KR101890099B1 - Substrate processing device and device manufacturing method - Google Patents
Substrate processing device and device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR101890099B1 KR101890099B1 KR1020187007927A KR20187007927A KR101890099B1 KR 101890099 B1 KR101890099 B1 KR 101890099B1 KR 1020187007927 A KR1020187007927 A KR 1020187007927A KR 20187007927 A KR20187007927 A KR 20187007927A KR 101890099 B1 KR101890099 B1 KR 101890099B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- pattern
- processing apparatus
- projection
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 375
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 32
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 75
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 52
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 19
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 10
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 90
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 43
- LWJKSVUJZBEXCH-UHFFFAOYSA-N n-[5-[2-chloro-5-(trifluoromethyl)phenyl]pyrazin-2-yl]-2,6-difluorobenzamide Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1C(=O)NC1=CN=C(C=2C(=CC=C(C=2)C(F)(F)F)Cl)C=N1 LWJKSVUJZBEXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 18
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 101100293180 Arabidopsis thaliana MYB28 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100020366 Mus musculus Krtap14 gene Proteins 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 6
- 102100031948 Enhancer of polycomb homolog 1 Human genes 0.000 description 5
- 101000920634 Homo sapiens Enhancer of polycomb homolog 1 Proteins 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 102100031941 Enhancer of polycomb homolog 2 Human genes 0.000 description 3
- 101000920664 Homo sapiens Enhancer of polycomb homolog 2 Proteins 0.000 description 3
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
기판 처리 장치는, 소정의 축으로부터 일정 반경으로 만곡한 곡면을 가지며, 기판의 일부분이 곡면에 감겨 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 축으로부터 보아 기판 지지 부재의 주위에 배치되며, 둘레 방향 중 특정 위치의 곡면에 있는 기판에 처리를 실시하는 처리부와, 기판 지지 부재에 공급되기 전의 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치를 구비한다. The substrate processing apparatus includes a substrate support member having a curved surface curved at a predetermined radius from a predetermined axis and having a part of the substrate wound on a curved surface to support the substrate, A processing section for performing processing on the substrate on the curved surface of the substrate, and a temperature adjusting device for adjusting the temperature of the substrate before being supplied to the substrate supporting member.
Description
본 발명은, 기판 지지 부재의 곡면에 있는 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a device manufacturing method for performing processing on a substrate on a curved surface of a substrate supporting member.
리소그래피(lithography) 공정에서 이용되는 노광(露光) 장치에 있어서, 하기 특허 문헌에 개시되어 있는 바와 같은, 원통 모양 또는 원기둥 모양의 마스크를 회전시켜, 기판을 노광하는 노광 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).BACKGROUND ART An exposure apparatus for exposing a substrate by rotating a cylindrical or cylindrical mask as disclosed in the following patent documents is known as an exposure apparatus used in a lithography process , See Patent Document 1).
판 모양의 마스크를 이용하는 경우 뿐만 아니라, 원통 모양 또는 원기둥 모양의 마스크를 이용하여 기판을 노광하는 경우에도, 마스크의 패턴의 상(像)을 기판에 양호하게 투영(投影) 노광하기 위해서, 마스크의 패턴의 위치 정보를 정확하게 취득할 필요가 있다. 그 때문에, 원통 모양 또는 원기둥 모양의 마스크의 위치 정보를 정확하게 취득할 수 있고, 그 마스크와 기판과의 위치 관계를 정확하게 조정할 수 있는 기술의 고안이 요구된다. In order to expose an image of the pattern of the mask well onto the substrate, not only when a plate-shaped mask is used but also when a substrate is exposed using a cylindrical or cylindrical mask, It is necessary to accurately acquire the position information of the pattern. Therefore, it is required to design a technique capable of accurately acquiring positional information of a cylindrical or cylindrical mask, and accurately adjusting the positional relationship between the mask and the substrate.
그래서, 특허 문헌 1에 개시된 노광 장치에서는, 마스크에서의 패턴 형성면의 소정 영역에, 패턴에 대해서 소정의 위치 관계로 위치 정보 취득용의 마크(눈금, 격자 등)를 형성하고, 엔코더 시스템에 의해 마크를 검출하는 것에 의해, 패턴 형성면의 둘레 방향에서의 패턴의 위치 정보, 혹은 마스크의 회전축 방향의 위치 정보를 취득하는 구성이 개시되어 있다. Thus, in the exposure apparatus disclosed in
또, 최근, 대형 표시 패널(액정, 유기 EL 등) 등의 전자 디바이스를 플렉시블한 수지(樹脂) 필름, 플라스틱 시트, 매우 얇은 유리 시트 등에 형성하기 때문에, 롤 모양으로 감겨진 플렉시블한 장척(長尺)의 필름이나 시트(이하, '가요성 기판'이라고도 함)를 인출하고, 그 가요성 기판의 표면에 광감응층(光感應層)을 도포하며, 그 광감응층에 전자 회로용의 각종의 패턴을 노광하는 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 2).In recent years, since electronic devices such as large display panels (liquid crystal, organic EL, etc.) are formed into flexible resin films, plastic sheets, and very thin glass sheets and the like, a flexible long- (Hereinafter, also referred to as a "flexible substrate") of a flexible substrate is applied to a flexible substrate, a photosensitive layer is coated on the surface of the flexible substrate, An apparatus for exposing a pattern has been proposed (for example, Patent Document 2).
상기의 특허 문헌 2에 개시된 바와 같은 가요성의 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치에서는, 기판의 신축을 억제하고, 처리의 정밀도를 향상시키는 것이 요망되고 있다. In the substrate processing apparatus for performing the processing on the flexible substrate as disclosed in the above-mentioned
본 발명의 형태는, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 신축을 억제하고, 처리의 정밀도를 향상시키는 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a device manufacturing method which can suppress expansion and contraction of a substrate and improve processing accuracy.
본 발명의 제1 형태에 따르면, 소정의 축으로부터 일정 반경으로 만곡(灣曲)한 곡면을 가지며, 기판의 일부분이 상기 곡면에 감겨 상기 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 상기 축으로부터 보아 상기 기판 지지 부재의 주위에 배치되며, 둘레 방향 중 특정 위치의 상기 곡면에 있는 상기 기판에 처리를 실시하는 처리부와, 상기 기판 지지 부재에 공급되기 전의 상기 기판의 온도를 조절하는 온도 조절 장치를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다. According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a substrate support member having a curved surface curved at a predetermined radius from a predetermined axis and having a part of the substrate wound on the curved surface to support the substrate; A processing unit arranged around the support member for performing a process on the substrate on the curved surface at a specific position in the circumferential direction and a temperature control device for adjusting the temperature of the substrate before being supplied to the substrate support member, Processing apparatus is provided.
본 발명의 제2 형태에 따르면, 본 발명의 제1 형태에 따르는 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 패턴을 형성하는 디바이스 제조 방법이 제공된다. According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method for forming a pattern on a substrate using a substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention.
본 발명의 제3 형태에 따르면, 플렉시블한 장척(長尺)의 기판의 장척 방향의 일부를, 기판 지지 부재의 상기 장척 방향으로 만곡한 지지면을 따라서 지지하면서, 상기 기판을 상기 장척 방향으로 소정의 속도로 반송하는 것과, 상기 기판 지지 부재의 지지면 중 상기 장척 방향의 특정 위치에서, 상기 지지면에 지지되는 상기 기판에 상기 전자 디바이스를 구성하는 패턴을 전사(轉寫)하는 것과, 상기 기판 지지 부재의 지지면에 대해서 상기 기판의 반송 방향의 상류측에서의 온도와, 상기 기판의 상기 지지면에서의 온도가 소정의 차이가 되도록 온도 제어하는 것을 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다. According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flexible substrate, comprising the steps of supporting a part of the flexible long substrate in a longitudinal direction along a supporting surface curved in the longitudinal direction of the substrate supporting member, Transferring a pattern constituting the electronic device to the substrate supported on the support surface at a specific position in the longitudinal direction of the support surface of the substrate support member; There is provided a device manufacturing method comprising controlling the temperature of the support member so that the temperature at the upstream side in the transport direction of the substrate with respect to the support surface and the temperature at the support surface of the substrate have a predetermined difference.
본 발명의 형태에 의하면, 기판 처리 장치 및 디바이스 제조 방법에 있어서, 기판의 신축을 억제하고, 처리의 정밀도를 향상시킬 수 있다. According to the aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus and the device manufacturing method, the expansion and contraction of the substrate can be suppressed and the processing accuracy can be improved.
도 1은, 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는, 제1 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은, 도 2에서의 조명 영역 및 투영 영역의 배치를 나타내는 모식도이다.
도 4는, 도 2의 처리 장치(노광 장치)에 적용되는 투영 광학계의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 5는, 도 2의 처리 장치(노광 장치)에 적용되는 회전 드럼의 사시도이다.
도 6은, 도 2의 처리 장치(노광 장치)에 적용되는 검출 프로브와 읽어냄 장치와의 관계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은, 제1 실시 형태에 관한 스케일 원반(圓盤)을 회전 중심선 방향으로 본, 읽어냄 장치의 위치를 설명하기 위한 설명도이다.
도 8은, 제1 실시 형태에 관한 온도 조절 장치를 설명하는 설명도이다.
도 9는, 얼라이먼트 마크의 일례를 설명하는 설명도이다.
도 10은, 기판의 신축에 의한 얼라이먼트 마크의 변화의 일례를 모식적으로 설명하는 설명도이다.
도 11은, 제1 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 처리를 보정하는 순서의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
도 12는, 제2 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다.
도 13은, 제3 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다.
도 14는, 제4 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다.
도 15는, 제5 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다.
도 16은, 제6 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다.
도 17은, 제1 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)를 이용한 디바이스 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. 1 is a diagram showing a configuration of a device manufacturing system according to the first embodiment.
2 is a schematic diagram showing the entire configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the first embodiment.
Fig. 3 is a schematic diagram showing the arrangement of the illumination area and the projection area in Fig. 2. Fig.
Fig. 4 is a schematic diagram showing a configuration of a projection optical system applied to the processing apparatus (exposure apparatus) of Fig. 2; Fig.
Fig. 5 is a perspective view of a rotary drum applied to the processing apparatus (exposure apparatus) of Fig. 2; Fig.
Fig. 6 is a perspective view for explaining the relationship between the detection probe and the reading device applied to the processing apparatus (exposure apparatus) of Fig. 2;
Fig. 7 is an explanatory view for explaining the position of the reading device as viewed in the direction of the rotation center line of the scale original according to the first embodiment; Fig.
8 is an explanatory view for explaining the temperature control device according to the first embodiment.
9 is an explanatory view for explaining an example of alignment marks.
10 is an explanatory diagram schematically illustrating an example of a change in alignment mark caused by elongation and contraction of a substrate.
11 is a flowchart showing an example of a procedure for correcting the processing of the processing apparatus (exposure apparatus) according to the first embodiment.
Fig. 12 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the second embodiment.
Fig. 13 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the third embodiment.
14 is a schematic diagram showing the entire configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the fourth embodiment.
15 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the fifth embodiment.
16 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the sixth embodiment.
17 is a flowchart showing a device manufacturing method using the processing apparatus (exposure apparatus) according to the first embodiment.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시 형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시 형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성요소에는, 당업자가 용이하게 상정(想定)할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 게다가, 이하에 기재한 구성요소는 적절히 조합시키는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성요소의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다. 예를 들면, 이하의 실시 형태에서는, 디바이스로서 플렉시블·디스플레이를 제조하는 경우로서 설명하지만 이것에 한정되지 않는다. 디바이스로서는, 배선 기판, 반도체 기판 등을 제조할 수도 있다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and substantially the same ones. In addition, the constituent elements described below can be suitably combined. In addition, various omissions, substitutions or alterations of the constituent elements can be made without departing from the gist of the present invention. For example, the following embodiments are described as a case of manufacturing a flexible display as a device, but the invention is not limited thereto. As the device, a wiring board, a semiconductor substrate, or the like may be manufactured.
(제1 실시 형태) (First Embodiment)
제1 실시 형태는, 기판에 노광 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 노광 장치이다. 또, 노광 장치는, 노광 후의 기판에 각종 처리를 실시하여 디바이스를 제조하는 디바이스 제조 시스템에 조립되어 있다. 먼저, 디바이스 제조 시스템에 대해 설명한다. In the first embodiment, a substrate processing apparatus for performing exposure processing on a substrate is an exposure apparatus. The exposure apparatus is assembled in a device manufacturing system that manufactures devices by performing various processes on the exposed substrate. First, a device manufacturing system will be described.
<디바이스 제조 시스템><Device Manufacturing System>
도 1은, 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템의 구성을 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내는 디바이스 제조 시스템(1)은, 디바이스로서의 플렉시블·디스플레이를 제조하는 라인(플렉시블·디스플레이 제조 라인)이다. 플렉시블·디스플레이로서는, 예를 들면 유기 EL 디스플레이 등이 있다. 이 디바이스 제조 시스템(1)은, 가요성의 기판(P)을 롤 모양으로 감는 공급용 롤(FR1)로부터, 해당 기판(P)을 송출하고, 송출된 기판(P)에 대해서 각종 처리를 연속적으로 실시한 후, 처리 후의 기판(P)을 가요성의 디바이스로서 회수용 롤(FR2)에 권취하는, 이른바 롤·투·롤(Roll to Roll) 방식으로 되어 있다. 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템(1)에서는, 필름 모양의 시트인 기판(P)이 공급용 롤(FR1)로부터 송출되고, 공급용 롤(FR1)로부터 송출된 기판(P)이, 순차적으로, n대의 처리 장치(U1, U2, U3, U4, U5,…, Un)를 거쳐, 회수용 롤(FR2)에 권취될 때까지의 예를 나타내고 있다. 먼저, 디바이스 제조 시스템(1)의 처리 대상이 되는 기판(P)에 대해 설명한다. 1 is a diagram showing a configuration of a device manufacturing system according to the first embodiment. The
기판(P)은, 예를 들면, 수지(樹脂) 필름, 스테인리스강 등의 금속 또는 합금으로 이루어지는 박(箔)(포일(foil)) 등이 이용된다. 수지 필름의 재질로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스틸렌 수지, 초산비닐수지 중 하나 또는 둘 이상을 포함하고 있다. As the substrate P, for example, a foil (foil) made of a metal or an alloy such as a resin film, stainless steel or the like is used. Examples of the material of the resin film include polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, And one or more of vinyl acetate resin.
기판(P)은, 예를 들면, 기판(P)에 실시되는 각종 처리에서 받은 열에 의한 변형량을 실질적으로 무시할 수 있도록, 열팽창 계수가 현저하게 크지 않은 것을 선정하는 것이 바람직하다. 열팽창 계수는, 예를 들면, 무기 필러(filler)를 수지 필름에 혼합하는 것에 의해서, 프로세스 온도 등에 따른 문턱값 보다도 작게 설정되어 있어도 괜찮다. 무기 필러는, 예를 들면, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등이라도 좋다. 또, 기판(P)은, 플로트법(float法) 등으로 제조된 두께 100㎛ 정도의 매우 얇은 유리의 단층체라도 좋고, 이 매우 얇은 유리에 상기의 수지 필름, 박 등을 접합한 적층체라도 괜찮다. It is preferable that the substrate P be selected so as not to have a significantly large thermal expansion coefficient so that the amount of deformation due to heat received in various treatments performed on the substrate P, for example, can be substantially ignored. The thermal expansion coefficient may be set to be smaller than a threshold value according to the process temperature or the like, for example, by mixing an inorganic filler with a resin film. The inorganic filler may be, for example, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide, or the like. The substrate P may be a very thin glass single layer having a thickness of about 100 占 퐉 manufactured by a float method or the like and may be a laminate obtained by bonding the above resin film or foil to this very thin glass Okay.
이와 같이 구성된 기판(P)은, 롤 모양으로 감겨짐으로써 공급용 롤(FR1)이 되고, 이 공급용 롤(FR1)이, 디바이스 제조 시스템(1)에 장착된다. 공급용 롤(FR1)이 장착된 디바이스 제조 시스템(1)은, 1개의 디바이스를 제조하기 위한 각종의 처리를, 공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 기판(P)에 대해서 반복하여 실행한다. 이 때문에, 처리 후의 기판(P)은, 복수의 디바이스가 연결된 상태가 된다. 즉, 공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 기판(P)은, 다면(多面)을 얻기 위한 기판으로 되어 있다. 또, 기판(P)은, 미리 소정의 전(前)처리에 의해서, 그 표면을 개질(改質)하여 활성화한 것, 혹은, 표면에 정밀 패터닝을 위한 미세한 격벽 구조(요철 구조)를 형성한 것이라도 괜찮다. The substrate P thus configured is rolled into a roll to become a supply roll FR1 and this supply roll FR1 is mounted on the
처리 후의 기판(P)은, 롤 모양으로 감겨짐으로써 회수용 롤(FR2)로서 회수된다. 회수용 롤(FR2)은, 도시하지 않는 다이싱(dicing) 장치에 장착된다. 회수용 롤(FR2)이 장착된 다이싱 장치는, 처리 후의 기판(P)을, 디바이스마다 분할(다이싱)함으로써, 복수개의 디바이스로 한다. 기판(P)의 치수는, 예를 들면, 폭 방향(단척(短尺)이 되는 방향)의 치수가 10cm ~ 2m 정도이며, 장척 방향(장척이 되는 방향 방향)의 치수가 10m 이상이다. 또, 기판(P)의 치수는, 상기한 치수에 한정되지 않는다. The substrate P after the treatment is recovered as the recovery roll FR2 by being wound in a roll shape. The rotating roll FR2 is mounted on a dicing device (not shown). The dicing apparatus to which the rotation roll FR2 is mounted divides (dices) the processed substrate P for each device to obtain a plurality of devices. The dimension of the substrate P is, for example, about 10 cm to 2 m in the width direction (short direction) and the dimension in the longitudinal direction (elongated direction) is 10 m or more. The dimensions of the substrate P are not limited to the above dimensions.
다음으로, 도 1을 참조하여, 디바이스 제조 시스템(1)에 대해 설명한다. 도 1에서는, X방향, Y방향 및 Z방향이 직교하는 직교 좌표계로 되어 있다. X방향은, 수평면 내에서 공급용 롤(FR1) 및 회수용 롤(FR2)을 연결하는 방향이며, 도 1에서의 좌우 방향이다. Y방향은, 수평면 내에서 X방향에 직교하는 방향이며, 도 1에서의 전후 방향이다. Y방향은, 공급용 롤(FR1) 및 회수용 롤(FR2)의 축 방향으로 되어 있다. Z방향은, 연직 방향이며, 도 1에서의 상하 방향이다. Next, the
디바이스 제조 시스템(1)은, 기판(P)을 공급하는 기판 공급 장치(2)와, 기판 공급 장치(2)에 의해서 공급된 기판(P)에 대해서 각종 처리를 실시하는 처리 장치(U1 ~ Un)와, 처리 장치(U1 ~ Un)에 의해서 처리가 실시된 기판(P)을 회수하는 기판 회수 장치(3)와, 디바이스 제조 시스템(1)의 각 장치를 제어하는 상위(上位) 제어 장치(5)를 구비한다. The
기판 공급 장치(2)에는, 공급용 롤(FR1)이 회전 가능하게 장착된다. 기판 공급 장치(2)는, 장착된 공급용 롤(FR1)로부터 기판(P)을 송출하는 구동 롤러(DR1)와, 기판(P)의 폭방향(Y방향)에서의 위치를 조정하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)를 가진다. 구동 롤러(DR1)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하고, 기판(P)을 공급용 롤(FR1)로부터 회수용 롤(FR2)로 향하는 반송 방향으로 송출함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U1 ~ Un)에 공급한다. 이 때, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)는, 기판(P)의 폭방향의 단부(엣지)에서의 위치가, 목표 위치에 대해서 ±십수㎛ 정도의 범위 내지 ±수십 ㎛ 정도의 범위에 들어가도록, 기판(P)을 폭방향으로 이동시켜, 기판(P)의 폭방향에서의 위치를 수정한다. In the
기판 회수 장치(3)에는, 회수용 롤(FR2)이 회전 가능하게 장착된다. 기판 회수 장치(3)는, 처리 후의 기판(P)을 회수용 롤(FR2)측으로 끌어 당기는 구동 롤러(DR2)와, 기판(P)의 폭방향(Y방향)에서의 위치를 조정하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)를 가진다. 기판 회수 장치(3)는, 구동 롤러(DR2)에 의해 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하고, 기판(P)을 반송 방향으로 끌어 당김과 아울러, 회수용 롤(FR2)을 회전시킴으로써, 기판(P)을 감아 올린다. 이 때, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)와 동일하게 구성되며, 기판(P)의 폭방향의 단부(엣지)가 폭방향에서 흐트러지지 않도록, 기판(P)의 폭방향에서의 위치를 수정한다. In the
처리 장치(U1)는, 기판 공급 장치(2)로부터 공급된 기판(P)의 표면에 감광성 기능액을 도포하는 도포 장치이다. 감광성 기능액으로서는, 예를 들면, 포토레지스트, 감광성 실란커플링재, UV경화 수지액 등이 이용된다. 처리 장치(U1)는, 기판(P)의 반송 방향의 상류측으로부터 순서대로, 도포 기구(Gp1)와 건조 기구(Gp2)가 마련되어 있다. 도포 기구(Gp1)는, 기판(P)이 감겨지는 실린더 롤러(R1)와, 실린더 롤러(R1)에 대향하는 도포 롤러(R2)를 가진다. 도포 기구(Gp1)는, 공급된 기판(P)을 실린더 롤러(R1)에 감은 상태에서, 실린더 롤러(R1) 및 도포 롤러(R2)에 의해 기판(P)을 사이에 끼워 지지한다. 그리고, 도포 기구(Gp1)는, 실린더 롤러(R1) 및 도포 롤러(R2)를 회전시킴으로써, 기판(P)을 반송 방향으로 이동시키면서, 도포 롤러(R2)에 의해 감광성 기능액을 도포한다. 건조 기구(Gp2)는, 열풍 또는 드라이 에어 등의 건조용 에어를 내뿜고, 감광성 기능액에 포함되는 용질(용제 또는 물)을 제거하여, 감광성 기능액이 도포된 기판(P)을 건조시킴으로써, 기판(P)상에 감광성 기능층을 형성한다. The processing apparatus U1 is a coating apparatus for applying the photosensitive functional liquid to the surface of the substrate P supplied from the
처리 장치(U2)는, 기판(P)의 표면에 형성된 감광성 기능층을 안정적으로 하기 위해, 처리 장치(U1)로부터 반송된 기판(P)을 소정 온도(예를 들면, 수 10 ~ 120℃ 정도)까지 가열하는 가열 장치이다. 처리 장치(U2)는, 기판(P)의 반송 방향의 상류측으로부터 순서대로, 가열 챔버(HA1)와 냉각 챔버(HA2)가 마련되어 있다. 가열 챔버(HA1)는, 그 내부에 복수의 롤러 및 복수의 에어·턴 바가 마련되어 있으며, 복수의 롤러 및 복수의 에어·턴 바는, 기판(P)의 반송 경로를 구성하고 있다. 복수의 롤러는, 기판(P)의 이면에 구름 접촉하여 마련되며, 복수의 에어·턴 바는, 기판(P)의 표면측에 비접촉 상태로 마련된다. 복수의 롤러 및 복수의 에어·턴 바는, 기판(P)의 반송 경로를 길게 하기 위해, 사행(蛇行, 구불구불함) 모양의 반송 경로가 되는 배치로 되어 있다. 가열 챔버(HA1) 내를 통과하는 기판(P)은, 사행 모양의 반송 경로를 따라서 반송되면서 소정 온도까지 가열된다. 냉각 챔버(HA2)는, 가열 챔버(HA1)에서 가열된 기판(P)의 온도가, 후공정(처리 장치(U3))의 환경 온도와 일치하도록 하기 위해, 기판(P)을 환경 온도까지 냉각한다. 냉각 챔버(HA2)는, 그 내부에 복수의 롤러가 마련되며, 복수의 롤러는, 가열 챔버(HA1)와 마찬가지로, 기판(P)의 반송 경로를 길게 하기 위해, 사행 모양의 반송 경로가 되는 배치로 되어 있다. 냉각 챔버(HA2) 내를 통과하는 기판(P)은, 사행 모양의 반송 경로를 따라서 반송되면서 냉각된다. 냉각 챔버(HA2)의 반송 방향에서의 하류측에는, 구동 롤러(DR3)가 마련되며, 구동 롤러(DR3)는, 냉각 챔버(HA2)를 통과한 기판(P)을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U3)로 향하여 공급한다. The processing apparatus U2 is a processing apparatus for transferring the substrate P conveyed from the processing apparatus U1 to a predetermined temperature (for example, several tens to 120 degrees centigrade) to stabilize the photosensitive functional layer formed on the surface of the substrate P. [ ). The processing apparatus U2 is provided with a heating chamber HA1 and a cooling chamber HA2 in this order from the upstream side in the carrying direction of the substrate P. [ In the heating chamber HA1, a plurality of rollers and a plurality of air-turn bars are provided, and a plurality of rollers and a plurality of air-turn bars constitute a conveying path of the substrate P. The plurality of rollers are provided in a rolling contact with the back surface of the substrate P, and the plurality of air-turn bars are provided in a non-contact state on the surface side of the substrate P. The plurality of rollers and the plurality of air-turn bars are arranged to be a conveying path of a meandering (meandering) shape in order to lengthen the conveying path of the substrate P. The substrate P passing through the heating chamber HA1 is heated to a predetermined temperature while being conveyed along a serpentine conveying path. The cooling chamber HA2 is configured to cool the substrate P to the ambient temperature in order to make the temperature of the substrate P heated in the heating chamber HA1 coincide with the environmental temperature of the post-process (the processing device U3) do. The cooling chamber HA2 is provided with a plurality of rollers therein and the plurality of rollers are arranged in a row in the form of a serpentine conveying path in order to lengthen the conveying path of the substrate P, . The substrate P passing through the inside of the cooling chamber HA2 is cooled while being conveyed along a serpentine conveyance path. A drive roller DR3 is provided on the downstream side of the cooling chamber HA2 in the transport direction and the drive roller DR3 rotates while sandwiching the substrate P passing through the cooling chamber HA2, And the substrate P is supplied toward the processing unit U3.
처리 장치(기판 처리 장치)(U3)는, 처리 장치(U2)로부터 공급된, 표면에 감광성 기능층이 형성된 기판(감광 기판)(P)에 대해서, 디스플레이용의 회로 또는 배선 등의 패턴을 투영 노광(전사)하는 노광 장치이다. 상세한 것은 후술하지만, 처리 장치(U3)는, 투과형 또는 반사형의 원통 마스크(마스크)(DM)에 조명 광속(光束)을 조명하고, 조명 광속이 원통 마스크(마스크)(DM)에 의해, 투과 또는 반사됨으로써 얻어지는 투영 광속을 기판(P)에 투영 노광한다. 처리 장치(U3)는, 처리 장치(U2)로부터 공급된 기판(P)을 반송 방향의 하류측으로 보내는 구동 롤러(DR4)와, 기판(P)의 폭방향(Y방향)에서의 위치를 조정하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC)를 가진다. 구동 롤러(DR4)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하고, 기판(P)을 반송 방향의 하류측으로 송출함으로써, 기판(P)을 노광 위치로 향하여 공급한다. 엣지 포지션 컨트롤러(EPC)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)와 동일하게 구성되며, 노광 위치에서의 기판(P)의 폭방향이 목표 위치가 되도록, 기판(P)의 폭방향에서의 위치를 수정한다. 처리 장치(U3)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC)가 공급하는 기판(P)의 온도를 온도 조절 장치(60)에 의해 조정하고 나서, 기판(P)을 구동 롤러(DR5)로 반송한다. The processing apparatus (substrate processing apparatus) U3 projects a pattern such as a circuit for display or wiring on a substrate (photosensitive substrate) P provided with a photosensitive functional layer on its surface supplied from the processing apparatus U2 And is an exposure apparatus for performing exposure (transfer). The processing apparatus U3 illuminates an illumination luminous flux (luminous flux) onto a cylindrical (mask) DM of a transmissive or reflective type and illuminates the luminous flux with a cylindrical mask (mask) Or projected onto the substrate P by the projection light flux obtained by being reflected. The processing apparatus U3 includes a driving roller DR4 for feeding the substrate P supplied from the processing apparatus U2 to the downstream side in the carrying direction and a driving roller DR4 for adjusting the position in the width direction And an edge position controller (EPC). The driving roller DR4 rotates while sandwiching both the front and back surfaces of the substrate P and feeds the substrate P toward the exposure position by feeding the substrate P to the downstream side in the carrying direction. The edge position controller EPC is constructed in the same manner as the edge position controller EPC1 and corrects the position in the width direction of the substrate P so that the width direction of the substrate P at the exposure position becomes the target position . The processing unit U3 adjusts the temperature of the substrate P supplied by the edge position controller EPC by the
또, 처리 장치(U3)는, 노광 후의 기판(P)에 늘어짐을 부여한 상태로, 기판(P)을 반송 방향의 하류측으로 보내는 2조(組)의 구동 롤러(DR6, DR7)를 가지는 버퍼부(DL)를 구비하고 있다. 2조의 구동 롤러(DR6, DR7)는, 기판(P)의 반송 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 구동 롤러(DR6)는, 반송되는 기판(P)의 상류측을 사이에 끼워 지지하여 회전하고, 구동 롤러(DR7)는, 반송되는 기판(P)의 하류측을 사이에 끼워 지지하여 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U4)로 향하여 공급한다. 이 때, 기판(P)은, 늘어짐이 부여되어 있기 때문에, 구동 롤러(DR7) 보다도 반송 방향의 하류측에서 생기는 반송 속도의 변동을 흡수할 수 있고, 반송 속도의 변동에 의한 기판(P)으로의 노광 처리의 영향을 절연할 수 있다. 또, 처리 장치(U3) 내에는, 원통 마스크(마스크)(DM)의 마스크 패턴의 일부분의 상(像)과 기판(P)을 상대적으로 위치 맞춤(얼라이먼트)하기 위해서, 기판(P)에 미리 형성된 얼라이먼트 마크 등을 검출하는 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)이 마련되어 있다. The processing unit U3 is provided with a buffer unit having two sets of driving rollers DR6 and DR7 for feeding the substrate P downstream in the carrying direction in a state in which the substrate P after being exposed is stretched, (DL). The two sets of driving rollers DR6 and DR7 are arranged at a predetermined interval in the conveying direction of the substrate P. [ The drive roller DR6 rotates while sandwiching the upstream side of the substrate P to be transported and the drive roller DR7 rotates while sandwiching the downstream side of the substrate P to be transported, And supplies the substrate P toward the processing unit U4. At this time, since the substrate P is given slack, the fluctuation of the conveying speed occurring on the downstream side in the conveying direction can be absorbed more than the driving roller DR7, and the substrate P can be conveyed to the substrate P It is possible to insulate the influence of the exposure process. In order to relatively align (align) an image of a part of the mask pattern of the cylindrical mask (mask) DM with the substrate P, the processing apparatus U3 is provided with a pre- And alignment microscopes AMG1 and AMG2 for detecting alignment marks or the like formed thereon.
처리 장치(U4)는, 처리 장치(U3)로부터 반송된 노광 후의 기판(P)에 대해서, 습식에 의한 현상(現像) 처리, 무전해 도금 처리 등을 행하는 습식 처리 장치이다. 처리 장치(U4)는, 그 내부에, 연직 방향(Z방향)으로 계층화된 3개의 처리조(槽)(BT1, BT2, BT3)와, 기판(P)을 반송하는 복수의 롤러를 가진다. 복수의 롤러는, 3개의 처리조(BT1, BT2, BT3)의 내부를, 기판(P)이 순서대로 통과하는 반송 경로가 되도록 배치된다. 처리조(BT3)의 반송 방향에서의 하류측에는, 구동 롤러(DR8)가 마련되며, 구동 롤러(DR8)는, 처리조(BT3)를 통과한 기판(P)을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(U5)로 향하여 공급한다. The processing apparatus U4 is a wet processing apparatus for carrying out a development processing (current image processing) by wet processing, electroless plating processing, and the like on the post-exposure substrate P carried from the processing apparatus U3. The processing apparatus U4 has three processing tanks BT1, BT2, and BT3 layered in the vertical direction (Z direction) and a plurality of rollers for transporting the substrate P, within the processing apparatus U4. The plurality of rollers are disposed so as to be the conveying paths through which the substrates P pass through the inside of the three treatment tanks BT1, BT2, and BT3 in order. A drive roller DR8 is provided on the downstream side of the treatment tank BT3 in the transport direction and the drive roller DR8 rotates while holding the substrate P having passed through the treatment tank BT3 therebetween, And the substrate P is supplied toward the processing unit U5.
도시는 생략하지만, 처리 장치(U5)는, 처리 장치(U4)로부터 반송된 기판(P)을 건조시키는 건조 장치이다. 처리 장치(U5)는, 처리 장치(U4)에서 습식 처리된 기판(P)에 부착하는 수분 함유량을, 소정의 수분 함유량으로 조정한다. 처리 장치(U5)에 의해 건조된 기판(P)은, 몇 개의 처리 장치를 거쳐, 처리 장치(Un)로 반송된다. 그리고, 처리 장치(Un)에서 처리된 후, 기판(P)은, 기판 회수 장치(3)의 회수용 롤(FR2)에 감아 올려진다. Although not shown, the processing apparatus U5 is a drying apparatus for drying the substrate P carried from the processing apparatus U4. The processing apparatus U5 adjusts the water content adhering to the substrate P subjected to the wet processing in the processing apparatus U4 to a predetermined water content. The substrate P dried by the processing unit U5 is conveyed to the processing unit Un via several processing units. After being processed in the processing unit Un, the substrate P is wound up on the rotating roll FR2 of the
상위 제어 장치(5)는, 기판 공급 장치(2), 기판 회수 장치(3) 및 복수의 처리 장치(U1 ~ Un)를 통괄 제어한다. 상위 제어 장치(5)는, 기판 공급 장치(2) 및 기판 회수 장치(3)를 제어하여, 기판(P)을 기판 공급 장치(2)로부터 기판 회수 장치(3)로 향하여 반송시킨다. 또, 상위 제어 장치(5)는, 기판(P)의 반송에 동기(同期)시키면서, 복수의 처리 장치(U1 ~ Un)를 제어하여, 기판(P)에 대한 각종 처리를 실행시킨다. The
<노광 장치(기판 처리 장치)>≪ Exposure Apparatus (Substrate Processing Apparatus) >
다음으로, 제1 실시 형태의 처리 장치(U3)로서의 노광 장치(기판 처리 장치)의 구성에 대해서, 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 2는, 제1 실시 형태의 노광 장치(기판 처리 장치)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 도 3은, 도 2에 나타내는 노광 장치의 조명 영역 및 투영 영역의 배치를 나타내는 도면이다. 도 4는, 도 2에 나타내는 노광 장치의 투영 광학계의 구성을 나타내는 도면이다. Next, a configuration of an exposure apparatus (substrate processing apparatus) as the processing apparatus U3 of the first embodiment will be described with reference to Figs. 2 to 4. Fig. 2 is a diagram showing the entire configuration of an exposure apparatus (substrate processing apparatus) according to the first embodiment. 3 is a diagram showing the arrangement of an illumination area and a projection area of the exposure apparatus shown in Fig. Fig. 4 is a diagram showing a configuration of a projection optical system of the exposure apparatus shown in Fig. 2. Fig.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 장치(U3)는, 노광 장치(처리 기구)(EX)와, 반송 장치(9)와, 온도 조절 장치(60)를 포함한다. 노광 장치(EX)에는, 반송 장치(9)에 의해 기판(P)(시트, 필름 등)이 공급되고 있다. 노광 장치(EX)는, 이른바 주사(走査) 노광 장치이며, 원통 마스크(DM)의 회전과 가요성의 기판(P)의 이송을 동기 구동시키면서, 원통 마스크(DM)에 형성되어 있는 패턴의 상(像)을, 투영 배율이 등배(×1)인 투영 광학계(PL(PL1 ~ PL6))를 매개로 하여 기판(P)에 투영한다. 또, 도 2에 나타내는 노광 장치(EX)는, XYZ 직교 좌표계의 Y축을 제1 드럼 부재(21)의 회전 중심선(AX1)과 평행하게 설정하고 있다. 마찬가지로, 노광 장치(EX)는, XYZ 직교 좌표계의 Y축을 회전 드럼인 제2 드럼 부재(22)의 회전 중심선(AX2)과 평행하게 설정하고 있다. As shown in FIG. 2, the processing apparatus U3 includes an exposure apparatus (processing apparatus) EX, a
도 2에 나타내는 바와 같이, 노광 장치(EX)는, 마스크 유지 장치(12), 조명 기구(IU), 투영 광학계(PL) 및 제어 장치(14)를 구비한다. 노광 장치(EX)는, 마스크 유지 장치(12)에 유지된 원통 마스크(DM)를 회전 이동시킴과 아울러, 반송 장치(9)에 의해서 기판(P)을 반송한다. 조명 기구(IU)는, 마스크 유지 장치(12)에 유지된 원통 마스크(DM)의 일부(조명 영역(IR))를, 조명 광속(EL1)에 의해서 균일한 밝기로 조명한다. 투영 광학계(PL)는, 원통 마스크(DM) 상의 조명 영역(IR)에서의 패턴의 상(像)을, 반송 장치(9)에 의해서 반송되고 있는 기판(P)의 일부(투영 영역(PA))에 투영한다. 원통 마스크(DM)의 이동에 따라서, 조명 영역(IR)에 배치되는 원통 마스크(DM) 상의 부위가 변화하고, 또 기판(P)의 이동에 따라서, 투영 영역(PA)에 배치되는 기판(P) 상의 부위가 변화한다. 이것에 의해, 원통 마스크(DM) 상의 소정의 패턴(마스크 패턴)의 상(像)이 기판(P)에 투영된다. 제어 장치(14)는, 노광 장치(EX)의 각 부를 제어하고, 각 부에 처리를 실행시킨다. 또, 본 실시 형태에서, 제어 장치(14)는, 반송 장치(9)를 제어한다. 2, the exposure apparatus EX includes a
또, 제어 장치(14)는, 상술한 디바이스 제조 시스템(1)의 복수의 처리 장치를 통괄하여 제어하는 상위 제어 장치(5)의 일부 또는 전부라도 괜찮다. 또, 제어 장치(14)는, 상위 제어 장치(5)에 의해 제어되며, 상위 제어 장치(5)와는 다른 장치라도 괜찮다. 제어 장치(14)는, 예를 들면, 컴퓨터 시스템을 포함한다. 컴퓨터 시스템은, 예를 들면, CPU 및 각종 메모리나 OS, 주변기기 등의 하드웨어를 포함한다. 처리 장치(U3)의 각 부의 동작의 과정은, 프로그램의 형식으로 컴퓨터 읽어냄 가능한 기록 매체의 기억부에 기억되어 있고, 이 프로그램을 컴퓨터 시스템이 읽어내어 실행하는 것에 의해서, 각종 처리가 행해진다. 컴퓨터 시스템은, 인터넷 혹은 인트라넷 시스템에 접속 가능한 경우, 홈 페이지 제공 환경(혹은 표시 환경)도 포함한다. 또, 컴퓨터 읽어냄 가능한 기록 매체는, 플렉시블 디스크, 광 자기 디스크, ROM, CD-ROM 등의 가반(可搬) 매체, 컴퓨터 시스템에 내장되는 하드 디스크 등의 기억장치를 포함한다. 컴퓨터 읽어냄 가능한 기록 매체는, 인터넷 등의 네트워크나 전화 회선 등의 통신회선을 매개로 하여 프로그램을 송신하는 경우의 통신선과 같이, 단시간 동안, 동적으로 프로그램을 유지하는 것, 그 경우의 서버나 클라이언트가 되는 컴퓨터 시스템 내부의 휘발성 메모리와 같이, 일정 시간 프로그램을 유지하고 있는 것도 포함한다. 또, 프로그램은, 처리 장치(U3)의 기능의 일부를 실현하기 위한 것이라도 좋고, 처리 장치(U3)의 기능을 컴퓨터 시스템에 이미 기록되어 있는 프로그램과의 조합으로 실현할 수 있는 것이라도 좋다. 상위 제어 장치(5)는, 제어 장치(14)와 마찬가지로, 컴퓨터 시스템을 이용하여 실현할 수 있다. The
도 2에 나타내는 바와 같이, 마스크 유지 장치(12)는, 원통 마스크(DM)를 유지하는 제1 드럼 부재(21), 제1 드럼 부재(21)를 지지하는 가이드 롤러(23), 제어 장치(14)의 제어 지령에 의해 제1 구동부(26)가 제1 드럼 부재(21)를 구동하는 구동 롤러(24) 및 제1 드럼 부재(21)의 위치를 검출하는 제1 검출기(25)를 구비한다. 2, the
제1 드럼 부재(21)는, 소정의 축이 되는 회전 중심선(AX1)(이하, '제1 중심축(AX1)'라고도 함)으로부터 일정 반경으로 만곡한 곡면을 가지는 원통 부재로서, 소정의 축의 둘레를 회전한다. 제1 드럼 부재(21)는, 원통 마스크(DM) 상의 조명 영역(IR)이 배치되는 제1 면(P1)을 형성한다. 본 실시 형태에서, 제1 면(P1)은, 선분(모선(母線))을 이 선분에 평행한 축(제1 중심축(AX1)) 둘레로 회전한 면(이하, '원통면'이라고 함)을 포함한다. 원통면은, 예를 들면, 원통의 외주면, 원기둥의 외주면 등이다. 제1 드럼 부재(21)는, 예를 들면 유리나 석영 등으로 구성되고, 일정한 두께를 가지는 원통 모양이며, 그 외주면(원통면)이 제1 면(P1)을 형성한다. 즉, 본 실시 형태에서, 원통 마스크(DM) 상의 조명 영역(IR)은, 회전 중심선(AX1)으로부터 일정한 반경 r1을 가지는 원통면 모양으로 만곡하고 있다. 이와 같이, 제1 드럼 부재(21)는, 소정의 축인 회전 중심선(AX1)으로부터 일정 반경으로 만곡한 곡면을 가지고 있다. 그리고, 제1 드럼 부재(21)는, 구동 롤러(24)에 의해 구동되어, 소정의 축인 회전 중심선(AX1)의 둘레를 회전할 수 있다. The
원통 마스크(DM)는, 예를 들면 평탄성이 좋은 직사각형 모양의 매우 얇은 유리판(예를 들면 두께 100㎛ ~ 500㎛)의 일방의 면에 크롬 등의 차광층으로 패턴을 형성한 투과형의 평면 모양 시트 마스크로서 작성된다. 마스크 유지 장치(12)는, 원통 마스크(DM)를 제1 드럼 부재(21)의 외주면의 곡면을 따라서 만곡시키고, 이 곡면에 감은(접한한) 상태로 사용된다. 원통 마스크(DM)는, 패턴이 형성되어 있지 않은 패턴 비형성 영역을 가지며, 패턴 비형성 영역에서 제1 드럼 부재(21)에 장착되어 있다. 원통 마스크(DM)는, 제1 드럼 부재(21)에 대해서 릴리스(release) 가능하다. The cylindrical mask DM is a transmissive flat sheet having a pattern formed by a light-shielding layer such as chromium on one side of a very thin flat glass plate (for example, a thickness of 100 mu m to 500 mu m) Is created as a mask. The
또, 원통 마스크(DM)를 매우 얇은 유리판으로 구성하고, 그 원통 마스크(DM)를 투명 원통 모재(母材)에 의한 제1 드럼 부재(21)에 감는 대신에, 투명 원통 모재에 의한 제1 드럼 부재(21)의 외주면에 직접 크롬 등의 차광층에 의한 마스크 패턴을 묘화(描畵) 형성하여 일체화해도 괜찮다. 이 경우도, 제1 드럼 부재(21)가 원통 마스크(DM)의 패턴의 지지 부재로서 기능을 한다. Instead of winding the cylindrical mask DM on the
제1 검출기(25)는, 제1 드럼 부재(21)의 회전 위치를 광학적으로 검출하는 것으로, 예를 들면 로터리 엔코더 등으로 구성된다. 제1 검출기(25)는, 검출한 제1 드럼 부재(21)의 회전 위치를 나타내는 정보, 예를 들면, 후술하는 엔코더 헤드로부터의 2상(相) 신호 등을 제어 장치(14)로 출력한다. 전동 모터 등의 액추에이터를 포함하는 제1 구동부(26)는, 제어 장치(14)로부터 입력되는 제어 신호에 따라서, 구동 롤러(24)를 회전시키기 위한 토크 및 회전 속도를 조정한다. 제어 장치(14)는, 제1 검출기(25)에 의한 검출 결과에 근거하여 제1 구동부(26)를 제어하는 것에 의해서, 제1 드럼 부재(21)의 회전 위치를 제어한다. 그리고, 제어 장치(14)는, 제1 드럼 부재(21)에 유지되어 있는 원통 마스크(DM)의 회전 위치와 회전 속도의 일방 또는 쌍방을 제어한다. The
제2 드럼 부재(22)는, 소정의 축이 되는 회전 중심선(AX2)(이하, '제2 중심축(AX2)'라고도 함)으로부터 일정 반경으로 만곡한 곡면(제1 곡면)을 가지는 원통 부재로서, 소정의 축의 둘레를 회전하는 회전 드럼이다. 제2 드럼 부재(22)는, 투영 광학계(PL)로부터의 결상 광속이 투사되는 기판(P) 상의 투영 영역(PA)을 포함하는 일부분을 원호 모양(원통 모양)으로 지지하는 제2 면(지지면)(P2)을 형성한다. 또, 제2 드럼 부재(22)는, 전동 모터 등의 액추에이터를 포함하는 제2 구동부(36)로부터 공급되는 토크에 의해서 회전하는 구동 롤러(DR5)이다. The
이와 같이, 제2 드럼 부재(22)는, 구동 롤러(DR5)임과 동시에, 노광(처리) 대상의 기판(P)을 지지하는 기판 지지 부재(기판 스테이지)를 겸하고 있다. 즉, 제2 드럼 부재(22)는, 노광 장치(EX)의 일부라도 괜찮다. 그리고, 제2 드럼 부재(22)는, 제2 드럼 부재(22)의 회전 중심선(AX2)(제2 중심축(AX2))의 둘레로 회전 가능하고, 기판(P)은, 제2 드럼 부재(22) 상의 외주면(원통면)을 따라서 원통면 모양으로 만곡하며, 만곡한 부분의 일부에 투영 영역(PA)이 배치된다. Thus, the
본 실시 형태에서는, 투영 영역(PA)에 이르는 결상 광속(EL2) 중, 투영 영역(PA)의 각 중심점을 통과하는 주광선은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 드럼 부재(22)의 제2 중심축(AX2)으로부터 보아, 중심면(P3)을 사이에 두고 둘레 방향으로 각도 θ의 위치에 각각 배치되며 제1 특정 위치(PX1), 제2 특정 위치(PX2)에 도달한다. 그리고, 회전 중심선(AX2)으로부터 보아, 제1 특정 위치(PX1)와, 제2 특정 위치(PX2)와의 사이에 있는, 특정 위치(PX)는, 제2 드럼 부재(22)의 곡면에 있는 기판(P)의 평균적으로 노광된 영역의 중심으로 되어 있다. In the present embodiment, the principal ray passing through each center point of the projection area PA out of the image forming luminous flux EL2 reaching the projection area PA is reflected by the second From the central axis AX2 to the first specified position PX1 and the second specified position PX2, respectively, at the position of the angle? In the circumferential direction with the center plane P3 interposed therebetween. The specific position PX between the first specific position PX1 and the second specific position PX2 as seen from the rotational center line AX2 is a position on the curved surface of the
반송 장치(9)는, 구동 롤러(DR4), 제2 드럼 부재(22)(구동 롤러(DR5)), 구동 롤러(DR6)를 구비하고 있다. 반송 장치(9)는, 기판(P)이, 제1 특정 위치(PX1), 특정 위치(PX) 및 제2 특정 위치(PX2)를 통과하도록 기판(P)을 반송하는 반송 방향으로, 기판(P)을 이동시킨다. 제2 구동부(36)는, 제어 장치(14)로부터 출력되는 제어 신호를 따라서, 제2 드럼 부재(22)를 회전시키는 토크를 조정한다. The
본 실시 형태에서, 반송 경로의 상류로부터 구동 롤러(DR4)로 반송되어 온 기판(P)은, 구동 롤러(DR4)를 경유하여 온도 조절 장치(60)로 반송된다. 온도 조절 장치(60)는, 제어 장치(14)로부터 출력되는 제어 신호를 따라서, 제2 드럼 부재(22)로 공급되기 전의 기판(P)의 온도를 조절한다. 온도 조절 장치(60)를 경유하여, 온도가 조절된 기판(P)은, 제1 가이드 부재(31), 제2 가이드 부재(32)에 안내되어, 제2 드럼 부재(22)로 반송된다. 기판(P)은, 제2 드럼 부재(22)의 표면에 지지되어, 제3 가이드 부재(33)로 반송된다. 제3 가이드 부재(33)를 경유한 기판(P)은, 반송 경로의 하류로 반송된다. 또, 제2 드럼 부재(22)(구동 롤러(DR5))의 회전 중심선(AX2)과, 구동 롤러(DR4, DR6)의 각 회전 중심선은, 모두 Y축과 평행이 되도록 설정된다. In the present embodiment, the substrate P conveyed from the upstream of the conveying path to the driving roller DR4 is conveyed to the
제2 드럼 부재(22)의 둘레에는, 기판(P)이 반송되는 반송 방향을 규제하고, 또한 기판(P)을 안내하는 제1 가이드 부재(31), 제2 가이드 부재(32) 및 제3 가이드 부재(33)가 배치되어 있다. 제2 드럼 부재(22)는, 기판(P)의 일부분이 감겨져, 기판(P)이 제2 면(P2)의 곡면에 접하기 시작하는 반송 방향의 진입 위치(IA)로부터 기판(P)이 제2 면(P2)의 곡면으로부터 떨어지기 시작하는 반송 방향의 이탈 위치(OA)까지의 기판(P)을 지지한다. 제2 가이드 부재(32) 및 제3 가이드 부재(33)는, 예를 들면, 기판(P)의 반송 방향으로 이동하는 것에 의해서, 반송 경로에서 기판(P)에 작용하는 텐션 등을 조정한다. 또, 제2 가이드 부재(32) 및 제3 가이드 부재(33)는, 예를 들면, 기판(P)의 반송 방향으로 이동하는 것에 의해서, 제2 드럼 부재(22)의 외주에 감기는, 상술한 진입 위치(IA) 및 이탈 위치(OA) 등을 조정할 수 있다. 또, 반송 장치(9), 제1 가이드 부재(31), 제2 가이드 부재(32) 및 제3 가이드 부재(33)는, 투영 광학계(PL)의 투영 영역(PA)을 따라서 기판(P)을 반송 가능하면 좋고, 반송 장치(9), 제1 가이드 부재(31), 제2 가이드 부재(32) 및 제3 가이드 부재(33)의 구성은 적절히 변경 가능하다. The
제2 검출기(35)는, 예를 들면 로터리 엔코더 등으로 구성되며, 제2 드럼 부재(22)의 회전 위치를 광학적으로 검출한다. 제2 검출기(35)는, 검출한 제2 드럼 부재(22)의 회전 위치를 나타내는 정보(예를 들면, 후술하는 엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)로부터의 2상(相) 신호 등)를 제어 장치(14)에 출력한다. 제어 장치(14)는, 제2 검출기(35)에 의한 검출 결과에 근거하여 제2 구동부(36)를 제어하는 것에 의해서, 제2 드럼 부재(22)의 회전 위치를 제어하고, 제1 드럼 부재(21)(원통 마스크(DM))와 제2 드럼 부재(22)를 동기 이동(동기 회전)시킨다. 또, 제2 검출기(35)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다. The
본 실시 형태의 노광 장치(EX)는, 소위, 멀티 렌즈 방식의 투영 광학계(PL)를 탑재하는 것을 상정(想定)한 노광 장치이다. 투영 광학계(PL)는, 원통 마스크(DM)의 패턴에서의 일부의 상(像)을 투영하는 복수의 투영 모듈을 구비한다. 예를 들면, 도 2에서는, 중심면(P3)의 좌측에 3개의 투영 모듈(투영 광학계)(PL1, PL3, PL5)이 Y방향으로 일정 간격으로 배치되고, 중심면(P3)의 우측에도 3개의 투영 모듈(투영 광학계)(PL2, PL4, PL6)이 Y방향으로 일정 간격으로 배치된다. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an exposure apparatus that assumes a so-called multi-lens type projection optical system PL. The projection optical system PL has a plurality of projection modules for projecting a part of an image in a pattern of the cylindrical mask DM. For example, in Fig. 2, three projection modules (projection optical systems) PL1, PL3 and PL5 are arranged at regular intervals in the Y direction on the left side of the center plane P3, (Projection optical systems) PL2, PL4, and PL6 are arranged at regular intervals in the Y direction.
이러한 멀티 렌즈 방식의 노광 장치(EX)에서는, 복수의 투영 모듈(PL1 ~ PL6)에 의해서 노광된 영역(투영 영역(PA1 ~ PA6))의 Y방향의 단부를 주사에 의해서 서로 겹치게 하는 것에 의해서, 소망의 패턴의 전체상(全體像)을 투영한다. 이러한 노광 장치(EX)는, 원통 마스크(DM) 상의 패턴의 Y방향 사이즈가 크게 되고, 필연적으로 Y방향의 폭이 큰 기판(P)을 취급할 필요성이 생긴 경우에도, 투영 모듈(PL)과, 투영 모듈(PL)에 대응하는 조명 기구(IU)측의 모듈을 Y방향으로 증설하는 것만으로 충분하기 때문에, 용이하게 패널 사이즈(기판(P)의 폭)의 대형화에 대응할 수 있다고 하는 이점이 있다. In the multi-lens type exposure apparatus EX, the Y-direction end portions of the regions (projection regions PA1 to PA6) exposed by the plurality of projection modules PL1 to PL6 are overlapped with each other by scanning, The entire image of the desired pattern is projected. Such an exposure apparatus EX is effective in reducing the size of the pattern on the cylindrical mask DM in the Y direction and increasing the size of the pattern on the cylindrical mask DM even when the necessity arises to handle the substrate P having a large width in the Y direction, And the module on the side of the lighting device IU corresponding to the projection module PL is sufficient in the Y direction so that it is possible to easily cope with the enlargement of the panel size (the width of the substrate P) have.
또, 노광 장치(EX)는, 멀티 렌즈 방식이 아니라도 좋다. 예를 들면, 기판(P)의 폭방향의 치수가 어느 정도 작은 경우 등에, 노광 장치(EX)는, 1개의 투영 모듈에 의해서 패턴의 전체 폭의 상(像)을 기판(P)에 투영해도 괜찮다. 또, 복수의 투영 모듈(PL1 ~ PL6)은, 각각, 1개의 디바이스에 대응하는 패턴을 투영해도 괜찮다. 즉, 노광 장치(EX)는, 복수개의 디바이스용의 패턴을, 복수의 투영 모듈에 의해서 병행하여 투영해도 괜찮다. The exposure apparatus EX may not be a multi-lens system. For example, even when the dimension of the substrate P in the width direction is small to some extent, the exposure apparatus EX can project an image of the entire width of the pattern onto the substrate P by one projection module Okay. The plurality of projection modules PL1 to PL6 may project a pattern corresponding to one device, respectively. That is, the exposure apparatus EX may project the patterns for a plurality of devices in parallel by a plurality of projection modules.
본 실시 형태의 조명 기구(IU)는, 광원 장치(13) 및 조명 광학계를 구비한다. 조명 광학계는, 복수의 투영 모듈(PL1 ~ PL6)의 각각에 대응하여 Y축 방향으로 늘어선 복수(예를 들면 6개)의 조명 모듈(IL)을 구비한다. 광원 장치(13)는, 예를 들면 수은 램프 등의 램프 광원, 또는 레이저 다이오드, 발광 다이오드(LED) 등의 고체 광원을 포함한다. 광원 장치(13)가 사출하는 조명광은, 예를 들면 램프 광원으로부터 사출되는 휘선(g선, h선, i선), KrF 엑시머 레이저광(파장 248nm) 등의 원자외광(DUV 광), ArF 엑시머 레이저광(파장 193nm) 등이다. 광원 장치(13)로부터 사출된 조명광은, 조도 분포가 균일화되어, 예를 들면 광 화이버 등의 도광(導光) 부재를 매개로 하여, 복수의 조명 모듈(IL)에 배분된다. The lighting device IU of the present embodiment includes a
복수의 조명 모듈(IL)의 각각은, 렌즈 등의 복수의 광학 부재를 포함한다. 본 실시 형태에서, 광원 장치(13)로부터 출사하여 복수의 조명 모듈(IL) 중 어느 하나를 통과하는 광을 조명 광속(EL1)이라고 칭한다. 복수의 조명 모듈(IL)의 각각은, 예를 들면 인티그레이터(integrator) 광학계, 로드 렌즈, 플라이 아이(fly eye) 렌즈 등을 포함하며, 균일한 조도 분포의 조명 광속(EL1)에 의해서 조명 영역(IR)을 조명한다. 본 실시 형태에서, 복수의 조명 모듈(IL)은, 원통 마스크(DM)의 내측에 배치되어 있다. 복수의 조명 모듈(IL)의 각각은, 원통 마스크(DM)의 내측으로부터 원통 마스크(DM)의 외주면에 형성된 마스크 패턴의 각 조명 영역(IR)을 조명한다. Each of the plurality of illumination modules IL includes a plurality of optical members such as a lens. In the present embodiment, light emitted from the
도 3은, 본 실시 형태에서의 조명 영역(IR) 및 투영 영역(PA)의 배치를 나타내는 도면이다. 또, 도 3에는, 제1 드럼 부재(21)에 배치된 원통 마스크(DM) 상의 조명 영역(IR)을 -Z측으로부터 본 평면도(도 3 중의 좌측의 도면)와, 제2 드럼 부재(22)에 배치된 기판(P) 상의 투영 영역(PA)을 +Z측으로부터 본 평면도(도 3 중의 우측의 도면)가 도시되어 있다. 도 3 중의 부호 Xs는, 제1 드럼 부재(21) 또는 제2 드럼 부재(22)의 회전 방향(이동 방향)을 나타낸다. Fig. 3 is a diagram showing the arrangement of the illumination area IR and the projection area PA in the present embodiment. 3 shows a plan view (left side view in Fig. 3) of the illumination area IR on the cylindrical mask DM arranged on the
복수의 조명 모듈(IL)은, 각각, 원통 마스크(DM) 상의 제1 내지 제6 조명 영역(IR1 ~ IR6)을 조명한다. 예를 들면, 제1 조명 모듈(IL)은, 제1 조명 영역(IR1)을 조명하고, 제2 조명 모듈(IL)은 제2 조명 영역(IR2)을 조명한다. The plurality of illumination modules IL illuminate the first to sixth illumination regions IR1 to IR6 on the cylindrical mask DM, respectively. For example, the first illumination module IL illuminates the first illumination area IR1, and the second illumination module IL illuminates the second illumination area IR2.
제1 조명 영역(IR1)은, Y방향으로 가늘고 긴 사다리꼴 모양의 영역으로서 설명하지만, 투영 광학계(투영 모듈)(PL)와 같이, 중간상면(中間像面)을 형성하는 구성의 투영 광학계의 경우는, 그 중간상의 위치에 사다리꼴 개구를 가지는 시야 조리개판을 배치할 수 있기 때문에, 그 사다리꼴 개구를 포함하는 장방형의 영역으로 해도 괜찮다. 제3 조명 영역(IR3) 및 제5 조명 영역(IR5)은, 각각, 제1 조명 영역(IR1)과 동일한 형상의 영역이며, Y축 방향으로 일정 간격을 두고 배치되어 있다. 또, 제2 조명 영역(IR2)은, 중심면(P3)에 관해서 제1 조명 영역(IR1)과 대칭적인 사다리꼴 모양(또는 장방형)의 영역이다. 제4 조명 영역(IR4) 및 제6 조명 영역(IR6)은, 각각, 제2 조명 영역(IR2)과 동일한 형상의 영역이며, Y축 방향으로 일정 간격을 두고 배치되어 있다. Although the first illumination region IR1 is described as an elongated trapezoidal region in the Y direction, in the case of a projection optical system having a configuration for forming an intermediate upper surface (intermediate image surface), such as a projection optical system (projection module) PL It is possible to arrange a field cooking cavity having a trapezoidal opening at the position of the intermediate phase, so that it may be a rectangular region including the trapezoidal opening. The third illumination region IR3 and the fifth illumination region IR5 are regions having the same shape as the first illumination region IR1 and are arranged at regular intervals in the Y axis direction. The second illumination area IR2 is a trapezoidal (or rectangular) area symmetrical to the first illumination area IR1 with respect to the center plane P3. The fourth illumination region IR4 and the sixth illumination region IR6 are regions having the same shape as the second illumination region IR2 and are arranged at regular intervals in the Y axis direction.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 내지 제6 조명 영역(IR1 ~ IR6)의 각각은, 제1 면(P1)의 둘레 방향을 따라서 본 경우에, 서로 이웃하는 사다리꼴 모양의 조명 영역의 사변부(斜邊部)의 삼각부가 겹치도록(오버랩하도록) 배치되어 있다. 그 때문에, 예를 들면, 제1 드럼 부재(21)의 회전에 의해서 제1 조명 영역(IR1)을 통과하는 원통 마스크(DM) 상의 제1 영역(A1)은, 제1 드럼 부재(21)의 회전에 의해서 제2 조명 영역(IR2)을 통과하는 원통 마스크(DM) 상의 제2 영역(A2)과 일부 중복한다. As shown in Fig. 3, each of the first to sixth illumination regions IR1 to IR6 includes a trapezoidal illumination region adjacent to the first surface P1, (I.e., oblique portions) overlap each other (overlap each other). The first area A1 on the cylindrical mask DM passing through the first illumination area IR1 by the rotation of the
본 실시 형태에서, 원통 마스크(DM)는, 패턴이 형성되어 있는 패턴 형성 영역(A3)과, 패턴이 형성되어 있지 않은 패턴 비형성 영역(A4)을 포함한다. 그 패턴 비형성 영역(A4)은, 패턴 형성 영역(A3)을 프레임 모양으로 둘러싸도록 배치되어 있고, 조명 광속(EL1)을 차광하는 특성을 가진다. 원통 마스크(DM)의 패턴 형성 영역(A3)은, 제1 드럼 부재(21)의 회전을 따라서 이동 방향(Xs)으로 이동하고, 패턴 형성 영역(A3) 중 Y축 방향의 각 부분 영역은, 제1 내지 제6 조명 영역(IR1 ~ IR6) 중 어느 하나를 통과한다. 환언하면, 제1 내지 제6 조명 영역(IR1 ~ IR6)은, 패턴 형성 영역(A3)의 Y축 방향의 전체 폭을 커버하도록 배치되어 있다. In the present embodiment, the cylindrical mask DM includes a pattern formation region A3 in which a pattern is formed and a pattern non-formation region A4 in which no pattern is formed. The pattern non-formation area A4 is arranged so as to surround the pattern formation area A3 in a frame shape, and has a characteristic of shielding the illumination luminous flux EL1. The pattern forming area A3 of the cylindrical mask DM moves in the moving direction Xs along with the rotation of the
도 2에 나타내는 바와 같이, Y축 방향으로 늘어서는 복수의 투영 모듈(PL1 ~ PL6)의 각각은, 제1 내지 제6 조명 모듈(IL)의 각각과 1대 1로 대응하고 있으며, 대응하는 조명 모듈에 의해서 조명되는 조명 영역(IR) 내에 나타나는 원통 마스크(DM)의 부분적인 패턴의 상(像)을, 기판(P) 상의 각 투영 영역(PA)에 투영한다. As shown in Fig. 2, each of the plurality of projection modules PL1 to PL6 arranged in the Y-axis direction corresponds to each of the first to sixth illumination modules IL one to one, Projects an image of a partial pattern of the cylindrical mask DM appearing in the illumination area IR illuminated by the module onto each projection area PA on the substrate P. [
예를 들면, 제1 투영 모듈(PL1)은, 제1 조명 모듈(IL)에 대응하고, 제1 조명 모듈(IL)에 의해서 조명되는 제1 조명 영역(IR1)(도 3 참조)에서의 원통 마스크(DM)의 패턴의 상(像)을, 기판(P) 상의 제1 투영 영역(PA1)에 투영한다. 제3 투영 모듈(PL3), 제5 투영 모듈(PL5)은, 각각, 제3, 제5 조명 모듈(IL)과 대응하고 있다. 제3 투영 모듈(PL3) 및 제5 투영 모듈(PL5)은, Y축 방향으로부터 보면, 제1 투영 모듈(PL1)과 겹치는 위치에 배치되어 있다. For example, the first projection module PL1 corresponds to the first illumination module IL and includes a first illumination module IR1 (see FIG. 3) illuminated by the first illumination module IL The image of the pattern of the mask DM is projected onto the first projection area PA1 on the substrate P. [ The third projection module PL3 and the fifth projection module PL5 correspond to the third and fifth illumination modules IL, respectively. The third projection module PL3 and the fifth projection module PL5 are disposed at positions overlapping with the first projection module PL1 when viewed from the Y-axis direction.
또, 제2 투영 모듈(PL2)은, 제2 조명 모듈(IL)에 대응하며, 제2 조명 모듈(IL)에 의해서 조명되는 제2 조명 영역(IR2)(도 3 참조)에서의 원통 마스크(DM)의 패턴의 상(像)을, 기판(P) 상의 제2 투영 영역(PA2)에 투영한다. 제2 투영 모듈(PL2)은, Y축 방향으로부터 보면, 제1 투영 모듈(PL1)에 대해서 중심면(P3)을 사이에 두고 대칭적인 위치에 배치되어 있다. The second projection module PL2 corresponds to the second illumination module IL and is a cylindrical mask in the second illumination area IR2 (see Fig. 3) illuminated by the second illumination module IL DM onto the second projection area PA2 on the substrate P. The second projection area PA2 on the substrate P is projected onto the second projection area PA2. The second projection module PL2 is disposed at a symmetrical position with respect to the first projection module PL1 with respect to the Y-axis direction, with the central plane P3 therebetween.
제4 투영 모듈(PL4), 제6 투영 모듈(PL6)은, 각각, 제4, 제6 조명 모듈(IL)과 대응하여 배치되며, 제4 투영 모듈(PL4) 및 제6 투영 모듈(PL6)은, Y축 방향으로부터 보아, 제2 투영 모듈(PL2)과 겹치는 위치에 배치되어 있다. The fourth projection module PL4 and the sixth projection module PL6 are arranged corresponding to the fourth and sixth illumination modules IL respectively and the fourth projection module PL4 and the sixth projection module PL6, Is disposed at a position overlapping with the second projection module PL2 when viewed from the Y-axis direction.
또, 본 실시 형태에서, 조명 기구(IU)의 각 조명 모듈(IL)로부터 원통 마스크(DM) 상의 각 조명 영역(IR1 ~ IR6)에 이르는 광을 조명 광속(EL1)으로 한다. 또, 각 조명 영역(IR1 ~ IR6) 중에 나타나는 원통 마스크(DM)의 부분 패턴에 따른 강도 분포 변조를 받아 각 투영 모듈(PL1 ~ PL6)에 입사하여 각 투영 영역(PA1 ~ PA6)에 이르는 광을, 결상 광속(EL2)으로 한다. 그리고, 각 투영 영역(PA1 ~ PA6)에 이르는 결상 광속(EL2) 중, 투영 영역(PA1 ~ PA6)의 각 중심점을 통과하는 주광선은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제2 드럼 부재(22)의 제2 중심축(AX2)으로부터 보아, 중심면(P3)을 사이에 두고 둘레 방향으로 각도 θ의 위치(특정 위치)에 각각 배치된다. In the present embodiment, the light from the respective illumination modules IL of the lighting device IU to the respective illumination areas IR1 to IR6 on the cylindrical mask DM is taken as the illumination luminous flux EL1. It is also possible to correct the intensity distribution modulated in accordance with the partial pattern of the cylindrical mask DM appearing in each of the illumination areas IR1 to IR6 and to enter the respective projection modules PL1 to PL6 to reach the respective projection areas PA1 to PA6 , And an imaging light flux EL2. As shown in Fig. 2, principal rays passing through the center points of the projection areas PA1 to PA6 out of the imaging light fluxes EL2 reaching the respective projection areas PA1 to PA6, (Specific position) of the angle? In the circumferential direction with the center plane P3 therebetween as viewed from the second central axis AX2.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 조명 영역(IR1)에서의 패턴의 상(像)은 제1 투영 영역(PA1)에 투영되고, 제3 조명 영역(IR3)에서의 패턴의 상(像)은, 제3 투영 영역(PA3)에 투영되며, 제5 조명 영역(IR5)에서의 패턴의 상(像)은, 제5 투영 영역(PA5)에 투영된다. 본 실시 형태에서, 제1 투영 영역(PA1), 제3 투영 영역(PA3) 및 제5 투영 영역(PA5)은, Y축 방향으로 일렬로 늘어서도록 배치된다. The image of the pattern in the first illumination area IR1 is projected onto the first projection area PA1 and the image of the pattern in the third illumination area IR3 is projected onto the first projection area PA1 as shown in Fig. And the third projection area PA3, and the image of the pattern in the fifth illumination area IR5 is projected onto the fifth projection area PA5. In the present embodiment, the first projection area PA1, the third projection area PA3, and the fifth projection area PA5 are arranged in a line in the Y-axis direction.
또, 제2 조명 영역(IR2)에서의 패턴의 상(像)은, 제2 투영 영역(PA2)에 투영 된다. 본 실시 형태에서, 제2 투영 영역(PA2)은, Y축 방향으로부터 보아, 중심면(P3)에 관해서 제1 투영 영역(PA1)과 대칭적으로 배치된다. 또, 제4 조명 영역(IR4)에서의 패턴의 상(像)은, 제4 투영 영역(PA4)에 투영되고, 제6 조명 영역(IR6)에서의 패턴의 상(像)은, 제6 투영 영역(PA6)에 투영된다. 본 실시 형태에서, 제2 투영 영역(PA2), 제4 투영 영역(PA4) 및 제6 투영 영역(PA6)은, Y축 방향으로 일렬로 늘어서도록 배치된다. The image of the pattern in the second illumination area IR2 is projected onto the second projection area PA2. In the present embodiment, the second projection area PA2 is disposed symmetrically with respect to the first projection area PA1 with respect to the center plane P3 as viewed from the Y-axis direction. The image of the pattern in the fourth illumination area IR4 is projected to the fourth projection area PA4 and the image of the pattern in the sixth illumination area IR6 is projected onto the fourth projection area PA4, And is projected onto the area PA6. In the present embodiment, the second projection area PA2, the fourth projection area PA4, and the sixth projection area PA6 are arranged in a line in the Y-axis direction.
제1 내지 제6 투영 영역(PA1 ~ PA6)의 각각은, 제2 면(P2)의 둘레 방향을 따라서 본 경우에, 제2 중심축(AX2)에 평행한 방향에서 서로 이웃하는 투영 영역(홀수번째와 짝수번째)끼리의 단부(사다리꼴의 삼각 부분)가 겹치도록 배치되어 있다. 그 때문에, 예를 들면, 제2 드럼 부재(22)의 회전에 의해서 제1 투영 영역(PA1)을 통과하는 기판(P) 상의 제3 영역(A5)은, 제2 드럼 부재(22)의 회전에 의해서 제2 투영 영역(PA2)을 통과하는 기판(P) 상의 제4 영역(A6)과 일부 중복한다. 제1 투영 영역(PA1)과 제2 투영 영역(PA2)은, 제3 영역(A5)과 제4 영역(A6)이 중복하는 영역에서의 노광량이, 중복하지 않은 영역의 노광량과 실질적으로 동일하게 되도록, 각각의 형상 등이 설정되어 있다. 그리고, 제1 ~ 제6 투영 영역(PA1 ~ PA6)은, 기판(P) 상에 노광되는 노광 영역(A7)의 Y방향의 전체 폭을 커버하도록 배치되어 있다. Each of the first to sixth projection areas PA1 to PA6 is a projection area adjacent to each other in the direction parallel to the second central axis AX2 when viewed along the circumferential direction of the second surface P2 (The triangular part of the trapezoid) of the first and second electrodes are overlapped with each other. The third area A5 on the substrate P passing through the first projection area PA1 due to the rotation of the
다음으로, 본 실시 형태의 투영 광학계(PL)의 상세 구성에 대해 도 4를 참조하여 설명한다. 또, 본 실시 형태에서, 제2 투영 모듈(PL2) ~ 제5 투영 모듈(PL5)의 각각은, 제1 투영 모듈(PL1)과 동일한 구성이다. 이 때문에, 투영 광학계(PL)를 대표하여, 제1 투영 모듈(PL1)의 구성에 대해 설명하고, 제2 투영 모듈(PL2) ~ 제5 투영 모듈(PL5)의 각각의 설명은 생략한다. Next, the detailed configuration of the projection optical system PL of the present embodiment will be described with reference to Fig. In the present embodiment, each of the second projection module PL2 to the fifth projection module PL5 has the same configuration as the first projection module PL1. Therefore, the configuration of the first projection module PL1 will be described on behalf of the projection optical system PL, and the description of the second to fifth projection modules PL2 to PL5 will be omitted.
도 4에 나타내는 제1 투영 모듈(PL1)은, 제1 조명 영역(IR1)에 배치된 원통 마스크(DM)의 패턴의 상(像)을 중간상면(P7)에 결상하는 제1 광학계(41)와, 제1 광학계(41)가 형성한 중간상의 적어도 일부를 기판(P)의 제1 투영 영역(PA1)에 재결상하는 제2 광학계(42)와, 중간상이 형성되는 중간상면(P7)에 배치된 제1 시야 조리개(43)를 구비한다. The first projection module PL1 shown in Fig. 4 includes a first
또, 제1 투영 모듈(PL1)은, 포커스 보정 광학 부재(44), 상(像)시프트 보정 광학 부재(45), 로테이션 보정 기구(46) 및 배율 보정용 광학 부재(47)를 구비하고 있다. 포커스 보정 광학 부재(44)는, 기판(P) 상에 형성되는 마스크의 패턴상(이하, '투영상'이라고 함)의 포커스 상태를 미세 조정하는 포커스 조정 장치이다. 또, 상(像)시프트 보정 광학 부재(45)는, 투영상을 상면(像面) 내에서 미소하게 횡(橫)시프트시키는 시프트 조정 장치이다. 배율 보정용 광학 부재(47)는, 투영상의 배율을 미소 보정하는 배율 조정 장치이다. 로테이션 보정 기구(46)는, 투영상을 상면 내에서 미소 회전시키는 시프트 조정 장치이다. The first projection module PL1 is provided with a focus correction
원통 마스크(DM)의 패턴으로부터의 결상 광속(EL2)은, 제1 조명 영역(IR1)으로부터 법선 방향(D1)으로 출사하고, 포커스 보정 광학 부재(44)를 통과하여 상(像)시프트 보정 광학 부재(45)에 입사한다. 상(像)시프트 보정 광학 부재(45)를 투과한 결상 광속(EL2)은, 제1 광학계(41)의 요소인 제1 편향 부재(50)의 제1 반사면(평면거울)(p4)에서 반사되고, 제1 렌즈군(51)을 통과하여 제1 오목면 거울(52)에서 반사되며, 다시 제1 렌즈군(51)을 통과하여 제1 편향 부재(50)의 제2 반사면(평면거울)(p5)에서 반사되어, 제1 시야 조리개(43)에 입사한다. 제1 시야 조리개(43)를 통과한 결상 광속(EL2)은, 제2 광학계(42)의 요소인 제2 편향 부재(57)의 제3 반사면(평면거울)(p8)에서 반사되고, 제2 렌즈군(58)을 통과하여 제2 오목 거울(59)에서 반사되며, 다시 제2 렌즈군(58)을 통과하여 제2 편향 부재(57)의 제4 반사면(평면거울)(p9)에서 반사되어, 배율 보정용 광학 부재(47)에 입사한다. 배율 보정용 광학 부재(47)로부터 출사한 결상 광속(EL2)은, 기판(P) 상의 제1 투영 영역(PA1)에 입사하고, 제1 조명 영역(IR1) 내에 나타나는 패턴의 상(償)이 제1 투영 영역(PA1)에 등배(×1)로 투영된다. The imaging light flux EL2 from the pattern of the cylindrical mask DM is emitted from the first illumination area IR1 in the normal direction D1 and passes through the focus correction
도 2에 나타내는 원통 마스크(DM)의 반경을 반경 r1으로 하고, 제2 드럼 부재(22)에 감긴 기판(P)의 원통 모양의 표면의 반경을 반경 r2로 하여, 반경 r1과 반경 r2를 동일하게 한 경우, 각 투영 모듈(PL1 ~ PL6)의 마스크측에서의 결상 광속(EL2)의 주광선은, 원통 마스크(DM)의 회전 중심선(AX1)을 통과하도록 경사지지만, 그 경사각은, 기판(P)측에서의 결상 광속(EL2)의 주광선의 경사각 θ(중심면(P3)에 대해서 ±θ)와 동일하게 된다. The radius r1 of the cylindrical mask DM shown in Fig. 2 and the radius r2 of the cylindrical surface of the substrate P wrapped around the
제2 편향 부재(57)의 제3 반사면(p8)이 제2 광축(AX4)이 이루는 각도 θ3은, 제1 편향 부재(50)의 제2 반사면(p5)이 제1 광축(AX3)이 이루는 각도 θ2와 실질적으로 동일하다. 또, 제2 편향 부재(57)의 제4 반사면(p9)이 제2 광축(AX4)이 이루는 각도 θ4는, 제1 편향 부재(50)의 제1 반사면(p4)이 제1 광축(AX3)이 이루는 각도 θ1과 실질적으로 동일하다. 상술한 경사각 θ를 부여하기 위해, 도 4에 나타낸 제1 편향 부재(50)의 제1 반사면(p4)의 제1 광축(AX3)에 대한 각도 θ1을 45°보다도 Δθ1 만큼 작게 하고, 제2 편향 부재(57)의 제4 반사면(p9)의 제2 광축(AX4)에 대한 각도 θ4를 45°보다도 Δθ4만큼 작게 한다. Δθ1과 Δθ4는, 도 2 중에 나타낸 각도 θ에 대해서,Δθ1=Δθ4=Δθ/2의 관계로 설정된다. The angle? 3 formed by the third reflecting surface p8 of the second deflecting
도 5는, 도 2의 처리 장치(노광 장치)에 적용되는 회전 드럼의 사시도이다. 도 6은, 도 2의 처리 장치(노광 장치)에 적용되는 검출 프로브와 읽어냄 장치와의 관계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 7은, 제1 실시 형태에 관한 스케일 원반(SD)을 회전 중심선(AX2) 방향으로 본, 읽어냄 장치의 위치를 설명하기 위한 설명도이다. 또, 도 5에서는, 편의상, 제2 내지 제4 투영 영역(PA2 ~ PA4)만을 도시하고, 제1, 제5, 제6 투영 영역(PA1, PA5, PA6)의 도시를 생략하고 있다. Fig. 5 is a perspective view of a rotary drum applied to the processing apparatus (exposure apparatus) of Fig. 2; Fig. Fig. 6 is a perspective view for explaining the relationship between the detection probe and the reading device applied to the processing apparatus (exposure apparatus) of Fig. 2; Fig. 7 is an explanatory view for explaining the position of the reading apparatus, as viewed in the direction of the rotation center line AX2, of the scale original SD according to the first embodiment. 5, only the second to fourth projection areas PA2 to PA4 are shown for convenience, and the first, fifth, and sixth projection areas PA1, PA5, and PA6 are omitted.
도 2에 나타내는 제2 검출기(35)는, 제2 드럼 부재(22)의 회전 위치를 광학적으로 검출하는 것으로서, 고진원도(高眞圓度)의 스케일 원반(스케일 부재)(SD)과, 읽어냄 장치인 엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)를 포함한다. The
스케일 원반(SD)은, 제2 드럼 부재(22)의 회전축(ST)과 직교하는 제2 드럼 부재(22)의 단부에 고정되어 있다. 이 때문에, 스케일 원반(SD)은, 회전 중심선(AX2) 둘레로 회전축(ST)과 함께 일체적으로 회전한다. 스케일 원반(SD)의 외주면에는, 스케일부(GP)로서 예를 들면 눈금(격자)이 새겨져 있다. 스케일부(GP)는, 제2 드럼 부재(22)가 회전하는 둘레 방향을 따라서 고리 모양으로 배열되고, 또한 제2 드럼 부재(22)와 함께 회전축(ST)(제2 중심축(AX2))의 주위를 회전한다. 엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)는, 회전축(ST)(제2 중심축(AX2))으로부터 보아 스케일부(GP)의 주위에 배치되어 있다. 엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)는, 스케일부(GP)와 대향 배치되며, 스케일부(GP)를 비접촉으로 읽어낼 수 있다. 또, 엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)는, 제2 드럼 부재(22)의 둘레 방향의 다른 위치에 배치되어 있다. The scale original SD is fixed to the end of the
엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)는, 스케일부(GP)의 접선 방향(XZ면내)의 변위의 변동에 대해서 계측 감도(感度)(검출 감도)를 가지는 읽어냄 장치이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 엔코더 헤드(EN1, EN2, EN3, EN4, EN5)의 설치 방위(회전 중심선(AX2)을 중심으로 한 XZ면내에서의 각도 방향)를 설치 방위선(Le1, Le2, Le3, Le4, Le5)으로 나타내는 경우, 도 7에 나타내는 바와 같이, 설치 방위선(Le1, Le2)이, 중심면(P3)에 대해서 각도 ±θ°가 되도록, 엔코더 헤드(EN1, EN2)가 배치된다. 또, 본 실시 형태에서는, 예를 들면 각도 θ는 15°이다.The encoder heads EN1, EN2, EN3, EN4 and EN5 are reading apparatuses having measurement sensitivity (detection sensitivity) for variations in the displacement of the tangential direction (XZ plane) of the scale part GP.
도 4에 나타내는 투영 모듈(PL1 ~ PL6)은, 기판(P)을 피처리 물체로 하고, 기판(P)에 광을 조사하는 조사 처리를 실시하는 노광 장치(EX)의 처리부이다. 노광 장치(EX)는, 기판(P)에 대해서 2개의 결상 광속(EL2)의 주광선이 기판(P)에 입사한다. 투영 모듈(PL1, PL3, PL5)이 제1 처리부가 되고, 투영 모듈(PL2, PL4, PL6)이 제2 처리부가 되며, 기판(P)에 대해서 2개의 결상 광속(EL2)의 주광선이 기판(P)에 입사하는 각각의 위치가 기판(P)에 광을 조사하는 조사 처리를 실시하는 특정 위치가 된다. 특정 위치는, 제2 드럼 부재(22)의 제2 중심축(AX2)으로부터 보아, 제2 드럼 부재(22) 상의 곡면의 기판(P)에서의, 중심면(P3)을 사이에 두고 둘레 방향으로 각도 ±θ의 위치이다. 엔코더 헤드(EN1)의 설치 방위선(Le1)은, 홀수번째의 투영 모듈(PL1, PL3, PL5)의 각 투영 영역(투영 시야)(PA1, PA3, PA5)의 중심점을 통과하는 주광선의 중심면(P3)에 대한 경사각 θ와 일치하고, 엔코더 헤드(EN2)의 설치 방위선(Le2)은, 짝수번째의 투영 모듈(PL2, PL4, PL6)의 각 투영 영역(투영 시야)(PA2, PA4, PA6)의 중심점을 통과하는 주광선의 중심면(P3)에 대한 경사각 θ와 일치하고 있다. 이 때문에, 엔코더 헤드(EN1)는, 제1 특정 위치(PX1)와 제2 중심축(AX2)을 연결하는 방향에 위치하는 스케일부(GP)를 읽어내는 읽어냄 장치가 된다. 그리고, 엔코더 헤드(EN2)는, 제2 특정 위치(PX2)와 제2 중심축(AX2)을 연결하는 방향에 위치하는 스케일부(GP)를 읽어내는 읽어냄 장치가 된다. The projection modules PL1 to PL6 shown in Fig. 4 are the processing sections of the exposure apparatus EX that perform the irradiation processing for irradiating the substrate P with the substrate P as an object to be processed. In the exposure apparatus EX, principal rays of two imaging light beams EL2 are incident on the substrate P with respect to the substrate P. The projection modules PL2, PL4 and PL6 are subjected to the second processing section and the principal rays of the two imaging light beams EL2 are incident on the substrate P P is a specific position for performing irradiation processing for irradiating the substrate P with light. The specific position is a position in the circumferential direction of the substrate P on the curved surface on the
엔코더 헤드(EN4)는, 기판(P)의 이송 방향의 후방측, 즉 노광 위치(투영 영역)의 바로 앞에 배치되어 있고, 기판(P)의 이송 방향의 후방측을 향해 엔코더 헤드(EN1)의 설치 방위선(Le1)을 회전 중심선(AX2)의 축 둘레로 회전한 설치 방위선(Le4) 상에 설정된다. 또, 엔코더 헤드(EN5)는, 기판(P)의 이송 방향의 후방측을 향해 엔코더 헤드(EN1)의 설치 방위선(Le1)을 회전 중심선(AX2)의 축 둘레로 회전한 설치 방위선(Le5) 상에 설정된다. The encoder head EN4 is disposed at the rear side in the conveying direction of the substrate P, that is, in front of the exposure position (projection area), and guides the encoder head EN1 toward the rear side in the conveying direction of the substrate P Is set on the mounting diagonal line Le4 that is the rotation of the mounting diagonal line Le1 around the axis of the rotation center line AX2. The encoder head EN5 is mounted on an installation diagonal line Le5 that is rotated about the axis of the rotation center line AX2 toward the rear side in the conveying direction of the substrate P .
또, 엔코더 헤드(EN3)는, 엔코더 헤드(EN1, EN2)에 대해서, 회전 중심선(AX2)을 사이에 둔 반대측에 배치되고, 그 설치 방위선(Le3)은 중심면(P3) 상에 설정되어 있다. The encoder head EN3 is disposed on the opposite side with respect to the encoder head EN1 and EN2 with the rotation center line AX2 interposed therebetween and the mounting diagonal line Le3 is set on the center plane P3 .
스케일 부재인 스케일 원반(SD)은, 저열팽창의 금속, 유리, 세라믹스 등을 모재로 하고, 계측 분해능을 높이기 위해서, 가능한 한 큰 직경(예를 들면 직경 20cm 이상)이 되도록 만들어진다. 도 5에서는, 제2 드럼 부재(22)의 직경에 대해서 스케일 원반(SD)의 직경은 작게 도시되어 있지만, 제2 드럼 부재(22)의 외주면 중, 기판(P)이 감겨지는 외주면의 직경과, 스케일 원반(SD)의 스케일부(GP)의 직경을 일치시킴(거의 일치시킴)으로써, 소위, 계측 아베(Abbe) 오차를 더 작게 할 수 있다. The scale master SD, which is a scale member, is made to have a diameter as large as possible (for example, 20 cm or more in diameter) in order to increase measurement resolution using metal, glass, ceramics or the like having low thermal expansion as a base material. 5 shows the diameter of the scale disk SD to be smaller than the diameter of the
스케일부(GP)의 둘레 방향에 새겨지는 눈금(격자)의 최소 피치는, 스케일 원반(SD)을 가공하는 눈금선 새김 장치 등의 성능에 의해서 제한되어 있다. 이 때문에, 스케일 원반(SD)의 직경을 크게 하면, 그것에 따라서 최소 피치에 대응한 각도계측 분해능도 높일 수 있다. The minimum pitch of the gratings (gratings) engraved in the circumferential direction of the grating portion GP is limited by the performance of the grating marking device for machining the scale master SD. Therefore, if the diameter of the original scale SD is increased, the angular measurement resolution corresponding to the minimum pitch can be increased accordingly.
스케일부(GP)를 읽어내는 엔코더 헤드(EN1, EN2)가 배치되는 설치 방위선(Le1, Le2)의 방향을, 회전 중심선(AX2)으로부터 보았을 때에, 기판(P)에 대해서 결상 광속(EL2)의 주광선이 기판(P)에 입사하는 방향과 동일하게 하는 것에 의해, 예를 들면, 회전축(ST)을 지지하는 베어링(베어링)의 약간의 덜거덕거림(2㎛ ~ 3㎛정도)에 의해서 제2 드럼 부재(22)가 X방향으로 시프트한 경우에도, 이 시프트에 의해서 투영 영역(PA1 ~ PA6) 내에서 발생할 수 있는 기판(P)의 이송 방향 Xs에 관한 위치 오차를, 엔코더 헤드(EN1, EN2)에 의해서 고정밀도로 계측하는 것이 가능해진다. The direction of the mounting diagonal lines Le1 and Le2 in which the encoder heads EN1 and EN2 for reading the scale part GP are disposed is determined from the rotation center line AX2 when the angle of the imaging light beam EL2 with respect to the substrate P By making the principal ray be in the same direction as the direction in which the principal ray of light enters the substrate P, by the slight rattling (about 2 mu m to 3 mu m) of the bearing (bearing) supporting the rotation axis ST, Even if the
도 6에 나타내는 바와 같이, 제2 드럼 부재(22)의 곡면에 지지되는 기판(P)의 일부분에, 도 2에 나타내는 투영 광학계(PL)에 의해 투영된 마스크 패턴의 일부분의 상(像)과 기판(P)을 상대적으로 위치 맞춤(얼라이먼트)하기 위해서, 기판(P)에 미리 형성된 얼라이먼트 마크 등을 검출하는 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)이 마련되어 있다. 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)은, 기판(P) 상에 이산(離散) 또는 연속하여 형성된 특정 패턴을 검출하기 위한 검출 프로브와, 이 검출 프로브에 의한 검출 영역이, 상술한 특정 위치 보다도 기판(P)의 이송 방향의 후방측에 설정되도록, 제2 드럼 부재(22)의 둘레에 배치되는 패턴 검출 장치이다. An image of a part of the mask pattern projected by the projection optical system PL shown in Fig. 2 and an image of a part of the mask pattern projected by the projection optical system PL are superimposed on a part of the substrate P supported on the curved surface of the
도 6에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)은, Y축 방향(기판(P)의 폭방향)으로 일렬로 늘어선 복수(예를 들면 4개)의 검출 프로브를 가지고 있다. 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)은, 제2 드럼 부재(22)의 Y축 방향의 양측단의 검출 프로브로, 기판(P)의 양단 부근에 형성된 얼라이먼트 마크를 상시 관찰 또는 검출할 수 있다. 그리고, 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)은, 제2 드럼 부재(22)의 Y축 방향(기판(P)의 폭방향)의 양측단 이외의 검출 프로브로, 예를 들면, 기판(P) 상에 장척 방향을 따라서 복수 형성되는 표시 패널의 패턴 형성 영역의 사이의 여백부 등에 형성되는 얼라이먼트 마크를 관찰 또는 검출할 수 있다. As shown in Fig. 6, the alignment microscopes AMG1 and AMG2 have a plurality of (for example, four) detection probes arranged in a line in the Y-axis direction (the width direction of the substrate P). The alignment microscopes AMG1 and AMG2 are capable of constantly observing or detecting alignment marks formed near both ends of the substrate P by the detection probes at both side ends of the
도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, XZ면내 또한 회전 중심선(AX2)으로부터 보았을 때에, 얼라이먼트 현미경(AMG1)에 의한 기판(P)의 관찰 방향(AM1)(제2 중심축(AX2)을 향함)의 검출 중심과 동일 방향이 되도록, 스케일부(GP)의 지름 방향으로 설정되는 설치 방위선(Le4) 상에, 엔코더 헤드(EN4)가 배치되어 있다. 또, XZ면내 또한 회전 중심선(AX2)으로부터 보았을 때에, 얼라이먼트 현미경(AMG2)에 의한 기판(P)의 관찰 방향(AM2)(회전 중심선(AX2)을 향함)의 검출 중심과 동일 방향이 되도록, 스케일부(GP)의 지름 방향에 설정되는 설치 방위선(Le5) 상에, 엔코더 헤드(EN5)가 배치되어 있다. 이와 같이, 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)의 검출 프로브가 제2 중심축(AX2)으로부터 보아 제2 드럼 부재(22)의 주위에 배치되고, 엔코더 헤드(EN4, EN5)가 배치된 위치와 제2 중심축(AX2)을 연결하는 방향(설치 방위선(Le4, Le5))이, 제2 중심축(AX2)과 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)의 검출 영역을 연결하는 방향과 일치하도록 배치되어 있다. 또, 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2) 및 엔코더 헤드(EN4, EN5)가 배치되는 회전 중심선(AX2) 둘레 방향의 위치는, 기판(P)이 제2 드럼 부재(22)에 접촉하기 시작하는 진입 위치(IA)와, 제2 드럼 부재(22)로부터 기판(P)이 떨어지는 이탈 위치(OA)와의 사이에 설정된다. 6 and 7, the observation direction AM1 (toward the second central axis AX2) of the substrate P by the alignment microscope AMG1, when viewed from the rotation center line AX2 in the XZ plane, The encoder head EN4 is disposed on the mounting diagonal line Le4 which is set in the radial direction of the scale part GP so as to be in the same direction as the detection center of the scale part GP. It is also preferable that the direction of the detection axis AM2 of the substrate P by the alignment microscope AMG2 (facing the rotation center line AX2) (when viewed from the rotation center line AX2) An encoder head EN5 is arranged on an installation diagonal line Le5 set in the radial direction of the part GP. As described above, the detection probes of the alignment microscopes AMG1 and AMG2 are arranged around the
상술한 얼라이먼트 현미경(AMG2)의 관찰 방향(AM2)은, 기판(P)의 반송 방향의 전방측, 즉 노광 위치(투영 영역)의 후방에 배치되어 있고, 기판(P)의 Y방향의 단부 부근에 형성된 얼라이먼트 마크(수십㎛ ~ 수백㎛각(角) 내의 영역에 형성)를, 기판(P)이 소정 속도로 보내어지고 있는 상태에서, 촬상 소자 등에 의해 고속으로 화상 검출하는 것이며, 현미경 시야(촬상 범위)에서 마크의 상(像)을 고속으로 샘플링한다. 그 샘플링이 행해진 순간에, 엔코더 헤드(EN5)에 의해서 순차 계측되는 스케일 원반(SD)의 회전 각도 위치를 기억하는 것에 의해, 기판(P) 상의 얼라이먼트 마크의 마크 위치와 제2 드럼 부재(22)의 회전 각도 위치와의 대응 관계가 구해진다. The observation direction AM2 of the above-described alignment microscope AMG2 is disposed on the front side in the carrying direction of the substrate P, that is, behind the exposure position (projection area) (Formed in an area within several tens of micrometers to several hundreds of micrometers) of alignment mark formed on the substrate P in a state in which the substrate P is being fed at a predetermined speed, The image of the mark is sampled at a high speed. The mark position of the alignment mark on the substrate P and the mark position of the
한편, 상술한 얼라이먼트 현미경(AMG1)의 관찰 방향(AM1)은, 기판(P)의 반송 방향의 후방측, 즉 노광 위치(투영 영역)의 전방에 배치되어 있고, 기판(P)의 Y방향의 단부 부근에 형성된 얼라이먼트 마크(수십㎛ ~ 수백㎛각 내의 영역에 형성)의 상(像)을, 얼라이먼트 현미경(AMG2)과 마찬가지로, 촬상 소자 등에 의해 고속으로 샘플링 하고, 그 샘플링의 순간에, 엔코더 헤드(EN4)에 의해서 순차 계측되는 스케일 원반(SD)의 회전 각도 위치를 기억하는 것에 의해, 기판(P) 상의 얼라이먼트 마크의 마크 위치와 제2 드럼 부재(22)의 회전 각도 위치와의 대응 관계가 구해진다. On the other hand, the observation direction AM1 of the alignment microscope AMG1 described above is arranged on the rear side in the carrying direction of the substrate P, that is, in front of the exposure position (projection area) An image of an alignment mark (formed in an area within a range of several tens of mu m to several hundreds of micrometers) formed near the edge is sampled at a high speed by an imaging device or the like in the same manner as the alignment microscope AMG2, The relationship between the mark position of the alignment mark on the substrate P and the rotational angle position of the
얼라이먼트 현미경(AMG1)에서 검출한 마크를, 얼라이먼트 현미경(AMG2)에서 검출했을 때에, 엔코더 헤드(EN4)에 의해서 계측되어 기억된 각도 위치와 엔코더 헤드(EN5)에 의해서 계측되어 기억된 각도 위치와의 차분(差分)을, 미리 정밀하게 교정(較正)되어 있는 2개의 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)의 설치 방위선(Le4, Le5)의 개방 각도과 비교한다. 그리고, 상기 개방 각도가 오차를 가지고 있는 경우는, 진입 위치(IA)와 이탈 위치(OA)와의 사이에서, 기판(P)이 제2 드럼 부재(22) 상에서 약간 미끄러지고 있을 가능성, 또는 반송 방향(둘레 방향) 또는 제2 중심축(AX2)과 평행한 방향(Y축 방향)으로 신축하고 있을 가능성이 있다. When the mark detected by the alignment microscope AMG1 is detected by the alignment microscope AMG2 and the angular position measured and stored by the encoder head EN4 and the angular position measured and stored by the encoder head EN5 The difference is compared with the opening angles of the mounting alignment lines Le4 and Le5 of the two alignment microscopes AMG1 and AMG2 which are precisely calibrated in advance. If the opening angle has an error, there is a possibility that the substrate P is slightly slipped on the
일반적으로, 패터닝시의 위치 오차는, 기판(P) 상에 형성되는 디바이스 패턴의 미세도나 서로 겹침 정도에 따라 정해지지만, 예를 들면, 기초의 패턴층에 대해서 10㎛폭의 선 패턴을 정확하게 서로 겹쳐 노광하기 위해서는, 그 몇 분의 일 이하의 오차, 즉, 기판(P) 상의 치수로 환산하여, ±2㎛ 정도의 위치 오차밖에 허용되지 않게 된다. In general, the positional error at the time of patterning is determined according to the degree of fine patterning of the device pattern formed on the substrate P and the degree of overlapping with each other. For example, In order to overlap and expose, only a position error of about +/- 2 mu m in terms of an error of a few minutes or less, that is, a size on the substrate P is allowed.
이러한 고정밀한 계측을 실현하기 위해서는, 각 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)에 의한 마크 화상(畵像)의 계측 방향(XZ면내에서의 제2 드럼 부재(22)의 외주(外周) 접선 방향)과, 각 엔코더 헤드(EN4, EN5)의 계측 방향(XZ면내에서의 스케일부(GP)의 외주 접선 방향)을, 허용 각도 오차 내에서 일치시켜 둘 필요가 있다. In order to realize such high-precision measurement, the measurement direction of the mark image (the tangential direction of the outer circumference of the
이상과 같이, 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)에 의한 기판(P) 상의 얼라이먼트 마크의 계측 방향(제2 드럼 부재(22)의 원주면의 접선 방향)과 일치하도록, 엔코더 헤드(EN4, EN5)를 배치하고 있다. 이 때문에, 얼라이먼트 현미경(AMG1, AMG2)에 의한 기판(P)(마크)의 위치 검출시(화상 샘플링시)에, 제2 드럼 부재(22)(스케일 원반(SD))가, XZ면 내에서 설치 방위선(Le4나 Le5)과 직교한 둘레 방향(접선 방향)으로 시프트한 경우에도, 제2 드럼 부재(22)의 시프트를 가미한 고정밀한 위치 계측이 가능해진다. As described above, the encoder heads EN4 and EN5 are arranged so as to coincide with the alignment direction of the alignment mark on the substrate P by the alignment microscopes AMG1 and AMG2 (the tangential direction of the circumferential surface of the second drum member 22) . For this reason, the second drum member 22 (scale original disk SD) is moved in the XZ plane in the XZ plane at the time of detecting the position of the substrate P (mark) by the alignment microscopes AMG1 and AMG2 It is possible to perform highly precise position measurement with a shift of the
제2 중심축(AX2)으로부터 보아 스케일 원반(SD)의 스케일부(GP)의 주위의 5개소에, 엔코더 헤드(EN1 ~ EN5)가 배치되어 있으므로, 이 중의 적당한 2개 또는 3개의 엔코더 헤드에 의한 계측값의 출력을 조합시켜 연산 처리하는 것에 의해, 스케일 원반(SD)의 스케일부(GP)의 진원도(형상 왜곡), 편심 오차 등을 구하는 것도 가능해진다. Since the encoder heads EN1 to EN5 are arranged at five locations around the scaled portion GP of the scale original SD as viewed from the second central axis AX2, the appropriate two or three encoder heads It is possible to obtain the roundness (shape distortion) and eccentricity error of the scale part GP of the scale original SD by combining the output of the measured values by the calculation process.
<온도 조절 장치><Temperature control device>
상술한 바와 같이, 기판(P)은, 처리 장치(U3) 내부의 온도 환경에 의해, 반송 방향(둘레 방향) 또는 제2 중심축(AX2)과 평행한 방향(Y축 방향)으로 기판(P)의 온도에 따라 신축하고 있는 경우가 있다. 신축은, 기판(P)의 재료 물성에 의해 정해지고, 기판(P)의 온도 증가에 따라서 신장이 생기는 재료와, 기판(P)의 온도 증가에 따라서 축소가 생기는 재료가 있다. 도 8은, 제1 실시 형태에 관한 온도 조절 장치를 설명하는 설명도이다. 온도 조절 장치(60)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 특정 위치(PX1), 특정 위치(PX) 및 제2 특정 위치(PX2)를 통과하는 기판(P)의 반송 방향 상류측을 온도 조절하는 장치이다. 처리 장치(U3)는, 제1 가이드 부재(31), 제2 가이드 부재(32)가 안내하는 기판(P)의, 온도 조절 장치(60)의 온도 조정 종료로부터 제2 드럼 부재(22)의 진입 위치(IA)로 반송될 때까지의 길이는, 최대한 짧은 것이 바람직하지만, 온도 조절 장치(60)에서 설정되는 온도와, 제2 드럼 부재(22)의 온도와의 차이에 따라 결정해도 좋다. 예를 들면, 제2 드럼 부재(22)는 일반적으로 열용량이 크고, 설정 온도를 바꾸려면 시간이 걸리기 때문에, 제2 드럼 부재(22)는 어느 일정한 온도를 유지하도록, 도 2 중의 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)에 의해, 항상 온도 조절을 계속한다. 그리고, 온도 조절 장치(60)로부터 진입 위치(IA)까지의 반송 거리, 그 사이의 반송 공간의 온도, 및 기판(P)의 속도에 근거하여, 온도 조절 장치(60)에서 설정되는 온도는 결정된다. 일례로서, 제2 드럼 부재(22)의 표면 온도가 25℃이었던 경우, 온도 조절 장치(60)에 설정되는 온도는, 기판(P)이 반송 거리분(分)을 이동하는 시간(몇 초) 후에, 꼭 25℃로 저하하도록 설정된다. 그렇지만, 일반적으로 기판(P)은 얇기 때문에, 재빠르게 환경 온도에 익숙해져 버리기 때문에, 온도 조절 장치(60)로부터 진입 위치(IA)까지의 반송 거리는 최대한 짧게 하고, 또한 상기와 같이 변화 온도를 예측하여 제어하는 것이 바람직하다. The substrate P is moved in the transport direction (circumferential direction) or in the direction parallel to the second central axis AX2 (Y axis direction) by the temperature environment inside the processing apparatus U3, as described above, In some cases. The expansion and contraction is determined by the material properties of the substrate P and includes a material that elongates in accordance with an increase in the temperature of the substrate P and a material that shrinks in accordance with an increase in temperature of the substrate P. [ 8 is an explanatory view for explaining the temperature control device according to the first embodiment. 2, the
온도 조절 장치(60)는, 가이드 부재(61)와, 매체 송풍 부재(62)와, 송풍 압력 균일화 부재(63)와, 매체 조절 장치(71)와, 가열 유닛(HU)과, 냉각 유닛(CU)을 구비하고 있다. 매체 송풍 부재(62)는, 다공질 재료로 형성된 매체의 송풍 압력 균일화 부재(63)를 매개로 하여, 기판(P)에 매체를 송풍한다. 반송 장치(9)는, 가이드 부재(61)와 매체 송풍 부재(62)와의 사이의 공간(67)에 기판(P)을 통과시킨다. 매체 송풍 부재(62)는, 매체 조절 장치(71)로부터 매체 공급 배관(AP)을 매개로 하여 공급된 매체를 가이드 부재(61)측으로 송풍한다. 가열 유닛(HU)은, 매체 공급 배관(HH)을 매개로 하여, 고온의 매체를 매체 조절 장치(71)에 공급하는 제1 매체 공급부이다. 냉각 유닛(CU)은, 매체 공급 배관(CC)을 매개로 하여, 가열 유닛(HU)의 고온의 매체 보다도 온도가 낮은 저온의 매체를 매체 조절 장치(71)에 공급하는 제2 매체 공급부이다. 매체 조절 장치(71)는, 매체 공급 배관(HH)으로부터 매체 공급 배관(AP)에 공급되는 고온의 매체의 유량을 조정하는 유량 조정 밸브(72H)와, 매체 공급 배관(CC)으로부터 매체 공급 배관(AP)에 공급되는 저온의 매체의 유량을 조정하는 유량 조정 밸브(72C)를 구비하고 있다. 유량 조정 밸브(72H) 및 유량 조정 밸브(72C)는, 예를 들면 솔레노이드 밸브로 구성되어 있다. 매체 조절 장치(71)는, 제어 장치(14)의 제어 신호의 출력에 따라 유량 조정 밸브(72H)를 통과하는 고온 매체의 양 및 유량 조정 밸브(72C)를 통과하는 저온 매체의 양을 조정함으로써, 매체 송풍 부재(62)에 공급되는 고온의 매체와 저온의 매체와의 비(比)를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 매체 조절 장치(71)는, 매체 송풍 부재(62)에 공급하는 매체로서 고온의 매체와 저온의 매체를 혼합하여 유통시킬 수 있다. 온도 조절 장치(60)는, 임의의 온도의 매체를 가이드 부재(61)의 주위로 유통시켜, 기판(P)의 온도를 조절할 수 있다. 또, 도 8 중의 송풍 압력 균일화 부재(63)와 동일한 부재를 기판(P)의 반대측에도 마련하고, 매체 공급 배관(AP)과 동일한 부재를 매개로 하여, 온도 조절된 매체가 기판(P)의 반대측으로도 내뿜어지는 구성이라도 좋다. The
기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 기판 지지 부재인 제2 드럼 부재(22)의 온도를 조절하는 장치이다. 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 매체 공급 배관(HH)으로부터 매체 공급 배관(AD)에 공급되는 고온의 매체의 유량을 조정하는 유량 조정 밸브(74H)와, 매체 공급 배관(CC)으로부터 매체 공급 배관(AD)에 공급되는 저온의 매체의 유량을 조정하는 유량 조정 밸브(74C)를 구비하고 있다. 유량 조정 밸브(74H) 및 유량 조정 밸브(74C)는, 예를 들면 솔레노이드로 구성되어 있다. 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 제어 장치(14)의 제어 신호의 출력에 따라 유량 조정 밸브(74H)를 통과하는 고온 매체의 양 및 유량 조정 밸브(74C)를 통과하는 저온 매체의 양을 조정함으로써, 제2 드럼 부재(22)에 공급되는 고온의 매체와 저온의 매체와의 비(比)를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 제2 드럼 부재(22)의 내부에 공급하는 매체로서 고온의 매체와 저온의 매체를 혼합하여, 매체 공급 배관(AD)을 매개로 하여 제2 드럼 부재(22)의 내부로 유통시킬 수 있다. 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 제2 드럼 부재(22)의 온도를 일정하게 유지하도록 제어 장치(14)에 의해 제어되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 제2 드럼 부재(22)의 곡면에 접하는 기판(P)에 전달되는 열용량이 거의 일정하게 유지되고, 제2 드럼 부재(22)의 곡면에서 생기는 기판(P)의 신축의 상태를 안정시킬 수 있다. The substrate holding member
온도 조절 장치(60) 및 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 온도 조정한 매체를 기판(P) 또는 제2 드럼 부재(22)에 공급하는 장치이지만, 매체는, 액체를 파이프로 순환시키도록 하여, 방사열로, 기판(P) 또는 제2 드럼 부재(22)의 온도를 조절해도 괜찮다. 매체 조절 장치(71) 및 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)는, 예를 들면, 히터와, 방열핀을 조합시켜 구성해도 괜찮다. The
가이드 부재(61)로 반송되기 전의 기판(P)의 온도를 검출하는 온도 계측 장치(T1)는, 검출 결과를 제어 장치(14)에 출력할 수 있도록 되어 있다. 제어 장치(14)는, 온도 계측 장치(T1)의 검출 결과에 근거하여, 온도 조절 장치(60)를 피드포워드(feedforward) 제어할 수 있다. 또, 온도 조절 장치(60)(가이드 부재(61))를 통과한 후의 기판(P)의 온도를 검출하는 온도 계측 장치(T2)는, 검출 결과를 제어 장치(14)에 출력할 수 있도록 되어 있다. 온도 계측 장치(T2)의 검출 결과에 근거하여, 온도 조절 장치(60)를 피드백(feedback) 제어할 수 있다. 제어 장치(14)는, 온도 조절 장치(60)를 피드포워드 제어 및 피드백 제어 중 적어도 하나의 제어를 하는 것에 의해, 매체 송풍 부재(62)로부터 송풍하는 매체의 온도를 제어하고, 기판(P)에 가해지는 온도의 정밀도를 높일 수 있다. 예를 들면, 온도 계측 장치(T1, T2)는, 기판(P)이 방사하는 적외선의 에너지량을 계측하는 비접촉식의 적외선 온도계 등을 이용할 수 있다. The temperature measuring device T1 for detecting the temperature of the substrate P before being conveyed to the
도 8에 나타내는 바와 같이, 가이드 부재(61)와 매체 송풍 부재(62)와의 사이의 공간(67)에 기판(P)을 통과시키는 경우, 가이드 부재(61)에는, 기판(P)의 지지 기구를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 매체 송풍 부재(62)는, 매체 공급 배관(AP)으로부터의 매체를 송풍 압력 균일화 부재(63)에 있는 위치로 개방한 관통공(AH)을 매개로 하여, 송풍 압력 균일화 부재(63)로 보낸다. 송풍 압력 균일화 부재(63)는, 예를 들면, 다공질 재료이므로, 기판(P)측의 대향면(63S)에, 단위면적당 매체 압력이 균등하게 되도록 매체가 분출하게 된다. 가이드 부재(61)에는, 기판(P)의 Y방향(폭방향)의 단부를 누르는 규제 부재(64)와, 규제 부재(65)를 구비하며, 규제 부재(64)와, 규제 부재(65)가 기판(P)의 반송시에 기판(P)의 폭방향을 사이에 끼운다. 규제 부재(65)는, 가이드 부재(61)의 내측면에 베어링(BE)을 매개로 하여 고정되어 있다. 규제 부재(64)는, 스프링(SS)을 매개로 하여 보이스 코일 모터(66)의 자석(VCMm)에 접속되어 있다. 보이스 코일 모터(66)의 코일(VCMc)에 흐르는 전류에 따라서, 자석(VCMm)의 Y방향 위치가 변화하고, 보이스 코일 모터(66)는, 기판(P)의 Y방향의 위치를 변화시킬 수 있다. 8, when the substrate P is passed through the
도 2에 나타내는 바와 같이, 온도 조절 장치(60)의 내부 또는 반송 방향의 출구측에는, 기판(P)에 미리 형성된 얼라이먼트 마크 등을 검출하는 얼라이먼트 현미경(PMG1)이 마련되어 있다. 얼라이먼트 현미경(PMG1)의 Y방향(기판(P)의 폭방향)으로 일렬로 늘어선 복수(예를 들면 4개)의 검출 프로브를 가지고 있다. 도 9는, 얼라이먼트 마크의 일례를 설명하는 설명도이다. 도 2에 나타내는 얼라이먼트 현미경(PMG1)은, 가이드 부재(61)의 Y방향의 양측단의 검출 프로브로, 반송 방향 α를 따라서 도 9에 나타내는 기판(P)의 양단 부근에 형성된 얼라이먼트 마크(ma)를 상시 관찰 또는 검출할 수 있다. As shown in Fig. 2, an alignment microscope PMG1 for detecting an alignment mark or the like formed in advance on the substrate P is provided in the inside of the
도 10은, 기판의 신축에 의한 얼라이먼트 마크의 변화의 일례를 모식적으로 설명하는 설명도이다. 도 11은, 제1 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 처리를 보정하는 순서의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 현미경(AMG1)은, 제1 검출 프로브로서, 관찰 방향(검출 방향)(AM1)에 있는 현미경 시야(촬상 범위)(mam)의 범위 내에서 얼라이먼트 마크(ma)를 검출한다. 마찬가지로, 얼라이먼트 현미경(PMG1)은, 제2 검출 프로브로서, 검출 방향(PM1)에 있는 현미경 시야(촬상 범위)(map)의 범위 내에서 얼라이먼트 마크(ma)를 검출한다. 이와 같이 얼라이먼트 현미경(AMG1) 및 얼라이먼트 현미경(PMG1)은, 도 10에 나타내는 기판(P) 상의 특정 패턴인 얼라이먼트 마크(ma)를 검출한다(스텝 S11). 얼라이먼트 현미경(AMG1)은, 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상을 제어 장치(14)로 출력하고, 제어 장치(14) 및 얼라이먼트 현미경(AMG1)은, 제1 패턴 검출 장치로서, 얼라이먼트 마크(ma)를 촬상 데이터로서 제어 장치(14)의 기억부에 기억한다. 얼라이먼트 현미경(PMG1)은, 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상을 제어 장치(14)로 출력하고, 제어 장치(14) 및 얼라이먼트 현미경(PMG1)은, 제2 패턴 검출 장치로서, 얼라이먼트 마크(ma)를 촬상 데이터로서 제어 장치(14)의 기억부에 기억한다. 10 is an explanatory diagram schematically illustrating an example of a change in alignment mark caused by elongation and contraction of a substrate. 11 is a flowchart showing an example of a procedure for correcting the processing of the processing apparatus (exposure apparatus) according to the first embodiment. As shown in Fig. 10, the alignment microscope AMG1 is a first detection probe, and the alignment mark ma is set within the range of the microscopic field of view (imaging range) mam in the observation direction (detection direction) AM1 . Similarly, the alignment microscope PMG1 detects the alignment mark ma within the range of the microscopic field of view (imaging range) map in the detection direction PM1 as the second detection probe. Thus, the alignment microscope AMG1 and the alignment microscope PMG1 detect the alignment mark ma, which is a specific pattern on the substrate P shown in Fig. 10 (step S11). The alignment microscope AMG1 outputs the image of the alignment mark ma to the
다음으로, 기억부에 기억한, 현미경 시야(촬상 범위)(map)의 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터와 현미경 시야(촬상 범위)(mam)의 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터를 비교함으로써, 기판(P)의 신축에 의한 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터의 변화가 없는 경우(스텝 S12, No), 제어 장치(14)는, 스텝 S11의 처리를 실행한다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 기억부에 기억한, 현미경 시야(촬상 범위)(map)의 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터와 현미경 시야(촬상 범위)(mam)의 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터를 비교함으로써, 기판(P)의 신축에 의한 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터의 변화가 있는 경우(스텝 S12, Yes), 제어 장치(14)는, 스텝 S13로 처리를 진행시킨다. 예를 들면, 기판(P)의 신축에 의한 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터의 변화가 있는 경우는, 도 10에 나타내는, 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터의 변화 Δm이 시프트 조정 장치인 상(像)시프트 보정 광학 부재(45)가 허용하는, 투영상을 상면 내에서 미소하게 횡시프트 할 수 있는 양을 넘는 경우이다. 또는, 기판(P)의 신축에 의한 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터의 변화가 있는 경우는, 얼라이먼트 마크(ma)의 촬상 데이터의 변화 Δm이 배율 조정 장치인 배율 보정용 광학 부재(47)가 허용하는, 투영상의 배율을 미소 보정할 수 있는 배율을 넘는 경우 등이다. Next, by comparing the imaging data of the alignment mark ma of the microscope field of view (map) stored in the memory unit with the imaging data of the alignment mark ma of the microscope field of view (imaging range) mam, If there is no change in the image pickup data of the alignment mark ma due to elongation and contraction of the substrate P (step S12, No), the
다음으로, 제어 장치(14)는, 기판(P)의 재료에 따라서, 기판(P)의 폭방향에서의 목표폭, 예를 들면 도 10에 나타내는 목표폭(PP)이 되도록, 온도 조절 장치(60)의 매체 조절 장치(71)를 제어하고, 기판(P)의 온도 조정을 행한다(스텝 S13). 제어 장치(14)는, 온도 계측 장치(T1, T2)의 검출 결과에 근거하여, 특정의 기판 온도에 이르지 않은 경우(스텝 S14, No), 기판(P)의 온도 조정을 계속한다(스텝 S13). 제어 장치(14)는, 온도 계측 장치(T1, T2)의 검출 결과에 근거하여, 특정의 기판 온도에 이르고 있는 경우(스텝 S14, Yes), 스텝 S15로 처리를 진행시킨다. Next, the
다음으로, 노광 장치(EX)는, 상술한 상(像)시프트 조정 장치가, 재차 상술한 제1 패턴 검출 장치 및 상기 제2 패턴 검출 장치의 출력에 의해 구한 얼라이먼트 마크(ma)(특정 패턴)의 변화 Δm에 따라서, 투영상의 위치를 시프트하는, 투영상의 보정을 행한다(스텝 S15). 또는, 노광 장치(EX)는, 상술한 배율 조정 장치가, 재차 상술한 제1 패턴 검출 장치 및 상기 제2 패턴 검출 장치의 출력에 의해 구한 얼라이먼트 마크(ma)(특정 패턴)의 변화 Δm에 따라서, 투영상의 배율을 보정하는, 투영상의 보정을 행해도 괜찮다. 혹은, 노광 장치(EX)는, 상술한 배율 조정 장치 및 상(像)시프트 조정 장치가, 재차 상술한 제1 패턴 검출 장치 및 상기 제2 패턴 검출 장치의 출력에 의해 구한 얼라이먼트 마크(ma)(특정 패턴)의 변화 Δm에 따라서, 투영상의 시프트 및 배율을 보정하는, 투영상의 보정을 행해도 괜찮다. Next, in the exposure apparatus EX, the above-described image shift adjustment apparatus adjusts the alignment marks ma (specific patterns) obtained by the outputs of the first pattern detection apparatus and the second pattern detection apparatus, The position of the projected image is shifted in accordance with the change? M of the projected image (step S15). Alternatively, the exposure apparatus EX may be configured such that the above-described magnification adjusting apparatus adjusts, according to the change DELTA m of the alignment mark ma (specific pattern) obtained by the outputs of the first pattern detecting apparatus and the second pattern detecting apparatus, , It is also possible to perform correction of the projected image to correct the magnification of the projected image. Alternatively, the exposure apparatus EX may be configured such that the above-described magnification adjusting apparatus and the image shift adjusting apparatus are provided with the alignment marks ma (a) obtained by the outputs of the first pattern detecting apparatus and the second pattern detecting apparatus It is also possible to perform correction of the projected image in which the shift and magnification of the projected image are corrected in accordance with the change? M of the specific pattern.
이상 설명한 바와 같이, 처리 장치(U3)는, 온도 조절 장치(60)가 제2 드럼 부재(22)에 감겨지기 전의 기판(P)의 일부의 온도를 조정함으로써, 상술한 제1 특정 위치(PX1), 특정 위치(PX) 또는 제2 특정 위치(PX2)에 있는 기판(P)의 신축 상태를 안정시킬 수 있다. 이 때문에, 노광 장치(EX)는, 제1 특정 위치(PX1), 특정 위치(PX) 또는 제2 특정 위치(PX2)에서, 노광광을 조사하는 처리를 정밀하게 행할 수 있다. As described above, the processing apparatus U3 adjusts the temperature of a part of the substrate P before the
온도 조절 장치(60)가 제2 드럼 부재(22)에 감겨지기 전의 기판(P)의 일부의 온도를 조정함으로써, 기판(P)의 신축을 배율 조정 장치 및 상(像)시프트 조정 장치가 투영상을 보정할 수 있는 범위로 억제할 수 있다. 이 때문에, 노광 장치(EX)는, 제1 특정 위치(PX1), 특정 위치(PX) 또는 제2 특정 위치(PX2)에서, 노광광을 조사하는 처리를 정밀하게 행할 수 있다. By adjusting the temperature of a part of the substrate P before the
또 본 실시 형태에서는, 제2 드럼 부재(22)의 외주면(지지면)의 온도를 제어하는 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)와, 제2 드럼 부재(22)의 상류측에 마련된 온도 조절 장치(60)를 마련하고, 기판(P)의 반송 방향에 관해서 얼라이먼트 위치나 노광 위치의 특정 위치와, 그 상류측의 위치에서, 기판(P)에 일정한 온도차를 부여하도록 온도 제어할 수 있다. 이것에 의해, 제2 드럼 부재(22)에 기판(P)이 지지된 시점에서의 기판(P)의 신축량을 조정할 수도 있다. 그 경우, 온도 조절 장치(60)에 의해서 설정되는 기판(P)의 온도를 Tu로 하고, 기판 지지 부재 온도 조절 장치(73)에 의해서 제2 드럼 부재(22)를 매개로 하여 설정되는 기판(P)의 온도를 Td로 하면, Tu>Td, 또는 Tu<Td로 설정되며, 그 차이가 거의 일정하게 되도록 온도 제어된다. In the present embodiment, a substrate holding member
(제2 실시 형태) (Second Embodiment)
다음으로, 본 발명에 관한 처리 장치의 제2 실시 형태에 대해서, 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는, 제2 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 제1 실시 형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. Next, a second embodiment of the processing apparatus according to the present invention will be described with reference to Fig. Fig. 12 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the second embodiment. In this figure, the same elements as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.
도 12에 나타내는 바와 같이, 온도 조절 장치(60A)는, 제2 중심축(AX2)과 평행한 평행 기준축(BX1)로부터 일정 반경 r3로 만곡한 곡면(제2 곡면)(61S)을 가지며, 곡면(61S)에 기판(P)의 일부분이 접하는 가이드 부재(32A)와, 가이드 부재(32A)의 주위의 공간(67)으로 온도 조절된 매체를 유통시키는 매체 조절 장치(71)를 구비하고 있다. 반송 장치(9)는, 가이드 부재(32A)와 매체 송풍 부재(62A)와의 사이의 공간(67)으로 기판(P)을 통과시킨다. 매체 송풍 부재(62A)는, 매체 조절 장치(71)로부터 매체 공급 배관(AP)을 매개로 하여 공급된 매체를 가이드 부재(32A)측으로 송풍한다. 가이드 부재(32A)는, 평행 기준축(BX1)으로부터 보아 곡면(61S)을 따라서 만곡하고 있음으로써, 공간(67)의 난기류를 억제할 수 있다. 12, the
온도 조절 장치(60A)는, 가이드 부재(32A)의 주위의 공간(67)으로 온도 조절된 매체를 유통시키는 것에 의해, 매체의 온도가 기판(P)에 전달된다. 가이드 부재(32A)는, 곡면(61S)에 기판(P)의 일부분이 접하도록 한 것에 의해, 가이드 부재(32A)로부터 직접 기판(P)을 제2 드럼 부재(22)로 공급하고, 가이드 부재(32A)로부터 제2 드럼 부재(22)까지의 거리를 짧게 할 수 있다. 이 때문에, 처리 장치(U3)는, 온도 조절 장치(60A)의 온도 조정에 의해 조정된, 기판(P)의 신축 상태가, 온도 조절 장치(60A)로부터 제2 드럼 부재(22)까지의 사이에서 변화해 버리는 것을 억제할 수 있다. The
상술한 가이드 부재(32A)의 곡면(61S)의 반경 r3는, 제2 드럼 부재(22)의 반경 r2와 동일한 것이 보다 바람직하다. 이 구조에 의해, 제2 드럼 부재(22)에 감겨지는 기판(P)에 걸리는 장력과, 가이드 부재(32A)에 감겨지는 기판(P)에 걸리는 장력을 동일하게 할 수 있다. 그 결과, 얼라이먼트 마크의 변화로부터 장력의 차이에 의한 오차를 억제하고, 온도에 기인하는 얼라이먼트 마크의 변화를 검출할 수 있게 된다. It is more preferable that the radius r3 of the
(제3 실시 형태) (Third Embodiment)
다음으로, 본 발명에 관한 처리 장치의 제3 실시 형태에 대해서, 도 13을 참조하여 설명한다. 도 13은, 제3 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. Next, a third embodiment of the processing apparatus according to the present invention will be described with reference to Fig. Fig. 13 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the third embodiment. In this figure, the same elements as those of the first embodiment and the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.
도 13에 나타내는 바와 같이, 제3 실시 형태에 관한 처리 장치(U3)는, 매체 조절 장치(71)를, 가이드 부재(32A)를 조절하는 가이드 부재 온도 조절 장치로 하고 있다. 매체 조절 장치(71)는, 가이드 부재(32A)의 내부에 공급하는 매체로서 고온의 매체와 저온의 매체를 혼합하여 유통시킬 수 있다. 매체 조절 장치(71)는, 제어 장치(14)에 의해 제어되어 가이드 부재(32A)의 온도를 조정하고, 가이드 부재(32A)에 접하는 기판(P)에 가이드 부재(32A)의 온도를 전달한다. 이것에 의해, 가이드 부재(32A)의 곡면(61S)에 접하는 기판(P)에 전달되는 열용량이 거의 일정하게 유지된다. As shown in Fig. 13, in the processing apparatus U3 according to the third embodiment, the
상술한 가이드 부재(32A)의 곡면(61S)의 반경 r3는, 제2 드럼 부재(22)의 반경 r2와 동일한 것이 보다 바람직하다. 이 구조에 의해, 제2 드럼 부재(22)에 감겨지는 기판(P)에 걸리는 장력과, 가이드 부재(32A)에 감겨지는 기판(P)에 걸리는 장력을 동일하게 할 수 있다. 예를 들면, 매체 조절 장치(71)가 가하는 가이드 부재(32A)의 곡면(61S)에 접하는 기판(P)에 전달되는 열용량과, 제2 드럼 부재(22)의 곡면에 접하는 기판(P)에 전달되는 열용량을 일치시킴으로써, 얼라이먼트 현미경(PMG1)이 검출하는 얼라이먼트 마크로부터 얼라이먼트 현미경(AMG1)에서의 얼라이먼트 마크의 변화의 예측 정밀도를 높일 수 있다. It is more preferable that the radius r3 of the
(제4 실시 형태) (Fourth Embodiment)
다음으로, 본 발명에 관한 처리 장치의 제4 실시 형태에 대해서, 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14는, 제4 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 제1 실시 형태 내지 제3 실시 형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. 노광 장치(EX2)는, 광원으로부터 원통 마스크(DM)에 조명되는 조명 광속(EL1)을 출사 한다. Next, a fourth embodiment of the processing apparatus according to the present invention will be described with reference to Fig. 14 is a schematic diagram showing the entire configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the fourth embodiment. In this figure, the same elements as those of the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The exposure apparatus EX2 emits an illumination luminous flux EL1 illuminated to the cylindrical mask DM from the light source.
광원으로부터 출사된 조명 광속(EL1)을 조명 모듈(IL)로 안내하고, 조명 광학계가 복수 설치되고 있는 경우, 광원으로부터의 조명 광속(EL1)을 복수로 분리하고, 복수의 조명 광속(EL1)을 복수의 조명 모듈(IL)로 안내한다. The illumination luminous flux EL1 emitted from the light source is guided to the illumination module IL and when a plurality of illumination optical systems are provided, the illumination luminous flux EL1 from the light source is divided into a plurality of luminous fluxes EL1, And guided to the plurality of lighting modules IL.
여기서, 광원으로부터 출사된 조명 광속(EL1)은, 편광 빔 스플리터(splitter)(SP1, SP2)에 입사한다. 편광 빔 스플리터(SP1, SP2)에서는, 조명 광속(EL1)의 분리에 의한 에너지 로스를 억제하도록, 입사된 조명 광속(EL1)이 모두 반사하는 광속으로 하는 것이 바람직하다. 여기서, 편광 빔 스플리터(SP1, SP2)는, S편광의 직선 편광이 되는 광속을 반사하고, P편광의 직선 편광이 되는 광속을 투과한다. 이 때문에, 광원은, 편광 빔 스플리터(SP1, SP2)에 입사하는 조명 광속(EL1)이 직선 편광(S편광)의 광속이 되는 조명 광속(EL1)을 제1 드럼 부재(21)에 출사한다. 이것에 의해, 광원은, 파장 및 위상이 일치시켜진 조명 광속(EL1)을 출사한다. Here, the illumination luminous flux EL1 emitted from the light source is incident on the polarizing beam splitters SP1 and SP2. It is preferable that the polarization beam splitter SP1 or SP2 be a light flux in which the incident illumination luminous flux EL1 is all reflected so as to suppress energy loss due to separation of the illumination luminous flux EL1. Here, the polarization beam splitters SP1 and SP2 reflect the light flux that becomes linearly polarized light of S polarized light and transmit the light flux that becomes linearly polarized light of P polarized light. For this reason, the light source emits the illumination light flux EL1, which is the illumination light flux EL1 incident on the polarization beam splitters SP1 and SP2 to be the light flux of linearly polarized light (S polarized light), to the
편광 빔 스플리터(SP1, SP2)는, 광원으로부터의 조명 광속(EL1)을 반사하는 한편으로, 원통 마스크(DM)에서 반사된 결상 광속(투영 광속)(EL2)을 투과하고 있다. 환언하면, 조명 광학 모듈로부터의 조명 광속(EL1)은, 편광 빔 스플리터(SP1, SP2)에 반사 광속으로서 입사하여, 원통 마스크(DM)로부터의 결상 광속(EL2)은, 편광 빔 스플리터(SP1, SP2)에 투과 광속으로서 입사한다. The polarization beam splitters SP1 and SP2 reflect the illumination luminous flux EL1 from the light source while transmitting the imaging luminous flux (projected luminous flux) EL2 reflected by the cylindrical mask DM. In other words, the illumination luminous flux EL1 from the illumination optical module enters the polarization beam splitter SP1 or SP2 as a reflected luminous flux, and the imaging luminous flux EL2 from the cylindrical mask DM passes through the polarizing beam splitters SP1, SP2 as a transmitted light flux.
이와 같이 처리부인 조명 모듈(IL)은, 피처리 물체인 원통 마스크(DM) 상의 소정의 패턴(마스크 패턴)으로 조명 광속(EL1)을 반사시키는 처리를 행한다. 이것에 의해, 투영 광학계(PL)는, 원통 마스크(DM) 상의 조명 영역(IR)에서의 패턴의 상(像)을, 반송 장치(9)에 의해서 반송되고 있는 기판(P)의 일부(투영 영역(PA))에 투영할 수 있다. 노광 장치(EX2)는, 원통 마스크(DM)에서 반사된 투영 광속에 의해, 제1 특정 위치(PX1), 제2 특정 위치(PX2)에서의 기판(P)에 노광광을 조사하는 처리를 할 수 있다. Thus, the illumination module IL as the processing unit performs processing for reflecting the illumination luminous flux EL1 with a predetermined pattern (mask pattern) on the cylindrical mask DM as the object to be treated. Thereby, the projection optical system PL allows the projection optical system PL to project an image of the pattern in the illumination area IR on the cylindrical mask DM onto a part of the substrate P Area PA). The exposure apparatus EX2 performs processing for irradiating exposure light to the substrate P at the first specific position PX1 and the second specific position PX2 by the projected light flux reflected by the cylindrical mask DM .
(제5 실시 형태) (Fifth Embodiment)
다음으로, 본 발명에 관한 처리 장치의 제5 실시 형태에 대해서, 도 15를 참조하여 설명한다. 도 15는, 제5 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 제1 실시 형태 내지 제4 실시 형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. 노광 장치(EX3)는, 복수의 폴리곤(polygon) 주사 유닛(PO1, PO2)을 구비하며, 각 폴리곤 주사 유닛(PO)이, 자외선 레이저 광원으로부터의 빔 스폿(spot)을 기판(P) 상에서 축인 회전 중심(AX2)과 평행한 방향으로 고속 주사하면서, 도시하지 않은 AOM(Acousto-Optic Modulator:음향 광학 변조 소자) 등에 의해서 빔을 패턴 묘화(描畵) 데이터(CAD 데이터)에 근거하여 변조(On/Off)함으로써, 패턴을 기판(P) 상에 묘화한다. Next, a fifth embodiment of the processing apparatus according to the present invention will be described with reference to Fig. 15 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the fifth embodiment. In this figure, the same elements as those of the first to fourth embodiments are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The exposure apparatus EX3 is provided with a plurality of polygon scanning units PO1 and PO2 and each polygon scanning unit PO is configured to irradiate a beam spot from the ultraviolet laser light source onto the substrate P The beam is modulated (On) based on pattern drawing data (CAD data) by an AOM (Acousto-Optic Modulator) or the like (not shown) while scanning at a high speed in a direction parallel to the rotation center AX2. / Off), the pattern is drawn on the substrate P.
노광 장치(EX3)는, 원통 마스크(DM)가 없어도 제1 특정 위치(PX1), 제2 특정 위치(PX2)에서의 기판(P)에 노광광(레이저 스폿)을 조사하여, 소정의 패턴을 형성하는 마스크레스(maskless) 노광 장치이며, 스폿 주사 이외에 DMD(Digital Micro mirror Device)나 SLM(Spatial light modulator:공간 광 변조기)를 사용하여 패턴을 묘화하는 방식이라도 좋다. The exposure apparatus EX3 irradiates the substrate P with the exposure light (laser spot) at the first specific position PX1 and the second specific position PX2 without using the cylindrical mask DM, Or may be a method of drawing a pattern using DMD (Digital Micro mirror Device) or SLM (Spatial Light Modulator) instead of spot scanning.
(제6 실시 형태) (Sixth Embodiment)
다음으로, 본 발명에 관한 처리 장치의 제6 실시 형태에 대해서, 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은, 제6 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)의 전체 구성을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 제1 실시 형태의 구성요소와 동일한 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. Next, a sixth embodiment of the processing apparatus according to the present invention will be described with reference to Fig. 16 is a schematic diagram showing an overall configuration of a processing apparatus (exposure apparatus) according to the sixth embodiment. In this figure, the same elements as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.
노광 장치(EX4)는, 소위 프록시미티(proximity) 노광을 기판(P)에 실시하는 처리 장치이다. 노광 장치(EX4)는, 원통 마스크(DM)와, 제2 드럼 부재(22)와의 틈새를 미소하게 설정하여, 조명 기구(IU)가 직접 기판(P)에 조명 광속(EL)을 조사하고, 비접촉 노광한다. 본 실시 형태에서, 제2 드럼 부재(22)는, 전동 모터 등의 액추에이터를 포함하는 제2 구동부(36)로부터 공급되는 토크에 의해서 회전한다. 제2 구동부(36)의 회전 방향과 반대 방향이 되도록, 예를 들면 자기(磁氣) 치차(齒車)에 의해 연결된 구동 롤러(MGG)가 제1 드럼 부재(21)를 구동한다. 제2 구동부(36)는, 제2 드럼 부재(22)를 회전시킴과 아울러, 구동 롤러(MGG)와 제1 드럼 부재(21)를 따라 회전시켜, 제1 드럼 부재(21)(원통 마스크(DM))와 제2 드럼 부재(22)를 동기 이동(동기 회전)시킨다. The exposure apparatus EX4 is a processing apparatus that performs a so-called proximity exposure on the substrate P. [ The exposure apparatus EX4 sets the clearance between the cylindrical mask DM and the
또, 노광 장치(EX4)는, 기판(P)에 대해서 조명 광속(결상 광속)(EL)의 주광선이 기판(P)에 입사하는 특정 위치의 스케일부(GP)의 위치 PX6를 검출하는 엔코더 헤드(EN6)를 구비하고 있다. 여기서, 제2 드럼 부재(22)의 외주면 중 기판(P)이 감겨지는 외주면의 직경과, 스케일 원반(SD)의 스케일부(GP)의 직경을 일치시키고 있으므로, 위치 PX6은, 제2 중심축(AX2)으로부터 보아 상술한 특정 위치와 일치한다. 그리고, 엔코더 헤드(EN7)는, 기판(P)의 이송 방향의 후방측을 향해 엔코더 헤드(EN6)의 설치 방위선(Le6)을 회전 중심선(AX2)의 축 둘레로, 거의 90°회전한 설치 방위선(Le7) 상에 설정된다. The exposure apparatus EX4 also has an encoder head for detecting a position PX6 of a part of the schedule part GP at a specific position where the main light ray of the illumination light flux (image forming light flux) EL is incident on the substrate P, (EN6). Here, since the diameter of the outer circumferential surface on which the substrate P is wound in the outer peripheral surface of the
본 실시 형태의 노광 장치(EX4)는, 엔코더 헤드(EN7)를 제1 읽어냄 장치로 하고, 엔코더 헤드(EN6)를 제2 읽어냄 장치로 하며, 스케일부(GP)의 읽어냄 출력으로부터 구한, 제2 드럼 부재(22)의 축의 위치와 특정 위치를 연결하고, 또한 축에 직교하는 방향의 변위의 성분을, 제1 읽어냄 장치의 읽어냄 출력으로 보정한 처리를 실시할 수 있다. The exposure apparatus EX4 of the present embodiment has the encoder head EN7 as the first reading unit and the encoder head EN6 as the second reading unit, , A process of connecting the position of the axis of the
이상 설명한 제1 내지 제6 실시 형태는, 처리 장치로서 노광 장치를 예시하고 있다. 처리 장치로서는, 노광 장치에 한정되지 않고, 처리부가 잉크젯의 잉크 적하(滴下) 장치에 의해 피처리 물체인 기판(P)에 패턴을 인쇄하는 장치라도 좋다. 또는 처리부는, 검사 장치라도 괜찮다. In the first to sixth embodiments described above, the exposure apparatus is exemplified as the processing apparatus. The processing apparatus is not limited to the exposure apparatus, and the processing section may be an apparatus for printing a pattern on the substrate P as an object to be processed by an inkjet ink dropping apparatus. Alternatively, the processing unit may be an inspection apparatus.
<디바이스 제조 방법><Device Manufacturing Method>
다음으로, 도 17을 참조하여, 디바이스 제조 방법에 대해 설명한다. 도 17은, 제1 실시 형태에 관한 처리 장치(노광 장치)를 이용한 디바이스 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다. Next, a device manufacturing method will be described with reference to Fig. 17 is a flowchart showing a device manufacturing method using the processing apparatus (exposure apparatus) according to the first embodiment.
도 17에 나타내는 디바이스 제조 방법에서는, 먼저, 예를 들면 유기 EL 등의 자발광(自發光) 소자에 의한 표시 패널의 기능·성능 설계를 행하고, 필요한 회로 패턴이나 배선 패턴을 CAD 등으로 설계한다(스텝 S201). 다음으로, CAD 등으로 설계된 각종 레이어(layer)마다의 패턴에 근거하여, 필요한 레이어분(分)의 원통 마스크(DM)를 제작한다(스텝 S202). 또, 표시 패널의 기재(基材)가 되는 가요성의 기판(P)(수지 필름, 금속 박막, 플라스틱 등)이 감겨진 공급용 롤(FR1)을 준비해 둔다(스텝 S203). 또, 이 스텝 S203에서 준비해 두는 롤 모양의 기판(P)은, 필요에 따라서 그 표면을 개질(改質)한 것, 기초층(예를 들면 임프린트(imprint) 방식에 의한 미소 요철)을 사전 형성한 것, 광감응성의 기능막이나 투명막(절연 재료)을 미리 라미네이트한 것이라도 좋다. In the device manufacturing method shown in Fig. 17, first, functional and performance design of a display panel by self-luminous elements such as organic EL is performed, and a necessary circuit pattern or wiring pattern is designed by CAD or the like Step S201). Next, on the basis of the pattern for each of various layers designed by CAD or the like, a cylindrical mask DM of the required number of layers is produced (step S202). A supply roll FR1 on which a flexible substrate P (a resin film, a metal thin film, a plastic or the like) to be a base material of the display panel is wound is prepared (step S203). The roll-shaped substrate P prepared in this step S203 may be obtained by modifying the surface of the substrate P if necessary, or by preforming a base layer (for example, fine irregularities by an imprint method) Or a transparent film (insulating material) may be laminated in advance.
다음으로, 기판(P) 상에 표시 패널 디바이스를 구성하는 전극이나 배선, 절연막, TFT(박막 반도체) 등에 의해서 구성되는 백플레인(backplane)층을 형성함과 아울러, 그 백플레인에 적층되도록, 유기 EL 등의 자발광 소자에 의한 발광층(표시 화소부)이 형성된다(스텝 S204). 이 스텝 S204에는, 앞의 각 실시 형태에서 설명한 노광 장치(EX, EX2, EX3, EX4)를 이용하여, 포토레지스트층을 노광하는 종래의 리소그래피 공정도 포함되지만, 포토레지스트 대신에 감광성 실란커플링재를 도포한 기판(P)을 패턴 노광하여 표면에 친발수성(親撥水性)에 의한 패턴을 형성하는 노광 공정, 광감응성의 촉매층을 패턴 노광하고 무전해 도금법에 따라 금속막의 패턴(배선, 전극 등)을 형성하는 습식 공정, 혹은, 은나노 입자를 함유한 도전성 잉크 등에 의해서 패턴을 묘화하는 인쇄 공정 등에 의한 처리도 포함된다. Next, a backplane layer constituted by an electrode or wiring, an insulating film, a TFT (thin film semiconductor) or the like constituting the display panel device is formed on the substrate P, and an organic EL Emitting layer (display pixel portion) by the self-luminous element of the light-emitting element is formed (step S204). This step S204 includes a conventional lithography process for exposing the photoresist layer using the exposure apparatuses EX, EX2, EX3, and EX4 described in the above embodiments. However, in place of the photoresist, a photosensitive silane coupling material An exposure process for pattern-exposing the applied substrate P to form a pattern of hydrophilic and hydrophilic properties on the surface, a pattern exposure of a photosensitive catalyst layer and a pattern (wiring, electrode, etc.) of a metal film according to an electroless plating method, Or a printing process for drawing a pattern by a conductive ink containing silver nanoparticles or the like.
다음으로, 롤 방식으로 장척의 기판(P) 상에 연속적으로 제조되는 표시 패널 디바이스마다, 기판(P)을 다이싱하거나, 각 표시 패널 디바이스의 표면에, 보호 필름(대(對)환경 배리어층)이나 칼라 필터 시트 등을 접합시키거나 하여, 디바이스를 조립한다(스텝 S205). 다음으로, 표시 패널 디바이스가 정상적으로 기능을 하는지, 소망의 성능이나 특성을 만족하고 있는지의 검사공정이 행해진다(스텝 S206). 이상과 같이 하여, 표시 패널(플렉시블·디스플레이)을 제조할 수 있다. Next, for each of the display panel devices which are continuously produced on the substrate P in the roll form, the substrate P is diced or the protective film (the environmental barrier layer ) Or a color filter sheet or the like are bonded to each other to assemble the device (step S205). Next, an inspection process is performed to determine whether the display panel device functions normally or satisfies the desired performance or characteristics (step S206). In this way, a display panel (flexible display) can be manufactured.
1 : 디바이스 제조 시스템 2 : 기판 공급 장치
3 : 기판 회수 장치 5 : 상위 제어 장치
9 : 반송 장치 12 : 마스크 유지 장치
13 : 광원 장치 14 : 제어 장치
22 : 제2 드럼 부재 DR1 ~ DR8 : 구동 롤러
31 : 제1 가이드 부재 32 : 제2 가이드 부재
33 : 제3 가이드 부재 35 : 제2 검출기
44 : 포커스 보정 광학 부재 45 : 상(像)시프트 보정 광학 부재
46 : 로테이션 보정 기구 47 : 배율 보정용 광학 부재
60, 60A : 온도 조절 장치 61, 32A : 가이드 부재
61S : 곡면 62, 62A : 매체 송풍 부재
63 : 송풍 압력 균일화 부재 64, 65 : 규제 부재
66 : 보이스 코일 모터 67 : 공간
71 : 매체 조절 장치
72H, 72C, 74H, 74C : 유량 조정 밸브
73 : 기판 지지 부재 온도 조절 장치
CC : 매체 공급 배관 CU : 냉각 유닛
HH : 매체 공급 배관 HU : 가열 유닛
AMG1, AMG2, PMG1 : 얼라이먼트 현미경
DM : 원통 마스크
EN1, EN2, EN3, EN4, EN5 : 엔코더 헤드
EX, EX2, EX3, EX4 : 노광 장치(기판 처리 장치)
PO1, PO2 : 폴리곤 주사 유닛1: Device manufacturing system 2: Substrate supply device
3: Substrate collection device 5: Higher control device
9: transfer device 12: mask holding device
13: light source device 14: control device
22: second drum members DR1 to DR8:
31: first guide member 32: second guide member
33: third guide member 35: second detector
44: Focus correction optical member 45: Image shift correction optical member
46: rotation correction mechanism 47: optical member for magnification correction
60, 60A:
61S:
63: blowing
66: voice coil motor 67: space
71: medium control device
72H, 72C, 74H, 74C: Flow regulating valve
73: Substrate support member temperature controller
CC: Medium supply piping CU: Cooling unit
HH: Medium supply piping HU: Heating unit
AMG1, AMG2, PMG1: Alignment microscope
DM: Cylindrical mask
EN1, EN2, EN3, EN4, EN5: Encoder head
EX, EX2, EX3, EX4: Exposure apparatus (substrate processing apparatus)
PO1, PO2: polygonal scanning unit
Claims (9)
상기 기판의 장척 방향의 일부를 지지하는 지지면을 가지며, 상기 기판을 상기 장척 방향으로 소정 속도로 연속하여 반송하는 기판 지지 부재와,
상기 기판 지지 부재의 상기 지지면에 지지되는 상기 기판에 상기 패턴을 형성하는 처리 장치와,
상기 기판 지지 부재에 대해서 상기 기판의 반송 방향의 상류측에 배치되며, 상기 지지면에서의 상기 기판의 온도와 상기 상류측의 상기 기판의 온도와의 차이를, 상기 처리 장치에 의해서 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성할 때에 필요하게 되는 상기 기판의 신축량에 따라서 조정하는 제1 온도 조절 장치를 구비하는 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for forming a pattern for constituting an electronic device on a flexible long substrate,
A substrate support member having a support surface for supporting a part of the substrate in a longitudinal direction and continuously transporting the substrate at a predetermined speed in the longitudinal direction,
A processing device for forming the pattern on the substrate supported by the supporting surface of the substrate supporting member,
Wherein a difference between a temperature of the substrate on the support surface and a temperature of the substrate on the upstream side is set by the processing device on the substrate And a first temperature regulating device for regulating the amount of expansion and contraction of the substrate in accordance with an amount of expansion and contraction of the substrate required for forming the pattern.
상기 기판 지지 부재는,
중심축으로부터 일정 반경으로 만곡한 원통면 모양의 외주면을 가지며, 상기 기판의 장척 방향의 일부분을 상기 외주면을 따라 원통면 모양으로 지지하면서, 상기 중심축의 둘레로 회전하여 상기 기판을 장척 방향으로 반송하는 회전 드럼인 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate support member comprises:
The substrate having a cylindrical outer circumferential surface curved in a predetermined radius from the center axis and supporting a part of the substrate in the longitudinal direction along the outer circumferential surface in the form of a cylindrical surface, A substrate processing apparatus which is a rotary drum.
상기 기판이 상기 회전 드럼의 외주면과 접하기 시작하는 진입 위치와 상기 외주면으로부터 떨어지기 시작하는 이탈 위치와의 둘레 방향의 범위 내에서, 상기 장척 방향을 따라서 상기 기판 상에 이산 또는 연속하여 형성된 특정 패턴을 검출하는 제1 패턴 검출 장치와,
상기 회전 드럼의 상기 진입 위치의 상류측에 배치되고, 상기 제1 온도 조절 장치에 의해 온도 조정된 후의 상기 기판에 형성되어 있는 상기 특정 패턴을 검출하는 제2 패턴 검출 장치와,
상기 제1 패턴 검출 장치 및 상기 제2 패턴 검출 장치의 검출 결과에 근거하여 상기 제1 온도 조절 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
In a range of a circumferential direction between an entry position where the substrate starts to contact the outer circumferential surface of the rotary drum and an outward position where the substrate starts to fall away from the outer circumferential surface, A first pattern detecting device for detecting the first pattern,
A second pattern detecting device disposed on an upstream side of the entry position of the rotary drum and detecting the specific pattern formed on the substrate after the temperature is adjusted by the first temperature adjusting device,
And a control device for controlling the first temperature control device based on detection results of the first pattern detection device and the second pattern detection device.
상기 회전 드럼의 온도를 조정하기 위한 제2 온도 조절 장치를 구비하며,
상기 제어 장치는, 상기 회전 드럼의 온도를 일정하게 유지하도록 상기 제2 온도 조절 장치를 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
And a second temperature regulating device for regulating the temperature of the rotary drum,
Wherein the control device controls the second temperature regulating device so as to keep the temperature of the rotary drum constant.
상기 제어 장치는,
상기 처리 장치에 의해서 상기 패턴을 상기 기판 상에 형성할 때에 필요하게 되는 상기 기판의 신축량이 얻어지도록, 상기 제1 온도 조절 장치에 의해 조정되는 상기 기판의 온도와 상기 제2 온도 조절 장치에 의해 조정되는 상기 회전 드럼의 온도와의 온도 차이를 일정하게 제어하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The control device includes:
The temperature of the substrate adjusted by the first temperature adjusting device and the temperature of the substrate adjusted by the second temperature adjusting device are adjusted so that the expansion and contraction amount of the substrate required for forming the pattern on the substrate by the processing device can be obtained. And the temperature of the rotary drum is constant.
상기 처리 장치는, 상기 기판에 형성하는 상기 패턴의 배율을 미소 보정하는 배율 보정 기능 또는 패턴의 위치를 미소 시프트하는 시프트 보정 기능을 가지며,
상기 제어 장치는, 상기 처리 장치에 의한 상기 패턴의 형성시에 필요하게 되는 상기 기판의 신축량이, 상기 배율 보정 기능 또는 상기 시프트 보정 기능에 의해 보정 가능한 허용 범위가 되도록, 상기 제2 온도 조절 장치를 제어하여 상기 회전 드럼의 온도를 조정하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The processing apparatus has a magnification correction function for microscopically correcting the magnification of the pattern formed on the substrate or a shift correction function for slightly shifting the position of the pattern,
Wherein the control device controls the second temperature regulating device such that the expansion and contraction amount of the substrate required for forming the pattern by the processing device is within an allowable range that can be corrected by the magnification correction function or the shift correcting function, And adjusts the temperature of the rotary drum.
상기 처리 장치는, 마스크에 형성된 상기 패턴을, 배율 보정 기구와 상(像)시프트 기구를 포함하는 투영 광학계를 매개로 하여 상기 기판에 전사하는 투영 노광 장치인 기판 처리 장치.The method of claim 6,
Wherein the processing apparatus is a projection exposure apparatus that transfers the pattern formed on a mask to the substrate via a projection optical system including a magnification correction mechanism and an image shift mechanism.
상기 처리 장치는, 마스크에 형성된 상기 패턴을 상기 기판에 전사하는 노광 장치, 또는 상기 패턴의 CAD 데이터에 근거하여 상기 기판에 패턴을 묘화하는 마스크레스(maskless) 노광 장치인 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the processing apparatus is an exposure apparatus that transfers the pattern formed on a mask to the substrate, or a maskless exposure apparatus that draws a pattern on the substrate based on CAD data of the pattern.
상기 처리 장치는, 잉크젯의 잉크 적하(滴下)에 의해서 상기 기판에 패턴을 인쇄하는 장치인 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the processing apparatus is an apparatus for printing a pattern on the substrate by ink drop (dropping) of the ink jet.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2012-203578 | 2012-09-14 | ||
JP2012203578 | 2012-09-14 | ||
PCT/JP2013/071823 WO2014041941A1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157006339A Division KR101861904B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187018983A Division KR101908269B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180033595A KR20180033595A (en) | 2018-04-03 |
KR101890099B1 true KR101890099B1 (en) | 2018-08-20 |
Family
ID=50278066
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157006339A KR101861904B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187018983A KR101908269B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187033760A KR101973349B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187028868A KR101923360B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187007927A KR101890099B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157006339A KR101861904B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187018983A KR101908269B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187033760A KR101973349B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
KR1020187028868A KR101923360B1 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-12 | Substrate processing device and device manufacturing method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP6256338B2 (en) |
KR (5) | KR101861904B1 (en) |
CN (2) | CN106933065B (en) |
HK (1) | HK1207162A1 (en) |
TW (4) | TWI692677B (en) |
WO (1) | WO2014041941A1 (en) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9804488B2 (en) * | 2014-03-21 | 2017-10-31 | Carpe Diem Technologies, Inc. | System and method for fabricating miniature structures on a flexible substrate |
TWI684836B (en) * | 2014-04-01 | 2020-02-11 | 日商尼康股份有限公司 | Pattern drawing device |
JP6311450B2 (en) * | 2014-05-23 | 2018-04-18 | 株式会社ニコン | Transport device |
WO2016013417A1 (en) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | 株式会社ニコン | Cylindrical-member-position detection device, substrate processing device, device manufacturing method, and sheet substrate conveying device |
WO2016204267A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社ニコン | Pattern drawing device and pattern drawing method |
JP6942555B2 (en) * | 2017-08-03 | 2021-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Board processing method, computer storage medium and board processing system |
JP6516030B2 (en) * | 2018-03-05 | 2019-05-22 | 株式会社ニコン | Pattern formation method |
JP7131334B2 (en) * | 2018-11-29 | 2022-09-06 | 株式会社安川電機 | Substrate support device, substrate transfer robot and aligner device |
JP6680376B2 (en) * | 2019-03-06 | 2020-04-15 | 株式会社ニコン | Pattern forming equipment |
CN109884861A (en) * | 2019-03-26 | 2019-06-14 | 中山新诺科技股份有限公司 | A kind of flexible board double-sided laser direct write digitized exposure machine |
US12189873B2 (en) * | 2019-06-07 | 2025-01-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Input device and input system |
JP7004016B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-01-21 | 株式会社ニコン | Pattern forming device |
TWI854294B (en) * | 2022-09-05 | 2024-09-01 | 日商荏原製作所股份有限公司 | Substrate state measurement device, coating device, and substrate state measurement method |
TWI861786B (en) * | 2023-03-29 | 2024-11-11 | 普思半導體股份有限公司 | Error compensation method and error compensation system for semiconductor process |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098727A (en) | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Long flexible recording medium provided with detecting means for contraction/expansion state, and method and apparatus capable of drawing image by correcting contraction/expanding state of the flexible recording medium |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5651319A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-08 | Unitika Ltd | Manufacture of nylon embossed film |
JPS5922932A (en) * | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Teijin Ltd | Preparation of thin film |
JPS60158626A (en) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | Semiconductor exposure device |
JP2938799B2 (en) * | 1996-03-11 | 1999-08-25 | 信越ポリマー株式会社 | Plastic sheet for remote control face |
JP2001308003A (en) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | Exposure method and system, and method of device manufacturing |
JP3701007B2 (en) * | 2000-08-31 | 2005-09-28 | 株式会社朝日工業社 | Temperature control method and apparatus for glass substrate |
JP4308458B2 (en) * | 2001-09-25 | 2009-08-05 | 富士フイルム株式会社 | Image recording device |
JP4052558B2 (en) * | 2002-05-13 | 2008-02-27 | 富士フイルム株式会社 | Method and apparatus for manufacturing optical compensation sheet |
DE10308436C5 (en) * | 2003-02-27 | 2010-08-26 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Printing platesetter for recording artwork |
JP2004296773A (en) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Method and device for controlling temperature of substrate |
JP4376128B2 (en) * | 2003-05-23 | 2009-12-02 | 大日本印刷株式会社 | Optical sheet and manufacturing method thereof |
DE10353029B3 (en) * | 2003-11-13 | 2004-08-19 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Displacement spindle length variation measuring method, for printing plate exposure device, uses measurement of stepping motor clock pulses for displacement of exposure head carrier along reference path |
JP4669760B2 (en) * | 2004-09-14 | 2011-04-13 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and processing method |
JP2006098719A (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Exposure apparatus |
US7375795B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7100510B2 (en) * | 2005-02-09 | 2006-09-05 | Eastman Kodak Company | Method for registering patterns on a web |
CN100541719C (en) * | 2005-04-25 | 2009-09-16 | 株式会社尼康 | Exposure method and exposure device and device making method |
JP5181451B2 (en) | 2006-09-20 | 2013-04-10 | 株式会社ニコン | Mask, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20080229941A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Babak Heidari | Nano-imprinting apparatus and method |
KR20090120136A (en) * | 2008-05-19 | 2009-11-24 | 삼성전기주식회사 | Imprint device |
JP2010118557A (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | Exposure apparatus, substrate processing apparatus, lithography system, and device manufacturing method |
JP2010155439A (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-15 | Asahi Kasei Corp | Method for manufacturing polymer sheet having irregular pattern |
JP5282895B2 (en) * | 2009-03-06 | 2013-09-04 | 株式会社ニコン | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8264666B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-09-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device |
JP2011221536A (en) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Nikon Corp | Mask moving device, exposure device, substrate processor and device manufacturing method |
JP2012099638A (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Fujifilm Corp | Curable composition for imprint |
JP5424271B2 (en) * | 2010-11-08 | 2014-02-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Exposure equipment |
WO2012081607A1 (en) * | 2010-12-15 | 2012-06-21 | 株式会社ニコン | Substrate processing system and method for producing display elements |
JP2012203151A (en) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | Film substrate exposure device and film substrate exposure method |
JP4975180B2 (en) * | 2011-08-29 | 2012-07-11 | 株式会社朝日工業社 | Nozzle structure for glass substrate temperature control |
-
2013
- 2013-08-12 CN CN201610861837.4A patent/CN106933065B/en active Active
- 2013-08-12 KR KR1020157006339A patent/KR101861904B1/en active IP Right Grant
- 2013-08-12 CN CN201380047645.4A patent/CN104620178B/en active Active
- 2013-08-12 KR KR1020187018983A patent/KR101908269B1/en active IP Right Grant
- 2013-08-12 JP JP2014535457A patent/JP6256338B2/en active Active
- 2013-08-12 WO PCT/JP2013/071823 patent/WO2014041941A1/en active Application Filing
- 2013-08-12 KR KR1020187033760A patent/KR101973349B1/en active IP Right Grant
- 2013-08-12 KR KR1020187028868A patent/KR101923360B1/en active IP Right Grant
- 2013-08-12 KR KR1020187007927A patent/KR101890099B1/en active IP Right Grant
- 2013-09-09 TW TW107139691A patent/TWI692677B/en active
- 2013-09-09 TW TW106129763A patent/TWI645262B/en active
- 2013-09-09 TW TW102132344A patent/TWI606306B/en active
- 2013-09-09 TW TW109111014A patent/TWI724850B/en active
-
2015
- 2015-08-08 HK HK15107671.4A patent/HK1207162A1/en not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-11-20 JP JP2017223059A patent/JP6540774B2/en active Active
-
2018
- 2018-12-19 JP JP2018237782A patent/JP6690697B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-07 JP JP2019107384A patent/JP6780742B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006098727A (en) | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Long flexible recording medium provided with detecting means for contraction/expansion state, and method and apparatus capable of drawing image by correcting contraction/expanding state of the flexible recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201411298A (en) | 2014-03-16 |
JP6540774B2 (en) | 2019-07-10 |
TWI645262B (en) | 2018-12-21 |
KR20180033595A (en) | 2018-04-03 |
KR101923360B1 (en) | 2018-11-28 |
TWI692677B (en) | 2020-05-01 |
KR20180127548A (en) | 2018-11-28 |
CN106933065B (en) | 2019-03-05 |
JPWO2014041941A1 (en) | 2016-08-18 |
WO2014041941A1 (en) | 2014-03-20 |
CN104620178B (en) | 2016-10-26 |
TW201908876A (en) | 2019-03-01 |
TW202026775A (en) | 2020-07-16 |
JP2019061279A (en) | 2019-04-18 |
JP2018045248A (en) | 2018-03-22 |
TW201809906A (en) | 2018-03-16 |
CN106933065A (en) | 2017-07-07 |
KR101973349B1 (en) | 2019-04-26 |
JP6780742B2 (en) | 2020-11-04 |
KR101861904B1 (en) | 2018-05-28 |
JP6256338B2 (en) | 2018-01-10 |
KR101908269B1 (en) | 2018-10-15 |
HK1207162A1 (en) | 2016-01-22 |
KR20180112881A (en) | 2018-10-12 |
TWI606306B (en) | 2017-11-21 |
KR20150056547A (en) | 2015-05-26 |
CN104620178A (en) | 2015-05-13 |
JP2019152885A (en) | 2019-09-12 |
TWI724850B (en) | 2021-04-11 |
KR20180079476A (en) | 2018-07-10 |
JP6690697B2 (en) | 2020-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101890099B1 (en) | Substrate processing device and device manufacturing method | |
TWI686678B (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6074898B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR102126981B1 (en) | Pattern exposure method and device manufacturing method | |
JP2019070840A (en) | Exposure method | |
JP6337486B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP6500968B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2015018006A (en) | Substrate treatment apparatus, device production system, and device production method | |
JP6658938B2 (en) | Substrate processing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20180320 Application number text: 1020157006339 Filing date: 20150311 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20180608 |
|
A107 | Divisional application of patent | ||
PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20180703 Application number text: 1020157006339 Filing date: 20150311 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20180813 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20180813 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210729 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230718 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240722 Start annual number: 7 End annual number: 7 |