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KR101860899B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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KR101860899B1
KR101860899B1 KR1020170064047A KR20170064047A KR101860899B1 KR 101860899 B1 KR101860899 B1 KR 101860899B1 KR 1020170064047 A KR1020170064047 A KR 1020170064047A KR 20170064047 A KR20170064047 A KR 20170064047A KR 101860899 B1 KR101860899 B1 KR 101860899B1
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emitting chip
reflective
reflector
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Inventor
박규형
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 몸체에 배치되고 전도성 재질을 갖는 제1 반사부와, 몸체의 일 측면에 노출된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재; 몸체에 배치되고 전도성 재질을 갖는 제2 반사부와, 몸체의 타 측면에 노출된 제2 끝단부를 포함하고, 몸체에 의해서 제1 부재와 분리된 제2 부재; 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩; 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩; 제1 반사부와 제2 반사부 상에 배치되고, 제1 발광 칩과 제2 발광 칩을 밀봉하고, 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재; 제1 반사부와 제1 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제1 와이어; 제1 발광 칩과 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어; 제1 반사부와 제2 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제3 와이어; 제2 발광 칩과 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제4 와이어; 제1 반사부와 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제5 와이어; 및 제5 와이어와 제2 반사부 사이에 전기적으로 연결된 보호 소자;를 포함하고, 제1 부재는, 제1 반사부와 제1 끝단부 사이에 형성된 움푹하게 패인 부분을 갖고, 몸체의 적어도 일 부분은 움푹하게 패인 부분에 배치되고, 제1 반사부와 제2 반사부는, 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고, 몸체의 저면, 제1 반사부의 저면 및 제2 반사부의 저면은, 동일 평면 상에 배치된다.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}
본 발명은 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 패키지 몸체의 변색을 방지하고, 광 간섭을 방지할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 배치되고 전도성 재질을 갖는 제1 반사부와, 상기 몸체의 일 측면에 노출된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재; 상기 몸체에 배치되고 전도성 재질을 갖는 제2 반사부와, 상기 몸체의 타 측면에 노출된 제2 끝단부를 포함하고, 상기 몸체에 의해서 상기 제1 부재와 분리된 제2 부재; 상기 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩; 상기 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩; 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 상에 배치되고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 밀봉하고, 상기 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재; 상기 제1 반사부와 상기 제1 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제1 와이어; 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어; 상기 제1 반사부와 상기 제2 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제3 와이어; 상기 제2 발광 칩과 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제4 와이어; 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제5 와이어; 및 상기 제5 와이어와 상기 제2 반사부 사이에 전기적으로 연결된 보호 소자;를 포함하고, 상기 제1 부재는, 상기 제1 반사부와 상기 제1 끝단부 사이에 형성된 움푹하게 패인 부분을 갖고, 상기 몸체의 적어도 일 부분은 상기 움푹하게 패인 부분에 배치되고, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부는, 상기 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고, 상기 몸체의 저면, 상기 제1 반사부의 저면 및 상기 제2 반사부의 저면은, 동일 평면 상에 배치된다.
여기서, 상기 제1 끝단부는 상기 몸체의 저면에 노출될 수 있다.
여기서, 상기 제1 끝단부의 저면은 상기 제1 반사부의 저면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
여기서, 상기 보호 소자는 제너 다이오드일 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체에 배치된 제1 반사부와, 상기 몸체의 일 측면과 상기 몸체의 저면에 노출된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재; 상기 몸체에 배치된 제2 반사부와, 상기 몸체의 타 측면과 상기 몸체의 저면에 노출된 제2 끝단부를 포함하고 상기 몸체에 의해서 상기 제1 부재와 분리된 제2 부재; 상기 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩; 상기 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩; 및 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 상에 배치되고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 밀봉하고, 상기 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재;를 포함하고, 상기 제1 부재는, 상기 제1 반사부와 상기 제1 끝단부 사이에 형성된 움푹하게 패인 부분을 갖고, 상기 몸체의 적어도 일 부분은 상기 움푹하게 패인 부분에 배치되고, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 각각은, 상기 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고, 상기 움푹하게 패인 부분에 배치된 상기 몸체의 일 부분의 저면은, 상기 제1 끝단부의 저면 및 상기 제1 반사부의 저면과 동일 평면 상에 배치되고, 상기 몸체의 다른 일부는, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 사이에 배치된다.
여기서, 상기 제1 끝단부의 저면은 상기 몸체의 다른 일부의 저면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 중 적어도 어느 하나 상에 배치된 보호 소자를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 보호 소자는, 제너 다이오드일 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부는 상기 몸체의 상면에 노출되는 상부면을 포함하고, 상기 제1 반사부의 상부면과 상기 제2 반사부의 상부면 사이에 상기 몸체의 상면의 일부가 배치되고, 상기 제1 반사부의 상부면은, 상기 몸체의 상면의 일부와 접하는 제1 직선부를 포함하고, 상기 제2 반사부의 상부면은, 상기 몸체의 상면의 일부와 접하는 제2 직선부를 포함하고, 상기 제1 직선부와 상기 제2 직선부는 서로 평행할 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부는 상기 몸체의 상면의 일부와 접하고 상기 제1 직선부와 둔각을 이루는 제3 직선부를 포함하고, 상기 제2 반사부는 상기 몸체의 상면의 일부와 접하고 상기 제2 직선부와 둔각을 이루는 제4 직선부를 포함하고, 상기 제3 직선부와 상기 제4 직선부는 서로 대응되도록 배치될 수 있다.
여기서, 상기 움푹하게 패인 부분은 복수개일 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부는, 형상 및 크기 중 적어도 하나가 서로 대칭적일 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부의 상부면은 상기 제1 발광 칩의 상부면과 동일 평면 상에 배치되고, 상기 제2 반사부의 상부면은 상기 제2 발광 칩의 상부면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부의 상부면은 상기 제1 발광 칩의 상부면보다 더 높이 배치되고, 상기 제2 반사부의 상부면은 상기 제2 발광 칩의 상부면보다 더 높이 배치될 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부의 상부면은 상기 제1 발광 칩의 상부면보다 더 낮게 배치되고, 상기 제2 반사부의 상부면은 상기 제2 발광 칩의 상부면보다 더 낮게 배치될 수 있다.
여기서, 상기 제1 반사부의 깊이는 상기 제1 발광 칩의 높이보다 작고, 상기 제1 발광 칩의 높이의 1/2배보다 크며, 상기 제2 반사부의 깊이는 상기 제2 발광 칩의 높이보다 작고, 상기 제2 발광 칩의 높이의 1/2배보다 클 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 바닥 몸체; 상기 바닥 몸체 내부에 배치된 제1 베이스부와, 상기 바닥 몸체의 상면에 노출되며 상기 제1 베이스부의 일 측에 연결된 제1 반사부와, 및 상기 바닥 몸체의 일 측면에 노출되며 상기 제1 베이스부의 다른 일 측에 연결된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재; 상기 바닥 몸체 내부에 배치된 제2 베이스부와, 상기 바닥 몸체의 상면에 노출되며 상기 제2 베이스부의 일 측에 연결된 제2 반사부와, 및 상기 바닥 몸체의 타 측면에 노출되며 상기 제2 베이스부의 다른 일 측에 연결된 제2 끝단부를 포함하고, 상기 바닥 몸체에 의해서 상기 제1 부재와 분리된 제2 부재; 상기 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩; 상기 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩; 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 전기적으로 연결하는 와이어; 상기 바닥 몸체 상에 배치된 측부 몸체; 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 상에 배치되고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 밀봉하고, 상기 바닥 몸체 및 상기 측부 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재;를 포함하고, 상기 제1 부재는, 상기 제1 베이스부에 형성된 제1 홀을 갖고, 상기 제2 부재는, 상기 제2 베이스부에 형성된 제2 홀을 갖고, 상기 바닥 몸체의 제1 부분은 상기 제1 홀 및 제2 홀에 배치되고, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 각각은, 상기 바닥 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고, 상기 제1 반사부의 저면과 상기 제2 반사부의 저면은, 서로 이격되어 배치되고, 상기 바닥 몸체의 제2 부분은, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 사이에 배치되고, 상기 바닥 몸체의 상기 제2 부분은 상부와 하부를 포함하고, 상기 상부의 폭은 상기 하부의 폭과 다르다.
여기서, 상기 하부의 폭은 상기 상부의 폭 보다 넓을 수 있다.
여기서, 상기 하부의 폭은 상기 바닥 몸체의 저면으로부터 상기 바닥 몸체의 상면 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
여기서, 상기 와이어는 상기 바닥 몸체의 상기 제2 부분 위에 배치될 수 있다.
실시 예는 몸체의 변색을 방지하여 수명을 연장시키고, 광 간섭을 방지할 수 있다.
실시 예는 반사컵과 몸체간의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제1 측면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제2 측면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제3 측면도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제4 측면도를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 AA' 방향으로의 단면도를 나타낸다.
도 9는 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 BB' 방향으로의 단면도를 나타낸다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩들 사이의 병렬 연결을 나타낸다.
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다.
도 13a는 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13b는 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13c는 또 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 일 실시 예의 분해 사시도이다.
도 15는 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
이하, 실시예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)" 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자를 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 연결부(126), 발광 칩들(132,134), 제너 다이오드(Zenor diode, 150), 및 와이어들(152, 154, 156, 158)을 포함한다.
몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성되는 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 몸체(110)가 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 연결부(126)와 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.
몸체(110)의 상면 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
예컨대, 도시된 것과 같은 직사각형 형상의 발광 소자 패키지(100)는 엣지(edge) 타입의 백라이트 유닛(BLU: Backlight Unit)에 사용될 수 있으며, 휴대형 손전등이나 가정용 조명에 적용되는 경우, 몸체(110)는 휴대용 손전등이나 가정용 조명에 내장하기 용이한 크기와 형태로 변경될 수 있다.
몸체(110)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥(bottom)면으로 이루어진 캐비티(cavity)(105, 이하 "몸체 캐비티"라 한다)를 갖는다.
상기 몸체 캐비티(105)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 몸체 캐비티(105)의 내측면은 바닥에 대해 수직 방향으로 경사질 수 있다.
몸체 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 몸체 캐비티(105)의 모서리는 곡선일 수 있다. 도 1에 도시된 몸체 캐비티(105)를 위에서 바라본 형상은 전체적으로 8각형의 형상이며, 특히 각 모서리 부분의 내측면의 면적이 다른 부분보다 작다.
제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 몸체 캐비티(105)의 바닥(bottom) 아래의 몸체(110) 내부에 서로 이격하여 형성된다. 제1 반사컵(122)은 몸체 캐비티(105)의 바닥 내부에 형성될 수 있다. 제1 반사컵(122)은 상부가 개방되고, 내측면과 바닥으로 이루어지는 제1 캐비티(162)를 갖는다. 또한 제2 반사컵(124)은 제1 캐비티(162)와 이격하여 몸체 캐비티(105)의 바닥 내부에 형성될 수 있다. 제2 반사컵(124)은 상부가 개방되고, 내측면과 바닥으로 이루어지는 제2 캐비티(164)를 갖는다. 이때 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이에는 몸체 캐비티(105)의 바닥의 일부분이 위치하며, 바닥의 일부분에 의하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)은 격리될 수 있다.
이때 위에서 바라본 제1 캐비티(162) 및 제2 캐비티(164)의 형상은 컵(cup) 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 각각의 내측면은 각각의 바닥에 대하여 수직이거나 경사질 수 있다.
제1 반사컵(122)은 몸체(110)의 바닥 및 몸체(110)의 제1 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자 패키지(100)의 바닥 및 제1 측면을 이루며, 제1 반사컵(122)의 말단(142)은 몸체(110)의 제1 측면에 노출될 수 있다. 또한 제2 반사컵(124)은 몸체(110)의 바닥 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자 패키지(100)의 바닥 및 제2 측면을 이루며, 제2 반사컵(124)의 말단(144)은 몸체(110)의 외부 제2 측면에 노출될 수 있다.
이 때, 제 1 및 제 2 반사컵(122, 124)은 각각 몸체(110)의 제1 측면과 제 2측면에 대응되는 영역에 홀(H)이 형성된다. 또한, 제 1 및 제 2 반사컵(122, 124)은 몸체(110)의 바닥과 대응되는 영역에 홀(H)이 형성될 수 있다. 상기 폴리프탈아미드와 같은 수지가 사출 되어 몸체를 형성할 때, 상기 제 1 및 제 2 반사컵(122, 124)에 형성된 홀을 통해 상기 수지가 제 1 및 제 2 반사컵의 절곡 공간으로 들어가 성형됨으로써, 몸체(110)와 제 1 및 제 2 반사컵(122, 124) 간의 구조물이 접합된다. 따라서, 몸체(110)와 반사컵(122, 124)들 간의 계면 접합력을 향상 시킬 수 있게 된다.
도면에서는 반사컵에 형성된 홀이 하나만 표시되었지만 복수 개를 가질 수 있다.
제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 은, 금, 또는 구리 등의 재료일 수 있으며, 이들 재료들을 도금한 금속 재료일 수 있다. 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 연결부(126)를 기준으로 형상 및 크기에 있어서 서로 대칭적일 수 있다.
연결부(126)는 몸체 캐비티(105)의 밑면 아래의 몸체(110) 내부에 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)과 각각 이격하여 형성된다. 연결부(126)는 전기를 통할 수 있는 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 연결부(126)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이에 배치되도록 형성될 수 있다. 구체적으로 연결부(126)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 몸체 캐비티(105)의 제3 측면에 인접하는 바닥 내부에 배치될 수 있다.
연결부(126)는 몸체(110) 바닥의 또 다른 일부 및 제3 측면을 관통하도록 형성되어 발광 소자 패키지의 바닥 및 제3 측면을 이루며, 연결부(126)의 말단(146)은 몸체(110)의 제3 측면에 노출될 수 있다. 여기서 몸체(110)의 제3 측면은 몸체의 제1 측면 및 제2 측면과 수직인 어느 한 측면이다.
제너 다이오드(150)는 발광 소자 패키지(100)의 내전압 향상을 위하여 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124) 중 어느 하나 상에 배치된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 반사컵(122)의 상부면 상에 제너 다이오드(150)가 마운트될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제1 측면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제2 측면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제3 측면도를 나타내고, 도 6은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 제4 측면도를 나타낸다.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 제1 반사컵(122)은 몸체(110) 바닥의 일부를 이루며, 일 측 말단(142)은 제1 측면(210)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출될 수 있다. 제2 반사컵(124)은 몸체(110) 바닥의 다른 일부를 이루며, 일 측 말단(144)은 제1 측면(210)과 마주보는 제2 측면(220)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출될 수 있다. 연결부(126)의 일 측 말단(146)은 몸체(110)의 바닥의 일부를 이루며, 몸체(110)의 제3 측면(230)으로부터 돌출되어 몸체(110) 밖으로 노출될 수 있다.
제1 반사컵(122)의 일 측 말단(142), 제2 반사컵(124)의 일 측 말단(144), 및 연결부(126) 일 측 말단(146)의 형상은 직사각형, 정사각형, 또는 U자 형태 등과 같이 다양하게 형성될 수 있다.
제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162) 내에 배치되고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 제2 캐비티(164) 내에 배치된다.
즉, 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162)의 바닥 상에 배치되고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 제2 캐비티(164)의 바닥 상에 배치될 수 있다.
제1 발광 칩(132)은 제1 캐비티(162)의 내측면으로부터 이격되도록 배치되며, 제2 발광 칩(134)은 제2 캐비티(164)의 내측면으로부터 이격되도록 배치될 수 있다.
와이어들(152 내지 158)은 연결부(126)를 통하여 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 서로 연결한다. 제1 와이어(152)는 제1 발광 칩(132)과 제1 반사컵(122)을 연결하고, 제2 와이어(154)는 제1 발광 칩(132)과 연결부(126)를 연결하며, 제3 와이어(156)는 연결부(126)와 제2 발광 칩(134)을 연결하며, 제4 와이어(158)는 제2 발광 칩(134)과 제2 반사컵(124)을 연결할 수 있다.
연결부(126)와 제1 발광 칩(132) 사이에 제2 와이어(154)를 본딩하고, 연결부(126)와 제2 발광 칩(134) 사이에 제3 와이어(156)를 본딩함으로써 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 반사컵(122)에 마운트된 제너 다이오드(150)는 제5 와이어(159)에 의하여 제2 반사컵(124)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제5 와이어(159)의 일단은 제너 다이오드(150)에 본딩되고, 제5 와이어(159)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(124)의 상부면과 본딩될 수 있다.
만약 도 1에 도시된 바와 같이, 제너 다이오드(150)가 제2 반사컵(124)에 마운트된 경우에는 제5 와이어(159)의 일단은 제너 다이오드(150)에 본딩되고, 나머지 다른 일단은 제1 반사컵(122)의 상부면과 본딩될 수 있다.
연결부(126)는 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)과 이격, 분리 형성되어 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)과는 독립적이다. 그렇기 때문에 연결부(126)는 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 전기적으로 안정하게 직렬 연결할 수 있어 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)은 빛을 발생하는 소자이며, 빛 발생과 더불어 열을 방출하는 열원이다. 제1 반사컵(122)은 열원인 제1 발광 칩(132)으로부터 발생하는 열이 몸체(110)로 방사되는 것을 차단하며, 제2 반사컵(124)은 제2 발광 칩(134)으로부터 발생하는 열이 몸체(110)로 방사되는 것을 차단한다. 즉 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 열원인 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(132)을 열적으로 분리시킨다. 또한 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)은 제1 발광 칩(132)이 조사한 빛과 제2 발광 칩(134)이 조사한 빛이 서로 간섭하지 않도록 차단하는 역할을 한다. 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)이 몸체(110)의 바닥 내부에 형성되므로 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 열적 분리가 더욱 향상되고, 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩 (134) 사이의 빛의 간섭을 차단하는 것을 향상시킬 수 있다.
결국 실시예는 제1 발광 칩(132)을 제1 반사컵(122)의 제1 캐비티(162) 내부에 배치하고, 제2 발광 칩(134)을 제2 반사컵(124) 내부의 제2 캐비티(164) 내부에 배치시킴으로써 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134) 각각을 열적 및 광학적으로 서로 분리시킬 수 있다.
몸체(110)는 후면에 몸체(110) 형성을 위하여 수지를 주입하기 위한 수지 주입 홀(240)을 갖는다. 수지 주입 홀(240)은 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 몸체(110)에 위치할 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타낸다. 설명의 편의를 위하여 도 1에 도시된 와이어들(152, 154, 156, 158, 159)은 도시하지 않는다. 도 7을 참조하면, 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)은 서로 일정 거리(D1) 이격하며, 그 사이에는 폴리프탈아미드로 이루어진 몸체(110) 바닥이 개재된다.
열원을 분리하고 발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 효과적으로 차단하기 위하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 이격 거리(D1)는 적어도 100um 이상 간격을 갖도록 한다.
또한 발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 효과적으로 차단하고, 반사 효율을 높이기 위하여 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 내측면으로부터 일정 거리 이격하여 제1 반사컵(122)의 바닥에 배치되며, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 측면으로부터 일정 거리 이격하여 제2 반사컵(124)의 바닥에 배치된다.
예컨대, 제1 발광 칩(132)은 제1 반사컵(122)의 바닥 중앙에 마운트(mount)될 수 있고, 제2 발광 칩(134)은 제2 반사컵(124)의 바닥 중앙에 마운트될 수 있다.
구체적으로 제1 반사컵(122)의 단측면으로부터 제1 발광 칩(132)까지의 이격 거리(D2)는 200um이고, 제1 반사컵(122)의 장측면으로부터 제1 발광 칩(132)까지의 이격 거리(D3)는 500um일 수 있다.
연결부(126)는 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124) 각각과 서로 일정 거리(D4) 이격하며, 그 사이에는 폴리프탈아미드로 이루어진 몸체(110) 바닥이 개재된다.
예컨대, 제1 반사컵(122)과 연결부(126) 사이의 이격 거리(D4)는 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124) 사이의 이격 거리(D1)와 동일할 수 있다.
도 8은 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 AA' 방향으로의 단면도를 나타낸다. 도 8에는 와이어들(152, 154, 156, 158, 159)의 도시를 생략한다.
도 8을 참조하면, 제1 반사컵(122)의 측면의 기울어진 각도(θ1)는 몸체(110)의 몸체 캐비티(105)의 측면의 기울어진 각도와 다를 수 있다. 예컨대, 제1 반사컵(122)의 측면과 밑면이 이루는 각도(θ1)는 90° ~ 160°일 수 있다.
몸체 캐비티(105)의 내측면 상단은 절곡된 테두리를 갖는다. 몸체 캐비티(105)의 상부 내측면은 절곡되게 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)의 측면의 상단에는 상기 몸체(110)의 상부면(802)과 단차를 가지며, 상기 몸체(110)의 상부면(802)과 수평인 테두리부(804)가 형성될 수 있다.
예컨대, 몸체 캐비티(105)의 내측면의 상단은 몸체 캐비티(105)의 상부면(802)과 단차를 갖으며, 상부면(802)과 수평인 테두리부(804)를 갖는다.
몸체 캐비티(105)의 상부면(802)과 테두리부(804) 사이의 단차(K1)는 50~80um이고, 테두리부(804)의 길이(K2)는 50~130um일 수 있다. 몸체 캐비티(105)의 내측면 상단은 상술한 바와 같은 단차가 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
이와 같이 단차를 갖는 테두리부(804)를 몸체 캐비티(105)의 내측면에 갖도록 하는 것은 침투 경로를 길게 함으로써 가스(gas)가 외부로부터 발광 소자 패키지 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있도록 하여 발광 소자 패키지(100)의 기밀성을 향상시킬 수 있다.
발광 칩들(132,134) 간의 광 간섭을 차단하고, 광 반사 효율을 향상시키기 위하여 제1 반사컵(122)과 제2 반사컵(124)의 깊이(H0)는 발광 칩들(132,134)의 높이를 고려하여 결정될 수 있다.
도 13a는 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13a를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)의 바닥에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면과 수평일 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H1)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)와 동일할 수 있다(H1=a1). 도 13a에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 13b는 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13b를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)의 바닥에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면보다 높을 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H2)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 클 수 있다(H2>a1).
예컨대, 제1 반사컵(122)의 깊이(H2)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 크고, 제1 발광 칩(132)의 높이의 2배보다 작을 수 있다(a1<H2<2a1). 도 13b에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 13c는 또 다른 실시예에 따른 제1 반사컵의 깊이를 나타낸다.
도 13c를 참조하면, 제1 반사컵(122)의 상부면은 제1 반사컵(122)에 마운트된 제1 발광 칩(132)의 상부면보다 낮을 수 있다. 제1 반사컵(122)의 깊이(H3)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 작을 수 있다(H3<a1).
예컨대, 제1 반사컵(122)의 깊이(H3)는 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)보다 작고, 제1 발광 칩(132)의 높이(a1)의 1/2배보다 클 수 있다(a1/2<H3<a1). 도 13c에 도시된 제1 반사컵(122)에 대한 설명은 제2 반사컵(124)의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 9는 도 7에 도시된 발광 소자 패키지의 BB' 방향으로의 단면도를 나타낸다. 도 9에는 와이어들(152 내지 159)의 도시를 생략한다. 도 9를 참조하면, 연결부(126)의 상부면은 제1 반사컵(122) 및 제2 반사컵(124)의 상부면과 평행하며, 연결부(126)말단(146)은 몸체(110)의 바닥의 일부를 이루며, 몸체(110)의 제3 측면(230)을 관통하여 몸체(110) 밖으로 돌출되어 노출될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 도 8에 도시된 바와 같이, 몸체 캐비티(105) 내에는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)을 밀봉하여 보호하도록 봉지재(320)가 충진될 수 있다.
봉지재(320)는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)를 외부와 격리하기 위해 몸체 캐비티(105)는 물론, 제1 발광 칩(132)이 마운트된 제1 반사컵(122) 내부 및 제2 발광 칩(134)이 마운트된 제2 반사컵(124) 내부에도 충진될 수 있다.
봉지재(320)는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(320)는 몸체 캐비티(105) 내에 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
봉지재(320)는 제1 발광 칩(132) 및 제2 발광 칩(134)에서 방출되는 빛의 특성을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체에 의해 발광 칩들(132,134)에서 방출되는 빛이 여기되어 다른 색상을 구현할 수 있다.
예컨대, 발광 칩들(132,134)이 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 칩들(132,134)이 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, R, G, B 삼색의 형광체가 봉지재(320)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. 한편, 봉지재(320) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 발광 소자 패키지(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
도 10은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다. 도 10을 참조하면, 제1 와이어(1052)의 일단은 제1 반사컵(122)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1052)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩될 수 있다. 또한 제2 와이어(1054)의 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩되고, 제2 와이어(1054)의 나머지 다른 일단은 연결부(126)에 본딩될 수 있다.
또한 제3 와이어(1056)의 일단은 연결부(126)에 본딩되고, 제3 와이어(1056)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩될 수 있다. 또한 제4 와이어(1058)의 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩되고, 제4 와이어(1058)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(124)의 상부면에 본딩될 수 있다.
도 10에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제4 와이어들(1052 내지 1058)의 본딩에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 도 10에 도시된 발광 칩들(132,134) 사이의 직렬 연결은 발광 칩들(132,134)과 독립적인 연결부(126)를 매개체로 하기 때문에 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)을 전기적으로 안정하게 직렬 연결할 수 있어 발광 소자 패키지의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩들 사이의 병렬 연결을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 제1 와이어(1152)의 일단은 제1 반사컵(122)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1152)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩될 수 있다.
제2 와이어(1154)의 일단은 제1 발광 칩(132)과 본딩되고, 제2 와이어(1154)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(124)의 상부면과 본딩될 수 있다.
제3 와이어(1156)의 일단은 제1 반사컵(122)의 상부면과 본딩되고, 제3 와이어(1156)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩될 수 있다. 마지막으로 제4 와이어(1158)의 일단은 제2 발광 칩(134)에 본딩되고, 제4 와이어(1158)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(124)의 상부면에 본딩될 수 있다. 따라서 도 11에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제4 와이어들(1152 내지 1158)의 본딩에 의하여 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 칩들 사이의 직렬 연결을 나타낸다. 도 12를 참조하면, 제1 와이어(1252)의 일단은 제1 반사컵(122)의 상부면에 본딩(bonding)되고, 제1 와이어(1252)의 나머지 다른 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩될 수 있다. 또한 제2 와이어(1254)의 일단은 제1 발광 칩(132)에 본딩되고, 제2 와이어(1254)의 나머지 다른 일단은 제2 발광 칩(134)에 직접 본딩될 수 있다. 제3 와이어(1256)의 일단은 제2 발광 칩에 연결되고, 제3 와이어(1256)의 나머지 다른 일단은 제2 반사컵(124)의 상부면에 본딩될 수 있다.
도 12에 도시된 발광 칩들(132,134)은 제1 내지 제3 와이어들(1252 내지 1256)의 본딩에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 도 10과 달리 제2 와이어(1254)에 의하여 제1 발광 칩(132)과 제2 발광 칩(134)이 연결부(126)를 매개체로 하지 않고 서로 직접 연결될 수 있다.
상술한 제1 반사컵(122), 제2 반사컵(124), 제1 발광 칩(132), 제2 발광 칩(134), 및 제너 다이오드(150)에 본딩된 와이어들 각각의 높이는 몸체 캐비티(105)의 상부면의 높이보다 낮을 수 있다.
상술한 바와 같이 실시예는 1컵 타입의 발광 소자 패키지가 아니라, 몸체 내에 분리된 2개의 반사컵들(122,124) 각각 내에 발광 칩(132,134)이 마운트된 구조이다. 이로 인하여 열원인 발광 칩들(132,134)을 서로 분리시키고, 발광 칩(132,134)으로부터 발산되는 열을 반사컵(122,124)에 의하여 차단하여 열로 인한 발광 소자 패키지(100)의 몸체(110)의 변색을 방지하여 발광 소자 패키지(100)의 수명을 연장시킬 수 있다. 또한 서로 분리된 2개의 반사컵들(122,124)에 의하여 발광 칩들(132,134) 각각으로부터 조사되는 광이 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 일 실시 예의 분해 사시도이다. 도 14를 참조하면, 실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과 상기 광원(750)이 내장되는 하우징(700)과 상기 광원(750)의 열을 방출하는 방열부(740) 및 상기 광원(750)과 방열부(740)를 상기 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함하여 이루어진다.
상기 하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 상기 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함한다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.
상기 하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비되어 있는데, 상기 공기 유동구(720)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.
그리고, 상기 광원(750)은 기판(754) 상에 복수 개의 발광 소자 패키지(752)가 구비된다. 여기서, 상기 기판(754)은 상기 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 광원의 하부에는 홀더(760)가 구비되는데 상기 홀더(760)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다. 실시 예에 따른 조명 장치는 상술한 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 사용하여, 조명 장치에 장착되는 발광 소자 패키지의 수명을 연장시키고, 광 간섭 현상을 방지할 수 있다.
도 15는 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 프리즘 시트들(850, 860)의 전방에 배치되는 패널(870)과, 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 광원 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
광원 모듈은 기판(830) 상의 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광 소자 패키지(835)는 도 1에 도시된 실시예일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 광원 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate;PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 패널(870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나 각각의 프리즘 시트 상에는 보호 시트가 구비될 수 있는데, 지지 필름의 양면에 광확산성 입자와 바인더를 포함하는 보호층이 구비될 수 있다. 또한, 프리즘층은 폴리우레탄, 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 엘라스토머, 폴리이소프렌, 폴리실리콘으로 구성되는 군으로부터 선택되는 중합체 재료로 이루어질 수 있다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 확산 시트와 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(870) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다. 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시 장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다. 그리고, 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
실시예에 따른 표시 장치는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 구비하는 광원 모듈을 사용함으로써, 발광 칩들(132,134) 각각으로부터 조사되는 광이 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
105: 몸체 캐비티, 110: 몸체,
122: 제1 반사컵, 124: 제2 반사컵,
126: 연결부, 132: 제1 발광 칩,
134: 제2 발광 칩, 150:제너 다이오드,
151 내지 159: 와이어들.

Claims (21)

  1. 몸체;
    상기 몸체에 배치되고 전도성 재질을 갖는 제1 반사부와, 상기 몸체의 일 측면에 노출된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재;
    상기 몸체에 배치되고 전도성 재질을 갖는 제2 반사부와, 상기 몸체의 타 측면에 노출된 제2 끝단부를 포함하고, 상기 몸체에 의해서 상기 제1 부재와 분리된 제2 부재;
    상기 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩;
    상기 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩;
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 상에 배치되고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 밀봉하고, 상기 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재;
    상기 제1 반사부와 상기 제1 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제1 와이어;
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어;
    상기 제1 반사부와 상기 제2 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제3 와이어;
    상기 제2 발광 칩과 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제4 와이어;
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 중 어느 하나의 반사부에 배치된 보호 소자; 및
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 중 상기 보호 소자가 배치되지 않은 반사부와 상기 보호 소자를 전기적으로 연결하는 제5 와이어;
    를 포함하고,
    상기 제1 부재의 상기 제1 반사부와 상기 제1 끝단부 사이에 상기 몸체의 일 부분이 배치되고,
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부는, 상기 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고,
    상기 몸체의 저면, 상기 제1 반사부의 저면 및 상기 제2 반사부의 저면은, 동일 평면 상에 배치된, 발광 소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 끝단부는 상기 몸체의 저면에 노출된, 발광 소자 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 끝단부의 저면은 상기 제1 반사부의 저면과 동일 평면 상에 배치된, 발광 소자 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 소자는 제너 다이오드인, 발광 소자 패키지.
  5. 몸체;
    상기 몸체에 배치된 제1 반사부와, 상기 몸체의 일 측면과 상기 몸체의 저면에 노출된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재;
    상기 몸체에 배치된 제2 반사부와, 상기 몸체의 타 측면과 상기 몸체의 저면에 노출된 제2 끝단부를 포함하고 상기 몸체에 의해서 상기 제1 부재와 분리된 제2 부재;
    상기 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩;
    상기 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩;
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 상에 배치되고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 밀봉하고, 상기 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재;
    상기 제1 반사부와 상기 제1 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제1 와이어;
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어;
    상기 제1 반사부와 상기 제2 발광 칩을 전기적으로 연결하는 제3 와이어; 및
    상기 제2 발광 칩과 상기 제2 반사부를 전기적으로 연결하는 제4 와이어;
    를 포함하고,
    상기 제1 부재의 상기 제1 반사부와 상기 제1 끝단부 사이에 상기 몸체의 제1 부분이 배치되고,
    상기 제2 부재의 상기 제2 반사부와 상기 제2 끝단부 사이에 상기 몸체의 제2 부분이 배치되고,
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 각각은, 상기 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고,
    상기 몸체의 제1 부분의 저면은, 상기 제1 끝단부의 저면 및 상기 제1 반사부의 저면과 동일 평면 상에 배치되고,
    상기 몸체의 제2 부분의 저면은, 상기 제2 끝단부의 저면 및 상기 제2 반사부의 저면과 동일 평면 상에 배치되고,
    상기 몸체의 제3 부분은, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 사이에 배치된, 발광 소자 패키지.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 끝단부의 저면은 상기 몸체의 제3 부분의 저면과 동일 평면 상에 배치된, 발광 소자 패키지.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 중 적어도 어느 하나 상에 배치된 보호 소자를 더 포함하는, 발광 소자 패키지.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보호 소자는, 제너 다이오드인, 발광 소자 패키지.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부는 상기 몸체의 상면에 노출되는 상부면을 포함하고,
    상기 제1 반사부의 상부면과 상기 제2 반사부의 상부면 사이에 상기 몸체의 상면의 일부가 배치되고,
    상기 제1 반사부의 상부면은, 상기 몸체의 상면의 일부와 접하는 제1 직선부를 포함하고,
    상기 제2 반사부의 상부면은, 상기 몸체의 상면의 일부와 접하는 제2 직선부를 포함하고,
    상기 제1 직선부와 상기 제2 직선부는 서로 평행한, 발광 소자 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 반사부는 상기 몸체의 상면의 일부와 접하고 상기 제1 직선부와 둔각을 이루는 제3 직선부를 포함하고,
    상기 제2 반사부는 상기 몸체의 상면의 일부와 접하고 상기 제2 직선부와 둔각을 이루는 제4 직선부를 포함하고,
    상기 제3 직선부와 상기 제4 직선부는 서로 대응되도록 배치된, 발광 소자 패키지.
  11. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 몸체의 제1 부분 또는 상기 몸체의 제2 부분은 복수개인, 발광 소자 패키지.
  12. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부는, 형상 및 크기 중 적어도 하나가 서로 대칭적인, 발광 소자 패키지.
  13. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 상부면은 상기 제1 발광 칩의 상부면과 동일 평면 상에 배치되고,
    상기 제2 반사부의 상부면은 상기 제2 발광 칩의 상부면과 동일 평면 상에 배치된, 발광 소자 패키지.
  14. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 상부면은 상기 제1 발광 칩의 상부면보다 더 높이 배치되고,
    상기 제2 반사부의 상부면은 상기 제2 발광 칩의 상부면보다 더 높이 배치된, 발광 소자 패키지.
  15. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 상부면은 상기 제1 발광 칩의 상부면보다 더 낮게 배치되고,
    상기 제2 반사부의 상부면은 상기 제2 발광 칩의 상부면보다 더 낮게 배치된, 발광 소자 패키지.
  16. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반사부의 깊이는 상기 제1 발광 칩의 높이보다 작고, 상기 제1 발광 칩의 높이의 1/2배보다 크며,
    상기 제2 반사부의 깊이는 상기 제2 발광 칩의 높이보다 작고, 상기 제2 발광 칩의 높이의 1/2배보다 큰, 발광 소자 패키지.
  17. 바닥 몸체;
    상기 바닥 몸체 내부에 배치된 제1 베이스부와, 상기 바닥 몸체의 상면에 노출되며 상기 제1 베이스부의 일 측에 연결된 제1 반사부와, 및 상기 바닥 몸체의 일 측면에 노출되며 상기 제1 베이스부의 다른 일 측에 연결된 제1 끝단부를 포함하는 제1 부재;
    상기 바닥 몸체 내부에 배치된 제2 베이스부와, 상기 바닥 몸체의 상면에 노출되며 상기 제2 베이스부의 일 측에 연결된 제2 반사부와, 및 상기 바닥 몸체의 타 측면에 노출되며 상기 제2 베이스부의 다른 일 측에 연결된 제2 끝단부를 포함하고, 상기 바닥 몸체에 의해서 상기 제1 부재와 분리된 제2 부재;
    상기 제1 반사부에 배치된 제1 발광 칩;
    상기 제2 반사부에 배치된 제2 발광 칩;
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 전기적으로 연결하는 와이어;
    상기 바닥 몸체 상에 배치된 측부 몸체;
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 상에 배치되고, 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 발광 칩을 밀봉하고, 상기 바닥 몸체 및 상기 측부 몸체의 재질과 다른 재질로 형성된 봉지재;를 포함하고,
    상기 제1 부재는, 상기 제1 베이스부에 형성된 제1 홀을 갖고,
    상기 제2 부재는, 상기 제2 베이스부에 형성된 제2 홀을 갖고,
    상기 바닥 몸체의 제1 부분은 상기 제1 홀 및 제2 홀에 배치되고,
    상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 각각은, 상기 바닥 몸체의 저면에 노출되는 저면을 포함하고,
    상기 제1 반사부의 저면과 상기 제2 반사부의 저면은, 서로 이격되어 배치되고,
    상기 바닥 몸체의 제2 부분은, 상기 제1 반사부와 상기 제2 반사부 사이에 배치되고,
    상기 바닥 몸체의 상기 제2 부분은 상부와 하부를 포함하고,
    상기 상부의 폭은 상기 하부의 폭과 다른, 발광 소자 패키지.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 하부의 폭은 상기 상부의 폭 보다 넓은, 발광 소자 패키지.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 하부의 폭은 상기 바닥 몸체의 저면으로부터 상기 바닥 몸체의 상면 방향으로 갈수록 감소하는, 발광 소자 패키지.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 와이어는 상기 바닥 몸체의 상기 제2 부분 위에 배치된, 발광 소자 패키지.
  21. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 일 부분은 복수개인, 발광 소자 패키지.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006093435A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ装置
KR100811723B1 (ko) * 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093435A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ装置
KR100811723B1 (ko) * 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지

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