KR101811354B1 - 광흡수층 표면에 포타슘 처리를 통한 czts계 박막 태양전지의 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000011591 potassium Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 20
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N [S].[Se] Chemical compound [S].[Se] ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 CIS Chemical class 0.000 description 1
- 238000010794 Cyclic Steam Stimulation Methods 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L31/0445—
-
- H01L31/02168—
-
- H01L31/02366—
-
- H01L31/0288—
-
- H01L31/0392—
-
- H01L31/18—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1082—Other
- H01L2924/10822—Copper zinc tin sulfide, CZTS [Cu2ZnSnS4]
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
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Abstract
본 발명은 박막형 태양전지를 제작하는데 있어서, 광흡수층 열처리 공정 후에 광흡수층 표면에 포타슘(potassium)을 처리하여 pn 동종접합(pn homojunction) 형성을 원활하게 하여 전지의 전기적 특성 및 광전변환효율을 향상시키는 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 박막 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것으로, 광흡수층 열처리 공정 후에 광흡수층 표면에 포타슘(potassium)을 처리함으로써 pn-동종접합(pn-homojunction)의 형성을 원활하게 하여 전지의 전기적 특성 및 광전변환효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
찰코파이라이트(chalcopyrite) 기반 태양전지 기술은 모든 박막 태양전지 기술 중에서 높은 효율을 확보할 수 있는 가능성이 크다. 이러한 박막 태양전지에는 CIS계열로써, CuInSe2, CuInS2, Cu(In,Ga)Se2 등이 있다. 그러나 이러한 조성으로 이루어진 태양전지는 In의 제한적인 매장량이라는 한계와 비싼 재료라는 문제점으로 인해서, 저가의 박막태양전지를 구현하는데 어려움이 있다. 이를 해결하기 위한 하나의 대안으로 제시되고 있는 것이 Cu2ZnSn(S,Se)4 계열로 흡수층이 이루어진 박막 태양전지이다. CZTS계 박막 태양전지는 흡수층을 구성하는 물질이 지구상에 매우 광범위하게 존재하기 때문에 저가의 태양전지 구현이 가능하다.
그러나, 도 2와 같은 종래의 공정에 따라 제조되는 CZTS계 박막 태양전지의 경우, 광흡수층 상부에 적용되는 버퍼층이 대부분 CdS로 적용되며, 이때, CdS의 밴드갭 에너지는 약 2.42 eV, CZTSe의 경우 밴드갭이 약 1.0 eV, 그리고 CZTS의 경우 밴드갭이 약 1.5 eV로, 두 층의 계면에서의 최적의 밴드갭 구조를 확보하기가 어렵기 때문에 효율 향상에 제한적인 요소로 작용한다. 따라서, 박막 태양전지의 효율 향상을 위해서는 광흡수층과 완충층인 CdS 계면의 조절을 통해서 원활한 pn접합을 형성하는 것이 매우 중요하다.
이와 관련하여, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법과 관련된 종래의 기술로서, 대한민국 공개특허 제10-2012-0085331호에서는 CZTS/Se 전구체 잉크 및 얇은 CZTS/Se 필름과 CZTS/Se계 광전지의 제조방법이 개시된 바 있으나, 이러한 광전지 형성 방법으로 형성된 광전지는 층 간의 계면 결함이 존재하여 높은 광전변환효율을 얻기 힘든 단점이 있다.
이에 본 발명자들은, 높은 광전변환효율을 갖는 CZTS계 박막 태양전지를 제조하는 연구를 수행하던 중, 광흡수층 열처리 공정 후에 광흡수층 표면에 포타슘을 처리하여 pn-동종접합의 형성을 원활하게 함으로써, 높은 광전변환효율을 갖는 CZTS계 박막 태양전지를 제조할 수 있는 방법을 개발하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 전기적 특성 및 광전변환효율이 향상된 CZTS계 박막 태양전지를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 금속 전구체를 증착하는 단계, 상기 증착된 금속 전구체층을 황화 기체 분위기, 셀렌화 기체 분위기 또는 황-셀렌 혼합 기체 분위기 하에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계, 및 상기 광흡수층을 포타슘을 포함하는 용액으로 도핑하는 단계를 포함하는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법은, 광흡수층 열처리 공정 후에 KF 또는 KOH 용액을 이용하여 포타슘을 광흡수층 상부에 도핑함으로써 포타슘과 소듐의 이온 교환(ion exchange)에 의해 포타슘이 도핑되고, 광흡수층 표면의 구리 농도가 낮아짐으로써 이후 증착되는 CdS 완충층의 Cd가 구리 빈자리(Cu vacancy)를 대체함으로써 pn접합을 원활히하여 광전변환효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지의 모식도이다.
도 2는 종래의 CZTS계 박막 태양전지의 제조 공정 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 광흡수층을 도핑하는 단계를 포함하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3에 따라 제조된 CZTS계 박막 태양전지의 개방전압-단략전류를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 4 내지 6에 따라 제조된 CZTS계 박막 태양전지의 개방전압-단략전류를 나타낸 그래프이다.
도 2는 종래의 CZTS계 박막 태양전지의 제조 공정 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 광흡수층을 도핑하는 단계를 포함하는 CZTS계 박막 태양전지의 제조 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3에 따라 제조된 CZTS계 박막 태양전지의 개방전압-단략전류를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 4 내지 6에 따라 제조된 CZTS계 박막 태양전지의 개방전압-단략전류를 나타낸 그래프이다.
본 발명은, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 금속 전구체를 증착하는 단계, 상기 증착된 금속 전구체층을 황화 기체 분위기, 셀렌화 기체 분위기 또는 황-셀렌 혼합 기체 분위기 하에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계, 및 상기 광흡수층을 포타슘을 포함하는 용액으로 도핑하는 단계를 포함하는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법을 제공한다.
일례로, 도 1에 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지의 모식도를 나타내었으며, 이하, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법을 상세히 설명한다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 기판에 제 1 전극을 형성하는 방법으로는 스퍼터링법 또는 증발법이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이때, 상기 기판은 글라스, 세라믹, 금속재료, 폴리머 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다. 글라스 기판의 재료로서 저가의 소다회 유리(sodalime glass)가 사용될 수 있고, 세라믹 기판의 재료로는 알루미나가 사용될 수 있으며, 금속재료는 스테인레스 스틸, 구리 테이프(Cu tape)가 사용될 수 있고, 폴리머로서 폴리마이드(polyimide)와 같은 유연성 있는 고분자 재질 등이 기판으로 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제 1 전극은 니켈, 구리 및 몰리브덴을 사용하여 제조될 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 1 전극으로 몰리브덴(Mo)을 사용할 수 있으며, 몰리브덴을 사용하는 경우 전극으로서 비저항이 낮고 열팽창계수의 차이로 인해 박리 현상이 일어나지 않으며, 기판 상에 접착이 유리하다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지 제조방법은, 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 상에 금속 전구체를 증착하는 단계를 포함한다. 상기 제 1 전극 상에 금속 전구체를 증착하는 방법으로, 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemical bath deposition), VTD법(Vapor transport deposition), 전착법(electrodeposition) 등이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지 제조방법은, 상기 증착된 금속 전구체층을 황화 기체 분위기, 셀렌화 기체 분위기 또는 황-셀렌 혼합 기체 분위기 하에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 광흡수층은 400 내지 700℃의 온도에서 5분 내지 120분 동안 황화공정(sulfurization), 셀렌화공정(selenization), 또는 황화-셀렌화 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이 경우, H2Se 가스, H2S 가스, 또는 이들의 혼합 가스가 사용될 수 있다. H2Se 가스와 H2S 가스의 경우, 기상상태이므로 제어가 비교적 용이한 장점이 있지만 강한 독성이 있어 사용상 주의가 필요하며, 특히, H2Se 가스는 대량 생산에는 매우 위험한 공정에 해당한다. 한편, 상기 광흡수층은 CIS, CIGS, CZTS 등의 CIS계 화합물로 제조될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지 제조방법은, 상기 광흡수층을 포타슘을 포함하는 용액으로 도핑하는 단계를 포함한다. 상기 포타슘을 제공하는 물질로는, 포타슘 플루로라이드(KF), 포타슘 하이드록사이드(KOH), 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있으며, 특히, KF 파우더(powder)를 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 포타슘을 포함하는 용액은 KF, KOH, 또는 이들의 혼합물과 탈이온수(Deionized water)를 혼합하여 제조될 수 있다. 이때, 상기 포타슘을 포함하는 용액 중 포타슘 플루로라이드(KF), 포타슘 하이드록사이드(KOH), 또는 이들의 혼합물의 함량은 0.5 중량% 내지 10 중량%일 수 있으며, 1.0 중량% 내지 4.5 중량%인 것이 바람직하다. 함량이 0.5 중량% 미만인 경우에는 포타슘의 함량이 너무 낮아 포타슘과 소듐 간의 이온 교환이 거의 이루어지지 않아 도핑이 원활하게 이루어지지 않는 문제가 발생할 수 있으며, 함량이 10 중량%를 초과하는 경우에는 광흡수층 표면에 구리 빈자리가 과도하게 발생하여 오히려 광전변환효율이 떨어지는 문제가 생길 수 있다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지 제조방법은, 광흡수층 열처리 공정 후에 KF 용액, KOH 용액, 또는 이들이 혼합된 용액을 이용하여 포타슘을 광흡수층 상부에 도핑함으로써 포타슘과 소듐의 이온 교환에 의해 포타슘이 도핑되는 단계를 포함한다. 포타슘이 도핑되는 경우, 광흡수층 표면의 구리 농도가 낮아짐으로써 이후 증착되는 CdS 완충층의 Cd가 구리 빈자리(Cu vacancy)를 대체함으로써 pn접합을 원활히하여 광전변환효율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 이러한 도핑을 통해, 도핑 처리된 후의 광흡수층 표면에는 포타슘이 존재하게 된다.
일 구현예에서, 본 발명의 광흡수층을 포타슘을 포함하는 용액으로 도핑하는 단계는 40 내지 80℃의 온도를 지닌 포타슘을 포함하는 용액에 광흡수층을 30초 내지 10분 동안 디핑(dipping)시킴으로써 수행될 수 있다. 보다 상세하게는, 상기 도핑 단계는 포타슘을 포함하는 용액을 핫 플레이트(hot plate)를 이용하여 40 내지 80℃의 온도로 가열하고, 이어서 황화 또는 셀렌화 열처리된 광흡수층을 30초 내지 10분 동안 상기 용액에 디핑시키는 것을 포함한다. 이때, 40℃ 미만의 온도를 지닌 용액에서는 낮은 온도로 인해 도핑이 원활하게 이루어지지 않아 개방전압이 저하될 수 있으며, 80℃ 초과의 온도를 지닌 용액에서는, 광흡수층 표면에 구리 빈자리가 과도하게 형성될 수 있고, 이에 Cd가 과잉으로 광흡수층으로 확산됨에 따라 단락전류 특성 및 충진률의 저하가 발생할 수 있다. 또한, 광흡수층을 30초 미만의 시간 동안 디핑시키는 경우 포타슘과 소듐 간의 이온 교환이 거의 이루어지지 않아 도핑이 원활하게 이루어지지 않는 문제가 발생할 수 있으며, 10분 초과의 시간 동안 디핑시키는 경우에는 포타슘이 광흡수층 내부로 깊숙이 확산되게 되어, 광흡수층 벌크(bulk) 내의 포타슘이 CZTS계 광흡수층의 전도대(conduction band, CB) 아래에 전자를 포획할 수 있는 깊은 준위의 도너 준위(donor level)를 형성하게 되며, 이는 결함과 같은 역할을 하게 되기 때문에 개방전압 특성의 저하를 유발시킬 수 있다.
일 구현예에서, 본 발명에 따른 CZTS계 박막 태양전지 제조방법은, 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계, 및 상기 윈도우층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 진공공정, 열 증착공정 및 화학적 용액 성장법(Chemical Bath Deposition) 등을 통해 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 CdS, ZnS, Zn(O,S), CdZnS, Inx(OH,S)y, ZnSe 및 Zn1-xMgxO 등의 물질로 제조될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 상기 버퍼층의 두께는 10 내지 200 nm일 수 있다. 만약, 상기 버퍼층의 두께가 10 nm 미만이거나 200 nm 를 초과하는 경우에는 광투과율이 감소하며, 공핍층 폭의 증가로 인해 전자가 상부 전극으로 전달되기 어려운 문제점이 발생할 수 있다.
상기 윈도우층은 진공공정, 열 증착공정, 화학적 용액 성장법(Chemical Bath Deposition) 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 이때, 상기 윈도우층은 ZnO:Al, ZnO:B(BZO) 및 ZnO:Ga(GZO) 등의 물질로 제조될 수 있고, 특히, 광투과율이 높고 전기 전도성이 우수한 재료를 적절히 선택하여 제조될 수 있다. 한편, 상기 윈도우층의 두께는 100 내지 1000 nm일 수 있다. 만약, 상기 윈도우층의 두께가 100 nm 미만이거나 1000 nm 를 초과하는 경우에는 광투과율의 감소와 전류-전압 특성의 저하로 박막의 광전변환효율이 감소하는 문제점이 발생할 수 있다.
일 구현예에서, 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 박막 태양전지는 포타슘이 광흡수층 상부에 도핑됨에 따라 광흡수층 표면의 구리 농도가 낮아지고, 이후 증착되는 CdS 완충층의 Cd가 구리 빈자리를 대체함으로써 pn접합을 원활히하여 종래의 CZTS계 박막 태양전지에 비해 향상된 광전변환효율을 갖는다.
이하, 본 발명의 실시예를 통하여 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 하기 실시예들은 본 발명의 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예
<실시예 1>
도 3에 나타낸 제조 공정 순서에 따라 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
단계 1: 소다회 유리(sodalime glass) 기판 위에 스퍼터링 공정으로 몰리브덴(Mo) 제 1 전극층을 형성하였다.
단계 2: 상기 몰리브덴 제 1 전극층 상에 CZTS 전구체인 ZnS, SnS, Cu를 각각의 화합물 타겟으로 활용하여 ZnS-SnS-Cu의 순서로 스퍼터링 공정으로 증착한 후, 아르곤(Ar) 분위기 하의 튜브 퍼니스(Tube furnace)에서, 600℃의 온도로 30분 동안 열처리를 수행함으로써 황화 공정을 거쳐 광흡수층의 재결정화 공정을 수행하였다.
단계 3: 4.5 중량%의 KF를 포함하는 용액을 핫 플레이트 위에서 80℃의 온도로 가열한 후, 황화 열처리된 광흡수층 샘플을 10분 동안 디핑시킨 후 꺼내서 탈이온수로 세척한 다음에, 질소 블로잉(blowing)을 통해 건조시켰다.
단계 4: 상기 CZTS계 광흡수층 상에 CdS 버퍼층을 70℃의 온도에서 30분 동안 화학적 용액성장법(CBD : Chemical Bath Deposition)을 이용하여 형성하였다.
단계 5: 상기 CdS 버퍼층을 핫 플레이트(Hot Plate)상에서 200℃의 온도에서 2분 동안 열처리하였다.
단계 6: 상기 CdS 버퍼층 상에 진공증착장비를 이용하여 스퍼터링 방법으로 ZnO:Al 윈도우층을 형성하였다.
단계 7: 상기 ZnO:Al 윈도우층 상에 증발기(Co-evaporator)를 이용하여 알루미늄 그리드 전극을 형성하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
<실시예 2>
상기 실시예 1의 단계 3에서 4.5 중량%의 KF를 포함하는 용액을 핫 플레이트 위에서 80℃의 온도로 가열한 후, 황화 열처리된 광흡수층 샘플을 5분 동안 디핑시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1의 단계 3에서 4.5 중량%의 KF를 포함하는 용액을 핫 플레이트 위에서 80℃의 온도로 가열한 후, 황화 열처리된 광흡수층 샘플을 1분 동안 디핑시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
<실시예 4>
상기 실시예 1의 단계 3에서 4.5 중량%의 KF를 포함하는 용액을 핫 플레이트 위에서 80℃의 온도로 가열한 후, 황화 열처리된 광흡수층 샘플을 30초 동안 디핑시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
<실시예 5>
상기 실시예 1의 단계 3에서 2.0 중량%의 KF를 포함하는 용액을 핫 플레이트 위에서 40℃의 온도로 가열한 후, 황화 열처리된 광흡수층 샘플을 30초 동안 디핑시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
<실시예 6>
상기 실시예 1의 단계 3에서 1.0 중량%의 KF를 포함하는 용액을 핫 플레이트 위에서 40℃의 온도로 가열한 후, 황화 열처리된 광흡수층 샘플을 30초 동안 디핑시킨 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
<비교예>
도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예 1의 단계 3을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 수행하여 CZTS계 박막 태양전지를 제조하였다.
결과
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예에 따라 제조된 박막 태양전지의 전지특성은 하기 표 1에 나타낸 바와 같다.
| 샘플 | KF 무게비 (중량%) |
KF 공정조건 |
개방전압 (mV) |
단락전류 (mA/cm2) |
충진률 (%) |
효율 (%) |
| 비교예 | X | X | 36.7 | 29.6 | 44.9 | 4.9 |
| 실시예1 | 4.5 | 80℃ / 10분 | 27.8 | 15.7 | 25.0 | 1.1 |
| 실시예2 | 4.5 | 80℃ / 5분 | 33.2 | 29.3 | 35.4 | 3.4 |
| 실시예3 | 4.5 | 80℃ / 1분 | 37.4 | 33.9 | 60.3 | 7.6 |
| 실시예4 | 4.5 | 80℃ / 30초 | 35.4 | 33.3 | 58.8 | 6.9 |
| 실시예5 | 2.0 | 40℃ / 30초 | 37.3 | 31.6 | 63.2 | 7.4 |
| 실시예6 | 1.0 | 40℃ / 30초 | 39.0 | 30.4 | 49.6 | 5.9 |
상기 표 1 및 도 4에 나타난 바와 같이, 실시예 3의 경우, 비교예에 비해 개방전압이 대략 0.7 mV, 단락전류가 대략 4.3 mA/cm2 정도 높은 것으로 나타났으며, 충진률 및 광전변환효율 또한 비교예에 비해 우수한 것으로 나타났다.
또한, 상기 표 1 및 도 5에 나타난 바와 같이, 실시예 4 내지 6에 따라 제조된 박막 태양전지의 전지특성이 비교예에 비해 우수한 것으로 나타났다.
한편, 동일한 KF 함량을 지닌 실시예 1 내지 4를 비교해보면, 80℃의 온도에서 1분 동안 디핑시킨 실시예 3이 가장 우수한 충진률 및 광전변환효율을 나타냈으며, 동일한 KF 공정 조건을 지닌 실시예 5와 6을 비교해보면, 2.0 중량%의 KF를 함유하는 실시예 5가 실시예 6에 비해 우수한 충진률 및 광전변환효율을 나타냈다.
100 : 기판
200 : 제 1 전극
300 : 광흡수층
400 : 버퍼층
500 : 윈도우층
600 : 제 2 전극
200 : 제 1 전극
300 : 광흡수층
400 : 버퍼층
500 : 윈도우층
600 : 제 2 전극
Claims (9)
- 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 금속 전구체를 증착하는 단계;
상기 증착된 금속 전구체층을 황화 기체 분위기, 셀렌화 기체 분위기 또는 황-셀렌 혼합 기체 분위기 하에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계;
상기 광흡수층을 포타슘 플루로라이드(KF) 파우더(powder)를 2.0 중량 % 내지 4.5 중량 %를 포함하는 용액으로 도핑하는 단계; 및
상기 광흡수층 상에 CdS를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 도핑하는 단계는 40℃ 내지 80℃의 온도를 지닌 KF 파우더를 포함하는 용액에 광흡수층을 30초 내지 1분 동안 디핑(dipping)시키는 것을 특징으로 하고,
상기 도핑하는 단계에서는 상기 광흡수층 표면의 구리 빈자리(Cu vacancy)가 형성되고,
상기 버퍼층을 형성하는 단계 후에, 상기 구리 빈자리에 Cd가 확산되는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 도핑하는 단계 후에, 상기 광흡수층 표면에 포타슘이 존재하는 것을 특징으로 하는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 전구체층이 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), CVD법(Chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착(MOCVD), 근접승화법(Close-spaced sublimation, CSS), 스프레이 피롤리시스(Spray pyrolysis), 화학 스프레이법(Chemical spraying), 스크린프린팅법(Screeen printing), 비진공 액상성막법, CBD법(Chemical bath deposition), VTD법(Vapor transport deposition) 및 전착법(electrodeposition) 중에서 선택된 하나 이상의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 광흡수층이 CIS, CIGS 또는 CZTS인 것을 특징으로 하는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및
상기 윈도우층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, CZTS계 박막 태양전지의 제조방법. - 제 1항, 제5항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 박막 태양전지.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150122647A KR101811354B1 (ko) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | 광흡수층 표면에 포타슘 처리를 통한 czts계 박막 태양전지의 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR101811354B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013004743A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Showa Shell Sekiyu Kk | Ｃｚｔｓ系薄膜太陽電池の製造方法及びｃｚｔｓ系薄膜太陽電池 |
| JP2014130858A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Fujifilm Corp | 光電変換素子および光電変換素子のバッファ層の製造方法 |
-
2015
- 2015-08-31 KR KR1020150122647A patent/KR101811354B1/ko active IP Right Grant
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Marie Buffiere et al., "KCN Chemical Etch for Interface Engineering in Cu2ZnSnSe4 Solar Cells", ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, Vol.7, pp.14690-14698* |
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|---|---|
| KR20170025744A (ko) | 2017-03-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150831 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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|
| AMND | Amendment | ||
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|
| PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20171213 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20171128 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20171027 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20170605 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
|
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
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|
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Payment date: 20171218 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
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| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210927 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220923 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231010 Start annual number: 7 End annual number: 7 |