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KR102342556B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 Download PDF

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KR102342556B1
KR102342556B1 KR1020150109037A KR20150109037A KR102342556B1 KR 102342556 B1 KR102342556 B1 KR 102342556B1 KR 1020150109037 A KR1020150109037 A KR 1020150109037A KR 20150109037 A KR20150109037 A KR 20150109037A KR 102342556 B1 KR102342556 B1 KR 102342556B1
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light emitting
semiconductor light
electrode
emitting device
wiring board
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KR1020150109037A
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김치선
조장환
심봉주
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 반도체 발광소자들과, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 서로 평행하게 배치되는 복수의 스캔 라인들과, 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하도록 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치되는 복수의 데이터 라인들, 및 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 제1구동부 및 제2구동부를 포함하고, 상기 스캔 라인들 중 적어도 하나는 상기 제1구동부 및 제2구동부 중 어느 하나와 연결되고, 상기 적어도 하나의 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인들의 어느 일부는 제1구동부와 연결되고, 다른 일부는 제2구동부와 연결되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치{DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다. 또한, 원형의 디스플레이를 구현하기 어렵다는 단점이 있다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광 소자를 이용하여 원형 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다. 이러한 원형 디스플레이는 특히 베젤 부분이 좁아서 반도체 발광소자의 디스플레이 패널부와 드라이버 IC의 배선연결이 어려워지는 문제가 있으며, 따라서 이러한 문제들을 해결할 수 있는 새로운 형태의 메커니즘이 고려될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 반도체 발광 소자를 이용하여 원형 디스플레이 장치를 구현하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 베젤 부분의 크기가 작은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 구현하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 반도체 발광소자들과, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 서로 평행하게 배치되는 복수의 스캔 라인들과, 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하도록 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치되는 복수의 데이터 라인들, 및 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 제1구동부 및 제2구동부를 포함한다. 상기 스캔 라인들 중 적어도 하나는 상기 제1구동부 및 제2구동부 중 어느 하나와 연결되고, 상기 적어도 하나의 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인들의 어느 일부는 제1구동부와 연결되고, 다른 일부는 제2구동부와 연결될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제1구동부가 상기 스캔 라인들 중 어느 하나에 신호를 출력하는 동안에 상기 제1구동부 및 상기 제2구동부는 상기 데이터 라인들에 각각 신호를 출력한다. 상기 제2구동부가 상기 스캔 라인들 중 다른 하나에 신호를 출력하는 동안에 상기 제1구동부 및 상기 제2구동부는 상기 데이터 라인들에 각각 신호를 출력할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 스캔 라인들은 상기 제1구동부에 연결되는 제1스캔 그룹과, 상기 제2구동부에 연결되는 제2스캔 그룹으로 구획되고, 상기 제1스캔 그룹은 상기 제1구동부에 인접하게 배치되고, 상기 제2스캔 그룹은 상기 제2구동부에 인접하게 배치될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제1구동부 및 제2구동부 중 어느 하나는 마스터(Master)로 동작하고, 다른 하나는 슬래이브(slave)로 동작할 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 데이터 라인들은 배선기판에 형성되어 상기 반도체 발광소자와 연결되며, 상기 스캔 라인들은 상기 반도체 발광소자의 두께방향을 따라 상기 배선기판과 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결될 수 있다.
실시 예에 있어서, 상기 제1구동부 및 제2구동부는 상기 배선기판의 일면에 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치에서는, 데이터 라인들과 스캔 라인들을 분할하여 복수의 구동부에 연결함에 따라, 좌우 베젤의 크기가 작은 원형 디스플레이를 구현한다. 이를 통하여, 원형의 스마트 워치와 같은 원형 디스플레이를 구비하는 모바일 제품이 구현될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 어느 하나의 구동부에서 담당하는 스캔 라인의 점등을 위하여 복수의 구동부에서 모두 데이터 신호를 출력함에 따라, 데이터 라인들과 스캔 라인들의 분할시에도 디스플레이 제어가 가능하게 된다.
또한, 본 발명에서는 배선기판에 구동부가 장착됨에 따라, 구동부가 형성되는 별도의 구동기판이 필요 없게 된다. 이를 통하여, 구동기판과 배선기판간의 합착공정이 생략될 수 있으며, 따라서 합착 불량이 발생하지 않게 되며, 나아가 합착 불량에 의한 디스플레이 라인간 오픈 및 쇼트 발생이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명은, 반도체 발광소자의 도전형 전극을 복수의 층을 구비하는 연결부에 연결함에 따라, 높이차를 가지는 데이터 라인과 스캔 라인을 모두 배선기판에 배치된 구종부에 연결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이다.
도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이다.
도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 13은 본 발명의 배선기판의 구조가 적용된 원형 디스플레이를 구비하는 이동 단말기를 설명하기 위한 개념도이다.
도 14는 본 발명의 배선기판의 구조가 적용된 원형 디스플레이 패널의 개념도이다.
도 15는 도 14의 G 부분의 확대도이다.
도 16 및 도 17은 각각 도 13의 라인 H-H 및 라인 I-I를 따라 취한 단면도들이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널을 나타내는 평면도 및 배면도이다.
도 20 및 도 21은 각각 도 18의 라인 J-J 및 라인 K-K를 따라 취한 디스플레이 장치의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에는 플립 칩 타입이 적용된 경우에는 동일평면상에 제1 및 제2전극이 배치되므로 고정세(파인 피치)의 구현이 어려운 문제가 있다. 이하, 이러한 문제를 해결할 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 타입의 발광소자가 적용된 디스플레이 장치에 대하여 설명한다.
도 10은 새로운 구조의 반도체 발광소자가 적용된 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위한, 도 1의 A부분의 확대도이고, 도 11a는 도 10의 라인 E-E를 따라 취한 단면도이며, 도 11b는 도 11의 라인 F-F를 따라 취한 단면도이고, 도 12는 도 11a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 10, 도 11a 및 도 11b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극(1020) 및 제2 전극(1040)은 각각 복수의 전극 라인들을 포함할 수 있다.
기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(1020)은 기판(1010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(1020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 기판(1010)상에 형성된다. 전술한 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서 상기 전도성 접착층(1030)은 접착층으로 대체될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(1020)이 기판(1010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성된다면, 접착층은 전도성이 필요없게 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(1020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(1040)이 위치한다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(1030)은 배선기판과 제2전극(1040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 상기 전도성 접착층(1030)에 결합 되며, 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
경우에 따라, 반도체 발광 소자(1050)가 형성된 기판(1010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(1040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(1040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(1040)은 전도성 접착층(1030) 또는 투명 절연층에 이격 되어 형성될 수도 있다.
도시와 같이, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제1전극(1020)에 구비되는 복수의 전극 라인들과 나란한 방향으로 복수의 열들을 형성할 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 반도체 발광소자(1050)는 제2전극(1040)을 따라 복수의 열들을 형성할 수 있다.
나아가, 디스플레이 장치(1000)는, 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080)을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(1080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다. 즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051a) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층 될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051b) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051c)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층 될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 단위 화소를 구현할 수 있다.
한편, 이러한 형광체층(1080)의 대비비(Contrast) 향상을 위하여 디스플레이 장치는 각각의 형광체들의 사이에 배치되는 블랙 매트릭스(1091)를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(1091)는 형광체 도트 사이에 갭을 만들고, 흑색 물질이 상기 갭을 채우는 형태로 형성될 수 있다. 이를 통하여 블랙 매트릭스(1091)는 외광반사를 흡수함과 동시에 명암의 대조를 향상시킬 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스(1091)는, 형광체층(1080)이 적층된 방향인 제1전극(1020)을 따라 각각의 형광체층들의 사이에 위치한다. 이 경우에, 청색 반도체 발광 소자(1051)에 해당하는 위치에는 형광체층이 형성되지 않으나, 블랙 매트릭스(1091)는 상기 형광체층이 없는 공간을 사이에 두고(또는 청색 반도체 발광 소자(1051c)를 사이에 두고) 양측에 각각 형성될 수 있다.
다시, 본 예시의 반도체 발광소자(1050)를 살펴보면, 본 예시에서 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다. 다만, 전극이 상/하로 배치되나, 본 발명의 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
도 12를 참조하면, 예를 들어, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1도전형 전극(1156)과, 제1도전형 전극(1156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1155)과, 제1도전형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154)과, 상기 활성층(1154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1153) 및 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되는 제2도전형 전극(1152)을 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제1도전형 반도체층(1155)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 제2도전형 반도체층(1153)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
보다 구체적으로, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일면에 형성되며, 상기 활성층(1154)은 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 타면과 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면의 사이에 형성되고, 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성된다.
이 경우에, 상기 제2도전형 전극은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 타면에는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)이 형성될 수 있다.
도 12를 도 10 내지 도 11b와 함께 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층의 일면은 상기 배선기판에 가장 가까운 면이 될 수 있고, 상기 제2도전형 반도체층의 타면은 상기 배선기판에 가장 먼 면이 될 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 폭방향을 따라 이격된 위치에서 각각 상기 폭방향과 수직방향(또는 두께방향)으로 서로 높이차를 가지도록 이루어진다.
상기 높이차를 이용하여 상기 제2도전형 전극(1152)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)에 형성되나, 반도체 발광소자의 상측에 위치하는 상기 제2전극(1040)과 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제2도전형 전극(1152)은 적어도 일부가 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 측면(또는, 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면)으로부터 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 이와 같이, 제2도전형 전극(1152)이 상기 측면에서 돌출되기에, 상기 제2도전형 전극(1152)은 반도체 발광소자의 상측으로 노출될 수 있다. 이를 통하여, 상기 제2도전형 전극(1152)은 전도성 접착층(1030)의 상측에 배치되는 상기 제2전극(1040)과 오버랩되는 위치에 배치된다.
보다 구체적으로, 반도체 발광 소자는 상기 제2도전형 전극(1152)에서 연장되며, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 측면에서 돌출되는 돌출부(1152a)를 구비한다. 이 경우에, 상기 돌출부(1152a)를 기준으로 보면, 상기 제1도전형 전극(1156) 및 제2도전형 전극(1152)은 상기 돌출부(1152a)의 돌출방향을 따라 이격된 위치에서 배치되며, 상기 돌출방향과 수직한 방향으로 서로 높이차를 가지도록 형성되는 것으로 표현될 수 있다.
상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)으로 연장된다. 상기 돌출부(1152a)는 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)의 측면에서 상기 폭방향을 따라 돌출된다. 따라서, 상기 돌출부(1152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 돌출부(1152a)를 구비하는 구조는, 전술한 수평형 반도체 발광소자와 수직형 반도체 발광소자의 장점을 이용할 수 있는 구조가 될 수 있다. 한편, 상기 언도프된(Undoped) 반도체층(1153a)에서 상기 제1도전형 전극(1156)으로부터 가장 먼 상면에는 roughing 에 의하여 미세홈들이 형성될 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광소자(1050)는 상기 제2도전형 전극(1152)을 덮도록 형성되는 절연부(1158)를 포함할 수 있다. 상기 절연부(1158)는 상기 제2도전형 전극(1152)과 함께 상기 제1도전형 반도체층(1155)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
이 경우에, 상기 제2도전형 전극(1152) 및 상기 활성층(1154)은 상기 제2도전형 반도체층(1153)의 일면에 형성되며, 상기 절연부(1158)를 사이에 두고 일방향으로 이격 배치된다. 여기에서, 일방향(또는 수평방향)은 상기 반도체 발광소자의 폭방향이 되며, 수직방향은 상기 반도체 발광소자의 두께방향이 될 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 반도체층(1155)에서 상기 절연부(1158)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 부분에 상기 제1도전형 전극(1156)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1도전형 전극(1156)은 상기 절연부(1158)를 관통하여 외부로 노출된다.
이와 같이, 상기 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극(1156, 1152)은, 상기 절연부(1058)에 의해 이격되므로, 반도체 발광 소자의 n형 전극 및 p형 전극은 절연될 수 있다.
또한, 디스플레이 장치(1000)는 복수의 반도체 발광소자(1050)의 일면에 형성되는 형광체층(1080, 도 11b 참조)를 더 구비할 수 있다. 이 경우에, 반도체 발광소자들에서 출력된 빛은 형광체를 이용하여 여기시켜, 적색(R) 및 녹색(G)을 구현하게 된다. 또한, 전술한 블랙 매트릭스(191, 291, 1091, 도 3b, 도 8 및 도 11b 참조)가 형광체들의 사이에서 혼색을 방지하는 격벽의 역할을 하게 된다.
한편, 상기에서 설명된 디스플레이 장치는 반도체 발광소자의 배열이 자유롭기에, 원형 디스플레이를 구현하기에 적합한다. 다만, 이 경우에 베젤의 크기를 좁게 하기 어려운 문제가 발생한다.
구체적으로, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에 의하면, 반도체 발광소자들로 구동신호를 전달하기 위하여, 서로 교차하는 배선라인들이 배치된다. 이러한, 배선라인들 중 어느 일방향으로 연장되는 일부 배선라인들은 스캔 신호를 전달하는 스캔 라인들을 구성하고, 상기 배선라인들 중 상기 일방향과 수직하는 다른 일방향으로 연장되는 배선라인들은 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인들을 구성한다. 상기 스캔 라인들과 데이터 라인들이 배선기판을 경유하여 구동부와 전기적으로 연결되기에, 베젤의 크기가 좁은 원형 디스플레이의 구현이 어렵게 된다. 이에, 본 발명에서는, 베젤의 크기가 좁은 원형 디스플레이 적합한 배선구조를 제시한다.
이하, 본 발명의 디스플레이 장치의 구조에 대하여 첨부된 도면과 함께 상세하게 살펴본다. 도 13은 본 발명의 배선기판의 구조가 적용된 원형 디스플레이를 구비하는 이동 단말기를 설명하기 위한 개념도이고, 도 14는 본 발명의 배선기판의 구조가 적용된 원형 디스플레이 패널의 개념도이고, 도 15는 도 14의 G 부분의 확대도이며, 도 16 및 도 17은 각각 도 13의 라인 H-H 및 라인 I-I를 따라 취한 단면도들이다.
도 13을 참조하면, 와치 타입의 이동 단말기(300)는 디스플레이부(351)를 구비하는 본체(301) 및 본체(301)에 연결되어 손목에 착용 가능하도록 구성되는 밴드(302)를 포함한다.
본체(301)는 외관을 형성하는 케이스를 포함한다. 도시된 바와 같이, 케이스는 각종 전자부품들을 수용하는 내부 공간을 마련하는 제1케이스(301a) 및 제2케이스(301b)를 포함할 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 하나의 케이스가 상기 내부 공간을 마련하도록 구성되어 유니 바디의 이동 단말기(300)가 구현될 수도 있다.
와치 타입의 이동 단말기(300)는 무선 통신이 가능하도록 구성되며, 본체(301)에는 상기 무선 통신을 위한 안테나가 설치될 수 있다. 한편, 안테나는 케이스를 이용하여 그 성능을 확장시킬 수 있다. 예를 들어, 도전성 재질을 포함하는 케이스가 안테나와 전기적으로 연결되어 그라운드 영역 또는 방사 영역을 확장시키도록 구성될 수 있다.
본체(301)의 전면에는 디스플레이부(351)가 배치되어 정보를 출력할 수 있으며, 디스플레이부(351)에는 터치센서가 구비되어 터치 스크린으로 구현될 수 있다. 도시된 바와 같이, 디스플레이부(351)는 제1 케이스(301a)에 장착되어 제1 케이스(301a)와 함께 단말기 바디의 전면을 형성할 수 있다.
본체(301)에는 음향 출력부(352), 카메라(321), 마이크로폰(322), 사용자 입력부(323) 등이 구비될 수 있다. 디스플레이부(351)가 터치 스크린으로 구현되는 경우, 사용자 입력부(323)로 기능할 수 있으며, 이에 따라 본체(301)에 별도의 키가 구비되지 않을 수 있다.
밴드(302)는 손목에 착용되어 손목을 감싸도록 이루어지며, 착용이 용이하도록 플렉서블 재질로 형성될 수 있다. 그러한 예로서, 밴드(302)는 가죽, 고무, 실리콘, 합성수지 재질 등으로 형성될 수 있다. 또한, 밴드(302)는 본체(301)에 착탈 가능하게 구성되어, 사용자가 취향에 따라 다양한 형태의 밴드로 교체 가능하게 구성될 수 있다.
한편, 밴드(302)는 안테나의 성능을 확장시키는 데에 이용될 수 있다. 예를 들어, 밴드에는 안테나와 전기적으로 연결되어 그라운드 영역을 확장시키는 그라운드 확장부(미도시)가 내장될 수 있다.
밴드(302)에는 파스너(fastener; 302a)가 구비될 수 있다. 파스너(302a)는 버클(buckle), 스냅핏(snap-fit)이 가능한 후크(hook) 구조, 또는 벨크로(velcro; 상표명) 등에 의하여 구현될 수 있으며, 신축성이 있는 구간 또는 재질을 포함할 수 있다. 본 도면에서는, 파스너(302a)가 버클 형태로 구현된 예를 제시하고 있다.
한편, 전술한 디스플레이부(351)는 반도체 발광소자에 의하여 구현되며, 보다 구체적으로는 원형으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이부(351)는 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있으며, 도 14 내지 도 16에서는 상기 디스플레이 장치(2000)의 구조에 대하여 설명한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 전술한 다른 형태의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에도 적용 가능하다.
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
예를 들어, 디스플레이 장치(2000)는 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함한다. 상기 반도체 발광 소자(2050)는 제1도전형 전극(2156)과, 제1도전형 전극(2156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(2155)과, 제1도전형 반도체층(2155) 상에 형성된 활성층(2154)과, 상기 활성층(2154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(2153) 및 제2도전형 반도체층(2153)에 형성되는 제2도전형 전극(2152)을 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다.
또한, 도 12를 참조하여 전술한 바와 같이, 돌출부(2152a)가 상기 제2도전형 반도체층(2153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(2153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(2153a)으로 연장된다. 따라서, 상기 돌출부(2152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(2040)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광소자(2050)는 상기 제2도전형 전극(2152)을 덮도록 형성되는 절연부(2158)를 포함할 수 있다. 상기 절연부(2158)는 상기 제2도전형 전극(2152)과 함께 상기 제1도전형 반도체층(2155)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1도전형 반도체층(2155)에서 상기 절연부(2158)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 부분에 상기 제1도전형 전극(2156)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1도전형 전극(2156)은 상기 절연부(2158)를 관통하여 외부로 노출된다.
또한, 디스플레이 장치(2000)는 복수의 반도체 발광소자(2050)의 일면에 형성되는 형광체층(2080)을 더 구비할 수 있다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(2000)는 기판(배선기판, 2010), 제1전극(2020), 전도성 접착층(2030), 제2전극(2040)를 포함하며, 이들에 대한 기본적인 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다.
또한, 본 실시예에서도 상기 전도성 접착층(2030)은 접착층으로 대체되고, 복수의 반도체 발광소자들이 배선기판(2010)상에 배치되는 접착층에 부착되며, 상기 제1전극(2020)이 배선기판(2010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성될 수 있다.
상기 제1전극(2020)은 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하는 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 또한, 상기 제2전극(2040)은 반도체 발광소자의 상부 배선으로서, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하는 복수의 스캔 라인들을 포함한다. 상기 스캔 라인들은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(2030)은 배선기판(2010)과 제2전극(2040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(2040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)의 돌출부(2152a)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
이 경우에, 디스플레이 장치의 구동부는 복수의 스캔 라인들에 라인별로 신호를 출력하며, 각 스캔 라인별로 데이터 라인들에 데이터 신호를 순차적으로 공급하여, 반도체 발광소자의 발광을 제어하게 된다. 본 발명에서는 상기 구동부가 복수로 구비되며, 상기 스캔 라인들과 데이터 라인들이 분할되어 상기 복수의 구동부에 연결된다.
본 도면들을 참조하면, 상기 배선기판(2010)의 일면에는 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 제1구동부(2071) 및 제2구동부(2072)가 장착된다. 보다 구체적으로, 상기 배선기판(2010)은 상기 반도체 발광소자들이 장착되는 제1영역(2011)과, 상기 구동부(2071, 2072)가 배치되는 제2영역(2012)으로 구획될 수 있다. 여기서 상기 제1영역(2011)은 디스플레이부(351)에 해당하는 영역이 될 수 있다. 상기 반도체 발광소자들이 원형 디스플레이를 형성하도록, 상기 제1영역(2011)은 원형으로 이루어질 수 있다. 상기 제1영역(2011)에서, 상기 복수의 데이터 라인들은 서로 평행하게 배치되며, 상기 데이터 라인들은 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치될 수 있다.
도시된 바에 의하면, 상기 스캔 라인들 중 적어도 하나는 상기 제1구동부(2071) 및 제2구동부(2072) 중 어느 하나와 연결되고, 상기 적어도 하나의 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인들의 어느 일부는 제1구동부(2071)와 연결되고, 다른 일부는 제2구동부(2072)와 연결된다. 즉, 어느 하나의 구동부에서 담당하는 스캔 라인의 점등을 위하여 복수의 구동부에서 모두 데이터 신호를 출력하도록 하나의 스캔 라인에 교차하는 복수의 데이터 라인들은 제1구동부(2071) 및 제2구동부(2072)에 분할되어 연결된다. 다른 관점에서는, 하나의 데이터 라인에 교차하는 복수의 스캔 라인들은 제1구동부(2071) 및 제2구동부(2072)에 분할되어 연결된다.
이 경우에, 상기 스캔 라인들은 상기 제1구동부(2071)에 연결되는 제1스캔 그룹(2041)과, 상기 제2구동부(2072)에 연결되는 제2스캔 그룹(2042)으로 구획되고, 상기 제1스캔 그룹(2041)은 상기 제1구동부(2071)에 인접하게 배치되고, 상기 제2스캔 그룹(2042)은 상기 제2구동부(2072)에 인접하게 배치된다. 예를 들어, 상기 제1스캔 그룹(2041)과 제2스캔 그룹(2042)은 상기 제1영역을 양분하여 배치될 수 있다. 한편, 상기 제1스캔 그룹(2041)내에서 어느 하나의 스캔 라인이 일측으로 연장되면, 그 다음에 배치되는 스캔 라인은 반대측인 타측으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제2스캔 그룹(2042)내에서 스캔 라인도 동일한 형태로 배치될 수 있다.
이에 반해, 상기 데이터 라인들은 상기 제1구동부(2071)에 연결되는 제1데이터 그룹(2021)과 상기 제2구동부(2072)에 연결되는 제2데이터 그룹(2022)이 상기 스캔 라인을 따라 순차적으로 반복되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1데이터 그룹(2021)과 제2데이터 그룹(2022)은 각각 복수로 구비되어 교대로 배치될 수 있다.
제1데이터 그룹(2021)과 제2데이터 그룹(2022)은 상하로 연장되어, 상기 제1구동부(2071)와 상기 제2구동부(2072)에 각각 연결된다. 이 경우에, 상기 제1데이터 그룹(2021) 및 상기 제2 데이터 그룹(2022)은 각각 적색, 녹색 및 청색을 개별적으로 발광하는 단위화소부에 상기 적색, 녹색 및 청색을 제어하는 신호를 공급하도록 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 단위화소부에는 3개 이상의 데이터 라인에 각각 연결되는 3개 이상의 반도체 발광소자가 구비될 수 있다. 본 예시와 같이, 반도체 발광소자가 청색을 발광하는 청색 반도체 발광소자인 경우에, 적색 형광체층과 녹색 형광체층이 구비되어 적색, 녹색 및 청색을 개별 발광하게 된다.
이와 같이, 본 발명에서는 픽셀 단위로 적색, 녹색 및 청색을 묶음으로 설정하며, 상기 픽셀 내에서는 배선이 even/odd 와 상하로 연결되는 구조를 제시한다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 데이터 라인들은 상기 제1구동부에 연결되는 제1데이터 라인과 상기 제2구동부에 연결되는 제2데이터 라인이 상기 스캔 라인을 따라 순차적으로 반복되도록 배치되는 것도 가능하다. 이 경우에는 스캔라인들은 line-by-line의 형태로 배치되어, 제1구동부 및 제2구동부에 순차적으로 연결될 수 있다.
이와 같이, 데이터 라인 및 스캔 라인이 절반씩 구동부에 연결되는 구조에 의하면, 멀티비전(multi-vision) 장치와 같이 패널을 상하 또는 좌우로 분리하여 제어할 필요가 없게 된다. 멀티비전(multi-vision) 장치에서는 패널을 분할하여 제어하나, 분할된 영역을 각 구동부가 담당하는 구조이다. 그러므로, 각 구동부는 데이터 라인과 스캔 라인 중 어느 하나는 반만 담당하나, 다른 하나는 전체 개수만큼 담당하여야 하며, 이로 인하여 베젤의 크기가 어느 정도 확보되어야 한다. 이에 반해, 본 발명에서는 복수의 구동부가 하나의 구동부와 같이 동작하여, 각 구동부가 데이터 라인과 스캔 라인을 반씩 담당하게 되므로, 베젤의 크기가 저감될 수 있다.
한편, 상기 구조에 의하면, 상기 제1구동부가 상기 스캔 라인들 중 어느 하나에 신호를 출력하는 동안에 상기 제1구동부 및 상기 제2구동부는 상기 데이터 라인들에 각각 신호를 출력하게 된다. 또한, 상기 제2구동부가 상기 스캔 라인들 중 다른 하나에 신호를 출력하는 동안에 상기 제1구동부 및 상기 제2구동부는 상기 데이터 라인들에 각각 신호를 출력할 수 있다.
이와 같이, 어느 하나의 구동부에서 담당하는 스캔 라인의 점등을 위하여, 한쌍의 구동부들은 모두 데이터 신호를 출력하게 되며, 한쌍의 구동부들은 서로 타이밍을 맞추어 하나의 구동부와 같이 동작하게 된다. 이 경우에 상기 제1구동부 및 제2구동부 중 어느 하나는 마스터(Master)로 동작하고, 다른 하나는 슬래이브(slave)로 동작할 수 있다. 상기 제1구동부 및 제2구동부 중 마스터로 동작하는 구동부는 타이밍 동기화를 위한 동기화 신호를 출력하고, 슬래이브로 동작하는 구동부가 상기 동기화 신호를 수신하여 동기를 맞추도록 동작할 수 있다. 즉, 마스터로 동작하는 구동부는 스스로 생성한 동기화 신호에 맞춰서 내부 회로를 제어하고, 슬래이브로 동작하는 구동부는 마스터로 동작하는 구동부에서 생성한 동기화 신호에 맞춰서 내부 회로를 제어하게 된다.
한편, 상기 배선기판(2010)은, 상기 구동부(2071, 2072)와 전기적으로 연결되며, 외부단자와 접속되도록 상기 배선기판(2010)으로부터 돌출되는 인터페이스부(2073, 2074)를 포함할 수 있다. 즉, 인터페이스부(2073, 2074)가 상기 제2영역(2012)의 단부들에 각각 배치될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제1영역(2011)의 중심과 제1구동부(2071)와의 이격거리 또는 제2구동부(2072)와의 이격거리는 패널이 성장한 성장기판(원판 글래스)의 사이즈를 고려하여 설정된다. 상기 제1영역(2011)의 중심에서 상기 제1구동부(2071)나 제2구동부(2072)까지의 거리는 상기 반도체 발광소자가 성장한 성장기판의 길이의 반보다 크도록 형성될 수 있다. 구체적인 예로서 반도체 발광소자의 성장기판의 크기가 2인치인 경우에, 상기 제1영역(2011)의 중심으로부터 반지름이 1인치 이상인 원의 외부에 상기 제1구동부(2071)와 제2구동부(2072)가 배치된다. 이는 성장기판으로부터 반도체 발광소자를 제1영역(2011)으로 전사(transfer)시에 상기 제1구동부(2071)와 제2구동부(2072)의 높이에 의하여 상기 제1구동부(2071)와 제2구동부(2072)와 성장기판이 서로 간섭되는 것을 방지하기 위함이다.
또한, 도시에 의하면, 상기 배선기판(2010)에는 상기 복수의 스캔 라인들 및 복수의 데이터 라인들이 상기 제1영역(2011)에서 연장되어 상기 제2영역(2012)으로 이어지도록 배치되는 제3영역(2013)이 형성된다.
상기 제3영역(2013)은 제1영역(2011)내에서 상기 반도체 발광소자와 연결된 데이터 라인들과 스캔 라인들이 상기 구동부(2071)와 전기적으로 연결되기 위하여 연장되는 베이스를 제공하게 된다.
이 경우에, 상기 데이터 라인들은 상기 배선기판(2010)의 일면에 형성되어, 제1영역(2011)에서 제3영역(2013)을 거쳐서 상기 구동부(2071)와 전기적으로 연결된다. 이에 반해, 상기 스캔 라인들은 상기 반도체 발광소자의 두께방향을 따라 상기 배선기판(2010)과 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결된다. 예를 들어, 상기 스캔 라인들은 상기 배선기판(2010)의 일면으로부터 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결되는 제1부분(2040a)과, 상기 배선기판(2010)의 일면에 형성되는 제2부분(2040b)을 구비한다. 상기 제1부분(2040a)은 상기 제1영역(2011)에서 상기 반도체 발광소자의 n형 전극, 예를 들어 돌출부와 연결되어 상부배선을 형성하게 된다. 따라서, 상기 데이터 라인들은 상기 반도체 발광소자의 p형 전극에 연결된다.
상기 제2부분(2040b)은 상기 데이터 라인들과 같이 상기 배선기판(2010)의 일면에서 상기 구동부(2071)를 향하여 연장된다. 이 경우에, 상기 제1부분(2040a)은 상기 배선기판으로부터 디스플레이 장치의 두께방향으로 이격되므로, 상기 제1부분(2040a)과 제2부분(2040b)은 서로 높이차를 가지게 된다. 상기 높이차를 해결하기 위하여, 상기 제3영역(2013)에는 연결부(2043)가 배치되어 상기 제1부분(2040a)과 제2부분(2040b)을 서로 연결한다. 즉, 상기 스캔 라인들이 상기 배선기판으로 연장되도록, 상기 스캔 라인들과 상기 배선기판의 사이에는 복수의 층으로 형성되는 연결부들(2043)이 배치된다.
상기 연결부들(2043)은 상기 제3영역(2013)에서 상기 제1영역(2011)의 양측에 배치될 수 있으며, 이 경우에 상기 연결부와 상기 반도체 발광소자 사이의 거리에는 제약이 없다. 따라서, 상기 제1영역(2011)의 경계에서 상기 제1구동부 또는 상기 제2구동부까지의 거리는 상기 제3영역(2013)에서 상기 제1영역(2011)의 양측에 형성되는 부분들(베젤에 해당하는 부분)의 폭들보다 더 크도록 이루어진다. 또한. 상기 연결부들(2043)은 상기 제3영역(2013)에서 곡선을 따라 배치될 수 있다. 상기 곡선은 상기 제1영역(2011)의 원호에 대응되는 형태로 이루어지는 가상의 라인이 될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 연결부들(2043)은 각각, 복수의 층들을 구비할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결부들(2043)은 각각, 상기 반도체 발광소자들의 n형 반도체층과 동일재질로 형성되는 연결 반도체층(2043a)과, 상기 연결 반도체층(2043a)에 오버랩되며, 도전성 재질로 이루어지는 도전층을 구비할 수 있다.
상기 반도체층(2043a)은 상기 제2도전형 반도체층(2153, n형 반도체층)과 동일재질로 형성되어, 성장기판상에서 함께 성장할 수 있다. 따라서, 상기 연결부(2043)는 적어도 일부가 상기 반도체 발광소자들과 함께 성장됨으로써 형성될 수 있다.
또한, 상기 도전층은 제1도전층(2043b) 및 제2도전층(2043c)을 구비하며, 상기 제1도전층(2043b)은 상기 제1도전형 전극(2156)과 동일재질로 형성되며, 상기 제2도전층(2043c)은 상기 제2도전형 전극(2152)과 동일재질로 형성될 수 있다. 상기 연결부(2043)에는 반도체 발광소자의 절연부(2158)와 동일재질로 형성되는 연결 절연부(2043d)가 형성될 수 있다.
상기 도전층이 제1도전층(2043b) 및 제2도전층(2043c)을 구비하기에, 상기 연결부들(2043)의 각각은 상기 반도체 발광소자와 거의 유사한 높이를 가지게 된다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 도전층은 제1도전층(2043b) 및 제2도전층(2043c) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 연결부들(2043)은 상기 반도체 발광소자를 상기 배선기판에 접착하는 도전성 접착층을 통하여 상기 배선기판의 스캔 연결배선(2044)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우에, 상기 스캔 연결배선(2044)은 상기 스캔 라인의 일부로서, 상기 배선기판(2010)에 형성되어 상기 제1구동부(2071) 또는 상기 제2구동부(2072)와 연결되는 부분이 될 수 있다. 이 경우에, 상기 데이터 라인에서 연장되어 제3영역에서 상기 제2영역으로 이어지는 배선은 데이터 연결배선(2024)이라 지칭될 수 있다.
또한, 상기 배선기판(2010)에는 상기 연결부와 도전성 접착층에 의하여 전기적으로 연결되는 도전패드(2045)가 배치되며, 상기 도전패드(2045)는 상기 스캔 연결배선(2044)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하면, 데이터 라인들과 스캔 라인들을 분할하여 반반씩 복수의 구동부에 연결함에 따라, 좌우 베젤의 크기가 작은 원형 디스플레이가 구현될 수 있다. 또한, 배선기판에 구동부가 장착됨에 따라, 구동부가 형성되는 별도의 구동기판이 필요 없게 된다.
한편, 미도시되었지만, 상기 제2영역(2012)에는 솔더레지스트가 도포되어 보호층이 형성되고, 상기 제1영역(2011)과 상기 제3영역(2013)에는 상기 솔더레지스트가 도포되지 않도록 이루어질 수 있다. 그 이유는 제3영역(2013)에 솔더레지스트가 도포되는 경우에, 제1영역과 솔더레지스트가 도포되는 층간의 높이차에 의해서 반도체 발광소자를 성장한 성장기판로부터 상기 제1영역으로 전사시에 높이차에 의한 합착불량을 완화 또는 방지하기 위함이다.
또한, 본 발명의 배선기판은 일면에 데이터 라인과 스캔 연결배선이 구비되는 단면 배선기판뿐만 아니라, 배선기판의 양면에 전극이 구비되는 양면 배선기판의 구조가 적용될 수 있다. 이 경우에는 베젤의 크기가 보다 축소될 수 있다. 이하, 도 18 내지 도 20을 참조하여 이러한 구조에 대하여 설명한다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널을 나타내는 평면도 및 배면도이고, 도 20 및 도 21은 각각 도 18의 라인 J-J 및 라인 K-K를 따라 취한 디스플레이 장치의 단면도이다.
이하 설명되는 본 예시에서는, 앞서 도 13 내지 도 17를 참조하여 설명한 예시의 각 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
예를 들어, 디스플레이 장치(3000)는 복수의 반도체 발광 소자(3050)를 포함한다. 상기 반도체 발광 소자(3050)는 제1도전형 전극(3156)과, 제1도전형 전극(3156)이 형성되는 제1도전형 반도체층(3155)과, 제1도전형 반도체층(3155) 상에 형성된 활성층(3154)과, 상기 활성층(3154) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(3153) 및 제2도전형 반도체층(3153)에 형성되는 제2도전형 전극(3152)을 포함하며, 이들에 대한 설명은 앞서 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다.
또한, 도 12를 참조하여 전술한 바와 같이, 돌출부(3152a)가 상기 제2도전형 반도체층(3153)의 일면에서 측면으로 연장되며, 상기 제2도전형 반도체층(3153)의 상면으로, 보다 구체적으로는 언도프된(Undoped) 반도체층(3153a)으로 연장된다. 따라서, 상기 돌출부(3152a)는 상기 제2도전형 반도체층을 기준으로 상기 제1도전형 전극의 반대측에서 상기 제2전극(3040)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 디스플레이 장치(3000)는 복수의 반도체 발광소자(3050)의 일면에 형성되는 형광체층(3080)을 더 구비할 수 있다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(3000)는 기판(배선기판, 3010), 제1전극(3020), 전도성 접착층(3030), 제2전극(3040)를 포함하며, 이들에 대한 기본적인 설명은 앞서 도 10 내지 도 12를 참조한 설명으로 갈음한다.
또한, 본 실시예에서도 상기 전도성 접착층(3030)은 접착층으로 대체되고, 복수의 반도체 발광소자들이 배선기판(3010)상에 배치되는 접착층에 부착되며, 상기 제1전극(3020)이 배선기판(3010)상에 위치하지 않고, 반도체 발광소자의 도전형 전극과 일체로 형성될 수 있다.
상기 제1전극(3020)은 상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하는 복수의 데이터 라인들을 포함한다. 또한, 상기 제2전극(3040)은 반도체 발광소자의 상부 배선으로서, 상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하는 복수의 스캔 라인들을 포함한다. 상기 스캔 라인들은 전도성 접착층(3030) 상에 위치될 수 있다. 즉, 전도성 접착층(3030)은 배선기판(2010)과 제2전극(3040)의 사이에 배치된다. 상기 제2전극(3040)은 상기 반도체 발광 소자(2050)의 돌출부(3152a)와 접촉에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 배선기판(3010)의 일면에는 상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 제1구동부(3071) 및 제2구동부(3072)가 장착된다.
도 13 내지 도 17에서 설명한 예시와 마찬가지로, 제1전극(3020) 및 제2전극(3040)이 상기 배선기판(3010)의 제1영역(3011)에서 연장되어 제3영역(3013)을 거쳐서 제2영역(3012)에 배치된 구동부와 연결된다.
다만, 본 예시에서는, 제1전극(3020) 및 제2전극(3040)을 제1구동부(3071) 및 제2구동부(3072)와 연결하는 연결배선(3024, 3044)은 배선기판(3010)의 양면에 형성된다. 본 예시에서는 상기 배선기판(3010)을 중심으로 배선을 양면으로 형성하여 디스플레이 장치의 베젤 크기를 저감시킨다.
상기 연결배선(3024, 3044)은 데이터 연결배선(3024)과 스캔 연결배선(3044)을 구비한다.
상기 데이터 연결배선(3024)은 상기 배선기판(3010)의 일면(3010a)에 형성되어, 상기 제2전극(3040), 즉 제1영역(3011)에서의 데이터 라인들과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 반해, 스캔 연결배선(3044)은 상기 제1전극(3020), 즉 제1영역(3011)에서의 스캔 라인들에서 연장되며 상기 배선기판(3010)의 일면(3010a)의 반대면인 상기 배선기판(3010)의 타면(3010b)에 배치된다. 예를 들어, 상기 데이터 라인들은 상기 배선기판의 일면에 형성되어 제1구동부(3071)와 제2구동부(3072)로 연장되며, 상기 스캔 라인들은 상기 배선기판의 타면에 형성되는 스캔 연결배선(3044)과 연결부들(3043)을 통하여 전기적으로 연결된다. 상기 연결부들(3043)에 대한 설명은 도 13 내지 도 17를 참조하여 설명한 연결부들의 구조가 적용되며, 이에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.
도시에 의하면, 상기 데이터 연결배선(3024)과 스캔 연결배선(3044)은 배선기판(3010)의 두께방향으로 적어도 일부가 서로 중첩되도록 배치된다. 상기 데이터 연결배선(3024)과 스캔 연결배선(3044)이 서로 다른 평면상에 배치되기에, 배선의 중첩구조가 가능하게 된다.
도시에 따르면, 상기 제1영역의 스캔 라인이 제3영역(3013)에서 데이터 연결배선(3024)과 중첩되는 상기 스캔 연결배선(3044)과 전기적으로 연결되도록 상기 배선기판(3010)에는 비아홀들(3046, 3047)이 형성된다. 예를 들어, 상기 배선기판(3010)에는 상기 연결부(3043)와 상기 스캔 연결배선(3044)을 전기적으로 연결하는 제1비아홀(3046)과, 상기 스캔 연결배선(3044)이 상기 제1구동부(3071) 또는 상기 제2구동부(3072)와 연결되도록 상기 스캔 연결배선(3044)을 상기 배선기판(3010)의 일면으로 연결하는 제2비아홀(3047)이 형성될 수 있다. 상기 제1비아홀(3046)와 상기 연결부(3043)의 사이에는 전술한 도전패드(3045)가 배치될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제1비아홀(3046)은 상기 제1영역(3011)의 양변에 각각 인접하게 배치되는 제1그룹과 제2그룹(3046a, 3046b)을 포함하며, 상기 스캔 연결배선(3044)은 상기 제1그룹 및 제2그룹(3046a, 3046b)으로부터 좌우대칭형태를 이루며 제2영역(3012)을 향하여 연장된다.
하나의 연결배선을 살펴보면, 상기 스캔 연결배선(3044)은 수평부(3044a)와 수직부(3044b)를 포함한다. 상기 수평부(3044a)는 상기 제1비아홀(3046)로부터 배선기판(3010)의 내부를 향하여 연장되는 부분이며, 상기 수직부(3044b)는 상기 수평부(3044a)와 이어지며, 데이터 연결배선(3024)의 연장방향과 동일하게 수직방향으로 연장되는 부분이 될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 데이터 연결배선(3024)과 스캔 연결배선(3044)은 상기 배선기판(3010)의 제2영역(3012)까지 연장되며, 상기 제2영역(3012)에서 구동부와 연결된다.
상기 배선기판(3010)에는 상기 스캔 연결배선(3044)을 상기 배선기판(3010)의 일면으로 연장하기 위한 제2비아홀(3047)이 형성되며, 상기 스캔 연결배선(3044)은 상기 제2비아홀(3047)을 통하여 상기 데이터 연결배선(3024)과 동일평면상에서 상기 구동부와 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 데이터 연결배선은 상기 구동부와 동일평면상에 배치되므로, 상기 스캔 연결배선(3044)은 다른 평면상에 배치되므로, 상기 제2비아홀(3047)을 통하여 상기 스캔 연결배선(3044)은 상기 구동부가 배치되는 상기 배선기판(3010)의 일면으로 연장된다. 상기 제2비아홀(3047)은 상기 제1영역을 기준으로 상기 제1구동부(3071) 또는 제2구동부(3072)보다 더 먼 지점에 형성되며, 이를 통하여 상기 스캔 연결배선(3044)와 상기 데이터 연결배선(3024)은 상기 구동부의 양측에서 상기 구동부와 연결될 수 있다.
상기 구조에 의하면, 배선기판에서 연결배선을 위한 부분의 폭이 좁아질 수 있으며, 따라서 슬림한 베젤이 구현될 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 배선기판에 배치되는 반도체 발광소자들;
    상기 반도체 발광소자들에 스캔 구동 신호를 전달하도록 이루어지며, 서로 평행하게 배치되는 복수의 스캔 라인들;
    상기 반도체 발광소자들에 데이터 구동 신호를 전달하도록 상기 복수의 스캔 라인들과 교차하게 배치되는 복수의 데이터 라인들; 및
    상기 스캔 라인들 및 데이터 라인들과 연결되며, 상기 스캔 구동 신호 및 데이터 구동 신호를 제공하는 제1구동부 및 제2구동부를 포함하고,
    상기 스캔 라인들 중 적어도 하나는 상기 제1구동부 및 제2구동부 중 어느 하나와 연결되고,
    상기 적어도 하나의 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인들의 어느 일부는 제1구동부와 연결되고, 다른 일부는 제2구동부와 연결되며,
    상기 데이터 라인들은 상기 배선기판에 형성되어 상기 반도체 발광소자들과 연결되고,
    상기 스캔 라인들은 상기 반도체 발광소자의 두께방향을 따라 상기 배선기판과 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결되며,
    상기 스캔 라인들은, 상기 반도체 발광소자들이 배치된 상기 배선기판의 일면으로부터 이격된 위치에서 상기 반도체 발광소자와 연결되는 제1부분 및 상기 배선기판의 일면에 형성되는 제2부분을 포함하고, 상기 제1부분이 상기 배선기판으로 연장되도록, 상기 제1부분과 제2부분 사이에는 복수의 층으로 형성되는 연결부들이 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1구동부가 상기 스캔 라인들 중 어느 하나에 신호를 출력하는 동안에 상기 제1구동부 및 상기 제2구동부는 상기 데이터 라인들에 각각 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2구동부가 상기 스캔 라인들 중 다른 하나에 신호를 출력하는 동안에 상기 제1구동부 및 상기 제2구동부는 상기 데이터 라인들에 각각 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  4. 삭제
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  6. 삭제
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  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 연결부들은 각각, 상기 반도체 발광소자들의 n형 반도체층과 동일재질로 형성되는 연결 반도체층과, 상기 연결 반도체층에 오버랩되며, 도전성 재질로 이루어지는 도전층을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 배선기판에는 상기 연결부와 도전성 접착층에 의하여 전기적으로 연결되는 도전패드가 배치되며,
    상기 도전패드는 상기 제1구동부 또는 상기 제2구동부와 연결되며 상기 배선기판에 형성되는 스캔 연결배선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 데이터 라인들은 상기 배선기판의 일면에 형성되어 상기 제1구동부 및 제2구동부로 연장되며,
    상기 스캔 라인들은 상기 배선기판의 타면에 형성되는 스캔 연결배선과 상기 연결부들을 통하여 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  15. 삭제
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제1구동부 및 제2구동부는 상기 배선기판의 일면에 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 배선기판은,
    상기 반도체 발광소자들이 장착되는 제1영역;
    상기 제1구동부 및 제2구동부가 배치되는 제2영역; 및
    상기 복수의 스캔 라인들 및 복수의 데이터 라인들이 상기 제1영역에서 연장되어 상기 제2영역으로 이어지도록 배치되는 제3영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제17항에 있어서,
    상기 스캔 라인들과 상기 배선기판의 사이에는 복수의 층으로 형성되어 상기 스캔 라인들을 상기 배선기판과 전기적으로 연결하는 연결부들이 배치되며,
    상기 연결부들은 상기 제3영역에서 곡선을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102322762B1 (ko) * 2014-09-15 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN104916252B (zh) * 2015-07-13 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 圆形显示面板及其制作方法、显示装置
CN117500327A (zh) 2016-01-21 2024-02-02 苹果公司 有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构
TWI707491B (zh) 2019-12-04 2020-10-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
US11121172B2 (en) 2017-11-08 2021-09-14 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode unit for display comprising plurality of pixels and display device having same
US11189605B2 (en) * 2018-02-28 2021-11-30 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10690920B2 (en) 2018-02-28 2020-06-23 X Display Company Technology Limited Displays with transparent bezels
US10910355B2 (en) 2018-04-30 2021-02-02 X Display Company Technology Limited Bezel-free displays
KR102715253B1 (ko) * 2019-10-10 2024-10-10 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 구동 방법
KR20210079792A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 카메라 투과부를 포함하는 표시 장치
EP3992705B1 (en) * 2020-05-29 2024-11-06 BOE Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
CN114342368A (zh) * 2020-08-07 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
CN114899286B (zh) * 2022-07-12 2022-10-25 诺视科技(苏州)有限公司 一种像素级分立器件及其制作方法
CN114899291B (zh) * 2022-07-12 2022-10-25 诺视科技(苏州)有限公司 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050062687A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-24 Citizen Watch Co., Ltd. Display device
US20070296650A1 (en) * 2006-06-21 2007-12-27 Himax Technologies, Inc. Dual-Scan Circuit for Driving an OLED Display Device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI267058B (en) 2004-10-08 2006-11-21 Ind Tech Res Inst Non-rectangular display device
WO2006121914A2 (en) 2005-05-05 2006-11-16 Nuelight Corporation Pixel slice architecture for flat panel display technology
US7411290B2 (en) * 2005-08-05 2008-08-12 Delphi Technologies, Inc. Integrated circuit chip and method for cooling an integrated circuit chip
US8023087B2 (en) 2006-08-23 2011-09-20 Hitachi Displays, Ltd. Display device having particular pixels and signal wiring internal circuits
JP2008292588A (ja) 2007-05-22 2008-12-04 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌパッシブマトリックス素子の駆動装置
JP5075539B2 (ja) * 2007-09-05 2012-11-21 株式会社東芝 広域保護制御計測システムと方法
US8325309B2 (en) 2008-09-23 2012-12-04 Apple Inc. Display having a plurality of driver integrated circuits
KR101535929B1 (ko) 2008-12-02 2015-07-10 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이를 갖는 표시패널 및 이를 갖는 표시장치
RU2539779C1 (ru) * 2010-11-29 2015-01-27 Флир Радиацион Гмбх Способы и базы данных для идентификации нуклидов
JP2013222124A (ja) 2012-04-18 2013-10-28 Sony Corp 信号伝達装置、表示装置および電子機器
JP5518273B1 (ja) * 2012-09-14 2014-06-11 パナソニック株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
KR20140109261A (ko) * 2013-03-05 2014-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR101476687B1 (ko) 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US9367094B2 (en) * 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
CN105469732B (zh) * 2014-09-05 2019-02-05 联想(北京)有限公司 显示装置和电子设备
KR102469305B1 (ko) * 2015-08-17 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 구동 집적회로, 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050062687A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-24 Citizen Watch Co., Ltd. Display device
US20070296650A1 (en) * 2006-06-21 2007-12-27 Himax Technologies, Inc. Dual-Scan Circuit for Driving an OLED Display Device

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