KR102185939B1

KR102185939B1 - Solar cell module

Info

Publication number: KR102185939B1
Application number: KR1020140004624A
Authority: KR
Inventors: 장대희; 유정훈; 김보중; 김민표
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2014-01-14
Filing date: 2014-01-14
Publication date: 2020-12-03
Also published as: KR20150084521A

Abstract

본 발명은 태양 전지 및 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극, 반도체 기판의 후면에 형성되는 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극과 연결되는 제1 보조 전극과 제1 보조 전극 패드, 복수의 제2 전극과 연결되는 제2 보조 전극과 제2 보조 전극 패드를 구비하는 절연성 부재를 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지의 제1 보조 전극 패드 및 제2 태양 전지의 제2 보조 전극 패드와 전기적으로 서로 접속하거나, 제1 태양 전지의 제2 보조 전극 패드 및 제2 태양 전지의 제1 보조 전극 패드와 전기적으로 서로 접속하는 인터커넥터;를 포함하고, 인터커넥터와 제1 보조 전극 패드 또는 인터커넥터와 제2 보조 전극 패드가 접속하는 접속폭은 인터커넥터의 길이 방향으로 진행함에 따라 변화된다.
또한, 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재에 형성되는 제1 보조 전극 패드 및 제2 보조 전극 패드 각각의 폭이 제1 보조 전극 패드 및 제2 보조 전극 패드의 길이 방향으로 진행함에 따라 변화될 수 있다.The present invention relates to a solar cell and a solar cell module.
The solar cell module according to the present invention includes a plurality of first electrodes formed on the rear surface of a semiconductor substrate, a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, a first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes, and a first auxiliary electrode. A first solar cell and a second solar cell including an insulating member including an electrode pad, a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes, and a second auxiliary electrode pad; And the first auxiliary electrode pad of the first solar cell and the second auxiliary electrode pad of the second solar cell and electrically connected to each other, or the second auxiliary electrode pad of the first solar cell and the first auxiliary electrode pad of the second solar cell. And an interconnect electrically connected to each other, and a connection width between the interconnector and the first auxiliary electrode pad or the interconnector and the second auxiliary electrode pad changes as the length direction of the interconnector proceeds.
In addition, in the solar cell according to the present invention, the width of each of the first auxiliary electrode pad and the second auxiliary electrode pad formed on the insulating member may be changed as the width of the first auxiliary electrode pad and the second auxiliary electrode pad progress in the length direction. have.

Description

Solar cell module {SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell includes a substrate made of semiconductors of different conductive types, such as a p-type and an n-type, and an emitter, and electrodes connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter part.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.In particular, research and development of a back-electrode solar cell in which an electrode is not formed on the light-receiving surface of a silicon substrate and an n-electrode and a p-electrode are formed only on the back surface of the silicon substrate is being conducted to increase the efficiency of the solar cell. A modular technology for electrically connecting a plurality of such back-electrode solar cell cells is also in progress.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.Typical examples of the modules and technologies include a method of electrically connecting a plurality of solar cell cells with a metal interconnector and a method of electrically connecting a plurality of solar cells using a wiring board on which wiring is formed.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 위치하는 복수의 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 제1 태양 전지의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 전극을 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 반도체 기판은 복수의 제1, 2 전극 각각의 진행 방향과 교차하는 방향으로 제1 영역과 제2 영역으로 구분되고, 제1 영역 또는 제2 영역 각각에서 복수의 제1 전극의 제1 돌출 높이는 복수의 제2 전극의 제2 돌출 높이와 다르다.An example of the solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate, a first solar cell and a second solar cell including a plurality of first electrodes and second electrodes spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; An interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other, wherein in each of the first and second solar cells, the semiconductor substrate comprises a plurality of first and second electrodes, respectively It is divided into a first region and a second region in a direction intersecting the direction of progression, and the first protrusion height of the plurality of first electrodes in each of the first region or the second region is different from the second protrusion height of the plurality of second electrodes. .

여기서, 제1 돌출 높이는 반도체 기판의 전면으로부터 제1 전극의 후면 끝단까지의 길이이고, 제2 돌출 높이는 반도체 기판의 전면으로부터 제2 전극의 후면 끝단까지의 길이일 수 있다.Here, the first protrusion height may be a length from the front surface of the semiconductor substrate to the rear end of the first electrode, and the second protrusion height may be a length from the front surface of the semiconductor substrate to the rear end of the second electrode.

보다 구체적으로 설명하면, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 제1 영역에서의 제1 돌출 높이는 제2 돌출 높이보다 크고, 제2 영역에서의 제2 돌출 높이는 제1 돌출 높이보다 클 수 있다.More specifically, in each of the first and second solar cells, the first protrusion height in the first region may be greater than the second protrusion height, and the second protrusion height in the second region may be greater than the first protrusion height.

일례로, 제1 영역에서의 제1 돌출 높이는 제1 영역에서의 제2 돌출 높이보다 5㎛ ~ 40㎛ 크고, 제2 영역에서의 제2 돌출 높이는 제2 영역에서의 제1 돌출 높이보다 5㎛ ~ 40㎛ 클 수 있다.For example, the first protrusion height in the first area is 5 μm to 40 μm larger than the second protrusion height in the first area, and the second protrusion height in the second area is 5 μm than the first protrusion height in the second area. It can be ~ 40㎛ large.

아울러, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 제1 돌출 높이는 제1 영역에서의 높이가 제2 영역에서의 높이보다 더 크고, 제2 돌출 높이는 제2 영역에서의 높이가 제1 영역에서의 높이보다 더 클 수 있다.In addition, in each of the first and second solar cells, the height of the first protrusion is greater than the height of the first region and the height of the second region, and the height of the second protrusion is the height of the second region than the height of the first region. Can be bigger.

일례로, 제1 영역에서의 제1 돌출 높이는 제2 영역에서의 제1 돌출 높이보다 5㎛ ~ 40㎛ 크고, 제2 영역에서의 제2 돌출 높이는 제1 영역에서의 제2 돌출 높이보다 5㎛ ~ 40㎛ 클 수 있다.For example, the first protrusion height in the first area is 5 μm to 40 μm larger than the first protrusion height in the second area, and the second protrusion height in the second area is 5 μm than the second protrusion height in the first area. It can be ~ 40㎛ large.

여기서, 제1 태양 전지와 제2 태양 전지는 제1 태양 전지의 제1 영역과 제2 태양 전지의 제2 영역이 서로 바로 인접하도록 배열될 수 있다.Here, the first solar cell and the second solar cell may be arranged such that the first region of the first solar cell and the second region of the second solar cell are immediately adjacent to each other.

이때, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 영역 및 제2 태양 전지의 제2 영역과 중첩되어, 제1 태양 전지의 제1 영역에 위치하는 복수의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 영역에 위치하는 복수의 제2 전극을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.In this case, the interconnector overlaps with the first region of the first solar cell and the second region of the second solar cell, so that the plurality of first electrodes and the second solar cell are positioned in the first region of the first solar cell. A plurality of second electrodes positioned in the region may be electrically connected to each other.

여기서, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 영역에 접속하는 부분과 제2 태양 전지의 제2 영역에 접속하는 부분이 하나의 통전극으로 형성될 수 있다.Here, in the interconnector, a portion connected to the first region of the first solar cell and a portion connected to the second region of the second solar cell may be formed as one conductive electrode.

그러나, 이와 다르게, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 영역에 접속하는 제1 커넥터, 제2 태양 전지의 제2 영역에 접속하고, 제1 커넥터와 공간적으로 이격되는 제2 커넥터, 및 제1 커넥터와 제2 커넥터를 서로 전기적으로 연결하는 제3 커넥터를 포함하여 형성될 수 있다.However, differently, the interconnector has a first connector connecting to the first area of the first solar cell, a second connector connecting to the second area of the second solar cell and spatially spaced from the first connector, and the first connector. It may be formed to include a third connector electrically connecting the connector and the second connector to each other.

여기서, 제1 돌출 높이와 제2 돌출 높이를 다르게 하기 위하여, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 반도체 기판 중 제1 영역 중에서, 복수의 제1 전극과 중첩하는 부분에 위치하는 반도체 기판의 제1 부분 두께는 복수의 제2 전극과 중첩하는 부분에 위치하는 반도체 기판의 제2 부분 두께보다 크고, 반도체 기판 중 제2 영역 중에서, 복수의 제2 전극과 중첩하는 부분에 위치하는 반도체 기판의 제2 부분 두께는 복수의 제1 전극과 중첩하는 부분에 위치하는 반도체 기판의 제1 부분 두께보다 크게 수 있다.Here, in order to make the first protrusion height and the second protrusion height different from each other, in each of the first and second solar cells, the first region of the semiconductor substrate overlapping the plurality of first electrodes in the first region of the semiconductor substrate. The partial thickness is greater than the second partial thickness of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of second electrodes, and a second portion of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of second electrodes among the second regions of the semiconductor substrate The partial thickness may be larger than the first partial thickness of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of first electrodes.

이때, 제1 영역 및 제2 영역에서 복수의 제1 전극의 두께와 복수의 제2 전극의 두께는 서로 동일할 수 있다.In this case, the thicknesses of the plurality of first electrodes and the thicknesses of the plurality of second electrodes in the first region and the second region may be the same.

또한, 반도체 기판의 제1 부분 두께는 제1 영역에서의 두께가 제2 영역에서의 두께보다 크고, 반도체 기판의 제2 부분 두께는 제2 영역에서의 두께가 제1 영역에서의 두께보다 클 수 있다.In addition, the thickness of the first portion of the semiconductor substrate may be greater than the thickness of the first region, and the thickness of the second portion of the semiconductor substrate may be greater than that of the first region. have.

아울러, 제1 돌출 높이와 제2 돌출 높이를 다르게 하기 위하여 반도체 기판의 후면 중 제1 영역에서, 복수의 제1 전극의 두께는 복수의 제2 전극의 두께보다 크고, 반도체 기판의 후면 중 제2 영역에서, 복수의 제2 전극의 두께는 복수의 제1 전극의 두께보다 클 수 있다.In addition, in order to make the first protrusion height different from the second protrusion height, in the first region of the rear surface of the semiconductor substrate, the thickness of the plurality of first electrodes is greater than the thickness of the plurality of second electrodes, and the second protrusion height of the semiconductor substrate is In the region, the thickness of the plurality of second electrodes may be greater than the thickness of the plurality of first electrodes.

이때, 반도체 기판의 후면 중 각각의 제1, 2 영역에서 반도체 기판의 제1 부분 두께 및 반도체 기판의 제2 부분 두께는 서로 동일할 수 있다.In this case, in each of the first and second regions of the rear surface of the semiconductor substrate, the first partial thickness of the semiconductor substrate and the second partial thickness of the semiconductor substrate may be the same.

아울러, 제1 전극의 두께는 제1 영역에서의 두께가 제2 영역에서의 두께보다 크고, 제2 전극의 두께는 제2 영역에서의 두께가 제1 영역에서의 두께보다 클 수 있다.In addition, the thickness of the first electrode may be greater in the first region than in the second region, and the thickness of the second electrode in the second region may be greater than the thickness in the first region.

또한, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 다른 예는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 위치하는 복수의 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 제1 태양 전지의 제1 전극과 제2 태양 전지의 제2 전극을 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 반도체 기판은 복수의 제1, 2 전극 각각의 진행 방향과 교차하는 방향으로 제1 영역과 제2 영역으로 구분되고, 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 영역과 중첩되는 부분 중에서 제1 전극과 접속되는 부분이 제2 전극과 중첩되는 부분보다 더 돌출되고, 제2 태양 전지의 제2 영역과 중첩되는 부분 중에서 제2 전극과 접속되는 부분이 제1 전극과 중첩되는 부분보다 더 돌출될 수 있다.In addition, another example of the solar cell module according to the present invention includes a semiconductor substrate, a first solar cell and a second solar cell including a plurality of first and second electrodes spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; An interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other, wherein in each of the first and second solar cells, the semiconductor substrate comprises a plurality of first and second electrodes, respectively Is divided into a first region and a second region in a direction intersecting with the traveling direction of the interconnector, and the part connected to the first electrode overlaps the second electrode among the parts overlapping the first region of the first solar cell Among the portions that are more protruding and overlap the second region of the second solar cell, a portion connected to the second electrode may protrude more than a portion overlapping the first electrode.

아울러, 인터커넥터에서 돌출된 부분에는 복수 개의 요철이 형성될 수 있다.In addition, a plurality of irregularities may be formed in a portion protruding from the interconnector.

이때, 인터커넥터에서 돌출된 부분과 돌출되지 않은 부분과의 두께 차이는 5㎛ ~ 40㎛ 사이일 수 있다.In this case, a difference in thickness between the protruding portion and the non-protruding portion of the interconnector may be between 5 μm and 40 μm.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판의 후면에 형성된 제1, 2 전극의 높이를 서로 다르게 하거나, 제1, 2 전극과 접속하는 인터커넥터의 일부분 두께를 다르게 함으로써, 공정을 보다 단순화할 수 있다.As described above, the solar cell module according to the present invention can further simplify the process by making the heights of the first and second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate different from each other, or by varying the thickness of a portion of the interconnector connected to the first and second electrodes. I can.

도 1a는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 일부 사시도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 스트링을 후면 위에서 바라본 평면도이다.
도 2는 도 1a 및 도 1b에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면에 대한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 3에 도시된 태양 전지의 후면 모습이다.
도 5a는 도 4에서 5a-5a 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 5b는 도 4에서 5b-5b 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 5c는 도 4에서 5c-5c 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 5d는 도 4에서 5d-5d 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 6은 도 1a 및 도 1b에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면에 대한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 7은 도 6에 도시된 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8는 도 7에 도시된 태양 전지의 후면 모습이다.
도 9a는 도 8에서 9a-9a 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 9b는 도 8에서 9b-9b 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 9c는 도 8에서 9c-9c 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 9d는 도 8에서 9d-9d 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 10은 도 1a 및 도 1b에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면에 대한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 11은 제3 실시예에 따른 인터커넥터 평면의 일례이다.
도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 또 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.1A is a partial perspective view of a string applied to a solar cell module according to an example of the present invention as viewed from the rear.
FIG. 1B is a plan view of the string shown in FIG. 1A viewed from the rear.
2 is a diagram illustrating a first embodiment of a cross section along the EIC-EIC line shown in FIGS. 1A and 1B.
3 is a diagram for describing an example of a solar cell applied to the solar cell module according to the first embodiment shown in FIG. 2.
4 is a rear view of the solar cell shown in FIG. 3.
5A is a cross-sectional view taken along the line 5a-5a in FIG. 4.
5B is a cross-sectional view taken along the line 5b-5b in FIG. 4.
5C is a cross-sectional view taken along the line 5c-5c in FIG. 4.
5D is a cross-sectional view taken along the line 5d-5d in FIG. 4.
6 is a view for explaining a second embodiment of a cross section taken along the EIC-EIC line shown in FIGS. 1A and 1B.
7 is a diagram for describing an example of a solar cell applied to the solar cell module according to the second embodiment shown in FIG. 6.
8 is a rear view of the solar cell shown in FIG. 7.
9A is a cross-sectional view taken along the line 9a-9a in FIG. 8.
9B is a cross-sectional view taken along the line 9b-9b in FIG. 8.
9C is a cross-sectional view taken along the line 9c-9c in FIG. 8.
9D is a cross-sectional view taken along the line 9d-9d in FIG. 8.
10 is a view for explaining a third embodiment of a cross section along the EIC-EIC line shown in FIGS. 1A and 1B.
11 is an example of an interconnector plane according to the third embodiment.
12 is a view for explaining another example of the solar cell module according to the present invention.
13 and 14 are diagrams for explaining another example of a solar cell module according to the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily implement the embodiments of the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and similar reference numerals are given to similar parts throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 태양 전지의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 태양 전지의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the solar cell to which direct sunlight is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the solar cell through which direct sunlight is not incident or reflected light other than direct sunlight may be incident.

이하에서는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 대해 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to the present invention will be described.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.1A and 1B are diagrams for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.

여기서, 도 1a는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 스트링을 후면에서 바라본 일부 사시도이고, 도 1b는 도 1a에 도시된 스트링을 후면 위에서 바라본 평면도이다. Here, FIG. 1A is a partial perspective view of a string applied to a solar cell module according to an exemplary embodiment of the present invention as viewed from the rear, and FIG. 1B is a plan view of the string shown in FIG. 1A viewed from the rear.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 스트링은 제1 내지 제3 태양 전지를 포함하는 복수의 태양 전지(CE1, CE2, CE3) 각각에 인터커넥터(IC)가 접속되어, 복수의 태양 전지(CE1, CE2, CE3)는 직렬로 연결되어 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다.First, as shown in Fig. 1A, the string of the solar cell module according to the first embodiment of the present invention is an interconnector to each of a plurality of solar cells CE1, CE2, CE3 including first to third solar cells. (IC) is connected so that the plurality of solar cells CE1, CE2, CE3 are connected in series and may be arranged in the first direction x.

일례로, 도 1b에 도시된 제1 내지 제3 태양 전지(CE1, CE2, CE3) 각각은 반도체 기판(110)과, 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 위치하는 복수의 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 포함할 수 있다. 이와 같은 각 태양 전지의 구체적인 구조에 대해서는 도 3 이하에서 후술한다.As an example, each of the first to third solar cells CE1, CE2, and CE3 shown in FIG. 1B includes a semiconductor substrate 110 and a plurality of first electrodes positioned spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate 110. C141 and a second electrode C142 may be included. The specific structure of each solar cell will be described later in FIG. 3 or less.

이와 같은, 각각의 태양 전지는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 구분될 수 있다. 즉, 각 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)의 진행 방향과 교차하는 방향으로 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 구분될 수 있다.As such, each solar cell may be divided into a first area A1 and a second area A2, as shown in FIGS. 1A and 1B. That is, each solar cell is divided into a first area (A1) and a second area (A2) in a direction crossing the direction of progress of the plurality of first and second electrodes C141 and C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. Can be.

따라서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 각 태양 전지가 제2 방향(y)을 따라 제1, 2 영역(A1, A2)으로 구분된 경우, 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 제1 방향(x)을 따라 길게 형성될 수 있다. 따라서, 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142) 각각은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 모두에 걸쳐 위치할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 1B, when each solar cell is divided into first and second regions A1 and A2 along the second direction y, the first and second electrodes C141 and C142 of each solar cell ) Each may be elongated along the first direction x. Accordingly, each of the first and second electrodes C141 and C142 of each solar cell may be positioned over both the first region A1 and the second region A2.

이때, 제1, 2 영역(A1, A2)으로 구분된 각 태양 전지는 서로 다른 영역이 바로 인접하도록 배열될 수 있다.In this case, each solar cell divided into the first and second regions A1 and A2 may be arranged so that different regions are immediately adjacent.

즉, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)이 제1 방향(x)으로 서로 바로 인접하도록 배열될 수 있다.That is, as shown in FIGS. 1A and 1B, the first area A1 of the first solar cell CE1 and the second area A2 of the second solar cell CE2 are in the first direction x. They can be arranged to be directly adjacent to each other.

여기서, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.Here, the interconnector IC may electrically connect the first electrode C141 of the first solar cell CE1 and the second electrode C142 of the second solar cell CE2 to each other.

이를 위해, 인터커넥터(IC)는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)에 접속하는 부분과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)에 접속하는 부분이 하나의 통전극으로 형성될 수 있다.To this end, the interconnector IC is a portion connected to the first electrode C141 of the first solar cell CE1 and the second electrode of the second solar cell CE2, as shown in FIGS. 1A and 1B. The portion connected to (C142) may be formed as a single conductive electrode.

따라서, 하나의 통전극으로 형성된 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1) 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)과 중첩되고, 각 영역(A1, A2)에서 제1, 2 전극(C141, C142)과 중첩될 수 있다.Accordingly, the interconnector IC formed as a single conductive electrode overlaps the first region A1 of the first solar cell CE1 and the second region A2 of the second solar cell CE2, and each region ( It may overlap with the first and second electrodes C141 and C142 at A1 and A2.

따라서, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에 위치하는 복수의 제1 전극(C141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에 위치하는 복수의 제2 전극(C142)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.Accordingly, the interconnector IC is located in the plurality of first electrodes C141 located in the first region A1 of the first solar cell CE1 and the second region A2 of the second solar cell CE2. The plurality of second electrodes C142 may be electrically connected to each other.

이때, 인터커넥터(IC)와 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141) 사이, 및 인터커넥터(IC)와 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142) 사이의 접속 공정을 보다 간소화하고, 얼라인을 보다 용이하게 하기 위하여, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에 포함되는 제1 영역(A1) 또는 제2 영역(A2) 각각에서 복수의 제1 전극(C141)의 제1 돌출 높이(H1)는 복수의 제2 전극(C142)의 제2 돌출 높이(H2)와 다르게 할 수 있다. 즉 복수의 제1 전극(C141)의 끝단 높이는 복수의 제2 전극(C142)의 끝단 높이와 다르게 할 수 있다. At this time, a connection process between the interconnector IC and the first electrode C141 of the first solar cell CE1 and between the interconnector IC and the second electrode C142 of the second solar cell CE2 is performed. In order to simplify and facilitate alignment, a plurality of first electrodes C141 are formed in each of the first region A1 or the second region A2 included in each of the first and second solar cells CE1 and CE2. The first protrusion height H1 of) may be different from the second protrusion height H2 of the plurality of second electrodes C142. That is, the height of the ends of the plurality of first electrodes C141 may be different from the height of the ends of the plurality of second electrodes C142.

여기서, 제1 돌출 높이(H1)는 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141) 각각의 후면 끝단까지의 길이일 수 있으며, 제2 돌출 높이(H2)는 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제2 전극(C142) 각각의 후면 끝단까지의 길이일 수 있다. (참고로, 여기서의 제1, 2 돌출 높이(H1, H2)에 대한 정의는 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)에 단차가 형성되지 않은 경우를 전제로 하고, 아울러, 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)에 복수의 요철이 형성되는 경우, 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)의 기준은 복수의 요철에 의해 형성된 평균 높이를 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)의 기준으로 삼을 수 있다.)Here, the first protrusion height H1 may be a length from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 to the rear end of each of the plurality of first electrodes C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, and , The second protrusion height H2 may be a length from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 to the rear end of each of the plurality of second electrodes C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110. (For reference, the definition of the first and second protrusion heights (H1, H2) here assumes that a step is not formed on the front surface (110-f1) of the semiconductor substrate 110, and, in addition, the semiconductor substrate ( When a plurality of irregularities are formed on the front surface 110-f1 of 110), the reference of the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 is the average height formed by the plurality of irregularities. 110-f1) can be used as a standard.)

일례로, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에서, 제1 영역(A1)에서의 제1 돌출 높이(H1)는 제2 돌출 높이(H2)보다 크고, 제2 영역(A2)에서의 제2 돌출 높이(H2)는 제1 돌출 높이(H1)보다 클 수 있다.For example, in each of the first and second solar cells CE1 and CE2, the first protrusion height H1 in the first region A1 is greater than the second protrusion height H2, and in the second region A2 The second protrusion height H2 of may be greater than the first protrusion height H1.

아울러, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에서, 제1 영역(A1)에서의 제1 돌출 높이(H1)는 제2 영역(A2)에서의 제1 돌출 높이(H1)보다 크고, 제2 영역(A2)에서의 제2 돌출 높이(H2)는 제1 영역(A1)에서의 제2 돌출 높이(H2)보다 클 수 있다.In addition, in each of the first and second solar cells CE1 and CE2, the first protrusion height H1 in the first region A1 is greater than the first protrusion height H1 in the second region A2, The second protrusion height H2 in the second region A2 may be greater than the second protrusion height H2 in the first region A1.

따라서, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 복수의 제1 전극(C141)의 제1 돌출 높이(H1)를 복수의 제2 전극(C142)의 제2 돌출 높이(H2)보다 높게 형성함으로써, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이에 단차가 형성되도록 할 수 있고, 이에 따라 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)에서는 복수의 제1 전극(C141)에만 접속되도록 할 수 있다.Accordingly, in the first region A1 of the first solar cell CE1, the first protruding height H1 of the plurality of first electrodes C141 is set to the second protruding height H2 of the plurality of second electrodes C142. By forming a higher height, a step can be formed between the first electrode C141 and the second electrode C142, and accordingly, the interconnector IC is formed with a plurality of first electrodes ( C141) can only be accessed.

아울러, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서도 복수의 제2 전극(C142)의 제2 돌출 높이(H2)를 복수의 제1 전극(C141)의 제1 돌출 높이(H1)보다 높게 형성함으로써, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이에 단차가 형성되도록 할 수 있고, 이에 따라, 인터커넥터(IC)가 제2 태양 전지(CE2)에서는 복수의 제2 전극(C142)에만 접속되도록 할 수 있다.In addition, in the second region A2 of the second solar cell CE2, the second protruding height H2 of the plurality of second electrodes C142 is adjusted to the first protruding height H1 of the plurality of first electrodes C141. By forming a higher height, a step can be formed between the first electrode C141 and the second electrode C142, and accordingly, the interconnector IC is a plurality of second electrodes in the second solar cell CE2. It can only be connected to (C142).

여기서는 일례로, 각 태양 전지에서 제1 영역(A1)에서는 제1 돌출 높이(H1)가 상대적으로 더 높고, 제2 영역(A2)에서는 제2 돌출 높이(H2)가 더 높은 경우만을 일례로 설명하였지만, 이와 반대로, 제1 영역(A1)에서 제2 돌출 높이(H2)가 상대적으로 더 높고, 제2 영역(A2)에서 제1 돌출 높이(H1)가 상대적으로 더 높을 수도 있다. 이하에서는 이해의 편의상 전자를 일례로 설명한다.Here, as an example, in each solar cell, the first protrusion height H1 is relatively higher in the first region A1, and the second protrusion height H2 is higher in the second region A2 as an example. However, on the contrary, the second protrusion height H2 may be relatively higher in the first region A1 and the first protrusion height H1 may be relatively higher in the second region A2. Hereinafter, for convenience of understanding, the former will be described as an example.

이때, 일례로, 제1 영역(A1)에서는 제1 돌출 높이(H1)가 제2 돌출 높이(H2)보다 5㎛ ~ 40㎛ 클 수 있고, 제2 영역(A2)에서는 제2 돌출 높이(H2)가 제1 돌출 높이(H1)보다 5㎛ ~ 40㎛ 클 수 있다.At this time, for example, in the first area A1, the first protrusion height H1 may be 5 μm to 40 μm larger than the second protrusion height H2, and in the second area A2, the second protrusion height H2 ) May be 5 μm to 40 μm larger than the first protrusion height H1.

아울러, 제1 영역(A1)에서의 제1 돌출 높이(H1)는 제2 영역(A2)에서의 제1 돌출 높이(H1)보다 5㎛ ~ 40㎛ 클 수 있고, 제2 영역(A2)에서의 제2 돌출 높이(H2)는 제1 영역(A1)에서의 제2 돌출 높이(H2)보다 5㎛ ~ 40㎛ 클 수 있다.In addition, the first protrusion height H1 in the first area A1 may be 5 μm to 40 μm larger than the first protrusion height H1 in the second area A2, and in the second area A2 The second protrusion height H2 of may be 5 μm to 40 μm larger than the second protrusion height H2 in the first region A1.

이와 같이, 각 태양 전지의 제1 영역(A1)에서 제1 돌출 높이(H1)가 더 높게 하고, 제2 영역(A2)에서 제2 돌출 높이(H2)가 더 높게 하는 것은 다양한 방법으로 구현될 수 있다.In this way, making the first protrusion height H1 higher in the first region A1 of each solar cell and the second protrusion height H2 higher in the second region A2 can be implemented in various ways. I can.

즉, 제1, 2 돌출 높이(H1, H2)를 다르게 하여 단차를 형성하는 것은 (1) 제1 실시예-제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분의 반도체 기판(110)의 두께를 다르게 하여 단차가 형성되도록 할 수도 있고, (2) 제2 실시예-제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 두께를 서로 다르게 하여 단차가 형성되도록 할 수도 있다. 아울러, 제1, 2 돌출 높이(H1, H2)를 다르게 하는 것은 인터커넥터(IC) 얼라인을 보다 용이하게 하고, 인터커넥터(IC) 접속 공정을 보다 단순화하기 위한 것이므로, 동일한 목적을 위하여, (3) 제3 실시예-인터커넥터(IC) 자체에 단차가 형성되도록 할 수 있다.That is, forming a step by varying the first and second protrusion heights H1 and H2 is (1) the first embodiment-a semiconductor substrate at a portion overlapping the first electrode C141 and the second electrode C142 ( The step 110 may be formed to have a different thickness, or (2) the second embodiment-the first electrode C141 and the second electrode C142 may have different thicknesses so that the step may be formed. In addition, since the first and second protrusion heights (H1, H2) are different to facilitate interconnector (IC) alignment and to simplify interconnector (IC) connection process, for the same purpose, ( 3) Third embodiment-A step can be formed in the interconnector IC itself.

이하의 전술한 다양한 예 중 도 2 내지 도 5d에서는 실시예 1에 대해서 설명하고, 실시예 2는 도 6 내지 도 9d, 실시예 3은 도 10 및 도 11에서 설명한다.Among the various examples described below, the first embodiment will be described in FIGS. 2 to 5D, the second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 9D, and the third embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

이하에서는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1 실시예에 따른 태양 전지 구조의 대해서 설명한다. Hereinafter, in the solar cell module according to an example of the present invention, a solar cell structure according to the first embodiment will be described.

도 2는 도 1a 및 도 1b에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면에 대한 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.2 is a diagram illustrating a first embodiment of a cross section along the EIC-EIC line shown in FIGS. 1A and 1B.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 제1 돌출 높이(H1)를 제2 돌출 높이(H2)보다 크게 하고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서는 제2 돌출 높이(H2)를 제1 돌출 높이(H1)보다 크게 할 수 있다.In the solar cell module according to the present invention, in the first region A1 of the first solar cell CE1, the first protruding height H1 is greater than the second protruding height H2, and the second solar cell CE2 is In the second area A2, the second protrusion height H2 may be larger than the first protrusion height H1.

이를 위해, 일례로, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에 단차가 형성될 수 있다. 여기서, 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)에 단차가 형성되지 않을 수 있다. 도 2에서는 설명의 편의상 각 태양 전지에서 후술할 에미터부와 후면 전계부가 생략된 경우를 일례로 도시하였지만, 실질적으로는 도 3과 같이 에미터부와 후면 전계부가 형성될 수 있다. To this end, as an example, as shown in (a) of FIG. 2, a step may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of each solar cell. Here, a step may not be formed on the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110. In FIG. 2, for convenience of explanation, an emitter part and a rear electric field to be described later are omitted from each solar cell as an example, but the emitter part and the rear electric field may be substantially formed as shown in FIG. 3.

이와 같은 단차에 의해, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)가 제2 부분 두께(WT2)보다 클 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서는 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)가 제1 부분 두께(WT1)보다 클 수 있다. 그러나 도시된 바와 반대로 형성되는 것도 가능하다. Due to such a step, in the first region A1 of the first solar cell CE1, the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 may be larger than the second partial thickness WT2, and the second aspect In the second region A2 of the battery CE2, the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 may be greater than the first partial thickness WT1. However, it is also possible to form the opposite to that shown.

여기서, 제1 부분은 반도체 기판(110)에서 제1 전극(C141)과 중첩하는 부분이며, 제2 부분은 반도체 기판(110)에서 제2 전극(C142)과 중첩하는 부분이다. Here, the first part is a part of the semiconductor substrate 110 that overlaps the first electrode C141, and the second part is a part of the semiconductor substrate 110 that overlaps the second electrode C142.

따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 각 태양 전지의 제1, 2 영역(A1, A2)에서 제1 부분 두께(WT1)와 제2 부분 두께(WT2)가 다를 수 있다. 이에 따라 제1 부분 및 제2 부분의 두께 차이(TD110)에 의하여, 각 태양 전지의 제1, 2 영역(A1, A2) 각각에서 반도체 기판(110)의 제1 부분과 제2 부분 사이에 단차(TD110)가 형성될 수 있다. Accordingly, in the solar cell module according to the present invention, the first partial thickness WT1 and the second partial thickness WT2 may be different in the first and second regions A1 and A2 of each solar cell. Accordingly, a step difference between the first and second portions of the semiconductor substrate 110 in each of the first and second regions A1 and A2 of each solar cell due to the thickness difference TD110 between the first and second portions (TD110) may be formed.

이때, 각 태양 전지의 제1, 2 영역(A1, A2)에서 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께는 0.1㎛ ~ 50㎛ 사이에서 서로 동일하게 형성될 수 있고, 제1 부분 두께(WT1)와 제2 부분 두께(WT2) 사이의 단차(TD110)는 5㎛ ~ 40㎛ 사이일 수 있으며, 이에 따라 제1 돌출 높이(H1)와 제2 돌출 높이(H2) 사이의 단차도 5㎛ ~ 40㎛ 사이일 수 있다.At this time, in the first and second regions A1 and A2 of each solar cell, the first electrode C141 and the second electrode C142 may have the same thickness between 0.1 μm and 50 μm, and the first The step TD110 between the partial thickness WT1 and the second partial thickness WT2 may be between 5 μm and 40 μm, and accordingly, the step difference between the first protrusion height H1 and the second protrusion height H2 It may be between 5㎛ ~ 40㎛.

이에 따라, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 제1 전극(C141)이 더 돌출되고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서는 제2 전극(C142)이 더 돌출될 수 있다.Accordingly, the first electrode C141 further protrudes in the first region A1 of the first solar cell CE1, and the second electrode C142 in the second region A2 of the second solar cell CE2 This can be more protruding.

따라서, 인터커넥터(IC)는 더 돌출된 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)에 용이하게 접속될 수 있고, 더 돌출된 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)에 용이하게 접속될 수 있다.Accordingly, the interconnector IC can be easily connected to the first electrode C141 of the first solar cell CE1 that protrudes, and the second electrode C142 of the second solar cell CE2 protrudes further. Can be easily connected to.

이때, 인터커넥터(IC)와 제1, 2 전극(C141, C142) 사이는 인터커넥터 접착제(CP)에 의해 서로 접속될 수 있으며, 이와 같은 인터커넥터 접착제(CP)는 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 도전성 재질의 금속 입자(C1)와 절연성 재질의 절연 기재(I1)가 혼합된 도전성 필름(conductive film) 또는 도전성 패이스트(conductive paste)에 의해 접속될 수 있다. 여기서, 금속 입자(C1)의 평균 크기는 5㎛ ~ 40㎛ 사이에서 형성될 수 있다.At this time, between the interconnector IC and the first and second electrodes C141 and C142 may be connected to each other by an interconnector adhesive CP, and the interconnector adhesive CP is shown in FIG. 2B. As illustrated, the metal particles C1 of a conductive material and the insulating substrate I1 of an insulating material may be connected by a mixed conductive film or a conductive paste. Here, the average size of the metal particles C1 may be formed between 5 μm and 40 μm.

따라서, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 전극(C141)과 인터커넥터(IC) 사이는 인터커넥터 접착제(CP)의 금속 입자(C1)에 의해 접속되고, 제1 태양 전지(CE1)의 제2 전극(C142)과 인터커넥터(IC) 사이는 반도체 기판(110)의 단차에 의해 상대적으로 멀리 이격되어 있어 금속 입자(C1)에 의해 접속되지 않고, 절연 기재(I1)에 의해 절연될 수 있다.Accordingly, between the first electrode C141 of the first solar cell CE1 and the interconnector IC are connected by the metal particles C1 of the interconnector adhesive CP, and the first solar cell CE1 2 Since the electrode C142 and the interconnector IC are relatively far apart by the step of the semiconductor substrate 110, they are not connected by the metal particles C1, but may be insulated by the insulating substrate I1. .

아울러, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 전극(C142)과 인터커넥터(IC) 사이는 금속 입자(C1)에 의해 접속되고, 제2 태양 전지(CE2)의 제1 전극(C141)과 인터커넥터(IC) 사이는 반도체 기판(110)의 단차에 의해 절연 기재(I1)에 의해 절연될 수 있다.In addition, the second electrode C142 of the second solar cell CE2 and the interconnector IC are connected by metal particles C1, and the first electrode C141 of the second solar cell CE2 The connectors IC may be insulated by the insulating substrate I1 by a step difference of the semiconductor substrate 110.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 각 태양 전지의 반도체 기판(110)에서 제1 부분과 제2 부분에 단차가 생기도록 함으로써, 인터커넥터(IC) 접속 공정을 보다 용이하게 할 수 있고, 얼라인 문제를 용이하게 해결할 수 있다.As described above, in the solar cell module according to the present invention, by making a step difference between the first portion and the second portion of the semiconductor substrate 110 of each solar cell, the interconnector (IC) connection process can be made easier, The alignment problem can be easily solved.

이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈의 제1 실시예에 적용되는 태양 전지의 구체적인 구조에 대해서 설명한다.Hereinafter, a specific structure of a solar cell applied to the first embodiment of such a solar cell module will be described.

도 3은 도 2에 도시된 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 4는 도 3에 도시된 태양 전지의 후면 모습이고, 도 5a는 도 4에서 5a-5a 라인에 따른 단면, 도 5b는 도 4에서 5b-5b 라인에 따른 단면, 도 5c는 도 4에서 5c-5c 라인에 따른 단면, 도 5d는 도 4에서 5d-5d 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.3 is a view for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module according to the first embodiment shown in FIG. 2, FIG. 4 is a rear view of the solar cell shown in FIG. 3, and FIG. 5A is 4 to 5a-5a line, FIG. 5b to 5b-5b line in FIG. 4, FIG. 5c to 5c-5c line in FIG. 4, and FIG. 5d to 5d-5d line in FIG. It shows a cross section.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 구비할 수 있으며, 이외에도, 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)에 반사 방지막(130)이 더 형성될 수 있다.3, an example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate 110, an emitter part 121, a rear electric field part 172, a plurality of first electrodes C141, and a plurality of second electrodes. (C142) may be provided, and in addition, an anti-reflection film 130 may be further formed on the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.Here, the anti-reflection film 130 and the rear electric field part 172 may be omitted, and are located between the anti-reflection film 130 and the semiconductor substrate 110 to which light is incident, and have the same conductivity as the semiconductor substrate 110. It is also possible to further include a front electric field portion (not shown), which is an impurity portion in which type impurities are contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110.

이하에서는 도 3에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as illustrated in FIG. 3, the antireflection film 130 and the rear electric field part 172 will be described as an example.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a bulk semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a wafer formed of a silicon material with impurities of a first conductivity type.

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 도시되어 있지는 않지만 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다. Although not shown, the upper surface of the semiconductor substrate 110 may be textured to have a textured surface that is an uneven surface. The anti-reflection layer 130 is positioned on the incident surface of the semiconductor substrate 110, may be formed of one or more layers, and may be formed of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx:H). In addition, it is also possible to further form a front electric field part or the like on the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter unit 121 is located spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extends in a direction parallel to each other. There may be a plurality of emitter units 121, and the plurality of emitter units 121 may be of a second conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 에미터부(121)는 일례로, 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.As an example, the emitter part 121 may be formed by containing a p-type impurity of a second conductivity type opposite to that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 at a high concentration through a diffusion process.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 3 및 도 4에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear electric field units 172 may be located inside the rear surface of the semiconductor substrate 110, are formed to be spaced apart in a direction parallel to the plurality of emitter units 121 and extend in the same direction as the plurality of emitter units 121 have. Accordingly, as shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of emitter units 121 and a plurality of rear electric field units 172 are alternately positioned on the rear surface of the semiconductor substrate 110.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric field portions 172 are impurities in which the same conductivity type impurity as the semiconductor substrate 110 is contained in a higher concentration than the semiconductor substrate 110, for example, n++ portions. The plurality of rear electric field units 172 may be formed by containing impurities (n++) of the same conductivity type as those of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 in a high concentration through a diffusion process.

여기서, 반도체 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 제1 부분 및 제2 부분 각각에 형성된 에미터부(121) 및 후면 전계부(172)의 두께는 서로 동일할 수 있다.Here, the thickness of the emitter portion 121 and the rear electric field portion 172 formed in each of the first and second portions in the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate 110 may be the same. I can.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 후면 전계부(172) 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 일례로, 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장될 수 있다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있다. 그러나 도시된 바와 다르게, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.The plurality of first electrodes C141 may be connected to any one of the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172. For example, as shown, the plurality of first electrodes C141 may be physically and electrically connected to the emitter unit 121, respectively, and may extend apart from each other along the emitter unit 121. Accordingly, when the emitter part 121 extends in the first direction x, the first electrode C141 may also extend in the first direction x. However, unlike illustrated, when the emitter part 121 extends in the second direction y, the first electrode C141 may also extend in the second direction y.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 에미터부(121)와 후면 전계부(172) 중 어느 나머지 하나에 연결될 수 있다. 일례로, 도시된 바와 같이, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. In addition, the plurality of second electrodes C142 may be connected to any other of the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172. For example, as shown, the plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric field unit 172, respectively, and extend along the plurality of rear electric field units 172 .

따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있다. 그러나 도시된 바와 다르게, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.Accordingly, when the rear electric field part 172 extends in the first direction x, the second electrode C142 may also extend in the first direction x. However, unlike illustrated, when the rear electric field part 172 extends in the second direction y, the second electrode C142 may also extend in the second direction y.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다. Accordingly, the first electrode C141 formed on the emitter part 121 collects charges, for example, holes, which have moved toward the emitter part 121, and the second electrode formed on the rear electric field part 172 ( C142) may collect charges, for example, electrons that have moved toward the rear electric field unit 172.

여기서, 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)의 패턴은 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 서로 이격되어 나란하게 뻗어 있을 수 있다. 이때, 각각의 제1 전극(C141)과 각각의 제2 전극(C142)은 서로 교번될 수 있다.Here, the patterns of the plurality of first electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142 are spaced apart from each other in the first direction x on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and are parallel to each other, as shown in FIG. 4. It can be stretched. In this case, each of the first electrodes C141 and each of the second electrodes C142 may be alternated with each other.

여기서, 본 발명에 따른 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 후면은 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 전극(C141, C142)의 연장 방향인 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 구분될 수 있다. 그러나, 도 4에 도시된 바와 다르게, 제1, 2 전극(C141, C142)의 연장 방향이 제2 방향(y)으로 형성된 경우, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)은 제1 방향(x)으로 구분될 수도 있다.Here, in the solar cell according to the present invention, as shown in FIG. 4, the rear surface of the semiconductor substrate 110 crosses the first direction x, which is the extension direction of the first and second electrodes C141 and C142. It may be divided into a first area A1 and a second area A2 in the direction y. However, unlike FIG. 4, when the extension directions of the first and second electrodes C141 and C142 are formed in the second direction y, the first region A1 and the second region A2 are It can also be divided by direction (x).

여기서, 이와 같은 태양 전지의 구조에서, 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 복수의 제1 전극(C141)의 두께와 복수의 제2 전극(C142)의 두께가 서로 동일할 수 있다. 일례로, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께는 0.1㎛ ~ 50㎛ 사이로 형성될 수 있다.Here, in the structure of the solar cell, the solar cell according to the present invention includes the thickness of the plurality of first electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142 in the first region A1 and the second region A2. May have the same thickness. For example, the first electrode C141 and the second electrode C142 may have a thickness of 0.1 μm to 50 μm.

아울러, 도 4에 도시된 반도체 기판(110)의 후면 중 제1 영역(A1)은 도 5a에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(C141)과 중첩하는 제1 부분에 위치하는 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)가 복수의 제2 전극(C142)과 중첩하는 제2 부분에 위치하는 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)보다 클 수 있다.In addition, the first region A1 of the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 4 is a semiconductor substrate positioned in a first portion overlapping the plurality of first electrodes C141 as shown in FIG. 5A. The first partial thickness WT1 of 110 may be greater than the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 positioned at a second portion overlapping the plurality of second electrodes C142.

일례로, 제1 영역(A1)에서는 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)가 제2 부분 두께(WT2)보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다.For example, in the first region A1, the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 may be greater than the second partial thickness WT2 by about 5 μm to 40 μm.

이때, 도 5a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 에미터부(121)까지의 거리는 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 후면 전계부(172)까지의 거리보다 클 수 있다.In this case, as shown in FIG. 5A, the distance from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 to the emitter unit 121 is the rear electric field part 172 from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 May be greater than the distance to.

이에 따라, 반도체 기판(110) 중 제1 영역(A1)에서는 제1 돌출 높이(H1)가 제2 돌출 높이(H2)보다 클 수 있고, 이에 따라, 복수의 제1 전극(C141)의 끝단이 복수의 제2 전극(C142)의 끝단보다 더 돌출될 수 있다.Accordingly, in the first region A1 of the semiconductor substrate 110, the first protrusion height H1 may be greater than the second protrusion height H2, and accordingly, the ends of the plurality of first electrodes C141 are It may protrude more than the ends of the plurality of second electrodes C142.

또한, 도 4에 도시된 반도체 기판(110)의 후면 중 제2 영역(A2)은 도 5b에 도시된 바와 같이, 복수의 제2 전극(C142)과 중첩하는 제2 부분에 위치하는 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)가 복수의 제1 전극(C141)과 중첩하는 제1 부분에 위치하는 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)보다 클 수 있다. 일례로, 제2 영역(A2)에서는 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)가 제1 부분 두께(WT1)보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다.In addition, the second region A2 of the rear surface of the semiconductor substrate 110 illustrated in FIG. 4 is a semiconductor substrate positioned in a second region overlapping the plurality of second electrodes C142, as illustrated in FIG. 5B. The second partial thickness WT2 of 110 may be greater than the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 positioned in the first portion overlapping the plurality of first electrodes C141. For example, in the second region A2, the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 may be greater than the first partial thickness WT1 by about 5 μm to 40 μm.

이때, 도 5b에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 후면 전계부(172)까지의 거리는 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 에미터부(121)까지의 거리보다 클 수 있다.In this case, as shown in FIG. 5B, the distance from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 to the rear electric field part 172 is the emitter part 121 from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110. May be greater than the distance to.

이에 따라, 반도체 기판(110) 중 제2 영역(A2)에서는 제2 돌출 높이(H2)가 제1 돌출 높이(H1)보다 클 수 있고, 이에 따라, 복수의 제2 전극(C142)이 복수의 제1 전극(C141)보다 더 돌출될 수 있다.Accordingly, in the second region A2 of the semiconductor substrate 110, the second protrusion height H2 may be greater than the first protrusion height H1, and accordingly, the plurality of second electrodes C142 It may protrude more than the first electrode C141.

다음, 도 4에 도시된 제1 전극(C141)의 길이 방향인 제1 방향(x)에 따른 단면은 도 5c에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.Next, a cross section of the first electrode C141 shown in FIG. 4 along the first direction x, which is the length direction, may be formed as shown in FIG. 5C.

구체적으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)에서 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)는 제2 영역(A2)에서 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)보다 클 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)는 제1 영역(A1)이 제2 영역(A2)보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 5C, the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 in the first region A1 is the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 in the second region A2. May be larger than WT1). As an example, the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 may be about 5 μm to 40 μm larger in the first area A1 than in the second area A2.

이때, 에미터부(121)도 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이에 단차가 형성될 수 있다. 즉, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)에서 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 에미터부(121)까지의 거리는 제2 영역(A2)에서 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 에미터부(121)까지의 거리보다 더 클 수 있다.In this case, the emitter part 121 may also have a step formed between the first region A1 and the second region A2. That is, as shown in FIG. 5C, the distance from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110 to the emitter unit 121 in the first region A1 is the semiconductor substrate 110 in the second region A2. It may be greater than the distance from the front surface (110-f1) of the emitter unit 121.

또한, 도 4에 도시된 제2 전극(C142)의 길이 방향에 따른 단면은 도 5d에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다.In addition, a cross section along the length direction of the second electrode C142 shown in FIG. 4 may be formed as shown in FIG. 5D.

구체적으로, 도 5d에 도시된 바와 같이, 제2 영역(A2)에서 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)는 제2 영역(A2)에서 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)보다 클 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)는 제2 영역(A2)이 제1 영역(A1)보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 5D, the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 in the second region A2 is the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 in the second region A2. WT2) can be larger. As an example, the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 may be about 5 μm to 40 μm larger in the second area A2 than in the first area A1.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반도체 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 상대적으로 돌출되는 전극이 서로 다르게 반도체 기판(110)에 단차가 형성되도록 하여, 인터커넥터(IC)의 얼라인을 보다 용이하게 하고, 접속 공정을 보다 용이하게 할 수 있다. As described above, in the solar cell module according to the present invention, the electrodes protruding from the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate 110 are different from each other so that a step is formed in the semiconductor substrate 110. , Alignment of the interconnector (IC) can be made easier, and the connection process can be made easier.

지금까지는 반도체 기판(110)의 각 영역에서 제1 돌출 높이(H1)와 제2 돌출 높이(H2)를 서로 다르게 하기 위하여 반도체 기판(110)에 단차가 형성된 경우를 제1 실시예로 설명하였으나, 이하에서는 도 6 내지 도 9d에서는 제1, 2 전극(C141, C142)의 두께를 다르게 하는 제2 실시예에 대해 설명한다.Until now, a case in which a step is formed in the semiconductor substrate 110 to make the first protrusion height H1 and the second protrusion height H2 different from each other in each region of the semiconductor substrate 110 has been described as the first embodiment. Hereinafter, in FIGS. 6 to 9D, a second embodiment in which the first and second electrodes C141 and C142 have different thicknesses will be described.

도 6은 도 1a 및 도 1b에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면에 대한 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.6 is a view for explaining a second embodiment of a cross section taken along the EIC-EIC line shown in FIGS. 1A and 1B.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 도 6에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 두께(T110)는 단차없이 일정하고, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 두께를 다르게 하여, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 사이에 단차(TDE)가 형성되도록 할 수 있다.In the solar cell module according to the present invention, as shown in FIG. 6, the thickness T110 of the semiconductor substrate 110 is constant without a step difference, and the thicknesses of the first electrode C141 and the second electrode C142 are different. , A step TDE may be formed between the first electrode C141 and the second electrode C142.

구체적으로, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 제1 전극(C141)의 두께(TE1)를 제2 전극(C142)의 두께(TE2)보다 더 크게 할 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서는 제2 전극(C142)의 두께(TE2)를 제1 전극(C141)의 두께(TE1)보다 더 크게 할 수 있다.Specifically, in the first region A1 of the first solar cell CE1, the thickness TE1 of the first electrode C141 may be greater than the thickness TE2 of the second electrode C142, and the second In the second region A2 of the solar cell CE2, the thickness TE2 of the second electrode C142 may be greater than the thickness TE1 of the first electrode C141.

이에 따라, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 제1 전극(C141)의 제1 돌출 높이(H1)가 상대적으로 더 크게 하고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서는 제2 전극(C142)의 제2 돌출 높이(H2)가 상대적으로 더 크게 할 수 있다.Accordingly, in the first region A1 of the first solar cell CE1, the first protruding height H1 of the first electrode C141 is relatively larger, and the second region of the second solar cell CE2 In (A2), the second protrusion height H2 of the second electrode C142 may be relatively larger.

이에 따라, 인터커넥터(IC)와 접속하는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서는 제1 전극(C141)이 더 돌출되도록 할 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서는 제2 전극(C142)이 더 돌출되도록 할 수 있다.Accordingly, in the first region A1 of the first solar cell CE1 connected to the interconnector IC, the first electrode C141 may further protrude, and the second solar cell CE2 In the region A2, the second electrode C142 may further protrude.

이때, 도 2 내지 도 5d에 도시된 제1 실시예와 다르게 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)과 중첩되는 반도체 기판(110)의 두께는 동일할 수 있다. In this case, unlike the first embodiment illustrated in FIGS. 2 to 5D, the thickness of the semiconductor substrate 110 overlapping the first electrode C141 and the second electrode C142 may be the same.

이하에서는 이와 같이, 제2 실시예에 적용되는 태양 전지의 구조에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure of the solar cell applied to the second embodiment will be described in more detail.

이하에서는 도 7 내지 도 9d를 참조하여 도 6에 적용되는 태양 전지에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the solar cell applied to FIG. 6 will be described in more detail with reference to FIGS. 7 to 9D.

도 7은 도 6에 도시된 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 8는 도 7에 도시된 태양 전지의 후면 모습이고, 도 9a는 도 8에서 9a-9a 라인에 따른 단면, 도 9b는 도 8에서 9b-9b 라인에 따른 단면, 도 9c는 도 8에서 9c-9c 라인에 따른 단면, 도 9d는 도 8에서 9d-9d 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.7 is a diagram for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module according to the second embodiment shown in FIG. 6, FIG. 8 is a rear view of the solar cell shown in FIG. 7, and FIG. 9A is 8 to 9a to 9a line, FIG. 9b to 9b to 9b line, FIG. 9c to 9c to 9c line, FIG. 9d to 9d to 9d line It shows a cross section.

도 7에서, 앞선 도 3에서 설명한 바와 중복되는 부분에 대한 설명은 생략한다.In FIG. 7, descriptions of portions overlapping with those described in FIG. 3 will be omitted.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)을 구비할 수 있다.As shown in FIG. 7, an example of a solar cell according to the present invention is a semiconductor substrate 110, an emitter part 121, a rear electric field part 172, a plurality of first electrodes C141, and a plurality of second electrodes. (C142) can be provided.

여기서, 반도체 기판(110)은 제1 실시예와 다르게 단차가 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 반도체 기판(110)의 후면 중 각각의 제1, 2 영역(A1, A2)에서 제1 전극(C141)과 중첩하는 부분 및 제2 전극(C142)과 중첩하는 부분에 위치하는 반도체 기판(110)의 두께는 서로 동일할 수 있다. 이때, 반도체 기판(110)의 두께는 일례로 100㎛ ~ 250㎛ 사이에서 단차없이 균일하게 형성될 수 있다.Here, unlike the first embodiment, the semiconductor substrate 110 may not have a step. Accordingly, a semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the first electrode C141 and a portion overlapping the second electrode C142 in each of the first and second regions A1 and A2 of the rear surface of the semiconductor substrate 110 110) may have the same thickness. In this case, the thickness of the semiconductor substrate 110 may be uniformly formed between 100 μm and 250 μm without a step.

아울러, 에미터부(121) 및 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 전면(110-f1)으로부터 동일한 거리에 위치할 수 있다.In addition, the emitter unit 121 and the rear electric field unit 172 may be positioned at the same distance from the front surface 110-f1 of the semiconductor substrate 110.

다만, 반도체 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 두께(TE2)는 서로 다를 수 있다. 일례로, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)에서 제1 전극(C141)이 제2 전극(C142)보다 두껍고, 제2 영역(A2)에서 제2 전극(C142)이 제1 전극(C141)보다 두꺼울 수 있다. 또한, 도시된 반대로 형성되는 경우도 가능하다.However, the thickness TE2 of the first electrode C141 and the second electrode C142 in the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate 110 may be different from each other. For example, as shown in FIG. 7, the first electrode C141 is thicker than the second electrode C142 in the first area A1, and the second electrode C142 is the first electrode in the second area A2. It may be thicker than the electrode C141. In addition, it is possible to form the opposite of the illustrated case.

이에 따라, 본 발명에 따른 태양 전지는 제1 영역(A1)에서 제1 돌출 높이(H1)를 더 크게 하여 제1 전극(C141)이 상대적으로 더 돌출되도록 할 수 있고, 제2 영역(A2)에서 제2 돌출 높이(H2)를 더 크게 하여 제2 전극(C142)이 상대적으로 더 돌출되도록 할 수 있다.Accordingly, the solar cell according to the present invention can make the first electrode C141 relatively protrude further by increasing the first protrusion height H1 in the first region A1, and the second region A2 At, the second protrusion height H2 may be increased so that the second electrode C142 relatively protrudes further.

이에 대해, 도 8 및 도 9a 내지 도 9d를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail with reference to FIGS. 8 and 9A to 9D as follows.

도 8에 도시된 바와 같이, 도 7에 도시된 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에는 복수의 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 제1 방향(x)으로 길게 서로 이격되어 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of the solar cell shown in FIG. 7, a plurality of first electrodes C141 and C142 are elongated apart from each other in a first direction (x). Can be formed.

여기서, 도 8에 도시된 반도체 기판(110)의 후면 중 제1 영역(A1)은 도 9a에 도시된 바와 같이, 제1 돌출 높이(H1)를 제2 돌출 높이(H2)보다 더 크게 하기 위하여, 복수의 제1 전극(C141)의 두께(TE1)를 복수의 제2 전극(C142)의 두께(TE2)보다 더 크게 형성할 수 있다. 이때, 제1 영역(A1)에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 두께 차이(TDE)는 5㎛ ~ 40㎛ 정도일 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(C141)의 두께(TE1)는 제2 전극(C142)의 두께(TE2)보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(A1)에서는 제1 전극(C141)의 끝단이 제2 전극(C142)의 끝단보다 더 돌출되도록 할 수 있다.Here, the first region A1 of the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 8 is to make the first protrusion height H1 larger than the second protrusion height H2 as shown in FIG. 9A. , The thickness TE1 of the plurality of first electrodes C141 may be formed to be larger than the thickness TE2 of the plurality of second electrodes C142. In this case, a thickness difference TDE between the first electrode C141 and the second electrode C142 in the first region A1 may be about 5 μm to 40 μm. Specifically, the thickness TE1 of the first electrode C141 may be greater than the thickness TE2 of the second electrode C142 by about 5 μm to 40 μm. Accordingly, in the first region A1, the end of the first electrode C141 may protrude more than the end of the second electrode C142.

여기서, 제1 전극(C141)은 하나의 층으로 형성될 수도 있고, 도 9a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 바로 접하는 제1 전극 하부층(C141a)과 제1 전극 하부층(C141a) 위에 형성되는 제1 전극 상부층(C141b)을 가지는 2개의 층으로 형성될 수 있다. 이때, 제1 전극 하부층(C141a)과 제1 전극 상부층(C141b)의 재질은 동일하거나 다를 수 있다. 아울러, 형성 방법이 다를 수 있다. Here, the first electrode C141 may be formed as a single layer, and as shown in FIG. 9A, on the first electrode lower layer C141a and the first electrode lower layer C141a in direct contact with the semiconductor substrate 110 It may be formed of two layers having the formed first electrode upper layer C141b. In this case, the material of the first electrode lower layer C141a and the first electrode upper layer C141b may be the same or different. In addition, the formation method may be different.

다음, 도 8에 도시된 반도체 기판(110)의 후면 중 제2 영역(A2)은 도 9b에 도시된 바와 같이, 제2 돌출 높이(H2)를 제1 돌출 높이(H1)보다 더 크게 하기 위하여, 복수의 제2 전극(C142)의 두께(TE2)를 복수의 제1 전극(C141)의 두께(TE1)보다 더 크게 형성할 수 있다.Next, the second region A2 of the rear surface of the semiconductor substrate 110 shown in FIG. 8 is to make the second protrusion height H2 larger than the first protrusion height H1, as shown in FIG. 9B. , The thickness TE2 of the plurality of second electrodes C142 may be formed to be larger than the thickness TE1 of the plurality of first electrodes C141.

여기서, 제2 전극(C142)의 두께(TE2)는 제1 전극(C141)의 두께(TE1)보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있고, 이에 따라, 제2 영역(A2)에서는 제2 전극(C142)의 끝단이 제1 전극(C141)의 끝단보다 더 돌출되도록 할 수 있다.Here, the thickness TE2 of the second electrode C142 may be greater than the thickness TE1 of the first electrode C141 by about 5 μm to 40 μm, and accordingly, the second electrode in the second area A2 The end of C142 may protrude more than the end of the first electrode C141.

이때, 제2 전극(C142)은 하나의 층으로 형성될 수도 있고, 도 9b에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 바로 접하는 제2 전극 하부층(C142a)과 제2 전극 하부층(C142a) 위에 형성되는 제2 전극 상부층(C142b)을 가지는 2개의 층으로 형성될 수 있다.In this case, the second electrode C142 may be formed as a single layer, and as shown in FIG. 9B, on the second electrode lower layer C142a and the second electrode lower layer C142a directly in contact with the semiconductor substrate 110. It may be formed of two layers having the formed second electrode upper layer C142b.

다음, 도 8에 도시된 제1 전극(C141)의 길이 방향의 단면은 도 5c에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다. 이때, 제1 영역(A1)에 위치하는 제1 전극(C141)의 두께(TE1)가 제2 영역(A2)에 위치하는 제1 전극(C141)의 두께(TE1)보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 전극(C141)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)이 접한 부분에서 단차(TDE1)가 형성되고, 이때, 일례로, 제1 전극(C141)은 제1 영역(A1)에서의 두께가 제2 영역(A2)에서의 두께보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다.Next, a cross section in the length direction of the first electrode C141 shown in FIG. 8 may be formed as shown in FIG. 5C. In this case, the thickness TE1 of the first electrode C141 positioned in the first region A1 may be larger than the thickness TE1 of the first electrode C141 positioned in the second region A2. Accordingly, in the first electrode C141, a step TDE1 is formed at a portion where the first region A1 and the second region A2 contact each other. In this case, for example, the first electrode C141 is The thickness in A1) may be about 5 μm to 40 μm larger than the thickness in the second region A2.

다음, 도 8에 도시된 제2 전극(C142)의 길이 방향의 단면은 도 5d에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다. 이때, 제2 영역(A2)에 위치하는 제2 전극(C142)의 두께(TE2)가 제1 영역(A1)에 위치하는 제2 전극(C142)의 두께(TE2)보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제2 전극(C142)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)이 접한 부분에서 단차(TDE2)가 형성되고, 이때, 일례로, 제2 전극(C142)은 제2 영역(A2)에서의 두께가 제1 영역(A1)에서의 두께보다 5㎛ ~ 40㎛ 정도 더 클 수 있다.Next, a cross section in the length direction of the second electrode C142 shown in FIG. 8 may be formed as shown in FIG. 5D. In this case, the thickness TE2 of the second electrode C142 positioned in the second region A2 may be larger than the thickness TE2 of the second electrode C142 positioned in the first region A1. Accordingly, in the second electrode C142, a step TDE2 is formed at a portion where the first region A1 and the second region A2 contact each other, and in this case, for example, the second electrode C142 is the second region ( The thickness in A2) may be about 5 μm to 40 μm larger than the thickness in the first region A1.

이와 같은 태양 전지 모듈의 제2 실시예는 제1 돌출 높이(H1)와 제2 돌출 높이(H2)의 차이를 크게 하기 위하여 앞서 설명한 제1 실시예와 함께 적용되는 것도 가능하다.The second embodiment of the solar cell module may be applied together with the first embodiment described above in order to increase the difference between the first protruding height H1 and the second protruding height H2.

다음은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예에 대해 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다.Next, a third embodiment of a solar cell module according to an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

도 10은 도 1a 및 도 1b에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면에 대한 제3 실시예를 설명하기 위한 도이고, 도 11은 제3 실시예에 따른 인터커넥터(IC’) 평면의 일례이다.10 is a diagram for explaining a third embodiment of a cross section along the EIC-EIC line shown in FIGS. 1A and 1B, and FIG. 11 is an example of a plane of an interconnector IC' according to the third embodiment. .

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예는 도 10에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC’) 자체에 단차가 형성되도록 하여, 인터커넥터(IC’)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)와의 접속 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.In the third embodiment of the solar cell module according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 10, a step is formed in the interconnector IC' itself, so that the interconnector IC' and the first and second solar cells The connection process with (CE1, CE2) can be made more easily.

보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지도 제1, 2 실시예에서 설명한 바와 같이, 반도체 기판(110), 에미터부(121), 후면 전계부(172), 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)을 구비할 수 있다.More specifically, the solar cell applied to the solar cell module according to the third embodiment of the present invention, as described in the first and second embodiments, the semiconductor substrate 110, the emitter unit 121, the rear electric field unit 172, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 may be provided.

그러나, 제1 실시예 및 제2 실시예와 다르게, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에 포함되는 반도체 기판(110)의 제1, 2 영역(A1, A2)에서 제1 부분 두께(WT1) 및 제2 부분 두께(WT2)가 동일할 수 있으며, 제1 전극(C141)의 두께(TE1) 및 제2 전극(C142)의 두께(TE2)가 동일할 수 있다.However, different from the first and second embodiments, the first partial thickness in the first and second regions A1 and A2 of the semiconductor substrate 110 included in the first and second solar cells CE1 and CE2 ( WT1 and the second partial thickness WT2 may be the same, and the thickness TE1 of the first electrode C141 and the thickness TE2 of the second electrode C142 may be the same.

따라서, 반도체 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 제1 돌출 높이(H1)와 제2 돌출 높이(H2)는 서로 동일할 수 있다.Accordingly, the first protrusion height H1 and the second protrusion height H2 in the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate 110 may be the same.

다만, 인터커넥터(IC’)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)와의 접속 공정을 보다 용이하게 하기 위하여, 제3 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터(IC’) 자체에 단차가 형성되도록 할 수 있다.However, in order to facilitate the connection process between the interconnector IC' and the first and second solar cells CE1 and CE2, the solar cell module according to the third embodiment has a step difference in the interconnector IC' itself. Can be formed.

보다 구체적으로 설명하면, 도 10에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC’)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 중첩되는 부분 중에서 제1 전극(C141)과 접속되는 부분이 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분보다 더 돌출된 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 10, the interconnector IC' is a portion connected to the first electrode C141 among portions overlapping the first region A1 of the first solar cell CE1. A protruding portion IC-P that protrudes more than a portion overlapping the second electrode C142 may be formed.

아울러, 인터커넥터(IC’)는 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)과 중첩되는 부분 중에서 제2 전극(C142)과 접속되는 부분이 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분보다 더 돌출된 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다.In addition, the interconnector IC' has a portion that is connected to the second electrode C142 among the portions that overlap the second area A2 of the second solar cell CE2 than the portion that overlaps the first electrode C141. A further protruding protrusion IC-P may be formed.

따라서, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC’)에서 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 중첩되는 부분(CE1-A1)은 제1 전극(C141)과 접속될 부분에 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)과 중첩되는 부분(CE2-A2)은 제2 전극(C142)과 접속될 부분에 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다. Accordingly, as illustrated in FIGS. 10 and 11, a portion CE1-A1 overlapping the first region A1 of the first solar cell CE1 in the interconnector IC′ is the first electrode C141 A protrusion IC-P may be formed at a portion to be connected to the second solar cell CE2, and a portion CE2-A2 overlapping the second region A2 of the second solar cell CE2 may be connected to the second electrode C142. The protrusion IC-P may be formed in the portion.

이때, 인터커넥터(IC’)에서 돌출부(IC-P)가 형성된 부분의 두께(TI1)와 돌출부(IC-P)가 형성되지 않은 부분의 두께(TI2)와의 차이는 5㎛ ~ 40㎛ 사이일 수 있다.At this time, the difference between the thickness TI1 of the portion where the protrusion IC-P is formed in the interconnector IC' and the thickness TI2 of the portion where the protrusion IC-P is not formed is between 5 μm and 40 μm. I can.

이때, 돌출부(IC-P)의 끝단 표면에는 도 10에 도시된 바와 같이 복수 개의 요철이 형성될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1, 2 전극(C141, C142)과 접속되는 단면적을 보다 크게 할 수 있어 접착력과 접속 저항을 보다 향상시킬 수 있다.At this time, as shown in FIG. 10, a plurality of irregularities may be formed on the end surface of the protrusion IC-P. In this case, since the cross-sectional area connected to the first and second electrodes C141 and C142 can be increased, adhesion and connection resistance can be further improved.

지금까지는 각 태양 전지에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 길이 방향과 인터커넥터(IC’)에 의해 연결된 태양 전지의 배열 방향이 동일하게 제1 방향(x)인 경우를 일례로 설명하였다.Until now, the case where the length direction of the first electrode C141 and the second electrode C142 formed in each solar cell and the arrangement direction of the solar cells connected by the interconnector IC′ are the same as the first direction (x). It was described as an example.

그러나, 이와 다르게, 복수의 태양 전지(CE1, CE2, CE3)의 연결 방향과 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향이 서로 다른 경우에도 본 발명에 따른 태양 전지 모듈이 동일하게 적용될 수 있다.However, differently, even when the connection directions of the plurality of solar cells CE1, CE2, CE3 and the length directions of the first and second electrodes C141 and C142 are different from each other, the solar cell module according to the present invention can be applied equally. have.

보다 구체적으로 도 12를 참조하여 설명하면 다음과 같다.More specifically, it will be described with reference to FIG. 12 as follows.

도 12는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.12 is a view for explaining another example of the solar cell module according to the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 다른 일례는 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향이 제2 방향(y)으로 형성될 수 있고, 복수의 태양 전지(CE1, CE2, CE3)는 인터커넥터(IC)에 의해 연결되어 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다.As shown in FIG. 12, in another example of the solar cell module according to the present invention, the length directions of the first and second electrodes C141 and C142 of each solar cell may be formed in the second direction y, and a plurality of The solar cells CE1, CE2, and CE3 of are connected by an interconnector IC and may be arranged in a first direction x.

이때, 각 태양 전지에서 반도체 기판(110)의 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)은 제1, 2 전극(C141, C142)의 길이 방향과 교차하고, 태양 전지의 배열 방향과 동일한 제2 방향(y)으로 나누어질 수 있다. 또한, 이때, 제1 태양 전지(CE1)의 제1, 2 영역(A1, A2)의 위치와 제2 태양 전지(CE2)의 제1, 2 영역(A1, A2)의 위치는 서로 반대일 수 있다.At this time, in each solar cell, the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate 110 cross the length direction of the first and second electrodes C141 and C142, and are the same as the arrangement direction of the solar cell. It can be divided into a second direction (y). In addition, at this time, the positions of the first and second regions A1 and A2 of the first solar cell CE1 and the positions of the first and second regions A1 and A2 of the second solar cell CE2 may be opposite to each other. have.

따라서, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)이 서로 바로 인접하고, 제1 태양 전지(CE1)의 제2 영역(A2)과 제2 태양 전지(CE2)의 제1 영역(A1)이 서로 바로 인접하도록 복수의 태양 전지(CE1, CE2, CE3)가 배열될 수 있다.Accordingly, the first region A1 of the first solar cell CE1 and the second region A2 of the second solar cell CE2 are immediately adjacent to each other, and the second region A2 of the first solar cell CE1 ) And the first region A1 of the second solar cell CE2 may be arranged so that the plurality of solar cells CE1, CE2, CE3 are immediately adjacent to each other.

이때에도, 각 태양 전지를 직렬로 연결하는 인터커넥터(IC)는 통전극으로 형성되어, 통전극으로 형성된 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에 접속될 수 있다.Even at this time, the interconnector IC connecting each solar cell in series is formed as a conductive electrode, so that the interconnector IC formed as a conductive electrode is connected to the first region A1 and the second region of the first solar cell CE1. It may be connected to the second area A2 of the solar cell CE2.

이와 같은 경우에도, 제1, 2 실시예에서 설명한 바와 같이, 각각의 태양 전지의 제1 영역(A1) 또는 제2 영역(A2) 각각에서 복수의 제1 전극(C141)의 제1 돌출 높이(H1)는 복수의 제2 전극(C142)의 제2 돌출 높이(H2)와 다를 수 있다.Even in this case, as described in the first and second embodiments, the first protruding height of the plurality of first electrodes C141 in each of the first region A1 or the second region A2 of each solar cell ( H1) may be different from the second protruding height H2 of the plurality of second electrodes C142.

따라서, 전술한 제1 실시예와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서 반도체 기판(110)의 제1 부분 두께(WT1)는 제2 부분 두께(WT2)보다 두꺼울 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서 반도체 기판(110)의 제2 부분 두께(WT2)는 제1 부분 두께(WT1)보다 두꺼울 수 있다. Accordingly, as in the first embodiment described above, the first partial thickness WT1 of the semiconductor substrate 110 in the first region A1 of the first solar cell CE1 may be thicker than the second partial thickness WT2. In addition, in the second region A2 of the second solar cell CE2, the second partial thickness WT2 of the semiconductor substrate 110 may be thicker than the first partial thickness WT1.

아울러, 제2 실시예와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에서 제1 전극(C141)의 두께(TE1)는 제2 전극(C142)의 두께(TE2)보다 두꺼울 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서 제2 전극(C142)의 두께(TE2)는 제1 전극(C141)의 두께(TE1)보다 두꺼울 수 있다.In addition, as in the second embodiment, the thickness TE1 of the first electrode C141 in the first region A1 of the first solar cell CE1 may be thicker than the thickness TE2 of the second electrode C142. In addition, the thickness TE2 of the second electrode C142 in the second region A2 of the second solar cell CE2 may be thicker than the thickness TE1 of the first electrode C141.

또한, 제3 실시예와 같이, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 중첩되는 부분 중에서 제1 전극(C141)과 접속되는 부분이 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분보다 더 돌출될 수 있고, 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)과 중첩되는 부분 중에서 제2 전극(C142)과 접속되는 부분이 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분보다 더 돌출될 수 있다.In addition, as in the third embodiment, in the interconnector IC, a portion connected to the first electrode C141 among the portions overlapping the first region A1 of the first solar cell CE1 is the second electrode C142. ), and a portion connected to the second electrode C142 of the portion overlapping with the second region A2 of the second solar cell CE2 overlaps the first electrode C141 It may protrude more than the part that becomes.

따라서, 도 12에 도시된 EIC-EIC 라인에 따른 단면은 도 2, 도 6, 도 10에 도시된 단면 중 어느 하나와 동일할 수 있다.Accordingly, the cross-section along the EIC-EIC line illustrated in FIG. 12 may be the same as any one of the cross-sections illustrated in FIGS. 2, 6 and 10.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 다른 일례도, 앞에서 설명한 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 접속 공정을 보다 단순화시킬 수 있으며, 얼라인 문제를 용이하게 해결할 수 있다. As described above, in another example of the solar cell module according to the present invention, as described above, the connection process of the interconnector (IC) can be further simplified, and the alignment problem can be easily solved.

지금까지는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에 접속되는 인터커넥터(IC)가 하나의 통전극으로 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 여기서, 인터커넥터(IC)에서 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에 접속된 부분과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에 접속된 부분은 서로 이격되고, 별도의 금속층에 의해 두 부분이 서로 연결되는 것도 가능하다. 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Until now, the case where the interconnector IC connected to the first region A1 of the first solar cell CE1 and the second region A2 of the second solar cell CE2 is formed as a single conducting electrode is an example. Although described, here, in the interconnector IC, the portion connected to the first region A1 of the first solar cell CE1 and the portion connected to the second region A2 of the second solar cell CE2 are It is also possible to be spaced apart and to connect the two parts to each other by a separate metal layer. More specifically, it is as follows.

도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 또 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.13 and 14 are diagrams for explaining another example of a solar cell module according to the present invention.

도 13 및 도 14에서는 이전에 설명한 부분과 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고 다른 부분에 대해서만 설명한다.In FIGS. 13 and 14, descriptions of the same parts as previously described are omitted, and only other parts will be described.

도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 또 다른 일례는 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)에 접속되는 제1 커넥터(IC1), 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에 접속되는 제2 커넥터(IC2) 및 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)를 서로 전기적으로 연결하는 제3 커넥터(IC3)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 13, another example of the solar cell module according to the present invention is a first connector IC1 to which an interconnector IC is connected to the first region A1 of the first solar cell CE1, A second connector IC2 connected to the second area A2 of the second solar cell CE2, and a third connector IC3 electrically connecting the first connector IC1 and the second connector IC2 to each other. Can include.

이때, 제1 커넥터(IC1)와 제2 커넥터(IC2)는 서로 물리적 및 공간적으로 GP 간격만큼 이격될 수 있으며, 동일한 도전성 재질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다.In this case, the first connector IC1 and the second connector IC2 may be physically and spatially spaced apart from each other by a GP interval, and may be formed of the same conductive material and the same thickness.

그리고, 제3 커넥터(IC3)는 제1 커넥터(IC1) 및 2 커넥터와 다른 재질 또는 다른 두께로 형성될 수 있고, 제3 커넥터(IC3)는 제1 커넥터(IC1) 및 제2 커넥터(IC2)에 별도의 도전성 접착제에 의해 접속될 수 있다. 일례로 도전성 접착제는 솔더 페이스트, 도전성 페이스트, 또는 도전성 필름 중 어느 하나일 수 있다.In addition, the third connector IC3 may be formed of a material different from the first connector IC1 and the second connector or a different thickness, and the third connector IC3 may include the first connector IC1 and the second connector IC2. Can be connected by a separate conductive adhesive. For example, the conductive adhesive may be any one of a solder paste, a conductive paste, or a conductive film.

이와 같이, 인터커넥터(IC)가 제1 커넥터(IC1), 제2 커넥터(IC2) 및 제 3 커넥터를 포함한 경우에도, 앞서 설명한 태양 전지 모듈의 제1 내지 3 실시예가 그대로 적용될 수 있다.As described above, even when the interconnector IC includes the first connector IC1, the second connector IC2, and the third connector, the first to third embodiments of the solar cell module described above may be applied as it is.

따라서, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 실시예가 적용되어, 제1 커넥터(IC1)가 접속하는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)은 제1 돌출 높이(H1)가 제2 돌출 높이(H2)보다 높을 수 있고, 제2 커넥터(IC2)가 접속하는 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)은 제2 돌출 높이(H2)가 제1 돌출 높이(H1)보다 더 높을 수 있다. Accordingly, as shown in FIG. 14, the first embodiment is applied, so that the first region A1 of the first solar cell CE1 to which the first connector IC1 is connected has a first protruding height H1. 2 It may be higher than the protruding height H2, and in the second area A2 of the second solar cell CE2 to which the second connector IC2 is connected, the second protruding height H2 is the first protruding height H1 Can be higher than

또한 이와 다르게, 제2 실시예가 적용되어, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 영역(A1)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 영역(A2)에서 제1 전극(C141)의 두께(TE1)와 제2 전극(C142)의 두께(TE2)가 서로 다를 수도 있다. Also, differently, the second embodiment is applied, and the thickness of the first electrode C141 in the first region A1 of the first solar cell CE1 and the second region A2 of the second solar cell CE2 ( The thickness TE2 of TE1 and the second electrode C142 may be different from each other.

또한, 제3 실시예와 같이, 제1 커넥터(IC1)에서 제1 전극(C141)과 접속되는 부분이 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분보다 더 돌출될 수 있다.Also, as in the third embodiment, a portion of the first connector IC1 connected to the first electrode C141 may protrude more than a portion overlapping the second electrode C142.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs can make various modifications, changes, and substitutions within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

Claims

A first solar cell and a second solar cell including a semiconductor substrate and a plurality of first and second electrodes spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate;
Includes; an interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other,
In each of the first and second solar cells, the semiconductor substrate is divided into a first region and a second region in a direction crossing the traveling direction of each of the plurality of first and second electrodes,
A solar cell module in which the first protrusion height of the plurality of first electrodes in each of the first region or the second region is different from the second protrusion height of the plurality of second electrodes.

The method of claim 1,
The first protrusion height is a length from a front surface of the semiconductor substrate to a rear end of the first electrode, and the second protrusion height is a length from the front surface of the semiconductor substrate to a rear end of the second electrode.

The method of claim 1,
In each of the first and second solar cells,
The first protrusion height in the first region is greater than the second protrusion height,
The second protrusion height in the second area is greater than the first protrusion height.

The method of claim 3,
The first protrusion height in the first region is 5 μm to 40 μm larger than the second protrusion height in the first region,
A solar cell module in which the second protrusion height in the second region is 5 μm to 40 μm larger than the first protrusion height in the second region.

The method of claim 1,
In each of the first and second solar cells,
The first protrusion height is greater than the height in the second area in the first area,
The second protruding height is a solar cell module in which a height in the second area is greater than a height in the first area.

The method of claim 5,
The first protrusion height in the first region is 5 μm to 40 μm larger than the first protrusion height in the second region,
A solar cell module in which a second protrusion height in the second region is 5 μm to 40 μm larger than a second protrusion height in the first region.

The method of claim 1,
The first solar cell and the second solar cell
A solar cell module arranged such that the first region of the first solar cell and the second region of the second solar cell are immediately adjacent to each other.

The method of claim 7,
The interconnector is
A solar cell module overlapping the first region of the first solar cell and the second region of the second solar cell.

The method of claim 7,
The interconnector is
A solar cell module electrically connecting a plurality of first electrodes positioned in the first region of the first solar cell and a plurality of second electrodes positioned in the second region of the second solar cell to each other.

The method of claim 7,
The interconnector is a solar cell module in which a portion connected to the first region of the first solar cell and a portion connected to the second region of the second solar cell are formed as one conductive electrode.

The method of claim 7,
The interconnector is
A first connector connected to the first region of the first solar cell,
A second connector connected to the second region of the second solar cell and spaced apart from the first connector, and
A solar cell module comprising a third connector electrically connecting the first connector and the second connector to each other.

The method of claim 1,
In each of the first and second solar cells,
The thickness of a first portion of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of first electrodes in the first region of the semiconductor substrate is a second portion of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of second electrodes. Greater than 2 part thickness,
In the second region of the semiconductor substrate, a second partial thickness of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of second electrodes is a second portion of the semiconductor substrate positioned at a portion overlapping the plurality of first electrodes. Solar module larger than 1 part thickness.

The method of claim 12,
In the first region and the second region, the thickness of the plurality of first electrodes and the thickness of the plurality of second electrodes are the same as each other.

The method of claim 12,
The first partial thickness of the semiconductor substrate is greater than the thickness in the second region in the first region,
The second partial thickness of the semiconductor substrate is a solar cell module in which a thickness in the second region is greater than a thickness in the first region.

The method of claim 1,
In a first region of the rear surface of the semiconductor substrate, the thickness of the plurality of first electrodes is greater than the thickness of the plurality of second electrodes,
In a second region of the rear surface of the semiconductor substrate, the thickness of the plurality of second electrodes is greater than the thickness of the plurality of first electrodes.

The method of claim 15,
A solar cell module having the same thickness of a first portion of the semiconductor substrate and a thickness of a second portion of the semiconductor substrate in each of the first and second regions of the rear surface of the semiconductor substrate.

The method of claim 15,
The thickness of the first electrode is greater than the thickness in the second region in the first region,
The thickness of the second electrode is a solar cell module in which the thickness in the second region is greater than the thickness in the first region.

A first solar cell and a second solar cell including a semiconductor substrate and a plurality of first and second electrodes spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate;
Includes; an interconnector electrically connecting the first electrode of the first solar cell and the second electrode of the second solar cell to each other,
In each of the first and second solar cells, the semiconductor substrate is divided into a first region and a second region in a direction crossing the traveling direction of each of the plurality of first and second electrodes,
In the interconnector, a portion connected to the first electrode among portions overlapping the first region of the first solar cell protrudes more than a portion overlapping the second electrode,
A solar cell module in which a portion connected to the second electrode of the portion overlapping the second region of the second solar cell protrudes more than a portion overlapping the first electrode.

The method of claim 18,
A solar cell module in which a plurality of irregularities are formed on a portion protruding from the interconnector.

The method of claim 18,
A solar cell module having a thickness difference between the protruding portion and the non-protruding portion of the interconnector between 5 μm and 40 μm.