KR101908514B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 백색 유기 발광층에서 방출되는 광이 컬러 필터층을 통과하여 색을 구현할 때, 시야각에 따라 색 특성이 달라지는 것을 방지하기 위한 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막; 상기 기판의 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 보호막을 제거하여 노출된 상기 기판 상에 형성된 컬러 필터층; 상기 컬러 필터층 및 보호막을 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 오버코트층; 상기 보호막과 상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀; 및 상기 오버코트층 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 백색 유기 발광층 및 상기 백색 유기 발광층을 덮도록 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 패널을 포함한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 색 특성을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로, 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 어레이부와, 박막 트랜지스터 어레이부 상에 위치하는 유기 발광 표시 패널 및 유기 발광 표시 패널을 외부환경으로부터 격리시키기 위한 인캡슐레이션층(Encapsulation Layer)을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층 양단에 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극에 전계를 가하여 유기 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광되는 전계 발광 현상을 이용하며, 유기 발광층에서 쌍을 이룬 전자와 정공은 여기상태로부터 기저상태로 떨어지면서 발광한다.
구체적으로, 유기 발광 표시 장치는 게이트 배선을 사이에 두고 복수 개의 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 복수 개의 서브 픽셀이 정의되며, 각 서브 픽셀은 게이트 배선에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 배선으로부터의 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호에 상응하는 광이 발생된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 일반적인 유기 발광 표시 장치를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 1과 같이, 일반적인 유기 발광 표시 장치는 기판(10)과, 기판(10) 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막(16), 보호막(16) 상에 형성된 컬러 필터층(17), 컬러 필터층(17)을 덮도록 형성된 오버코트층(18) 및 오버코트층(18) 상에 형성된 유기 발광 표시 패널(20)을 포함하며, 유기 발광 표시 패널(20)은 차례로 적층된 제 1 전극(20a), 유기 발광층(20b), 제 2 전극(20c)을 포함한다.
박막 트랜지스터는 게이트 전극(11a), 게이트 절연막(12), 반도체층(13), 소스 전극(15a) 및 드레인 전극(15b)을 포함하며, 반도체층(13)이 산화물 반도체층인 경우, 반도체층(13) 상에 형성된 식각 차단층(Etch Stop Layer; ESL)(14)을 더 포함한다.
제 1 전극(20a)은 보호막(16)과 오버코트층(18)을 선택적으로 제거하여 형성된 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 드레인 전극(15b)과 전기적으로 연결되며, 오버코트층(18) 상에 발광 영역을 정의하기 위해 제 1 전극(20a)의 일부를 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크(19)가 형성된다. 그리고, 뱅크홀에 유기 발광층(20b)이 형성되고, 유기 발광층(20b) 전면에 제 2 전극(20c)이 형성된다.
상기와 같은 유기 발광 표시 패널(20)은 제 1 전극(20a)으로부터 정공이, 제 2 전극(20c)으로부터 전자가 주입되어, 유기 발광층(20b)으로 주입된 정공과 전자가 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광한다. 또한, 유기 발광 표시 패널(20) 상에 유기 발광 표시 패널(20)을 캐핑하기 위한 인캡슐레이션층(Encapsulation Layer)이 더 형성될 수 있다.
인캡슐레이션층은 글래스 캡(30)의 일 면에 형성된 페이스 씰(22)을 통해 유기 발광 표시 패널(20)상에 부착된다. 특히, 유기 발광층(20b)으로 수분 및 산소가 유입되는 것을 방지하기 위해 페이스 씰(22)과 유기 발광 표시 패널(20) 사이에 무기막(21)이 더 형성될 수 있다.
상기와 같은 유기 발광 표시 패널(20)은 유기 발광층(20b)에서 백색 광을 방출하는 경우 유기 발광층(20c)에서 발생된 백색 광이 각 서브 픽셀에 형성된 컬러 필터층(17)을 통과하며 다양한 색을 구현할 수 있다. 그런데, 유기 발광 표시 패널(20)에서 방출되는 광은 차례로 오버코트층(18), 컬러 필터층(17), 보호막(16), 게이트 절연막(12) 및 기판(10)을 통과하여 외부로 방출되므로, 높은 굴절률을 갖는 보호막(16)과 게이트 절연막(12)을 통과할 때 시야각에 따라 광 파장의 간섭 현상으로 인해 색 반전이 발생함에 따라, 시야각에 따라 색 좌표가 달라지는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기 발광층에서 방출되는 광이 시야각에 따라 색 특성이 저하되는 것을 방지하기 위해, 발광 영역에 대응되는 고 굴절률의 게이트 절연막 및 보호막을 제거하여 컬러 필터를 통과한 광이 바로 기판을 통해 외부로 방출되는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막; 상기 기판의 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 보호막을 제거하여 노출된 상기 기판 상에 형성된 컬러 필터층; 상기 컬러 필터층 및 보호막을 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 오버코트층; 상기 보호막과 상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀; 및 상기 오버코트층 상에 형성되며, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 백색 유기 발광층 및 상기 백색 유기 발광층을 덮도록 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 패널을 포함한다.
상기 유기 발광 표시 패널에서 방출되는 백색 광은 차례로 상기 오버코트층, 컬러 필터층 및 기판을 통해 방출된다.
상기 컬러 필터층과 상기 오버코트층의 굴절률은 동일하다.
상기 게이트 절연막 및 보호막의 굴절률은 상기 기판과 컬러 필터층의 굴절률보다 높다.
상기 기판의 표시 영역에 형성된 상기 보호막의 가장자리와 상기 게이트 절연막의 가장자리가 일치한다.
상기 게이트 절연막과 상기 보호막은 동일 물질로 형성된다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 기판의 표시 영역의 일부 영역을 노출시키며, 동시에 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴을 형성하는 단계;
노출된 상기 기판 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러 필터층 및 보호막을 덮도록 상기 기판 전면에 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 드레인 콘택홀 패턴을 따라 상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 오버코트층 상에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 형성된 백색 유기 발광층 및 상기 백색 유기 발광층을 덮도록 형성된 제 2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 패널을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 유기 발광 표시 패널에서 방출되는 백색 광은 차례로 상기 오버코트층, 컬러 필터층 및 기판을 통해 방출된다.
상기 기판의 표시 영역에 형성된 상기 보호막의 가장자리와 상기 게이트 절연막의 가장자리가 일치하도록 상기 게이트 절연막과 상기 보호막을 선택적으로 제거한다.
상기 게이트 절연막과 상기 보호막은 동일 물질로 형성한다.
상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 기판의 표시 영역의 일부 영역을 노출시키며, 동시에 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴을 형성하는 단계는 하프톤 마스크(Half Tone Mask)를 이용한다.
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 게이트 절연막 및 보호막을 제거하여 기판을 노출시키고, 노출된 기판 상에 바로 컬러 필터층을 형성함으로써, 유기 발광 표시 패널에서 방출되는 광이 고 굴절률의 게이트 절연막 및 보호막을 통과하지 않고, 굴절률이 유사한 오버코트층, 컬러 필터층 및 기판을 통과하여 외부로 방출됨에 따라 시야각에 따라 색 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
둘째, 게이트 절연막 및 보호막을 제거하는 공정은 드레인 전극을 노출시키기 위한 공정과 동시에 수행되므로, 추가적인 마스크 공정 없이 색 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 단면도.
도 3a 내지 도 3l은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 4a는 일반적인 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색 특성을 나타낸 그래프이며, 도 4b는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색 특성을 나타낸 그래프.
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 단면도.
도 3a 내지 도 3l은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 4a는 일반적인 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색 특성을 나타낸 그래프이며, 도 4b는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색 특성을 나타낸 그래프.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 형성된 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막(160), 박막 트랜지스터의 게이트 절연막(120) 및 보호막(160)을 제거하여 노출된 기판(100) 상에 바로 형성된 컬러 필터층(170), 컬러 필터층(170) 및 보호막(160)을 덮도록 기판(100) 전면에 형성된 오버코트층(180) 및 오버코트층(180) 상에 형성된 유기 발광 표시 패널(200)을 포함한다.
상기와 같은 박막 트랜지스터와 유기 발광 표시 패널(200)은 기판(100)의 표시 영역에 형성되며, 도시하지는 않았으나, 기판(100)의 비 표시 영역에는 게이트 배선과 접속된 게이트 패드 및 데이터 배선과 접속된 데이터 패드가 구비된다.
구체적으로, 기판(100)의 표시 영역에는 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하여 복수 개의 서브 픽셀이 정의되고, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)의 교차 영역에 박막 트랜지스터가 형성된다.
박막 트랜지스터는 반도체층으로 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), TiO(Titanium Oxide)등의 산화물을 사용하는 박막 트랜지스터인 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT), 반도체층으로 유기물을 사용하는 유기 박막 트랜지스터(Organic TFT), 반도체층으로 비정질 실리콘을 이용해 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon TFT) 및 반도체층으로 다결정 실리콘을 이용해 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly Silicon TFT) 중 하나가 선택되어 이루어지며, 도면에서는 산화물 박막 트랜지스터를 도시하였다.
산화물 박막 트랜지스터는 실리콘 반도체층을 포함하는 실리콘 박막 트랜지스터(Silicon TFT)보다 높은 전하 이동도 및 낮은 누설전류 특성의 장점을 갖는다. 더욱이, 실리콘 박막 트랜지스터는 고온 공정을 통해 형성되며, 산화물 반도체층에 결정화 공정을 실시하므로, 대면적화 할수록 결정화 공정 시 균일도가 떨어져 대면적화에 불리하다. 그러나, 산화물 박막 트랜지스터는 저온 공정이 가능하며, 대면적화에 유리하다.
구체적으로, 산화물 박막 트랜지스터는 게이트 배선(미도시)에서 돌출 형성되거나 게이트 배선(미도시)의 일부 영역으로 정의된 게이트 전극(110a), 게이트 전극(110a)을 덮으며, 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)을 노출시키도록 형성된 게이트 절연막(120), 게이트 절연막(120) 상에 형성되어 게이트 전극(110a)과 중첩되는 반도체층(130), 반도체층(130) 상에 형성된 식각 차단층(Etch Stop Layer; ESL)(140) 및 식각 차단층(140) 상에 형성되며, 데이터 배선(미도시)과 접속된 소스 전극(150a) 및 소스 전극(150a)과 이격 형성된 드레인 전극(150b)을 포함한다.
이 때, 박막 트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막(160) 역시 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)을 노출시키도록 형성된다. 게이트 절연막(120)과 보호막(160)은 SiOx, SiNx, Al2O3 등과 무기 물질로 형성된다. 특히, 게이트 절연막(120)과 보호막(160)은 동일 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 표시 영역에 형성된 보호막(160)의 가장자리와 게이트 절연막(120)의 가장자리가 일치한다.
각 서브 픽셀의 노출된 기판(100) 상에는 R, G, B 컬러 필터층(170)이 형성되어, R, G, B 서브 픽셀이 정의된다. 이 때, 컬러 필터층(170)의 두께가 너무 두꺼운 경우 광 투과율이 저하되고, 두께가 너무 얇은 경우 색 재현율이 저하되므로, 컬러 필터층(170)의 두께는 약 1㎛인 것이 바람직하다. 특히, 컬러 필터층(170)이 형성되지 않는 W 서브 픽셀 역시 보호막(160)과 게이트 절연막(120)이 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)이 노출되도록 형성된다.
상기와 같이, 컬러 필터층(170)이 형성된 R, G, B 서브 픽셀은 컬러 필터층(170)을 통해 유기 발광층(200b)에서 방출되는 백색 광이 다양한 컬러를 구현한다. 그리고, 컬러 필터층(170)이 형성되지 않은 W 서브 픽셀은 유기 발광층(200b)에서 방출되는 백색 광을 그대로 구현한다.
그리고, 컬러 필터층(170)과 보호막(160)을 포함한 기판(100) 전면에 오버코트층(180)이 형성된다. 오버코트층(180)은 컬러 필터층(170)이 형성된 R, G, B 서브 픽셀뿐만 아니라, 컬러 필터층(170)이 형성되지 않은 W 서브 픽셀의 전면에 형성된다. 특히, W 서브 픽셀에는 컬러 필터층(170)이 형성되지 않으므로, 오버코트층(180)은 노출된 기판(100)의 전면을 덮도록 형성된다.
그리고, 오버코트층(180)과 보호막(160)을 선택적으로 제거하여 형성된 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 드레인 전극(150b)이 노출된다. 오버코트층(180) 상에는 차례로 적층된 제 1 전극(200a), 유기 발광층(200b) 및 제 2 전극(200c)을 포함하는 유기 발광 표시 패널(200)이 형성된다. 구체적으로, 제 1 전극(200a)은 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 드레인 전극(150b)과 전기적으로 접속된다. 제 1 전극(200a)은 양극(Anode)으로, 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 전도성 물질로 형성된다.
제 1 전극(200a) 상에는 발광 영역을 정의하기 위해 제 1 전극(200a)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크(190)가 형성되고, 뱅크홀에 백색 유기 발광 물질로 이루어진 유기 발광층(200b)이 형성된다. 그리고, 유기 발광층(200b) 상에 제 2 전극(200c)이 형성된다. 제 2 전극(200c)은 음극(Cathode)으로 알루미늄(Al)과 같은 반사성 금속 재질로 형성되어, 유기 발광층(200b)에서 생성된 광을 제 1 전극(200a)방향으로 반사시킨다.
도시하지는 않았으나, 제 1 전극(200a)과 유기 발광층(200b) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 형성될 수 있으며, 정공 주입층과 정공 수송층은 유기 발광층(200b)으로 정공이 잘 주입되도록 하기 위한 것이다. 그리고, 유기 발광층(200b)과 제 2 전극(200c) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 형성될 수 있으며, 전자 주입층과 전자 수송층은 유기 발광층(200b)으로 전자가 잘 주입되도록 하기 위한 것이다.
상기와 같은 유기 발광 표시 패널(200)은 제 1 전극(200a)과 제 2 전극(200c) 사이에 전압을 인가하면 제 1 전극(200a)으로부터 정공(Hole)이 제 2 전극(200c)으로부터 전자(Electron)가 주입되어 유기 발광층(200b)에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 생성된다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 발광하며, 상술한 바와 같이, 유기 발광 표시 패널(200) 하부의 컬러 필터층(170)을 통과하면서 각 컬러 필터층(170)에 대응되는 광이 기판(100)을 통해 외부로 방출된다.
즉, 상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층(200b)에서 방출되는 광이 오버코트층(180), 컬러 필터층(170) 및 기판(100)을 통해 바로 외부로 방출된다.
일반적인 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층(200b)과 기판(100) 사이에 오버코트층(180), 컬러 필터층(170), 보호막(160) 및 게이트 절연막(120)이 구비된다. 그런데, 일반적으로 컬러 필터층(170), 오버코트층(180) 및 기판(100)의 굴절률은 약 1.3 내지 1.6이나, 게이트 절연막(120) 및 보호막(160)의 귤절율은 2.0 이상이므로, 시야각에 따라 색 좌표가 변해 색 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
그러나, 상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 오버코트층(180)과 컬러 필터층(170) 사이에 고 굴절률의 무기 물질로 형성된 게이트 절연막(120) 및 보호막(160)을 제거하고 컬러 필터층(170)이 기판(100) 상에 바로 형성됨에 따라, 유기 발광층(200c)에서 방출되는 광이 굴절률이 유사한 오버코트층(180), 컬러 필터층(170) 및 기판(100)을 통과하여 외부로 방출되므로, 시야각에 따라 색 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 유기 발광 표시 패널(200) 상에는 유기 발광 표시 패널(200)을 캐핑하기 위한 인캡슐레이션층이 더 형성될 수 있으며, 인캡슐레이션층은 글래스 캡(300)의 일 면에 형성된 페이스 씰(220)을 통해 유기 발광 표시 패널(200)상에 부착된다. 특히, 유기 발광층(200b)으로 수분 및 산소가 유입되는 것을 방지하기 위해 페이스 씰(220)과 유기 발광 표시 패널(200) 사이에 AlOx, SiNx, 금속막 등과 같은 무기막(210)이 더 형성될 수 있다.
한편, 도시하지는 않았으나, 게이트 패드는 게이트 전극(110a)과 동일 층에 형성된 게이트 패드 하부 전극, 게이트 절연막(120), 보호막(160) 및 오버코트층(180)을 선택적으로 제거하여 게이트 패드 하부 전극을 노출시키는 게이트 콘택홀 및 제 1 전극(200a)과 동일 층에 형성되어 노출된 게이트 패드 하부 전극과 전기적으로 접속된 게이트 패드 상부 전극을 포함한다.
그리고, 데이트 패드는 소스 전극(150a)과 동일 층에 형성된 데이터 패드 하부 전극, 보호막(160)과 오버코트층(180)을 선택적으로 제거하여 데이터 패드 하부 전극을 노출시키는 데이터 콘택홀 및 제 1 전극(200a)과 동일 층에 형성되어 노출된 데이터 패드 하부 전극과 전기적으로 접속된 데이터 패드 상부 전극을 포함한다.
이하, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3l은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 3a와 같이, 기판(100)의 표시 영역에 게이트 배선(미도시) 및 게이트 전극(110a)을 형성한다. 도시하지는 않았으나, 게이트 배선(미도시)의 일 끝단은 기판(100)의 비 표시 영역까지 연장 형성되어, 게이트 배선(미도시)의 일 끝단에 게이트 패드 하부 전극이 형성된다. 게이트 배선(미도시), 게이트 전극 및 게이트 패드 하부 전극(미도시)을 포함한 기판(100) 전면에 SiOx, SiNx, Al2O3 등과 같은 무기 물질로 게이트 절연막(120)을 형성한다.
이어, 도 3b와 같이, 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 게이트 전극(110a)과 중첩되는 반도체층(130)을 형성하고, 반도체층(130) 상에 식각 차단층(Etch Stop Layer; ESL)(140)을 형성한다. 그리고, 복수 개의 서브 픽셀을 정의하기 위해 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 게이트 배선(미도시)과 교차하는 데이터 배선(미도시)을 형성하고, 데이터 배선(미도시)과 연결된 소스 전극(150a) 및 소스 전극(150a)과 이격된 드레인 전극(150b)을 형성한다. 도시하지는 않았으나, 데이터 배선(미도시)의 일 끝단은 기판(100)의 비 표시 영역까지 연장 형성되어, 데이터 배선(미도시)의 일 끝단에 데이터 패드 하부 전극이 형성된다.
상기와 같이 형성된 박막 트랜지스터는 반도체층(130)으로 IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), TiO(Titanium Oxide)등을 사용하는 산화물 박막 트랜지스터이며, 경우에 따라 박막 트랜지스터는 반도체층으로 유기물을 사용하는 유기 박막 트랜지스터(Organic TFT), 반도체층으로 비정질 실리콘을 이용해 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon TFT) 및 반도체층으로 다결정 실리콘을 이용해 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly Silicon TFT) 중 선택하여 이루어질 수 있다.
이어, 도 3c와 같이, 박막 트랜지스터를 덮도록 기판(100)의 표시 영역 및 비 표시 영역을 포함한 전면에 SiOx, SiNx, Al2O3 등과 같은 무기 물질로 보호막(160)을 형성한다. 이 때, 보호막(160)은 게이트 절연막(120)과 동일 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 도 3d와 같이, 게이트 절연막(120)과 보호막(160)을 선택적으로 제거하여 기판(100)의 비 표시 영역에 형성된 게이트 패드 하부 전극(미도시) 및 데이터 패드 하부 전극(미도시)을 노출시킨다. 동시에, 보호막(160)을 선택적으로 제거하여 드레인 전극(150b)을 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴(160a)을 형성하며, 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)이 노출되도록 보호막(160)과 게이트 절연막(120)을 제거한다.
이 때, 보호막(160)과 게이트 절연막(120)은 도 3d와 같이, 투과 영역(A) 및 차단 영역(B)을 갖는 마스크(MASK)를 이용하여 형성된 포토 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 제거한다. 마스크(MASK)의 투과 영역(A)은 보호막(160)과 게이트 절연막(120)을 제거하고자 하는 영역 및 드레인 전극(150a)을 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴을 형성하는 영역에 대응되며, 차단 영역(B)은 나머지 영역에 대응된다.
구체적으로, 보호막(160) 상에 포토 레지스트(400)를 도포하고, 포토 레지스트(400) 상에 마스크(MASK)를 위치시킨다. 그리고, 마스크를 이용하여 포토 레지스트(400)를 노광 및 현상하여, 도 3e와 같이, 포토 레지스트 패턴(400a)을 형성한다. 이어, 포토 레지스트 패턴(400a)을 마스크로 이용하여 노출된 보호막(160)과 게이트 절연막(120)을 제거하여 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)을 노출시키며, 동시에 드레인 전극(150b)을 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴(160a)을 형성한다. 이 때, 게이트 절연막(120)과 보호막(160)은 동일 물질로 형성되므로, 표시 영역에 남아있는 보호막(160)의 가장자리와 게이트 절연막(120)의 가장자리가 일치된다.
상기와 같이, 본 발명은 드레인 콘택홀 영역(160a)의 형성과 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)을 동시에 노출시킬 수 있으며, 보호막(160)과 게이트 절연막(120)을 하프톤 마스크(Half Tone Mask)를 이용하여 선택적으로 제거하는 경우, 표시 영역에 대응되는 기판(100) 상에 보호막(160)과 게이트 절연막(120)을 제거하여 기판(100)을 노출시킨 후, 드레인 전극(150a)을 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴을 형성할 수 있다.
그리고, 도 3f와 같이, 포토 레지스트 패턴(400a)을 제거한 후, 도 3g와 같이, 각 서브 픽셀의 노출된 기판(100) 상에 R, G, B 컬러 필터층(170)을 형성한다. R, G, B 컬러 필터층이 형성된 각 서브 픽셀은 R, G, B 서브 픽셀로 정의된다. 특히, 컬러 필터층(170)이 형성되지 않는 W 서브 픽셀 역시 보호막(160)과 게이트 절연막(120)이 표시 영역의 일부 영역에 대응되는 기판(100)이 노출되도록 제거된다.
상기와 같이, 컬러 필터층(170)이 형성된 R, G, B 서브 픽셀은 컬러 필터층(170)을 통해 후술할 유기 발광층에서 방출되는 백색 광이 다양한 컬러를 구현한다. 그리고, 컬러 필터층(170)이 형성되지 않은 W 서브 픽셀은 유기 발광층에서 방출되는 백색 광을 그대로 구현한다.
이어, 도 3h와 같이, 기판(100) 전면에 오버코트층(180)을 형성한다. 이 때, 오버코트층(180)은 컬러 필터층(170)이 형성된 R, G, B 서브 픽셀뿐만 아니라, 컬러 필터층(170)이 형성되지 않은 W 서브 픽셀의 전면에 형성된다. 특히, W 서브 픽셀에는 컬러 필터층(170)이 형성되지 않으므로, W 서브 픽셀의 오버코트층(180)은 노출된 기판(100)의 전면을 덮도록 형성된다.
그리고, 오버코트층(180)을 선택적으로 제거하여 표시 영역의 드레인 콘택홀 패턴(160a)을 따라 드레인 전극(150b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(160b)을 형성한다. 동시에, 기판(100)의 비 표시 영역의 게이트 패드 하부 전극(미도시)을 노출시키는 게이트 콘택홀 및 데이터 패드 하부 전극을 노출시키는 데이터 콘택홀을 형성한다.
상기와 같이, 드레인 전극(150b)과 게이트 패드 하부 전극(미도시) 및 데이터 패드 하부 전극(미도시)을 노출시키기 위해 오버코트층(180)과 보호막(160) 및 게이트 절연막(120)을 따로 패터닝하는 것은 오버코트층(180)과 보호막(160)을 같이 패터닝하는 경우, 보호막(160)이 역 테이퍼 형상으로 제거되어 후술할 제 1 전극과 드레인 전극(150b), 게이트 패드 상부 전극과 게이트 패드 하부 전극 및 데이터 패드 상부 전극과 데이터 패드 하부 전극의 접촉 불량이 발생할 수 있기 때문이다.
이어, 도 3i와 같이, 오버코트층(180)을 포함한 기판(100) 전면에 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 전도성 물질을 증착하고 이를 패터닝하여, 드레인 전극(150b)과 접속되는 제 1 전극(200a)을 형성하고, 동시에 비 표시 영역에도 게이트 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 게이트 패드 하부 전극(미도시)과 접속되는 게이트 패드 상부 전극(미도시) 및 데이터 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 데이터 패드 하부 전극(미도시)과 접속되는 데이터 패드 상부 전극(미도시)을 형성한다.
이어, 도 3j와 같이, 제 1 전극(200a) 상에 표시 영역의 발광 영역을 정의하기 위해 제 1 전극(200a)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크홀을 갖는 뱅크(190)를 형성한다. 그리고, 도 3k와 같이, 뱅크홀을 통해 노출된 제 1 전극(200a) 상에 유기 발광층(200b)을 형성한다. 유기 발광층(200b)은 백색 유기 발광 물질로 형성되어, 유기 발광층(200b)에서 방출되는 백색 광은 오버코트층(180), 컬러 필터층(170) 및 기판(100)을 통과하여 외부로 방출된다. 그리고, 유기 발광층(200b)을 덮도록 제 2 전극(200c)을 형성한다. 제 2 전극(200c)은 음극(Cathode)으로 알루미늄(Al)과 같은 반사성 금속 재질로 형성되어, 유기 발광층(200b)에서 방출되는 백색 광을 제 1 전극(200a) 방향으로 반사시킨다.
도시하지는 않았으나, 제 1 전극(200a)과 유기 발광층(200b) 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 형성될 수 있으며, 정공 주입층과 정공 수송층은 유기 발광층(200b)으로 정공이 잘 주입되도록 하기 위한 것이다. 또한, 유기 발광층(200b)과 제 2 전극(200c) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층이 더 형성될 수 있으며, 전자 주입층과 전자 수송층은 유기 발광층(200b)으로 전자가 잘 주입되도록 하기 위한 것이다.
상기와 같은 유기 발광 표시 패널(200)은 제 1 전극(200a)과 제 2 전극(200c) 사이에 전압을 인가하면 제 1 전극(200a)으로부터 정공(Hole)이 제 2 전극(200c)으로부터 전자(Electron)가 주입되어 유기 발광층(200b)에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 생성된다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 발광하며, 유기 발광 표시 패널(200) 하부의 컬러 필터층(170)을 통과하면서 각 컬러 필터층(170)에 대응되는 광이 기판(100)을 통해 외부로 방출된다.
그리고, 도 3l와 같이, 외부의 수분 및 산소가 유기 발광층(200b)으로 유입되는 것을 방지하기 위해, 제 2 전극(200c) 전면에 무기막(210)을 형성하고, 유기 발광 표시 패널(200)을 캐핑하기 위해, 글래스 캡(300)의 일면에 형성된 페이스 씰(220)을 무기막(210) 상에 부착한다.
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 추가적인 마스크 공정 없이 기판(100)을 노출시키고, 노출된 기판(100) 상에 컬러 필터층(170)을 바로 형성하므로, 유기 발광층(200c)에서 방출되는 광이 굴절률이 유사한 오버코트층(180), 컬러 필터층(170) 및 기판(100)만을 통과하여 외부로 방출되므로, 시야각에 따라 색 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 4a는 일반적인 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색 특성을 나타낸 그래프이며, 도 4b는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 시야각에 따른 색 특성을 나타낸 그래프이다.
일반적인 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층에서 방출되는 광이 차례로 오버코트층, 컬러 필터층, 보호막, 게이트 절연막 및 기판을 통과하여 외부로 방출되므로, 컬러 필터층을 통과한 광이 높은 굴절률을 갖는 보호막과 게이트 절연막을 통과하며 광 파장의 간섭 현상이 발생한다. 이로 인해, 도 4a와 같이, 시야각에 따라 색 좌표(CIE x, CIE y)가 달라져, 색 특성이 저하되는 문제가 발생한다.
그러나, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 오버코트층(180)과 컬러 필터층(170) 사이에 고 굴절률의 게이트 절연막(120) 및 보호막(160)을 제거하고 컬러 필터층(170)이 기판(100) 상에 바로 형성됨에 따라, 유기 발광층(200c)에서 방출되는 광이 굴절률이 유사한 오버코트층(180), 컬러 필터층(170) 및 기판(100)만을 통과하여 외부로 방출되므로, 도 4b와 같이, 시야각이 변해도 색 좌표(CIE x, CIE y)가 거의 일정하다. 따라서, 시야각에 따라 색 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 110a: 게이트 전극
120: 게이트 절연막 130: 반도체층
140: 식각 차단층 150a: 소스 전극
150b: 드레인 전극 160: 보호막
160a: 드레인 콘택홀 패턴 160b: 드레인 콘택홀
170: 컬러 필터층 180: 오버코트층
190: 뱅크 200: 유기 발광 표시 패널
200a: 제 1 전극 200b: 유기 발광층
200c: 제 2 전극 210: 무기막
220: 페이스 씰 300: 글래스 캡
400: 포토 레지스트 400a: 포토 레지스트 패턴
120: 게이트 절연막 130: 반도체층
140: 식각 차단층 150a: 소스 전극
150b: 드레인 전극 160: 보호막
160a: 드레인 콘택홀 패턴 160b: 드레인 콘택홀
170: 컬러 필터층 180: 오버코트층
190: 뱅크 200: 유기 발광 표시 패널
200a: 제 1 전극 200b: 유기 발광층
200c: 제 2 전극 210: 무기막
220: 페이스 씰 300: 글래스 캡
400: 포토 레지스트 400a: 포토 레지스트 패턴
Claims (13)
- 기판 상에 위치하고, 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막;
상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 보호막을 제거하여 노출된 상기 기판 상에 위치하고, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 보호막과 이격되는 컬러 필터층;
상기 컬러 필터층 및 상기 보호막을 덮는 오버코트층; 및
상기 오버코트층 상에 위치하고, 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 유기 발광 표시 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기 발광 표시 패널은 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 제 1 전극 및 상기 제 1 전극 상에 순서대로 적층된 백색 유기 발광층과 제 2 전극을 포함하되,
상기 백색 유기 발광층에서 방출되는 백색 광은 차례로 상기 오버코트층, 컬러 필터층 및 기판을 통해 방출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 컬러 필터층과 상기 오버코트층의 굴절률은 동일한 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 절연막의 굴절률 및 상기 보호막의 굴절률은 상기 기판의 굴절률 및 상기 컬러 필터층의 굴절률보다 높은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 컬러 필터층에 가까이 위치하는 상기 보호막의 가장자리와 상기 게이트 절연막의 가장자리가 일치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 절연막과 상기 보호막은 동일 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막을 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 기판의 일부 영역을 노출시키는 단계;
상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀 패턴을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 및 상기 보호막에 의해 노출된 상기 기판의 상기 일부 영역 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계;
상기 컬러 필터층 및 상기 보호막을 덮는 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 드레인 콘택홀 패턴을 따라 상기 오버코트층을 선택적으로 제거하여 상기 박막 트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 오버코트층 상에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접속하는 유기 발광 표시 패널을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 유기 발광 표시 패널은 상기 오버 코트층 상에 순서대로 적층된 제 1 전극, 백색 유기 발광층 및 제 2 전극을 포함하되,
상기 백색 유기 발광층에서 방출되는 백색 광은 차례로 상기 오버코트층, 컬러 필터층 및 기판을 통해 방출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 게이트 절연막과 상기 보호막을 선택적으로 제거하는 단계는 상기 보호막의 가장자리와 상기 게이트 절연막의 가장자리를 일치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 게이트 절연막과 상기 보호막은 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 기판의 상기 일부 영역을 노출시키는 단계 및 상기 드레인 콘택홀 패턴을 형성하는 단계는 하프톤 마스크(Half Tone Mask)를 이용하여 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 컬러 필터층은 상기 기판과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 컬러 필터층은 상기 기판의 상기 일부 영역과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200064656A (ko) * | 2018-11-29 | 2020-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러 필터들 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101994227B1 (ko) * | 2012-12-07 | 2019-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20140077626A (ko) * | 2012-12-14 | 2014-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR102120889B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| WO2016052152A1 (ja) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| KR102244758B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2021-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
| CN104576700B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型woled结构及制作方法 |
| KR102442415B1 (ko) | 2015-04-28 | 2022-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2017208253A (ja) * | 2016-05-19 | 2017-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102649202B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2024-03-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 비표시 영역 상으로 연장하는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN107565043B (zh) * | 2016-06-30 | 2020-01-10 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| KR102374754B1 (ko) * | 2017-09-27 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 구조물을 포함하는 디스플레이 장치 |
| JP6935915B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2021-09-15 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイス |
| US11163203B2 (en) * | 2019-12-06 | 2021-11-02 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | COA substrate and method of fabricating same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100703158B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| JP2007127752A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
| JP2009301002A (ja) | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512504B1 (en) * | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
| KR101098343B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2011-12-26 | 삼성전자주식회사 | 전계발광표시장치, 색필터 패널 및 이의 제조 방법 |
| KR101447044B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| JP2008276212A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置 |
| KR101553691B1 (ko) * | 2008-07-10 | 2015-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
| KR101002662B1 (ko) * | 2008-12-10 | 2010-12-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101294853B1 (ko) * | 2010-10-21 | 2013-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR20120077470A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2012
- 2012-08-22 KR KR1020120091765A patent/KR101908514B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100703158B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| JP2007127752A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
| JP2009301002A (ja) | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200064656A (ko) * | 2018-11-29 | 2020-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러 필터들 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102656240B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러 필터들 및 차광 부재를 포함하는 디스플레이 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CN103633110A (zh) | 2014-03-12 |
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| US8895971B2 (en) | 2014-11-25 |
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