RF 파워를 사용하는 경우 소비 전력이 증가되는 문제가 있다.Typically, as the temperature of the harmful gas increases, the DRE increases, and in order to increase the DRE, the RF power must be increased. However, there is a limit to increasing RF power, and there is also a problem of increased power consumption when using high RF power.

예컨대, 30℃ 정도의 유해 가스를 적어도 1000℃ 이상의 온도로 높이기 위해서는 수십 kW의 RF 파워가 필요하므로, 상당한 소비 전력이 사용된다. 이러한 문제를 해소하기 위해, 실시예는 사불화탄소(CF4) 등과 같은 유해 가스나 플라즈마 공급 가스가 유입부를 통해 챔버로 유입되기 전에 유입부에서 해당 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도를 상승시켜, 상기 상승된 온도와 챔버의 타겟 온도 간의 차이를 줄일 수 있다. For example, tens of kW of RF power is required to raise the temperature of a harmful gas of about 30°C to at least 1000°C or higher, resulting in significant power consumption. In order to solve this problem, the embodiment increases the temperature of the harmful gas or plasma supply gas at the inlet before the harmful gas such as carbon tetrafluoride (CF4) or the plasma supply gas flows into the chamber through the inlet, thereby increasing the temperature of the harmful gas or plasma supply gas. The difference between the specified temperature and the target temperature of the chamber can be reduced.

따라서, 챔버에서 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도를 타겟 온도로 상승시키기데 걸리는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 상기 상승된 온도와 챔버의 타겟 온도 간의 차이가 줄어듦으로써, 보다 낮은 RF 파워를 공급하더라도 더 신속히 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도를 타겟 온도로 상승시킬 수 있고 소비 전력을 줄일 수 있는 기술적 효과가 있다. Therefore, the time it takes to raise the temperature of the harmful gas or plasma supply gas in the chamber to the target temperature can be shortened. In addition, by reducing the difference between the elevated temperature and the target temperature of the chamber, the technical effect is that the temperature of the harmful gas or plasma supply gas can be raised to the target temperature more quickly and power consumption can be reduced even if lower RF power is supplied. There is.

한편, 챔버 내로 전달되어 플라즈마에 의해 분해된 가스, 즉 열 분해 가스의 온도 또한 상당히 고온이고, 이 열 분해 가스는 냉각 과정을 거쳐 제거될 수 있다. 이때, 열 분해 가스의 고온에 의한 열은 그대로 버려지고 있다. Meanwhile, the temperature of the gas delivered into the chamber and decomposed by plasma, that is, the thermal decomposition gas, is also quite high, and this thermal decomposition gas can be removed through a cooling process. At this time, the heat resulting from the high temperature of the thermal decomposition gas is discarded as is.

실시예에서는 유입부에서 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도를 상승시키기 위해 별도의 열원을 사용하지 않고, 챔버 내에서 생성된 열 분해 가스의 열을 버리지 않고 그 열에 기반한 상변환 열 전달 시스템을 이용함으로써, 추가 비용을 증가시키지 않고 구조가 컴팩트한 특유의 장점을 가질 수 있다. In the embodiment, a separate heat source is not used to increase the temperature of the harmful gas or plasma supply gas at the inlet, and a phase transformation heat transfer system based on the heat of the thermal decomposition gas generated in the chamber is used instead of discarding the heat. , it can have the unique advantage of a compact structure without increasing additional costs.

이하 관련 도면들을 참조하여 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치를 상세히 설명한다. 실시예에 따른 “상변환 열전달 시스템을 이용한 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치”는 이하 “고효율 에너지 저감형 스크러버 장치”로 간략히 칭하기로 한다.Hereinafter, a high-efficiency energy-saving scrubber device according to an embodiment will be described in detail with reference to the related drawings. The “high-efficiency energy-reduction type scrubber device using a phase change heat transfer system” according to the embodiment will hereinafter be briefly referred to as “high-efficiency energy-reduction type scrubber device.”

도 1은 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치를 도시한다. 이하의 설명에서 온도는 도 6을 참조하여 설명한다. 1 shows a high-efficiency energy-saving scrubber device according to an embodiment. In the following description, temperature is explained with reference to FIG. 6.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치(100)는 챔버(130), 유입부(110), 플라즈마 발생부(120), 냉각부(140) 및 제거부(160), 방열부(170) 및 흡열부(180)를 포함할 수 있다. 이보다 더 많은 구성 요소들이 포함될 수도 있다.Referring to FIG. 1, a high-efficiency energy-saving scrubber device 100 according to an embodiment includes a chamber 130, an inlet 110, a plasma generator 120, a cooling unit 140, and a removal unit 160, It may include a heat dissipation unit 170 and a heat absorption unit 180. More components may be included.

챔버(130)는 플라즈마 챔버, 연소 탱크, 연소실 등으로 불릴 수 있다. 플라즈마 발생부(120)는 플라즈마 토치, 아크 발생부, 아크 방전부 등으로 불릴 수 있다. 제거부(160)는 타워로 불릴 수 있다. 실시예의 제거부(160)는 냉각수를 이용하여 이물질, 즉 유해 가스, 열 분해 가스, 부산물 등을 제거하므로, 습식 타워로 불릴 수도 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.Chamber 130 may be called a plasma chamber, combustion tank, combustion chamber, etc. The plasma generator 120 may be called a plasma torch, an arc generator, or an arc discharge portion. The removal unit 160 may be referred to as a tower. The removal unit 160 of the embodiment removes foreign substances, that is, harmful gases, thermal decomposition gases, by-products, etc., using cooling water, so it may be called a wet tower, but this is not limited.

챔버(130)는 플라즈마가 발생되는 공간일 수 있다. 챔버(130)는 플라즈마를 이용하여 열 분해 공정을 수행할 수 있다. 즉, 유해 가스가 플라즈마의 라디칼(radical)과 반응하여 열 분해될 수 있다. 플라즈마의 발생을 위해 유입부(110)를 통해 챔버(130)에 플라즈마 공급 가스가 유입될 수 있다. 플라즈마 공급 가스는 아르곤(Ar) 및/또는 질소(N2)와 같은 불활성 가스일 수 있다. 유해 가스는 예컨대, 이산화탄소(CO2), 사불화탄소(CF4), 탄화수소(CH4), 모노실란(SiH4), 불화수소(HF), 황화수소(H2S), 사염화탄소(CCl4) 등이 있지만, 이에 해대서는 한정하지 않는다. Chamber 130 may be a space where plasma is generated. The chamber 130 may perform a thermal decomposition process using plasma. That is, harmful gases may react with radicals in the plasma and be thermally decomposed. To generate plasma, a plasma supply gas may flow into the chamber 130 through the inlet 110. The plasma supply gas may be an inert gas such as argon (Ar) and/or nitrogen (N 2 ). Harmful gases include, for example, carbon dioxide (CO 2 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrocarbons (CH 4 ), monosilane (SiH 4 ), hydrogen fluoride (HF), hydrogen sulfide (H 2 S), carbon tetrachloride (CCl 4 ), etc. However, this is not limited to this.

다양한 종류의 유해 가스가 챔버(130) 내로 유입될 수 있다. 챔버에서의 타겟 온도는 다양한 유해 가스를 고려하여 설정될 수 있다. 예컨대, 다양한 유해 가스 중에서 열 분해가 가장 난해한 유해 가스를 열 분해할 수 있는 온도가 타겟 온도로 설정될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Various types of harmful gases may flow into the chamber 130. The target temperature in the chamber can be set considering various harmful gases. For example, a temperature that can thermally decompose a harmful gas that is most difficult to thermally decompose among various harmful gases may be set as the target temperature, but this is not limited.

챔버(130)의 타겟 온도는 예컨대, 적어도 1000℃ 이상일 수 있다. 챔버(130) 내에 타겟 온도를 유지하기 위해 챔버(130)의 둘레를 따라 단열재(미도시)가 설치될 수 있다. 단열재는 챔버(130) 내의 열 손실을 최소화하므로, 챔버(130)가 타겟 온도로 유지될 수 있다. 챔버(130)가 타겟 온도로 유지되므로, 챔버(130) 내로 유입된 유해 가스는 타겟 온도로 상승되며, 이와 같이 상승된 타겟 온도나 그 근처의 온도에서 다양한 종류의 유해 가스가 열 분해될 수 있다. The target temperature of the chamber 130 may be, for example, at least 1000°C or higher. In order to maintain the target temperature within the chamber 130, an insulating material (not shown) may be installed along the circumference of the chamber 130. The insulation material minimizes heat loss within the chamber 130, so the chamber 130 can be maintained at the target temperature. Since the chamber 130 is maintained at the target temperature, the harmful gases introduced into the chamber 130 are raised to the target temperature, and various types of harmful gases can be thermally decomposed at or near the raised target temperature. .

유입부(110)는 챔버(130)의 상측에 설치될 수 있다. 예컨대, 유입부(110)는 복수의 유입 배관(111)을 포함할 수 있다. 복수의 유입 배관(111)은 플라즈마 발생부(120)의 둘레를 따라 설치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 복수의 유입 배관(111)은 챔버(130)의 상측의 가장자리에 설치될 수 있다. The inlet 110 may be installed on the upper side of the chamber 130. For example, the inlet 110 may include a plurality of inlet pipes 111. A plurality of inlet pipes 111 may be installed along the circumference of the plasma generator 120, but this is not limited. For example, a plurality of inlet pipes 111 may be installed at the upper edge of the chamber 130.

복수의 유입 배관(111) 각각은 서로 상이한 종류의 유해 가스와 플라즈마 공급 가스가 유입되는 통로일 수 있다. 예컨대, 제1 유입 배관을 통해 플라즈마 공급 가스가 유입되고, 제2 유입 배관을 통해 사불화탄소(CF4)가 유입되고, 제3 유입 배관을 통해 이산화탄소(CO2)가 유입될 수 있다. 따라서, 복수의 유입 배관(111)을 통해 플라즈마 공급 가스나 서로 상이한 종류의 유해 가스가 유입될 수 있다.Each of the plurality of inlet pipes 111 may be a passage through which different types of harmful gases and plasma supply gases flow. For example, plasma supply gas may flow in through the first inlet pipe, carbon tetrafluoride (CF4) may flow in through the second inlet pipe, and carbon dioxide (CO2) may flow in through the third inlet pipe. Accordingly, plasma supply gas or different types of harmful gases may flow in through the plurality of inlet pipes 111.

도면에는 복수의 유입 배관(111)이 도시되고 있지만, 복수의 통로가 구비된 단일 유입 배관(111)이 구비될 수 있다. 단일 유입 배관(111)의 복수의 통로를 통해 서로 상이한 종류의 유해 가스나 플라즈마 공급 가스가 유입될 수도 있다. Although a plurality of inlet pipes 111 are shown in the drawing, a single inlet pipe 111 with a plurality of passages may be provided. Different types of harmful gases or plasma supply gases may flow through a plurality of passages of the single inlet pipe 111.

플라즈마 발생부(120)는 챔버(130)의 상측에 설치될 수 있다. 플라즈마 발생부(120)는 챔버(130)에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 즉, 플라즈마 발생부(120)는 RF 전원일 수 있다. 플라즈마 발생부(120)에 의해 소정의 RF 파워가 챔버(130)에 공급되어 챔버(130)에 플라즈가 발생될 수 있다. The plasma generator 120 may be installed on the upper side of the chamber 130. The plasma generator 120 may generate plasma in the chamber 130. That is, the plasma generator 120 may be an RF power source. Predetermined RF power may be supplied to the chamber 130 by the plasma generator 120 to generate plasma in the chamber 130.

플라즈마의 발생을 위해 챔버(130)는 소정의 압력으로 진공 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 플라즈마 공급 가스가 유입부(110)를 통해 챔버(130)에 공급될 수 있다. 챔버(130)에서 플라즈마 고급 가스에 플라즈마 발생부(120)에서 공급된 파워에 의해 플라즈마 공급 가스가 이온화됨으로써, 챔버(130)에 플라즈마가 형성될 수 있다. To generate plasma, the chamber 130 may be vacuum formed at a predetermined pressure. As described above, plasma supply gas may be supplied to the chamber 130 through the inlet 110. Plasma may be formed in the chamber 130 by ionizing the plasma supply gas by the power supplied from the plasma generator 120 to the plasma advanced gas in the chamber 130.

한편, 유입부(110)를 통해 유해 가스가 챔버(130)에 공급될 수 있다. 챔버(130)에 공급된 유해 가스는 플라즈마에 의해 온도가 증가될 수 있다. 예컨대, 플라즈마에 의해 유해 가스의 온도는 제1 온도(T1)에서 제3 온도(T3)로 상승될 수 있다. 예컨대, 제1 온도(T1)는 상온이고, 제3 온도(T3)는 적어도 1000℃ 이상일 수 있다. 예컨대, 제3 온도(T3)는 타겟 온도로서, 유해 가스가 플라즈마에 의해 열 분해되기 위한 온도일 수 있다. Meanwhile, harmful gas may be supplied to the chamber 130 through the inlet 110. The temperature of the harmful gas supplied to the chamber 130 may be increased by plasma. For example, the temperature of the harmful gas may be increased from the first temperature T1 to the third temperature T3 by plasma. For example, the first temperature T1 may be room temperature, and the third temperature T3 may be at least 1000°C. For example, the third temperature T3 may be a target temperature and may be a temperature at which harmful gases are thermally decomposed by plasma.

따라서, 챔버(130)로 공급된 유해 가스는 곧바로 열 분해되지 못하고 제1 온도(T1)에서 제3 온도(T3)로 상승된 후 열 분해가 이루어질 수 있다. 유해 가스의 온도를 좀더 신속히 상승시키기 위해서는 플라즈마 발생부(120)의 파워를 더 높여야 하지만, 파워를 더 높이는데 한계가 있고 파워를 더 높이는 경우 소비 전력이 증가되는 문제가 있다. Accordingly, the harmful gas supplied to the chamber 130 may not be thermally decomposed immediately and may be thermally decomposed after rising from the first temperature T1 to the third temperature T3. In order to more quickly increase the temperature of the harmful gas, the power of the plasma generator 120 must be further increased, but there is a limit to further increasing the power, and there is a problem that power consumption increases when the power is further increased.

이러한 문제를 해소하기 위해, 실시예는 유해 가스가 챔버(130)로 공급되기 전에 미리 적정 온도, 예컨대, 제2 온도(T2)로 상승시킬 수 있다. 제2 온도(T2)는 챔버(130)의 제3 온도(T3)에 보다 근접한 온도일 수 있다. 이와 같이, 유해 가스의 온도가 제2 온도(T2)로 상승된 상태로 챔버(130)에 공급됨으로써, 챔버(130)에서 유해 가스의 온도가 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 보다 신속히 상승될 수 있어, 파워를 낮춰 소비 전력을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 유해 가스의 신속한 열 분해가 가능하여 유해 가스 정화 처리 시간을 획기적으로 단축할 수 있는 특유의 장점을 가질 수 있다. To solve this problem, the embodiment may raise the harmful gas to an appropriate temperature, for example, the second temperature T2, before being supplied to the chamber 130. The second temperature T2 may be closer to the third temperature T3 of the chamber 130. In this way, by supplying the harmful gas to the chamber 130 in a state in which the temperature of the harmful gas is raised to the second temperature (T2), the temperature of the harmful gas in the chamber 130 changes from the second temperature (T2) to the third temperature (T3). It can be raised more quickly, which not only reduces power consumption by lowering the power, but also allows rapid thermal decomposition of harmful gases, which has the unique advantage of dramatically shortening the time for purifying harmful gases.

챔버(130)로 공급된 유해 가스의 온도가 챔버(130)의 타겟 온도, 즉 제3 온도(T3)가 되는 경우, 열 분해가 이루어져, 열 분해 가스나 부산물이 생성될 수 있다. When the temperature of the harmful gas supplied to the chamber 130 reaches the target temperature of the chamber 130, that is, the third temperature T3, thermal decomposition may occur and thermal decomposition gas or by-products may be generated.

예컨대, 챔버(130)에 산소가 없을 때에는 SiH4는 Si와 H2로 열 분해될 수 있다. 예컨대, 챔버(130)에 산소가 있을 때에는 SiH4는 SiO2와 H2O로 산화될 수 있고, N2는 2NO로 산화될 수 있다. For example, when there is no oxygen in the chamber 130, SiH 4 may be thermally decomposed into Si and H 2 . For example, when oxygen is present in the chamber 130, SiH 4 may be oxidized into SiO 2 and H 2 O, and N 2 may be oxidized into 2NO.

열 분해 가스는 제3 온도(T3)로서, 적어도 1000℃ 이상의 온도일 수 있다. 이와 같이 매우 높은 온도로 인해, 열 분해 가스나 부산물은 제거부(160)에서 냉각하기가 용이하지 않고, 설사 제거부(160)에서 열 분해 가스나 부산물이 냉각되더라도 더욱 많은 냉각수가 필요하여 물 자원 낭비를 초래할 수 있다. 아울러, 매우 높은 온도를 갖는 열 분해 가스가 후 처리 공정, 즉 열 분해 가스나 부산물을 제거하는 공정에서 냉각되는 경우, 고온으로 인해 열 분해 가스나 부산물이 냉각수와의 접촉에 의해 또 다른 유해 가스가 다량 발생될 수 있다. 이와 같이 발생된 다량 유해 가스는 후 처리 공정에서 제거되지 않은 채 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 후 처리 공정 이전에 고온의 열 분해 가스나 부산물을 급속 냉각시키는 것이 매우 중요하다. The third temperature (T3) of the thermal decomposition gas may be at least 1000°C or higher. Due to this very high temperature, it is not easy to cool the thermal decomposition gas or by-products in the removal unit 160, and even if the thermal decomposition gas or by-products are cooled in the removal unit 160, more cooling water is required, which requires water resources. It can lead to waste. In addition, when pyrolysis gas with a very high temperature is cooled in a post-treatment process, that is, a process to remove pyrolysis gas or by-products, another harmful gas is generated due to the high temperature of the pyrolysis gas or by-products through contact with the cooling water. It can occur in large quantities. A large amount of harmful gas generated in this way may be discharged to the outside without being removed in the post-treatment process. Therefore, it is very important to rapidly cool the high-temperature thermal decomposition gas or by-products before the post-treatment process.

실시예의 냉각부(140)는 고온의 열 분해 가스나 부산물을 급속 냉각시킬 수 있다. The cooling unit 140 of the embodiment can rapidly cool high-temperature thermal decomposition gas or by-products.

냉각부(140)는 챔버(130)의 하측에 설치될 수 있다. 냉각부(140)는 챔버(130)에서 하부 방향으로 이동되는 열 분해 가스나 부산물을 급속하게 냉각시켜 제3 온도(T3)에서 제5 온도(T5)로 낮출 수 있다. 예컨대, 제5 온도(T5)는 상온이나 이보다 큰 온도로서, 예컨대 20℃ 내지 50℃일 수 있다. The cooling unit 140 may be installed on the lower side of the chamber 130. The cooling unit 140 can rapidly cool the thermal decomposition gas or by-products moving downward in the chamber 130 to lower them from the third temperature T3 to the fifth temperature T5. For example, the fifth temperature T5 may be room temperature or a temperature greater than this, for example, 20°C to 50°C.

나중에 설명하겠지만, 챔버(130)의 하측에 설치된 흡열부(180)에 의해 챔버(130)에서 하부 방향으로 이동되는 열 분해 가스나 부산물은 제3 온도(T3)에서 제4 온도(T4)로 낮아질 수 있다. 예컨대, 제4 온도(T4)는 600℃ 내지 800℃일 수 있다. 챔버(130)에서 냉각부(140)로 이동하는 열 분해 가스나 부산물의 열이 흡열부(180)의 작동 유체로 전달됨으로써, 열 분해 가스나 부산물은 제3 온도(T3)에서 제4 온도(T4)로 낮아질 수 있다. 이에 따라, 냉각부(140)는 흡열부(180)를 경유한 분해 가스나 부산물의 제4 온도(T4)를 제5 온도(T5)로 급속 냉각시킬 수 있다. As will be explained later, the thermal decomposition gas or by-products moved downward in the chamber 130 by the heat absorption portion 180 installed on the lower side of the chamber 130 will be lowered from the third temperature T3 to the fourth temperature T4. You can. For example, the fourth temperature T4 may be 600°C to 800°C. The heat of the thermal decomposition gas or by-product moving from the chamber 130 to the cooling unit 140 is transferred to the working fluid of the heat absorption unit 180, so that the thermal decomposition gas or by-product changes from the third temperature T3 to the fourth temperature (T3). It can be lowered to T4). Accordingly, the cooling unit 140 can rapidly cool the fourth temperature T4 of the decomposed gas or by-product passing through the heat absorption unit 180 to the fifth temperature T5.

도 5에 도시한 바와 같이, 냉각부(140)는 원통 형상을 가질 수 있다. 냉각부(140)는 제1 영역(140a)과 제1 영역(140a)을 둘러싸는 제2 영역(140b)을 가질 수 있다. 제1 영역(140a)은 챔버(130)의 열 분해 가스나 부산물이 지나가는 통로(145)일 수 있다. As shown in FIG. 5, the cooling unit 140 may have a cylindrical shape. The cooling unit 140 may have a first area 140a and a second area 140b surrounding the first area 140a. The first area 140a may be a passage 145 through which thermal decomposition gas or by-products of the chamber 130 pass.

제2 영역(140b)은 냉각수를 수용할 수 있는 수용 공간(143)을 포함할 수 있다. 수용 공간(143)은 제1 영역(140a)의 둘레를 따라 마련된 몸체(141)에 의해 둘러싸일 수 있다. 즉, 몸체(141) 내에 수용 공간(143)이 형성될 수 있다. The second area 140b may include a receiving space 143 that can accommodate cooling water. The receiving space 143 may be surrounded by a body 141 provided along the perimeter of the first area 140a. That is, a receiving space 143 may be formed within the body 141.

수용 공간(143)과 통로(145)는 복수의 개구(142)를 통해 서로 연통될 수 있다. 여기서, 연통이라 함은 수용 공간(143)과 통로(145)가 공간적으로 연결됨을 의미할 수 있다. 수용 공간(143)에 수용된 냉각수는 통로(145)의 중심을 향해 분사될 수 있다. The receiving space 143 and the passage 145 may communicate with each other through a plurality of openings 142. Here, communication may mean that the receiving space 143 and the passage 145 are spatially connected. Cooling water accommodated in the receiving space 143 may be sprayed toward the center of the passage 145.

도 5에서, 화살표(300)는 열 분해 가스의 진행 방향을 나타낼 수 있다. 해당 화살표(300)의 표시와 같이, 열 분해 가스나 부산물이 수용 공간(143)에 수용된 냉각수에 의해 급속 냉각될 수 있다. 즉, 열 분해 가스나 부산물이 챔버(130)에서 냉각부(140)의 통로(145)를 따라 지나가면서, 냉각부(140)의 수용 공간(140)에서 개구(142)를 통해 통로(145)의 중심을 향해 분사되는 냉각수에 의해 급속 냉각될 수 있다. In FIG. 5, arrow 300 may indicate the direction in which the thermal decomposition gas progresses. As indicated by the corresponding arrow 300, thermal decomposition gas or by-products can be rapidly cooled by the cooling water accommodated in the receiving space 143. That is, as the thermal decomposition gas or by-product passes from the chamber 130 along the passage 145 of the cooling unit 140, the passage 145 passes through the opening 142 in the receiving space 140 of the cooling unit 140. It can be rapidly cooled by coolant sprayed toward the center.

예컨대, 열 분해 가스나 부산물이 화살표(300)의 방향, 즉 냉각부(140)의 상측에서 하측으로 통로(145)를 따라 지나가면서, 지속적으로 냉각부(140)의 수용 공간(140)에서 분사된 냉각수를 맞음으로써, 열 분해 가스나 부산물의 온도가 제4 온도(T4)에서 제5 온도(T5)로 급속히 냉각될 수 있다. 예컨대, 제5 온도(T5)는 제4 온도(T4)보다 적어도 550℃ 이상 낮게 급속 냉각될 수 있다.For example, the thermal decomposition gas or by-product passes along the passage 145 in the direction of the arrow 300, that is, from the top to the bottom of the cooling unit 140, and is continuously sprayed in the receiving space 140 of the cooling unit 140. By receiving coolant, the temperature of the thermal decomposition gas or by-product can be rapidly cooled from the fourth temperature (T4) to the fifth temperature (T5). For example, the fifth temperature T5 may be rapidly cooled to at least 550°C lower than the fourth temperature T4.

제거부(160)는 열 분해 가스나 부산물을 제거할 수 있다. 제거부(160) 내부를 열 분해 가스나 부산물이 지나갈 때 냉각수가 열 분해 가스나 부산물을 향해 분사될 수 있다. 이에 따라, 열 분해 가스나 부산물이 냉각수에 의해 제거부(160)의 하측에 침지되고, 이와 같이 침지된 열 분해 가스나 부산물이 별도의 공정을 통해 제거될 수 있다. The removal unit 160 may remove thermal decomposition gas or by-products. When thermal decomposition gas or by-products pass inside the removal unit 160, coolant may be sprayed toward the thermal decomposition gas or by-products. Accordingly, the thermal decomposition gas or by-products are immersed in the lower side of the removal unit 160 by the cooling water, and the immersed thermal decomposition gas or by-products can be removed through a separate process.

한편, 제거부(160)의 상측으로 배출구(미도시)가 구비되고, 이 배출구를 통해 정화된 가스, 즉 클린 가스가 대기 중으로 배출될 수 있다. 예컨대, 실시예의 제거부(160)는 NOx 배출량을 50ppm 이하로 관리하고, 파우더 배출량을 100mg/cm3로 관리할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Meanwhile, an outlet (not shown) is provided above the removal unit 160, and purified gas, that is, clean gas, can be discharged into the atmosphere through this outlet. For example, the removal unit 160 of the embodiment may manage NOx emissions to 50 ppm or less and powder emissions to 100 mg/cm 3 , but this is not limited.

한편, 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치(100)는 냉각수를 수용하는 워터 탱크(150)를 포함할 수 있다. Meanwhile, the high-efficiency energy-saving scrubber device 100 according to the embodiment may include a water tank 150 that accommodates cooling water.

워터 탱크(150)는 냉각부(140)와 체결되어 냉각부(140)를 경유한 열 분해 가스나 부산물이 물에 접촉되도록 하여, 열 분해 가스나 부산물에 포함되어 있는 수용성 유해 가스를 제거할 수 있다.The water tank 150 is connected to the cooling unit 140 so that the thermal decomposition gas or by-products passing through the cooling unit 140 come into contact with water, thereby removing water-soluble harmful gases contained in the thermal decomposition gas or by-products. there is.

워터 탱크(150)의 냉각수는 냉각부(140) 및/또는 제거부(160)에 이용될 수 있다. 예컨대, 냉각부(140)에서 열 분해 가스나 부산물에 분사되는 냉각수는 워터 탱크(150)의 냉각수일 수 있다. 예컨대, 제거부(160)에서 열 분해 가스나 부산물에 분사되는 냉각수는 워터 탱크(150)의 냉각수일 수 있다. 수용성 유해 가스를 제거하는데 사용된 냉각수를 냉각부(140)나 제거부(160)의 냉각수로 사용하기 위해, 워터 탱크(150)의 냉각수가 적어도 1회 이상 필터링될 수 있다. Cooling water in the water tank 150 may be used in the cooling unit 140 and/or the removal unit 160. For example, the coolant sprayed from the cooling unit 140 to the thermal decomposition gas or by-product may be the coolant of the water tank 150. For example, the coolant sprayed from the removal unit 160 to the thermal decomposition gas or by-product may be the coolant of the water tank 150. In order to use the cooling water used to remove the water-soluble harmful gas as the cooling water of the cooling unit 140 or the removal unit 160, the cooling water in the water tank 150 may be filtered at least once.

실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치(100)는 냉각수를 수용하는 제2 워터 탱크(미도시)를 포함할 수 있다. 이러한 경우, 워터 탱크(150)의 냉각수는 냉각부(140) 및 제거부(160)의 냉각수로 사용되고, 제2 워터 탱크의 냉각수는 수용성 유해 가스를 제거하기 위해 사용될 수 있다. The high-efficiency energy-saving scrubber device 100 according to the embodiment may include a second water tank (not shown) containing cooling water. In this case, the coolant in the water tank 150 may be used as the coolant for the cooling unit 140 and the removal unit 160, and the coolant in the second water tank may be used to remove water-soluble harmful gases.

한편, 실시예는 도 2에 도시한 바와 같이, 방열부(170), 흡열부(180) 및 방열부(170) 및 흡열부(180) 사이에 설치된 작동유 유로(190)에 의해 상변환 열 전달 시스템이 구성될 수 있다. 이에 따라, 상변환 열 전달 시스템에 의해 작동 유체가 방열부(170) 및 흡열부(180) 사이에서 지속적으로 순환될 수 있다. 즉, 챔버(130)에서 플라즈마에 의해 유해 가스가 열 분해되어, 고온의 열을 갖고 있는 열 분해 가스나 부산물이 생성되는 동안, 이 열 분해 가스나 부산물의 열을 에너지원으로 하여 흡열부(180)의 기화 과정과 방열부(170)의 액화 과정이 반복적으로 수행될 수 있다. Meanwhile, in the embodiment, as shown in FIG. 2, phase conversion heat is transferred by the heat dissipating part 170, the heat absorbing part 180, and the hydraulic fluid flow path 190 installed between the heat dissipating part 170 and the heat absorbing part 180. A system can be configured. Accordingly, the working fluid can be continuously circulated between the heat dissipation unit 170 and the heat absorption unit 180 by the phase change heat transfer system. That is, while the harmful gas is thermally decomposed by plasma in the chamber 130 and thermal decomposition gas or by-products with high temperature heat are generated, the heat of the thermal decomposition gas or by-products is used as an energy source to heat the heat absorption unit 180. ) The vaporization process and the liquefaction process of the heat dissipation unit 170 may be repeatedly performed.

예컨대, 흡열부(180)의 작동 유체는 챔버(130)에서 플라즈마에 의해 열 분해된 열 분해 가스나 부산물의 열에 의해 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다. 흡열부(180)에서 기화된 작동 유체는 작동유 유로(190)를 통해 방열부(170)로 전달될 수 있다. 방열부(170)에서 작동 유체에서 기상에서 액상으로 변하면서 발생된 열, 즉 액화 열은 유입부(110)를 지나가는 유해 가스에 전달되어, 유해 가스의 온도가 제1 온도(T1)에서 제2 온도(T2)로 상승될 수 있다. 방열부(170)에서 액화된 작동 유체는 작동유 유로(190)를 통해 흡열부(180)로 전달될 수 있다. For example, the working fluid of the heat absorption unit 180 may be phase converted from a liquid phase to a gas phase by the heat of thermal decomposition gas or by-products thermally decomposed by plasma in the chamber 130. The working fluid vaporized in the heat absorbing part 180 may be transferred to the heat dissipating part 170 through the working oil flow path 190. The heat generated as the working fluid changes from the gas phase to the liquid phase in the heat dissipation unit 170, that is, the liquefaction heat, is transferred to the harmful gas passing through the inlet 110, and the temperature of the harmful gas changes from the first temperature T1 to the second temperature. It can be raised to temperature (T2). The working fluid liquefied in the heat dissipation unit 170 may be transferred to the heat absorption unit 180 through the working oil passage 190.

실시예는 플라즈마에 의해 생성된 열 분해 가스나 부산물의 열을 에너지원으로 하여 작동 유체를 매개체로 하여 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 챔버(130)의 타겟 온도, 즉 제3 온도(T3)에 근접한 온도, 즉 제2 온도(T2)로 상승시킴으로써, 챔버(130)에서 유해 가스의 온도가 제1 온도(T1)가 아닌 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 상승되면 족하므로 플라즈마 발생부(120)의 파워를 낮춰 소비 전력을 줄일 수 있다. 또한, 가용 범위 내에서 플라즈마 발생부(120)의 파워를 좀 더 높이면 유해 가스의 온도를 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 보다 신속히 상승시킬 수 있어 유해 가스 정화 처리 시간을 단축할 수 있다. 아울러, 플라즈마 발생부(120)의 파워를 좀 더 높이지 않더라도, 유해 가스의 온도가 제1 온도(T1)가 아닌 제1 온도(T1)보다 높은 제2 온도(T2)인 상태로 챔버(130)로 공급되므로, 챔버(130)에서 유해 가스의 온도를 제3 온도(T3)로 상승시키는데 걸리는 시간을 줄일 수 있어, 종전에 비해 유해 가스 정화 처리 시간을 획기적으로 단축할 수 있다.In the embodiment, the temperature of the harmful gas passing through the inlet 110 is set to the target temperature of the chamber 130, that is, the third temperature, using the heat of thermal decomposition gas or by-products generated by plasma as an energy source and the working fluid as a medium. By raising the temperature close to (T3), that is, to the second temperature (T2), the temperature of the harmful gas in the chamber 130 changes from the second temperature (T2) to the third temperature (T3) instead of the first temperature (T1). Since the increase is sufficient, power consumption can be reduced by lowering the power of the plasma generator 120. In addition, if the power of the plasma generator 120 is further increased within the available range, the temperature of the harmful gas can be raised more quickly from the second temperature (T2) to the third temperature (T3), thereby shortening the harmful gas purification processing time. can do. In addition, even if the power of the plasma generator 120 is not further increased, the temperature of the harmful gas is maintained at the second temperature (T2) higher than the first temperature (T1) rather than the first temperature (T1) in the chamber (130). ), the time it takes to raise the temperature of the harmful gas in the chamber 130 to the third temperature (T3) can be reduced, and the time for purifying the harmful gas can be dramatically shortened compared to before.

특히, 실시예는 챔버(130) 내에서 생성된 열 분해 가스의 열을 버리지 않고 그 열에 기반한 상변환 열 전달 시스템을 이용하여 유해 가스가 챔버(130)로 공급하기 전에 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 상승하여 줌으로써, 별도의 열원, 예컨대 히터가 구비될 필요가 없어, 추가 비용을 증가시키지 않고, 구조가 컴팩트한 장점을 가질 수 있다. In particular, the embodiment does not discard the heat of the thermal decomposition gas generated in the chamber 130, but uses a phase change heat transfer system based on the heat to allow the harmful gas to pass through the inlet 110 before being supplied to the chamber 130. By increasing the temperature of the harmful gas, there is no need to provide a separate heat source, such as a heater, so it can have the advantage of having a compact structure without increasing additional costs.

방열부(170)는 유입부(110)의 주위에 설치될 수 있다. 방열부(170)는 유입부(110)에 열을 전달하여 유입부(110)를 지나가는 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도를 상승시키는 부재일 수 있다. 예컨대, 방열부(170)는 작동 유체의 기화 잠 열을 이용하여 유입부(110)를 지나가는 플라즈마 공급 가스 및 유해 가스의 온도를 제1 온도(T1)에서 제2 온도(T2)로 상승시킬 수 있다. 제2 온도(T2)는 챔버(130)의 타겟 온도, 즉 제3 온도(T3)에 근접한 온도일 수 있다. 예컨대, 제1 온도(T1)는 상온이고, 예컨대, 제2 온도(T2)는 적어도 250℃ 이상일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 제2 온도(T2)는 제1 온도(T1)보다 적어도 200℃ 이상 높을 수 있다. The heat dissipation part 170 may be installed around the inlet part 110. The heat dissipation unit 170 may be a member that transfers heat to the inlet 110 to increase the temperature of the harmful gas or plasma supply gas passing through the inlet 110. For example, the heat dissipation unit 170 may increase the temperature of the plasma supply gas and harmful gas passing through the inlet 110 from the first temperature T1 to the second temperature T2 using the latent heat of vaporization of the working fluid. there is. The second temperature T2 may be a target temperature of the chamber 130, that is, a temperature close to the third temperature T3. For example, the first temperature T1 may be room temperature, and the second temperature T2 may be at least 250° C., but this is not limited. For example, the second temperature T2 may be at least 200°C higher than the first temperature T1.

작동 유체는 휘발성 액체로서, 예컨대 물, 에탄올 등 액체 이거나 혼합 작동 유체를 포함할 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The working fluid is a volatile liquid, and may include, for example, a liquid such as water or ethanol, or a mixed working fluid, but is not limited thereto.

한편, 방열부(170)의 작동 유체는 흡열부(180)에서 전달된 것으로서, 흡열부(180)에서 작동 유체가 기화된 후 잠열을 포함한 상태에서 방열부(170)로 전달될 수 있다. 방열부(170)로 전달된 작동 유체에서 기상에서 액상으로 변하면서 발생된 열, 즉 액화 열이 유입부(110)를 지나가는 유해 가스나 플라즈마 공급 가스에 전달되어, 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도가 제1 온도(T1)에서 제2 온도(T2)로 상승될 수 있다. Meanwhile, the working fluid of the heat sink 170 is transferred from the heat absorber 180, and after the working fluid is vaporized in the heat absorber 180, it may be transferred to the heat sink 170 in a state containing latent heat. The heat generated as the working fluid transferred to the heat dissipation unit 170 changes from the gas phase to the liquid phase, that is, the liquefaction heat, is transferred to the harmful gas or plasma supply gas passing through the inlet 110, thereby increasing the temperature of the harmful gas or plasma supply gas. may be increased from the first temperature (T1) to the second temperature (T2).

그런데 유해 가스는 유입부(110)를 순식간에 통과함에 따라 유해 가스의 온도를 상승시키기 것에 대해 내부적으로 기술적 이슈가 있었다.However, as the harmful gas passes through the inlet 110 in an instant, there was an internal technical issue regarding increasing the temperature of the harmful gas.

이에 이건 출원의 발명자들은 잠열 포함한 기화된 작동 유체가 유해 가스를 효율적으로 가열하기 위해 작동 유체의 액화 열이 유입부(110)를 지나가는 유해 가스에 장시간 노출되도록 하여 유입부(110)를 지나가는 유해 가스나 플라즈마 공급 가스의 온도 상승 폭을 커질 수 있는 기술적 효과가 있다. Accordingly, the inventors of this application exposed the liquefied heat of the working fluid to the harmful gases passing through the inlet 110 for a long time in order to efficiently heat the harmful gases in the vaporized working fluid, including latent heat, thereby preventing the harmful gases passing through the inlet 110. There is a technical effect that can increase the temperature increase of the plasma supply gas.

이를 이해, 방열부(170)는 도 3에 도시한 바와 같이, 유입부(110)의 둘레를 따라 감기는 제1 튜브(173)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 튜브(173)는 나선형 구조를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Understanding this, the heat dissipation part 170 may include a first tube 173 wound along the circumference of the inlet part 110, as shown in FIG. 3. For example, the first tube 173 may have a spiral structure, but this is not limited.

제1 튜브(173)가 나선형으로 감긴 형태를 가짐으로써, 제1 튜브(173)의 길이를 최대로 길게 형성하여, 제1 튜브(173)를 지나가는 작동 유체의 액화 열이 장시간 유입부(110)를 지나가는 유해 가스에 노출되므로, 해당 유해 가스의 온도를 더 높이 상승시킬 수 있다. As the first tube 173 has a spiral wound shape, the length of the first tube 173 is maximized, so that the liquefaction heat of the working fluid passing through the first tube 173 is maintained in the inlet 110 for a long time. Since it is exposed to harmful gases passing through, the temperature of the harmful gases can be raised higher.

예컨대, 흡열부(180)에서 기화되어 전달된 작동 유체는 유입부(110)의 둘레를 따라 감긴 방열부(170)의 제1 튜브(173)를 지나가면서 유입부(110)를 지나가는 유해 가스에 열을 전달함으로써, 작동 유체가 기상에서 액상으로 상변환될 수 있다. For example, the working fluid vaporized and delivered from the heat absorbing part 180 passes through the first tube 173 of the heat dissipating part 170 wound along the circumference of the inlet part 110 and is exposed to harmful gases passing through the inlet part 110. By transferring heat, the working fluid can undergo a phase transformation from a gas phase to a liquid phase.

따라서, 방열부(170) 및 유입부(110)(또는 유입부(110)의 유입 배관(111) 각각)에 의해 제1 열 교환기(171)가 구성될 수 있다.Accordingly, the first heat exchanger 171 may be formed by the heat dissipation unit 170 and the inlet unit 110 (or the inlet pipe 111 of the inlet unit 110, respectively).

제1 튜브(173)는 나선형 방향을 따라 유입부(110)의 내부 통로에 접할 수 있다. 즉, 유입부(110)의 복수의 유입 배관(111) 각각의 둘레를 따라 제1 튜브(173)가 설치되는 경우, 유입부(110)의 복수의 유입 배관(111) 각각은 제1 튜브(173)의 나선형 구조에 상응하도록 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 이 개수를 따라 제1 튜브(173)가 설치됨으로써, 제1 튜브(173)가 유입부(110)의 복수의 유입 배관(111) 각각의 내부 통로에 노출될 수 있다. 개구에서 제1 튜브(173)는 유입부(110)의 복수의 유입 배관(111) 각각과 실링되어, 유입부(110)의 복수의 유입 배관(111) 각각을 지나가는 유해 가스나 플라즈마 공급 가스가 개구를 통해 외부로 새지 않도록 할 수 있다. 이와 같이, 제1 튜브(173)와 유입부(110)의 복수의 유입 배관(111) 각각의 내부 통로와 접하므로, 제1 튜브(173)를 따라 지나가는 작동 유체가 기상에서 액상으로 변화면서 발생된 열, 즉 액화 열이 유해 가스에 직접적으로 전달되어, 유해 가스의 신속한 온도 상승을 유도할 수 있다. The first tube 173 may be in contact with the internal passage of the inlet 110 along a spiral direction. That is, when the first tube 173 is installed around each of the plurality of inlet pipes 111 of the inlet 110, each of the plurality of inlet pipes 111 of the inlet 110 is a first tube ( An opening (not shown) may be formed to correspond to the helical structure of 173). By installing the first tubes 173 according to this number, the first tubes 173 may be exposed to the internal passages of each of the plurality of inlet pipes 111 of the inlet portion 110. At the opening, the first tube 173 is sealed with each of the plurality of inlet pipes 111 of the inlet 110, so that harmful gases or plasma supply gas passing through each of the plurality of inlet pipes 111 of the inlet 110 are prevented. It can be prevented from leaking to the outside through the opening. In this way, since the first tube 173 and the plurality of inflow pipes 111 of the inlet 110 are in contact with each internal passage, the working fluid passing along the first tube 173 changes from a gaseous phase to a liquid phase. The heat generated, that is, the heat of liquefaction, can be transferred directly to the harmful gas, leading to a rapid increase in the temperature of the harmful gas.

다음으로 도 4를 참조하면, 흡열부(180)는 챔버(130)에서 생성되어 하부 방향으로 이동되는 열 분해 가스나 부산물의 열을 전달받아, 작동 유체를 액상에서 기상으로 상변환시키는 부재일 수 있다. Next, referring to FIG. 4, the heat absorption unit 180 may be a member that receives heat from thermal decomposition gas or by-products generated in the chamber 130 and moved downward, thereby converting the working fluid from a liquid phase to a gas phase. there is.

챔버(130)와 냉각부(140)가 체결되어, 챔버(130)에서 생성된 열 분해 가스나 부산물은 냉각부(140)로 이동되어 냉각부(140)에 의해 열 분해 가스나 부산물이 급속 냉각될 수 있다. The chamber 130 and the cooling unit 140 are coupled, so that the thermal decomposition gas or by-products generated in the chamber 130 are moved to the cooling unit 140, and the thermal decomposition gas or by-products are rapidly cooled by the cooling unit 140. It can be.

흡열부(180)는 챔버(130)의 하측에 설치될 수 있다. 흡열부(180)는 챔버(130)의 하측과 냉각부(140)의 상측의 경계 영역에 설치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 예컨대, 흡열부(180)의 일부는 챔버(130)의 하측에 설치되고 흡열부(180)의 다른 일부는 냉각부(140)의 상측에 설치될 수 있다. 챔버(130)의 하측과 냉각부(140)의 상측은 실링될 수 있다. The heat absorption unit 180 may be installed on the lower side of the chamber 130. The heat absorption unit 180 may be installed in the boundary area between the lower side of the chamber 130 and the upper side of the cooling unit 140, but this is not limited. For example, part of the heat absorption unit 180 may be installed on the lower side of the chamber 130 and another part of the heat absorption unit 180 may be installed on the upper side of the cooling unit 140. The lower side of the chamber 130 and the upper side of the cooling unit 140 may be sealed.

흡열부(180)에서 작동 유체의 기상으로의 상변환은 열 분해 가스나 부산물이 고온의 열을 가지고 있기 때문에 가능하다. 예컨대, 열 분해 가스나 부산물의 온도는 제3 온도(T3)로서 적어도 1000℃ 이상의 온도일 수 있다. 1000℃ 이상의 온도를 갖는 열 분해 가스나 부산물에 의해 상당한 열이 방출될 수 있다. 따라서, 챔버(130)에서 생성되어 냉각부(140)로 이동되는 열 분해 가스나 부산물을 열원으로 이용하여, 이 열 분해 가스나 부산물의 열에 의해 흡열부(180) 내의 작동 유체가 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다. Phase conversion of the working fluid into the gas phase in the heat absorption unit 180 is possible because the thermal decomposition gas or by-product has high temperature heat. For example, the temperature of the thermal decomposition gas or by-product may be at least 1000° C. as the third temperature T3. Significant heat can be released by thermal decomposition gases or by-products with temperatures above 1000°C. Therefore, the thermal decomposition gas or by-products generated in the chamber 130 and moved to the cooling unit 140 are used as a heat source, and the working fluid in the heat absorption unit 180 is converted from the liquid phase to the gas phase by the heat of the thermal decomposition gas or by-products. It can be phase transformed.

이와 같이 기상으로 상변환된 작동 유체는 매우 높은 기화 열을 생성할 수 있고, 기화 열을 갖는 작동 유체가 흡열부(180)에서 방열부(170)로 전달될 수 있다. The working fluid phase-converted to the gas phase in this way can generate very high heat of vaporization, and the working fluid with the heat of vaporization can be transferred from the heat absorption unit 180 to the heat dissipation unit 170.

한편, 흡열부(180)의 작동 유체는 방열부(170)에서 전달된 것으로서, 방열부(170)에서 작동 유체가 액화된 후 흡열부(180)로 전달될 수 있다. 챔버(130)에서 생성된 열 분해 가스나 부산물의 열에 의해 흡열부(180)의 작동 유체가 기화될 수 있다. Meanwhile, the working fluid of the heat absorbing unit 180 is delivered from the heat dissipating part 170. The working fluid may be liquefied in the heat dissipating part 170 and then transferred to the heat absorbing part 180. The working fluid in the heat absorption unit 180 may be vaporized by the heat of thermal decomposition gas or by-products generated in the chamber 130.

한편, 열 분해 가스나 부산물을 열원으로 이용하여 작동 유체를 액상에서 기상으로 완벽히 상변환 시키는 것에 대해 내부적으로 기술적 이슈가 있었다.Meanwhile, there were internal technical issues regarding completely converting the working fluid from liquid to gas phase by using thermal decomposition gas or by-products as a heat source.

이에 이건 출원의 발명자들은 작동 유체가 완전하게 기화되기 위해서는 흡열부(180)를 지나가는 작동 유체의 이동 경로를 최대한 길게 설계하였다. Accordingly, the inventors of this application designed the movement path of the working fluid passing through the heat absorbing part 180 to be as long as possible in order for the working fluid to be completely vaporized.

이를 이해, 흡열부(180)는 도 4에 도시한 바와 같이, 챔버(130)의 하측의 둘레를 따라 감기는 제2 튜브(183)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 튜브(183)는 나선형 구조를 가질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. Understanding this, the heat absorbing part 180 may include a second tube 183 wound along the lower circumference of the chamber 130, as shown in FIG. 4. For example, the second tube 183 may have a spiral structure, but this is not limited.

제2 튜브(183)가 나선형으로 감긴 형태를 가짐으로써, 제2 튜브(183)의 길이를 최대로 길게 형성하여, 작동 유체가 장시간 동안 제2 튜브(183)를 지나가는 동안 챔버(130) 하측을 지나가는 열 분해 가스나 부산물에 노출되므로, 열 분해 가스나 부산물의 열이 제2 튜브(183)를 지나가는 작동 유체에 전달되는 시간이 늘어나 작동 유체가 완전하게 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다. As the second tube 183 has a spiral wound shape, the length of the second tube 183 is maximized, so that the working fluid moves through the lower side of the chamber 130 while passing through the second tube 183 for a long period of time. Because it is exposed to passing thermal decomposition gas or by-products, the time for the heat of the thermal decomposition gas or by-product to be transferred to the working fluid passing through the second tube 183 increases, allowing the working fluid to completely change phase from liquid to gas phase.

예컨대, 방열부(170)에서 액화되어 전달된 작동 유체는 챔버(130)의 하측의 둘레를 따라 감긴 흡열부(180)의 제2 튜브(183)를 지나가면서 챔버(130)의 하측의 내부 통로를 지나갈 수 있다. 챔버(130)에서 생성된 열 분해 가스나 부산물은 냉각을 위해 챔버(130)의 하측을 통해 냉각부(140)로 이동될 수 있다. 열 분해 가스나 부산물이 챔버(130)의 하측의 내부 통로를 지나갈 때, 열 분해 가스나 부산물의 열이 나선형으로 감긴 제2 튜브(183)를 지나가는 작동 유체에 전달되어, 작동 유체가 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다. For example, the working fluid liquefied and delivered from the heat dissipating part 170 passes through the second tube 183 of the heat absorbing part 180 wound along the circumference of the lower side of the chamber 130 and passes through the internal passage on the lower side of the chamber 130. You can pass by. Thermal decomposition gas or by-products generated in the chamber 130 may be moved to the cooling unit 140 through the lower side of the chamber 130 for cooling. When the thermal decomposition gas or by-product passes through the inner passage on the lower side of the chamber 130, the heat of the thermal decomposition gas or by-product is transferred to the working fluid passing through the second spirally wound tube 183, so that the working fluid changes from a liquid phase to a gas phase. It can be phase converted to .

따라서, 흡열부(180) 및 챔버(130)에 의해 제2 열 교환기(181)가 구성될 수 있다.Accordingly, the second heat exchanger 181 may be formed by the heat absorption unit 180 and the chamber 130.

제2 튜브(183)는 나선형 방향을 따라 챔버(130)의 하측의 내부 통로에 접할 수 있다. 즉, 챔버(130)의 하측의 둘레를 따라 제2 튜브(183)가 설치되는 경우, 챔버(130)의 하측은 제2 튜브(183)의 나선형 구조에 상응하도록 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 이 개구를 따라 제2 튜브(183)가 설치됨으로써, 제2 튜브(183)가 챔버(130)의 하측의 내부 통로에 노출될 수 있다. 개구에서 제2 튜브(183)는 챔버(130)와 실링되어, 챔버(130)의 하측의 내부 통로를 지나가는 유해 가스나 플라즈마 공급 가스가 개구를 통해 외부로 새지 않도록 할 수 있다. 이와 같이, 제2 튜브(183)와 챔버(130)의 하측의 내부 통로와 접하므로, 챔버(130)의 하측의 내부 통로를 지나가는 열 분해 가스나 부산물의 열이 나선형 구조의 제2 튜브(183)를 지나가는 작동 유체에 직접적으로 전달되어, 제2 튜브(183)를 지나가는 작동 유체가 신속히 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다.The second tube 183 may be in contact with the inner passage on the lower side of the chamber 130 along the spiral direction. That is, when the second tube 183 is installed along the circumference of the lower side of the chamber 130, an opening (not shown) will be formed on the lower side of the chamber 130 to correspond to the spiral structure of the second tube 183. You can. By installing the second tube 183 along this opening, the second tube 183 may be exposed to the internal passage on the lower side of the chamber 130. The second tube 183 is sealed with the chamber 130 at the opening, thereby preventing harmful gas or plasma supply gas passing through the inner passage on the lower side of the chamber 130 from leaking to the outside through the opening. In this way, since the second tube 183 is in contact with the inner passage on the lower side of the chamber 130, the heat of the thermal decomposition gas or by-product passing through the inner passage on the lower side of the chamber 130 is transmitted through the second tube 183 having a spiral structure. ) is directly transferred to the working fluid passing through the second tube 183, so that the working fluid passing through the second tube 183 can be quickly converted from the liquid phase to the gas phase.

작동유 유로(190)는 작동 유체를 방열부(170)에서 흡열부(180)로 또는 흡열부(180)에서 방열부(170)로 전달하는 부재일 수 있다. 작동유 유로(190)는 제1 통로(191) 및 제2 통로(192)를 포함할 수 있다. 제1 통로(191)는 중심에 배치되고, 제2 통로(192)는 제1 통로(191)를 둘러싸도록 배치될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The working fluid flow path 190 may be a member that transfers the working fluid from the heat dissipating part 170 to the heat absorbing part 180 or from the heat absorbing part 180 to the heat dissipating part 170. The hydraulic oil passage 190 may include a first passage 191 and a second passage 192. The first passage 191 may be disposed at the center, and the second passage 192 may be disposed to surround the first passage 191, but this is not limited.

예컨대, 제1 통로(191)는 상기 기화된 작동 유체를 흡열부(180)에서 방열부(170)로 전달하여 주고, 제2 통로(192)는 상기 액화된 작동 유체를 방열부(170)에서 흡열부(180)로 전달하여 줄 수 있다. For example, the first passage 191 transfers the vaporized working fluid from the heat absorbing part 180 to the heat dissipating part 170, and the second passage 192 transfers the liquefied working fluid from the heat dissipating part 170. It can be delivered to the heat absorption unit 180.

한편, 방열부(170), 흡열부(180) 및/또는 작동유 유로(190)는 열 전달 효율이 우수한 재질, 예컨대 구리, 스테인리스 강, 세라믹스, 텅스텐 등으로 이루어질 수 있다. Meanwhile, the heat radiating part 170, the heat absorbing part 180, and/or the hydraulic fluid flow path 190 may be made of a material with excellent heat transfer efficiency, such as copper, stainless steel, ceramics, tungsten, etc.

도 7은 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법을 설명하는 순서도이다.Figure 7 is a flowchart explaining the operation method of a high-efficiency energy-saving scrubber device according to an embodiment.

도 1 및 도 7을 참조하면, 유입부(110)에 의해 제1 온도(T1)를 갖는 유해 가스를 유입할 수 있다(S210). 유입부(110)는 복수의 유입 배관(111)을 포함할 수 있다. 복수의 유입 배관(111)을 통해 서로 다른 종류의 유해 가스나 플라즈마 공급 가스가 유입될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 7 , harmful gas having a first temperature T1 may be introduced through the inlet 110 (S210). The inlet 110 may include a plurality of inlet pipes 111. Different types of harmful gases or plasma supply gases may flow in through the plurality of inlet pipes 111.

방열부(170)에 의해 작동 유체에서 기상에서 액상으로 변화면서 발생된 열, 즉 액화 열을 이용하여 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 제1 온도(T1)에서 제2 온도(T2)로 상승시켜 챔버(130)로 전달할 수 있다(S220). The temperature of the harmful gas passing through the inlet 110 is changed from the first temperature T1 to the second temperature T2 by using the heat generated as the working fluid changes from the gas phase to the liquid phase by the heat dissipation unit 170, that is, the liquefaction heat. ) can be raised to the level and delivered to the chamber 130 (S220).

방열부(170)는 흡열부(180)와 함께 상변환 열 전달 시스템을 구성하는 것으로서, 방열부(170)의 작동 유체는 기상에서 액상으로 상변환되고, 흡열부(180)의 작동 유체는 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다. 방열부(170)에서 액화된 작동 유체는 흡열부(180)로 전달되고, 흡열부(180)에서 기화된 작동 유체는 방열부(170)로 전달될 수 있다. The heat radiating unit 170 constitutes a phase change heat transfer system together with the heat absorbing unit 180. The working fluid of the heat radiating unit 170 is phase converted from a gas phase to a liquid phase, and the working fluid of the heat absorbing unit 180 is converted into a liquid phase. It can be phase transformed into the gas phase. The working fluid liquefied in the heat sink 170 may be transferred to the heat absorber 180, and the working fluid vaporized in the heat absorber 180 may be delivered to the heat absorber 170.

방열부(170)의 작동 유체가 기상에서 액상으로 변화면서 발생된 열, 즉 액화 열이 유입부(110)를 지나가는 유해 가스에 전달됨으로써, 유해 가스의 온도가 제1 온도(T1)에서 제2 온도(T2)로 상승될 수 있다. The heat generated as the working fluid of the heat dissipation unit 170 changes from the gas phase to the liquid phase, that is, the liquefaction heat, is transferred to the harmful gas passing through the inlet 110, so that the temperature of the harmful gas changes from the first temperature T1 to the second temperature. It can be raised to temperature (T2).

이와 같이, 유해 가스가 챔버(130)로 공급되기 전에 미리 챔버(130)의 타겟 온도, 즉 제3 온도(T3)와 근접한 제2 온도(T2)로 상승됨으로써, 챔버(130)에서 유해 가스의 온도를 타겟 온도로 상승시키기 위해 파워를 높일 필요가 없어 소비 전력을 줄일 수 있다. 또한, 챔버(130)에서 유해 가스의 온도를 제1 온도(T1)에서 제3 온도(T3)로 상승시키는 것보다 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 상승시키는 것이 더욱 빠르므로, 실시예의 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치(100)에서의 전체적인 유해 가스 정화 처리 시간을 단축할 수 있다. 특히, 상변환 열 전달 시스템을 이용하여 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 상승시킬 수 있어, 별도의 열원, 즉 히터가 구비될 필요가 없어 추가 비용을 증가시키지 않고, 구조가 단순할 수 있다. In this way, before the harmful gas is supplied to the chamber 130, it is raised to the second temperature (T2), which is close to the target temperature of the chamber 130, that is, the third temperature (T3), thereby preventing the harmful gas from being supplied to the chamber 130. Power consumption can be reduced as there is no need to increase power to raise the temperature to the target temperature. In addition, it is faster to increase the temperature of the harmful gas in the chamber 130 from the second temperature (T2) to the third temperature (T3) than to increase the temperature of the harmful gas from the first temperature (T1) to the third temperature (T3). , the overall harmful gas purification processing time in the high-efficiency energy-saving scrubber device 100 of the embodiment can be shortened. In particular, the temperature of the harmful gas passing through the inlet 110 can be increased using a phase change heat transfer system, so there is no need to provide a separate heat source, that is, a heater, so it does not increase additional costs and has a simple structure. You can.

플라즈마 발생부(120)에 의해 챔버(130)에 플라즈마를 발생시켜 유해 가스의 온도를 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 상승시키고 유해 가스를 열 분해할 수 있다(S(230).Plasma may be generated in the chamber 130 by the plasma generator 120 to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature T2 to the third temperature T3 and thermally decompose the harmful gas (S(230) ).

플라즈마 발생부(120)에 의해 생성된 플라즈마에 의해 유해 가스가 열 분해 되어, 열 분해 가스와 부산물이 생성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 챔버(130)로 공급된 유해 가스는 유입부(110)에 의해 미리 제2 온도(T2)로 상승된 상태이므로, 챔버(130)에서 제2 온도(T2)에서 제3 온도(T3)로 신속히 상승될 수 있다. Harmful gases may be thermally decomposed by the plasma generated by the plasma generator 120, thereby generating thermal decomposition gas and by-products. As described above, the harmful gas supplied to the chamber 130 has previously been raised to the second temperature (T2) by the inlet 110, and thus changes from the second temperature (T2) to the third temperature in the chamber (130). (T3) can be raised quickly.

챔버(130)에서 생성된 열 분해 가스나 부산물은 냉각부(140)로 이동될 수 있다. Thermal decomposition gas or by-products generated in the chamber 130 may be moved to the cooling unit 140.

챔버(130)의 하측에 흡열부(180)가 설치될 수 있다. 따라서, 흡열부(180)에 의해 챔버(130)에서 냉각부(140)로 이동되는 열 분해 가스나 부산물의 온도가 제3 온도(T3)에서 제4 온도(T4)로 낮아질 수 있다. 즉, 제3 온도(T3)를 갖는 열 분해 가스나 부산물의 열이 흡열부(180)의 작동 유체로 전달되어, 흡열부(180)의 작동 유체가 액상에서 기상으로 상변환될 수 있다(S240). 흡열부(180)의 작동 유체를 기상으로 상변환하기 위해 열 분해 가스나 부산물의 열이 전달되어, 열 분해 가스나 부산물의 열 손실로 인해 냉각부(140)로 유입되기 직전의 열 분해 가스나 부산물의 온도는 제3 온도(T3)에서 제4 온도(T4)로 낮아질 수 있다. A heat absorption unit 180 may be installed on the lower side of the chamber 130. Accordingly, the temperature of the thermal decomposition gas or by-product moved from the chamber 130 to the cooling unit 140 by the heat absorption unit 180 may be lowered from the third temperature T3 to the fourth temperature T4. That is, the heat of the thermal decomposition gas or by-product having the third temperature T3 is transferred to the working fluid of the heat absorbing part 180, so that the working fluid of the heat absorbing part 180 can be phase converted from the liquid phase to the gas phase (S240) ). In order to phase convert the working fluid of the heat absorption unit 180 into a gas phase, the heat of the thermal decomposition gas or by-product is transferred, and the heat loss of the thermal decomposition gas or by-product causes the thermal decomposition gas or by-product just before flowing into the cooling unit 140. The temperature of the by-product may be lowered from the third temperature (T3) to the fourth temperature (T4).

흡열부(180)에서 기화된 작동 유체는 방열부(170)로 이동되어, 유입부(110)를 지나가는 유해 가스의 온도를 상승시키는데 사용될 수 있다. The working fluid vaporized in the heat absorbing part 180 is moved to the heat dissipating part 170 and can be used to increase the temperature of the harmful gas passing through the inlet part 110.

냉각부(140)에 의해 흡열부(180)를 지나면서 하강한 열 분해 가스의 온도를 제4 온도(T4)에서 제5 온도(T5)로 급속 냉각시킬 수 있다(S250).The temperature of the thermally decomposed gas that has fallen while passing through the heat absorption unit 180 can be rapidly cooled by the cooling unit 140 from the fourth temperature T4 to the fifth temperature T5 (S250).

상술한 바와 같이, 열 분해 가스나 부산물이 챔버(130)에서 생성되어 흡열부(180)에 대응하는 챔버(130)의 하측의 내부 통로를 지나면서, 열 분해 가스나 부산물의 열이 흡열부(180)의 작동 유체에 전달됨으로써, 열 분해 가스나 부산물의 온도가 제3 온도(T3)에서 제4 온도(T4)로 낮아질 수 있다.As described above, the thermal decomposition gas or by-product is generated in the chamber 130 and passes through the internal passage on the lower side of the chamber 130 corresponding to the heat absorption unit 180, and the heat of the thermal decomposition gas or by-product is transmitted to the heat absorption unit (180). By being transferred to the working fluid of 180), the temperature of the thermal decomposition gas or by-product can be lowered from the third temperature (T3) to the fourth temperature (T4).

이와 같이 낮아지더라도, 제4 온도(T4)는 여전이 매우 높은 온도로서 더 낮아질 필요가 있다. 이에 따라, 냉각부(140)는 열 분해 가스나 부산물의 온도를 제4 온도(T4)에서 제5 온도(T5)로 급속 냉각시킬 수 있다. 제거부(160)에 의해 냉각부(140)에 의해 급속 냉각된 열 분해 가스나 부산물을 제거할 수 있다 (S260). Even if it is lowered like this, the fourth temperature T4 is still very high and needs to be lowered further. Accordingly, the cooling unit 140 can rapidly cool the temperature of the thermal decomposition gas or by-product from the fourth temperature T4 to the fifth temperature T5. The thermal decomposition gas or by-products rapidly cooled by the cooling unit 140 can be removed by the removal unit 160 (S260).

이상과 같이 실시예에 따른 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치(100)의 동작 방법을 수행함으로써, 소비 전력을 줄이고 유해 가스 정화 처리 시간을 단축할 수 있다. By performing the operation method of the high-efficiency energy-saving scrubber device 100 according to the embodiment as described above, power consumption can be reduced and harmful gas purification processing time can be shortened.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as restrictive in any respect and should be considered illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.

100: 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치
110: 유입부
111: 유입 배관
120: 플라즈마 발생부
130: 챔버
140: 냉각부
140a: 제1 영역
140b: 제2 영역
141: 몸체
142: 개구
143: 수용 공간
145: 통로
150: 워터 탱크
160: 제거부
170: 방열부
171: 제1 열 교환기
173: 제1 튜브
180: 흡열부
181: 제2 열 교환기
183: 제2 튜브
190: 작동유 유로
191: 제1 통로
192: 제2 통로
300: 열 분해 가스의 진행 방향
T1 내지 T5: 온도
100: High-efficiency energy-saving scrubber device
110: inlet
111: Inlet pipe
120: Plasma generator
130: chamber
140: Cooling unit
140a: first area
140b: second area
141: body
142: opening
143: Accommodation space
145: Passage
150: water tank
160: removal unit
170: Heat dissipation unit
171: first heat exchanger
173: first tube
180: heat absorption part
181: second heat exchanger
183: second tube
190: Hydraulic oil flow path
191: 1st passage
192: Second passage
300: Direction of thermal decomposition gas
T1 to T5: Temperature

Claims (19)

챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 방열부는, 상기 유입부의 둘레를 따라 감기는 제1 튜브를 포함하고,
상기 흡열부에서 전달된 상기 기화된 작동 유체는 감긴 상기 제1 튜브를 지나가면서 상기 유입부를 지나가는 유해 가스에 열을 전달함으로써 액화되는,
고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
The heat dissipation unit includes a first tube wound around the inlet portion,
The vaporized working fluid delivered from the heat absorption unit is liquefied by transferring heat to the harmful gas passing the inlet while passing through the wound first tube,
High-efficiency energy-saving scrubber device.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 방열부 및 상기 유입부에 의해 제1 열 교환기가 구성되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
According to paragraph 1,
A high-efficiency energy-saving scrubber device in which a first heat exchanger is formed by the heat dissipation portion and the inlet portion.
챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 흡열부는, 상기 챔버의 하측의 둘레를 따라 감기는 제2 튜브를 포함하고,
상기 방열부에서 전달된 상기 액화된 작동 유체는 감긴 상기 제2 튜브를 지나가면서 상기 챔버에서 상기 냉각부로 지나가는 열 분해 가스의 열을 전달받음으로써 기화되는,
고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the thermal decomposition gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
The heat absorbing portion includes a second tube wound along a lower circumference of the chamber,
The liquefied working fluid delivered from the heat dissipation unit is vaporized by receiving heat from the pyrolysis gas passing from the chamber to the cooling unit while passing through the wound second tube.
High-efficiency energy-saving scrubber device.
제4항에 있어서,
상기 흡열부 및 상기 챔버에 의해 제2 열 교환기가 구성되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
According to paragraph 4,
A high-efficiency, energy-saving scrubber device in which a second heat exchanger is formed by the heat absorption unit and the chamber.
챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 방열부와 상기 흡열부 사이에 설치되는 작동유 유로를 포함하는,
고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
Comprising a hydraulic fluid flow path installed between the heat dissipation portion and the heat absorption portion,
High-efficiency energy-saving scrubber device.
제6항에 있어서,
상기 방열부, 상기 작동유 유로 및 상기 흡열부에 의해 상기 작동 유체가 순환되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
According to clause 6,
A high-efficiency energy-saving scrubber device in which the working fluid is circulated by the heat dissipation unit, the working oil flow path, and the heat absorbing unit.
제7항에 있어서,
상기 방열부에서 액화된 작동 유체는 상기 작동유 유로를 통해 상기 흡열부로 전달되고,
상기 흡열부에서 기화된 작동 유체는 상기 작동유 유로를 통해 상기 방열부로 전달되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
In clause 7,
The working fluid liquefied in the heat dissipating part is delivered to the heat absorbing part through the working oil passage,
A high-efficiency, energy-saving scrubber device in which the working fluid vaporized in the heat absorption unit is transferred to the heat dissipation unit through the hydraulic fluid passage.
챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 적어도 200℃ 이상 높은 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
The second temperature is at least 200°C higher than the first temperature.
챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 제5 온도는 상기 제4 온도보다 적어도 550℃ 이상 낮게 급속 냉각되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
The fifth temperature is a high-efficiency energy-saving scrubber device that is rapidly cooled to at least 550°C lower than the fourth temperature.
챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 유입부는, 상기 플라즈마 발생부의 둘레를 따라 설치되는 복수의 유입 배관을 포함하는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
The inlet portion is a high-efficiency energy-saving scrubber device including a plurality of inlet pipes installed along the circumference of the plasma generator.
제11항에 있어서,
상기 방열부는,
상기 복수의 유입 배관 각각의 둘레를 따라 설치되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
According to clause 11,
The heat dissipation unit,
A high-efficiency energy-saving scrubber device installed along the circumference of each of the plurality of inlet pipes.
챔버;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입시키는 유입부;
상기 유입부 주위에 설치되고, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 상기 챔버로 전달하는 방열부;
상기 챔버의 상측에 설치되고, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 플라즈마 발생부;
상기 챔버의 하측에 설치되고, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 흡열부;
상기 흡열부의 하측에 설치되고, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 냉각부; 및
상기 제5 온도로 냉각된 열 분해 가스를 제거시키는 제거부;를 포함하고,
상기 냉각부는,
상기 열 분해 가스가 지나가는 통로를 구비하고,
상기 열 분해 가스를 급속 냉각시키기 위해 냉각수를 상기 통로를 지나가는 상기 열 분해 가스에 분사하는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
chamber;
an inlet installed on the upper side of the chamber and introducing a harmful gas having a first temperature;
a heat dissipation unit installed around the inlet and increasing the temperature of the harmful gas passing through the inlet from the first temperature to a second temperature using the liquefaction heat of the working fluid and transferring it to the chamber;
a plasma generator installed on the upper side of the chamber, generating plasma in the chamber to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
a heat absorption unit installed on the lower side of the chamber and vaporizing the working fluid using the heat of the thermal decomposition gas having the third temperature to generate vaporization heat from the working fluid;
a cooling unit installed below the heat absorption unit and cooling the temperature of the pyrolysis gas that decreases while passing through the heat absorption unit from a fourth temperature to a fifth temperature; and
It includes a removal unit that removes the thermal decomposition gas cooled to the fifth temperature,
The cooling unit,
Provided with a passage through which the thermal decomposition gas passes,
A high-efficiency, energy-saving scrubber device that sprays cooling water onto the thermally decomposed gas passing through the passage in order to rapidly cool the thermally decomposed gas.
제13항에 있어서,
냉각수를 수용하는 워터 탱크를 포함하고,
상기 열 분해 가스에 분사되는 냉각수는 상기 워터 탱크의 냉각수인 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치.
According to clause 13,
A water tank containing coolant,
A high-efficiency energy-saving scrubber device in which the coolant sprayed into the thermal decomposition gas is the coolant of the water tank.
유입부에 의해, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입하는 단계;
방열부에 의해, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 챔버로 전달하는 단계;
플라즈마 발생부에 의해, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 단계;
흡열부에 의해, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 단계;
냉각부에 의해, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 단계; 및
제거부에 의해, 급속 냉각된 상기 열 분해 가스를 제거시키는 단계;를 포함하고,
상기 방열부, 상기 흡열부 및 상기 방열부와 상기 흡열부 사이에 설치된 작동유 유로에 의해 상기 작동 유체가 순환되는,
고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법.
Introducing noxious gas having a first temperature through an inlet;
Raising the temperature of the harmful gas passing through the inflow part from the first temperature to the second temperature by using the liquefaction heat of the working fluid by a heat dissipation unit and transferring it to the chamber;
generating plasma in the chamber by a plasma generator to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
vaporizing the working fluid using heat of the pyrolysis gas having the third temperature by a heat absorbing unit, so that the working fluid generates heat of vaporization;
Cooling the temperature of the thermal decomposition gas, which has decreased while passing through the heat absorption unit, from a fourth temperature to a fifth temperature by a cooling unit; and
It includes: removing the rapidly cooled thermal decomposition gas by a removal unit,
The working fluid is circulated by the heat dissipating part, the heat absorbing part, and a working oil flow path installed between the heat dissipating part and the heat absorbing part,
How a high-efficiency, energy-saving scrubber device operates.
삭제delete 제15항에 있어서,
상기 방열부에서 액화된 작동 유체를 상기 작동유 유로를 통해 상기 흡열부로 전달하는 단계; 및
상기 흡열부에서 기화된 작동 유체를 상기 작동유 유로를 통해 상기 방열부로 전달하는 단계
를 포함하는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법.
According to clause 15,
Transferring the working fluid liquefied in the heat dissipating part to the heat absorbing part through the working oil passage; and
Transferring the working fluid vaporized in the heat absorbing part to the heat dissipating part through the working oil flow path.
A method of operating a high-efficiency energy-saving scrubber device comprising a.
유입부에 의해, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입하는 단계;
방열부에 의해, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 챔버로 전달하는 단계;
플라즈마 발생부에 의해, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 단계;
흡열부에 의해, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 단계;
냉각부에 의해, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 단계; 및
제거부에 의해, 급속 냉각된 상기 열 분해 가스를 제거시키는 단계;를 포함하고,
상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 적어도 80℃ 이상 상승되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법.
Introducing noxious gas having a first temperature through an inlet;
Raising the temperature of the harmful gas passing through the inflow part from the first temperature to the second temperature by using the liquefaction heat of the working fluid by a heat dissipation unit and transferring it to the chamber;
generating plasma in the chamber by a plasma generator to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
vaporizing the working fluid using heat of the pyrolysis gas having the third temperature by a heat absorbing unit, so that the working fluid generates heat of vaporization;
Cooling the temperature of the thermal decomposition gas, which has decreased while passing through the heat absorption unit, from a fourth temperature to a fifth temperature by a cooling unit; and
It includes: removing the rapidly cooled thermal decomposition gas by a removal unit,
The second temperature is at least 80°C higher than the first temperature. A method of operating a high-efficiency energy-saving scrubber device.
유입부에 의해, 제1 온도를 갖는 유해 가스를 유입하는 단계;
방열부에 의해, 작동 유체의 액화 열을 이용하여 상기 유입부를 지나가는 상기 유해 가스의 온도를 상기 제1 온도에서 제2 온도로 상승시켜 챔버로 전달하는 단계;
플라즈마 발생부에 의해, 상기 챔버에 플라즈마를 발생시켜 상기 유해 가스의 온도를 상기 제2 온도에서 제3 온도로 상승시키고 상기 유해 가스를 열 분해하는 단계;
흡열부에 의해, 상기 제3 온도를 갖는 열 분해 가스의 열을 이용하여 상기 작동 유체를 기화시켜 상기 작동 유체가 기화 열을 생성하는 단계;
냉각부에 의해, 상기 흡열부를 지나가면서 하강한 상기 열 분해 가스의 온도를 제4 온도에서 제5 온도로 냉각시키는 단계; 및
제거부에 의해, 급속 냉각된 상기 열 분해 가스를 제거시키는 단계;를 포함하고,
상기 제5 온도는 상기 제4 온도보다 적어도 550℃ 이상 낮게 급속 냉각되는 고효율 에너지 저감형 스크러버 장치의 동작 방법.
Introducing noxious gas having a first temperature through an inlet;
Raising the temperature of the harmful gas passing through the inflow part from the first temperature to the second temperature by using the liquefaction heat of the working fluid by a heat dissipation unit and transferring it to the chamber;
generating plasma in the chamber by a plasma generator to increase the temperature of the harmful gas from the second temperature to the third temperature and thermally decompose the harmful gas;
vaporizing the working fluid using heat of the pyrolysis gas having the third temperature by a heat absorbing unit, so that the working fluid generates heat of vaporization;
Cooling the temperature of the thermal decomposition gas, which has decreased while passing through the heat absorption unit, from a fourth temperature to a fifth temperature by a cooling unit; and
It includes: removing the rapidly cooled thermal decomposition gas by a removal unit,
The fifth temperature is a method of operating a high-efficiency energy-saving scrubber device in which the fifth temperature is rapidly cooled to at least 550° C. lower than the fourth temperature.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000028282A (en) 1998-07-10 2000-01-28 Kanji Yoshida Heat exchange tube
KR101499333B1 (en) * 2013-07-18 2015-03-18 주식회사 에코에너젠 System and method for processing waste gas

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101644343B1 (en) * 2014-09-29 2016-08-01 삼성중공업 주식회사 Regasification apparatus using circulating water
KR102362761B1 (en) * 2017-11-22 2022-02-15 씨에스케이(주) Gas treating apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000028282A (en) 1998-07-10 2000-01-28 Kanji Yoshida Heat exchange tube
KR101499333B1 (en) * 2013-07-18 2015-03-18 주식회사 에코에너젠 System and method for processing waste gas

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