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KR101734550B1 - Light emitting device and light emitting device package - Google Patents

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KR101734550B1
KR101734550B1 KR1020100110031A KR20100110031A KR101734550B1 KR 101734550 B1 KR101734550 B1 KR 101734550B1 KR 1020100110031 A KR1020100110031 A KR 1020100110031A KR 20100110031 A KR20100110031 A KR 20100110031A KR 101734550 B1 KR101734550 B1 KR 101734550B1
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정환희
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 실시예에 따른 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상에 배치되는 투광층; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극을 포함한다. 상기 발광 구조층 상에 위치한 상기 투광층의 제1 면의 모서리와 상기 제1 면에 대응하는 상기 투광층의 제2 면의 모서리를 연결하는 상기 투광층의 측면이 상기 제1 면에 대하여 경사지게 형성된다. The light emitting device according to the present embodiment includes a substrate; A light emitting structure layer disposed on the substrate and including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A light-transmitting layer disposed on the light-emitting structure layer; And an electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. The side surface of the light transmitting layer connecting the edge of the first surface of the light transmitting layer located on the light emitting structure layer and the edge of the second surface of the light transmitting layer corresponding to the first surface is formed to be inclined with respect to the first surface do.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE} [0001] LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

본 기재는 발광 소자 빛 발광 소자 패키지에 관한 것이다. The present disclosure relates to a light emitting device light emitting device package.

발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. Light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor devices that convert electrical energy into light. The light emitting diode has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.

이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 발광 소자를 사용하는 경우가 증가되고 있는 추세이다.Therefore, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and there is an increasing tendency to use a light emitting element as a light source for various lamps, liquid crystal display devices, electric sign boards, to be.

실시예는 효율을 향상할 수 있는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다. Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package capable of improving efficiency.

본 실시예에 따른 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상에 배치되는 투광층; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극을 포함한다. 상기 발광 구조층 상에 위치한 상기 투광층의 제1 면의 모서리와 상기 제1 면에 대응하는 상기 투광층의 제2 면의 모서리를 연결하는 상기 투광층의 측면이 상기 제1 면에 대하여 경사지게 형성된다. The light emitting device according to the present embodiment includes a substrate; A light emitting structure layer disposed on the substrate and including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A light-transmitting layer disposed on the light-emitting structure layer; And an electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. The side surface of the light transmitting layer connecting the edge of the first surface of the light transmitting layer located on the light emitting structure layer and the edge of the second surface of the light transmitting layer corresponding to the first surface is formed to be inclined with respect to the first surface do.

본 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및 상기 패키지 몸체 상에 배치되어 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층에 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함한다. 상기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상에 배치되는 투광층; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극을 포함한다. 상기 발광 구조층 상에 위치한 상기 투광층의 제1 면의 모서리와 상기 제1 면에 대응하는 상기 투광층의 제2 면의 모서리를 연결하는 상기 투광층의 측면이 상기 제1 면에 대하여 경사지게 형성된다.The light emitting device package according to the present embodiment includes a package body; A first electrode layer and a second electrode layer provided on the package body; And a light emitting device disposed on the package body and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer. The light emitting device includes: a substrate; A light emitting structure layer disposed on the substrate and including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A light-transmitting layer disposed on the light-emitting structure layer; And an electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer. The side surface of the light transmitting layer connecting the edge of the first surface of the light transmitting layer located on the light emitting structure layer and the edge of the second surface of the light transmitting layer corresponding to the first surface is formed to be inclined with respect to the first surface do.

실시예에 따르면, 일정 두께를 가지는 투광층을 발광 구조층 상에 형성하여 발광 구조층에서 생성된 빛이 수직 방향으로 집중되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해 빛이 수직 방향으로 집중될 경우 발생할 수 있는 효율 저하 및 형광체 열화(degradation) 등의 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. According to the embodiment, it is possible to prevent light generated in the light emitting structure layer from concentrating in the vertical direction by forming a light transmitting layer having a certain thickness on the light emitting structure layer. Accordingly, it is possible to effectively prevent phenomena such as degradation of efficiency and degradation of phosphors that may occur when light is concentrated in the vertical direction.

이때, 투광층의 측면을 경사지게 형성하고 이 측면에 광 추출 패턴을 형성하여, 측면 방향의 빛을 좀더 골고루 퍼질 수 있도록 할 수 있다. 이에 의하여 이에 의하여 측면 발광을 좀더 증가시켜 측면 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 발광 효율을 극대화할 수 있다. At this time, the side surface of the light-transmitting layer may be formed to be inclined and a light extracting pattern may be formed on the side surface of the light-transmitting layer so that light in the lateral direction can be spread evenly. As a result, the lateral light emission can be further increased to improve the side light emission efficiency and maximize the light emission efficiency.

이러한 투광층의 굴절률을 발광 구조층의 굴절률보다 크고 몰딩 부재의 굴절률보다 작게 하여 광 추출 효율을 향상할 수 있다. 그리고 이러한 투광층에 의하여 발광 구조층과 형광체를 이격시켜 효율을 좀더 향상할 수 있다. The light extraction efficiency can be improved by making the refractive index of the light transmitting layer larger than the refractive index of the light emitting structure layer and smaller than the refractive index of the molding member. The efficiency of the light emitting structure layer can be further improved by separating the phosphor layer from the light emitting structure layer.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 2 내지 도 14는 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법의 단계들을 도시한 단면도들이다.
도 15는 제1 실시예의 일 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 16는 제1 실시예의 다른 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 17은 제2 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 18은 제3 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 19는 제3 실시예의 일 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 20는 제3 실시예의 다른 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 21은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 22는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다.
도 23은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
FIGS. 2 to 14 are cross-sectional views illustrating steps of a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
15 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a modification of the first embodiment.
16 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another modification of the first embodiment.
17 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the second embodiment.
18 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the third embodiment.
19 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a modification of the third embodiment.
20 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another modification of the third embodiment.
21 is a cross-sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.
22 is a view illustrating a backlight unit including the light emitting device package according to the embodiment.
23 is a view for explaining a lighting unit including the light emitting device package according to the embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는, 전도성 지지 기판(175), 상기 전도성 지지 기판(175) 상에 빛을 생성하는 발광 구조층(135), 이 발광 구조층(135) 상에 전극(115) 및 투광층(190)을 포함한다. 발광 구조층(135)은 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 포함하며, 제1 및 제2 도전형 반도체층(110, 130)으로부터 제공되는 전자 및 정공이 상기 활성층(120)에서 재결합(recombination)됨으로써 빛을 생성할 수 있다.1, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a conductive supporting substrate 175, a light emitting structure layer 135 that generates light on the conductive supporting substrate 175, a light emitting structure layer 135 And an electrode 115 and a light-transmitting layer 190 on the light- The light emitting structure layer 135 includes a first conductivity type semiconductor layer 110, an active layer 120 and a second conductivity type semiconductor layer 130. The first and second conductivity type semiconductor layers 110 and 130 The provided electrons and holes are recombined in the active layer 120 to generate light.

전도성 지지 기판(175)과 발광 구조층(135) 사이에는 접합층(170), 반사층(160), 오믹층(150), 전류 차단층(current blocking layer, CBL)(145), 보호 부재(140) 등이 위치할 수 있고, 발광 구조층(135)의 측면으로 패시베이션층(180)이 형성될 수 있다. 이에 대하여 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. A reflective layer 160, an ohmic layer 150, a current blocking layer (CBL) 145, and a protective member 140 (not shown) are formed between the conductive supporting substrate 175 and the light emitting structure layer 135. [ And the passivation layer 180 may be formed on the side surface of the light emitting structure layer 135. [ This will be described in more detail as follows.

전도성 지지 기판(175)은 발광 구조층(135)을 지지하며 전극(115)과 함께 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 전도성 지지 기판(175)은 전도성 물질 또는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전도성 지지 기판(175)이 Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 전도성 지지 기판(175) 대신 절연성의 기판을 사용하고 별도의 전극을 형성하는 것도 가능하다. The conductive support substrate 175 may support the light emitting structure layer 135 and may provide power to the light emitting structure layer 135 together with the electrode 115. The conductive support substrate 175 may comprise a conductive material or a semiconductor material. For example, the conductive support substrate 175 may include at least one of Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe and GaN. However, the embodiment is not limited thereto, and it is also possible to use an insulating substrate instead of the conductive supporting substrate 175 and to form a separate electrode.

이러한 전도성 지지 기판(175)은 도금 방식으로 형성되거나 또는 시트 형태로 접착될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. The conductive supporting substrate 175 may be formed by a plating method or may be adhered in a sheet form, but the present invention is not limited thereto.

전도성 지지 기판(175)은 30㎛ 내지 500㎛의 두께를 가질 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있다. The conductive support substrate 175 may have a thickness of 30 [mu] m to 500 [mu] m. However, the present invention is not limited thereto, and may vary depending on the design of the light emitting device 100.

이러한 전도성 지지 기판(175) 상에 접합층(170)이 형성될 수 있다. 접합층(170)은 본딩층으로서, 반사층(160)과 보호 부재(140) 아래에 형성될 수 있다. 접합층(170)은 반사층(160), 오믹층(150)의 단부 및 보호 부재(140)에 접촉되어, 반사층(160), 오믹층(150) 및 보호 부재(140) 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다. A bonding layer 170 may be formed on the conductive supporting substrate 175. The bonding layer 170 may be formed as a bonding layer under the reflective layer 160 and the protective member 140. The bonding layer 170 is in contact with the reflective layer 160, the end of the ohmic layer 150 and the protective member 140 to strengthen the adhesion between the reflective layer 160, the ohmic layer 150 and the protective member 140 You can give.

접합층(170)은 배리어 금속 또는 본딩 금속을 포함하다. 예를 들어, 접합층(170)은 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Al, Si, Ag, Ta 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The bonding layer 170 includes a barrier metal or a bonding metal. For example, the bonding layer 170 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Al, Si, Ag, Ta and alloys thereof.

이러한 접합층(170) 상에는 반사층(160)이 형성될 수 있다. 반사층(160)은 발광 구조층(135)에서 발생되어 반사층(160) 쪽으로 향하는 빛을 반사시켜, 발광 소자(100)의 발광 효율을 개선시켜 줄 수 있다. A reflective layer 160 may be formed on the bonding layer 170. The reflective layer 160 reflects light generated in the light emitting structure layer 135 and directed toward the reflective layer 160 to improve the light emitting efficiency of the light emitting device 100.

예를 들어, 반사층(160)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 반사층(160)은 상술한 금속 또는 합금과, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), AZO(aluminium zinc oxide), ATO(antimony tin oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사층(160)이 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등의 적층 구조를 포함할 수 있다. For example, the reflective layer 160 may include at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf or an alloy thereof. The reflective layer 160 may be formed of any one of the above-described metals or alloys, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium tin oxide ), IGZO (indium gallium zinc oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), or the like. For example, the reflective layer 160 may include a layered structure of IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, Ag / Cu, and Ag / Pd / Cu.

반사층(160) 상에 오믹층(150)이 형성될 수 있다. 오믹층(150)은 제2 도전형 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급될 수 있도록 한다. 오믹층(150)은, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, In, Zn, Sn, Ni, Ag, Pt, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.The ohmic layer 150 may be formed on the reflective layer 160. The ohmic layer 150 is in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer 130 to allow power to be smoothly supplied to the light emitting structure layer 135. Ohmic layer 150, ITO, IZO, IZTO, IAZO , IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO (gallium zinc oxide), IrO x, RuO x, RuO x / ITO, In, Zn, Sn, Ni, Ag , Pt, Ni / IrO x / Au, or Ni / IrO x / Au / ITO.

이와 같이 실시예에서는 반사층(160)의 상면이 오믹층(150)과 접촉하는 것을 예시하였다. 그러나 반사층(160)이 보호 부재(140), 전류 차단층(145) 또는 발광 구조층(135)과 접촉하는 것도 가능하다. In this embodiment, the upper surface of the reflective layer 160 is in contact with the ohmic layer 150. However, it is also possible for the reflective layer 160 to contact the protective member 140, the current blocking layer 145, or the light emitting structure layer 135.

이러한 오믹층(150)과 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 전류 차단층(145)이 형성될 수 있다. 전류 차단층(145)의 상면은 제2 도전형 반도체층(130)과 접촉하고, 전류 차단층(145)의 하면 및 측면은 오믹층(150)과 접촉할 수 있다. A current blocking layer 145 may be formed between the ohmic layer 150 and the second conductive semiconductor layer 130. The upper surface of the current blocking layer 145 is in contact with the second conductivity type semiconductor layer 130 and the lower surface and the side surface of the current blocking layer 145 can be in contact with the ohmic layer 150.

전류 차단층(145)은 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 전극(115)과 전도성 지지 기판(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. The current blocking layer 145 may be formed so as to overlap at least part of the electrode 115 in the vertical direction so that the current is concentrated at the shortest distance between the electrode 115 and the conductive supporting substrate 175 So that the luminous efficiency of the luminous means 100 can be improved.

전류 차단층(145)은 전기 절연성을 가지는 물질, 반사층(160) 또는 접합층(170)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 또는 제2 도전형 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 전류 차단층(145)은, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The current blocking layer 145 may be formed of a material having electrical conductivity, a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 160 or the bonding layer 170, or a material forming a Schottky contact with the second conductive semiconductor layer 130 . For example, the current blocking layer 145, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3 , TiO x , TiO 2 , Ti, Al, or Cr.

이와 같이 오믹층(150)이 전류 차단층(145)의 하면 및 측면에 접촉하는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 따라서, 오믹층(150)과 전류 차단층(145)이 서로 이격되어 배치되거나, 오믹층(150)이 전류 차단층(145)의 측면에만 접촉할 수도 있다. 또는, 전류 차단층(145)이 반사층(160)과 오믹층(150) 사이에 형성될 수도 있다. The ohmic layer 150 is in contact with the lower surface and the side surface of the current blocking layer 145, but the present invention is not limited thereto. Therefore, the ohmic layer 150 and the current blocking layer 145 may be spaced apart from each other, or the ohmic layer 150 may contact only the side surface of the current blocking layer 145. Alternatively, the current blocking layer 145 may be formed between the reflective layer 160 and the ohmic layer 150.

상술한 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 보호 부재(140)가 형성될 수 있다. 즉, 보호 부재(140)는 발광 구조층(135)과 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있으며, 이에 의해 링 형상, 루프 형상, 프레임 형상 등으로 형성될 수 있다. 보호 부재(140)는 일부분이 발광 구조층(135)과 수직 방향에서 중첩될 수 있다. The protective member 140 may be formed on the peripheral region of the upper surface of the bonding layer 170 described above. That is, the protective member 140 may be formed in a peripheral region between the light emitting structure layer 135 and the bonding layer 170, and may be formed into a ring shape, a loop shape, a frame shape, or the like. The protective member 140 may be partially overlapped with the light emitting structure layer 135 in the vertical direction.

이러한 보호 부재(140)는 접합층(170)과 활성층(120) 사이의 측면에서의 거리를 증가시켜 접합층(170)과 활성층(120) 사이의 전기적 단락의 발생 가능성을 줄일 수 있다. 그리고 보호 부재(140)가 발광 구조층(135)과 전도성 지지 기판(175) 사이의 틈새로 수분 등이 침투되는 것도 방지할 수 있다. The protective member 140 may increase the distance between the bonding layer 170 and the active layer 120 to reduce the possibility of an electrical short circuit between the bonding layer 170 and the active layer 120. Also, it is possible to prevent moisture and the like from penetrating into the gap between the light emitting structure layer 135 and the conductive supporting substrate 175 by the protective member 140.

또한, 보호 부재(140)는 칩 분리 공정에서 전기적 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 좀더 구체적으로 설명하면, 발광 구조층(135)을 단위 칩 영역으로 분리하기 위하여 아이솔레이션 에칭(isolation etching)을 하는 경우, 접합층(170)에서 발생된 파편이 제2 도전형 반도체층(130)과 활성층(120) 사이 또는 활성층(120)과 제1 도전형 반도체층(110) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생할 수 있는데, 보호 부재(140)는 이러한 전기적 단락을 방지한다. 이에 보호 부재(140)는 아이솔레이션 에칭 시 깨지지 않거나 파편이 발생되지 않는 물질, 또는 극히 일부분이 깨지거나 소량의 파편이 발생되더라도 전기적 단락을 일으키지 않는 절연성 물질로 형성될 수 있다. Further, the protection member 140 can prevent an electrical short in the chip separation process. More specifically, when isolation etching is performed to separate the light emitting structure layer 135 into the unit chip regions, the debris generated in the bonding layer 170 may be transferred to the second conductivity type semiconductor layer 130 and / An electrical short circuit may occur between the active layers 120 or between the active layer 120 and the first conductivity type semiconductor layer 110. The protection member 140 prevents such an electrical short circuit. Accordingly, the protection member 140 may be formed of an insulating material that does not break or break when the isolation is etched, or that does not cause an electrical short circuit even if a small portion is broken or a small amount of debris is generated.

보호 부재(140)는 전기 절연성을 가지는 물질, 반사층(160) 또는 접합층(170)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 또는 제2 도전형 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질을 이용하여 형성될 수 있다. The protective member 140 may be formed of a material having electrical insulation, a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 160 or the bonding layer 170, or a material forming a Schottky contact with the second conductive semiconductor layer 130 .

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 보호 부재(140)가 금속으로 이루어질 수도 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. However, the embodiment is not limited thereto, and the protection member 140 may be made of metal, which is also within the scope of the present invention.

예를 들어, 보호 부재(140)는, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the protective member 140, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO x , TiO 2 , Ti, Al, or Cr.

그리고 오믹층(150) 및 보호 부재(140) 상에 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다. 발광 구조층(135)의 측면은 복수 개의 칩을 단위 칩 영역으로 구분하는 아이솔레이션 에칭에 의해 경사를 가질 수 있다. The light emitting structure layer 135 may be formed on the ohmic layer 150 and the protective member 140. The side surface of the light emitting structure layer 135 may be inclined by isolation etching that divides a plurality of chips into unit chip regions.

발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(110), 제2 도전형 반도체층(130) 및 이들 사이에 위치한 활성층(120)을 포함할 수 있다. 이때, 제2 도전형 반도체층(130)이 오믹층(150)과 보호 부재(140) 상에 위치하고, 활성층(120)이 제2 도전형 반도체층(130) 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층(110)이 활성층(120) 상에 위치할 수 있다. The light emitting structure layer 135 may include a plurality of Group III-V compound semiconductor layers and may include a first conductive semiconductor layer 110, a second conductive semiconductor layer 130, (120). At this time, the second conductivity type semiconductor layer 130 is located on the ohmic layer 150 and the protection member 140, the active layer 120 is located on the second conductivity type semiconductor layer 130, The layer 110 may be located on the active layer 120.

제1 도전형 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 일례로, 제1 도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층을 포함할 수 있다. 이러한 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료에 n형 도펀트가 도핑되어 형성될 수 있다. 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 포함되어 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 110 may include a compound semiconductor of a group III-V element doped with the first conductive dopant. For example, the first conductivity type semiconductor layer 110 may include an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is an n-type dopant in a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) doped . For example, n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te can be formed in GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The first conductive semiconductor layer 110 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

활성층(120)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(multi quantum well, MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The active layer 120 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum wire structure, but is not limited thereto.

활성층(120)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 활성층(120)이 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 활성층(120)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있다. 일례로, 활성층(120)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The active layer 120 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the active layer 120 is formed of a multiple quantum well structure, the active layer 120 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the well layer / barrier layer of the active layer 120 may have any one or more of a pair structure of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) But is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

이러한 활성층(120)의 위 및/또는 아래에는 n형 또는 p형 도펀트가 도핑된 클래드층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 이 클래드층은 AlGaN층 또는 InAlGaN층을 포함할 수 있다. A cladding layer (not shown) doped with an n-type or p-type dopant may be formed on and / or below the active layer 120, and the cladding layer may include an AlGaN layer or an InAlGaN layer.

제2 도전형 반도체층(130)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 일례로, 제2 도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 이러한 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료에 p형 도펀트가 도핑되어 형성될 수 있다. 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에 Mg, Zn, Ca, Sr, Br 등의 p형 도펀트가 포함되어 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductive semiconductor layer 130 may include a compound semiconductor of a Group III-V element doped with a second conductive dopant. For example, the second conductive semiconductor layer 130 may include a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a p-type dopant doped into the semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) . For example, p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Br may be formed in GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 130 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상술한 설명에서는 제1 도전형 반도체층(110)이 n형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층(130)이 p형 반도체층을 포함하는 것을 예시하였다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층을 포함하고 제2 도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(130) 아래에 또 다른 n형 또는 p형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 구조층(135)은, np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(110) 및 제2 도전형 반도체층(130) 내의 도펀트의 도핑 농도는 균일할 수도 있고, 불균일할 수도 있다. 즉, 발광 구조층(135)의 구조는 다양하게 변형될 수 있으며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. In the above description, the first conductivity type semiconductor layer 110 includes an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 130 includes a p-type semiconductor layer. However, the embodiment is not limited thereto. Accordingly, the first conductive semiconductor layer 110 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 130 may include an n-type semiconductor layer. In addition, another n-type or p-type semiconductor layer (not shown) may be formed under the second conductive semiconductor layer 130. Accordingly, the light emitting structure layer 135 may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures. In addition, the doping concentrations of the dopants in the first conductivity type semiconductor layer 110 and the second conductivity type semiconductor layer 130 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure layer 135 may be variously modified, and the embodiment is not limited thereto.

이러한 발광 구조층(135) 상에 투광층(190)이 형성된다. 이러한 투광층(190)은 투광성을 가지는 물질, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, GaN, ZnO, ITO 등을 포함할 수 있다. A light-transmitting layer 190 is formed on the light-emitting structure layer 135. The light-transmitting layer 190 may include a light-transmitting material such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , GaN, ZnO, ITO and the like.

이때, 이러한 투광층(190)은 발광 구조층(135)을 구성하는 물질(일례로, 질화 갈륨(GaN))보다 굴절률이 크고, 이 발광 소자(100)를 몰딩하는 몰딩 부재(도 17의 참조부호 40)보다 굴절률이 작은 물질로 구성될 수 있다. 이에 의해 발광 소자(100)에서 발생된 빛이 외부로 좀더 잘 방출되도록 할 수 있다. 일례로, SiO2의 굴절률이 대략 1.5, Al2O3의 굴절률이 대략 1.7로 상술한 조건을 만족할 수 있다. At this time, the light transmitting layer 190 has a refractive index higher than that of the material (for example, gallium nitride (GaN)) constituting the light emitting structure layer 135, And 40). As a result, the light emitted from the light emitting device 100 can be emitted to the outside more easily. For example, the refractive index of SiO 2 is approximately 1.5, and the refractive index of Al 2 O 3 is approximately 1.7.

본 실시예에서는 일정 두께보다 큰 두께를 가지는 투광층(190)을 발광 구조층(135) 상에 형성하여 발광 구조층(135)에서 생성된 빛이 수직 방향으로 집중되는 것을 방지할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명하면, 전극(115)과 제2 도전형 반도체층(130)이 수직 방향으로 위치할 경우 빛(특히, 청색 빛)이 발광 소자(135)의 수직 방향으로 집중될 수 있는데, 본 실시예에서는 빛이 투광층(190)을 통과하면서 측면 방향으로 방출될 수 있도록 한다. 이에 의해 빛이 수직 방향으로 집중될 경우 발생할 수 있는 효율 저하 및 형광체 열화(degradation) 등의 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. In this embodiment, the light transmitting layer 190 having a thickness greater than a certain thickness may be formed on the light emitting structure layer 135 to prevent light generated in the light emitting structure layer 135 from concentrating in the vertical direction. More specifically, when the electrode 115 and the second conductivity type semiconductor layer 130 are positioned in the vertical direction, light (particularly, blue light) may be concentrated in the vertical direction of the light emitting device 135, In this embodiment, light can be emitted in the lateral direction while passing through the light-transmitting layer 190. Accordingly, it is possible to effectively prevent phenomena such as degradation of efficiency and degradation of phosphors that may occur when light is concentrated in the vertical direction.

본 실시예에서는 발광 구조층(135) 상에 위치한 투광층(190)의 제1 면(이하 “하면”)(190a)의 모서리와 제2 면(이하 “상면”)(190b)의 모서리를 연결하는 투광층(190)의 전체적인 측면(190c)이 하면(190a)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다. 이러한 경사진 측면(190c)에 의하여 발광 구조층(135)에서 생성된 광이 측면 방향에서 골고루 퍼질 수 있다. 이에 의하여 발광 소자(100)의 측면 발광을 좀더 증가시켜 측면 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 발광 효율을 극대화할 수 있다. In this embodiment, the edge of the first surface (hereinafter referred to as "lower surface") 190a and the edge of the second surface (hereinafter referred to as "upper surface") 190b located on the light emitting structure layer 135 are connected The entire side surface 190c of the light-transmitting layer 190 may be inclined with respect to the lower surface 190a. By this inclined side surface 190c, the light generated in the light emitting structure layer 135 can be spread evenly in the lateral direction. As a result, the side light emission of the light emitting device 100 can be further increased to improve the side light emission efficiency and maximize the light emission efficiency.

이때, 투광층(190)의 측면(190c)과 하면(190a)이 이루는 각도(θ)가 45도 이상이고 90도 미만일 수 있다. 이 각도(θ)가 90도이면 측면(190c)을 경사지게 형성할 수 없고, 90도를 초과하면 투광층(190)의 상면(190b)이 하면(190a)보다 넓어져 구조적 안정성이 저하될 수 있다. 그리고 이 각도(θ)가 45도 미만이면 투광층(190)의 상면(190b)이 좁아져서 발광 구조층(135)의 수직 방향으로 향하는 빛이 방출되는 영역이 지나치게 줄어들어 효율이 저하될 수 있다. At this time, the angle [theta] formed by the side surface 190c of the light transmitting layer 190 and the bottom surface 190a may be 45 degrees or more and less than 90 degrees. When the angle? Is 90 degrees, the side surface 190c can not be inclined. When the angle exceeds 90 degrees, the top surface 190b of the light-transmitting layer 190 is wider than the bottom surface 190a, . If the angle? Is less than 45 degrees, the top surface 190b of the light-transmitting layer 190 becomes narrow, and the region where the light directed in the vertical direction of the light emitting structure layer 135 is emitted is excessively reduced.

이러한 투광층(190)의 측면(190c)에 제1 광추출 패턴(192)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제1 광추출 패턴(192)은 계단 형상을 가지면서 형성될 수 있다. 투광층(190)의 측면(190c)에 계단 형상으로 제1 광추출 패턴(192)을 형성하여 측면(190c)을 경사지게 형성하기 용이하게 하면서, 표면에서 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 광 추출 효과를 향상하는 효과를 동시에 구현할 수 있다. The first light extracting pattern 192 may be formed on the side surface 190c of the light transmitting layer 190. [ In this embodiment, the first light extracting pattern 192 may have a stepped shape. The first light extracting pattern 192 is formed in a step shape on the side surface 190c of the light transmitting layer 190 so that the side surface 190c can be formed to be inclined while minimizing the amount of light totally reflected on the surface, Can be simultaneously realized.

그리고 상술한 계단 형상의 제1 광추출 패턴(192)에 의하여 투광층(190)의 측면(190c)의 표면 거칠기가 5000Å 이상일 수 있다. 이보다 표면 거칠기가 작을 경우에는 전반사되는 빛의 양을 최소화하는 효과가 충분하지 않을 수 있다. 그러나 본 실시예가 이러한 수치 범위로 한정되는 것은 않다. The side surface 190c of the light transmitting layer 190 may have a surface roughness of 5000 angstroms or more due to the stepped first light extracting pattern 192 described above. If the surface roughness is smaller than this, the effect of minimizing the amount of light totally reflected may not be sufficient. However, the present embodiment is not limited to this numerical range.

발광 소자(100)의 측면으로 빛을 효과적으로 추출할 수 있도록 투광층(190)의 두께(T1)는 최소한 전극(115)의 두께(T2)보다 클 수 있다. 일례로, 투광층(190)의 두께는 1㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 투광층(190)의 두께(T1)가 1㎛ 미만인 경우에는 측면으로 빛을 추출시키는 효과를 충분히 구현하기 어려울 수 있다. 또한, 투광층(190)의 두께(T1)가 증가하면 발광 소자(100)를 일정한 두께로 형성하기 위하여 전도성 지지 기판(175)의 두께를 줄여야 하는데, 일반적으로 전도성 지지 기판(175)의 두께가 줄어들면 발광 효율이 저하될 수 있다. 이를 고려하여 투광층(190)의 두께(T1)를 200㎛ 이하로 하여 전도성 지지 기판(175)을 적절한 두께로 형성할 수 있다. The thickness T1 of the light-transmitting layer 190 may be at least greater than the thickness T2 of the electrode 115 so that light can be effectively extracted to the side surface of the light- For example, the thickness of the light-transmitting layer 190 may be between 1 탆 and 200 탆. When the thickness T1 of the light-transmitting layer 190 is less than 1 占 퐉, it may be difficult to sufficiently realize the effect of extracting light to the side. When the thickness T1 of the light-transmitting layer 190 increases, the thickness of the conductive support substrate 175 must be reduced to form the light-emitting device 100 with a constant thickness. In general, the thickness of the conductive support substrate 175 The emission efficiency may be lowered. In consideration of this, the thickness T1 of the light-transmitting layer 190 may be 200 占 퐉 or less, and the conductive supporting substrate 175 may be formed to have an appropriate thickness.

제1 도전형 반도체층(110) 상에서 투광층(190)이 형성되지 않은 영역에 전극(115)이 위치할 수 있다. 본 실시예에어서는 투광층(190) 내를 관통하면서 형성되어 제1 도전형 반도체층(110)의 일부(정확하게는, 상면의 일부)를 노출하는 홀(107)을 형성하고, 이 홀(107) 내에 전극(115)이 위치한다. The electrode 115 may be positioned on a region where the light-transmitting layer 190 is not formed on the first conductivity type semiconductor layer 110. [ In this embodiment, a hole 107 is formed through the inside of the light-transmitting layer 190 to expose a part (more precisely, a part of the upper surface) of the first conductivity type semiconductor layer 110, The electrodes 115 are located in the electrodes 107 and 107, respectively.

전극(115)의 폭(W2)은 홀(107)의 폭(W1)과 같을 수 있다. 또는, 공정 마진(margine) 등을 고려하여 전극(115)의 폭(W2)을 홀(107)의 폭(W1)보다 작게 형성할 수 있다. 홀(107)의 폭(W1)은 수㎛ 내지 수백㎛일 수 있다. 이러한 홀(107)은, 도면에서와 같이 투광층(190)에서의 폭이 균일할 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 제1 도전형 반도체층(110)에 인접하면서 홀(107)의 폭이 감소하는 것도 가능하다. The width W2 of the electrode 115 may be equal to the width W1 of the hole 107. [ The width W2 of the electrode 115 may be smaller than the width W1 of the hole 107 in consideration of a process margin or the like. The width W1 of the hole 107 may be several mu m to several hundred mu m. Such a hole 107 may have a uniform width in the light-transmitting layer 190 as shown in the figure. However, the present invention is not limited to this, and it is also possible that the width of the hole 107 is reduced adjacent to the first conductive semiconductor layer 110.

그리고 전극(115)의 두께(T2)는 0.5nm 내지 50nm의 범위로 형성될 수 있다. 이와 같은 두께(T2)는 발광 구조층(135)에서 형성된 빛이 전극(115)에 의해 흡수되지 않으면서 발광 구조층(135)에 적절하게 전원을 공급할 수 있도록 결정된 것이다. The thickness (T2) of the electrode 115 may be in the range of 0.5 nm to 50 nm. This thickness T2 is determined so that light generated in the light emitting structure layer 135 can be appropriately supplied to the light emitting structure layer 135 without being absorbed by the electrode 115. [

전극(115)은 전도성이 우수한 금속, 일례로, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, WTi, V 또는 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The electrode 115 may be formed of a metal having excellent conductivity, for example, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, , Cu, WTi, V, or an alloy thereof.

일례로, 전극(115)은 발광 구조층(135)과의 오믹 컨택을 위하여 발광 구조층(135)에 접하여 형성되는 오믹층과, 이 오믹층 위에 형성된 전극층을 포함하여 형성될 수 있다. 일례로, 오믹층은 Cr, Al, V, Ti 등을 포함할 수 있다. 전극층은, Ni, Al 등을 포함하는 배리어층, Cu 등을 포함하는 메탈층, Ni, Al 등을 포함하는 배리어층과, Au 등을 포함하는 와이어 본딩층이 차례로 적층되어 형성될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 전극층이 W층, WTi층, Ti층, Al층, 또는 Ag층 과 같은 단일층으로 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.For example, the electrode 115 may include an ohmic layer formed in contact with the light emitting structure layer 135 for ohmic contact with the light emitting structure layer 135, and an electrode layer formed on the ohmic contact layer. For example, the ohmic layer may include Cr, Al, V, Ti, and the like. The electrode layer may be formed by sequentially laminating a barrier layer including Ni, Al and the like, a metal layer including Cu and the like, a barrier layer including Ni, Al and the like, and a wire bonding layer containing Au or the like. However, the embodiment is not limited to this, and it goes without saying that the electrode layer may be a single layer such as a W layer, a WTi layer, a Ti layer, an Al layer, or an Ag layer.

발광 구조층(135) 상에서 투광층(190) 및 전극(115)이 형성되지 않은 부분에 패시베이션층(180)이 형성될 수 있다. 즉, 패시베이션층(180)은 제1 도전형 반도체층(110)의 상면과 측면, 그리고 보호 부재(140)의 상면에 형성될 수 있으나, 이로 한정되지는 않는다. The passivation layer 180 may be formed on the light emitting structure layer 135 where the light transmitting layer 190 and the electrode 115 are not formed. That is, the passivation layer 180 may be formed on the upper surface and the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 and the upper surface of the protection member 140, but is not limited thereto.

본 실시예에서는 투광층(190)을 형성하여 빛을 측면으로 분산시켜 발광 소자(100)가 탑재된 발광 소자 패키지에서 좀더 넓은 면적의 형광체를 이용할 수 있고, 결과적으로 효율을 향상할 수 있다. 이때, 투광층(190)의 측면(190c)을 경사지게 형성하여 빛이 넓게 퍼질 수 있도록 하여 효율을 좀더 향상할 수 있다. In this embodiment, the light-transmitting layer 190 is formed to disperse the light to the side, so that a larger area of the phosphor can be used in the light emitting device package on which the light emitting device 100 is mounted. As a result, the efficiency can be improved. At this time, the side surface 190c of the light-transmitting layer 190 is inclined so that the light can be spread widely, thereby further improving the efficiency.

이하, 도 2 내지 도 14를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 내용과 동일 또는 극히 유사한 내용은 생략하거나 간략하게 설명한다.  Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device 100 according to the first embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 14. FIG. However, the same or extremely similar contents as those described above will be omitted or briefly explained.

도 2에 도시한 바와 같이, 성장 기판(101) 상에 발광 구조층(135)을 형성한다. As shown in FIG. 2, a light emitting structure layer 135 is formed on a growth substrate 101.

성장 기판(101)은, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), Si, SiC, GaAs, GaN, ZnO, MgO, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 물질로 구성된 성장 기판(101)을 사용할 수 있음은 물론이다.The growth substrate 101 may include at least one of, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), Si, SiC, GaAs, GaN, ZnO, MgO, GaP, InP and Ge. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the growth substrate 101 made of various materials can be used.

발광 구조층(135)은 성장 기판(101) 상에 제1 도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형 반도체층(130)을 순차적으로 성장함으로써 형성될 수 있다. The light emitting structure layer 135 may be formed by successively growing the first conductivity type semiconductor layer 110, the active layer 120, and the second conductivity type semiconductor layer 130 on the growth substrate 101.

이러한 발광 구조층(135)은, 예를 들어, 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 화학 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 플라즈마 화학 증착법(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE), 수소화물 기상 성장법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure layer 135 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, , Molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), and the like. However, it is not limited thereto.

한편, 발광 구조층(135) 및 성장 기판(101) 사이에는 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)이 형성될 수도 있다.A buffer layer (not shown) and / or an undoped nitride layer (not shown) may be formed between the light emitting structure layer 135 and the growth substrate 101 to mitigate the difference in lattice constant.

이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 발광 구조층(135) 상에 단위 칩 영역에 대응하여 보호 부재(140)을 선택적으로 형성할 수 있다. 보호 부재(140)는 패터닝된 마스크를 이용하여 단위 칩 영역의 둘레에 형성될 수 있다. 보호 부재(140)는 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(sputtering), PECVD 방법과 같은 다양한 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있다.3, the protection member 140 may be selectively formed on the light emitting structure layer 135 in correspondence with the unit chip region. The protection member 140 may be formed around the unit chip region using a patterned mask. The protective member 140 may be formed using various deposition methods such as electron beam (E-beam) deposition, sputtering, and PECVD.

이어서, 도 4에 도시한 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(130) 상에 전류 차단층(145)을 형성할 수 있다. 전류 차단층(145)은 마스크 패턴을 이용하여 형성될 수 있다.4, the current blocking layer 145 may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 130. In this case, The current blocking layer 145 may be formed using a mask pattern.

도 3 및 도 4에서는 보호 부재(140)과 전류 차단층(145)을 별도의 공정으로 형성하지는 것을 도시하였으나, 보호 부재(140)과 전류 차단층(145)을 동일한 재질로 형성하여 하나의 공정으로 동시에 형성하는 것도 가능하다. 예를 들어, 제2 도전형 반도체층(130) 상에 SiO2층을 형성한 후, 마스크 패턴을 이용하여 보호 부재(140)과 전류 차단층(145)을 동시에 형성할 수 있다.3 and 4, the protective member 140 and the current blocking layer 145 are formed as separate processes. However, the protective member 140 and the current blocking layer 145 may be formed of the same material, Can be formed simultaneously. For example, after the SiO 2 layer is formed on the second conductivity type semiconductor layer 130, the protection member 140 and the current blocking layer 145 can be formed simultaneously using the mask pattern.

이어서, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제2 도전형 반도체층(130) 및 전류차단층(145) 상에 오믹층(150)과 상기 반사층(160)을 차례로 형성할 수 있다.5 and 6, the ohmic layer 150 and the reflective layer 160 may be formed on the second conductive semiconductor layer 130 and the current blocking layer 145 in this order.

오믹층(150) 및 반사층(160)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링, PECVD 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.The ohmic layer 150 and the reflective layer 160 may be formed by any one of E-beam deposition, sputtering, and PECVD, for example.

이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 접합층(170)을 매개로 하여 도 5의 구조물에 전도성 지지 기판(175)를 접합한다. 접합층(170)은 반사층(160), 오믹층(150)의 단부 및 보호 부재(140)에 접촉되어 이들 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다. Next, as shown in Fig. 7, the conductive supporting substrate 175 is bonded to the structure of Fig. 5 via the bonding layer 170. Then, as shown in Fig. The bonding layer 170 may contact the reflective layer 160, the end of the ohmic layer 150, and the protective member 140 to enhance the adhesion therebetween.

상술한 실시예에서는 전도성 지지 기판(175)이 상기 접합층(170)을 통해 본딩 방식으로 결합된 것이 예시되어 있으나, 접합층(170)을 형성하지 않고 전도성 지지 기판(175)을 도금 방식 또는 증착 방식으로 형성하는 것도 가능하다.Although the conductive supporting substrate 175 is bonded in the bonding manner via the bonding layer 170 in the above-described embodiment, the conductive supporting substrate 175 may be formed by a plating method or a vapor deposition method without forming the bonding layer 170. However, It is also possible to form it by a method.

이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, 성장 기판(101)을 발광 구조층(135)으로부터 제거한다. 도 8에서는 도 7에 도시된 구조물을 뒤집어서 도시하였다.Subsequently, as shown in Fig. 8, the growth substrate 101 is removed from the light emitting structure layer 135. Next, as shown in Fig. In Fig. 8, the structure shown in Fig. 7 is shown in an inverted manner.

상기 성장 기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 방법 또는 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off) 방법에 의해 제거될 수 있다.The growth substrate 101 may be removed by a laser lift off method or a chemical lift off method.

이어서, 도 9에 도시한 바와 같이, 발광 구조층(135)을 단위 칩 영역에 따라 아이솔레이션 에칭을 실시하여 복수개의 발광 구조층(135)으로 분리한다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션 에칭은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각 방법에 의해 실시될 수 있다.Then, as shown in FIG. 9, the light emitting structure layer 135 is subjected to isolation etching along the unit chip region to separate into a plurality of light emitting structure layers 135. For example, the isolation etching can be performed by a dry etching method such as ICP (Inductively Coupled Plasma).

이어서, 도 10에 도시한 바와 같이, 보호 부재(140) 및 발광 구조층(135) 상에 패시베이션층(180)을 형성하고, 제1 도전형 반도체층(110)의 상면이 노출되도록 패시베이션층(180)을 선택적으로 제거한다. 10, a passivation layer 180 is formed on the protective member 140 and the light emitting structure layer 135, and the passivation layer 180 is formed to expose the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 180 are selectively removed.

이어서, 도 11에 도시한 바와 같이, 도 10의 구조물을 칩 분리 공정을 통해 단위 칩 영역으로 분리하면 복수 개의 발광 소자를 제작할 수 있다. Then, as shown in FIG. 11, a plurality of light emitting devices can be manufactured by separating the structure of FIG. 10 into unit chip regions through a chip separation process.

칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크리빙 공정, 습식 또는 건식 식각을 포함하는 식각 공정 등을 포함할 수 있다. 실시예가 이에 한정되지는 않는다.The chip separation process includes, for example, a braking process for separating the chip by applying a physical force using a blade, a laser scribing process for separating the chip by irradiating a laser to the chip boundary, an etching process including wet or dry etching Process, and the like. The embodiment is not limited thereto.

이어서, 도 12에 도시한 바와 같이, 패시베이셔층(180)이 형성되지 않은 발광 구조층(135)의 상면에 투광층(190)을 형성한다. 투광층(190)은 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), 원자층증착(atomic layer deposition, ALD), CVD, PECVD, ALD 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 12, a light-transmitting layer 190 is formed on the upper surface of the light-emitting structure layer 135 where the passivating layer 180 is not formed. The light-transmitting layer 190 may be formed by E-beam deposition, sputtering, atomic layer deposition (ALD), CVD, PECVD, ALD, or the like.

이어서, 도 13에 도시한 바와 같이, 투광층(190)의 측면(190c)을 하면(190a)에 대하여 경사지게 형성하고, 측면(190c)에 계단 형상의 제1 광추출 패턴(192)을 형성한다. 그리고 투광층(190)의 일부를 관통하도록 홀(170)을 형성한다. 13, the side surface 190c of the light-transmitting layer 190 is inclined with respect to the lower surface 190a, and the stepped first light extracting pattern 192 is formed on the side surface 190c . A hole 170 is formed to penetrate a part of the light-transmitting layer 190.

단계적인 식각에 의하여 상술한 형상의 투광층(190)을 형성할 수 있다. 일례로, 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP) 장비를 이용한 건식 식각 또는 KOH, H2SO4, H3PO4와 같은 에천트를 사용한 습식 식각을 사용할 수 있으나, 실시예가 이에 대해 한정되지는 않는다. 따라서, 도 12 및 도 13과 달리, 홀(107)을 가지는 층을 형성한 후, 이 층보다 작은 면적을 가지며 홀(107)을 가지는 층을 형성하는 것을 반복하여 상술한 형상의 투광층(190)을 형성할 수도 있다. The light-transmitting layer 190 having the above-described shape can be formed by stepwise etching. For example, dry etching using inductively coupled plasma (ICP) equipment or wet etching using an etchant such as KOH, H 2 SO 4 or H 3 PO 4 may be used, but the embodiment is not limited thereto Do not. 12 and 13, a layer having a hole 107 is formed, and then a layer having an area smaller than that of the hole 107 and having a hole 107 is repeated to form the light-transmitting layer 190 ) May be formed.

이어서, 도 14에 도시한 바와 같이, 홀(107)에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에 전극(115)을 형성할 수 있다. 전극(115)은 스퍼터링 또는 전자빔 증착 등의 방법으로 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 14, the electrode 115 can be formed on the top surface of the first conductive semiconductor layer 110 exposed by the hole 107. The electrode 115 may be formed by a method such as sputtering or electron beam evaporation.

본 실시예에서는 칩 분리 공정을 형성한 이후에 투광층(190)을 형성하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 투광층(190)을 형성한 후에 칩 분리 공정을 하는 등 다양한 변형이 가능하다.
In this embodiment, the light-transmitting layer 190 is formed after the chip separation step is formed, but the present invention is not limited thereto. And a chip separation process is performed after the light-transmitting layer 190 is formed.

이하, 도 15 내지 도 20을 참조하여 변형예들 및 다른 실시예들에 따른 발광 소자 및 이의 제조 방법에 대하여 설명한다. 간략하고 명확한 설명을 위하여 제1 실시예와 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 서로 다른 부분에 대해서만 상세하게 설명한다. Hereinafter, a light emitting device and a manufacturing method thereof according to modifications and other embodiments will be described with reference to FIGS. 15 to 20. FIG. For the sake of simplicity and clarity, the same or extremely similar parts as those of the first embodiment will not be described in detail, and only different parts will be described in detail.

도 15는 제1 실시예의 일 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 15 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a modification of the first embodiment.

도 15를 참조하면, 본 변형예에서는 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)의 상면에서 투광층(190)의 외곽으로 위치한다. 따라서, 투광층(190)을 관통하는 별도의 홀(도 14의 참조부호 107)을 형성하는 공정을 생략할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다. Referring to FIG. 15, in this modification, the electrode 115 is located on the outer surface of the light-transmitting layer 190 on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 110. Therefore, the step of forming a separate hole (reference numeral 107 in Fig. 14) passing through the light-transmitting layer 190 can be omitted, so that the process can be simplified.

본 변형에 따른 발광 소자는 홀을 형성하는 공정을 제외하고는 도 2 내지 도 12, 그리고 도 14와 동일한 공정에 의해 제조될 수 있다. 여기서, 제1 도전형 반도체층(110) 상에 전극(115)을 먼저 형성하고 그 이후에 투광층(190)을 형성하는 것으로 변형하는 것도 가능하다. The light emitting device according to the present modification can be manufactured by the same process as in Figs. 2 to 12 and 14 except for the process of forming holes. Here, it is also possible to form the electrode 115 on the first conductive semiconductor layer 110 first, and then form the light-transmitting layer 190.

도 16은 제2 실시예의 다른 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 16 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another modification of the second embodiment.

도 16을 참조하면, 본 변형예에서는 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110) 상에서 투광층(190)의 외곽, 좀더 정확하게는 제1 도전형 반도체층(110)의 측면에 위치한다. 16, in this modification, the electrode 115 is positioned on the outer side of the light-transmitting layer 190, more precisely on the side of the first conductivity type semiconductor layer 110 on the first conductivity type semiconductor layer 110 .

본 변형에 따른 발광 소자는 도 2 내지 도 12의 공정을 수행한 후 제1 도전형 반도체층(110)의 측면을 덮는 패시베이션 층(180)의 영역에 개구부(185)를 형성하고 이 개구부(185) 내에 제1 전극(115)을 형성하여 제조될 수 있다. The light emitting device according to the present modification has the steps of forming the opening 185 in the region of the passivation layer 180 covering the side surface of the first conductive semiconductor layer 110 after performing the processes of FIGS. The first electrode 115 may be formed on the first electrode 115. [

도면에서는 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)의 측면에만 위치하는 것으로 도시하였으나, 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)의 상면으로부터 측면까지 연장되어 형성되는 것도 가능하다.Although the electrode 115 is shown only on the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 110, the electrode 115 may extend from the top surface to the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 Do.

도 17은 제2 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 17 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the second embodiment.

도 17을 참조하면, 본 실시예에서는 투광층(1902)의 측면에 요철 형상의 광 추출 패턴(1922)이 형성된다. 본 실시예의 광 추출 패턴(1922)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 광 추출 패턴(1922)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖는 광 결정 구조가 배열되어 형성될 수 있다. 광 결정 구조는 간섭 효과 등에 의해 특정 파장 영역의 빛을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.17, in this embodiment, a concave-convex light extracting pattern 1922 is formed on the side surface of the light-transmitting layer 1902. As shown in FIG. The light extracting pattern 1922 of this embodiment may have a random shape and arrangement, or may be formed to have a desired shape and arrangement. For example, the light extracting pattern 1922 may be formed by arranging a photonic crystal structure having a period of 50 nm to 3000 nm. The photonic crystal structure can efficiently extract light of a specific wavelength region to the outside by an interference effect or the like.

또한, 광 추출 패턴(1922)은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the light extracting pattern 1922 may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal column, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal pyramid, and the like.

그리고 상술한 요철 형상의 제1 광추출 패턴(1922)에 의하여 투광층(1902)의 측면의 표면 거칠기가 5000Å 이상일 수 있다. 이보다 표면 거칠기가 작을 경우에는 전반사되는 빛의 양을 최소화하는 효과가 충분하지 않을 수 있다. 그러나 본 실시예가 이러한 수치 범위로 한정되는 것은 않다. The side surface of the light-transmitting layer 1902 may have a surface roughness of 5000 Å or more due to the first light extracting pattern 1922 having the concave-convex shape. If the surface roughness is smaller than this, the effect of minimizing the amount of light totally reflected may not be sufficient. However, the present embodiment is not limited to this numerical range.

역사다리꼴 형상의 포토 레지스트를 이용한 식각 공정에서 부식성 기체를 함께 사용하여 투광층(1902)의 측면을 경사지게 형성하면서 요철 형상의 제1 광추출 패턴(1922)을 형성할 수 있다. 부식성 기체로는 다양한 기체가 사용될 수 있으며, 일례로 BCl3, Cl2, CF4, SF6 등이 사용될 수 있다. It is possible to form the concave-convex first light extracting pattern 1922 while forming the inclined side surface of the light-transmitting layer 1902 by using a corrosive gas together in the etching process using the reverse trapezoidal photoresist. As the corrosive gas, various gases may be used. For example, BCl 3 , Cl 2 , CF 4 , SF 6, etc. may be used.

도 17에서는 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)의 측면에 위치한 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)과 전기적으로 연결되는 다양한 위치에 형성될 수 있음은 물론이다. Although the electrode 115 is disposed on the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 110 in FIG. 17, the present invention is not limited thereto. The electrode 115 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 110 Of course, be formed at various positions.

도 18은 제3 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 그리고 도 19는 제3 실시예의 일 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이고, 도 20은 제3 실시예의 다른 변형예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 18 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the third embodiment. FIG. 19 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a modification of the third embodiment, and FIG. 20 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another modification of the third embodiment.

도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 투광층(1904)의 상면에 제2 광추출 패턴(1924)이 형성된다. Referring to FIG. 18, a second light extracting pattern 1924 is formed on the upper surface of the light-transmitting layer 1904 according to the present embodiment.

이 제2 광 추출 패턴(1924)은 표면에서 전반사되는 빛의 양을 최소화하여 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 제2 광 추출 패턴(1924)은 랜덤한 형상 및 배열을 갖거나, 원하는 형상 및 배열을 갖도록 형성될 수 있다.The second light extracting pattern 1924 minimizes the amount of light totally reflected from the surface to improve light extraction efficiency of the light emitting device. The second light extraction pattern 1924 may have a random shape and arrangement, or may be formed to have a desired shape and arrangement.

예를 들어, 제2 광 추출 패턴(1924)은 50nm 내지 3000nm의 주기를 갖는 광 결정(photonic crystal) 구조가 배열되어 형성될 수 있다. 광 결정 구조는 간섭 효과 등에 의해 특정 파장 영역의 빛을 외부로 효율적으로 추출할 수 있다.For example, the second light extracting pattern 1924 may be formed by arranging a photonic crystal structure having a period of 50 nm to 3000 nm. The photonic crystal structure can efficiently extract light of a specific wavelength region to the outside by an interference effect or the like.

또한, 제2 광 추출 패턴(1924)은 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 광 추출 패턴(1924)은 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.The second light extracting pattern 1924 may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal column, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, and a polygonal pyramid. Such a light extraction pattern 1924 may be formed by a wet etching process or a dry etching process. However, the embodiment is not limited thereto.

또는, 도 19에 도시된 바와 같이, 투광층(1906)의 제2 광 추출 패턴(1926)이 상면이 평면인 요철 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 광 추출 패턴(1926)이 상면이 식각된 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 이러한 제2 광 추출 패턴(1926)은 습식 식각 또는 건식 식각에 의하여 형성된 요철 형상을 화학 기계 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 장치에 의해 연마하여 형성될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. Alternatively, as shown in Fig. 19, the second light extracting pattern 1926 of the light-transmitting layer 1906 may have a concavo-convex shape whose upper surface is planar. That is, the second light extracting pattern 1926 may be formed to have various shapes such as a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal prism, and the like. The second light extracting pattern 1926 may be formed by polishing a concavo-convex shape formed by wet etching or dry etching by a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus. However, the embodiment is not limited thereto.

또는, 도 20에 도시한 바와 같이, 투광층(1908)의 제2 광 추출 패턴(1928)이 상면에 요철 형상이 형성된 단차(A)를 포함할 수 있다. 이러한 형상의 제2 광 추출 패턴(1928)은 단차(A)를 형성하는 식각을 한 후에 요철 형상을 형성하기 위한 식각을 하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. Alternatively, as shown in Fig. 20, the second light extracting pattern 1928 of the light-transmitting layer 1908 may include a step A having a concave-convex shape on its upper surface. The second light extracting pattern 1928 having such a shape can be formed by performing etching for forming the step A and etching for forming the concave and convex shape. However, the embodiment is not limited thereto.

도 18 내지 도 20에서는 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)의 측면에 위치한 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 전극(115)이 제1 도전형 반도체층(110)과 전기적으로 연결되면서 다양한 위치에 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 투광층(1904, 1906, 1908)의 측면에 계단 형상의 제1 광추출 패턴(192)가 형성된 것을 예시하였으나, 요철 형상 등의 다양한 형상의 제1 광추출 패턴(192)이 형성될 수 있음은 물론이다.
18 to 20 illustrate that the electrode 115 is disposed on the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 110. However, the present invention is not limited thereto, and the electrode 115 may include the first conductivity type semiconductor layer 110, And may be formed at various positions while being electrically connected. Although the first light extraction pattern 192 having a step shape is formed on the side surfaces of the light-transmitting layers 1904, 1906, and 1908, the first light extraction pattern 192 having various shapes such as irregular shapes can be formed Of course it is.

이하, 본 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 도 21을 참조하여 설명한다. 도 21은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다. Hereinafter, a light emitting device package including the light emitting device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 21 is a cross-sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.

도 21을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(30)와, 이 패키지 몸체(30)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 이 패키지 몸체(30)에 설치되어 제1 및 제2 전극층(31, 32)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 이 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩 부재(40)를 포함한다. Referring to FIG. 21, a light emitting device package according to an embodiment includes a package body 30, a first electrode layer 31 and a second electrode layer 32 provided on the package body 30, And a molding member 40 surrounding the light emitting device 100. The light emitting device 100 is electrically connected to the first and second electrode layers 31 and 32,

패키지 몸체(30)는 폴리프탈아미드(polyphthal amide, PPA), 액정고분자(liquid crystal polymer, LCP), 폴리아미드9T(polyamid9T, PA9T) 등과 같은 수지, 금속, 감광성 유리(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 세라믹, 인쇄회로기판(PCB) 등을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이러한 물질에 한정되는 것은 아니다. The package body 30 may be formed of a resin such as a polyphthalamide (PPA), a liquid crystal polymer (LCP), a polyamide 9T or a PA9T, a metal, a photo sensitive glass, a sapphire Al 2 O 3 ), ceramics, printed circuit boards (PCB), and the like. However, this embodiment is not limited to these materials.

패키지 몸체(30)에는 상부가 개방되는 캐비티(34)가 형성된다. 캐비티(34)의 측면은 캐비티(34)의 바닥면에 수직하거나 경사질 수 있다.The package body (30) is provided with a cavity (34) having an open top. The side surface of the cavity (34) may be perpendicular or inclined to the bottom surface of the cavity (34).

이러한 패키지 몸체(30)에는 발광 소자(100)에 전기적으로 연결되는 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)이 배치된다. 이러한 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 소정 두께를 가지는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 이 표면에 다른 금속층이 도금될 수도 있다. 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 전도성이 우수한 금속으로 구성될 수 있다. 이러한 금속으로는 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 등이 있다.The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 electrically connected to the light emitting device 100 are disposed in the package body 30. [ The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 may be formed of a metal plate having a predetermined thickness, and another metal layer may be plated on the surface of the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32. The first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 may be formed of a metal having excellent conductivity. Examples of such metals include titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin .

이러한 제1 및 제2 전극층(31, 32)은 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 및 제2 전극층(31, 32)은 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다. The first and second electrode layers 31 and 32 provide power to the light emitting device 100. The first and second electrode layers 31 and 32 may reflect light generated from the light emitting device 100 to increase the light efficiency and may discharge the heat generated from the light emitting device 100 to the outside It can also play a role.

캐비티(34) 내에는 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되면서 발광 소자(100)가 위치한다. 발광 소자(100)는 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 발광 소자(100)가 상기 제1 전극층(31)과 와이어(50)를 통해 전기적으로 연결되고 제2 전극층(32)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.In the cavity 34, the light emitting device 100 is positioned while being electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 31 and the second electrode layer 32 by any one of wire, flip chip, and die bonding methods. The light emitting device 100 is electrically connected to the first electrode layer 31 through the wire 50 and electrically connected to the second electrode layer 32 in the embodiment.

본 실시예에서는 패키지 몸체(30)의 캐비티(34) 내에 발광 소자(100)가 위치한 것을 예시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 패키지 몸체(30)가 캐비티(34)를 구비하지 않고, 발광 소자(100)가 몸체(30)의 상면에 위치하는 것 등도 가능하다. In this embodiment, the light emitting device 100 is located within the cavity 34 of the package body 30, but the embodiment is not limited thereto. It is therefore possible that the package body 30 does not include the cavity 34 and the light emitting device 100 is located on the upper surface of the body 30. [

이 발광 소자(100)를 포위하면서 몰딩 부재(40)가 형성되어 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 이 몰딩 부재(40)에는 형광체가 포함되어 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. The molding member 40 may be formed while surrounding the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 40 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체가 몰딩 부재(40)에 위치한 코팅층 내에 위치하거나 발광 소자(100)를 감싸는 코팅층 내에 위치하는 것도 가능하다. 또는, 몰딩 부재(40) 상에 위치한 렌즈(도시하지 않음) 내에 형광체가 위치하는 것도 가능하다. However, the embodiment is not limited to this, and it is also possible that the phosphor is located in the coating layer located in the molding member 40 or in the coating layer surrounding the light emitting element 100. Alternatively, it is possible that the phosphor is placed in a lens (not shown) located on the molding member 40.

형광체로는 가넷(garnet)계 형광체, 실리케이트(silicate)계 형광체, 나이트라이드(nitride)계 형광체, 옥시나이트라이드(oxynitride)계 형광체 등의 다양한 물질이 사용될 수 있다. 또한, 형광체로는 단일의 형광체를 사용하거나, 복수의 형광체 혼합하여 사용할 수 있다. As the phosphor, various materials such as a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, and an oxynitride-based phosphor may be used. As the fluorescent material, a single fluorescent material may be used or a plurality of fluorescent materials may be mixed.

앞서 설명한 바와 같이, 몰딩 부재(40)의 굴절률을 발광 소자(100)의 투광층(도 1의 참조부호 190, 이하 동일)의 굴절률보다 크게 하여 광 추출 효율을 좀더 향상할 수 있다. 본 실시예에서는 투광층(190)에 의하여 형광체와 발광 소자(100)의 발광 구조층(도 1의 참조부호 135, 이하 동일)이 서로 접촉되지 않는다. 일반적으로 발광 구조층(135)과 형광체가 접촉하면 효율이 저하될 수 있는데, 본 실시예에서는 투광층(190)에 의하여 이러한 효율 저하 문제를 효과적으로 방지할 수 있다. As described above, the refractive index of the molding member 40 can be made larger than the refractive index of the light-transmitting layer (reference numeral 190 in FIG. 1, the same applies hereinafter) of the light emitting device 100, thereby further improving the light extraction efficiency. In the present embodiment, the phosphor and the light emitting structure layer (reference numeral 135 in Fig. 1, hereinafter the same) of the light emitting element 100 are not brought into contact with each other by the light transmitting layer 190. In general, efficiency may be lowered when the light emitting structure layer 135 and the phosphor are in contact with each other. In this embodiment, this problem of efficiency reduction can be effectively prevented by the light transmitting layer 190.

상술한 실시예의 발광 소자 패키지는 백라이트 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등과 같은 조명 시스템으로 기능할 수 있다. 이를 도 22 및 도 23을 참조하여 설명한다. The light emitting device package of the above-described embodiment can function as an illumination system such as a backlight unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight. This will be described with reference to FIGS. 22 and 23. FIG.

도 22는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 22의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 한정되지 않는다. 22 is a view illustrating a backlight unit including the light emitting device package according to the embodiment. However, the backlight unit 1100 of Fig. 22 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

도 22을 참조하면, 백라이트 유닛(1100)은, 바텀 커버(1140), 이 바텀 커버(1140) 내에 배치된 광 가이드 부재(1120), 이 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 22, the backlight unit 1100 includes a bottom cover 1140, a light guide member 1120 disposed in the bottom cover 1140, at least one side surface or bottom surface of the light guide member 1120 A light emitting module 1110 may be included. Further, a reflective sheet 1130 may be disposed below the light guide member 1120.

바텀 커버(1140)는 광가이드 부재(1120), 발광 모듈(1100) 및 반사 시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으며, 금속 또는 수지로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. The bottom cover 1140 may be formed in a box shape having an opened upper surface to accommodate the light guide member 1120, the light emitting module 1100 and the reflective sheet 1130, . However, the present invention is not limited thereto.

발광 모듈(1110)은, 기판(700)에 탑재된 복수의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자 패키지(600)는 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공한다. The light emitting module 1110 may include a plurality of light emitting device packages 600 mounted on the substrate 700. A plurality of light emitting device packages (600) provide light to the light guide member (1120).

도시된 것처럼, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다. As shown, the light emitting module 1110 may be disposed on at least one of the inner surfaces of the bottom cover 1140, thereby providing light toward at least one side of the light guide member 1120 .

다만, 발광 모듈(1110)은 바텀 커버(1140) 내에서 광가이드 부재(1120)의 아래에 배치되어, 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있다. 이는 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하다. The light emitting module 1110 may be disposed under the light guide member 1120 in the bottom cover 1140 to provide light toward the bottom surface of the light guide member 1120. It can be variously modified according to the design of the backlight unit 1100.

광가이드 부재(1120)는 바텀 커버(1140) 내에 배치될 수 있다. 광가이드 부재(1120)는 발광 모듈(1110)으로부터 제공받은 빛을 면광원화하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다. The light guide member 1120 may be disposed in the bottom cover 1140. The light guide member 1120 can guide the light provided from the light emitting module 1110 to a display panel (not shown) by converting the light into a surface light source.

이러한 광가이드 부재(1120)는, 예를 들어, 도광판(light guide panel, LGP) 일 수 있다. 이 도광판을 예를 들어, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl metaacrylate, PMMA)와 같은 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 고리형 올레핀 공중합체(COC), 폴리카보네이트(poly carbonate, PC), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다. Such a light guide member 1120 may be, for example, a light guide panel (LGP). The light guiding plate may be made of, for example, acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC) , And polyethylene naphthalate resin.

이 광가이드 부재(1120)의 상측에 광학 시트(1150)이 배치될 수 있다. The optical sheet 1150 can be disposed on the upper side of the light guide member 1120.

이 광학 시트(1150)는, 예를 들어, 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 시트(1150)이 확산 시트, 집광 시트, 휘도 상승 시트, 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 확산 시트(1150)는 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 이 확산된 광이 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때, 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광이다. 휘도 상승 시트는 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 집광 시트는, 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 그리고 휘도 상승 시트는, 예를 들어, 조도 강화 필름(dual brightness enhancement film) 일 수 있다. 또한, 형광 시트는 형광체가 푸함된 투광성 플레이트 또는 필름일 수 있다. This optical sheet 1150 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. For example, the optical sheet 1150 may be formed by laminating a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet. In this case, the diffusion sheet 1150 spreads the light emitted from the light emitting module 1110 evenly, and the diffused light can be condensed by the condensing sheet into a display panel (not shown). At this time, the light emitted from the light condensing sheet is randomly polarized light. The brightness increasing sheet can increase the degree of polarization of the light emitted from the light condensing sheet. The light collecting sheet may be, for example, a horizontal or / and a vertical prism sheet. The brightness enhancement sheet may be, for example, a dual brightness enhancement film. Further, the fluorescent sheet may be a translucent plate or film in which the phosphor is spun.

광가이드 부재(1120)의 아래에는 반사 시트(1130)가 배치될 수 있다. 반사 시트(1130)는 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다. 이 반사 시트(1130)는 반사율이 좋은 수지, 예를 들어, PET, PC, 폴리비닐클로라이드(poly vinyl chloride), 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. A reflective sheet 1130 may be disposed below the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 can reflect light emitted through the lower surface of the light guide member 1120 toward the exit surface of the light guide member 1120. The reflective sheet 1130 may be formed of a resin having high reflectance, for example, PET, PC, poly vinyl chloride, resin, or the like, but is not limited thereto.

도 23은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛을 설명하는 도면이다. 다만, 도 23의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.23 is a view for explaining a lighting unit including the light emitting device package according to the embodiment. However, the illumination unit 1200 in Fig. 23 is an example of the illumination system, and is not limited thereto.

도 23을 참조하면, 조명 유닛(1200)은, 케이스 몸체(1210), 이 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230), 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.23, the lighting unit 1200 includes a case body 1210, a light emitting module 1230 provided in the case body 1210, a connection terminal 1210 installed in the case body 1210, (1220).

케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 또는 수지로 형성될 수 있다.The case body 1210 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal or a resin.

발광 모듈(1230)은, 기판(700) 및 이 기판(700)에 탑재되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)를 포함할 수 있다. The light emitting module 1230 may include a substrate 700 and at least one light emitting device package 600 mounted on the substrate 700.

상기 기판(700)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB), 메탈 코아(metal core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 700 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 700 may be a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB . ≪ / RTI >

또한, 기판(700)은 빛을 효율적으로 반사하는 물질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.Further, the substrate 700 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface is efficiently reflected, for example, white, silver, or the like.

기판(700) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(600)가 탑재될 수 있다.At least one light emitting device package 600 may be mounted on the substrate 700.

발광 소자 패키지(600)는 각각 적어도 하나의 발광 소자(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 발광 소자는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 소자 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 소자를 포함할 수 있다.The light emitting device package 600 may include at least one light emitting diode (LED). The light emitting device may include a colored light emitting device that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting device that emits ultraviolet (UV) light.

발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 소자, 적색 발광 소자 및 녹색 발광 소자를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.The light emitting module 1230 may be arranged to have various combinations of light emitting elements to obtain color and brightness. For example, a white light emitting element, a red light emitting element, and a green light emitting element may be disposed in combination in order to secure a high color rendering index (CRI). Further, a fluorescent sheet may be further disposed on the path of the light emitted from the light emitting module 1230, and the fluorescent sheet changes the wavelength of the light emitted from the light emitting module 1230. For example, when the light emitted from the light emitting module 1230 has a blue wavelength band, the fluorescent sheet may include a yellow phosphor, and the light emitted from the light emitting module 1230 may be seen through the fluorescent sheet as white light do.

연결 단자(1220)는 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 23에 도시된 것에 따르면, 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1220 may be electrically connected to the light emitting module 1230 to supply power. 23, the connection terminal 1220 is connected to the external power supply by being inserted in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1220 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source by wiring.

상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.In the above-described illumination system, at least one of a light guide member, a diffusion sheet, a light condensing sheet, a brightness increasing sheet, and a fluorescent sheet is disposed on the path of light emitted from the light emitting module to obtain a desired optical effect.

이상에서 설명한 바와 같이, 조명 시스템은 효율 특성이 우수한 발광 소자 패키지를 포함함으로써, 우수한 광 효율 및 특성을 가질 수 있다.As described above, the illumination system can have excellent light efficiency and characteristics by including a light emitting device package having excellent efficiency characteristics.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (13)

기판;
상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층;
상기 발광 구조층 상에 배치되는 투광층; 및
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극
을 포함하고,
상기 발광 구조층 상에 위치한 상기 투광층의 제1 면의 모서리와 상기 제1 면에 대응하는 상기 투광층의 제2 면의 모서리를 연결하는 상기 투광층의 측면이 상기 제1 면에 대하여 경사지게 형성되고,
상기 투광층의 측면에 제1 광추출 패턴이 형성되는 발광 소자.Board;
A light emitting structure layer disposed on the substrate and including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A light-transmitting layer disposed on the light-emitting structure layer; And
And an electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer
/ RTI >
The side surface of the light transmitting layer connecting the edge of the first surface of the light transmitting layer located on the light emitting structure layer and the edge of the second surface of the light transmitting layer corresponding to the first surface is formed to be inclined with respect to the first surface And,
And a first light extracting pattern is formed on a side surface of the light transmitting layer. 기판;
상기 기판 상에 배치되며, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층;
상기 발광 구조층 상에 배치되는 투광층; 및
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하고,
상기 발광 구조층 상에 위치한 상기 투광층의 제1 면의 모서리와 상기 제1 면에 대응하는 상기 투광층의 제2 면의 모서리를 연결하는 상기 투광층의 측면이 상기 제1 면에 대하여 경사지게 형성되고,
상기 투광층은 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며,
상기 전극은, 상기 제1 도전형 반도체층 상에서 상기 투광층이 형성되지 않은 영역에 위치하는 발광 소자.Board;
A light emitting structure layer disposed on the substrate and including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
A light-transmitting layer disposed on the light-emitting structure layer; And
And an electrode electrically connected to the first conductive type semiconductor layer,
The side surface of the light transmitting layer connecting the edge of the first surface of the light transmitting layer located on the light emitting structure layer and the edge of the second surface of the light transmitting layer corresponding to the first surface is formed to be inclined with respect to the first surface And,
The light-transmitting layer is located on the first conductive type semiconductor layer,
Wherein the electrode is located on a region of the first conductivity type semiconductor layer where the light-transmitting layer is not formed. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광 구조층의 측면에 패시베이션층이 형성되고,
상기 전극은 상기 패시베이션층을 관통하여 상기 발광 구조층과 접촉하는 발광 소자.3. The method according to claim 1 or 2,
A passivation layer is formed on a side surface of the light emitting structure layer,
Wherein the electrode is in contact with the light emitting structure layer through the passivation layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 광추출 패턴은 요철 형상 및 계단 형상 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. The method according to claim 1,
Wherein the first light extracting pattern includes at least one of a concavo-convex shape and a stepped shape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층의 측면의 표면 거칠기가 5000Å 이상인 발광 소자. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a side surface of the light-transmitting layer has a surface roughness of 5000 ANGSTROM or more. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층의 제2 면에 제2 광추출 패턴이 형성되는 발광 소자. 3. The method according to claim 1 or 2,
And a second light extracting pattern is formed on a second surface of the light transmitting layer. 제6항에 있어서,
상기 제2 광추출 패턴은 요철 형상, 상면이 평면인 요철 형상 및 단차 형상 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the second light extracting pattern includes at least one of a concavo-convex shape, a concave-convex shape having a flat upper surface, and a step shape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층의 두께가 상기 전극의 두께보다 큰 발광 소자. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the thickness of the light-transmitting layer is larger than the thickness of the electrode. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층의 두께가 1㎛ 내지 200㎛인 발광 소자. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the light-transmitting layer has a thickness of 1 占 퐉 to 200 占 퐉. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, GaN, ZnO 또는 ITO(indium tin oxide) 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 발광 소자.3. The method according to claim 1 or 2,
The light-transmitting layer may be formed of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , GaN, ZnO, or ITO (indium tin oxide) Wherein the light emitting element is formed of at least one material selected from the group consisting of silver, 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층의 측면과 상기 제1 면이 이루는 각도가 45도 이상, 90도 미만인 발광 소자.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein an angle between the side surface of the light-transmitting layer and the first surface is 45 degrees or more and less than 90 degrees. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층의 굴절률이 상기 발광 구조층의 굴절률보다 큰 발광 소자. 3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the refractive index of the light-transmitting layer is larger than the refractive index of the light-emitting structure layer. 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및
상기 패키지 몸체 상에 배치되어 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층에 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하고,
상기 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 그리고 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 발광 구조층 상에 배치되는 투광층; 및 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극을 포함하고,
상기 발광 구조층 상에 위치한 상기 투광층의 제1 면의 모서리와 상기 제1 면에 대응하는 상기 투광층의 제2 면의 모서리를 연결하는 상기 투광층의 측면이 상기 제1 면에 대하여 경사지게 형성되고,
상기 투광층의 측면에 제1 광추출 패턴이 형성되는 발광 소자.A package body;
A first electrode layer and a second electrode layer provided on the package body; And
And a light emitting element disposed on the package body and electrically connected to the first electrode layer and the second electrode layer,
The light emitting device includes: a substrate; A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer on the substrate; A light-transmitting layer disposed on the light-emitting structure layer; And an electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer,
The side surface of the light transmitting layer connecting the edge of the first surface of the light transmitting layer located on the light emitting structure layer and the edge of the second surface of the light transmitting layer corresponding to the first surface is formed to be inclined with respect to the first surface And,
And a first light extracting pattern is formed on a side surface of the light transmitting layer.
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