KR102076855B1 - thermal polymerization type hole transport material with high molecular weight and organic light emitting diode using the same - Google Patents
thermal polymerization type hole transport material with high molecular weight and organic light emitting diode using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102076855B1 KR102076855B1 KR1020180046563A KR20180046563A KR102076855B1 KR 102076855 B1 KR102076855 B1 KR 102076855B1 KR 1020180046563 A KR1020180046563 A KR 1020180046563A KR 20180046563 A KR20180046563 A KR 20180046563A KR 102076855 B1 KR102076855 B1 KR 102076855B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- formula
- substituted
- unsubstituted
- acid
- Prior art date
Links
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 title description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 32
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 29
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 16
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 10
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 7
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N dichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)Cl JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 claims description 5
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical group COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940106681 chloroacetic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 229960005215 dichloroacetic acid Drugs 0.000 claims description 4
- PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N difluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)F PBWZKZYHONABLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 claims description 3
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 3
- 229960004319 trichloroacetic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 141
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZMAWJRXKGLWGS-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-[4-(4-methoxyphenyl)-1,3-thiazol-2-yl]-n-(3-methoxypropyl)acetamide Chemical compound S1C(N(C(=O)CCl)CCCOC)=NC(C=2C=CC(OC)=CC=2)=C1 KZMAWJRXKGLWGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000007336 electrophilic substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N (4-diphenylphosphorylphenyl)-triphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC(=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 TXBFHHYSJNVGBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical class FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRWATGACIORDEL-UHFFFAOYSA-N 2,4,5,6-tetra(carbazol-9-yl)benzene-1,3-dicarbonitrile Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=C(C#N)C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C#N PRWATGACIORDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWBSPTJSNGIJAO-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC=NC2=C3N=CC=C(C3=CC=C12)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=NC2=C3N=CC=C(C3=CC=C12)C1=CC=CC=C1 KWBSPTJSNGIJAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIGVOJUDEQXKII-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-n-(4-bromophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1N(C=1C=CC(Br)=CC=1)C1=CC=CC=C1 KIGVOJUDEQXKII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N Chalcone Natural products C=1C=CC=CC=1C(=O)C=CC1=CC=CC=C1 DQFBYFPFKXHELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004365 benzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001789 chalcones Chemical class 0.000 description 1
- 235000005513 chalcones Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N cinnamic acid Chemical class OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004306 cyclooctatetraenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940116315 oxalic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M phenylmagnesium bromide Chemical compound Br[Mg]C1=CC=CC=C1 ANRQGKOBLBYXFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H01L51/0059—
-
- H01L51/0003—
-
- H01L51/0072—
-
- H01L51/5056—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 고분자형 열가교성 정공 전달 물질 및 이를 통해 제조된 용액 공정용 고효율 유기발광다이오드에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자형 열가교성 정공 전달 물질로 정공수송층을 구성하게 되면, 상기 정공수송층은 열가교 후, 용매에 실질적으로 불용성이므로 계면이 녹지 않아, 상부에 용액공정을 이용하여 발광층을 적층하게 되더라도 층간 섞임이 없어, 효과적으로 다층구조의 유기발광다이오드(OLED)를 제조할 수 있고, 열가교를 50~150℃의 비교적 저온에서 수행하므로, 유리 기판 이외에 유리전이온도가 낮은 플라스틱 기판을 적용하는 공정에서도 사용될 수 있다.The present invention relates to a polymer type heat crosslinked hole transport material and a high efficiency organic light emitting diode for a solution process prepared through the same. When the hole transport layer is formed of the polymer type heat crosslinked hole transport material according to the present invention, the hole transport layer is heat After crosslinking, the interface is not dissolved because it is substantially insoluble in the solvent, and there is no intermixing even when the light emitting layer is laminated using a solution process on the top, so that an organic light emitting diode (OLED) having a multi-layer structure can be effectively produced and thermal crosslinking Since it is carried out at a relatively low temperature of 50 ~ 150 ℃, it can be used in the process of applying a plastic substrate with a low glass transition temperature in addition to the glass substrate.
Description
본 발명은 열가교성 정공 전달 물질로 이루어진 정공수송 박막 및 이를 이용한 유기발광다이오드에 관한 것으로서, 구체적으로 고분자형 열가교성 정공 전달 물질 및 이를 통해 제조된 용액 공정용 고효율 유기발광다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a hole transport thin film made of a heat crosslinkable hole transport material and an organic light emitting diode using the same, and more particularly, to a polymer type heat crosslinked hole transport material and a high efficiency organic light emitting diode for a solution process prepared therefrom.
유기발광다이오드(Organic light emitting diode, OLED)는 기존의 LCD, PDP등의 디스플레이와 비교하여 제작공정이 간단한 구조를 갖고 있으며, 고화질에 광시야각을 확보하고 있고, 고색순도 및 저소비전력, 저전압 구동 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로서 주목받고 있다. Organic light emitting diodes (OLEDs) have a simpler manufacturing process compared to displays such as LCDs and PDPs, have a wide viewing angle in high quality, high color purity, low power consumption, and low voltage driving. It has the advantages of being attracting attention as the next generation display.
일반적인 OLED는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 유기층인 정공수송층, 전자 전달층 등이 있으며, 그 상부에 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 하지만, OLED를 제작하기 위한 기존의 공정은 모든 층을 진공 증착 방식을 이용한다. 진공 증착의 경우, 시간적, 비용적, 수량적 측면에서 대량생산에 적합하지 못하다는 단점을 가지고 있으며, 대면적화에도 큰 제약을 가지고 있다. In general OLEDs, an anode is formed on a substrate, and an organic layer includes a hole transport layer, an electron transport layer, and the like on the anode, and may have a structure in which cathodes are sequentially formed thereon. However, existing processes for fabricating OLEDs use vacuum deposition of all layers. In the case of vacuum deposition, it is disadvantageous in that it is not suitable for mass production in terms of time, cost, and quantity, and has a large limitation in large area.
따라서 이러한 관점에서 볼 때, 진공 증착 방식은 개선이 필요하며, 이의 대안으로 주목받고 있는 것이 용액 공정이다. 하지만, 용액 공정을 이용하여 OLED를 제조할 경우, 유기층을 적층하는 과정에서 층간 섞임 현상이 일어나게 되거나, 재료의 순도 문제, 그리고 고온의 열처리(가교반응 등) 공정에 의한 타층 소재의 열화로 인해 현재 증착 방식의 소자보다 특성이 떨어지며, 특히 수명이 낮은 단점이 있다. 따라서 다양한 용액공정 재료와 공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으나, 위와 같은 문제점을 아직까지 완벽히 해결하지 못하고 있다. Therefore, from this point of view, the vacuum deposition method needs to be improved, and the solution process is drawing attention as an alternative. However, when the OLED is manufactured using a solution process, intermixing occurs in the process of laminating the organic layer, the purity of the material, and deterioration of the other layer material due to a high temperature heat treatment (crosslinking reaction, etc.) process. Its characteristics are lower than that of the deposition method, and in particular, its life is low. Therefore, researches on various solution process materials and processes are being actively conducted, but the above problems have not been completely solved yet.
일반적으로 용액 공정을 이용해 유기물을 적층하는 방식은 크게 두 가지로 나누어진다. 첫 번째는 두 층을 적층하고자 하는 재료를 녹일 때 사용하는 용매를 서로 녹지 않는 유형으로 선택하는 방법이다. 예를 들면, 아래층은 물/알코올 류에 녹여 성막하고, 위층은 일반적인 유기용매에 녹여 적층하게 되면, 층간 섞임 현상을 줄일 수 있다. 두 번째는 아래층을 가교시키는 방법이다. 가교가 되면 용해, 용융 특성이 현저히 줄어들기 때문에, 위층의 용매와 상호작용을 줄일 수 있다.In general, a method of stacking organic materials using a solution process is divided into two types. The first method is to select the solvents used to dissolve the material to be laminated to the two layers as non-melting types. For example, when the lower layer is dissolved in water / alcohols to form a film, and the upper layer is melted and laminated in a general organic solvent, intermixing may be reduced. The second method is to crosslink the lower layer. Crosslinking significantly reduces the dissolution and melting properties, thus reducing the interaction with the solvent in the upper layer.
현재 개발되어 있는 가교를 이용한 유기발광다이오드 재료는 가교제의 종류에 따라 분류하면, 실록산 류(siloxanes), 스타이렌 류(styrenes), 아크릴레이트 류(acrylates), 트리플루오로바이닐 에테르 류(trifluorovinyl ehters), 벤조사이클로부텐 류(benzocyclo-butenes), 신나메이트/찰콘 류(cinnamates/chalcones), 옥세탄 류(oxetanes)로 나눌 수 있다. 하지만 이 가교제들을 포함한 재료로 유기발광다이오드를 제작할 경우, 공정온도가 200℃ 이상이거나 오랜 시간이 필요하고, 미반응 및 부반응을 통해 트랩으로 작용할 수 있는 화학 구조를 만들거나, 개시제 등의 사용으로 소자 특성에 악영향을 주는 물질이 남게 되는 단점을 가진다. 유기발광다이오드에서 불필요한 구조 혹은 물질이 포함될 경우, 수명과 효율 특성이 현저히 떨어지게 된다. 또한 공정온도가 너무 높을 경우, 기판 재료의 선정하는데 제한적인 영향을 줄 수 있다. 따라서 이러한 문제점을 해결하는 가교를 이용한 유기발광다이오드 재료가 요구된다 할 것이다.Currently developed organic light emitting diode materials using crosslinking are classified according to the type of crosslinking agent, such as siloxanes, styrenes, acrylates, and trifluorovinyl ethers. , Benzocyclobutenes, cinnamates / chalcones, and oxetanes. However, when fabricating an organic light emitting diode using a material containing these crosslinking agents, a process temperature is 200 ° C or higher or a long time is required, and a chemical structure that can act as a trap through unreacted and side reactions, or by using an initiator or the like is used. It has the disadvantage of leaving a substance which adversely affects the properties. If an unnecessary structure or material is included in the organic light emitting diode, the lifespan and efficiency characteristics are significantly reduced. If the process temperature is too high, it may also have a limited effect on the selection of the substrate material. Therefore, there is a need for an organic light emitting diode material using crosslinking to solve such problems.
본 발명이 해결하고자 하는 제1 과제는 상기한 바와 같이 종래 기술의 단점 및 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 새로운 분자 구조의 열가교성 정공 전달 물질을 제공하는 것이다.The first problem to be solved by the present invention is to improve the disadvantages and problems of the prior art as described above, to provide a thermal crosslinkable hole transport material of a novel molecular structure.
나아가, 본 발명이 해결하고자 하는 제2 과제는 상기 열가교성 정공 전달 물질을 포함하는 유기발광 다이오드를 제공하는 것이다.Furthermore, a second object of the present invention is to provide an organic light emitting diode comprising the thermally crosslinkable hole transport material.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 제3 과제는 상기 유기발광 다이오드의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, a third object of the present invention is to provide a method of manufacturing the organic light emitting diode.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 제1 과제를 이루기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체와, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체가 축합 중합 및 가교 결합된 고분자형 열가교성 정공 전달 물질이되, 아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질을 제공한다.In order to achieve the first object, the present invention comprises at least one polymer or a low molecular unit comprising an amine selected from the group consisting of the following formula (1), (2), and (3), (4), (5) and (6) At least one polymer or low molecular unit comprising a tertiary alcohol selected from the group is a condensation polymerization and crosslinked polymeric thermocrosslinked hole transport material, at least one of a compound comprising an amine or a compound comprising a tertiary alcohol Provides a polymer type heat crosslinkable hole transport material characterized in that the polymer.
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
[화학식 5][Formula 5]
[화학식 6][Formula 6]
(상기 화학식 1 내지 화학식 6에서,(In Formula 1 to Formula 6,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬아릴기이고,Ar 1 to Ar 4 are independently a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, heteroaryl group, arylalkyl group or alkylaryl group,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,R and R 1 to R 6 are Independently of each other a substituted or unsubstituted C 1 -C 9 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 6- C 30 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted From the group consisting of a substituted arylamine, a substituted or unsubstituted fused arylamine group, a substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, a substituted or unsubstituted thiol group, a substituted or unsubstituted sulfoxide and sulfone group Selected,
CoM은 공단량체이고,CoM is a comonomer,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m 및 n은 각각 5~200의 정수이고,m and n are each an integer of 5 to 200,
o는 0~10의 정수이고, o is an integer from 0 to 10,
p는 2~10의 정수이며,p is an integer from 2 to 10,
x, y 및 z는 각각 0~10의 정수이다)x, y and z are each an integer from 0 to 10)
더욱 바람직하게는, Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 벤젠, 피리딘, 피롤, 퓨란 및 싸이오펜으로 이루어지는 비융합고리형 방향족 치환기; 헤테로 비융합고리형 방향족 치환기; 나프탈렌, 안트라센, 트라이페닐렌, 파이렌 및 페릴렌으로 이루어지는 융합고리 방향족 치환기; 및 카바졸, 플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 스파이로플루오렌으로 이루어지는 다이벤조형 융합고리 치환기 중에서 선택되고,More preferably, Ar 1 to Ar 4 are each independently a non-fused ring aromatic substituent consisting of benzene, pyridine, pyrrole, furan and thiophene; Hetero fused ring aromatic substituents; Fused ring aromatic substituents consisting of naphthalene, anthracene, triphenylene, pyrene and perylene; And a dibenzo type fused ring substituent consisting of carbazole, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene and spirofluorene,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C4의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C12의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,R and R 1 to R 6 are each independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 4 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 12 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 12 aryl Group, substituted or unsubstituted C 6 -C 12 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 12 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 12 heteroaryl group, substituted or unsubstituted Aryloxy group, substituted or unsubstituted arylamine, substituted or unsubstituted fused arylamine group, substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, substituted or unsubstituted thiol group, substituted or unsubstituted Selected from the group consisting of sulfoxide and sulfone groups,
CoM은 공단량체이고,CoM is a comonomer,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m 및 n은 각각 5~100의 정수이고,m and n are each an integer of 5 to 100,
o는 0~5의 정수이고, o is an integer from 0 to 5,
p는 2~5의 정수이며,p is an integer from 2 to 5,
x, y 및 z는 각각 0~5의 정수일 수 있다.x, y and z may each be an integer of 0-5.
더욱 바람직하게는, 화학식 1 또는 화학식 2의 아민을 포함하는 화합물은 벤젠기의 오르쏘 또는 파라 위치에 반응성 수소를 가지고, 상기 반응성 수소는 3차 알코올을 포함하는 화합물의 OH기의 개수보다 같거나 많을 수 있다.More preferably, the compound comprising the amine of Formula 1 or Formula 2 has a reactive hydrogen at the ortho or para position of the benzene group, the reactive hydrogen being equal to or greater than the number of OH groups of the compound comprising the tertiary alcohol. There can be many.
더욱 바람직하게는, 상기 열가교성 정공 전달 물질은 분자량이 2000 이상인 고분자일 수 있다.More preferably, the heat crosslinkable hole transport material may be a polymer having a molecular weight of 2000 or more.
상기 제2 과제를 이루기 위하여, 본 발명은In order to achieve the second object, the present invention
기판; Board;
상기 기판 상의 제1전극; A first electrode on the substrate;
상기 제1전극 상의 제2전극; 및 A second electrode on the first electrode; And
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층;을 포함한 유기발광다이오드를 제공한다.An organic light emitting diode comprising: a first layer interposed between the first electrode and the second electrode and including the thermally crosslinkable hole transport material.
더욱 바람직하게는, 상기 제1층은 정공수송층일 수 있다.More preferably, the first layer may be a hole transport layer.
더욱 바람직하게는, 상기 유기발광다이오드는 상기 제1층 상부에 형성된 발광층을 더 포함할 수 있다.More preferably, the organic light emitting diode may further include a light emitting layer formed on the first layer.
상기 제3 과제를 이루기 위하여, 본 발명은In order to achieve the third object, the present invention
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the substrate;
상기 제1전극 상에 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물과, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물을 용매에 넣고, 산 촉매를 첨가한 제1층 형성용 조성물을 용액 공정을 통해 성막한 후, 가교 결합시킬 수 있는 조건 하에서 열가교시켜 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층을 형성하는 단계; 및At least one polymer or low molecular unit compound comprising an amine selected from the group consisting of Formula 1, Formula 2, and Formula 3 on the first electrode, and 3 selected from the group consisting of Formulas 4, 5 and 6 At least one polymer or low molecular unit compound containing a primary alcohol is placed in a solvent, the first layer-forming composition containing an acid catalyst is formed through a solution process, and thermally crosslinked by heat crosslinking under conditions capable of crosslinking. Forming a first layer comprising a hole transport material; And
상기 제1층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,Forming a second electrode on the first layer;
아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법을 제공한다.At least one of a compound containing an amine or a compound containing a tertiary alcohol provides a method for producing an organic light emitting diode, characterized in that the polymer.
더욱 바람직하게는, 상기 용매는 클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름 및 테트라히드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.More preferably, the solvent may be selected from the group consisting of chlorobenzene, toluene, xylene, chloroform and tetrahydrofuran.
더욱 바람직하게는, 상기 산 촉매는 폼산, 아세트산, 프로피온산(Propionic acid), 부티르산(Butyric acid), 발레르산(Valeric acid), 옥살산(Oxalic acid), 벤조산(Benzoic acid), 카본산(Carbonic acid), 플루오로아세트산(Fluoroacetic acid), 다이플루오로아세트산(Difluoroacetic acid), 트리플루오로아세트산(Trifluoroacetic acid), 클로로아세트산(Chloroacetic acid), 디클로로아세트산(Dichloroacetic acid), 트리클로로아세트산(Trichloroacetic acid), 이소부티르산(Isobutyric acid), HF, HCl, HBr, HI, 황산 및 루이스 산으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.More preferably, the acid catalyst is formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, oxalic acid, benzoic acid, benzoic acid, carbonic acid. , Fluoroacetic acid, Difluoroacetic acid, Trifluoroacetic acid, Trifluoroacetic acid, Chloroacetic acid, Dichloroacetic acid, Trichloroacetic acid, Iso It can be selected from the group consisting of isobutyric acid, HF, HCl, HBr, HI, sulfuric acid and Lewis acid.
더욱 바람직하게는, 상기 용액 공정은 스핀 코팅, 잉크젯 코팅 및 노즐젯 코팅으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.More preferably, the solution process may be selected from the group consisting of spin coating, ink jet coating and nozzle jet coating.
더욱 바람직하게는, 상기 열가교는 50~150℃의 저온에서 수행될 수 있다.More preferably, the thermal crosslinking may be performed at a low temperature of 50 ~ 150 ℃.
더욱 바람직하게는, 상기 제1층은 정공수송층일 수 있다.More preferably, the first layer may be a hole transport layer.
더욱 바람직하게는, 상기 제1층은 열가교 후, 용매에 실질적으로 불용성일 수 있다.More preferably, the first layer may be substantially insoluble in a solvent after thermal crosslinking.
본 발명에 따른 열가교성 정공 전달 물질로 정공수송층을 구성하게 되면, 상기 정공수송층은 열가교 후, 용매에 실질적으로 불용성이므로 계면이 녹지 않아, 상부에 용액공정을 이용하여 발광층을 적층하게 되더라도 층간 섞임이 없어, 효과적으로 다층구조의 유기발광다이오드(OLED)를 제조할 수 있다. 따라서 현재 진공 증착 방식에 국한되어 있던 OLED 디스플레이 공정 방법 대신, 시간적, 비용적 측면에서 효과적인 용액공정을 사용하여 보다 안정성이 우수한 다층구조의 OLED를 구현할 수 있다.When the hole transport layer is formed of a heat crosslinkable hole transport material according to the present invention, the hole transport layer is substantially insoluble in a solvent after thermal crosslinking, so that the interface does not melt, and even though the light emitting layer is laminated using a solution process on the top, the interlayer mixing is performed. In this case, an organic light emitting diode (OLED) having a multilayer structure can be produced effectively. Therefore, instead of the OLED display process method that is currently limited to the vacuum deposition method, it is possible to implement a more stable multi-layer OLED by using an effective solution process in terms of time and cost.
본 발명에 따른 열가교성 정공 전달 물질은 열가교를 100℃ 내외의 비교적 저온에서 수행하므로, 유리 기판 이외에 유리전이온도가 낮은 플라스틱 기판을 적용하는 공정에서도 사용될 수 있다. 또한, 막 형성 후, 잔존하는 부산물 및 첨가제가 적기 때문에 수명 및 효율이 우수한 장점을 가지고 있다. Since the heat crosslinkable hole transport material according to the present invention performs heat crosslinking at a relatively low temperature of about 100 ° C., it may be used in a process of applying a plastic substrate having a low glass transition temperature in addition to the glass substrate. In addition, since the remaining by-products and additives are small after the film formation, it has the advantage of excellent life and efficiency.
본 발명은 정공수송층에 초점을 두었지만, 본 발명에 따른 화학식 구조에서 단위체의 변화를 통해 가교된 발광층, 전자수송층을 구현해낼 수 있는 가능성이 충분히 있다. 따라서 현재로서는 부분적으로 용액공정을 이용하여 OLED를 제조하는 방법이지만, 향후 개선을 통해 전 공정을 용액공정으로 이용하여 OLED를 구현해 낼 수 있을 것이다.Although the present invention focuses on the hole transport layer, there is a possibility of implementing a cross-linked light emitting layer and an electron transport layer through the change of the monomer in the chemical formula structure according to the present invention. Therefore, at present, it is partly a method of manufacturing OLED using a solution process, but through the future improvement will be able to implement the OLED using the entire process as a solution process.
본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects which are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings in order to describe the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Like numbers refer to like elements throughout the specification.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.When an element such as a layer, region or substrate is referred to as being on another component "on", it will be understood that it may be directly on another element or there may be an intermediate element in between. .
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.Although the terms first, second, etc. may be used to describe various elements, components, regions, layers, and / or regions, such elements, components, regions, layers, and / or regions It will be understood that it should not be limited by these terms.
본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "알킬기"는 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"일 수 있다. 또는 알킬기는 적어도 하나의 이중결합 또는 삼중결합을 포함하고 있는 "불포화 알킬(unsaturated alkyl)기"일 수도 있다. 포화이든 불포화이든 간에 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다. 알킬기는 C1~C30 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1~C10 알킬기 또는 C1~C6 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1~C4 알킬기는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.Unless defined otherwise in the present specification, "alkyl group" means an aliphatic hydrocarbon group. The alkyl group may be a "saturated alkyl group" that does not contain any double or triple bonds. Alternatively, the alkyl group may be an "unsaturated alkyl group" containing at least one double bond or triple bond. The alkyl group, whether saturated or unsaturated, may be branched, straight chain or cyclic. The alkyl group may be a C 1 to C 30 alkyl group. More specifically, the alkyl group may be a C 1 to C 10 alkyl group or a C 1 to C 6 alkyl group. For example, the C 1 -C 4 alkyl group can be selected from the group consisting of methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl.
또, 본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "사이클로알킬기"는 탄소수 3 내지 20의 환형 포화 탄화수소기를 의미한다. 구체적으로 상기 사이클로알킬기는 탄소수 3 내지 6의 사이클로알킬기를 포함한다. 상기 사이클로알킬기의 구체적인 예로는, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기 또는 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.In addition, "cycloalkyl group" means a C3-C20 cyclic saturated hydrocarbon group unless it is specifically defined in this specification. Specifically, the cycloalkyl group includes a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms. As a specific example of the said cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned.
또, 본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "아릴기(Ar)"는 하나 이상의 고리를 포함하는 탄소수 6 내지 20의 카르보사이클 방향족 리디칼을 의미하며, 상기 고리들은 펜던트 방법으로 함께 부착되거나 또는 융합될 수 있다. 구체적으로 상기 아릴기는 탄소수 6 내지 20, 보다 구체적으로는 탄소수 6 내지 12의 아릴기를 포함한다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 나프틸기 또는 비페닐기 등을 들 수 있다.In addition, unless specifically defined herein, "aryl group (Ar)" means a carbocycle aromatic radical having 6 to 20 carbon atoms including at least one ring, and the rings are attached together by a pendant method or Or may be fused. Specifically, the aryl group includes an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more specifically, 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group or a biphenyl group.
또, 본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "아릴알킬기"는 방향족 탄화수소기인 아릴기(Ar)로 직쇄 또는 분지형 알킬기(Ra)가 치환된 작용기(Ar-Ra-)를 의미한다. 구체적으로 상기 아릴알킬기는 탄소수 7 내지 20, 보다 구체적으로는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기를 포함한다. 상기 아릴알킬기의 구체적인 예로는 벤질기, 페네틸기 등을 들 수 있다.Moreover, unless specifically defined in this specification, an "arylalkyl group" means the functional group (Ar-Ra-) by which the linear or branched alkyl group (Ra) was substituted by the aryl group (Ar) which is an aromatic hydrocarbon group. Specifically, the arylalkyl group includes an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, more specifically, 7 to 12 carbon atoms. Specific examples of the arylalkyl group include benzyl group, phenethyl group and the like.
또, 본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "알킬아릴기"는 직쇄 또는 분지형 알킬기(Ra)로 방향족 탄화수소기(Ar)가 치환된 작용기(Ra-Ar-)를 의미한다. 구체적으로 상기 알킬아릴기는 탄소수 7 내지 20, 보다 구체적으로는 탄소수 7 내지 12의 알킬아릴기를 포함한다. Moreover, unless specifically defined in this specification, an "alkylaryl group" means the functional group (Ra-Ar-) by which the aromatic hydrocarbon group (Ar) was substituted by the linear or branched alkyl group (Ra). Specifically, the alkylaryl group includes an alkylaryl group having 7 to 20 carbon atoms, more specifically, 7 to 12 carbon atoms.
또, 본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "아릴옥시기"는 산소와 결합된 아릴기(-OAr)를 의미하며, 이때 상기 아릴기는 앞서 정의한 바와 같다. 구체적으로 상기 아릴옥시기는 탄소수 6 내지 20, 보다 구체적으로는 탄소수 6 내지 12의 아릴옥시기를 포함한다. 상기 아릴옥시기의 구체적인 예로는 페녹시 등을 들 수 있다.In addition, unless specifically defined herein, "aryloxy group" means an aryl group (-OAr) bonded to oxygen, wherein the aryl group is as defined above. Specifically, the aryloxy group includes an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, more specifically, 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the aryloxy group include phenoxy and the like.
또, 본 명세서에 있어서 특별히 정의되지 않는 한, "헤테로아릴기"는 적어도 하나의 고리 내에 N, O, S, Se 및 P로 이루어진 군으로부터 선택되는 헤테로 원자를 1개 이상 함유하고, 나머지 멤버는 탄소인, 모노사이클릭 방향족 화합물 또는 융합된 방향족 고리들로 이루어진 폴리사이클릭 방향족 화합물을 의미한다.In addition, unless specifically defined herein, a "heteroaryl group" contains at least one hetero atom selected from the group consisting of N, O, S, Se, and P in at least one ring, and the remaining members It means a monocyclic aromatic compound which is carbon or a polycyclic aromatic compound consisting of fused aromatic rings.
또한, 본 명세서에서 "Cx-Cy"라고 기재한 경우에는, 탄소수 x와 탄소수 y사이의 모든 정수에 해당하는 수의 탄소수를 갖는 경우도 함께 기재된 것으로 해석되어야 한다.In addition, when it is described in this specification as "C x -C y ", it should be interpreted that it also has the case where it has carbon number of the number corresponding to all the integers between carbon number x and carbon number y.
열가교성Thermal crosslinking 정공 전달 물질 Hole transport material
본 발명은 정공층을 구성하는 재료로서, 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체와, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체가 축합 중합 및 가교 결합된 고분자형 열가교성 정공 전달 물질을 제공한다.The present invention is a material constituting the hole layer, comprising at least one polymer or low molecular unit comprising an amine selected from the group consisting of the following formula (1), (2) and (3), and (4), (5) and (6) At least one polymer or low molecular unit comprising a tertiary alcohol selected from the group provides a polymeric thermocrosslinked hole transport material condensation polymerization and crosslinking.
이때, 아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 한다.In this case, at least one of the compound containing the amine or the compound containing the tertiary alcohol is characterized in that the polymer.
(상기 화학식 1 내지 화학식 6에서,(In Formula 1 to Formula 6,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬아릴기이고,Ar 1 to Ar 4 are independently a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, heteroaryl group, arylalkyl group or alkylaryl group,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,R and R 1 to R 6 are Independently of each other a substituted or unsubstituted C 1 -C 9 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 6- C 30 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted From the group consisting of a substituted arylamine, a substituted or unsubstituted fused arylamine group, a substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, a substituted or unsubstituted thiol group, a substituted or unsubstituted sulfoxide and sulfone group Selected,
CoM은 공단량체이고,CoM is a comonomer,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m 및 n은 각각 5~200의 정수이고,m and n are each an integer of 5 to 200,
o는 0~10의 정수이고, o is an integer from 0 to 10,
p는 2~10의 정수이고,p is an integer from 2 to 10,
x, y 및 z는 각각 0~10의 정수이다)x, y and z are each an integer from 0 to 10)
바람직하게는, Preferably,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 벤젠, 피리딘, 피롤, 퓨란 및 싸이오펜으로 이루어지는 비융합고리형 방향족 치환기; 헤테로 비융합고리형 방향족 치환기; 나프탈렌, 안트라센, 트라이페닐렌, 파이렌 및 페릴렌으로 이루어지는 융합고리 방향족 치환기; 및 카바졸, 플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 스파이로플루오렌으로 이루어지는 다이벤조형 융합고리 치환기 중에서 선택되고,Ar 1 to Ar 4 are each independently a non-fused ring aromatic substituent consisting of benzene, pyridine, pyrrole, furan and thiophene; Hetero fused ring aromatic substituents; Fused ring aromatic substituents consisting of naphthalene, anthracene, triphenylene, pyrene and perylene; And a dibenzo type fused ring substituent consisting of carbazole, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene and spirofluorene,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C4의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C12의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,R and R 1 to R 6 are each independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 4 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 12 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 12 aryl Group, substituted or unsubstituted C 6 -C 12 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 12 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 12 heteroaryl group, substituted or unsubstituted Aryloxy group, substituted or unsubstituted arylamine, substituted or unsubstituted fused arylamine group, substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, substituted or unsubstituted thiol group, substituted or unsubstituted Selected from the group consisting of sulfoxide and sulfone groups,
CoM은 공단량체이고,CoM is a comonomer,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m 및 n은 각각 5~100의 정수이고,m and n are each an integer of 5 to 100,
o는 0~5의 정수이고, o is an integer from 0 to 5,
p는 2~5의 정수이며,p is an integer from 2 to 5,
x, y 및 z는 각각 0~5의 정수일 수 있다.x, y and z may each be an integer of 0-5.
이때, 화학식 1 내지 화학식 3 중 적어도 하나에서 아민을 포함하는 화합물은 벤젠기의 오르쏘 또는 파라 위치에 반응성 수소를 가지고, 상기 반응성 수소는 3차 알코올을 포함하는 화합물의 OH기의 개수보다 같거나 많을 수 있다.In this case, the compound including the amine in at least one of Formula 1 to Formula 3 has a reactive hydrogen in the ortho or para position of the benzene group, the reactive hydrogen is equal to or greater than the number of OH groups of the compound containing tertiary alcohol There can be many.
더욱 바람직하게는, 상기 열가교성 정공 전달 물질은 분자량이 2000 이상인 고분자일 수 있다.More preferably, the heat crosslinkable hole transport material may be a polymer having a molecular weight of 2000 or more.
본 발명의 화학식 1의 고분자 내의 아민 단량체의 구조는 구체적인 예로서, 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-12의 구조를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따른 화학식 1의 고분자는 벤젠 치환기의 오르쏘 또는 파라 위치에 친전자성 치환반응이 가능한 수소가 존재할 수 있다.The structure of the amine monomer in the polymer of the general formula (1) of the present invention can be used as a specific example, the structures of the following formula 1-1 to formula 1-12, but is not limited thereto. In the polymer of Formula 1 according to the present invention, hydrogen capable of an electrophilic substitution reaction may be present at an ortho or para position of a benzene substituent.
본 발명의 화학식 2의 고분자 내의 아민 단량체의 구조는 구체적인 예로서, 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-9의 구조를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The structure of the amine monomer in the polymer of the formula (2) of the present invention can be used as a specific example, the structure of formula 2-1 to formula 2-9, but is not limited thereto.
본 발명의 화학식 1, 화학식 2, 화학식 4 및 화학식 5의 공단량체(CoM)의 구조는 구체적인 예로서, 하기 화학식 CoM-1 내지 화학식 CoM-39의 구조를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The structures of the comonomers (CoM) of Formula 1, Formula 2, Formula 4, and Formula 5 of the present invention may be, but are not limited to, the structures of Formulas CoM-1 to CoM-39.
본 발명의 열가교성 정공 전달 물질의 특징은 정공 주입 또는/ 및 정공 수송층 구성에 정공이동특성을 부여하기 위해 정공 전달 능력이 높은 아민에 벤젠 등의 치환체가 치환된 아릴아민(aryl amine) 단위체와 이 아릴아민 유도체와 화학적으로 축합 반응 및 가교 반응을 통해 결합될 수 있는 3차 알코올 단위체를 분자내에 동시에 포함된 구조를 가진다는 점이다. The characteristics of the thermally crosslinkable hole transport material of the present invention include an aryl amine unit in which a substituent such as benzene is substituted for an amine having high hole transport ability to impart hole transport characteristics to hole injection or / and hole transport layer composition. It has a structure in which a tertiary alcohol unit which can be chemically condensed with an arylamine derivative through a condensation reaction and a crosslinking reaction is simultaneously contained in the molecule.
이러한 아릴아민 및 3차 알코올을 모두 포함하는 화합물은 분자량 2000 이상의 고분자 형태이며, 박막 형성 후 가교 반응을 통해 고분자를 형성할 수 있다.The compound including both arylamine and tertiary alcohol is in the form of a polymer having a molecular weight of 2000 or more, and may form a polymer through a crosslinking reaction after forming a thin film.
이러한 아릴아민과 3차 알코올을 포함하는 고분자는 적절한 비율로 혼합한 후 산 촉매를 첨가하여 아릴아민을 포함하는 고분자와 3차 알코올을 포함하는 고분자 사이에 탈수 축합 반응이 일어나 두 고분자를 연결하게 된다. The polymer containing the arylamine and the tertiary alcohol is mixed at an appropriate ratio, and then an acid catalyst is added to dehydrate the condensation reaction between the polymer containing the arylamine and the polymer containing the tertiary alcohol, thereby connecting the two polymers. .
따라서 두 고분자의 가교화 반응은 고분자 내에 아릴아민 단위와 3차 알코올 단위가 각각 존재해야 하며, 아릴아민의 경우, 방향족 치환기의 반응성 자리(주로 질소의 파라 위치)에 반응할 수 있는 수소가 있어야 한다. 이러한 아릴아민과 3차 알코올의 함량이 높을수록 고도로 가교화된 고분자를 얻을 수 있다. Therefore, the crosslinking reaction of the two polymers must have arylamine units and tertiary alcohol units in the polymer, and in the case of arylamines, hydrogen must be able to react at the reactive sites of the aromatic substituents (primarily, para positions of nitrogen). . Higher content of such arylamines and tertiary alcohols can yield highly crosslinked polymers.
또한, 반응후 전하의 트랩으로 작용하거나 소자의 안정성에 영향을 줄 수 있는 OH기를 완전히 제거해주기 위해서는 아릴아민을 포함하는 고분자의 반응성 수소의 수가 3차 알코올 포함하는 고분자의 OH기의 개수보다 같거나 많은 것이 바람직하다.In addition, the number of reactive hydrogens in the polymer containing arylamine is equal to or greater than the number of OH groups in the polymer containing tertiary alcohol in order to completely remove the OH group which may act as a trap of charge after the reaction or affect the stability of the device. Many are preferred.
본 발명에 따른 열가교성 정공 전달 물질은 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같은 방향족 화합물의 친전자성 치환 반응을 이용하여 제조할 수 있다.The heat crosslinkable hole transport material according to the present invention can be prepared using an electrophilic substitution reaction of an aromatic compound as shown in Scheme 1 below.
구체적으로, 본 발명에 따른 열가교성 정공 전달 물질의 제조방법은 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물과, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물을 용매에 넣고, 산 촉매를 첨가한 조성물을 가교 결합시킬 수 있는 조건 하에서 열가교시켜 열가교성 정공 전달 물질을 제조하는 단계를 포함한다.Specifically, the method for preparing a thermally crosslinkable hole transport material according to the present invention includes at least one polymer or low molecular unit compound comprising an amine selected from the group consisting of Formula 1, Formula 2, and Formula 3, and Formula 4, Formula 5 And at least one polymer or low molecular unit compound comprising a tertiary alcohol selected from the group consisting of Chemical Formula 6 in a solvent, and thermally crosslinking hole transport material by thermal crosslinking under conditions capable of crosslinking the composition to which the acid catalyst is added. It comprises the step of preparing.
이때, 아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 한다.In this case, at least one of the compound containing the amine or the compound containing the tertiary alcohol is characterized in that the polymer.
상기 방법에 따라 본 발명에 따른 열가교성 정공 전달 물질을 포함하는 박막으로 제조할 수 있다. 반응 종결 후, 부산물인 물(H2O)과 촉매로 사용된 산이 박막에 잔존할 수 있으나, 추가적인 가열 공정을 통해 제거가 가능하다.According to the method it can be produced in a thin film comprising a heat crosslinkable hole transport material according to the present invention. After completion of the reaction, by-product water (H 2 O) and the acid used as catalyst may remain in the thin film, but can be removed by an additional heating process.
[반응식 1]Scheme 1
이때, 반응에 사용되는 산 촉매는 1가산 또는 2가산 이상의 다가산이며, 폼산, 아세트산, 프로피온산(Propionic acid), 부티르산(Butyric acid), 발레르산(Valeric acid), 옥살산(Oxalic acid), 벤조산(Benzoic acid), 카본산(Carbonic acid), 플루오로아세트산(Fluoroacetic acid), 다이플루오로아세트산(Difluoroacetic acid), 트리플루오로아세트산(Trifluoroacetic acid), 클로로아세트산(Chloroacetic acid), 디클로로아세트산(Dichloroacetic acid), 트리클로로아세트산(Trichloroacetic acid), 이소부티르산(Isobutyric acid) 등의 유기산과 HF, HCl, HBr, HI, 황산 등의 무기산이 사용될 수 있다. 또한, 트리플루오로보란:THF 등의 루이스 산도 사용될 수 있다. 이러한 유기산, 무기산 그리고 루이스산 등은 특별히 제한을 두지는 않지만, 바람직하게는 비점이 200℃ 이하인 산을 사용하는 것이 소자 특성에 양호할 수 있다.At this time, the acid catalyst used in the reaction is monoacid or diacid or higher polyacid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, oxalic acid, oxalic acid, benzoic acid ( Benzoic acid, Carbonic acid, Fluoroacetic acid, Difluoroacetic acid, Trifluoroacetic acid, Chloroacetic acid, Dichloroacetic acid Organic acids such as trichloroacetic acid and isobutyric acid, and inorganic acids such as HF, HCl, HBr, HI, and sulfuric acid may be used. In addition, Lewis acids such as trifluoroborane: THF can also be used. Such organic acids, inorganic acids, Lewis acids and the like are not particularly limited, but it is preferable to use an acid having a boiling point of 200 ° C. or less, which is good for device characteristics.
유기발광다이오드Organic light emitting diode
또한, 본 발명은 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 상기 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층;을 포함한 유기발광다이오드가 제공된다.In addition, the present invention is a substrate; A first electrode; Second electrode; And a first layer interposed between the first electrode and the second electrode and including the thermally crosslinkable hole transport material.
상기 열가교성 정공 전달 물질에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.Detailed description of the thermally crosslinkable hole transport material is described above.
상기 제1층은 정공수송층의 역할을 할 수 있다.The first layer may serve as a hole transport layer.
상기 유기발광다이오드 중 제1층 상부에는 발광층이 더 형성될 수 있다. 상기 발광층은 습식법에 기초하여 형성된 것일 수 있다.A light emitting layer may be further formed on the first layer of the organic light emitting diode. The light emitting layer may be formed based on a wet method.
상기 유기 발광 소자는 제1전극과 제2전극 사이에 상술한 바와 같은 제1층(예를 들면, 정공 수송층의 역할을 할 수 있음) 및 발광층 외에, 정공 주입층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting device may include a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the first layer (for example, may function as a hole transport layer) and the light emitting layer as described above between the first electrode and the second electrode. It may further comprise one or more layers selected from the group consisting of.
상기 유기발광다이오드의 제조방법은, The manufacturing method of the organic light emitting diode,
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the substrate;
상기 제1전극 상에 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물과, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물을 용매에 넣고 산 촉매를 첨가한 제1층 형성용 조성물을 용액 공정을 통해 성막한 후, 가교 결합시킬 수 있는 조건 하에서 열가교시켜 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층을 형성하는 단계; 및At least one polymer or low molecular unit compound comprising an amine selected from the group consisting of Formula 1, Formula 2, and Formula 3 on the first electrode, and 3 selected from the group consisting of Formulas 4, 5 and 6 The first layer-forming composition comprising the at least one polymer or the low molecular unit compound containing the primary alcohol in a solvent and added with an acid catalyst is formed through a solution process, and thermally crosslinked by heat crosslinking under conditions capable of crosslinking. Forming a first layer comprising a transfer material; And
상기 제1층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.And forming a second electrode on the first layer.
상기 제1층 형성 단계에서 용매는 클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름, 테트라히드로퓨란, 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The solvent in the first layer forming step may be chlorobenzene, toluene, xylene, chloroform, tetrahydrofuran, and the like, but is not limited thereto.
상기 제1층 형성용 조성물은 아민을 포함하는 고분자 또는 저분자량 단위체 1종과 3차 알코올을 포함하는 고분자 또는 저분자량 단위체 1종이 반드시 포함되어야 하며, 상기 아민 화합물 또는 3차 알코올 화합물 중 적어도 하나는 반드시 고분자이어야 한다.The first layer-forming composition must include one polymer or low molecular weight unit containing an amine and one polymer or low molecular unit containing a tertiary alcohol, at least one of the amine compound and the tertiary alcohol compound It must be a polymer.
따라서 상기 제1층 형성용 조성물의 조성은 화학식 1/화학식 4, 화학식 1/화학식 4, 화학식 2/화학식 4, 화학식 2/화학식 5의 2종의 고분자를 이용하는 방법, 화학식 1/화학식 4/화학식 5, 화학식 2/화학식 4/화학식 5, 화학식 1/화학식 2/화학식 4, 화학식 1/화학식 2/화학식 5의 3종의 고분자를 이용하는 방법, 그리고 화학식 1/화학식 2/화학식 4/화학식 5의 4종의 고분자를 이용하는 방법이 사용될 수 있다. Therefore, the composition of the composition for forming the first layer is a method using two kinds of polymers of Formula 1 / Formula 4, Formula 1 / Formula 4, Formula 2 / Formula 4, Formula 2 / Formula 5, Formula 1 / Formula 4 / Formula 5, Formula 2 / Formula 4 / Formula 5, Formula 1 / Formula 2 / Formula 4, Formula 1 / Formula 2 / Method of using three kinds of Formula 5, and the formula 1 / Formula 2 / Formula 4 / Formula 5 A method using four kinds of polymers can be used.
또한, 상기 제1층 형성용 조성물의 조성은 고분자와 단분자(저분자 단량체)를 이용할 수 있으며, 상기 고분자와 저분자를 이용하는 방법으로는, 화학식 1/화학식 6, 화학식 2/화학식 6, 화학식 3/화학식 4, 화학식 3/화학식 5의 1종의 고분자와 1종의 단분자를 이용하는 방법, 화학식 1/화학식 2/화학식 6, 화학식 3/화학식 4/화학식 5, 화학식 1/화학식 3/화학식 4, 화학식 1/화학식 3/화학식 5, 화학식 2/화학식 3/화학식 4, 화학식 2/화학식 3/화학식 5, 화학식 1/화학식 4/화학식 6, 화학식 1/화학식 5/화학식 6, 화학식 2/화학식 4/화학식 6, 화학식 2/화학식 5/화학식 6 등의 고분자 2종과 단분자 1종을 이용하는 방법이 사용될 수 있다. 또한 이와 같은 방법으로 고분자 1종과 단분자 2종, 고분자 2종과 단분자 2종, 고분자 3종과 단분자 1종, 고분자 3종과 단분자 2종, 고분자 4종과 단분자 1종 그리고 고분자 4종과 단분자 2종으로 구성된 조성물이 사용될 수 있다. 고분자 1종과 단분자 2종의 일 예로 화학식 1/화학식 3/화학식 6의 조성물, 고분자 2종과 단분자 2종의 일 예는 화학식 1/화학식 3/화학식 5/화학식 6의 조성물, 고분자 3종과 단분자 1종의 일 예로 화학식 1/화학식 2/화학식 3/화학식 4의 조성물, 고분자 3종과 단분자 2종의 일 예로 화학식 1/화학식 2/화학식 3/화학식 4/화학식 5의 조성물, 고분자 4종과 단분자 1종의 일 예로 화학식 1/화학식 2/화학식 3/화학식 4/화학식 5의 조성물로 구성될 수 있으며 상기의 예로 한정되는 것은 아니다. 고분자 4종과 단분자 2종의 경우 화학식 1/화학식 2/화학식 3/화학식 4/화학식 5/화학식 6으로 구성된 조성물로 구성될 수 있다.In addition, the composition of the composition for forming the first layer may be a polymer and a single molecule (low molecular monomer), and the method of using the polymer and the low molecule, Formula 1 / Formula 6, Formula 2 / Formula 6, Formula 3 / Method of using one polymer and one single molecule of Formula 4, Formula 3 / Formula 5, Formula 1 / Formula 2 / Formula 6, Formula 3 / Formula 4 / Formula 5, Formula 1 / Formula 3 / Formula 4, Formula 1 / Formula 3 / Formula 5, Formula 2 / Formula 3 / Formula 4, Formula 2 / Formula 3 / Formula 5, Formula 1 / Formula 4 / Formula 6, Formula 1 / Formula 5 / Formula 6, Formula 2 / Formula 4 A method using two kinds of polymers such as / Formula 6, Formula 2 / Formula 5 / Formula 6 and a single molecule can be used. In this way, one polymer and two single molecules, two polymers and two single molecules, three polymers and one single molecule, three polymers and two single molecule, four polymers and one single molecule and A composition consisting of four polymers and two single molecules may be used. An example of one polymer and two single molecules is a composition of Formula 1 / Chemical Formula 3 / Formula 6, one example of two polymers and two single molecules is a composition of Formula 1 / Formula 3 / Formula 5 / Formula 6, a polymer 3 As an example of one species and a single molecule, the composition of Formula 1 / Chemical Formula 2 / Chemical Formula 3 / Chemical Formula 4, and one example of three polymers and one single molecule is the composition of Chemical Formula 1 / Formula 2 / Formula 3 / Formula 4 / Formula 5 For example, one of four polymers and one single molecule may be composed of the composition of Formula 1 / Formula 2 / Formula 3 / Formula 4 / Formula 5, but is not limited thereto. In the case of four polymers and two single molecules, it may be composed of a composition consisting of Formula 1 / Formula 2 / Formula 3 / Formula 4 / Formula 5 / Formula 6.
상기 제1층 형성용 조성물은 용액의 조성에서 단위체의 함량을 고려하여 3차 알코올의 잔존량을 최소화할 수 있는 조성이 바람직하다. The composition for forming the first layer is preferably a composition capable of minimizing the amount of tertiary alcohol in consideration of the content of the unit in the composition of the solution.
상기 제1층 형성 단계에서 산 촉매는 폼산, 아세트산, 프로피온산(Propionic acid), 부티르산(Butyric acid), 발레르산(Valeric acid), 옥살산(Oxalic acid), 벤조산(Benzoic acid), 카본산(Carbonic acid), 플루오로아세트산(Fluoroacetic acid), 다이플루오로아세트산(Difluoroacetic acid), 트리플루오로아세트산(Trifluoroacetic acid), 클로로아세트산(Chloroacetic acid), 디클로로아세트산(Dichloroacetic acid), 트리클로로아세트산(Trichloroacetic acid), 이소부티르산(Isobutyric acid) 등의 유기산과 HF, HCl, HBr, HI, 황산 등의 무기산이 사용될 수 있다. 또한, 트리플루오로보란:THF의 루이스 산이 사용될 수 있다.The acid catalyst in the first layer forming step is formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, valeric acid, oxalic acid, benzoic acid, and carboxylic acid. ), Fluoroacetic acid, Difluoroacetic acid, Trifluoroacetic acid, Trifluoroacetic acid, Chloroacetic acid, Dichloroacetic acid, Trichloroacetic acid, Organic acids such as isobutyric acid and inorganic acids such as HF, HCl, HBr, HI and sulfuric acid may be used. In addition, Lewis acids of trifluoroborane: THF can be used.
상기 용액 공정은 스핀 코팅, 잉크젯 코팅 및 노즐젯 코팅으로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다.The solution process may be selected from the group consisting of spin coating, ink jet coating and nozzle jet coating.
열가교 조건은 아릴아민을 포함하는 고분자와 3차 알코올을 포함하는 고분자 사이에 가교 결합 반응이 진행될 수 있는 조건 중에서 선택될 수 있다. 상기 열가교 조건은 예를 들면 50~150℃의 저온에서 수행될 수 있다.The thermal crosslinking conditions may be selected from conditions under which a crosslinking reaction may proceed between a polymer including arylamine and a polymer including tertiary alcohol. The thermal crosslinking conditions may be carried out at a low temperature of, for example, 50 ~ 150 ℃.
상기 아릴아민을 포함하는 고분자와 3차 알코올을 포함하는 고분자 사이에 가교결합에 의해 형성된 열가교성 정공 전달 물질은 열가교 후, 용매에 실질적으로 불용성일 수 있다.The thermally crosslinkable hole transport material formed by crosslinking between the polymer including the arylamine and the polymer including the tertiary alcohol may be substantially insoluble in a solvent after thermal crosslinking.
본 명세서 중, "상기 열가교성 정공 전달 물질은 용매에 실질적으로 불용성이다"의 의미는, 상기 열가교성 정공 전달 물질이 표준 상태(1atm, 25℃)에서, 상기 용매에 10중량% 이하만이 용해되어, 상기 유기발광다이오드가 상기 제1층(정공수송층의 역할을 할 수 있음) 상에 발광층을 더 포함할 경우, 실질적으로, 상기 열가교성 정공 전달 물질을 포함하는 제1층과 발광층 사이에, 상기 열가교성 정공 전달 물질과 상기 발광층 형성용 물질이 혼합되어 있는 중간혼합층(intermixing layer)이 형성되지 않는 것을 의미한다.In the present specification, the meaning of “the heat crosslinkable hole transport material is substantially insoluble in a solvent” means that the heat crosslinkable hole transport material is dissolved in the solvent in a standard state (1 atm, 25 ° C.) only 10 wt% or less. When the organic light emitting diode further comprises a light emitting layer on the first layer (which may serve as a hole transport layer), substantially between the first layer and the light emitting layer comprising the heat crosslinkable hole transport material, This means that the intermixing layer in which the heat crosslinkable hole transport material and the light emitting layer forming material are mixed is not formed.
상기 중간혼합층은 발광층을 습식법을 이용하여 형성할 경우, 발광층 형성용 조성물에 포함된 용매에 의하여 이미 형성된 제1층의 일부 이상이 용해됨으로써, 제1층과 발광층 사이의 계면에 형성될 수 있는 것으로서, 상기 중간혼합층에 의하여 이미 형성된 제1층의 두께가 유지될 수 없는 등 유기 발광 소자의 성능이 저하될 수 있다.The intermediate mixed layer may be formed at an interface between the first layer and the light emitting layer by dissolving at least a portion of the first layer already formed by a solvent included in the light emitting layer forming composition when the light emitting layer is formed by a wet method. The performance of the organic light emitting device may be deteriorated, such that the thickness of the first layer formed by the intermediate mixed layer cannot be maintained.
그러나, 상기 제1층에 포함된 열가교성 정공 전달 물질은 통상의 유기 용매, 예를 들면, 발광층 형성용 조성물에 포함될 수 있는 용매에 대하여 실질적으로 불용성인 바, 제1층과 발광층 사이의 중간혼합층은 실질적으로 생성되지 않을 수 있어, 우수한 성능의 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.However, the heat crosslinkable hole transport material included in the first layer is substantially insoluble with respect to a conventional organic solvent, for example, a solvent that may be included in the light emitting layer forming composition, and thus, an intermediate mixed layer between the first layer and the light emitting layer. Can be substantially not produced, and an organic light emitting device having excellent performance can be obtained.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 유기발광다이오드는 제1 전극인 애노드(10)와 제2 전극인 캐소드(70), 이들 두 전극 사이에 배치된 발광층(40), 애노드(10)와 발광층(40) 사이에 배치된 정공전도층(20), 및 발광층(40)과 캐소드(70) 사이에 배치된 전자전도층(50)을 구비할 수 있다. 정공전도층(20)은 정공의 수송을 위한 정공수송층(25)과 정공의 주입을 용이하게 하기 위한 정공주입층(23)을 구비할 수 있다. 또한, 전자전도층(50)은 전자의 수송을 위한 전자수송층(55)와 전자의 주입을 용이하게 하기 위한 전자주입층(53)을 구비할 수 있다. 이에 더하여, 발광층(40)과 전자수송층(55) 사이에 정공블로킹층(미도시)이 배치될 수 있다. 또한, 발광층(40)과 정공수송층(25) 사이에 전자블로킹층(미도시)이 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 전자수송층(55)이 정공블로킹층의 역할을 수행할 수 있고, 또는 정공수송층(25)이 전자블로킹층의 역할을 수행할 수도 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode includes an
애노드(10)는 전도성 금속 산화물, 금속, 금속 합금, 또는 탄소재료일 수 있다. 전도성 금속 산화물은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide: ITO), 플루오린 틴 옥사이드(fluorine tin oxide: FTO), 안티몬 틴 옥사이드(antimony tin oxide, ATO), 플루오르 도프 산화주석(FTO), SnO2, ZnO, 또는 이들의 조합일 수 있다. 애노드(10)로서 적합한 금속 또는 금속합금은 Au와 CuI일 수 있다. 탄소재료는 흑연, 그라핀, 또는 탄소나노튜브일 수 있다.The
이러한 유기발광다이오드에 순방향 바이어스를 인가하면 애노드(10)에서 정공이 발광층(40)으로 유입되고, 캐소드(70)에서 전자가 발광층(40)으로 유입된다. 발광층(40)으로 유입된 전자와 정공은 결합하여 엑시톤을 형성하고, 엑시톤이 기저상태로 전이하면서 광이 방출된다.When forward bias is applied to the organic light emitting diode, holes are introduced into the
발광층(40)은 단일 발광 재료로 이루어질 수 있으며, 또는 발광 호스트 물질 및 발광 도펀트 물질을 포함할 수도 있다.The
한편, 정공주입층(23) 및/또는 정공수송층(25)은 애노드(10)의 일함수 준위와 발광층(40)의 HOMO 준위 사이의 HOMO 준위를 갖는 층들로, 애노드(10)에서 발광층(40)으로의 정공의 주입 또는 수송 효율을 높이는 기능을 한다. 또한, 전자주입층(53) 및/또는 전자수송층(55)은 캐소드(70)의 일함수 준위와 발광층(40)의 LUMO 준위 사이의 LUMO 준위를 갖는 층들로, 캐소드(70)에서 발광층(40)으로의 전자의 주입 또는 수송 효율을 높이는 기능을 한다.Meanwhile, the
이러한 정공주입층(23) 또는/및 정공수송층(25)은 앞서 설명한 본 발명에 따른 아민을 포함하는 고분자와 3차 알코올을 포함하는 고분자의 혼합물을 도포하고 열처리를 통해 중합 또는 가교 반응시켜 형성할 수 있다. 본 발명에 제시된 중합 또는 가교화된 정공 수송 물질은 전자블로킹층의 역할을 수행할 수도 있다. 또한, 본 발명에 제시된 아민을 포함하는 고분자와 3차 알코올을 포함하는 고분자의 중합 또는 가교로 이루어진 박막은 정공주입층(23) 또는 정공수송층(25) 중 하나의 층으로 사용될 수 있으며, 이 경우 본 발명의 물질이 적용된 층 이외의 정공주입층(23) 또는 정공수송층(25)은 일반적으로 사용되는 정공 수송 물질을 사용할 수 있다.The
일반적인 정공 수송물질은 예를 들면, mCP (N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene); PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrenesulfonate); NPD (N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-diphenylbenzidine); N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐(TPD); N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐; N,N,N'N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐; N,N,N'N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐; 코퍼(II)1,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포피린 등과 같은 포피린(porphyrin)화합물 유도체; TAPC(1,1-Bis[4-[N,N'-Di(p-tolyl)Amino]Phenyl]Cyclohexane); N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4, 4', 4'-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민과 같은 트리아릴아민 유도체; N-페닐카르바졸 및 폴리비닐카르바졸과 같은 카르바졸 유도체; 무금속 프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌 유도체; 스타버스트 아민 유도체; 엔아민스틸벤계 유도체; 방향족 삼급아민과 스티릴 아민 화합물의 유도체; 및 폴리실란 등일 수 있다.Common hole transporters are, for example, mCP (N, N-dicarbazolyl-3,5-benzene); PEDOT: PSS (poly (3,4-ethylenedioxythiophene): polystyrenesulfonate); NPD (N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenylbenzidine); N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl (TPD); N, N'-diphenyl-N, N'- dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N'N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N'N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl; Porphyrin compound derivatives such as copper (II) 1,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin and the like; TAPC (1,1-Bis [4- [N, N'-Di (p-tolyl) Amino] Phenyl] Cyclohexane); Triarylamine derivatives such as N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4, 4 ', 4'-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine; Carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole; Phthalocyanine derivatives such as metal-free phthalocyanine and copper phthalocyanine; Starburst amine derivatives; Enamine stilbene derivatives; Derivatives of aromatic tertiary amines and styryl amine compounds; And polysilanes and the like.
본 발명의 상기 아민을 포함하는 고분자와 3차 알코올을 포함하는 고분자를 이용하여 유기발광다이오드의 정공수송층을 형성하는 방법은 진공 증착 후 중합 또는 가교시키는 방법, 또는 적절한 용매를 이용하여 용액을 제조한 후, 용액 공정을 이용하여 박막을 형성하는 방법이 모두 사용될 수 있다. 바람직하게는 본 발명에 따른 정공수송층은 용액 공정을 이용하여 박막을 형성시킬 수 있으며, 상기 용액 공정으로는 스핀 코팅, 잉크젯 코팅, 노즐젯 코팅 등을 사용할 수 있다.The method of forming the hole transport layer of the organic light emitting diode using the polymer comprising the amine and the tertiary alcohol of the present invention is to polymerize or crosslink after vacuum deposition, or to prepare a solution using a suitable solvent. After that, all methods of forming a thin film using a solution process may be used. Preferably, the hole transport layer according to the present invention may form a thin film using a solution process, and the solution process may use spin coating, inkjet coating, nozzle jet coating, and the like.
정공 블로킹층은 삼중항 엑시톤 또는 정공이 캐소드(70) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 공지된 정공 저지 재료 중에서 임의로 선택될 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 사용할 수 있다.The hole blocking layer serves to prevent triplet excitons or holes from diffusing in the direction of the
전자수송층(55)은 TSPO1(diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl), 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), 2,5-디아릴 실롤 유도체(PyPySPyPy), 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), COTs (Octasubstituted cyclooctatetraene), TAZ(하기 화학식 참조), Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BCP(하기 화학식 참조), 또는 BAlq(하기 화학식 참조)일 수 있다.The
전자주입층(53)은 예를 들면, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, BaF2, 또는 Liq(리튬 퀴놀레이트)일 수 있다.The
캐소드(70)는 애노드(70)에 비해 낮은 일함수를 갖는 도전막으로, 예를 들어, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 인듐, 이트륨, 리튬, 은, 납, 세슘 등의 금속 또는 이들의 2종 이상의 조합을 사용하여 형성할 수 있다.The
애노드(10)와 캐소드(70)는 스퍼터링(sputtering)법, 기상증착법 또는 이온빔증착법을 사용하여 형성될 수 있다. 정공주입층(23), 정공수송층(25), 발광층(40), 정공 블로킹층, 전자수송층(55), 및 전자주입층(53)은 서로에 관계없이 증착법 또는 코팅법, 예를 들어 스프레잉, 스핀 코팅, 딥핑, 프린팅, 잉크젯 프린팅, 노즐젯 프린팅, 닥터 블레이딩법을 이용하거나, 또는 전기영동법을 이용하여 형성될 수 있다. The
유기발광다이오드는 기판(미도시) 상에 배치될 수 있는데, 기판은 애노드(10) 하부에 배치될 수도 있고 또는 캐소드(70) 상부에 배치될 수도 있다. 다시 말해서, 기판 상에 애노드(10)가 캐소드(70)보다 먼저 형성될 수도 있고 또는 캐소드(70)가 애노드(10)보다 먼저 형성될 수도 있다.The organic light emitting diode may be disposed on a substrate (not shown), which may be disposed under the
기판은 평판상의 부재로서 광투과성 기판일 수 있고, 이 경우, 상기 기판은 유리; 세라믹스재료; 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP) 등과 같은 고분자 재료로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 기판은 광반사가 가능한 금속기판일 수도 있다.The substrate may be a light transmissive substrate as a flat member, in which case the substrate is glass; Ceramic materials; It may be made of a polymer material such as polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polypropylene (PP) and the like. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate may be a metal substrate capable of light reflection.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 합성예 및 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 합성예 및 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 합성예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred synthesis examples and experimental examples are provided to help the understanding of the present invention. However, the following Synthesis Examples and Experimental Examples are only for better understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the following Synthesis Examples and Experimental Examples.
<< 합성예Synthesis Example 1 : One : 아민을Amines 포함하는 고분자의 제조> Preparation of Polymers Containing>
하기의 방식으로 정공수송 재료 중 하나인 아민을 포함하는 고분자를 제조하였다.A polymer including an amine, which is one of the hole transport materials, was prepared in the following manner.
구체적으로, 반응 플라스크에 1 당량의 4-브로모-N-(4-브로모페닐)-N-페닐아닐린과 1 당량의 9,9-다이헥실플루오렌-2,7-보로닉에시드 그리고 0.02의 Pd(PPh3)4을 첨가한 후, 10 당량의 K2CO3 2M 수용액과 테트라하이드로퓨란을 용매로 첨가하고 질소분위기하에서 80℃로 격렬하게 교반하면서 48시간 동안 반응시켰다. 이후, 0.005 당량의 페닐보로닉에시드를 첨가한 후 2시간 동안 반응시킨 후 다시 0.005 당량의 브로모벤젠 첨가한 후 2시간 동안 반응을 진행하였다. 반응이 종료된 후 반응물을 상온으로 내린 후 유기층을 분리하여 메탄올(유기 용매 부피의 10배~20배)에 부어 고형분을 침전시켰다. 고형분을 여과하고 여과된 고형분을 다시 다이클로로메탄에 녹인 후 메탄올에 재침전 시켰다. 여과를 통해 얻어진 노란색 고체를 진공건조하여 아민을 포함하는 화합물을 얻었다. Specifically, one equivalent of 4-bromo-N- (4-bromophenyl) -N-phenylaniline and one equivalent of 9,9-dihexylfluorene-2,7-boronic acid and 0.02 After addition of Pd (PPh 3 ) 4 , 10 equivalents of K 2 CO 3 2M aqueous solution and tetrahydrofuran were added as a solvent and reacted for 48 hours with vigorous stirring at 80 ° C. under a nitrogen atmosphere. Thereafter, after adding 0.005 equivalents of phenylboronic acid and reacting for 2 hours, the reaction was further performed after adding 0.005 equivalents of bromobenzene. After the reaction was completed, the reaction product was cooled to room temperature, the organic layer was separated, and poured into methanol (10 times to 20 times the volume of an organic solvent) to precipitate solids. The solid was filtered off, and the filtered solid was dissolved in dichloromethane and reprecipitated in methanol. The yellow solid obtained through filtration was vacuum dried to obtain a compound containing an amine.
합성예 1의 화합물 : 수율 60%, 수평균분자량 17,200, 다분산성 지수=2.0, 유리전이온도 70℃.Compound of Synthesis Example 1: yield 60%, number average molecular weight 17,200, polydispersity index = 2.0,
<< 합성예Synthesis Example 2 : 3차2: 3rd 알코올을 포함하는 고분자의 제조> Preparation of Polymers Containing Alcohol>
하기의 방식으로 정공수송 재료 중 하나인 3차 알코올을 포함하는 고분자를 제조하였다.A polymer including tertiary alcohol, which is one of the hole transport materials, was prepared in the following manner.
구체적으로, 1당량(플루오렌 잔기 기준)의 폴리(9,9-다이메틸플루오렌-코-플루오렌온)을 수분이 제거된 테트다하이드로퓨란 100ml에 녹인 후, 드라이아이스와 아세톤으로 -78℃로 낮추면서 질소 분위기에서 교반했다. 충분히 온도를 낮춘 후, 페닐마그네슘브로마이드 용액(1.2 당량)을 넣고 2시간 교반했다. 그 후 9-플루오렌온(2.83g, 15.71mmol)을 넣고 -78℃에서 2시간 동안 교반한 후 서서히 상온으로 올리면서 12시간 동안 반응시켰다. 반응이 종료된 후 반응물에 탄산수소소듐용액을 1.2당량 넣은 후 혼합 용액을 메탄올(혼합 용액 부피의 10배~20배)에 부어 고형분을 침전시켰다. 고형분을 여과하고 여과된 고형분을 다시 다이클로로메탄에 녹인 후 메탄올에 재침전시켰다. 여과를 통해 얻어진 흰색 고체를 진공 건조하여 3차 알코올을 포함하는 표제 고분자 화합물을 얻었다. Specifically, 1 equivalent (based on fluorene residues) of poly (9,9-dimethylfluorene-co-fluorenone) was dissolved in 100 ml of water-depleted tetdahydrofuran, and then -78 with dry ice and acetone. The mixture was stirred in a nitrogen atmosphere while lowering to ℃. After sufficiently lowering the temperature, a phenylmagnesium bromide solution (1.2 equivalents) was added thereto, followed by stirring for 2 hours. Then, 9-fluorenone (2.83 g, 15.71 mmol) was added thereto, stirred at -78 ° C. for 2 hours, and reacted for 12 hours while gradually raising to room temperature. After the reaction was completed, 1.2 equivalents of sodium hydrogen carbonate solution was added to the reaction mixture, and the mixed solution was poured into methanol (10 times to 20 times the volume of the mixed solution) to precipitate solids. The solid was filtered off, and the filtered solid was dissolved in dichloromethane and reprecipitated in methanol. The white solid obtained through filtration was vacuum dried to obtain the title polymer compound containing tertiary alcohol.
합성예 2의 화합물: 수율 43%, 수평균분자량 25,000, 다분산성 지수=1.8, 유리전이온도 82℃.Compound of Synthesis Example 2: yield 43%, number average molecular weight 25,000, polydispersity index = 1.8, glass transition temperature 82 ° C.
<< 제조예Production Example 1: One: 유기발광다이오드의Of organic light emitting diode 제조> Manufacture
애노드인 ITO(150 nm)가 증착된 유리 기판은 이소프로필 알코올을 용제로 초음파에서 30 분간 세정하였다. 세정한 ITO 기판을 단파장의 자외선을 이용하여 표면처리한 후, PEDOT:PSS 용액을 스핀코팅한 후 110 ℃에서 열처리하여 정공주입층을 형성하였다. 다음으로 상기 합성예 1에서 제조된 고분자와 합성예 2에서 제조된 고분자 (아민기와 알코올기의 몰비는 1:1 임)를 아세트산과 톨루엔 혼합용매(부피비로 1:3)에 0.5 wt%로 녹인 용액을 2000 rpm에서 30 초 동안 스핀 코팅하여 정공수송층을 형성하였다. 이후, 100 ℃에서 60 분간 열처리를 하여 열가교된 정공수송층을 제작하였다.The glass substrate on which the anode ITO (150 nm) was deposited was cleaned with isopropyl alcohol with a solvent for 30 minutes by ultrasonic waves. The cleaned ITO substrate was subjected to surface treatment using short-wave ultraviolet light, followed by spin coating a PEDOT: PSS solution and heat-treating at 110 ° C to form a hole injection layer. Next, the polymer prepared in Synthesis Example 1 and the polymer prepared in Synthesis Example 2 (the molar ratio of the amine group and the alcohol group are 1: 1) are dissolved at 0.5 wt% in an acetic acid and toluene mixed solvent (volume ratio 1: 3). The solution was spin coated at 2000 rpm for 30 seconds to form a hole transport layer. Thereafter, heat treatment was performed at 100 ° C. for 60 minutes to produce a heat-crosslinked hole transport layer.
이후, 발광층은 mCP(N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene)와 4Cz-IPN [2,4,5,6-tetra(9H-carbazol-9-yl)isophthalonitrile] 각각 발광 호스트 재료와 도펀트 재료로 사용하였다. 발광층 형성은 mCP와 4Cz-IPN을 무게비로 100 : 10로 정량하여 톨루엔에 용해시킨 후 스핀코팅을 실시하여 25 nm의 발광층을 형성하였다.Subsequently, the light emitting layer is a light emitting host material and a dopant material of mCP (N, N-dicarbazolyl-3,5-benzene) and 4Cz-IPN [2,4,5,6-tetra (9H-carbazol-9-yl) isophthalonitrile], respectively. Used as. The emission layer was formed by quantifying mCP and 4Cz-IPN in a weight ratio of 100: 10, dissolved in toluene, and spin-coated to form a 25 nm emission layer.
이후 공정은 증착 방법을 사용하였다. TPBi[1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠]를 1×10-6 torr의 압력 하에서 0.1 nm/s의 속도로 증착하여 30 nm의 전자수송층을 형성하였다. 이 후, 전자주입재료로서 LiF를 1×10-6 torr의 압력 하에서 0.01 nm/s의 속도로 증착하여 1 nm의 전자주입층을 형성하였다. 그 후, Al을 1×10-6 torr의 압력 하에서 0.5 nm/sec의 속도로 증착하여 120nm의 캐소드를 형성함으로써 유기발광다이오드를 형성하였다. 소자 형성후 CaO 흡습제와 유리 커버 글라스를 이용하여 소자를 밀봉하였다. 결과적으로 소자 구조는 ITO/PEDOT:PSS/합성예 1의 고분자:합성예 2의 고분자의 가교박막/mCP:4Cz-IPN/TPBi/LiF/Al 이었다. The process then used a deposition method. TPBi [1,3,5-tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene] was deposited at a rate of 0.1 nm / s under a pressure of 1 × 10 −6 torr to form an electron transport layer of 30 nm. . Thereafter, LiF was deposited as an electron injection material at a rate of 0.01 nm / s under a pressure of 1 × 10 −6 torr to form an electron injection layer of 1 nm. Thereafter, Al was deposited at a rate of 0.5 nm / sec under a pressure of 1 × 10 −6 torr to form a cathode of 120 nm to form an organic light emitting diode. After the device was formed, the device was sealed using a CaO absorbent and a glass cover glass. As a result, the device structure was ITO / PEDOT: PSS / crosslinked thin film / mCP: 4Cz-IPN / TPBi / LiF / Al of the polymer of Synthesis Example 1 and the polymer of Synthesis Example 2.
<< 제조예Production Example 2: 2: 유기발광다이오드의Of organic light emitting diode 제조> Manufacture
제조예 2는 상기 제조예 1에서 정공수송층 가교 박막 형성에 합성예 2의 고분자와 트라이페닐아민을 사용한 것 이외에 모두 동일하게 소자를 제작하였다. 결과적으로 소자 구조는 ITO/PEDOT:PSS/합성예 2의 고분자:트라이페닐아민의 가교박막/mCP:4Cz-IPN/TPBi/LiF/Al 이었다. In Preparation Example 2, all of the devices were manufactured in the same manner as in Preparation Example 1 except that the polymer and the triphenylamine of Synthesis Example 2 were used to form the hole transport layer crosslinked thin film. As a result, the device structure was ITO / PEDOT: PSS / crosslinked thin film of polymer: triphenylamine of Synthesis Example 2 / mCP: 4Cz-IPN / TPBi / LiF / Al.
<< 제조예Production Example 3: 3: 유기발광다이오드의Of organic light emitting diode 제조> Manufacture
제조예 3은 제조예 1에서 정공수송층 가교 박막 형성에 합성예 1의 고분자와 아래의 다이올 단분자 1을 사용한 것 이외에 모두 동일하게 소자를 제작하였다. 결과적으로 소자 구조는 ITO/PEDOT:PSS/합성예 1의 고분자:다이올 단분자 1의 가교박막/mCP:4Cz-IPN/TPBi/LiF/Al 이었다. In Preparation Example 3, the device was manufactured in the same manner as in Preparation Example 1 except that the polymer of Synthesis Example 1 and the following diol single molecule 1 were used to form the cross-linked thin film. As a result, the device structure was ITO / PEDOT: PSS / crosslinked thin film / mCP: 4Cz-IPN / TPBi / LiF / Al of polymer: diol single molecule 1 of Synthesis Example 1.
<< 제조예Production Example 4: 4: 유기발광다이오드의Of organic light emitting diode 제조> Manufacture
제조예 4는 제조예 1에서 정공수송층 가교 박막 형성에 합성예 1의 고분자와 합성예 2의 고분자 그리고 트리페닐아민을 사용한 것 이외에 모두 동일하게 소자를 제작하였다. 결과적으로 소자 구조는 ITO/PEDOT:PSS/합성예 1의 고분자:합성예 2의 고분자:트리페닐아민의 가교박막/mCP:4Cz-IPN/TPBi/LiF/Al 이었다. In Preparation Example 4, a device was manufactured in the same manner as in Preparation Example 1 except that the polymer of Synthesis Example 1, the polymer of Synthesis Example 2, and triphenylamine were used to form the cross-linked thin film. As a result, the device structure was crosslinked thin film / mCP: 4Cz-IPN / TPBi / LiF / Al of ITO / PEDOT: PSS / polymer of Synthesis Example 1 polymer: Triphenylamine.
<< 비교예Comparative example 1: One: 유기발광다이오드의Of organic light emitting diode 제조> Manufacture
비교예 1은 제조예 1에서 정공수송층 재료로 사용된 합성예 1의 고분자:합성예 2의 고분자의 가교박막 대신 폴리비닐카바졸(분자량 100만)로 사용한 것 이외에 모두 동일하게 소자를 제작하였다. 결과적으로 소자 구조는 ITO/PEDOT:PSS/폴리비닐카바졸/mCP:4Cz-IPN/TPBi/LiF/Al 이었다.Comparative Example 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the polyvinylcarbazole (molecular weight of 1 million) was used instead of the crosslinked thin film of the polymer of Synthesis Example 1 used as the hole transport layer material in Synthesis Example 2. As a result, the device structure was ITO / PEDOT: PSS / polyvinylcarbazole / mCP: 4Cz-IPN / TPBi / LiF / Al.
제조예 1 내지 4 및 비교예 1에서 제조된 유기발광다이오드의 소자 성능 데이터를 하기 표 1에 나타내었다.Device performance data of the organic light emitting diodes prepared in Preparation Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 are shown in Table 1 below.
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 고분자형 열중합형 정공 전달 물질로 제조된 정공수송층을 포함하는 유기발광다이오드는 종래 정공 전달 물질로 제조된 유기발광다이오드에 비하여 양자효율, 전류효율 및 전력 효율이 향상된 효과를 나타내므로, 유기발광다이오드에 유용하게 사용될 수 있다.As shown in Table 1, the organic light emitting diode including the hole transport layer made of the polymer type thermal polymerization hole transport material of the present invention is quantum efficiency, current efficiency and power efficiency compared to the organic light emitting diode made of the conventional hole transport material Since this exhibits an improved effect, it can be usefully used for organic light emitting diodes.
10 : 애노드
20 : 정공전도층
23 : 정공주입층
25 : 정공수송층
40 : 발광층
50 : 전자전도층
53 : 전자주입층
55 : 전자전달층
70 : 캐소드10: anode
20: hole conductive layer
23: hole injection layer
25: hole transport layer
40: light emitting layer
50: electron conductive layer
53: electron injection layer
55 electron transport layer
70: cathode
Claims (17)
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
(상기 화학식 1 내지 화학식 6에서,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬아릴기이고,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
CoM은 하기 화학식 CoM-1 내지 화학식 CoM-39로 이루어진 군으로부터 선택되고,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,
m 및 n은 각각 5~200의 정수이고,
o는 0~10의 정수이고,
p는 2~10의 정수이고,
x, y 및 z는 각각 0~10의 정수이다)
At least one polymer or low molecular unit comprising an amine selected from the group consisting of Formulas 1, 2, and 3, and at least a tertiary alcohol selected from the group consisting of Formulas 4, 5 and 6 A polymer or a low molecular unit is a polymer type heat crosslinked hole transport material condensation polymerization and crosslinked under an acid catalyst, wherein at least one of a compound containing an amine or a compound containing a tertiary alcohol is a polymer Type heat crosslinkable hole transport material.
[Formula 1]
[Formula 2]
[Formula 3]
[Formula 4]
[Formula 5]
[Formula 6]
(In Formula 1 to Formula 6,
Ar 1 to Ar 4 are independently a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, heteroaryl group, arylalkyl group or alkylaryl group,
R and R 1 to R 6 are Independently of each other a substituted or unsubstituted C 1 -C 9 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 6- C 30 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted From the group consisting of a substituted arylamine, a substituted or unsubstituted fused arylamine group, a substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, a substituted or unsubstituted thiol group, a substituted or unsubstituted sulfoxide and sulfone group Selected,
CoM is selected from the group consisting of Formula CoM-1 to Formula CoM-39,
A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m and n are each an integer of 5 to 200,
o is an integer from 0 to 10,
p is an integer from 2 to 10,
x, y and z are each an integer from 0 to 10)
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 벤젠, 피리딘, 피롤, 퓨란 및 싸이오펜으로 이루어지는 비융합고리형 방향족 치환기; 헤테로 비융합고리형 방향족 치환기; 나프탈렌, 안트라센, 트라이페닐렌, 파이렌 및 페릴렌으로 이루어지는 융합고리 방향족 치환기; 및 카바졸, 플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 스파이로플루오렌으로 이루어지는 다이벤조형 융합고리 치환기 중에서 선택되고,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C4의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C12의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
CoM은 하기 화학식 CoM-1 내지 화학식 CoM-39로 이루어진 군으로부터 선택되고,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,
m 및 n은 각각 5~100의 정수이고,
o는 0~5의 정수이고,
p는 2~5의 정수이며,
x, y 및 z는 각각 0~5의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질.
The method of claim 1,
Ar 1 to Ar 4 are each independently a non-fused ring aromatic substituent consisting of benzene, pyridine, pyrrole, furan and thiophene; Hetero fused ring aromatic substituents; Fused ring aromatic substituents consisting of naphthalene, anthracene, triphenylene, pyrene and perylene; And a dibenzo type fused ring substituent consisting of carbazole, fluorene, dibenzofuran, dibenzothiophene and spirofluorene,
R and R 1 to R 6 are each independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 4 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 12 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 12 aryl Group, substituted or unsubstituted C 6 -C 12 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 12 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 12 heteroaryl group, substituted or unsubstituted Aryloxy group, substituted or unsubstituted arylamine, substituted or unsubstituted fused arylamine group, substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, substituted or unsubstituted thiol group, substituted or unsubstituted Selected from the group consisting of sulfoxide and sulfone groups,
CoM is selected from the group consisting of Formula CoM-1 to Formula CoM-39,
A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m and n are each an integer of 5 to 100,
o is an integer from 0 to 5,
p is an integer from 2 to 5,
x, y and z are each an integer of 0 to 5, the polymer type heat crosslinked hole transport material.
상기 화학식 1의 고분자 내의 아민 단량체의 구조는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질.
The method of claim 1,
The structure of the amine monomer in the polymer of Formula 1 is a polymer type thermal crosslinked hole transport material, characterized in that selected from the group consisting of the formula (1-1) to (1-12).
상기 화학식 2의 고분자 내의 아민 단량체의 구조는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-9로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질.
The method of claim 1,
The structure of the amine monomer in the polymer of Formula 2 is a polymer type heat crosslinked hole transport material, characterized in that selected from the group consisting of the formula (2-1) to (2-9).
화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 아민을 포함하는 화합물은 벤젠기의 오르쏘 또는 파라 위치에 반응성 수소를 가지고, 상기 반응성 수소는 3차 알코올을 포함하는 화합물의 OH기의 개수보다 같거나 많은 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질.
The method of claim 1,
Compounds containing an amine of Formula 1, Formula 2 or Formula 3 have a reactive hydrogen at the ortho or para position of the benzene group, the reactive hydrogen being equal to or greater than the number of OH groups of the compound comprising tertiary alcohol. Polymeric thermal crosslinkable hole transport material characterized in that.
상기 열가교성 정공 전달 물질은 분자량이 2000 이상인 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질.
The method of claim 1,
The thermally crosslinkable hole transport material is a polymer type heat crosslinkable hole transport material, characterized in that the polymer having a molecular weight of 2000 or more.
상기 기판 상의 제1전극;
상기 제1전극 상의 제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 제1항의 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층;을 포함한 유기발광다이오드.
Board;
A first electrode on the substrate;
A second electrode on the first electrode; And
An organic light emitting diode comprising: a first layer interposed between the first electrode and the second electrode and comprising the thermally crosslinkable hole transport material of claim 1.
상기 제1층은 정공수송층인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
The method of claim 8,
The first layer is an organic light emitting diode, characterized in that the hole transport layer.
상기 유기발광다이오드는 상기 제1층 상부에 형성된 발광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드.
The method of claim 8,
The organic light emitting diode further comprises a light emitting layer formed on the first layer.
상기 제1전극 상에 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물과, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물을 용매에 넣고, 산 촉매를 첨가한 제1층 형성용 조성물을 용액 공정을 통해 성막한 후, 가교 결합시킬 수 있는 조건 하에서 열가교시켜 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층을 형성하는 단계; 및
상기 제1층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,
아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 하는 제8항의 유기발광다이오드의 제조방법.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
(상기 화학식 1 내지 화학식 6에서,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3-C30의 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴알킬기 또는 알킬아릴기이고,
R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,
CoM은 하기 화학식 CoM-1 내지 화학식 CoM-39로 이루어진 군으로부터 선택되고,
A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,
m 및 n은 각각 5~200의 정수이고,
o는 0~10의 정수이고,
p는 2~10의 정수이고,
x, y 및 z는 각각 0~10의 정수이다)
Forming a first electrode on the substrate;
At least one polymer or low molecular unit compound comprising an amine selected from the group consisting of Formula 1, Formula 2, and Formula 3 on the first electrode, and 3 selected from the group consisting of Formulas 4, 5 and 6 At least one polymer or low molecular unit compound containing a primary alcohol is placed in a solvent, and the composition for forming a first layer including an acid catalyst is formed through a solution process, and then thermally crosslinked by heat crosslinking under conditions capable of crosslinking. Forming a first layer comprising a hole transport material; And
Forming a second electrode on the first layer;
At least one of a compound containing an amine or a compound containing a tertiary alcohol is a method for producing the organic light emitting diode of claim 8, characterized in that the polymer.
[Formula 1]
[Formula 2]
[Formula 3]
[Formula 4]
[Formula 5]
[Formula 6]
(In Formula 1 to Formula 6,
Ar 1 to Ar 4 are independently a substituted or unsubstituted C 3 -C 30 aryl group, heteroaryl group, arylalkyl group or alkylaryl group,
R and R 1 to R 6 are Independently substituted or unsubstituted C 1 -C 9 alkyl groups, substituted or unsubstituted C 5 -C 30 cycloalkyl groups, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl groups, substituted or unsubstituted C 6- C 30 alkylaryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or unsubstituted From the group consisting of a substituted arylamine, a substituted or unsubstituted fused arylamine group, a substituted or unsubstituted phosphine or phosphine oxide group, a substituted or unsubstituted thiol group, a substituted or unsubstituted sulfoxide and sulfone group Selected,
CoM is selected from the group consisting of Formula CoM-1 to Formula CoM-39,
A is carbon or silicon hybridizing with sp 3 ,
m and n are each an integer of 5 to 200,
o is an integer from 0 to 10,
p is an integer from 2 to 10,
x, y and z are each an integer from 0 to 10)
상기 용매는 클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름 및 테트라히드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법.
The method of claim 11,
The solvent is a method of manufacturing an organic light emitting diode, characterized in that selected from the group consisting of chlorobenzene, toluene, xylene, chloroform and tetrahydrofuran.
상기 산 촉매는 폼산, 아세트산, 프로피온산(Propionic acid), 부티르산(Butyric acid), 발레르산(Valeric acid), 옥살산(Oxalic acid), 벤조산(Benzoic acid), 카본산(Carbonic acid), 플루오로아세트산(Fluoroacetic acid), 다이플루오로아세트산(Difluoroacetic acid), 트리플루오로아세트산(Trifluoroacetic acid), 클로로아세트산(Chloroacetic acid), 디클로로아세트산(Dichloroacetic acid), 트리클로로아세트산(Trichloroacetic acid), 이소부티르산(Isobutyric acid), HF, HCl, HBr, HI, 황산 및 루이스 산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법.
The method of claim 11,
The acid catalyst is formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, butyric acid, valeric acid, oxalic acid, benzoic acid, benzoic acid, carbonic acid, fluoroacetic acid ( Fluoroacetic acid, Difluoroacetic acid, Trifluoroacetic acid, Chloroacetic acid, Dichloroacetic acid, Trichloroacetic acid, Isobutyric acid , HF, HCl, HBr, HI, sulfuric acid and Lewis acid method of manufacturing an organic light emitting diode, characterized in that selected from the group consisting of.
상기 용액 공정은 스핀 코팅, 잉크젯 코팅 및 노즐젯 코팅으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법.
The method of claim 11,
The solution process is a method of manufacturing an organic light emitting diode, characterized in that selected from the group consisting of spin coating, ink jet coating and nozzle jet coating.
상기 열가교는 50~150℃의 저온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법.
The method of claim 11,
The thermal crosslinking method of manufacturing an organic light emitting diode, characterized in that carried out at a low temperature of 50 ~ 150 ℃.
상기 제1층은 정공수송층인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법.
The method of claim 11,
The first layer is a method of manufacturing an organic light emitting diode, characterized in that the hole transport layer.
상기 제1층은 열가교 후, 용매에 불용성인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법.The method of claim 11,
The first layer is a method of manufacturing an organic light emitting diode, characterized in that insoluble in a solvent after thermal crosslinking.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20170063039 | 2017-05-22 | ||
KR1020170063039 | 2017-05-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180127907A KR20180127907A (en) | 2018-11-30 |
KR102076855B1 true KR102076855B1 (en) | 2020-02-12 |
Family
ID=64561125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180046563A KR102076855B1 (en) | 2017-05-22 | 2018-04-23 | thermal polymerization type hole transport material with high molecular weight and organic light emitting diode using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102076855B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230006090A (en) | 2021-07-02 | 2023-01-10 | 재단법인대구경북과학기술원 | Thermal cross-linkable hole transport material, light emitting diode including same and method for manufacturing the same |
KR20230157740A (en) | 2022-05-10 | 2023-11-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | Thermal cross-linkable hole transport material, light emitting diode including same and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101117426B1 (en) * | 2010-05-24 | 2012-02-29 | 단국대학교 산학협력단 | Organic solar cell and manufacturing method thereof |
CA2853977C (en) * | 2011-11-18 | 2016-05-24 | Greene, Tweed & Co. | Crosslinking compounds for high glass transition temperature polymers |
KR20130074815A (en) | 2011-12-20 | 2013-07-05 | 한국과학기술원 | All solution processible light-emitting device |
KR101445002B1 (en) | 2012-11-29 | 2014-09-26 | 가톨릭대학교 산학협력단 | Thermal Crosslinkable Hole Transporting Polymer and Organic Electronic Devices Using the Same |
KR102090704B1 (en) * | 2013-06-12 | 2020-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
KR20160054870A (en) * | 2014-11-07 | 2016-05-17 | (주)피엔에이치테크 | An electroluminescent compound and an electroluminescent device comprising the same |
-
2018
- 2018-04-23 KR KR1020180046563A patent/KR102076855B1/en active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230006090A (en) | 2021-07-02 | 2023-01-10 | 재단법인대구경북과학기술원 | Thermal cross-linkable hole transport material, light emitting diode including same and method for manufacturing the same |
KR20230157740A (en) | 2022-05-10 | 2023-11-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | Thermal cross-linkable hole transport material, light emitting diode including same and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180127907A (en) | 2018-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102003639B1 (en) | thermal polymerization type hole transport material with low molecular weight and organic light emitting diode using the same | |
JP4766198B2 (en) | Composition for organic device, polymer film and organic electroluminescent element | |
TWI438173B (en) | Anthracene derivatives, organic electronic devices using anthracene derivatives, and electronic apparatuses comprising organic electronic device | |
JP5742092B2 (en) | Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
KR102093552B1 (en) | Novel single molecule thermal polymerization type hole transport material and organic light emitting diode using the same | |
JP5434088B2 (en) | Crosslinkable organic compound, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device and organic EL display | |
KR102229736B1 (en) | Monoamine compound, charge-transporting material, composition for charge-transporting film, organic electroluminescent element, organic el display device and organic el lighting | |
US20080220289A1 (en) | Organic light emitting device and ink composition each using oligofluorene compound and display apparatus | |
US8227096B2 (en) | Arylamine compound and organic electroluminescence device | |
US20060046094A1 (en) | Organic electroluminescence device | |
KR20080053837A (en) | Dendritic polymer containing metal phthalocyanine, preparation method thereof and the organic light emitting diodes using the same | |
US6403238B1 (en) | Organic light-emitting diodes (OLED) including poly[2-methoxy-5-(2′-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene-1,2-ethenylene-2,5-dimethoxy-1,4-phenylene-1,2-ethenylene] as electroluminescent material | |
JP5617202B2 (en) | Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting | |
KR20170029563A (en) | Hole transporting cyclobutene compound | |
US6395411B1 (en) | Display device adopting light-emitting compound as color-developing substance | |
JP3939533B2 (en) | Electroluminescent polymer introduced with fluorene and electroluminescent device using the same | |
KR101883739B1 (en) | Polymer blend, organic light emitting diodes using the same and method for controlling charge mobility of the emitting layer of thereof | |
US8404361B2 (en) | Electroluminescent material and device | |
JP4160355B2 (en) | Organic EL device | |
KR102076855B1 (en) | thermal polymerization type hole transport material with high molecular weight and organic light emitting diode using the same | |
JP2007194338A5 (en) | ||
KR100811058B1 (en) | A highly polymerized compound for emitting light and organic electroluminecent diode using that compound | |
JP2008016504A (en) | Organic electric field light emitting element | |
KR20200142310A (en) | Low molecular weight crosslinking type hole injection and transport materials not containing saturated hydrocarbons and organic light emitting diodes using the same | |
KR20200142307A (en) | Crosslinkable polymer type hole injection and transporting materials not containing saturated hydrocarbons and organic light emitting devices using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |