KR102214370B1 - 조리개 및 타겟의 회전된 경계선 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 52
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 38
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 37
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4785—Standardising light scatter apparatus; Standards therefor
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4788—Diffraction
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
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- G—PHYSICS
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- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Immunology (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
Description
첨부 도면에 있어서,
도 1은 본 발명의 일부 실시형태에 따른 스캐터로메트리 계측 시스템의 상위 레벨 도면이다.
도 2a는 종래기술에 따른 조명 시야 조리개(illumination field stop)의 시야 등가면(field equivalent plane)에서 볼 때의 입사 방사선의 개략도이고, 도 2b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 조명 시야 조리개의 시야 등가면에서 볼 때의 입사 방사선의 개략도이다.
도 3a는 종래기술에 따른 시스템의 동공에서 볼 때의 입사 방사선의 개략도이고, 도 3b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 시스템의 동공에서 볼 때의 입사 방사선의 개략도이다.
도 4a는 종래기술에 따른 시스템의 (시야 등가면에서) 타겟에 입사하는 방사선의 개략도이고, 도 4b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 시스템의 (시야 등가면에서) 타겟에 입사하는 방사선의 개략도이다.
도 5a는 종래기술에 따른 시스템의 (동공 등가면에서의) 산란 방사선의 개략도이고, 도 5b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 시스템의 (동공 등가면에서의) 산란 방사선의 개략도이다.
도 6a는 종래기술에 따른 집광 시야 조리개(collection field stop)의 시야 등가면에서 볼 때의 산란 방사선의 개략도이고, 도 6b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 집광 시야 조리개의 시야 등가면에서 볼 때의 산란 방사선의 개략도이다.
도 7a는 종래기술에 따른 시스템의 (동공면에서의) 회절 신호의 개략도이고, 도 7b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 시스템의 (동공면에서의) 회절 신호의 개략도이다.
도 8a는 본 발명의 일부 실시형태에 따른, 시야 조리개의 에지가 중첩된 타겟의 개략도이다. 도 8b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 타겟의 개략도이다.
도 9a와 도 9b는 본 발명의 일부 실시형태에 따른 시야 조리개 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일부 실시형태에 따른 방법을 설명하는 상위 레벨 개략 흐름도이다.
Claims (21)
- 스캐터로메트리 계측 시스템에 있어서,
광원과,
상기 광원으로부터의 조명을 샘플 상에 배치된 타겟으로 지향시키도록 위치 결정된 하나 이상의 광학 엘리먼트로서, 상기 타겟은 상기 샘플의 표면에 평행한 하나 이상의 측정 방향을 따라 분포된 엘리먼트들을 포함한 적어도 하나의 주기적 구조를 포함하는 것인, 상기 하나 이상의 광학 엘리먼트와,
동공면에 위치한 디텍터와,
상기 광원으로부터의 조명에 응답하여 상기 타겟으로부터 회절된 방사선을 상기 디텍터에 지향시켜, 상기 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 타겟으로부터 회절된 방사선의 동공면 이미지를 생성하도록 위치 결정된 하나 이상의 광학 엘리먼트와,
상기 샘플에 결합된(conjugate) 하나 이상의 평면에 위치하는 하나 이상의 시야 조리개(field stop)
를 포함하고,
상기 하나 이상의 시야 조리개는, 상기 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 동공면에서 상기 타겟으로부터 회절된 방사선에 미치는 하나 이상의 직선 에지와 연관된 회절의 영향을 적어도 부분적으로 완화시키기 위해, 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 경사진 방향을 따라 상기 샘플 상에 상기 하나 이상의 직선 에지의 결합체(conjugate)를 제공하도록 배향된 하나 이상의 직선 에지를 포함하고,
상기 타겟은 상기 타겟의 공간 범위를 규정하는 하나 이상의 타겟 에지를 포함하고, 상기 하나 이상의 타겟 에지 중 적어도 하나는 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 경사각으로 배열되는, 스캐터로메트리 계측 시스템. - 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 하나는, 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 30 °내지 60 °의 범위 내의 각도로 배향되는 상기 샘플 상에 결합체를 제공하기 위해 배향되는, 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 하나는, 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 45 °의 각도로 배향되는 상기 샘플 상에 결합체를 제공하기 위해 배향되는, 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 시야 조리개의 측정된 회절 신호를 사용하여 상기 타겟으로부터 측정된 스캐터로메트리 신호를 보정하도록 또한 구성되는 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 시야 조리개 중 적어도 하나는,
조명 시야 조리개(illumination field stop)를 포함하고, 상기 조명 시야 조리개는 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 하나를 포함하는, 스캐터로메트리 계측 시스템. - 제5항에 있어서, 상기 하나 이상의 시야 조리개 중 적어도 하나는,
집광 시야 조리개(collection field stop)를 포함하고, 상기 집광 시야 조리개는 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 하나를 포함하는, 스캐터로메트리 계측 시스템. - 제6항에 있어서, 상기 조명 시야 조리개는 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 일부로부터 형성된 제1 구경(aperture)을 포함하고, 상기 샘플 상의 상기 제1 구경의 결합체가 상기 샘플의 조명된 부분을 규정하고, 상기 집광 시야 조리개는 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 일부로부터 형성된 제2 구경을 포함하며, 상기 샘플 상의 상기 제2 구경의 결합체가 상기 샘플의 검출된 부분을 규정하는, 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 타겟의 조명된 부분과 상기 타겟의 검출된 부분은 일치하는, 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 제7항에 있어서, 상기 샘플의 조명된 부분 및 상기 샘플의 검출된 부분 중 적어도 하나는 상기 타겟보다 작은, 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 경사는 상기 적어도 하나의 측정 방향에 대해 1 °내지 89 °의 범위 내인, 스캐터로메트리 계측 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 시야 조리개 중 적어도 하나는,
상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 일부로부터 형성된 구경을 포함하는, 스캐터로메트리 계측 시스템. - 제12항에 있어서, 상기 구경은,
직사각형 구경을 포함하는, 스캐터로메트리 계측 시스템. - 제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 직선 에지는,
불투명 디스크 내의 개구의 경계 및 미러의 경계 중 적어도 하나를 포함하는, 스캐터로메트리 계측 시스템. - 계측 측정에서 에지 회절 효과를 완화시키는 방법에 있어서,
샘플 상에 배치된 타겟을 수용하는 단계로서, 상기 타겟은 계측 시스템에서 상기 샘플의 표면에 평행한 하나 이상의 측정 방향을 따라 분포된 엘리먼트들을 포함한 적어도 하나의 주기적 구조를 포함하고, 상기 계측 시스템은 광원으로부터의 조명을 상기 타겟에 지향시키도록 위치 결정된 하나 이상의 광학 엘리먼트를 포함하고, 상기 계측 시스템은, 상기 광원으로부터의 조명에 응답하여 상기 타겟으로부터 회절된 방사선을 동공면에 위치한 디텍터에 지향시켜, 상기 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 타겟으로부터 회절된 방사선의 동공면 이미지를 생성하도록 위치 결정된 하나 이상의 광학 엘리먼트를 더 포함하는 것인, 상기 타겟 수용 단계와,
상기 샘플에 결합된 상기 계측 시스템의 하나 이상의 평면에 위치한 하나 이상의 시야 조리개를 제공하는 단계
를 포함하고,
상기 하나 이상의 시야 조리개는, 상기 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 동공면에서 상기 타겟으로부터 회절된 방사선에 미치는 하나 이상의 직선 에지와 연관된 회절의 영향을 적어도 부분적으로 완화시키기 위해, 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 경사진 방향을 따라 상기 샘플 상에 상기 하나 이상의 직선 에지의 결합체를 제공하도록 배향된 하나 이상의 직선 에지를 포함하고,
상기 타겟은 상기 타겟의 공간 범위를 규정하는 하나 이상의 타겟 에지를 포함하고, 상기 하나 이상의 타겟 에지 중 적어도 하나는 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 경사각으로 배열되는, 방법. - 제15항에 있어서, 상기 샘플에 결합된 상기 계측 시스템의 하나 이상의 평면에 위치한 하나 이상의 시야 조리개를 제공하는 단계는,
상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 1 °내지 89 °의 범위 내의 각도로 배향되는 상기 샘플 상에 결합체를 제공하기 위해 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 하나를 배향시키는 단계를 포함하는, 방법. - 제15항에 있어서, 상기 샘플에 결합된 상기 계측 시스템의 하나 이상의 평면에 위치한 하나 이상의 시야 조리개를 제공하는 단계는,
상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 45 °의 각도로 배향되는 상기 샘플 상에 결합체를 제공하기 위해 상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 하나를 배향시키는 단계를 포함하는, 방법. - 제15항에 있어서, 상기 하나 이상의 시야 조리개 중 적어도 하나는,
상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 일부로부터 형성되는 조명 시야 조리개 및 집광 시야 조리개 중 적어도 하나를 포함하는, 방법. - 계측 측정에서 에지 회절 효과를 완화시키는 방법에 있어서,
샘플의 표면에 평행한 하나 이상의 분포 방향을 따라 분포된 피처들을 포함한 적어도 하나의 주기적 구조를 포함하도록 샘플 상에 타겟을 제조하는 단계로서, 상기 타겟은 상기 하나 이상의 분포 방향 중 적어도 하나에 대해 경사지게 배열된 상기 타겟의 경계를 규정하는 적어도 하나의 직선 에지를 포함하는 것인, 상기 타겟 제조 단계와,
계측 시스템 내에 상기 샘플 상의 타겟을 수용하는 단계로서, 상기 계측 시스템은 광원으로부터의 조명을 상기 타겟에 지향시키도록 위치 결정된 하나 이상의 광학 엘리먼트를 포함하고, 상기 계측 시스템은 상기 광원으로부터의 조명에 응답하여 상기 타겟으로부터 회절된 방사선을 동공면에 위치한 디텍터에 지향시켜, 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 타겟으로부터 회절된 방사선의 동공면 이미지를 생성하도록 위치 결정된 하나 이상의 광학 엘리먼트를 더 포함하는 것인, 상기 타겟 수용 단계와,
상기 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 동공면 이미지에서 상기 타겟으로부터 회절된 방사선에 미치는 상기 타겟의 하나 이상의 직선 에지와 연관된 회절의 영향을 적어도 부분적으로 완화시키기 위해, 상기 타겟의 하나 이상의 분포 방향 중 적어도 하나를 상기 계측 시스템의 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나와 정렬시키는 단계
를 포함하는, 방법. - 제19항에 있어서,
상기 샘플에 결합된 상기 계측 시스템의 하나 이상의 평면에 위치한 하나 이상의 시야 조리개를 제공하는 단계를 더 포함하고,
상기 하나 이상의 시야 조리개는, 상기 하나 이상의 측정 방향을 따른 하나 이상의 계측 측정을 위해 상기 동공면 이미지에 미치는 상기 하나 이상의 시야 조리개의 하나 이상의 직선 에지와 연관된 회절의 영향을 적어도 부분적으로 완화시키기 위해, 상기 하나 이상의 측정 방향 중 적어도 하나에 대해 경사진 방향을 따라 상기 샘플 상에 상기 하나 이상의 직선 에지의 결합체를 제공하도록 배향된 하나 이상의 직선 에지를 포함하는, 방법. - 제19항에 있어서, 상기 하나 이상의 시야 조리개 중 적어도 하나는,
상기 하나 이상의 직선 에지 중 적어도 일부로부터 형성되는 조명 시야 조리개 및 집광 시야 조리개 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462016267P | 2014-06-24 | 2014-06-24 | |
US62/016,267 | 2014-06-24 | ||
PCT/US2015/037167 WO2015200315A1 (en) | 2014-06-24 | 2015-06-23 | Rotated boundaries of stops and targets |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170020420A KR20170020420A (ko) | 2017-02-22 |
KR102214370B1 true KR102214370B1 (ko) | 2021-02-09 |
Family
ID=54938734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177000368A KR102214370B1 (ko) | 2014-06-24 | 2015-06-23 | 조리개 및 타겟의 회전된 경계선 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10761022B2 (ko) |
KR (1) | KR102214370B1 (ko) |
CN (1) | CN106471613B (ko) |
TW (1) | TWI653696B (ko) |
WO (1) | WO2015200315A1 (ko) |
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- 2015-06-23 WO PCT/US2015/037167 patent/WO2015200315A1/en active Application Filing
- 2015-06-23 KR KR1020177000368A patent/KR102214370B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-23 CN CN201580034258.6A patent/CN106471613B/zh active Active
- 2015-06-24 TW TW104120364A patent/TWI653696B/zh active
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- 2016-03-29 US US15/083,946 patent/US10761022B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
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WO2015200315A1 (en) | 2015-12-30 |
CN106471613A (zh) | 2017-03-01 |
CN106471613B (zh) | 2020-12-29 |
TWI653696B (zh) | 2019-03-11 |
KR20170020420A (ko) | 2017-02-22 |
TW201614750A (en) | 2016-04-16 |
US20160209327A1 (en) | 2016-07-21 |
US10761022B2 (en) | 2020-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20170105 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200619 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20200619 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200807 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20201104 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20210203 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20210203 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240123 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250121 Start annual number: 5 End annual number: 5 |