KR102303756B1 - Device and system including adaptive repair circuit - Google Patents
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Abstract
장치 또는 서브 시스템은 고유 기능을 수행하는 내부 회로, 입출력 단자부 및 리페어 회로를 포함한다. 상기 입출력 단자부는 복수의 노말 신호 경로들을 통하여 외부 장치와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 외부 장치와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함한다. 상기 리페어 회로는 상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어한다. 적응적 리페어 회로를 포함하여 서로 다른 리페어 방식을 채용하는 시스템들을 효율적으로 리페어할 수 있고, 동일한 장치 구성을 이용하여 서로 다른 리페어 방식을 지원함으로써 시스템의 설계 및 제조 비용을 절감할 수 있다.The device or subsystem includes an internal circuit that performs a unique function, an input/output terminal unit, and a repair circuit. The input/output terminal unit includes a plurality of normal input/output terminals connected to an external device through a plurality of normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the external device through at least one repair signal path. The repair circuit repairs a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or not and a bad information signal indicating bad information of the normal signal paths. Systems employing different repair methods including the adaptive repair circuit can be efficiently repaired, and design and manufacturing costs of the system can be reduced by supporting different repair methods using the same device configuration.
Description
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적응적 리페어 회로를 포함하는 장치 및 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근의 고성능 시스템은 불량이 발생할 가능성이 있는 구성요소들에 대한 구제 메커니즘, 즉 리페어 메커니즘을 필요로 한다. 시스템 내의 많은 구성요소들 중에서, 장치들 또는 서브 시스템들 사이의 상호 연결 장치(interconnects)에 불량이 발생할 가능성이 높고, 이러한 상호 연결 장치에 불량이 발생할 경우 전체 시스템이 다운될 수 있다. 상호 연결 장치의 불량을 리페어하기 위해 소프트웨어 복구 메커니즘(software recovery mechanism)이 적용될 수 있으나, 소프트웨어 복구 메커니즘은 통상 리부팅 과정에서 하드웨어를 재구성하는 방식으로 수행되고 만족할만한 해결책이 될 수 없다.Recent high-performance systems require a rescue mechanism, that is, a repair mechanism, for components that are likely to fail. Among the many components in a system, there is a high probability that the interconnects between devices or subsystems will fail, and the failure of these interconnects can bring down the entire system. A software recovery mechanism may be applied to repair a defect in the interconnection device, but the software recovery mechanism is usually performed by reconfiguring hardware during a reboot process and cannot be a satisfactory solution.
하나의 장치는 상호 연결 장치를 통하여 서로 다른 리페어 방식을 지원하는 외부 장치들과 연결될 수 있다. 이 경우 상기 장치가 수행하는 고유 기능은 동일하지만 리페어 방식의 차이 때문에 각각의 리페어 방식을 지원하기 위한 구성으로 각각 분리되어 구현되어야 하는 문제가 있다.One device may be connected to external devices supporting different repair methods through an interconnection device. In this case, although the unique functions performed by the device are the same, there is a problem in that each of the devices has to be implemented separately as a configuration for supporting each repair method due to a difference in the repair method.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 목적은, 서로 다른 리페어 방식을 지원할 수 있는 적응적 리페어 회로를 포함하는 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus including an adaptive repair circuit capable of supporting different repair schemes.
또한 본 발명의 일 목적은 서로 다른 리페어 방식을 지원할 수 있는 적응적 리페어 회로를 포함하는 적어도 하나의 서브 시스템을 포함하는 시스템을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a system including at least one subsystem including an adaptive repair circuit capable of supporting different repair schemes.
또한 본 발명의 일 목적은 서로 다른 리페어 방식을 지원할 수 있는 적응적 리페어 회로를 포함하는 적층형 메모리 칩을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a stacked memory chip including an adaptive repair circuit capable of supporting different repair methods.
상기 일 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 장치는, 고유 기능을 수행하는 내부 회로, 입출력 단자부 및 리페어 회로를 포함한다. 상기 입출력 단자부는 복수의 노말 신호 경로들을 통하여 외부 장치와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 외부 장치와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함한다. 상기 리페어 회로는 상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어한다.In order to achieve the above object, an apparatus according to embodiments of the present invention includes an internal circuit performing a unique function, an input/output terminal unit, and a repair circuit. The input/output terminal unit includes a plurality of normal input/output terminals connected to an external device through a plurality of normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the external device through at least one repair signal path. The repair circuit repairs a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or not and a bad information signal indicating bad information of the normal signal paths.
일 실시예에 있어서, 상기 리페어 회로는 상기 모드 신호에 기초하여 상기 리페어 입출력 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 상기 리페어 입출력 단자를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있다.In an embodiment, the repair circuit may selectively operate in one of a first repair mode not using the repair input/output terminal and a second repair mode using the repair input/output terminal based on the mode signal.
일 실시예에 있어서, 상기 노말 입출력 단자들은 상기 내부 회로의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 상기 내부 회로의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다.In an embodiment, the normal input/output terminals are main input/output terminals for transmitting main signals for a main operation of the internal circuit and at least one sub input/output terminal for transmitting a sub signal for a sub operation of the internal circuit may include.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 리페어 모드에서, 상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 서브 입출력 단자를 이용하여 리페어할 수 있다.In an embodiment, in the first repair mode, the repair circuit may repair a bad input/output terminal corresponding to the bad signal path among the normal input/output terminals using the sub input/output terminal.
일 실시예에 있어서, 상기 내부 회로는 상기 제1 리페어 모드에서 상기 서브 동작을 중단할 수 있다.In an embodiment, the internal circuit may stop the sub-operation in the first repair mode.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 리페어 모드에서, 상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 리페어 입출력 단자를 이용하여 리페어할 수 있다.In an embodiment, in the second repair mode, the repair circuit may repair a defective input/output terminal corresponding to the defective signal path among the normal input/output terminals using the repair input/output terminal.
일 실시예에 있어서, 상기 장치는 상기 리페어 입출력 단자에 연결되고, 상기 모드 신호에 응답하여 초기화 전압을 상기 리페어 입출력 단자에 인가하는 초기화 회로를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the device may further include an initialization circuit connected to the repair input/output terminal and configured to apply an initialization voltage to the repair input/output terminal in response to the mode signal.
일 실시예에 있어서, 상기 노말 입출력 단자들은 복수의 그룹들로 그룹화되고, 상기 그룹들의 각각에 대하여 적어도 하나의 리페어 입출력 단자가 독립적으로 할당될 수 있다.In an embodiment, the normal input/output terminals may be grouped into a plurality of groups, and at least one repair input/output terminal may be independently allocated to each of the groups.
일 실시예에 있어서, 상기 노말 입출력 단자들은 복수의 그룹들로 그룹화되고, 상기 그룹들 중 적어도 두 개의 그룹들에 대하여 적어도 하나의 리페어 입출력 단자가 공통으로 할당될 수 있다.In an embodiment, the normal input/output terminals may be grouped into a plurality of groups, and at least one repair input/output terminal may be commonly allocated to at least two of the groups.
일 실시예에 있어서, 상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 불량 입출력 단자에 인접한 상기 노말 입출력 단자 또는 상기 불량 입출력 단자에 인접한 상기 리페어 입출력 단자로 대체하는 쉬프팅 리페어 동작을 수행할 수 있다.In an embodiment, the repair circuit replaces a bad input/output terminal corresponding to the bad signal path among the normal input/output terminals with the normal input/output terminal adjacent to the bad input/output terminal or the repair input/output terminal adjacent to the bad input/output terminal A shifting repair operation may be performed.
일 실시예에 있어서, 상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 노말 입출력 단자들 중 하나에 해당하는 서브 입출력 단자 또는 상기 리페어 입출력 단자로 대체하는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행할 수 있다.In an embodiment, the repair circuit replaces a bad input/output terminal corresponding to the bad signal path among the normal input/output terminals with a sub input/output terminal corresponding to one of the normal input/output terminals or the repair input/output terminal. action can be performed.
일 실시예에 있어서, 상기 장치는 상기 외부 장치의 리페어 방식에 따라서 선택적으로 프로그램되어 상기 모드 신호를 제공하는 퓨즈 회로를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the device may further include a fuse circuit that is selectively programmed according to a repair method of the external device to provide the mode signal.
일 실시예에 있어서, 상기 모드 신호는 모드 레지스터 세트에 저장된 정보에 기초하여 발생될 수 있다.In an embodiment, the mode signal may be generated based on information stored in a mode register set.
일 실시예에 있어서, 상기 리페어 회로는, 상기 모드 신호 및 상기 불량 정보 신호에 기초하여 복수의 경로 선택 신호들을 발생하는 리페어 제어부 및 상기 경로 선택 신호들에 응답하여 상기 입출력 단자부와 상기 내부 회로 사이의 연결을 제어하는 경로 변환 회로를 포함할 수 있다.In an embodiment, the repair circuit includes a repair control unit generating a plurality of path selection signals based on the mode signal and the failure information signal, and between the input/output terminal unit and the internal circuit in response to the path selection signals. It may include a path conversion circuit that controls the connection.
일 실시예에 있어서, 상기 경로 변환 회로는, 상기 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 상기 내부 회로의 각각의 입출력 노드 및 상기 입출력 단자부의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들을 포함할 수 있다.In one embodiment, the path conversion circuit, in response to each of the path selection signals, each of the input/output node of the internal circuit and a plurality of each for controlling the electrical connection between the two or more input/output terminals of the input/output terminal unit Conversion units may be included.
일 실시예에 있어서, 상기 변환 유닛들의 각각은, 상기 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 상기 입출력 단자부의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로부터 입력되는 수신 신호를 상기 내부 회로의 각각의 입출력 노드로 출력하는 수신기를 포함할 수 있다.In an embodiment, each of the conversion units outputs a received signal input from one of two or more input/output terminals of the input/output terminal unit to each input/output node of the internal circuit in response to each of the path selection signals It may include a receiver that
일 실시예에 있어서, 상기 변환 유닛들의 각각은, 상기 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 상기 내부 회로의 각각의 입출력 노드로부터 입력되는 송신 신호를 상기 입출력 단자부의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로 출력하는 송신기를 포함할 수 있다.In an embodiment, each of the conversion units outputs a transmission signal input from each input/output node of the internal circuit to one of two or more input/output terminals of the input/output terminal unit in response to each of the path selection signals It may include a transmitter.
일 실시예에 있어서, 상기 변환 유닛들의 각각은, 상기 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 상기 입출력 단자부의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로부터 입력되는 수신 신호를 상기 내부 회로의 각각의 입출력 노드로 출력하는 수신기 및 상기 선택 신호들의 각각에 응답하여 상기 내부 회로의 각각의 입출력 노드로부터 입력되는 송신 신호를 상기 입출력 단자부의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로 출력하는 송신기를 포함할 수 있다.In an embodiment, each of the conversion units outputs a received signal input from one of two or more input/output terminals of the input/output terminal unit to each input/output node of the internal circuit in response to each of the path selection signals and a transmitter for outputting a transmission signal input from each input/output node of the internal circuit to one of two or more input/output terminals of the input/output terminal unit in response to each of the selection signals.
일 실시예에 있어서, 상기 노말 입출력 단자들은 상기 내부 회로의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 상기 내부 회로의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다.In an embodiment, the normal input/output terminals are main input/output terminals for transmitting main signals for a main operation of the internal circuit and at least one sub input/output terminal for transmitting a sub signal for a sub operation of the internal circuit may include.
일 실시예에 있어서, 상기 변환 유닛들 중 상기 메인 입출력 단자들에 상응하는 메인 변환 유닛들의 각각은 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상응하는 노말 입출력 단자 및 인접한 노말 입출력 단자에 연결되고, 상기 변환 유닛들 중 상기 서브 입출력 단자에 상응하는 서브 변환 유닛은 상기 서브 입출력 단자 및 상기 리페어 입출력 단자에 연결될 수 있다.In an embodiment, each of the main conversion units corresponding to the main input/output terminals among the conversion units is connected to a corresponding normal input/output terminal and an adjacent normal input/output terminal among the normal input/output terminals, and one of the conversion units The sub conversion unit corresponding to the sub input/output terminal may be connected to the sub input/output terminal and the repair input/output terminal.
일 실시예에 있어서, 상기 리페어 제어부는, 상기 노말 신호 경로들에 상기 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우 상기 경로 선택 신호들을 모두 제1 논리 레벨로 비활성화하고, 상기 노말 신호 경로들에 상기 불량 신호 경로가 포함되는 경우 상기 불량 신호 경로에 상응하는 경로 선택 신호부터 마지막 경로 선택 신호를 제2 논리 레벨로 활성화할 수 있다.In an embodiment, the repair controller is configured to inactivate all of the path selection signals to a first logic level when the bad signal path is not included in the normal signal paths, and to provide the bad signal path to the normal signal paths. When is included, it is possible to activate the last path selection signal from the path selection signal corresponding to the bad signal path to the second logic level.
일 실시예에 있어서, 상기 변환 유닛들 중 상기 서브 입출력 단자에 상응하는 서브 변환 유닛은 블록 제어 신호에 응답하여 상기 내부회로와 상기 서브 변환 유닛 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.In an embodiment, a sub conversion unit corresponding to the sub input/output terminal among the conversion units may block an electrical connection between the internal circuit and the sub conversion unit in response to a block control signal.
일 실시예에 있어서, 상기 변환 유닛들 중 상기 메인 입출력 단자들 각각에 상응하는 메인 변환 유닛은 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상응하는 노말 입출력 단자, 상기 서브 입출력 단자 및 상기 리페어 입출력 단자에 연결되고, 상기 변환 유닛들 중 상기 서브 입출력 단자에 상응하는 서브 변환 유닛은 상기 서브 입출력 단자 및 상기 리페어 입출력 단자에 연결될 수 있다.In an embodiment, a main conversion unit corresponding to each of the main input/output terminals among the conversion units is connected to a corresponding normal input/output terminal, the sub input/output terminal, and the repair input/output terminal among the normal input/output terminals, Among the conversion units, a sub conversion unit corresponding to the sub input/output terminal may be connected to the sub input/output terminal and the repair input/output terminal.
일 실시예에 있어서, 상기 리페어 제어부는, 상기 노말 신호 경로들에 상기 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우 상기 경로 선택 신호들을 모두 제1 논리 레벨로 비활성화하고, 상기 노말 신호 경로들에 상기 불량 신호 경로가 포함되는 경우 상기 불량 신호 경로에 상응하는 경로 선택 신호만을 제2 논리 레벨로 활성화할 수 있다.In an embodiment, the repair controller is configured to inactivate all of the path selection signals to a first logic level when the bad signal path is not included in the normal signal paths, and to provide the bad signal path to the normal signal paths. When is included, only the path selection signal corresponding to the bad signal path may be activated to the second logic level.
상기 일 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 시스템은, 제1 서브 시스템, 제2 서브 시스템 및 상기 제1 서브 시스템 및 제2 서브 시스템을 연결하는 복수의 노말 신호 경로들을 포함한다. 상기 제1 서브 시스템은 고유 기능을 수행하는 내부 회로, 상기 노말 신호 경로들을 통하여 상기 제2 서브 시스템과 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 제2 서브 시스템과 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부 및 상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함한다.In order to achieve the above object, a system according to embodiments of the present invention includes a first subsystem, a second subsystem, and a plurality of normal signal paths connecting the first subsystem and the second subsystem. . The first subsystem is selectively configured with the second subsystem through an internal circuit performing a unique function, a plurality of normal input/output terminals connected to the second subsystem through the normal signal paths, and at least one repair signal path. An input/output terminal unit including at least one repair input/output terminal connected to and a repair circuit for repairing a bad signal path.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 서브 시스템이 상기 리페어 신호 경로의 사용을 지원하지 않는 경우, 상기 시스템은 상기 리페어 신호 경로를 포함하지 않고, 상기 제1 서브 시스템의 상기 리페어 회로는 상기 리페어 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드에서 동작하고, 상기 제2 서브 시스템이 상기 리페어 신호 경로의 사용을 지원하는 경우, 상기 시스템은 상기 리페어 신호 경로를 더 포함하고, 상기 제1 서브 시스템의 상기 리페어 회로는 상기 리페어 단자를 사용하는 제2 리페어 모드에서 동작할 수 있다.In one embodiment, when the second subsystem does not support the use of the repair signal path, the system does not include the repair signal path, and the repair circuit of the first subsystem connects the repair terminal. When operating in an unused first repair mode, and the second subsystem supports the use of the repair signal path, the system further includes the repair signal path, wherein the repair circuit of the first subsystem comprises: It may operate in a second repair mode using the repair terminal.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 서브 시스템 및 상기 제2 서브 시스템 중 하나는 메모리 장치이고 다른 하나는 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 콘트롤러일 수 있다.In an embodiment, one of the first subsystem and the second subsystem may be a memory device, and the other may be a memory controller that controls the memory device.
일 실시예에 있어서, 상기 메모리 콘트롤러는 상기 불량 정보를 제공하는 빌트-인 셀프 테스트 회로를 포함할 수 있다.In an embodiment, the memory controller may include a built-in self-test circuit that provides the failure information.
일 실시예에 있어서, 상기 노말 신호 경로들 및 상기 리페어 신호 경로의 각각은, 신호 버스의 라인, 반도체 다이의 관통-실리콘 비아, 인터포저의 라인, 도전성 범프 및 패드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In one embodiment, each of the normal signal paths and the repair signal path may include at least one of a line of a signal bus, a through-silicon via of a semiconductor die, a line of an interposer, a conductive bump, and a pad. .
상기 일 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 장치는, 베이스 기판 및 상기 베이스 기판 위에 적층된 복수의 반도체 다이들을 포함한다. 상기 반도체 다이들의 각각은, 고유 기능을 수행하는 내부 회로, 노말 신호 경로들을 통하여 외부의 프로세서와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 프로세서와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부 및 상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함한다.In order to achieve the above object, an apparatus according to embodiments of the present invention includes a base substrate and a plurality of semiconductor dies stacked on the base substrate. Each of the semiconductor dies includes an internal circuit performing a unique function, a plurality of normal input/output terminals connected to an external processor through normal signal paths, and at least one selectively connected to the processor through at least one repair signal path. Repair the bad signal path included in the normal signal paths based on an input/output terminal unit including a repair input/output terminal of A repair circuit is included.
본 발명의 실시예들에 따른 장치 및 시스템은, 적응적 리페어 회로를 포함하여 서로 다른 리페어 방식을 채용하는 시스템들을 효율적으로 리페어할 수 있다.The apparatus and system according to the embodiments of the present invention can efficiently repair systems employing different repair methods, including the adaptive repair circuit.
또한 본 발명의 실시예들에 따른 장치 및 시스템은 동일한 장치 구성을 이용하여 서로 다른 리페어 방식을 지원함으로써 시스템의 설계 및 제조 비용을 절감할 수 있다.In addition, the device and the system according to the embodiments of the present invention support different repair methods using the same device configuration, thereby reducing design and manufacturing costs of the system.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 리페어 회로를 포함하는 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 장치에 포함되는 리페어 회로를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.
도 4a는 쉬프팅 리페어 동작 및 수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4b는 쉬프팅 리페어 동작 및 송신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 4c는 쉬프팅 리페어 동작 및 송수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3의 경로 변환 회로에 포함되는 서브 변환 유닛의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 3의 경로 변환 회로에 포함되는 변환 유닛들의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 3의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 8a 및 8b는 도 7의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9는 도 3의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 10a 및 10b는 도 9의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 11은 도 3의 경로 변환 회로에 경로 선택 신호들을 제공하기 위한 리페어 제어부의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 3의 경로 변환 회로를 포함하는 리페어 회로의 전체적인 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.
도 15a는 멀티플렉싱 리페어 동작 및 수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 15b는 멀티플렉싱 리페어 동작 및 송신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 15c는 멀티플렉싱 리페어 동작 및 송수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 16은 도 14의 경로 변환 회로에 포함되는 서브 변환 유닛의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 17은 도 14의 경로 변환 회로에 포함되는 변환 유닛들의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 14의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 19a 및 19b는 도 18의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 20은 도 14의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 21a 및 21b는 도 20의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 22는 도 14의 경로 변환 회로에 경로 선택 신호들을 제공하기 위한 리페어 제어부의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 23은 도 14의 경로 변환 회로를 포함하는 리페어 회로의 전체적인 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.
도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.
도 26은 도 25의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 27a 및 27b는 도 26의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 28은 도 25의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 29a 및 29b는 도 28의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 30은 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.
도 31은 도 30의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 32a 및 32b는 도 31의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 33은 도 30의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 34a 및 34b는 도 33의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 35는 본 발명의 실시예들에 따른 리페어 회로를 포함하는 메모리 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 36은 도 35의 메모리 시스템에 포함되는 메모리 장치의 내부 구성의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 37은 모드 신호를 제공하는 퓨즈 회로의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 38은 본 발명의 실시예들에 따른 적층형 메모리 칩을 나타내는 도면이다.
도 39는 본 발명의 실시예들에 따른 시스템을 나타내는 도면이다.
도 40 및 41은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 모듈을 나타내는 도면들이다.
도 42는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 모듈들이 메모리 콘트롤러에 연결된 예를 나타내는 도면이다.
도 43은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 메모리 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 44는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 45는 본 발명의 실시예들에 따른 모바일 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 46은 본 발명의 실시예들에 따른 컴퓨팅 시스템을 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus including a repair circuit according to embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating a repair circuit included in the apparatus of FIG. 1 .
3 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
4A is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a shifting repair operation and a reception operation.
4B is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a shifting repair operation and a transmission operation.
4C is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a shifting repair operation and a transmission/reception operation.
5 is a diagram illustrating an embodiment of a sub conversion unit included in the path conversion circuit of FIG. 3 .
FIG. 6 is a diagram for explaining operations of conversion units included in the path conversion circuit of FIG. 3 .
7 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 3 and not supporting a repair signal path.
8A and 8B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 7 .
9 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 3 and supporting a repair signal path.
10A and 10B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 9 .
11 is a diagram illustrating an embodiment of a repair control unit for providing path selection signals to the path conversion circuit of FIG. 3 .
FIG. 12 is a view for explaining the overall operation of the repair circuit including the path conversion circuit of FIG. 3 .
13 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
14 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a multiplexing repair operation according to embodiments of the present invention.
15A is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a multiplexing repair operation and a reception operation.
15B is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a multiplexing repair operation and a transmission operation.
15C is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a multiplexing repair operation and a transmission/reception operation.
16 is a diagram illustrating an embodiment of a sub conversion unit included in the path conversion circuit of FIG. 14 .
FIG. 17 is a diagram for explaining operations of conversion units included in the path conversion circuit of FIG. 14 .
18 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 14 and not supporting a repair signal path.
19A and 19B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 18 .
20 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 14 and supporting a repair signal path.
21A and 21B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 20 .
22 is a diagram illustrating an embodiment of a repair control unit for providing path selection signals to the path conversion circuit of FIG. 14 .
FIG. 23 is a view for explaining the overall operation of the repair circuit including the path conversion circuit of FIG. 14 .
24 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
25 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
26 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 25 and not supporting a repair signal path.
27A and 27B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 26 .
28 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 25 and supporting a repair signal path.
29A and 29B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 28 .
30 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
31 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 30 and not supporting a repair signal path.
32A and 32B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 31 .
33 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 30 and supporting a repair signal path.
34A and 34B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 33 .
35 is a block diagram illustrating a memory system including a repair circuit according to embodiments of the present invention.
36 is a block diagram illustrating an example of an internal configuration of a memory device included in the memory system of FIG. 35 .
37 is a diagram illustrating an example of a fuse circuit providing a mode signal.
38 is a diagram illustrating a stacked memory chip according to embodiments of the present invention.
39 is a diagram illustrating a system according to embodiments of the present invention.
40 and 41 are diagrams illustrating memory modules according to embodiments of the present invention.
42 is a diagram illustrating an example in which memory modules according to embodiments of the present invention are connected to a memory controller.
43 is a diagram illustrating a structure of a stacked memory device according to an embodiment of the present invention.
44 is a block diagram illustrating a memory system according to embodiments of the present invention.
45 is a block diagram illustrating a mobile system according to embodiments of the present invention.
46 is a block diagram illustrating a computing system according to embodiments of the present invention.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다.With respect to the embodiments of the present invention disclosed in the text, specific structural or functional descriptions are only exemplified for the purpose of describing the embodiments of the present invention, and the embodiments of the present invention may be embodied in various forms. It is not to be construed as being limited to the embodiments described in .
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, a second component may also be referred to as a first component.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it is understood that the other component may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that no other element is present in the middle. Other expressions describing the relationship between elements, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", should be interpreted similarly.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that the described feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof exists, and includes one or more other features or numbers. , it is to be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as meanings consistent with the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they are not to be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. .
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and repeated descriptions of the same components are omitted.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 리페어 회로를 포함하는 장치를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an apparatus including a repair circuit according to embodiments of the present invention.
도 1을 참조하면, 장치(10)는 내부 회로(20), 입출력 단자부(30) 및 리페어 회로(100)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , the
내부 회로(20)는 장치(10)의 고유 기능을 수행한다. 예를 들어, 장치(10)가 메모리 장치인 경우에는 내부 회로(20)는 메모리 셀 어레이 및 이를 동작하기 위한 회로들을 포함하여 데이터 쓰기 동작, 데이터 읽기 동작과 같은 메인 동작들 및 그 밖의 서브 동작들을 수행할 수 있다. 다른 예를 들어, 장치(10)가 디스플레이 장치인 경우에는 내부 회로(20)는 픽셀 어레이 및 이를 동작하기 위한 회로들을 포함하여 이미지 디스플레이 동작과 같은 메인 동작들 및 그 밖의 서브 동작들을 수행할 수 있다. 내부 회로(20)는 장치(10)가 수행하고자 하는 고유 기능에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다.The
입출력 단자부(30)는 복수의 노말 신호 경로들을 통하여 외부 장치와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1~TNk) 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 외부 장치와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자(TR1~TRs)를 포함한다. 노말 신호 경로들은 장치(10)의 고유 기능을 수행하기 위한 신호들을 상기 외부 장치와 교환하기 위한 것으로서, 노말 입출력 단자들(TN1~TNk)은 노말 신호 경로들과 필수적으로 연결된다. 반면에 리페어 신호 경로는 상기 외부 장치의 리페어 방식에 따라서 생략될 수 있고, 리페어 입출력 단자들(TR1~TRs)은 리페어 신호 경로들과 선택적으로 연결될 수 있다.The input/
리페어 회로(100)는 상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호(MD) 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어한다. The
도 1에 도시된 바와 같이 노말 입출력 단자들(TN1~TNk)은 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1~NDk)에 각각 상응할 수 있다. 즉 제1 노말 입출력 단자(TN1)는 내부 회로(20)의 제1 입출력 노드(ND1)에 상응하고, 제2 노말 입출력 단자(TN2)는 내부 회로(20)의 제1 입출력 노드(ND2)에 상응하고, 이런 방식으로 제k 노말 입출력 단자(TNk)는 내부 회로(20)의 제k 입출력 노드(ND1)에 상응할 수 있다. 리페어 회로(100)는 상기 노말 신호 경로들에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우 내부 회로(20)의 각각의 입출력 노드(NDi)(i=1~k)를 상응하는 노말 입출력 단자(TNi)에 전기적으로 연결할 수 있다. 한편, 리페어 회로(100)는 상기 노말 신호 경로들에 불량 신호 경로가 포함되는 경우 상기 불량 신호 경로를 리페어하도록 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1~NDk)과 입출력 단자들(TN1~TNk, TR1~TRs) 사이의 전기적 연결을 변경할 수 있다.1 , the normal input/output terminals TN1 to TNk may respectively correspond to the input/output nodes ND1 to NDk of the
리페어 회로(100)는 모드 신호(MD)에 기초하여 리페어 입출력 단자들(TR1~TRs)을 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자들(TR1~TRs)을 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 장치(10)는 서로 다른 리페어 모드에서 동작할 수 있는 적응적 리페어 회로(100)를 포함하여 서로 다른 리페어 방식을 채용하는 시스템들을 효율적으로 리페어할 수 있다. 또한 본 발명의 실시예들에 따른 장치(10)는 동일한 장치 구성을 이용하여 서로 다른 리페어 방식을 지원함으로써 시스템의 설계 및 제조 비용을 절감할 수 있다.The
도 2는 도 1의 장치에 포함되는 리페어 회로를 나타내는 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram illustrating a repair circuit included in the apparatus of FIG. 1 .
도 2를 참조하면, 리페어 회로(100)는 리페어 제어부(repair controller)(200) 및 경로 변환 회로(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the
리페어 제어부(200)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 제어 신호(PCON)는 후술하는 바와 같이 변환 유닛들(CU1~CUk)에 각각 제공되는 복수의 경로 선택 신호들(PSL1~PSLk) 및 블록 제어 신호(BLK)를 포함할 수 있다.The
경로 변환 회로(300)는 경로 선택 신호들(PSL1~PSLk)에 응답하여 입출력 단자부(30)와 도 1의 내부 회로(20) 사이의 연결을 제어할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 경로 변환 회로(300)는 복수의 변환 유닛들(CU1~CUk)을 포함할 수 있다. 각각의 변환 유닛(CUi)(i=1~k)은 각각의 경로 선택 신호(PSLi)에 응답하여 내부 회로(20)의 각각의 입출력 노드(NDi) 및 상기 입출력 단자부(30)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어할 수 있다.The
리페어 회로(100)는 모드 신호(MD)에 기초하여 리페어 입출력 단자들(TR1~TRs)을 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자들(TR1~TRs)을 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있다. 한편, 리페어 회로(100)는 쉬프팅 리페어 동작을 수행하도록 구현되거나 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하도록 구현될 수 있다. 이하 도 3 내지 도 13을 참조하여 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 리페어 회로의 실시예들을 설명하고, 도 14 내지 도 24를 참조하여 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하는 리페어 회로의 실시예들을 설명한다.The
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
도 3을 참조하면, 경로 변환 회로(301)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)(311, 312, 313, 314)을 포함할 수 있다. 도 3에는 편의상 제1 내지 제4 변환 유닛들(311, 312, 313, 314)이 도시되어 있으나, 변환 유닛들 및 입출력 단자들의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the
도 7을 참조하여 후술하는 바와 같이, 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4)은 도 1의 내부 회로(20)의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 내부 회로(20)의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도3의 구성에서 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들이고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자일 수 있다.As will be described later with reference to FIG. 7 , the normal input/output terminals TN1 , TN2 , TN3 , and TN4 are main input/output terminals for transmitting main signals for the main operation of the
변환 유닛들(311, 312, 313, 314) 중 메인 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)에 상응하는 메인 변환 유닛들(311,312, 313)의 각각은 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상응하는 노말 입출력 단자 및 인접한 노말 입출력 단자에 연결될 수 있다. 즉 제1 변환 유닛(311)은 제1 노말 입출력 단자(TN1) 및 제2 노말 입출력 단자(TN2)에 연결되고, 제2 변환 유닛(312)은 제2 노말 입출력 단자(TN2) 및 제3 노말 입출력 단자(TN3)에 연결되고, 제3 변환 유닛(313)은 제3 노말 입출력 단자(TN3) 및 제4 노말 입출력 단자(TN4)에 연결될 수 있다.Each of the
변환 유닛들(311, 312, 313, 314) 중 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 서브 변환 유닛(314), 즉 제4 변환 유닛(314)은 서브 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다.Among the
도 11 및 도 12를 참조하여 후술하는 바와 같이, 도 2의 리페어 제어부(200)는 쉬프팅 리페어 동작을 수행하도록 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 논리 레벨들을 제어할 수 있고, 변환 유닛들(311, 312, 313, 314)의 각각은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각의 논리 레벨에 따라서 두 개의 입출력 단자들 중 하나에 선택적으로 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨)로 비활성화되는 경우에는 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 상응하는 입출력 단자에 연결되고, 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨)로 활성화되는 경우에는 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)은 인접한 입출력 단자에 연결될 수 있다.As will be described later with reference to FIGS. 11 and 12, the
도 4a는 쉬프팅 리페어 동작 및 수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4A is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a shifting repair operation and a reception operation.
도 4a를 참조하면, 경로 변환 회로(301a)는 복수의 변환 유닛들(311a, 312a, 313a, 314a)을 포함할 수 있다. 도 4a에는 경로 변환 회로(301a)가 수신 인터페이스 역할을 수행하는 실시예가 도시되어 있고, 변환 유닛들(311a, 312a, 313a, 314a)의 각각은 외부 장치로부터의 수신 신호들을 도 1의 내부 회로(20)로 전달하기 위한 수신기(RX)를 포함할 수 있다. 각각의 수신기(RX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로부터 입력되는 수신 신호를 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로 출력할 수 있다. Referring to FIG. 4A , the
즉, 제1 변환 유닛(311a)의 수신기는 제1 경로 선택 신호(PSL1)에 응답하여 제1 노말 입출력 단자(TN1) 및 제2 노말 입출력 단자(TN2) 중 하나를 내부 회로(20)의 제1 입출력 노드(ND1)와 전기적으로 연결하고, 제2 변환 유닛(312a)의 수신기는 제2 경로 선택 신호(PSL2)에 응답하여 제2 노말 입출력 단자(TN2) 및 제3 노말 입출력 단자(TN3) 중 하나를 내부 회로(20)의 제2 입출력 노드(ND3)와 전기적으로 연결하고, 제3 변환 유닛(313a)의 수신기는 제3 경로 선택 신호(PSL3)에 응답하여 제3 노말 입출력 단자(TN3) 및 제4 노말 입출력 단자(TN4) 중 하나를 내부 회로(20)의 제3 입출력 노드(ND2)와 전기적으로 연결하고, 제4 변환 유닛(314a)의 수신기는 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나를 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4)와 전기적으로 연결할 수 있다.That is, the receiver of the
도 4b는 쉬프팅 리페어 동작 및 송신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4B is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a shifting repair operation and a transmission operation.
도 4b를 참조하면, 경로 변환 회로(301b)는 복수의 변환 유닛들(311b, 312b, 313b, 314b)을 포함할 수 있다. 도 4b에는 경로 변환 회로(301b)가 송신 인터페이스 역할을 수행하는 실시예가 도시되어 있고, 변환 유닛들(311b, 312b, 313b, 314b)의 각각은 도 1의 내부 회로(20)로부터의 송신 신호들을 외부 장치로 전달하기 위한 송신기(TX)를 포함할 수 있다. 각각의 송신기(TX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로부터 입력되는 송신 신호를 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로 출력할 수 있다.Referring to FIG. 4B , the
즉, 제1 변환 유닛(311b)의 송신기는 제1 경로 선택 신호(PSL1)에 응답하여 내부 회로(20)의 제1 입출력 노드(ND1)를 제1 노말 입출력 단자(TN1) 및 제2 노말 입출력 단자(TN2) 중 하나에 전기적으로 연결하고, 제2 변환 유닛(312b)의 송신기는 제2 경로 선택 신호(PSL2)에 응답하여 내부 회로(20)의 제2 입출력 노드(ND2)를 제2 노말 입출력 단자(TN2) 및 제3 노말 입출력 단자(TN3) 중 하나에 전기적으로 연결하고, 제3 변환 유닛(313b)의 송신기는 제3 경로 선택 신호(PSL3)에 응답하여 내부 회로(20)의 제3 입출력 노드(ND3)를 제3 노말 입출력 단자(TN3) 및 제4 노말 입출력 단자(TN4) 중 하나에 전기적으로 연결하고, 제4 변환 유닛(314b)의 송신기는 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4)를 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나에 전기적으로 연결할 수 있다.That is, the transmitter of the
도 4c는 쉬프팅 리페어 동작 및 송수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.4C is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a shifting repair operation and a transmission/reception operation.
도 4c를 참조하면, 경로 변환 회로(301c)는 복수의 변환 유닛들(311c, 312c, 313c, 314c)을 포함할 수 있다. 도 4c에는 경로 변환 회로(301c)가 송신 및 수신 인터페이스 역할을 수행하는 실시예가 도시되어 있고, 변환 유닛들(311c, 312c, 313c, 314c)의 각각은 외부 장치로부터의 수신 신호들을 도 1의 내부 회로(20)로 전달하기 위한 수신기(RX) 및 내부 회로(20)로부터의 송신 신호들을 외부 장치로 전달하기 위한 송신기(TX)를 포함할 수 있다. 도 4a를 참조하여 설명한 바와 같이, 각각의 수신기(RX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로부터 입력되는 수신 신호를 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로 출력할 수 있다. 도 4b를 참조하여 설명한 바와 같이, 각각의 송신기(TX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로부터 입력되는 송신 신호를 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로 출력할 수 있다.Referring to FIG. 4C , the
도 5는 도 3의 경로 변환 회로에 포함되는 서브 변환 유닛의 일 실시예를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating an embodiment of a sub conversion unit included in the path conversion circuit of FIG. 3 .
도 7을 참조하여 후술하는 바와 같이, 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4)은 도 1의 내부 회로(20)의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 내부 회로(20)의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도3의 구성에서 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들이고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자일 수 있다.As will be described later with reference to FIG. 7 , the normal input/output terminals TN1 , TN2 , TN3 , and TN4 are main input/output terminals for transmitting main signals for the main operation of the
도 5를 참조하면, 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 제4 변환 유닛(CU4)은 버퍼부(BUF) 및 선택부(SEL)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the fourth conversion unit CU4 corresponding to the sub input/output terminal TN4 may include a buffer unit BUF and a selection unit SEL.
선택부(SEL)는 도 4a, 도 4b 및 도 4c를 참조하여 설명한 바와 같이 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4) 및 입출력 단자부(31)의 제4 노말 입출력 단자(TN4)와 리페어 입출력 단자(TR) 사이의 전기적 연결을 제어하는 수신기(RX) 및/또는 송신기(TX)를 포함할 수 있다. 버퍼부(BUF)는 블록 제어 신호(BLK)에 응답하여 제4 입출력 노드(ND4)와 선택부(SEL) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.The selection unit SEL responds to the fourth path selection signal PSL4 as described with reference to FIGS. 4A , 4B and 4C , the fourth input/output node ND4 and the input/
예를 들어, 상기 서브 동작을 위한 서브 신호를 전달하는 경우에는 블록 제어 신호(BLK)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨(L))로 비활성화되고 버퍼부(BUF)는 제4 입출력 노드(ND4)와 선택부(SEL)를 전기적으로 연결할 수 있다. 반면에 상기 서브 동작을 위한 서브 신호를 전달하지 않는 경우에는 블록 제어 신호(BLK)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨(H))로 활성화되고 버퍼부(BUF)는 제4 입출력 노드(ND4)와 선택부(SEL) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.For example, when a sub-signal for the sub-operation is transmitted, the block control signal BLK is inactivated to a first logic level (eg, a logic low level L) and the buffer unit BUF is configured to generate a fourth The input/output node ND4 and the selection unit SEL may be electrically connected. On the other hand, when the sub-signal for the sub-operation is not transmitted, the block control signal BLK is activated to a second logic level (eg, a logic high level H) and the buffer unit BUF operates the fourth input/output. An electrical connection between the node ND4 and the selection unit SEL may be blocked.
이와 같이, 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4) 중 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 서브 변환 유닛(CU4)은 블록 제어 신호(BLK)에 응답하여 내부회로(20)와 서브 변환 유닛(CU4) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.As such, the sub conversion unit CU4 corresponding to the sub input/output terminal TN4 among the conversion units CU1, CU2, CU3, CU4 responds to the block control signal BLK with the
도 6은 도 3의 경로 변환 회로에 포함되는 변환 유닛들의 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a diagram for explaining operations of conversion units included in the path conversion circuit of FIG. 3 .
도 6을 참조하면, 경로 선택 신호(PSLi)의 논리 레벨에 따라서 상응하는 변환 유닛(CUi)의 단자들 중 하나가 선택될 수 있다. 예를 들어, 경로 선택 신호(PSLi)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨(L))로 비활성화된 경우에는 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 상응하는 노말 입출력 단자(TNi)에 연결되고, 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨(H))로 활성화되는 경우에는 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)은 인접한 노말 입출력 단자(TNi+1)에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 6 , one of the terminals of the corresponding conversion unit CUi may be selected according to the logic level of the path selection signal PSLi. For example, when the path selection signal PSLi is inactivated to the first logic level (eg, the logic low level L), the terminal '1' is selected so that the conversion unit CUi is connected to the corresponding normal input/output terminal. It is connected to TNi, and when the path selection signal PSLi is activated to a second logic level (eg, logic high level H), the terminal '2' is selected so that the conversion unit CUi is connected to the adjacent normal It may be connected to the input/output
전술한 바와 같이, 도3의 구성에서 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들이고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자일 수 있다. 이 경우, 메인 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)에 상응하는 메인 변환 유닛들(CUi)(i=1, 2, 3)은 블록 제어 신호(BLK)에 관계 없이 상응하는 경로 선택 신호(PSLi)에 응답하여 단자 '1' 또는 단자 '2'를 내부 회로(20)의 상응하는 입출력 노드(NDi)에 전기적으로 연결할 수 있다. 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 제4 변환 유닛(CU4)은 블록 제어 신호(BLK)가 제2 논리 레벨(H)로 활성화되는 경우에는 내부회로(20)와 서브 변환 유닛(CU4) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다. 제4 변환 유닛(CU4)은 블록 제어 신호(BLK)가 제1 논리 레벨(L)로 비활성화되는 경우에는 다른 메인 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3)과 마찬가지로 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 단자 '1' 또는 단자 '2'를 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4)에 전기적으로 연결할 수 있다.As described above, in the configuration of FIG. 3 , the first, second, and third normal input/output terminals TN1 , TN2 , and TN3 may be main input/output terminals, and the fourth normal input/output terminal TN4 may be a sub input/output terminal. . In this case, the main conversion units CUi (i=1, 2, 3) corresponding to the main input/output terminals TN1, TN2, TN3 are connected to the corresponding path selection signal PSLi regardless of the block control signal BLK. ), the terminal '1' or the terminal '2' may be electrically connected to the corresponding input/output node NDi of the
이하, 설명의 편의를 위하여, 경로 선택 신호(PSLi)가 논리 로우 레벨(L)일 때는 변환 유닛(CUi)의 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)이 상응하는 노말 입출력 단자(TNi)에 전기적으로 연결되고, 경로 선택 신호(PSLi)가 논리 하이 레벨(H)일 때는 변환 유닛(CUi)의 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)이 인접한 노말 입출력 단자(TNi+1)에 전기적으로 연결되는 것으로 가정한다. 특정 단자를 선택하기 위한 경로 선택 신호(PSLi)의 논리 레벨은 변환 유닛(CUi)의 구성에 따라서 변경될 수 있다.Hereinafter, for convenience of description, when the path selection signal PSLi is at the logic low level L, the terminal '1' of the conversion unit CUi is selected so that the conversion unit CUi is connected to the corresponding normal input/output terminal TNi. is electrically connected to and when the path selection signal PSLi is at the logic high level H, terminal '2' of the conversion unit CUi is selected so that the conversion unit CUi is connected to the adjacent normal input/output
도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한 리페어 회로는 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 불량 입출력 단자에 인접한 상기 노말 입출력 단자 또는 상기 불량 입출력 단자에 인접한 상기 리페어 입출력 단자로 대체하는 쉬프팅 리페어 동작을 수행한다. 동일한 구성을 갖는 리페어 회로를 이용하여 리페어 신호 경로의 지원 여부에 관계 없이 불량 신호 경로를 리페어할 수 있다. 이하, 도 7, 8a 및 8b를 참조하여 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 설명하고, 도 9, 10a 및 10b를 참조하여 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자를 사용하는 제2 리페어 모드를 설명한다.The repair circuit described with reference to FIGS. 3 to 6 converts the defective input/output terminal corresponding to the defective signal path among the normal input/output terminals TN1, TN2, TN3, and TN4 to the normal input/output terminal adjacent to the defective input/output terminal or the defective A shifting repair operation is performed to replace the repair input/output terminal adjacent to the input/output terminal. A defective signal path may be repaired regardless of whether the repair signal path is supported by using a repair circuit having the same configuration. Hereinafter, the first repair mode not using the repair signal path and the repair input/output terminal will be described with reference to FIGS. 7, 8A and 8B, and the first repair mode using the repair signal path and the repair input/output terminal will be described with reference to FIGS. 9, 10A and 10B. 2 The repair mode will be described.
도 7은 도 3의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.7 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 3 and not supporting a repair signal path.
도 7을 참조하면, 시스템(51a)은 제1 서브 시스템(11), 제2 서브 시스템(61a) 및 제1 서브 시스템(11)과 제2 서브 시스템(61a)을 연결하는 신호 경로부(41a)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7 , the
제1 서브 시스템(11)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(11)은 입출력 단자부(31), 리페어 제어부(RC)(201) 및 경로 변환 회로(301)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(11)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(31)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 및 적어도 하나의 리페어 입출력 단자(TR)를 포함한다. 리페어 제어부(201)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(301)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(31)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 3을 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(301)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)을 포함할 수 있다.As described above with reference to FIG. 3 , the
제2 서브 시스템(61a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(61a)은 입출력 단자부(71a), 리페어 제어부(RCa)(81a) 및 경로 변환 회로(91a)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(61a)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(71a)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1a, TN2a, TN3a, TN4a)만을 포함하고 리페어 입출력 단자를 포함하지 않는다. 리페어 제어부(81a)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONa)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(91a)는 경로 제어 신호(PCONa)에 응답하여 입출력 단자부(71a)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제1 서브 시스템(11)의 경로 변환 회로(301)와 유사하게, 제2 서브 시스템(61a)의 경로 변환 회로(91a)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(71a)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1a, CU2a, CU3a, CU4a)을 포함할 수 있다. 다만 입출력 단자부(71a)가 리페어 입출력 단자를 포함하지 않기 때문에 마지막 변환 유닛(CU4a)은 내부 회로의 입출력 노드와 하나의 입출력 단자(TN4a) 사이의 전기적 연결을 제어할 수 있다.Similar to the
제2 서브 시스템(61a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(61a)의 리페어 제어부(81a)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(11)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(61a)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(41a)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)을 포함할 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)은 제1 서브 시스템(11)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)을 전송하기 위한 제1, 제2 및 제3 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3) 및 제1 서브 시스템(11)의 서브 동작을 위한 서브 신호(SS)를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 신호 경로(SSP)를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자로 칭할 수 있다. 또한 제1, 제2 및 제3 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제4 변환 유닛(CU4)은 서브 변환 유닛으로 칭할 수 있다.The
상기 메인 동작은 서브 시스템의 고유 기능을 수행하기 위해 반드시 수행되어야 하는 동작을 나타내고, 서브 동작은 상기 메인 동작에 영향이 없거나 미미한 영향을 미치는 정도의 동작을 나타낸다. 예를 들어, 메모리 장치의 경우에, 상기 메인 동작은 기본적인 읽기 동작 및 쓰기 동작일 수 있고, 상기 서브 동작은 데이터 버스 인버전(DBI), 데이터 마스크(DM), 패러티 체크 등의 부수적인 기능을 수행하기 위한 동작들일 수 있다.The main operation indicates an operation that must be performed in order to perform a unique function of the subsystem, and the sub operation indicates an operation with no or insignificant influence on the main operation. For example, in the case of a memory device, the main operation may be a basic read operation and a write operation, and the sub operation performs ancillary functions such as data bus inversion (DBI), data mask (DM), and parity check. These may be actions to be performed.
도 7에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1, 제2 및 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3)을 통하여 전달되고 서브 신호(SS)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 7 illustrates signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, MSP3, and SSP. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 , MSP2 , and MSP3 . and the sub-signal SS may be transmitted through the sub-signal path SSP.
도 8a 및 8b는 도 7의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.8A and 8B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 7 .
예를 들어, 도 8a에 도시된 바와 같이, 제1 메인 신호 경로(MSP1)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다. 제1, 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)은 모두 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제1, 제2, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)은 모두 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 8A , the first main signal path MSP1 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the second main signal path MSP2, the second main signal MS2 is transmitted through the third main signal path MSP3, and the third main signal MS3) may be transmitted through a sub-signal path (SSP). The first, second, third, and fourth path selection signals PSL1 , PSL2 , PSL3 , and PSL4 are all activated to the logic high level H, and the first, second, third and fourth conversion units (CU1, CU2, CU3, CU4) can all select terminal '2'. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are to be respectively transmitted through the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. can
예를 들어, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 그대로 제1 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다. 제1 경로 선택 신호(PSL1)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제1 변환 유닛(CU1)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL2, PSL3, PSL4)은 모두 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제2, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU2, CU3, CU4)은 모두 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 8B , the second main signal path MSP2 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP2 as it is, the second main signal MS2 is transmitted through the third main signal path MSP3, and the third main signal (MS3) may be transmitted through a sub-signal path (SSP). The first path selection signal PSL1 may maintain a deactivated state at the logic low level L, and the first conversion unit CU1 may select the terminal '1'. The second, third, and fourth path selection signals PSL2, PSL3, and PSL4 are all activated to the logic high level H, and the second, third, and fourth conversion units CU2, CU3, and CU4 are all Terminal '2' can be selected. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are to be respectively transmitted through the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. can
도 8a 및 도 8b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 제1 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 서브 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 3의 경로 변환 회로(301)를 포함하는 리페어 회로는 쉬프팅 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 서브 입출력 단자(TN4)를 이용하여 리페어할 수 있다. 서브 신호(SS)의 전송은 중지되고 서브 신호(SS)를 이용한 서브 동작은 중단된다. 블록 제어 신호(BLK)는 예를 들어 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU4)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND4) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.As illustrated in FIGS. 8A and 8B , in the first repair mode that does not support the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the sub signal path. The repair circuit including the
도 9는 도 3의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.9 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 3 and supporting a repair signal path.
도 9를 참조하면, 시스템(51b)은 제1 서브 시스템(11), 제2 서브 시스템(61b) 및 제1 서브 시스템(11)과 제2 서브 시스템(61b)을 연결하는 신호 경로부(41b)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the
제1 서브 시스템(11)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(11)은 입출력 단자부(31), 리페어 제어부(RC)(201) 및 경로 변환 회로(301)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(11)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(31)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 및 적어도 하나의 리페어 입출력 단자(TR)를 포함한다. 리페어 제어부(201)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(301)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(31)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 3을 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(301)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)을 포함할 수 있다.As described above with reference to FIG. 3 , the
제2 서브 시스템(61b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(61b)은 입출력 단자부(71b), 리페어 제어부(RCb)(81b) 및 경로 변환 회로(91b)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(61b)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(71b)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1b, TN2b, TN3b, TN4b) 및 리페어 입출력 단자(TRb)를 포함한다. 리페어 제어부(81b)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONb)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(91b)는 경로 제어 신호(PCONb)에 응답하여 입출력 단자부(71b)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제1 서브 시스템(11)의 경로 변환 회로(301)와 유사하게, 제2 서브 시스템(61b)의 경로 변환 회로(91b)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(71b)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1b, CU2b, CU3b, CU4b)을 포함할 수 있다.Similar to the
제2 서브 시스템(61b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(61b)의 리페어 제어부(81b)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(11)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(61b)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(41b)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP) 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로(RSP)를 포함할 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)은 제1 서브 시스템(11)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)을 전송하기 위한 제1, 제2 및 제3 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3) 및 제1 서브 시스템(11)의 서브 동작을 위한 서브 신호(SS)를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 신호 경로(SSP)를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자로 칭할 수 있다. 또한 제1, 제2 및 제3 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제4 변환 유닛(CU4)은 서브 변환 유닛으로 칭할 수 있다.The
상기 메인 동작은 서브 시스템의 고유 기능을 수행하기 위해 반드시 수행되어야 하는 동작을 나타내고, 서브 동작은 상기 메인 동작에 영향이 없거나 미미한 영향을 미치는 정도의 동작을 나타낸다. 예를 들어, 메모리 장치의 경우에, 상기 메인 동작은 기본적인 읽기 동작 및 쓰기 동작일 수 있고, 상기 서브 동작은 데이터 버스 인버전(DBI), 데이터 마스크(DM), 패러티 체크 등의 부수적인 기능을 수행하기 위한 동작들일 수 있다.The main operation indicates an operation that must be performed in order to perform a unique function of the subsystem, and the sub operation indicates an operation with no or insignificant influence on the main operation. For example, in the case of a memory device, the main operation may be a basic read operation and a write operation, and the sub operation performs ancillary functions such as data bus inversion (DBI), data mask (DM), and parity check. These may be actions to be performed.
도 9에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1, 제2 및 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3)을 통하여 전달되고 서브 신호(SS)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 9 illustrates signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, MSP3, and SSP. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 , MSP2 , and MSP3 . and the sub-signal SS may be transmitted through the sub-signal path SSP.
도 10a 및 10b는 도 9의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.10A and 10B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 9 .
예를 들어, 도 10a에 도시된 바와 같이, 제1 메인 신호 경로(MSP1)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달되고, 서브 신호(SS)는 리페어 신호 경로(RSP)를 통하여 전달될 수 있다. 제1, 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)은 모두 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제1, 제2, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)은 모두 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3) 및 서브 신호(SS)는 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10A , the first main signal path MSP1 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the second main signal path MSP2, the second main signal MS2 is transmitted through the third main signal path MSP3, and the third main signal MS3) may be transmitted through the sub-signal path SSP, and the sub-signal SS may be transmitted through the repair signal path RSP. The first, second, third, and fourth path selection signals PSL1 , PSL2 , PSL3 , and PSL4 are all activated to the logic high level H, and the first, second, third and fourth conversion units (CU1, CU2, CU3, CU4) can all select terminal '2'. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , MS3 and the sub-signal SS are the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. , ND4) can be transmitted respectively.
예를 들어, 도 10b에 도시된 바와 같이, 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 그대로 제1 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달되고, 서브 신호(SS)는 리페어 신호 경로(RSP)를 통하여 전달될 수 있다. 제1 경로 선택 신호(PSL1)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제1 변환 유닛(CU1)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL2, PSL3, PSL4)은 모두 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제2, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU2, CU3, CU4)은 모두 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3) 및 서브 신호(SS)는 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 10B , the second main signal path MSP2 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP2 as it is, the second main signal MS2 is transmitted through the third main signal path MSP3, and the third main signal MS3 may be transmitted through the sub-signal path SSP, and the sub-signal SS may be transmitted through the repair signal path RSP. The first path selection signal PSL1 may maintain a deactivated state at the logic low level L, and the first conversion unit CU1 may select the terminal '1'. The second, third, and fourth path selection signals PSL2, PSL3, and PSL4 are all activated to the logic high level H, and the second, third, and fourth conversion units CU2, CU3, and CU4 are all Terminal '2' can be selected. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , MS3 and the sub-signal SS are the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. , ND4) can be transmitted respectively.
도 10a 및 도 10b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하는 제2 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 리페어 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 3의 경로 변환 회로(301)를 포함하는 리페어 회로는 쉬프팅 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 리페어 입출력 단자(TR)를 이용하여 리페어할 수 있다. 서브 신호(SS)의 전송은 유지되고 서브 신호(SS)를 이용한 서브 동작도 수행 가능하다. 블록 제어 신호(BLK)는 예를 들어 논리 로우 레벨(L)로 비활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU4)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND4)는 전기적으로 연결될 수 있다.10A and 10B , in the second repair mode supporting the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the repair signal path. The repair circuit including the
도 11은 도 3의 경로 변환 회로에 경로 선택 신호들을 제공하기 위한 리페어 제어부의 일 실시예를 나타내는 도면이고, 도 12는 도 3의 경로 변환 회로를 포함하는 리페어 회로의 전체적인 동작을 설명하기 위한 도면이다.11 is a view illustrating an embodiment of a repair control unit for providing path selection signals to the path converting circuit of FIG. 3 , and FIG. 12 is a view for explaining the overall operation of the repair circuit including the path converting circuit of FIG. 3 am.
불량 정보 신호(FLI)는 노말 신호 경로들에 각각 상응하는 복수의 비트 신호들(FLI1, FLI2, FLI3, FLI4)을 포함할 수 있다. 도 11 및 도 12에서, 비트 신호들(FLI1, FLI2, FLI3, FLI4)은 논리 로우 레벨(L)일 때 상응하는 노말 신호 경로가 불량이 아님을 나타내고 논리 하이 레벨(H)일 때 상응하는 노말 신호 경로가 불량임을 나타낼 수 있다. 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)은 논리 로우 레벨(L)일 때 상응하는 변환 유닛이 단자 '1'을 선택하고 논리 하이 레벨(H)일 때 상응하는 변환 유닛이 단자 '2'를 선택할 수 있다. 모드 신호(MD)는 논리 하이 레벨(H)일 때 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타내고, 논리 로우 레벨(L)일 때 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타낼 수 있다. 도 12에서 제1 내지 제5 케이스들은 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타내고, 제6 내지 제10 케이스들은 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타낸다. The bad information signal FLI may include a plurality of bit signals FLI1 , FLI2 , FLI3 , and FLI4 respectively corresponding to normal signal paths. 11 and 12 , bit signals FLI1 , FLI2 , FLI3 , FLI4 indicate that the corresponding normal signal path is not bad when the logic low level (L) and the corresponding normal when the logic high level (H). It may indicate that the signal path is bad. The path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4 have a corresponding conversion unit selecting terminal '1' when a logic low level (L) and a corresponding conversion unit selecting terminal '2' when a logic high level (H) is present. ' can be selected. The mode signal MD may indicate a first repair mode in which the repair signal path is not used when the logic high level (H) and the second repair mode using the repair signal path when the logic low level (L). . In FIG. 12 ,
이와 같은, 신호들의 논리 레벨에 대한 정의는 설명의 편의를 위한 예시적인 것이며, 신호들의 논리 레벨은 회로 구성에 따라서 다양하게 정의될 수 있다.The definition of the logic level of the signals is an example for convenience of description, and the logic level of the signals may be defined in various ways according to the circuit configuration.
도 11을 참조하면, 리페어 제어부(201)는 제1, 제2, 제3 및 제4 논리합 게이트들(211, 212, 213, 214)과 논리곱 게이트(215)를 포함할 수 있다. 제1 논리합 게이트(211)는 접지 전압 신호(VSS) 및 불량 정보 신호의 제1 비트 신호(FLI1)를 논리합 연산하여 제1 경로 선택 신호(PSL1)를 발생한다. 제2 논리합 게이트(212)는 제1 경로 선택 신호(PSL1) 및 불량 정보 신호(FLI)의 제2 비트 신호(FLI2)를 논리합 연산하여 제2 경로 선택 신호(PSL2)를 발생한다. 제3 논리합 게이트(213)는 제2 경로 선택 신호(PSL2) 및 불량 정보 신호(FLI)의 제3 비트 신호(FLI3)를 논리합 연산하여 제3 경로 선택 신호(PSL3)를 발생한다. 제4 논리합 게이트(214)는 제3 경로 선택 신호(PSL3) 및 불량 정보 신호(FLI)의 제4 비트 신호(FLI4)를 논리합 연산하여 제4 경로 선택 신호(PSL4)를 발생한다. 논리곱 게이트(215)는 제4 경로 선택 신호(PSL4) 및 모드 신호(MD)를 논리곱 연산하여 블록 제어 신호(BLK)를 발생한다.Referring to FIG. 11 , the
도 12를 참조하면, 도 11의 구성에 의하여, 불량 신호 경로에 상응하는 비트 신호(FLIi)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면, 상응하는 경로 선택 신호(PSLi)부터 마지막 경로 선택 신호(PSL4)까지 모두 논리 하이 레벨(H)로 활성화된다. 제1 비트 신호(FLI1)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제1, 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제2 비트 신호(FLI2)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL2, PSL3, PSL4)이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제3 비트 신호(FLI3)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL3, PSL4)이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제4 비트 신호(FLI4)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제4 경로 선택 신호(PSL4)만이 논리 하이 레벨(H)로 활성화된다. 이와 같은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)을 이용하여 불량 신호 경로가 발생한 경우 각 신호 경로를 순차적으로 인접한 신호 경로로 대체하는 쉬프팅 리페어 동작을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 12 , according to the configuration of FIG. 11 , when the bit signal FLIi corresponding to the bad signal path is activated to the logic high level H, the corresponding path selection signal PSLi to the last path selection signal PSL4 ) are all activated to the logic high level (H). When the first bit signal FLI1 is activated to the logic high level H, the first, second, third, and fourth path selection signals PSL1 , PSL2 , PSL3 , and PSL4 are activated to the logic high level H When the second bit signal FLI2 is activated to the logic high level H, the second, third, and fourth path selection signals PSL2, PSL3, and PSL4 are activated to the logic high level H, and the second bit signal FLI2 is activated to the logic high level H. When the 3-bit signal FLI3 is activated to the logic high level H, the third and fourth path selection signals PSL3 and PSL4 are activated to the logic high level H, and the fourth bit signal FLI4 is activated to the logic high level H. When activated to a high level (H), only the fourth path selection signal PSL4 is activated to a logic high level (H). When a bad signal path occurs using such path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4, a shifting repair operation of sequentially replacing each signal path with an adjacent signal path may be performed.
블록 제어 신호(BLK)는 적어도 하나의 불량 신호 경로가 존재하여 제4 경로 선택 신호(PSL4)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 모드 신호(MD)가 논리 하이 레벨(H)로서 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타낼 때 논리 하이 레벨(H)을 갖는다. 그 밖의 경우에는 블록 제어 신호(BLK)는 논리 로우 레벨(L)을 갖는다.At least one bad signal path exists in the block control signal BLK, so that the fourth path selection signal PSL4 is activated to a logic high level (H) and the mode signal (MD) is a repair signal path as a logic high level (H). It has a logic high level (H) when indicating the first repair mode not using . In other cases, the block control signal BLK has a logic low level L.
이와 같이, 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON), 즉 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4) 및 블록 제어 신호(BLK)를 발생할 수 있다. 경로 제어 신호(PCON)를 이용하여, 도 7, 8a 및 8b를 참조하여 설명한 바와 같이 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드에서 쉬프팅 리페어 동작을 수행하거나, 또는 도 9, 10a 및 10b를 참조하여 설명한 바와 같이 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드에서 쉬프팅 리페어 동작을 수행할 수 있다.In this way, the path control signal PCON, that is, the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4, and the block control signal BLK may be generated based on the mode signal MD and the failure information signal FLI. . Using the path control signal PCON, the shifting repair operation is performed in the first repair mode that does not use the repair signal path as described with reference to FIGS. 7, 8A and 8B, or see FIGS. 9, 10A and 10B As described above, the shifting repair operation may be performed in the second repair mode using the repair signal path.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.13 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
도 13을 참조하면, 경로 변환 회로(301)는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4) 및 초기화 회로(315)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13 , the
전술한 바와 같이, 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(31)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 쉬프팅 리페어 동작을 수행한다. As described above, the conversion units CU1, CU2, CU3, and CU4 are input/output nodes ND1, ND2, ND3, ND4 of the internal circuit in response to each of the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4. ) and performing a shifting repair operation for respectively controlling electrical connections between two or more input/output terminals of the input/
초기화 회로(315)는 리페어 입출력 단자(TR)에 연결되고, 모드 신호(MD)에 응답하여 초기화 전압(VINT)을 리페어 입출력 단자(TR)에 인가할 수 있다. 예를 들어, 초기화 회로(315)는 엔모스 트랜지스터를 포함할 수 있다. 이 경우 모드 신호(MD)가 논리 하이 레벨(H)을 갖고 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타낼 때, 상기 엔모스 트랜지스터가 턴온되어 초기화 전압(VINT)이 리페어 입출력 단자(TR)에 인가될 수 있다. 반면에 모드 신호(MD)가 논리 로우 레벨(L)을 갖고 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타낼 때, 상기 엔모스 트랜지스터가 턴오프되어 리페어 입출력 단자(TR)에 초기화 전압(VINT)이 인가되는 것을 차단할 수 있다.The
종래에는 리페어 신호 경로의 플로팅 상태 문제로 인하여 리페어 신호 경로를 지원하는 경우와 지원하지 않는 경우를 분리하여 시스템을 구현해야 하였다. 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)의 초기 상태를 잡아주는 초기화 회로를 사용하여 다양한 리페어 방식을 선택적으로 적용할 수 있는 통합적인 시스템을 구현할 수 있다.Conventionally, due to the problem of the floating state of the repair signal path, it is necessary to implement a system by separating the case in which the repair signal path is supported and the case in which the repair signal path is not supported. According to embodiments of the present invention, it is possible to implement an integrated system that can selectively apply various repair methods by using an initialization circuit that holds the initial state of the repair input/output terminal TR.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.14 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a multiplexing repair operation according to embodiments of the present invention.
도 14를 참조하면, 경로 변환 회로(302)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)(321, 322, 323, 324)을 포함할 수 있다. 도 14에는 편의상 제1 내지 제4 변환 유닛들(321, 322, 323, 324)이 도시되어 있으나, 변환 유닛들 및 입출력 단자들의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.Referring to FIG. 14 , the
도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4)은 도 1의 내부 회로(20)의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 내부 회로(20)의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도14의 구성에서 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들이고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자일 수 있다.As described with reference to FIG. 7 , the normal input/output terminals TN1 , TN2 , TN3 , and TN4 are main input/output terminals for transmitting main signals for the main operation of the
변환 유닛들(321, 322, 323, 324) 중 메인 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)에 상응하는 메인 변환 유닛들(321,322, 323)의 각각은 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상응하는 노말 입출력 단자, 서브 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다. 즉 제1 변환 유닛(321)은 제1 노말 입출력 단자(TN1), 제4 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결되고, 제2 변환 유닛(322)은 제2 노말 입출력 단자(TN2) , 제4 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결되고, 제3 변환 유닛(323)은 제3 노말 입출력 단자(TN3) , 제4 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다.Each of the
변환 유닛들(321, 322, 323, 324) 중 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 서브 변환 유닛(324)은 서브 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다. 즉 제4 변환 유닛(314)은 서브 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다.Among the
도 22 및 도 23을 참조하여 설명한 바와 같이, 도 2의 리페어 제어부(200)는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하도록 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2,PSL3, PSL4)의 논리 레벨들을 제어할 수 있고, 변환 유닛들(321, 322, 323, 324)의 각각은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2,PSL3, PSL4)의 각각의 논리 레벨에 따라서 세 개의 입출력 단자들 중 하나에 선택적으로 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨)로 비활성화되는 경우에는 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 상응하는 입출력 단자에 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨)로 활성화되는 경우에는 모드 신호(MD)의 논리 레벨에 따라서 단자 '2' 또는 단자 '3'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 서브 입출력 단자(TN4) 또는 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다.As described with reference to FIGS. 22 and 23 , the
도 15a는 멀티플렉싱 리페어 동작 및 수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.15A is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a multiplexing repair operation and a reception operation.
도 15a를 참조하면, 경로 변환 회로(302a)는 복수의 변환 유닛들(321a, 3212a, 323a, 324a)을 포함할 수 있다. 도 15a에는 경로 변환 회로(302a)가 수신 인터페이스 역할을 수행하는 실시예가 도시되어 있고, 변환 유닛들(321a, 322a, 323a, 324a)의 각각은 외부 장치로부터의 수신 신호들을 도 1의 내부 회로(20)로 전달하기 위한 수신기(RX)를 포함할 수 있다. 각각의 수신기(RX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각 및 모드 신호(MD)에 응답하여 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로부터 입력되는 수신 신호를 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로 출력할 수 있다. Referring to FIG. 15A , the
즉, 제1 변환 유닛(321a)의 수신기는 모드 신호(MD) 및 제1 경로 선택 신호(PSL1)에 응답하여 제1 노말 입출력 단자(TN1), 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나를 내부 회로(20)의 제1 입출력 노드(ND1)와 전기적으로 연결하고, 제2 변환 유닛(322a)의 수신기는 모드 신호(MD) 및 제2 경로 선택 신호(PSL2)에 응답하여 제2 노말 입출력 단자(TN2), 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR)) 중 하나를 내부 회로(20)의 제2 입출력 노드(ND2)와 전기적으로 연결하고, 제3 변환 유닛(323a)의 수신기는 모드 신호(MD) 및 제3 경로 선택 신호(PSL3)에 응답하여 제3 노말 입출력 단자(TN3), 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나를 내부 회로(20)의 제3 입출력 노드(ND3)와 전기적으로 연결하고, 제4 변환 유닛(324a)의 수신기는 모드 신호(MD) 및 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나를 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4)와 전기적으로 연결할 수 있다.That is, the receiver of the
도 15b는 멀티플렉싱 리페어 동작 및 송신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.15B is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a multiplexing repair operation and a transmission operation.
도 15b를 참조하면, 경로 변환 회로(302b)는 복수의 변환 유닛들(321b, 322b, 323b, 324b)을 포함할 수 있다. 도 15b에는 경로 변환 회로(302b)가 송신 인터페이스 역할을 수행하는 실시예가 도시되어 있고, 변환 유닛들(321b, 322b, 323b, 324b)의 각각은 도 1의 내부 회로(20)로부터의 송신 신호들을 외부 장치로 전달하기 위한 송신기(TX)를 포함할 수 있다. 각각의 송신기(TX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각 및 모드 신호(MD)에 응답하여 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로부터 입력되는 송신 신호를 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로 출력할 수 있다.Referring to FIG. 15B , the
즉, 제1 변환 유닛(321b)의 송신기는 모드 신호(MD) 및 제1 경로 선택 신호(PSL1)에 응답하여 내부 회로(20)의 제1 입출력 노드(ND1)를 제1 노말 입출력 단자(TN1), 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나에 전기적으로 연결하고, 제2 변환 유닛(322b)의 송신기는 모드 신호(MD) 및 제2 경로 선택 신호(PSL2)에 응답하여 내부 회로(20)의 제2 입출력 노드(ND2)를 제2 노말 입출력 단자(TN2), 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나에 전기적으로 연결하고, 제3 변환 유닛(323b)의 송신기는 모드 신호(MD) 및 제3 경로 선택 신호(PSL3)에 응답하여 내부 회로(20)의 제3 입출력 노드(ND3)를 제3 노말 입출력 단자(TN3), 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나에 전기적으로 연결하고, 제4 변환 유닛(324b)의 송신기는 모드 신호(MD) 및 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND3)를 제4 노말 입출력 단자(TN4) 및 리페어 입출력 단자(TR) 중 하나에 전기적으로 연결할 수 있다.That is, the transmitter of the
도 15c는 멀티플렉싱 리페어 동작 및 송수신 동작을 수행하는 경로 변환 회로의 일 실시예를 나타내는 도면이다.15C is a diagram illustrating an embodiment of a path conversion circuit that performs a multiplexing repair operation and a transmission/reception operation.
도 15c를 참조하면, 경로 변환 회로(302c)는 복수의 변환 유닛들(321c, 322c, 323c, 324c)을 포함할 수 있다. 도 15c에는 경로 변환 회로(302c)가 송신 및 수신 인터페이스 역할을 수행하는 실시예가 도시되어 있고, 변환 유닛들(321c, 322c, 323c, 324c)의 각각은 외부 장치로부터의 수신 신호들을 도 1의 내부 회로(20)로 전달하기 위한 수신기(RX) 및 내부 회로(20)로부터의 송신 신호들을 외부 장치로 전달하기 위한 송신기(TX)를 포함할 수 있다. 도 15a를 참조하여 설명한 바와 같이, 각각의 수신기(RX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각 및 모드 신호(MD)에 응답하여 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로부터 입력되는 수신 신호를 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로 출력할 수 있다. 도 15b를 참조하여 설명한 바와 같이, 각각의 송신기(TX)는 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각 및 모드 신호(MD)에 응답하여 내부 회로(20)의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각으로부터 입력되는 송신 신호를 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 중 하나로 출력할 수 있다.Referring to FIG. 15C , the
도 16은 도 14의 경로 변환 회로에 포함되는 서브 변환 유닛의 일 실시예를 나타내는 도면이다.16 is a diagram illustrating an embodiment of a sub conversion unit included in the path conversion circuit of FIG. 14 .
도 7을 참조하여 전술한 바와 같이, 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4)은 도 1의 내부 회로(20)의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 내부 회로(20)의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도14의 구성에서 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들이고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자일 수 있다.As described above with reference to FIG. 7 , the normal input/output terminals TN1 , TN2 , TN3 , and TN4 are main input/output terminals for transmitting main signals for the main operation of the
도 16을 참조하면, 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 제4 변환 유닛(CU4)은 버퍼부(BUF) 및 선택부(SEL)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 16 , the fourth conversion unit CU4 corresponding to the sub input/output terminal TN4 may include a buffer unit BUF and a selection unit SEL.
선택부(SEL)는 도 15a, 도 15b 및 도 15c를 참조하여 설명한 바와 같이 제4 경로 선택 신호(PSL4) 및 모드 신호(MD)에 응답하여 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4) 및 입출력 단자부(32)의 제4 노말 입출력 단자(TN4)와 리페어 입출력 단자(TR) 사이의 전기적 연결을 제어하는 수신기(RX) 및/또는 송신기(TX)를 포함할 수 있다. 선택부(SEL)의 단자 '2'는 플로팅 상태에 있을 수 있다. 버퍼부(BUF)는 블록 제어 신호(BLK)에 응답하여 제4 입출력 노드(ND4)와 선택부(SEL) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.The selection unit SEL responds to the fourth path selection signal PSL4 and the mode signal MD as described with reference to FIGS. 15A, 15B and 15C , and the fourth input/output node ND4 of the
예를 들어, 상기 서브 동작을 위한 서브 신호를 전달하는 경우에는 블록 제어 신호(BLK)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨(L))로 비활성화되고 버퍼부(BUF)는 제4 입출력 노드(ND4)와 선택부(SEL)를 전기적으로 연결할 수 있다. 반면에 상기 서브 동작을 위한 서브 신호를 전달하지 않는 경우에는 블록 제어 신호(BLK)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨(H))로 활성화되고 버퍼부(BUF)는 제4 입출력 노드(ND4)와 선택부(SEL) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.For example, when a sub-signal for the sub-operation is transmitted, the block control signal BLK is inactivated to a first logic level (eg, a logic low level L) and the buffer unit BUF is configured to generate a fourth The input/output node ND4 and the selection unit SEL may be electrically connected. On the other hand, when the sub-signal for the sub-operation is not transmitted, the block control signal BLK is activated to a second logic level (eg, a logic high level H) and the buffer unit BUF operates the fourth input/output. An electrical connection between the node ND4 and the selection unit SEL may be blocked.
이와 같이, 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4) 중 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 서브 변환 유닛(CU4)은 블록 제어 신호(BLK)에 응답하여 내부회로(20)와 서브 변환 유닛(CU4) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다.As such, the sub conversion unit CU4 corresponding to the sub input/output terminal TN4 among the conversion units CU1, CU2, CU3, CU4 responds to the block control signal BLK with the
도 17은 도 14의 경로 변환 회로에 포함되는 변환 유닛들의 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 17 is a diagram for explaining operations of conversion units included in the path conversion circuit of FIG. 14 .
도 17을 참조하면, 모드 신호(MD) 및 경로 선택 신호(PSLi)의 논리 레벨에 따라서 상응하는 변환 유닛(CUi)의 단자들 중 하나가 선택될 수 있다. 예를 들어, 경로 선택 신호(PSLi)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨(L))로 비활성화된 경우에는 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 상응하는 노말 입출력 단자(TNi)에 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨(H))로 활성화되고 모드 신호(MD)가 제2 논리 레벨인 경우에는 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)은 서브 입출력 단자인 제4 입출력 단자(TN4)에 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨로 활성화되고 모드 신호(MD)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨(L))인 경우에는 단자 '3'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 17 , one of the terminals of the corresponding conversion unit CUi may be selected according to the logic levels of the mode signal MD and the path selection signal PSLi. For example, when the path selection signal PSLi is inactivated to the first logic level (eg, the logic low level L), the terminal '1' is selected so that the conversion unit CUi is connected to the corresponding normal input/output terminal. (TNi) can be connected. When the path selection signal PSLi is activated to the second logic level (eg, the logic high level H) and the mode signal MD is the second logic level, the terminal '2' is selected and the conversion unit CUi ) may be connected to the fourth input/output terminal TN4 which is a sub input/output terminal. When the path selection signal PSLi is activated to the second logic level and the mode signal MD is at the first logic level (eg, the logic low level L), the terminal '3' is selected and the conversion unit CUi ) may be connected to the repair input/output terminal TR.
전술한 바와 같이, 도14의 구성에서 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들이고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자일 수 있다. 이 경우, 메인 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)에 상응하는 메인 변환 유닛들(CUi)(i=1, 2, 3)은 블록 제어 신호(BLK)에 관계 없이 상응하는 모드 신호(MD) 및 경로 선택 신호(PSLi)에 응답하여 단자 '1', 단자 '2' 또는 단자 '3'을 내부 회로(20)의 상응하는 입출력 노드(NDi)에 전기적으로 연결할 수 있다. 도 16을 참조하여 설명한 바와 같이, 서브 입출력 단자(TN4)에 상응하는 제4 변환 유닛(CU4)은 블록 제어 신호(BLK)가 제2 논리 레벨(H)로 활성화되는 경우에는 내부회로(20)와 서브 변환 유닛(CU4) 사이의 전기적 연결을 차단할 수 있다. 제4 변환 유닛(CU4)은 블록 제어 신호(BLK)가 제1 논리 레벨(H)로 비활성화되는 경우에는 다른 메인 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3)과 마찬가지로 모드 신호(MD) 및 제4 경로 선택 신호(PSL4)에 응답하여 단자 '1', 단자 '2' 또는 단자 '3'을 내부 회로(20)의 제4 입출력 노드(ND4)에 전기적으로 연결할 수 있다.As described above, in the configuration of FIG. 14 , the first, second, and third normal input/output terminals TN1 , TN2 , and TN3 may be main input/output terminals, and the fourth normal input/output terminal TN4 may be a sub input/output terminal. . In this case, the main conversion units CUi (i=1, 2, 3) corresponding to the main input/output terminals TN1, TN2, TN3 are connected to the corresponding mode signal MD regardless of the block control signal BLK. and the terminal '1', the terminal '2', or the terminal '3' may be electrically connected to the corresponding input/output node NDi of the
이하, 설명의 편의를 위하여, 경로 선택 신호(PSLi)가 논리 로우 레벨(L)일 때는 변환 유닛(CUi)의 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)이 상응하는 노말 입출력 단자(TNi)에 전기적으로 연결되고, 모드 신호(MD)가 논리 하이 레벨(H)이고 경로 선택 신호(PSLi)가 논리 하이 레벨(H)일 때는 변환 유닛(CUi)의 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)이 서브 입출력 단자(TN4)에 전기적으로 연결되고, 모드 신호(MD)가 논리 로우 레벨(L)이고 경로 선택 신호(PSLi)가 논리 하이 레벨(H)일 때는 변환 유닛(CUi)의 단자 '3'이 선택되어 변환 유닛(CUi)이 리페어 입출력 단자(TR)에 전기적으로 연결되는 것으로 가정한다. 특정 단자를 선택하기 위한 모드 신호(MD) 및 경로 선택 신호(PSLi)의 논리 레벨은 변환 유닛(CUi)의 구성에 따라서 변경될 수 있다.Hereinafter, for convenience of description, when the path selection signal PSLi is at the logic low level L, the terminal '1' of the conversion unit CUi is selected so that the conversion unit CUi is connected to the corresponding normal input/output terminal TNi. is electrically connected to, and when the mode signal MD is at the logic high level (H) and the path selection signal (PSLi) is at the logic high level (H), the terminal '2' of the conversion unit CUi is selected so that the conversion unit ( CUi) is electrically connected to the sub input/output terminal TN4, and when the mode signal MD is at the logic low level L and the path selection signal PSLi is at the logic high level H, the terminal of the conversion unit CUi It is assumed that '3' is selected so that the conversion unit CUi is electrically connected to the repair input/output terminal TR. The logic levels of the mode signal MD and the path selection signal PSLi for selecting a specific terminal may be changed according to the configuration of the conversion unit CUi.
도 14 내지 도 17을 참조하여 설명한 리페어 회로는 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 서브 입출력 단자 또는 상기 리페어 입출력 단자로 대체하는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행한다. 동일한 구성을 갖는 리페어 회로를 이용하여 리페어 신호 경로의 지원 여부에 관계 없이 불량 신호 경로를 리페어할 수 있다. 이하, 도 18, 19a 및 19b를 참조하여 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 설명하고, 도 20, 21a 및 21b를 참조하여 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자를 사용하는 제2 리페어 모드를 설명한다.The repair circuit described with reference to FIGS. 14 to 17 is a multiplexing that replaces the bad input/output terminal corresponding to the bad signal path among the normal input/output terminals TN1, TN2, TN3, and TN4 with the sub input/output terminal or the repair input/output terminal. Perform a repair operation. A defective signal path may be repaired regardless of whether the repair signal path is supported by using a repair circuit having the same configuration. Hereinafter, the first repair mode will be described in which the repair signal path and the repair input/output terminal are not used with reference to FIGS. 18, 19A and 19B, and the first repair mode using the repair signal path and the repair input/output terminal will be described with reference to FIGS. 20, 21A and 21B. 2 The repair mode will be described.
도 18은 도 14의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.18 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 14 and not supporting a repair signal path.
도 18을 참조하면, 시스템(52a)은 제1 서브 시스템(12), 제2 서브 시스템(62a) 및 제1 서브 시스템(12)과 제2 서브 시스템(62a)을 연결하는 신호 경로부(42a)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 18 , the
제1 서브 시스템(12)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(12)은 입출력 단자부(32), 리페어 제어부(RC)(202) 및 경로 변환 회로(302)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(12)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(32)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 및 적어도 하나의 리페어 입출력 단자(TR)를 포함한다. 리페어 제어부(202)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(302)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(32)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 14를 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(302)는 모드 신호(MD) 및 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)을 포함할 수 있다.14, in response to each of the mode signal MD and the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4, the
제2 서브 시스템(62a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(62a)은 입출력 단자부(72a), 리페어 제어부(RCa)(82a) 및 경로 변환 회로(92a)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(62a)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(72a)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1a, TN2a, TN3a, TN4a)만을 포함하고 리페어 입출력 단자를 포함하지 않는다. 리페어 제어부(82a)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONa)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(92a)는 경로 제어 신호(PCONa)에 응답하여 입출력 단자부(72a)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제2 서브 시스템(62a)의 경로 변환 회로(92a)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(72a)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1a, CU2a, CU3a, CU4a)을 포함할 수 있다. 다만 입출력 단자부(72a)가 리페어 입출력 단자를 포함하지 않기 때문에 마지막 변환 유닛(CU4a)은 내부 회로의 입출력 노드와 하나의 입출력 단자(TN4a) 사이의 전기적 연결을 제어할 수 있다.The
제2 서브 시스템(62a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(62a)의 리페어 제어부(82a)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(12)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(62a)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(42a)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)을 포함할 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)은 제1 서브 시스템(12)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)을 전송하기 위한 제1, 제2 및 제3 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3) 및 제1 서브 시스템(12)의 서브 동작을 위한 서브 신호(SS)를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 신호 경로(SSP)를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자로 칭할 수 있다. 또한 제1, 제2 및 제3 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제4 변환 유닛(CU4)은 서브 변환 유닛으로 칭할 수 있다.The
상기 메인 동작은 서브 시스템의 고유 기능을 수행하기 위해 반드시 수행되어야 하는 동작을 나타내고, 서브 동작은 상기 메인 동작에 영향이 없거나 미미한 영향을 미치는 정도의 동작을 나타낸다. 예를 들어, 메모리 장치의 경우에, 상기 메인 동작은 기본적인 읽기 동작 및 쓰기 동작일 수 있고, 상기 서브 동작은 데이터 버스 인버전(DBI), 데이터 마스크(DM), 패러티 체크 등의 부수적인 기능을 수행하기 위한 동작들일 수 있다.The main operation indicates an operation that must be performed in order to perform a unique function of the subsystem, and the sub operation indicates an operation with no or insignificant influence on the main operation. For example, in the case of a memory device, the main operation may be a basic read operation and a write operation, and the sub operation performs ancillary functions such as data bus inversion (DBI), data mask (DM), and parity check. These may be actions to be performed.
도 18에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1, 제2 및 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3)을 통하여 전달되고 서브 신호(SS)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다.18 illustrates signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, MSP3, and SSP. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 , MSP2 , and MSP3 . and the sub-signal SS may be transmitted through the sub-signal path SSP.
도 19a 및 19b는 도 18의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.19A and 19B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 18 .
예를 들어, 도 19a에 도시된 바와 같이, 제1 메인 신호 경로(MSP1)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달될 수 있다. 모드 신호(MD)는 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타내도록 논리 하이 레벨(H)을 가질 수 있다. 제1 경로 선택 신호(PSL1)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제1 변환 유닛(CU1)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL2, PSL3, PSL4)은 모두 논리 로우 레벨(L)로 비활성화되고 제2, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU2, CU3, CU4)은 모두 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 19A , the first main signal path MSP1 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the sub signal path SSP, the second main signal MS2 is transmitted through the second main signal path MSP2, and the third main signal MS3 is transmitted through the second main signal path MSP2. may be transmitted through the third main signal path MSP3. The mode signal MD may have a logic high level H to indicate the first repair mode that does not use the repair signal path. The first path selection signal PSL1 may be activated to a logic high level H, and the first conversion unit CU1 may select the terminal '2'. The second, third and fourth path selection signals PSL2, PSL3, and PSL4 are all deactivated to the logic low level L, and the second, third, and fourth conversion units CU2, CU3, and CU4 are all Terminal '1' can be selected. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are to be respectively transmitted through the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. can
예를 들어, 도 19b에 도시된 바와 같이, 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 제1 메인 신호 경로(MSP1)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달될 수 있다. 모드 신호(MD)는 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타내도록 논리 하이 레벨(H)을 가질 수 있다. 제2 경로 선택 신호(PSL2)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제2 변환 유닛(CU2)은 단자 '2'을 선택할 수 있다. 제1, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL1, PSL3, PSL4)은 모두 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 제1, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU1, CU3, CU4)은 모두 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 19B , the second main signal path MSP2 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP1 , the second main signal MS2 is transmitted through the sub signal path SSP, and the third main signal MS3 is transmitted through the sub signal path SSP. may be transmitted through the third main signal path MSP3. The mode signal MD may have a logic high level H to indicate the first repair mode that does not use the repair signal path. The second path selection signal PSL2 may be activated to a logic high level H, and the second conversion unit CU2 may select the terminal '2'. All of the first, third, and fourth path selection signals PSL1 , PSL3 and PSL4 maintain an inactive state at the logic low level L, and the first, third, and fourth conversion units CU1, CU3, CU4) can all select terminal '1'. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are to be respectively transmitted through the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. can
도 19a 및 도 19b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 제1 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 서브 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 14의 경로 변환 회로(302)를 포함하는 리페어 회로는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 서브 입출력 단자(TN4)를 이용하여 리페어할 수 있다. 서브 신호(SS)의 전송은 중지되고 서브 신호(SS)를 이용한 서브 동작은 중단된다. 블록 제어 신호(BLK)는 예를 들어 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU4)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND4) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.19A and 19B , in the first repair mode that does not support the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the sub signal path. The repair circuit including the
도 20은 도 14의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.20 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 14 and supporting a repair signal path.
도 20을 참조하면, 시스템(52b)은 제1 서브 시스템(12), 제2 서브 시스템(62b) 및 제1 서브 시스템(12)과 제2 서브 시스템(62b)을 연결하는 신호 경로부(42b)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20 , the
제1 서브 시스템(12)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(12)은 입출력 단자부(32), 리페어 제어부(RC)(202) 및 경로 변환 회로(302)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(12)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(32)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 및 적어도 하나의 리페어 입출력 단자(TR)를 포함한다. 리페어 제어부(202)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(302)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(32)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 14를 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(302)는 모드 신호(MD) 및 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)을 포함할 수 있다.14, in response to each of the mode signal MD and the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4, the
제2 서브 시스템(62b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(62b)은 입출력 단자부(72b), 리페어 제어부(RCb)(82b) 및 경로 변환 회로(92b)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(62b)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(72b)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN1b, TN2b, TN3b, TN4b) 및 리페어 입출력 단자(TRb)를 포함한다. 리페어 제어부(82b)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONb)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(92b)는 경로 제어 신호(PCONb)에 응답하여 입출력 단자부(72b)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제1 서브 시스템(12)의 경로 변환 회로(302)와 유사하게, 제2 서브 시스템(62b)의 경로 변환 회로(92b)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(72b)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU1b, CU2b, CU3b, CU4b)을 포함할 수 있다.Similar to the
제2 서브 시스템(62b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(62b)의 리페어 제어부(82b)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(12)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(62b)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(42b)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP) 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로(RSP)를 포함할 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)은 제1 서브 시스템(12)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)을 전송하기 위한 제1, 제2 및 제3 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3) 및 제1 서브 시스템(12)의 서브 동작을 위한 서브 신호(SS)를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 신호 경로(SSP)를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1, 제2 및 제3 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제4 노말 입출력 단자(TN4)는 서브 입출력 단자로 칭할 수 있다. 또한 제1, 제2 및 제3 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제4 변환 유닛(CU4)은 서브 변환 유닛으로 칭할 수 있다.The
상기 메인 동작은 서브 시스템의 고유 기능을 수행하기 위해 반드시 수행되어야 하는 동작을 나타내고, 서브 동작은 상기 메인 동작에 영향이 없거나 미미한 영향을 미치는 정도의 동작을 나타낸다. 예를 들어, 메모리 장치의 경우에, 상기 메인 동작은 기본적인 읽기 동작 및 쓰기 동작일 수 있고, 상기 서브 동작은 데이터 버스 인버전(DBI), 데이터 마스크(DM), 패러티 체크 등의 부수적인 기능을 수행하기 위한 동작들일 수 있다.The main operation indicates an operation that must be performed in order to perform a unique function of the subsystem, and the sub operation indicates an operation with no or insignificant influence on the main operation. For example, in the case of a memory device, the main operation may be a basic read operation and a write operation, and the sub operation performs ancillary functions such as data bus inversion (DBI), data mask (DM), and parity check. These may be actions to be performed.
도 20에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3, SSP)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1, 제2 및 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2, MSP3)을 통하여 전달되고 서브 신호(SS)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 20 shows signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, MSP3, and SSP. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , and MS3 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 , MSP2 , and MSP3 . and the sub-signal SS may be transmitted through the sub-signal path SSP.
도 21a 및 21b는 도 20의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.21A and 21B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 20 .
예를 들어, 도 21a에 도시된 바와 같이, 제1 메인 신호 경로(MSP1)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 리페어 신호 경로(RSP)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 제3 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달되고, 서브 신호(SS)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다. 모드 신호(MD)는 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타내도록 논리 로우 레벨(L)을 가질 수 있다. 제1 경로 선택 신호(PSL1)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제1, 변환 유닛(CU1)은 단자 '3'을 선택할 수 있다. 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL2, PSL3, PSL4)은 모두 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 제2, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU2, CU3, CU4)은 모두 단자 '1'을 선택할 수 있다. For example, as shown in FIG. 21A , the first main signal path MSP1 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the repair signal path RSP, the second main signal MS2 is transmitted through the second main signal path MSP2, and the third main signal MS3 may be transmitted through the third signal path MSP3, and the sub-signal SS may be transmitted through the sub-signal path SSP. The mode signal MD may have a logic low level L to indicate the second repair mode using the repair signal path. The first path selection signal PSL1 may be activated to a logic high level H, and the first conversion unit CU1 may select the terminal '3'. All of the second, third, and fourth path selection signals PSL2, PSL3, and PSL4 maintain an inactive state at the logic low level L, and the second, third, and fourth conversion units CU2, CU3, CU4) can all select terminal '1'.
결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3) 및 서브 신호(SS)는 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)을 통하여 각각 전달될 수 있다.As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , MS3 and the sub-signal SS are the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. , ND4) can be transmitted respectively.
예를 들어, 도 21b에 도시된 바와 같이, 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 제1 메인 신호(MS1)는 제1 메인 신호 경로(MSP1)를 통하여 전달되고, 제2 메인 신호(MS2)는 리페어 신호 경로(RSP)를 통하여 전달되고, 제3 메인 신호(MS3)는 제3 메인 신호 경로(MSP3)를 통하여 전달되고, 서브 신호(SS)는 서브 신호 경로(SSP)를 통하여 전달될 수 있다. 모드 신호(MD)는 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타내도록 논리 로우 레벨(L)을 가질 수 있다. 제2 경로 선택 신호(PSL2)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제2 변환 유닛(CU2)은 단자 '3'을 선택할 수 있다. 제1, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL1, PSL3, PSL4)은 모두 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 제1, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU1, CU3, CU4)은 모두 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1, 제2, 제3 메인 신호들(MS1, MS2, MS3) 및 서브 신호(SS)는 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 21B , the second main signal path MSP2 may be a bad signal path. In this case, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP1 , the second main signal MS2 is transmitted through the repair signal path RSP, and the third main signal MS3 is transmitted through the repair signal path RSP. may be transmitted through the third main signal path MSP3, and the sub signal SS may be transmitted through the sub signal path SSP. The mode signal MD may have a logic low level L to indicate the second repair mode using the repair signal path. The second path selection signal PSL2 may be activated to a logic high level H, and the second conversion unit CU2 may select the terminal '3'. All of the first, third, and fourth path selection signals PSL1 , PSL3 and PSL4 maintain an inactive state at the logic low level L, and the first, third, and fourth conversion units CU1, CU3, CU4) can all select terminal '1'. As a result, the first, second, and third main signals MS1 , MS2 , MS3 and the sub-signal SS are the input/output nodes ND1 , ND2 , and ND3 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. , ND4) can be transmitted respectively.
도 21a 및 도 21b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하는 제2 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 리페어 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 14의 경로 변환 회로(302)를 포함하는 리페어 회로는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN1, TN2, TN3, TN4) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 리페어 입출력 단자(TR)를 이용하여 리페어할 수 있다. 서브 신호(SS)의 전송은 유지되고 서브 신호(SS)를 이용한 서브 동작도 수행 가능하다. 블록 제어 신호(BLK)는 예를 들어 논리 로우 레벨(L)로 비활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU4)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND4)는 전기적으로 연결될 수 있다.21A and 21B , in the second repair mode supporting the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the repair signal path. The repair circuit including the
도 22는 도 14의 경로 변환 회로에 경로 선택 신호들을 제공하기 위한 리페어 제어부의 일 실시예를 나타내는 도면이고, 도 23은 도 14의 경로 변환 회로를 포함하는 리페어 회로의 전체적인 동작을 설명하기 위한 도면이다.22 is a diagram illustrating an embodiment of a repair control unit for providing path selection signals to the path converting circuit of FIG. 14 , and FIG. 23 is a view for explaining the overall operation of the repair circuit including the path converting circuit of FIG. 14 am.
불량 정보 신호(FLI)는 노말 신호 경로들에 각각 상응하는 복수의 비트 신호들(FLI1, FLI2, FLI3, FLI4)을 포함할 수 있다. 도 22 및 도 23에서, 비트 신호들(FLI1, FLI2, FLI3, FLI4)은 논리 로우 레벨(L)일 때 상응하는 노말 신호 경로가 불량이 아님을 나타내고 논리 하이 레벨(H)일 때 상응하는 노말 신호 경로가 불량임을 나타낼 수 있다. 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)은 논리 로우 레벨(L)일 때 상응하는 변환 유닛이 단자 '1'을 선택하고 논리 하이 레벨(H)일 때 모드 신호(MD)의 논리 레벨에 따라서 상응하는 변환 유닛이 단자 '2' 또는 단자 '3'을 선택할 수 있다. 모드 신호(MD)는 논리 하이 레벨(H)일 때 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타내고, 논리 로우 레벨(L)일 때 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타낼 수 있다. 도 23에서 제1 내지 제5 케이스들은 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타내고, 제6 내지 제10 케이스들은 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타낸다. The bad information signal FLI may include a plurality of bit signals FLI1 , FLI2 , FLI3 , and FLI4 respectively corresponding to normal signal paths. 22 and 23 , bit signals FLI1 , FLI2 , FLI3 , FLI4 indicate that the corresponding normal signal path is not bad when the logic low level (L) and the corresponding normal when the logic high level (H). It may indicate that the signal path is bad. The path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4 are at the logic low level L when the corresponding conversion unit selects the terminal '1' and the logic level of the mode signal MD when the logic high level H. Accordingly, the corresponding conversion unit can select either terminal '2' or terminal '3'. The mode signal MD may indicate a first repair mode in which the repair signal path is not used when the logic high level (H) and the second repair mode using the repair signal path when the logic low level (L). . In FIG. 23 ,
이와 같은, 신호들의 논리 레벨에 대한 정의는 설명의 편의를 위한 예시적인 것이며, 신호들의 논리 레벨은 회로 구성에 따라서 다양하게 정의될 수 있다.The definition of the logic level of the signals is an example for convenience of description, and the logic level of the signals may be defined in various ways according to the circuit configuration.
도 22를 참조하면, 리페어 제어부(202)는 제1, 제2, 제3 및 제4 버퍼들(221, 222, 223, 224), 논리합 게이트(225)와 논리곱 게이트(226)를 포함할 수 있다. 제1 버퍼(221)는 제1 비트 신호(FLI1)를 버퍼링하여 제1 경로 선택 신호(PSL1)를 발생한다. 제2 버퍼(222)는 불량 정보 신호(FLI)의 제2 비트 신호(FLI2)를 버퍼링하여 제2 경로 선택 신호(PSL2)를 발생한다. 제3 버퍼(223)는 불량 정보 신호(FLI)의 제3 비트 신호(FLI3)를 버퍼링하여 제3 경로 선택 신호(PSL3)를 발생한다. 제4 버퍼(224)는 불량 정보 신호(FLI)의 제4 비트 신호(FLI4)를 버퍼링하여 제4 경로 선택 신호(PSL4)를 발생한다. 논리합 게이트(225)는 제1, 제2, 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)을 논리합 연산하여 출력한다. 논리곱 게이트(226)는 논리합 게이트(225)의 출력 및 모드 신호(MD)를 논리곱 연산하여 블록 제어 신호(BLK)를 발생한다. 다른 실시예에서, 버퍼들(221, 222, 223, 224)이 생략되고 불량 정보 신호(FLI)의 제1, 제2, 제3 및 제4 비트 신호들(FLI1, FLI2, FLI3, FLI4)이 그대로 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)로서 제공될 수 있다.Referring to FIG. 22 , the
도 23을 참조하면, 도 22의 구성에 의하여, 불량 신호 경로에 상응하는 비트 신호(FLIi)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면, 상응하는 경로 선택 신호(PSLi)만이 논리 하이 레벨(H)로 활성화된다. 제1 비트 신호(FLI1)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제1 경로 선택 신호(PSL1)만이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제2 비트 신호(FLI2)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제2 경로 선택 신호(PSL2)이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제3 비트 신호(FLI3)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제3 경로 선택 신호(PSL3)만이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제4 비트 신호(FLI4)가 논리 하이 레벨(H)로 활성화되면 제4 경로 선택 신호(PSL4)만이 논리 하이 레벨(H)로 활성화된다. 이와 같은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)을 이용하여 불량 신호 경로가 발생한 경우 모드 신호(MD)의 논리 레벨에 따라서 각 신호 경로를 서브 신호 경로 또는 리페어 신호 경로로 대체하는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 23 , according to the configuration of FIG. 22 , when the bit signal FLIi corresponding to the bad signal path is activated to the logic high level H, only the corresponding path selection signal PSLi has the logic high level H. is activated with When the first bit signal FLI1 is activated to the logic high level H, only the first path selection signal PSL1 is activated to the logic high level H, and the second bit signal FLI2 is activated to the logic high level H When activated as , the second path selection signal PSL2 is activated to a logic high level H, and when the third bit signal FLI3 is activated to a logic high level H, only the third path selection signal PSL3 is activated to a logic high level H. When the level H is activated and the fourth bit signal FLI4 is activated at the logic high level H, only the fourth path selection signal PSL4 is activated at the logic high level H. When a bad signal path occurs using the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4, the multiplexing repair replaces each signal path with a sub signal path or a repair signal path according to the logic level of the mode signal MD. action can be performed.
블록 제어 신호(BLK)는 적어도 하나의 불량 신호 경로가 존재하여 논리합 게이트(225)의 출력이 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 모드 신호(MD)가 논리 하이 레벨(H)로서 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타낼 때 논리 하이 레벨(H)을 갖는다. 그 밖의 경우에는 블록 제어 신호(BLK)는 논리 로우 레벨(L)을 갖는다.At least one bad signal path exists in the block control signal BLK so that the output of the
이와 같이, 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON), 즉 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4) 및 블록 제어 신호(BLK)를 발생할 수 있다. 경로 제어 신호(PCON)를 이용하여, 도 18, 19a 및 19b를 참조하여 설명한 바와 같이 리페어 신호 경로를 사용하지 않는 제1 리페어 모드에서 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하거나, 또는 도 20, 21a 및 21b를 참조하여 설명한 바와 같이 리페어 신호 경로를 사용하는 제2 리페어 모드에서 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행할 수 있다.In this way, the path control signal PCON, that is, the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4, and the block control signal BLK may be generated based on the mode signal MD and the failure information signal FLI. . Using the path control signal PCON, the multiplexing repair operation is performed in the first repair mode that does not use the repair signal path as described with reference to FIGS. 18, 19A and 19B, or see FIGS. 20, 21A and 21B As described above, the multiplexing repair operation may be performed in the second repair mode using the repair signal path.
도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.24 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
도 24를 참조하면, 경로 변환 회로(302)는 복수의 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4) 및 초기화 회로(325)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 24 , the
전술한 바와 같이, 변환 유닛들(CU1, CU2, CU3, CU4)은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND1, ND2, ND3, ND4)의 각각 및 입출력 단자부(32)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행한다. As described above, the conversion units CU1, CU2, CU3, and CU4 are input/output nodes ND1, ND2, ND3, ND4 of the internal circuit in response to each of the path selection signals PSL1, PSL2, PSL3, and PSL4. ) and performing a multiplexing repair operation for respectively controlling electrical connections between two or more input/output terminals of the input/
초기화 회로(325)는 리페어 입출력 단자(TR)에 연결되고, 모드 신호(MD)에 응답하여 초기화 전압(VINT)을 리페어 입출력 단자(TR)에 인가할 수 있다. 예를 들어, 초기화 회로(325)는 엔모스 트랜지스터를 포함할 수 있다. 이 경우 모드 신호(MD)가 논리 하이 레벨(H)을 갖고 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드를 나타낼 때, 상기 엔모스 트랜지스터가 턴온되어 초기화 전압(VINT)이 리페어 입출력 단자(TR)에 인가될 수 있다. 반면에 모드 신호(MD)가 논리 로우 레벨(L)을 갖고 리페어 신호 경로 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드를 나타낼 때, 상기 엔모스 트랜지스터가 턴오프되어 리페어 입출력 단자(TR)에 초기화 전압(VINT)이 인가되는 것을 차단할 수 있다.The
종래에는 리페어 신호 경로의 플로팅 상태 문제로 인하여 리페어 신호 경로를 지원하는 경우와 지원하지 않는 경우를 분리하여 시스템을 구현해야 하였다. 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)의 초기 상태를 잡아주는 초기화 회로를 사용하여 다양한 리페어 방식을 선택적으로 적용할 수 있는 통합적인 시스템을 구현할 수 있다.Conventionally, due to the problem of the floating state of the repair signal path, it is necessary to implement a system by separating the case in which the repair signal path is supported and the case in which the repair signal path is not supported. According to embodiments of the present invention, it is possible to implement an integrated system that can selectively apply various repair methods by using an initialization circuit that holds the initial state of the repair input/output terminal TR.
도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.25 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
도 25를 참조하면, 경로 변환 회로(303)는 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)의 각각 및 입출력 단자부(33)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11, CU12, CU21, CU22)(331, 332, 333, 334)을 포함할 수 있다. 도 25에는 편의상 제1 내지 제4 변환 유닛들(331, 332, 333, 334)이 도시되어 있으나, 변환 유닛들 및 입출력 단자들의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.Referring to FIG. 25 , the
노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22)은 복수의 그룹들로 그룹화될 수 있고, 상기 그룹들의 각각에 대하여 적어도 하나의 리페어 입출력 단자가 독립적으로 할당될 수 있다. 예를 들어, 도 25에 도시된 바와 같이, 제1 그룹은 제1 및 제2 노말 입출력 단자들(TN11, TN12)을 포함하고 제1 리페어 입출력 단자(TR1)이 제1 그룹에 할당되고, 제2 그룹은 제3 및 제4 노말 입출력 단자들(TN21, TN22)을 포함하고 제2 리페어 입출력 단자(TR2)가 제2 그룹에 할당될 수 있다. The normal input/output terminals TN11, TN12, TN21, and TN22 may be grouped into a plurality of groups, and at least one repair input/output terminal may be independently allocated to each of the groups. For example, as shown in FIG. 25 , the first group includes first and second normal input/output terminals TN11 and TN12 , and the first repair input/output terminal TR1 is allocated to the first group, The second group may include the third and fourth normal input/output terminals TN21 and TN22 , and the second repair input/output terminal TR2 may be allocated to the second group.
전술한 바와 같이, 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22)은 도 1의 내부 회로(20)의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 내부 회로(20)의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도25의 구성에서 제1, 제3 노말 입출력 단자들(TN11, TN21)은 메인 입출력 단자들이고, 제2 및 4 노말 입출력 단자들(TN12, TN22)는 서브 입출력 단자일 수 있다.As described above, the normal input/output terminals TN11 , TN12 , TN21 , and TN22 are main input/output terminals for transmitting main signals for the main operation of the
변환 유닛들(331, 332, 333, 334) 중 메인 입출력 단자들(TN11, TN21)에 상응하는 메인 변환 유닛들(331,333)의 각각은 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22) 중에서 상응하는 노말 입출력 단자 및 인접한 노말 입출력 단자에 연결될 수 있다. 즉 제1 변환 유닛(331)은 제1 노말 입출력 단자(TN11) 및 제2 노말 입출력 단자(TN12)에 연결되고, 제3 변환 유닛(333)은 제3 노말 입출력 단자(TN21) 및 제4 노말 입출력 단자(TN22)에 연결될 수 있다.Each of the
변환 유닛들(331, 332, 333, 334) 중 서브 입출력 단자들(TN12, TN22)에 상응하는 서브 변환 유닛들(332, 334)은 상응하는 노말 입출력 단자 및 상응하는 그룹의 리페어 입출력 단자에 연결될 수 있다. 즉 제2 변환 유닛(332)은 제2 노말 입출력 단자(TN12) 및 제1 리페어 입출력 단자(TR1)에 연결되고, 제4 변환 유닛(334)은 제4 노말 입출력 단자(TN22) 및 제2 리페어 입출력 단자(TR2)에 연결될 수 있다.The
전술한 바와 같이, 도 2의 리페어 제어부(200)는 쉬프팅 리페어 동작을 수행하도록 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 논리 레벨들을 제어할 수 있고, 변환 유닛들(331, 332, 333, 334)의 각각은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각의 논리 레벨에 따라서 두 개의 입출력 단자들 중 하나에 선택적으로 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨)로 비활성화되는 경우에는 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 상응하는 입출력 단자에 연결되고, 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨)로 활성화되는 경우에는 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)은 인접한 입출력 단자에 연결될 수 있다.As described above, the
도 26은 도 25의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.26 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 25 and not supporting a repair signal path.
도 26을 참조하면, 시스템(53a)은 제1 서브 시스템(13), 제2 서브 시스템(63a) 및 제1 서브 시스템(13)과 제2 서브 시스템(63a)을 연결하는 신호 경로부(43a)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 26 , the
제1 서브 시스템(13)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)을 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(13)은 입출력 단자부(33), 리페어 제어부(RC)(203) 및 경로 변환 회로(303)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(13)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(33)는 제1 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN11, TN12), 제2 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN21, TN22) 및 제1 및 제3 그룹들에 대하여 각각 독립적으로 할당된 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)을 포함한다. 리페어 제어부(203)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(303)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(33)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 25를 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(303)는 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)의 각각 및 입출력 단자부(33)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11, CU12, CU21, CU22)을 포함할 수 있다.As described above with reference to FIG. 25 , the
제2 서브 시스템(63a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(63a)은 입출력 단자부(73a), 리페어 제어부(RCa)(83a) 및 경로 변환 회로(93a)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(63a)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(73a)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN11a, TN12a, TN21a, TN22a)만을 포함하고 리페어 입출력 단자들을 포함하지 않는다. 리페어 제어부(83a)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONa)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(93a)는 경로 제어 신호(PCONa)에 응답하여 입출력 단자부(73a)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제1 서브 시스템(13)의 경로 변환 회로(303)와 유사하게, 제2 서브 시스템(63a)의 경로 변환 회로(93a)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(73a)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11a, CU12a, CU21a, CU22a)을 포함할 수 있다. 다만 입출력 단자부(73a)가 리페어 입출력 단자들을 포함하지 않기 때문에 각 그룹의 마지막 변환 유닛들(CU12a, CU22a)은 내부 회로의 입출력 노드들과 상응하는 입출력 단자(TN12a, TN22a) 사이의 전기적 연결을 각각 제어할 수 있다.Similar to the
제2 서브 시스템(63a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(63a)의 리페어 제어부(83a)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(13)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(63a)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(43a)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)을 포함하고, 리페어 신호 경로들을 포함하지 않을 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)은 제1 서브 시스템(13)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2) 및 제1 서브 시스템(13)의 서브 동작을 위한 서브 신호들(SS1, SS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1 및 제3 노말 입출력 단자들(TN11, TN21)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 노말 입출력 단자들(TN12, TN22)은 서브 입출력 단자들로 칭할 수 있다. 또한 제1 및 제3 변환 유닛들(CU11, CU21)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)은 서브 변환 유닛들로 칭할 수 있다.The
도 26에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2)을 통하여 전달되고 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 상응하는 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 26 shows signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, SSP1, and SSP2. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first and second main signals MS1 and MS2 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2, and the first and second sub signals are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2. Signals SS1 and SS2 may be transmitted through corresponding sub-signal paths SSP1 and SSP2.
도 27a 및 27b는 도 26의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.27A and 27B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 26 .
예를 들어, 도 27a에 도시된 바와 같이, 제2 그룹에 속하는 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 불량 신호 경로를 포함하지 않는 제1 그룹에 대해서는, 제1 메인 신호(MS1)는 제1 메인 신호 경로(MSP1)를 통하여 전달되고, 제1 서브 신호(SS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달될 수 있다. 불량 신호 경로를 포함하는 제2 그룹에 대해서는, 제2 메인 신호(MS2)는 제2 서브 신호 경로(SSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1 및 제2 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12)은 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제1 및 제2 변환 유닛들(CU11, CU12)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL21, PSL33)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU21, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND21)을 통하여 각각 전달될 수 있다. 제1 서브 신호(SS1)는 불량 신호 경로가 포함되지 않은 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드(ND12)를 통하여 전달될 수 있지만, 제2 서브 신호(SS2)의 전송은 중지되고 제2 서브 신호(SS2)를 이용한 서브 동작은 중단된다. 제1 블록 제어 신호(BLK1)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 변환 유닛(CU12)과 내부 회로의 제2 입출력 노드(ND12)는 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 블록 제어 신호(BLK2)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU22)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND22) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.For example, as shown in FIG. 27A , the second main signal path MSP2 belonging to the second group may be a bad signal path. In this case, for the first group not including the bad signal path, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP1, and the first sub signal SS1 is the first sub signal path. (SSP1). For the second group including the bad signal path, the second main signal MS2 may be transmitted through the second sub signal path SSP2. The first and second path selection signals PSL11 and PSL12 maintain an inactive state at a logic low level L, and the first and second conversion units CU11 and CU12 may select the terminal '1'. have. The third and fourth path selection signals PSL21 and PSL33 may be activated to a logic high level H, and the third and fourth conversion units CU21 and CU22 may select the terminal '2'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 may be respectively transmitted through the input/output nodes ND11 and ND21 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. The first sub-signal SS1 may be transmitted through the input/output node ND12 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included, but the transmission of the second sub-signal SS2 is stopped and the second sub-signal ( The sub operation using SS2) is stopped. The first block control signal BLK1 maintains an inactive state at the logic low level L, and the second conversion unit CU12 corresponding to the sub conversion unit and the second input/output node ND12 of the internal circuit are electrically connected. can The second block control signal BLK2 is activated to a logic high level H, and the electrical connection between the fourth conversion unit CU22 corresponding to the sub conversion unit and the fourth input/output node ND22 of the internal circuit is blocked or may be disabled.
예를 들어, 도 27b에 도시된 바와 같이, 제1 그룹에 속하는 제1 메인 신호 경로(MSP1) 및 제2 그룹에 속하는 제2 서브 신호 경로(SSP2)가 불량 신호 경로들일 수 있다. 이 경우, 제1 그룹에 대해서 제1 메인 신호(MS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달되고, 제2 그룹에 대해서 제2 메인 신호(MS2)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1, 제2 및 제4 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL22)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제1, 제2 및 제4 변환 유닛들(CU11, CU12, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 제3 경로 선택 신호(PSL21)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제3 변환 유닛(CU21)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND21)을 통하여 각각 전달될 수 있다. 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)의 전송은 중지되고 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)을 이용한 서브 동작들은 중단된다. 제1 및 제2 블록 제어 신호들(BLK1, BLK2)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)과 내부 회로의 제2 및 제4 입출력 노드들(ND12, ND22) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.For example, as shown in FIG. 27B , the first main signal path MSP1 belonging to the first group and the second sub signal path SSP2 belonging to the second group may be bad signal paths. In this case, for the first group, the first main signal MS1 is transmitted through the first sub-signal path SSP1, and for the second group, the second main signal MS2 is transmitted through the second main signal path MSP2. can be transmitted through The first, second and fourth path selection signals PSL11, PSL12, and PSL22 are activated to a logic high level H, and the first, second and fourth conversion units CU11, CU12, CU22 are connected to the terminal ' 2' can be selected. The third path selection signal PSL21 may maintain a deactivated state at the logic low level L, and the third conversion unit CU21 may select the terminal '1'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 may be respectively transmitted through the input/output nodes ND11 and ND21 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. Transmission of the first and second sub-signals SS1 and SS2 is stopped, and sub-operations using the first and second sub-signals SS1 and SS2 are stopped. The first and second block control signals BLK1 and BLK2 are activated to a logic high level H, and the second and fourth conversion units CU12 and CU22 corresponding to the sub conversion unit and the second and second blocks of the internal circuit An electrical connection between the fourth input/output nodes ND12 and ND22 may be blocked or disabled.
도 27a 및 도 27b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 제1 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 서브 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 25의 경로 변환 회로(303)를 포함하는 리페어 회로는 각 그룹에 대하여 쉬프팅 리페어 동작을 수행함으로써 메인 입출력 단자들(TN11, TN21) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 서브 입출력 단자들(TN12, TN22)를 이용하여 리페어할 수 있다.27A and 27B , in the first repair mode that does not support the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the sub signal path. The repair circuit including the
도 28은 도 25의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.28 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 25 and supporting a repair signal path.
도 28을 참조하면, 시스템(53b)은 제1 서브 시스템(13), 제2 서브 시스템(63b) 및 제1 서브 시스템(13)과 제2 서브 시스템(63b)을 연결하는 신호 경로부(43b)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 28 , the
제1 서브 시스템(13)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)을 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)을 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(13)은 입출력 단자부(33), 리페어 제어부(RC)(203) 및 경로 변환 회로(303)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(13)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(33)는 제1 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN11, TN12), 제2 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN21, TN22) 및 제1 및 제2 그룹들에 대하여 각각 독립적으로 할당된 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)을 포함한다. 리페어 제어부(203)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(303)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(33)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 25를 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(303)는 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)의 각각 및 입출력 단자부(33)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11, CU12, CU21, CU22)을 포함할 수 있다.As described above with reference to FIG. 25 , the
제2 서브 시스템(63b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(63b)은 입출력 단자부(73b), 리페어 제어부(RCa)(83b) 및 경로 변환 회로(93b)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(63b)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(73b)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN11b, TN12b, TN21b, TN22b) 및 리페어 입출력 단자들(TR1b, TT2b)을 포함한다. 리페어 제어부(83b)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONb)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(93b)는 경로 제어 신호(PCONb)에 응답하여 입출력 단자부(73b)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/output terminal unit 73b includes a plurality of normal input/output terminals TN11b, TN12b, TN21b, and TN22b and repair input/output terminals TR1b and TT2b. The
제1 서브 시스템(13)의 경로 변환 회로(303)와 유사하게, 제2 서브 시스템(63b)의 경로 변환 회로(93b)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(73b)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11b, CU12b, CU21b, CU22b)을 포함할 수 있다. Similar to the
제2 서브 시스템(63b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(63b)의 리페어 제어부(83b)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(13)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(63b)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(43b)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2) 및 리페어 신호 경로들(RSP1, RSP2)을 포함할 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)은 제1 서브 시스템(13)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2) 및 제1 서브 시스템(13)의 서브 동작을 위한 서브 신호들(SS1, SS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1 및 제3 노말 입출력 단자들(TN11, TN21)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 노말 입출력 단자들(TN12, TN22)은 서브 입출력 단자들로 칭할 수 있다. 또한 제1 및 제3 변환 유닛들(CU11, CU21)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)은 서브 변환 유닛들로 칭할 수 있다.The
도 28에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2)을 통하여 전달되고 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 상응하는 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 28 shows signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, SSP1, and SSP2. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first and second main signals MS1 and MS2 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2, and the first and second sub signals are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2. Signals SS1 and SS2 may be transmitted through corresponding sub-signal paths SSP1 and SSP2.
도 29a 및 29b는 도 28의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.29A and 29B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 28 .
예를 들어, 도 29a에 도시된 바와 같이, 제2 그룹에 속하는 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 불량 신호 경로를 포함하지 않는 제1 그룹에 대해서는, 제1 메인 신호(MS1)는 제1 메인 신호 경로(MSP1)를 통하여 전달되고, 제1 서브 신호(SS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달될 수 있다. 불량 신호 경로를 포함하는 제2 그룹에 대해서는, 제2 메인 신호(MS2)는 제2 서브 신호 경로(SSP2)를 통하여 전달되고, 제2 서브 신호(SS2)는 제2 리페어 신호 경로(RSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1 및 제2 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12)은 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제1 및 제2 변환 유닛들(CU11, CU12)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL21, PSL22)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU21, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2) 및 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 29A , the second main signal path MSP2 belonging to the second group may be a bad signal path. In this case, for the first group not including the bad signal path, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP1, and the first sub signal SS1 is the first sub signal path. (SSP1). For the second group including the bad signal path, the second main signal MS2 is transmitted through the second sub-signal path SSP2, and the second sub-signal SS2 is transmitted through the second repair signal path RSP2. can be transmitted through The first and second path selection signals PSL11 and PSL12 maintain an inactive state at a logic low level L, and the first and second conversion units CU11 and CU12 may select the terminal '1'. have. The third and fourth path selection signals PSL21 and PSL22 may be activated to a logic high level H, and the third and fourth conversion units CU21 and CU22 may select the terminal '2'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 and the first and second sub-signals SS1 and SS2 are input/output nodes ND11, ND12, ND21, and ND22) respectively.
예를 들어, 도 29b에 도시된 바와 같이, 제1 그룹에 속하는 제1 메인 신호 경로(MSP1) 및 제2 그룹에 속하는 제2 서브 신호 경로(SSP2)가 불량 신호 경로들일 수 있다. 이 경우, 제1 그룹에 대해서 제1 메인 신호(MS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달되고 제1 서브 신호(SS1)는 제1 리페어 신호 경로(RSP1)를 통하여 전달되고, 제2 그룹에 대해서 제2 메인 신호(MS2)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달되고, 제2 서브 신호(SS2)는 제2 리페어 신호 경로(RSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1, 제2 및 제4 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL22)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제1, 제2 및 제4 변환 유닛들(CU11, CU12, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 제3 경로 선택 신호(PSL21)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제3 변환 유닛(CU21)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2) 및 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)을 통하여 각각 전달될 수 있다.For example, as shown in FIG. 29B , the first main signal path MSP1 belonging to the first group and the second sub signal path SSP2 belonging to the second group may be bad signal paths. In this case, for the first group, the first main signal MS1 is transmitted through the first sub-signal path SSP1 and the first sub-signal SS1 is transmitted through the first repair signal path RSP1, For the two groups, the second main signal MS2 may be transmitted through the second main signal path MSP2 , and the second sub-signal SS2 may be transmitted through the second repair signal path RSP2 . The first, second and fourth path selection signals PSL11, PSL12, and PSL22 are activated to a logic high level H, and the first, second and fourth conversion units CU11, CU12, CU22 are connected to the terminal ' 2' can be selected. The third path selection signal PSL21 may maintain a deactivated state at the logic low level L, and the third conversion unit CU21 may select the terminal '1'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 and the first and second sub-signals SS1 and SS2 are input/output nodes ND11, ND12, ND21, and ND22) respectively.
도 29a 및 도 29b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하는 제2 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 그룹들의 각각에 할당된 리페어 신호 경로들을 이용하여 리페어될 수 있다. 도 25의 경로 변환 회로(303)를 포함하는 리페어 회로는 각 그룹에 대하여 쉬프팅 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자들을 리페어 입출력 단자들(TR1, TR2)를 이용하여 리페어할 수 있다. 서브 신호들(SS1, SS2)의 전송은 유지되고 서브 신호들(SS1, SS2)을 이용한 서브 동작들도 수행 가능하다. 제1 및 제2 블록 제어 신호들(BLK1, BLK2)는 예를 들어 논리 로우 레벨(L)로 비활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 및 제4 변환 유닛들(CU12, CU22)과 내부 회로의 제2 및 제4 입출력 노드들(ND12, ND22)은 각각 전기적으로 연결될 수 있다.29A and 29B , in the second repair mode supporting the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the repair signal paths allocated to each of the groups. The repair circuit including the
도 30은 본 발명의 실시예들에 따른 쉬프팅 리페어 동작을 수행하는 경로 변환 회로를 나타내는 블록도이다.30 is a block diagram illustrating a path conversion circuit performing a shifting repair operation according to embodiments of the present invention.
도 30을 참조하면, 경로 변환 회로(304)는 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)의 각각 및 입출력 단자부(34)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11, CU12, CU21, CU22)(341, 342, 343, 344)을 포함할 수 있다. 도 30에는 편의상 제1 내지 제4 변환 유닛들(341, 342, 343, 344)이 도시되어 있으나, 변환 유닛들 및 입출력 단자들의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.Referring to FIG. 30 , the
노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22)은 복수의 그룹들로 그룹화될 수 있고, 상기 그룹들에 대하여 적어도 하나의 리페어 입출력 단자가 공통으로 할당될 수 있다. 예를 들어, 도 30에 도시된 바와 같이, 제1 그룹은 제1 및 제2 노말 입출력 단자들(TN11, TN12)을 포함하고, 제2 그룹은 제3 및 제4 노말 입출력 단자들(TN21, TN22)을 포함하고 리페어 입출력 단자(TR)가 제2 그룹 및 제2 그룹에 공통으로 할당될 수 있다.The normal input/output terminals TN11 , TN12 , TN21 , and TN22 may be grouped into a plurality of groups, and at least one repair input/output terminal may be commonly assigned to the groups. For example, as shown in FIG. 30 , the first group includes first and second normal input/output terminals TN11 and TN12, and the second group includes third and fourth normal input/output terminals TN21 and TN12. TN22), and the repair input/output terminal TR may be commonly allocated to the second group and the second group.
전술한 바와 같이, 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22)은 도 1의 내부 회로(20)의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 내부 회로(20)의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도30의 구성에서 제1, 제3 노말 입출력 단자들(TN11, TN21)은 메인 입출력 단자들이고, 제2 및 4 노말 입출력 단자들(TN12, TN22)는 서브 입출력 단자일 수 있다.As described above, the normal input/output terminals TN11 , TN12 , TN21 , and TN22 are main input/output terminals for transmitting main signals for the main operation of the
변환 유닛들(341, 342, 343, 344) 중 메인 입출력 단자들(TN11, TN21)에 상응하는 메인 변환 유닛들(341,343)의 각각은 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22) 중에서 상응하는 노말 입출력 단자 및 인접한 노말 입출력 단자에 연결될 수 있다. 즉 제1 변환 유닛(341)은 제1 노말 입출력 단자(TN11) 및 제2 노말 입출력 단자(TN12)에 연결되고, 제3 변환 유닛(343)은 제3 노말 입출력 단자(TN21) 및 제4 노말 입출력 단자(TN22)에 연결될 수 있다.Each of the
변환 유닛들(341, 342, 343, 344) 중 서브 입출력 단자들(TN12, TN22)에 상응하는 서브 변환 유닛들(342, 344)은 상응하는 노말 입출력 단자 및 공통 리페어 입출력 단자에 연결될 수 있다. 즉 제2 변환 유닛(342)은 제2 노말 입출력 단자(TN12) 및 리페어 입출력 단자(TR)에 연결되고, 제4 변환 유닛(344)은 제4 노말 입출력 단자(TN22) 및 공통 리페어 입출력 단자(TR)에 연결될 수 있다.Among the
전술한 바와 같이, 도 2의 리페어 제어부(200)는 쉬프팅 리페어 동작을 수행하도록 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 논리 레벨들을 제어할 수 있고, 변환 유닛들(341, 342, 343, 344)의 각각은 경로 선택 신호들(PSL1, PSL2, PSL3, PSL4)의 각각의 논리 레벨에 따라서 두 개의 입출력 단자들 중 하나에 선택적으로 연결될 수 있다. 경로 선택 신호(PSLi)가 제1 논리 레벨(예를 들어, 논리 로우 레벨)로 비활성화되는 경우에는 단자 '1'이 선택되어 변환 유닛(CUi)은 상응하는 입출력 단자에 연결되고, 경로 선택 신호(PSLi)가 제2 논리 레벨(예를 들어, 논리 하이 레벨)로 활성화되는 경우에는 단자 '2'가 선택되어 변환 유닛(CUi)은 인접한 입출력 단자에 연결될 수 있다.As described above, the
도 31은 도 30의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 시스템을 나타내는 블록도이다.31 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 30 and not supporting a repair signal path.
도 31을 참조하면, 시스템(54a)은 제1 서브 시스템(14), 제2 서브 시스템(64a) 및 제1 서브 시스템(14)과 제2 서브 시스템(64a)을 연결하는 신호 경로부(44a)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 31 , the
제1 서브 시스템(14)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(14)은 입출력 단자부(34), 리페어 제어부(RC)(204) 및 경로 변환 회로(304)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(14)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(34)는 제1 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN11, TN12), 제2 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN21, TN22) 및 제1 및 제2 그룹들에 대하여 공통으로 할당된 리페어 입출력 단자(TR)를 포함한다. 리페어 제어부(204)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(304)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(34)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 30을 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(304)는 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)의 각각 및 입출력 단자부(34)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11, CU12, CU21, CU22)을 포함할 수 있다.As described above with reference to FIG. 30 , the
제2 서브 시스템(64a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(64a)은 입출력 단자부(74a), 리페어 제어부(RCa)(84a) 및 경로 변환 회로(94a)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(64a)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(74a)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN11a, TN12a, TN21a, TN22a)만을 포함하고 리페어 입출력 단자들을 포함하지 않는다. 리페어 제어부(84a)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONa)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(94a)는 경로 제어 신호(PCONa)에 응답하여 입출력 단자부(74a)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제1 서브 시스템(14)의 경로 변환 회로(304)와 유사하게, 제2 서브 시스템(64a)의 경로 변환 회로(94a)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(74a)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11a, CU12a, CU21a, CU22a)을 포함할 수 있다. 다만 입출력 단자부(74a)가 리페어 입출력 단자들을 포함하지 않기 때문에 각 그룹의 마지막 변환 유닛들(CU12a, CU22a)은 내부 회로의 입출력 노드들과 상응하는 입출력 단자(TN12a, TN22a) 사이의 전기적 연결을 각각 제어할 수 있다.Similar to the
제2 서브 시스템(64a)은 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(64a)의 리페어 제어부(84a)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(14)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(64a)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(44a)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)을 포함하고, 리페어 신호 경로를 포함하지 않을 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)은 제1 서브 시스템(14)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2) 및 제1 서브 시스템(14)의 서브 동작을 위한 서브 신호들(SS1, SS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1 및 제3 노말 입출력 단자들(TN11, TN21)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 노말 입출력 단자들(TN12, TN22)은 서브 입출력 단자들로 칭할 수 있다. 또한 제1 및 제3 변환 유닛들(CU11, CU21)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)은 서브 변환 유닛들로 칭할 수 있다.The
도 31에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2)을 통하여 전달되고 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 상응하는 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 31 shows signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, SSP1, and SSP2. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first and second main signals MS1 and MS2 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2, and the first and second sub signals are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2. Signals SS1 and SS2 may be transmitted through corresponding sub-signal paths SSP1 and SSP2.
도 32a 및 32b는 도 31의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.32A and 32B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 31 .
예를 들어, 도 32a에 도시된 바와 같이, 제2 그룹에 속하는 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 불량 신호 경로를 포함하지 않는 제1 그룹에 대해서는, 제1 메인 신호(MS1)는 제1 메인 신호 경로(MSP1)를 통하여 전달되고, 제1 서브 신호(SS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달될 수 있다. 불량 신호 경로를 포함하는 제2 그룹에 대해서는, 제2 메인 신호(MS2)는 제2 서브 신호 경로(SSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1 및 제2 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12)은 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제1 및 제2 변환 유닛들(CU11, CU12)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL21, PSL33)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU21, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND21)을 통하여 각각 전달될 수 있다. 제1 서브 신호(SS1)는 불량 신호 경로가 포함되지 않은 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드(ND12)를 통하여 전달될 수 있지만, 제2 서브 신호(SS2)의 전송은 중지되고 제2 서브 신호(SS2)를 이용한 서브 동작은 중단된다. 제1 블록 제어 신호(BLK1)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 변환 유닛(CU12)과 내부 회로의 제2 입출력 노드(ND12)는 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 블록 제어 신호(BLK2)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU22)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND22) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.For example, as shown in FIG. 32A , the second main signal path MSP2 belonging to the second group may be a bad signal path. In this case, for the first group not including the bad signal path, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP1, and the first sub signal SS1 is the first sub signal path. (SSP1). For the second group including the bad signal path, the second main signal MS2 may be transmitted through the second sub signal path SSP2. The first and second path selection signals PSL11 and PSL12 maintain an inactive state at a logic low level L, and the first and second conversion units CU11 and CU12 may select the terminal '1'. have. The third and fourth path selection signals PSL21 and PSL33 may be activated to a logic high level H, and the third and fourth conversion units CU21 and CU22 may select the terminal '2'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 may be respectively transmitted through the input/output nodes ND11 and ND21 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. The first sub-signal SS1 may be transmitted through the input/output node ND12 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included, but the transmission of the second sub-signal SS2 is stopped and the second sub-signal ( The sub operation using SS2) is stopped. The first block control signal BLK1 maintains an inactive state at the logic low level L, and the second conversion unit CU12 corresponding to the sub conversion unit and the second input/output node ND12 of the internal circuit are electrically connected. can The second block control signal BLK2 is activated to a logic high level H, and the electrical connection between the fourth conversion unit CU22 corresponding to the sub conversion unit and the fourth input/output node ND22 of the internal circuit is blocked or may be disabled.
예를 들어, 도 32b에 도시된 바와 같이, 제1 그룹에 속하는 제1 메인 신호 경로(MSP1) 및 제2 그룹에 속하는 제2 서브 신호 경로(SSP2)가 불량 신호 경로들일 수 있다. 이 경우, 제1 그룹에 대해서 제1 메인 신호(MS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달되고, 제2 그룹에 대해서 제2 메인 신호(MS2)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1, 제2 및 제4 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL22)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제1, 제2 및 제4 변환 유닛들(CU11, CU12, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 제3 경로 선택 신호(PSL21)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제3 변환 유닛(CU21)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND21)을 통하여 각각 전달될 수 있다. 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)의 전송은 중지되고 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)을 이용한 서브 동작들은 중단된다. 제1 및 제2 블록 제어 신호들(BLK1, BLK2)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)과 내부 회로의 제2 및 제4 입출력 노드들(ND12, ND22) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.For example, as shown in FIG. 32B , the first main signal path MSP1 belonging to the first group and the second sub signal path SSP2 belonging to the second group may be bad signal paths. In this case, for the first group, the first main signal MS1 is transmitted through the first sub-signal path SSP1, and for the second group, the second main signal MS2 is transmitted through the second main signal path MSP2. can be transmitted through The first, second and fourth path selection signals PSL11, PSL12, and PSL22 are activated to a logic high level H, and the first, second and fourth conversion units CU11, CU12, CU22 are connected to the terminal ' 2' can be selected. The third path selection signal PSL21 may maintain a deactivated state at the logic low level L, and the third conversion unit CU21 may select the terminal '1'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 may be respectively transmitted through the input/output nodes ND11 and ND21 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. Transmission of the first and second sub-signals SS1 and SS2 is stopped, and sub-operations using the first and second sub-signals SS1 and SS2 are stopped. The first and second block control signals BLK1 and BLK2 are activated to a logic high level H, and the second and fourth conversion units CU12 and CU22 corresponding to the sub conversion unit and the second and second blocks of the internal circuit An electrical connection between the fourth input/output nodes ND12 and ND22 may be blocked or disabled.
도 32a 및 도 32b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 제1 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 서브 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 30의 경로 변환 회로(304)를 포함하는 리페어 회로는 각 그룹에 대하여 쉬프팅 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 서브 입출력 단자들(TN21 TN22)를 이용하여 리페어할 수 있다.32A and 32B , in the first repair mode that does not support the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the sub signal path. The repair circuit including the
도 33은 도 30의 경로 변환 회로를 포함하고 리페어 신호 경로를 지원하는 시스템을 나타내는 블록도이다.33 is a block diagram illustrating a system including the path conversion circuit of FIG. 30 and supporting a repair signal path.
도 33을 참조하면, 시스템(54b)은 제1 서브 시스템(14), 제2 서브 시스템(64b) 및 제1 서브 시스템(14)과 제2 서브 시스템(64b)을 연결하는 신호 경로부(44b)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 33 , the
제1 서브 시스템(14)은 본 발명의 실시예들에 따라서 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 리페어 입출력 단자(TR)를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작할 수 있는 구성을 갖는다. 제1 서브 시스템(14)은 입출력 단자부(34), 리페어 제어부(RC)(204) 및 경로 변환 회로(304)를 포함할 수 있다. 제1 서브 시스템(14)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(34)는 제1 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN11, TN12), 제2 그룹에 속하는 노말 입출력 단자들(TN21, TN22) 및 제1 및 제2 그룹들에 대하여 공통적으로 할당된 리페어 입출력 단자(TR)를 포함한다. 리페어 제어부(204)는 모드 신호(MD) 및 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCON)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(304)는 경로 제어 신호(PCON)에 응답하여 입출력 단자부(34)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
도 30을 참조하여 전술한 바와 같이, 경로 변환 회로(304)는 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL21, PSL22)의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)의 각각 및 입출력 단자부(34)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11, CU12, CU21, CU22)을 포함할 수 있다.As described above with reference to FIG. 30 , the
제2 서브 시스템(64b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성을 갖는다. 제2 서브 시스템(64b)은 입출력 단자부(74b), 리페어 제어부(RCa)(84b) 및 경로 변환 회로(94b)를 포함할 수 있다. 제2 서브 시스템(64b)의 내부 회로는 편의상 도시를 생략하였다. The
입출력 단자부(74b)는 복수의 노말 입출력 단자들(TN11b, TN12b, TN21b, TN22b) 및 공통 리페어 입출력 단자(TRb)를 포함한다. 리페어 제어부(84b)는 불량 정보 신호(FLI)에 기초하여 경로 제어 신호(PCONb)를 발생할 수 있다. 경로 변환 회로(94b)는 경로 제어 신호(PCONb)에 응답하여 입출력 단자부(74b)와 내부 회로 사이의 연결을 제어할 수 있다.The input/
제1 서브 시스템(14)의 경로 변환 회로(304)와 유사하게, 제2 서브 시스템(64b)의 경로 변환 회로(94b)는 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 내부 회로의 입출력 노드들의 각각 및 입출력 단자부(74b)의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들(CU11b, CU12b, CU21b, CU22b)을 포함할 수 있다. Similar to the
제2 서브 시스템(64b)은 리페어 신호 경로를 지원하는 구성으로 고정되어 있으므로 제2 서브 시스템(64b)의 리페어 제어부(84b)는 모드 신호(MD)를 수신하지 않을 수 있다. 제1 서브 시스템(14)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)와 제2 서브 시스템(64b)에 제공되는 불량 정보 신호(FLI)는 동일할 수 있다.Since the
신호 경로부(44b)는 복수의 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2) 및 리페어 신호 경로(RSP)를 포함할 수 있다. 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)은 제1 서브 시스템(14)의 메인 동작을 위한 메인 신호들(MS1, MS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2) 및 제1 서브 시스템(14)의 서브 동작을 위한 서브 신호들(SS1, SS2)을 전송하기 위한 제1 및 제2 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 제1 및 제3 노말 입출력 단자들(TN11, TN21)은 메인 입출력 단자들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 노말 입출력 단자들(TN12, TN22)은 서브 입출력 단자들로 칭할 수 있다. 또한 제1 및 제3 변환 유닛들(CU11, CU21)은 메인 변환 유닛들로 칭할 수 있고, 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)은 서브 변환 유닛들로 칭할 수 있다.The
도 33에는 노말 신호 경로들(MSP1, MSP2, SSP1, SSP2)에 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우의 신호 전달이 도시되어 있다. 즉 불량 신호 경로가 없는 경우에는 리페어 기능이 디스에이블되고, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 상응하는 메인 신호 경로들(MSP1, MSP2)을 통하여 전달되고 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 상응하는 서브 신호 경로들(SSP1, SSP2)를 통하여 전달될 수 있다.FIG. 33 shows signal transmission when the bad signal path is not included in the normal signal paths MSP1, MSP2, SSP1, and SSP2. That is, when there is no bad signal path, the repair function is disabled, and the first and second main signals MS1 and MS2 are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2, and the first and second sub signals are transmitted through the corresponding main signal paths MSP1 and MSP2. Signals SS1 and SS2 may be transmitted through corresponding sub-signal paths SSP1 and SSP2.
도 34a 및 34b는 도 33의 시스템의 리페어 동작을 설명하기 위한 도면들이다.34A and 34B are diagrams for explaining a repair operation of the system of FIG. 33 .
예를 들어, 도 34a에 도시된 바와 같이, 제2 그룹에 속하는 제2 메인 신호 경로(MSP2)가 불량 신호 경로일 수 있다. 이 경우, 불량 신호 경로를 포함하지 않는 제1 그룹에 대해서는, 제1 메인 신호(MS1)는 제1 메인 신호 경로(MSP1)를 통하여 전달되고, 제1 서브 신호(SS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달될 수 있다. 불량 신호 경로를 포함하는 제2 그룹에 대해서는, 제2 메인 신호(MS2)는 제2 서브 신호 경로(SSP2)를 통하여 전달되고, 제2 서브 신호(SS2)는 리페어 신호 경로(RSP)를 통하여 전달될 수 있다. 제1 및 제2 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12)은 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제1 및 제2 변환 유닛들(CU11, CU12)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 제3 및 제4 경로 선택 신호들(PSL21, PSL22)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 제3 및 제4 변환 유닛들(CU21, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2) 및 제1 및 제2 서브 신호들(SS1, SS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND12, ND21, ND22)을 통하여 각각 전달될 수 있다. 제1 및 제2 블록 제어 신호(BLK1, BLK2)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 및 제4 변환 유닛(CU12, CU22)과 내부 회로의 제2 및 제4 입출력 노드들(ND12, ND22)은 각각 전기적으로 연결될 수 있다.For example, as shown in FIG. 34A , the second main signal path MSP2 belonging to the second group may be a bad signal path. In this case, for the first group not including the bad signal path, the first main signal MS1 is transmitted through the first main signal path MSP1, and the first sub signal SS1 is the first sub signal path. (SSP1). For the second group including the bad signal path, the second main signal MS2 is transmitted through the second sub signal path SSP2 and the second sub signal SS2 is transmitted through the repair signal path RSP. can be The first and second path selection signals PSL11 and PSL12 maintain an inactive state at a logic low level L, and the first and second conversion units CU11 and CU12 may select the terminal '1'. have. The third and fourth path selection signals PSL21 and PSL22 may be activated to a logic high level H, and the third and fourth conversion units CU21 and CU22 may select the terminal '2'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 and the first and second sub-signals SS1 and SS2 are input/output nodes ND11, ND12, ND21, and ND22) respectively. The first and second block control signals BLK1 and BLK2 maintain an inactive state at a logic low level L, and the second and fourth conversion units CU12 and CU22 corresponding to the sub conversion unit and the second block of the internal circuit The second and fourth input/output nodes ND12 and ND22 may be electrically connected to each other.
예를 들어, 도 34b에 도시된 바와 같이, 제1 그룹에 속하는 제1 메인 신호 경로(MSP1) 및 제2 그룹에 속하는 제2 서브 신호 경로(SSP2)가 불량 신호 경로들일 수 있다. 이 경우, 제1 그룹에 대해서 제1 메인 신호(MS1)는 제1 서브 신호 경로(SSP1)를 통하여 전달되고 제1 서브 신호(SS1)는 리페어 신호 경로(RSP)를 통하여 전달되고, 제2 그룹에 대해서 제2 메인 신호(MS2)는 제2 메인 신호 경로(MSP2)를 통하여 전달될 수 있다. 제1, 제2 및 제4 경로 선택 신호들(PSL11, PSL12, PSL22)은 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고 제1, 제2 및 제4 변환 유닛들(CU11, CU12, CU22)은 단자 '2'를 선택할 수 있다. 제3 경로 선택 신호(PSL21)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고, 제3 변환 유닛(CU21)은 단자 '1'을 선택할 수 있다. 결과적으로, 제1 및 제2 메인 신호들(MS1, MS2)은 불량 신호 경로가 포함되지 않는 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드들(ND11, ND21)을 통하여 각각 전달될 수 있다. 제1 서브 신호(SS1)는 불량 신호 경로가 포함되지 않은 경우와 마찬가지로 내부 회로의 입출력 노드(ND12)를 통하여 전달될 수 있지만, 제2 서브 신호(SS2)의 전송은 중지되고 제2 서브 신호(SS2)를 이용한 서브 동작은 중단된다. 제1 블록 제어 신호(BLK1)는 논리 로우 레벨(L)로 비활성화된 상태를 유지하고 서브 변환 유닛에 해당하는 제2 변환 유닛(CU12)과 내부 회로의 제2 입출력 노드(ND12)는 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 블록 제어 신호(BLK2)는 논리 하이 레벨(H)로 활성화되고, 서브 변환 유닛에 해당하는 제4 변환 유닛(CU22)과 내부 회로의 제4 입출력 노드(ND22) 사이의 전기적 연결은 차단 또는 디스에이블될 수 있다.For example, as shown in FIG. 34B , the first main signal path MSP1 belonging to the first group and the second sub signal path SSP2 belonging to the second group may be bad signal paths. In this case, for the first group, the first main signal MS1 is transmitted through the first sub-signal path SSP1 and the first sub-signal SS1 is transmitted through the repair signal path RSP, and the second group For , the second main signal MS2 may be transmitted through the second main signal path MSP2. The first, second and fourth path selection signals PSL11, PSL12, and PSL22 are activated to a logic high level H, and the first, second and fourth conversion units CU11, CU12, CU22 are connected to the terminal ' 2' can be selected. The third path selection signal PSL21 may maintain a deactivated state at the logic low level L, and the third conversion unit CU21 may select the terminal '1'. As a result, the first and second main signals MS1 and MS2 may be respectively transmitted through the input/output nodes ND11 and ND21 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included. The first sub-signal SS1 may be transmitted through the input/output node ND12 of the internal circuit as in the case where the bad signal path is not included, but the transmission of the second sub-signal SS2 is stopped and the second sub-signal ( The sub operation using SS2) is stopped. The first block control signal BLK1 maintains an inactive state at the logic low level L, and the second conversion unit CU12 corresponding to the sub conversion unit and the second input/output node ND12 of the internal circuit are electrically connected. can The second block control signal BLK2 is activated to a logic high level H, and the electrical connection between the fourth conversion unit CU22 corresponding to the sub conversion unit and the fourth input/output node ND22 of the internal circuit is blocked or may be disabled.
도 34a 및 도 34b에 예시된 바와 같이, 리페어 신호 경로를 지원하는 제2 리페어 모드에서, 불량 신호 경로는 그룹들에 공통으로 할당된 리페어 신호 경로를 이용하여 리페어될 수 있다. 도 30의 경로 변환 회로(304)를 포함하는 리페어 회로는 각 그룹에 대하여 쉬프팅 리페어 동작을 수행함으로써 노말 입출력 단자들(TN11, TN12, TN21, TN22) 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자들을 리페어 입출력 단자(TR)를 이용하여 리페어할 수 있다.34A and 34B , in the second repair mode supporting the repair signal path, the bad signal path may be repaired using the repair signal path commonly allocated to the groups. The repair circuit including the
이상, 도 25 내지 34b를 참조하여 노말 입출력 단자들이 복수의 그룹들로 그룹화되는 경우에 대하여 도 3 내지 도 13을 참조하여 설명한 바와 같은 쉬프팅 리페어 동작이 적용되는 실시예들을 설명하였다. 유사한 방식으로 노말 입출력 단자들이 복수의 그룹들로 그룹화되는 경우에 대하여 도 14 내지 24를 참조하여 설명한 바와 같은 멀티플렉싱 리페어 동작이 적용될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the above, embodiments in which the shifting repair operation as described with reference to FIGS. 3 to 13 is applied to a case in which normal input/output terminals are grouped into a plurality of groups have been described with reference to FIGS. 25 to 34B. It will be appreciated that the multiplexing repair operation as described with reference to FIGS. 14 to 24 may be applied to a case in which normal input/output terminals are grouped into a plurality of groups in a similar manner.
도 35는 본 발명의 실시예들에 따른 리페어 회로를 포함하는 메모리 시스템을 나타내는 블록도이다.35 is a block diagram illustrating a memory system including a repair circuit according to embodiments of the present invention.
도 35를 참조하면, 메모리 시스템(400)은 메모리 콘트롤러(401) 및 메모리 장치(402)를 포함할 수 있다. 메모리 콘트롤러(401) 및 메모리 장치(402)의 각각의 고유 기능을 수행하는 내부 회로들은 편의상 도시를 생략하였다.Referring to FIG. 35 , the
메모리 콘트롤러(401) 및 메모리 장치(402)의 각각은 입출력 단자부들(IOPAD)을 포함하고 입출력 단자부들(IOPAD)을 연결하는 신호 경로들을 통하여 코맨드-어드레스 신호(CMD/ADD) 및 데이터(DATA)를 전달할 수 있다. 메모리 콘트롤러(401) 및 메모리 장치(402)은 입출력 단자부들(IOPAD)에 각각 연결된 리페어 회로들(REP) 또는 인터페이스 회로들을 각각 포함할 수 있다. 리페어 회로들(REP) 중 적어도 하나는 전술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따라서 서로 다른 리페어 방식을 채용하는 시스템들을 효율적으로 리페어할 수 적응적 리페어 회로일 수 있다. Each of the
메모리 콘트롤러(401)는 상기 불량 정보를 제공하는 빌트-인 셀프 테스트 회로(BIST)를 포함할 수 있다. 빌트-인 셀프 테스트 회로(BIST)는 메모리 시스템(400)의 재부팅시에 메모리 콘트롤러(401) 및 메모리 장치(402)를 연결하는 신호 경로들의 불량 여부를 테스트 하고 불량 정보를 제공할 수 있다. The
메모리 장치(402)는 에스피디(SPD: serial-presence detect) 장치 및/또는 모드 레지스터 세트(MRS: mode register set)를 포함할 수 있다. 메모리 장치(402)의 제품 정보는 메모리 장치, 메모리 모듈 등에 통상적으로 포함되는 에스피디 장치(SPD) 또는 이이피롬 (EEPROM: electrically-erasable-programmable read-only memory) 장치에 저장될 수 있다. 에스피디 장치(SPD)는 메모리 장치 또는 메모리 모듈의 다양한 속성들을 특징짓는 데이터를 저장할 수 있다. 예를 들어, 에스피디 장치(SPD)는 메모리 장치(402)가 지원하는 리페어 방식에 관한 정보를 저장하고, 에스피디 장치(SPD)는 메모리 시스템(400)의 메모리 콘트롤러(401) 또는 메모리 시스템(400)을 포함하는 컴퓨팅 시스템의 바이오스(BIOS: basic input-output system)로 상기 리페어 방식에 관한 정보를 제공할 수 있다. 빌트-인 셀프 테스트 회로(BIST)는 신호 경로들의 불량 정보를 메모리 콘트롤러(401)의 내부 제어 회로뿐만 아니라 메모리 장치(402)로 제공할 수 있고, 제공된 불량 정보는 모드 레지스터 세트(MRS)에 저장될 수 있다.The
도 36은 도 35의 메모리 시스템에 포함되는 메모리 장치의 내부 구성의 일 예를 나타내는 블록도이다.36 is a block diagram illustrating an example of an internal configuration of a memory device included in the memory system of FIG. 35 .
도 36을 참조하면, 메모리 장치의 내부 회로(403)는 제어 로직(410), 어드레스 레지스터(420), 뱅크 제어 로직(430), 로우 어드레스 멀티플렉서(440), 컬럼 어드레스 래치(450), 로우 디코더(460), 컬럼 디코더(470), 메모리 셀 어레이(480), 센스 앰프부(485), 입출력 게이팅 회로(490), 데이터 입출력 버퍼(495) 및 리프레쉬 카운터(445)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 36 , the
메모리 셀 어레이(480)는 복수의 뱅크 어레이들(480a~480h)을 포함할 수 있다. 로우 디코더(460)는 복수의 뱅크 어레이들(480a~480h)에 각각 연결된 복수의 뱅크 로우 디코더들(460a~460h)을 포함하고, 컬럼 디코더(470)는 복수의 뱅크 어레이들(480a~480h)에 각각 연결된 복수의 컬럼 디코더들(470a~470h)을 포함하며, 센스 앰프부(485)는 복수의 뱅크 어레이들(480a~480h)에 각각 연결된 복수의 센스 앰프들(485a~485h)을 포함할 수 있다.The
어드레스 레지스터(420)는 메모리 컨트롤러로부터 뱅크 어드레스(BANK_ADDR), 로우 어드레스(ROW_ADDR) 및 컬럼 어드레스(COL_ADDR)를 포함하는 어드레스 신호(ADD)를 수신할 수 있다. 어드레스 레지스터(420)는 수신된 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)를 뱅크 제어 로직(430)에 제공하고, 수신된 로우 어드레스(ROW_ADDR)를 로우 어드레스 멀티플렉서(440)에 제공하며, 수신된 컬럼 어드레스(COL_ADDR)를 컬럼 어드레스 래치(450)에 제공할 수 있다.The
뱅크 제어 로직(430)은 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 응답하여 뱅크 제어 신호들을 생성할 수 있다. 상기 뱅크 제어 신호들에 응답하여, 복수의 뱅크 로우 디코더들(460a~460h) 중 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 상응하는 뱅크 로우 디코더가 활성화되고, 복수의 뱅크 컬럼 디코더들(470a~470h) 중 뱅크 어드레스(BANK_ADDR)에 상응하는 뱅크 컬럼 디코더가 활성화될 수 있다.The
로우 어드레스 멀티플렉서(440)는 어드레스 레지스터(220)로부터 로우 어드레스(ROW_ADDR)를 수신하고, 리프레쉬 카운터(445)로부터 리프레쉬 로우 어드레스(REF_ADDR)를 수신할 수 있다. 로우 어드레스 멀티플렉서(440)는 로우 어드레스(ROW_ADDR) 또는 리프레쉬 로우 어드레스(REF_ADDR)를 로우 어드레스(RA)로서 선택적으로 출력할 수 있다. 로우 어드레스 멀티플렉서(440)로부터 출력된 로우 어드레스(RA)는 뱅크 로우 디코더들(460a~460h)에 각각 인가될 수 있다.The
뱅크 로우 디코더들(460a~460h) 중 뱅크 제어 로직(430)에 의해 활성화된 뱅크 로우 디코더는 로우 어드레스 멀티플렉서(440)로부터 출력된 로우 어드레스(RA)를 디코딩하여 상기 로우 어드레스에 상응하는 워드 라인을 활성화할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성화된 뱅크 로우 디코더는 로우 어드레스에 상응하는 워드 라인에 워드 라인 구동 전압을 인가할 수 있다.The bank row decoder activated by the
컬럼 어드레스 래치(450)는 어드레스 레지스터(420)로부터 컬럼 어드레스(COL_ADDR)를 수신하고, 수신된 컬럼 어드레스(COL_ADDR)를 일시적으로 저장할 수 있다. 또한, 컬럼 어드레스 래치(450)는, 버스트 모드(burst mode)에서, 수신된 컬럼 어드레스(COL_ADDR)를 점진적으로 증가시킬 수 있다. 컬럼 어드레스 래치(450)는 일시적으로 저장된 또는 점진적으로 증가된 컬럼 어드레스(COL_ADDR)를 뱅크 컬럼 디코더들(470a~470h)에 각각 인가할 수 있다.The
뱅크 컬럼 디코더들(470a~470h) 중 뱅크 제어 로직(430)에 의해 활성화된 뱅크 컬럼 디코더는 입출력 게이팅 회로(490)를 통하여 뱅크 어드레스(BANK_ADDR) 및 컬럼 어드레스(COL_ADDR)에 상응하는 센스 앰프를 활성화시킬 수 있다.The bank column decoder activated by the
입출력 게이팅 회로(490)는 입출력 데이터를 게이팅하는 회로들과 함께, 입력 데이터 마스크 로직, 뱅크 어레이들(480a~480h)로부터 출력된 데이터를 저장하기 위한 독출 데이터 래치들, 및 뱅크 어레이들(480a~480h)에 데이터를 기입하기 위한 기입 드라이버들을 포함할 수 있다.The input/
뱅크 어레이들(480a~480h) 중 하나의 뱅크 어레이에서 독출될 데이터(DQ)는 상기 하나의 뱅크 어레이에 상응하는 센스 앰프에 의해 감지되고, 상기 독출 데이터 래치들에 저장될 수 있다. 상기 독출 데이터 래치들에 저장된 데이터(DQ)는 데이터 입출력 버퍼(495)를 통하여 메모리 컨트롤러에 제공될 수 있다. 뱅크 어레이들(480a~480h) 중 하나의 뱅크 어레이에 기입될 데이터(DQ)는 상기 메모리 컨트롤러로부터 데이터 입출력 버퍼(495)에 제공될 수 있다. 데이터 입출력 버퍼(495)에 제공된 데이터(DQ)는 상기 기입 드라이버들을 통하여 상기 하나의 뱅크 어레이에 기입될 수 있다. Data DQ to be read from one of the
제어 로직(410)은 반도체 메모리 장치의 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어 로직(410)은 반도체 메모리 장치에 기입 동작 또는 독출 동작이 수행되도록 제어 신호들을 생성할 수 있다. 제어 로직(410)은 메모리 컨트롤러로부터 수신되는 커맨드(CMD)를 디코딩하는 커맨드 디코더(411) 및 반도체 메모리 장치의 동작 모드를 설정하기 위한 모드 레지스터 세트(MRS: mode register set)(412)를 포함할 수 있다. The
예를 들어, 커맨드 디코더(411)는 기입 인에이블 신호, 로우 어드레스 스트로브 신호, 컬럼 어드레스 스트로브 신호, 칩 선택 신호 등을 디코딩하여 커맨드(CMD)에 상응하는 상기 제어 신호들을 생성할 수 있다. 모드 레지스터 세트(412)는 전술한 신호 경로들의 불량 정보 및 도 35의 메모리 콘트롤러(401)의 리페어 방식 등의 제품 정보를 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 모드 레지스터 세트(412)에 저장된 정보 신호에 기초하여 전술한 모드 신호(MD) 및/또는 불량 정보 신호(FLI)가 발생될 수 있다.For example, the
도 37은 모드 신호를 제공하는 퓨즈 회로의 일 예를 나타내는 도면이다.37 is a diagram illustrating an example of a fuse circuit providing a mode signal.
도 37을 참조하면, 퓨즈 회로는 외부 장치의 리페어 방식에 따라서 선택적으로 프로그램되어 전술한 모드 신호(MD)를 제공할 수 있다. 예를 들어, 퓨즈 회로는 도 35의 메모리 장치(402)에 포함될 수 있고, 메모리 콘트롤러(401)의 리페어 방식에 따라서 선택적으로 프로그램되는 제1 퓨즈(FS1) 및 제2 퓨즈(FS2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(402)와 결합되는 메모리 콘트롤러(401)가 리페어 신호 경로를 지원하지 않는 타입인 경우에는 제1 퓨즈(FS1)가 절단(cut)되고 제2 퓨즈(FS2)가 전기적으로 연결되어 모드 신호(MD)는 전원 전압(VDD)에 상응하는 논리 하이 레벨(H)을 가질 수 있다. 반면에 메모리 장치(402)와 결합되는 메모리 콘트롤러(401)가 리페어 신호 경로를 지원하는 타입인 경우에는 제2 퓨즈(FS2)가 절단(cut)되고 제1 퓨즈(FS1)가 전기적으로 연결되어 모드 신호(MD)는 접지 전압(VSS)에 상응하는 논리 로우 레벨(L)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 37 , the fuse circuit may be selectively programmed according to a repair method of an external device to provide the above-described mode signal MD. For example, the fuse circuit may be included in the
일 실시예에서, 도 37의 퓨즈 회로 등을 사용하여 시스템 구축시에 리페어 방식을 결정하고 모드 신호(MD)의 논리 레벨을 고정시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 시스템의 리페어 방식에 관한 정보를 도 35 및 36을 참조하여 설명한 모드 레지스터 세트 등에 저장하고 저장된 정보에 기초하여 모드 신호(MD)의 논리 레벨이 결정될 수 있다.In an embodiment, the repair method may be determined and the logic level of the mode signal MD may be fixed when the system is constructed using the fuse circuit of FIG. 37 . In another embodiment, information on the repair method of the system may be stored in the mode register set described with reference to FIGS. 35 and 36 , and the logic level of the mode signal MD may be determined based on the stored information.
도 38은 본 발명의 실시예들에 따른 적층형 메모리 칩을 나타내는 도면이다.38 is a diagram illustrating a stacked memory chip according to embodiments of the present invention.
도 38을 참조하면, 적층형 메모리 칩(500)은 베이스 기판(510) 및 베이스 기판(510) 위에 적층되는 복수의 반도체 다이들(semiconductor dies)(SD1, SD2, SD3)을 포함할 수 있다. 도 38에는 편의상 3개의 반도체 다이들(SD1, SD2, SD3)을 도시하였으나, 반도체 다이들의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. Referring to FIG. 38 , the stacked
베이스 기판(510)은 인쇄 회로 기판(PCB: printed circuit board)일 수 있다. 베이스 기판(510)의 하면에는 외부 연결 부재(520), 예컨대 도전성 범프가 형성될 수 있다. 반도체 다이들(SD1, SD2, SD3)은 복수의 신호 경로들(SP1, SP2, SP3, SP4)을 통하여 서로 전기적으로 연결되고 또한 외부 장치와 연결될 수 있다. 신호 경로들(SP1, SP2, SP3, SP4)의 각각은 적어도 하나의 패드(PD), 적어도 하나의 도전성 범프(BP), 적어도 하나의 관통-실리콘 비아(TSV)를 포함할 수 있다. 신호 경로들(SP1, SP2, SP3, SP4)은 노말 신호 경로들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 포함할 수 있다. 한편 반도체 다이들(SD1, SD2, SD3)은 본딩 와이어(BW)를 이용하여 베이스 기판(510)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 적층된 반도체 다이들(SD1, SD2, SD3)은 밀봉 부재(530)를 이용하여 패키징될 수 있다. The
반도체 다이들(SD1, SD2, SD3)의 각각은 고유 기능을 수행하는 내부 회로, 노말 신호 경로들을 통하여 외부의 프로세서와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 프로세서와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부 및 상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함할 수 있다. 도 38에는 리페어 회로에 포함되는 변환 유닛들(CU)만을 도시하였으며, 편의상 반도체 다이의 내부 회로, 리페어 제어부 등은 도시를 생략하였다. Each of the semiconductor dies SD1 , SD2 , and SD3 includes an internal circuit that performs a unique function, a plurality of normal input/output terminals connected to an external processor through normal signal paths, and at least one repair signal path with the processor. Included in the normal signal paths based on an input/output terminal unit including at least one repair input/output terminal selectively connected, a mode signal indicating whether the repair signal path is used, and a failure information signal indicating failure information of the normal signal paths A repair circuit for repairing a defective signal path may be included. FIG. 38 shows only the conversion units CU included in the repair circuit, and for convenience, the internal circuit of the semiconductor die, the repair control unit, and the like are omitted.
본 발명의 실시예들에 따른 적층형 메모리 칩(500)은 적응적 리페어 회로를 포함하여 서로 다른 리페어 방식을 채용하는 시스템들을 효율적으로 리페어할 수 있다. 또한 적층형 메모리 칩(500)은 동일한 장치 구성을 이용하여 서로 다른 리페어 방식을 지원함으로써 시스템의 설계 및 제조 비용을 절감할 수 있다.The stacked
도 39는 본 발명의 실시예들에 따른 시스템을 나타내는 도면이다.39 is a diagram illustrating a system according to embodiments of the present invention.
도 39를 참조하면, 시스템(600)은 보드(610) 및 보드(610) 위에 장착되는 복수의 서브 시스템들(SSYSa, SSYSb, SSYSc, SSYCd)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 39 , the
예를 들어, 제1 서브 시스템(SSYSa)와 제2 서브 시스템(SSYSb)은 인터포저(620) 위에 장착될 수 있고, 인터포저의 신호 라인들을 이용하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 시스템(SSYSc) 위에 제4 서브 시스템(SSYCd)이 적층되어 패키지 온 패키지(PoP; package on package) 구조를 형성할 수 있다. 인터포저(620)와 상기 PoP는 보드 상에 형성되는 신호 버스의 라인들을 통하여 서로 전기적으로 연결될 수 있다.For example, the first subsystem SSYSa and the second subsystem SSYSb may be mounted on the
서브 시스템들(SSYSa, SSYSb, SSYSc, SSYCd) 중 적어도 하나는 전술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 적응적 리페어 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 리페어 회로를 이용하여 서로 다른 리페어 방식을 채용하는 시스템들을 효율적으로 리페어할 수 있고, 시스템의 설계 및 제조 비용을 절감할 수 있다.At least one of the subsystems SSYSa, SSYSb, SSYSc, and SYCd may include an adaptive repair circuit (not shown) according to embodiments of the present invention as described above. By using the repair circuit, systems employing different repair methods can be efficiently repaired, and design and manufacturing costs of the system can be reduced.
도 40 및 41은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 모듈을 나타내는 도면들이다.40 and 41 are diagrams illustrating memory modules according to embodiments of the present invention.
도 40 및 41을 참조하면, 메모리 모듈들(701, 702)은 각각 모듈 기판(710), 복수의 반도체 메모리 칩들(SMC) 및 버퍼 칩(BC)을 포함할 수 있다.40 and 41 , each of the
반도체 메모리 칩들(SMC)은 모듈 기판(710)에 장착되고, 반도체 메모리 칩들(SMC)은 데이터 버스(712)를 통하여 기입 모드에서 메모리 콘트롤러와 같은 외부 장치로부터 데이터(DQ)를 수신하거나 독출 모드에서 데이터(DQ)를 외부 장치로 전송할 수 있다.The semiconductor memory chips SMC are mounted on the
버퍼 칩(BC)은 모듈 기판(710)에 장착되고 제어 버스(711)를 통하여 외부로부터 수신한 코맨드-어드레스 신호들(CMD, ADD)을 버퍼링하여 내부 버스(713, 714)를 통하여 반도체 메모리 칩들(SMC)로 전달할 수 있다. 버퍼 칩(BC)은 메모리 모듈들(701, 702)의 제어 정보를 저장하는 레지스터 등을 포함할 수 있다.The buffer chip BC is mounted on the
일 실시예에서, 도 40에 도시된 바와 같이, 버퍼 칩(BC)은 전술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 적응적 리페어 회로(REP)를 포함할 수 있다. 상기 적응적 리페어 회로(REP)를 이용하여 메모리 모듈(701)과 외부의 메모리 콘트롤러 사이의 코맨드-어드레스 신호들(CMD, ADD)을 전송하기 위한 신호 경로들을 효율적으로 리페어할 수 있다.In an embodiment, as shown in FIG. 40 , the buffer chip BC may include the adaptive repair circuit REP according to the embodiments of the present invention as described above. Signal paths for transmitting the command-address signals CMD and ADD between the
다른 실시예에서, 도 41에 도시된 바와 같이, 반도체 메모리 칩들(SMC)은 전술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 적응적 리페어 회로(REP)를 포함할 수 있다. 상기 적응적 리페어 회로(REP)를 이용하여 메모리 모듈(702)과 외부의 메모리 콘트롤러 사이의 데이터(DQ)를 전송하기 위한 신호 경로들을 효율적으로 리페어할 수 있다.In another embodiment, as shown in FIG. 41 , the semiconductor memory chips SMC may include the adaptive repair circuit REP according to the embodiments of the present invention as described above. Signal paths for transmitting data DQ between the
도 42는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 모듈들이 메모리 콘트롤러에 연결된 예를 나타내는 도면이다.42 is a diagram illustrating an example in which memory modules according to embodiments of the present invention are connected to a memory controller.
도 42를 참조하면, 메인 보드(817)에 탑재된 메모리 컨트롤러(815)와, 복수의 연결 소켓(870)이 시스템 버스(820)를 통해 서로 전기적으로 연결되는 것이 나타나 있다. 연결 소켓(870)에는 도 40 및 41에 도시된 메모리 모듈들(MM1, MM2, MM3)이 필요한 개수만큼 장착될 수 있다. 한편, 임피던스 매칭을 위해 터미네이션 저항들(880)이 메인 보드(817)에 구비될 수도 있다. Referring to FIG. 42 , the
메모리 콘트롤러(815)와 메모리 모듈들(MM1, MM2, MM3)을 연결하는 시스템 버스(820)에 불량 신호 경로가 포함되는 경우에 대비하여 메모리 콘트롤러(815)와 메모리 모듈들(MM1, MM2, MM3)은 불량 신호 경로를 리페어하기 위한 리페어 회로를 각각 포함할 수 있다. 메모리 콘트롤러(815)와 메모리 모듈들(MM1, MM2, MM3) 중 적어도 하나는 전술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따른 적응적 리페어 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 적응적 리페어 회로(REP)를 이용하여 메모리 콘트롤러(815)와 메모리 모듈들(MM1, MM2, MM3) 사이의 신호 경로들을 효율적으로 리페어할 수 있다.In case a bad signal path is included in the
도 43은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 메모리 장치의 구조를 나타내는 도면이다.43 is a diagram illustrating a structure of a stacked memory device according to an embodiment of the present invention.
도 43에 도시된 바와 같이, 반도체 메모리 장치(901)는 다수의 반도체 다이들 또는 반도체 레이어들(LA1 내지 LAk, k는 3이상의 자연수)을 구비할 수 있다. 가장 아래에 위치하는 반도체 레이어(LA1)는 마스터 레이어이고 나머지 반도체 레이어들(LA2 내지 LAk)은 슬레이브 레이어일 수 있다.43 , the
반도체 레이어들(LA1 내지 LAk)은 관통 비아(TSV)를 통해 신호를 서로 송수신하며, 마스터 레이어(LA1)는 칩 입출력 패드부를 통해 외부의 메모리 컨트롤러(미도시)와 통신할 수 있다. 상기 칩 입출력 패드부는 마스터 레이어(LA1)의 하면에 형성되거나 베이스 기판(미도시)에 형성될 수 있다. The semiconductor layers LA1 to LAk transmit and receive signals to each other through the through via TSV, and the master layer LA1 may communicate with an external memory controller (not shown) through the chip input/output pad unit. The chip input/output pad unit may be formed on a lower surface of the master layer LA1 or formed on a base substrate (not shown).
제1 반도체 레이어(910) 내지 제k 반도체 레이어는 각각 메모리 셀 어레이 영역(921)을 구동하기 위한 각종 주변 회로들(922)을 구비한다. 예컨데, 주변 회로들(922)은 각 메모리 셀 어레이 영역(921)의 워드 라인을 구동하기 위한 로우 드라이버(X-Driver)와, 각 메모리 영역의 비트 라인을 구동하기 위한 칼럼 드라이버(Y-Driver)와, 데이터의 입출력을 제어하기 위한 데이터 입출력부, 외부로부터 커맨드(CMD)를 입력받아 버퍼링하는 커맨드 버퍼와, 외부로부터 어드레스를 입력받아 버퍼링하는 어드레스 버퍼 등을 구비할 수 있다. Each of the
제1 반도체 레이어(910)는 제어 로직을 더 포함할 수 있다. 제어 로직은 메모리 컨트롤러(미도시)로부터 제공되는 커맨드 및 어드레스 신호에 기초하여 메모리 영역(921)에 대한 액세스를 제어하고, 메모리 영역(921)을 액세스하기 위한 제어 신호들을 생성할 수 있다. The
제1 반도체 레이어(910) 내지 제k 반도체 레이어(920)는 각각 전술한 본 발명의 실시예들에 따른 리페어 회로(REP)(960)를 포함할 수 있다. 제1 반도체 레이어(910) 내지 제k 반도체 레이어는 리페어 회로(960)를 이용하여 메모리 콘트롤러와의 신호 경로들 중 불량 신호 경로가 포함되는 경우 상기 불량 신호 경로를 효율적으로 리페어할 수 있다.Each of the
도 44는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 시스템을 나타내는 블록도이다.44 is a block diagram illustrating a memory system according to embodiments of the present invention.
도 44를 참조하면, 메모리 시스템(1000)은 메모리 모듈(1010) 및 메모리 컨트롤러(1020)를 포함할 수 있다. 메모리 모듈(1010)은 모듈 보드(Module Board) 상에 장착되는 적어도 하나의 반도체 메모리 칩(DRAM, 1030)을 포함할 수 있다. 예컨대, 반도체 메모리 칩(1030)은 DRAM 칩으로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 반도체 메모리 칩(1030)은 상하로 적층된 복수의 반도체 다이들을 포함할 수 있다. 상기 반도체 다이들은 하나의 인터페이스 다이(1031)와 적어도 하나의 메모리 다이 또는 슬레이브 다이(1032)를 포함할 수 있다. 서로 적층된 반도체 다이들 사이의 신호의 전달은 관통 실리콘 비아(TSV) 및/또는 본딩 와이어를 통하여 수행될 수 있다.Referring to FIG. 44 , the
메모리 모듈(1010)은 시스템 버스를 통해 메모리 컨트롤러(1020)와 통신할 수 있다. 시스템 버스를 통하여 데이터 신호(DQ), 커맨드/어드레스(CMD/ADD) 및 클록 신호(CLK) 등이 메모리 모듈(1010)과 메모리 컨트롤러(1020) 사이에서 송수신될 수 있다.The
메모리 모듈(1010) 및 메모리 컨트롤러(1020) 중 적어도 하나는 전술한 바와 같은 적응적 리페어 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 적응적 리페어 회로를 이용하여 메모리 콘트롤러(1020)와 메모리 모듈(1010) 사이의 신호 경로들을 효율적으로 리페어할 수 있다.At least one of the
도 45는 본 발명의 실시예들에 따른 모바일 시스템을 나타내는 블록도이다.45 is a block diagram illustrating a mobile system according to embodiments of the present invention.
도 45를 참조하면, 모바일 시스템(1200)은 어플리케이션 프로세서(1210), 통신(Connectivity)부(1220), 메모리 장치(1230), 비휘발성 메모리 장치(1240), 사용자 인터페이스(1250) 및 파워 서플라이(1260)를 포함한다. 실시예에 따라, 모바일 시스템(1200)은 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 개인 정보 단말기(Personal Digital Assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(Portable Multimedia Player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(Portable Game Console), 네비게이션(Navigation) 시스템 등과 같은 임의의 모바일 시스템일 수 있다.Referring to FIG. 45 , the
어플리케이션 프로세서(1210)는 인터넷 브라우저, 게임, 동영상 등을 제공하는 어플리케이션들을 실행할 수 있다. 실시예에 따라, 어플리케이션 프로세서(1210)는 하나의 프로세서 코어(Single Core)를 포함하거나, 복수의 프로세서 코어들(Multi-Core)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(1210)는 듀얼 코어(Dual-Core), 쿼드 코어(Quad-Core), 헥사 코어(Hexa-Core) 등의 멀티 코어(Multi-Core)를 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 어플리케이션 프로세서(1210)는 내부 또는 외부에 위치한 캐시 메모리(Cache Memory)를 더 포함할 수 있다.The
통신부(1220)는 외부 장치와 무선 통신 또는 유선 통신을 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신부(1220)는 이더넷(Ethernet) 통신, 근거리 자기장 통신(Near Field Communication; NFC), 무선 식별(Radio Frequency Identification; RFID) 통신, 이동 통신(Mobile Telecommunication), 메모리 카드 통신, 범용 직렬 버스(Universal Serial Bus; USB) 통신 등을 수행할 수 있다. 예를 들어, 통신부(1220)는 베이스밴드 칩 셋(Baseband Chipset)을 포함할 수 있고, GSM, GPRS, WCDMA, HSxPA 등의 통신을 지원할 수 있다.The
메모리 장치(1230)는 어플리케이션 프로세서(1210)에 의해 처리되는 데이터를 저장하거나, 동작 메모리(Working Memory)로서 작동할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(1230)는 DDR SDRAM, LPDDR SDRAM, GDDR SDRAM, RDRAM 등과 같은 동적 랜덤 액세스 메모리일 수 있다.The
비휘발성 메모리 장치(1240)는 모바일 시스템(1200)을 부팅하기 위한 부트 이미지를 저장할 수 있다. 예를 들어, 비휘발성 메모리 장치(1240)는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 또는 이와 유사한 메모리로 구현될 수 있다.The
사용자 인터페이스(1250)는 키패드, 터치 스크린과 같은 하나 이상의 입력 장치, 및/또는 스피커, 디스플레이 장치와 같은 하나 이상의 출력 장치를 포함할 수 있다. 파워 서플라이(1260)는 모바일 시스템(1200)의 동작 전압을 공급할 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 모바일 시스템(1200)은 카메라 이미지 프로세서(Camera Image Processor; CIS)를 더 포함할 수 있고, 메모리 카드(Memory Card), 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등과 같은 저장 장치를 더 포함할 수 있다.
모바일 시스템(1200) 또는 모바일 시스템(1200)의 구성요소들은 다양한 형태들의 패키지를 이용하여 실장될 수 있는데, 예를 들어, PoP(Package on Package), BGAs(Ball grid arrays), CSPs(Chip scale packages), PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier), PDIP(Plastic Dual In-Line Package), Die in Waffle Pack, Die in Wafer Form, COB(Chip On Board), CERDIP(Ceramic Dual In-Line Package), MQFP(Plastic Metric Quad Flat Pack), TQFP(Thin Quad Flat-Pack), SOIC(Small Outline Integrated Circuit), SSOP(Shrink Small Outline Package), TSOP(Thin Small Outline Package), TQFP(Thin Quad Flat-Pack), SIP(System In Package), MCP(Multi Chip Package), WFP(Wafer-level Fabricated Package), WSP(Wafer-Level Processed Stack Package) 등과 같은 패키지들을 이용하여 실장될 수 있다.The
어플리케이션 프로세서(1210), 통신(Connectivity)부(1220), 메모리 장치(1230), 비휘발성 메모리 장치(1240) 및 사용자 인터페이스(1250) 중 적어도 하나는 전술한 바와 같은 적응적 리페어 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 적응적 리페어 회로를 이용하여 구성 요소들 사이의 신호 경로들을 효율적으로 리페어할 수 있다.At least one of the
도 46은 본 발명의 실시예들에 따른 컴퓨팅 시스템을 나타내는 블록도이다.46 is a block diagram illustrating a computing system according to embodiments of the present invention.
도 46을 참조하면, 컴퓨팅 시스템(1300)은 프로세서(1310), 입출력 허브(1320), 입출력 컨트롤러 허브(1330), 적어도 하나의 메모리 모듈(1340) 및 그래픽 카드(1350)를 포함한다. 실시예에 따라, 컴퓨팅 시스템(1300)은 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 서버 컴퓨터(Server Computer), 워크스테이션(Workstation), 노트북(Laptop), 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 개인 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(portable multimedia player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 디지털 TV(Digital Television), 셋-탑 박스(Set-Top Box), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(portable game console), 네비게이션(Navigation) 시스템 등과 같은 임의의 컴퓨팅 시스템일 수 있다.Referring to FIG. 46 , the
프로세서(1310)는 특정 계산들 또는 태스크들과 같은 다양한 컴퓨팅 기능들을 실행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1310)는 마이크로프로세서 또는 중앙 처리 장치(Central Processing Unit; CPU)일 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1310)는 하나의 프로세서 코어(Single Core)를 포함하거나, 복수의 프로세서 코어들(Multi-Core)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1310)는 듀얼 코어(Dual-Core), 쿼드 코어(Quad-Core), 헥사 코어(Hexa-Core) 등의 멀티 코어(Multi-Core)를 포함할 수 있다. 또한, 도 46에는 하나의 프로세서(1310)를 포함하는 컴퓨팅 시스템(1300)이 도시되어 있으나, 실시예에 따라, 컴퓨팅 시스템(1300)은 복수의 프로세서들을 포함할 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 프로세서(1310)는 내부 또는 외부에 위치한 캐시 메모리(Cache Memory)를 더 포함할 수 있다.The
프로세서(1310)는 메모리 모듈(1340)의 동작을 제어하는 메모리 컨트롤러(1311)를 포함할 수 있다. 프로세서(1310)에 포함된 메모리 컨트롤러(1311)는 집적 메모리 컨트롤러(Integrated Memory Controller; IMC)라 불릴 수 있다. 메모리 컨트롤러(1311)와 메모리 모듈(1340) 사이의 메모리 인터페이스는 복수의 신호선들을 포함하는 하나의 채널로 구현되거나, 복수의 채널들로 구현될 수 있다. 또한, 각 채널에는 하나 이상의 메모리 모듈(1340)이 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 메모리 컨트롤러(1311)는 입출력 허브(1320) 내에 위치할 수 있다. 메모리 컨트롤러(1311)를 포함하는 입출력 허브(1520)는 메모리 컨트롤러 허브(Memory Controller Hub; MCH)라 불릴 수 있다.The
입출력 허브(1320)는 그래픽 카드(1350)와 같은 장치들과 프로세서(1310) 사이의 데이터 전송을 관리할 수 있다. 입출력 허브(1320)는 다양한 방식의 인터페이스를 통하여 프로세서(1510)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 입출력 허브(1320)와 프로세서(1310)는, 프론트 사이드 버스(Front Side Bus; FSB), 시스템 버스(System Bus), 하이퍼트랜스포트(HyperTransport), 라이트닝 데이터 트랜스포트(Lightning Data Transport; LDT), 퀵패스 인터커넥트(QuickPath Interconnect; QPI), 공통 시스템 인터페이스(Common System Interface; CSI) 등의 다양한 표준의 인터페이스로 연결될 수 있다. 도 46에는 하나의 입출력 허브(1320)를 포함하는 컴퓨팅 시스템(1300)이 도시되어 있으나, 실시예에 따라, 컴퓨팅 시스템(1300)은 복수의 입출력 허브들을 포함할 수 있다.The input/
입출력 허브(1320)는 장치들과의 다양한 인터페이스들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 입출력 허브(1320)는 가속 그래픽 포트(Accelerated Graphics Port; AGP) 인터페이스, 주변 구성요소 인터페이스-익스프레스(Peripheral Component Interface-Express; PCIe), 통신 스트리밍 구조(Communications Streaming Architecture; CSA) 인터페이스 등을 제공할 수 있다.The input/
그래픽 카드(1350)는 AGP 또는 PCIe를 통하여 입출력 허브(1320)와 연결될 수 있다. 그래픽 카드(1350)는 영상을 표시하기 위한 디스플레이 장치(미도시)를 제어할 수 있다. 그래픽 카드(1350)는 이미지 데이터 처리를 위한 내부 프로세서 및 내부 반도체 메모리 장치를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 입출력 허브(1320)는, 입출력 허브(1320)의 외부에 위치한 그래픽 카드(1350)와 함께, 또는 그래픽 카드(1350) 대신에 입출력 허브(1320)의 내부에 그래픽 장치를 포함할 수 있다. 입출력 허브(1520)에 포함된 그래픽 장치는 집적 그래픽(Integrated Graphics)이라 불릴 수 있다. 또한, 메모리 컨트롤러 및 그래픽 장치를 포함하는 입출력 허브(1320)는 그래픽 및 메모리 컨트롤러 허브(Graphics and Memory Controller Hub; GMCH)라 불릴 수 있다.The
입출력 컨트롤러 허브(1330)는 다양한 시스템 인터페이스들이 효율적으로 동작하도록 데이터 버퍼링 및 인터페이스 중재를 수행할 수 있다. 입출력 컨트롤러 허브(1330)는 내부 버스를 통하여 입출력 허브(1320)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 입출력 허브(1320)와 입출력 컨트롤러 허브(1330)는 다이렉트 미디어 인터페이스(Direct Media Interface; DMI), 허브 인터페이스, 엔터프라이즈 사우스브릿지 인터페이스(Enterprise Southbridge Interface; ESI), PCIe 등을 통하여 연결될 수 있다.The input/
입출력 컨트롤러 허브(1330)는 주변 장치들과의 다양한 인터페이스들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 입출력 컨트롤러 허브(1330)는 범용 직렬 버스(Universal Serial Bus; USB) 포트, 직렬 ATA(Serial Advanced Technology Attachment; SATA) 포트, 범용 입출력(General Purpose Input/Output; GPIO), 로우 핀 카운트(Low Pin Count; LPC) 버스, 직렬 주변 인터페이스(Serial Peripheral Interface; SPI), PCI, PCIe 등을 제공할 수 있다.The input/
실시예에 따라, 프로세서(1310), 입출력 허브(1320) 및 입출력 컨트롤러 허브(1330)는 각각 분리된 칩셋들 또는 집적 회로들로 구현되거나, 프로세서(1310), 입출력 허브(1320) 또는 입출력 컨트롤러 허브(1330) 중 2 이상의 구성요소들이 하나의 칩셋으로 구현될 수 있다.According to an embodiment, the
프로세서(1310), 입출력 허브(1320), 입출력 컨트롤러 허브(1330), 메모리 모듈(1340) 및 그래픽 카드(1350) 중 적어도 하나는 전술한 바와 같은 적응적 리페어 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 적응적 리페어 회로를 이용하여 구성 요소들 사이의 신호 경로들을 효율적으로 리페어할 수 있다.At least one of the
본 발명의 실시예들에 따른 적응적 리페어 회로를 포함하는 장치 및 시스템은, 구성 요소들 간의 신호 전송을 필요로 하는 임의의 장치 또는 시스템에 유용하게 이용될 수 있다. 특히 본 발명의 실시예들에 따른 적응적 리페어 회로는 고성능 및 저전력이 요구되는 컴퓨터(computer), 노트북(laptop), 핸드폰(cellular), 스마트폰(smart phone), MP3 플레이어, 피디에이(Personal Digital Assistants; PDA), 피엠피(Portable Multimedia Player; PMP), 디지털 TV, 디지털 카메라, 포터블 게임 콘솔(portable game console) 등과 같은 전자 기기에 유용하게 적용될 수 있다.The apparatus and system including the adaptive repair circuit according to embodiments of the present invention may be usefully used in any apparatus or system requiring signal transmission between components. In particular, the adaptive repair circuit according to embodiments of the present invention is a computer, a laptop, a cell phone, a smart phone, an MP3 player, and a personal digital assistant that require high performance and low power. ; PDA), PMP (Portable Multimedia Player; PMP), digital TV, digital camera, portable game console (portable game console), such as electronic devices can be usefully applied.
상기에서는 본 발명이 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. you will understand that you can
100: 리페어 회로
200: 리페어 제어부
300: 경로 변환 회로
TN: 노말 입출력 단자
TR: 리페어 입출력 단자
ND: 내부 회로의 입출력 노드
MS: 메인 신호
SS: 서브 신호
MSP: 메인 신호 경로
SSP: 서브 신호 경로
RSP: 리페어 신호 경로
MD: 모드 신호
FLI: 불량 정보 신호
PCON: 경로 제어 신호
PSL: 경로 선택 신호
BLK: 블록 제어 신호100: repair circuit
200: repair control unit
300: path conversion circuit
TN: Normal input/output terminal
TR: Repair input/output terminal
ND: I/O node of the internal circuit
MS: main signal
SS: sub signal
MSP: main signal path
SSP: sub-signal path
RSP: repair signal path
MD: mode signal
FLI: Bad information signal
PCON: path control signal
PSL: path selection signal
BLK: block control signal
Claims (10)
복수의 노말 신호 경로들을 통하여 외부 장치와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 외부 장치와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부; 및
상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함하고,
상기 리페어 회로는 상기 모드 신호에 기초하여 상기 리페어 입출력 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 상기 리페어 입출력 단자를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작하고,
상기 노말 입출력 단자들은 상기 내부 회로의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 상기 내부 회로의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함하는 장치.internal circuitry that performs its own function;
an input/output terminal unit including a plurality of normal input/output terminals connected to an external device through a plurality of normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the external device through at least one repair signal path; and
a repair circuit for repairing a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or a bad information signal indicating failure information of the normal signal paths;
the repair circuit selectively operates in one of a first repair mode not using the repair input/output terminal and a second repair mode using the repair input/output terminal based on the mode signal;
and the normal input/output terminals include main input/output terminals for transmitting main signals for a main operation of the internal circuit and at least one sub input/output terminal for transmitting a sub signal for a sub operation of the internal circuit.
상기 제1 리페어 모드에서, 상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 서브 입출력 단자를 이용하여 리페어하고,
상기 내부 회로는 상기 제1 리페어 모드에서 상기 서브 동작을 중단하고,
상기 제2 리페어 모드에서, 상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 리페어 입출력 단자를 이용하여 리페어하는 것을 특징으로 하는 장치.According to claim 1,
in the first repair mode, the repair circuit repairs a defective input/output terminal corresponding to the defective signal path among the normal input/output terminals using the sub input/output terminal;
the internal circuit stops the sub-operation in the first repair mode;
In the second repair mode, the repair circuit repairs a defective input/output terminal corresponding to the defective signal path among the normal input/output terminals using the repair input/output terminal.
상기 리페어 입출력 단자에 연결되고, 상기 모드 신호에 응답하여 초기화 전압을 상기 리페어 입출력 단자에 인가하는 초기화 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.According to claim 1,
and an initialization circuit connected to the repair input/output terminal and configured to apply an initialization voltage to the repair input/output terminal in response to the mode signal.
상기 노말 입출력 단자들은 복수의 그룹들로 그룹화되고, 상기 그룹들의 각각에 대하여 적어도 하나의 리페어 입출력 단자가 독립적으로 할당되거나 상기 그룹들 중 적어도 두 개의 그룹들에 대하여 적어도 하나의 리페어 입출력 단자가 공통으로 할당되는 것을 특징으로 하는 장치.According to claim 1,
The normal input/output terminals are grouped into a plurality of groups, and at least one repair input/output terminal is independently allocated to each of the groups, or at least one repair input/output terminal is common to at least two of the groups. Device characterized in that it is assigned.
복수의 노말 신호 경로들을 통하여 외부 장치와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 외부 장치와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부; 및
상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함하고,
상기 리페어 회로는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 불량 입출력 단자에 인접한 상기 노말 입출력 단자 또는 상기 불량 입출력 단자에 인접한 상기 리페어 입출력 단자로 대체하는 쉬프팅 리페어 동작 또는 상기 노말 입출력 단자들 중에서 상기 불량 신호 경로에 상응하는 불량 입출력 단자를 상기 노말 입출력 단자들 중 하나에 해당하는 서브 입출력 단자 또는 상기 리페어 입출력 단자로 대체하는 멀티플렉싱 리페어 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 장치.internal circuitry that performs its own function;
an input/output terminal unit including a plurality of normal input/output terminals connected to an external device through a plurality of normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the external device through at least one repair signal path; and
a repair circuit for repairing a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or a bad information signal indicating failure information of the normal signal paths;
wherein the repair circuit replaces a defective input/output terminal corresponding to the defective signal path among the normal input/output terminals with the normal input/output terminal adjacent to the defective input/output terminal or the repair input/output terminal adjacent to the defective input/output terminal; or and performing a multiplexing repair operation of replacing a bad input/output terminal corresponding to the bad signal path among normal input/output terminals with a sub input/output terminal corresponding to one of the normal input/output terminals or the repair input/output terminal.
복수의 노말 신호 경로들을 통하여 외부 장치와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 외부 장치와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부; 및
상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함하고,
상기 리페어 회로는,
상기 모드 신호 및 상기 불량 정보 신호에 기초하여 복수의 경로 선택 신호들을 발생하는 리페어 제어부; 및
상기 경로 선택 신호들의 각각에 응답하여 상기 내부 회로의 각각의 입출력 노드 및 상기 입출력 단자부의 두 개 이상의 입출력 단자들 사이의 전기적 연결을 각각 제어하는 복수의 변환 유닛들을 포함하고,
상기 노말 입출력 단자들은 상기 내부 회로의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 상기 내부 회로의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.internal circuitry that performs its own function;
an input/output terminal unit including a plurality of normal input/output terminals connected to an external device through a plurality of normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the external device through at least one repair signal path; and
a repair circuit for repairing a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or a bad information signal indicating failure information of the normal signal paths;
The repair circuit is
a repair control unit generating a plurality of path selection signals based on the mode signal and the failure information signal; and
In response to each of the path selection signals comprising a plurality of conversion units that respectively control the electrical connection between each input/output node of the internal circuit and two or more input/output terminals of the input/output terminal part,
The normal input/output terminals may include main input/output terminals for transmitting main signals for a main operation of the internal circuit and at least one sub input/output terminal for transmitting a sub signal for a sub operation of the internal circuit. device to do.
상기 변환 유닛들 중 상기 서브 입출력 단자에 상응하는 서브 변환 유닛은 블록 제어 신호에 응답하여 상기 내부회로와 상기 서브 변환 유닛 사이의 전기적 연결을 차단하는 것을 특징으로 하는 장치.8. The method of claim 7,
Among the conversion units, a sub conversion unit corresponding to the sub input/output terminal blocks an electrical connection between the internal circuit and the sub conversion unit in response to a block control signal.
제2 서브 시스템; 및
상기 제1 서브 시스템 및 제2 서브 시스템을 연결하는 복수의 노말 신호 경로들을 포함하고,
상기 제1 서브 시스템은
고유 기능을 수행하는 내부 회로;
상기 노말 신호 경로들을 통하여 상기 제2 서브 시스템과 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 제2 서브 시스템과 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부; 및
상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함하고,
상기 리페어 회로는 상기 모드 신호에 기초하여 상기 리페어 입출력 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 상기 리페어 입출력 단자를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작하고,
상기 노말 입출력 단자들은 상기 내부 회로의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 상기 내부 회로의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함하는 시스템.a first subsystem;
a second subsystem; and
a plurality of normal signal paths connecting the first subsystem and the second subsystem;
The first subsystem is
internal circuitry that performs its own function;
An input/output terminal unit including a plurality of normal input/output terminals connected to the second subsystem through the normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the second subsystem through at least one repair signal path ; and
a repair circuit for repairing a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or a bad information signal indicating failure information of the normal signal paths;
the repair circuit selectively operates in one of a first repair mode not using the repair input/output terminal and a second repair mode using the repair input/output terminal based on the mode signal;
wherein the normal input/output terminals include main input/output terminals for transmitting main signals for a main operation of the internal circuit and at least one sub input/output terminal for transmitting a sub signal for a sub operation of the internal circuit.
상기 베이스 기판 위에 적층된 복수의 반도체 다이들을 포함하고,
상기 반도체 다이들의 각각은,
고유 기능을 수행하는 내부 회로;
노말 신호 경로들을 통하여 외부의 프로세서와 연결되는 복수의 노말 입출력 단자들 및 적어도 하나의 리페어 신호 경로를 통하여 상기 프로세서와 선택적으로 연결되는 적어도 하나의 리페어 입출력 단자를 포함하는 입출력 단자부; 및
상기 리페어 신호 경로의 사용 여부를 나타내는 모드 신호 및 상기 노말 신호 경로들의 불량 정보를 나타내는 불량 정보 신호에 기초하여 상기 노말 신호 경로들에 포함되는 불량 신호 경로를 리페어하는 리페어 회로를 포함하고,
상기 리페어 회로는 상기 모드 신호에 기초하여 상기 리페어 입출력 단자를 사용하지 않는 제1 리페어 모드 및 상기 리페어 입출력 단자를 사용하는 제2 리페어 모드 중 하나에서 선택적으로 동작하고,
상기 노말 입출력 단자들은 상기 내부 회로의 메인 동작을 위한 메인 신호들을 전송하기 위한 메인 입출력 단자들 및 상기 내부 회로의 서브 동작을 위한 서브 신호를 전송하기 위한 적어도 하나의 서브 입출력 단자를 포함하는 장치.base substrate; and
a plurality of semiconductor dies stacked on the base substrate;
Each of the semiconductor dies,
internal circuitry that performs its own function;
an input/output terminal unit including a plurality of normal input/output terminals connected to an external processor through normal signal paths and at least one repair input/output terminal selectively connected to the processor through at least one repair signal path; and
a repair circuit for repairing a bad signal path included in the normal signal paths based on a mode signal indicating whether the repair signal path is used or a bad information signal indicating failure information of the normal signal paths;
the repair circuit selectively operates in one of a first repair mode not using the repair input/output terminal and a second repair mode using the repair input/output terminal based on the mode signal;
and the normal input/output terminals include main input/output terminals for transmitting main signals for a main operation of the internal circuit and at least one sub input/output terminal for transmitting a sub signal for a sub operation of the internal circuit.
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