Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR102289152B1 - substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR102289152B1
KR102289152B1 KR1020190078935A KR20190078935A KR102289152B1 KR 102289152 B1 KR102289152 B1 KR 102289152B1 KR 1020190078935 A KR1020190078935 A KR 1020190078935A KR 20190078935 A KR20190078935 A KR 20190078935A KR 102289152 B1 KR102289152 B1 KR 102289152B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
edge ring
processing
liquid
hand
Prior art date
Application number
KR1020190078935A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210003353A (en
Inventor
사윤기
김도연
윤현
서용준
허필균
이충현
연예림
엄영제
고정석
김병근
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190078935A priority Critical patent/KR102289152B1/en
Publication of KR20210003353A publication Critical patent/KR20210003353A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102289152B1 publication Critical patent/KR102289152B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판 처리 장치는, 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 액처리 챔버와; 기판 상에 잔류하는 처리액을 제거하는 건조처리를 하는 건조 챔버와; 액처리 챔버에서 액처리된 기판을 건조 챔버로 반송하며, 기판이 놓이는 핸드를 가지는 반송유닛과; 핸드에 놓인 기판의 에지 영역을 감싸도록 제공되는 에지링을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 의하면, 기판의 수율 저하를 최소화할 수 있다.
The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, comprising: a liquid processing chamber for supplying a processing liquid onto a substrate to perform liquid processing on the substrate; a drying chamber for performing a drying process to remove the processing liquid remaining on the substrate; a transfer unit for transferring the liquid-processed substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber and having a hand on which the substrate is placed; and an edge ring provided to surround an edge region of the substrate placed in the hand.
According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize a decrease in the yield of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{substrate processing apparatus and substrate processing method}BACKGROUND ART Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 액처리 챔버, 건조 챔버, 그리고 이들 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for processing a substrate and a method for processing a substrate using the same, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a liquid processing chamber, a drying chamber, and a transfer unit for transferring a substrate therebetween, and a substrate processing method using the same it's about

반도체 소자의 제조 공정은, 기판에 잔류하는 오염물을 제거하는 세정 공정을 포함한다. 세정 공정은 처리액을 공급하여 기판 상의 오염물을 제거하는 케미컬 공정, 린스액을 공급하여 기판 상의 케미컬을 제거하는 린스 공정, 그리고 기판 상에 잔류하는 린스액을 건조하는 건조 공정이 순차적으로 진행된다.A semiconductor device manufacturing process includes a cleaning process for removing contaminants remaining on a substrate. In the cleaning process, a chemical process of supplying a treatment solution to remove contaminants on the substrate, a rinsing process of supplying a rinse solution to remove chemicals on the substrate, and a drying process of drying the rinsing solution remaining on the substrate are sequentially performed.

건조 공정은, 먼저 기판 상의 린스액을 유기용제로 치환한다. 린스액을 유기용제로 치환함에 따라 후속되는 건조 공정에서 초임계유체와 유기용제 간에 용해 반응이 원활하게 이루어지도록 하여 기판의 건조 성능을 향상시킬 수 있도록 한다. 초임계 유체가 공급되면 초임계 유체가 유기용제를 용해시킴에 따라 기판의 건조가 이루어진다.In the drying step, first, the rinse liquid on the substrate is replaced with an organic solvent. As the rinse liquid is replaced with the organic solvent, the dissolution reaction between the supercritical fluid and the organic solvent in the subsequent drying process is smoothly performed, thereby improving the drying performance of the substrate. When the supercritical fluid is supplied, the substrate is dried as the supercritical fluid dissolves the organic solvent.

건조 공정 과정에서, 기판을 액처리 하는 액처리 챔버에서 기판 상에 유기용제를 도포하고 이후 초임계 처리가 이루어지는 초임계 챔버로 기판을 반송하여 초임계 유체로 유기용제를 용해시켜 기판으로부터 유기용제를 분리시킨다.During the drying process, an organic solvent is applied on the substrate in a liquid treatment chamber for liquid treatment of the substrate, and then the substrate is transferred to the supercritical chamber where the supercritical treatment is performed, the organic solvent is dissolved with the supercritical fluid, and the organic solvent is removed from the substrate separate

그러나, 종래의 기판처리방법에 의하면 기판을 액처리 챔버에서 초임계 챔버로 이송하는 과정에서, 기판 상에 도포된 유기용제가 기판의 외측으로 흘러내려 유실됨에 따라 기판 상의 유기용제의 분포 상태가 불균일하게 되고, 결과적으로 기판 건조 시 기판 상의 패턴이 무너지는 현상이 발생했다.However, according to the conventional substrate processing method, in the process of transferring the substrate from the liquid processing chamber to the supercritical chamber, as the organic solvent applied on the substrate flows down and is lost, the distribution state of the organic solvent on the substrate is non-uniform. As a result, the pattern on the substrate collapsed when the substrate was dried.

본 발명은 기판의 세정 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently performing a substrate cleaning process.

또한, 본 발명은 액처리 챔버에서 건조 챔버로 기판을 반송하는 동안에 기판 상에 잔류하는 액이 유실되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of preventing a liquid remaining on a substrate from being lost while transferring the substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 액처리 챔버와; 기판 상에 잔류하는 처리액을 제거하는 건조처리를 하는 건조 챔버와; 액처리 챔버에서 액처리된 기판을 건조 챔버로 반송하며, 기판이 놓이는 핸드를 가지는 반송유닛과; 핸드에 놓인 기판의 에지 영역을 감싸도록 제공되는 에지링을 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus includes: a liquid processing chamber for supplying a processing liquid onto a substrate to perform liquid processing on the substrate; a drying chamber for performing a drying process to remove the processing liquid remaining on the substrate; a transfer unit for transferring the liquid-processed substrate from the liquid processing chamber to the drying chamber and having a hand on which the substrate is placed; and an edge ring provided to surround an edge region of the substrate placed in the hand.

일 실시예에 의하면, 핸드는, 기판이 놓이는 안착면이 형성되고, 안착면의 둘레에 에지링이 놓이는 홈이 형성된 베이스를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the hand may include a base in which a seating surface on which a substrate is placed is formed, and a groove on which an edge ring is placed around the seating surface is formed.

일 실시예에 의하면, 에지링을 핸드 상으로 이송하는 에지링 이송유닛을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, it may further include an edge ring transfer unit for transferring the edge ring onto the hand.

일 실시예에 의하면, 에지링 이송유닛은, 액처리 챔버 내에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the edge ring transfer unit may be disposed in the liquid processing chamber.

일 실시예에 의하면, 에지링 이송유닛은, 기판이 놓이는 지지유닛과 대향되는 위치에 제공되고, 에지링을 홀드하는 홀드암과; 홀드암을 승하강 시키는 승하강부(955)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the edge ring transfer unit includes: a hold arm provided at a position opposite to the support unit on which the substrate is placed, and holding the edge ring; It may include an elevating unit 955 for elevating the hold arm.

일 실시예에 의하면, 에지링 이송유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 제어기는 액처리 챔버에서 액처리가 완료된 기판이 핸드에 놓이면 에지링을 핸드에 안착시키도록 에지링 이송유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, further comprising a controller for controlling the edge ring transfer unit, wherein the controller can control the edge ring transfer unit to seat the edge ring in the hand when the liquid-processed substrate in the liquid processing chamber is placed in the hand. there is.

일 실시예에 의하면, 홀드암은 에지링을 자력으로 홀드하고, 에지링에서 홀드암과 접촉되는 영역은 금속 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the hold arm may magnetically hold the edge ring, and a region of the edge ring in contact with the hold arm may be made of a metal material.

일 실시예에 의하면, 에지링은, 상면이 금속 재질로 제공되고, 내측면이 수지 재질로 제공될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the edge ring may have an upper surface made of a metal material and an inner surface made of a resin material.

일 실시예에 의하면, 에지링은 금속 재질로 제공되고, 내측면이 수지 재질로 코팅될 수 있다.According to one embodiment, the edge ring may be provided with a metal material, and the inner surface may be coated with a resin material.

일 실시예에 의하면, 에지링은, 처리액의 표면장력 보다 작은 표면장력을 갖는 재질로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the edge ring may be provided with a material having a surface tension smaller than the surface tension of the treatment liquid.

일 실시예에 의하면, 건조 챔버는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조처리하는 챔버로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the drying chamber may be provided as a chamber for drying the substrate using a supercritical fluid.

일 실시예에 의하면, 액처리는 유기용제를 이용하여 기판을 액처리 하는 처리이며, 기판에 유기용제가 잔류한 상태에서 기판이 핸드에 의해 건조챔버로 반송될 수 있다.According to an embodiment, the liquid treatment is a liquid treatment of the substrate using an organic solvent, and the substrate may be transferred to the drying chamber by a hand while the organic solvent remains on the substrate.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 액처리 챔버에서 처리액으로 기판을 액처리하고 액처리된 기판을 핸드로 지지한 상태에서 건조 챔버로 반송하여 건조처리하되, 기판이 액처리 챔버에서 건조 챔버로 반송될 때 기판 상에는 처리액이 잔류하고, 기판의 에지 영역에는 에지링이 놓여 기판 상의 처리액이 흘러내리는 것을 방지할 수 있다.The present invention also provides a method for processing a substrate. According to one embodiment of the present invention, in the substrate processing method, a substrate is liquid-treated with a processing liquid in a liquid processing chamber, and the liquid-treated substrate is transferred to the drying chamber while supporting the hand for drying, but the substrate is liquid-treated. When the processing liquid is transferred from the chamber to the drying chamber, the processing liquid remains on the substrate, and an edge ring is placed on the edge region of the substrate to prevent the processing liquid from flowing down on the substrate.

일 실시예에 의하면, 에지링은 기판이 핸드에 의해 지지된 상태에서 기판의 에지 영역 상에 놓일 수 있다.According to one embodiment, the edge ring may be placed on an edge region of the substrate with the substrate supported by the hand.

일 실시예에 의하면, 기판이 핸드에 놓이면, 에지링은 에지링 이송유닛에 의해 기판의 에지 영역 상에 놓일 수 있다.According to one embodiment, when the substrate is placed in the hand, the edge ring may be placed on the edge region of the substrate by the edge ring transfer unit.

일 실시예에 의하면, 에지링은 기판보다 상부에 위치되고, 핸드의 승강에 의해 기판과 에지링이 순차적으로 핸드에 놓일 수 있다.According to an embodiment, the edge ring is positioned above the substrate, and the substrate and the edge ring may be sequentially placed on the hand by lifting and lowering the hand.

일 실시예에 의하면, 기판의 건조처리는 에지링이 기판의 에지 영역에서 제거된 상태에서 이루어질 수 있다.According to an embodiment, the drying process of the substrate may be performed in a state in which the edge ring is removed from the edge region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 기판의 건조처리는 에지링이 기판의 에지 영역에 놓인 상태에서 진행될 수 있다.According to an embodiment, the drying process of the substrate may be performed while the edge ring is placed on the edge region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 에지링은, 내측면이 수지 재질로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the edge ring, the inner surface may be provided with a resin material.

일 실시예에 의하면, 에지링은 처리액보다 표면장력이 낮은 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the edge ring may be provided of a material having a lower surface tension than the treatment liquid.

일 실시예에 의하면, 액처리는 유기 용제로 기판을 액처리하고, 건조처리는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조처리 하는 처리일 수 있다.According to an embodiment, the liquid treatment may be a liquid treatment of the substrate with an organic solvent, and the drying treatment may be a treatment of drying the substrate using a supercritical fluid.

본 발명의 일실시예에 의하면, 기판의 수율 저하를 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize a decrease in the yield of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상에 도포되는 처리액의 유실을 방지하여 기판을 균일하게 건조할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent the loss of the processing liquid applied on the substrate to uniformly dry the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예의 기판 처리 장비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 액처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1의 반송유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 핸드 상에 기판이 안착된 모습을 위에서 바라본 평면도이다.
도 6 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 에지링의 사시도 및 단면도이다.
도 8 내지 도 9는 각각 도 4의 핸드 상에 기판 및 에지링이 안착된 모습을 보여주는 단면도와 사시도이다.
도 10은 본 발명의 에지링 이송유닛의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 11 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타낸 도면이다.
1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the drying chamber of FIG. 1 .
4 is a perspective view schematically showing an embodiment of the conveying unit of FIG. 1 .
FIG. 5 is a plan view of the substrate seated on the hand of FIG. 4 as viewed from above.
6 to 7 are perspective and cross-sectional views, respectively, of an edge ring according to an embodiment of the present invention.
8 to 9 are cross-sectional and perspective views each showing a state in which a substrate and an edge ring are seated on the hand of FIG. 4 .
10 is a perspective view showing a state of the edge ring transfer unit of the present invention.
11 to 17 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments.

본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 또는 축소되었다.This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated or reduced to emphasize clearer descriptions.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장비에 관하여 설명한다. Hereinafter, substrate processing equipment according to the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 기판 처리 장비는 인덱스 모듈(1000) 및 공정 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 외부로부터 기판(W)을 반송 받아 공정 모듈(2000)로 기판(W)을 반송하고, 공정 모듈(2000)은 기판(W)을 처리한다. 일 실시예에 의하면, 공정 모듈(2000)은 기판(W)을 세정하는 공정을 수행한다.1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate processing equipment includes an index module 1000 and a process module 2000 . The index module 1000 receives the substrate W from the outside and transfers the substrate W to the process module 2000 , and the process module 2000 processes the substrate W. According to one embodiment, the process module 2000 performs a process of cleaning the substrate (W).

인덱스 모듈(1000)은 설비 전방 단부 모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송 프레임(1200)을 포함한다. 로드포트(1100)에는 기판(W)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.The index module 1000 is an equipment front end module (EFEM), and includes a load port 1100 and a transport frame 1200 . A container C in which the substrate W is accommodated is placed in the load port 1100 . As the container (C), a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C may be brought into the load port 1100 from the outside by an overhead transfer (OHT) or may be carried out from the load port 1100 to the outside.

이송 프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정 모듈(2000) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(1200)은 인덱스 로봇(1210) 및 인덱스 레일(1220)을 포함한다. 인덱스 로봇(1210)은 인덱스 레일(1220) 상에서 이동하며 기판(W)을 반송할 수 있다.The transport frame 1200 transports the substrate W between the vessel C placed on the load port 1100 and the process module 2000 . The transport frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220 . The index robot 1210 may move on the index rail 1220 and transport the substrate W.

공정 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2100), 반송 챔버(2200), 액처리 챔버(2300) 및 건조 챔버(2400)를 포함한다. The process module 2000 includes a buffer unit 2100 , a transfer chamber 2200 , a liquid processing chamber 2300 , and a drying chamber 2400 .

버퍼 유닛(2100)은 인덱스 모듈(1000)과 공정 모듈(2000) 간에 반송되는 기판(W)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2100)에는 기판(W)이 놓이는 버퍼가 복수 개 제공될 수 있다.The buffer unit 2100 provides a space in which the substrate W transferred between the index module 1000 and the process module 2000 temporarily stays. A plurality of buffers on which the substrate W is placed may be provided in the buffer unit 2100 .

반송 챔버(2200)는 버퍼 유닛(2100), 복수의 액처리 챔버(2300), 복수의 건조 챔버(2400) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(2200)는 반송유닛(400), 반송레일(2220) 및 제어기(미도시)를 포함한다. 반송유닛(400)은 반송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(W)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 transfers the substrate W between the buffer unit 2100 , the plurality of liquid processing chambers 2300 , and the plurality of drying chambers 2400 . The transfer chamber 2200 includes a transfer unit 400 , a transfer rail 2220 , and a controller (not shown). The transfer unit 400 may move on the transfer rail 2220 and transfer the substrate (W).

액처리 챔버(2300)는, 액처리 공정을 수행하고, 건조 챔버(2400)는 기판(W)을 건조하는 공정을 수행한다.The liquid processing chamber 2300 performs a liquid processing process, and the drying chamber 2400 performs a process of drying the substrate W.

도 2는 액처리 챔버(2300)의 일 실시예를 보여준다. 액처리 챔버(2300)는, 하우징(2301), 처리 용기(2310), 지지유닛(2320), 승강 유닛(2330), 그리고 분사유닛(2340)을 포함한다. 2 shows an embodiment of a liquid processing chamber 2300 . The liquid processing chamber 2300 includes a housing 2301 , a processing container 2310 , a support unit 2320 , an elevation unit 2330 , and an injection unit 2340 .

하우징(2301)은 내부에 액처리 공정이 수행되는 액처리공간(2302)을 제공한다. 처리 용기(2310)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며 그 상부는 개방된다. 처리 용기(2310)는 복수의 회수통(2311)을 가지며, 각각의 회수통(2311)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다.The housing 2301 provides a liquid treatment space 2302 in which a liquid treatment process is performed. The processing vessel 2310 provides a space in which a substrate processing process is performed, and an upper portion thereof is opened. The processing vessel 2310 has a plurality of collection tubes 2311 , and each collection tube 2311 recovers different treatment liquids from among the treatment liquids used in the process.

지지유닛(2320)은, 처리 용기(2310) 내에 배치된다. 지지유닛(2320)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다.The support unit 2320 is disposed in the processing container 2310 . The support unit 2320 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process.

승강 유닛(2330)은 처리 용기(2310)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(2310)가 상하로 이동됨에 따라 지지유닛(2320)에 대한 처리 용기(2310)의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해, 공정이 진행될 때, 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(2311)으로 서로 분리되어 회수된다.The lifting unit 2330 linearly moves the processing container 2310 in the vertical direction. As the processing vessel 2310 moves up and down, the relative height of the processing vessel 2310 with respect to the support unit 2320 is changed. Accordingly, when the process is performed, the treatment liquid is separated from each other and recovered into a predetermined collection container 2311 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W.

분사유닛(2340)은, 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사유닛은 노즐(2342)을 포함한다. 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제를 포함한다. 케미칼은 복수의 종류로 제공될 수 있다. 예컨대, 케미칼은 황산, 질산, 또는 인산 등일 수 있고, 린스액은 순수일 수 있다. 유기용제는 이소프로필 알코올 일수 있다. 노즐(2342)은 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 노즐(2342)이 복수개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 각각은 서로 상이한 노즐(2342)을 통해 제공될 수 있다. The spray unit 2340 supplies the processing liquid on the substrate W. The spray unit includes a nozzle 2342 . The treatment solution includes a chemical, a rinse solution, and an organic solvent. The chemical may be provided in a plurality of types. For example, the chemical may be sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, or the like, and the rinse solution may be pure water. The organic solvent may be isopropyl alcohol. One or a plurality of nozzles 2342 may be provided. When a plurality of nozzles 2342 are provided, each of a chemical, a rinse solution, and an organic solvent may be provided through different nozzles 2342 .

일 실시예에 의하면, 기판(W) 상에 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제가 순차적으로 공급된다. 케미칼의 공급에 의해 기판(W) 상에 잔류하는 막질이나 파티클이 케미칼과 화학 반응하여 기판(W)으로부터 제거된다. 린스액의 공급에 의해 기판 상에 잔류하는 케미칼은 기판(W)으로부터 제거한다. 유기용제의 공급에 의해 기판(W) 상에 잔류하는 린스액은 유기용제로 치환된다. 일 실시예에서 유기용제는 IPA(이소프로필 알코올; ISOPROPYL ALCOHOL)이다. According to an embodiment, a chemical, a rinse solution, and an organic solvent are sequentially supplied on the substrate W. By supply of the chemical, the film or particles remaining on the substrate W are removed from the substrate W by chemical reaction with the chemical. Chemicals remaining on the substrate are removed from the substrate W by the supply of the rinse solution. The rinsing liquid remaining on the substrate W is replaced with the organic solvent by the supply of the organic solvent. In one embodiment, the organic solvent is IPA (isopropyl alcohol; ISOPROPYL ALCOHOL).

도 3은 건조 챔버(2400)의 일실시예를 보여준다. 일 실시예에 의하면, 건조 챔버(2400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조한다. 건조 챔버(2400)는, 바디(2410), 지지 유닛(2480), 유체 공급라인(2430), 그리고 유체 배기라인(2460)을 포함한다3 shows one embodiment of a drying chamber 2400 . According to an embodiment, the drying chamber 2400 dries the substrate W using a supercritical fluid. The drying chamber 2400 includes a body 2410 , a support unit 2480 , a fluid supply line 2430 , and a fluid exhaust line 2460 .

바디(2410)는, 초임계 유체를 공급하여 초임계 건조 공정이 수행되는 처리공간(2402)을 제공한다. 바디(2410)는 서로 조합되어 내부에 처리공간(2402)을 제공하는 하부 바디(2411)와 상부 바디(2412)를 포함한다. The body 2410 provides a processing space 2402 in which a supercritical drying process is performed by supplying a supercritical fluid. The body 2410 includes a lower body 2411 and an upper body 2412 in combination to provide a processing space 2402 therein.

지지장치(2480)는, 초임계 건조 공정이 수행되는 동안 기판(W)을 지지하도록 제공된다. 상부 바디(2412)는 그 위치가 고정되고, 하부 바디(2411)는 하우징 구동기(미도시)에 의해 승하강 된다. 기판(W)이 바디(2410) 내로 반입되거나 이로부터 반출될 때에는 하부 바디(2411)와 상부 바디(2412)가 서로 이격되고, 기판(W)에 대해 건조 공정 진행시에는 하부 바디(2411)와 상부 바디(2412)가 서로 밀착된다. The support device 2480 is provided to support the substrate W while the supercritical drying process is performed. The position of the upper body 2412 is fixed, and the lower body 2411 is raised and lowered by a housing driver (not shown). When the substrate W is brought into or taken out of the body 2410, the lower body 2411 and the upper body 2412 are spaced apart from each other, and when the drying process is performed on the substrate W, the lower body 2411 and the The upper body 2412 is in close contact with each other.

유체 공급 라인(2430)은 바디(2410) 내부로 초임계 유체를 공급한다. 배출라인(2460)은 바디(2410)로부터 초임계 유체를 배출한다. 배출라인(2460)은 하부 하우징(2411)에 제공된다. 일 실시예에서 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.The fluid supply line 2430 supplies the supercritical fluid into the body 2410 . The discharge line 2460 discharges the supercritical fluid from the body 2410 . The discharge line 2460 is provided in the lower housing 2411 . In one embodiment, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

도 4는 도 1의 반송유닛(400)을 나타낸 사시도이다. 도 4를 참조하면, 반송유닛(400)은 베이스플레이트(430) 및 핸드(410)를 포함한다. 베이스플레이트(430)는 반송레일(2220)을 따라 이동되도록 제공된다. 핸드(410)에는 기판(W)이 놓인다. 핸드(410)는 베이스플레이트(430)에 대해 신장 가능하게 제공된다. 핸드(410)는 입구를 통해 처리 챔버들로 기판(W)을 직접 반입 또는 반출한다. 베이스플레이트(430)가 반송레일(2220)을 따라 이동하며, 핸드(410)는 버퍼 유닛(2100), 복수의 액처리 챔버(2300), 복수의 건조 챔버(2400) 간에 기판(W)을 반송한다. 베이스플레이트(430)는 핸드(410)를 지지한다. 핸드(410)는 복수개가 적층되게 제공될 수 있다.4 is a perspective view illustrating the transfer unit 400 of FIG. 1 . Referring to FIG. 4 , the transfer unit 400 includes a base plate 430 and a hand 410 . The base plate 430 is provided to be moved along the transport rail 2220 . A substrate W is placed on the hand 410 . The hand 410 is provided to be stretchable with respect to the base plate 430 . The hand 410 directly carries the substrate W into or out of the processing chambers through the inlet. The base plate 430 moves along the transport rail 2220 , and the hand 410 transports the substrate W between the buffer unit 2100 , the plurality of liquid processing chambers 2300 , and the plurality of drying chambers 2400 . do. The base plate 430 supports the hand 410 . A plurality of hands 410 may be provided to be stacked.

도 5는 도 4의 핸드(410) 상에 기판(W)이 안착된 모습을 위에서 바라본 평면도이다. 도 5를 참조하면, 핸드(410)는 기판(W)의 이송을 위한 베이스(411)가 형성된다. 베이스(411)는 기판(W)이 놓이도록 평평하게 제공될 수 있다. 베이스(411)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(411)는 기판(W)이 놓이는 안착면(412)과 에지링(800)이 놓이는 에지링 안착부(414)를 가진다. 에지링 안착부(414)는 안착면(412)의 둘레에 형성될 수 있다. 핸드(410)의 내경은 기판(W)의 직경보다 작거나 같게 형성되어 안착면(412)에 기판(W)이 지지된다.FIG. 5 is a plan view of a state in which the substrate W is seated on the hand 410 of FIG. 4 as viewed from above. Referring to FIG. 5 , a base 411 for transferring the substrate W is formed in the hand 410 . The base 411 may be provided to be flat on which the substrate W is placed. The base 411 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 411 has a seating surface 412 on which the substrate W is placed and an edge ring seating portion 414 on which the edge ring 800 is placed. The edge ring seating portion 414 may be formed around the seating surface 412 . The inner diameter of the hand 410 is formed to be smaller than or equal to the diameter of the substrate W, so that the substrate W is supported on the seating surface 412 .

도 6 내지 도 7은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 에지링(800)의 사시도 및 단면도이다. 도 6 내지 7을 참조하면, 에지링(800)은 상면(820), 하면, 외측면(840) 및 내측면(860)을 갖는다. 에지링(800)은 기판(W)을 감싸도록 환형으로 제공된다. 에지링(800)의 상면(820)과 하면은 에지링 안착부(414)에 안착되도록 평평하게 제공된다. 6 to 7 are perspective and cross-sectional views, respectively, of an edge ring 800 according to an embodiment of the present invention. 6 to 7 , the edge ring 800 has an upper surface 820 , a lower surface, an outer surface 840 , and an inner surface 860 . The edge ring 800 is provided in an annular shape to surround the substrate W. The upper surface 820 and the lower surface of the edge ring 800 are provided flat to be seated on the edge ring seating portion 414 .

도 7에 도시된 바와 같이, 상면(820)의 내경은 하면의 내경보다 작게 형성될 수 있다. 에지링(800)의 단면은 'ㄱ'자 형상으로 제공될 수 있다. 에지링(800)의 내측면(860)이 기판(W)의 외경과 맞닿도록 제공된다. 에지링(800)은 유기용제 보다 표면장력이 작은 재질로 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 에지링(800)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 에지링(800)이 금속 재질로 제공되되, 내측면(860)은 수지로 코팅될 수 있다.As shown in FIG. 7 , the inner diameter of the upper surface 820 may be smaller than the inner diameter of the lower surface. A cross-section of the edge ring 800 may be provided in a 'L' shape. The inner surface 860 of the edge ring 800 is provided so as to contact the outer diameter of the substrate (W). The edge ring 800 may be provided of a material having a lower surface tension than the organic solvent. In one embodiment, the edge ring 800 may be provided with a metal material. The edge ring 800 is provided with a metal material, and the inner surface 860 may be coated with a resin.

도 8 내지 도 9는 각각 도 4의 핸드(410) 상에 기판(W) 및 에지링(800)이 안착된 모습을 보여주는 단면도와 사시도이다. 도 8 내지 도 9를 참조하면, 안착면(412)에 기판(W)이 안착되고, 에지링 안착부(414)에 에지링(800)이 안착되어 에지링(800)은 기판(W)의 에지영역을 둘러싸게 된다. 에지링(800)의 단면이 'ㄱ'자로 형성됨에 따라 에지링(800)은 기판(W)의 상부 및 측부 에지영역을 안정적으로 둘러싼다.8 to 9 are cross-sectional and perspective views each showing a state in which the substrate W and the edge ring 800 are seated on the hand 410 of FIG. 4 . Referring to FIGS. 8 to 9 , the substrate W is seated on the seating surface 412 , and the edge ring 800 is seated on the edge ring seating part 414 , so that the edge ring 800 is of the substrate W. It surrounds the edge region. As the cross-section of the edge ring 800 is formed in a 'L' shape, the edge ring 800 stably surrounds the upper and side edge regions of the substrate W.

일 실시 예에서, 에지링 안착부(414)는 홈 형상으로 제공될 수 있다. 홈에 안착된 에지링(800)은 핸드(410)에서 이탈이 방지된다. 에지링 안착부(414)에 에지링(800)이 지지되도록 핸드(410)의 외경은 에지링(800)의 직경보다 크거나 같게 제공된다. 에지링(800)의 내측면(860)은 기판(W)의 외경과 맞닿도록 제공된다. In an embodiment, the edge ring seating part 414 may be provided in a groove shape. The edge ring 800 seated in the groove is prevented from being separated from the hand 410 . The outer diameter of the hand 410 is provided to be greater than or equal to the diameter of the edge ring 800 so that the edge ring 800 is supported on the edge ring seating portion 414 . The inner surface 860 of the edge ring 800 is provided so as to be in contact with the outer diameter of the substrate (W).

도 10은 본 발명의 에지링 이송유닛(900)의 모습을 보여주는 사시도이다. 에지링(800)은 에지링 이송유닛(900)에 의해 핸드(410)에 놓일 수 있다. 에지링 이송유닛(900)은 액처리 챔버(2300) 내에 제공될 수 있다. 에지링 이송유닛(900)은 지지유닛(2320)으로부터 기판(W)이 핸드(410)에 의해 상승되었을 때, 핸드(410)에 에지링(800)을 안착시킬 수 있도록 지지유닛(2320)의 상방에 지지유닛(2320)과 대향되는 위치에 제공될 수 있다.10 is a perspective view showing a state of the edge ring transfer unit 900 of the present invention. The edge ring 800 may be placed on the hand 410 by the edge ring transfer unit 900 . The edge ring transfer unit 900 may be provided in the liquid processing chamber 2300 . The edge ring transfer unit 900 is a support unit 2320 to seat the edge ring 800 on the hand 410 when the substrate W is raised by the hand 410 from the support unit 2320. It may be provided at a position opposite to the support unit 2320 above.

에지링 이송유닛(900)은 홀드암(952)과 승하강부(955)를 포함할 수 있다. 홀드암(952)은 에지링(800)을 홀드한다. 에지링(800)은 홀드암(952)의 하부에 홀드될 수 있다. 홀드암(952)은 전자석(958)을 포함할 수 있다. 에지링(800)은 상면(820)이 금속으로 제공되어 전자석(958)에 홀드될 수 있다. 에지링(800)은 금속으로 제공되고 내측면(860)이 수지 재질로 코팅되어 전자석(958)에 홀드될 수 있다. 승하강부(955)는 홀드암(952)을 승하강시켜 에지링(800)을 상승 또는 하강시킨다. 승하강부(955)는 홀드암(952)을 지지하는 지지부(954), 지지부(954)가 삽입되어 승하강 되도록 제공되는 레일(956)을 포함할 수 있다.The edge ring transfer unit 900 may include a hold arm 952 and an elevating unit 955 . The hold arm 952 holds the edge ring 800 . The edge ring 800 may be held under the hold arm 952 . The hold arm 952 may include an electromagnet 958 . The edge ring 800 may be held by the electromagnet 958 by providing the upper surface 820 of the metal. The edge ring 800 may be made of metal and the inner surface 860 may be coated with a resin material to be held by the electromagnet 958 . The elevating unit 955 raises or lowers the edge ring 800 by elevating the hold arm 952 . The elevating unit 955 may include a supporting unit 954 supporting the hold arm 952 , and a rail 956 provided so that the supporting unit 954 is inserted and elevating.

에지링 이송유닛(900)은 제어기에 의해 구동이 제어될 수 있다. 제어기는 기판(W) 처리 방법에서 에지링(800)을 이송하도록 에지링 이송유닛(900)을 제어한다. 에지링 이송유닛(900)의 구동은 이하 기판(W) 처리 방법에서 자세히 서술한다.The edge ring transfer unit 900 may be driven by a controller. The controller controls the edge ring transfer unit 900 to transfer the edge ring 800 in the substrate (W) processing method. The driving of the edge ring transfer unit 900 will be described in detail below in the substrate (W) processing method.

도 11 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타낸 도면이다.11 to 17 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 액처리공간(2302) 내에서, 기판(W)은 지지유닛(2320)에 의해 지지된다. 기판(W)은 지지유닛(2320) 상에서 측부가 척핀(2321)에 의해 지지되고, 저면이 지지핀(2323)에 의해 지지된다. 노즐(2342)에 의해 기판에 액이 도포된다. 일 예에서, 액은 IPA이다. Referring to FIG. 11 , in the liquid processing space 2302 , the substrate W is supported by the support unit 2320 . The side of the substrate W is supported by the chuck pin 2321 on the support unit 2320 , and the bottom surface is supported by the support pin 2323 . A liquid is applied to the substrate by a nozzle 2342 . In one example, the liquid is IPA.

도 12를 참조하면, 액처리 챔버(2300)에서 액처리된 기판(W)의 상면에는 IPA가 도포되어 액막(F)이 형성된다. 액막(F)이 형성된 기판(W)은 지지핀(2323)에 의해 상승된다. 이때 핸드(410)와 에지링 이송유닛(900)은 기판(W)과 접촉하지 않는 대기 위치에 위치한다.Referring to FIG. 12 , the liquid film F is formed by applying IPA on the upper surface of the substrate W processed in the liquid processing chamber 2300 . The substrate W on which the liquid film F is formed is raised by the support pins 2323 . At this time, the hand 410 and the edge ring transfer unit 900 are positioned at a stand-by position that does not come into contact with the substrate (W).

도 13을 참조하면, 핸드(410)가 대기 위치에서 액막(F)이 형성된 기판(W)과 접촉하는 접촉 위치로 이동하여 기판(W)의 저면을 지지한다.Referring to FIG. 13 , the hand 410 moves from the standby position to a contact position in contact with the substrate W on which the liquid film F is formed to support the bottom surface of the substrate W.

도 14를 참조하면, 핸드(410)에 기판(W)이 놓인 후, 에지링(800)이 승하강부(955)에 의해 하강되어 핸드(410)에 안착된다. 에지링(800)이 핸드(410)에 놓일 수 있도록 승하강부(955)의 하강 높이와 하강 속도가 조절된다. 전자석(958)은 에지링(800)을 홀드할 때 자력을 유지하고, 에지링(800)을 핸드(410)에 놓을 때 자력을 상실함에 따라 에지링(800)을 홀드 또는 릴리스 한다. Referring to FIG. 14 , after the substrate W is placed on the hand 410 , the edge ring 800 is lowered by the elevating unit 955 to be seated on the hand 410 . The descending height and descending speed of the elevating unit 955 are adjusted so that the edge ring 800 can be placed on the hand 410 . The electromagnet 958 maintains a magnetic force when holding the edge ring 800 , and holds or releases the edge ring 800 as it loses magnetic force when the edge ring 800 is placed on the hand 410 .

도 15를 참조하면, 핸드(410)에 에지링(800)을 안착시킨 홀드암(952)은 승하강부(955)에 의해 상승되어 원위치로 복귀된다.Referring to FIG. 15 , the hold arm 952 having the edge ring 800 seated on the hand 410 is raised by the elevating unit 955 and returned to its original position.

도 16을 참조하면, 핸드(410)에 기판(W)과 에지링(800)이 안착되면, 핸드(410)는 기판(W)을 건조 챔버(2400)로 이송한다. 반송유닛은 기판(W)에 유기용제가 잔류한 상태에서 기판(W)을 건조 챔버(2400)로 이송한다. 핸드(410)가 스핀헤드에(2320) 놓인 기판(W)을 지지유닛(2320)로부터 상승시켜 건조 챔버(2400)로 이송한다.Referring to FIG. 16 , when the substrate W and the edge ring 800 are seated on the hand 410 , the hand 410 transfers the substrate W to the drying chamber 2400 . The transfer unit transfers the substrate W to the drying chamber 2400 while the organic solvent remains on the substrate W. The hand 410 lifts the substrate W placed on the spin head 2320 from the support unit 2320 and transfers it to the drying chamber 2400 .

기판(W)의 이송을 위해, 핸드(410)가 지지핀(2323)에 지지된 기판(W)을 아래에서 위로 들어 올린다. 기판(W)에 유기용제가 잔류한 상태에서 기판(W)이 핸드(410)에 의해 이송되게 되면, 기판(W) 상의 유기용제가 기판(W)의 외부로 유출되게 된다. 이때, 기판(W)의 에지 영역에 에지링(800)이 놓여 기판(W) 상의 유기용제가 흘러내리는 것을 방지한다. For the transfer of the substrate W, the hand 410 lifts the substrate W supported by the support pins 2323 from the bottom up. When the substrate W is transferred by the hand 410 while the organic solvent remains on the substrate W, the organic solvent on the substrate W flows out of the substrate W. At this time, the edge ring 800 is placed on the edge region of the substrate W to prevent the organic solvent from flowing down on the substrate W.

유기용제가 도포된 기판(W)의 에지영역에 에지링(800)을 배치함에 따라 기판(W)의 주연부에 유기용제가 흐르지 못하도록 물리적 경계가 형성된다. 또한, 에지링(800)을 유기용제보다 표면장력이 작은 재질로 선택하여 기판(W)의 에지영역과 에지링(800) 사이에 화학적 경계가 형성된다.As the edge ring 800 is disposed on the edge region of the substrate W to which the organic solvent is applied, a physical boundary is formed to prevent the organic solvent from flowing in the periphery of the substrate W. In addition, by selecting the edge ring 800 as a material having a smaller surface tension than the organic solvent, a chemical boundary is formed between the edge region of the substrate W and the edge ring 800 .

도 17을 참조하면, 에지링(800)은 기판(W)의 건조처리 동안 기판(W)을 감싸도록 제공될 수 있다. Referring to FIG. 17 , the edge ring 800 may be provided to surround the substrate W during the drying process of the substrate W .

본 발명에 따르면, 기판(W)의 에지영역에 에지링(800)을 배치함에 따라 기판(W)을 처리하는 과정이 추가되지 않는 효과가 있다. 기판(W)을 처리하는 과정이 추가되지 않음에 따라 오염 물질이 발생할 가능성이 증대되지 않는 효과가 있다.According to the present invention, as the edge ring 800 is disposed in the edge region of the substrate W, there is an effect that the process of processing the substrate W is not added. As the process of processing the substrate W is not added, there is an effect that the possibility of generating contaminants is not increased.

상술한 예에서 에지링(800)은 금속재질로 제공되고 내측면(860)이 수지 재질로 코팅되는 것으로 설명하였으나, 에지링(800)은 그 전체가 수지 재질로 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the edge ring 800 is made of a metal material and the inner surface 860 is coated with a resin material, but the edge ring 800 may be entirely made of a resin material.

상술한 예에서 안착면(412)은 환형으로 설명되었으나, 안착면(412)은 베이스(411)로부터 내측으로 연장된 복수의 돌기형상으로 제공될 수 있다.Although the seating surface 412 has been described as annular in the above-described example, the seating surface 412 may be provided in the shape of a plurality of protrusions extending inward from the base 411 .

상술한 예에서 에지링 안착부(414)는 홈 형상으로 설명되었으나, 에지링 안착부(414)는 기판(W)이 놓이는 안착면(412)과 같은 선상에 형성되는 단차로 제공될 수 있다.In the above example, the edge ring seating part 414 has been described as having a groove shape, but the edge ring seating part 414 may be provided as a step formed on the same line as the seating surface 412 on which the substrate W is placed.

상술한 예에서, 에지링(800)은 'ㄱ'자 형상의 단면을 가지는 것으로 설명하였으나, 에지링(800)은 직선 형상의 단면을 가지는 링 형상으로 제공될 수 있다.In the above-described example, the edge ring 800 has been described as having a 'L'-shaped cross-section, but the edge ring 800 may be provided in a ring shape having a linear cross-section.

상술한 예에서, 에지링(800)은 기판(W)이 핸드(410)에 놓인 후 핸드(410)에 안착되는 것으로 설명하였으나, 에지링(800)은 핸드(410)에 기판(W)과 동시에 안착될 수 있다.In the above-described example, the edge ring 800 has been described as being seated on the hand 410 after the substrate W is placed on the hand 410 , but the edge ring 800 is attached to the hand 410 with the substrate W and can be seated at the same time.

상술한 예에서, 에지링(800)은 기판(W)의 건조처리 과정에서 제거되지 않는 것으로 설명하였으나, 에지링(800)은 기판(W)이 건조처리되기 전에 제거될 수 있다.In the above example, it has been described that the edge ring 800 is not removed during the drying process of the substrate W, but the edge ring 800 may be removed before the substrate W is dried.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

400: 반송유닛
410: 핸드
800: 에지링
900: 에지링 이송유닛
400: transfer unit
410: hand
800: edge ring
900: edge ring transfer unit

Claims (21)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 액처리 챔버와;
상기 기판 상에 잔류하는 처리액을 제거하는 건조처리를 하는 건조 챔버와;
상기 액처리 챔버에서 액처리된 기판을 상기 건조 챔버로 반송하며,
상기 기판이 놓이는 핸드를 가지는 반송유닛과;
상기 핸드에 놓인 상기 기판의 에지 영역을 감싸도록 제공되는 에지링을 포함하고.
상기 핸드는,
상기 기판이 놓이는 안착면이 형성되고, 상기 안착면의 둘레에 상기 에지링이 놓이는 홈이 형성된 베이스를 포함하는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate, comprising:
a liquid processing chamber for liquid-processing the substrate by supplying a processing liquid onto the substrate;
a drying chamber for performing a drying process for removing the processing liquid remaining on the substrate;
transferring the liquid-processed substrate in the liquid processing chamber to the drying chamber;
a transfer unit having a hand on which the substrate is placed;
and an edge ring provided to surround an edge region of the substrate placed on the hand.
The hand is
and a base having a seating surface on which the substrate is placed and a groove on which the edge ring is placed around the seating surface.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 에지링을 상기 핸드 상으로 이송하는 에지링 이송유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising an edge ring transfer unit for transferring the edge ring onto the hand.
제3항에 있어서,
상기 에지링 이송유닛은,
상기 액처리 챔버 내에 배치되는 기판 처리 장치.
4. The method of claim 3,
The edge ring transfer unit,
A substrate processing apparatus disposed in the liquid processing chamber.
제4항에 있어서,
상기 에지링 이송유닛은,
상기 기판이 놓이는 지지유닛과 대향되는 위치에 제공되고,
상기 에지링을 홀드하는 홀드암과;
상기 홀드암을 승하강 시키는 승하강부를 포함하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
The edge ring transfer unit,
It is provided at a position opposite to the support unit on which the substrate is placed,
a hold arm for holding the edge ring;
A substrate processing apparatus including an elevating unit for elevating and lowering the hold arm.
제5항에 있어서,
상기 에지링 이송유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 액처리 챔버에서 액처리가 완료된 기판이 상기 핸드에 놓이면 상기 에지링을 상기 핸드에 안착시키도록 상기 에지링 이송유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
6. The method of claim 5,
Further comprising a controller for controlling the edge ring transfer unit,
The controller is configured to control the edge ring transfer unit to seat the edge ring on the hand when the substrate on which liquid processing is completed in the liquid processing chamber is placed on the hand.
제5항에 있어서,
상기 홀드암은 상기 에지링을 자력으로 홀드하고,
상기 에지링에서 상기 홀드암과 접촉되는 영역은 금속 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
6. The method of claim 5,
The hold arm holds the edge ring by magnetic force,
In the edge ring, a region in contact with the hold arm is provided with a metal material.
제6항에 있어서,
상기 에지링은,
상면이 금속 재질로 제공되고,
내측면이 수지 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
7. The method of claim 6,
The edge ring is
The upper surface is provided with a metal material,
A substrate processing device having an inner surface made of a resin material.
제6항에 있어서,
상기 에지링은 금속 재질로 제공되고,
상기 에지링의 내측면은 수지 재질로 코팅되는 기판 처리 장치.
7. The method of claim 6,
The edge ring is provided with a metal material,
The inner surface of the edge ring is a substrate processing apparatus coated with a resin material.
제1항 및 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에지링은,
상기 처리액의 표면장력 보다 작은 표면장력을 갖는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
6. The method of any one of claims 1 and 3 to 5,
The edge ring is
A substrate processing apparatus provided with a material having a surface tension smaller than the surface tension of the processing liquid.
제1항 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 건조 챔버는 초임계 유체를 이용하여 상기 기판을 건조처리하는 챔버로 제공되는 기판 처리 장치.
9. The method of any one of claims 1 and 3 to 8,
The drying chamber is a substrate processing apparatus provided as a chamber for drying the substrate using a supercritical fluid.
제1항 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액처리는 유기용제를 이용하여 상기 기판을 액처리 하는 처리이며,
상기 기판에 상기 유기용제가 잔류한 상태에서 상기 기판이 상기 핸드에 의해 건조챔버로 반송되는 기판 처리 장치.
9. The method of any one of claims 1 and 3 to 8,
The liquid treatment is a treatment of liquid treatment of the substrate using an organic solvent,
A substrate processing apparatus in which the substrate is transferred to the drying chamber by the hand while the organic solvent remains on the substrate.
제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 액처리 챔버에서 상기 처리액으로 상기 기판을 액처리하고 상기 액처리된 기판을 상기 핸드로 지지한 상태에서 상기 건조 챔버로 반송하여 건조처리하되, 상기 기판이 상기 액처리 챔버에서 상기 건조 챔버로 반송될 때 상기 기판 상에는 상기 처리액이 잔류하고, 상기 기판의 에지 영역에는 상기 에지링이 놓여 상기 기판 상의 상기 처리액이 흘러내리는 것을 방지하는 기판 처리 방법.
In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
In the liquid processing chamber, the substrate is liquid-treated with the processing liquid, and the liquid-treated substrate is transferred to the drying chamber while being supported by the hand for drying processing, wherein the substrate is transferred from the liquid processing chamber to the drying chamber. A method for processing a substrate, wherein the processing liquid remains on the substrate when conveyed, and the edge ring is placed on an edge region of the substrate to prevent the processing liquid from flowing down on the substrate.
제13항에 있어서,
상기 에지링은 상기 기판이 상기 핸드에 의해 지지된 상태에서 상기 기판의 에지 영역 상에 놓이는 기판 처리 방법.
14. The method of claim 13,
wherein the edge ring is placed on an edge region of the substrate with the substrate supported by the hand.
제13항에 있어서,
상기 기판이 상기 핸드에 놓이면, 상기 에지링은 에지링 이송유닛에 의해 상기 기판의 에지 영역 상에 놓이는 기판 처리 방법.
14. The method of claim 13,
When the substrate is placed in the hand, the edge ring is placed on the edge region of the substrate by an edge ring transfer unit.
제13항에 있어서,
상기 에지링은 상기 기판보다 상부에 위치되고, 상기 핸드의 승강에 의해 상기 기판과 상기 에지링이 순차적으로 상기 핸드에 놓이는 기판 처리 방법.
14. The method of claim 13,
The edge ring is positioned above the substrate, and the substrate and the edge ring are sequentially placed on the hand by raising and lowering the hand.
제13항에 있어서,
상기 기판의 건조처리는 상기 에지링이 상기 기판의 에지 영역에서 제거된 상태에서 이루어지는 기판 처리 방법.
14. The method of claim 13,
The drying process of the substrate is performed in a state in which the edge ring is removed from the edge region of the substrate.
제13항에 있어서,
상기 기판의 건조처리는 상기 에지링이 상기 기판의 에지 영역에 놓인 상태에서 진행되는 기판 처리 방법.
14. The method of claim 13,
The substrate processing method in which the drying process of the substrate is performed in a state in which the edge ring is placed on an edge region of the substrate.
제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에지링은,
내측면이 수지 재질로 제공되는 기판 처리 방법.
19. The method according to any one of claims 13 to 18,
The edge ring is
A method of processing a substrate in which the inner surface is provided with a resin material.
제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에지링은 상기 처리액보다 표면장력이 낮은 재질로 제공되는 기판 처리 방법.
19. The method according to any one of claims 13 to 18,
The edge ring is a substrate processing method provided with a material having a lower surface tension than the treatment solution.
제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액처리는 유기 용제로 상기 기판을 액처리하고,
상기 건조처리는 초임계 유체를 이용하여 상기 기판을 건조처리 하는 기판 처리 방법.
18. The method according to any one of claims 12 to 17,
The liquid treatment is liquid treatment of the substrate with an organic solvent,
The drying process is a substrate processing method of drying the substrate using a supercritical fluid.
KR1020190078935A 2019-07-01 2019-07-01 substrate processing apparatus and substrate processing method KR102289152B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190078935A KR102289152B1 (en) 2019-07-01 2019-07-01 substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190078935A KR102289152B1 (en) 2019-07-01 2019-07-01 substrate processing apparatus and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210003353A KR20210003353A (en) 2021-01-12
KR102289152B1 true KR102289152B1 (en) 2021-08-17

Family

ID=74129591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190078935A KR102289152B1 (en) 2019-07-01 2019-07-01 substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102289152B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101461060B1 (en) * 2013-06-17 2014-11-13 피에스케이 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101461060B1 (en) * 2013-06-17 2014-11-13 피에스케이 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210003353A (en) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US20170001223A1 (en) Method and apparatus for treating substrate
KR101910041B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
US11145520B2 (en) Method for treating substrate involving supplying treatment liquid to peripheral area of substrate by second nozzle
KR20140112299A (en) Apparatus for treating substrate
KR20120023296A (en) Apparatus for treating a substrate
KR102289152B1 (en) substrate processing apparatus and substrate processing method
CN107564837B (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20130052997A (en) Buffer
KR102683708B1 (en) Chuck pin assembly, and substrate holding apparatus and liquid processing apparatus including the same
KR101842125B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101736853B1 (en) method and Apparatus for Processing Substrate
KR20130015610A (en) Substrate treating apparatus
KR102121239B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20170046490A (en) Apparatus and method for treating Substrate
KR101966804B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102505075B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101979601B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20200078791A (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
KR102331356B1 (en) Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method
US20160351385A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102347973B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102180009B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101994420B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102392490B1 (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right