KR102351669B1

KR102351669B1 - Apparatus for treating a substrate

Info

Publication number: KR102351669B1
Application number: KR1020170111716A
Authority: KR
Inventors: 노상은
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2017-09-01
Filing date: 2017-09-01
Publication date: 2022-01-17
Also published as: KR20190025779A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공정 공간을 가지는 하우징과; 상기 공정 공간에 위치되며, 상부가 개방되는 컵 형상을 가지고, 내부에 처리 공간이 형성되는 처리 용기와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상이 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 조절하는 승강 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 상기 상대 높이의 조절로 인해 상기 처리 용기의 측부에 발생되는 틈을 실링하는 실링 유닛을 포함하되, 상기 실링 유닛은, 틈을 막는 환형의 링 형상을 갖는 실링 블록; 및 상기 실링 블록을 탄력적으로 지지하는 지지부재를 포함할 수 있다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes: a housing having a processing space in which a substrate processing process is performed; a processing vessel positioned in the processing space, having a cup shape with an open top, and having a processing space formed therein; a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit; a lifting unit for adjusting a relative height between the substrate supporting unit and the processing vessel; an exhaust unit for exhausting the processing space; and a sealing unit sealing a gap generated in the side of the processing vessel due to the adjustment of the relative height, wherein the sealing unit includes: a sealing block having an annular ring shape for closing the gap; and a support member for elastically supporting the sealing block.

Description

Substrate processing apparatus

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들은 기판을 액 처리하는 공정으로, 다양한 종류의 액이 기판에 공급된다.Various processes such as photography, etching, ashing, and cleaning processes are performed for manufacturing semiconductor devices and flat panel display panels. These processes are processes for treating a substrate with a liquid, and various types of liquid are supplied to the substrate.

일반적으로 액 처리 공정은 단일 장치에서 2 이상의 액들이 공급되며, 액들이 혼합되는 것을 방지하기 위해 이들을 서로 분리 회수한다. 도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판(W)은 처리 용기(2)에 둘러싸여지며, 각각의 액은 처리 용기(2)에 분리 회수 된다. In general, in a liquid treatment process, two or more liquids are supplied from a single device, and they are separated and collected from each other in order to prevent the liquids from being mixed. 1 is a cross-sectional view showing a general liquid processing apparatus. Referring to FIG. 1 , the substrate W is surrounded by a processing vessel 2 , and each liquid is separated and recovered in the processing vessel 2 .

처리 용기(2)의 내부는 기판(W)이 처리되는 처리 공간(2a)을 가지며, 처리 공간(2a)을 배기하는 배기 부재가 설치된다. 처리 용기는 외측컵(6)과 내측컵(4)으로 구성되며, 내측컵(4)은 외측컵(6) 및 기판(W)에 대해 상대 높이가 조절된다. 내측컵(4)의 상대 높이가 조절되는 과정에서 내측컵(4)과 외측컵(6) 간에는 틈이 발생된다. The interior of the processing container 2 has a processing space 2a in which the substrate W is processed, and an exhaust member for evacuating the processing space 2a is provided. The processing vessel is composed of an outer cup 6 and an inner cup 4 , and the inner cup 4 is adjusted in height relative to the outer cup 6 and the substrate W . In the process of adjusting the relative height of the inner cup 4 , a gap is generated between the inner cup 4 and the outer cup 6 .

이에 따라 처리 공간(2a)의 분위기 일부가 틈을 통해 처리 용기(2)의 외측으로 유실되며, 처리 공간(2a)은 기설정된 배기력보다 낮은 배기력으로 배기된다.Accordingly, a portion of the atmosphere of the processing space 2a is lost to the outside of the processing container 2 through the gap, and the processing space 2a is exhausted with an exhaust force lower than a preset exhaust force.

본 발명은 기판을 처리하는 공간을 기설정된 배기력으로 배기할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of evacuating a space for processing a substrate with a predetermined exhaust force.

또한 본 발명은 처리 공간의 배기력을 높일 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of increasing the exhaust power of a processing space.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공정 공간을 가지는 하우징과; 상기 공정 공간에 위치되며, 상부가 개방되는 컵 형상을 가지고, 내부에 처리 공간이 형성되는 처리 용기와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상이 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 조절하는 승강 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 상기 상대 높이의 조절로 인해 상기 처리 용기의 측부에 발생되는 틈을 실링하는 실링 유닛을 포함하되, 상기 실링 유닛은, 틈을 막는 환형의 링 형상을 갖는 실링 블록; 및 상기 실링 블록을 탄력적으로 지지하는 지지부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a housing comprising: a housing having a process space in which a substrate processing process is performed; a processing vessel positioned in the processing space, having a cup shape with an open top, and having a processing space formed therein; a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit; a lifting unit for adjusting a relative height between the substrate supporting unit and the processing vessel; an exhaust unit for exhausting the processing space; and a sealing unit sealing a gap generated in the side of the processing vessel due to the adjustment of the relative height, wherein the sealing unit includes: a sealing block having an annular ring shape for closing the gap; and a support member for elastically supporting the sealing block may be provided.

또한, 상기 처리 용기는, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 내부에 처리액의 회수 경로가 형성되는 내측컵과; 상기 내측컵을 감싸는 외측컵을 포함하되, 상기 틈은 상기 내측컵과 외측컵 사이에 형성될 수 있다.In addition, the processing container may include: an inner cup surrounding the substrate support unit and having a recovery path of the processing liquid formed therein; an outer cup surrounding the inner cup, wherein the gap may be formed between the inner cup and the outer cup.

또한, 상기 외측컵은, 환형의 링 형상을 가지는 제1외측부와; 상기 제1외측부의 하단으로부터 연장되는 제1바닥부를 포함하고, 상기 내측컵은, 환형의 링 형상을 가지며, 상기 제1외측부와 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되는 제2외측부와; 상기 제2외측부의 하단으로부터 내측으로 연장되는 제2바닥부를 포함하되, 상기 실링 블록은 상기 제2바닥부와 상기 제1외측부에 접하도록 위치되고, 상기 지지부재는 상기 제1바닥부로부터 상기 실링 블록을 지지할 수 있다.In addition, the outer cup, the first outer portion having an annular ring shape; a second outer portion including a first bottom portion extending from a lower end of the first outer portion, wherein the inner cup has an annular ring shape and is positioned between the first outer portion and the substrate support unit; a second bottom portion extending inwardly from a lower end of the second outer portion, wherein the sealing block is positioned so as to be in contact with the second bottom portion and the first outer portion, and the support member is provided with the sealing block from the first bottom portion blocks can be supported.

또한, 상기 외측컵은, 환형의 링 형상을 가지는 제1외측부와; 상기 제1외측부의 하단으로부터 연장되는 제1바닥부를 포함하고, 상기 내측컵은, 환형의 링 형상을 가지며, 상기 제1외측부와 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되는 제2외측부와; 상기 제2외측부의 상단으로부터 외측방향으로 돌출되며, 상하 방향에 대해 상기 제1외측부와 마주하는 지지부를 포함하되, 상기 실링 블록은 상기 제2외측부와 상기 제1외측부에 접하도록 위치되고, 상기 지지부재는 상기 지지부로부터 상기 실링 블록을 지지할 수 있다.In addition, the outer cup, the first outer portion having an annular ring shape; a second outer portion including a first bottom portion extending from a lower end of the first outer portion, wherein the inner cup has an annular ring shape and is positioned between the first outer portion and the substrate support unit; It protrudes outwardly from the upper end of the second outer portion and includes a support portion facing the first outer portion in an up-down direction, wherein the sealing block is positioned so as to be in contact with the second outer portion and the first outer portion, the support The member may support the sealing block from the support part.

또한, 상기 지지부재는 스프링으로 이루어질 수 있다.In addition, the support member may be made of a spring.

또한, 상기 지지부재는 상기 실링 블록을 복수의 지점에서 지지할 수 있다.In addition, the support member may support the sealing block at a plurality of points.

또한, 상기 내측컵은 상기 승강 유닛에 의해 승강 이동되고, 상기 외측컵은 위치가 고정될 수 있다.In addition, the inner cup may be moved up and down by the elevating unit, and the position of the outer cup may be fixed.

또한, 상기 장치는, 상기 처리 용기에 마주하는 상기 하우징의 천장면에 설치되며, 상기 공정 공간에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛을 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include a fan filter unit installed on a ceiling surface of the housing facing the processing vessel and configured to form a downdraft in the process space.

본 발명의 실시예에 의하면, 실링 유닛은 내측컵과 외측컵 간에 틈을 실링한다. 이로 인해 처리 공간의 분위기 일부가 그 틈을 통해 유실되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the sealing unit seals the gap between the inner cup and the outer cup. Due to this, it is possible to prevent a part of the atmosphere of the processing space from being lost through the gap.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간의 분위기가 공정 공간으로 유실되는 것을 방지하므로, 처리 공간의 배기력을 높일 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the atmosphere of the processing space is prevented from being lost to the process space, the exhaust force of the processing space can be increased.

도 1은 일반적은 기판의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 실링 유닛의 사시도이다.
도 9 및 도 10은 도 6에서 기판에 대한 상대 높이가 변경된 처리 용기를 보여주는 도면들이다.
도 11은 실링 유닛의 변형예를 보여주는 도면이다.
도 12는 실링 유닛의 다른 변형예를 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate liquid processing apparatus.
2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.
6 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
7 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 6 .
FIG. 8 is a perspective view of the sealing unit shown in FIG. 7 .
9 and 10 are views illustrating a processing vessel in which a height relative to a substrate is changed in FIG. 6 .
11 is a view showing a modified example of the sealing unit.
12 is a view showing another modified example of the sealing unit.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 기판을 액 처리하는 공정이라면 다양하게 적용 가능하다. 또한 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a development process on a substrate. However, the present embodiment is not limited thereto, and may be variously applied as long as it is a process of liquid-treating a substrate. Also, in this embodiment, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 2 내지 도 8을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing facility of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 8 .

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이며, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction, and FIG. It is a cross-sectional view looking at the facility of FIG. 2 in the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module 500 . ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a substantially hollow rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of the 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer than this in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350 .

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of the bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420 , the resist application chambers 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be movable linearly in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies photoresist on the substrate W. The resist application chamber 410 has a housing 411 , a support plate 412 , and a nozzle 413 . The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is positioned in the housing 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is provided rotatably. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412 . The nozzle 413 may have a circular tubular shape, and may supply a photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 414 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photoresist is applied may be further provided in the resist coating chamber 410 .

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W or apply the photoresist to the substrate ( A soft bake process, etc. performed after coating on W) is performed, and a cooling process of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 , and other portions may include only the heating plate 422 .

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(800)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(800)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(800)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for removing a part of the photoresist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 800 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The development chamber 800 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the developing chamber 800 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 800 are provided, and a plurality of development chambers 800 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six developing chambers 800 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(800), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470 , the developing chambers 800 , the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 , and the second buffer module 500 . The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540 of the The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(800)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(800)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(800)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(800)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 800 all have the same structure. However, the type of developer used in each of the developing chambers 800 may be different from each other. The developing chamber 800 is provided as an apparatus for developing a substrate. The developing chamber 800 removes a region irradiated with light from the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

본 실시예에는 현상 챔버(800)가 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 도 6은 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. In the present embodiment, the developing chamber 800 is provided as the substrate processing apparatus 800 for liquid processing the substrate W. As shown in FIG. 6 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 6 .

도 6 및 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 단일의 기판(W)에 대해 현상 처리 공정을 수행한다. 현상 처리 공정에는 2 이상의 액들이 기판 상에 공급된다. 기판 처리 장치(800)는 하우징, 팬 필터 유닛(808), 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(1000), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 배기 유닛(1800), 그리고 실링 유닛(1600)을 포함한다. 6 and 7 , the substrate processing apparatus 800 performs a developing process on a single substrate W. As shown in FIG. In the developing process, two or more liquids are supplied on the substrate. The substrate processing apparatus 800 includes a housing, a fan filter unit 808 , a substrate support unit 810 , a processing vessel 1000 , an elevation unit 840 , a liquid supply unit 850 , an exhaust unit 1800 , and a seal. unit 1600 .

하우징(802)은 내부에 기판 지지 유닛(810) 및 처리 용기(1000)이 위치되는 공정 공간(801)을 제공한다. 하우징(802)의 천장면에는 팬 필터 유닛(808)이 설치된다. 팬 필터 유닛(808)은 하우징(802)의 공정 공간(801)에 하강 기류를 발생시킨다. 하우징(802)은 일측벽에 개구(806)가 형성된다. 개구(806)는 처리 용기(1000)와 마주하도록 형성된다. 개구(806)는 하우징(802)의 공정 공간(810)에 기판(W)이 반출입 가능한 기판 출입구(806)로 기능한다. 개구(806)는 도어(804)에 의해 개폐된다.The housing 802 provides a processing space 801 in which the substrate support unit 810 and the processing vessel 1000 are located. A fan filter unit 808 is installed on the ceiling surface of the housing 802 . The fan filter unit 808 generates a downdraft in the process space 801 of the housing 802 . The housing 802 has an opening 806 formed in one side wall. The opening 806 is formed to face the processing vessel 1000 . The opening 806 functions as a substrate entrance 806 through which the substrate W can be carried in and out of the process space 810 of the housing 802 . The opening 806 is opened and closed by the door 804 .

기판 지지 유닛(810)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(812) 및 회전 구동 부재(814,815)를 포함한다. 지지 플레이트(812)는 기판을 지지한다. 지지 플레이트(812)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(812)는 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다. 지지 플레이트(812)의 지지면에는 흡착홀(미도시)이 형성되며, 흡착홀(미도시)에는 음압에 제공된다. 기판(W)은 음압에 의해 지지면에 진공 흡착될 수 있다. The substrate support unit 810 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 810 includes a support plate 812 and rotation driving members 814 and 815 . The support plate 812 supports the substrate. The support plate 812 is provided to have a circular plate shape. The support plate 812 may have a smaller diameter than the substrate W. A suction hole (not shown) is formed on the support surface of the support plate 812 , and a negative pressure is applied to the suction hole (not shown). The substrate W may be vacuum-adsorbed to the support surface by negative pressure.

회전 구동 부재(814,815)는 지지 플레이트(812)를 회전시킨다. 회전 구동 부재(814,815)는 회전축(814) 및 구동기(815)를 포함한다. 회전축(814)은 그 길이 방향이 상하 방향을 향하는 통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 플레이트(812)의 저면에 결합된다. 구동기(815)는 회전축(814)에 회전력을 전달한다. 회전축(814)은 구동기(815)로부터 제공된 회전력에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 플레이트(812)는 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동기(815)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(815)는 모터일 수 있다. The rotation drive members 814 and 815 rotate the support plate 812 . The rotation drive members 814 and 815 include a rotation shaft 814 and a driver 815 . The rotation shaft 814 is provided so as to have a cylindrical shape whose longitudinal direction is directed upward and downward. The rotation shaft 814 is coupled to the bottom surface of the support plate 812 . The actuator 815 transmits a rotational force to the rotation shaft 814 . The rotating shaft 814 is rotatable about the central axis by the rotational force provided from the actuator 815 . The support plate 812 is rotatable together with the rotation shaft 814 . The rotational speed of the rotation shaft 814 is controlled by the driver 815 , so that the rotational speed of the substrate W can be adjusted. For example, the driver 815 may be a motor.

처리 용기(1000)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간(1020)을 제공한다. 처리 용기(1000)는 현상 공정에서 사용된 액을 회수한다. 처리 용기(1000)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(1000)는 제1컵(1200) 및 제2컵(1400)을 포함한다. 제2컵(1400)은 기판 지지 유닛(810)의 둘레를 감싸도록 제공되고, 제1컵(1200)은 제2컵(1400)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 제2컵(1400)의 내측 영역은 현상 공정에 사용된 액이 회수되는 회수 경로가 형성된다. 일 예에 의하면, 제1컵(1200)은 그 위치가 고정되는 반면 제2컵(1400)은 승강 유닛(840)에 의해 승강 이동이 가능하다. 이에 따라 제1컵(1200)과 제2컵(1400) 간에는 틈이 발생된다. The processing vessel 1000 provides a processing space 1020 in which a developing process is performed. The processing container 1000 recovers the liquid used in the developing process. The processing container 1000 is provided in a cup shape with an open top. The processing vessel 1000 includes a first cup 1200 and a second cup 1400 . The second cup 1400 is provided to surround the circumference of the substrate support unit 810 , and the first cup 1200 is provided to surround the circumference of the second cup 1400 . In the inner region of the second cup 1400, a recovery path through which the liquid used in the developing process is recovered is formed. According to an example, while the position of the first cup 1200 is fixed, the second cup 1400 is movable by the lifting unit 840 . Accordingly, a gap is generated between the first cup 1200 and the second cup 1400 .

승강 유닛(840)은 처리 용기(1000)와 기판(W) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(840)은 처리 용기(1000)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(840)은제2컵(1400)을 승강 위치 및 하강 위치 간에 이동시킨다. 승강 위치는 하강 위치에 비해 제2컵(1400)이 높게 이동된 위치로 정의한다. 승강 유닛(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 제2컵(1400)과 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(1000)의 수직벽(822)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(1000)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 실린더 또는 모터일 수 있다.The lifting unit 840 adjusts the relative height between the processing vessel 1000 and the substrate W. The lifting unit 840 moves the processing container 1000 in the vertical direction. The elevating unit 840 moves the second cup 1400 between the elevating position and the lowering position. The lifting position is defined as a position in which the second cup 1400 is moved higher than the lowering position. The lifting unit 840 includes a bracket 842 , a moving shaft 844 , and a driver 846 . The bracket 842 connects the second cup 1400 and the moving shaft 844 . The bracket 842 is fixedly installed on the vertical wall 822 of the processing vessel 1000 . The moving shaft 844 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The upper end of the moving shaft 844 is fixedly coupled to the bracket 842 . The moving shaft 844 is moved in the vertical direction by the actuator 846 , and the processing container 1000 can be moved up and down together with the moving shaft 844 . For example, the actuator 846 may be a cylinder or a motor.

액 공급 유닛(850)은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상에 액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 복수 개로 제공되며, 다양한 종류의 액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 노즐 유닛(860) 및 이동 유닛(870)을 포함한다. 이동 유닛(870)은 노즐 유닛(860)을 제1방향(12)으로 직선 이동시킨다. 이동 유닛(870)은 노즐 유닛(860)을 공정 위치 또는 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐 유닛(860)이 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 이동 유닛(870)은 가이드 레일(872) 및 아암(874)을 포함한다. 가이드 레일(872)은 처리 용기(1000)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(872)은 노즐 유닛(860)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 가이드 레일(872)의 길이 방향은 제1방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 아암(874)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 아암(874)은 가이드 레일(872)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 아암(874)의 길이 방향은 제1방향(12)과 수직한 제2방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 아암(874)의 일단에는 노즐 유닛(860)이 결합되고, 타단에는 가이드 레일(872)이 연결된다. 따라서 아암(874) 및 노즐 유닛(860)은 가이드 레일의 길이 방향을 따라 함께 이동 가능하다. The liquid supply unit 850 supplies a liquid on the substrate W supported by the substrate support unit 810 . A plurality of liquid supply units 850 are provided, and various types of liquids are supplied. The liquid supply unit 850 includes a nozzle unit 860 and a moving unit 870 . The moving unit 870 linearly moves the nozzle unit 860 in the first direction 12 . The moving unit 870 moves the nozzle unit 860 to a process position or a standby position. Here, the process position is a position where the nozzle unit 860 faces the substrate W, and the standby position is a position out of the process position. The moving unit 870 includes a guide rail 872 and an arm 874 . The guide rail 872 is located on one side of the processing vessel 1000 . The guide rail 872 is provided to have a longitudinal direction parallel to the moving direction of the nozzle unit 860 . For example, the longitudinal direction of the guide rail 872 may be provided to face the first direction 12 . The arm 874 is provided to have a bar shape. When viewed from above, the arm 874 is provided to have a longitudinal direction perpendicular to the guide rail 872 . for example. The longitudinal direction of the arm 874 may be provided to face the second direction 14 perpendicular to the first direction 12 . A nozzle unit 860 is coupled to one end of the arm 874 , and a guide rail 872 is coupled to the other end of the arm 874 . Accordingly, the arm 874 and the nozzle unit 860 are movable together along the longitudinal direction of the guide rail.

노즐 유닛(860)은 프리 웨팅액을 스트림 방식으로 토출하고, 처리액을 스트림 방식과 액 커튼 방식으로 각각 공급한다. 예컨대, 프리 웨팅액은 기판(W)의 표면 상태를 젖음 상태로 전환시키기 위한 액으로, 처리액이 공급되기 전에 기판(W) 상에 공급될 수 있다. The nozzle unit 860 discharges the pre-wetting liquid in a stream method, and supplies the treatment liquid in a stream method and a liquid curtain method, respectively. For example, the pre-wetting liquid is a liquid for converting the surface state of the substrate W to a wet state, and may be supplied onto the substrate W before the treatment liquid is supplied.

노즐 유닛(860)에는 웨팅액 토출구(862), 원형 토출구(864), 그리고 슬릿 토출구(866)가 형성된다. 프리 웨팅액은 웨팅액 토출구(862)를 통해 스트림 방식으로 토출된다. 처리액은 원형 토출구(864)를 통해 스트림 방식으로 토출되거나, 슬릿 토출구(866)를 통해 액 커튼 방식으로 토출된다. 상부에서 바라볼 때 노즐 유닛(860)의 이동 경로는 웨팅액 토출구(862) 및 원형 토출구(864)가 기판(W)의 중심에 일치되는 위치를 포함할 수 있다. 예컨대, 처리액은 현상액일 수 있다. The nozzle unit 860 includes a wetting liquid discharge port 862 , a circular discharge port 864 , and a slit discharge port 866 . The pre-wetting liquid is discharged in a stream manner through the wetting liquid outlet 862 . The processing liquid is discharged in a stream manner through the circular discharge port 864 or is discharged in a liquid curtain method through the slit discharge port 866 . When viewed from the top, the movement path of the nozzle unit 860 may include a position where the wetting liquid outlet 862 and the circular outlet 864 coincide with the center of the substrate W. For example, the treatment solution may be a developer.

액 공급 유닛(850)은 린스액 및 가스를 더 토출할 수 있으며, 린스액은 기판 상에 잔류되는 처리액을 린스 처리하는 액으로 기능한다.The liquid supply unit 850 may further discharge a rinse liquid and a gas, and the rinse liquid functions as a liquid for rinsing the treatment liquid remaining on the substrate.

다음은 배기 유닛(1800)에 설명하기 앞서, 처리 용기(1000)에 대해 더 상세히 설명한다. 제1컵(1200)은 외측컵(1200)으로, 제2컵(1400)은 내측컵(1400)으로 설명한다. Next, before describing the exhaust unit 1800 , the processing vessel 1000 will be described in more detail. The first cup 1200 will be described as an outer cup 1200 , and the second cup 1400 will be described as an inner cup 1400 .

외측컵(1200)은 제1외측부(1220) 및 제1바닥부(1240)를 가진다. 제1외측부(1220)는 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 제1바닥부(1240)는 제1외측부(1220)의 하단으로부터 연장된다. 제1바닥부(1240)는 제1외측부(1220)로부터 내측 방향으로 수직하게 연장될 수 있다. 제1바닥부(1240)에는 회전축(814)이 관통되게 제공된다. The outer cup 1200 has a first outer portion 1220 and a first bottom portion 1240 . The first outer portion 1220 has an annular ring shape surrounding the substrate support unit 810 . The first bottom portion 1240 extends from the lower end of the first outer portion 1220 . The first bottom portion 1240 may extend vertically from the first outer portion 1220 in an inward direction. A rotation shaft 814 is provided to pass through the first bottom portion 1240 .

내측컵(1400)은 제2외측부(1410), 상측 경사부(1420), 제2바닥부(1430), 제2내측부(1440), 하측 경사부(1450), 그리고 지지부(1460)를 포함한다. 제2외측부(1410)는 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상을 가진다. 제2외측부(1410)는 제1외측부(1220)와 기판 지지 유닛(810) 사이에 위치된다. 즉 제2외측부(1410)는 제1외측부(1220)에 비해 작은 직경을 가진다. 제2외측부(1410)는 제1외측부(1220)에 비해 상단이 높게 제공된다. 제2바닥부(1430)는 제2외측부(1410)의 하단으로부터 연장된다. 제2바닥부(1430)는 제2외측부(1410)로부터 내측 방향으로 수직하게 연장될 수 있다. 제2바닥부(1430)는 기판 지지 유닛(810)과 이격되는 폭을 가진다. 상측 경사부(1420)는 제2외측부(1410)의 내측면으로부터 기판 지지 유닛(810)에 가까워지는 방향으로 연장된다. 상측 경사부(1420)는 기판 지지 유닛(810)에 가까워지는 방향으로 상향 경사지게 연장된다. 상측 경사부(1420)는 제2바닥부(1430)보다 높게 위치된다. 제2내측부(1440)는 제2바닥부(1430)의 끝단으로부터 위로 연장된다. 제2내측부(1440)는 제2바닥부(1430)의 끝단으로부터 수직하게 연장될 수 있다. 하측 경사부(1450)는 제2내측부(1440)의 상단으로부터 기판 지지 유닛(810)에 가까워지는 방향으로 연장된다. 하측 경사부(1450)는 기판 지지 유닛(810)에 가까워지는 방향으로 상향 경사지게 연장된다. 상부에서 바라볼 때 상측 경사부(1420)의 끝단과 하측 경사부(1450)의 끝단은 서로 일치될 수 있다. 이에 따라 상측 경사부(1420)와 하측 경사부(1450)의 사이 공간은 상측 회수 공간(1420b)으로 제공되고, 하측 경사부(1450)의 내측 공간은 하측 회수 공간(1450b)으로 제공된다. 상측 회수 공간(1420b)으로 회수되는 액은 제2바닥부(1430)에 연결된 상측 회수 유로(1420a)를 통해 회수된다. 하측 회수 공간(1450b)으로 회수되는 액은 제1바닥부(1240)에 연결된 하측 회수 유로(1450a)를 통해 회수된다.The inner cup 1400 includes a second outer portion 1410 , an upper inclined portion 1420 , a second bottom portion 1430 , a second inner portion 1440 , a lower inclined portion 1450 , and a support portion 1460 . . The second outer portion 1410 has an annular ring shape surrounding the substrate support unit 810 . The second outer portion 1410 is positioned between the first outer portion 1220 and the substrate support unit 810 . That is, the second outer portion 1410 has a smaller diameter than the first outer portion 1220 . The second outer portion 1410 has a higher upper end than the first outer portion 1220 . The second bottom portion 1430 extends from the lower end of the second outer portion 1410 . The second bottom portion 1430 may extend vertically in an inward direction from the second outer portion 1410 . The second bottom portion 1430 has a width spaced apart from the substrate support unit 810 . The upper inclined portion 1420 extends from the inner surface of the second outer portion 1410 in a direction closer to the substrate support unit 810 . The upper inclined portion 1420 is inclined upward in a direction closer to the substrate support unit 810 . The upper inclined portion 1420 is positioned higher than the second bottom portion 1430 . The second inner portion 1440 extends upward from the end of the second bottom portion 1430 . The second inner portion 1440 may extend vertically from an end of the second bottom portion 1430 . The lower inclined portion 1450 extends from the upper end of the second inner portion 1440 in a direction closer to the substrate support unit 810 . The lower inclined portion 1450 is inclined upward in a direction closer to the substrate support unit 810 . When viewed from the top, the end of the upper inclined portion 1420 and the end of the lower inclined portion 1450 may coincide with each other. Accordingly, the space between the upper inclined part 1420 and the lower inclined part 1450 is provided as the upper recovery space 1420b, and the inner space of the lower inclined part 1450 is provided as the lower recovery space 1450b. The liquid recovered to the upper recovery space 1420b is recovered through the upper recovery passage 1420a connected to the second bottom part 1430 . The liquid recovered to the lower recovery space 1450b is recovered through the lower recovery passage 1450a connected to the first bottom part 1240 .

따라서 승강 위치에는 하측 회수 공간(1450b)이 기판(W)에 대응하는 높이를 가지고, 하강 위치에는 상측 회수 공간(1420b)이 기판(W)에 대응하는 높이를 가진다.Accordingly, the lower recovery space 1450b has a height corresponding to the substrate W in the lifting position, and the upper recovery space 1420b has a height corresponding to the substrate W in the lowering position.

지지부(1460)는 제1외측부(1220)와 마주하도록 위치된다. 제2외측부(1410)의 상단으로부터 외측 방향으로 돌출되게 제공된다. 상부에서 바라볼 때 지지부(1460) 및 제1외측부(1220)는 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 지지부(1460)에는 브라켓(842)이 고정 결합된다.The support part 1460 is positioned to face the first outer part 1220 . It is provided to protrude outward from the top of the second outer part 1410 . When viewed from the top, the support part 1460 and the first outer part 1220 may be positioned to overlap each other. A bracket 842 is fixedly coupled to the support 1460 .

배기 유닛(1800)은 처리 공간(1020)을 배기한다. 배기 유닛(1800)은 처리 용기(1000)에 설치된다. 배기 유닛(1800)은 배기 유로(1820) 및 배기 부재(1840)를 포함한다. 배기 유로(1820)는 제1바닥부(1240)에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 배기 유로(1820)는 제2바닥부(1430)를 벗어나도록 위치된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 배기 유로(1820)는 지지 플레이트(812)에 중첩되게 위치될 수 있다. 배기 유로(1820)의 상부에는 가림판이 위치된다. 가림판은 내측컵(1400)으로 회수되는 액이 배기 유로(1820)로 유입되는 것을 방지한다. 배기 부재(1840)는 배기 유로(1820)에 연결된다. 배기 부재(1840)는 배기 유로(1820)를 감압한다. 이로 인해 처리 공간(1020)의 분위기는 배기 유로(1820)를 통해 배기된다. The exhaust unit 1800 exhausts the processing space 1020 . The exhaust unit 1800 is installed in the processing vessel 1000 . The exhaust unit 1800 includes an exhaust passage 1820 and an exhaust member 1840 . The exhaust flow path 1820 is installed on the first bottom part 1240 . When viewed from the top, the exhaust passage 1820 is positioned so as to leave the second bottom portion 1430 . According to an example, when viewed from the top, the exhaust passage 1820 may be positioned to overlap the support plate 812 . A shielding plate is positioned above the exhaust passage 1820 . The shielding plate prevents the liquid recovered to the inner cup 1400 from flowing into the exhaust passage 1820 . The exhaust member 1840 is connected to the exhaust passage 1820 . The exhaust member 1840 depressurizes the exhaust passage 1820 . Accordingly, the atmosphere of the processing space 1020 is exhausted through the exhaust passage 1820 .

실링 유닛(1600)은 처리 용기(1000)의 측부에 발생된 틈을 실링한다. 상기 틈은 내측컵(1400)과 외측컵(1200) 간에 이격 공간일 수 있다. 일 예로, 틈은 지지부(1460)와 제1외측부(1220) 간에 이격 공간일 수 있다. The sealing unit 1600 seals a gap generated in the side of the processing container 1000 . The gap may be a spaced space between the inner cup 1400 and the outer cup 1200 . For example, the gap may be a spaced apart space between the support part 1460 and the first outer part 1220 .

도 8은 도 7에 도시된 실링 유닛의 사시도이다.FIG. 8 is a perspective view of the sealing unit shown in FIG. 7 .

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따르면 실링 유닛(1600)은 실링 블록(1610) 및 지지 부재(1620)를 포함할 수 있다.7 and 8 , according to the present embodiment, the sealing unit 1600 may include a sealing block 1610 and a support member 1620 .

실링 블록(1610)은 틈을 막을 수 있도록 환형의 링 형상으로 형성될 수 있다. 실링 블록(1610)은 틈 보다 넓은 폭을 가질 수 있다. 실링 블록(1610)은 틈의 하부쪽을 실링하기 위해 제2바닥부(1430)와 제1외측부(1220)에 접하도록 위치될 수 있다. The sealing block 1610 may be formed in an annular ring shape to close the gap. The sealing block 1610 may have a wider width than the gap. The sealing block 1610 may be positioned so as to be in contact with the second bottom portion 1430 and the first outer portion 1220 to seal the lower portion of the gap.

지지부재(1620)는 제1바닥부로부터 실링 블록을 지지할 수 있다. 지지 부재는 내측컵(1400)의 상하 이동에 따라 신축성 있게 실링 블록을 지지할 수 있도록 스프링으로 이루어질 수 있다. 내측컵(1400)이 승강 위치로 이동되면 지지부재(1620)는 이완되고, 내측컵(1400)이 하강 위치로 이동되면 지지부재(1620)는 수축될 수 있다. The support member 1620 may support the sealing block from the first bottom portion. The support member may be formed of a spring to flexibly support the sealing block according to the vertical movement of the inner cup 1400 . When the inner cup 1400 is moved to the elevating position, the support member 1620 is relaxed, and when the inner cup 1400 is moved to the lowering position, the supporting member 1620 may be contracted.

본 발명의 실시예는 현상 처리가 이루어지는 기판 처리 장치에 실링 유닛이 적용된 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 본 발명의 실시 예는 기판을 스핀 처리하는 처리 용기를 갖는 다양한 방식의 기판 처리 장치에 적용이 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 실시 예는 기판을 세정 처리하는 장치, 기판에 막을 도포하는 장치, 기판의 막을 제거하는 장치에도 적용 가능하다. In the embodiment of the present invention, it has been described that the sealing unit is applied to the substrate processing apparatus in which the developing process is performed. However, unlike this, embodiments of the present invention can be applied to various types of substrate processing apparatuses having a processing vessel for spin processing a substrate. For example, embodiments of the present invention are applicable to an apparatus for cleaning a substrate, an apparatus for applying a film to a substrate, and an apparatus for removing a film from a substrate.

다음은 상술한 기판 처리 장치(800)를 이용하여 기판(W)을 액 처리하는 과정에 대해 설명한다. Next, a process of liquid-processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 800 will be described.

도 9 및 도 10은 도 6에서 기판에 대한 상대 높이가 변경된 처리 용기를 보여주는 도면들이다. 9 and 10 are views illustrating a processing vessel in which a height relative to a substrate is changed in FIG. 6 .

도 9 및 도 10을 참조하면, 기판(W)의 액 처리 방법은 처리액 공급 단계 및 린스액 공급 단계를 포함할 수 있다. 처리액 공급 단계가 진행되면, 기판(W)은 회전되고, 처리 용기(1000)는 승강 위치로 이동된다. 하측 회수 공간(1450b)은 기판(W)과 대응하는 높이로 위치된다. 노즐 유닛(860)은 기판(W) 상에 처리액을 공급하고, 기판(W) 처리에 사용된 처리액은 하측 회수 유로(1450a)를 통해 회수된다. 처리액 공급 단계가 완료되면, 린스액 공급 단계가 진행된다. 9 and 10 , the liquid treatment method of the substrate W may include a treatment liquid supply step and a rinse liquid supply step. When the processing liquid supply step is performed, the substrate W is rotated and the processing container 1000 is moved to an elevation position. The lower recovery space 1450b is positioned at a height corresponding to the substrate W. The nozzle unit 860 supplies the processing liquid onto the substrate W, and the processing liquid used to process the substrate W is recovered through the lower recovery passage 1450a. When the processing liquid supply step is completed, the rinse liquid supply step is performed.

린스액 공급 단계가 진행되면, 처리 용기(1000)는 하강 위치로 이동된다. 상측 회수 공간(1420b)은 기판(W)과 대응하는 높이로 이동된다. 노즐 유닛(860)은 기판(W) 상에 린스액을 공급하여 기판(W) 상에 잔류된 처리액을 린스 처리한다. 린스액은 상측 회수 유로(1420a)를 통해 회수된다.When the rinse solution supply step is performed, the processing container 1000 is moved to the lowering position. The upper recovery space 1420b is moved to a height corresponding to the substrate W. The nozzle unit 860 supplies a rinse solution onto the substrate W to rinse the treatment solution remaining on the substrate W. The rinse liquid is recovered through the upper recovery passage 1420a.

상술한 바와 같이 기판(W)의 액 처리 공정이 진행되는 중에 처리 용기(1000)는 승강 위치 및 하강 위치로 이동된다. 이때 제1컵(1200)과 제2컵(1400) 간에 틈은 실링 유닛(1600)에 의해 실링되며, 처리 공간(1020)의 분위기가 공정 공간(801)으로 유실되는 것을 차단한다. 이에 따라 처리 공간(1020)은 배기 부재(1840)로부터 배기 유로(1820)에 제공되는 배기력에 상응하는 압력으로 배기될 수 있다.As described above, while the liquid treatment process of the substrate W is in progress, the processing container 1000 is moved to the elevating position and the lowering position. In this case, the gap between the first cup 1200 and the second cup 1400 is sealed by the sealing unit 1600 , and the atmosphere of the processing space 1020 is prevented from being lost to the process space 801 . Accordingly, the processing space 1020 may be exhausted at a pressure corresponding to the exhaust force provided to the exhaust passage 1820 from the exhaust member 1840 .

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. Referring back to FIGS. 2 to 5 , the bake chamber 470 of the developing module 402 heats the substrate W. For example, in the bake chambers 470 , a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process A cooling process of cooling the processed substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 , and some may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400 , the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from above, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510 , a buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 . have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , the second cooling chamber 540 , the edge exposure chamber 550 , and the second buffer robot 560 are positioned in the frame 510 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401 . The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401 . The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes edges of the substrates W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W before the substrates W, which have been processed in the edge exposure chamber 550 , are transferred to the pre-processing module 601 , which will be described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W, which have been processed in the post-processing module 602 to be described later, before being transferred to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further include a buffer added to a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the substrates W that have been processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film protecting the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The pre-processing module 601 has a protective film application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The passivation layer application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the passivation layer application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of passivation film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of passivation film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A pre-processing robot 632 is located in the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is installed between the protective film application chambers 610 , the bake chambers 620 , the buffer 520 of the second buffer module 500 , and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633 , an arm 634 , and a support 635 . The hand 633 is fixedly installed on the arm 634 . The arm 634 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The passivation film application chamber 610 applies a passivation film for protecting the resist film on the substrate W during immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film on the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 has a circular tubular shape, and may supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid comprises a foaming material. As the protective liquid, a material having a low affinity for photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 , and some may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660 , a post-exposure bake chamber 670 , and a transfer chamber 680 . The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 may be provided and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660 , the post-exposure bake chambers 670 , the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 , and the second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning solution onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning solution, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using deep ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. Post exposure bake chamber 670 has heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with heating means 674 such as a hot wire or thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600 , the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the passivation layer application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and to completely overlap each other when viewed from above. Also, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W, which have been processed in the pre-processing module 601 , before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 includes the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 in the direction and pre-processing robot ( 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 731 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W.

도 11은 실링 유닛의 설치 위기가 변경된 변형예를 보여주는 도면이다.11 is a view showing a modified example in which the installation crisis of the sealing unit is changed.

도 11에서와 같이, 변형예에 따른 실링 유닛(1600a)은 실링 블록(1610a)과 지지부재(1620a)를 포함하며, 이들은 도 7에 도시된 실링 유닛(1600)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다. 11, the sealing unit 1600a according to the modified example includes a sealing block 1610a and a support member 1620a, which are provided with a configuration and function substantially similar to the sealing unit 1600 shown in FIG. Therefore, in the following, a modified example will be mainly described with reference to the difference from the present embodiment.

변형예에 따른 실링 유닛(1600a)은 틈의 상부쪽을 실링하도록 위치된다. 즉, 실링 블록(1610)은 틈의 상부쪽을 실링하기 위해 제2외측부(1410)와 제1외측부(1220)에 접하도록 위치될 수 있다. 그리고, 지지부재(1620a)는 지지부(1460)로부터 실링 블록(1610a)을 지지하는 위치될 수 있다.The sealing unit 1600a according to the modified example is positioned to seal the upper side of the gap. That is, the sealing block 1610 may be positioned so as to be in contact with the second outer portion 1410 and the first outer portion 1220 to seal the upper side of the gap. In addition, the support member 1620a may be positioned to support the sealing block 1610a from the support 1460 .

도 12는 실링 유닛의 다른 변형예를 보여주는 도면이다.12 is a view showing another modified example of the sealing unit.

도 12에서와 같이, 다른 변형예에 따른 실링 유닛(1600b)은 실링 블록(1610b)과 지지부재(1620b)를 포함하며, 이들은 도 11에 도시된 실링 유닛(1600a)과 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 변형예를 설명하기로 한다. 12, the sealing unit 1600b according to another modification includes a sealing block 1610b and a support member 1620b, which are substantially similar in configuration and function to the sealing unit 1600a shown in FIG. Therefore, hereinafter, a modified example will be mainly described with reference to the difference from the present embodiment.

변형예에 따른 실링 유닛의 실링 블록은 틈의 상부쪽을 실링하기 위해 제2외측부(1410)와 제1외측부(1220)에 접하도록 위치될 수 있다. 그리고 지지부재(1620b)는 2중관 형태로 신축가능한 구조로 제공될 수 있다. The sealing block of the sealing unit according to the modified example may be positioned so as to be in contact with the second outer portion 1410 and the first outer portion 1220 in order to seal the upper side of the gap. And the support member 1620b may be provided in a structure that is stretchable in the form of a double tube.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

801: 공정 공간 802: 하우징
810: 기판 지지 유닛 840: 승강 유닛
850: 액 공급 유닛 1000: 처리 용기
1020: 처리 공간 1600: 실링 유닛
1800: 배기 유닛 801: process space 802: housing
810: substrate support unit 840: elevating unit
850: liquid supply unit 1000: processing vessel
1020: processing space 1600: sealing unit
1800: exhaust unit

Claims

a housing having a processing space inside which a substrate processing process is performed;
a processing vessel positioned in the processing space, having a cup shape with an open top, and having a processing space formed therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit;
a lifting unit for adjusting a relative height between the substrate supporting unit and the processing vessel;
an exhaust unit for exhausting the processing space;
a sealing unit for sealing a gap generated in the side of the processing vessel due to the adjustment of the relative height;
The sealing unit,
A sealing block having an annular ring shape to close the gap; and
And a support member for elastically supporting the sealing block,
The processing vessel,
an inner cup enclosing the substrate support unit and having a recovery path for the treatment liquid therein;
Including an outer cup surrounding the inner cup,
The gap is formed between the inner cup and the outer cup,
The outer cup is
a first outer portion having an annular ring shape;
It includes a first bottom portion extending from the lower end of the first outer portion,
The inner cup is
a second outer portion having an annular ring shape and positioned between the first outer portion and the substrate support unit;
Comprising a second bottom portion extending inward from the lower end of the second outer portion,
The sealing block is
It is positioned so as to be in contact with the second bottom portion and the first outer portion,
The support member is a substrate processing apparatus for supporting the sealing block from the first bottom portion.

delete

a housing having a processing space inside which a substrate processing process is performed;
a processing vessel positioned in the processing space, having a cup shape with an open top, and having a processing space formed therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit;
a lifting unit for adjusting a relative height between the substrate supporting unit and the processing vessel;
an exhaust unit for exhausting the processing space;
a sealing unit for sealing a gap generated in the side of the processing vessel due to the adjustment of the relative height;
The sealing unit,
A sealing block having an annular ring shape to close the gap; and
And a support member for elastically supporting the sealing block,
The processing vessel,
an inner cup enclosing the substrate support unit and having a recovery path for the treatment liquid therein;
Including an outer cup surrounding the inner cup,
The gap is formed between the inner cup and the outer cup,
The outer cup is
a first outer portion having an annular ring shape;
It includes a first bottom portion extending from the lower end of the first outer portion,
The inner cup is
a second outer portion having an annular ring shape and positioned between the first outer portion and the substrate support unit;
It protrudes outwardly from the upper end of the second outer part and includes a support part facing the first outer part with respect to the vertical direction,
The sealing block is
Positioned to be in contact with the second outer portion and the first outer portion,
The support member is a substrate processing apparatus for supporting the sealing block from the support part.

a housing having a processing space inside which a substrate processing process is performed;
a processing vessel positioned in the processing space, having a cup shape with an open top, and having a processing space formed therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit;
a lifting unit for adjusting a relative height between the substrate supporting unit and the processing vessel;
an exhaust unit for exhausting the processing space;
a sealing unit for sealing a gap generated in the side of the processing vessel due to the adjustment of the relative height;
The sealing unit,
A sealing block having an annular ring shape to close the gap; and
And a support member for elastically supporting the sealing block,
The support member is
A substrate processing apparatus made of a spring.

According to claim 1,
The support member is
A substrate processing apparatus supporting the sealing block at a plurality of points.

a housing having a processing space inside which a substrate processing process is performed;
a processing vessel positioned in the processing space, having a cup shape with an open top, and having a processing space formed therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit;
a lifting unit for adjusting a relative height between the substrate supporting unit and the processing vessel;
an exhaust unit for exhausting the processing space;
a sealing unit for sealing a gap generated in the side of the processing vessel due to the adjustment of the relative height;
The sealing unit,
A sealing block having an annular ring shape to close the gap; and
And a support member for elastically supporting the sealing block,
The processing vessel,
an inner cup enclosing the substrate support unit and having a recovery path for the treatment liquid therein;
Including an outer cup surrounding the inner cup,
The gap is formed between the inner cup and the outer cup,
The inner cup is moved up and down by the elevating unit,
The outer cup is a substrate processing apparatus having a fixed position.

8. The method of claim 7,
The device is
and a fan filter unit installed on a ceiling surface of the housing facing the processing vessel and configured to form a downward airflow in the process space.