KR102055794B1 - 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 199
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 343
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 12
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 10
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 indium-aluminum-zinc Chemical compound 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 돌출된 반사전극; 상기 반사전극과 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 반사전극과 상기 활성층을 절연시키는 절연층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.
Description
실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.
발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.
실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 돌출된 반사전극; 상기 반사전극과 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 반사전극과 상기 활성층을 절연시키는 절연층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 돌출된 반사전극; 상기 반사전극과 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 반사전극과 상기 활성층을 절연시키는 절연층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 배치되고, 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 돌출된 반사전극; 상기 반사전극과 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 반사전극과 상기 활성층을 절연시키는 절연층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극; 을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 절연층, 오믹접촉층, 반사전극의 형상을 설명하는 도면이다.
도 3 내지 도 7은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 절연층, 오믹접촉층, 반사전극의 형상을 설명하는 도면이다.
도 3 내지 도 7은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 발광구조물(10), 반사전극(17), 절연층(30)을 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
상기 발광구조물(10) 아래에 상기 반사전극(17)이 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제1 영역은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다.
상기 반사전극(17)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 하부 면에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 발광구조물(10)의 하부 면으로부터 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출되어 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 활성층(12)에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 반사전극(17)의 측면은 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 반사전극(17)의 측면은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 반사전극(17)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 절연시키는 상기 절연층(30)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)과 상기 활성층(12)을 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)과 상기 제1 도전형 반도체층(11) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)의 상부 면 위에 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)은 경사진 상기 반사전극(17)의 측면을 따라 경사지게 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)의 일부 영역은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면 외측으로 노출되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 상기 반사전극(17)과 상기 발광구조물(10) 사이에 배치된 오믹접촉층(15)을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 반사전극(17)의 제2 영역 위에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 돌출된 반사전극(17)의 상부 면 위에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 경사진 반사전극(17)의 측면을 따라 경사지게 배치될 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12)을 관통하여 돌출될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 하부 면에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)의 상부 면은 상기 활성층(12)에 비하여 더 높게 배치될 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 하부 면에 오믹 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 전도성 산화막으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 반사전극(17)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 절연층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결된 전극(80)을 포함할 수 있다. 상기 반사전극(17)의 돌출된 제2 영역과 상기 전극(80)이 수직 방향으로 중첩되어 배치될 수 있다.
예컨대, 상기 반사전극(17)의 돌출된 제2 영역의 폭은 상기 전극(80) 폭에 비하여 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)의 돌출된 영역의 폭은 상기 전극(80) 폭에 비하여 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 절연층(30)의 돌출된 영역의 폭은 상기 전극(80) 폭에 비하여 더 넓게 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 전극(80)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 전극(80)은 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(10)의 상부면에 거칠기(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)에 제공되는 광 추출 패턴은 하나의 예로서 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 반사전극(17) 아래에 배치된 금속층(50)을 포함할 수 있다. 상기 금속층(50)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속층(50)은 확산장벽층의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 금속층(50) 아래에 본딩층(60), 지지부재(70)가 배치될 수 있다.
상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.
상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(70)는 예로서 절연물질로 구현될 수도 있다.
실시 예에 의하면, 상기 반사전극(17)의 제2 영역이 상기 발광구조물(10) 내로 돌출되어 배치될 수 있다. 이에 따라 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 활성층(12)에서 생성된 빛이 상기 반사전극(17)에서 반사되어 상부 방향으로 진행될 수 있게 된다. 즉, 실시 예에 의하면 상기 활성층(12)에서 생성된 빛이 상기 발광구조물(10)의 하부 방향이나 측면 방향으로 진행되는 것을 줄이고, 상부 방향으로 진행되는 빛의 양을 증가시킬 수 있게 된다. 이와 같이 실시 예에 따른 발광소자에 의하면 외부 광 추출 효과를 향상시킬 수 있게 된다.
한편, 실시 예에서는 상기 반사전극(17)의 폭 및 깊이를 변화시키면서 광 추출 효과를 측정하였다. 상기 반사전극(17)의 폭 및 깊이 변화에 따라 상기 절연층(30)의 폭 및 깊이도 변화될 것이며, 아래 [표 1] 및 [표 2]에 나타낸 데이터는 도 2에 나타낸 바와 같이 상기 절연층(30)의 상부 면의 폭(W) 및 깊이(D) 변화를 기준으로 측정된 것이다.
| width [㎛] | Wd [nm] | Vf3 [V] | Po [mW] | Po 향상도 (%) |
| 0 (Ref) | 452.77 | 3.01 | 489.40 | |
| 18 | 453.54 | 3.01 | 489.19 | |
| 28 | 452.18 | 3.00 | 496.23 | 1.4 |
| 38 | 451.73 | 2.99 | 495.69 | 1.3 |
| 48 | 453.39 | 3.05 | 500.56 | 2.3 |
| Depth [㎛] | Wd [nm] | 3 [V] | o [mW] | o 향상도 (%) |
| 0 (Ref) | 446.05 | 3.05 | 524.73 | |
| 0.25 | 446.10 | 3.07 | 525.82 | 0.2 |
| 0.40 | 445.72 | 3.06 | 517.99 | 0.2 |
| 1.00 | 449.13 | 3.08 | 529.50 | 1.1 |
| 1.50 | 448.2 | 3.15 | 548.65 | 1.1 |
상기 [표 1]은 상기 절연층(30)의 깊이(D)를 1 마이크로 미터로 유지하고, 상기 절연층(30)의 폭(W)을 변화시키면서 데이터를 측정한 것이다. 상기 [표 1]에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 절연층(30)의 폭이 증가함에 따라 광 출력(Po)이 증가되는 경향을 확인할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 반사전극(17)의 상부 면 위에 배치된 상기 절연층(30)의 폭은 28 마이크로 미터 내지 48 마이크로 미터로 형성될 수 있다.
상기 [표 2]는 상기 절연층(30)의 폭(W)을 48 마이크로 미터로 유지하고, 상기 절연층(30)의 깊이(D)를 변화시키면서 데이터를 측정한 것이다. 상기 [표 2]에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 절연층(30)의 깊이(D)가 증가함에 따라 광 출력(Po)이 증가되는 경향을 확인할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 반사전극(17)의 상부 면 위에 배치된 상기 절연층(30)의 상부 면으로부터 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부 면까지의 길이는 0.7 마이크로 미터 내지 1.5 마이크로 미터로 형성될 수 있다.
그러면 도 3 내지 도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다.
실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(5) 위에 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.
상기 기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다.
예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13a)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12a)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.
다음으로, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10)에 대하여 에칭을 수행할 수 있다. 이때 부분적으로 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 노출되도록 에칭이 수행될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12)이 측면이 노출되도록 에칭이 수행될 수 있다.
그리고, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 위에 절연층(30), 오믹접촉층(15), 반사전극(17)을 순차적으로 형성할 수 있다.
상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 전도성 산화막으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 반사전극(17)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제2 전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제2 전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이어서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 반사전극(17) 위에 금속층(50), 본딩층(60), 지지부재(70)를 형성할 수 있다.
상기 금속층(50)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 금속층(50)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.
상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 지지부재(70)는 절연성 물질로 구현될 수도 있다.
다음으로 상기 제1 도전형 반도체층(11)으로부터 상기 기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 기판(5)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 서로 박리시키는 공정이다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 아이솔레이션 에칭을 수행하여 상기 발광구조물(10)의 측면을 식각하고 상기 절연층(30)의 일부 영역이 노출될 수 있게 된다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 의하면 상기 절연층(30)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면 외측으로 노출됨에 따라 추후 별도의 보호층을 형성하지 않아도 되는 장점이 있다. 또한, 실시 예에 의하면 상기 오믹접촉층(15) 및 상기 반사전극(17)에 대한 패터닝 공정을 수행하지 않아도 되는 장점이 있다.
상기 발광구조물(10)의 상부면에 거칠기(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)에 제공되는 광 추출 패턴은 하나의 예로서 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 위에 전극(80)이 형성될 수 있다. 상기 전극(80)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극(80)의 일부 영역은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 접촉될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 반사전극(17) 및 상기 전극(80)을 통하여 상기 발광구조물(10)에 전원이 인가될 수 있게 된다.
상기 전극(80)은 오믹층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다. 상기 전극(80)은 Cr, V, W, Ti, Zn,Ni, Cu, Al, Au 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 위에서 설명된 각 층의 형성 공정은 하나의 예시이며, 그 공정 순서는 다양하게 변형될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10) 아래에 상기 반사전극(17)이 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제1 영역은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다.
상기 반사전극(17)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 하부 면에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 발광구조물(10)의 하부 면으로부터 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출되어 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 반사전극(17)의 제2 영역은 상기 활성층(12)에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 반사전극(17)의 측면은 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 반사전극(17)의 측면은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 반사전극(17)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 절연시키는 상기 절연층(30)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)과 상기 활성층(12)을 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)과 상기 제1 도전형 반도체층(11) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(30)은 상기 반사전극(17)의 상부 면 위에 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)은 경사진 상기 반사전극(17)의 측면을 따라 경사지게 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)의 일부 영역은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면 외측으로 노출되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 반사전극(17)의 제2 영역이 상기 발광구조물(10) 내로 돌출되어 배치될 수 있다. 이에 따라 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 활성층(12)에서 생성된 빛이 상기 반사전극(17)에서 반사되어 상부 방향으로 진행될 수 있게 된다. 즉, 실시 예에 의하면 상기 활성층(12)에서 생성된 빛이 상기 발광구조물(10)의 하부 방향이나 측면 방향으로 진행되는 것을 줄이고, 상부 방향으로 진행되는 빛의 양을 증가시킬 수 있게 된다. 이와 같이 실시 예에 따른 발광소자에 의하면 외부 광 추출 효과를 향상시킬 수 있게 된다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 8에 도시된 발광소자를 설명함에 있어서 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 사항에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.
실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 도 8에 나타낸 바와 같이, 발광구조물(10) 아래에 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 도 1에서 설명된 반사전극(17)과 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10) 아래에 상기 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)의 제1 영역은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)의 제1 영역은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)의 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다. 또한, 상기 오믹 반사전극(19)의 제2 영역은 상기 제1 영역으로부터 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(13)을 관통하여 돌출될 수 있다.
상기 오믹 반사전극(19)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 하부 면에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)의 제2 영역은 상기 발광구조물(10)의 하부 면으로부터 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출되어 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 오믹 반사전극(19)의 제2 영역은 상기 활성층(12)에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 오믹 반사전극(19)의 측면은 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 오믹 반사전극(19)의 측면은 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 오믹 반사전극(19)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 전기적으로 절연시키는 상기 절연층(30)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 오믹 반사전극(19)과 상기 활성층(12)을 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 오믹 반사전극(19)과 상기 제1 도전형 반도체층(11) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)은 상기 오믹 반사전극(19)과 상기 활성층(12) 사이에 배치될 수 있다.
상기 절연층(30)은 상기 오믹 반사전극(19)의 상부 면 위에 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)은 경사진 상기 오믹 반사전극(19)의 측면을 따라 경사지게 배치될 수 있다. 상기 절연층(30)의 일부 영역은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면 외측으로 노출되어 배치될 수 있다.
상기 오믹 반사전극(19)은 상기 발광구조물(10) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 하부 면에 오믹 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 오믹 반사전극(19)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
상기 절연층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 오믹 반사전극(19)의 제2 영역이 상기 발광구조물(10) 내로 돌출되어 배치될 수 있다. 이에 따라 도 8에 나타낸 바와 같이, 상기 활성층(12)에서 생성된 빛이 상기 오믹 반사전극(19)에서 반사되어 상부 방향으로 진행될 수 있게 된다. 즉, 실시 예에 의하면 상기 활성층(12)에서 생성된 빛이 상기 발광구조물(10)의 하부 방향이나 측면 방향으로 진행되는 것을 줄이고, 상부 방향으로 진행되는 빛의 양을 증가시킬 수 있게 된다. 이와 같이 실시 예에 따른 발광소자에 의하면 외부 광 추출 효과를 향상시킬 수 있게 된다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 오믹 반사전극(19)의 상부 면 위에 배치된 상기 절연층(30)의 폭은 28 마이크로 미터 내지 48 마이크로 미터로 형성될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 방향으로 돌출된 상기 오믹 반사전극(19)의 상부 면 위에 배치된 상기 절연층(30)의 상부 면으로부터 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 하부 면까지의 길이는 0.7 마이크로 미터 내지 1.5 마이크로 미터로 형성될 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.
상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치, 도 12에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 11은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다.
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 12를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 발광구조물 11: 제1 도전형 반도체층
12: 활성층 13: 제2 도전형 반도체층
15: 오믹접촉층 17: 반사전극
30: 절연층 50: 금속층
60: 본딩층 70: 지지부재
80: 전극
12: 활성층 13: 제2 도전형 반도체층
15: 오믹접촉층 17: 반사전극
30: 절연층 50: 금속층
60: 본딩층 70: 지지부재
80: 전극
Claims (17)
- 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 제2도전형 반도체층 아래에 배치되는 제1영역과 상기 제1영역으로부터 연장되어 배치되며 상기 제2도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제2도전형 반도체층에서 상기 활성층 방향으로 돌출되는 제2영역과 상기 제1영역으로부터 연장되며 상기 제2도전형 반도체층에서 상기 활성층 방향으로 돌출되어 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 외측면에 배치되는 제3영역을 포함하는 반사전극;
상기 반사전극과 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 반사전극과 상기 활성층을 절연시키는 절연층; 및
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 포함하고,
상기 반사전극의 제2영역 둘레에 상기 활성층이 배치되고,
상기 반사전극 제2영역의 양측면은 경사지며,
상기 반사전극의 제2영역은 상기 전극와 수직으로 중첩되며,
상기 반사전극의 제3영역은 경사지며 상기 반사전극의 제2영역과 수평으로 중첩되고,
상기 절연층은 상기 제2도전형 반도체층과 상기 반사전극 제1영역의 일부 사이와 상기 반사전극 제3영역의 경사진 면과 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 외측면 사이에 배치되며,
상기 제1도전형 반도체층 측면의 일부는 노출되고,
상기 제3영역은 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 측면을 둘러싸며,
상기 제2영역 및 상기 제3영역의 최상부면은 상기 제2도전형 반도체층의 상면 및 상기 활성층보다 높게 위치하며,
상기 반사전극은 상기 절연층에 의해 상기 제1도전형 반도체층과 절연되고,
상기 제3영역의 최상부면은 상기 제1도전형 반도체층의 측면과 수직 방향으로 중첩되지 않는 영역을 포함하는 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 반사전극의 제2영역의 최상부면은 상기 제1 도전형 반도체층의 하부 면과 상기 활성층보다 높게 배치된 발광소자. - 제1항에 있어서,
상기 반사전극과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 오믹접촉층을 포함하고,
상기 절연층의 일부 영역은 상기 제1 도전형 반도체층의 측면 외측으로 노출되어 배치되는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 절연층은 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층의 외측면 둘레에 배치되는 발광소자. - 제4항에 있어서,
상기 반사전극 제3영역의 최상부면은 상기 활성층보다 높게 배치되는 발광소자. - 제3항에 있어서,
상기 반사전극 제2영역의 최상부면 위에 배치된 상기 절연층의 폭은 28 마이크로 미터 내지 48 마이크로 미터이고,
상기 반사전극 제2영역의 최상부면 위에 배치된 상기 절연층의 상부 면으로부터 상기 제2도전형 반도체층의 하부 면까지의 길이는 0.7 마이크로 미터 내지 1.5 마이크로 미터인 발광소자. - 삭제
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120077103A KR102055794B1 (ko) | 2012-07-16 | 2012-07-16 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120077103A KR102055794B1 (ko) | 2012-07-16 | 2012-07-16 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140010622A KR20140010622A (ko) | 2014-01-27 |
| KR102055794B1 true KR102055794B1 (ko) | 2019-12-13 |
Family
ID=50143175
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120077103A KR102055794B1 (ko) | 2012-07-16 | 2012-07-16 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102055794B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102463371B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-11-04 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205005A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系ＬＥＤ素子 |
| KR101064064B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8008683B2 (en) * | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| KR20110083290A (ko) * | 2010-01-14 | 2011-07-20 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
-
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- 2012-07-16 KR KR1020120077103A patent/KR102055794B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205005A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系ＬＥＤ素子 |
| KR101064064B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
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|---|---|
| KR20140010622A (ko) | 2014-01-27 |
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