KR102075065B1

KR102075065B1 - 터치 센서 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR102075065B1
Application number: KR1020170020933A
Authority: KR
Inventors: 윤주인; 이재현; 최용석
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2017-02-16
Filing date: 2017-02-16
Publication date: 2020-02-07
Also published as: CN108446045A; CN108446045B; US10642392B2; KR20180094596A; US20180232090A1

Abstract

본 발명의 터치 센서는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 필름, 제1 영역의 베이스 필름 상에 배치되며 투명 금속 산화물로 구성된 제1 센싱 전극 패턴, 및 제2 영역의 베이스 필름 상에 배치되며, 투명 금속 산화물 패턴 및 금속 패턴의 복층 구조를 포함하는 제2 센싱 전극 패턴을 포함한다. 상이한 적층 구조의 제1 센싱 전극 패턴 및 제2 센싱 전극 패턴을 형성하여 고투과, 고감도 특성을 함께 향상시킬 수 있다.

Description

터치 센서 및 이의 제조 방법{TOUCH SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 복층 구조의 전극 패턴들을 포함하는 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 정보화 기술(IT)이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.

한편, 상기 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 패널(touch panel)이 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다.

상기 디스플레이 장치가 박형화되면서, 접거나 구부릴 수 있는 플렉시블(유연성) 특성 구현이 시도되고 있으며, 이에 따라 상기 터치 패널 역시 플렉시블 디스플레이 장치에 채용될 수 있도록 개발될 필요가 있다.

상기 터치 패널이 상기 디스플레이 장치에 삽입되는 경우 전극 패턴들의 시인에 의한 표시 품질 저하가 초래될 수 있다. 따라서, 터치 패널의 유연화, 박형화를 구현하면서, 광학적 특성을 함께 향상시킬 필요가 있다. 또한, 상기 광학적 특성과 함께 고감도 센서 구현을 위한 전극 패턴 설계 역시 고려될 필요가 있다.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학 및 감도 특성이 함께 향상된 박형 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.

한국공개특허 제2014-0092366호

본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적 특성이 향상된 터치 센서를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적 특성이 향상된 터치 센서의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적 특성이 향상된 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.

1. 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 필름; 상기 제1 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치되며 투명 금속 산화물로 구성된 제1 센싱 전극 패턴들; 및 상기 제2 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치되며, 투명 금속 산화물 패턴 및 금속 패턴의 복층 구조를 포함하는 제2 센싱 전극 패턴들을 포함하는, 터치 센서.

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴은 상기 제2 센싱 전극 패턴보다 높은 면저항 및 광투과도를 갖는, 터치 센서.

3. 위 1에 있어서, 상기 제2 센싱 전극 패턴은 제1 투명 금속 산화물 패턴, 상기 금속 패턴 및 제2 투명 금속 산화물 패턴의 순차 적층 구조를 포함하는, 터치 센서.

4. 위 3에 있어서, 상기 제1 투명 금속 산화물 패턴은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하며, 상기 제2 투명 금속 산화물 패턴은 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는, 터치 센서.

5. 위 1에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴은 인듐 주석 산화물(ITO) 단일층 구조를 갖는, 터치 센서.

6. 위 1에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴들 중 이웃하는 일부 패턴들을 서로 전기적으로 연결시키며, 상기 제2 센싱 전극 패턴들 중 이웃하는 일부 패턴들을 서로 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴들을 더 포함하는, 터치 센서.

7. 위 6에 있어서, 상기 브릿지 패턴들은 금속을 포함하며, 상기 베이스 필름 상에서 상기 제1 센싱 전극 패턴들 및 상기 제2 센싱 전극 패턴들 아래에 배치되는, 터치 센서.

8. 위 7에 있어서, 상기 베이스 필름은 제3 영역을 포함하며, 상기 제3 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치된 패드를 더 포함하는, 터치 센서.

9. 위 8에 있어서, 상기 패드는 금속을 포함하는 제1 도전 패턴 및 투명 금속 산화물을 포함하는 제2 도전 패턴의 적층 구조를 갖는, 터치 센서.

10. 위 9에 있어서, 상기 제1 도전 패턴은 상기 브릿지 패턴에 포함된 금속과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제2 도전 패턴은 상기 제1 센싱 전극 패턴에 포함된 투명 금속 산화물과 동일한 물질을 포함하는, 터치 센서.

11. 위 8에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 상에 형성되며 상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 제2 센싱 전극 패턴을 커버하는 패시베이션 층을 더 포함하는, 터치 센서.

12. 위 11에 있어서, 상기 패시베이션 층은 상기 패드가 노출되도록 상기 제3 영역의 상기 베이스 필름을 부분적으로 덮는, 터치 센서.

13. 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 필름을 준비하는 단계;

상기 베이스 필름 상에 제1 투명 금속 산화물층을 형성하는 단계;

상기 제2 영역의 상기 제1 투명 금속 산화물층 상에 상기 제1 투명 금속 산화물층보다 저항이 낮은 저저항 패턴을 형성하는 단계;

상기 저저항 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제1 투명 금속 산화물층을 식각함으로써, 상기 제2 영역 내에 상기 저저항 패턴을 포함하는 제2 센싱 전극 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 제1 영역의 상기 베이스 필름 상에 투명 금속 산화물로 구성된 제1 센싱 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.

14. 위 13에 있어서, 상기 베이스 필름을 준비하는 단계는,

캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계; 및 상기 분리층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.

15. 위 14에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 제2 센싱 전극 패턴을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 기판을 상기 분리층으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.

16. 위 13에 있어서, 상기 베이스 필름은 제3 영역을 더 포함하며,

상기 제3 영역의 상기 베이스 필름 상에 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.

17. 위 16에 있어서, 상기 제2 센싱 전극 패턴을 형성한 후 제2 투명 금속 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 패드는 상기 제2 투명 금속 산화물층을 식각하여 함께 형성되는, 터치 센서의 제조 방법.

18. 위 16에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 패드는 상기 제1 투명 금속 산화물층을 식각하여 함께 형성되는, 터치 센서의 제조 방법.

19. 위 13에 있어서, 상기 제1 투명 금속 산화물층을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 필름 상에 금속층을 식각하여 브릿지 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 브릿지 패턴을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며,

상기 제1 투명 금속 산화물층은 상기 절연층 상에 형성되어 상기 콘택 홀들 중 적어도 일부를 채우는, 터치 센서의 제조 방법.

20. 굴곡부 및 평면부를 포함하는 윈도우 필름; 및 상기 윈도우 필름 아래에 배치되는 위 1 내지 12 중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하며,

상기 제1 영역의 터치 센서 부분은 상기 평면부에 배치되고, 상기 제2 영역의 터치 센서 부분은 상기 굴곡부에 배치되는, 화상 표시 장치.

본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서에 있어서, 고투과 특성 및 고감도 특성을 각각 요구하는 영역에 따라 상이한 적층 구조의 전극 패턴을 설계하여 터치 센서의 광학적 특성 및 전기적 특성을 함께 향상시킬 수 있다.

예시적인 실시예들에 있어서, 고투과 특성 요구 영역에서는 전극 패턴을 투명 금속 산화물 단일층으로 형성하고, 고감도 특성 요구 영역에서는 전극 패턴을 투명 금속 산화물층 및 금속층의 복층 구조로 설계할 수 있다. 따라서, 상기 고투과 특성 요구 영역에서는 투과율이 향상되고 전극 패턴의 시인이 억제될 수 있으며, 상기 고감도 특성 요구 영역에서는 채널 저항 감소를 통해 신호 전달 속도가 향상될 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 상기 고투과 특성 영역은 화상 표시 장치의 전면에 배치되고, 상기 고감도 특성 요구 영역은 화상 표시 장치의 측부 또는 굴곡부에 배치되어 표시 품질을 저해하지 않으면서 고감도 정보 전달을 함께 구현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 도 10은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11 및 도 12는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 13 및 도 14는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 15는 일부 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 16은 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략도이다.

본 발명의 실시예들은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 필름, 상기 제1 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치되며, 투명 금속 산화물로 구성된 제1 센싱 전극 패턴들, 및 상기 제2 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치되며 투명 금속 산화물 패턴 및 금속 패턴의 복층 구조를 포함하는 제2 센싱 전극 패턴들을 포함하며, 고감도 및 고투과 특성이 동시 구현가능한 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다. 또한, 상기 터치 센서가 포함되는 화상 표시 장치가 제공된다.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 상기 터치 센서는 제1 영역(I), 제2 영역(II) 및 제3 영역(III)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 필름(100) 역시 제1 영역(I), 제2 영역(II) 및 제3 영역(III)으로 구분될 수 있으며, 기재층(100)의 제1 영역(I), 제2 영역(II) 및 제3 영역(III) 상에 각각 제1 센싱 전극 패턴(137), 제2 센싱 전극 패턴(140) 및 패드(150)가 배치될 수 있다.

도 1에서, 설명의 편의를 위해 제3 영역(III)이 제2 영역(II)의 우측에 인접하도록 도시되었으나, 제3 영역(III)의 위치가 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 제3 영역(III)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 인접하도록 배치될 수 있다. 또한, 제3 영역(III)에 복수의 패드들(150)이 배치될 수 있으며, 패드들(150)을 통해 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에 배치된 제1 및 제2 센싱 전극 패턴들(137, 140)로의 구동 신호가 공통적으로 송, 수신 될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 영역(I)은 제2 영역(II)보다 높은 투과도를 갖는 영역일 수 있다. 제2 영역(II)은 제1 영역(I)보다 낮은 저항 및/또는 높은 터치 감도를 갖는 영역일 수 있다. 제3 영역(III)은 상기 터치 센서의 패드 영역, 트레이스 영역 또는 배선 영역일 수 있다. 예를 들면, 연성 인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board: FPCB)이 제3 영역(III)에 형성된 패드(150)와 접속될 수 있다.

베이스 필름(100)은 후술하는 터치 센서의 도전성 패턴 및 절연성 구조물들을 형성하기 위한 지지층으로 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 베이스 필름(100)은 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 분리층(102) 및 보호층(104)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 베이스 필름(100)은 도 9에 도시된 바와 같이 기재층(70)을 포함할 수도 있다.

베이스 필름(100) 상에는 브릿지(bridge) 패턴들(110)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 브릿지 패턴들(110)은 신호 전달 효율 및 감도 향상을 위해 예를 들면, 투명 금속 산화물보다 저항이 낮은 금속 또는 합금을 포함할 수 있다. 예를 들면, 브릿지 패턴들(110)은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 금(Au), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 코발트(Co), 텅스텐(W), 아연(Zn), 철(Fe), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 브릿지 패턴(110)에 의해 이웃하는 센싱 전극 패턴들(137, 140) 중 일부가 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

브릿지 패턴들(110)은 베이스 필름(100)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 부분들 상에 배치될 수 있다. 제3 영역(III)의 베이스 필름(100) 부분 상에는 제1 도전 패턴(115)이 배치될 수 있다. 제1 도전 패턴(115)은 브릿지 패턴(110)과 실질적으로 동일한 도전 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 도전 패턴(115)은 상술한 금속 또는 합금을 포함할 수 있다. 제1 도전 패턴(115)은 브릿지 패턴들(110)과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다.

베이스 필름(100) 상에는 브릿지 패턴(110)을 부분적으로 덮는 절연층(120)이 형성될 수 있다. 절연층(120) 내에는 브릿지 패턴(110)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(125)이 형성될 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 절연층(120)은 베이스 필름(100)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 절연층(120)은 제3 영역(III) 상으로는 연장되지 않을 수 있다.

절연층(120)은 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질, 또는 아크릴계 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다.

절연층(120) 상에는 센싱 전극 패턴(137, 140)들이 배치될 수 있다. 제1 영역(I) 상에는 제1 센싱 전극 패턴(137)이 배치되며, 제2 영역(II) 상에는 제2 센싱 전극 패턴(140)이 배치될 수 있다. 센싱 전극 패턴들(137, 140) 중 일부는 절연층(120) 내에 형성된 콘택 홀(125)을 통해 브릿지 패턴(110)과 전기적으로 연결될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 센싱 전극 패턴(137)은 제2 센싱 전극 패턴(140)보다 높은 저항(예를 들면, 면저항 또는 동일 너비에서의 채널 저항)을 가지며, 제2 센싱 전극 패턴(140)보다 높은 광투과도를 가질 수 있다.

제1 센싱 전극 패턴(137)은 도전성 투명 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 센싱 전극 패턴(137)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 알루미늄아연산화물(AZO), 갈륨아연산화물(GZO), 인듐주석아연산화물(ITZO), 아연주석산화물(ZTO), 인듐갈륨산화물(IGO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO) 등과 같은 투명 금속 산화물을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 센싱 전극 패턴(137)은 투과도 향상을 위해 ITO를 포함할 수 있다. 제1 센싱 전극 패턴(137)은 상기 투명 금속 산화물의 단일층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 센싱 전극 패턴(137)은 ITO로 구성된 단일층 구조일 수 있다.

제2 센싱 전극 패턴(140)은 도전성 투명 금속 산화물층 및 금속층을 포함하는 복층 구조를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 센싱 전극 패턴(140)은 절연층(120)의 상면으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 금속 산화물 패턴(135), 금속 패턴(143) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)을 포함하는 3층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 센싱 전극 패턴(140)은 제1 투명 금속 산화물 패턴(135) 및 금속 패턴(143)의 2층 구조를 가질 수도 있다.

제1 투명 금속 산화물 패턴(135)은 제1 영역(I) 상에 형성된 제1 센싱 전극 패턴(137)과 실질적으로 동일한 투명 금속 산화물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 투명 금속 산화물 패턴(135)은 ITO를 포함할 수 있다.

금속 패턴(143)은 Ag, Pd, Au, Al, Cu, Pt, Co, W, Zn, Fe, Ni, Ti, Ta, Cr, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 예를 들면, 금속 패턴(143)은 저저항 구현 및 플렉시블 특성 구현을 위해 Ag-Pd-Cu와 같은 합금을 포함할 수 있다.

제2 투명 금속 산화물 패턴(145)은 예를 들면, 저저항 특성 구현을 위해 제1 투명 금속 산화물 패턴(135)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)은 IZO를 포함할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 금속 패턴(143) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)은 제1 센싱 전극 패턴(137)보다 저항이 낯은 저저항 패턴(147)으로 기능하며, 제1 투명 금속 산화물 패턴(135) 상에 배치될 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 저저항 패턴(147)은 금속 패턴(143)의 단일층 구조를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 저저항 패턴(147)이 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)을 더 포함함에 따라, 금속 패턴(143)에 의해 야기되는 반사율 증가 또는 투과도 저하를 완충할 수 있다.

제1 센싱 전극 패턴(137) 및 제2 센싱 전극 패턴(140)은 각각 제1 패턴들(137a, 140a) 및 제2 패턴들(137b, 140b)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 패턴들(137a, 140a)은 서로 분리됨 섬(island) 타입의 패턴들을 포함할 수 있다. 제2 패턴들(137b, 140b)은 예를 들면, 다각형 형상의 단위 패턴들이 연결부에 의해 서로 연결되어 라인 형상으로 연장될 수 있다.

제2 패턴(137b, 140b)을 사이에 두고 서로 인접하는 제1 패턴들(137a, 140a)은 브릿지 패턴(110)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 패턴들(137b, 140b) 및 제1 패턴들(137a, 140a)은 서로 절연을 유지하며 교차하도록 연장될 수 있다. 브릿지 패턴(110)은 상술한 바와 같이, 저저항 금속을 포함할 수 있으며, 이에 따라 제1 패턴들(137a, 140a)을 통한 신호 전달 효율, 감도가 향상될 수 있다.

제3 영역(III)의 제1 도전 패턴(115) 상에는 제2 도전 패턴(139)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 도전 패턴(139)은 제1 센싱 전극 패턴(137) 및 제1 투명 금속 산화물 패턴(135)에 포함된 투명 금속 산화물과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 도전 패턴(139)은 ITO를 포함할 수 있다.

제3 영역(III) 상에 배치된 제1 도전 패턴(115) 및 제2 도전 패턴(139)의 적층 구조물은 패드(150)로 제공될 수 있다. 투명 금속 산화물을 포함하는 제2 도전 패턴(139)이 금속을 포함하는 제1 도전 패턴(115)을 커버함에 따라, 패드(150)의 외부 노출에 따른 산화를 방지할 수 있으며, 제3 영역(III)에서의 투과도도 향샹시킬 수 있다.

절연층(120) 상에는 패시베이션 층(160)이 형성되어, 제1 및 제2 센싱 전극 패턴들(137, 140)을 커버할 수 있다. 패시베이션 층(160)은 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 산화물, 또는 유기 절연물질을 포함할 수 있다.

패시베이션 층(160)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에 선택적으로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 패시베이션 층(160)은 제3 영역(III)으로 부분적으로 연장하며, 패드(150)의 상면은 커버하지 않을 수 있다.

상술한 본 발명의 실시예들에 따르면, 고투과 특성이 필요한 제1 영역(I)의 센싱 전극 패턴은 투명 금속 산화물 단일층 구조를 가지며, 고감도 특성이 필요한 제2 영역(II)의 센싱 전극 패턴은 투명 금속 산화물 패턴 및 금속 패턴을 포함하는 복층 구조를 가질 수 있다. 따라서, 제2 영역(II)에서는 센싱 전극 패턴의 소정의 투과율을 유지하면서 면저항 또는 동일 너비에서의 채널 저항을 감소시킬 수 있으며, 제1 영역(I)에서는 센싱 전극 패턴의 소정의 채널 저항을 유지하면서, 투과율을 향상시킬 수 있다.

예를 들면, 제2 영역(II)에 배치된 제2 센싱 전극 패턴(140)은 제1 영역(I)에 배치된 제1 전극 패턴(137)보다 큰 두께를 가지며, 작은 채널 너비(패턴 너비)를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 센싱 전극 패턴(140)에 포함된 단위 패턴의 너비는 약 30 내지 150㎛ 일 수 있으며, 제1 센싱 전극 패턴(137)에 포함된 단위 패턴의 너비는 약 1000 내지 5000㎛ 일 수 있다.

또한, 제2 센싱 전극 패턴(140)의 채널 저항은 약 2,000 내지 10,000Ω 일 수 있으며, 제1 센싱 전극 패턴(137)의 채널 저항은 약 10,000 내지 25,000 Ω 일 수 있다.

도 1에 도시된 실시예들에 따르면, 상기 터치 센서는 금속을 포함하는 브릿지 패턴(110)이 센싱 전극 패턴들(137, 140)의 아래에 배치되는 바텀-브릿지(Bottom Bridge) 구조를 가질 수 있다. 저저항 금속을 포함하는 브릿지 패턴(110)을 시인면(예를 들면, 패시베이션 층(160) 상면)으로부터 멀리 배치함으로써, 광반사를 감소시키면서 채널 저항을 감소시킬 수 있다.

도 2 내지 도 9는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 2를 참조하면, 캐리어 기판(90) 상에 순차적으로 분리층(102) 및 보호층(104)을 형성할 수 있다.

캐리어 기판(90)으로서, 예를 들면 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 분리층(102)은 캐리어 기판(90)으로부터 후속 박리 공정을 용이하게 수행하기 위한 기능층으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 분리층(102)은 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스티렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate), 쿠마린(coumarin), 프탈리미딘(phthalimidine), 칼콘(chalcone), 방향족 아세틸렌계 등의 고분자를 포함하도록 형성될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다.

분리층(102)은 상술한 고분자를 포함하는 분리층 조성물을 예를 들면, 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 당 분야에 공지된 방법을 사용하여 캐리어 기판(90) 상에 도포후 경화 공정을 통해 형성될 수 있다.

보호층(104)은 터치 센서의 전극 패턴들의 보호 및 상기 전극 패턴들과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다. 예를 들면, 보호층(104)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질, 또는 고분자 계열의 유기 절연 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.

분리층(102) 및 보호층(104)은 후속 공정을 위한 베이스 필름(100)으로 함께 제공될 수 있다. 베이스 필름(100)은 터치 센서의 영역에 따라, 제1 영역(I), 제2 영역(II) 및 제3 영역(III)으로 구분될 수 있다. 제1 영역(I), 제2 영역(II) 및 제3 영역(III)은 각각 고투과 영역, 고감도 영역 및 패드 영역에 해당될 수 있다.

도 3을 참조하면, 베이스 필름(100) 상에 브릿지 패턴들(110) 및 제1 도전 패턴(115)을 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 금속 또는 합금을 포함하는 도전막을 베이스 필름(100) 상에 형성한 후, 상기 도전막을 제1 포토 마스크를 사용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 브릿지 패턴들(110) 및 제1 도전 패턴(115)을 형성할 수 있다.

브릿지 패턴들(110)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에 형성되며, 제1 도전 패턴(115)은 제3 영역(III) 상에 형성될 수 있다.

도 4를 참조하면, 베이스 필름(100) 상에 브릿지 패턴들(110)을 부분적으로 커버하는 절연층(120)을 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 아크릴계 수지 등을 포함하는 감광성 유기 조성물을 스핀 코팅 공정 등을 도포한 후, 제2 포토 마스크를 사용한 노광 공정 및 현상 공정을 통해 절연층(120)을 형성할 수 있다.

절연층(120) 내에서는 브릿지 패턴(110)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들(125)이 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 절연층(120)은 제3 영역(III) 상에서는 실질적으로 제거되어 제1 도전 패턴(115)이 노출될 수 있다.

도 5를 참조하면, 제2 영역(II)의 절연층(120) 부분 상에 제1 투명 금속 산화물층(130)을 형성하고, 제1 투명 금속 산화물층(130) 상에 저저항 패턴(147)을 형성할 수 있다. 저저항 패턴(147)은 제2 영역(II) 상에 선택적으로 형성되며, 복수의 저저항 패턴들(147)이 형성될 수 있다.

일 실시예에 있어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 투명 금속 산화물층(130)은 제2 영역(II) 상에 선택적으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 투명 금속 산화물층(130)은 콘택 홀(125)을 채우며 브릿지 패턴(110)과 접촉할 수 있다.

저저항 패턴(147)은 금속층 및 제2 투명 금속 산화물 층을 형성한 후 이를 제3 포토 마스크를 사용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 저저항 패턴(147)은 제1 투명 금속 산화물층(130) 상에 순차적으로 형성된 금속 패턴(143) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 투명 금속 산화물층(130) 및 상기 제2 투명 금속 산화물 층은 각각 ITO 및 IZO를 포함하도록 형성될 수 있다. 제1 투명 금속 산화물층(130), 상기 금속층 및 상기 제2 투명 금속 산화물층은 화학 기상 증착(CVD) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정, 물리 기상 증착(PVD) 공정 등과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.

도 6을 참조하면, 저저항 패턴(147)을 식각 마스크로 사용하여 제1 투명 금속 산화물층(130)을 부분적으로 식각함으로써 제1 투명 금속 산화물 패턴(135)을 형성할 수 있다. 상기 식각 공정은 ITO에 식각 선택비를 갖는 식각액 또는 식각 가스를 사용하여 수행될 수 있다.

상기 식각 공정에 의해 제2 영역(II) 상에는 절연층(120) 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 금속 산화물 패턴(135) 및 저저항 패턴(147)을 포함하는 제2 센싱 전극 패턴(140)이 형성될 수 있다.

제2 센싱 전극 패턴(140)은 제1 패턴(140a) 및 제2 패턴(140b)을 포함할 수 있다. 제1 패턴(140a)은 분리된 섬 패턴 형상을 가질 수 있으며, 제2 패턴(140b)을 사이에 두고 서로 이웃하는 제1 패턴들(140a)이 브릿지 패턴(110)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

도 7을 참조하면, 제1 영역(I) 및 제3 영역(III) 상에 각각 제1 센싱 전극 패턴(137) 및 제2 도전 패턴(139)을 형성할 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 영역(I) 및 제3 영역(III) 상에 선택적으로 제3 투명 금속 산화물층을 형성하고, 상기 제3 투명 금속 산화물층을 제4 포토 마스크를 사용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 제1 센싱 전극 패턴(137) 및 제2 도전 패턴(139)을 형성할 수 있다.

상기 제3 투명 금속 산화물층은 제1 영역(I)에서 절연층(120) 상에 형성되어 콘택 홀들(125)을 채울 수 있다. 상기 제3 투명 금속 산화물층은 제1 투명 금속 산화물층(130)과 실질적으로 동일한 물질을 포함하도록 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제3 투명 금속 산화물층은 ITO를 포함하도록 형성될 수 있다.

제1 센싱 전극 패턴(137)은 제1 패턴(137a) 및 제2 패턴(137b)을 포함할 수 있다. 제1 패턴(137a)은 분리된 섬 패턴 형상을 가질 수 있으며, 제2 패턴(137b)을 사이에 두고 서로 이웃하는 제1 패턴들(137a)이 브릿지 패턴(110)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 도전 패턴(139)은 제1 도전 패턴(115) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 금속층 및 투명 금속 산화물층이 적층된 패드(150)가 제3 영역(III) 상에 형성될 수 있다.

도 8을 참조하면, 절연층(120) 및 베이스 필름(100) 상에 제1 센싱 전극 패턴(137), 제2 센싱 전극 패턴(140) 및 패드(150)를 덮는 패시베이션 층(160)을 형성할 수 있다. 패시베이션 층(160)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질을 포함하도록 상술한 증착 공정 또는 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 패시베이션 층(160)은 제1 내지 제3 영역들(I, II, III) 상에 공통적으로 연속적으로 형성될 수 있다.

도 9를 참조하면, 패시베이션 층(160) 상에 보호 필름(170)을 부착시킬 수 있다. 예를 들면, 보호 필름(170)은 셀룰로오스 에스테르(예: 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 프로피오네이트, 셀룰로오스 부티레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 및 니트로셀룰로오스), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르-이미드, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에테르 케톤, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐 계열의 투명 수지 필름을 포함할 수 있다. 상술한 재질은 단독으로 혹은 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.

예를 들면, 패시베이션 층(160) 상에 제1 점착층을 형성하고, 상기 제1 점착층을 통해 보호 필름(170)을 부착시킬 수 있다.

이후, 캐리어 기판(90)을 분리층(102)으로부터 박리 또는 분리시키고, 캐리어 기판(90)이 분리된 분리층(102)의 표면에 기재층(70)을 부착할 수 있다. 예를 들면, 기재층(70)의 일면 상에 제2 점착층을 형성하고, 상기 제2 점착층을 통해 기재층(70) 및 분리층(102)을 접합할 수 있다. 기재층(70)은 예를 들면, 폴리이미드와 같은 유연성 수지 필름, 또는 편광 필름과 같은 각종 광학 기능층을 포함할 수 있다.

도 10을 참조하면, 열 경화 공정을 수행하여 상기 제1 점착층의 박리력을 감소시킨 후, 보호 필름(170)을 제거할 수 있다. 이후, 제3 영역(III) 상에 형성된 패시베이션 층(160) 부분을 제거하여 패드(150)를 노출시킬 수 있다.

이후, 패시베이션 층(160) 또는 기재층(70) 상에 편광 필름, 위상차 필름 등과 같은 화상 표시 장치의 기능성 층들이 추가로 적층될 수도 있다. 또한, FPCB를 패드(150)를 통해 연결시킬 수 있다.

상술한 바와 같이, 일체화된 하나의 터치 센서 제조 공정을 통해 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에 다른 적층 구조의 센싱 전극 패턴들(137, 140)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 저저항 패턴(147)을 제2 센싱 전극 패턴(140)의 구성으로 포함시킴과 동시에 제2 센싱 전극 패턴(140) 형성을 위한 마스크 패턴으로 활용하여 영역별 특성에 적합한 센싱 전극 구조를 구현할 수 있다.

도 11 및 도 12는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 2 내지 도 10을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들에 대한 상세한 설명은 생략된다.

도 11을 참조하면, 도 2 내지 도 4를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들이 수행될 수 있다. 이후, 제1 투명 금속 산화물층(130a)을 형성한 후, 제2 영역(II)의 제1 투명 금속 산화물층(130a) 부분 상에 금속 패턴(143) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)을 포함하는 저저항 패턴(147)을 형성할 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 제1 투명 금속 산화물층(130a)은 제1 내지 제3 영역(I, II, III)들 상에 공통으로, 연속적으로 형성될 수 있다. 제1 투명 금속 산화물층(130a)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에서 절연층을 커버하며, 콘택 홀들(125)을 채울수 있다. 또한, 제1 투명 금속 산화물층(130a)은 제3 영역(III) 상에서 제1 도전 패턴(115)을 덮을 수 있다.

도 12를 참조하면, 사진 식각 공정을 통해 제1 투명 금속 산화물층(130a)을 패터닝하여 제1 센싱 전극 패턴(137), 제2 센싱 전극 패턴(140) 및 제2 도전 패턴(139)을 형성할 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 제2 영역(II) 상에서는 저저항 패턴(147)이 실질적으로 식각 마스크로 사용되어 제2 센싱 전극 패턴(140)이 형성될 수 있다. 제1 영역(I) 및 제3 영역(III) 상에서는 포토 마스크(예를 들면, 제4 포토 마스크)가 사용되어 각각 제1 센싱 전극 패턴(137) 및 제2 도전 패턴(139)이 형성될 수 있다. 제2 도전 패턴(139)은 제1 도전 패턴(115) 상에 적층되어 패드(150)가 정의될 수 있다.

이후, 예를 들면 도 8 내지 도 10을 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들이 수행되어 터치 센서가 제조될 수 있다.

상술한 실시예들에 따르면, 제1 센싱 전극 패턴(137), 제2 센싱 전극 패턴(140) 및 제2 도전 패턴(139)이 제1 투명 금속 산화물층(130a)으로부터 실질적으로 동시에 일괄적으로 형성될 수 있으며, 공정 용이성 및 경제성이 향상될 수 있다.

도 13 및 도 14는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 13을 참조하면, 도 2 내지 도 4를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들이 수행될 수 있다. 이후, 제1 투명 금속 산화물층(130b)을 형성한 후, 제2 영역(II) 및 제3 영역(III)의 제1 투명 금속 산화물층(130b) 부분 상에 각각 제1 저저항 패턴(147a) 및 제2 저저항 패턴(147b)을 형성할 수 있다.

제1 저저항 패턴(147a) 및 제2 저저항 패턴(147b)은 각각 금속 패턴(143) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(145)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 투명 금속 산화물층(130b)은 제2 영역(II) 및 제3 영역(III) 상에 선택적으로 형성되며, 제2 영역(II)의 절연층(100) 부분 및 제1 도전 패턴(115)을 커버할 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 제2 영역(II) 및 제3 영역(III) 사이의 단차에 의해 제1 투명 금속 산화물층(130b)은 제3 영역(III) 상에서 상대적으로 낮은 상면을 가질 수 있다.

도 14를 참조하면, 제1 및 제2 저저항 패턴들(147a, 147b)을 식각 마스크로 사용한 사진 식각 공정을 통해 제1 투명 금속 산화물층(130b)을 패터닝할 수 있다.

이에 따라, 제2 영역(II) 및 제3 영역(III) 상에는 각각 제1 투명 금속 산화물층(130b)으로부터 제1 투명 금속 산화물 패턴(135) 및 제2 도전 패턴(139)이 형성될 수 있다. 제2 영역(II) 상에서는 제1 투명 금속 산화물 패턴(135) 및 제1 저저항 패턴(147a)을 포함하는 제2 센싱 전극 패턴(140)이 형성되며, 제3 영역(III) 상에서는 제1 도전 패턴(115), 제2 도전 패턴(139) 및 제2 저저항 패턴(147b)이 적층된 패드(155)가 형성될 수 있다.

이후, 도 7을 참조로 설명한 바와 같이, 제1 영역(I) 상에 제1 센싱 전극 패턴을 형성하고 도 8 내지 도 10을 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들이 수행되어 터치 센서가 제조될 수 있다.

상술한 실시예들에 따르면, 패드(155) 역시 저저항 패턴(147b)을 포함하도록 형성되어 패드(155)를 통한 신호 전송의 저항이 감소될 수 있다. 따라서, 터치 센서의 감도, 동작 속도가 보다 향상될 수 있다.

도 15는 일부 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대한 상세한 설명은 생략된다. 도 15를 참조하면, 상기 터치 센서는 브릿지 패턴(240)이 센싱 전극 패턴(210, 220) 상에 배치되는 탑-브릿지(Top-Bridge) 구조를 가질 수 있다.

제1 영역(I) 상에 배치되는 제1 센싱 전극 패턴(210)은 ITO와 같은 투명 금속 산화물의 단일층 구조를 가질 수 있다. 제2 영역(II) 상에 배치되는 제2 센싱 전극 패턴(220)은 베이스 필름(100)의 상면으로부터 순차적으로 적층된 제1 투명 금속 산화물 패턴(221), 금속 패턴(223) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(225)을 포함할 수 있다.

일부 실시예들에 있어서, 제1 투명 금속 산화물 패턴(221) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(225)은 각각 ITO 및 IZO를 포함할 수 있다. 금속 패턴(223) 및 제2 투명 금속 산화물 패턴(225)에 의해 저저항 패턴이 정의될 수 있다.

브릿지 패턴(240)은 금속을 포함하며, 절연층(230) 상에 형성될 수 있다. 브릿지 패턴(240)은 절연층(230) 내에 형성된 콘택 홀을 통해 센싱 전극 패턴들(210, 220) 중 이웃하는 일부 패턴들을 전기적으로 연결시킬 수 있다.

제3 영역(III)의 베이스 필름(100) 부분 상에는 패드(245)가 배치될 수 있다. 패드(245)는 브릿지 패턴(240)과 실질적으로 동일한 사진 식각 공정을 통해 형성되며, 금속을 포함할 수 있다.

도 16은 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략도이다.

도 16을 참조하면, 화상 표시 장치(40)은 표시부(50) 및 비표시부(60)를 포함할 수 있다. 표시부(50)를 통해 이미지가 구현되며, 터치 입력을 위한 아이콘 등이 표시될 수 있다. 비표시부(60)는 예를 들면, 상기 화상 표시 장치의 베젤부 또는 차광부에 해당될 수 있다.

표시부(50)는 제1 평면부(54) 및 제1 굴곡부(52)를 포함할 수 있다. 상술한 터치 센서는 화상 표시 장치(40)의 외부에 노출되는 윈도우 필름 아래에 배치될 수 있다.

예시적인 실시예들에 따르면, 터치 센서의 고투과 영역에 해당되는 제1 영역(I)은 제1 평면부(54)에 배치될 수 있다. 터치 센서의 고감도 영역에 해당되는 제2 영역(II)은 제1 굴곡부(52)에 배치될 수 있다.

실질적으로 사용자에게 정면으로 화상이 구현되는 제1 평면부(54)에 예를 들면, ITO 단일층의 센싱 전극 패턴을 배치시킴으로써, 투과도를 향상시킬 수 있다. 또한, 화상 표시 장치(40)의 측부에 배치되는 제1 굴곡부(52)에 저저항 패턴을 포함하는 복층 구조의 센싱 전극 패턴을 배치시킴으로써, 터치 센서의 신호 전달 감도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

터치 센서의 제3 영역(III)은 예를 들면, 비표시부(60)에 배치될 수 있다. 비표시부(60)는 예를 들면 제2 평면부(62) 및 제2 굴곡부(64)를 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이, 화상이 표시되는 영역에 따라 고투과 센싱 전극 패턴 및 고감도 센싱 전극 패턴을 배열함으로써, 투과율 및 터치 감도가 함께 향상된 화상 표시 장치를 구현할 수 있다.

상기 화상 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device), 전계발광 표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등 각종 화상 표시 장치의 표시 패널을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 터치 센서는 상기 표시 패널 및 윈도우 필름 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 센서는 플렉시블 디스플레이 장치의 터치 센서층 또는 터치 패널로 적용되어 고투명, 고감도, 고유연성의 화상 표시 장치가 구현될 수 있다.

40: 화상 표시 장치 50: 표시부
60: 비표시부 52: 제1 굴곡부
54: 제1 평면부 62: 제2 평면부
64: 제2 굴곡부 70: 기재층
90: 캐리어 기판 100: 베이스 필름
102: 분리층 104: 보호층
110, 240: 브릿지 패턴 115: 제1 도전 패턴
120, 230: 절연층
130, 130a, 130b: 제1 투명 금속 산화물층
135, 221: 제1 투명 금속 산화물 패턴
137, 210: 제1 센싱 전극 패턴 139: 제2 도전 패턴
140, 220: 제2 센싱 전극 패턴 143, 223: 금속 패턴
145, 225: 제2 투명 금속 산화물 패턴
147: 저저항 패턴 150, 155, 245: 패드
160: 패시베이션 층 170: 보호 필름

Claims

제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 필름;
상기 제1 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치되며, 투명 금속 산화물의 단일층 구조를 갖는 제1 센싱 전극 패턴들; 및
상기 제2 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치되며, 투명 금속 산화물 패턴 및 금속 패턴의 복층 구조를 포함하는 제2 센싱 전극 패턴들을 포함하며,
상기 제1 영역은 상기 제2 영역보다 투과율이 높고,
상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 터치 감도가 높으며,
상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 제2 센싱 전극 패턴 각각은, 서로 절연을 유지하며 교차하는 제1 패턴 및 제2 패턴을 포함하는, 터치 센서.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴은 상기 제2 센싱 전극 패턴보다 높은 면저항 및 광투과도를 갖는, 터치 센서.
청구항 1에 있어서, 상기 제2 센싱 전극 패턴은 제1 투명 금속 산화물 패턴, 상기 금속 패턴 및 제2 투명 금속 산화물 패턴의 순차 적층 구조를 포함하는, 터치 센서.
청구항 3에 있어서, 상기 제1 투명 금속 산화물 패턴은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하며, 상기 제2 투명 금속 산화물 패턴은 인듐 아연 산화물(IZO)을 포함하는, 터치 센서.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴은 인듐 주석 산화물(ITO) 단일층 구조를 갖는, 터치 센서.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴들 중 이웃하는 일부 패턴들을 서로 전기적으로 연결시키며, 상기 제2 센싱 전극 패턴들 중 이웃하는 일부 패턴들을 서로 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴들을 더 포함하는, 터치 센서.
청구항 6에 있어서, 상기 브릿지 패턴들은 금속을 포함하며, 상기 베이스 필름 상에서 상기 제1 센싱 전극 패턴들 및 상기 제2 센싱 전극 패턴들 아래에 배치되는, 터치 센서.
청구항 7에 있어서, 상기 베이스 필름은 제3 영역을 포함하며, 상기 제3 영역의 상기 베이스 필름 상에 배치된 패드를 더 포함하는, 터치 센서.
청구항 8에 있어서, 상기 패드는 금속을 포함하는 제1 도전 패턴 및 투명 금속 산화물을 포함하는 제2 도전 패턴의 적층 구조를 갖는, 터치 센서.
청구항 9에 있어서, 상기 제1 도전 패턴은 상기 브릿지 패턴에 포함된 금속과 동일한 물질을 포함하며, 상기 제2 도전 패턴은 상기 제1 센싱 전극 패턴에 포함된 투명 금속 산화물과 동일한 물질을 포함하는, 터치 센서.
청구항 8에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 상에 형성되며 상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 제2 센싱 전극 패턴을 커버하는 패시베이션 층을 더 포함하는, 터치 센서.
청구항 11에 있어서, 상기 패시베이션 층은 상기 패드가 노출되도록 상기 제3 영역의 상기 베이스 필름을 부분적으로 덮는, 터치 센서.
제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 베이스 필름을 준비하는 단계;
상기 베이스 필름 상에 제1 투명 금속 산화물층을 형성하는 단계;
상기 제2 영역의 상기 제1 투명 금속 산화물층 상에 상기 제1 투명 금속 산화물층보다 저항이 낮은 저저항 패턴을 형성하는 단계;
상기 저저항 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제1 투명 금속 산화물층을 식각함으로써, 상기 제2 영역 내에 상기 저저항 패턴을 포함하는 제2 센싱 전극 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제1 영역의 상기 베이스 필름 상에 투명 금속 산화물의 단일층 구조를 갖는 제1 센싱 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제1 영역은 상기 제2 영역보다 투과율이 높고,
상기 제2 영역은 상기 제1 영역보다 터치 감도가 높으며,
상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 제2 센싱 전극 패턴 각각은, 서로 절연을 유지하며 교차하는 제1 패턴 및 제2 패턴을 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
청구항 13에 있어서, 상기 베이스 필름을 준비하는 단계는,
캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계; 및
상기 분리층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
청구항 14에 있어서,
상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 제2 센싱 전극 패턴을 덮는 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및
상기 캐리어 기판을 상기 분리층으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
청구항 13에 있어서, 상기 베이스 필름은 제3 영역을 더 포함하며,
상기 제3 영역의 상기 베이스 필름 상에 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는, 터치 센서의 제조 방법.
청구항 16에 있어서, 상기 제2 센싱 전극 패턴을 형성한 후 제2 투명 금속 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 패드는 상기 제2 투명 금속 산화물층을 식각하여 함께 형성되는, 터치 센서의 제조 방법.
청구항 16에 있어서, 상기 제1 센싱 전극 패턴 및 상기 패드는 상기 제1 투명 금속 산화물층을 식각하여 함께 형성되는, 터치 센서의 제조 방법.
청구항 13에 있어서, 상기 제1 투명 금속 산화물층을 형성하는 단계 전에,
상기 베이스 필름 상에 금속층을 식각하여 브릿지 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 브릿지 패턴을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀들을 포함하는 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 제1 투명 금속 산화물층은 상기 절연층 상에 형성되어 상기 콘택 홀들 중 적어도 일부를 채우는, 터치 센서의 제조 방법.
굴곡부 및 평면부를 포함하는 윈도우 필름; 및
상기 윈도우 필름 아래에 배치되는 청구항 1 내지 12 중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하며,
상기 제1 영역의 터치 센서 부분은 상기 평면부에 배치되고, 상기 제2 영역의 터치 센서 부분은 상기 굴곡부에 배치되는, 화상 표시 장치.