Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101719627B1 - Light emitting device module and display device including the same - Google Patents

Light emitting device module and display device including the same Download PDF

Info

Publication number
KR101719627B1
KR101719627B1 KR1020100133034A KR20100133034A KR101719627B1 KR 101719627 B1 KR101719627 B1 KR 101719627B1 KR 1020100133034 A KR1020100133034 A KR 1020100133034A KR 20100133034 A KR20100133034 A KR 20100133034A KR 101719627 B1 KR101719627 B1 KR 101719627B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive layer
lead frame
light emitting
thickness
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020100133034A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120071472A (en
Inventor
조영준
한승호
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100133034A priority Critical patent/KR101719627B1/en
Publication of KR20120071472A publication Critical patent/KR20120071472A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101719627B1 publication Critical patent/KR101719627B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

실시예는 발광소자; 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1,2 리드 프레임; 및 상기 발광소자가 실장되는 회로기판을 포함하며, 상기 회로 기판은, 상기 제1 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제1 도전층; 상기 제1 도전층과 적어도 일부의 영역에서 중첩되고, 상기 제2 리드프레임에 전기적으로 연결된 제2 도전층; 및 상기 제1 도전층과 제2 도전층을 전기적으로 절연시키는 절연층을 포함하는 발광소자 모듈을 제공한다.An embodiment includes a light emitting element; A first lead frame electrically connected to the light emitting element; And a circuit board on which the light emitting device is mounted, the circuit board including: a first conductive layer electrically connected to the first lead frame; A second conductive layer overlapped with at least a portion of the first conductive layer and electrically connected to the second lead frame; And an insulating layer electrically insulating the first conductive layer and the second conductive layer.

Description

발광소자 모듈 및 이를 포함하는 표시장치{LIGHT EMITTING DEVICE MODULE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device module, and a display device including the light emitting device module.

실시예는 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device module and a backlight unit including the same.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as a light emitting diode (LD) or a laser diode using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors are widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

상술한 백라이트나 조명 장치 등에 사용되는 발광소자 패키지에서 회로기판에서 발생되는 열의 효율적인 방출이 필요하다.It is necessary to efficiently emit heat generated in the circuit board in the light emitting device package used for the above-described backlight, illumination device, and the like.

실시예는 발광소자 모듈의 방열특성을 향상시키고자 한다.The embodiment intends to improve the heat radiation characteristic of the light emitting device module.

실시예는 발광소자; 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1,2 리드 프레임; 및 상기 발광소자가 실장되는 회로기판을 포함하며, 상기 회로 기판은, 상기 제1 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제1 도전층; 상기 제1 도전층과 적어도 일부의 영역에서 중첩되고, 상기 제2 리드프레임에 전기적으로 연결된 제2 도전층; 및 상기 제1 도전층과 제2 도전층을 전기적으로 절연시키는 절연층을 포함하는 발광소자 모듈을 제공한다.An embodiment includes a light emitting element; A first lead frame electrically connected to the light emitting element; And a circuit board on which the light emitting device is mounted, the circuit board including: a first conductive layer electrically connected to the first lead frame; A second conductive layer overlapped with at least a portion of the first conductive layer and electrically connected to the second lead frame; And an insulating layer electrically insulating the first conductive layer and the second conductive layer.

여기서, 상기 제1 리드프레임 상에 상기 발광소자가 실장되고, 상기 제1 도전층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 하부에 배치될 수 있다.Here, the light emitting device may be mounted on the first lead frame, and the first conductive layer may be disposed under the first lead frame and the second lead frame.

그리고, 상기 제1 도전층은 상기 제2 도전층과 상하로 중첩될 수 있다.The first conductive layer may be overlapped with the second conductive layer.

그리고, 상기 제1 도전층은 상기 제2 리드 프레임의 하부에서 상기 제2 도전층과 중첩될 수 있다.The first conductive layer may overlap the second conductive layer at a lower portion of the second lead frame.

그리고, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층이 중첩되는 영역의 길이와 상기 회로기판 바디의 길이의 비는, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 연결하는 방향과 수직인 방향에서 0.5 대 1 내지 0.8 대 1 일 수 있다.The ratio of the length of the area in which the first conductive layer and the second conductive layer overlap and the length of the circuit board body is 0.5 in a direction perpendicular to a direction connecting the first lead frame and the second lead frame, To 1: 0.8 to 1.

그리고, 상기 제1 리드 프레임의 하부에서의 상기 제1 도전층의 두께는, 상기 제2 도전층의 두께의 적어도 2.5배일 수 있다.The thickness of the first conductive layer in the lower portion of the first lead frame may be at least 2.5 times the thickness of the second conductive layer.

그리고, 상기 제2 리드 프레임의 하부에서의 상기 제1 도전층의 두께는, 상기 제2 도전층의 두께 이상일 수 있다.The thickness of the first conductive layer in the lower portion of the second lead frame may be equal to or greater than the thickness of the second conductive layer.

그리고, 상기 절연층의 두께는 상기 제2 도전층의 두께의 50 내지 100%일 수 있다.The thickness of the insulating layer may be 50 to 100% of the thickness of the second conductive layer.

그리고, 상기 제2 도전층의 두께는 0.5 내지 1 밀리미터일 수 있다.The thickness of the second conductive layer may be 0.5 to 1 millimeter.

또한, 상기 제1 리드 프레임의 하부에서의 상기 제1 도전층의 두께는 1.5 내지 2.5 밀리미터일 수 있다.In addition, the thickness of the first conductive layer in the lower portion of the first lead frame may be 1.5 to 2.5 millimeters.

다른 실시예는 발광소자와, 상기 발광소자와 전기적으로 연결되는 제1,2 리드 프레임과, 상기 제1 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제1 도전층과, 상기 제1 도전층과 적어도 일부의 영역에서 중첩되고, 상기 제2 리드프레임에 전기적으로 연결된 제2 도전층과 상기 제1 도전층과 제2 도전층을 전기적으로 절연시키는 절연층 및 상기 제1 도전층이 배치된 회로 회로기판 바디를 포함하는 발광소자 모듈; 상기 발광소자 모듈로부터 방출된 빛을 가이드하는 도광판; 및 상기 도광판으로부터 가이드된 빛을 전달하는 광학시트를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.Another embodiment includes a light emitting device, a first and second lead frame electrically connected to the light emitting device, a first conductive layer electrically connected to the first lead frame, and a second conductive layer electrically connected to the first conductive layer, And a second conductive layer electrically connected to the second lead frame, and an insulation layer electrically isolating the first conductive layer from the second conductive layer, and a circuit board body on which the first conductive layer is disposed A light emitting device module; A light guide plate for guiding light emitted from the light emitting device module; And an optical sheet that transmits light guided from the light guide plate.

실시예에 따른 발광소자 모듈의 방열 특성이 향상된다.The heat radiation characteristic of the light emitting device module according to the embodiment is improved.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 모듈의 내부 단면을 나타낸 사시도이고,
도 2는 실시예에 따른 발광소자 모듈의 방열특성을 나타낸 도면이고,
도 3은 발광소자 모듈의 비교예의 방열특성을 나타낸 도면이고,
도 4는 도 1의 발광소자 모듈의 리드 프레임의 구조를 나타낸 도면이고,
도 5는 도 1의 발광소자 모듈의 단면을 나타낸 도면이고,
도 6 내지 도 12는 발광소자 모듈의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 13은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 도면이고,
도 14는 실시예에 따른 조명 장치를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view showing an internal cross-section of a light emitting device module according to an embodiment,
2 is a view showing a heat radiation characteristic of the light emitting device module according to the embodiment,
3 is a view showing a heat radiation characteristic of a comparative example of a light emitting element module,
FIG. 4 is a view showing a structure of a lead frame of the light emitting device module of FIG. 1,
FIG. 5 is a cross-sectional view of the light emitting device module of FIG. 1,
6 to 12 are views showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting device module,
13 is a view illustrating a backlight unit according to an embodiment,
14 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

이하 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 모듈의 내부 단면을 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing an internal cross-section of a light emitting device module according to an embodiment.

도시된 바와 같이 실시예에 따른 발광소자 모듈(100)은 회로기판과 상기 회로기판 상에 배치된 발광소자 패키지를 포함하여 이루어진다.As shown in the figure, the light emitting device module 100 according to the embodiment includes a circuit board and a light emitting device package disposed on the circuit board.

회로기판은 회로기판 바디(10) 상에 제1 도전층(12)과 절연층(14)과 제2 도전층(16)이 적층되어 있다. 여기서, 회로기판 바디(10)는 절연성 재료로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 XPC, FR1 등의 페놀 수지나 FR4 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.The circuit board has a first conductive layer 12, an insulating layer 14, and a second conductive layer 16 stacked on a circuit board body 10. Here, the circuit board body 10 may be made of an insulating material, for example, phenol resins such as XPC and FR1, and epoxy resins such as FR4.

그리고, 상기 제1, 2 도전층(12, 16)은 도전성 재료로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 Cu(구리)나 알루미늄(Al) 등이 사용될 수 있다.The first and second conductive layers 12 and 16 may be made of a conductive material. For example, copper (Cu) or aluminum (Al) may be used.

그리고, 상기 제1 도전층(12)과 제2 도전층(16)의 사이에 배치되어 상기 제1 도전층(12)과 제2 도전층(16)을 전기적으로 절연시키는 절연층(14)은 절연성 재료로 이루어지며, 예를 들어 FR4 등의 에폭시 수지 또는 XPC, FR1 등의 페놀 수지를 사용할 수 있다.An insulating layer 14 is disposed between the first conductive layer 12 and the second conductive layer 16 and electrically insulates the first conductive layer 12 from the second conductive layer 16 For example, an epoxy resin such as FR4 or a phenol resin such as XPC or FR1 can be used.

그리고, 상기 제1 도전층(12)은 제1 리드 프레임(30)과 연결되고, 상기 제2 도전층(16)은 제2 리드 프레임(40)과 연결되어 있다. 상기 제1, 2 리드 프레임(30, 40)은 상기 제1, 2 도전층(12, 16)으로부터 하기의 발광소자(60)에 전류를 공급할 수 있으며, 도전성 물질 예를 들어 구리(Cu) 합금 등으로 형성될 수 있다.The first conductive layer 12 is connected to the first lead frame 30 and the second conductive layer 16 is connected to the second lead frame 40. The first and second lead frames 30 and 40 can supply current to the following light emitting device 60 from the first and second conductive layers 12 and 16 and can be formed of a conductive material such as a copper alloy Or the like.

이때, 상기 제1, 2 도전층(12, 16)과 제1,2 리드 프레임의 접착을 위하여 각각 솔더층(35, 45)을 사용할 수 있다. 상기 솔더층(35, 45)는 도전성 물질을 사용할 수 있다.At this time, solder layers 35 and 45 may be used for bonding the first and second conductive layers 12 and 16 and the first and second lead frames, respectively. The solder layers 35 and 45 may be made of a conductive material.

그리고, 상기 제1 리드 프레임(30) 상에는 발광소자(60)가 배치될 수 있는데, 상기 발광소자(60)는 솔더층(65)을 통하여 상기 제1 리드 프레임(30) 상에 배치될 수 있다.A light emitting device 60 may be disposed on the first lead frame 30 and the light emitting device 60 may be disposed on the first lead frame 30 through a solder layer 65 .

여기서, 발광소자(60)는 발광 다이오드(Light emitting diode)일 수 있으며, 수직형 발광 다이오드 또는 수평형 발광 다이오드일 수 있다. 예를 들어 수직형 발광 다이오드일 경우, 도전성 지지기판(Metal support)가 상술한 바와 같이 솔더(65)를 통하여 제1 리드 프레임(30) 상에 배치되고, 다른 하나의 전극은 와이어(70)를 통하여 상기 제2 리드 프레임(40)과 전기적으로 연결될 수 있다.Here, the light emitting device 60 may be a light emitting diode, a vertical light emitting diode, or a horizontal light emitting diode. For example, in the case of a vertical type light emitting diode, a conductive support substrate is disposed on the first lead frame 30 through the solder 65 as described above, and the other electrode is connected to the wire 70 And may be electrically connected to the second lead frame 40 through the through holes.

그리고, 제1, 2 도전층(12, 16)이 상기 제1, 2 리드 프레임(30, 40)과 연결되지 않은 부분에는 커버층(20)이 배치되어 상기 제1, 2 도전층(12, 16) 등을 덮을 수 있는데, 상기 커버층(20)은 상기 회로기판 바디(10)와 동일한 재료로 이루어질 수 있다.A cover layer 20 is disposed at a portion where the first and second conductive layers 12 and 16 are not connected to the first and second lead frames 30 and 40 to form the first and second conductive layers 12 and 14. [ 16, and the cover layer 20 may be made of the same material as the circuit board body 10.

그리고, 패키지 바디(80) 내에 캐비티(cavity)가 형성되어 상기 발광소자(60)가 배치될 영역을 형성할 수 있는데, 상기 패키지 바디(80)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다.A cavity may be formed in the package body 80 to form a region in which the light emitting device 60 is to be disposed. The package body 80 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. .

그리고, 도시되지는 않았으나 상기 발광소자(60) 상에는 실리콘 또는 에폭시 수지로 몰딩부가 형성되어 상기 발광소자(60)와 와이어(70)을 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부 에는 형광체가 포함될 수 있는데, 상기 몰딩부 내의 형광체는 상기 발광소자(60)에서 방출된 빛의 파장을 보다 장파장으로 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(60)에서 청색 파장 영역의 광을 방출하고 상기 형광체은 청색 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 황색 파장 영역의 빛을 방출하고, 청색 파장 영역의 광과 황색 파장 영역의 광이 혼합되어 백색 파장 영역의 광을 구현할 수 있다.Although not shown, a molding part may be formed of silicon or epoxy resin on the light emitting device 60 to protect the light emitting device 60 and the wire 70. In addition, the molding part may include a phosphor, and the phosphor in the molding part may change the wavelength of light emitted from the light emitting device 60 to a longer wavelength. For example, the light emitting device 60 emits light in a blue wavelength region, and the phosphor is excited by light in the blue wavelength region to emit light in the yellow wavelength region, and light in the blue wavelength region and light in the yellow wavelength region Can be mixed to realize light in a white wavelength region.

도 4는 도 1의 발광소자 모듈의 리드 프레임의 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a structure of a lead frame of the light emitting device module of FIG.

도시된 바와 같이, 커버층(20) 상에 제1 리드 프레임(30)과 제2 리드 프레임(40)이 배치되는데, 제1 리드 프레임(30) 상에는 발광소자(60)가 배치되므로 방열을 고려하여 상기 제1 리드 프레임(30)의 크기가 상기 제2 리드 프레임(40)의 크기보다 더 클 수 있다.The first lead frame 30 and the second lead frame 40 are disposed on the cover layer 20. Since the light emitting device 60 is disposed on the first lead frame 30, The size of the first lead frame 30 may be larger than that of the second lead frame 40.

그리고, 회로기판 전체는 가로의 길이(a)와 세로의 길이(b)가 10 밀리미터일 수 있으며, 이때 제1 리드 프레임(30)은 도 4에서 가로의 길이(aP)가 4. 75 밀리미터이고 세로의 길이(bP)가 5 밀리미터일 수 있다.In addition, the entire circuit board may have a length a and a length b of 10 millimeters, wherein the first lead frame 30 has a length aP of 4.75 mm in FIG. 4 The length bP can be 5 millimeters.

그리고, 제2 리드 프레임(40)은 도 4에서 가로의 길이(aP)가 4. 08 밀리미터이고 세로의 길이(bP)가 5 밀리미터일 수 있다. 그리고, 상기 제2 리드 프레임(40) 상에는 와이어(70)가 본딩될 패드(48)가 배치될 수 있다.In FIG. 4, the second lead frame 40 may have a length aP of 4.08 mm and a length bP of 5 mm. A pad 48 to which the wire 70 is to be bonded may be disposed on the second lead frame 40.

여기서, 상기 제1 도전층(12)과 제2 도전층(16)이 중첩되는 영역의 길이와 상기 회로기판 바디(10)의 길이의 비는, 상기 제1 리드 프레임(30)과 제2 리드 프레임(40)을 연결하는 방향과 수직인 방향에서 0.5 대 1 내지 0.8 대 1 일 수 있다The ratio of the length of the region in which the first conductive layer 12 and the second conductive layer 16 overlap each other and the length of the circuit board body 10 is set such that the distance between the first lead frame 30 and the second lead And may be 0.5 to 1 to 0.8 to 1 in a direction perpendicular to the direction in which the frame 40 is connected

즉, 도 4에서 세로 방향으로 회로기판 바디(10)의 길이가 10 밀리미터이고, 상기 중첩 영역의 세로 방향의 길이는 5 내지 8 밀리미터일 수 있다. 여기서, 세로 방향은 도 4에서 'b' 방향을 뜻하며, 상기 제1 리드 프레임(30)과 제2 리드 프레임(40)을 연결하는 가상의 선의 방향을 가로 방향이라 하면, 세로 방향은 상기 가로 방향과 수직인 방향이다.That is, in FIG. 4, the length of the circuit board body 10 in the longitudinal direction is 10 millimeters, and the length of the overlap region in the longitudinal direction is 5 to 8 millimeters. Here, the longitudinal direction is the 'b' direction in FIG. 4, and when the imaginary line connecting the first lead frame 30 and the second lead frame 40 is referred to as a transverse direction, .

여기서, 상기 중첩 영역의 면적이 너무 작으면 방열 효과에 충분하지 못할 수 있다. 한편, 회로기판 바디(10)의 외곽에 절연 영역이 형성되어야 하므로, 상기 회로기판 바디(10)의 소정 영역은 도전층이 형성되지 않게 배치할 수 있다.Here, if the area of the overlap region is too small, the heat dissipation effect may not be sufficient. Since an insulating region is formed on the outer periphery of the circuit board body 10, a predetermined region of the circuit board body 10 can be disposed without forming a conductive layer.

도 5는 도 1의 발광소자 모듈의 단면을 나타낸 도면이다.5 is a cross-sectional view of the light emitting device module of FIG.

도 5에서 회로기판 전체의 두께(Tc)는 1 밀리미터 내외이다. 그리고, 회로기판 바디(10)의 두께는 0.86 밀리미터일 수 있으며, 제1 도전층의 두께(TP)는 0. 14 밀리미터일 수 있는데 여기서 상기 제1 도전층의 두게(TP)는 상기 제1 리드 프레임(30)의 하부에서의 두께이다.In FIG. 5, the thickness Tc of the entire circuit board is about 1 millimeter. The thickness TP of the first conductive layer may be 0.14 mm, and the thickness TP of the first conductive layer may be 0.42 mm, Is the thickness at the bottom of the frame (30).

그리고, 절연층의 두께(TF)는 0. 035 밀리미터 내외이고, 제2 도전층의 두께(TN)은 0. 035 밀리미터 내외이다. 제2 도전층(14)의 두께(TN)는 0.03 내지 0.1 밀리미터일 수 있는데, 두께가 너무 얇으면 도전과 방열에 충분하지 못할 수 있고, 너무 두꺼우면 제한된 회로기판의 두께(약 1 밀리미터)의 활용에 충분하지 못할 수 있다.The thickness (TF) of the insulating layer is about 0.035 mm and the thickness (TN) of the second conductive layer is about 0.035 mm. The thickness TN of the second conductive layer 14 may be between 0.03 and 0.1 millimeters. If the thickness is too thin, it may be insufficient for conduction and heat radiation. If too thick, the thickness of the limited circuit board (about 1 millimeter) It may not be enough for utilization.

여기서, 상기 절연층의 두께(TF)는 상기 제2 리드 프레임(40)과 대응되는 영역에서의 두께이다. 그리고, 상기 솔더층(35, 45)의 두께(TS)는 0.02 밀리미터 미만일 수 있다. 솔더층(35, 45)의 두께가 너무 두꺼우면 발광소자 모듈의 경박화에 장애가 되고, 너무 얇으면 리드 프레임(30, 40)과 도전층(12, 16)의 접착에 충분하지 못할 수 있다. Here, the thickness TF of the insulating layer is a thickness in a region corresponding to the second lead frame 40. And, the thickness TS of the solder layer 35, 45 may be less than 0.02 millimeter. If the thickness of the solder layers 35 and 45 is too large, the light emitting device module becomes too thin. If the solder layers 35 and 45 are too thin, the lead frames 30 and 40 and the conductive layers 12 and 16 may not be sufficiently bonded.

여기서, 제2 리드 프레임(16)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(16)과 대응하는 절연층(14)의 두께와 같을 수 있고, 상기 제1 도전층(12)의 두께는 도시된 바와 같이 제1 리드 프레임(30)과 대응하는 하부 영역과 상기 제2 리드 프레임(40)과 대응하는 하부 영역에서 서로 다르다.The thickness of the second lead frame 16 may be equal to the thickness of the insulating layer 14 corresponding to the second lead frame 16 and the thickness of the first conductive layer 12 may be, Are different from each other in the lower region corresponding to the first lead frame 30 and the lower region corresponding to the second lead frame 40. [

즉, 제2 리드 프레임(40)의 하부 영역에서의 제1 도전층(12)의 두께는, 상기 제2 도전층(16)의 두께와 동일하거나 그 이상일 수 있다. 그리고, 상기 제1 리드 프레임(30)의 하부 영역에서의 제1 도전층(12)의 두께는, 상기 제2 도전층(16)의 두께 이상일 수 있다. 따라서, 상기 절연층(14)의 두께를 고려하면, 상기 제1 리드 프레임(30)의 하부 영역에서의 제1 도전층(12)의 두께는 상기 제2 도전층(16)의 두께의 2.5 배 이상일 수 있다.That is, the thickness of the first conductive layer 12 in the lower region of the second lead frame 40 may be equal to or greater than the thickness of the second conductive layer 16. The thickness of the first conductive layer 12 in the lower region of the first lead frame 30 may be equal to or greater than the thickness of the second conductive layer 16. Therefore, considering the thickness of the insulating layer 14, the thickness of the first conductive layer 12 in the lower region of the first lead frame 30 is 2.5 times the thickness of the second conductive layer 16 Or more.

즉, 제2 리드 프레임(40) 하부 영역에서 제1 도전층(12)과 제2 도전층(16)의 두께는 동일할 수 있고, 상기 절연층(14)의 두께는 상기 제2 도전층(16)의 50% 내지 100%일 수 있다. 따라서, 제1 리드 프레임(30)의 하부 영역에서 상기 제1 도전층(120)의 두께는 상기 제2 도전층(16)의 두께와 절연층(14)의 두께의 합과 같으므로, 상기 제1 도전층(120)의 두께는 절연층(14)의 두께의 2.5배 이상일 수 있다.That is, the thickness of the first conductive layer 12 and the second conductive layer 16 may be the same in the lower region of the second lead frame 40, 16). ≪ / RTI > Therefore, the thickness of the first conductive layer 120 in the lower region of the first lead frame 30 is equal to the sum of the thickness of the second conductive layer 16 and the thickness of the insulating layer 14, 1 conductive layer 120 may be at least 2.5 times the thickness of the insulating layer 14.

상술한 바와 같이, 회로기판 바디(10) 내에 제1, 2 도전층(12, 16)과 절연층(14)이 배치되면, 제1 도전층(12) 하부의 회로기판 바디(10)의 두께는, 제1 도전층(12)의 두께가 2.5 밀리미터이면, 7.5 밀리미터일 수 있다.As described above, when the first and second conductive layers 12 and 16 and the insulating layer 14 are disposed in the circuit board body 10, the thickness of the circuit board body 10 under the first conductive layer 12 May be 7.5 millimeters if the thickness of the first conductive layer 12 is 2.5 millimeters.

그리고, 제1 리드 프레임(30)과 제2 리드 프레임(40)의 두께는 같을 수 있고, 도시되지는 않았으나 제1 리드 프레임(30)과 제2 리드 프레임(40) 사이에는 절연물질이 배치될 수 있다.The thicknesses of the first lead frame 30 and the second lead frame 40 may be the same and an insulating material may be disposed between the first lead frame 30 and the second lead frame 40 .

그리고, 상기 제1 도전층(12)는 적어도 일부 영역에서 상기 제2 도전층(16)과 상하로 중첩되는데, 상기 중첩되는 영역은 상기 제2 리드 프레임(40)과 대응되는 영역이다. 즉, 제1 도전층(12)이 제2 리드 프레임(40) 방향으로 연장되므로, 상기 제2 도전층(16)의 하부에도 제1 도전층이 중첩되어 형성되며, 상기 제1 도전층(12)과 제2 도전층(16) 사이에 절연층(14)이 형성되어 제1,2 도전층(12, 16) 간의 통전을 방지한다.The first conductive layer 12 overlaps the second conductive layer 16 in at least a part of the region, and the overlapping region is a region corresponding to the second lead frame 40. That is, since the first conductive layer 12 extends in the direction of the second lead frame 40, the first conductive layer overlaps the lower surface of the second conductive layer 16, and the first conductive layer 12 An insulating layer 14 is formed between the first conductive layer 12 and the second conductive layer 16 to prevent current flow between the first and second conductive layers 12 and 16.

도 2는 실시예에 따른 발광소자 모듈의 방열특성을 나타낸 도면이고, 도 3은 발광소자 모듈의 비교예의 방열특성을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating heat dissipation characteristics of the light emitting device module according to the embodiment, and FIG. 3 is a view illustrating heat dissipation characteristics of a comparative example of the light emitting module.

도 2에 도시된 실시예에서 발광소자 주변에서 일부 고온 영역이 있으나, 발광소자 모듈 전체에서 온도가 전반적으로 낮고 열이 고르게 분포한다. 도 3의 비교예에서는 도 2에 비하여 발광소자 모듈 전체가 고온이고 열이 발광소자가 배치된 영역에 집중되고 있다.In the embodiment shown in FIG. 2, although there are some high-temperature regions around the light emitting device, the overall temperature of the light emitting device module is generally low and the heat is evenly distributed. In the comparative example of FIG. 3, the entire light emitting element module is higher in temperature than in FIG. 2, and the heat is concentrated in the region where the light emitting element is disposed.

즉, 상술한 실시예에 따른 발광소자 모듈은 발광소자가 연결된 제1 리드 프레임과 연결된 제1 도전층이 제2 리드 프레임의 하부 영역에까지 배치되어, 열방출 효과가 뛰어나다.That is, in the light emitting device module according to the above-described embodiment, the first conductive layer connected to the first lead frame connected to the light emitting element is disposed up to the lower region of the second lead frame, and thus the heat emitting effect is excellent.

도 6 내지 도 12는 발광소자 모듈의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.6 to 12 are views showing an embodiment of a method of manufacturing a light emitting device module.

먼저, 도 6에 도시된 바와 같이 회로기판 바디(10) 상에 홈을 형성한다. 상기 홈은 제1 도전층(12)과 절연층(14) 및 제2 도전층(16)이 배치될 영역이다.First, a groove is formed on the circuit board body 10 as shown in FIG. The grooves are regions in which the first conductive layer 12, the insulating layer 14, and the second conductive layer 16 are arranged.

그리고, 도 7에 도시된 바와 같이 도 6에서의 홈에 제1 도전층(12)을 형성한다. 이때, 제1 도전층(12)의 재료로 전기 전도도 및 열 전도도가 뛰어난 구리(Cu)나 알루미늄(Al) 등이 사용될 수 있다.Then, as shown in Fig. 7, the first conductive layer 12 is formed in the groove in Fig. At this time, copper (Cu) or aluminum (Al) having excellent electrical conductivity and thermal conductivity may be used as the material of the first conductive layer 12.

그리고, 도 8에 도시된 바와 같이 제1 도전층(12)의 일부를 제거한다. 이때, 상기 제1 도전층(12)이 제거되는 영역은 절연층(14)과 제2 도전층(16)이 형성될 영역이다.Then, a part of the first conductive layer 12 is removed as shown in Fig. At this time, the region where the first conductive layer 12 is removed is a region where the insulating layer 14 and the second conductive layer 16 are to be formed.

그리고, 도 9에 도시된 바와 같이 도 8에서 홈이 형성된 영역 즉 제1 도전층(12) 상에 절연층(14)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 9, an insulating layer 14 is formed on the grooved region, that is, the first conductive layer 12 in FIG.

그리고, 도 10에 도시된 바와 상기 절연층(14)의 일부를 식각하여, 도 11에서 제2 도전층(16)이 배치될 공간을 형성하다. 이때, 도시된 바와 같이 제1 도전층(12)과 도 11의 제2 도전층(16)이 형성될 공간을 분리하기 위하여, 도 10의 홈의 바닥과 측면에 절연층(14)의 일부가 제거되지 않아야 한다.Then, as shown in FIG. 10, a part of the insulating layer 14 is etched to form a space in which the second conductive layer 16 is to be arranged in FIG. At this time, in order to separate the space where the first conductive layer 12 and the second conductive layer 16 of FIG. 11 are to be formed as shown in FIG. 10, a part of the insulating layer 14 is formed on the bottom and side surfaces of the groove of FIG. It should not be removed.

그리고, 도 11에 도시된 바와 같이 도 10의 홈에 제2 도전층(미도시)을 형성하고, 도 12에 도시된 바와 같이 발광소자 패키지를 제1 도전층(12)과 제2 도전층(16)과 전기적으로 연결하여 실장한다.11, a second conductive layer (not shown) is formed in the groove of FIG. 10, and the light emitting device package is electrically connected to the first conductive layer 12 and the second conductive layer 16).

상술한 발광소자 모듈은, 회로기판 상에 발광소자 패키지가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A plurality of light emitting device packages may be mounted on the circuit board of the above-described light emitting device module, but the present invention is not limited thereto.

다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 모듈을 포함하는 지시 장치, 조명 시스템 등으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등 등의 조명장치와, 표시 장치 내에서의 백라이트 유닛 등으로 구현될 수 있다. 여기서, 백라이트 유닛은 상술한 실시예에 따른 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.Other embodiments may be implemented with an indicating device including an emissive element module described in the above embodiments, an illumination system, etc. For example, the illumination system may include a lighting device such as a lamp, a streetlight, Unit or the like. Here, the light guide plate, the prism sheet, the diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package according to the above-described embodiment.

도 13은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 나타낸 도면이다.13 is a view showing a backlight unit according to the embodiment.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(200)는 발광소자 모듈(100)과, 바텀 커버(210) 상의 반사판(215)과, 상기 반사판(215)의 위에 배치되며 상기 발광소자 모듈(100)에서 발산되는 빛을 표시장치 전방으로 안내하는 도광판(220)과, 상기 도광판(220)으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓히는 확산시트(240)와, 상기 확산시트(240)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(250)와 제2 프리즘시트(260)와, 상기 제2 프리즘시트(260)의 전방에 배치되어, 상기 도광판(220)과 확산시트(240)와 제1 프리즘시트(250)와 제2 프리즘시트(260)를 바텀 커버(210)에 고정하는 몰드 프레임(270)과, 상기 몰드 프레임(270)의 전방에 배치되는 패널(280)과 상기 패널(280)의 전방에서 상기 패널(280)을 백라이트에 고정하는 탑 커버(290)을 포함하여 이루어진다.The display device 200 according to the present embodiment includes the light emitting device module 100, the reflection plate 215 on the bottom cover 210, and the reflection plate 215 disposed on the reflection plate 215, A diffusing sheet 240 for maximizing a light projection angle through refraction and scattering of light incident from the light guide plate 220; A first prism sheet 250 and a second prism sheet 260 disposed in front of the first prism sheet 240 and a second prism sheet 260 disposed in front of the second prism sheet 260 and disposed between the light guide plate 220 and the diffusion sheet 240, A mold frame 270 fixing the first prism sheet 250 and the second prism sheet 260 to the bottom cover 210, a panel 280 disposed in front of the mold frame 270, And a top cover 290 for fixing the panel 280 to the backlight in front of the panel 280.

발광소자 모듈(100)은 도 1 등에서 설명한 바와 같다.The light emitting device module 100 has been described with reference to FIG.

상기 바텀 커버(210)는 표시 장치(200) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 상기 반사판(215)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(220)의 후면이나, 상기 바텀 커버(210)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 210 may house the components in the display device 200. The reflection plate 215 may be formed as a separate component as shown in the drawing or may be formed on the rear surface of the light guide plate 220 or on the front surface of the bottom cover 210 in a state of being coated with a highly reflective material It is also possible.

여기서, 반사판(215)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 215 can be made of a material having a high reflectivity and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

그리고, 도광판(220)은 발광소자 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 도광판(220)은 반사판(255), 확산시트(240), 제1 프리즘시트(250) 또는 제2 프리즘시트(260) 등의 다른 광학시트에 비하여 중량이 커서 바텀 커버(210)에 고정하는 수단이 필요하며, 상기 발광소자 모듈(100)에서 발생하는 열에 의하여 부피가 증가할 수 있으므로 발광소자 모듈(100) 내의 발광소자에 접촉하지 않도록 배치해야 한다.The light guide plate 220 scatters the light emitted from the light emitting device module so that the light is uniformly distributed over the whole area of the screen of the liquid crystal display device. The light guiding plate 220 has a larger weight than the other optical sheets such as the reflection plate 255, the diffusion sheet 240, the first prism sheet 250 or the second prism sheet 260, And may be increased in volume due to heat generated from the light emitting device module 100, so that the light emitting device module 100 should be disposed so as not to contact the light emitting device.

상기 도광판(220) 상에 확산시트(240)가 배치될 수 있다. 상기 확산시트(240)는 폴리에스터(Polyester)와 폴리카보네이트(Polycarbonate) 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 상기 확산시트(240)는 광확산제를 포함하는 지지층과, 상기 지지층의 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 광확산제를 포함하지 않는 제2 레이어를 포함할 수 있다.The diffusion sheet 240 may be disposed on the light guide plate 220. The diffusion sheet 240 may be made of a material such as polyester and polycarbonate, and the light incident angle may be maximized by refracting and scattering light incident from the backlight unit. The diffusion sheet 240 includes a support layer including a light-diffusing agent, and a light-diffusing layer formed on the light-emitting surface (first prism sheet direction) of the support layer and the light incidence surface And may include a first layer and a second layer that does not include a light diffusing agent.

그리고, 상기 지지층은 메타크릴산-스틸렌(Methacrylic acid-stylene) 공중합체와 메타크릴산 메틸-스틸렌(Methacrylic acid methyl-stylene) 공중합체가 혼합된 수지 100 중량부에 대하여, 1~10 마이크로 미터의 평균입경을 가진 실록산(siloxane)계 광확산제 0.1~10중량부, 1~10 마이크로 미터의 평균입경을 가진 아크릴(acrylic)계 광확산제 0.1~10중량부가 포함될 수 있다.The supporting layer may be formed by mixing 100 parts by weight of a resin mixed with a methacrylic acid-styrene copolymer and a methacrylic acid methyl-styrene copolymer in an amount of 1 to 10 micrometers 0.1 to 10 parts by weight of a siloxane light-diffusing agent having an average particle diameter, and 0.1 to 10 parts by weight of an acrylic light-diffusing agent having an average particle diameter of 1 to 10 micrometers.

그리고, 상기 제1 레이어와 제2 레이어는 메타크릴산 메틸-스틸렌 공중합체 수지 100 중량부에 대하여, 자외선 흡수제 0.01 ~ 1 중량부, 대전 방지제 0.001 ~ 10중량부로 포함될 수 있다.The first layer and the second layer may contain 0.01 to 1 part by weight of an ultraviolet absorber and 0.001 to 10 parts by weight of an antistatic agent per 100 parts by weight of the methyl methacrylate-styrene copolymer resin.

상기 확산시트(240)에서 상기 지지층의 두께는 100~10000 마이크로 미터이고, 상기 각각의 레이어의 두께는 10~1000 마이크로 미터일 수 있다.In the diffusion sheet 240, the thickness of the supporting layer may be 100 to 10000 micrometers, and the thickness of each layer may be 10 to 1000 micrometers.

그리고, 상기 확산시트(240) 상에는 제1 프리즘시트(250)가 배치될 수 있다. 상기 제1 프리즘 시트(250)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.A first prism sheet 250 may be disposed on the diffusion sheet 240. The first prism sheet 250 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

그리고, 상기 제2 프리즘 시트(260)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(250) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 도광판(220) 등으로부터 전달된 빛을 상기 패널(280)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.그리고, 도시되지는 않았으나 상기 각각의 프리즘 시트(250, 260) 상에는 보호 시트가 구비될 수 있는데, 지지필름의 양면에 광확산성 입자와 바인더를 포함하는 보호층이 구비될 수 있다. 또한, 상기 프리즘층은 폴리우레탄(Polyurethane),스티렌부타디엔(styrene-butadienc) 공중합체, 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(Polymetacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymetalmethacrylate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 엘라스토머(Polyethyleneterephthalate elastomer), 폴리이소프렌(Polyisoprene), 폴리실리콘(Poly silicon)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 중합체 재료로 이루어질 수 있다.The direction of the floor and the valley of one side of the supporting film in the second prism sheet 260 may be perpendicular to the direction of the floor and the valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 250. This is to uniformly distribute light transmitted from the light guide plate 220 and the like in all directions of the panel 280. Although not shown, a protective sheet may be provided on each of the prism sheets 250 and 260 , And a protective layer including light diffusing particles and a binder on both sides of the support film. The prism layer may be formed of a material selected from the group consisting of polyurethane, styrene-butadiene copolymer, polyacrylate, polymethacrylate, polymethylmethacrylate, polyethylene terephthalate elastomer A polymer material selected from the group consisting of polyethyleneterephthalate elastomer, polyisoprene, and poly silicon.

본 실시예에서 상기 확산시트(240)와 제1 프리즘시트(250)과 제2 프리즘시트(260)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the diffusion sheet 240, the first prism sheet 250 and the second prism sheet 260 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, A combination of a sheet and a microlens array, a combination of a prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 몰드 프레임(270)은 도시된 바와 같이 상기 제2 프리즘시트(260)의 전방에 배치되어, 상기 도광판(220)과 확산시트(240)와 제1 프리즘시트(250)와 제2 프리즘시트(260)를 바텀 커버(210)에 고정할 수 있다. 상기 몰드 프레임(270)은 도시된 바와 같이 가로와 세로 각각 2개의 부재로 구분되거나 전체가 하나의 부재로 구성될 수 있으며, 후술하는 바와 같이 도광판(220)을 지지하는 지지부가 형성된다.The mold frame 270 is disposed on the front side of the second prism sheet 260 as shown in the drawing so that the light guide plate 220, the diffusion sheet 240, the first prism sheet 250, 260 can be fixed to the bottom cover 210. As shown in the figure, the mold frame 270 may be divided into two members, each of which is horizontally and vertically, or may be a single member, and a support portion for supporting the light guide plate 220 is formed as described below.

패널(280)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)이 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The panel 280 may include a liquid crystal display (LCD) panel, and may include other types of display devices that require a light source in addition to the liquid crystal display panel.

상기 패널(280)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 280, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

그리고, 상기 패널(280)의 전면에는 컬러 필터(미도시)가 구비되어 상기 패널(280)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.In addition, a color filter (not shown) is provided on the front surface of the panel 280 so that only the red, green, and blue light is transmitted for each pixel.

도 14는 실시예에 따른 조명 장치를 나타낸 도면이다.14 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.The illumination device according to the embodiment includes a light source 600 for projecting light, a housing 400 in which the light source 600 is embedded, a heat dissipation unit 500 for emitting heat of the light source 600, And a holder 700 for coupling the heat dissipating unit 500 to the housing 400.

상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 400 includes a socket coupling part 410 coupled to an electric socket and a body part 420 connected to the socket coupling part 410 and having a light source 600 embedded therein. The body 420 may have one air flow hole 430 formed therethrough.

상기 하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of air flow openings 430 are provided on the body portion 420 of the housing 400. The air flow openings 430 may be formed of one air flow openings or a plurality of flow openings may be radially arranged Various other arrangements are also possible.

그리고, 상기 광원(600)은 기판(610) 상에 복수 개의 발광소자 패키지(650)가 구비된다. 여기서, 상기 기판(610)은 상기 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.The light source 600 includes a plurality of light emitting device packages 650 on a substrate 610. Here, the substrate 610 may be inserted into the opening of the housing 400, and may be formed of a material having a high thermal conductivity to transmit heat to the heat dissipating unit 500 as described later.

그리고, 상기 광원의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(100)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(100)의 발광소자 패키지(150)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.In addition, a holder 700 is provided under the light source, and the holder 700 may include a frame and another air flow hole. Although not shown, an optical member may be provided under the light source 100 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 150 of the light source 100.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10 : 회로기판 바디 12 : 제1 도전층
14 : 절연층 16 : 제2 도전층
20 : 커버층 30, 40 : 제1,2 리드 프레임
35, 45, 65 : 솔더층 48 : 패드
60 : 발광소자 70 : 와이어
100 : 발광소자 모듈 200 : 표시장치
210 : 바텀 커버 215 : 반사판
220 : 도광판 240 : 확산시트
250, 260 : 제 1,2 프리즘 시트 270 : 몰드 프레임
280 : 패널 290 : 탑 커버
400 : 하우징 500 : 방열부
600 : 광원 700 : 홀더10: circuit board body 12: first conductive layer
14: insulating layer 16: second conductive layer
20: cover layer 30, 40: first and second lead frames
35, 45, 65: solder layer 48: pad
60: light emitting element 70: wire
100: light emitting device module 200: display device
210: bottom cover 215: reflector
220: light guide plate 240: diffusion sheet
250, 260: first and second prism sheets 270: mold frame
280: Panel 290: Top cover
400: housing 500:
600: light source 700: holder

Claims (11)

회로 기판;
상기 회로 기판 상에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
상기 제1 리드 프레임 상에 배치된 발광소자를 포함하고,
상기 회로 기판은,
회로 기판 바디;
상기 회로 기판 바디 상에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임에 전기적으로 연결되는 제1 도전층;
상기 제1 도전층의 일부 영역 상에 배치되고, 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제2 도전층; 및
상기 제2 도전층과 상기 제1 도전층의 상기 일부 영역 사이에 배치되고, 상기 제1 도전층과 제2 도전층을 전기적으로 분리하는 절연층을 포함하고,
상기 제1 도전층의 상기 일부 영역과 상기 제2 도전층 및 상기 절연층은 수직방향으로 중첩되고, 상기 발광소자와 상기 제2 도전층은 수직방향으로 비중첩되는 발광소자 모듈.A circuit board;
A first lead frame and a second lead frame disposed on the circuit board; And
And a light emitting element disposed on the first lead frame,
The circuit board includes:
Circuit board body;
A first conductive layer disposed on the circuit board body and electrically connected to the first lead frame;
A second conductive layer disposed on a portion of the first conductive layer and electrically connected to the second lead frame; And
And an insulating layer disposed between the second conductive layer and the partial region of the first conductive layer and electrically isolating the first conductive layer from the second conductive layer,
The part of the first conductive layer and the second conductive layer and the insulating layer are overlapped in a vertical direction, and the light emitting element and the second conductive layer are not overlapped in a vertical direction. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임은, 솔더층을 사이에 두고 상기 발광소자의 하부에 배치되는 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first lead frame is disposed below the light emitting element with a solder layer interposed therebetween. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 도전층의 상기 일부 영역과 상기 제2 도전층이 수직 방향으로 중첩되는 영역은, 상기 제2 리드 프레임의 하부에 배치되는 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
And a region where the partial region of the first conductive layer and the second conductive layer overlap in the vertical direction is disposed below the second lead frame. 제 3 항에 있어서,
상기 제1 도전층의 상기 일부 영역과 상기 제2 도전층이 수직 방향으로 중첩되는 영역의 길이와 상기 회로기판 바디의 길이의 비는, 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 연결하는 방향과 수직인 방향에서 0.5 대 1 내지 0.8 대 1 인 발광소자 모듈.The method of claim 3,
Wherein a ratio of a length of a region where the partial area of the first conductive layer and the second conductive layer are overlapped in the vertical direction and a length of the circuit board body corresponds to a direction connecting the first lead frame and the second lead frame, And from 0.5 to 1 to 0.8 to 1 in the vertical direction. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임의 하부에서의 상기 제1 도전층의 두께는, 상기 제2 도전층의 두께의 적어도 2.5배인 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first conductive layer in the lower portion of the first lead frame is at least 2.5 times the thickness of the second conductive layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 리드 프레임의 하부에서의 상기 제1 도전층의 두께는, 상기 제2 도전층의 두께 이상인 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the first conductive layer at a lower portion of the second lead frame is equal to or greater than a thickness of the second conductive layer. 제 1 항에 있어서,
상기 절연층의 두께는 상기 제2 도전층의 두께의 50 내지 100%인 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the insulating layer is 50 to 100% of the thickness of the second conductive layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 도전층의 두께는 0.03 내지 0.1 밀리미터인 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
And the thickness of the second conductive layer is 0.03 to 0.1 millimeter. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임의 하부에서의 상기 제1 도전층의 두께는 0.1 내지 2.5 밀리미터인 발광소자 모듈.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the first conductive layer in a lower portion of the first lead frame is 0.1 to 2.5 millimeters. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 발광소자 모듈;
상기 발광소자 모듈로부터 방출된 빛을 가이드하는 도광판;
상기 도광판으로부터 가이드된 빛을 전달하는 광학시트; 및
상기 광학시트의 전방에 배치된 패널을 포함하는 표시장치.The light emitting device module according to any one of claims 1 to 9,
A light guide plate for guiding light emitted from the light emitting device module;
An optical sheet for transmitting light guided from the light guide plate; And
And a panel disposed in front of the optical sheet. 삭제delete
KR1020100133034A 2010-12-23 2010-12-23 Light emitting device module and display device including the same KR101719627B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100133034A KR101719627B1 (en) 2010-12-23 2010-12-23 Light emitting device module and display device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100133034A KR101719627B1 (en) 2010-12-23 2010-12-23 Light emitting device module and display device including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120071472A KR20120071472A (en) 2012-07-03
KR101719627B1 true KR101719627B1 (en) 2017-03-24

Family

ID=46706451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100133034A KR101719627B1 (en) 2010-12-23 2010-12-23 Light emitting device module and display device including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101719627B1 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101323401B1 (en) * 2006-12-29 2013-10-29 엘지디스플레이 주식회사 Light divice, method of fabricating the same, backlight unit and liquid crystal display divice having the same
KR101498682B1 (en) * 2008-08-20 2015-03-04 삼성전자주식회사 Light emitting diode module

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120071472A (en) 2012-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101883839B1 (en) Light emitting device module and bcklight unit including the same
KR101785645B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR20120046454A (en) Light emitting device package, backlight unit including the same and lighting device
KR101799449B1 (en) Light emitting device module and lighting apparatus including the same
KR101850434B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR101873997B1 (en) Light emitting device package and lighting system including the same
KR101806551B1 (en) Phosphor and light emitting device package including the same
KR101861631B1 (en) Light emitting device package and light system including the same
KR101824434B1 (en) Light emitting device package, lighting system and image display device including the same
KR101719627B1 (en) Light emitting device module and display device including the same
KR20110134029A (en) Backlight unit and display device including the same
US8829557B2 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR101735673B1 (en) Backlight unit
KR101820694B1 (en) Light emitting device package and lighting system including the same
KR101797596B1 (en) Light emitting device package and lighting apparatus including the same
KR101863868B1 (en) Light emitting device module and illumination system including the same
KR20120124186A (en) Ligth emitting device package and illuminating system including the same
KR101861634B1 (en) Light emitting device package
KR101813166B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR101874903B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR101804406B1 (en) Light emitting device package and lighting system including the same
KR101762322B1 (en) Light emitting device package
KR101838018B1 (en) light emitting device package and lighting system including the same
KR20150140027A (en) Light emitting device package
KR101880134B1 (en) Light emitting device package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200211

Year of fee payment: 4