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KR102466056B1 - Method of manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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KR102466056B1
KR102466056B1 KR1020170121612A KR20170121612A KR102466056B1 KR 102466056 B1 KR102466056 B1 KR 102466056B1 KR 1020170121612 A KR1020170121612 A KR 1020170121612A KR 20170121612 A KR20170121612 A KR 20170121612A KR 102466056 B1 KR102466056 B1 KR 102466056B1
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KR
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semiconductor wafer
adhesive
grinding
semiconductor
trimming
Prior art date
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KR1020170121612A
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Korean (ko)
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KR20180033088A (en
Inventor
타카히코 미츠이
에이치 야마모토
Original Assignee
가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼
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Abstract

반도체 웨이퍼의 두께를 균일하게 하는 것 및 단부의 파손을 억제하면서 반도체 웨이퍼를 박화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치를 제공한다. 볼록부(11)가 형성된 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착제(12)를 도포하는 공정(S20)과, 반도체 웨이퍼(10)에 도포된 접착제(12)의 표면을 연삭하는 공정(S30)과, 접착제(12)가 도포된 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 접착제(12)와 함께 트리밍하는 공정(S40)과, 접착제(12)의 표면이 연삭되어 주위 단부가 트리밍된 반도체 웨이퍼(10)를 접착제(12)를 개재하여 서포트 기판(13)에 첩부하는 공정(S50)과, 서포트 기판(13)에 첩부된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하는 공정(S60)을 구비한다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)의 단부의 파손을 억제하면서 반도체 웨이퍼(10)를 박화할 수 있다.Provided are a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor manufacturing device capable of thinning a semiconductor wafer while making the thickness of the semiconductor wafer uniform and suppressing breakage of the edge portion. A step of applying the adhesive 12 to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 on which the convex portion 11 is formed (S20), and a step of grinding the surface of the adhesive 12 applied to the semiconductor wafer 10 ( S30), a step (S40) of trimming the peripheral end of the semiconductor wafer 10 to which the adhesive 12 is applied together with the adhesive 12, and a semiconductor wafer in which the surface of the adhesive 12 is ground and the peripheral end is trimmed A step (S50) of attaching (10) to the support substrate 13 via an adhesive (12), and a step (S60) of grinding the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 affixed to the support substrate 13 (S60) to provide Thereby, the thickness of the semiconductor wafer 10 can be made uniform. Moreover, the semiconductor wafer 10 can be thinned, suppressing the breakage of the edge part of the semiconductor wafer 10.

Figure 112017092120545-pat00001
Figure 112017092120545-pat00001

Description

반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}The manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor manufacturing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus.

종래, 반도체 장치의 집적율을 높이기 위해, 표면에 회로 등이 형성된 반도체 웨이퍼의 회로 등이 형성되어 있지 않은 이면을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼가 박화되어 있다. 또한, 적층된 복수 장의 반도체 칩을 포함하는 3차원 실장되는 반도체 장치의 제조 방법에서는, 관통 전극(TSV: Through Silicon Via)이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 관통 전극의 두부 노출을 행하는 것이 알려져 있다. Conventionally, in order to raise the integration rate of a semiconductor device, a semiconductor wafer is thinned by grinding the back surface of the semiconductor wafer in which the circuit etc. were not formed in the surface in which the circuit etc. were formed. Further, in a method for manufacturing a semiconductor device to be three-dimensionally mounted including a plurality of stacked semiconductor chips, it is known that the head of the through electrode is exposed by grinding the back surface of a semiconductor wafer on which a through electrode (TSV) is formed. have.

예를 들면, 일본 공개특허공보 2015-32679호에는 반도체 장치의 제조 방법이 기재되어 있다. 이 제조 방법에 있어서의 구리 관통 전극의 두부 노출 가공에서는, 구리 관통 전극이 형성된 실리콘 기판의 이면을 컵 휠형 지석(砥石)에 의해 연삭된다. 이로써, 실리콘 및 구리가 동시에 제거된다. 이 문헌에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에서는 실리콘 기판의 이면을 연삭하기 전에, 실리콘 기판의 표면이 접착제 시트재 또는 접착제를 사용하여 연삭 장치의 기판 척에 첩부된다. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-32679 discloses a method for manufacturing a semiconductor device. In the head exposure processing of the copper through electrode in this manufacturing method, the back surface of the silicon substrate on which the copper through electrode was formed is ground with a cup wheel-shaped grindstone. Thereby, silicon and copper are simultaneously removed. In the method for manufacturing a semiconductor device described in this document, before grinding the back surface of the silicon substrate, the surface of the silicon substrate is affixed to the substrate chuck of the grinding apparatus using an adhesive sheet material or an adhesive.

그러나, 상기한 종래 기술과 같은 실리콘 기판의 표면에 접착제 시트재 등을 첩부하는 방법에는, 반도체 칩을 박화하여 반도체 장치의 집적율을 높이기 위해 개선해야 할 점이 있었다. However, in the method of attaching an adhesive sheet material or the like to the surface of a silicon substrate as in the prior art described above, there is a point to be improved in order to increase the integration rate of the semiconductor device by thinning the semiconductor chip.

구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 표면에 범프 등의 볼록부가 형성되는 경우가 있다. 이 경우, 당해 볼록부의 영향을 받아, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되는 접착제 시트 등의 표면에 요철이 생긴다. 이 때문에, 기판 척에 반도체 웨이퍼를 첩부한 후, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때에, 반도체 웨이퍼의 두께에 편차가 생긴다고 하는 문제점이 있었다. Concretely, convex parts, such as a bump, may be formed in the surface of a semiconductor wafer. In this case, under the influence of the said convex part, unevenness arises on surfaces, such as an adhesive agent sheet affixed on the surface of a semiconductor wafer. For this reason, there existed a problem that the thickness of a semiconductor wafer produced dispersion|variation when grinding the back surface of a semiconductor wafer after affixing a semiconductor wafer to a board|substrate chuck.

이와 같이, 반도체 웨이퍼의 두께에 편차가 생기는 것은 반도체 장치의 품질을 저하시키는 요인이 된다. 특히, 이것은 3차원 실장되는 반도체 장치에 있어서는 각 층간의 접점 불량을 일으킬 우려가 있다. 종래 기술의 제조 방법에서는, 반도체 웨이퍼의 두께의 편차를 억제하면서 추가적인 박화를 도모하는 것이 용이하지 않았다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면을 균일하게 연삭하는 기술을 개발하는 것이 반도체 장치의 집적율을 높이는 데 있어서 과제로 되어 있었다. As described above, the occurrence of variations in the thickness of the semiconductor wafer is a factor that deteriorates the quality of the semiconductor device. In particular, in a semiconductor device to be three-dimensionally mounted, there is a risk of causing a contact defect between layers. In the manufacturing method of the prior art, it was not easy to achieve additional thinning while suppressing the dispersion|variation in the thickness of a semiconductor wafer. For this reason, developing a technique for uniformly grinding the back surface of a semiconductor wafer has become a subject in raising the integration rate of a semiconductor device.

또한, 반도체 웨이퍼의 두께를 균일하게 하기 위해, 이하의 방법이 고려된다. 즉, 연삭 중에 반도체 웨이퍼의 두께 등을 측정한다. 그 측정 결과에 따라, 지석과 반도체 웨이퍼의 접촉 방법 등을 변화시킨다. 그러나, 이 방법에서는 반도체 웨이퍼의 두께를 측정하는 장치 및 지석의 위치를 고도로 조정하기 위한 장치 등을 필요로 한다. 이 때문에, 연삭 장치가 고가가 된다. In addition, in order to make the thickness of a semiconductor wafer uniform, the following method is considered. That is, the thickness of a semiconductor wafer, etc. are measured during grinding. According to the measurement result, the contact method of a grindstone and a semiconductor wafer, etc. are changed. However, this method requires an apparatus for measuring the thickness of a semiconductor wafer, an apparatus for highly adjusting the position of a grindstone, and the like. For this reason, the grinding apparatus becomes expensive.

또한, 이면이 연삭되기 전의 반도체 웨이퍼의 주위 단부 근방에는 박육되어 있는 부분이 있다. 이 부분은, 예를 들면, 둥근 엣지부 및 경사가 형성된 단면이다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭했을 때에, 반도체 웨이퍼의 주위 단부 근방에는 다른 부분보다도 얇은 부분이 형성되게 된다. 이 때문에, 단부의 파손, 즉, 칩핑이 발생되기 쉽다고 하는 문제점이 있었다. In addition, there is a thin portion in the vicinity of the peripheral end of the semiconductor wafer before the back surface is ground. This part is, for example, a cross section in which a rounded edge part and a slope were formed. For this reason, when the back surface of a semiconductor wafer is ground, a part thinner than other parts will be formed in the vicinity of the peripheral edge part of a semiconductor wafer. For this reason, there existed a problem that the breakage of an edge part, ie, chipping, was easy to generate|occur|produce.

본 발명은 상기의 사정을 감안하여 이루어졌다. 본 발명에 있어서의 하나의 목적은, 반도체 웨이퍼의 두께를 균일하게 하는 것 및 단부의 파손을 억제하면서 반도체 웨이퍼를 박화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치를 제공하는 것에 있다. The present invention has been made in view of the above circumstances. One object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus capable of thinning a semiconductor wafer while making the thickness of the semiconductor wafer uniform and suppressing breakage of the edge portion.

본 발명의 일 양태에 따른 반도체 장치의 제조 방법(본 제조 방법)은, 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 접착제를 도포하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 접착제의 표면을 연삭하는 공정과, 상기 접착제가 도포된 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 상기 접착제와 함께 트리밍하는 공정과, 상기 접착제의 표면이 연삭되어 상기 주위 단부가 트리밍된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 접착제를 개재하여 서포트 기판에 첩부하는 공정과, 상기 서포트 기판에 첩부된 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 구비한다. A method for manufacturing a semiconductor device (this manufacturing method) according to an aspect of the present invention comprises the steps of: applying an adhesive to the surface of a semiconductor wafer on which convex portions are formed; and grinding the surface of the adhesive applied to the semiconductor wafer; a step of trimming the peripheral end of the semiconductor wafer to which the adhesive is applied together with the adhesive, and a step of attaching the semiconductor wafer to which the surface of the adhesive is ground and the peripheral edge is trimmed to a support substrate through the adhesive; and grinding the back surface of the semiconductor wafer affixed to the support substrate.

또한, 본 발명의 일 양태에 따른 반도체 제조 장치(본 제조 장치)는, 표면에 볼록부를 갖고, 상기 표면에 접착제가 도포된 반도체 웨이퍼를 흡착 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 흡착 유지된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 접착제의 표면을 연삭하는 접착제 연삭 공구와, 상기 척 테이블에 흡착 유지된 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 상기 접착제와 함께 트리밍하는 연마 테이프를 구비한다. In addition, a semiconductor manufacturing apparatus (this manufacturing apparatus) according to an aspect of the present invention includes a chuck table having a convex portion on a surface and adsorbing and holding a semiconductor wafer coated with an adhesive on the surface; an adhesive grinding tool for grinding the surface of the adhesive on a semiconductor wafer; and a polishing tape for trimming the peripheral end of the semiconductor wafer adsorbed and held on the chuck table together with the adhesive.

본 제조 방법은 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 접착제를 도포하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 접착제의 표면을 연삭하는 공정을 구비한다. 이로써, 도포된 접착제의 표면을 평탄하게 할 수 있다. 또한, 접착제층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 따라서, 이면이 연삭된 후의 반도체 웨이퍼의 두께를 고정밀도로 맞출 수 있다. This manufacturing method is equipped with the process of apply|coating the adhesive agent to the surface of the semiconductor wafer in which the convex part was formed, and the process of grinding the surface of the said adhesive agent apply|coated to the said semiconductor wafer. Thereby, the surface of the applied adhesive agent can be made flat. Moreover, the thickness of an adhesive bond layer can be made uniform. Therefore, the thickness of the semiconductor wafer after the back surface is ground can be matched with high precision.

또한, 본 제조 방법은 상기 접착제가 도포된 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 상기 접착제와 함께 트리밍하는 공정을 구비한다. 이로써, 반도체 웨이퍼의 주위 단부 근방의 둥근 부분 및 경사를 제거할 수 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼를 얇게 연삭할 때의 단부 근방의 칩핑을 억제할 수 있다. 또한, 접착제가 도포된 후에 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 트리밍한다. 이로써, 반도체 웨이퍼의 주위 단부와 함께 접착제의 단부를 트리밍할 수 있다. 이 때문에, 접착제층의 단부 근방의 둥근 부분을 제거할 수 있다. 이 때문에, 접착제층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 단부 근방이 얇아지는 것을 억제할 수 있다. The manufacturing method also includes a step of trimming the peripheral end of the semiconductor wafer to which the adhesive has been applied together with the adhesive. Thereby, it is possible to remove the round portion and the inclination in the vicinity of the peripheral end of the semiconductor wafer. For this reason, chipping in the vicinity of the edge part at the time of grinding a semiconductor wafer thinly can be suppressed. Further, the peripheral end of the semiconductor wafer is trimmed after the adhesive is applied. Thereby, it is possible to trim the end of the adhesive together with the peripheral end of the semiconductor wafer. For this reason, the round part near the edge part of an adhesive bond layer can be removed. For this reason, the thickness of an adhesive bond layer can be made uniform. As a result, it can suppress that the edge part vicinity of a semiconductor wafer becomes thin.

또한, 본 제조 방법은 상기 접착제의 표면이 연삭되어 주위 단부가 트리밍된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 접착제를 개재하여 서포트 기판에 첩부하는 공정과, 상기 서포트 기판에 첩부된 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 구비한다. 이와 같이, 본 제조 방법에서는 반도체 웨이퍼 상의 접착제의 표면이 연삭되고, 추가로 반도체 웨이퍼의 주위 단부가 트리밍된 후에, 반도체 웨이퍼에 서포트 기판을 첩부하여 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭한다. 이로써, 반도체 웨이퍼의 두께를 균일하게 할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼의 파손을 억제할 수 있다. 그 결과, 본 제조 방법에서는 종래 기술의 반도체 웨이퍼보다도 얇고, 또한 고품질의 반도체 웨이퍼를 제조할 수 있다. Further, the present manufacturing method includes a step of adhering the semiconductor wafer, on which the surface of the adhesive has been ground and the peripheral end thereof is trimmed, to a support substrate through the adhesive, and a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer attached to the support substrate. to provide Thus, in this manufacturing method, after the surface of the adhesive agent on a semiconductor wafer is ground and the peripheral edge part of a semiconductor wafer is trimmed, a support substrate is affixed to a semiconductor wafer, and the back surface of a semiconductor wafer is ground. Thereby, while being able to make the thickness of a semiconductor wafer uniform, damage to a semiconductor wafer can be suppressed. As a result, in this manufacturing method, it is possible to manufacture a semiconductor wafer of higher quality and thinner than a semiconductor wafer of the prior art.

또한, 본 제조 방법에서는 상기 접착제의 표면을 연삭하는 공정은, 상기 접착제의 표면을 연삭하는 접착제 연삭 공구에 세정수를 취부하는 것을 포함해도 된다. 이로써, 접착제 연삭 공구에 부착된 접착제의 절삭 찌꺼기를 세정수로 제거하면서, 접착제 연삭 공구에 의해 접착제를 연삭할 수 있다. 이 때문에, 접착제의 표면을 고정밀도로, 또한 용이하게 연삭할 수 있다. In addition, in this manufacturing method, the process of grinding the surface of the said adhesive agent may include attaching washing water to the adhesive grinding tool which grinds the surface of the said adhesive agent. Thereby, the adhesive agent grinding tool can grind the adhesive agent, removing the cutting residue of the adhesive agent adhering to the adhesive agent grinding tool with washing water. For this reason, the surface of an adhesive agent can be grind|ground with high precision and easily.

또한, 본 제조 방법에 의하면, 상기 세정수는 상기 접착제 연삭 공구의 상기 접착제의 표면에서 이격된 지석의 날끝에 취부되어도 된다. 이로써, 접착제의 절삭 찌꺼기가 접착제의 표면에 재부착되는 것이 억제된다. 그 결과, 접착제의 표면을 평탄하게 하는 것 및 접착제층의 두께를 고정밀도로 마감할 수 있다. Moreover, according to this manufacturing method, the said washing water may be attached to the blade edge of the grindstone spaced apart from the surface of the said adhesive agent of the said adhesive grinding tool. Thereby, re-adhesion of the cutting slag of the adhesive to the surface of the adhesive is suppressed. As a result, the surface of the adhesive can be leveled and the thickness of the adhesive layer can be finished with high precision.

또한, 본 제조 방법에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼는 관통 전극을 갖고, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정은 상기 반도체 웨이퍼와 상기 관통 전극을 동시에 연삭하는 것을 포함해도 된다. 이로써, 반도체 웨이퍼의 박화 공정과, 관통 전극의 두부 노출 공정을 동시에 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 두께를 균일하게 할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼에 형성된 관통 전극의 높이를 균일하게 할 수 있다. Moreover, according to this manufacturing method, the said semiconductor wafer has a through electrode, and the process of grinding the back surface of the said semiconductor wafer may include grinding the said semiconductor wafer and the said through electrode simultaneously. Thereby, the process of thinning the semiconductor wafer and the process of exposing the head of the through electrode can be efficiently performed simultaneously. In addition, the thickness of the semiconductor wafer can be made uniform, and the height of the through electrodes formed on the semiconductor wafer can be made uniform.

또한, 이 경우, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정은, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 웨이퍼 연삭 공구에 세정수를 취부하는 것을 포함해도 된다. 웨이퍼 연삭 공구에 세정수를 취부함으로써, 반도체 웨이퍼의 오염을 억제할 수 있다. 따라서, 고집적율을 갖는 소형의 3차원 실장되는 반도체 장치를 효율적으로 고품질로 제조할 수 있다. In addition, in this case, the process of grinding the back surface of the said semiconductor wafer may include applying washing water to the wafer grinding tool which grinds the back surface of the said semiconductor wafer. By attaching the washing water to the wafer grinding tool, contamination of the semiconductor wafer can be suppressed. Accordingly, a small, three-dimensionally mounted semiconductor device having a high integration rate can be efficiently manufactured with high quality.

또한, 본 제조 장치는 표면에 볼록부를 갖고, 상기 표면에 접착제가 도포된 반도체 웨이퍼를 흡착 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 흡착 유지된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 접착제의 표면을 연삭하는 접착제 연삭 공구와, 상기 척 테이블에 흡착 유지된 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 상기 접착제와 함께 트리밍하는 연마 테이프를 구비한다. 이로써, 하나의 장치로 반도체 웨이퍼의 표면에 도포된 접착제의 표면의 연삭과, 반도체 웨이퍼의 주위 단부의 트리밍을 효율적으로 행할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼를 고정밀도로 박화하는 제조 방법에 있어서의 생산 효율을 높일 수 있음과 함께, 설비 비용의 증대를 억제할 수 있다. In addition, the present manufacturing apparatus has a convex portion on the surface, a chuck table for adsorbing and holding a semiconductor wafer coated with an adhesive on the surface, and an adhesive grinding tool for grinding the surface of the adhesive of the semiconductor wafer adsorbed and held by the chuck table and an abrasive tape for trimming the peripheral end of the semiconductor wafer adsorbed and held on the chuck table together with the adhesive. Thereby, grinding of the surface of the adhesive agent applied to the surface of a semiconductor wafer and trimming of the peripheral edge part of a semiconductor wafer can be performed efficiently with one apparatus. Therefore, while being able to raise the production efficiency in the manufacturing method which thins a semiconductor wafer with high precision, increase in facility cost can be suppressed.

또한, 본 제조 장치는 상기 접착제 연삭 공구에 세정수를 취부하는 세정액 분사 장치를 추가로 구비해도 된다. 이로써, 접착제의 표면을 고정밀도, 고품질, 또한 용이하게 연삭할 수 있다. Moreover, this manufacturing apparatus may further be equipped with the washing|cleaning liquid spraying device which attaches washing|cleaning water to the said adhesive grinding tool. Thereby, the surface of an adhesive agent can be grind|ground with high precision, high quality, and easily.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 공정을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용되는 접착제 연삭 장치의 개략 구성을 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용되는 엣지 트리밍 장치의 개략 구성을 나타내는 정면도이다.
도 4a는 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서 사용되는 접착제 연삭 장치의 다른 예를 나타내는 정면도이며, 도 4b는 동일한 평면도이다.
도 5a∼c는 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 따른 반도체 웨이퍼를 나타낸다. 도 5a는 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 개략도이다. 도 5b는 접착제가 도포된 반도체 웨이퍼의 개략도이다. 도 5c는 반도체 웨이퍼 상의 접착제가 연삭되는 모습을 나타내는 개략도이다.
도 6a∼c는 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 따른 반도체 웨이퍼를 나타낸다. 도 6a는 반도체 웨이퍼의 주위 단부가 트리밍되는 모습을 나타내는 개략도이다. 도 6b는 서포트 기판이 첩부된 반도체 웨이퍼의 개략도이다. 도 6c는 반도체 웨이퍼의 이면이 연삭되는 모습을 나타내는 개략도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
It is a front view which shows the schematic structure of the adhesive agent grinding apparatus used in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment of this invention.
3 is a front view showing a schematic configuration of an edge trimming device used in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4A is a front view showing another example of an adhesive grinding apparatus used in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and Fig. 4B is a plan view of the same.
5A to 5C show semiconductor wafers according to a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 5A is a schematic diagram of a semiconductor wafer on which a circuit is formed. 5B is a schematic diagram of a semiconductor wafer to which an adhesive is applied. 5C is a schematic diagram illustrating a state in which an adhesive on a semiconductor wafer is ground.
6A to 6C show semiconductor wafers according to a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 6A is a schematic diagram illustrating a state in which a peripheral end of a semiconductor wafer is trimmed. 6B is a schematic diagram of a semiconductor wafer to which a support substrate is affixed. 6C is a schematic view showing a state in which the back surface of the semiconductor wafer is ground.

이하, 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치를 도면을 기초로 상세히 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 공정을 나타내는 순서도이다. 이 순서도는 상세하게는, 표면(10a)(도 5a 참조)에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(10)(도 5a 참조)를 박화하는 공정에 관한 것이다. 본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 특히, 표면(10a)에 볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(도 5a 참조)을 연삭하는 경우에 적합하다. 1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. This flowchart specifically relates to the process of thinning the semiconductor wafer 10 (refer FIG. 5A) in which the circuit was formed in the surface 10a (refer FIG. 5A). The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment is particularly suitable for grinding the back surface 10b (refer to FIG. 5A ) of the semiconductor wafer 10 in which the convex portions are formed on the front surface 10a.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 회로 형성 공정(S10)과, 접착제 도포 공정(S20)과, 접착제 연삭 공정(S30)과, 단부 트리밍 공정(S40)과, 서포트 기판 첩부 공정(S50)과, 이면 연삭 공정(S60)과, 서포트 기판 제거 공정(S70)을 구비한다. As shown in FIG. 1, the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment includes a circuit formation process (S10), an adhesive agent application process (S20), an adhesive agent grinding process (S30), an edge part trimming process (S40), , a support substrate sticking process (S50), a back surface grinding process (S60), and a support substrate removal process (S70) are provided.

우선, 회로 형성 공정(S10)에서는 종래의 방법에 따라 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 회로가 형성된다. 반도체 웨이퍼(10)로는, 예를 들면, 720㎛에서 770㎛의 두께를 갖는 실리콘(Si) 기판이 사용된다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)에는 관통 전극이 형성되어도 된다. 이 경우, 관통 전극은 회로 형성 공정(S10)에서 형성된다. First, in the circuit forming step ( S10 ), a circuit is formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 according to a conventional method. As the semiconductor wafer 10, for example, a silicon (Si) substrate having a thickness of 720 µm to 770 µm is used. In addition, a through electrode may be formed in the semiconductor wafer 10 . In this case, the through electrode is formed in the circuit forming process ( S10 ).

다음으로, 접착제 도포 공정(S20)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 회로 등이 형성된 면(즉, 표면(10a))에 접착제(12)(도 5b 참조)가 도포된다. 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착제(12)를 도포함으로써, 접착제(12)에 의해 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 회로가 보호된다. 또한, 접착제(12)에 의해 반도체 웨이퍼(10)를 후술하는 서포트 기판(13)(도 6b 참조)에 첩부할 수 있다. Next, in the adhesive application step S20 , the adhesive 12 (refer to FIG. 5B ) is applied to the surface (ie, the surface 10a ) of the semiconductor wafer 10 on which circuits and the like are formed. By applying the adhesive 12 to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 , the circuit formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is protected by the adhesive 12 . Moreover, the semiconductor wafer 10 can be stuck to the support substrate 13 (refer FIG. 6B) mentioned later with the adhesive agent 12. FIG.

반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 도포된 접착제(12)가 경화된 후, 접착제 연삭 공정(S30)이 행해진다. 접착제 연삭 공정(S30)에서는 후술하는 접착제 연삭 장치(20)(도 2 참조)를 사용하여 접착제(12)의 표면이 연삭된다. 한편, 후술하는 바와 같이, 접착제 연삭 공정(S30)은 접착제(12)의 표면을 연삭하는 접착제 연삭 공구에 세정수를 취부하는 것을 포함해도 된다. After the adhesive 12 applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is cured, an adhesive grinding step S30 is performed. In the adhesive grinding process (S30), the surface of the adhesive agent 12 is ground using the adhesive grinding machine 20 (refer FIG. 2) mentioned later. On the other hand, as described later, the adhesive grinding step ( S30 ) may include attaching washing water to the adhesive grinding tool for grinding the surface of the adhesive 12 .

그리고 이어서, 단부 트리밍 공정(S40)에서는 후술하는 엣지 트리밍 장치(40)(도 3 참조)에 의해 반도체 웨이퍼(10)의 단부가 연삭 혹은 연마된다. 이 때, 접착제(12)도 동시에 연삭 혹은 연마된다. 한편, 접착제 연삭 공정(S30)과 단부 트리밍 공정(S40)은 순번을 바꾸어 실행되어도 된다. 즉, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착제(12)가 도포된 후에, 반도체 웨이퍼(10)의 단부의 트리밍이 행해지고, 그 후에 접착제(12)의 표면이 연삭되어도 된다. And then, in the edge trimming process S40, the edge part of the semiconductor wafer 10 is ground or polished by the edge trimming apparatus 40 (refer FIG. 3) mentioned later. At this time, the adhesive 12 is also ground or polished at the same time. In addition, the adhesive grinding process (S30) and the edge part trimming process (S40) may be performed in reverse order. That is, after the adhesive agent 12 is applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 , trimming of the end portion of the semiconductor wafer 10 may be performed, and then the surface of the adhesive agent 12 may be ground.

다음으로, 서포트 기판 첩부 공정(S50)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 서포트 기판(13)이 첩부된다. 서포트 기판(13)이 첩부됨으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측을 이면 연삭 장치 등에 고정할 수 있다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 연삭 및 얇게 연삭된 후의 반도체 웨이퍼(10)의 반송 등을 용이하게 실시할 수 있다. Next, in the support substrate sticking process S50, the support substrate 13 is affixed on the surface 10a side of the semiconductor wafer 10. By affixing the support substrate 13 , the front surface 10a side of the semiconductor wafer 10 can be fixed to a back surface grinding apparatus or the like. Thereby, grinding of the semiconductor wafer 10, conveyance of the semiconductor wafer 10 after grinding, etc. can be performed easily.

그리고 이어서, 이면 연삭 공정(S60)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 연삭 혹은 연마된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)가 박화된다. 한편, 반도체 웨이퍼(10)에 관통 전극이 형성되어 있는 경우에는, 이면 연삭 시에 반도체 웨이퍼(10)와 관통 전극이 동시에 연삭된다. 또한, 이면 연삭 공정(S60)에서는 접착제 연삭 장치(20)와 동등한 장치가 사용된다. 즉, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)의 연삭과 접착제(12)의 연삭에 동일한 장치가 사용되어도 된다. 한편, 후술하는 바와 같이, 이면 연삭 공정(S60)은 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하는 웨이퍼 연삭 공구에 세정수를 취부하는 것을 포함해도 된다. Then, in the backside grinding step S60 , the backside 10b of the semiconductor wafer 10 is ground or polished. Thereby, the semiconductor wafer 10 is thinned. On the other hand, when the through electrode is formed on the semiconductor wafer 10 , the semiconductor wafer 10 and the through electrode are simultaneously ground during back surface grinding. In addition, in the back surface grinding process S60, the apparatus equivalent to the adhesive agent grinding apparatus 20 is used. That is, the same apparatus may be used for grinding of the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 and grinding|polishing of the adhesive agent 12. FIG. In addition, as mentioned later, the back surface grinding process S60 may also include attaching washing water to the wafer grinding tool which grinds the back surface 10b of the semiconductor wafer 10.

한편, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)의 연삭이 종료된 후, 마무리 공정 및/또는 검사 공정 등이 실행되어도 된다. 마무리 공정은, 예를 들면, 관통 전극의 두면에 캡층을 형성하는 공정, 캡층이 형성되어 있지 않은 실리콘면을 알칼리 에칭 또는 화학적 기계 연마(CMP) 가공함으로써 관통 전극의 제2차 두부 노출을 행하는 공정, 및 이면(10b)에 절연막을 퇴적한 후에 연마 가공 또는 에칭 가공에 의해 관통 전극의 두면의 절연막을 제거하는 공정을 포함한다. In addition, after the grinding of the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is complete|finished, a finishing process and/or an inspection process etc. may be performed. The finishing step is, for example, a step of forming a cap layer on both surfaces of the through electrode, and a step of performing secondary head exposure of the through electrode by performing alkali etching or chemical mechanical polishing (CMP) on the silicon surface on which the cap layer is not formed. and removing the insulating film on both surfaces of the through electrode by polishing or etching after depositing the insulating film on the back surface 10b.

서포트 기판 제거 공정(S70)에서는 반도체 웨이퍼(10)로부터 서포트 기판(13)이 제거된다. 이 때, 사용하고 있는 접착제(12)의 특성에 따라 접착제(12)의 접착력을 저하시키기 위해, 예를 들면, 자외선 조사, 혹은 용제 또는 박리제 등의 공급이 행해진다. In the support substrate removal process ( S70 ), the support substrate 13 is removed from the semiconductor wafer 10 . At this time, in order to reduce the adhesive force of the adhesive agent 12 according to the characteristic of the adhesive agent 12 being used, for example, ultraviolet irradiation or supply of a solvent, a release agent, etc. is performed.

제거된 반도체 웨이퍼(10)는 다른 반도체 웨이퍼 등에 적층되어도 된다. 반도체 웨이퍼(10)가 제거된 후(혹은 반도체 웨이퍼(10)가 다른 반도체 웨이퍼 등에 적층된 후), 다이싱 공정, 칩 마운팅 공정, 와이어 본딩 공정, 몰드 공정, 트림 공정 및 검사 공정 등의 각종 후 공정을 거쳐 반도체 장치가 완성된다. The removed semiconductor wafer 10 may be laminated on another semiconductor wafer or the like. After the semiconductor wafer 10 is removed (or after the semiconductor wafer 10 is laminated on another semiconductor wafer, etc.), after various processes such as a dicing process, a chip mounting process, a wire bonding process, a mold process, a trim process, and an inspection process A semiconductor device is completed through the process.

도 2는 접착제 연삭 장치(20)의 개략 구성을 나타내는 정면도이다. 접착제 연삭 장치(20)는 상술한 도 1에 나타내는 접착제 연삭 공정(S30)에 있어서, 접착제(12)의 표면을 연삭하는 장치이다. 2 : is a front view which shows the schematic structure of the adhesive agent grinding apparatus 20. As shown in FIG. The adhesive grinding apparatus 20 is an apparatus which grinds the surface of the adhesive agent 12 in the adhesive agent grinding process S30 shown in FIG. 1 mentioned above.

도 2에 나타내는 바와 같이, 접착제 연삭 장치(20)는 지석(22)을 갖는다. 지석(22)은 척 테이블(30)(후술)에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 접착제(12)를 연삭하기 위한 접착제 연삭 공구이다. 지석(22)은, 예를 들면, 컵 휠형 연삭 지석이다. 지석(22)은 연삭 헤드(21)의 대략 수평한 하면에 형성된다. 연삭 헤드(21)는 회전축(23)에 접속되어 회전 구동된다. As shown in FIG. 2 , the adhesive grinding device 20 has a grindstone 22 . The grindstone 22 is an adhesive grinding tool for grinding the adhesive 12 of the semiconductor wafer 10 adsorbed and held by the chuck table 30 (described later). The grindstone 22 is, for example, a cup wheel type grinding wheel. The grindstone 22 is formed on the substantially horizontal lower surface of the grinding head 21 . The grinding head 21 is connected to the rotating shaft 23 and rotationally driven.

지석(22)의 지립(砥粒)은 연삭하는 접착제(12)에 따라 적절히 선정된다. 지석(22)의 지립으로는, 예를 들면, 지번 #300∼#1,200의 다이아몬드, 입방정 질화붕소(cBN) 및 탄화규소(SiC)가 사용된다. 또한, 지립을 고정하는 결합재로는 비트리파이드 본드, 메탈 본드 및 레진 본드 등이 사용된다. The abrasive grains of the grindstone 22 are appropriately selected according to the adhesive 12 to be ground. As the abrasive grains of the grindstone 22, for example, diamonds of lot numbers #300 to #1,200, cubic boron nitride (cBN), and silicon carbide (SiC) are used. In addition, as a binder for fixing the abrasive grains, vitrified bonds, metal bonds, resin bonds, and the like are used.

회전축(23)은 연삭 헤드(21)의 상부에 접속된다. 이 회전축(23)에는, 예를 들면, 도시하지 않은 모터가 접속된다. 당해 모터가 구동함으로써, 회전축(23) 및 연삭 헤드(21)가 회전한다. 이로써, 지석(22)이 소정의 속도로 회전 이동하여, 지석(22)의 날끝이 접착제(12)의 표면에 마찰되어 소정량의 접착제(12)가 제거된다. The rotating shaft 23 is connected to the upper part of the grinding head 21 . A motor (not shown) is connected to the rotating shaft 23, for example. When the said motor drives, the rotating shaft 23 and the grinding head 21 rotate. Thereby, the grindstone 22 rotates at a predetermined speed, the blade edge of the grindstone 22 rubs against the surface of the adhesive 12 , and a predetermined amount of the adhesive 12 is removed.

또한, 접착제 연삭 장치(20)는 반도체 웨이퍼(10)를 재치하기 위한 척 테이블(30)을 갖는다. 척 테이블(30)의 상면에는 반도체 웨이퍼(10)를 유지하기 위한 기판 척(31)이 형성되어 있다. 기판 척(31)의 상면 및 기판 척(31)을 둘러싸는 척 테이블(30)의 상면은 서로 대략 동일 평면, 또는 대략 수평으로 형성된다. Further, the adhesive grinding apparatus 20 has a chuck table 30 for mounting the semiconductor wafer 10 . A substrate chuck 31 for holding the semiconductor wafer 10 is formed on the upper surface of the chuck table 30 . The upper surface of the substrate chuck 31 and the upper surface of the chuck table 30 surrounding the substrate chuck 31 are formed to be substantially coplanar with each other or substantially horizontal.

기판 척(31)은, 예를 들면, 다공질 세라믹으로 이루어지는 판상체이다. 기판 척(31)의 하방이 되는 척 테이블(30)의 내부에는 기판 척(31)에 연결되는 유체실(33)이 형성되어 있다. 유체실(33)에는 탈기관(34) 및 급수관(35)이 접속된다. 탈기관(34)에는 도시하지 않은 진공 펌프 등이 접속된다. 급수관(35)에는 도시하지 않은 급수 펌프 등이 접속된다. The substrate chuck 31 is, for example, a plate-shaped body made of porous ceramic. A fluid chamber 33 connected to the substrate chuck 31 is formed in the chuck table 30 positioned below the substrate chuck 31 . A deaeration pipe 34 and a water supply pipe 35 are connected to the fluid chamber 33 . A vacuum pump (not shown) or the like is connected to the deaerator 34 . A water supply pump or the like (not shown) is connected to the water supply pipe 35 .

이러한 구성에서는, 상기 진공 펌프 등에 의해 탈기관(34)을 개재하여 유체실(33) 내의 공기를 배출함으로써 유체실(33)이 감압된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 기판 척(31)에 흡착되어 유지된다. 즉, 척 테이블(30)의 상면에 기판 척(31)을 개재하여 반도체 웨이퍼(10)가 고정된다. In this configuration, the pressure in the fluid chamber 33 is reduced by discharging the air in the fluid chamber 33 through the deaeration pipe 34 by the vacuum pump or the like. Thereby, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is adsorbed and held by the substrate chuck 31 . That is, the semiconductor wafer 10 is fixed to the upper surface of the chuck table 30 with the substrate chuck 31 interposed therebetween.

기판 척(31)에 의한 흡착을 해제하여 반도체 웨이퍼(10)를 제거할 때에는, 탈기관(34)에 접속되는 진공 펌프 등이 정지되거나, 혹은 진공 펌프 등에 연결되는 도시하지 않은 밸브 등이 닫힐 수 있다. 또한, 급수관(35)에 접속되는 급수 펌프 등에 의해 급수관(35)을 개재하여 유체실(33)에 순수가 공급된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)를 용이하게 제거할 수 있다. When the semiconductor wafer 10 is removed by releasing the suction by the substrate chuck 31 , the vacuum pump connected to the deaerator 34 may be stopped, or a valve not shown connected to the vacuum pump may be closed. have. Further, pure water is supplied to the fluid chamber 33 via the water supply pipe 35 by a water supply pump or the like connected to the water supply pipe 35 . Thereby, the semiconductor wafer 10 can be easily removed.

또한, 척 테이블(30)의 하부에는 척 테이블(30)을 지지하는 회전축(32)이 접속되어 있다. 회전축(32)에는, 예를 들면, 도시하지 않은 모터가 접속된다. 당해 모터가 구동함으로써, 회전축(32) 및 척 테이블(30)이 회전한다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)를 소정의 속도로 회전시킬 수 있음과 함께, 접착제(12)의 표면 전체를 연삭할 수 있다. Further, a rotation shaft 32 supporting the chuck table 30 is connected to a lower portion of the chuck table 30 . A motor (not shown) is connected to the rotating shaft 32 , for example. When the motor is driven, the rotating shaft 32 and the chuck table 30 rotate. Thereby, while being able to rotate the semiconductor wafer 10 at a predetermined speed, the whole surface of the adhesive agent 12 can be ground.

또한, 접착제 연삭 장치(20)는 연삭액을 공급하는 연삭액 공급 노즐(26)과, 세정액 분사 장치(27)를 갖는다. 연삭액 공급 노즐(26)은, 예를 들면, 접착제(12)의 표면, 즉, 연삭 혹은 연마되는 면에 연삭액을 공급한다. 사용되는 연삭액으로는, 예를 들면, 순수, 에탄올아민 수용액, 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액, 가성 알칼리 수용액, 세리아 수분산액 및 알루미나 수분산액을 들 수 있다. Further, the adhesive grinding apparatus 20 includes a grinding liquid supply nozzle 26 for supplying a grinding liquid, and a cleaning liquid spraying apparatus 27 . The grinding liquid supply nozzle 26 supplies the grinding liquid to, for example, the surface of the adhesive 12 , that is, the surface to be ground or polished. As a grinding liquid used, pure water, ethanolamine aqueous solution, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, caustic alkali aqueous solution, ceria aqueous dispersion, and alumina aqueous dispersion are mentioned, for example.

세정액 분사 장치(27)는 지석(22)을 세정하기 위한 장치이며, 지석(22)에 세정액을 취부하기 위한 분사 노즐(28)을 갖는다. 세정액 분사 장치(27)는 분사 노즐(28)로부터, 예를 들면, 3MPa에서 17MPa까지의 압력으로, 연삭 가공 중이 아닌 지석(22)(접착제(12)의 표면에서 이격된 지석(22))의 날끝에 세정수를 분사한다. 이로써, 접착제(12)의 연삭 혹은 연마 시에, 지석(22)에 부착된 절삭 찌꺼기를 씻어 낼 수 있다. 이로써, 접착제(12)의 표면을 고정밀도, 고품질, 또한 용이하게 연삭할 수 있다. The cleaning liquid spraying device 27 is a device for cleaning the grindstone 22 , and has a spraying nozzle 28 for attaching the cleaning liquid to the grindstone 22 . The cleaning liquid spraying device 27 is from the spray nozzle 28, for example, at a pressure of 3 MPa to 17 MPa, and the grindstone 22 (the grindstone 22 spaced apart from the surface of the adhesive 12) that is not in the grinding process. Spray the cleaning water on the tip of the blade. Thereby, at the time of grinding or grinding|polishing of the adhesive agent 12, the cutting dregs adhering to the grindstone 22 can be washed away. Thereby, the surface of the adhesive agent 12 can be grind|ground with high precision, high quality, and easily.

한편, 분사 노즐(28)에서 분사되는 세정액으로는, 상술한 연삭액과 동일한 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 사용되는 세정액으로서, 순수, 에탄올아민 수용액, 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액, 가성 알칼리 수용액, 세리아 수분산액 및 알루미나 수분산액 등을 들 수 있다. On the other hand, as the cleaning liquid sprayed from the spray nozzle 28, the same as the above-described grinding liquid can be used. For example, as a washing|cleaning liquid used, pure water, ethanolamine aqueous solution, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, caustic alkali aqueous solution, ceria aqueous dispersion, alumina aqueous dispersion, etc. are mentioned.

한편, 이면 연삭 공정(S60)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하는 이면 연삭 장치(도시하지 않음)가 사용된다. 이 이면 연삭 장치는 도 2를 참조하여 설명한 접착제(12)의 표면을 연삭하기 위한 접착제 연삭 장치(20)와 대략 동등한 구성을 갖고 있어도 된다. On the other hand, in the backside grinding step S60 , a backside grinding device (not shown) for grinding the backside 10b of the semiconductor wafer 10 is used. This back surface grinding apparatus may have a structure substantially equivalent to the adhesive agent grinding apparatus 20 for grinding the surface of the adhesive agent 12 demonstrated with reference to FIG.

또한, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하기 위한 웨이퍼 연삭 공구로서, 상술한 접착제(12)를 연삭하기 위한 지석(22)과 대략 동일한 구성을 갖는 지석이 사용되어도 된다. 단, 웨이퍼 연삭 공구의 사양(지립 및 결합제 등)으로는, 반도체 웨이퍼(10)의 실리콘 및 관통 전극을 절삭하기 위해 바람직한 사양이 선정된다. Moreover, as a wafer grinding tool for grinding the back surface 10b of the semiconductor wafer 10, the grindstone which has substantially the same structure as the grindstone 22 for grinding the adhesive agent 12 mentioned above may be used. However, as the specifications of the wafer grinding tool (abrasive grains and binders, etc.), preferable specifications are selected for cutting silicon and the through electrode of the semiconductor wafer 10 .

또한, 이면 연삭 장치는 상술한 척 테이블(30)과 대략 동등한 척 테이블을 갖는다. 이면 연삭 공정(S60)에 있어서는, 이 척 테이블의 상면에 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 첩부된 서포트 기판(13)(도 6c 참조)이 흡착 유지된다. In addition, the back grinding device has a chuck table substantially equivalent to the chuck table 30 described above. In the back surface grinding process S60, the support substrate 13 (refer FIG. 6C) affixed on the upper surface of this chuck table to the surface 10a side of the semiconductor wafer 10 is hold|maintained.

도 3은 엣지 트리밍 장치(40)의 개략 구성을 나타내는 정면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 엣지 트리밍 장치(40)는 상술한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 트리밍하는 장치이다. 엣지 트리밍 장치(40)는 트리밍 헤드(41)를 구비한다. 트리밍 헤드(41)는 척 테이블에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 접착제(12)와 함께 트리밍(연삭 혹은 연마)하는 연마 테이프(42)를 갖는다. 3 : is a front view which shows the schematic structure of the edge trimming apparatus 40. As shown in FIG. As shown in FIG. 3 , the edge trimming device 40 is a device for trimming the peripheral end of the semiconductor wafer 10 as described above. The edge trimming device 40 has a trimming head 41 . The trimming head 41 has a polishing tape 42 for trimming (grinding or polishing) the peripheral end of the semiconductor wafer 10 adsorbed and held on the chuck table together with the adhesive 12 .

연마 테이프(42)는, 예를 들면, 대략 띠 형상의 부재이다. 연마 테이프(42)는 100㎛에서 150㎛의 두께를 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 필름 기재와, 이 필름 기재에 형성된 탄화규소 혹은 다이아몬드 등의 지립을 갖는다. 상기 지립은 연마 테이프(42)의 반도체 웨이퍼(10)에 마찰되는 면(즉, 연마면)에 형성된다. 연마 테이프(42)는 도시하지 않은 공급 릴 및 권취 릴에 권회되어 있다. 반도체 웨이퍼(10)의 단부를 트리밍할 때에는, 연마 테이프(42)는 공급 릴로부터 내보내져 권취 릴에 권취된다. The abrasive tape 42 is a substantially strip|belt-shaped member, for example. The polishing tape 42 has a film base material such as polyethylene terephthalate having a thickness of 100 µm to 150 µm, and abrasive grains such as silicon carbide or diamond formed on the film base material. The abrasive grains are formed on the surface of the polishing tape 42 that rubs against the semiconductor wafer 10 (ie, the polishing surface). The abrasive tape 42 is wound on a supply reel and a take-up reel (not shown). When trimming the end of the semiconductor wafer 10, the polishing tape 42 is taken out from the supply reel and wound on a take-up reel.

연마 테이프(42)는 트리밍 헤드(41)의 소정의 위치에 배열되는 복수의 가이드 롤러(44)에 걸린다. 이로써, 연마 테이프(42)는 연마 테이프(42)의 연마면이 반도체 웨이퍼(10)의 소정의 위치에 마찰되도록 배치된다. 한편, 트리밍 헤드(41)는 도시하지 않은 서보 모터 등에 의해 위치 조정이 자유롭도록 형성되어 있다. The abrasive tape 42 is caught on a plurality of guide rollers 44 arranged at predetermined positions of the trimming head 41 . Thereby, the polishing tape 42 is arranged so that the polishing surface of the polishing tape 42 rubs against a predetermined position of the semiconductor wafer 10 . On the other hand, the trimming head 41 is formed so that the position can be freely adjusted by a servo motor (not shown) or the like.

또한, 엣지 트리밍 장치(40)는 연마 테이프(42)와, 반도체 웨이퍼(10)의 단부를 당접시키기 위한 보강판(43)을 갖는다. 보강판(43)은, 예를 들면, 발포 실리콘 수지로 형성된다. 보강판(43)은 연마 테이프(42)의 연마면의 반대측 면(즉, 이면)으로부터 연마 테이프(42)에 당접된다. 보강판(43)은 연마 테이프(42)의 연마면을 반도체 웨이퍼(10)의 측방으로부터 반도체 웨이퍼(10)의 단부에 갖다 댄다. 즉, 연마 테이프(42)는 보강판(43)과 반도체 웨이퍼(10)의 단부의 사이에 끼워진 상태로 반도체 웨이퍼(10)의 단부를 연삭 혹은 연마한다. Further, the edge trimming device 40 has a polishing tape 42 and a reinforcing plate 43 for abutting the ends of the semiconductor wafer 10 . The reinforcing plate 43 is formed of, for example, a foamed silicone resin. The reinforcing plate 43 abuts against the abrasive tape 42 from a side (ie, a back side) opposite to the abrasive face of the abrasive tape 42 . The reinforcing plate 43 presses the polishing surface of the polishing tape 42 to the end of the semiconductor wafer 10 from the side of the semiconductor wafer 10 . That is, the polishing tape 42 grinds or polishes the end of the semiconductor wafer 10 while being sandwiched between the reinforcing plate 43 and the end of the semiconductor wafer 10 .

또한, 엣지 트리밍 장치(40)는 상술한 접착제 연삭 장치(20)(도 2 참조)와 마찬가지로, 반도체 웨이퍼(10)를 흡착하여 유지하기 위한 척 테이블(45) 및 척 테이블(45)을 회전 구동이 자유롭도록 지지하는 회전축(46)을 구비하고 있다. 도시하지 않은 모터 등에 의해 회전축(46) 및 척 테이블(45)을 회전시킴으로써, 반도체 웨이퍼(10)가 회전한다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 전체 주위 단부를 트리밍할 수 있다. 한편, 척 테이블(45)의 반도체 웨이퍼(10)를 흡착 유지하기 위한 흡착 척 기구로는, 이미 설명한 척 테이블(30)의 흡착 척 기구와 동일한 구성을 채용할 수 있다. In addition, the edge trimming device 40 rotationally drives the chuck table 45 for adsorbing and holding the semiconductor wafer 10 and the chuck table 45 similarly to the above-described adhesive grinding device 20 (see FIG. 2 ). It is provided with the rotating shaft 46 which supports this freely. The semiconductor wafer 10 is rotated by rotating the rotating shaft 46 and the chuck table 45 by a motor (not shown) or the like. Thereby, the entire peripheral end of the semiconductor wafer 10 can be trimmed. On the other hand, as the suction chuck mechanism for holding the semiconductor wafer 10 on the chuck table 45 by suction, the same structure as the previously described suction chuck mechanism of the chuck table 30 can be adopted.

엣지 트리밍 장치(40)는 냉각수 분사 노즐(49)을 갖는다. 이로써, 엣지 트리밍 장치(40)는 냉각수 분사 노즐(49)로부터 반도체 웨이퍼(10)에 마찰되어 있는 연마 테이프(42)의 연마면에 냉각수를 분사하면서, 반도체 웨이퍼(10)의 단부를 연삭 혹은 연마한다. 이러한 구성을 가짐으로써, 엣지 트리밍 장치(40)는 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 접착제(12)와 함께 고정밀도로 트리밍할 수 있다. The edge trimming device 40 has a coolant spray nozzle 49 . Accordingly, the edge trimming device 40 grinds or polishes the end of the semiconductor wafer 10 while spraying coolant from the coolant spray nozzle 49 to the polishing surface of the polishing tape 42 rubbed against the semiconductor wafer 10 . do. By having such a configuration, the edge trimming device 40 can trim the peripheral end of the semiconductor wafer 10 together with the adhesive 12 with high precision.

한편, 접착제 연삭 장치(20)와 엣지 트리밍 장치(40)는, 각각 별개의 장치로서 구성되어도 되고, 이들 기능이 일체적으로 도입된 하나의 장치로 구성되어도 된다. On the other hand, the adhesive grinding device 20 and the edge trimming device 40 may be configured as separate devices, respectively, or may be configured as one device in which these functions are integrally introduced.

이하, 도 4a 및 b를 참조하여 접착제 연삭 장치(20)의 구성과 엣지 트리밍 장치(40)의 구성이, 하나의 장치에 일체적으로 도입된 예에 대해 설명한다.Hereinafter, an example in which the configuration of the adhesive grinding device 20 and the configuration of the edge trimming device 40 are integrally introduced into one device will be described with reference to FIGS. 4A and 4B .

도 4a는 접착제 연삭 장치(120)의 개략 구성을 나타내는 정면도이다. 도 4b는 동일한 평면도이다. 한편, 도 4a 및 b에서는 이미 설명한 실시형태의 구성 요소와 동일한 구성 요소, 혹은 동일한 작용 및 효과를 나타내는 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 있다. 4A is a front view showing a schematic configuration of the adhesive grinding device 120 . 4B is the same plan view. In addition, in FIGS. 4A and 4B, the same code|symbol is attached|subjected to the component which is the same as the component of the already demonstrated embodiment, or the component which shows the same action|action and effect.

도 4a 및 b에 나타내는 바와 같이, 접착제 연삭 장치(120)는 연삭 헤드(21)와, 트리밍 헤드(41)를 구비한다. 연삭 헤드(21)는 지석(22)을 갖는다. 지석(22)은 접착제(12)의 표면을 연삭하기 위한 접착제 연삭 공구이다. 트리밍 헤드(41)는 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 연삭 혹은 연마하기 위한 연마 테이프(42)를 갖는다. 4A and 4B , the adhesive grinding device 120 includes a grinding head 21 and a trimming head 41 . The grinding head 21 has a grindstone 22 . The grindstone 22 is an adhesive grinding tool for grinding the surface of the adhesive 12 . The trimming head 41 has a polishing tape 42 for grinding or polishing the peripheral end of the semiconductor wafer 10 .

또한, 접착제 연삭 장치(120)는 반도체 웨이퍼(10)를 흡착 유지하기 위한 척 테이블(45)을 구비한다. 척 테이블(45)의 구성 및 기능은 이미 설명한 바와 같다. 단, 접착제 연삭 장치(120)에서는 접착제 연삭 공정(S30) 및 단부 트리밍 공정(S40)의 양 공정에 있어서, 공통의 척 테이블(45)이 사용된다. Further, the adhesive grinding apparatus 120 includes a chuck table 45 for holding the semiconductor wafer 10 by suction. The structure and function of the chuck table 45 are as described above. However, in the adhesive grinding device 120 , the common chuck table 45 is used in both the adhesive grinding process ( S30 ) and the edge trimming process ( S40 ).

여기서, 척 테이블(45)은 그 외경이 반도체 웨이퍼(10)의 외경보다도 작은 것을 특징으로 한다. 이로써, 척 테이블(45)과 트리밍 헤드(41)가 접촉하지 않고, 척 테이블(45)의 상면에 재치되어, 흡착 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 트리밍 헤드(41)의 연마 테이프(42)로 트리밍할 수 있다. Here, the chuck table 45 is characterized in that the outer diameter is smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer 10 . As a result, the chuck table 45 and the trimming head 41 do not come into contact with each other, and the peripheral end of the semiconductor wafer 10 placed on the upper surface of the chuck table 45 and held by the suction is attached to the abrasive tape ( 42) can be trimmed.

접착제 연삭 장치(120)는 상기의 부재에 추가로, 연삭액 공급 노즐(26), 세정액 분사 장치(27) 및 냉각수 분사 노즐(49) 등의 이미 설명한 접착제 연삭 장치(20) 및 엣지 트리밍 장치(40)와 대략 동등한 부재를 구비하고 있다. The adhesive grinding device 120 includes, in addition to the above members, the previously described adhesive grinding device 20 and edge trimming device such as the grinding fluid supply nozzle 26, the cleaning fluid jetting device 27 and the coolant jetting nozzle 49 40) and substantially equivalent members.

상기의 구성을 갖는 접착제 연삭 장치(120)에 의하면, 하나의 접착제 연삭 장치(120)로 접착제(12)의 표면을 연삭하는 접착제 연삭 공정(S30)과, 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부를 트리밍하는 단부 트리밍 공정(S40)을 실행할 수 있다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 반송 공정 및 세트 공정을 삭감할 수 있다. 그 결과, 생산 효율을 높일 수 있음과 함께, 설비 비용을 삭감할 수 있다. According to the adhesive grinding device 120 having the above configuration, an adhesive grinding step (S30) of grinding the surface of the adhesive 12 with one adhesive grinding device 120, and trimming the peripheral end of the semiconductor wafer 10 An end trimming process (S40) may be performed. Thereby, the conveyance process and the set process of the semiconductor wafer 10 can be reduced. As a result, while being able to raise production efficiency, equipment cost can be reduced.

다음으로, 도 5a∼c 및 도 6a∼c를 참조하여, 도 1에 나타내는 반도체 장치의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. Next, with reference to FIGS. 5A-C and 6A-C, the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 1 is demonstrated in detail.

도 5a는 표면(10a)에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(10)의 개략도이다. 도 5b는 표면(10a)에 접착제(12)가 도포된 반도체 웨이퍼(10)의 개략도이다. 도 5c는 반도체 웨이퍼(10) 상의 접착제(12)가 연삭되는 모습을 나타내는 개략도이다. 또한, 도 6a는 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부가 트리밍되는 모습을 나타내는 개략도이다. 도 6b는 서포트 기판(13)이 첩부된 반도체 웨이퍼(10)의 개략도이다. 도 6c는 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 연삭되는 모습을 나타내는 개략도이다. 5A is a schematic diagram of a semiconductor wafer 10 in which a circuit is formed on a surface 10a. 5B is a schematic diagram of a semiconductor wafer 10 having an adhesive 12 applied to its surface 10a. 5C is a schematic diagram showing a state in which the adhesive 12 on the semiconductor wafer 10 is ground. 6A is a schematic diagram showing a state in which the peripheral end of the semiconductor wafer 10 is trimmed. 6B is a schematic diagram of the semiconductor wafer 10 to which the support substrate 13 is affixed. 6C is a schematic diagram showing a state in which the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground.

도 5a에 나타내는 바와 같이, 회로 형성 공정(S10)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 대해 소정의 공정을 실시(혹은, 반복 실시)함으로써, 회로가 형성된다. 소정의 공정은, 예를 들면, 포토레지스트 도포 공정, 포토마스크에 의한 패턴 소부 공정, 에칭 공정, 산화 공정, 확산 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 이온 주입 공정 및 CMP 공정을 포함한다. As shown in FIG. 5A , in the circuit formation step S10 , a circuit is formed by performing (or repeatedly performing) a predetermined step on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 . The predetermined process includes, for example, a photoresist application process, a pattern baking process using a photomask, an etching process, an oxidation process, a diffusion process, a chemical vapor deposition (CVD) process, an ion implantation process, and a CMP process.

또한, 회로 형성 공정(S10)에서는 반도체 웨이퍼(10)에 도시하지 않은 관통 전극이 형성된다. 추가로, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 볼록부(볼록 형상을 갖는 부분)로서, 예를 들면, 관통 전극에 접속되는 범프(11)가 형성된다. 예를 들면, 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(10)에 에칭 가공 혹은 레이저 가공 등에 의해 복수의 구멍이 형성된다. 형성된 당해 구멍의 내면에 절연막이 형성된다. 그 후, 상기 구멍의 표면에 탄탈 또는 티탄에 의해 메탈 시드층이 형성된다. 그리고, 메탈 시드층의 더욱 내측에 구리 수지 페이스트 등이 충전된다. 이로써, 관통 전극이 형성된다. 그리고, 관통 전극의 표면(10a)측의 두면에 볼록 형상의 범프(11)가 형성된다. In addition, in the circuit forming step S10 , a through electrode (not shown) is formed on the semiconductor wafer 10 . Further, as a convex portion (a portion having a convex shape) on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 , for example, a bump 11 connected to a through electrode is formed. For example, a plurality of holes are formed in the semiconductor wafer 10 on which a circuit is formed by etching processing, laser processing, or the like. An insulating film is formed on the inner surface of the formed hole. Thereafter, a metal seed layer is formed of tantalum or titanium on the surface of the hole. Then, a copper resin paste or the like is filled further inside the metal seed layer. Thereby, a through electrode is formed. Then, convex bumps 11 are formed on both surfaces of the through electrode on the surface 10a side.

한편, 반도체 웨이퍼(10)는 상기와 같은 관통 전극을 갖는 것에 한정되지 않는다. 반도체 웨이퍼(10)에는 관통 전극이 형성되지 않아도 된다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)의 볼록부는 관통 전극에 접속되는 범프(11)에 한정되지 않는다. 볼록부는 그 밖의 회로나 마킹 등에 의해 형성되는 다양한 볼록 형상부 등이어도 된다. Meanwhile, the semiconductor wafer 10 is not limited to those having the above-described through electrodes. The through electrode need not be formed on the semiconductor wafer 10 . Incidentally, the convex portion of the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is not limited to the bump 11 connected to the through electrode. The convex portions may be various convex portions formed by other circuits, marking, or the like.

도 5b에 나타내는 바와 같이, 접착제 도포 공정(S20)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착제(12)가 도포된다. 사용되는 접착제(12)로는, 예를 들면, 아크릴 수지계, 고무계, 실리콘 수지계 및 페놀 수지계 등의 각종 수지 본드, 접합제 및 점착제를 들 수 있다. 접착제(12)는 자외선 경화형 점착제 등이어도 된다. 접착제(12)는, 예를 들면, 스핀 코팅법에 의해 도포된다. 한편, 접착제(12)는 접착제(12)에 의해 형성되는 층의 두께가, 범프(11)의 높이보다도 두꺼워지도록 도포된다. As shown in FIG. 5B , in the adhesive application step S20 , the adhesive 12 is applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 . Examples of the adhesive 12 to be used include various resin bonds such as acrylic resins, rubbers, silicone resins and phenolic resins, bonding agents, and pressure-sensitive adhesives. The adhesive 12 may be an ultraviolet curing adhesive or the like. The adhesive 12 is applied by, for example, a spin coating method. On the other hand, the adhesive 12 is applied so that the thickness of the layer formed by the adhesive 12 is thicker than the height of the bump 11 .

그리고, 접착제(12)가 도포된 후, 사용되고 있는 접착제(12)의 종류에 따른 소정의 방법에 의해, 접착제(12)를 경화시키는 처리가 행해진다. Then, after the adhesive 12 is applied, a process for curing the adhesive 12 is performed by a predetermined method according to the type of the adhesive 12 being used.

이와 같이, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착제(12)를 도포함으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 회로가 접착제(12)에 의해 보호된다. 추가로, 반도체 웨이퍼(10)를 후술하는 서포트 기판(13)(도 6b 참조)에 첩부할 수 있다. In this way, by applying the adhesive 12 to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 , the circuit formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is protected by the adhesive 12 . In addition, the semiconductor wafer 10 can be affixed to the support substrate 13 (refer FIG. 6B) mentioned later.

여기서, 접착제(12)는 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 범프(11)를 덮는다. 이 때문에, 접착제(12)의 표면은 범프(11)에 의해 일부가 약간 돌기된 상태가 되기 쉽다. Here, the adhesive 12 covers the bumps 11 formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 . For this reason, the surface of the adhesive 12 tends to be in a state in which a part protrudes slightly due to the bumps 11 .

반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 도포된 접착제(12)가 경화된 후, 접착제 연삭 공정(S30)이 행해진다. 도 5c에 나타내는 바와 같이, 접착제 연삭 공정(S30)에서는, 도 2를 참조하여 설명한 접착제 연삭 장치(20)의 연삭 헤드(21)를 사용하여, 접착제(12)의 표면이 연삭된다. 이로써, 접착제(12)의 표면에 형성된 돌기 등이 제거되어 접착제(12)의 표면이 평탄해진다. 한편, 접착제(12)의 두께는 범프(11)의 높이보다도 두껍다. 이 때문에, 접착제(12)의 표면을 연삭했을 때에, 접착제(12)와 함께 범프(11)가 연삭되지는 않는다. After the adhesive 12 applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is cured, an adhesive grinding step S30 is performed. As shown in FIG. 5C , in the adhesive grinding step S30 , the surface of the adhesive 12 is ground using the grinding head 21 of the adhesive grinding apparatus 20 described with reference to FIG. 2 . Thereby, the protrusion etc. formed on the surface of the adhesive agent 12 are removed, and the surface of the adhesive agent 12 becomes flat. On the other hand, the thickness of the adhesive 12 is thicker than the height of the bump 11 . For this reason, when the surface of the adhesive agent 12 is ground, the bump 11 is not ground together with the adhesive agent 12. As shown in FIG.

이와 같이, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 도포된 접착제(12)의 표면이 연삭된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에서 접착제(12)의 표면까지의 높이, 즉, 접착제(12)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 그 결과, 접착제(12)의 두께 치수를 고정밀도로 할 수 있다. In this way, the surface of the adhesive 12 applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is ground. Thereby, the height from the surface 10a of the semiconductor wafer 10 to the surface of the adhesive agent 12, ie, the thickness of the adhesive agent 12 can be made uniform. As a result, the thickness dimension of the adhesive agent 12 can be made into high precision.

도 6a에 나타내는 바와 같이, 단부 트리밍 공정(S40)에서는 도 3을 참조하여 설명한 엣지 트리밍 장치(40)를 사용하여 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부의 트리밍을 행한다. 단부 트리밍 공정(S40)에서는 반도체 웨이퍼(10)의 단부와 접착제(12)가 동시에 연삭 혹은 연마된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 단부 및 접착제(12)의 단부의 둥근 부분 및 경사가 제거된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼(10)를 박화할 때에 반도체 웨이퍼(10)의 단부 근방이 다른 부분보다도 얇아지는 것이 억제된다. 따라서, 반도체 웨이퍼(10)의 단부 근방의 칩핑을 억제할 수 있다. As shown in FIG. 6A , in the edge trimming step S40 , the peripheral edge of the semiconductor wafer 10 is trimmed using the edge trimming device 40 described with reference to FIG. 3 . In the end trimming process ( S40 ), the end of the semiconductor wafer 10 and the adhesive 12 are simultaneously ground or polished. Thereby, the rounded portion and the inclination of the end of the semiconductor wafer 10 and the end of the adhesive 12 are removed. Thereby, when the semiconductor wafer 10 is thinned by grinding the back surface 10b of the semiconductor wafer 10, it is suppressed that the edge part vicinity of the semiconductor wafer 10 becomes thinner than other parts. Therefore, chipping in the vicinity of the end of the semiconductor wafer 10 can be suppressed.

도 6b에 나타내는 바와 같이, 서포트 기판 첩부 공정(S50)에서는 접착제(12)가 도포된 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 서포트 기판(13)이 첩부된다. 즉, 서포트 기판(13)은 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 도포된 접착제(12)에 의해 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 접착된다. As shown to FIG. 6B, in the support substrate sticking process S50, the support substrate 13 is affixed on the surface 10a side of the semiconductor wafer 10 to which the adhesive agent 12 was apply|coated. That is, the support substrate 13 is adhered to the surface 10a side of the semiconductor wafer 10 by the adhesive 12 applied to the surface 10a of the semiconductor wafer 10 .

서포트 기판(13)은 고강성의 판상체이다. 서포트 기판(13)의 재료로는, 유리, 금속, 세라믹 및 합성 수지 등을 들 수 있다. 한편, 접착제(12)의 표면에 서포트 기판(13)을 접착하는 방법으로는, 사용되고 있는 접착제(12)의 특성 등에 따라 다양한 방법이 채용된다. The support substrate 13 is a plate-shaped body with high rigidity. As a material of the support substrate 13, glass, a metal, a ceramic, a synthetic resin, etc. are mentioned. On the other hand, as a method of adhering the support substrate 13 to the surface of the adhesive 12 , various methods are employed depending on the characteristics of the adhesive 12 being used.

상술한 바와 같이, 접착제 연삭 공정(S30)(도 5c 참조)으로 접착제(12)의 표면이 평탄하게 되어 접착제(12)의 두께가 균일화되어 있다. 이 접착제(12) 위에 고강성의 서포트 기판(13)이 첩부된다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)은 서포트 기판(13)의 주면에 대해 대략 평행이 된다. As described above, in the adhesive grinding step S30 (refer to FIG. 5C ), the surface of the adhesive 12 is flattened, so that the thickness of the adhesive 12 is uniform. A high-rigidity support substrate 13 is affixed on this adhesive 12 . Thereby, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 becomes substantially parallel to the main surface of the support substrate 13. As shown in FIG.

도 6c에 나타내는 바와 같이, 이면 연삭 공정(S60)에서는, 도 2에 나타내는 접착제 연삭 장치(20)와 대략 동등한 이면 연삭 장치를 사용하여, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)의 연삭이 행해진다. 반도체 웨이퍼(10)는 서포트 기판(13)을 아래로 하여, 이면 연삭 장치의 척 테이블의 상면에 재치되고, 기판 척에 의해 흡착되어 유지된다. 즉, 반도체 웨이퍼(10)는 그 이면(10b)이 상방을 향하도록 척 테이블의 상면에 세트된다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)은 웨이퍼 연삭 공구에 의해 연삭된다. As shown in FIG. 6C, in the back surface grinding process S60, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground using the back surface grinding apparatus substantially equivalent to the adhesive agent grinding apparatus 20 shown in FIG. . The semiconductor wafer 10 is placed on the upper surface of the chuck table of the back grinding apparatus with the support substrate 13 facing down, and is sucked and held by the substrate chuck. That is, the semiconductor wafer 10 is set on the upper surface of the chuck table so that the rear surface 10b thereof faces upward. And the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground with a wafer grinding tool.

상술한 바와 같이, 접착제 연삭 공정(S30)(도 5c 참조)으로 접착제(12)의 두께가 균일화되어 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)은 서포트 기판(13)의 주면에 대해 대략 평행하게 되어 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)은 이면 연삭 장치의 척 테이블의 상면에 대해 대략 평행이 된다. 즉, 반도체 웨이퍼(10)는 척 테이블의 상면에 대략 수평으로 재치된다. As described above, the thickness of the adhesive 12 is equalized by the adhesive grinding step S30 (refer to FIG. 5C ). As a result, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is substantially parallel to the main surface of the support substrate 13 . For this reason, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 becomes substantially parallel with respect to the upper surface of the chuck table of a back surface grinding apparatus. That is, the semiconductor wafer 10 is placed substantially horizontally on the upper surface of the chuck table.

이상과 같이, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(10) 상의 접착제(12)의 표면이 연삭되고, 추가로, 반도체 웨이퍼(10)의 주위 단부가 트리밍된 후에, 반도체 웨이퍼(10)에 서포트 기판(13)을 첩부하여 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭한다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 두께를 균일하게 할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(10)의 파손을 억제할 수 있다. 그 결과, 본 실시형태에서는 종래 기술의 반도체 웨이퍼보다도 얇고, 또한 고품질의 반도체 웨이퍼(10)를 제조할 수 있다. As described above, in the present embodiment, after the surface of the adhesive 12 on the semiconductor wafer 10 is ground and the peripheral end of the semiconductor wafer 10 is trimmed, the support substrate 13 is applied to the semiconductor wafer 10 . ) is affixed and the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground. Thereby, while being able to make the thickness of the semiconductor wafer 10 uniform, damage to the semiconductor wafer 10 can be suppressed. As a result, in the present embodiment, it is possible to manufacture a semiconductor wafer 10 that is thinner and of higher quality than a semiconductor wafer of the prior art.

또한, 이면 연삭 공정(S60)에서는 반도체 웨이퍼(10)와 관통 전극이 동시에 연삭된다. 이로써, 반도체 웨이퍼의 박화 공정과, 관통 전극의 두부 노출 공정을 동시에 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)의 두께를 균일하게 할뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼(10)에 형성된 관통 전극의 높이를 균일하게 할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하는 웨이퍼 연삭 공구에 세정수를 취부할 수 있다. 이로써, 반도체 웨이퍼(10)의 오염을 억제할 수 있다. 따라서, 고집적율을 갖는 소형의 3차원 실장되는 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있다. In addition, in the back surface grinding process ( S60 ), the semiconductor wafer 10 and the through electrode are simultaneously ground. Thereby, the process of thinning the semiconductor wafer and the process of exposing the head of the through electrode can be efficiently performed simultaneously. In addition, the thickness of the semiconductor wafer 10 can be made uniform, and the height of the through electrodes formed on the semiconductor wafer 10 can be made uniform. Moreover, washing water can be attached to the wafer grinding tool which grinds the back surface 10b of the semiconductor wafer 10. As shown in FIG. Thereby, contamination of the semiconductor wafer 10 can be suppressed. Accordingly, it is possible to efficiently manufacture a small, three-dimensionally mounted semiconductor device having a high integration rate.

한편, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)이 연삭된 후, 마무리를 위한 각종 공정이 실행되어도 된다. 이 공정으로는, 예를 들면, 이면(10b)에 절연막을 형성하는 공정을 들 수 있다. On the other hand, after the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground, various processes for finishing may be performed. As this process, the process of forming an insulating film on the back surface 10b is mentioned, for example.

구체적으로는, 반도체 웨이퍼(10)에 대해 니켈(Ni) 무전해 도금 공정이 행해져도 된다. 이 공정에서는 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)의 실리콘면에서 노출된 관통 전극의 두면에만 선택적으로 캡층이 형성된다. 니켈 무전해 도금액은 니켈(Ni) 이외에 붕소(B), 인(P) 또는 코발트(Co) 등을 함유하고 있어도 된다. Specifically, a nickel (Ni) electroless plating process may be performed on the semiconductor wafer 10 . In this process, a cap layer is selectively formed only on two surfaces of the through electrode exposed from the silicon surface of the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 . The nickel electroless plating solution may contain boron (B), phosphorus (P), cobalt (Co), or the like in addition to nickel (Ni).

이어서, 캡층이 형성되어 있지 않은 실리콘면을 알칼리 에칭 또는 CMP 가공함으로써, 관통 전극의 제2차 두부 노출 가공이 행해져도 된다. Next, the second head exposure processing of the through electrode may be performed by alkali etching or CMP processing of the silicon surface on which the cap layer is not formed.

그리고, 관통 전극의 제2차 두부 노출 가공이 행해진 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에, 절연막(insulator)을 퇴적하는 처리가 행해져도 된다. 그 후에 CMP 조성물 및 연마 버프를 사용하여 연마 가공이 행해져도 된다. 추가로, 관통 전극의 두면의 상기 절연막이 제거되어도 된다. Then, a process of depositing an insulating film on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 on which the second head exposure processing of the through electrode has been performed may be performed. After that, polishing may be performed using the CMP composition and polishing buff. Additionally, the insulating film on both surfaces of the through electrode may be removed.

한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 상기 실시형태는 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경되는 것이 가능하다. In addition, this invention is not limited to the said embodiment. The said embodiment can be variously changed in the range which does not deviate from the summary of this invention.

10 반도체 웨이퍼
10a 표면
10b 이면
11 범프
12 접착제
13 서포트 기판
20 접착제 연삭 장치
21 연삭 헤드
22 지석
27 세정액 분사 장치
28 분사 노즐
40 엣지 트리밍 장치
41 트리밍 헤드
42 연마 테이프
120 접착제 연삭 장치10 semiconductor wafer
10a surface
10b side
11 bump
12 Glue
13 support board
20 Glue grinding device
21 grinding head
22 grindstone
27 Cleaning liquid spraying device
28 spray nozzle
40 edge trimming device
41 trimming head
42 abrasive tape
120 Glue Grinding Unit

Claims (7)

볼록부가 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 접착제를 도포하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 접착제의 표면을 연삭하는 공정과,
상기 접착제가 도포된 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 상기 접착제와 함께 트리밍하는 공정과,
상기 접착제의 표면이 연삭되어, 상기 주위 단부가 트리밍된 상기 반도체 웨이퍼를 상기 접착제를 개재하여 서포트 기판에 첩부하는 공정과,
상기 서포트 기판에 첩부된 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 구비하고,
접착제 연삭 장치는 상기 접착제의 표면을 연삭하는 연삭 헤드와, 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 연삭 혹은 연마하는 트리밍 헤드와, 상기 반도체 웨이퍼를 흡착 유지하는 척 테이블을 구비하고,
하나의 상기 접착제 연삭 장치가 구비한 상기 연삭 헤드와, 상기 트리밍 헤드와, 상기 척 테이블을 사용하여, 상기 반도체 웨이퍼에 도포된 상기 접착제의 표면을 연삭하는 공정과, 상기 접착제가 도포된 상기 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 상기 접착제와 함께 트리밍하는 공정을 실행하고,
상기 접착제의 표면을 연삭하는 공정에서, 접착제 연삭 공구의, 상기 접착제의 표면에서 이격된 지석의 날끝에 3MPa에서 17MPa의 압력으로 세정액이 취부되는 반도체 장치의 제조 방법.A step of applying an adhesive to the surface of the semiconductor wafer on which the convex portion is formed;
grinding the surface of the adhesive applied to the semiconductor wafer;
trimming the peripheral end of the semiconductor wafer to which the adhesive is applied together with the adhesive;
a step of affixing the semiconductor wafer in which the surface of the adhesive is ground and the peripheral end is trimmed to a support substrate via the adhesive;
a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer affixed to the support substrate;
The adhesive grinding apparatus includes a grinding head for grinding the surface of the adhesive, a trimming head for grinding or polishing a peripheral end of the semiconductor wafer, and a chuck table for adsorbing and holding the semiconductor wafer,
a step of grinding the surface of the adhesive applied to the semiconductor wafer using the grinding head, the trimming head, and the chuck table provided in one of the adhesive grinding devices; the semiconductor wafer to which the adhesive is applied; trimming the peripheral end of the with the adhesive;
In the step of grinding the surface of the adhesive, a cleaning solution is installed at a pressure of 3 MPa to 17 MPa to the edge of a grindstone separated from the surface of the adhesive in an adhesive grinding tool. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼는 관통 전극을 갖고,
상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정은 상기 반도체 웨이퍼와 상기 관통 전극을 동시에 연삭하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 1,
The semiconductor wafer has a through electrode,
The step of grinding the back surface of the semiconductor wafer includes grinding the semiconductor wafer and the through electrode simultaneously. 제 4 항에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정은 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 웨이퍼 연삭 공구에 세정수를 취부하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. 5. The method of claim 4,
The step of grinding the back surface of the semiconductor wafer includes applying washing water to a wafer grinding tool for grinding the back surface of the semiconductor wafer. 접착제 연삭 장치를 구비하고,
상기 접착제 연삭 장치는 접착제의 표면을 연삭하는 연삭 헤드와, 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 연삭 혹은 연마하는 트리밍 헤드와, 반도체 웨이퍼를 흡착 유지하는 척 테이블을 구비하고,
하나의 상기 접착제 연삭 장치가 구비한 상기 연삭 헤드와, 상기 트리밍 헤드와, 상기 척 테이블을 사용하여, 반도체 웨이퍼에 도포된 접착제의 표면을 연삭하는 공정과, 접착제가 도포된 반도체 웨이퍼의 주위 단부를 접착제와 함께 트리밍하는 공정을 실행하고,
상기 접착제 연삭 장치는 상기 연삭 헤드에 세정수를 취부하는 세정액 분사 장치를 추가로 구비하고, 상기 세정액 분사 장치는 접착제 연삭 공구의, 상기 접착제의 표면에서 이격된 지석의 날끝에 3MPa에서 17MPa의 압력으로 세정액을 취부하는 반도체 제조 장치. Adhesive grinding device is provided,
The adhesive grinding apparatus includes a grinding head for grinding the surface of the adhesive, a trimming head for grinding or polishing the peripheral end of the semiconductor wafer, and a chuck table for holding and holding the semiconductor wafer,
A step of grinding the surface of the adhesive applied to the semiconductor wafer using the grinding head, the trimming head, and the chuck table provided in one of the adhesive grinding devices; carry out the trimming process with the adhesive,
The adhesive grinding device further includes a cleaning liquid spraying device for attaching cleaning water to the grinding head, and the cleaning liquid spraying device is at a pressure of 3 MPa to 17 MPa at the edge of the grindstone spaced apart from the surface of the adhesive of the adhesive grinding tool. A semiconductor manufacturing device for applying a cleaning solution. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388535B1 (en) * 2018-05-25 2019-08-20 Powertech Technology Inc. Wafer processing method with full edge trimming
CN108857601A (en) * 2018-07-25 2018-11-23 浙江工业大学 The photocatalysis processing method and its equipment of cobalt-base alloys
JP7258489B2 (en) 2018-08-21 2023-04-17 株式会社岡本工作機械製作所 Semiconductor device manufacturing method and manufacturing equipment
JP7270373B2 (en) * 2018-12-20 2023-05-10 株式会社岡本工作機械製作所 Grinding method and grinding apparatus for composite substrate containing resin
KR102455146B1 (en) * 2020-02-10 2022-10-17 주식회사 나노인 Reversible Coating Method for Encapsulating and Filling Structures on Substrates
TW202209548A (en) * 2020-08-27 2022-03-01 日商富士軟片股份有限公司 Method for manufacturing processed substrate, method for manufacturing semiconductor element, and composition for forming temporary adhesive layer
CN115302345B (en) * 2022-08-30 2024-03-15 福建融玻科技有限公司 Anti-dazzle glass display screen sheet scratch repair flat grinding polisher

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074545A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Okamoto Machine Tool Works Ltd Method of grinding back surface of protection film attached semiconductor substrate
JP2015032679A (en) * 2013-08-02 2015-02-16 株式会社岡本工作機械製作所 Semiconductor device manufacturing method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109679A (en) * 1991-10-15 1993-04-30 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JP2004207459A (en) * 2002-12-25 2004-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd Method for grinding semiconductor wafer
JP2004311767A (en) * 2003-04-08 2004-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacturing method of semiconductor wafer
JP2005116610A (en) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp Processing method of semiconductor wafer, and adhesive sheet for processing semiconductor wafer
JP4447280B2 (en) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 Surface protection sheet and semiconductor wafer grinding method
JP4752384B2 (en) * 2005-08-02 2011-08-17 株式会社東京精密 Wafer peripheral grinding method and wafer peripheral grinding apparatus
US20100112909A1 (en) * 2008-02-22 2010-05-06 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Method of and apparatus for abrading outer peripheral parts of a semiconductor wafer
JP2010023119A (en) * 2008-07-15 2010-02-04 Okamoto Machine Tool Works Ltd Flattening device and flattening method for semiconductor substrate
JP2013008915A (en) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2013084770A (en) * 2011-10-11 2013-05-09 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding method for wafer
JP5959188B2 (en) * 2011-12-05 2016-08-02 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2013247135A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method
JP6057592B2 (en) * 2012-08-06 2017-01-11 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2014053351A (en) * 2012-09-05 2014-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074545A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Okamoto Machine Tool Works Ltd Method of grinding back surface of protection film attached semiconductor substrate
JP2015032679A (en) * 2013-08-02 2015-02-16 株式会社岡本工作機械製作所 Semiconductor device manufacturing method

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