Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR102330713B1 - 감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치 - Google Patents

감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102330713B1
KR102330713B1 KR1020167019102A KR20167019102A KR102330713B1 KR 102330713 B1 KR102330713 B1 KR 102330713B1 KR 1020167019102 A KR1020167019102 A KR 1020167019102A KR 20167019102 A KR20167019102 A KR 20167019102A KR 102330713 B1 KR102330713 B1 KR 102330713B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
support
supporting
contact elements
support surface
Prior art date
Application number
KR1020167019102A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160098447A (ko
Inventor
풀킷 아그라왈
송문 서
글렌 모리
스티븐 브이. 산소니
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20160098447A publication Critical patent/KR20160098447A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102330713B1 publication Critical patent/KR102330713B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판을 지지하기 위한 장치의 실시예들이 본원에서 개시된다. 몇몇 실시예들에서, 기판을 지지하기 위한 장치는: 지지 표면; 및 지지 표면으로부터 돌출되는 복수의 기판 접촉 엘리먼트들을 포함하고, 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은, 실리콘의 경도(hardness)와 동일한 또는 그 미만인 경도를 갖고, 낮은 접착력(adhesion)을 가지며, 슬라이딩을 방지하기에 충분히 큰 정지 마찰 계수(coefficient of static friction)를 갖고, 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기(surface roughness)를 가지며, 전기 전도성인 재료로 형성된다.

Description

감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치{SUBSTRATE SUPPORT APPARATUS HAVING REDUCED SUBSTRATE PARTICLE GENERATION}
[0001] 본 개시 내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] 반도체 기판들 상에서의 마이크로전자 디바이스들의 제조에서, 반도체 기판은, 제조 프로세스 동안 엣지 및 후면 상에서 수차례 핸들링된다. 그러한 핸들링은, 기판의 후면에 부착되는 그리고 기판과 함께, 프로세싱 컴포넌트들 사이에서 이동하는, 예컨대, 챔버로부터 챔버로, FOUP(front opening unified pod)로부터 FOUP로, 또는 프로세스 툴로부터 프로세스 툴로, 또는 상이한 기판들 사이에서 이동하는 오염 물질들을 야기할 수 있으며, 따라서, 오염 물질들을 제거하기 위해, 유지를 위한 툴 유휴시간(tool downtime)을 증가시킨다. 이러한 오염 물질들은 또한, 기판의 전면으로 이동할 수 있으며, 감소된 디바이스 성능 및/또는 수율 손실을 초래한다.
[0003] 이러한 문제에 대한 전형적인 해결책들은, 기판과 기판 이송/핸들링 디바이스들 사이의 접촉 면적(contact area)을 감소시킴으로써 후면 입자 생성을 감소시키는 것이었다. 그러나, 이러한 해결책이 입자 생성을 완화시키는데도, 본 발명자들은, 심지어 가장 작은 접촉 면적들이 고려되더라도, 상당히 많은 입자들이 여전히 생성되는 것을 관찰하였다.
[0004] 이로써, 본 발명자들은, 입자 생성이 감소된 상태로 기판을 지지하고 핸들링하기 위한 개선된 장치의 실시예들을 제공하였다.
[0005] 기판을 지지하기 위한 장치의 실시예들이 본원에서 개시된다. 몇몇 실시예들에서, 기판을 지지하기 위한 장치는: 지지 표면; 및 지지 표면으로부터 돌출되는 복수의 기판 접촉 엘리먼트들을 포함하고, 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은, 실리콘의 경도(hardness)와 동일한 또는 그 미만인 경도를 갖고, 낮은 접착력(adhesion)을 가지며, 슬라이딩을 방지하기에 충분히 큰 정지 마찰 계수(coefficient of static friction)를 갖고, 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기(surface roughness)를 가지며, 전기 전도성인 재료로 형성된다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 기판을 지지하기 위한 장치는: 지지 표면; 및 지지 표면으로부터 돌출되어 기판을 지지하도록 배열된 복수의 기판 접촉 엘리먼트들을 포함하고, 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은, 실리콘의 경도와 동일한 또는 그 미만인 경도, 슬라이딩을 방지하기에 충분히 큰 정지 마찰 계수, 및 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기를 갖는 재료로 형성되며, 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은 전기 전도성이며, 재료는 전기 전도성 플라스틱, 알루미늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 스테인리스 스틸 중 하나 또는 그 초과를 포함한다.
[0007] 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은: 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지부 - 기판 지지부는 기판 지지 표면, 및 기판 지지부에 대해서 리프팅되었을 때 기판 지지 표면 위에서 기판을 지지하도록 배열된 복수의 리프트 핀들을 가짐 -; 및 기판 이송 로봇 상에 배치될 때 기판을 지지하도록 배열된 복수의 접촉 엘리먼트들 및 지지 표면을 포함하는 기판 이송 로봇을 포함하고, 기판 지지 표면, 복수의 접촉 엘리먼트들, 또는 복수의 리프트 핀들 중 적어도 하나는, 실리콘 경도와 동일한 또는 그 미만인 경도를 갖고, 낮은 접착력을 가지며, 슬라이딩을 방지하기에 충분히 큰 정지 마찰 계수를 갖고, 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기를 가지며, 전기 전도성인 재료로 형성된다.
[0008] 본 개시 내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 이하에서 설명된다.
[0009] 첨부된 도면들에 도시된 본 개시 내용의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 개시 내용의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시 내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시 내용이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은, 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
[0011] 도 2는, 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
[0012] 도 3은 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 리프트 핀들 상에 놓인 기판을 이송하기 위한 기판 이송 로봇을 도시한다.
[0013] 도 4는 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 이송 로봇의 엔드 이펙터(end effector)의 평면도를 도시한다.
[0014] 도 5는 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 이송 로봇 블레이드의 부분의 단면도를 도시한다.
[0015] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것은 아니며, 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 점이 고려된다.
[0016] 본 개시 내용의 실시예들은, 통상적인 기판 지지 장치와 비교하여 감소된 입자 생성을 제공하는 개선된 기판 지지 및 핸들링 장치를 제공한다. 본 개시 내용의 실시예들은, 제조 프로세스 동안, 예컨대, 프로세스 단계들 사이에서 기판을 핸들링하는 동안 그리고/또는 프로세스 챔버 내부에서 기판을 지지하는 동안 기판 상에 축적되는 오염을 유리하게 회피하거나 감소시킬 수 있는데, 이는 추가로, 오염 물질들이 기판의 전면에 도달하여 디바이스 성능 문제들 및/또는 수율 손실을 야기하는 것을 제한하거나 방지할 수 있다. 본 개시 내용의 실시예들은, 입자의 매우 낮은 부가를 활용하는 프로세스에서, 예컨대, 디스플레이 프로세싱, 실리콘 웨이퍼 프로세싱, 및 광학 제조(optics manufacturing)에서 기판과 접촉하는 매우 다양한 표면들에서 사용될 수 있다.
[0017] 도 1은, 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른, 프로세싱될 기판이 상부에 위치되는 기판 지지부(100)를 도시한다. 기판 지지부(100)는, 예컨대, 페데스탈(pedestal), 진공 척(vacuum chuck), 등과 같은 임의의 타입의 지지부를 포함할 수 있다. 기판 지지부(100)는 지지 베이스(110), 복수의 접촉 엘리먼트들(120), 및 지지 샤프트(130)를 포함할 수 있다. 기판 지지부(100)는 전형적으로, 프로세싱 챔버(도시되지 않음) 내에 배치되고, 기판(도시되지 않음)은 프로세싱을 위해 기판 지지부 상에 위치된다. 프로세싱 동안, 기판의 후면은 접촉 엘리먼트들 (120)에 의해 지지된다. 기판 지지부(100)는, 가열 및/또는 냉각 엘리먼트들, RF 및/또는 DC 전극들, 후면 가스 프로비저닝(backside gas provisioning) 등의 비-제한적인(non-limiting) 예들과 같은, 마이크로전자 디바이스 제조를 위한 기판 지지부들에서 일반적으로 발견되는 부가적인 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 이러한 부가적인 엘리먼트들은 설명의 단순함을 위해 도시되지 않는다.
[0018] 도 2는, 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부(200)를 도시한다. 기판 지지부(200)는, 리프트 핀들(220)이 통하여 연장되는, 지지 베이스(210)의 복수의 관통 홀들(230)을 기판 지지부(200)가 포함하는 것을 제외하고는, 기판 지지부(100)와 실질적으로 유사하다. 예컨대, 프로세싱될 기판(도시되지 않음)은 초기에, 홀들(230)을 통해 지지 베이스(210) 너머 연장되는 리프트 핀들(220) 상에 위치된다. 연장된 리프트 핀들(220) 상에 기판이 위치된 후에, 리프트 핀들(220)은, 기판이 지지 베이스(210) 상에 배치되도록 복귀된다(retracted). 기판 지지부(100)와 마찬가지로, 기판 지지부(200)는, 예컨대, 페데스탈, 진공 척, 정전 척, 등으로서 구성될 수 있다. 기판 지지부(200)는 또한, 지지 베이스 (210)의 상부 표면 상에 복수의 접촉 엘리먼트들 (120)을 포함할 수 있다.
[0019] 도 3은, 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 이송 로봇 (300)을 예시한다. 예컨대, 기판 이송 로봇 (300)은, 제 1 단부 (306)에서의 수직 및 회전 변위(displacement)를 위한 로봇 아암(아암(304))을 포함할 수 있다. 아암(304)은. 하나 또는 그 초과의 링크들(links), 예컨대, 축(312)에서 서로 핀 결합된(pinned), 제 1 링크(308) 및 제 2 링크(310)를 포함할 수 있다. 아암(304)의 제 2 단부(314)는, 블레이드(302)의 제 1 단부가 커플링되는 리스트(wrist; 316)를 포함할 수 있다. 블레이드(302)는, 도 4와 관련하여 이하에서 설명되는 접촉 패드들(410)을 포함할 수 있다.
[0020] 도 4는, 본 개시 내용의 몇몇 실시예들에 따른, 접촉 패드들(410)의 예시적인 구성을 도시하는, 블레이드(302)의 평면도를 도시한다. 도 4에서 3개의 접촉 패드들(410)이 특정한 구성으로 도시되었지만, 동일한 또는 상이한 개수들의 접촉 패드들을 갖는, 기판을 지지하기에 적합한 다른 구성들이 또한 사용될 수 있다.
[0021] 동작에서, 기판 이송 로봇 (300)은, 복수의 리프트 핀들 (220) 상에 지지되는 기판 (350) 아래에 블레이드 (302)가 포지셔닝되도록 동작될 수 있다. 기판 이송 로봇(300) 및 아암(304)의 기계적 조작을 통해, 블레이드(302)는, 리프트 핀들(220)로부터 기판 (350)을 전송하기 위해 접촉 패드들 (410)이 기판(350)의 후면과 접촉하도록 기판(350) 아래의 포지션으로부터 상승된다. 그렇게 하면서, 기판 이송 로봇(300)은, 아암(304) 및 블레이드(302)를 통해, 기판을 영(zero)의 속도로부터 이송 속도로 가속한다. 도 5에 예시된 바와 같이, 가속은 접촉 패드들(410)의 위치에 대응하는 접촉 지역들에서 힘(F)을 초래한다. 결과적으로, 접촉 지역에서 접촉 패드들(410)과 기판(350) 사이에 입자가 생성된다. 이는 유사하게, 예컨대, 리프트 핀들(220) 및 접촉 엘리먼트들(120)과 같은 물체들(objects)이 기판(350)과 접촉하는 곳이면 어디에서든 일어난다.
[0022] 본 발명자들은, 기판과 접촉하는 임의의 엘리먼트의 재료가 기판 재료 (예컨대, 실리콘)보다 더 단단하고(harder), 기판 재료에 대해 높은 접착력을 가지며, 기판이 슬라이딩하는 것을 방지할 수 없고, 거친(rough) 표면을 가지며, 전도성이지 않을 때 입자가 생성된다는 것을 발견하였다. 예컨대, 기판이 초기에, 접착성(sticky) 재료로 형성된 엘리먼트에 의해 접촉되고, 그리고 이후에 단단한 재료로 형성된 다른 엘리먼트에 의해 접촉되는 경우에, 기판 상에서의 입자의 생성은 더 심해진다. 유사하게, 기판과 전도성 재료 사이에 전류 흐름이 있고 기판이 비-전도성 재료에 의해 리프팅된 경우, 아킹(arcing)이 일어날 수 있으며, 따라서 기판 상에서의 입자의 생성을 악화시킨다.
[0023] 그러므로, 본 발명자들은, 기판과 접촉하는 엘리먼트들에서, 미리 결정된 특성들의 세트를 보여주는 재료를 사용하는 것에 의해, 입자 생성이 방지될 수 있거나 실질적으로 최소화될 수 있음을 발견하였다. 미리 결정된 특성들의 세트는: 지지될 기판(예컨대, 실리콘)의 경도와 동일한 또는 그 미만인 경도, 비-접착성, 기판과 접촉하는 엘리먼트 상에서의 기판의 슬라이딩을 방지하기에 충분히 큰(high) 정지 마찰 계수, 전기 전도성, 및 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기를 포함한다. 그러한 재료는, 예컨대, 알루미늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 스테인리스 스틸, 및 전기 전도성 플라스틱들, 예컨대, kapton®, kalrez®, vespel®, 및 celazole®을 포함할 수 있다. 상기-주지된 특성들을 보여주는 다른 프로세스-양립 가능한(process-compatible) 재료들이 사용될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판과 접촉하는 엘리먼트들은 재료로 완전히 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판과 접촉하는 엘리먼트들은, 기판과 접촉하는, 엘리먼트의 적어도 부분들에서, 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 기판과 접촉하는, 리프트 핀들(220)의 상부 부분(240)은 재료로 형성될 수 있고, 하부 부분은, 상기-주지된 특성들을 보여줄 수 있거나 보여주지 않을 수 있는 다른 프로세스-양립 가능한 재료로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판과 접촉하는 엘리먼트들 전체에서 동일한 재료가 사용될 수 있다. 대안적으로, 각각 상기-주지된 특성들을 보여주는 상이한 재료들이, 기판과 접촉하는 다양한 엘리먼트들에서 사용될 수 있다.
[0024] 도 5를 참조하면, 몇몇 실시예들에서, 기판 이송 로봇(300)의 각각의 접촉 패드(410)는 재료로 완전히 형성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 각각의 접촉 패드(410)의 상부 부분(502)은 재료로 형성될 수 있고, 하부 부분(504)은, 상기 논의된 동일한 특성들을 반드시 보여줄 필요는 없는 상이한 재료로 형성될 수 있다.
[0025] 따라서, 기판 상에서의 입자 생성을 회피하기 위한, 개선된 장치 및 재료들이 본원에서 개시되었다. 본 발명의 장치는, 제조 프로세스 동안, 예컨대, 프로세스 단계들 사이에서 기판을 핸들링하는 동안 그리고 프로세스 챔버 내부에서 기판을 지지하는 동안 기판 상에 축적되는 오염의 방지 또는 감소를 유리하게 허용할 수 있고, 따라서, 기판의 전면에 도달하여 감소된 디바이스 성능 및/또는 수율 손실을 야기하는 오염 물질들의 발생을 감소시키거나 방지한다.
[0026] 전술한 내용은 본 개시 내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시 내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시 내용의 기본 범위를 벗어나지 않고 안출될 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판을 지지하기 위한 장치로서,
    지지 표면; 및
    상기 지지 표면으로부터 돌출되는 복수의 기판 접촉 엘리먼트들(substrate contact elements)을 포함하고,
    상기 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은, 실리콘의 경도(hardness)와 동일한 또는 그 미만인 경도를 갖고, 실리콘-기반 재료들과 비-접착성을 가지며, 상기 실리콘-기반 재료들과 접촉할 경우 슬라이딩을 방지하는 정지 마찰 계수(coefficient of static friction)를 갖고, 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기(surface roughness)를 가지며, 전기 전도성인 재료로 형성되는,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 표면은 기판 지지부의 일부이며, 상기 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은 상기 기판 지지부로부터 돌출되는,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 표면은 기판 지지부의 일부이며, 상기 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은 상기 기판 지지부에 배치된 복수의 리프트 핀들을 포함하는,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀들 각각의 상부 부분은 상기 재료로 형성된,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀들 각각은 상기 재료로 완전히 형성된,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 표면은 기판 이송 로봇의 일부이고, 상기 복수의 기판 접촉 엘리먼트들은, 상기 기판 이송 로봇의 엔드 이펙터(end effector) 상에 배치된 접촉 패드들을 포함하는,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 전기 전도성 플라스틱인,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 스테인리스 스틸 중 하나 또는 그 초과를 포함하는,
    기판을 지지하기 위한 장치.
  9. 기판 프로세싱 시스템으로서,
    프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지부 - 상기 기판 지지부는 기판 지지 표면, 및 상기 기판 지지부에 대해서 리프팅되었을(lifted) 때 상기 기판 지지 표면 위에서 기판을 지지하도록 배열된 복수의 리프트 핀들을 가짐 -; 및
    기판 이송 로봇 상에 배치될 때 상기 기판을 지지하도록 배열된 복수의 접촉 엘리먼트들 및 지지 표면을 포함하는 기판 이송 로봇을 포함하고,
    상기 기판 지지 표면, 상기 복수의 접촉 엘리먼트들, 또는 상기 복수의 리프트 핀들 중 적어도 하나는, 실리콘 경도와 동일한 또는 그 미만인 경도를 갖고, 실리콘-기반 재료들과 비-접착성을 가지며, 상기 실리콘-기반 재료들과 접촉할 경우 슬라이딩을 방지하는 정지 마찰 계수를 갖고, 10 Ra와 동일한 또는 그 미만인 표면 거칠기를 가지며, 전기 전도성인 재료로 형성되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀들 각각의 상부 부분은 상기 재료로 형성되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀들 각각은 상기 재료로 완전히 형성되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는, 상기 기판을 지지하기 위해 상기 기판 지지부로부터 연장되는 복수의 상승된(raised) 접촉 엘리먼트들을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 전도 전도성 플라스틱을 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  14. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 스테인리스 스틸 중 하나 또는 그 초과를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
KR1020167019102A 2013-12-17 2014-12-08 감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치 KR102330713B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361917324P 2013-12-17 2013-12-17
US61/917,324 2013-12-17
US14/554,945 US10431489B2 (en) 2013-12-17 2014-11-26 Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation
US14/554,945 2014-11-26
PCT/US2014/069031 WO2015094743A1 (en) 2013-12-17 2014-12-08 Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160098447A KR20160098447A (ko) 2016-08-18
KR102330713B1 true KR102330713B1 (ko) 2021-11-23

Family

ID=53369383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167019102A KR102330713B1 (ko) 2013-12-17 2014-12-08 감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10431489B2 (ko)
EP (1) EP3084818B1 (ko)
JP (1) JP6506290B2 (ko)
KR (1) KR102330713B1 (ko)
CN (2) CN109616438A (ko)
SG (2) SG10201805121TA (ko)
TW (1) TWI650831B (ko)
WO (1) WO2015094743A1 (ko)

Families Citing this family (362)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US10312127B2 (en) 2013-09-16 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Compliant robot blade for defect reduction
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US9370863B2 (en) * 2014-02-04 2016-06-21 Asm Ip Holding B.V. Anti-slip end-effector for transporting workpiece
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10892180B2 (en) 2014-06-02 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
US9425076B2 (en) 2014-07-03 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Substrate transfer robot end effector
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
USD793352S1 (en) * 2016-07-11 2017-08-01 Asm Ip Holding B.V. Getter plate
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
JP6496289B2 (ja) * 2016-09-29 2019-04-03 ファナック株式会社 ハンド装置
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
CN113058767B (zh) * 2021-03-05 2022-05-31 Tcl华星光电技术有限公司 支撑柱及对位机构
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
JP2023018347A (ja) * 2021-07-27 2023-02-08 キオクシア株式会社 基板支持装置および基板処理装置
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102652284B1 (ko) * 2022-07-11 2024-03-28 한국생산기술연구원 기판 이송용 핸드
US20240170321A1 (en) * 2022-11-21 2024-05-23 Applied Materials, Inc. Transfer apparatus, and related components and methods, for transferring substrates

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326271A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Nok Corp スピンチャック
JP2003037156A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Shin Sti Technology Kk 吸着プレート
JP2006156616A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Jel:Kk 基板保持装置
JP2008091353A (ja) * 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP2011505691A (ja) * 2007-11-30 2011-02-24 ザイカーブ・セラミクス・ビー．ブイ． 半導体基板上の種々の材料の積層付着のための装置およびこのような装置で使用するためのリフトピン

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04736A (ja) 1990-04-17 1992-01-06 Tokyo Electron Ltd ウエハ押上げ装置
JPH0529431A (ja) 1991-07-25 1993-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板搬送用アーム
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
TW543079B (en) 1999-06-03 2003-07-21 Applied Materials Inc Robot blade for semiconductor processing equipment
JP2003100855A (ja) 2001-09-27 2003-04-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP4339615B2 (ja) * 2003-03-04 2009-10-07 株式会社ダイヘン ワークピースの保持機構
US7824498B2 (en) 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
KR20060023735A (ko) 2004-09-10 2006-03-15 삼성전자주식회사 웨이퍼 이송 아암
US20080105201A1 (en) 2006-11-03 2008-05-08 Applied Materials, Inc. Substrate support components having quartz contact tips
CN102341901B (zh) * 2009-01-11 2013-11-06 应用材料公司 用于移动基板的系统、设备与方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001326271A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Nok Corp スピンチャック
JP2003037156A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Shin Sti Technology Kk 吸着プレート
JP2006156616A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Jel:Kk 基板保持装置
JP2008091353A (ja) * 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP2011505691A (ja) * 2007-11-30 2011-02-24 ザイカーブ・セラミクス・ビー．ブイ． 半導体基板上の種々の材料の積層付着のための装置およびこのような装置で使用するためのリフトピン

Also Published As

Publication number Publication date
EP3084818B1 (en) 2020-11-25
CN109616438A (zh) 2019-04-12
EP3084818A4 (en) 2017-03-08
US10431489B2 (en) 2019-10-01
WO2015094743A1 (en) 2015-06-25
JP6506290B2 (ja) 2019-04-24
TW201526153A (zh) 2015-07-01
EP3084818A1 (en) 2016-10-26
CN105723504A (zh) 2016-06-29
TWI650831B (zh) 2019-02-11
US20150170954A1 (en) 2015-06-18
KR20160098447A (ko) 2016-08-18
JP2017500745A (ja) 2017-01-05
SG10201805121TA (en) 2018-08-30
SG11201603890XA (en) 2016-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102330713B1 (ko) 감소된 기판 입자 생성을 갖는 기판 지지 장치
JP7169334B2 (ja) 基板移送ロボットエンドエフェクタ
KR101876501B1 (ko) 인-시츄 제거 가능한 정전 척
US8531814B2 (en) Removal of charge between a substrate and an electrostatic clamp
JP5574553B2 (ja) 基板搬送装置及び保持装置
US11501994B2 (en) Substrate processing apparatus including edge ring
KR20160040656A (ko) 얇은 기판 취급을 위한 정전 캐리어
JP2019536290A (ja) プロセスチャンバキャリアのための静電チャッキング力測定ツール
CN111916390A (zh) 机器人手、晶片转移机器人和晶片转移装置
CN111418051A (zh) 用于双面处理的图案化夹盘
JP5146056B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置
KR20140008502A (ko) 다중 위치 접촉 지점을 가지는 엔드 이펙터
JP2016092418A (ja) クランプアセンブリ
JP7268208B2 (ja) ウェハ用の基板処理装置
US20140057052A1 (en) Wafer support device
CN106684027B (zh) 一种微电子加工设备及方法
KR20090071953A (ko) 반도체 웨이퍼의 정전척 및 이를 이용한 웨이퍼 고정방법
KR20070033798A (ko) 웨이퍼 이송 로봇의 암 블레이드
KR20070015771A (ko) 웨이퍼 슬라이딩을 방지하기 위한 웨이퍼 이송장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant