KR102461286B1

KR102461286B1 - Organic light emitting display apparatus

Info

Publication number: KR102461286B1
Application number: KR1020210018536A
Authority: KR
Inventors: 이대원
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-10-22
Filing date: 2021-02-09
Publication date: 2022-11-01
Also published as: KR20210019475A

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 제1 기판과, 제1 기판과 대면하는 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판 사이의 밀봉 부재와, 제1 기판 상에 배치되되 표시 영역에 위치하는 트랜지스터와, 표시 영역에 위치하며 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광다이오드를 포함하고, 주변 영역에는 제1 기판 상의 제1 절연층, 및 제1 절연층 상에 위치하는 금속층이 배치되되, 금속층은 밀봉 부재와 접촉하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.According to an embodiment of the present invention, a first substrate including a display area and a peripheral area, a second substrate facing the first substrate, a sealing member between the first substrate and the second substrate, and the first substrate are disposed on the first substrate a transistor positioned in the display region, and a light emitting diode positioned in the display region and electrically connected to the transistor, wherein a first insulating layer on the first substrate and a metal layer positioned on the first insulating layer are disposed in the peripheral region But, The metal layer contacts the sealing member, and discloses an organic light emitting diode display.

Description

Organic light emitting display apparatus

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode display.

표시 장치는 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 사용되는 장치이다. 이러한 표시 장치는 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 표현하기 위하여 다양한 형태로 제작되고 있다. A display device is a device used to provide visual information such as an image or video to a user. Such display devices are being manufactured in various forms to express visual information such as images or images.

특히, 유기 발광 표시 장치는 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 표시로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며 광시야각, 빠른 응답속도 등 액정표지 장치에 있어서 문제점으로 지적된 결점을 해결할 수 있는 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.In particular, the organic light emitting display device is a self-luminous display that electrically excites an organic compound to emit light, can be driven at a low voltage, can be easily reduced in thickness, and has a wide viewing angle and fast response speed. It is attracting attention as a next-generation display device that can solve this problem.

이러한 유기 발광 표시 장치의 경우 하부 기판과 상부 기판을 접합할 시 밀봉 부재를 이용하게 되는데, 이러한 밀봉 부재가 위치하는 영역은 표시가 이루어지지 않는 데드 스페이스(dead space)가 된다. 그리하여, 데드 스페이스를 줄이면도 접합력을 향상시키는 방안이 강구되고 있다. In the case of such an organic light emitting display device, a sealing member is used when bonding the lower substrate and the upper substrate, and an area in which the sealing member is positioned becomes a dead space where no display is made. Therefore, a method for improving the bonding force even if the dead space is reduced has been devised.

본 발명은 밀봉 부재의 접합력을 향상시키는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. The present invention provides an organic light emitting diode display for improving bonding strength of a sealing member, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 데드 스페이스를 줄일 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. The present invention provides an organic light emitting diode display capable of reducing a dead space and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예는, 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대면하는 제2 기판; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 밀봉 부재; 상기 제1 기판 상에 배치되되, 상기 표시 영역에 위치하는 트랜지스터; 상기 표시 영역에 위치하며 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결된 발광다이오드;를 포함하고 상기 주변 영역에는 상기 제1 기판 상의 제1 절연층, 및 상기 제1 절연층 상에 위치하는 금속층이 배치되되, 상기 금속층은 상기 밀봉 부재와 접촉하는, 유기 발광 표시 장치를 개시한다. According to an embodiment of the present invention, a first substrate including a display area and a peripheral area; a second substrate facing the first substrate; a sealing member between the first substrate and the second substrate; a transistor disposed on the first substrate and positioned in the display area; a light emitting diode positioned in the display region and electrically connected to the transistor, wherein a first insulating layer on the first substrate and a metal layer positioned on the first insulating layer are disposed in the peripheral region, The metal layer contacts the sealing member, and discloses an organic light emitting diode display.

상기 제1 절연층은 상기 주변 영역에 구비되는 제1 관통홀을 포함하고, 상기 금속층은 상기 주변 영역에 구비되는 제2 관통홀을 포함하며, 상기 제1 관통홀 및 상기 제2관통홀은 서로 중첩하되, 상기 밀봉 부재에 중첩될 수 있다.The first insulating layer includes a first through hole provided in the peripheral area, the metal layer includes a second through hole provided in the peripheral area, and the first through hole and the second through hole are mutually However, it may overlap the sealing member.

상기 밀봉 부재의 일부는 상기 금속층의 상기 제2 관통홀 내에 존재할 수 있다.A portion of the sealing member may be present in the second through hole of the metal layer.

상기 제2 관통홀을 정의하는 상기 금속층의 측면은 상기 밀봉 부재로 커버될 수 있다.A side surface of the metal layer defining the second through hole may be covered with the sealing member.

상기 제1 관통홀의 폭과 상기 제2 관통홀의 폭은 서로 다를 수 있다. A width of the first through hole may be different from a width of the second through hole.

상기 제1 관통홀의 폭 및 상기 제2 관통홀의 폭은 상기 밀봉 부재의 폭 보다 작을 수 있다. A width of the first through hole and a width of the second through hole may be smaller than a width of the sealing member.

상기 금속층은 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다. The metal layer may include the same material as the gate electrode of the transistor.

상기 금속층은 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 층 상에 위치할 수 있다. The metal layer may be disposed on the same layer as the gate electrode of the transistor.

상기 금속층은 상기 트랜지스터의 드레인 전극 또는 소스 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다. The metal layer may include the same material as the drain electrode or the source electrode of the transistor.

상기 금속층은 상기 트랜지스터의 드레인 전극 또는 소스 전극과 동일한 층 상에 위치할 수 있다.The metal layer may be disposed on the same layer as the drain electrode or the source electrode of the transistor.

상기 제1 절연층은 무기물을 포함할 수 있다.The first insulating layer may include an inorganic material.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치의 접합력을 향상시킬 수 있다. According to the exemplary embodiment of the present invention made as described above, the bonding strength of the organic light emitting diode display may be improved.

또한, 유기 발광 표시 장치의 데드 스페이스를 줄일 수 있다.Also, a dead space of the organic light emitting diode display may be reduced.

뿐만 아니라, 밀봉 부재의 산화 또는 휘발을 방지할 수 있다. In addition, oxidation or volatilization of the sealing member can be prevented.

도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I를 절취한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 도면 중 표시부와 밀봉 부재을 구체적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 밀봉 부재에 대한 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면이이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 1 is a plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along II of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view specifically illustrating a display unit and a sealing member in the drawing shown in FIG. 1 .
FIG. 4 is a schematic plan view of the sealing member of FIG. 3 ;
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
6 is a plan view schematically illustrating a part of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.
7A to 7D are diagrams illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in a variety of different forms. It is provided to fully inform In addition, in the drawings for convenience of description, the size of the components may be exaggerated or reduced. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on the Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including them. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성 요소들은 용어들에 의하여 한정되어서는 안된다. 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprises” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

한편, 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에"있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에"있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 배치된 경우도 포함한다.On the other hand, when it is said that various components such as layers, films, regions, plates, etc. are “on” other components, this is not only when they are “on” other components, but also when other components are disposed between them. include

도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I를 절취한 단면도이다. FIG. 1 is a plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는, 표시부(40)를 포함하는 제1 기판(10), 제1 기판(10)과 대면하는 제2 기판(20), 표시부(40)를 감싸며 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합시키는 밀봉 부재(30)를 포함한다. 1 and 2 , the organic light emitting diode display includes a first substrate 10 including a display unit 40 , a second substrate 20 facing the first substrate 10 , and the display unit 40 . and a sealing member 30 surrounding and bonding the first substrate 10 and the second substrate 20 .

제1 기판(10)은 표시부(40)가 형성된 표시 영역(DA)와 표시 영역(DA)을 감싸는 주변 영역(PA)으로 구분될 수 있다. 기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 유연성이 있는 플렉서블한 기판일 수도 있다. 상기 플렉서블한 기판은 글래스 기판에 비하여 비중이 작아 가볍고, 잘 깨어지지 않으며, 휘어질 수 있는 특성을 가진 소재, 예컨대, 플렉서블 플라스틱 필름과 같은 고분자 소재로 제조하는 것이 바람직하다.The first substrate 10 may be divided into a display area DA in which the display unit 40 is formed and a peripheral area PA surrounding the display area DA. The substrate 10 may be made of a transparent glass material containing SiO2 as a main component. The substrate 10 is not necessarily limited thereto and may be formed of a transparent plastic material. It may be a flexible substrate with flexibility. The flexible substrate is preferably made of a material having a lower specific gravity than a glass substrate, is light, is not easily broken, and can be bent, for example, a polymer material such as a flexible plastic film.

제1 기판(10)의 표시부(40)은 기판(10) 상에 구동용 박막트랜지스터인 트랜지스터(TR), 캐패시터(Cst), 및 유기 발광소자(OELD) 등을 포함할 수 있다. 표시부(40)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다. The display unit 40 of the first substrate 10 may include a transistor TR serving as a driving thin film transistor, a capacitor Cst, and an organic light emitting diode OELD on the substrate 10 . A detailed description of the display unit 40 will be described later.

제2 기판(20)은 제1 기판(10)에 대응하는 것으로, 글라스재, 금속재 또는 플라스틱재 등과 같은 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)은 밀봉 부재(30)를 통해 접합될 수 있다. 밀봉 부재(30)는 글래스 프릿 등을 포함할 수 있다. The second substrate 20 corresponds to the first substrate 10 and may be formed of various materials such as glass material, metal material, or plastic material. The first substrate 10 and the second substrate 20 may be bonded through the sealing member 30 . The sealing member 30 may include a glass frit or the like.

구체적으로, 밀봉 부재(30)은 표시부(40)를 감싸서 주변 영역상에 배치될 수 있다. 밀봉 부재(30)은 표시부(40)를 밀폐시켜 외부로부터 보호한다. Specifically, the sealing member 30 may surround the display unit 40 and be disposed on the peripheral area. The sealing member 30 seals the display unit 40 to protect it from the outside.

도 3은 도 1에 도시된 도면 중 표시부(40)와 밀봉 부재(30)을 구체적으로 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 밀봉 부재(30)에 대한 개략적인 평면도이다. FIG. 3 is a view specifically illustrating the display unit 40 and the sealing member 30 in the drawing shown in FIG. 1 , and FIG. 4 is a schematic plan view of the sealing member 30 of FIG. 3 .

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 버퍼층(11)이 더 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(11)은 SiOx, SiNx, SiON, AlO, AlON 등의 무기물이나, 아크릴, 폴리이미드 등의 유기물로 이루어지거나, 유기물과 무기물이 교대로 적층될 수 있다. 상기 버퍼층(11)은 산소와 수분을 차단하는 역할을 수행하고, 상기 기판(10)으로부터 발생하는 수분이나, 불순물의 확산을 방지하고, 결정화시 열의 전달 속도를 조절함으로써, 반도체의 결정화가 잘 이루어질 수 있는 역할을 수행한다.3 and 4 , a buffer layer 11 may be further formed on the substrate 10 . The buffer layer 11 may be formed of an inorganic material such as SiOx, SiNx, SiON, AlO, AlON, or an organic material such as acryl or polyimide, or an organic material and an inorganic material may be alternately stacked. The buffer layer 11 serves to block oxygen and moisture, prevents diffusion of moisture or impurities generated from the substrate 10, and regulates the transfer rate of heat during crystallization, so that the semiconductor can be crystallized well. can play a role

한편, 제1 기판(10)의 표시부(40)에는 기판(10) 상에 구동용 박막트랜지스터인 트랜지스터(TR), 캐패시터(Cst) 및 유기 발광소자(OELD)가 포함되어 있다. 구체적으로, 상기 버퍼층(11)의 상부에는 트랜지스터(TR)가 형성되어 있다. 본 실시예의 박막 트랜지스터는 바텀 게이트(Bottom gate) 방식의 박막 트랜지스터를 예시하나, 탑 게이트(Top gate) 방식 등 다른 구조의 박막 트랜지스터가 포함될 수 있음은 물론이다.Meanwhile, the display unit 40 of the first substrate 10 includes a transistor TR, a capacitor Cst, and an organic light emitting device OELD, which are thin film transistors for driving, on the substrate 10 . Specifically, a transistor TR is formed on the buffer layer 11 . Although the thin film transistor of the present embodiment is exemplified by a bottom gate type thin film transistor, it goes without saying that thin film transistors having other structures such as a top gate type may be included.

상기 버퍼층(11)의 상부에는 활성층(212)이 형성되어 있다. 상기 활성층(212)이 폴리 실리콘으로 형성될 경우에는 아몰퍼스 실리콘을 형성하고, 이를 결정화시켜 폴리 실리콘으로 변화시키게 된다. An active layer 212 is formed on the buffer layer 11 . When the active layer 212 is formed of polysilicon, amorphous silicon is formed, and the active layer 212 is crystallized to change to polysilicon.

아몰퍼스 실리콘의 결정화 방법으로는 RTA(Rapid Thermal Annealing)법, SPC(Solid Phase Crystallzation)법, ELA(Eximer Laser Annealing)법, MIC(Metal Induced Crystallization)법, MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법, SLS(Sequential Lateral Solidification)법등 다양한 방법이 적용될 수 있으나, 본 발명에 따른 기판을 적용하기 위해서는 고온의 가열 공정이 요구되지 않는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.Amorphous silicon crystallization methods include RTA (Rapid Thermal Annealing) method, SPC (Solid Phase Crystallzation) method, ELA (Eximer Laser Annealing) method, MIC (Metal Induced Crystallization) method, MILC (Metal Induced Lateral Crystallization) method, SLS ( Although various methods such as sequential lateral solidification) may be applied, it is preferable to use a method that does not require a high-temperature heating process in order to apply the substrate according to the present invention.

예컨대, 저온 폴리 실리콘(Low temperature poly-silicon, LTPS) 공정에 의한 결정화시, 상기 활성층(212)의 활성화를 레이저를 단시간 조사하여 진행함으로써, 기판(10) 이 300? 이상의 고온에 노출되는 시간을 제거하여 전체 공정을 300? 이하에서 진행가능하다. 이에 따라, 고분자 소재를 적용한 기판을 적용하여 트랜지스터(TR)를 형성할 수 있다.For example, during crystallization by a low temperature poly-silicon (LTPS) process, the activation of the active layer 212 is performed by irradiating a laser for a short time, so that the substrate 10 is 300°C? Eliminate exposure to high temperatures over 300°C throughout the entire process. It can proceed below. Accordingly, the transistor TR may be formed by applying a substrate to which a polymer material is applied.

상기 활성층(212)에는 N형이나, P형 불순물 이온을 도핑하여 소스 영역(212b)과, 드레인 영역(212a)이 형성되어 있다. 상기 소스 영역(212b)과, 드레인 영역(212a) 사이의 영역은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(212c)이다. 상기 활성층(212) 상부에는 게이트 절연막(13)이 형성되어 있다. 상기 게이트 절연막(13)은 SiO2로 된 단일층이나, SiO2와 SiNx의 이중층 구조로 형성되어 있다.A source region 212b and a drain region 212a are formed in the active layer 212 by doping with N-type or P-type impurity ions. A region between the source region 212b and the drain region 212a is a channel region 212c not doped with impurities. A gate insulating layer 13 is formed on the active layer 212 . The gate insulating layer 13 is formed of a single layer made of SiO2 or a double layer structure of SiO2 and SiNx.

상기 게이트 절연막(13) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(214)이 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(214)은 트랜지스터 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 상기 게이트 전극(214)은 단일이나, 다중의 도전층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 214 is formed in a predetermined region over the gate insulating layer 13 . The gate electrode 214 is connected to a gate line (not shown) to which a transistor on/off signal is applied. The gate electrode 214 may be formed of a single or multiple conductive layers.

게이트 전극(214)상에는 층간 절연층(15)을 사이에 두고 활성층(212)의 소스영역(212b) 및 드레인영역(212a)에 각각 접속하는 드레인 전극(216a) 및 소스 전극(216b)이 형성된다. 상기 층간 절연층(15)은 SiO2나, SiNx 등과 같은 절연성 소재로 형성될 수 있으며, 절연성 유기물 등으로도 형성될 수 있다.A drain electrode 216a and a source electrode 216b respectively connected to the source region 212b and the drain region 212a of the active layer 212 are formed on the gate electrode 214 with the interlayer insulating layer 15 interposed therebetween. . The interlayer insulating layer 15 may be formed of an insulating material such as SiO2 or SiNx, and may also be formed of an insulating organic material.

층간 절연층(15) 상에는 드레인 전극(216a) 및 소스 전극(216b)을 덮도록 화소 정의막(18)이 포함된다. 그리고, 버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13) 상에 게이트 전극(214)과 동일한 투명도전물로 형성된 화소 전극(114)이 형성될 수 있다. 드레인 전극(216a) 및 소스 전극(216b)의 저항은 게이트 전극(214)의 저항보다 작을 수 있다. A pixel defining layer 18 is included on the interlayer insulating layer 15 to cover the drain electrode 216a and the source electrode 216b. In addition, the pixel electrode 114 formed of the same transparent conductive material as the gate electrode 214 may be formed on the buffer layer 11 and the gate insulating layer 13 . The resistance of the drain electrode 216a and the source electrode 216b may be smaller than the resistance of the gate electrode 214 .

화소 전극(114)는 일 함수가 작은 금속, 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(119) 상에 증착된 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 형성된 보조 전극을 형성할 수 있다. 화소 전극(114)는 이에 한정되지 않고, 반사형 전극일 수도 있다. The pixel electrode 114 is formed by depositing a metal having a small work function, ie, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, and a compound thereof, on the intermediate layer 119, and thereon, ITO, IZO, An auxiliary electrode formed of a material for forming a transparent electrode such as ZnO or In2O3 may be formed. The pixel electrode 114 is not limited thereto, and may be a reflective electrode.

화소 전극(114) 상에는 화소 정의막(18)의 일부를 식각하여 중간층(119)이 형성된다. 중간층(119)은 가시 광선을 발광하도록 적어도 유기 발광층을 포함한다.An intermediate layer 119 is formed on the pixel electrode 114 by etching a portion of the pixel defining layer 18 . The intermediate layer 119 includes at least an organic light emitting layer to emit visible light.

중간층(119) 상에는 공통 전극으로 대향 전극(19)이 형성된다. 상기 중간층(119)에 서로 다른 극성의 전압을 가하여 중간층(119)에서 발광이 이루어지도록 한다.A counter electrode 19 is formed as a common electrode on the intermediate layer 119 . By applying voltages of different polarities to the intermediate layer 119 , light is emitted from the intermediate layer 119 .

상기 중간층(119)의 유기 발광층은 저분자 유기물이나 고분자 유기물로 포함될 수 있다. The organic light emitting layer of the intermediate layer 119 may include a low molecular weight organic material or a high molecular weight organic material.

상기 중간층(119)의 유기 발광층이 저분자 유기물을 사용할 경우, 상기 중간층(119)은 정공 주입층(Hole injection layer, HIL), 정공 수송층(Hole transport layer, HTL), 유기 발광층(Emissive layer, EML), 전자 수송층(Electron transport layer, ETL), 전자 주입층(Electron injection layer, EIL) 등이 단일이나, 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. When the organic emission layer of the intermediate layer 119 uses a low molecular weight organic material, the intermediate layer 119 includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an organic emission layer (EML). , an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), etc. may be formed by being stacked in a single or complex structure.

또한, 상기 중간층(119)에 이용 가능한 유기 재료는 구리 프탈로시아닌(Copper phthalocyanine, CuPc), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용한 진공 증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.In addition, organic materials usable for the intermediate layer 119 include copper phthalocyanine (CuPc), N,N-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine (N,N'-) Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), etc. These low molecular weight organic materials may be formed by a method such as vacuum deposition using masks.

중간층(119)의 유기 발광층이 고분자 유기물을 사용할 경우, 중간층(119)은 정공 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함한 구조를 가질 수 있다. 이때, 정공 수송층으로는 PEDOT를 사용하고, 발광층으로는 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다. 이들 고분자 유기물은 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄 방법 등으로 형성할 수 있다. 상기와 같은 중간층(119)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.When the organic emission layer of the intermediate layer 119 uses a polymer organic material, the intermediate layer 119 may have a structure including a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transport layer, and a polymer organic material such as poly-phenylenevinylene (PPV) and polyfluorene is used as the light emitting layer. These polymer organic substances can be formed by a screen printing method, an inkjet printing method, or the like. The intermediate layer 119 as described above is not necessarily limited thereto, and various embodiments may be applied.

대향 전극(19)은 화소 전극(114)과 마찬가지로 투명 전극이나, 반사형 전극으로 형성할 수 있다. 상기 대향 전극(19)이 투명 전극으로 사용될 경우, 상기 대향 전극(19)은 일 함수가 작은 금속, 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(119) 상에 증착된 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 형성된 보조 전극을 형성할 수 있다. Like the pixel electrode 114 , the counter electrode 19 may be formed of a transparent electrode or a reflective electrode. When the counter electrode 19 is used as a transparent electrode, the counter electrode 19 is formed of a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, and a compound thereof as an intermediate layer ( 119), an auxiliary electrode formed of a material for forming a transparent electrode, such as ITO, IZO, ZnO, In2O3, etc., may be formed thereon.

대향 전극(19)이 반사형 전극으로 사용될 경우, 대향 전극(19)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.When the counter electrode 19 is used as a reflective electrode, the counter electrode 19 is formed by depositing Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, and a compound thereof on the entire surface.

한편, 화소 전극(114)은 투명 전극이나, 반사형 전극으로 형성시에 각 서브 픽셀의 개구 형태에 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 대향 전극(19)은 투명 전극이나, 반사형 전극을 디스플레이 영역 전체에 전면 증착하여 형성될 수 있다. 상기 대향 전극(19)은 반드시 전면 증착될 필요는 없으며, 다양한 패턴으로 형성될 수 있음은 물론이다. 이때, 상기 화소 전극(114)과, 대향 전극(19)은 서로 위치가 반대로 적층될 수 있음은 물론이다. Meanwhile, when the pixel electrode 114 is a transparent electrode or a reflective electrode, it may be formed in a shape corresponding to the opening shape of each sub-pixel. The counter electrode 19 may be formed by depositing a transparent electrode or a reflective electrode over the entire display area. The counter electrode 19 is not necessarily deposited over the entire surface, and may be formed in various patterns. In this case, it goes without saying that the pixel electrode 114 and the opposite electrode 19 may be stacked at opposite positions.

본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 화소 전극(114)은 애노드로 사용되고, 대향 전극(19)은 캐소드로 사용된다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.In the case of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment, the pixel electrode 114 is used as an anode, and the opposite electrode 19 is used as a cathode. Of course, the polarity of the electrode may be reversed.

*한편, 제1 기판(10)의 주변 영역에는, 제1 절연층(410), 제1 절연층(410)상에 배치되며 주변 영역에 적어도 하나의 제1 관통홀(TH1)이 형성된 금속층(430) 및 금속층(430)상에 배치되며 제1 관통홀(TH1)과 중첩되면서 제1 관통홀(TH1)보다 작은 제2 관통홀(TH2)이 형성된 제2 절연층(450)이 배치되며, 밀봉 부재(30)는 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)의 내부를 채우면서 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합시킨다. 여기서 제1 절연층(410)은 버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13) 중 적어도 하나와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 제2 절연층(450)은 층간 절연층(15)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 도면에서는 제1 절연층(410)으로 버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13)을 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 게이트 절연막(13)만이 제1 절연층(410)이 될 수 있다. *On the other hand, in the peripheral region of the first substrate 10, a first insulating layer 410, a metal layer disposed on the first insulating layer 410 and having at least one first through hole TH1 formed in the peripheral region ( 430) and a second insulating layer 450 disposed on the metal layer 430 and having a second through hole TH2 smaller than the first through hole TH1 while overlapping the first through hole TH1 is disposed, The sealing member 30 joins the first substrate 10 and the second substrate 20 while filling the inside of the first and second through holes TH1 and TH2 . Here, the first insulating layer 410 may be formed of the same material as at least one of the buffer layer 11 and the gate insulating layer 13 , and the second insulating layer 450 may be formed of the same material as the interlayer insulating layer 15 . can be Although the drawing shows the buffer layer 11 and the gate insulating layer 13 as the first insulating layer 410 , the present invention is not limited thereto. Only the gate insulating layer 13 may be the first insulating layer 410 .

또한, 제1 절연층(410)도 제1 관통홀(TH1)과 중첩되면서 제1 관통홀(TH1)보다 작은 제3 관통홀(TH3)이 형성될 수 있다. 도면에는 제2 관통홀(TH2)과 제3 관통홀(TH3)의 반경이 동일한 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제3 관통홀(TH3)은 제2 관통홀(TH2)보다 클 수도 있고 작을 수 도 있다. 다만 제2 및 제3 관통홀(TH2, TH3)은 제1 관통홀(TH1)과 중첩되면서 제1 관통홀(TH1)보다 작다. Also, the first insulating layer 410 may overlap the first through hole TH1 and a third through hole TH3 smaller than the first through hole TH1 may be formed. Although the drawing shows that the radius of the second through hole TH2 and the third through hole TH3 is the same, the present invention is not limited thereto. The third through hole TH3 may be larger or smaller than the second through hole TH2. However, the second and third through-holes TH2 and TH3 overlap the first through-hole TH1 and are smaller than the first through-hole TH1.

제1 절연층(410)과 제2 절연층(450) 사이에 배치되는 금속층(430)은 전술한 반막트랜지스터 (TFT)의 게이트 전극(214)과 동일물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 금속층(430)은 게이트 전극(214)과 동일층 상에 위치한 것일 수 있다. 예를 들어, 금속층(430)은 게이트 전극(214)으로부터 연장되어 형성될 수 있다. The metal layer 430 disposed between the first insulating layer 410 and the second insulating layer 450 may include the same material as the gate electrode 214 of the above-described semi-film transistor (TFT). Specifically, the metal layer 430 may be located on the same layer as the gate electrode 214 . For example, the metal layer 430 may be formed to extend from the gate electrode 214 .

도면에서는 금속층(430)이 게이트 전극(214)과 마찬가지로 게이트 절연막(13) 상에 위치한 것으로 도시하고 있다. 물론 경우에 따라서는 금속층(430)은 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(216a) 또는 소스 전극(216b)과 동일물질을 포함하고 동일층 상에 위치한 것일 수도 있다. 이하에서는 편의상 금속층(430)이 게이트 전극(214)과 동일물질을 포함하고 동일층 상에 위치한 경우에 대해 설명한다.In the drawing, the metal layer 430 is illustrated as being positioned on the gate insulating layer 13 like the gate electrode 214 . Of course, in some cases, the metal layer 430 may include the same material as the drain electrode 216a or the source electrode 216b of the thin film transistor (TFT) and be positioned on the same layer. Hereinafter, for convenience, a case in which the metal layer 430 includes the same material as the gate electrode 214 and is positioned on the same layer will be described.

밀봉 부재(30)를 이용하여 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합할 시, UV광이나 레이저빔 등을 조사하여 밀봉 부재(30)를 경화시킬 수 있다. 구체적으로 UV광이나 레이저빔 등을 제2 기판(20)을 통과시켜 밀봉 부재(30)로 조사할 수 있는데, 밀봉 부재(30) 하부에 금속층(430)을 배치시키면, 밀봉 부재(30)를 통과한 UV광이나 레이저빔 등이 금속층(430)으로부터 반사되어 다시 밀봉 부재(30)를 향하여 UV광이나 레이저빔 등의 조사 효율성을 높일 수 있다. 다만, UV광이나 레이저빔의 조사폭의 한계로 인해 접합되는 밀봉 부재(30)의 폭에 제한이 따른다. 일반적으로 밀봉 부재(30)의 폭은 약 750㎛이하일 수 있다. When bonding the first substrate 10 and the second substrate 20 using the sealing member 30 , the sealing member 30 may be cured by irradiating UV light or a laser beam. Specifically, UV light or a laser beam may pass through the second substrate 20 to irradiate the sealing member 30 . When the metal layer 430 is disposed under the sealing member 30 , the sealing member 30 is formed. The UV light or laser beam that has passed through is reflected from the metal layer 430 , and the irradiation efficiency of the UV light or laser beam can be increased toward the sealing member 30 again. However, the width of the sealing member 30 to be bonded is limited due to the limitation of the irradiation width of the UV light or laser beam. In general, the width of the sealing member 30 may be about 750 μm or less.

한편, 밀봉 부재(30)가 제2 기판(20)과 접촉하고 있는 면적은 투명한 재질의 제2 기판(20)을 통해 쉽게 관찰할 수 있으나, 밀봉 부재(30)가 제1 기판(10)과 접촉하고 있는 면적은 불투명한 금속층(430)으로 인해 관찰할 수 없을 수 있다. 따라서 금속층(430)이 적어도 하나의 제1 관통홀(TH1)을 갖도록 함으로써, 밀봉 부재(30)와 제1 기판(10) 사이의 접촉면적을 확인할 수 있다. Meanwhile, the area in which the sealing member 30 is in contact with the second substrate 20 can be easily observed through the second substrate 20 made of a transparent material. The contact area may not be observable due to the opaque metal layer 430 . Accordingly, the contact area between the sealing member 30 and the first substrate 10 may be confirmed by making the metal layer 430 to have at least one first through hole TH1 .

뿐만 아니라, 금속층(430)의 제1 관통홀(TH1)은 금속층(430)과 인접한 제2 및 제3 관통홀(TH2, TH3)에 비해 크기 때문에 제1 및 제2 절연층(410, 450)이 제1 관통홀(TH1)을 채운 밀봉 부재(30)를 잡아주는 역할을 한다. 제1 관통홀(TH1)의 반경은 제2 및 제3 관통홀(TH2, TH3)의 반경보다 3㎛이상 큰 것이 바람직하다. 그리하여, 밀봉 부재(30)에 대한 제1 및 제2 절연층(410, 450)과 금속층(430)의 접합 면적을 증가시킬 뿐만 아니라, 밀봉 부재(30)가 제1 절연층(410), 제2 절연층(450) 또는 금속층(430)으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the first through-hole TH1 of the metal layer 430 is larger than the second and third through-holes TH2 and TH3 adjacent to the metal layer 430 , the first and second insulating layers 410 and 450 . It serves to hold the sealing member 30 filling the first through hole TH1. The radius of the first through hole TH1 is preferably 3 μm or more larger than the radius of the second and third through holes TH2 and TH3. Thus, the bonding area between the first and second insulating layers 410 and 450 and the metal layer 430 with respect to the sealing member 30 is increased, and the sealing member 30 is formed by the first insulating layer 410 and the second insulating layer 410 . 2 It is possible to prevent peeling from the insulating layer 450 or the metal layer 430 .

도 3 및 도 4에서는 밀봉 부재(30)의 폭 방향으로 각각 하나의 제1 내지 3 관통홀(TH1, TH2, TH3)이 형성되어 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 밀봉 부재(30)의 폭 방향으로 각각 복수 개의 제1 내지 제3 관통홀(TH1, TH2, TH3)이 형성될 수도 있다. In FIGS. 3 and 4 , one first to third through-holes TH1 , TH2 , and TH3 are respectively formed in the width direction of the sealing member 30 . However, the present invention is not limited thereto. A plurality of first to third through holes TH1 , TH2 , and TH3 may be respectively formed in the width direction of the sealing member 30 .

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면이이다. 도 3과 비교하면, 도 5의 유기 발광 표시 장치는 데드 스페이스를 줄이기 위해 밀봉 부재(30)와 접하는 금층(Au layer)(60)을 더 포함할 수 있다. 밀봉 부재(30)를 기준으로 표시 영역(DA)을 밀봉 부재(30)의 내측이라고 하고 주변 영역(PA)을 외측이라고 할 때, 금층(60)은 밀봉 부재(30)의 내측과 접하는 제1 금층(61)와 밀봉 부재(30)의 외측과 접하는 제2 금층(62)을 포함할 수 있다. 5 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. Compared with FIG. 3 , the organic light emitting diode display of FIG. 5 may further include an Au layer 60 in contact with the sealing member 30 to reduce a dead space. When the display area DA is referred to as the inner side of the encapsulation member 30 and the peripheral area PA is referred to as the outer side of the encapsulation member 30 , the gold layer 60 is the first layer in contact with the inner side of the encapsulation member 30 . The second gold layer 62 may be in contact with the gold layer 61 and the outer side of the sealing member 30 .

도 1에는 제1 및 제2 금층(61, 62)이 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 금층(60)은 제1 금층(61)만으로 형성될 수도 있고, 제2 금층(62)만으로 형성될 수도 있다. 그리고, 상기한 금층(60)은 제1 기판(10)상에서 상기한 밀봉 부재(30)의 일부 영역과 동일층상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 밀봉 부재(30)의 가장 자리 영역은 제2 절연층(450)상에 배치되고, 금층(60)도 제2 절연층(450)상에서 밀봉 부재(30)와 접하게 배치될 수 있다. Although the first and second gold layers 61 and 62 are illustrated in FIG. 1 , the present invention is not limited thereto. The gold layer 60 may be formed of only the first gold layer 61 or only the second gold layer 62 . In addition, the gold layer 60 may be disposed on the same layer as a partial region of the sealing member 30 on the first substrate 10 . For example, an edge region of the sealing member 30 may be disposed on the second insulating layer 450 , and the gold layer 60 may also be disposed on the second insulating layer 450 to contact the sealing member 30 . .

금층(60)은 연성이 크기 때문에 글래스 프릿으로 형성된 밀봉 부재(30)와 접착력이 우수하다. 구체적으로, 레이저 가공시 금층(60)은 부피가 늘어나 밀봉 부재(30)와의 공간을 채우면서 밀봉 부재(30)과 접착하게 된다. 또한, 금은 자연 산화되는 특성이 없으므로, 밀봉 부재(30)가 외부 공기와 접촉하는 것을 차단하여 밀봉 부재(30)의 산화 또는 휘발을 방지할 수 있다. 그리하여, 금층(60)은 작은 면적의 밀봉 부재(30)를 구현할 수 있고, 데드 스페이스를 줄일 수 있다. 예를 들어, 밀봉 부재(30)의 폭을 680㎛이하로 제작할 수 있다. Since the gold layer 60 has high ductility, it has excellent adhesion to the sealing member 30 formed of glass frit. Specifically, during laser processing, the gold layer 60 increases in volume to fill the space with the sealing member 30 and adheres to the sealing member 30 . In addition, since gold does not naturally oxidize, it is possible to prevent oxidation or volatilization of the sealing member 30 by preventing the sealing member 30 from coming into contact with external air. Thus, the gold layer 60 may implement the sealing member 30 having a small area and reduce the dead space. For example, the width of the sealing member 30 may be manufactured to be 680 μm or less.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 3과 비교하면, 도 6의 유기 발광 표시 장치는 일단(32E1)은 밀봉 부재(30)과 접하고 타단(32E2)은 밀봉 부재(30)과 접하지 않으며, 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 접합시키는 복수 개의 밀봉 브랜치 (sealing branch)(32)를 더 포함할 수 있다. 밀봉 브랜치는 밀봉 부재(30)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉 부재(30) 및 밀봉 브랜치(32)는 글래스 프릿 등을 포함할 수 있다. 6 is a plan view schematically illustrating a part of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. Compared with FIG. 3 , in the organic light emitting diode display of FIG. 6 , one end 32E1 is in contact with the sealing member 30 , the other end 32E2 is not in contact with the sealing member 30 , and the first substrate 10 and the second A plurality of sealing branches 32 bonding the substrate 20 may be further included. The sealing branch may be formed of the same material as the sealing member 30 . For example, the sealing member 30 and the sealing branch 32 may include a glass frit or the like.

구체적으로, 밀봉 부재(30)는 표시부(40)를 밀폐시켜 외부로부터 표시부(40)를 보호한다. 그리고, 밀봉 브랜치(32)는 밀봉 부재(30)의 외측에 배치되면서 일단(32E1)이 밀봉 부재(30)과 접할 수 있고, 타단(32E2)은 외부로 노출될 수 있다. Specifically, the sealing member 30 seals the display unit 40 to protect the display unit 40 from the outside. In addition, the sealing branch 32 may be disposed on the outside of the sealing member 30 , and one end 32E1 may be in contact with the sealing member 30 , and the other end 32E2 may be exposed to the outside.

밀봉 부재(30) 이외에도 밀봉 브랜치(32)가 배치됨으로써 제1 및 제2 기판(10, 20)에 대한 밀봉 물질의 접촉 면적으로 넓힐 수 있다. 그리고, 접촉 면적이 넓어짐으로써 제1 기판(10)과 제2 기판(20)간의 접합력을 증가시킬 수 있다. 물론 주변 영역 중 패드부(50)를 제외한 모든 영역에 밀봉 부재(30)을 배치시키면 접촉 면적을 최대로 넓힐 수 있지만, 크랙이 발생할 있다. 그리하여, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 접촉 면적을 넓히면서 크랙 발생을 저지할 수 있도록 밀봉 브랜치(32)를 포함한 것이다. By disposing the sealing branch 32 in addition to the sealing member 30 , the contact area of the sealing material with respect to the first and second substrates 10 and 20 may be increased. In addition, the bonding force between the first substrate 10 and the second substrate 20 may be increased by increasing the contact area. Of course, if the sealing member 30 is disposed in all regions except the pad part 50 among the peripheral regions, the contact area can be maximized, but cracks may occur. Thus, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment includes the sealing branch 32 to prevent cracks from occurring while increasing the contact area.

또한, 복수 개의 밀봉 브랜치(32)는 서로 이격 배치될 수 있다. 그리고, 복수 개의 밀봉 브랜치(32) 중 적어도 하나는 상기 밀봉 부재(30)과 수직하게 접할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 밀봉 브랜치(32) 중 적어도 하나의 길이 방향은 상기 밀봉 부재(30)의 법선과 수직할 수 있다. 도 6에서는 모든 복수 개의 밀봉 브랜치(32)가 밀봉 부재(30)과 수직하게 접하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 일부의 밀봉 브랜치(32)는 밀봉 부재(30)과 수직하게 배치될 수 있고, 다른 일부의 밀봉 브랜치(32)는 밀봉 부재(30)과 경사지게 배치될 수도 있다. 밀봉 브랜치(32)가 밀봉 부재(30)과 경사지게 배치됨으로써 제1 및 제2 기판(10, 20)에 대한 밀봉 부재(30)의 접촉 면적을 더 넓힐 수 있다. In addition, the plurality of sealing branches 32 may be spaced apart from each other. In addition, at least one of the plurality of sealing branches 32 may be in perpendicular contact with the sealing member 30 . For example, a longitudinal direction of at least one of the plurality of sealing branches 32 may be perpendicular to a normal line of the sealing member 30 . In FIG. 6 , all of the plurality of sealing branches 32 are shown to be in perpendicular contact with the sealing member 30 , but the present invention is not limited thereto. For example, a portion of the sealing branch 32 may be disposed perpendicular to the sealing member 30 , and another portion of the sealing branch 32 may be disposed at an angle to the sealing member 30 . Since the sealing branch 32 is disposed to be inclined with the sealing member 30 , a contact area of the sealing member 30 with respect to the first and second substrates 10 and 20 may be further increased.

한편, 복수 개의 밀봉 브랜치(32) 중 이웃하는 두 개의 밀봉 브랜치(32) 사이에는 밀봉 브랜치(32)의 접합을 보완하는 보강재(70)가 형성될 수 있다. 보강재(70)는 레진, 예를 들어, 폴리머 레진 등으로 형성될 수 있다. 보강재(70)는 밀봉 부재(30)의 글래스 프릿과 제1 및 제2 기판(10, 20)의 글래스 사이의 열정합 불일치에 따라 발생될 수 있는 써멀 쇼크 및 스트레스에 의하여 약화된 기구 강도를 보완할 수 있다. Meanwhile, a reinforcing material 70 that complements the bonding of the sealing branch 32 may be formed between two adjacent sealing branches 32 among the plurality of sealing branches 32 . The reinforcing material 70 may be formed of a resin, for example, a polymer resin. The reinforcing material 70 compensates for the strength of the instrument weakened by thermal shock and stress that may be generated due to a mismatch in thermal coupling between the glass frit of the sealing member 30 and the glass of the first and second substrates 10 and 20 . can do.

지금까지는 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 유기 발광 표시 장치의 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.So far, an organic light emitting diode display has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, it will be said that a method of manufacturing an organic light emitting display device also falls within the scope of the present invention.

도 7a 내지 도 7d는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 7A to 7D are diagrams illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해서는 표시 영역(DA)과 이 표시 영역(DA)을 감싸는 주변 영역(PA)을 갖는 제1 기판(10)을 준비한다. 그리고 제1 기판(10)상에 표시부 및 패드부를 형성한다. 예컨대, 제1 기판(10)의 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에 걸쳐 버퍼층(11), 게이트 절연막(13), 금속층(430) 및 층간 절연층(15) 등을 형성하고, 표시 영역에는 유기 발광 소자(OLED), 트랜지스터(TR) 및 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 특히, 주변 영역에는, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1 기판(10)상에 제1 절연층(410), 금속층(430) 및 제2 절연층(450) 이 순차적으로 형성할 수 있다. 여기서 제1 절연층(410)은 버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13) 중 적어도 하나와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 금속층(430)은 트랜지스터의 전극과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 제2 절연층(450)은 층간 절연층(15)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. In order to manufacture the organic light emitting diode display, a first substrate 10 having a display area DA and a peripheral area PA surrounding the display area DA is prepared. Then, a display unit and a pad unit are formed on the first substrate 10 . For example, a buffer layer 11 , a gate insulating layer 13 , a metal layer 430 , and an interlayer insulating layer 15 are formed over the display area DA and the peripheral area PA of the first substrate 10 , and display An organic light emitting diode OLED, a transistor TR, and a capacitor Cst may be formed in the region. In particular, in the peripheral region, as shown in FIG. 7A , a first insulating layer 410 , a metal layer 430 , and a second insulating layer 450 may be sequentially formed on the first substrate 10 . Here, the first insulating layer 410 may be formed of the same material as at least one of the buffer layer 11 and the gate insulating film 13 , and the metal layer 430 may be formed of the same material as the electrode of the transistor, and the second The insulating layer 450 may be formed of the same material as the interlayer insulating layer 15 .

그리고, 제1 기판(10)의 주변 영역에 배치된 제1 절연층(410), 금속층(430) 및 제2 절연층(450)에, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제2 및 제3 관통홀(TH2, TH3)을 형성할 수 있다. 상기한 제2 및 제3 관통홀(TH2, TH3)은 건식 식각 공정으로 형성될 수 있다. 제2 및 제3 관통홀(TH2, TH3)은 동일한 크기의 관통홀로서, 금속층(430)에도 관통홀이 형성된다. In addition, as shown in FIG. 7B , second and third penetrations through the first insulating layer 410 , the metal layer 430 , and the second insulating layer 450 disposed in the peripheral region of the first substrate 10 . Holes TH2 and TH3 may be formed. The second and third through holes TH2 and TH3 may be formed by a dry etching process. The second and third through-holes TH2 and TH3 are through-holes of the same size, and a through-hole is also formed in the metal layer 430 .

또한, 도 7c에 도시된 바와 같이, 금속층(430)에 제1 관통홀(TH1)을 형성할 수 있다. 제1 관통홀(TH1)은 습식 식각 공정으로 형성될 수 있다. 식각액으로 몰디브덴을 포함한 용액을 이용할 수 있다. 식각액을 제2 관통홀(TH2)에 유입시키고 일정 시간이 경과하면, 식각액에 의해 금속층(430)의 측면이 식각되어 금속층(430)에 제1 관통홀(TH1)이 형성될 수 있다. 제1 관통홀(TH1)의 반경은 제2 관통홀(TH2)의 반경보다 3㎛이상 크도록 습식 식각이 진행될 수 있다. Also, as shown in FIG. 7C , a first through hole TH1 may be formed in the metal layer 430 . The first through hole TH1 may be formed by a wet etching process. A solution containing molybdenum may be used as the etchant. When an etchant is introduced into the second through hole TH2 and a predetermined time elapses, the side surface of the metal layer 430 is etched by the etchant to form a first through hole TH1 in the metal layer 430 . The wet etching may be performed so that the radius of the first through hole TH1 is greater than the radius of the second through hole TH2 by 3 μm or more.

그리고 나서, 도 7d에 도시된 바와 같이, 밀봉 부재(30)를 형성하는 물질을 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)을 채우고, 밀봉 부재(30)를 이용하여 밀봉 부재(30)를 이용하여 제1 기판(10)과 제1 기판(10)에 대응하는 제2 기판(20)을 접합할 수 있다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 서로 정렬하고, 제2 기판(20)의 상부에서 자외선 또는 레이저 빔을 조사하게 되면, 제1 기판(10) 및 제2 기판(20) 사이에 배치된 밀봉 부재(30)가 경화된다. 자외선 또는 레이저 빔이 밀봉 부재(30)로 조사될 때, 제1 기판(10) 상에 밀봉 부재(30)에 대하여 중첩되게 형성된 금속층(430)은 레이저 빔을 반사시킨다. 이에 따라 밀봉 부재(30)는 제2 기판(20)의 상부로부터 조사되는 빔에 의하여 1차로 경화되고, 금속층(430)을 통하여 반사되는 레이저 빔에 의하여 2차로 경화된다. 따라서, 밀봉 부재(30)는 견고하게 경화될 수 있다. 뿐만 아니라, 제1 관통홀(TH1)에 채워진 밀봉 부재(30)를 제1 및 제2 절연층(410, 450)이 잡아주기 때문에 밀봉 부재(30)의 박리를 최소화할 수 있다. Then, as shown in FIG. 7D , the first and second through holes TH1 and TH2 are filled with a material forming the sealing member 30 , and the sealing member 30 is closed using the sealing member 30 . The first substrate 10 and the second substrate 20 corresponding to the first substrate 10 may be bonded using the same. When the first substrate 10 and the second substrate 20 are aligned with each other and an ultraviolet or laser beam is irradiated from the upper portion of the second substrate 20 , between the first substrate 10 and the second substrate 20 . The sealing member 30 disposed on the is cured. When the ultraviolet or laser beam is irradiated to the sealing member 30 , the metal layer 430 formed to overlap the sealing member 30 on the first substrate 10 reflects the laser beam. Accordingly, the sealing member 30 is primarily cured by the beam irradiated from the upper portion of the second substrate 20 , and is secondarily cured by the laser beam reflected through the metal layer 430 . Accordingly, the sealing member 30 may be hardened. In addition, since the first and second insulating layers 410 and 450 hold the sealing member 30 filled in the first through hole TH1 , peeling of the sealing member 30 may be minimized.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is only exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10 : 기판 11 : 버퍼층
13: 게이트 절연막 15: 층간 절연층
18: 화소 정의막 19: 대향 전극
20: 제2 기판 30: 밀봉 부재
60: 금층 70: 보강재
DA: 표시 영역 PA: 주변 영역
410: 제1 절연층 430: 금속층
450: 제2 절연층 HT1: 제1 관통홀
HT2: 제2 관통홀 TH3: 제3 관통홀
OLED: 유기 발광 소자 TR: 트랜지스터
Cst: 커패시터 10: substrate 11: buffer layer
13: gate insulating film 15: interlayer insulating layer
18: pixel defining layer 19: counter electrode
20: second substrate 30: sealing member
60: gold layer 70: reinforcing material
DA: Display area PA: Peripheral area
410: first insulating layer 430: metal layer
450: second insulating layer HT1: first through hole
HT2: second through hole TH3: third through hole
OLED: organic light emitting device TR: transistor
Cst: capacitor

Claims

a first substrate including a display area and a peripheral area;
a second substrate facing the first substrate;
a sealing member between the first substrate and the second substrate;
a transistor disposed on the first substrate and positioned in the display area;
a light emitting diode positioned in the display area and electrically connected to the transistor;
A first insulating layer on the first substrate and a metal layer disposed on the first insulating layer are disposed in the peripheral region, the metal layer being in contact with the sealing member,
The sealing member is
In a cross-sectional view, a first portion and a second portion are arranged along a direction from the second substrate to the first substrate, wherein the second portion of the sealing member has a greater width than the width of the first portion. having, an organic light emitting display device.

The method of claim 1,
The first insulating layer includes a first through hole provided in the peripheral region, the metal layer includes a second through hole provided in the peripheral region,
The first through hole and the second through hole overlap each other and overlap the sealing member.

3. The method of claim 2,
A part of the sealing member,
The organic light emitting diode display is present in the second through hole of the metal layer.

4. The method of claim 3,
A side surface of the metal layer defining the second through hole is covered by the sealing member.

3. The method of claim 2,
and a width of the first through hole and a width of the second through hole are different from each other.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
and a width of the first through hole and a width of the second through hole are smaller than a width of the sealing member.

The method of claim 1,
and the metal layer includes the same material as the gate electrode of the transistor.

8. The method of claim 1 or 7,
and the metal layer is disposed on the same layer as the gate electrode of the transistor.

The method of claim 1,
and the metal layer includes the same material as a drain electrode or a source electrode of the transistor.

10. The method of claim 1 or 9,
and the metal layer is disposed on the same layer as a drain electrode or a source electrode of the transistor.

The method of claim 1,
The first insulating layer includes an inorganic material.