KR102000012B1 - 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 있어서, 기판 처리 장치는. 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 기판 지지 유닛은, 기판이 안착되는 지지판과, 지지판을 감싸도록 설치되고, 기판이 위치된 방향에서 바깥 방향으로 관통되는 하나 이상의 배기 유로가 형성된 포커스 링을 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛에 관한 것이다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에 있어서 플라즈마의 균일도는 공정의 수율에 영향을 미치는 중요한 요인이다. 만약 챔버 내에 플라즈마가 불균일하게 생성되는 경우, 동일한 기판에 대해 플라즈마의 분포에 따라 기판의 처리 정도가 달라지게 된다. 불균일한 플라즈마 분포에 따른 불균일한 기판 처리는 기판의 사이즈가 커짐에 문제는 심화된다.
챔버 내 플라즈마의 불균일은 크게 기판의 반경 방향 불균일과 기판의 원주 방향 불균일로 구분될 수 있다. 반경 방향 불균일은 기판의 중심 영역과 기판의 가장자리 영역에 플라즈마가 불균일하게 분포하는 것이고, 원주방향 불균일은 기판의 둘레를 따라 플라즈마가 불균일하게 분포하는 것을 의미한다. 반경 방향이든 원주 방향이든 플라즈마의 불균일한 분포는 기판의 불균일한 처리를 유발하므로, 수율 향상을 위해서는 기판 위 전 영역에 걸쳐 플라즈마를 균일하게 생성하는 것이 요구된다.
기판 지지 유닛에는 플라즈마가 균일하게 분포되도록 플라즈마를 유도하는 포커스 링이 설치된다. 도 1은 기판의 가장자리에 공급되는 이온을 컨트롤 되지 않고, 기판의 가장자리를 손상시키는 문제 점을 도시한 것이고, 도 2는 기판에 분사되고 남은 가스가 소정의 흐름을 형성하는데 이때, 기판 가장자리에 설치된 포커스 링에 부딪혀 와류를 발생시킴에 따라, 파티클을 유발하는 문제점를 도시한 것이다.
본 발명은 기판 처리 효율을 높일 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 있어서, 기판 처리 장치는. 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 기판 지지 유닛은, 기판이 안착되는 지지판과, 지지판을 감싸도록 설치되고, 기판이 위치된 방향에서 바깥 방향으로 관통되는 하나 이상의 배기 유로가 형성된 포커스 링을 포함한다.
또한, 배기 유로의 길이방향에 수직한 단면의 높이는 포커스 링의 내측에서 외측으로 갈 수록 좁아질 수 있다.
또한, 배기 유로는 상하로 적층되어 제공될 수 있다.
또한, 포커스 링은, 내측링과 외측링을 포함하고, 내측링과 외측링 각각에 배기 유로가 형성될 수 있다.
또한, 내측링에 형성된 배기 유로와 외측링에 형성된 배기 유로는 서로 상이하게 형상지어질 수 있다.
또한, 내측링의 길이방향에 수직한 단면의 배기 유로의 면적은 외측링의 길이방향에 수직한 단면의 배기 유로의 면적보다 더 넓을 수 있다.
또한, 내측링과 외측링의 배기 유로들은 정렬되어 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 지지 유닛을 제공한다. 일 실시에에 의하면, 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버의 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛은, 지지판과; 지지판의 바깥 둘레에 위치되어, 내측에서 외측으로 관통되는 하나 이상의 배기 유로를 갖는 포커스 링을 포함한다.
또한, 배기 유로의 길이방향에 수직한 단면의 높이는 포커스 링의 내측에서 외측으로 갈 수록 좁아질 수 있다.
또한, 포커스 링은, 내측링과 외측링을 포함하고, 내측링과 외측링 각각에 배기 유로가 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리시 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다
또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 균일하게 처리할 수 있다.
도 1 및 2는 종래기술의 문제점을 도시한 도면;
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도;
도 4는 도 3의 A영역의 확대도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링 평면도에 가스의 흐름을 표현한 도면;
도 6은 도 5의 II-II' 단면도의 다양한 실시 예를 도시한 도면;
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 포커스 링을 통한 배기 예시를 도시한 도면;
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도; 및
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포거스링의 배기 유로에 대한 다양한 실시 예를 보여주는 포커스 링의 단면도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도;
도 4는 도 3의 A영역의 확대도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링 평면도에 가스의 흐름을 표현한 도면;
도 6은 도 5의 II-II' 단면도의 다양한 실시 예를 도시한 도면;
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 포커스 링을 통한 배기 예시를 도시한 도면;
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도; 및
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포거스링의 배기 유로에 대한 다양한 실시 예를 보여주는 포커스 링의 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 세정 또는 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다.
이하, 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 전극 유닛(300), 제어기(600), 그리고 배기 배플(700)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(102)을 제공한다. 공정 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 공정 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 공정 챔버(100)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반출입 가능한 출입구(130)로 제공된다. 출입구(130)는 도어(140)에 의해 개폐 가능하다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기 포트(150)가 설치된다. 배기 포트(150)는 공정 챔버(100)의 중심축과 일치되게 위치된다. 배기 포트(150)는 처리 공간(102)에 발생된 부산물이 공정 챔버(100)의 외부로 배출되는 배출구(150)로 기능한다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210), 포커스 링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정 결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙 영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(미도시)과 연결된다. 고주파 전원(미도시)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 공정 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스 링(250)은 유전판(210)과 기판(W)의 외주 주변을 감싸도록 제공된다. 포커스 링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스 링(250)은 기판(W)이 위치된 방향에서 바깥 방향으로 관통되는 하나 이상의 배기 유로(251)을 갖는다. 포커스 링(250)은 웨이퍼가 놓이는 정전척(ESC) 주변의 링으로서 에칭에 의한 파티클이 발생하지 않는 범위 내에서 제조가 되며, 실리콘산화막(SiO2), 실리콘단결정 또는 불화실리콘막(SiF) 등으로 이루어진다. 또한, 마모시 소모성으로 교체가 가능하다.
전극 유닛(300)은 용량 결합형 플라즈마 소스로 제공된다 전극 유닛은 상부 전극(330), 상부 샤워헤드(430), 그리고 하부 샤워헤드(530)를 포함한다.
상부 전극(330)에는 고주파 전원(340)이 연결된다. 고주파 전원은 상부 전극에 고주파 전력을 인가한다.상부 전극(330)과 상부 샤워헤드(430) 사이에 발생된 전자기장은 공정 챔버(100) 내부로 제공되는 제1 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다. 제1 공정 가스는 라디칼, 이온 또는 전자를 포함한다.
상부 전극(330)과 상부 샤워헤드(430) 사이에는 제1 공간(302)이 형성된다. 제1 공간(302)은 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급 유닛(320)과 연결된다.
제1 가스 공급 유닛(320)은 제1 가스 공급관(321), 압력 측정 부재(322) 유량 조절 부재(323)를 포함한다. 제1 가스 공급 유닛이 공급하는 제1 공정 가스는 단일 성분의 가스이거나 이거나 두가지 성분 이상의 혼합 가스로 제공될 수 있다.
제1 공간(302)로 유입된 제1 공정 가스는 고주파 전원(340)에 의해 플라즈마 상태로 전이된다. 제1 공정 가스는 플라즈마 상태에서 이온, 전자, 라디칼로 분해된다. 본 명세서에서는 편의상 제1 공간(302)에서 생성된 플라즈마를 제1 플라즈마로 정의한다. 제1 플라즈마는 상부 샤워헤드(430)를 통과하여 제2 공간(402)로 이동한다.
상부 샤워헤드(430)는 도전성 물질로 제공된다. 상부 샤워헤드(430)은 판 형상으로 제공된다. 예컨대 상부 샤워헤드(430)은 원판 평상을 가질 수 있다. 상부 샤워헤드(430)에는 다수개의 관통홀(431, 도 2)들이 형성된다. 관통홀(431)들은 상부 샤워헤드(430)의 상하 방향으로 형성된다. 상부 샤워헤드(430)은 제1 공간(302)와 제2 공간(402)의 사이에 제공되고, 제1 공간(302)와 제2 공간(402)의 경계를 이룬다. 제1 플라즈마는 관통홀(431)을 통과하여 제2 공간(402)로 유입된다.
상부 샤워헤드(430)은 상부 샤워헤드(430)에 전압을 인가하는 제1 전원(440)이 연결된다. 제1전원(440)은 DC전원으로 제공된다. 상부 샤워헤드(430)에 음전압이 인가되면, 전자는 제2공간으로 유입되지 않고, 주로 양이온들 중 일부와 라디칼이 관통홀(431)을 통과한다. 상부 샤워헤드(430)에 인가되는 전압에 의해 에너지가 큰 입자는 상부 샤워헤드(430)를 통과 가능하고, 상대적으로 에너지가 작은 입자는 상부 샤워헤드(430)를 통과하지 못한다. 그러므로 관통홀을 통과하는 양이온의 양은 상부 샤워헤드에 인가되는 전압의 크기에 의해 제어될 수 있다.
상부 샤워헤드(430)에 양전압이 인가되면, 양이온은 제2공간으로 유입되지 않고, 주로전자들 중 일부와 라디칼이 관통홀(431)을 통과한다. 상부 샤워헤드(430)에 공급되는 전력의 크기는 제어기(800)에 의해 제어된다.
제2 공간(402)은 제1 플라즈마와 제2 공정 가스로부터 제2 플라즈마가 형성되는 공간이다. 본 명세서에서 제2 공간에서 형성되는 플라즈마를 제2 플라즈마로 정의한다. 제2 공간(402)의 상부에는 상부 샤워헤드(430)가 배치되고, 하부에는 하부 샤워헤드(530)이 배치된다. 제1 플라즈마는 제1 공간(302)에서 상부 샤워헤드(430)을 관통하여 제2 공간(402)로 유입되고, 제2 공정 가스는 제2 공간(402)과 연결된 제2 가스 공급 유닛(320)으로부터 공급된다.
제2 가스 공급 유닛(420)은 제2 가스 공급관(421), 압력 측정 부재(422), 유량 조절 부재(423)를 포함한다. 제2 가스 공급 유닛(320)의 제2 가스 공급관(421)은 상부 샤워헤드(430)을 관통하여 다수개의 가지관으로 분기되고, 제2 공간(402)의 상면에 균일하게 제공될 수 있다. 다른 예로, 제2 가스 공급 유닛(320)은 제2 공간(402)의 일벽에 구비될 수 있다. 제2 공정 가스는 제1 공정 가스와 동일한 성분의 가스이거나 다른 성분의 가스일 수 있다. 제2 공정 가스는 단일 성분의 가스이거나, 둘 이상의 성분이 혼합된 혼합 가스 일 수 있다.
제어기(600)는 제1 공정 가스와 제2 공정 가스의 유량을 제어한다. 제어기(600)는 각각의 유량 조절 부재(323, 423)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제1 공간(302)과 제2 공간(402)에 공급되는 공정 가스의 유량은 상이하게 제공될 수 있다.
하부 샤워헤드(530)는 판 형상을 가진다. 예컨대, 하부 샤워헤드(530)는 원판 형상을 가질 수 있다. 하부 샤워헤드(530)는 그 저면이 처리 공간에 노출된다. 하부 샤워헤드(530)에는 복수의 토출홀(531)들이 형성된다. 각각의 토출홀(531)은 상하 방향을 향하도록 형성된다. 이온 또는 라디칼은 토출홀(531)들을 통해 처리 공간으로 공급된다. 예컨대, 하부 샤워헤드(530)는 도전성 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 하부 샤워헤드는 실리콘을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
하부 샤워헤드(530)는 제2 플라즈마의 이온 또는 전자의 일부 또는 라디칼을 처리 공간으로 토출한다. 하부 샤워헤드(530)는 제2 공간(502)의 하부에 배치되고, 기판 지지 유닛(200)의 위에 위치된다. 하부 샤워헤드(530)는 유전판(210)과 마주보도록 위치된다. 하부 샤워헤드(530)를 통과한 플라즈마는 공정 챔버(100) 내 처리 공간(102)에 균일하게 공급된다.
하부 샤워헤드(530)는 하부 샤워헤드(530)에 전압을 인가하는 제2 전원(540)이 연결된다. 제2전원(540)은 DC전원으로 제공된다. 하부 샤워헤드(530)에 음전압이 인가되면, 전자는 제2공간으로 유입되지 않고, 주로 양이온들 중 일부와 라디칼이 토출홀(531)을 통과한다. 하부 샤워헤드(530)에 인가되는 전압에 의해 에너지가 큰 입자는 하부 샤워헤드(530)를 통과 가능하고, 상대적으로 에너지가 작은 입자는 하부 샤워헤드(530)를 통과하지 못한다. 그러므로 관통홀을 통과하는 양이온의 양은 하부 샤워헤드에 인가되는 전압의 크기에 의해 제어될 수 있다.
하부 샤워헤드(530)에 양전압이 인가되면, 양이온은 제2공간으로 유입되지 않고, 주로전자들 중 일부와 라디칼이 관통홀(431)을 통과한다. 하부 샤워헤드(530)에 공급되는 전력의 크기는 제어기(800)에 의해 제어된다.
배기 배플(700)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(700)은 처리공간에서 공정 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(700)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기 배플(700)에는 복수의 관통홀들(702)이 형성된다. 관통홀들(702)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(702)은 배기 배플(700)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(702)은 슬릿 형상을 가지며, 배기 배플(700)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
공정 챔버(100)의 일측에는 공정부산물을 배기시키는 배기 포트(150), 배기펌프(160), 개폐 밸브(170) 그리고 배기 라인(180)을 갖는 배기 유닛이 설치된다.
배기 포트(150)에는 배기 라인(180)이 설치되고, 배기 라인(180)에는 배기 펌프(160)가 설치된다. 배기 펌프(160)는 배기 포트(150)에 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 공정 가스는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 개폐 밸브(170)는 배기 펌프(160)로부터 제공되는 배기압을 조절한다. 개폐 밸브(170)는 배기 포트(150)를 개폐한다. 개폐 밸브(170)는 개방 위치와 차단 위치로 이동 가능하다. 개폐 밸브(170)에는 배기 포트(150)의 길이 방향과 수직한 평면에 대해 영역별로 다수개의 밸브가 설치되고 각각 조절 가능하다. 여기서 개방 위치는 개폐 밸브(170)에 의해 배기 포트(150)가 개방되는 위치이고, 차단 위치는 개폐 밸브(170)에 의해 배기 포트(150)가 차단되는 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 진행 시 배기 포트(150)의 일부 영역은 개방되게 제공된다. 배기 포트(150)의 개방 영역은 비대칭 영역으로 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 이러한 비대칭적 개방 영역은 분할 영역들 중 일부에만 대향되게 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 A영역의 확대도이다.
도 4를 참조하면, 유전판(210) 및 기판(W)과 포커스 링(250)의 사이에는 갭(252)이 있다. 유전판(210) 상면의 연장선은 배기 유로(251)의 단면의 하면과 이어진다. 배기 유로(251)의 단면은 사각형이다. 기판(W)의 가장자리에 분출된 공정 가스 또는 기판 처리 후 발생한 공정 부산물은 배기 유로(251)를 통과한다. 통과한 공정 가스 또는 공정 부산물은 배기 라인(180)으로 배출된다. 배기 유로(251)은 갭(252)에 머무르는 공정 가스를 배출하도록 유도함에 따라 포커스 링(250)의 수명과 교체주기를 늘릴 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 포커스 링 평면도에 가스의 흐름을 표현한 도면이다. 도 5를 참조하면, 포커스 링(250)은 전 평면을 걸쳐 배기 유로(252)가 형성됨에 따라, 가스가 밀집되는 영역 없이, 흐름을 균일하게 조절 가능하다.
포커스 링(250)은 배기 유로(252)의 일부에 연결부(253)를 포함한다. 연결부(253)은 하나 이상 제공된다. 포커스 링(250)은 연결부(253)에 의해 제조상의 이점을 갖는다. 예를 들어, 포커스 링(250)을 상부와 하부로 분할하여 제조하고, 하부 포커스 링에 연결부(253)를 놓고 상부 포커스 링과 결합하는 방법으로 제조된다.
도 6은 도 5의 I-I' 단면도의 다양한 실시 예를 도시한 도면이다.
도 6 (a)는 배기 유로(252)는 사각형 단면을 갖는다. 도 6 (b)는 외측으로 갈수록 폭이 좁아지는 삼각형의 단면을 갖는다. 도 6 (c)는 외측으로 갈수록 단면이 좁아지는 사다리꼴형의 단면을 갖는다. 도 6 (d)는 삼각형 단면에 있어서, 외측으로 갈수록 폭이 좁아지되, 밑면은 일차 선형이고, 윗면은 제곱 선형을 갖는다. 도 6 (e)는 삼각형 단면에 있어서, 외측으로 갈수록 폭이 좁아지되, 밑면과 윗면이 제곱 선형을 갖는다. 도 6 (f)는 상하로 적층된 상부 배기 유로(252a)와 하부 배기 유로(252b)를 갖는다. 도 6 (g)는 3층으로 적층된 배기 유로를 갖는다.
도 7은 도 5의 II-II' 단면도의 다양한 실시 예를 도시한 도면이다.
도 7 (a)의 연결부(253) 배기 유로(252)의 단면 개구를 모두 연결한다. 도 7 (b)의 연결부(253)는 배기 유로(252)의 단면 개구의 외측 단부에 일부 구비된다. 도 7 (c)는 연결부(253)는 배기 유로(252)의 단면 개구의 중심부에 일부 구비된다. 도 7 (d)는 삼각형 단면에 있어서, 단면 개구의 외측 단부에 일부 구비된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 기판 처리 장치의 포커스 링(1250)은 내측링(254) 및 외측링(256)을 포함한다. 내측링(254)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(254)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(254)의 상면은 유전판(210)의 상면보다 높게 제공된다. 예컨대, 내측링(254)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(256)은 내측링(254)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(256)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(254)과 인접하게 위치된다. 외측링(256)의 상면은 내측링(254)의 상면에 비해 그 높이가 같거나 높게 제공된다. 외측링(256)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
내측링(254)의 배기 유로(1251)는 상부 배기 유로(1251a)와 하부 배기 유로(1251b)가 적층되는 형태로 제공된다. 그리고 외측링(256)도 상부 배기 유로(1251c)와 하부 배기 유로(1251d)가 적층되는 형태로 제공된다. 외측링(256)의 상부 배기 유로(1251c)는 내측링(254)의 상부 배기 유로(1251a)에 대응되도록 제공되고, 외측링(256)의 하부 배기 유로(1251d)는 내측링(254)의 하부 배기 유로(1251b)에 대응되도록 제공된다. 외측링(256)의 길이 방향에 따른 배기 유로들의 단면 면적은 내측링(254)의 길이 방향에 따른 배기 유로들의 단면 면적보다 작게 제공되고, 내측링(254)과 외측링(256)의 배기 유로들이 서로 정렬되어 제공됨에 따라, 내측링(254)과 외측링(256)의 배기 유로는 벤츄리를 형성할 수 있다.
도 9은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포거스링의 배기 유로에 대한 다양한 실시 예를 보여주는 포커스 링의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 내측링(254)에 형성된 배기 유로와 외측링(256)에 형성된 배기 유로는 서로 상이하게 형상지어질 수 있다. 도 9 (a)는 도 8에서 설명한 포커스 링(1250)과 동일하게 2층의 배기 유로가 형성된다. 도 9 (b)는 내측링(254)과 외측링(256)에 각각 3층의 배기 유로가 형성되고, 내측링(254)의 배기 유로의 단면의 면적이, 외측링(256)의 길이 방향에 따른 배기 유로의 단면 면적보다 크다.
200: 기판 지지 유닛; 250: 포커스링;
251: 배기 유로;
254: 내측링, 256: 외측링.
251: 배기 유로;
254: 내측링, 256: 외측링.
Claims (10)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버와; 기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과
상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 안착되는 지지판과,
상기 지지판을 감싸도록 설치되고, 상기 기판이 위치된 방향에서 바깥 방향으로 관통되는 하나 이상의 배기 유로가 형성된 포커스 링을 포함하며,
상기 포커스 링은, 내측링과 외측링을 포함하고,
상기 내측링과 상기 외측링 각각에 상기 배기 유로가 형성되며, 상기 내측링에 형성된 상기 배기 유로와 상기 외측링에 형성된 상기 배기 유로는 서로 상이하게 형상지어지며, 상기 내측링과 상기 외측링의 상기 배기 유로들은 정렬되어 제공되는 기판 처리 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 배기 유로의 길이방향에 수직한 단면의 높이는 상기 포커스 링의 내측에서 외측으로 갈 수록 좁아지는 기판 처리 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 배기 유로는 상하로 적층되어 제공되는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 내측링의 길이방향에 수직한 단면의 상기 배기 유로의 면적은 상기 외측링의 길이방향에 수직한 단면의 상기 배기 유로의 면적보다 더 넓은 기판 처리 장치. - 삭제
- 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 공정 챔버의 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 있어서,
지지판과;
상기 지지판의 바깥 둘레에 위치되어, 내측에서 외측으로 관통되는 하나 이상의 배기 유로를 갖는 포커스 링을 포함하며,
상기 포커스 링은, 내측링과 외측링을 포함하고,
상기 내측링과 상기 외측링 각각에 상기 배기 유로가 형성되며, 상기 내측링에 형성된 상기 배기 유로와 상기 외측링에 형성된 상기 배기 유로는 서로 상이하게 형상지어지는 기판 지지 유닛. - 제8 항에 있어서,
상기 배기 유로의 길이방향에 수직한 단면의 높이는 상기 포커스 링의 내측에서 외측으로 갈 수록 좁아지는 기판 지지 유닛. - 삭제
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| KR1020180040507A KR102000012B1 (ko) | 2018-04-06 | 2018-04-06 | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
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- 2018-04-06 KR KR1020180040507A patent/KR102000012B1/ko active IP Right Grant
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