KR101703830B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 132
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 79
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 54
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 40
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000002411 adverse Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 9
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011897 real-time detection Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
- G02B27/0068—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration having means for controlling the degree of correction, e.g. using phase modulators, movable elements
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 시스템을 나타낸 도;
- 도 2는 도 1의 장치를 보다 상세히 나타낸 도;
- 도 3은 도 1 및 도 2의 장치의 소스 컬렉터 모듈을 보다 상세히 나타낸 도;
- 도 4 및 도 5는 리소그래피 장치의 조명 시스템을 나타내며 이동가능한 필드 면 거울들의 기능을 예시한 도;
- 도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 보정 작용의 효과를 나타낸 도;
- 도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보정 작용의 효과를 나타낸 도;
- 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 이동가능한 면들을 포함하는 필드 거울을 위한 제어 시스템을 나타낸 도이다.
Claims (16)
- 리소그래피 장치에 있어서,
패터닝 디바이스로부터의 패턴을 기판 상으로 투영하도록 배치되고, 방사선 빔을 컨디셔닝하고 상기 방사선 빔을 상기 패터닝 디바이스 상에 지향하도록 구성되는 조명 시스템을 구비하며, 상기 조명 시스템은;
제 1 반사 구성요소 및 제 2 반사 구성요소 - 상기 제 1 반사 구성요소는 상기 방사선 빔의 방사선을 상기 제 2 반사 구성요소 상으로 지향시키도록 배치되고 복수의 이동가능한 반사 요소들을 포함하고, 각각의 상기 이동가능한 반사 요소는 조명 모드를 변화시키기 위해 적어도 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능하며, 상기 제 2 반사 구성요소는 상기 조명 시스템의 퓨필 평면과 연관됨 - ; 및
제어 시스템 - 상기 제어 시스템은, 원하는 조명 모드를 이행하기 위하여 복수의 이동가능한 반사 요소들을 각각의 원하는 위치들에 설정하도록 배치되며, 나아가 상기 이동가능한 반사 요소들 중 적어도 하나의 반사 요소가 결함이 있고 상기 각각의 원하는 위치에 설정할 수 없을 경우, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는(defective) 적어도 하나의 반사 요소와 상이한 적어도 하나의 다른 반사 요소를 원하는 위치와는 다른 보정 위치(corrective position)에 설정하여 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 악영향을 적어도 부분적으로 완화시키도록 배치됨 - 을 포함하는 리소그래피 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제어 시스템은 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소가, 원하는 위치에서, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소에 의하여 방사선이 지향된 상기 퓨필 평면 내의 제 1 지점 맞은편에 있는 상기 퓨필 평면 내의 제 2 지점으로, 방사선을 지향시키는 이동가능한 반사 요소가 되도록 배치되는 리소그래피 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제어 시스템은, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소가 상기 퓨필 평면 내의 제 1 지점으로 방사선을 지향시키는 경우에 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소가 보정 위치에 설정되어 상기 제 1 지점 맞은편에 있는 상기 퓨필 평면 내의 제 2 지점으로 방사선을 지향시키도록 배치되는 리소그래피 장치. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 지점은 상기 조명 시스템의 광학 축에 대해 상기 제 1 지점 맞은편에 있는 리소그래피 장치. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 지점은, 상기 퓨필 평면 내에 놓이고 상기 조명 시스템의 광학축을 통과하는 가상의 라인에 대해, 상기 제 1 지점 맞은편에 있는 리소그래피 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 시스템은, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소가 텔레센트리시티 오차(telecentricity error)를 야기하도록 방사선을 지향시키는 경우에, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소를 보정 위치에 설정하여 상기 제 1 텔레센트리시티 오차 반대편에 있는 제 2 텔레센트리시티 오차를 야기하도록 방사선을 지향시키게 배치되는 리소그래피 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 시스템은, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소가 상기 기판에 도달하지 않는 방향으로 방사선을 지향시키는 경우에, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소를 보정 위치에 설정하여 상기 기판에 도달하지 않도록 방사선을 지향시키게 배치되는 리소그래피 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 시스템은:
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소 및 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 결함 위치를 식별하는 정보를 저장하도록 구성되는 메모리; 및
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 결함 위치를 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 원하는 위치와 비교하도록 구성되는 제어기를 포함하며,
상기 제어 시스템은 상기 결함 위치가 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 원하는 위치와 같지 않은 경우에만 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소를 보정 위치에 설정하도록 배치되는 리소그래피 장치. - 디바이스 제조를 위한 리소그래피 방법에 있어서,
상기 방법은:
방사선 빔을 제 1 반사 구성요소 상에 반사시켜, 상기 방사선 빔이 상기 제 1 반사 구성요소에 의해 반사되어 제 2 반사 구성요소 상에 입사되도록 하는 단계 - 상기 방사선 빔은 이후 패터닝 디바이스 상에 입사되고, 상기 제 1 반사 구성요소는 복수의 이동가능한 반사 요소들을 포함하고, 각각의 상기 이동가능한 반사 요소는 상기 패터닝 디바이스의 조명 모드를 변화시키기 위해 적어도 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동가능함 - ;
상기 이동가능한 반사 요소들 중 적어도 하나의 반사 요소가 결함이 있고 원하는 조명 모드를 형성하기 위한 원하는 위치에 설정될 수 없는 경우, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소와 상이한 적어도 하나의 다른 반사 요소를 원하는 조명 모드를 형성하기 위한 원하는 위치와 상이한 보정 위치에 설정하여, 상기 이동가능한 반사 요소들 중 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 악영향을 적어도 부분적으로 완화시키는 단계;
상기 패터닝 디바이스를 이용하여 상기 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 및
상기 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조를 위한 리소그래피 방법. - 제 9 항에 있어서,
원하는 위치의 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소는, 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소에 의하여 방사선이 지향된 상기 제 2 반사 구성요소 상의 제 1 지점 맞은편의 상기 제 2 반사 구성요소 상의 제 2 지점으로 방사선을 지향시키는 리소그래피 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소는 상기 제 2 반사 구성요소 상의 제 1 지점으로 방사선을 지향시키고, 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소는 보정 위치에 설정되어 상기 제 1 지점 맞은편에 있는 상기 제 2 반사 구성요소 상의 제 2 지점으로 방사선을 지향시키는 리소그래피 방법. - 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 지점은 상기 제 1 반사 구성요소 및 상기 제 2 반사 구성요소가 일부를 형성하는 조명 시스템의 광학 축에 대해 상기 제 1 지점 맞은편에 있는 리소그래피 방법. - 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 지점은, 상기 제 2 반사 구성요소 상에 놓이고 그 중심을 통과하는 가상의 라인에 대해, 상기 제 1 지점 맞은편에 있는 리소그래피 방법. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소는 제 1 텔레센트리시티 오차를 야기하도록 방사선을 지향시키며, 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소는 보정 위치에 설정되어 상기 제 1 텔레센트리시티 오차 맞은편의 제 2 텔레센트리시티 오차를 야기하도록 방시선을 지향시키는 리소그래피 방법. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소는 상기 기판에 도달하지 않는 방향으로 방사선을 지향시키고, 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소는 보정 위치에 설정되어 상기 기판에 도달하지 않도록 방사선을 지향시키는 리소그래피 방법. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소, 및 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 결함 위치를 식별하는 정보를 저장하는 단계;
상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 결함 위치와 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 원하는 위치를 비교하는 단계; 및
상기 결함 위치가 상기 결함이 있는 적어도 하나의 반사 요소의 원하는 위치와 같지 않은 경우에만 상기 적어도 하나의 다른 반사 요소를 보정 위치에 설정하는 단계를 포함하는 리소그래피 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US26222509P | 2009-11-18 | 2009-11-18 | |
US61/262,225 | 2009-11-18 | ||
PCT/EP2010/063192 WO2011060975A1 (en) | 2009-11-18 | 2010-09-08 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120105473A KR20120105473A (ko) | 2012-09-25 |
KR101703830B1 true KR101703830B1 (ko) | 2017-02-08 |
Family
ID=43077137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127015468A KR101703830B1 (ko) | 2009-11-18 | 2010-09-08 | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9170500B2 (ko) |
JP (1) | JP5809637B2 (ko) |
KR (1) | KR101703830B1 (ko) |
CN (1) | CN102612667B (ko) |
NL (1) | NL2005331A (ko) |
TW (1) | TWI420257B (ko) |
WO (1) | WO2011060975A1 (ko) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014000763A1 (en) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for designing an illumination optics and illumination optics |
DE102012212453A1 (de) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik |
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-
2010
- 2010-09-08 KR KR1020127015468A patent/KR101703830B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-08 WO PCT/EP2010/063192 patent/WO2011060975A1/en active Application Filing
- 2010-09-08 JP JP2012539239A patent/JP5809637B2/ja active Active
- 2010-09-08 NL NL2005331A patent/NL2005331A/en not_active Application Discontinuation
- 2010-09-08 CN CN201080051846.8A patent/CN102612667B/zh active Active
- 2010-09-08 US US13/510,518 patent/US9170500B2/en active Active
- 2010-09-29 TW TW099133135A patent/TWI420257B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI420257B (zh) | 2013-12-21 |
NL2005331A (en) | 2011-05-19 |
CN102612667A (zh) | 2012-07-25 |
TW201133154A (en) | 2011-10-01 |
US20120229787A1 (en) | 2012-09-13 |
CN102612667B (zh) | 2015-06-17 |
US9170500B2 (en) | 2015-10-27 |
WO2011060975A1 (en) | 2011-05-26 |
KR20120105473A (ko) | 2012-09-25 |
JP5809637B2 (ja) | 2015-11-11 |
JP2013511825A (ja) | 2013-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20120615 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150907 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160622 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20161118 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20170201 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20170202 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200128 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200128 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210119 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220124 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240129 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250121 Start annual number: 9 End annual number: 9 |