KR101997932B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 노광 장치로 전달되는 기판의 면내 온도의 균일성을 높여, 생산 효율을 향상시키는 것이다.
처리 블록(S2)과 노광 스테이션(S4) 사이에 배치된 인터페이스 블록(S3)에 주연 노광 모듈(4)을 설치한다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를, 처리 블록(S3)의 제1 전달 기구(31)에 의해 주연 노광 모듈(4)의 이동 탑재 플레이트(51)로 전달한다. 주연 노광 모듈(4)에서는 회전 스테이지(42)에 웨이퍼(W)를 적재하여, 웨이퍼(W)의 노치 위치의 검출과, 주연 노광 처리를 행하여, 노치를 위치 정렬한 후 이동 탑재 플레이트(51)로 전달한다. 이동 탑재 플레이트(51)에서는 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 웨이퍼(W)를 조정하고, 계속해서, 이동 탑재 플레이트(51)의 웨이퍼(W)를, 노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(61)에 의해 노광 스테이션(S4)으로 반입한다.An object of the present invention is to improve the uniformity of the in-plane temperature of the substrate transferred to the exposure apparatus, thereby improving the production efficiency.
The peripheral exposure module 4 is installed in the interface block S3 disposed between the processing block S2 and the exposure station S4. The wafer W on which the resist film has been formed is transferred to the moving mounting plate 51 of the peripheral exposure module 4 by the first transmission mechanism 31 of the processing block S3. The peripheral exposure module 4 carries out the detection of the notch position of the wafer W and the peripheral exposure processing by loading the wafer W on the rotary stage 42 to align the notches, . The wafer W is moved to the temperature required by the exposure station S4 on the moving mount plate 51 and then the wafer W of the movable mount plate 51 is moved to the first position of the exposure station S4 And transported to the exposure station S4 by the transport mechanism 61.
Description
본 발명은 기판에 레지스트를 도포하여, 현상을 행하는 기술 분야에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이 레지스트 패턴의 형성은 레지스트 등의 각종 도포막의 형성 처리 및 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치에 노광 처리를 행하는 노광 장치를 접속한 시스템에 의해 행하고 있다.In a photoresist process which is one of semiconductor manufacturing processes, a resist is applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and the resist is exposed in a predetermined pattern and then developed to form a resist pattern. The formation of the resist pattern is carried out by a system in which a coating process for forming and developing various coating films such as a resist, and an exposure device for performing exposure process on the developing apparatus are connected.
도포, 현상 장치와 노광 장치 사이에는, 예를 들어 웨이퍼의 전달 스테이지와 전달 아암을 구비한 인터페이스 블록이 설치되어 있다. 그리고, 도포, 현상 장치에서 레지스트가 도포된 웨이퍼는 인터페이스 블록의 전달 스테이지로 반송되고, 상기 전달 아암에 의해 노광 장치로 반송된다.Between the coating and developing apparatus and the exposure apparatus, for example, an interface block including a transfer stage of the wafer and a transfer arm is provided. Then, the wafer coated with the resist in the coating and developing apparatus is transported to the transfer stage of the interface block, and transported to the exposure apparatus by the transfer arm.
노광 장치에서는 온도가 노광 프로세스에 영향을 미치기 때문에, 웨이퍼의 온도를, 예를 들어 23℃로 조정하여 노광 처리를 행하고 있다. 또한, 웨이퍼 면내에 있어서 온도에 편차가 발생되어 있으면, 노광 처리의 면내 균일성이 저하될 우려가 있으므로, 면내 온도의 편차가, 예를 들어 23℃±0.1℃로 제한하도록 웨이퍼의 온도가 조정된다. 이와 같은 노광 장치 내에 있어서의 웨이퍼의 온도의 조정은, 예를 들어 온도 조절 기구를 구비한 플레이트에 웨이퍼를 적재하거나, 웨이퍼에 대해 온도, 습도 조정된 기체를 공급하는 것 등에 의해 행해진다.In the exposure apparatus, since the temperature affects the exposure process, the temperature of the wafer is adjusted to, for example, 23 deg. C to perform the exposure process. Further, if a temperature deviation occurs in the wafer surface, there is a possibility that the in-plane uniformity of the exposure process is lowered. Therefore, the temperature of the wafer is adjusted so that the deviation of the in-plane temperature is limited to, for example, 23 ° C ± 0.1 ° C . Adjustment of the temperature of the wafer in such an exposure apparatus is carried out by, for example, loading the wafer on a plate provided with a temperature adjusting mechanism, supplying the substrate with temperature and humidity adjusted to the wafer, and the like.
따라서, 인터페이스 블록으로부터 노광 장치로 반입되는 웨이퍼의 온도가 노광 처리 시의 설정 온도로부터 벗어나 있거나, 웨이퍼의 면내 온도의 균일성이 낮은 경우에는 노광 장치에 있어서의 웨이퍼 온도의 조정에 시간이 걸려 버려, 노광 장치측의 처리량이 저하되어 버린다. 일반적으로는, 도포, 현상 장치에 비해 노광 장치의 쪽이 처리량이 낮다. 이로 인해, 시스템 전체의 생산 효율을 향상시키기 위해, 도포, 현상 장치측을 고안하여 노광 장치의 처리량을 높이는 것이 기대되고 있다. 그 중 하나로서, 고정밀도로 온도 조정되어, 면내 온도의 균일성을 높인 웨이퍼를 노광 장치로 반입하는 것이 검토되어 있다.Therefore, when the temperature of the wafer transferred from the interface block to the exposure apparatus deviates from the set temperature during exposure processing or the uniformity of the in-plane temperature of the wafer is low, it takes time to adjust the wafer temperature in the exposure apparatus, The throughput on the exposure apparatus side is lowered. Generally, the throughput of the exposure apparatus is lower than that of the coating and developing apparatus. Therefore, in order to improve the production efficiency of the entire system, it is expected to increase the throughput of the exposure apparatus by devising a coating and developing apparatus side. As one of such methods, it has been studied to bring a wafer into which the wafer is temperature-adjusted with high accuracy and the uniformity of the in-plane temperature is increased in the exposure apparatus.
또한, 도포, 현상 시스템에서는 인터페이스 블록을 제거하여 작업 공간을 확보하여, 당해 인터페이스 블록이나 처리 블록, 노광 장치 등의 메인터넌스를 행하는 경우가 있다. 인터페이스 블록에 전달 아암이 설치된 구성에서는, 인터페이스 블록을 제거함으로써, 전달 아암과 처리 블록 및 노광 장치측의 전달 스테이지의 위치 관계가 변화되어 버린다. 따라서, 메인터넌스 종료 후에 인터페이스 블록을 원래 상태로 복귀시킨 후, 전달 아암과 상기 전달 스테이지의 위치 정렬을 행할 필요가 있다. 이 전달 아암의 위치 정렬 조정에는 시간이 걸리므로, 도포, 현상 장치의 생산 효율이 저하되는 하나의 원인이 되고 있다.Further, in the coating and developing system, the interface block is removed to secure a work space, and the maintenance of the interface block, the processing block, and the exposure apparatus may be performed. In the configuration in which the transfer arm is provided in the interface block, by removing the interface block, the positional relationship between the transfer arm and the transfer stage on the processing block and the exposure apparatus side is changed. Therefore, it is necessary to align the transfer arm and the transfer stage after returning the interface block to the original state after the completion of the maintenance. It takes a long time to adjust the alignment of the transfer arms, which is one of the causes of lowering the production efficiency of the coating and developing apparatuses.
특허문헌 1에는 인터페이스 장치에 설치된 중간 전달대에 냉각 수단을 설치하는 구성이 기재되어 있다. 이 예에서는 중간 전달대에서, 노광 처리를 위한 온도로 냉각된 웨이퍼는 반송 기구에 의해 반출 적재대에 적재되고, 노광 장치측의 아암에 의해 노광 장치로 반입된다.
또한, 특허문헌 2에는 인터페이스부에, 적재 겸 냉각 유닛과, 노광 장치로의 반입용 핸드 및 노광 장치로부터의 반출용 핸드를 설치하는 구성이 기재되어 있다. 이 예에서는 적재 겸 냉각 유닛에서 소정 온도로 유지된 기판이, 반입용 핸드에 의해 노광 장치의 기판 반입용 적재부로 반입되고, 노광 후의 기판은 노광 장치의 기판 반출부로부터 반출용 핸드에 의해 반출된다. 또한, 특허문헌 3에는 인터페이스 스테이션에, 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열하고, 그 후 냉각하기 위한 CHP 장치(Chilling Hot Plate Process Station)를 설치하는 구성이 기재되어 있다.
그러나, 특허문헌 1의 구성에서는 웨이퍼를 중간 전달대→반송 기구→반출 적재대→노광 장치의 경로로 반송하므로, 중간 전달대에서 냉각되었다고 해도, 웨이퍼가 반송 기구에 보유 지지되거나, 웨이퍼가 반출 적재대에 적재되었을 때에 서로의 접촉 부위에서 열 교환이 일어난다. 이로 인해, 노광 장치로 반입될 때에는, 웨이퍼는 면내 온도에 편차가 발생한 상태로 되어 버린다. 또한, 특허문헌 2의 구성에 있어서도, 적재 겸 냉각 유닛에서 소정 온도로 유지된 기판을, 인터페이스부의 반출용 핸드에 의해 노광 장치의 기판 반입용 적재부로 반송하고 있다. 따라서, 기판과 핸드 사이나, 기판과 기판 반입용 적재부에서 열교환이 일어나, 기판 반입용 적재부에 놓인 웨이퍼는 면내 온도에 편차가 발생한 것으로 된다. 이와 같이 특허문헌 1 내지 특허문헌 3에 의해서도, 본 발명의 과제의 해결은 곤란하다.However, in the structure of
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 노광 장치로 전달되는 기판의 면내 온도의 균일성을 높여, 생산 효율을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a technique capable of increasing the uniformity of the in-plane temperature of a substrate transferred to an exposure apparatus and improving the production efficiency.
본 발명의 기판 처리 장치는 레지스트막이 형성된 기판을 노광하는 노광 장치에 접속되는 기판 처리 장치에 있어서,The substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus connected to an exposure apparatus for exposing a substrate on which a resist film is formed,
기판에 대해 레지스트막을 형성하기 위한 일련의 처리를 행하는 동시에, 노광 처리 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 처리 블록과,A processing block which performs a series of processes for forming a resist film on a substrate and performs a developing process on the substrate after the exposure process,
상기 처리 블록과 상기 노광 장치의 접속 방향을 전후 방향으로 하면, 상기 처리 블록과 상기 노광 장치 사이에, 당해 처리 블록에 대해 좌우 방향으로 이동 가능하게 연결하여 설치된 인터페이스 블록과,An interface block provided between the processing block and the exposure apparatus so as to be movable in the left and right direction with respect to the processing block when the connection direction of the processing block and the exposure apparatus is in the forward and backward directions,
상기 처리 블록에 설치되어, 레지스트막이 형성된 기판의 전달을 행하기 위한 반출용 전달 기구와,A transfer mechanism for carrying out transfer of the substrate provided with the resist film on the processing block,
상기 인터페이스 블록에 설치되어, 상기 반출용 전달 기구로부터 기판이 일단 전달되어 당해 기판의 온도를 노광 장치측에서 요구되는 온도로 조정하여, 상기 노광 장치의 반송 기구에 의해 당해 기판이 반출되는 반출용 적재부와,Wherein the substrate is once transferred from the transfer mechanism for transfer to adjust the temperature of the substrate to a temperature required by the exposure apparatus to transfer the substrate by the transfer mechanism of the exposure apparatus, Wealth,
상기 인터페이스 블록에 설치되어, 상기 노광 장치의 반송 기구에 의해 노광 후의 기판이 일단 전달되는 반입용 적재부와,A carrying-in loading section provided in the interface block, for transferring the exposed substrate by the carrying mechanism of the exposure apparatus once,
상기 처리 블록에 설치되어, 상기 반입용 적재부로부터 기판을 수취하여 처리 블록 내로 반입하는 반입용 전달 기구를 구비하고,And a carry-in transfer mechanism provided in the processing block for receiving the substrate from the carry-in loading unit and carrying it into the processing block,
상기 반출용 전달 기구 및 반입용 전달 기구는 상기 반출용 적재부 및 반입용 적재부에서 볼 때 노광 장치의 반대측에 위치하고 있는 것을 특징으로 한다.And the carry-out transfer mechanism and the carry-in transfer mechanism are located on the opposite side of the exposure apparatus when viewed from the carry-out loading unit and the carry-in loading unit.
본 발명에서는, 기판에 대해 레지스트막을 형성하기 위한 일련의 처리를 행하는 동시에, 노광 처리 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 처리 블록과, 노광 장치와의 사이에 인터페이스 블록을 설치하고, 이 인터페이스 블록에 반출용 적재부를 설치하고 있다. 레지스트막이 형성된 기판은 처리 블록의 반출용 전달 기구에 의해 반출용 적재부로 전달되고, 여기서 노광 장치측에서 요구되는 온도로 조정된다. 그리고, 온도 조정된 기판은 반출용 적재부로부터 노광 장치의 반송 기구에 의해 직접 수취된다. 기판은 온도 조정된 후, 처리 블록이나 인터페이스 블록의 반송 기구에 접촉하는 일 없이 직접 노광 장치측으로 전달되므로, 노광 장치의 반송 기구 이외로 기판의 열이 이동할 우려가 없다. 이로 인해, 기판은 면내 온도의 균일성이 높은 상태에서 노광 장치측으로 전달된다. 이에 의해, 노광 장치에서는 기판 온도의 조정 시간을 단축할 수 있으므로 처리량이 향상되고, 결과적으로 기판 처리 장치의 생산 효율이 높아진다.In the present invention, an interface block is provided between a processing block for performing a series of processes for forming a resist film on a substrate and a developing process for the substrate after the exposure process and an exposure device, A loading section is provided. The substrate on which the resist film is formed is transferred to the carry-out section by the transfer mechanism for transferring the processing block, and is adjusted to the temperature required by the exposure apparatus side. Then, the temperature-adjusted substrate is directly received by the transport mechanism of the exposure apparatus from the carry-out loading section. After the temperature is adjusted, the substrate is directly transferred to the exposure apparatus side without contacting the transport mechanism of the processing block or the interface block, so that there is no possibility that the heat of the substrate moves to a transport mechanism other than the transport apparatus of the exposure apparatus. As a result, the substrate is transferred to the exposure apparatus side in a state where the uniformity of the in-plane temperature is high. As a result, in the exposure apparatus, the adjustment time of the substrate temperature can be shortened, thereby improving the throughput and consequently increasing the production efficiency of the substrate processing apparatus.
또한, 상기 반출용 전달 기구 및 반입용 전달 기구는 상기 반출용 적재부 및 반입용 적재부에서 볼 때 노광 장치의 반대측에 위치하고 있다. 이에 의해, 인터페이스 블록을 처리 블록에 대해 좌우 방향으로 이동시켰을 때에, 반출용 전달 기구 및 반입용 전달 기구와 노광 장치측의 반송 기구의 위치 관계가 변화되지 않는다. 이로 인해, 예를 들어 메인터넌스 시에, 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록(S2)에 대해 착탈해도, 메인터넌스 후의 반출용 전달 기구와 노광 장치측의 반송 기구의 위치 정렬 작업이 불필요해진다. 이에 의해, 작업의 번잡화가 억제되어 메인터넌스 후의 조정 시간이 단축되므로, 기판 처리 장치의 생산 효율이 높아진다.In addition, the transfer mechanism for transfer and the transfer mechanism for transfer are located on the opposite side of the exposure apparatus as seen from the carry-out loading unit and the carry-in loading unit. Thus, when the interface block is moved in the lateral direction with respect to the processing block, the positional relationship between the carry-out transfer mechanism, the carry-in transfer mechanism, and the transfer mechanism on the exposure apparatus side is not changed. Thus, even if the interface block S3 is attached to or detached from the processing block S2 at the time of maintenance, for example, the alignment operation of the transfer mechanism for carrying out the maintenance and the transfer mechanism at the exposure apparatus side becomes unnecessary. This reduces the number of operations and shortens the adjustment time after maintenance, thereby increasing the production efficiency of the substrate processing apparatus.
도 1은 본 발명의 도포, 현상 시스템의 평면도.
도 2는 도포, 현상 시스템의 사시도.
도 3은 도포, 현상 시스템의 종단 측면도.
도 4는 도포, 현상 시스템의 종단 측면도.
도 5는 주연 노광 모듈을 도시하는 종단면도.
도 6은 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 7은 주연 노광 모듈을 도시하는 종단면도.
도 8은 반입용 전달 모듈을 도시하는 종단면도.
도 9는 반입용 적재부를 도시하는 평면도.
도 10은 인터페이스 블록을 도시하는 종단면도.
도 11은 인터페이스 블록의 일부를 도시하는 종단면도.
도 12는 처리 블록과 인터페이스 블록을 개략적으로 도시하는 사시도.
도 13은 주연 노광 모듈에 있어서의 처리를 도시하는 공정도.
도 14는 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 15는 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 16은 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 17은 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 18은 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 19는 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 20은 웨이퍼를 도시하는 평면도.
도 21은 주연 노광 모듈을 도시하는 종단면도.
도 22는 주연 노광 모듈을 도시하는 평면도.
도 23은 도포, 현상 시스템의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 24는 반출용 전달 모듈을 도시하는 종단면도.
도 25는 도포, 현상 시스템의 또 다른 예를 도시하는 평면도.
도 26은 반출용 전달 모듈을 도시하는 종단면도.
도 27은 캐리어와 반출용 전달 모듈과 제1 반송 기구를 도시하는 측면도.
도 28은 캐리어와 반출용 전달 모듈과 제1 반송 기구를 도시하는 측면도.
도 29는 인터페이스 블록과 노광 스테이션을 도시하는 평면도.
도 30은 인터페이스 블록과 노광 스테이션을 도시하는 평면도.
도 31은 도포, 현상 시스템의 또 다른 예를 도시하는 평면도.
도 32는 캐리어와 반출용 전달 모듈과 반입용 전달 모듈을 도시하는 측면도.
도 33은 인터페이스 블록과 노광 스테이션을 도시하는 평면도.
도 34는 인터페이스 블록과 노광 스테이션을 도시하는 평면도.
도 35는 인터페이스 블록과 노광 스테이션을 도시하는 평면도.
도 36은 인터페이스 블록과 노광 스테이션을 도시하는 평면도.
도 37은 도포, 현상 시스템의 또 다른 예를 도시하는 평면도.1 is a plan view of a coating and developing system of the present invention;
2 is a perspective view of a coating and developing system;
3 is a longitudinal side view of a coating and developing system.
4 is a longitudinal side view of a coating and developing system.
5 is a longitudinal sectional view showing a peripheral exposure module.
6 is a plan view showing a peripheral exposure module;
7 is a longitudinal sectional view showing the peripheral exposure module.
8 is a longitudinal sectional view showing a delivery module for carrying in. Fig.
Fig. 9 is a plan view showing the loading portion. Fig.
10 is a longitudinal sectional view showing an interface block;
11 is a longitudinal sectional view showing a part of the interface block.
12 is a perspective view schematically showing a processing block and an interface block;
13 is a process chart showing a process in the peripheral exposure module;
14 is a plan view showing a peripheral exposure module;
15 is a plan view showing a peripheral exposure module;
16 is a plan view showing a peripheral exposure module;
17 is a plan view showing a peripheral exposure module;
18 is a plan view showing a peripheral exposure module;
19 is a plan view showing a peripheral exposure module;
20 is a plan view showing a wafer.
21 is a longitudinal sectional view showing the peripheral exposure module.
22 is a plan view showing a peripheral exposure module;
23 is a plan view showing another example of a coating and developing system.
24 is a longitudinal sectional view showing the delivery module for carrying out.
25 is a plan view showing still another example of a coating and developing system;
26 is a longitudinal sectional view showing the delivery module for carrying out.
Fig. 27 is a side view showing the carrier, the carry-out transfer module, and the first transport mechanism; Fig.
28 is a side view showing the carrier, the carry-out transfer module and the first transport mechanism;
29 is a plan view showing an interface block and an exposure station;
30 is a plan view showing an interface block and an exposure station;
31 is a plan view showing still another example of a coating and developing system;
32 is a side view showing a carrier, a carry-out transfer module and a carry-in transfer module.
33 is a plan view showing an interface block and an exposure station;
34 is a plan view showing an interface block and an exposure station;
35 is a plan view showing an interface block and an exposure station;
36 is a plan view showing an interface block and an exposure station;
37 is a plan view showing still another example of a coating and developing system;
본 발명의 기판 처리 장치에 관한 실시 형태에 대해 설명한다. 우선, 도 1 내지 도 4를 참조하면서 기판 처리 장치의 전체의 개요에 대해 설명해 둔다. 이 기판 처리 장치는 캐리어 블록(S1)과, 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)을 직선 형상으로 접속하여 이루어진다. 인터페이스 블록(S3)에는 또한 노광 스테이션(S4)이 접속되고, 도포, 현상 시스템이 구성되어 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described. First, a general overview of the substrate processing apparatus will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig. This substrate processing apparatus is constituted by connecting a carrier block S1, a processing block S2 and an interface block S3 in a linear shape. The interface block S3 is also connected to an exposure station S4 to form a coating and developing system.
캐리어 블록(S1)은 동일한 로트의 기판인 웨이퍼(W)가 복수매 수납된 캐리어(C)를 장치 내로 반입출하는 역할을 갖고, 캐리어(C)의 적재대(11)와, 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 이동 탑재 기구(13)를 구비하고 있다. 이후의 설명에서는, 처리 블록(S2)과 노광 스테이션(S4)의 접속 방향(도 1 중 X방향)을 전후 방향, 캐리어(C)의 배열 방향(도 1 중 Y방향)을 좌우 방향으로 한다.The carrier block S1 has a role of loading and unloading the carrier C in which a plurality of wafers W of the same lot are accommodated into the apparatus and is provided with the loading table 11 of the carrier C, And a
처리 블록(S2)은 캐리어 블록(S1)측에 설치된 도포, 현상 블록(S2A)과, 인터페이스 블록(S3)측에 설치된 세정 블록(S2B)을 구비하고 있다. 이들 도포, 현상 블록(S2A)과 세정 블록(S2B)은 일체로 설치되어 있으므로, 이후에는 처리 블록(S2)으로서 설명한다. 처리 블록(S2)은 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 단위 블록(B1 내지 B6)이 하방으로부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 설명의 편의상 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막을 형성하는 처리를 「BCT」, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 처리를 「COT」, 노광 후의 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 처리를 「DEV」, 단위 블록을 「층」으로 표현하는 경우가 있다.The processing block S2 includes a coating and developing block S2A provided on the carrier block S1 side and a cleaning block S2B provided on the interface block S3 side. Since these coating, the developing block S2A and the cleaning block S2B are integrally provided, they will be described as the processing block S2. The processing block S2 is constituted by sequentially stacking first to sixth unit blocks B1 to B6 for performing liquid processing on the wafer W from below. A process for forming a resist film on a wafer W is called " COT ", a process for forming a resist pattern on a wafer W after exposure, a process for forming an anti- The processing may be expressed as "DEV", and the unit block may be expressed as "layer".
이 예에서는, 처리 블록(S2)은 하방으로부터 BCT층, COT층, DEV층이 2층씩 적층되어 있고, COT층(B3, B4)을 대표하여 도 1을 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)을 향하는 반송 영역(R3)의 좌우의 일측에는 선반 유닛(U1 내지 U6)이 전후 방향으로 배치되고, 타측에는 각각 액처리 모듈인 레지스트 도포 모듈(24)과, 보호막 형성 모듈(25)이 전후로 배열되어 설치되어 있다. 레지스트 도포 모듈(24)은 2개의 컵 유닛(21)을 구비하고, 이 컵 유닛(21) 내에 웨이퍼(W)를 보유 지지하고, 약액 노즐로부터 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에 공급하여, 스핀 코팅이 행해지도록 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성 모듈(25)은 보호막을 형성하기 위한 약액에 의해, 마찬가지로 하여 컵 모듈(22)을 사용하여 처리가 행해지도록 구성되어 있다.In this example, the processing block S2 has a BCT layer, a COT layer and a DEV layer stacked in layers from the bottom by two layers, and the COT layers B3 and B4 will be described with reference to Fig. 1 on behalf of the COT layers B3 and B4. The shelf units U1 to U6 are arranged in the front and rear direction on one side of the transfer area R3 from the carrier block S1 toward the interface block S3 and the other side is provided with the resist
상기 반송 영역(R3)에는 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 기판 반송 기구인 반송 아암(A3)이 설치되어 있다. 이 반송 아암(A3)은 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 또한 반송 영역(R3)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 단위 블록(B3)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 또한, 상기 선반 유닛(U1 내지 U6)은 반송 영역(R3)의 길이 방향을 따라서 배열되고, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈(26)이, 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다.A transfer arm A3, which is a substrate transfer mechanism for transferring the wafer W, is provided in the transfer region R3. The transfer arm A3 is configured to be capable of advancing and retracting, capable of ascending and descending, being rotatable about a vertical axis, and movable in the longitudinal direction of the carrying region R3, Can be performed. The shelf units U1 to U6 are arranged along the longitudinal direction of the carrying region R3 and are formed by stacking two
다른 단위 블록(B1, B2, B5 및 B6)은 웨이퍼(W)에 공급하는 약액이 다른 것 등을 제외하고, 단위 블록(B3, B4)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(B1, B2)은 레지스트 도포 모듈(24), 보호막 형성 모듈(25) 대신에 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고, 단위 블록(B5, B6)은 현상 모듈을 구비한다. 도 3에서는, 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암은 A1 내지 A6으로서 나타내고 있다.The other unit blocks B1, B2, B5, and B6 are configured similarly to the unit blocks B3 and B4 except for the chemical solution to be supplied to the wafer W and the like. The unit blocks
처리 블록(S2)에 있어서의 캐리어 블록(S1)측에는 각 단위 블록(B1 내지 B6)에 걸쳐서 상하로 연신되는 타워(T1)와, 타워(T1)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 아암(30)이 설치되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있다. 이들 모듈로서는, 실제로는 각 단위 블록의 높이 위치에 설치된 전달 모듈과, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 온도 조절 모듈, 복수매의 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하는 버퍼 모듈과, 웨이퍼(W)의 표면을 소수화하는 소수화 처리 모듈 등이 설치되어 있다. 여기서는, 설명을 간소화하기 위해, 이들 모듈은 전달 아암(30)과 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암(A1 내지 A6) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 모듈(TRS)로 한다.The carrier block S1 side of the processing block S2 is provided with a tower T1 extending vertically across each unit block B1 to B6 and a tower T1 extending vertically across the unit blocks B1 to B6. A
또한, 처리 블록(S2)에 있어서의 세정 블록(S2B)에는 각 단위 블록(B1 내지 B6)에 걸쳐서 상하로 연신되는 타워(T2)가 설치되어 있다. 이 타워(T2)는 전달 모듈(TRS)이 서로 적층되어 구성되어 있다. 또한, 이 타워(T2)의 좌우 방향의 양측에는 각각 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)가 설치되어 있고, 이들 전달 기구(31, 32)의 좌우 방향의 양측에는, 제1 전달 기구(31)측에 노광 처리 전의 세정 모듈(27), 제2 전달 기구(32)측에 노광 처리 후의 세정 모듈(28)이 각각 설치되어 있다. 제1 전달 기구(31)는 반출용 전달 기구, 제2 전달 기구(32)는 반입용 전달 기구에 각각 상당한다.The cleaning block S2B in the processing block S2 is provided with a tower T2 extending vertically across the unit blocks B1 to B6. The tower T2 is formed by laminating the transfer modules TRS to each other. A
상기 제1 전달 기구(31)는 타워(T2) 및 세정 모듈(27)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 기구이고, 제2 전달 기구(32)는 타워(T2) 및 세정 모듈(28)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 기구이다. 이로 인해, 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)는 각각 진퇴 가능, 승강 가능 및 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 타워(T2)의 전달 모듈(TRS)은 상기 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)와 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암(A1 내지 A6) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달에 사용된다. 또한, 제1 전달 기구(31)는 인터페이스 블록(S3)으로 웨이퍼(W)를 전달하고, 제2 전달 기구(32)는 인터페이스 블록(S3)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하는 기능도 구비한다. 이들 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)의 구성에 대해서는 후술한다.The
인터페이스 블록(S3)은 선반 유닛(U7, U8)을 구비하고 있다. 상기 선반 유닛(U7)은 서로 적층된 주연 노광 모듈(4)을 구비하고 있고, 이들 주연 노광 모듈(4)에 대해서는 제1 전달 기구(31)에 의해 웨이퍼(W)를 전달하도록 되어 있다. 상기 주연 노광 모듈(4)은 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)의 주연부를 노광하기 위한 것이다. 또한, 상기 선반 유닛(U8)은 서로 적층된 반입용 전달 모듈(6)을 구비하고 있고, 이들 반입용 전달 모듈(6)로부터는 제2 전달 기구(32)가 웨이퍼(W)를 수취하도록 되어 있다.The interface block S3 is provided with shelf units U7 and U8. The lathe unit U7 is provided with a
인터페이스 블록(S3)의 전후 방향의 후단측에는 노광 장치를 이루는 노광 스테이션(S4)이 설치되어 있다. 이 노광 스테이션(S4)에는 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 인터페이스 블록(S3)으로부터 반입하기 위한 제1 반송 기구(61)와, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 인터페이스 블록(S3)으로 반출하기 위한 제2 반송 기구(62)가 설치되어 있다. 상기 제1 반송 기구(61)는 상기 주연 노광 모듈(4)로부터 웨이퍼(W)를 수취하도록 구성되고, 상기 제2 반송 기구(62)는 상기 반입용 전달 모듈(6)에 대해 웨이퍼(W)를 전달하도록 구성되어 있다. 이들 제1 반송 기구(61)는 반입용 반송 기구, 제2 반송 기구(62)는 반출용 반송 기구에 각각 상당하는 것이고, 이들의 구성에 대해서는 후술한다.At the rear end side of the interface block S3 in the front-rear direction, there is provided an exposure station S4 constituting an exposure apparatus. The exposure station S4 is provided with a
계속해서, 주연 노광 모듈(4)에 대해 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한다. 도 5는 처리 블록(S2)측에서 인터페이스 블록(S3)을 보았을 때의 주연 노광 모듈(4)의 종단면도, 도 6은 주연 노광 모듈(4)의 평면도, 도 7은 도 6의 A-A선을 따른 종단면도이다. 이들 도면에 도시한 바와 같이, 주연 노광 모듈(4)은 웨이퍼(W)에 대해 주연 노광 처리를 행하기 위한 처리부(41)와, 당해 처리부(41)에 대해 웨이퍼(W)를 반송하는 동시에, 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 조정하는 이동 탑재 플레이트(51)를 구비하고 있다. 이동 탑재 플레이트(51)는 반출용 적재부에 상당하는 것이다. 이들 처리부(41)와 이동 탑재 플레이트(51)는 공통의 하우징(40)의 내부에, 상기 좌우 방향(도 5 중 Y방향)으로 배열되도록 배치되어 있다. 도 6 중 부호 40a 및 40b는 웨이퍼(W)의 반송구이다. 상기 하우징(40)은, 예를 들어 선반 유닛(U7)의 일부를 이루는 것이고, 선반 유닛(U7)에는 이들 하우징(40)이 적층되어 있다.Next, the
상기 처리부(41)는 웨이퍼(W)가 수평으로 적재되는 회전 스테이지(42)를 구비하고 있다. 이 회전 스테이지(42)는, 예를 들어 웨이퍼(W)보다도 작은 원판 형상으로 구성되어 있고, 회전 기구(42a)에 의해 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 회전 스테이지(42)는 이동부(42b)에 의해, 예를 들어 상기 좌우 방향으로 연신되는 가이드 레일(42c)을 따라서 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 회전 스테이지(42)에는 복수의 전달 핀(43)이 삽입 관통되어 있다. 이들 전달 핀(43)은 승강 기구(43a)에 의해 회전 스테이지(42) 상에서 돌출 함몰되어, 이동 탑재 플레이트(51)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 역할을 하고 있다.The
회전 스테이지(42) 상에 웨이퍼(W)가 적재되어 있는 위치를 처리 위치로 하면, 이 처리 위치에 놓인 웨이퍼(W)의 표면의 주연부를 노광하도록, 노광부(44)가 배치되어 있다. 이 노광부(44)는 램프 하우스(45)를 구비하고 있고, 램프 하우스(45)에는, 예를 들어 자외선을 조사하는 광원(45a)인 자외선 램프, 예를 들어 수은 램프나 크세논 램프 등이 설치되어 있다. 램프 하우스(45)로부터는, 광원(45a)의 광, 예를 들어 자외선을 광조사 단부(46)로 유도하는 광로 부재[47(47a, 47b)]가 연신되어 있다. 광조사 단부(46)는 미러나 렌즈 등의 광학계 부재와 노광 영역을 구획 형성하기 위한 마스크 등을 구비하는 동시에, 처리 위치에 놓인 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에 광을 조사하도록 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있다.The
또한, 처리부(41)에는 상기 처리 위치에 놓인 웨이퍼(W)의 주연의 위치를 검출하도록, 당해 주연의 통과 영역의 상하에 각각 발광부(48a) 및 수광부(48b)를 설치하여 이루어지는 주연 검출부(48)가 설치되어 있다. 상기 발광부(48a)로서는, 예를 들어 복수의 LED를 직선 형상으로 배열시킨 광원이나, 직선 형상으로 연신되는 단일의 LED 등이 사용된다. 또한, 수광부(48b)로서는, 수광 소자를 직선 형상으로 배열한 리니어 이미지 센서를 사용할 수 있다. 이 리니어 이미지 센서로서는, 예를 들어 CCD 라인 센서, 파이버 라인 센서, 광전 센서 등의 각종 센서가 사용된다. 이하에서는, CCD 라인 센서를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.The
상기 발광부(48a)와 수광부(48b)는 상기 처리 위치에 있는 웨이퍼(W)의 주연부를 사이에 두고 서로 대향하도록 설치되어 있다. 그리고, 수광부(48b)는 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 수광 소자가 직선 형상으로 배열되어 있고, 발광부(48a)는 대응하는 수광부(48b)의 길이 방향 전체에 광을 조사할 수 있도록 구성되어 있다. 이와 같이 하여, 발광부(48a)와 수광부(48b) 사이에는 상기 수광 소자의 배열 영역에 대응하는 광축이 형성된다.The
그리고, 회전 스테이지(42) 상의 웨이퍼(W)의 위치에 따라서, 광축을 차단하는 정도가 달라, 수광부(48b)에 입사하는 광량이 변화되므로, 웨이퍼(W)의 주연부의 위치를 검출할 수 있게 된다. 예를 들어, 수광 소자는 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서, 예를 들어 100개 배열되어 있고, 수광한 수광 소자의 수에 대응하는 크기만큼 전압 강하가 일어나고, 그 전압 강하분의 전압값이, 도 7에 도시하는 A/D(아날로그/디지털 변환부)(49)를 통해 제어부(100)로 보내지도록 구성되어 있다.The amount of light incident on the
상기 이동 탑재 플레이트(51)는, 예를 들어 웨이퍼(W)와 대략 동일한 크기의 수평한 원판 형상으로 형성되어, 예를 들어 펠티에 소자로 이루어지는 온도 조절 기구(54)를 구비하고 있고, 이동 탑재 플레이트(51) 상에 적재된 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 조정할 수 있도록 구성되어 있다. 도면 중 부호 54a는 온도 조절 기구(54)의 전력 공급부 등을 구비한 컨트롤러이다. 또한, 이동 탑재 플레이트(51)는 베이스(52)를 따라서 이동 기구(53)에 의해, 상기 좌우 방향으로 수평 이동을 할 수 있도록 구성되어 있다. 도 5 및 도 6에 도시한 이동 탑재 플레이트(51)의 위치를 대기 위치로 하면, 이동 탑재 플레이트(51)는 이동 기구(53)에 의해 대기 위치와, 처리부(41)의 회전 스테이지(42) 상 사이에서 수평으로 이동한다. 이로 인해, 이동 탑재 플레이트(51)는 슬릿(55)을 구비하여, 회전 스테이지(42)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 핀(43)의 통과 영역을 형성하고 있다.The
또한, 상기 대기 위치에 있는 이동 탑재 플레이트(51)에 대해서는, 상기 제1 전달 기구(31) 및 제1 반송 기구(61)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 이로 인해, 이동 탑재 플레이트(51)에는 상기 제1 전달 기구(31) 및 제1 반송 기구(61) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위해 절결부(56)가 형성되어 있다. 이 이동 탑재 플레이트(51)가 대기 위치에 있을 때에는, 상기 제1 전달 기구(반출용 전달 기구)(31)는 상기 이동 탑재 플레이트(반출용 적재부)(51)에서 볼 때 노광 스테이션(S4)의 반대측에 위치하고 있게 된다.The wafer W is transferred by the
이와 같은 주연 노광 모듈(4)은, 예를 들어 하나의 COT층[B3(B4)]에 대해 2개씩 준비되고, 도 4에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U7)에는, 예를 들어 4개의 주연 노광 모듈(4)이 적층되어 있다.Two such
제1 전달 기구(31), 제2 전달 기구(32) 및 제1 반송 기구(61), 제2 반송 기구(62)는, 이 예에서는 마찬가지로 구성되어 있다. 도 6에 제1 전달 기구(31) 및 제1 반송 기구(61)를 도시한 바와 같이, 이들은 웨이퍼(W)의 측 주위를 둘러싸는 편평한 포크(63)와, 당해 포크(63)로부터 내측으로 돌출되어 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 지지부(64)를 구비하고 있다. 이들 포크(63)는, 도 10에 도시한 바와 같이 베이스(65)를 따라서 이동 기구(65a)에 의해 진퇴 가능하고, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 승강 및 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 포크(63)와 이동 탑재 플레이트(51) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에, 포크(63)가 이동 탑재 플레이트(51)에 대해 승강할 수 있도록, 포크(63) 및 이동 탑재 플레이트(51)의 형상이 각각 설정되어 있다. 이로 인해, 포크(63)가 대기 위치에 있는 이동 탑재 플레이트(51)의 상방측 또는 하방측의 전달 위치까지 진출했을 때에, 상기 지지부(64)와 절결부(56)가 대응하도록 각각 구성되는 동시에, 상기 지지부(64)는 절결부(56)보다도 작게 형성되어 있다. 이와 같이 하여, 포크(63)를 상기 전달 위치로 진출시켜, 이동 탑재 플레이트(51)에 대해 승강시킴으로써, 포크(63)와 이동 탑재 플레이트(51) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.The
또한, 상기 반입용 전달 모듈(6)은, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이 하우징(60) 내의 스테이지(66) 상에 설치된 복수의 지지 핀(67)에 의해 웨이퍼(W)의 이면측이 지지되도록 구성되어 있다. 이 예에서는, 지지 핀(67)이 반입용 적재부에 상당한다. 이 지지 핀(67)에 대해서는 제2 전달 기구(32) 및 제2 반송 기구(62)가 승강 및 진퇴하여 웨이퍼(W)가 전달된다. 이로 인해, 지지 핀(67)은 제2 전달 기구(32) 및 제2 반송 기구(62)가 전달 동작을 했을 때에, 서로 간섭하지 않도록, 그 형상이나 위치가 설정되어 있다. 이때, 제2 전달 기구(반입용 전달 기구)(32)는 지지 핀(반입용 적재부)(67)에서 볼 때 노광 스테이션(S4)의 반대측에 위치하고 있다. 또한, 상기 하우징(60)에는 제2 전달 기구(32) 및 제2 반송 기구(62)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(60a, 60b)가 각각 형성되어 있다. 상기 하우징(60)은 선반 유닛(U8)의 일부를 구성하는 것이고, 이 선반 유닛(U8)에는, 예를 들어 2개의 반입용 전달 모듈(6)이 적층되어 있다.8 and 9, the carry-on
이 인터페이스 블록(S3)은 벽부에 의해 구획되어 있고, 상기 처리 블록(S2)에 대해 좌우 방향(Y방향)으로 이동 가능하게 연결하여 설치되어 있다. 예를 들어, 도 10에 도시한 바와 같이, 인터페이스 블록(S3)과 처리 블록(S2) 사이의 측벽부(71) 및 인터페이스 블록(S3)과 노광 스테이션(S4) 사이의 측벽부(72)에는 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)와, 제1 반송 기구(61) 및 제2 반송 기구(62)의 이동 영역을 형성하기 위한 개구부(71a, 72a)가 각각 형성되어 있다. 상기 측벽부(71, 72)에 각각 인접하는 처리 블록(S2) 및 노광 스테이션(S4)의 측벽부(14, 15)에도, 웨이퍼 반송용 개구부(14a, 15a)가 각각 형성되어 있다.The interface block S3 is partitioned by a wall portion and is provided so as to be movable in the horizontal direction (Y direction) relative to the processing block S2. 10, the
인터페이스 블록(S3)의 천장부에는, 예를 들어 공기를 청정화하기 위한 필터, 화학 증폭형 레지스트를 사용하는 경우에는, 공기 중의 알칼리 성분, 예를 들어 암모니아 성분이나 아민을 제거하기 위해 산 성분이 첨가되어 있는 화학 필터, 흡입 팬 등을 구비한 필터 유닛(73)이 설치되어 있다. 또한, 도 10에서는, 기체의 흐름을 나타내기 위해, 선반 유닛(U8)에 설치된 반입용 전달 모듈(6)은 하우징(60)만을 도시하고 있다.In the case where a chemically amplified resist is used, for example, a filter for cleaning the air, an acid component is added to the ceiling of the interface block S3 to remove an alkali component such as an ammonia component or an amine in the air And a
또한, 처리 블록(S2)의 저부에는 인터페이스 블록(S3)에 가까운 영역에 배기로(29)가 접속되어, 처리 블록(S2)으로부터 회수되는 분위기가 공장 배기계로 배기되는 한편, 일부가 필터 장치(74)로 도입된다. 그리고, 필터 장치(74)에서 청정화된 공기는 상기 필터 유닛(73)을 통해 인터페이스 블록(S3) 내에 다운플로우로서 분출되도록 되어 있다. 상기 필터 장치(74)는, 예를 들어 불순물을 제거하기 위한 불순물 제거부나, 가열 기구 및 가습 기구, 공기를 송출하는 송출부 등을 구비하고 있다.An
이와 같이 하여, 인터페이스 블록(S3) 내에는 필터 유닛(73)으로부터의 청정한 공기가 공급되는 동시에, 노광 스테이션(S4) 내에서 온도, 습도 조정된 분위기가 들어간다. 그리고, 이들 기체는 선반 유닛(U7, U8)의 각각의 하우징(40, 60) 내부에, 개구부(40b, 60b)를 통해 들어가고, 당해 하우징(40)을 통해 빠져나가 처리 블록(S2)측을 향해 흐르고, 배기로(29)를 통해 배기된다.In this manner, clean air from the
또한, 인터페이스 블록(S3)은, 도 10 내지 도 12에 도시한 바와 같이, 예를 들어 그 저부에 캐스터(75)가 설치되어 있다. 또한, 예를 들어 처리 블록(S2)의 측벽부(14)와 인터페이스 블록(S3)의 측벽부(71) 사이에는 가이드 기구(76)가 설치되어 있다. 이 가이드 기구(76)는, 예를 들어 도 11에 도시한 바와 같이, 상기 측벽부(14, 71)의 한쪽에 설치된 좌우 방향(Y방향)으로 연신되는 가이드 레일(77)과, 상기 측벽부(14, 71)의 다른 쪽에 설치되어, 상기 가이드 레일(77)에 결합하면서 이동하는 가이드 부재(78)를 구비하고 있다. 이 예에서는, 측벽부(14)에 가이드 레일(77), 측벽부(71)에 가이드 부재(78)가 설치되어 있다. 이와 같이 하여, 인터페이스 블록(S3)은 처리 블록(S2)에 대해, 상기 가이드 기구(76)에 의해 가이드된 상태로 좌우 방향으로 이동 가능하게 연결된다. 또한, 예를 들어 상기 가이드 레일(77)에는 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록(S2)에 대해 위치 결정한 상태로 고정하기 위한 위치 결정 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 상기 위치 결정되는 위치는, 예를 들어 도포, 현상 시스템을 가동시킬 때의 인터페이스 블록(S3)의 위치(도 2에 도시하는 위치)와, 메인터넌스 시에 인터페이스 블록(S3)을 인출한 위치(도 12에 도시하는 위치)이다. 또한, 도 12에서는 가이드 레일(77)을 간략화하여 그리고, 도 10에서는 가이드 기구(76)의 도시를 생략하고 있다.10 to 12, the interface block S3 is provided with a
상기 도포, 현상 시스템은, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)를 구비하고 있고, 이 제어부(100)는 프로그램(102), 메모리(103), CPU(101)로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있다. 프로그램(102)에는 이동 탑재 기구(13), 전달 아암(30), 각 반송 아암(A1 내지 A6), 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32), 제1 반송 기구(61) 및 반입용 반송 기구(62) 등에 제어 신호를 출력하기 위한 반송 제어 프로그램, 처리 레시피(105)를 참조하면서 각 모듈을 제어하기 위한 프로그램 등, 상기 시스템을 운전하기 위해 필요한 프로그램이 포함된다.The coating and developing system includes a
도 5 및 도 7에는 도포, 현상 시스템의 제어계 중, 본 발명에 관련이 깊은 부위에 대해 도시한다. 제어부(100)는 하나의 컴퓨터에 상당하는 것으로 한정되지 않고, 호스트 컴퓨터, 각 기구를 컨트롤하는 컨트롤러를 합한 시스템에 상당하는 것이어도 된다. 주연 노광 모듈(4)의 회전 스테이지(42)의 회전 기구(42a) 및 이동부(42b), 이동 탑재 플레이트(51)의 이동 기구(53)는 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다. 또한 노광부(44)의 광원(45a)은 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 온, 오프된다. 또한 주연 검출부(48)로부터의 검출값은 제어부(100)에 입력된다.5 and Fig. 7 show the deeper portions of the control system of the coating and developing system related to the present invention. The
상기 프로그램(102) 중에는 주연 노광 모듈(4)에 있어서의 처리를 실행하기 위한 프로그램이 포함되어 있고, 이 프로그램에 의해 후술하는 작용 설명과 같이 운전되게 된다. 주연 노광 모듈(4)에 있어서의 처리에 대해 간단히 서술하면, 도 13에 도시한 바와 같이, 우선, 제1 전달 기구(31)로부터 이동 탑재 플레이트(51)로 웨이퍼(W)를 전달하는 공정(스텝 S1)과, 이동 탑재 플레이트(51)로부터 회전 스테이지(42)로 웨이퍼(W)를 전달하는 공정(스텝 S2)이 행해진다. 다음에, 웨이퍼(W)의 주연 및 위치 정렬용 절결부인 노치를 검출하는 공정(스텝 S3)과, 웨이퍼(W)에 대해 주연 노광 처리를 행하는 공정(스텝 S4)이 행해진다. 계속해서, 노치가 설정된 위치에 정렬되도록 웨이퍼(W)의 위치 정렬을 행하는 공정(스텝 S5)과, 위치 정렬된 웨이퍼(W)를 이동 탑재 플레이트(51)로 전달하는 공정(스텝 S6)이 행해진다. 계속해서, 이동 탑재 플레이트(51)에 의해 웨이퍼(W)를 설정된 온도로 온도 조정하는 공정(스텝 S7)과, 온도 조정된 웨이퍼(W)를 이동 탑재 플레이트(51)로부터 제1 반송 기구(61)로 전달하는 공정(스텝 S8)이 실시된다.The
이 중, 웨이퍼(W)의 주연 및 노치를 검출하는 공정에 대해서는, 웨이퍼(W)를 회전 스테이지(42)에 의해, 설정된 회전 속도로 회전시키면서, 주연 검출부(48)에 의해 웨이퍼(W)의 주연을 검출함으로써 행한다. 프로그램(102)에는 상기 주연 검출부(48)의 검출값에 기초하여, 웨이퍼(W)의 주연과 노치의 위치 데이터를 취득하기 위한 위치 취득부를 이루는 위치 취득 프로그램이 포함된다. 이 위치 취득 프로그램에서는 웨이퍼(W)의 회전 방향의 위치와 웨이퍼(W)의 주연의 위치를 대응시킨 위치 데이터가 취득되고, 이에 의해 노치의 위치 데이터가 취득된다. 처리 레시피(105) 및 프로그램(102)은 메모리(103)에 저장되어 있지만, 도 7에서는 편의상, 그들을 저장하고 있는 메모리 부분을 생략하여 도시하고 있다.The process of detecting the periphery and the notch of the wafer W is performed by rotating the wafer W at a predetermined rotation speed by the
계속해서, 상술한 실시 형태의 작용에 대해 설명한다. 우선, 도포, 현상 시스템의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 개략에 대해 간단히 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(C)→이동 탑재 기구(13)→처리 블록(S2)의 타워(T1)의 전달 모듈(TRS)→전달 아암(30)→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)→단위 블록[B1(B2)]→단위 블록[B3(B4)]→타워(T2)의 전달 모듈(TRS)→제1 전달 기구(31)→인터페이스 블록(S3)의 주연 노광 모듈(4)→노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(61)→노광 스테이션(S4)의 경로로 반송된다. 계속해서, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 노광 스테이션(S4)의 제2 반송 기구(62)→인터페이스 블록(S3)의 반입용 전달 모듈(6)→제2 전달 기구(32)→처리 블록(S2)의 타워(T2)의 전달 모듈(TRS)→단위 블록[B5(B6)]→전달 아암(30)→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)→이동 탑재 기구(13)→캐리어(C)의 순으로 흘러간다.Next, the operation of the above-described embodiment will be described. First, the outline of the conveying path of the wafer W in the coating and developing system will be briefly described. The wafer W is transferred from the carrier C to the
계속해서, 주연 노광 모듈(4)에 있어서의 처리에 대해, 도 14 내지 도 20을 참조하여 서술한다. 우선, 도 14에 도시한 바와 같이, 처리 블록(S2)의 제1 전달 기구(31)로부터 대기 위치에 있는 이동 탑재 플레이트(51)로 웨이퍼(W)를 전달한다. 다음에, 이동 탑재 플레이트(51)가 회전 스테이지(42)측으로 이동하고, 이동 탑재 플레이트(51)와 전달 핀(43)의 협동 작업에 의해 회전 스테이지(42) 상에 웨이퍼(W)를 적재한다. 계속해서, 도 15에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 1회전시켜 주연 검출부(48)에 의해 웨이퍼(W)의 주연을 광학적으로 검출하여, 웨이퍼(W)의 주연과 노치의 위치 데이터를 취득한다. 그 후, 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에 대해 노광부(44)로부터의 자외선[상세하게는 광조사 단부(46)]에 의해 노광을 행하는 동시에 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐서 노광(주연 노광)을 행한다(도 16 참조). 웨이퍼(W)를 회전시키는 데 있어서는, 주연 검출부(48)의 검출 결과에 기초하여 이동부(42b)에 의해 회전 스테이지(42)의 위치를 조정하고, 이에 의해 노광 폭이 균일해지도록 하고 있다. 그 후, 웨이퍼(W)를, 노치(N)가 미리 설정된 위치에 정렬되도록 위치 정렬(얼라인먼트)한다(도 17 참조). 이 위치 정렬은, 예를 들어 웨이퍼(W)의 노치(N)가 노광 스테이션(S4)측에서 요구된 방향으로 정렬되도록 회전 스테이지(42)를 회전시킴으로써 행한다.Next, the process in the
이와 같이 하여 위치 정렬된 웨이퍼(W)를 회전 스테이지(42)로부터 이동 탑재 플레이트(51)로 전달하고, 이동 탑재 플레이트(51)에 의해, 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정한다(도 18 참조). 여기서는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 면내 온도가 23℃로 되도록 온도 조정한다. 계속해서, 이동 탑재 플레이트(51) 상의 웨이퍼(W)를, 노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(61)에 의해 수취하고, 노광 스테이션(S4) 내로 반입한다(도 19 참조). 이와 같이, 이동 탑재 플레이트(51) 상의 웨이퍼(W)는 노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(61)에 의해 직접 수취된다. 이로 인해, 주연 노광 모듈(4)에 있어서의 노치(N)의 위치 정렬은 제1 반송 기구(61)에 수취된 웨이퍼(W)의 노치가, 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 위치에 정렬되도록 행한다. 여기서, 웨이퍼(W)의 노치(N)의 위치를 정렬시킨다고 함은, 도 20에 도시한 바와 같이, 정상인 위치에 노치(N)의 중심 N0가 있을 때에, 상기 노치(N)의 중심 N0와 회전 스테이지(42)의 회전 중심 O를 연결하는 선을 기준선 S로 하고, 이 기준선 S로부터 ±θ°(θ≤10) 이내로 제한하도록 위치 정렬하는 것을 말한다.The wafers W aligned in this manner are transferred from the
노광 스테이션(S4) 내에서는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 온도나, 노치(N)의 위치의 미세 조정을 행한 후, 노광 처리를 실시한다. 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 노광 스테이션(S4)의 제2 반송 기구(62)에 의해, 인터페이스 블록(S3)의 반입용 전달 모듈(6)로 일단 전달되고, 계속해서, 처리 블록(S2)의 제2 전달 기구(32)에 의해 처리 블록(S2)으로 반입한다.In the exposure station S4, for example, after the temperature of the wafer W and the position of the notch N are finely adjusted, exposure processing is performed. The wafer W after the exposure processing is once transferred to the carrying-in
상술한 실시 형태에 따르면, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 처리 블록(S2)의 제1 전달 기구(31)(반출용 전달 기구)에 의해 이동 탑재 플레이트(51)(반출용 적재부)로 전달되고, 여기서 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정된다. 그리고, 온도 조정된 웨이퍼(W)는 이동 탑재 플레이트(51)로부터 노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(61)에 의해 직접 수취된다. 이로 인해, 웨이퍼(W)는 온도 조정된 후, 제1 반송 기구(61) 이외와는 접촉하지 않으므로, 당해 제1 반송 기구(61) 이외로 웨이퍼(W)의 열이 이동할 우려가 없다. 이로 인해, 웨이퍼(W)는 면내 온도의 균일성이 높은 상태로 노광 스테이션(S4)측으로 반입된다. 이에 의해, 노광 스테이션(S4)에서는, 웨이퍼(W)의 온도 조정은 미세 조정으로 충분해, 조정 시간이 단축되므로, 노광 스테이션(S4)에 있어서의 처리 시간이 단축되어, 결과적으로 도포, 현상 시스템 전체의 생산 효율이 향상된다.According to the above-described embodiment, the wafer W on which the resist film is formed is transferred to the movable mounting plate 51 (carry-out mounting portion) by the first transmitting mechanism 31 (carrying-out transfer mechanism) of the processing block S2 Where it is adjusted to the temperature required at the exposure station S4 side. The temperature-adjusted wafer W is received directly from the moving
또한, 제1 전달 기구(31)(반출용 전달 기구) 및 제2 전달 기구(32)(반입용 전달 기구)는 상기 이동 탑재 플레이트(51)(반출용 적재부) 및 반입용 전달 모듈(6)(반입용 적재부)에서 볼 때 노광 스테이션(S4)의 반대측에 위치하고 있다. 이에 의해, 예를 들어 메인터넌스 등일 때에, 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록(S2)에 대해 착탈해도, 제1 및 제2 전달 기구(31, 32)와 제1 및 제2 반송 기구(61, 62)의 위치 관계가 변화되는 일은 없다. 이로 인해, 인터페이스 블록(S3)을 인출하고, 다시 처리 블록(S2)에 연결한 후에, 처리 블록(S2)측의 전달 기구(31, 32)와, 노광 스테이션(S4)측의 반송 기구(61, 62)의 위치 정렬 작업이 불필요해져, 작업의 번잡화를 억제할 수 있다. 이에 의해, 메인터넌스 후의 조정 시간이 단축되어, 도포, 현상 시스템 전체의 생산 효율이 높아진다.The first transfer mechanism 31 (transfer mechanism for transfer) and the second transfer mechanism 32 (transfer mechanism for transfer) are connected to the transfer plate 51 (transfer unit for transfer) and transfer module 6 (Loading part for carrying-in), as shown in FIG. Thus, even if the interface block S3 is attached to or detached from the processing block S2 at the time of, for example, maintenance or the like, the first and
또한, 상술한 실시 형태에서는, 이동 탑재 플레이트(51)로부터 제1 반송 기구(61)로 웨이퍼(W)를 전달할 때에, 노치(N)가 노광 스테이션(S4)측에서 요구된 방향으로 정렬되도록, 노치(N)의 위치 정렬을 행하고 있다. 이로 인해, 노광 스테이션(S4)측에서는 웨이퍼(W)의 노치(N)의 위치 정렬이 미세 조정으로 충분해, 당해 위치 정렬에 필요로 하는 시간이 단축된다. 따라서, 노광 스테이션(S4)에 있어서의 처리 시간이 단축되므로, 도포, 현상 시스템 전체의 생산 효율이 향상된다.In the above-described embodiment, when the wafer W is transferred from the moving
또한, 상술한 실시 형태에서는, 인터페이스 블록(S3)에 주연 노광 모듈(4)을 설치하여, 이 이동 탑재 플레이트(51)를 반출용 적재부로 하고 있다. 이 주연 노광 모듈(4)에 있어서의 처리는, 노광 스테이션(S4)으로 반입되기 전의 웨이퍼(W)에 대해 행해지는 최종 처리이다. 이로 인해, 인터페이스 블록(S3)에 주연 노광 모듈(4)을 설치함으로써, 주연 노광 모듈(4)과 노광 스테이션(S4)으로의 웨이퍼(W)의 전달용 반출 적재부를 공용할 수 있고, 또한 처리량이 높아진다. 예를 들어, 처리 블록(S2)에 주연 노광 모듈(4)을 설치하는 경우에는, 주연 노광 모듈(4)과 별개로 인터페이스 블록(S3)에 반출용 적재부를 설치할 필요가 있어, 반송 개소가 증가하기 때문이다. 또한, COT층(B3, B4)에 주연 노광 모듈(4)을 설치하는 경우에는, 주연 노광 모듈(4)의 처리 시간이 길면, 당해 주연 노광 처리가 율속으로 되어, 처리량이 저하될 우려가 있기 때문이다. 한편, 인터페이스 블록(S2)에 주연 노광 모듈(4)을 설치하는 경우에는, COT층(B3, B4)에 있어서의 일련의 처리와, 주연 노광 처리를 서로 독립하여 행할 수 있으므로, 주연 노광 처리 시간이 긴 경우에는, 선반 유닛(U7)에 조립하는 주연 노광 모듈(4)의 수를 조정하면 된다.Further, in the above-described embodiment, the
또한, 상술한 실시 형태에 따르면, 인터페이스 블록(S3)에 반송 기구가 설치되어 있지 않으므로, 인터페이스 블록(S3)의 소형화 및 경량화를 도모할 수 있다. 이로 인해, 메인터넌스 시에는 인터페이스 블록(S3)의 인출 작업이 용이해진다. 또한, 인터페이스 블록(S3) 및 처리 블록(S2)에 가이드 기구(76)를 설치하여, 장치의 가동 시의 위치와 메인터넌스 시의 위치를 위치 결정함으로써, 처리 블록(S3)에 대한 큰 위치 어긋남을 억제하여, 인터페이스 블록(S3)을 착탈할 수 있다. 이로 인해, 메인터넌스 후에, 인터페이스 블록(S3)을 소정의 위치로 복귀시켰을 때에, 주연 노광 모듈(4)의 이동 탑재 플레이트(51)와 제1 전달 기구(31)와 제1 반송 기구(61)의 위치 정렬 작업이 용이해진다.Further, according to the above-described embodiment, since the interface block S3 is not provided with the transport mechanism, the size and weight of the interface block S3 can be reduced. This facilitates the drawing operation of the interface block S3 at the time of maintenance. A
여기서, 주연 노광 모듈(4)에서는 제1 전달 기구(31)로부터 이동 탑재 플레이트(51)로 웨이퍼(W)를 전달한 후, 이동 탑재 플레이트(51)에 의해 웨이퍼(W)를 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정한 후, 회전 스테이지(42)로 웨이퍼(W)를 전달하도록 해도 된다. 이 경우에는, 온도 조정에 의해, 면내 온도의 편차가 억제된 웨이퍼(W)에 주연 노광 처리가 행해지므로, 보다 균일성이 높은 주연 노광 처리를 행할 수 있다.Here, in the
또한, 상술한 반입용 전달 모듈(6)에서는 반송용 개구부(60a, 60b)를 개폐 가능하게 설치하여, 하우징(60) 내에 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하도록 구성해도 된다. 이 경우에는, 예를 들어 하우징(60) 내를 불활성 가스 분위기로 한 상태에서, 노광 후의 웨이퍼(W)를 하우징(60) 내로 반입한다. 이에 의해, 대기 중의 아민과 웨이퍼(W) 표면에 형성된 패턴의 접촉을 억제하여, 패턴의 형상 변화를 억제할 수 있다.In the above-described carry-in
계속해서, 인터페이스 블록(S3)에 설치되는 주연 노광 모듈의 다른 예에 대해 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한다. 이 예의 주연 노광 모듈(400)은, 도 5 내지 도 7에 도시하는 주연 노광 모듈(4)에 있어서, 이동 탑재 플레이트(51)를 설치하지 않는 구성이고, 도 5 내지 도 7과 동일한 구성 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하여, 설명을 생략한다.Next, another example of the peripheral exposure module provided in the interface block S3 will be described with reference to Figs. 21 and 22. Fig. The
이 예의 회전 스테이지(420)는 반출용 적재부를 이루는 것으로, 예를 들어 웨이퍼(W)보다도 큰 원판 형상으로 구성되고, 그 내부에는 온도 조절 기구(54)가 설치되어 있다. 또한, 회전 스테이지(420)가 웨이퍼(W)보다도 크게 형성되어 있으므로, 발광부(48a) 및 수광부(48b) 사이에서 광축이 형성되도록, 회전 스테이지(420)에는 절결부(421)가 형성되어 있다.The
이와 같은 주연 노광 모듈(400)은 회전 스테이지(420)와 제1 전달 기구(31) 및 제1 반송 기구(61) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록, 회전 스테이지(420)의 위치가 설정되어 있다. 이때, 제1 전달 기구(31)는 상기 회전 스테이지(420)에서 볼 때 노광 스테이션(S4)의 반대측에 위치하고 있다.The
또한, 회전 스테이지(420)로 웨이퍼(W)를 전달할 때에는, 전달 핀(43)을 회전 스테이지(420)의 상방측에 위치시키는 동시에, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 제1 전달 기구(31)를 전달 핀(43)의 상방측으로 진입시킨 후 하강시키고, 계속해서 전달 핀(43)을 하강시킴으로써 행한다. 또한, 제1 반송 기구(61)로 웨이퍼(W)를 전달할 때에는, 전달 핀(43)을 상승시켜, 웨이퍼(W)를 회전 스테이지(420)의 상방측에서 보유 지지시키는 동시에, 제1 반송 기구(61)를 전달 핀(43)의 하방측으로 진입시킨 후 상승시킴으로써 행한다. 도면 중 부호 410은 하우징이고, 부호 411, 부호 412는 각각 웨이퍼(W)의 반송용 개구부이다.When transferring the wafer W to the
그리고, 이 주연 노광 모듈(400)에서는 제1 전달 기구(31)로부터 회전 스테이지(420)로 웨이퍼(W)를 전달한 후, 회전 스테이지(420)에 의해 웨이퍼(W)를 온도 조절한 상태에서, 웨이퍼(W)의 주연 및 노치의 위치를 취득하고, 취득된 웨이퍼(W)의 주연의 위치에 기초하여 주연 노광 처리를 행한다. 계속해서, 회전 스테이지(420)를 회전시켜, 노치(N)의 위치를 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 위치에 정렬시킨다. 이와 같이 하여, 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정되는 동시에, 노치(N)의 위치 정렬이 행해진 웨이퍼(W)를 제1 반송 기구(61)로 전달한다.In the
이와 같은 주연 노광 모듈(400)에 있어서도, 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정되는 동시에, 노치(N)의 위치 정렬이 행해진 웨이퍼(W)를 제1 반송 기구(61)로 전달하고 있다. 이로 인해, 노광 스테이션(S4)측에 있어서 웨이퍼(W)의 온도 조정 시간이나 위치 정렬 시간이 단축되어, 도포, 현상 시스템의 생산 효율을 높일 수 있다. 또한, 제1 및 제2 전달 기구(31, 32)와 제1 및 제2 반송 기구(61, 62)의 위치 관계를 바꾸는 일 없이, 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록에 대해 착탈할 수 있다. 이로 인해, 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록(S2)에 대해 착탈했을 때에, 제1 및 제2 전달 기구(31, 32)와, 제1 및 제2 반송 기구(61, 62)의 위치 정렬 작업이 불필요해진다.The
계속해서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해, 도 23 및 도 24를 참조하여 설명한다. 이 실시 형태가 제1 실시 형태와 다른 점은, 인터페이스 블록(S3)의 선반 유닛(U7)에 주연 노광 모듈을 설치하는 대신에, 얼라인먼트 기능을 구비한 반출용 전달 모듈(7)을 설치한 점이다. 이 예에 있어서는, 도 23에 도시한 바와 같이, 주연 노광 모듈(4A)은 COT층(B3, B4)의 선반 유닛(U6)에 조립된다. 또한, 이 주연 노광 모듈(4A)은, 예를 들어 도 5 및 도 21의 구성에 있어서, 주연 검출부(48)가 설치되어 있지 않은 구성이다.Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 23 and 24. Fig. This embodiment differs from the first embodiment in that the
상기 반출용 전달 모듈(7)은, 예를 들어 도 24에 도시한 바와 같이, 노광부(44) 및 이동부(42b) 및 가이드 레일(42c)이 설치되어 있지 않은 점을 제외하고, 상술한 도 21에 도시하는 예와 마찬가지로 구성되어, 회전 스테이지(420)가 반출용 적재부에 상당한다. 따라서, 이 예에 있어서도, 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)는 회전 스테이지(420) 및 반입용 전달 모듈(6)에서 볼 때 노광 스테이션(S4)의 반대측에 위치하고 있다. 또한, 상술한 구성과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하여, 설명을 생략한다.As shown in Fig. 24, for example, the carrying-
이 예에서는, 상술한 예와 마찬가지로, 웨이퍼(W)를 단위 블록[B3(B4)]으로 반송하여 레지스트막을 형성하고, 이 단위 블록(B3)의 최종 공정에 있어서, 선반 유닛(U6)의 주연 노광 모듈(4A)로 반송한다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 타워(T2)의 전달 모듈(TRS)→제1 전달 기구(31)→인터페이스 블록(S3)의 반출용 전달 모듈(7)→노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(61)의 경로로 반송된다. 노광 후의 웨이퍼(W)의 반송 경로는 상술한 예와 마찬가지이다.In this example, the wafer W is transferred to the unit block B3 (B4) in the same manner as the above example to form a resist film. In the final step of the unit block B3, And is conveyed to the
상기 반출용 전달 모듈(7)에서는, 제1 전달 기구(31)로부터 회전 스테이지(420)로 웨이퍼(W)를 전달한 후, 회전 스테이지(420)에 의해 웨이퍼(W)를 온도 조절한 상태에서, 웨이퍼(W)의 주연 및 노치(N)의 위치의 취득을 행한다. 계속해서, 회전 스테이지(420)를 회전시켜, 노치(N)의 위치를 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 위치에 정렬시킨다. 이와 같이 하여, 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정되는 동시에, 노치(N)의 위치 정렬이 행해진 웨이퍼(W)를 제1 반송 기구(61)로 전달한다.The
이와 같은 반출용 전달 모듈(7)에 있어서도, 처리 블록(S2)의 제1 전달 기구(31)에 의해 전달된 웨이퍼(W)를 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정하는 동시에, 노치(N)의 위치 정렬을 행하여, 제1 반송 기구(61)로 전달하고 있으므로, 상술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 제1 및 제2 전달 기구(31, 32)와 제1 및 제2 반송 기구(61, 62)의 위치 관계를 바꾸는 일 없이, 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록에 대해 착탈할 수 있으므로, 상술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다.In the
계속해서, 본 발명의 다른 실시 형태에 대해, 도 25 내지 도 30을 참조하여 설명한다. 이 실시 형태는 인터페이스 블록(S3)에 캐리어(C)의 반입부(81) 및 반출부(82)를 설치한 예이다. 이들 반입부(81) 및 반출부(82)는 처리 블록(S2)측으로부터 인터페이스 블록(S3)을 보았을 때에, 인터페이스 블록(S3)의 좌우 방향(도 25 중 Y방향)의 양측에 연결되어 있다. 이 예에서는, 처리 블록(S2)측에서 볼 때 선반 유닛(U7)의 우측에 반입부(81), 선반 유닛(U8)의 좌측에 반출부(82)가 각각 설치되어 있다. 또한, 선반 유닛(U7)에는 복수개, 예를 들어 2개의 반출용 전달 모듈(91)이 적층하여 설치되어 있다.Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 25 to 30. Fig. This embodiment is an example in which the carry-in
이 예의 반출용 전달 모듈(91)은, 도 26에 도시한 바와 같이 온도 조절 기구(92a)를 구비한 반출용 적재부를 이루는 스테이지(92)와, 승강 기구(93a)에 의해 승강 가능하게 구성된 전달 핀(93)을 구비하고 있다. 도 26 중 부호 94는 스테이지(92)의 지지 부재이다. 웨이퍼(W)는 스테이지(92)의 표면의 프록시미티 핀(95)에 의해 지지됨으로써, 스테이지(92)와의 사이에 약간의 간극을 두고 적재되어 있다. 이 반출용 전달 모듈(91)은, 예를 들어 선반 유닛(U7)의 일부를 구성하는 하우징(96) 내에 수납되고, 당해 하우징(96)은 승강 기구(97)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 이 하우징(96)에는 제1 전달 기구(31)와 제1 반송 기구(85)와 스테이지(92) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록, 반송용 개구부(96a)가 형성되어 있다. 이 예에 있어서도, 제1 전달 기구(31) 및 제2 전달 기구(32)는 스테이지(92) 및 반입용 전달 모듈(6)에서 볼 때 노광 스테이션(S4)의 반대측에 위치하고 있다.As shown in Fig. 26, the carrying-
도 27 및 도 28은 반입부(81)에 설치된 캐리어(C1)와, 스테이지(92)와 제1 반송 기구(85) 사이의 웨이퍼(W)의 전달의 모습을 모식적으로 그리는 도면이다. 이들에 도시한 바와 같이, 반입부(81)는, 예를 들어 캐리어(C1)를 적재하는 적재 스테이지(83)를 구비하고 있다. 캐리어(C1)는 그 개구부(80)가 반출용 전달 모듈(91)측을 향하도록 배치되고, 예를 들어 적재 스테이지(83) 상에서 승강 기구(84)에 의해 승강 가능하게 설치되어 있다. 또한, 이 예의 반입용 전달 모듈(6)은, 예를 들어 반출용 전달 모듈(91)과 마찬가지로 승강 가능하게 구성되는 동시에, 반출부(82)는 반입부(81)와 마찬가지로 구성되어 있다. 이 예에 있어서도, 예를 들어 주연 노광 모듈(4A)은 선반 유닛(U6)에 설치되어 있다.27 and 28 are diagrams schematically illustrating the state of delivery of the carrier C1 provided in the carry-in
이 예의 제1 반송 기구(85) 및 제2 반송 기구(86)는, 예를 들어 도 25, 도 27 및 도 28에 도시한 바와 같이 다관절 아암에 의해 구성되어 있다. 이 다관절 아암은, 예를 들어 베이스(87)에 적층된, 예를 들어 2개의 아암(88, 88)과, 이들 아암(88, 88) 중 상방측의 아암(88)의 선단부에 설치된 피크(89)를 구비하여 구성되어 있다. 이들은, 구동부(87a)에 의해, 상기 베이스(87)를 통해 연직축 주위로 회전 가능 및 피크(89)가 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 이 예에서는, 제1 반송 기구(85) 및 제2 반송 기구(86)에 승강 기구가 설치되어 있지 않은 구성으로 하고 있지만, 피크(89)를 승강시키는 승강 기구를 설치하도록 해도 된다.The
이 제1 반송 기구(85)는, 도 29에 도시한 바와 같이 반출용 전달 모듈(91) 내의 웨이퍼(W)를 수취하는 동시에, 도 30에 도시한 바와 같이 캐리어(C1) 내의 웨이퍼(W)를 수취하도록 구성된다. 마찬가지로 제2 반송 기구(86)는 반입용 전달 모듈(6)로 웨이퍼(W)를 전달하는 동시에, 캐리어(C2) 내로 웨이퍼(W)를 전달하도록 구성된다.29, the
이때, 캐리어(C1) 내의 웨이퍼(W)를 수취할 때에, 예를 들어 도 27 및 도 28에 도시한 바와 같이, 제1 반송 기구(85)가 웨이퍼(W)를 적재하려고 하는 스테이지(92)의 상방측을 통과하여 캐리어(C1) 내에 액세스할 수 있도록 구성된다. 그리고, 캐리어(C1)로부터 수취한 웨이퍼(W)는 그대로 스테이지(92)로 전달되도록 구성된다. 이와 같이 캐리어(C1) 및 반출용 전달 모듈(91)의 높이 위치를 적절한 위치로 설정하여 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 또한, 캐리어(C2) 내로 웨이퍼(W)를 전달할 때에는, 예를 들어 제2 반송 기구(86)가 반입용 전달 모듈(6)의 상방측, 혹은 지지 핀(67)의 상방측의 영역을 통과하여 캐리어(C2)에 액세스할 수 있도록 구성된다. 이 예에서는, 상기 제1 및 제2 반송 기구(85, 86)는 승강하지 않는 구성이므로, 캐리어(C1, C2)나 반출용 전달 모듈(91), 반입용 전달 모듈(6) 사이의 웨이퍼의 전달은 캐리어(C1, C2)나 반출용 전달 모듈(92), 반입용 전달 모듈(6)측을 승강시켜 행한다.27 and 28, when the wafer W in the carrier C1 is received, the
이와 같은 구성에서는, 통상 시의 웨이퍼(W)의 반송은, 인터페이스 블록(S3)으로 반송하기 전까지는 상술한 구성과 마찬가지로 행한다. 그리고, 처리 블록(S2)에 의해 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS)→제1 전달 기구(31)→반출용 전달 모듈(91)의 경로로 반송한다. 반출용 전달 모듈(91)에서는 제1 전달 기구(31)와 전달 핀(93)의 협동 작업에 의해 스테이지(92)의 프록시미티 핀(95) 상으로 웨이퍼(W)를 전달하고, 스테이지(92)에 의해 웨이퍼(W)를 온도 조절한다. 이와 같이 하여, 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정된 웨이퍼(W)를, 전달 핀(73)과의 협동 작업에 의해 제1 반송 기구(85)로 전달한다. 노광 후의 웨이퍼(W)의 반송 경로는 상술한 예와 마찬가지이다.In such a configuration, the transport of the wafer W at the normal time is performed in the same manner as the above-described configuration until it is transported to the interface block S3. The wafer W having the resist film formed thereon by the processing block S2 is transferred to the path of the transfer module TRS of the tower T2 → the
또한, 이 실시 형태의 도포, 현상 시스템에서는, 예를 들어 외부의 도포, 현상 장치에 있어서 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 노광 스테이션(S4)에서 노광 처리를 행할 수 있다. 이 경우에는 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)가 수납된 캐리어(C1)를 반입부(81)에 적재하고, 노광 후의 웨이퍼(W)를 수납하는 캐리어(C2)를 반출부(82)에 적재한다. 그리고, 예를 들어 도 27 및 도 28에 도시한 바와 같이, 캐리어(C1)와, 웨이퍼(W)를 적재하려고 하는 스테이지(92)의 높이를 미리 설정된 위치로 한다. 또한, 캐리어(C1, C2)는 도시하지 않은 개폐부에 의해 개폐되도록 되어 있다. 제1 반송 기구(85)는 캐리어(C1)로부터 수취한 웨이퍼(W)를 스테이지(92)에 적재하여 온도 조절하고, 노광 스테이션(S4)측에서 요구된 온도로 조정된 웨이퍼(W)를, 제1 반송 기구(85)로 전달한다. 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는, 예를 들어 반입용 전달 모듈(6)의 상방측을 통과하여 캐리어(C2) 내로 전달한다. 또한, 다음의 웨이퍼(W)를 캐리어(C1)로부터 수취할 때에는, 예를 들어 도 28에 도시한 바와 같이, 캐리어(C1)와, 웨이퍼(W)를 적재하려고 하는 스테이지(92)의 높이를 조정하고, 마찬가지로 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.In the coating and developing system of this embodiment, for example, the wafer W on which the resist film is formed in the external coating and developing apparatus can be exposed to light in the exposure station S4. In this case, the carrier C1 containing the wafer W on which the resist film is formed is placed on the carry-in
이 예에 따르면, 반출용 전달 모듈(91)에 의해 웨이퍼(W)를 노광 스테이션(S4)측에서 요구되는 온도로 조정한 후, 제1 반송 기구(85)로 전달하고 있으므로, 상술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 제1 및 제2 전달 기구(31, 32)와 제1 및 제2 반송 기구(85, 86)의 위치 관계를 바꾸는 일 없이, 인터페이스 블록(S3)을 처리 블록에 대해 착탈할 수 있으므로, 상술한 실시 형태와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 캐리어(C1, C2), 반출용 전달 모듈(91)이나 반입용 전달 모듈(6)을 승강 가능하게 설치하고 있으므로, 제1 및 제2 반송 기구(85, 86)가 승강 가능하게 설치되어 있지 않은 경우라도 웨이퍼(W)의 전달을 할 수 있다. 이 예에 있어서는, 캐리어(C1)만을 인터페이스 블록(S3)에 설치하여, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 제1 반송 기구(61)에 의해, 동일한 캐리어(C1) 내로 전달하도록 해도 된다.According to this example, since the wafer W is adjusted to the temperature required at the exposure station S4 side by the carry-out
또한, 도 31 내지 도 33에 도시한 바와 같이, 인터페이스 블록(S3)에 캐리어(C)를 적재하도록 구성해도 된다. 이 예에서는, 캐리어(C1)는 반출용 전달 모듈(91)에 인접하고, 캐리어(C2)는 반입용 전달 모듈(6)에 인접하도록 적재된다. 그리고, 캐리어(C1, C2) 및 반출용 전달 모듈(91), 반입용 전달 모듈(6)은 각각 승강 기구(84, 84a, 97, 97a)에 의해 승강 가능하게, 이동 기구(98a, 98b)에 의해, 상기 좌우 방향(Y방향)으로 연신되는 가이드 레일(98c)을 따라서 이동 가능하게 설치되어 있다. 상기 캐리어(C1, C2)는 그 개구부(80)가 노광 스테이션(S4)측을 향하도록 배치되어 있다.Further, as shown in Figs. 31 to 33, the carrier C may be mounted on the interface block S3. In this example, the carrier C1 is adjacent to the carrying-
이 예의 제1 반송 기구(111) 및 제2 반송 기구(112)는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 이면측 중앙 영역을 보유 지지하는 보유 지지 아암(113)이 진퇴 가능 및 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 이 예에서는, 제1 반송 기구(111) 및 제2 반송 기구(112)에 승강 기구가 설치되어 있지 않은 구성으로 하고 있지만, 보유 지지 아암(113)을 승강시키는 승강 기구를 설치하도록 해도 된다. 그리고, 예를 들어 도 31에 도시한 바와 같이, 반출용 전달 모듈(91)을 제1 반송 기구(111)와 대응하도록 위치시켜, 반출용 전달 모듈(91)측을 승강시킴으로써, 반출용 전달 모듈(91)과 제1 반송 기구(111) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 구성되어 있다. 또한, 도 33에 도시한 바와 같이, 캐리어(C1)를 제1 반송 기구(111)와 대응하도록 위치시켜, 캐리어(C1)측을 승강시킴으로써, 캐리어(C1) 내의 웨이퍼(W)가 제1 반송 기구(91)에 의해 수취된다. 한편, 반입용 전달 모듈(6) 및 캐리어(C2)를 제2 반송 기구(92)와 대응하도록 각각 위치시킴으로써, 반입용 전달 모듈(6) 또는 캐리어(C2)로 제2 반송 기구(92)로부터 웨이퍼(W)가 전달된다.The first and
그리고, 예를 들어 외부의 도포, 현상 장치에 있어서 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해 노광 스테이션(S4)에서 노광 처리를 행하는 경우에는, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)를 캐리어(C1)에 수납하여 인터페이스 블록(S3)으로 반입한다. 또한, 노광 후의 웨이퍼(W)를 수납하는 캐리어(C2)를 인터페이스 블록(S3)에 적재한다. 예를 들어, 인터페이스 블록(S3)에 설치된 도시하지 않은 개구부를 통해 캐리어(C1, C2)를 적재하고, 캐리어(C1, C2)를 도시하지 않은 개폐부에 의해 개방한다. 그리고, 캐리어(C1)를 제1 반송 기구(111)에 대응하는 위치로 이동시켜, 그 높이 위치를 조정하여, 제1 반송 기구(111)로 웨이퍼(W)를 전달한다. 계속해서, 반출용 전달 모듈(91)을 제1 반송 기구(111)에 대응하는 위치로 이동시켜, 그 높이 위치를 조정하여, 웨이퍼(W)를 스테이지(92)에 적재한다. 이와 같이 하여, 당해 스테이지(92)에 의해 노광 스테이션(S4)측에서 요구된 온도로 조정된 웨이퍼(W)를, 반출용 전달 모듈(91)측을 승강시킴으로써, 제1 반송 기구(111)로 전달한다. 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 캐리어(C2)를 제2 반송 기구(112)에 대응하는 위치로 이동하여, 캐리어(C2)측을 승강시킴으로써, 제2 반송 기구(92)로부터 캐리어(C2) 내로 전달한다. 이 예에 있어서도, 캐리어(C1)만을 설치하여, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 제1 반송 기구(111)에 의해, 동일한 캐리어(C1) 내로 전달하도록 해도 된다.In the case where exposure processing is performed in the exposure station S4 on the wafer W on which the resist film is formed in the external coating or developing apparatus, for example, the wafer W on which the resist film is formed is housed in the carrier C1 To the interface block S3. Further, the carrier C2 for accommodating the exposed wafer W is loaded in the interface block S3. For example, the carriers C1 and C2 are loaded through openings (not shown) provided in the interface block S3 and the carriers C1 and C2 are opened by an opening and closing section (not shown). The carrier C1 is moved to a position corresponding to the
또한 도 34에 도시한 바와 같이, 반출용 전달 모듈(91)[선반 유닛(U7)] 및 반입용 전달 모듈(6)[선반 유닛(U8)]을 승강 가능하게, 좌우 방향(Y방향) 및 전후 방향(X방향)으로 이동 가능하게 설치하도록 해도 된다. 이 예에서는, 예를 들어 상기 Y방향 가이드 레일(98c)이 X방향 가이드 레일(98d)을 따라서, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 이동 가능하게 구성되어 있다.As shown in Fig. 34, the carrying-out transfer module 91 (the shelf unit U7) and the carrying-in transfer module 6 (shelf unit U8) But may be provided so as to be movable in the forward and backward directions (X direction). In this example, for example, the Y-
이와 같은 구성에서는, 노광 스테이션(S4)의 제1 반송 기구(111), 제2 반송 기구(112)의 이격 거리나 스트로크에 맞추어, 반출용 전달 모듈(91) 및 반입용 전달 모듈(6)의 위치를 조정할 수 있다. 이로 인해, 노광 스테이션(S4)의 선택의 자유도가 높아진다.In this configuration, in accordance with the distance and the stroke of the
또한, 예를 들어 도 35 및 도 36에 도시한 바와 같이, 도 31 내지 도 34의 구성에 있어서, 캐리어(C1, C2) 및 선반 유닛(U7, U8)의 승강 기구(84, 84a, 97, 97a) 및 이동 기구(98a, 98b)를 설치하지 않고, 제1 반송 기구(111), 제2 반송 기구(112)를 승강 가능하게 설치하도록 구성해도 된다. 이 경우, 인터페이스 블록(S3)은 좌우 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있으므로, 인터페이스 블록(S3) 자체를 좌우 방향으로 이동시킨다. 이와 같이 하여, 도 35에 도시한 바와 같이, 반출용 전달 모듈(91)을 제1 반송 아암(111)에 대응하도록 위치시켜, 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 또한, 도 36에 도시한 바와 같이, 캐리어(C1)를 제1 반송 기구(111)에 대응하도록 위치시켜, 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 캐리어(C2) 및 반입용 전달 모듈(6)로 웨이퍼(W)를 전달할 때에는, 각각 캐리어(C2) 및 반입용 전달 모듈(6)을 반송 기구(112)에 대응하도록 위치시켜, 각각 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.35 and 36, the
이상에 있어서, 본 발명에서는, 도 37에 도시한 바와 같이, 인터페이스 블록(S3)에 설치된 선반 유닛(U10)에 반출용 적재부와 반입용 적재부를 적층하여 설치하도록 해도 된다. 이 경우, 제1 전달 기구(반출용 전달 기구)와 제2 전달 기구(반입용 전달 기구)를 겸용하는 전달 기구(121)와, 제1 반송 기구와 제2 반송 기구를 겸용하는 반송 기구(122)를 설치한다. 그리고, 이들 전달 기구(121) 및 반송 기구(122)를 각각 진퇴 가능하게, 승강 가능 및 연직축 주위로 회전 가능하게 구성함으로써, 이들 반출 적재부와 반입 적재부에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 전달 기구(123)는 타워(T2)의 각 부와 세정 모듈(28) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달에 사용된다.As described above, in the present invention, as shown in Fig. 37, the carry-out loading unit and the carry-in loading unit may be stacked on the shelf unit U10 provided in the interface block S3. In this case, the
이상에 있어서, 본 발명에서는 주연 검출부로서 CCD 카메라를 사용하여, 웨이퍼(W)를 촬상하여 주연의 위치 및 노치(N)의 위치를 검출하도록 해도 된다. 또한, 인터페이스 블록(S3)에 설치된 주연 노광 모듈에서는, 반드시 웨이퍼(W)의 노치(N)의 위치 정렬을 행할 필요는 없다.As described above, in the present invention, a CCD camera may be used as the peripheral edge detecting unit to pick up the wafer W to detect the position of the peripheral edge and the position of the notch N. It is not always necessary to align the notches N of the wafers W in the peripheral exposure module provided in the interface block S3.
또한, 반입용 적재부를, 웨이퍼(W)를 적재하여 온도 조절하는 구성으로 해도 된다. 예를 들어, 인터페이스 블록(S3)의 선반 유닛(U8)에, 노광 처리 후의 검사를 행하는 검사 모듈을 설치하는 경우에는, 검사의 종류에 따라서는 온도의 영향을 받는 경우도 있다. 따라서, 노광 처리 후의 웨이퍼의 온도를 높은 균일성을 확보하도록 조정한 후, 검사 모듈에 의해 소정의 검사를 행하도록 하면, 검사의 신뢰성이 향상된다. 상기 검사 모듈로서는, 예를 들어 파티클이나 막 두께를 검사하는 모듈이 설치된다. 또한, 주연 노광 모듈(4)에 있어서는, 이동 탑재 플레이트(51)의 구동 기구(53)에 승강 기구를 조립하여, 이동 탑재 플레이트(51)를 승강 가능하게 구성하도록 해도 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 위치 정렬용 절결부는 오리엔테이션 플랫이어도 된다.Further, the carrying-in loading unit may be configured so that the temperature is adjusted by mounting the wafer W thereon. For example, when a shelf unit U8 of the interface block S3 is provided with an inspection module for inspecting after exposure processing, depending on the type of inspection, it may be influenced by temperature. Therefore, when the temperature of the wafer after the exposure processing is adjusted to secure high uniformity and then the predetermined inspection is performed by the inspection module, the reliability of inspection is improved. As the inspection module, for example, a module for inspecting particles or film thickness is provided. In the
또한, 반출용 전달 기구 및 반입용 전달 기구는 반출용 적재부 및 반입용 적재부에서 볼 때 노광 장치의 반대측에 위치하고 있으면 된다. 반출용 적재부에 대해 반출용 전달 기구 및 노광 장치의 반송 기구가 각각 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있으면, 이들을 전후 방향으로 일직선 상에 배열할 필요는 없다. 또한, 반입용 적재부에 대해 반입용 전달 기구 및 노광 장치의 반송 기구가 각각 기판의 전달을 행할 수 있으면, 이들을 전후 방향으로 일직선 상에 배열할 필요는 없다. 반출용 적재부 및 반입용 적재부는 적어도 1개 설치하도록 하면 되고, 기판의 반송 속도나 처리량을 고려하여, 적절하게 그 개수가 결정된다.The transfer mechanism for transfer and the transfer mechanism for transfer may be located on the opposite side of the exposure apparatus when viewed from the transfer unit and the transfer unit. It is not necessary to arrange the transfer mechanism for the carry-out and the transfer mechanism of the exposure apparatus in a straight line in the back-and-forth direction as long as they can transfer the wafers W to the carry-out loading section. In addition, as long as the carrying mechanism of the carry-in transfer mechanism and the transfer mechanism of the exposure apparatus can transfer the substrates to the carry-on part, it is not necessary to arrange them in a straight line in the longitudinal direction. At least one carry-out loading portion and carry-in loading portion may be provided, and the number thereof is appropriately determined in consideration of the conveying speed and the throughput of the substrate.
31 : 제1 전달 기구(반출용 전달 기구)
32 : 제2 전달 기구(반입용 전달 기구)
4, 4A, 400 : 주연 노광 모듈
42, 420 : 회전 스테이지
44 : 노광부
48 : 주연 검출부
51 : 이동 탑재 플레이트(반출용 적재부)
7, 91 : 반출용 전달 모듈
92 : 스테이지(반출용 적재부)
100 : 제어부
B1 내지 B6 : 단위 블록
S2 : 처리 블록
S3 : 인터페이스 블록
S4 : 노광 스테이션
W : 웨이퍼31: First transmission mechanism (transmission mechanism for carrying out)
32: Second transmission mechanism (transfer mechanism for carrying-in)
4, 4A, 400: peripheral exposure module
42, 420: rotating stage
44: Exposure section
48:
51: Moving mounting plate (carry-out loading part)
7, 91: Transfer module for export
92: stage (carry-out loading section)
100:
B1 to B6: unit block
S2: Processing block
S3: Interface block
S4: Exposure station
W: Wafer
Claims (8)
상기 처리 블록과 상기 노광 장치의 접속 방향을 전후 방향으로 하면, 상기 처리 블록과 상기 노광 장치 사이에, 당해 처리 블록에 대해 좌우 방향으로 이동 가능하게 연결하여 설치된 인터페이스 블록과,
상기 처리 블록에 설치되어, 레지스트막이 형성된 기판의 전달을 행하기 위한 반출용 전달 기구와,
상기 인터페이스 블록에 설치되어, 상기 반출용 전달 기구로부터 기판이 일단 전달되어 당해 기판의 온도를 노광 장치측에서 요구되는 온도로 조정하여, 상기 노광 장치의 반송 기구에 의해 당해 기판이 반출되는 반출용 적재부와,
상기 인터페이스 블록에 설치되어, 상기 노광 장치의 반송 기구에 의해 노광 후의 기판이 일단 전달되는 반입용 적재부와,
상기 처리 블록에 설치되어, 상기 반입용 적재부로부터 기판을 수취하여 처리 블록 내로 반입하는 반입용 전달 기구와,
상기 기판을 적재하여, 회전 기구에 의해 연직축 주위로 회전되는 회전 스테이지와,
상기 회전 스테이지에 적재된 기판의 주연부를 노광하는 노광부와,
상기 반출용 적재부를, 당해 반출용 적재부와 상기 반출용 전달 기구 또는 상기 노광 장치의 반송 기구 사이에서 기판을 전달하는 위치와, 당해 반출용 적재부와 상기 회전 스테이지 사이에서 기판을 전달하는 위치 사이에서 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
상기 기판은 위치 정렬용 절결부를 구비한 반도체 웨이퍼이며,
상기 반출용 전달 기구 및 반입용 전달 기구는 상기 반출용 적재부 및 반입용 적재부에서 볼 때 노광 장치의 반대측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.There is provided a substrate processing apparatus connected to an exposure apparatus for exposing a substrate on which a resist film has been formed, the substrate processing apparatus comprising: a processing block for performing a series of processes for forming a resist film on a substrate,
An interface block provided between the processing block and the exposure apparatus so as to be movable in the left and right direction with respect to the processing block when the connection direction of the processing block and the exposure apparatus is in the forward and backward directions,
A transfer mechanism for carrying out transfer of the substrate provided with the resist film on the processing block,
Wherein the substrate is once transferred from the transfer mechanism for transfer to adjust the temperature of the substrate to a temperature required by the exposure apparatus to transfer the substrate by the transfer mechanism of the exposure apparatus, Wealth,
A carrying-in loading section provided in the interface block, for transferring the exposed substrate by the carrying mechanism of the exposure apparatus once,
A transferring mechanism provided in the processing block for receiving a substrate from the carrying-in carrying unit and carrying it into the processing block,
A rotating stage which is rotated about a vertical axis by a rotating mechanism,
An exposure unit for exposing a peripheral portion of the substrate placed on the rotary stage,
Wherein the carrying-out stacking portion is provided between a position for transferring the substrate between the carrying-out carrying portion and the carrying mechanism of the carrying-out transfer mechanism or the exposure apparatus, and a position for transferring the substrate between the carrying-out carrying portion and the rotating stage And a moving mechanism for moving the movable member
Wherein the substrate is a semiconductor wafer having a positioning notch,
Wherein the transfer mechanism for transfer and the transfer mechanism for transfer are located on the opposite side of the exposure apparatus when viewed from the transfer stacking unit and the loading stacking unit.
상기 주연 검출부의 검출값에 기초하여, 상기 절결부의 위치 데이터를 취득하기 위한 위치 취득부를 구비하고,
상기 노광 장치의 반송 기구에 상기 반출용 적재부로부터 반도체 웨이퍼를 전달할 때에, 상기 절결부가 노광 장치측에서 요구된 방향으로 정렬되도록, 상기 절결부의 위치 데이터에 기초하여 상기 회전 기구를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.2. The semiconductor wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising: a peripheral edge detecting section for detecting a position of a peripheral edge of the semiconductor wafer mounted on the rotating stage;
And a position acquiring section for acquiring position data of the notch portion based on the detection value of the peripheral edge detecting section,
And a controller for controlling the rotation mechanism based on the position data of the notch portion so that the cutout portion is aligned in a required direction on the exposure apparatus side when the semiconductor wafer is transferred from the carry- Wherein the substrate processing apparatus further comprises:
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