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KR102078241B1 - Semiconductor substrate processing apparatus - Google Patents

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KR102078241B1
KR102078241B1 KR1020180024190A KR20180024190A KR102078241B1 KR 102078241 B1 KR102078241 B1 KR 102078241B1 KR 1020180024190 A KR1020180024190 A KR 1020180024190A KR 20180024190 A KR20180024190 A KR 20180024190A KR 102078241 B1 KR102078241 B1 KR 102078241B1
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susceptor
substrate
process chamber
cover block
opening
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최진우
구분회
김승환
박광수
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명은 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하며, 내부에 중공이 형성되고 일측에 개구부가 형성된 서셉터링; 상기 서셉터링의 하부를 지지하며 상기 서셉터링을 승하강시키는 서셉터링 지지대; 및 상기 공정 챔버에 결합되어 상기 서셉터링의 상승시 상기 서셉터링의 개구부를 폐쇄하는 커버 블록;을 포함하는 반도체 기판 처리장치를 제공한다.The present invention is a process chamber; A susceptor installed in the process chamber to support a substrate and having a hollow formed therein and an opening formed at one side thereof; A susceptor support for supporting a lower portion of the susceptor and raising and lowering the susceptor; And a cover block coupled to the process chamber to close the opening of the susceptor when the susceptor is lifted up.

Description

반도체 기판 처리장치{Semiconductor substrate processing apparatus}Semiconductor substrate processing apparatus

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an apparatus for processing a semiconductor substrate.

일반적으로 반도체 메모리 소자, 액정표시장치, 유기발광장치 등은 기판 상에서 다양한 반도체 처리공정을 수행하여 제조된다.In general, semiconductor memory devices, liquid crystal displays, and organic light emitting devices are manufactured by performing various semiconductor processing processes on a substrate.

반도체 처리공정은 기판 상에 소정의 박막을 증착하는 증착 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다.The semiconductor processing process includes a deposition process for depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process for exposing a selected region of the thin film, an etching process for removing the thin film in the selected region, and the like.

이러한 반도체 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 공정 챔버를 갖는 반도체 기판 처리장치에서 수행된다. 예를 들어, 웨이퍼 등의 원형 기판을 처리하는 반도체 기판 처리장치는 공정 챔버 내부에 기판을 안착시켜 반도체 처리공정을 수행하는 동안 기판을 지지하기 위한 원형의 서셉터가 배치된다.Such a semiconductor process is performed in a semiconductor substrate processing apparatus having a process chamber in which an optimal environment is created for the process. For example, in a semiconductor substrate processing apparatus for processing a circular substrate such as a wafer, a circular susceptor for supporting a substrate is disposed in the process chamber to support the substrate during the semiconductor processing process.

서셉터에는 로봇 암 등에 의해 공정 챔버 내부로 진입한 기판을 인도받아 서셉터에 안정적으로 지지되도록 하는 리프트핀이 더 설치될 수 있다.The susceptor may be further provided with a lift pin to guide the substrate entered into the process chamber by a robot arm or the like to stably support the susceptor.

도 1은 종래의 반도체 기판 처리장치의 일 형태를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 반도체 기판 처리장치의 동작도이다.1 is a view showing one embodiment of a conventional semiconductor substrate processing apparatus, and FIG. 2 is an operation diagram of the semiconductor substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일 형태의 반도체 기판 처리장치는 공정 챔버(10) 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 서셉터(20)와, 서셉터(20)를 지지하면서 공정 챔버(10) 내부에서 서셉터(20)를 승하강시키는 중심축(30)과, 서셉터(20)를 관통하며 설치되어 서셉터(20)의 승하강에 따라 상대적으로 노출되는 리프트핀(40)을 포함한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, one type of semiconductor substrate processing apparatus is installed inside the process chamber 10 to support the susceptor 20 and the susceptor 20 to support the substrate S. A central shaft 30 for elevating the susceptor 20 in the process chamber 10 and a lift pin installed through the susceptor 20 to be relatively exposed as the ascend and descend of the susceptor 20 ( 40).

공정 챔버(10)에는 기판(S) 상으로 공정 가스를 유입시키기 위한 가스 유입구(11)가 일측에 형성되고, 타측에는 공정 가스를 외부로 배출하기 위한 가스 배출구(12)가 형성되며, 가스 유입구(11) 아래에는 로봇 암(미도시)에 지지된 기판(S)을 서셉터(20)를 향해 인입시키거나 배출할 수 있는 기판 인입구(13)가 형성된다.In the process chamber 10, a gas inlet 11 for introducing a process gas onto the substrate S is formed at one side, and a gas outlet 12 is formed at the other side for discharging the process gas to the outside. Below (11), a substrate inlet (13) capable of drawing or ejecting the substrate (S) supported by the robot arm (not shown) toward the susceptor 20 is formed.

상술한 구성을 포함하는 반도체 기판 처리장치는 기판(S)을 공정 챔버(10) 내부로 유입시키기 위해서 중심축(30)은 서셉터(20)를 하강시켜서 리프트핀(40)을 서셉터(20) 상부로 노출시키게 된다. 이어서 기판 인입구(13)로 로봇 암이 인입되면서 기판(S)을 리프트핀(40)에 안착시키고, 서셉터(20)는 상승하면서 리프트핀(40)으로부터 기판(S)을 인도받아 지지하게 된다.In the semiconductor substrate processing apparatus having the above-described configuration, in order to introduce the substrate S into the process chamber 10, the central axis 30 lowers the susceptor 20 to move the lift pin 40 to the susceptor 20. ) Exposed to the top. Subsequently, the robot arm is inserted into the substrate inlet 13 so that the substrate S is seated on the lift pin 40, and the susceptor 20 is lifted to guide and support the substrate S from the lift pin 40. .

서셉터(20) 상에 기판(S)이 안착되면, 도 2에 도시된 바와 같이 중심축(30)은 서셉터(20)를 상승시켜 가스 유입구(11) 아래에 마련된 에지링(미도시) 위치까지 상승시킨다. 에지링은 기판(S)의 하부로 공정 가스가 유입되는 것을 방지하도록 오링(O-ring)을 통해 서셉터(20)와 더욱 밀착될 수 있고, 기판(S)의 가장자리를 감싸게 된다.When the substrate S is seated on the susceptor 20, as shown in FIG. 2, the central axis 30 raises the susceptor 20 so that an edge ring provided below the gas inlet 11 may be provided. Raise to position. The edge ring may be in close contact with the susceptor 20 through an O-ring to prevent the process gas from flowing into the lower portion of the substrate S, and surround the edge of the substrate S.

이어서 가스 유입구(11)를 통해 기판(S)에 공정 가스가 유입되면서 원하는 형상의 구조물을 기판(S)에 증착, 적층 또는 식각하는 방식으로 기판(S)을 처리할 수 있다.Subsequently, as the process gas flows into the substrate S through the gas inlet 11, the substrate S may be processed by depositing, stacking, or etching a structure having a desired shape on the substrate S.

그런데 반도체 기판 처리장치에서 리프트핀, 중심축 등에 내마모성, 내열성, 낮은 아웃게싱(Outgasing)을 확보하기 위한 목적으로 석영, 세라믹과 같은 가공성이 떨어지는 재질을 채택하는 경우 서셉터와 결합시 기밀함이 떨어져 원하지 않는 움직임, 틈새 등이 발생할 수 있다.However, in the case of adopting a material with poor processability such as quartz and ceramics in order to secure wear resistance, heat resistance, and low outgasing in the lift pins and the central shaft, the airtightness of the semiconductor substrate processing apparatus is poor. Unwanted movements, gaps, etc. may occur.

특히, 서셉터가 움직임에 따라 서셉터에 관통된 리프트핀과 서셉터의 마찰에 의해 서셉터와 리프트핀에는 스크래치, 균열 등 파손이 발생할 수 있다. 이러한 파손은 기판의 불안정한 지지를 가져오고 공정 가스의 원활한 흐름을 방해하게 되므로 반도체 처리공정을 수행하는 동안 기판의 품질에 악영향을 미칠 수 있는 문제가 있다.In particular, as the susceptor moves, damage to the susceptor and the lift pins may occur due to friction between the lift pins and the susceptors penetrated through the susceptor. This breakage causes unstable support of the substrate and hinders the smooth flow of the process gas, which may adversely affect the quality of the substrate during the semiconductor processing process.

따라서 본 발명은 서셉터 등 공정 챔버 내부에 설치된 내부 구조물의 파손을 방지하고, 아울러 반도체 처리 공정을 거치는 기판의 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 기판 처리장치를 제공하고자 한다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a semiconductor substrate processing apparatus capable of preventing damage to an internal structure installed in a process chamber such as a susceptor and improving the quality of a substrate subjected to a semiconductor processing process.

본 발명은 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하며, 내부에 중공이 형성되고 일측에 개구부가 형성된 서셉터링; 상기 서셉터링의 하부를 지지하며 상기 서셉터링을 승하강시키는 서셉터링 지지대; 및 상기 공정 챔버에 결합되어 상기 서셉터링의 상승시 상기 서셉터링의 개구부를 폐쇄하는 커버 블록;을 포함하는 반도체 기판 처리장치를 제공한다.The present invention is a process chamber; A susceptor installed in the process chamber to support a substrate and having a hollow formed therein and an opening formed at one side thereof; A susceptor support for supporting a lower portion of the susceptor and raising and lowering the susceptor; And a cover block coupled to the process chamber to close the opening of the susceptor when the susceptor is lifted up.

상기 서셉터링은 상기 중공의 내측에 위치하며 기판이 안착되는 안착부; 및 상기 안착부를 감싸면서 외측에 위치하는 가이드부를 포함할 수 있다.The susceptor is located on the inner side of the hollow seating portion on which the substrate is seated; And it may include a guide portion located on the outside while surrounding the seating portion.

상기 가이드부는 상기 안착부로부터 외측으로 갈수록 높아지는 경사면을 가질 수 있다.The guide portion may have an inclined surface that increases toward the outside from the seating portion.

상기 서셉터링은 상기 개구부를 형성하는 양측 단부로부터 각각 아래로 연장되면서 서로 연결되는 보강부재를 더 포함할 수 있다.The susceptor may further include a reinforcing member connected to each other while extending downward from both ends forming the opening.

상기 서셉터링은 개구부가 각각 형성된 원형, 타원형, 사각형상 중 어느 하나의 형상으로 이루어질 수 있다.The susceptor may be formed in any one of a circular, elliptical, square shape each formed with an opening.

상기 커버 블록은 일부가 상기 서셉터링의 개구부에 끼워지면서 상기 개구부를 폐쇄하는 형상을 포함할 수 있다.The cover block may include a shape in which a part of the cover block is inserted into the opening of the susceptor ring to close the opening.

상기 공정 챔버는 가스 유입구와, 상기 가스 유입구 하부에 배치되는 기판 인입구를 더 포함하며, 상기 커버 블록은 상기 가스 유입구 하부와 상기 기판 인입구 사이에 배치될 수 있다.The process chamber may further include a gas inlet and a substrate inlet disposed below the gas inlet, and the cover block may be disposed between the gas inlet lower portion and the substrate inlet.

상기 커버 블록은 외측으로부터 상기 기판을 향해 상면이 아래로 경사진 경사면을 포함할 수 있다.The cover block may include an inclined surface inclined downward from the outside toward the substrate.

상기 커버 블록의 경사면은 상기 공정 챔버의 가스 유입구의 하면으로부터 연장되게 이루어질 수 있다.The inclined surface of the cover block may extend from the bottom surface of the gas inlet of the process chamber.

상기 커버 블록의 경사각은 5°내지 15°일 수 있다.The inclination angle of the cover block may be 5 ° to 15 °.

상기 커버 블록은 석영(Quartz) 재질을 포함할 수 있다.The cover block may include a quartz material.

한편, 본 발명은 가스 유입구와 기판 인입구를 갖는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하되, 상기 기판이 안착되는 안착부와, 상기 기판을 상기 안착부로 안내하는 가이드부를 가지며 내부에 중공이 형성되고 일측에 개구부가 형성된 서셉터링; 상기 서셉터링의 하부를 지지하며 상기 서셉터링을 상기 가스 유입구 또는 상기 기판 인입구 아래 위치까지 승하강시키는 서셉터링 지지대; 및 상기 공정 챔버에 결합되어 상기 서셉터링의 상승시 상기 서셉터링의 개구부를 덮어서 폐쇄하는 커버 블록;을 포함하는 반도체 기판 처리장치를 제공한다.On the other hand, the present invention is a process chamber having a gas inlet and a substrate inlet; A susceptor installed in the process chamber to support a substrate, the mounting portion having the substrate seated thereon, a guide portion for guiding the substrate to the seating portion, and having a hollow formed therein and an opening formed at one side thereof; A susceptor support for supporting a lower portion of the susceptor and lifting the susceptor to a position below the gas inlet or the substrate inlet; And a cover block coupled to the process chamber to cover and close the opening of the susceptor when the susceptor is lifted up.

상기 커버 블록은 상기 공정 챔버의 가스 유입구의 하면으로부터 연장되게 이루어지는 경사면을 포함할 수 있다.The cover block may include an inclined surface extending from the lower surface of the gas inlet of the process chamber.

이와 같이 본 발명의 반도체 기판 처리장치에 따르면, 리프트핀 사용하지 않더라도 서셉터링을 이용하여 기판을 안정적으로 인계받아서 지지할 수 있으며, 커버 블록을 따라서 반도체 처리 공정 가스가 안정적인 층류를 이루면서 기판을 처리할 수 있다. As described above, according to the semiconductor substrate processing apparatus of the present invention, even without using a lift pin, the substrate can be stably taken over and supported by using susceptor. can do.

또한, 서셉터링과 커버 블록이 공정 챔버와 동일한 석영 재질로 이루어지므로 공정 챔버 내부에 설치된 내부 구조물의 파손을 방지하고 반도체 처리 공정을 거치는 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, since the susceptor and the cover block are made of the same quartz material as the process chamber, it is possible to prevent damage to the internal structure installed inside the process chamber and to improve the quality of the substrate subjected to the semiconductor processing process.

도 1은 종래의 반도체 기판 처리장치의 일 형태를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 반도체 기판 처리장치의 동작도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 처리장치의 단면도이다.
도 4는 도 1의 반도체 기판 처리장치의 동작도이다.
도 5는 제1 실시예의 서셉터링 영역의 확대 사시도이다.
도 6은 도 5의 서셉터링의 사용 상태도이다.
도 7a 내지 도 7d는 커버 블록과 가스 유입구의 다양한 결합 관계를 보여주는 도면들이다.
도 8은 제2 실시예의 서셉터링 영역의 사시도이다.
도 9는 제3 실시예의 서셉터링 영역의 사시도이다.
도 10은 제4 실시예의 서셉터링 영역의 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows one form of the conventional semiconductor substrate processing apparatus.
2 is an operation diagram of the semiconductor substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view of a semiconductor substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is an operation diagram of the semiconductor substrate processing apparatus of FIG. 1.
5 is an enlarged perspective view of the susceptor region of the first embodiment.
6 is a state diagram of use of the susceptor of FIG. 5.
7A to 7D are views illustrating various coupling relationships between a cover block and a gas inlet.
8 is a perspective view of a susceptor region of a second embodiment.
9 is a perspective view of a susceptor region of a third embodiment.
10 is a perspective view of a susceptor region of a fourth embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the description of an embodiment, each layer, region, pattern, or structure may be “under” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "up" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, exemplary embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 처리장치의 단면도이고, 도 4는 도 1의 반도체 기판 처리장치의 동작도이다.3 is a cross-sectional view of a semiconductor substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an operation diagram of the semiconductor substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 기판 처리장치(1)는 공정 챔버(100), 서셉터링(210), 서셉터링 지지대(300) 및 커버 블록(220)을 포함하여 구성될 수 있다. 전술한 반도체 기판 처리장치(1)의 구성들은 발명의 설명에 필요한 구성을 위주로 기술하였으며, 도면이나 상세한 설명에 기술되지 않은 다양한 구성요소들을 더 포함할 수 있다.3 and 4, a semiconductor substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include a process chamber 100, a susceptor 210, a susceptor support 300, and a cover block 220. It may be configured to include. The above-described configurations of the semiconductor substrate processing apparatus 1 are described mainly for the configurations necessary for the description of the invention, and may further include various components not described in the drawings or the detailed description.

공정 챔버(100)는 기판(S) 상에 소정의 박막을 증착하는 증착 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등 반도체 처리공정을 위해 최적의 환경이 조성될 수 있다.The process chamber 100 is used for semiconductor processing such as a deposition process for depositing a predetermined thin film on the substrate S, a photolithography process for exposing a selected region of the thin film, and an etching process for removing the thin film in the selected region. An optimal environment can be created.

예를 들어 공정 챔버(100)는 하나의 재질로 이루어지는 단일 챔버로 구성되거나 서로 다른 재질을 갖도록 내측에 위치하는 내부챔버와, 내부 챔버의 외벽을 이루는 외부 챔버의 이중 구조를 가질 수 있다. 여기서 내부 챔버는 석영(Quartz) 재질로 이루어질 수 있고, 외부 챔버는 메탈(Metal) 재질로 이루어질 수 있다. 실시예에서는 석영 재질로 이루어지는 공정 챔버(100)를 도시하였으나 외부에 다른 재질의 외부 챔버가 더 배치되는 이중 구조를 가질 수 있다.For example, the process chamber 100 may consist of a single chamber made of one material or may have a dual structure of an inner chamber positioned inside to have different materials and an outer chamber forming an outer wall of the inner chamber. The inner chamber may be made of quartz and the outer chamber may be made of metal. In the exemplary embodiment, the process chamber 100 made of quartz is illustrated, but may have a double structure in which an external chamber of another material is further disposed outside.

또한, 공정 챔버(100)는 측단면이 사각형상, 원형, 타원형 뿐만 아니라 상부가 반원이고 하부가 삼각형인 형상 등 다양한 형태로 이루어질 수 있다.In addition, the process chamber 100 may be formed in various forms, such as a cross-section of a square, a circle, an oval, as well as a semicircle at the top and a triangle at the bottom.

공정 챔버(100)의 일측에는 공정 가스가 유입되는 가스 유입구(110)가 형성되고, 타측에는 공정 가스가 배출되는 가스 배출구(120)가 형성될 수 있다. 가스 유입구(110)의 하부에는 로봇 암(미도시) 등에 의해 기판(S)을 공정 챔버(100)의 내부로부터 인출입할 수 있는 기판 인입구(130)가 배치될 수 있다. 기판 인입구(130)는 기판 투입구, 로봇 암 인입구 등으로 불릴 수 있다.A gas inlet 110 through which the process gas is introduced may be formed at one side of the process chamber 100, and a gas outlet 120 at which the process gas may be discharged may be formed at the other side. The substrate inlet 130 may be disposed under the gas inlet 110 so that the substrate S may be drawn out from the inside of the process chamber 100 by a robot arm (not shown). The substrate inlet 130 may be referred to as a substrate inlet, a robot arm inlet, or the like.

상술한 공정 챔버(100)의 형태, 재질 등은 예시일 뿐 본 발명은 예시하지 않은 그 밖의 다양한 반도체 처리장치의 공정 챔버에 적용될 수 있다.The shape, material, and the like of the above-described process chamber 100 are exemplary only, and the present invention may be applied to process chambers of various other semiconductor processing apparatuses not illustrated.

서셉터링(210)은 기판 인입구(130)를 통해 인입되는 기판(S)을 로봇 암으로부터 인계받아서 반도체 처리공정 동안, 기판(S)을 안정적으로 지지할 수 있다. 즉, 서셉터링(210)은 종래의 반도체 기판 처리장치에서 기판(S)을 인계받는 리프트핀(40, 도 1 및 도 2 참조)과, 기판(S)을 지지하는 서셉터(20, 도 1 및 도 2 참조)의 기능을 통합적으로 수행할 수 있는데 이에 관해서는 후술하기로 한다.The susceptor 210 may take over the substrate S drawn through the substrate inlet 130 from the robot arm and stably support the substrate S during the semiconductor processing process. That is, the susceptor 210 includes a lift pin 40 (see FIGS. 1 and 2) that takes over the substrate S and a susceptor 20 that supports the substrate S in a conventional semiconductor substrate processing apparatus. 1 and FIG. 2) can be performed integrally, which will be described later.

서셉터링 지지대(300)는 서셉터링(210)의 하부를 지지하며 서셉터링(210)을 승하강시킬 수 있다. 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터링 지지대(300)에 의해 서셉터링(210)은 기판 인입구(130) 아래까지 하강할 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이 서셉터링 지지대(300)에 의해 서셉터링(210)은 가스 유입구(110) 아래까지 상승할 수 있다.The susceptor support 300 may support the lower portion of the susceptor ring 210 and raise and lower the susceptor ring 210. For example, as shown in FIG. 3, the susceptor 210 may be lowered down to the substrate inlet 130 by the susceptor support 300, and as shown in FIG. 4, the susceptor support ( The susceptor 210 may rise to below the gas inlet 110 by 300.

이를 위해 서셉터링 지지대(300)는 서셉터링(210)을 지지하는 다수의 지지축(320)과, 다수의 지지축(320)을 연결하며 서셉터링 지지대(300)를 승하강시키는 중심축(310)을 포함할 수 있다.To this end, the susceptor support 300 is a center connecting the plurality of support shafts 320 supporting the susceptor 210 and the plurality of support shafts 320 and raising and lowering the susceptor support 300. It may include an axis 310.

예를 들어 지지축(320)은 서셉터링(210)을 균형적으로 지지할 수 있도록 서셉터링(210)의 형상에 대응하여 3개, 4개 등의 다양한 개수로 이루어질 수 있다. 지지축(320)은 서셉터링(210)의 하부 또는 측면을 착탈가능하게 지지하면서 서셉터링(210)은 새로운 제품으로 교체가능하게 이루어질 수 있다. 지지축(320)은 바(bar), 폴(pole) 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.For example, the support shaft 320 may be formed in various numbers such as three or four corresponding to the shape of the susceptor ring 210 so as to support the susceptor ring 210 in a balanced manner. While the support shaft 320 detachably supports the bottom or side of the susceptor ring 210, the susceptor ring 210 may be replaced with a new product. The support shaft 320 may have various shapes such as a bar and a pole shape.

예를 들어 중심축(310)은 서셉터링(210)의 중심 영역의 아래에서 하나의 기둥 형태로 지지축(320)들과 연결될 수 있다. 중심축(310)에는 모터, 실린더 등의 승하강 수단이 결합되면서 중심축(310)은 승하강하면서 지지축(320)과 서셉터링(210)을 함께 승하강시킬 수 있다.For example, the central axis 310 may be connected to the support shafts 320 in the form of a single column below the central region of the susceptor ring 210. As the lifting means such as a motor, a cylinder, and the like are coupled to the central shaft 310, the support shaft 320 and the susceptor 210 can be raised and lowered while the central shaft 310 is raised and lowered.

또한, 서셉터링 지지대(300)는 반도체 처리 공정에 영향을 주지 않도록 석영(Quartz) 재질을 포함할 수 있다. 상술한 서셉터링 지지대(300)는 예시에 한정되지 않으며, 다양한 형상, 개수, 재질을 갖도록 변형 실시될 수 있다.In addition, the susceptor support 300 may include a quartz material so as not to affect the semiconductor processing process. The susceptor support 300 described above is not limited to the examples, and may be modified to have various shapes, numbers, and materials.

도 5는 제1 실시예의 서셉터링 영역의 확대 사시도이고, 도 6은 도 5의 서셉터링의 사용 상태도이며, 도 7a 내지 도 7d는 커버 블록과 가스 유입구의 다양한 결합 관계를 보여주는 도면들이다.5 is an enlarged perspective view of the susceptor region of the first embodiment, FIG. 6 is a state diagram of the use of the susceptor of FIG. 5, and FIGS. 7A to 7D are views illustrating various coupling relationships between the cover block and the gas inlet.

도 5 내지 도 7을 참조하여, 서셉터링(210)과 커버 블록(220)을 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.5 and 7, the susceptor ring 210 and the cover block 220 will be described in more detail.

서셉터링(210)은 공정 챔버(100) 내부에 설치되어, 기판(S)을 인도받아 지지할 수 있다. 예를 들어 서셉터링(210)은 내부에는 중공(h)이 형성되고 일측에 개구부(e)가 형성된 개구부를 갖는 원형, 즉 'C' 자 형상을 가질 수 있다.The susceptor 210 may be installed in the process chamber 100 to receive and support the substrate S. For example, the susceptor ring 210 may have a circular shape, that is, a 'C' shape having an opening in which a hollow h is formed and an opening e formed at one side thereof.

여기서 서셉터링(210)에 형성된 개구부(e)는 기판 인입구(130)로 이동하는 로봇 암 등 기판 이송장치와의 간섭을 피하기 위해서 기판 인입구(130)에 인접하는 위치에 형성될 수 있다.The opening e formed in the susceptor 210 may be formed at a position adjacent to the substrate inlet 130 in order to avoid interference with a substrate transfer device such as a robot arm moving to the substrate inlet 130.

서셉터링(210)은 기판(S)의 형상에 대응하는 크기와 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 기판(S)이 원형의 웨이퍼(Wafer)이면 원형의 형상을, 기판(S)이 사각형상의 글래스(Glass)이면 사각형상을 가질 수 있다. 즉, 서셉터링(210)은 개구부(e)가 각각 형성된 원형, 타원형, 사각형상 중 어느 하나의 형상으로 이루어질 수 있다.The susceptor 210 may have a size and shape corresponding to the shape of the substrate S. FIG. For example, if the substrate S is a circular wafer, it may have a circular shape, and if the substrate S is a rectangular glass, it may have a rectangular shape. That is, the susceptor 210 may be formed in any one of a circular, elliptical, and quadrangular shape in which the openings e are formed.

제1 실시예의 서셉터링(210)은 원형의 웨이퍼인 기판(S)을 로봇 암으로부터 인도받아 지지할 수 있도록 로봇 암이 투입되는 개구부(e)가 형성된 원형의 형태를 갖는다.The susceptor 210 of the first embodiment has a circular shape in which an opening e through which the robot arm is inserted is formed to guide and support the substrate S, which is a circular wafer, from the robot arm.

서셉터링(210)은 안착부(211)와, 가이드부(212)를 포함할 수 있다.The susceptor 210 may include a seating portion 211 and a guide portion 212.

안착부(211)는 중공(h)의 내측에 위치하며 기판(S)이 안착되는 부분을 이룬다. 즉, 안착부(211)의 상면에는 기판(S)의 가장자리 하부가 거치되면서 기판(S)은 서셉터링(210)에 안착될 수 있다. 안착부(211)는 가이드부(212)에서 함몰된 형상을 가지며 안착홈으로도 불릴 수 있다.The seating part 211 is located inside the hollow h and forms a part on which the substrate S is seated. That is, the substrate S may be seated on the susceptor 210 while the lower edge of the substrate S is mounted on the upper surface of the seating portion 211. The seating part 211 has a shape recessed in the guide part 212 and may also be called a seating groove.

가이드부(212)는 안착부(211)를 감싸면서 서셉터링(210)의 외측에 위치하는 영역을 이룬다. 가이드부(212)는 로봇 암 등에 의해 이송된 기판(S)이 안착부(211)에 위치되도록 하고, 안착부(211)에 안착된 기판(S)이 서셉터링(210) 밖으로 이탈하지 않도록 기판(S)을 감싸는 형상을 가질 수 있다. 이를 위해 가이드부(212)는 도 5에 확대 도시된 바와 같이 안착부(211)로부터 외측으로 갈수록 높아지는 경사면을 가질 수 있다. 안착부(211)는 서셉터링(210)의 테두리를 이루므로 테두리부로도 불릴 수 있다.The guide part 212 forms an area positioned outside the susceptor ring 210 while surrounding the seating part 211. The guide part 212 allows the substrate S transferred by the robot arm or the like to be positioned on the seating part 211, and the substrate S seated on the seating part 211 is not separated from the susceptor 210. It may have a shape surrounding the substrate (S). To this end, the guide part 212 may have an inclined surface that increases toward the outside from the seating part 211 as shown in an enlarged view of FIG. 5. The seating part 211 may be referred to as an edge part because it forms an edge of the susceptor ring 210.

상술한 구조의 서셉터링(210)은, 안착부(211)가 기판(S)을 지지하는 종래의 서셉터(20, 도 1 및 도 2 참조) 역할을 수행하고 가이드부(212)가 기판(S)을 인계받는 종래의 리프트핀(40, 도 1 및 도 2 참조) 역할을 수행할 수 있다.The susceptor 210 having the structure described above serves as a conventional susceptor 20 (see FIGS. 1 and 2) in which the seating portion 211 supports the substrate S, and the guide portion 212 serves as a substrate. It can serve as a conventional lift pin (see 40, Fig. 1 and 2) to take over (S).

상술한 서셉터링(210)은 종래의 그래파이트(Graphite) 재질의 서셉터(20, 도 1 및 도 2 참조)와 달리 석영(Quartz) 재질을 포함하여 이루어질 수 있다. 종래의 서셉터(20, 도 1 및 도 2 참조)가 기판(S)의 하부와 면접촉하면서 반도체 처리 공정에 필요하도록 기판(S)의 온도를 상승시켰던 반면에 실시예의 서셉터링(210)은 기판(S)의 가장자리 영역만을 지지하고 있다.The susceptor 210 described above may include a quartz material, unlike the susceptor 20 (see FIGS. 1 and 2) of the graphite material. While the conventional susceptor 20 (see FIGS. 1 and 2) is in surface contact with the lower portion of the substrate S, the temperature of the substrate S is raised to be necessary for the semiconductor processing process, while the susceptor 210 of the embodiment is shown. Silver supports only the edge region of the substrate S. As shown in FIG.

이때, 본 실시예의 석영 재질을 가지며 중공(h)이 형성된 서셉터링(210)은 공정 챔버(100)의 하부에 위치한 히터(미도시)로부터 발생하는 열을 전도, 대류, 복사에 의한 방식으로 기판(S)에 전달할 수 있기 때문에 기판(S)의 온도 상승 효과를 효율적으로 제공할 수 있다.At this time, the susceptor ring 210 having the quartz material of the present embodiment and the hollow h is formed in a manner of conducting, convection, and radiating heat generated from a heater (not shown) located below the process chamber 100. Since it can transmit to the board | substrate S, the temperature raising effect of the board | substrate S can be provided efficiently.

또한, 종래의 서셉터(20, 도 1 및 도 2 참조)와 리프트핀(40, 도 1 및 도 2 참조)이 기판(S)의 하부 영역을 밀폐하고 있기 때문에 공정 챔버(100) 내부의 구성간물의 조립, 청소, 교체 작업이 번거로웠던 반면에 실시예의 서셉터링(210)은 중공(h)이 형성되고 리프트핀(40, 도 1 및 도 2 참조)이 제거된 형태를 갖고 있기 때문에 구성물간의 조립, 청소, 교체 작업이 용이해지는 효과가 있다.In addition, since the conventional susceptor 20 (see FIGS. 1 and 2) and the lift pins 40 (see FIGS. 1 and 2) seal the lower region of the substrate S, a structure inside the process chamber 100 is provided. While the assembly, cleaning, and replacement of the interlude was cumbersome, the susceptor ring 210 of the embodiment had a form in which the hollow h was formed and the lift pins 40 (see FIGS. 1 and 2) were removed. There is an effect that the assembly, cleaning, replacement work between the components become easy.

한편, 서셉터링(210)은 반도체 처리 공정을 위해서 도 4에 도시된 바와 같이 가스 유입구(110) 아래 위치까지 상승하게 된다. 그런데 상술한 구조의 서셉터링(210)의 개구부(e)를 통해 공정 가스가 기판(S)의 배면으로 이동할 수 있는 우려가 있다.On the other hand, the susceptor 210 is raised to a position below the gas inlet 110 for the semiconductor processing process, as shown in FIG. However, there is a concern that the process gas may move to the rear surface of the substrate S through the opening e of the susceptor ring 210 having the above-described structure.

이러한 가스 유출 등을 방지하기 위해서 서셉터링(210)은 공정 챔버(100)의 내벽에 인접하도록 종래에 비해서 측면으로 확장된 길이를 가질 수 있고, 공정 챔버(100)에는 커버 블록(220)이 더 설치될 수 있다. 커버 블록(220)은 공정 챔버(100)와 동일한 석영(Quartz) 재질을 포함할 수 있다.In order to prevent such gas leakage, the susceptor 210 may have a length that is laterally extended to be adjacent to the inner wall of the process chamber 100, and the cover block 220 may be formed in the process chamber 100. More can be installed. The cover block 220 may include the same quartz material as the process chamber 100.

커버 블록(220)은 공정 챔버(100)에 결합되어 서셉터링(210)의 상승시 서셉터링(210)의 개구부(e)를 덮을 수 있다. 예를 들어 커버 블록(220)은 가스 유입구(110) 하부와 기판 인입구(130) 사이에 배치될 수 있다.The cover block 220 may be coupled to the process chamber 100 to cover the opening e of the susceptor 210 when the susceptor 210 is raised. For example, the cover block 220 may be disposed between the gas inlet 110 and the substrate inlet 130.

커버 블록(220)은 일부가 개구부(e)에 끼워 맞춰지는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 커버 블록(220)은 일부가 서셉터링(210)의 내부와 동일한 곡률을 갖도록 이루어지면서 서셉터링(210)의 개구부(e)를 폐쇄할 경우, 서셉터링(210)의 내부가 완전한 호(arc)를 이루도록 할 수 있다.The cover block 220 may have a shape in which a part of the cover block 220 is fitted into the opening e. For example, when the cover block 220 closes the opening e of the susceptor 210 while a part thereof has the same curvature as the inside of the susceptor 210, the cover block 220 of the susceptor 210 is closed. It can make the inside an complete arc.

이때 커버 블록(220)은 서셉터링(210)의 안착부(211)에 안착된 상태로 서셉터링(210)과 함게 상승하는 기판(S)과의 간섭을 피할 수 있도록 서셉터링(210)의 안착부(211) 외측 상부로부터 위치할 수 있다.At this time, the cover block 220 is susceptor 210 to avoid interference with the substrate (S) rising with the susceptor 210 in a state seated on the seating portion 211 of the susceptor 210 (210) It may be located from the upper portion outside the seating portion 211 of the).

또한, 커버 블록(220)은 기판(S)을 향해 아래로 경사진 경사면(221)을 포함할 수 있다.In addition, the cover block 220 may include an inclined surface 221 inclined downward toward the substrate S.

도 3에 도시된 바와 같이 커버 블록(220)의 경사면(221)은 가스 유입구(110)를 통해 기판(S)의 상부로 진행하는 공정 가스가 안정적인 층류(Laminar flow)를 형성하면서 기판(S) 상에서 난기류(Turbulence)가 발생하지 않도록 할 수 있다.As shown in FIG. 3, the inclined surface 221 of the cover block 220 forms a stable laminar flow (Laminar flow) of the process gas that proceeds to the upper portion of the substrate S through the gas inlet 110. It is possible to prevent turbulence from occurring.

상술한 바와 같이 공정 가스가 보다 안정적인 층류를 형성하기 위해서는 커버 블록(220)의 경사면(221)과, 가스 유입구(110)의 위치(높이)에 대한 설계가 중요하다. 커버 블록(220)의 경사면(221)은 공정 챔버(100)의 가스 유입구(110)의 하면으로부터 연장되게 이루어질 수 있다.As described above, in order for the process gas to form a more stable laminar flow, the design of the inclined surface 221 of the cover block 220 and the position (height) of the gas inlet 110 is important. The inclined surface 221 of the cover block 220 may extend from the bottom surface of the gas inlet 110 of the process chamber 100.

도 7a에 도시된 바와 같이 커버 블록(220)의 경사면(221)은 가스 유입구(110)의 하면을 형성하도록 가스 유입구(110)의 외측으로부터 연장될 수 있다. 즉, 가스 유입구(110)의 하면은 전체가 경사진 형상을 가지면서 일부가 커버 블록(220)의 경사면을 이루도록 커버 블록(220)은 가스 유입구(110)의 하면에 일체로 결합될 수 있다.As shown in FIG. 7A, the inclined surface 221 of the cover block 220 may extend from the outside of the gas inlet 110 to form a lower surface of the gas inlet 110. That is, the bottom surface of the gas inlet 110 may be integrally coupled to the bottom surface of the gas inlet 110 such that the entire surface has an inclined shape and a portion forms an inclined surface of the cover block 220.

여기서 경사면(221)을 이루는 커버 블록(220)의 경사각(θ)과, 기판(S)의 가장자리와 나란한 위치에서 외부 챔버(101)의 가스 유입구(110)까지 높이(H)의 설계가 중요하다. 예를 들어 커버 블록(220)의 경사각은 가장자리(Edge) 영역의 음영을 고려하여 5° 내지 15°(예컨대 10°)가 바람직하다.Here, the design of the height H from the position in parallel with the inclination angle θ of the cover block 220 constituting the inclined surface 221 and the edge of the substrate S to the gas inlet 110 of the outer chamber 101 is important. . For example, the inclination angle of the cover block 220 is preferably 5 ° to 15 ° (eg 10 °) in consideration of the shadow of the edge area.

한편, 커버 블록(220)과 가스 유입구(110)의 결합 관계는 도 7b 내지 도 7d에 도시된 바와 같이 변형실시될 수 있다.Meanwhile, the coupling relationship between the cover block 220 and the gas inlet 110 may be modified as shown in FIGS. 7B to 7D.

제1 변형 실시예는 도 7b에 도시된 바와 같이 커버 블록(220)의 경사면은 가스 유입구(110)의 하면 중심부에서부터 연장되게 이루어질 수 있다. 이때 가스 유입구(110)의 하면은 외측으로부터 중심부까지 수평하고, 중심부에서 커버 블록(220)의 경사면까지는 경사지도록 구성될 수 있다.In the first modified embodiment, as shown in FIG. 7B, the inclined surface of the cover block 220 may extend from the center of the lower surface of the gas inlet 110. In this case, the bottom surface of the gas inlet 110 may be horizontal to the center from the outside to the inclined surface of the cover block 220 from the center.

제2 변형예는 도 7c에 도시된 바와 같이 커버 블록(220)의 경사면은 가스 유입구(110)의 내측 하부에서부터 연장되게 이루어질 수 있다. 이때 가스 유입구(110)의 하면은 상면과 동일한 길이를 갖도록 외측으로부터 내측까지 수평하게 구성될 수 있다.In the second modified example, as illustrated in FIG. 7C, the inclined surface of the cover block 220 may extend from an inner lower portion of the gas inlet 110. In this case, the bottom surface of the gas inlet 110 may be configured horizontally from the outside to the inside to have the same length as the top surface.

제3 변형예는 도 7d에 도시된 바와 같이 커버 블록(220)의 경사면은 가스 유입구(110)와 직접적으로 연결되지 않고, 커버 블록(220)은 가스 유입구(110)와 연결되도록 커버 블록(220)의 경사면의 외측에서 연장되는 수평면을 더 포함할 수 있다. 이때, 가스 유입구(110)의 하면은 수평하게 구성될 수 있다. 본 경우에는 가스 유입구(110)의 수평한 하부면이 공정 챔버(110)의 내부로 더 연장되면서 커버 블록(220)의 경사면과 연장된 형태로도 볼 수 있다.In the third modified example, as shown in FIG. 7D, the inclined surface of the cover block 220 is not directly connected to the gas inlet 110, and the cover block 220 is connected to the gas inlet 110. It may further include a horizontal plane extending from the outside of the inclined surface of the). In this case, the lower surface of the gas inlet 110 may be configured horizontally. In this case, the horizontal lower surface of the gas inlet 110 may further extend into the interior of the process chamber 110, and may also be viewed in an extended form with the inclined surface of the cover block 220.

이와 같은 구성을 포함하는 본 실시예의 반도체 기판 처리장치(1)는 다음과 같이 동작할 수 있다.The semiconductor substrate processing apparatus 1 of this embodiment including such a structure can operate as follows.

반도체 처리 공정을 위해 공정 챔버(100) 내부로 투입되는 기판(S)을 지지하기 위해서는 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터링 지지대(300)가 서셉터링(210)을 기판 인입구(130)의 아래 위치까지 하강시킬 수 있다. 이어서 기판 인입구(130)를 통해 로봇 암 등에 의해 기판(S)이 서셉터링(210)의 상부로 투입되면, 서셉터링(210)을 좀 더 상승시키거나 로봇 암을 아래로 내리는 동작 등을 통해 서셉터링(210)에 기판(S)을 접촉시킬 수 있다.In order to support the substrate S which is introduced into the process chamber 100 for the semiconductor processing process, as shown in FIG. 3, the susceptor supporter 300 supports the susceptor 210 of the substrate inlet 130. Can be lowered to the lower position. Subsequently, when the substrate S is introduced into the upper portion of the susceptor 210 by the robot arm or the like through the substrate inlet 130, an operation of raising the susceptor 210 further or lowering the robot arm down may be performed. The substrate S may be in contact with the susceptor 210.

이때, 서셉터링(210)의 가이드부(212)로 인계된 기판(S)은 서셉터링(210)의 가이드부(212)의 경사면(221)을 따라 안착부(211)로 이동하면서 안정적으로 지지될 수 있다.At this time, the substrate S taken over by the guide portion 212 of the susceptor 210 is stable while moving to the seating portion 211 along the inclined surface 221 of the guide portion 212 of the susceptor ring 210. It can be supported by.

기판(S)이 서셉터링(210)에 지지되면, 도 4에 도시된 바와 같이 서셉터링 지지대(300)는 서셉터링(210)을 가스 유입구(110) 아래에 위치한 커버 블록(220) 위치까지 상승시킬 수 있다. 이때, 커버 블록(220)은 서셉터링(210)의 개구부(e)에 끼워지면서 서셉터링(210)의 개구부(e)를 덮으면서 폐쇄할 수 있다.When the substrate S is supported by the susceptor 210, as shown in FIG. 4, the susceptor support 300 may move the susceptor 210 to the cover block 220 under the gas inlet 110. Can be raised to position. In this case, the cover block 220 may be closed while covering the opening e of the susceptor ring 210 while being fitted into the opening e of the susceptor ring 210.

이어서 반도체 처리 공정동안, 석영 재질을 가지며 중공(h)이 형성된 서셉터링(210)은 공정 챔버(100)의 하부에 위치한 히터(미도시)로부터 발생하는 열을 전도, 대류, 복사에 의한 방식으로 기판(S)의 온도 상승시킬 수 있다.Subsequently, during the semiconductor processing process, the susceptor ring 210 having a quartz material and the hollow h is formed by conducting, convection and radiation heat generated from a heater (not shown) located under the process chamber 100. Thus, the temperature of the substrate S can be increased.

여기서 가스 유입구(110)와 나란하게 설치되는 커버 블록(220)의 경사면(221)은 가스 유입구(110)를 통해 기판(S)의 상부로 진행하는 공정 가스가 안정적인 층류(Laminar flow)를 형성하면서 기판(S) 상에서 난기류(Turbulence)가 발생하지 않도록 할 수 있다.Here, the inclined surface 221 of the cover block 220 installed in parallel with the gas inlet 110 forms a stable laminar flow (Laminar flow) of the process gas proceeding to the upper portion of the substrate S through the gas inlet 110. Turbulence may not be generated on the substrate S.

이와 같이 본 발명의 반도체 기판 처리장치(1)에 따르면, 리프트핀 사용하지 않더라도 서셉터링(210)을 이용하여 기판(S)을 안정적으로 인계받아서 지지할 수 있으며, 커버 블록(220)을 따라서 반도체 처리 공정 가스가 안정적인 층류를 이루면서 기판(S)을 처리할 수 있다.As described above, according to the semiconductor substrate processing apparatus 1 of the present invention, even when the lift pin is not used, the substrate S may be stably taken over and supported by the susceptor ring 210, and the cover block 220 may be supported. The substrate S may be processed while the semiconductor processing gas forms a stable laminar flow.

또한, 서셉터링(210)과 커버 블록(220)이 공정 챔버(100)와 동일한 석영 재질로 이루어지므로 공정 챔버(100) 내부에 설치된 내부 구조물의 파손을 방지하고 반도체 처리 공정을 거치는 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, since the susceptor 210 and the cover block 220 are made of the same quartz material as the process chamber 100, the substrate S prevents damage to an internal structure installed inside the process chamber 100 and undergoes a semiconductor processing process. ) Can improve the quality.

도 8은 제2 실시예의 서셉터링 영역의 사시도이고, 도 9는 제3 실시예의 서셉터링 영역의 사시도이며, 도 10은 제4 실시예의 서셉터링 영역의 사시도이다.FIG. 8 is a perspective view of the susceptor region of the second embodiment, FIG. 9 is a perspective view of the susceptor region of the third embodiment, and FIG. 10 is a perspective view of the susceptor region of the fourth embodiment.

도 8 내지 도 10을 참조하면서 다른 실시예들의 서셉터링을 설명하기로 하며, 중복된 설명을 피하기 위해서 동일한 구성의 설명은 생략한다.The susceptor of other embodiments will be described with reference to FIGS. 8 to 10, and the description of the same configuration is omitted to avoid redundant description.

도 8에 도시된 바와 같이, 제2 실시예의 서셉터링(210a)은 개구부(e)를 형성하는 양측 단부로부터 각각 아래로 연장되면서 서로 연결되는 보강부재(215)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 8, the susceptor ring 210a of the second embodiment may further include a reinforcing member 215 connected to each other while extending downward from both ends forming the opening e.

예를 들어 보강부재(215)는 서셉터링(210a)과 동일한 재질(예컨대 석영)로 이루어질 수 있으며, 기판 인입구(130)를 통해 공정 챔버(100) 내부로 이동하는 로봇 암과의 간섭을 피할 수 있는 위치와 형상을 가질 수 있다. 보강부재(215)에 의해 서셉터링(210a)은 그 형태가 더욱 잘 유지될 수 있다.For example, the reinforcing member 215 may be made of the same material (eg, quartz) as the susceptor ring 210a, and may not interfere with the robot arm moving into the process chamber 100 through the substrate inlet 130. It can have any position and shape. By the reinforcing member 215, the susceptor ring 210a may be better maintained in shape.

도 9에 도시된 바와 같이, 제3 실시예의 서셉터링(210b)은 원형이 아닌 개구부(e)가 형성된 사각형상을 갖는다. 따라서 개구부(e) 역시 전술한 실시형태들의 원형이 아닌 사각형상을 이룬다. 이러한 서셉터링(210a)은 기판(S)으로서 원형의 웨이퍼가 아닌 사각형상의 글래스 등의 처리를 할 경우에 적용될 수 있다.As shown in FIG. 9, the susceptor ring 210b of the third embodiment has a rectangular shape in which an opening e is formed rather than a circle. Thus, the openings e also have a rectangular shape rather than a circle of the above-described embodiments. The susceptor 210a may be applied to a case in which a rectangular glass or the like is processed as a substrate S instead of a circular wafer.

본 실시예에서 커버 블록(220b)의 가이드부(212b)는 전술한 형태와 달리 안착부(211)의 높이보다 더 높도록 단차진 형상을 가질 수 있다. 즉, 가이드부(212b)는 경사면을 포함하지 않고 단턱을 이루는 형태일 수 있다. 물론, 사각 형상의 서셉터링(210b)에도 전술한 형태들처럼 경사면을 갖는 가이드가 적용될 수 있을 것이다.In the present exemplary embodiment, the guide part 212b of the cover block 220b may have a stepped shape so as to be higher than the height of the seating part 211 unlike the above-described form. That is, the guide part 212b may have a stepped shape without including an inclined surface. Of course, the guide having the inclined surface may also be applied to the rectangular susceptor ring 210b as described above.

도 10에 도시된 바와 같이, 제4 실시예의 서셉터링(210c)은 제3 실시예와 같이 사각형상을 가지며, 마찬가지로 개구부(e)를 형성하는 양측 단부로부터 각각 아래로 연장되면서 서로 연결되는 보강부재(215c)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 10, the susceptor ring 210c of the fourth embodiment has a quadrangular shape as in the third embodiment, and likewise reinforces to each other while extending downward from both end portions forming the openings e. It may further include a member 215c.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the present invention.

1 : 반도체 기판 처리장치 100 : 공정 챔버
110 : 가스 유입구 120 : 가스 배출구
130 : 기판 인입구 210, 210a, 210b, 210c : 서셉터링
211: 안착부 212 : 가이드부
215, 215c : 보강부재 220 : 커버 블록
221 : 경사면 300 : 서셉터 지지대
310 : 지지축 320 : 중심축
S : 기판 h : 중공
e : 개구부1: semiconductor substrate processing apparatus 100: process chamber
110: gas inlet 120: gas outlet
130: substrate inlet 210, 210a, 210b, 210c: susceptoring
211: seating portion 212: guide portion
215, 215c: reinforcing member 220: cover block
221: slope 300: susceptor support
310: support shaft 320: central axis
S: Substrate h: Hollow
e: opening

Claims (13)

공정 챔버;
내부에 중공이 형성되고 기판을 로봇 암으로부터 인도받아 지지할 수 있도록 상기 로봇 암이 투입되는 개구부가 일측에 형성되며, 상기 공정 챔버 내부에 승하강 가능하게 설치되어 기판을 지지하는 서셉터링;
상기 서셉터링의 하부를 지지하며 상기 서셉터링을 상기 공정 챔버 내부에서 승하강시키는 서셉터링 지지대; 및
상기 서셉터링의 개구부에 끼워지면서 상기 개구부를 폐쇄하는 형상을 가지도록 상기 공정 챔버에 결합되며, 상기 서셉터링의 상승시 상기 서셉터링의 개구부를 폐쇄하며 공정가스의 흐름을 상기 서셉터링에 지지된 기판으로 안내하는 커버 블록;을 포함하고,
상기 커버 블록은 외측으로부터 상기 기판을 향해 상면이 아래로 경사진 경사면을 포함하며, 상기 커버 블록의 경사면은 상기 공정 챔버의 가스 유입구의 하면으로부터 연장되게 이루어지는 반도체 기판 처리장치.Process chambers;
A hollow formed therein and having an opening through which the robot arm is inserted to support and guide the substrate from the robot arm on one side thereof, the susceptor ring being mounted in the process chamber so as to be lifted and lowered to support the substrate;
A susceptor support for supporting a lower portion of the susceptor and raising and lowering the susceptor in the process chamber; And
It is coupled to the process chamber to have a shape to close the opening while being inserted into the opening of the susceptor, closing the opening of the susceptor when the rise of the susceptor and the flow of the process gas to the susceptor Includes; Cover block to guide to the substrate supported on,
And the cover block includes an inclined surface having an upper surface inclined downward from the outside toward the substrate, and the inclined surface of the cover block extends from the lower surface of the gas inlet of the process chamber. 제1항에 있어서,
상기 서셉터링은
상기 중공의 내측에 위치하며 기판이 안착되는 안착부; 및
상기 안착부를 감싸면서 외측에 위치하는 가이드부를 포함하는 반도체 기판 처리장치.The method of claim 1,
The susceptor is
A seating part located inside the hollow and on which a substrate is seated; And
A semiconductor substrate processing apparatus comprising a guide unit located outside while surrounding the seating unit. 제2항에 있어서,
상기 가이드부는 상기 안착부로부터 외측으로 갈수록 높아지는 경사면을 갖는 반도체 기판 처리장치.The method of claim 2,
The guide portion has a semiconductor substrate processing apparatus having an inclined surface that increases toward the outside from the seating portion. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 서셉터링은 상기 개구부를 형성하는 양측 단부로부터 각각 아래로 연장되면서 서로 연결되는 보강부재를 더 포함하는 반도체 기판 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The susceptor further includes a reinforcing member connected to each other while extending downward from both ends forming the opening. 제4항에 있어서,
상기 서셉터링은 개구부가 각각 형성된 원형, 타원형, 사각형상 중 어느 하나의 형상으로 이루어지는 반도체 기판 처리장치.The method of claim 4, wherein
The susceptor is a semiconductor substrate processing apparatus having any one of a circular, elliptical, rectangular shape each formed with an opening. 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 공정 챔버는 가스 유입구와, 상기 가스 유입구 하부에 배치되는 기판 인입구를 더 포함하며,
상기 커버 블록은 상기 가스 유입구 하부와 상기 기판 인입구 사이에 배치되는 반도체 기판 처리장치.The method of claim 5,
The process chamber further includes a gas inlet and a substrate inlet disposed below the gas inlet.
The cover block is disposed between the gas inlet and the substrate inlet. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 커버 블록의 경사각은 기판의 상면을 기준으로 수직방향을 향해 5°내지 15°인 반도체 기판 처리장치.The method of claim 1,
The inclination angle of the cover block is a semiconductor substrate processing apparatus of 5 ° to 15 ° toward the vertical direction with respect to the upper surface of the substrate. 제10항에 있어서,
상기 커버 블록은 석영(Quartz) 재질을 포함하는 반도체 기판 처리장치. The method of claim 10,
The cover block is a semiconductor substrate processing apparatus comprising a quartz (Quartz) material. 가스 유입구와 기판 인입구를 갖는 공정 챔버;
상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하되, 상기 기판이 안착되는 안착부와, 상기 기판을 상기 안착부로 안내하는 가이드부를 가지며 내부에 중공이 형성되고 기판을 로봇 암으로부터 인도받아 지지할 수 있도록 상기 로봇 암이 투입되는 개구부가 일측에 형성된 서셉터링;
상기 서셉터링의 하부를 지지하며 상기 서셉터링을 상기 가스 유입구 또는 상기 기판 인입구 아래 위치까지 승하강시키는 서셉터링 지지대; 및
상기 서셉터링의 개구부에 끼워지면서 상기 개구부를 폐쇄하는 형상을 가지도록 상기 공정 챔버에 결합되며, 상기 서셉터링의 상승시 상기 서셉터링의 개구부를 덮어서 폐쇄하는 커버 블록;을 포함하며,
상기 커버 블록은 상기 공정 챔버의 가스 유입구의 하면으로부터 연장되게 이루어지는 경사면을 포함하는 반도체 기판 처리장치.A process chamber having a gas inlet and a substrate inlet;
It is installed inside the process chamber to support a substrate, having a seating portion on which the substrate is seated, a guide portion for guiding the substrate to the seating portion, and a hollow is formed therein so that the substrate can be guided and supported by the robot arm. A susceptor ring formed at one side of an opening through which the robot arm is inserted;
A susceptor support for supporting a lower portion of the susceptor and lifting the susceptor to a position below the gas inlet or the substrate inlet; And
And a cover block fitted to the opening of the susceptor ring, the cover block being closed to cover the opening of the susceptor ring when the susceptor is raised.
And the cover block includes a sloped surface extending from a bottom surface of a gas inlet of the process chamber. 삭제delete
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