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KR102385266B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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KR102385266B1
KR102385266B1 KR1020190171021A KR20190171021A KR102385266B1 KR 102385266 B1 KR102385266 B1 KR 102385266B1 KR 1020190171021 A KR1020190171021 A KR 1020190171021A KR 20190171021 A KR20190171021 A KR 20190171021A KR 102385266 B1 KR102385266 B1 KR 102385266B1
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛, 상기 지지 플레이트에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 지지 플레이트의 주변을 감싸며 상부가 개방된 하부 용기, 그리고 상기 하부 용기와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 용기를 포함하되, 상기 하부 용기는 상기 지지 플레이트의 측부 및 하부를 감싸는 내측컵과 상기 내측컵과 상기 지지 플레이트의 사이 공간에 위치되는 간섭 플레이트를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 지지 플레이트와 상기 간섭 플레이트는 서로 중첩되게 위치된다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit having a support plate for supporting the substrate, a heater unit provided on the support plate and heating the substrate, a lower container surrounding the support plate and having an open top, and the lower container and an upper container to form a processing space therein, wherein the lower container includes an inner cup surrounding the side and lower portions of the support plate, and an interference plate positioned in a space between the inner cup and the support plate. , when viewed from above, the support plate and the interference plate are positioned to overlap each other.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, a photographic process includes a process of forming a liquid film such as a photoresist on a substrate.

기판 상에 액막을 형성한 후에는 기판을 가열하는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 상온에 비해 매우 높은 온도에서 진행되며, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하는 것이 요구된다. After the liquid film is formed on the substrate, a baking process of heating the substrate is performed. The baking process is performed at a very high temperature compared to room temperature, and it is required to heat the entire area of the substrate to a uniform temperature.

따라서 기판을 지지하는 지지 플레이트(4)에는 기판(W)을 가열하기 위한 히터가 제공되며, 히터에 의한 고온으로인해 주변 장치를 열변형되는 것을 방지하기 위한 하부 용기(2)가 제공된다. 도 1은 일반적인 하부 용기를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 하부 용기(2)는 3중으로 겹쳐진 컵 형상을 가진다. 이러한 컵들(2a,2b,2c)에는 케이블 및 구동 부재의 공간을 위해 틈(6)이 제공되며, 이러한 틈(6)을 통해 외기가 유입된다. 이렇게 유입된 외기는 기판의 가장자리 영역으로 이동되어 기판의 가장자리 영역 온도를 낮추며, 베이크 공정의 악영향을 끼친다.Accordingly, a heater for heating the substrate W is provided on the support plate 4 for supporting the substrate, and a lower container 2 for preventing thermal deformation of peripheral devices due to the high temperature by the heater is provided. 1 is a cross-sectional view showing a general lower container. Referring to FIG. 1 , the lower container 2 has a triple overlapping cup shape. A gap 6 is provided in these cups 2a, 2b, and 2c for the space of the cable and the driving member, and outside air is introduced through the gap 6 . The introduced external air moves to the edge region of the substrate to lower the temperature of the edge region of the substrate, and adversely affects the baking process.

본 발명은 기판을 균일하게 가열할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly heating a substrate.

또한 본 발명은 외기 유입으로 인해 기판의 가장자리 영역의 온도가 낮아지는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of preventing a temperature of an edge region of a substrate from being lowered due to inflow of external air.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛, 상기 지지 플레이트에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 지지 플레이트의 주변을 감싸며 상부가 개방된 하부 용기, 그리고 상기 하부 용기와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 용기를 포함하되, 상기 하부 용기는 상기 지지 플레이트의 측부 및 하부를 감싸는 내측컵과 상기 내측컵과 상기 지지 플레이트의 사이 공간에 위치되는 간섭 플레이트를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 지지 플레이트와 상기 간섭 플레이트는 서로 중첩되게 위치된다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit having a support plate for supporting the substrate, a heater unit provided on the support plate and heating the substrate, a lower container surrounding the support plate and having an open top, and the lower container and an upper container to form a processing space therein, wherein the lower container includes an inner cup surrounding the side and lower portions of the support plate, and an interference plate positioned in a space between the inner cup and the support plate. , when viewed from above, the support plate and the interference plate are positioned to overlap each other.

상기 간섭 플레이트는 상기 지지 플레이트 및 상기 내측컵 각각으로부터 이격되게 위치될 수 있다. The interference plate may be positioned to be spaced apart from each of the support plate and the inner cup.

상기 내측컵은, 상기 간섭 플레이트보다 아래에 위치되는 내측 플레이트, 상기 내측 플레이트의 끝단으로부터 위로 연장되는 내측링, 상기 내측링으로부터 상기 내측 플레이트에 멀어지는 방향으로 연장되는 링플레이트, 그리고 상기 링 플레이트로부터 위로 연장되어 상기 내측링을 감싸는 중간링을 포함한다. 상기 기판 지지 유닛은, 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판의 위치를 안내하는 가이드를 더 포함하되, 상기 가이드는 상기 내측링과 상기 중간링과 상기 내측링 간의 사이 공간을 차단할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 가이드는 상기 지지 플레이트의 일부, 상기 중간링, 그리고 상기 내측링과 중첩되게 위치될 수 있다. The inner cup may include an inner plate positioned below the interference plate, an inner ring extending upwardly from an end of the inner plate, a ring plate extending from the inner ring in a direction away from the inner plate, and upward from the ring plate. It extends and includes a middle ring surrounding the inner ring. The substrate support unit may further include a guide for guiding a position of the substrate placed on the support plate, wherein the guide may block a space between the inner ring and the intermediate ring and the inner ring. When viewed from above, the guide may be positioned to overlap a portion of the support plate, the middle ring, and the inner ring.

상기 하부 용기는, 상기 내측컵을 감싸며, 상기 상부 용기와 조합되는 외측컵을 더 포함하되, 상기 가이드의 측단은 상기 외측컵과 인접하게 위치될 수 있다.The lower container may include an outer cup that surrounds the inner cup and is combined with the upper container, wherein a side end of the guide may be positioned adjacent to the outer cup.

또한 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛, 상기 지지 플레이트에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛, 상기 지지 플레이트의 주변을 감싸며, 상부가 개방된 하부 용기, 그리고 상기 하부 용기와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 용기를 포함하되, 상기 하부 용기는 상기 지지 플레이트를 감싸는 내측컵을 포함하되, 상기 내측컵은 상기 지지 플레이트의 측부를 감싸는 내측링과 상기 내측링을 감싸는 중간링을 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은 상기 지지 플레이트에 놓여진 기판의 위치를 안내하는 가이드를 더 포함하되, 상기 가이드는 상기 내측링과 상기 중간링과 상기 내측링 간의 사이 공간을 차단한다. In addition, an apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit having a support plate for supporting the substrate, a heater unit provided on the support plate and heating the substrate, a lower container surrounding the support plate and having an open top, and the An upper container combined with a lower container to form a processing space therein, wherein the lower container includes an inner cup surrounding the support plate, wherein the inner cup includes an inner ring surrounding a side of the support plate and the inner ring and a middle ring surrounding the substrate, wherein the substrate support unit further includes a guide for guiding a position of the substrate placed on the support plate, wherein the guide blocks the space between the inner ring and the intermediate ring and the inner ring .

상부에서 바라볼 때 상기 가이드는 상기 지지 플레이트의 일부, 상기 중간링, 그리고 상기 내측링과 중첩되게 위치될 수 있다. When viewed from above, the guide may be positioned to overlap a portion of the support plate, the middle ring, and the inner ring.

상기 하부 용기는 상기 내측컵을 감싸며, 상기 상부 용기와 조합되는 외측컵을 더 포함하되, 상기 가이드의 외측단은 상기 외측컵과 인접하게 위치될 수 있다. 상기 외측컵의 상단은 상기 가이드보다 높게 위치될 수 있다. The lower container may surround the inner cup and further include an outer cup combined with the upper container, wherein the outer end of the guide may be positioned adjacent to the outer cup. The upper end of the outer cup may be positioned higher than the guide.

상기 내측컵은, 상기 지지 플레이트의 아래에 위치되며, 상기 내측링의 하단으로부터 연장되는 내측 플레이트를 더 포함하고, 상기 하부 용기는, 상기 내측 플레이트과 상기 지지 플레이트의 사이 공간에 위치되는 간섭 플레이트를 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 지지 플레이트와 상기 간섭 플레이트는 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 간섭 플레이트는 상기 지지 플레이트 및 상기 내측 플레이트 각각으로부터 이격되게 위치될 수 있다. The inner cup is positioned below the support plate, and further includes an inner plate extending from a lower end of the inner ring, and the lower container further includes an interference plate positioned in a space between the inner plate and the support plate. However, when viewed from above, the support plate and the interference plate may be positioned to overlap each other. The interference plate may be positioned to be spaced apart from each of the support plate and the inner plate.

본 발명의 실시예에 의하면, 내측컵과 상기 지지 플레이트의 사이 공간에는 간섭 플레이트가 제공된다. 이로 인해 지지 플레이트로부터 발생되는 고온을 단열하는 동시에 기류의 흐름을 억제할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, an interference plate is provided in the space between the inner cup and the support plate. Accordingly, it is possible to insulate the high temperature generated from the support plate and suppress the flow of airflow.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 가이드는 내측링과 중간링에 중첩되게 위치된다. 이로 인해 유입 기류의 유량을 억제할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, the guide is positioned to overlap the inner ring and the middle ring. For this reason, the flow volume of an inflow airflow can be suppressed.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 링 플레이트는 내측링으로부터 연장된다. 이로 인해 내측링과 중간링의 사이 공간에 외기가 유입되는 것을 차단할 수 있다. Also according to an embodiment of the present invention, the ring plate extends from the inner ring. Due to this, it is possible to block the inflow of external air into the space between the inner ring and the middle ring.

도 1은 일반적인 하부 용기를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 8의 하부 용기를 확대해 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a general lower container.
2 is a perspective view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 .
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 .
6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 .
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 ;
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7 .
9 is a plan view illustrating the substrate support unit of FIG. 8 .
FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the lower container of FIG. 8 .
11 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 2 , and FIG. 4 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 is a plan view of

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.2 to 4 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 10 may be placed in the load port 22 by an operator or a transfer means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and moves in the third direction 16 . It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 3, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. In addition, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 5 , the application block 30a includes a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4 . Referring to FIG. 5 , the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends inwardly from the base 3428 . A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. 4 and 5 , the heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3200 are located at one side of the transfer chamber 3400 .

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 , and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6 . The heat treatment chamber 3200 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a transport plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. Optionally, a door (not shown) may be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. A cooling member 3224 is provided on the cooling plate 3222 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 히터 유닛(1400), 배기 유닛(1500), 제1센서 유닛(1620), 제2센서 유닛(1640), 그리고 제어기를 포함한다. The heating unit 3230 is provided as the apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at or lower than normal pressure. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 7 . Referring to FIG. 8 , the heating unit 1000 includes a chamber 1100 , a substrate support unit 1200 , a heater unit 1400 , an exhaust unit 1500 , a first sensor unit 1620 , and a second sensor unit 1640 . ), and the controller.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 용기(1120), 하부 용기(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-processing the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper container 1120 , a lower container 1140 , and a sealing member 1160 .

상부 용기(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 용기(1120)의 상면에는 배기홀(1122) 및 유입홀(1124)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 용기(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1124)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1122)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1124)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper container 1120 is provided in a cylindrical shape with an open bottom. An exhaust hole 1122 and an inlet hole 1124 are formed on the upper surface of the upper container 1120 . The exhaust hole 1122 is formed in the center of the upper container 1120 . The exhaust hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110 . A plurality of inlet holes 1124 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the exhaust holes 1122 . The inlet holes 1124 introduce an external airflow into the processing space 1110 . According to an example, the number of inlet holes 1124 may be four, and the external airflow may be air.

선택적으로, 유입홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공되거나, 외기는 비활성 가스일 수 있다.Optionally, three or five or more inlet holes 1124 may be provided, or outside air may be an inert gas.

하부 용기(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 용기(1140)는 상부 용기(1120)의 아래에 위치된다. 상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 용기(1140)는 상부 용기(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 용기(1140)의 상단은 상부 용기(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower container 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower container 1140 is located below the upper container 1120 . The upper container 1120 and the lower container 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper container 1120 and the lower container 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper container 1120 and the lower container 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower container 1140 may have the same diameter as the upper container 1120 . That is, the upper end of the lower container 1140 may be positioned to face the lower end of the upper container 1120 .

상부 용기(1120) 및 하부 용기(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 용기(1140)의 위치가 고정되고, 상부 용기(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 용기(1120)와 하부 용기(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 용기(1140) 및 상부 용기(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper container 1120 and the lower container 1140 is moved to the open position and the closed position by the lifting member 1130, and the other one is fixed. In this embodiment, it will be described that the position of the lower container 1140 is fixed and the upper container 1120 is moved. The open position is a position where the upper container 1120 and the lower container 1140 are spaced apart from each other and the processing space 1110 is opened. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower container 1140 and the upper container 1120 .

실링 부재(1160)는 상부 용기(1120)와 하부 용기(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 용기(1120)와 하부 용기(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 용기(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper container 1120 and the lower container 1140 . The sealing member 1160 seals the processing space from the outside when the upper container 1120 and the lower container 1140 come into contact with each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower container 1140 .

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 용기(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340) 그리고 지지핀(1600)을 포함한다. 도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 안착면(1320a)과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 삽입홀들(1324)은 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)과 다르게 배열된다. 삽입홀들(1324)은 안착면(1320a)의 전체 영역에 균등하게 배열될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110 . The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower container 1140 . The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320 , a lift pin 1340 , and a support pin 1600 . 9 is a plan view illustrating the substrate support unit of FIG. 8 . 8 and 9 , the support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1400 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface 1320a on which the substrate W is placed. A plurality of lift holes 1322 , insertion holes 1324 , and vacuum holes 1326 are formed on the seating surface 1320a . The lift holes 1322 , the insertion holes 1324 , and the vacuum holes 1326 are located in different regions. When viewed from the top, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 are respectively arranged to surround the center of the upper surface of the support plate 1320 . Each of the lift holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. Each of the vacuum holes 1326 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The vacuum holes 13260 may provide a negative pressure between the seating surface 1320a and the substrate W, thereby vacuum adsorbing the substrate W. For example, the lift holes 1322 and the vacuum holes 1326 may be combined with each other and arranged to have an annular ring shape. The lift holes 1322 may be positioned to be spaced apart from each other at the same distance, and the vacuum holes 1326 may be positioned to be spaced apart from each other by the same distance. The insertion holes 1324 are arranged differently from the lift holes 1322 and the vacuum hole 1326 . The insertion holes 1324 may be uniformly arranged over the entire area of the seating surface 1320a.

예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.For example, three lift holes 1322 and three vacuum holes 1326 may be provided, respectively. The support plate 1320 may be made of a material including aluminum nitride (AlN).

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.The lift pins 1340 elevate the substrate W on the support plate 1320 . A plurality of lift pins 1342 are provided, and each of the lift pins 1342 is provided in the shape of a pin facing in the vertical direction. A lift pin 1340 is positioned in each lift hole 1322 . A driving member (not shown) moves each of the lift pins 1342 between an elevated position and a lowered position. Here, the lifting position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is higher than the seating surface 1320a, and the lowering position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is the same as or lower than the seat surface 1320a. A driving member (not shown) may be located outside the chamber 1100 . The driving member (not shown) may be a cylinder.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the seating surface 1320a. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342 . A plurality of support pins 1360 are provided, and each is fixedly installed on the seating surface 1320a. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface 1320a. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface in direct contact with the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, the contact area between the support pin 1360 and the substrate W may be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면(1320a)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a fixed position. The guide 1380 is provided to have an annular ring shape surrounding the seating surface 1320a. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a downwardly inclined shape as it approaches the central axis of the support plate 1320 . Accordingly, the substrate W spanning the inner surface of the guide 1380 is moved to the original position riding the inclined surface.

히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 히터들(1420)은 지지면의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 히팅존들 중 일부는 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역에 위치되고, 다른 일부는 가장자리 영역에 위치될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 측정 부재(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)를 공정 온도로 가열할 수 있다. The heater unit 1400 heats the substrate W placed on the support plate 1320 . The heater unit 1400 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320 . The heater unit 1400 includes a plurality of heaters 1420 . Heaters 1420 are positioned within support plate 1320 . Optionally, the heaters 1420 may be located on the bottom surface of the support plate 1320 . The heaters 1420 are located on the same plane. The heaters 1420 heat different regions of the support surface. When viewed from the top, the area of the support plate 1320 corresponding to each heater 1420 may be provided as heating zones. Some of the heating zones may be located in the central region of the support plate 1320 , and other parts may be located in the edge region. Each heater 1420 is independently adjustable in temperature. For example, the number of heating zones may be 15. The temperature of each heating zone is measured by a measuring member (not shown). The heaters 1420 may be printed patterns or hot wires. The heater unit 1400 may heat the support plate 1320 to a process temperature.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1540)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 용기(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 배기관(1530)의 상단에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1542) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.The exhaust unit 1500 forcibly exhausts the inside of the processing space 1110 . The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1530 and a guide plate 1540 . The exhaust pipe 1530 has a tubular shape in which the longitudinal direction is perpendicular to the vertical direction. The exhaust pipe 1530 is positioned to pass through the upper wall of the upper container 1120 . According to an example, the exhaust pipe 1530 may be positioned to be inserted into the exhaust hole 1122 . That is, the lower end of the exhaust pipe 1530 is located in the processing space 1110 , and the upper end of the exhaust pipe 1530 is located outside the processing space 1110 . A pressure reducing member 1560 is connected to the upper end of the exhaust pipe 1530 . The pressure reducing member 1560 depressurizes the exhaust pipe 1530 . Accordingly, the atmosphere of the processing space 1110 is exhausted sequentially through the through hole 1542 and the exhaust pipe 1530 .

안내판(1540)은 중심에 통공(1542)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1540)은 통공(1542)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1540)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1540)은 하부 용기(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1540)은 상부 용기(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1540)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 용기(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1540)의 측단과 상부 용기(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.The guide plate 1540 has a plate shape having a through hole 1542 in the center. The guide plate 1540 has a circular plate shape extending from the lower end of the exhaust pipe 1530 . The guide plate 1540 is fixedly coupled to the exhaust pipe 1530 so that the through hole 1542 and the inside of the exhaust pipe 1530 communicate with each other. The guide plate 1540 is positioned on the upper portion of the support plate 1320 to face the support surface of the support plate 1320 . The guide plate 1540 is positioned higher than the lower container 1140 . According to an example, the guide plate 1540 may be positioned at a height facing the upper container 1120 . When viewed from the top, the guide plate 1540 is positioned to overlap the inlet hole 1124 and has a diameter that is spaced apart from the inner surface of the upper container 1120 . Accordingly, a gap is generated between the side end of the guide plate 1540 and the inner surface of the upper container 1120 , and the gap is provided as a flow path through which the air flow introduced through the inlet hole 1124 is supplied to the substrate W.

다음은 하부 용기(1140)에 대해 보다 구체적으로 설명한다. 도 10은 도 8의 하부 용기를 확대해 보여주는 단면도이다. 도 10을 참조하면, 하부 용기(1140)는 내측컵(1170), 간섭 플레이트(1190), 그리고 외측컵(1180)을 가진다. 내측컵(1170)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 내측컵(1170)은 지지 플레이트(1320)의 측부 및 하부를 감싸도록 제공된다. 내측컵(1170)은 내측 플레이트(1172), 내측링(1174), 링 플레이트(1176), 그리고 중간링(1178)을 가진다. 내측 플레이트(1172)는 지지 플레이트(1320)의 저면을 감싸도록 제공된다. 내측 플레이트(1172)는 지지 플레이트(1320)의 아래에 위치되며, 지지 플레이트(1320)보다 큰 형상으로 제공된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 내측 플레이트(1172)는 지지 플레이트(1320)와 중첩되게 위치되며, 동심원을 가지도록 위치될 수 있다. 내측 플레이트(1172)는 지지 플레이트(1320)로부터 이격되게 위치된다. 내측링(1174)은 지지 플레이트(1320)의 측부를 감싸도록 제공된다. 내측링(1174)은 내측 플레이트(1172)의 측단으로부터 위로 연장된 링 형상을 가진다. 내측 플레이트(1172)와 내측링(1174)은 서로 조합되어 위가 개방된 컵 형상을 가진다. 따라서 내측 플레이트(1172)와 내측링(1174)의 조합에 의해 내측 공간인 제1공간(X)이 형성된다. 내측링(1174)의 상단은 지지 플레이트(1320)보다 높게 위치될 수 있다.Next, the lower container 1140 will be described in more detail. FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the lower container of FIG. 8 . Referring to FIG. 10 , the lower container 1140 has an inner cup 1170 , an interference plate 1190 , and an outer cup 1180 . The inner cup 1170 has a cup shape with an open top. The inner cup 1170 is provided to surround the side and the lower portion of the support plate 1320 . The inner cup 1170 has an inner plate 1172 , an inner ring 1174 , a ring plate 1176 , and an intermediate ring 1178 . The inner plate 1172 is provided to surround the bottom surface of the support plate 1320 . The inner plate 1172 is positioned below the support plate 1320 and has a larger shape than the support plate 1320 . According to an example, when viewed from the top, the inner plate 1172 is positioned to overlap the support plate 1320 and may be positioned to have concentric circles. The inner plate 1172 is positioned spaced apart from the support plate 1320 . The inner ring 1174 is provided to surround the side of the support plate 1320 . The inner ring 1174 has a ring shape extending upward from the side end of the inner plate 1172 . The inner plate 1172 and the inner ring 1174 are combined with each other to have an open cup shape. Accordingly, the first space (X), which is an inner space, is formed by the combination of the inner plate 1172 and the inner ring 1174 . The upper end of the inner ring 1174 may be positioned higher than the support plate 1320 .

링 플레이트(1176)는 내측링(1174)으로부터 외측 방향으로 연장되는 링 형상으로 제공된다. 링 플레이트(1176)는 내측링(1174)으로부터 그 중심축과 멀어지는 방향으로 연장되게 제공된다. 일 예에 의하면, 링 플레이트(1176)는 내측링(1174)의 하단으로부터 연장될 수 있다. 따라서 링 플레이트(1176)와 내측링(1174)은 동일 높이에 위치될 수 있다. 다만, 링 플레이트(1176)의 높이는 이에 한정되지 않는다.The ring plate 1176 is provided in a ring shape extending outwardly from the inner ring 1174 . The ring plate 1176 is provided to extend from the inner ring 1174 in a direction away from its central axis. According to an example, the ring plate 1176 may extend from the lower end of the inner ring 1174 . Accordingly, the ring plate 1176 and the inner ring 1174 may be positioned at the same height. However, the height of the ring plate 1176 is not limited thereto.

중간링(1178)은 내측링(1174)을 감싸도록 제공된다. 중간링(1178)은 내측링(1174)으로부터 위로 연장되는 링 형상을 가진다. 중간링(1178)은 내측링(1174)의 측단으로부터 연장된다. 따라서 중간링(1178)은 내측링(1174)과 이격되게 위치된다. 따라서 내측링(1174)과 중간링(1178)의 사이 공간인 제2공간(Y)이 형성된다. 일 예에 의하면, 중간링(1178)은 내측링(1174)과 동일한 높이의 상단을 가질 수 있다. An intermediate ring 1178 is provided to surround the inner ring 1174 . The middle ring 1178 has a ring shape extending upward from the inner ring 1174 . The middle ring 1178 extends from the side end of the inner ring 1174 . Accordingly, the middle ring 1178 is positioned to be spaced apart from the inner ring 1174 . Accordingly, a second space (Y), which is a space between the inner ring 1174 and the intermediate ring 1178, is formed. According to an example, the middle ring 1178 may have an upper end of the same height as the inner ring 1174 .

간섭 플레이트(1190)는 내측컵(1170)과 지지플레이트의 사이 공간인 제1공간(X)에 흐르는 기류를 간섭한다. 간섭 플레이트(1190)는 제1공간(X)에 흐르는 기류의 유량을 감소시킨다. 간섭 플레이트(1190)는 내측컵(1170)과 지지 플레이트(1320)의 사이에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 간섭 플레이트(1190)는 지지 플레이트(1320)와 중첩되게 위치된다. 간섭 플레이트(1190)는 지지 플레이트(1320)에 대응되거나, 그보다 작은 크기의 판 형상으로 제공된다. 예컨대, 간섭 플레이트(1190)는 단열 재질로 제공되어 지지 플레이트(1320)의 발열을 단열할 수 있다. 간섭 플레이트(1190)는 지지 플레이트(1320)와 내측 플레이트(1172) 각각으로부터 이격되게 위치될 수 있다.The interference plate 1190 interferes with the airflow flowing in the first space (X), which is a space between the inner cup 1170 and the support plate. The interference plate 1190 reduces the flow rate of the airflow flowing in the first space (X). The interference plate 1190 is positioned between the inner cup 1170 and the support plate 1320 . When viewed from the top, the interference plate 1190 is positioned to overlap the support plate 1320 . The interference plate 1190 is provided in a plate shape corresponding to or smaller than the support plate 1320 . For example, the interference plate 1190 may be provided with a heat insulating material to insulate the heat of the support plate 1320 . The interference plate 1190 may be positioned to be spaced apart from each of the support plate 1320 and the inner plate 1172 .

외측컵(1180)은 내측컵(1170)을 감싸는 컵 형상을 가진다. 외측컵(1180)은 상부 용기와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성한다. 실링 부재는 외측컵(1180)과 상부 용기의 사이에 위치된다. 외측컵(1180)은 바닥 플레이트(1186), 외측링(1182), 그리고 지지링(1184)을 가진다. 바닥 플레이트(1186)는 내측 플레이트(1172)의 아래에 위치되며, 내측 플레이트(1172)와 동심원을 가지도록 제공된다. 바닥 플레이트(1186)는 중간링(1178)에 비해 큰 직경을 가지는 판 형상으로 제공된다. 바닥 플레이트(1186)는 내측 플레이트(1172)와 이격되게 위치된다. 외측링(1182)은 바닥 플레이트(1186)의 측단으로부터 위로 연장되게 제공된다. 외측링(1182)은 중간링(1178)과 이격되게 위치된다. 따라서 외측링(1182)과 중간링(1178) 간의 사이 공간인 제3공간(Z)이 형성된다. 일 예에 의하면, 외측링(1182)은 내측링(1174) 또는 중간링(1178)에 비해 높은 상단을 가진다. 이는 상부 용기와 외측컵(1180) 간에 정렬 상태가 일부 어긋날 때에 상부 용기가 내측컵(1170) 또는 가이드(1380)에 접촉되는 것을 방지하기 위함이다. 지지링(1184)은 실링 부재와 접촉되는 영역으로 제공된다. 지지링(1184)은 외측링(1182)의 상단으로부터 외측 방향으로 연장되는 링 형상을 가진다. 일 예에 의하면, 지지링(1184)은 가이드(1380)보다 높게 위치될 수 있다. 즉, 외측링(1182)의 상단은 가이드(1380)보다 높게 제공될 수 있다.The outer cup 1180 has a cup shape surrounding the inner cup 1170 . The outer cup 1180 is combined with the upper container to form a processing space therein. The sealing member is positioned between the outer cup 1180 and the upper container. The outer cup 1180 has a bottom plate 1186 , an outer ring 1182 , and a support ring 1184 . The bottom plate 1186 is positioned below the inner plate 1172 and is provided to be concentric with the inner plate 1172 . The bottom plate 1186 is provided in a plate shape having a larger diameter than that of the intermediate ring 1178 . The bottom plate 1186 is positioned spaced apart from the inner plate 1172 . The outer ring 1182 is provided to extend upwardly from the side end of the bottom plate 1186 . The outer ring 1182 is positioned to be spaced apart from the middle ring 1178 . Therefore, a third space (Z) is formed between the outer ring 1182 and the intermediate ring 1178. In one example, the outer ring 1182 has a higher top than the inner ring 1174 or the middle ring 1178 . This is to prevent the upper container from contacting the inner cup 1170 or the guide 1380 when the alignment state between the upper container and the outer cup 1180 is partially shifted. The support ring 1184 is provided as a region in contact with the sealing member. The support ring 1184 has a ring shape extending outward from the top of the outer ring 1182 . According to an example, the support ring 1184 may be positioned higher than the guide 1380 . That is, the upper end of the outer ring 1182 may be provided higher than the guide 1380 .

가이드(1380)는 내측링(1174)과 중간링(1178)에 놓여진다. 상부에서 바라볼 때 가이드(1380)는 지지 플레이트(1320)의 일부, 제1공간(X)의 전체, 제2공간(Y)의 전체, 그리고 제3공간(Z)의 일부에 중첩되도록 위치된다. 즉, 상부에서 바라볼 때 가이드(1380) 내측단은 지지 플레이트(1320)에 중첩되게 위치되고, 가이드(1380)의 외측단은 제3공간(Z)과 중첩되게 위치된다. Guide 1380 rests on inner ring 1174 and middle ring 1178 . When viewed from the top, the guide 1380 is positioned to overlap a part of the support plate 1320 , the whole of the first space X, the whole of the second space Y, and a part of the third space Z . That is, when viewed from the top, the inner end of the guide 1380 is positioned to overlap the support plate 1320 , and the outer end of the guide 1380 is positioned to overlap the third space (Z).

본 실시예에는 도시되지 않았지만, 내측컵(1170)과 외측컵(1180) 각각에는 홀들(미도시)이 형성된다. 이러한 홀들(미도시)은 히터와 전원을 연결하기 위한 케이블이 제공되는 공간과 리프트 핀(1340)이 구동되기 위한 공간으로 제공되며, 외기가 유입된다. 이러한 유입 외기는 처리 공간으로 흘러 기판의 온도에 영향을 끼칠 수 있다. 그러나 가이드(1380)는 제1공간(X)과 제3공간(Z)을 통해 기판의 가장자리 영역으로 안내되는 기류의 흐름을 간섭하고, 각 공간으로부터 흘러 기판에 접촉되는 기류의 유량을 최소화할 수 있다. Although not shown in this embodiment, holes (not shown) are formed in each of the inner cup 1170 and the outer cup 1180 . These holes (not shown) are provided as a space in which a cable for connecting the heater and power is provided and a space in which the lift pin 1340 is driven, and outside air is introduced. Such inlet outside air may flow into the processing space and affect the temperature of the substrate. However, the guide 1380 interferes with the flow of the airflow guided to the edge region of the substrate through the first space (X) and the third space (Z), and can minimize the flow rate of the airflow flowing from each space and contacting the substrate. there is.

또한 종래에 비해 제2공간(Y)에는 외기가 유입될 수 있는 공간이 제공되지 않으므로, 제2공간(Y)을 통해 외기 유입을 방지할 수 있다. 이와 동시에 간섭 플레이트(1190)는 히터에 의한 고온을 단열하므로, 간섭 플레이트(1190), 내측 플레이트(1172), 그리고 바닥 플레이트(1186)에 의한 3중 단열 효과를 가질 수 있다.In addition, compared to the prior art, the second space (Y) is not provided with a space into which the outside air can be introduced, it is possible to prevent the inflow of the outside air through the second space (Y). At the same time, since the interference plate 1190 insulates the high temperature by the heater, the interference plate 1190 , the inner plate 1172 , and the bottom plate 1186 may have a triple insulation effect.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 6 and 7 , the transport plate 3240 is provided in a substantially disk shape and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at the edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424 described above. In addition, the notches 3244 are provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand 3420 , and are formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand 3420 and the carrier plate 3240 are changed in a position where the hand 3420 and the carrier plate 3240 are vertically aligned, the substrate W between the hand 3420 and the carrier plate 3240 is transfer takes place The transport plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 , and may be moved between the first region 3212 and the second region 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The length direction of the guide grooves 3242 is provided along the second direction 14 , and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the first direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins 1340 from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230 .

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the support plate 1320 , and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed and the cooling plate 3222 . made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well achieved. According to one example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in some of the heat treatment chambers 3200 may supply a gas while heating the substrate W to improve the adhesion rate of the photoresist to the substrate W. According to an example, the gas may be hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed at one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side in the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

도 11은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 11 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 4 . Referring to FIG. 11 , the liquid processing chambers 3602 and 3604 include a housing 3610 , a cup 3620 , a support unit 3640 , and a liquid supply unit 3660 . The housing 3610 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610 . The inlet may be opened and closed by a door (not shown). The cup 3620 , the support unit 3640 , and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610 . A fan filter unit 3670 for forming a downdraft in the housing 3260 may be provided on the upper wall of the housing 3610 . The cup 3620 has a processing space with an open top. The support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the support unit 3640 .

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 3 and 4 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers will be referred to as a front buffer 3802 (front buffer). The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 hereinafter. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804 (rear buffer). The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . The heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the developing block 30b are the heat treatment chamber 3200 , the transfer chamber 3400 , and the liquid treatment chamber 3600 of the application block 30a . ) and is provided in a structure and arrangement substantially similar to that of However, in the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to one example, the additional process is an edge exposure process of exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and these may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 includes a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hands 3420 of the transport robots 3422 and 3424 . Optionally, the hand of the robot directly exchanging the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robots 3422 and 3424, and the hands of the remaining robots have a different shape. can be provided as

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the front heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the developing block 30b may be provided to directly transfer the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate W .

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflection film application process (S22) in the front stage liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a subsequent liquid treatment The photoresist film coating process ( S24 ) in the chamber 3604 and the heat treatment process ( S25 ) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802 . The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front-end buffer 3802 to the front-end heat treatment chamber 3200 . The substrate W is transferred to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240 . When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220 . The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper part of the cooling unit 3220 , and the transfer robot 3422 takes out the substrate W from the heat treatment chamber 3200 and moves it to the front stage liquid treatment chamber 3602 . return it

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the front stage liquid processing chamber 3602 .

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the front stage liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , the above-described heating process and cooling process are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate W and transfers it to the downstream liquid treatment chamber 3604 .

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the downstream liquid processing chamber 3604 .

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the downstream liquid processing chamber 3604 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200 , and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The first robot 4602 of the interface module 40 unloads the substrate W from the downstream buffer 3804 and transports it to the auxiliary process chamber 4200 .

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200 .

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50 .

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The developing process ( S80 ) is performed by sequentially performing the heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , the developing process ( S82 ) in the liquid treatment chamber 3600 , and the heat treatment process ( S83 ) in the heat treatment chamber 3200 . do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The transfer robot 3422 transports the substrate W to the heat treatment chamber 3200 by unloading the substrate W from the downstream buffer 3804 . In the heat treatment chamber 3200 , a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 .

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600 .

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is unloaded from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and loaded into the heat treatment chamber 3200 . A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200 . When the cooling process is completed, the substrate W is unloaded from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802 .

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10 .

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating processing process and a developing processing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1140: 하부 용기 1170: 내측컵
1172: 내측 플레이트 1174: 내측링
1176: 링 플레이트 1178: 중간링
1190: 간섭 플레이트 1180: 외측컵1140: lower container 1170: inner cup
1172: inner plate 1174: inner ring
1176: ring plate 1178: middle ring
1190: interference plate 1180: outer cup

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 지지 플레이트에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛과;
상기 지지 플레이트의 주변을 감싸며 상부가 개방된 하부 용기와;
상기 하부 용기와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 용기를 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 지지 플레이트에 놓여진 기판의 위치를 안내하는 가이드를 포함하고,
상기 하부 용기는,
상기 지지 플레이트의 측부 및 하부를 감싸는 내측컵과;
상기 내측컵과 상기 지지 플레이트의 사이 공간에 위치되는 간섭 플레이트를 포함하고,
상기 내측컵은,
상기 간섭 플레이트보다 아래에 위치되는 내측 플레이트와;
상기 내측 플레이트의 끝단으로부터 위로 연장되는 내측링과;
상기 내측링으로부터 상기 내측 플레이트에 멀어지는 방향으로 연장되는 링플레이트와;
상기 링 플레이트로부터 위로 연장되어 상기 내측링을 감싸는 중간링을 포함하고,
상부에서 바라볼 때 상기 지지 플레이트와 상기 간섭 플레이트는 서로 중첩되게 위치되고,
상기 가이드는,
상기 지지 플레이트의 측부와 상기 내측링, 그리고 상기 내측링과 상기 중간링 간의 사이 공간을 차단하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a substrate support unit having a support plate for supporting the substrate;
a heater unit provided on the support plate and heating the substrate;
a lower container surrounding the support plate and having an open top;
an upper container combined with the lower container to form a processing space therein;
The substrate support unit,
a support plate for supporting the substrate;
and a guide for guiding the position of the substrate placed on the support plate,
The lower container,
an inner cup surrounding the side and lower portions of the support plate;
and an interference plate positioned in a space between the inner cup and the support plate,
The inner cup is
an inner plate positioned below the interference plate;
an inner ring extending upwardly from an end of the inner plate;
a ring plate extending from the inner ring in a direction away from the inner plate;
and a middle ring extending upward from the ring plate and surrounding the inner ring,
When viewed from above, the support plate and the interference plate are positioned to overlap each other,
The guide is
A substrate processing apparatus for blocking a space between the side of the support plate and the inner ring, and between the inner ring and the middle ring. 제1항에 있어서,
상기 간섭 플레이트는 상기 지지 플레이트 및 상기 내측컵 각각으로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The interference plate is positioned to be spaced apart from each of the support plate and the inner cup. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 가이드는 상기 지지 플레이트의 일부, 상기 중간링, 그리고 상기 내측링과 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
When viewed from above, the guide is positioned to overlap a portion of the support plate, the middle ring, and the inner ring. 제5항에 있어서,
상기 하부 용기는,
상기 내측컵을 감싸며, 상기 상부 용기와 조합되는 외측컵을 더 포함하되,
상기 가이드의 측단은 상기 외측컵과 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The lower container,
Surrounding the inner cup, further comprising an outer cup combined with the upper container,
A side end of the guide is positioned adjacent to the outer cup. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과;
상기 지지 플레이트에 제공되며, 기판을 가열하는 히터 유닛과;
상기 지지 플레이트의 주변을 감싸며, 상부가 개방된 하부 용기와;
상기 하부 용기와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 용기를 포함하되,
상기 하부 용기는,
상기 지지 플레이트를 감싸는 내측컵을 포함하되,
상기 내측컵은,
상기 지지 플레이트의 측부를 감싸는 내측링과;
상기 내측링을 감싸는 중간링을 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 지지 플레이트에 놓여진 기판의 위치를 안내하는 가이드를 더 포함하되,
상기 가이드는,
상기 지지 플레이트의 측부와 상기 내측링, 그리고 상기 내측링과 상기 중간링 간의 사이 공간을 차단하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a substrate support unit having a support plate for supporting the substrate;
a heater unit provided on the support plate and heating the substrate;
a lower container surrounding the support plate and having an open top;
an upper container combined with the lower container to form a processing space therein;
The lower container,
Including an inner cup surrounding the support plate,
The inner cup is
an inner ring surrounding the side of the support plate;
Including a middle ring surrounding the inner ring,
The substrate support unit,
Further comprising a guide for guiding the position of the substrate placed on the support plate,
The guide is
A substrate processing apparatus for blocking a space between the side of the support plate and the inner ring, and between the inner ring and the middle ring. 제7항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 가이드는 상기 지지 플레이트의 일부, 상기 중간링, 그리고 상기 내측링과 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
When viewed from above, the guide is positioned to overlap a portion of the support plate, the middle ring, and the inner ring. 제8항에 있어서,
상기 하부 용기는,
상기 내측컵을 감싸며, 상기 상부 용기와 조합되는 외측컵을 더 포함하되,
상기 가이드의 외측단은 상기 외측컵과 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The lower container,
Surrounding the inner cup, further comprising an outer cup combined with the upper container,
An outer end of the guide is positioned adjacent to the outer cup. 제9항에 있어서,
상기 외측컵의 상단은 상기 가이드보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The upper end of the outer cup is positioned higher than the guide substrate processing apparatus. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내측컵은,
상기 지지 플레이트의 아래에 위치되며, 상기 내측링의 하단으로부터 연장되는 내측 플레이트를 더 포함하고,
상기 하부 용기는,
상기 내측 플레이트과 상기 지지 플레이트의 사이 공간에 위치되는 간섭 플레이트를 더 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 지지 플레이트와 상기 간섭 플레이트는 서로 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.11. The method according to any one of claims 7 to 10,
The inner cup is
It is located under the support plate, further comprising an inner plate extending from the lower end of the inner ring,
The lower container,
Further comprising an interference plate positioned in the space between the inner plate and the support plate,
When viewed from above, the support plate and the interference plate are positioned to overlap each other. 제11항에 있어서,
상기 간섭 플레이트는 상기 지지 플레이트 및 상기 내측 플레이트 각각으로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.

12. The method of claim 11,
The interference plate is positioned to be spaced apart from each of the support plate and the inner plate.
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