KR101678214B1 - Shift register and display device using the same - Google Patents
Shift register and display device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101678214B1 KR101678214B1 KR1020100021727A KR20100021727A KR101678214B1 KR 101678214 B1 KR101678214 B1 KR 101678214B1 KR 1020100021727 A KR1020100021727 A KR 1020100021727A KR 20100021727 A KR20100021727 A KR 20100021727A KR 101678214 B1 KR101678214 B1 KR 101678214B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- node
- pull
- output signal
- stage
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
이 쉬프트 레지스터의 제n 스테이지는, Q 노드의 전위에 따라, 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀업 트랜지스터, Q 노드의 전위에 따라, 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀업 트랜지스터, QB 노드의 전위에 따라, 제1 게이트 로우 레벨의 제1 저전위 전압을 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀다운 트랜지스터, QB 노드의 전위에 따라, 제1 게이트 로우 레벨보다 낮은 제2 게이트 로우 레벨의 제2 저전위 전압을 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀다운 트랜지스터, 제n 스테이지의 앞에 배치된 전단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 전단 어느 하나의 제1 출력신호를 Q 노드에 인가하는 제1 트랜지스터 및 제n 스테이지의 뒤에 배치된 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 제1 저전위 전압을 Q 노드에 인가하는 제2 트랜지스터를 구비한다.The present invention relates to a shift register and a display device using the shift register.
The n-th stage of the shift register includes a first pull-up transistor for outputting an n-th clock signal of a gate high level as a first output signal in accordance with the potential of the Q-node, A first pull-down transistor for outputting a first low-level voltage at a first gate low level as a first output signal in accordance with a potential of a QB node, a second pull-up transistor for outputting a clock signal as a second output signal, , A second pull-down transistor for outputting a second low potential voltage of a second gate low level lower than the first gate low level as a second output signal in accordance with the second gate low level, According to an output signal, a first transistor for applying a first output signal of the previous stage to the Q node and a second transistor for applying a second output signal of the second stage And a second transistor for applying a first low potential voltage to the Q node according to an output signal.
Description
본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a shift register and a display device using the shift register.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발 및 시판되고 있다. 이러한 평판 표시장치의 스캔 드라이버는 일반적으로, 쉬프트 레지스터를 이용하여 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하고 있다. Various flat panel displays (FPDs) have been developed and marketed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (Cathode Ray Tube). In general, the scan driver of the flat panel display device sequentially supplies scan pulses to scan lines using a shift register.
스캔 드라이버의 쉬프트 레지스터는 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라 함)을 포함하며 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함한다. 스테이지들은 스캔펄스를 순차적으로 발생하여 스캔라인들에 공급한다. 도 1은 n 번째 스캔라인에 공급될 제n 스캔펄스(Vout(n))를 발생하기 위한 제n 스테이지의 구성을 보여준다.The shift register of the scan driver includes thin film transistors (hereinafter referred to as "TFTs ") and includes a plurality of stages connected in a dependent manner. The stages sequentially generate scan pulses and supply them to the scan lines. 1 shows a configuration of an n-th stage for generating an n-th scan pulse Vout (n) to be supplied to an n-th scan line.
도 1을 참조하면, 제n 스테이지는 풀업 트랜지스터(Pull-up transistor)(Tpu)를 제어하기 위한 Q 노드, 풀다운 트랜지스터(Pull-down transister)를 제어하기 위한 Q 바(Bar) 노드(이하, QB 노드)를 포함한다. 풀업 트랜지스터(Tpu)는 Q 노드의 전위가 충전 레벨로 유지되는 제1 출력기간 내에서 턴 온 되어 쉬프트 클럭신호(CLKn)를 게이트 하이 레벨(Vgh)의 제n 스캔펄스(Vout(n))로서 출력한다. 풀업 트랜지스터(Tpu)는 Q 노드의 전위가 방전 레벨로 유지되는 제2 출력기간 동안 턴 오프 된다. QB 노드의 전위는 제1 출력기간 동안 방전 레벨로 유지되고, 제2 출력기간 동안 충전 레벨로 유지된다. 이러한 QB 노드의 전위에 의해, 풀다운 트랜지스터(Tpd)는 제2 출력기간 동안 턴 온 되어 저전위 전압(VSS)을 게이트 로우 레벨(Vgl)의 제n 스캔펄스(Vout(n))로서 출력한다. 풀다운 트랜지스터(Tpd)는 제1 출력기간 동안 턴 오프 된다.1, the n-th stage includes a Q-node for controlling a pull-up transistor Tpu, a Q-bar node for controlling a pull-down transistor, Node). The pull-up transistor Tpu is turned on in the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level, and the shift clock signal CLKn is set to the nth scan pulse Vout (n) at the gate high level Output. The pull-up transistor Tpu is turned off during the second output period in which the potential of the Q node is maintained at the discharge level. The potential of the QB node is maintained at the discharge level during the first output period and is maintained at the charge level during the second output period. Due to the potential of the QB node, the pull-down transistor Tpd is turned on during the second output period to output the low potential voltage VSS as the nth scan pulse Vout (n) at the gate low level (Vgl). The pull-down transistor Tpd is turned off during the first output period.
Q 노드에 접속된 제1, 제5, 및 제6 트랜지스터(T1,T5,T6)는 스위칭 작용을 통해 Q 노드의 전압을 충방전시킨다. QB 노드에 접속된 제2 내지 제4 트랜지스터(T2 ~T4)는 스위칭 작용을 통해 QB 노드의 전압을 충방전시킨다.The first, fifth, and sixth transistors T1, T5, and T6 connected to the Q node charge and discharge the voltage of the Q node through the switching action. The second to fourth transistors T2 to T4 connected to the QB node charge and discharge the voltage of the QB node through the switching action.
최근, 이러한 트랜지스터들(Tpu,Tpd,T1~T6)을 표시패널에 형성하는 GIP(Gate in panel) 기술이 알려져 있다. 이 GIP 기술에 의하면, 트랜지스터들(Tpu,Tpd,T1~T6)은 디플리션 모드(Depletion mode) TFT로 구현될 수 있다. 디플리션 모드 TFT는 통상의 인 핸스먼트 모드(Enhancement Mode) TFT에 비해 응답특성이 빠른 장점이 있다. Recently, a gate in panel (GIP) technique for forming such transistors (Tpu, Tpd, T1 to T6) on a display panel is known. According to this GIP technique, the transistors Tpu, Tpd, T1 to T6 can be implemented in a depletion mode TFT. The depletion-mode TFT has a faster response characteristic than a normal enhancement-mode TFT.
그런데, 디플리션 모드 TFT는 도 2를 통해 알 수 있듯이 문턱전압이 (-)로 쉬프트 되어 있어서, Vgs=0V 에서 전류 차단 기능이 제대로 수행되지 않는 단점이 있다. 이에 따른 문제점을 간략히 설명하면 다음과 같다. 도 1에서 스테이지가 게이트 하이 레벨(Vgh)의 스캔펄스(Vout(n))를 정상적으로 출력하기 위해서는, 제1 출력기간 내에서 Q 노드의 전위를 충전 레벨로 유지한 상태에서 풀업 트랜지스터(Tpu)를 턴 온 시킴과 아울러, 상기 제1 출력기간 동안 풀다운 트랜지스터(Tpd)를 턴 오프 상태로 유지시켜야 한다. 그러나, 제1 출력기간 동안 Q 노드의 전위는 턴 오프 된 제5 및 제6 트랜지스터(T5,T6)의 전류 누설에 의해 충전 레벨로 유지되지 못하고 방전 레벨로 낮아진다. 또한, 제1 출력기간 동안 턴 오프 된 풀다운 트랜지스터(Tpd)에서도 전류 누설이 발생된다. 그 결과, 도 3의 실선과 같이 게이트 하이 레벨(Vgh)의 스캔펄스(Vout(n))는 정상적으로 출력되지 않게 된다. 도 2에서, 'Vgs'는 TFT의 게이트-소스 간 전압을, 'Ids'는 TFT의 드레인-소스 간 전류를 각각 지시한다. 도 3에서, 'VQ'는 Q 노드의 전위를, 'VQB'는 QB노드의 전위를 각각 지시한다.
As shown in FIG. 2, the depletion mode TFT has a disadvantage that the current blocking function is not properly performed at Vgs = 0V because the threshold voltage is shifted to (-). The following is a brief description of the problem. In order to normally output the scan pulse Vout (n) of the gate high level (Vgh) in Fig. 1, the pull-up transistor Tpu is turned on in the state where the potential of the Q node is maintained at the charge level within the first output period The pull-down transistor Tpd must be kept turned off during the first output period in addition to the turn-on. However, during the first output period, the potential of the Q node is not maintained at the charge level by the current leakage of the fifth and sixth transistors T5 and T6 turned off, and is lowered to the discharge level. In addition, current leakage also occurs in the pulldown transistor Tpd turned off during the first output period. As a result, the scan pulse Vout (n) of the gate high level (Vgh) is not normally output as shown by the solid line in FIG. In FIG. 2, 'Vgs' indicates the gate-source voltage of the TFT and 'Ids' indicates the drain-source current of the TFT, respectively. In FIG. 3, 'VQ' indicates the potential of the Q node, and 'VQB' indicates the potential of the QB node.
따라서, 본 발명의 목적은 출력 특성을 개선할 수 있도록 한 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치를 제공하는 데 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a shift register and a display device using the shift register.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따라 캐스캐이드 접속된 다수의 스테이지들을 포함한 쉬프트 레지스터의 제n 스테이지는, Q 노드의 전위에 따라, 게이트 하이 레벨의 제n 클럭신호를 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀업 트랜지스터; 상기 Q 노드의 전위에 따라, 상기 게이트 하이 레벨의 제n 클럭신호를 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀업 트랜지스터; QB 노드의 전위에 따라, 제1 게이트 로우 레벨의 제1 저전위 전압을 상기 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀다운 트랜지스터; 상기 QB 노드의 전위에 따라, 상기 제1 게이트 로우 레벨보다 낮은 제2 게이트 로우 레벨의 제2 저전위 전압을 상기 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀다운 트랜지스터; 상기 제n 스테이지의 앞에 배치된 전단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 전단 어느 하나의 제1 출력신호를 상기 Q 노드에 인가하는 제1 트랜지스터; 및 상기 제n 스테이지의 뒤에 배치된 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 제1 저전위 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제2 트랜지스터를 구비한다.
In order to achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, an n-th stage of a shift register including a plurality of stages connected in cascade is configured to shift an n-th clock signal of a gate high level A first pull-up transistor for outputting an output signal; A second pull-up transistor for outputting the n-th clock signal of the gate high level as a second output signal in accordance with the potential of the Q node; A first pull-down transistor for outputting the first low potential voltage of the first gate low level as the first output signal in accordance with the potential of the QB node; A second pull-down transistor for outputting, as the second output signal, a second low potential voltage of a second gate low level lower than the first gate low level in accordance with the potential of the QB node; A first transistor for applying a first output signal of the previous stage to the Q node according to a second output signal of any one of front stage stages arranged in front of the nth stage; And a second transistor for applying the first low potential voltage to the Q node in accordance with a second output signal of any one of the following single stages arranged behind the n-th stage.
본 발명에 따른 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치는 스캔펄스의 출력 특성을 크게 개선할 수 있다.
The shift register according to the present invention and the display device using the shift register can greatly improve the output characteristics of the scan pulse.
도 1은 종래 제n 스테이지의 구성을 보여주는 도면.
도 2는 TFT의 문턱전압 쉬프트를 보여주는 도면.
도 3은 TFT의 누설 전류로 인해 스캔펄스가 정상적으로 출력되지 않는 것을 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 도면.
도 5는 쉬프트 레지스터의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 6은 제1 실시예에 따른 제n 스테이지의 회로 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 7은 도 6에 공급되는 제어신호들의 파형을 보여주는 도면.
도 8은 도 6의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제1 예.
도 9는 도 6의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제2 예.
도 10은 도 6의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제3 예.
도 11은 도 6의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제4 예.
도 12는 도 6의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제5 예.
도 13은 도 6의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제6 예.
도 14는 제2 실시예에 따른 제n 스테이지의 회로 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 15는 도 14에 공급되는 제어신호들의 파형을 보여주는 도면.
도 16은 도 14의 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 일 예.1 is a view showing a configuration of a conventional n-th stage;
2 is a diagram showing a threshold voltage shift of a TFT.
3 is a view showing that a scan pulse is not normally output due to leakage current of a TFT.
4 is a view showing a display device according to an embodiment of the present invention.
Fig. 5 schematically shows the structure of a shift register; Fig.
6 is a schematic view showing a circuit configuration of an n-th stage according to the first embodiment;
FIG. 7 shows waveforms of the control signals supplied in FIG. 6; FIG.
8 is a first example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage of Fig.
Fig. 9 is a second example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage of Fig. 6;
10 is a third example showing the circuit configuration of the n-th stage of Fig. 6 in detail.
11 is a fourth example showing the circuit configuration of the n-th stage of Fig. 6 in detail.
12 is a fifth example showing the circuit configuration of the n-th stage of FIG. 6 in detail.
13 is a sixth example showing the circuit configuration of the n-th stage in Fig. 6 in detail.
Fig. 14 is a view schematically showing a circuit configuration of an n-th stage according to the second embodiment; Fig.
Fig. 15 shows waveforms of the control signals supplied in Fig. 14; Fig.
16 is an example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage of Fig.
이하, 도 4 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 16. FIG.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여준다. 도 5는 쉬프트 레지스터의 구성을 개략적으로 보여준다.4 shows a display device according to an embodiment of the present invention. 5 schematically shows the structure of a shift register.
도 4를 참조하면, 이 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 드라이버(12), 및 스캔 드라이버 등을 구비한다.Referring to FIG. 4, the display device includes a
표시패널(10)은 서로 교차되는 데이터라인들(DL) 및 스캔라인들(GL)과, 매트릭스 형태로 배치된 화소들을 포함한다. 표시패널(10)은 화소 어레이가 형성되는 표시영역(10A)과, 표시영역(10A) 바깥의 비 표시영역(10B)을 구비한다. 표시패널(10)은 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 중 어느 하나의 표시패널로 구현될 수 있다. The
타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 비디오 소스로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(DCLK) 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 입력 타이밍 신호를 기준으로 데이터 드라이버(12)와 스캔 드라이버의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. The
데이터 드라이버는 다수의 소스 드라이브 IC들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력 받는다. 소스 드라이브 IC들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 스캔펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터라인들(DL)에 공급한다. 소스 드라이브 IC들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터라인들(DL)에 접속될 수 있다. The data driver includes a plurality of source drive ICs. The source drive ICs receive digital video data (RGB) from the
스캔 드라이버는 타이밍 콘트롤러(11)와 표시패널(10)의 스캔라인들(GL) 사이에 접속된 레벨 쉬프터(level shiftet)(13) 및 쉬프트 레지스터(14)를 구비한다. The scan driver includes a
레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 0V~3.3V의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 레벨로 입력되는 쉬프트 클럭신호들(CLK)을 게이트 하이 레벨(Vgh)과 특정 게이트 로우 레벨(Vgl)로 레벨 쉬프팅한 후, 쉬프트 레지스터(14)에 공급한다. 여기서, 특정 게이트 로우 레벨(Vgl)은 제2 게이트 로우 레벨을 지시한다.The
쉬프트 레지스터(14)는 도 5와 같이 캐스캐이드(Cascade) 접속된 다수의 스테이지들(STn-1~STn+2)을 포함한다. 스테이지들(STn-1~STn+2)은 게이트 스타트 펄스(Vstart)를 쉬프트 클럭신호들(CLK)에 따라 쉬프트시켜 순차적으로 스캔펄스를 출력한다.The
GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)와 함께 콘트롤 PCB 상에 실장되고, 쉬프트 레지스터(14)는 표시패널(10)의 비 표시영역(10B) 상에 형성될 수 있다.
In the GIP scheme, the
이하, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 쉬프트 레지스터(14)의 구성을 상세히 설명한다. 다만, 설명의 편의상 쉬프트 클럭신호들(CLK)이 4 상으로 구현되고, 특정 스테이지(제n 스테이지)가 전전단 스테이지(제n-2 스테이지)의 제2 출력신호에 따라 셋됨과 아울러 다다음단 스테이지(제n+2 스테이지)의 제2 출력신호에 따라 리셋되는 경우를 예로 하여 설명한다. 하지만, 본 발명의 기술적 사상은 쉬프트 클럭신호들(CLK)이 적어도 2 상 이상으로 구현되는 경우와 , 특정 스테이지(제n 스테이지)가 전단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라 셋됨과 아울러 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라 리셋되는 경우에도 적용될 수 있다.Hereinafter, the structure of the
도 6은 제1 실시예에 따른 제n 스테이지의 회로 구성을 개략적으로 보여준다. 도 7은 도 6에 공급되는 제어신호들의 파형을 보여준다.6 schematically shows a circuit configuration of the n-th stage according to the first embodiment. Fig. 7 shows the waveforms of the control signals supplied in Fig.
도 6을 참조하면, 제1 실시예에 따른 제n 스테이지(STn)는, Q 노드의 전위에 따라 n 번째 클럭신호(CLKn)의 입력단과 제1 출력노드(No1) 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)와, QB 노드의 전위에 따라 제1 출력노드(No1)와 제1 저전위 전압(VSS1)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)를 포함하여, 게이트 하이 레벨(Vgh)과 제1 게이트 로우 레벨(Vgl1) 사이에서 스윙되는 제1 출력신호(Vout(n))를 제1 출력노드(No1)로 출력한다. 그리고, 제n 스테이지(STn)는, Q 노드의 전위에 따라 n 번째 클럭신호(CLKn)의 입력단과 제2 출력노드(No2) 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)와, QB 노드의 전위에 따라 제2 출력노드(No2)와 제2 저전위 전압(VSS2)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2)를 포함하여, 게이트 하이 레벨(Vgh)과 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2) 사이에서 스윙되는 제2 출력신호(Vout_C(n))를 제2 출력노드(No2)로 출력한다. 6, the n-th stage STn according to the first embodiment switches the current path between the input terminal of the n-th clock signal CLKn and the first output node No1 according to the potential of the Q node Down transistor Tpu1 and a first pull-down transistor Tpd1 for switching the current path between the first output node No1 and the input terminal of the first low potential voltage VSS1 according to the potential of the QB node , And outputs the first output signal Vout (n) swung between the gate high level (Vgh) and the first gate low level (Vgl1) to the first output node (No1). The n-th stage STn includes a second pull-up transistor Tpu2 for switching the current path between the input terminal of the n-th clock signal CLKn and the second output node No2 according to the potential of the Q node, And a second pull-down transistor Tpd2 for switching a current path between the second output node No2 and the input terminal of the second low potential voltage VSS2 according to the potential of the node so that the gate high level Vgh and the second And outputs a second output signal Vout_C (n) swinging between the gate low level (Vgl2) to the second output node (No2).
제1 출력신호(Vout(n))는 제1 출력노드(No1)를 경유하여 제n 스캔라인(GL(n)) 및 제n+2 스테이지(STn+2)에 공급된다. 제1 출력신호(Vout(n))는 스캔펄스로서 기능한다. 제2 출력신호(Vout_C(n))는 제2 출력노드(No2)를 경유하여 제n-2 스테이지(STn-2) 및 제n+2 스테이지(STn+2)에 공급된다. 제2 출력신호(Vout_C(n))는 셋/리셋 신호로서 기능한다.The first output signal Vout (n) is supplied to the nth scan line GL (n) and the (n + 2) th stage STn + 2 via the first output node No1. The first output signal Vout (n) functions as a scan pulse. The second output signal Vout_C (n) is supplied to the (n-2) th stage STn-2 and the (n + 2) th stage STn + 2 via the second output node No2. The second output signal Vout_C (n) functions as a set / reset signal.
여기서, n 번째 클럭신호(CLKn)는 도 7과 같이 게이트 하이 레벨(Vgh)과 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2) 사이에서 각각 스윙되며 순차적으로 발생되는 제1 내지 제4 클럭신호(CLK1~CLK4) 중 어느 하나일 수 있다. 제1 내지 제4 클럭신호(CLK1~CLK4)는 도시된 바와 같이 이웃 간에 중첩적으로 발생될 수 있고 또한, 비 중첩적으로 발생될 수 있다. 또한, 도 7과 같이, 고전위 전압(VDD)은 게이트 하이 레벨(Vgh)로, 제1 저전위 전압(VSS1)은 게이트 하이 레벨(Vgh)보다 낮은 제1 게이트 로우 레벨(Vgl1)로, 제2 저전위 전압(VSS2)은 제1 게이트 로우 레벨(Vgl1)보다 낮은 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2)로 입력될 수 있다.The n-th clock signal CLKn is swung between a gate high level Vgh and a second gate low level Vgl2 as shown in FIG. 7, and sequentially generates first to fourth clock signals CLK1 to CLK4, . ≪ / RTI > The first to fourth clock signals CLK1 to CLK4 can be generated overlappingly between neighbors as shown and can also be generated non-overlappingly. 7, the high-potential voltage VDD is set to the gate high level Vgh, the first low-potential voltage VSS1 is set to the first gate low level Vgl1, which is lower than the gate high level Vgh, 2 low potential voltage VSS2 may be input to the second gate low level (Vgl2) lower than the first gate low level (Vgl1).
Q 노드의 전위가 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지되는 제1 출력기간 동안 QB 노드의 전위는 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지되고, 반대로 Q 노드의 전위가 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지되는 제2 출력기간 동안 QB 노드의 전위는 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지된다. 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tpu1,Tpu2)는 제1 출력기간 내에서 턴 온 되어 각각 게이트 하이 레벨(Vgh)의 제1 및 제2 출력신호(Vout(n),Vout_C(n))를 출력한다. 그리고, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tpu1,Tpu2)는 제2 출력기간 동안 모두 턴 오프 된다. 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1,Tpd2)는 제1 출력기간 동안 모두 턴 오프 상태를 유지하다가, 제2 출력기간 동안 턴 온 되어 각각 제1 및 제2 게이트 로우 레벨(Vgl1,Vgl2)의 제1 및 제2 출력신호(Vout(n),Vout_C(n))를 출력한다. The potential of the QB node is maintained at the discharge level (second gate low level (Vgl2)) during the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level (gate high level (Vgh)), During the second output period held at the discharge level (second gate low level (Vgl2)), the potential of the QB node is maintained at the charge level (gate high level (Vgh)). The first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 are turned on in the first output period to output the first and second output signals Vout (n) and Vout_C (n) of the gate high level (Vgh) do. Then, the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 are all turned off during the second output period. The first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 are all turned off during the first output period and turned on during the second output period to turn off the first and second gate low levels Vgl1 and
제n 스테이지(STn)는, Q 노드의 전위를 제1 출력기간 동안 충전 레벨로 유지시키기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, Q 노드의 전위를 제2 출력기간 동안 방전 레벨로 유지시키기 위한 제2 트랜지스터(T2)를 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 제n-2 스테이지(STn-2)로부터의 제2 출력신호(Vout_C(n-2))에 응답하여 스위칭됨으로써 제n-2 스테이지(STn-2)로부터 입력되는 게이트 하이 레벨(Vgh)의 제1 출력신호(Vout(n-2))를 Q 노드에 인가한다. 제2 트랜지스터(T2)는 제n+2 스테이지(STn+2)로부터의 제2 출력신호(Vout_C(n+2))에 응답하여 스위칭됨으로써 제1 게이트 로우 레벨(Vgl1)의 제1 저전위 전압(VSS1)을 Q 노드에 인가한다.The n-th stage STn includes a first transistor T1 for maintaining the potential of the Q node at the charge level during the first output period and a second transistor T1 for maintaining the potential of the Q node at the discharge level during the second output period. And a transistor T2. The first transistor T1 is switched in response to the second output signal Vout_C (n-2) from the n-2th stage STn-2, And applies the first output signal Vout (n-2) of the high level (Vgh) to the Q node. The second transistor T2 is turned on in response to the second output signal Vout_C (n + 2) from the (n + 2) th stage STn + 2 to generate the first low potential (VSS1) to the Q node.
이러한 제n 스테이지(STn)에서, Q 노드의 전위가 충전 레벨로 유지되는 제1 출력기간 동안, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트-소스 간 전압(Vgs) 및 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 각각 0V보다 낮으므로(Vgl2-Vgl1<0V), 제2 트랜지스터(T2) 및 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)에 의한 전류 누설은 발생되지 않는다. 또한, Q 노드의 전위가 충전 레벨로 유지되는 제1 출력기간 동안, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 각각 0V보다 낮으므로(Vgl2-Vgl1<0V), 제1 트랜지스터(T1) 에 의한 전류 누설은 발생되지 않는다. 그 결과, 제1 출력신호(Vout(n))는 도 3의 점선과 같은 양호한 레벨로 스캔라인(GLn)으로 출력될 수 있다.
In this n-th stage STn, during the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level, the gate-source voltage Vgs of the second transistor T2 and the gate voltage of the gate of the first pull-down transistor Tpd1 The source-to-source voltage Vgs is lower than 0 V (Vgl2-Vgl1 < 0 V), so that current leakage by the second transistor T2 and the first pull-down transistor Tpd1 does not occur. During the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level, the gate-source voltage Vgs of the first transistor T1 is lower than 0 V (Vgl2-Vgl1 <0 V) The leakage of current by the first transistor T1 does not occur. As a result, the first output signal Vout (n) can be output to the scan line GLn at a good level as shown by the dotted line in Fig.
도 8은 도 6에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제1 예이다.Fig. 8 is a first example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in Fig.
도 8을 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 도 6을 통해 설명한 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2), 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 외에, 제3 내지 제5 트랜지스터(T3~T5)를 더 구비한다.8, the n-th stage STn includes, in addition to the pull-up transistors Tpu1 and Tpu2, the pull-down transistors Tpd1 and Tpd2, the first transistor T1 and the second transistor T2, And third to fifth transistors T3 to T5.
제3 트랜지스터(T3)는 Q 노드의 전위에 따라 QB 노드와 제2 저전위 전압(VSS2)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제4 트랜지스터(T4)는 QB 노드에 고전위 전압(VDD)을 인가한다. 제3 트랜지스터(T3)는 Q 노드의 전위가 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지되는 제1 출력기간 동안 턴 온 됨으로써, QB 노드의 전위를 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지시키고, 반대로 Q 노드의 전위가 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지되는 제2 출력기간 동안 턴 오프 됨으로써 QB 노드의 전위를 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지시킨다.The third transistor T3 switches the current path between the QB node and the input terminal of the second low potential voltage VSS2 according to the potential of the Q node. The fourth transistor T4 applies the high potential voltage VDD to the QB node. The third transistor T3 is turned on during the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level (gate high level (Vgh)), thereby turning the potential of the QB node to the discharge level (the second gate low level (Vgl2) (The gate high level Vgh) by turning off the QB node during the second output period in which the potential of the Q node is maintained at the discharge level (the second gate low level Vgl2) .
제5 트랜지스터(T5)는 n-1 번째 클럭신호(CLK(n-1))에 응답하여 스위칭됨으로써 제n-1 스테이지(STn-1)로부터의 제2 출력신호(Vout_C(n-1))를 Q 노드에 인가한다. 이러한 제5 트랜지스터(T5)는 풀업트랜지스터들(Tpu1,Tpu2)에 공급되는 n 번째 클럭신호(CLKn)의 게이트 하이 레벨 전압보다 앞서서 Q 노드를 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2)로 유지함으로써 풀업트랜지스터들(Tpu1,Tpu2)이 턴 온 되는 것을 효과적으로 방지한다.
The fifth transistor T5 is switched in response to the (n-1) -th clock signal CLK (n-1) so that the second output signal Vout_C (n-1) from the n-1th stage STn- To the Q node. The fifth transistor T5 maintains the Q node at the second gate low level Vgl2 ahead of the gate high level voltage of the nth clock signal CLKn supplied to the pull-up transistors Tpu1 and Tpu2, (Tpu1, Tpu2) is effectively turned on.
도 9는 도 6에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제2 예이다.FIG. 9 is a second example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in FIG.
도 9를 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 도 6 및 도 8을 통해 설명한 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2), 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2), 제1 내제 제5 트랜지스터들(T1~T5) 외에, 제6-1 트랜지스터(T61) 및 제6-2 트랜지스터(T62)를 더 구비한다.9, the n-th stage STn includes the pull-up transistors Tpu1 and Tpu2, the pull-down transistors Tpd1 and Tpd2, the first internal fifth transistors T1 to T5 , A sixth transistor (T61) and a sixth transistor (T62).
제6-1 트랜지스터(T61)는 제1 출력신호(Vout(n-2))가 출력되는 제n-2 스테이지(STn-2)의 출력단과 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속되어 제n-2 스테이지(STn-2)로부터의 제2 출력신호(Vout_C(n-2))에 응답하여 스위칭 된다. 제6-2 트랜지스터(T62)는 제6-1 트랜지스터(T61)와 제1 트랜지스터(T1)를 연결하는 제1 노드(N1)와 제2 출력노드(No2) 사이에 접속되어 n 번째 클럭신호(CLKn)에 응답하여 스위칭 된다. 한편, 도면으로 도시하지는 않았지만 제6-2 트랜지스터(T62)의 게이트전극은 제2 출력노드(No2)에 접속될 수 있다. 이 경우, 제6-2 트랜지스터(T62)는 제2 출력노드(No2)의 전위에 응답하여 제1 노드(N1)와 제2 출력노드(No2) 사이의 전류 패스를 스위칭할 수 있다.The sixth transistor T61 is connected between the output terminal of the (n-2) th stage STn-2 from which the first output signal Vout (n-2) is output and the first transistor T1, 2 in response to the second output signal Vout_C (n-2) from the second stage STn-2. The sixth transistor T62 is connected between the first node N1 and the second output node No2 that connects the sixth transistor T61 and the first transistor T1 and outputs an nth clock signal CLKn. ≪ / RTI > On the other hand, although not shown in the figure, the gate electrode of the sixth transistor T62 may be connected to the second output node No2. In this case, the sixth-transistor T62 can switch the current path between the first node N1 and the second output node No2 in response to the potential of the second output node No2.
이러한 제6-1 트랜지스터(T61) 및 제6-2 트랜지스터(T62)는 제1 출력기간 동안 제1 트랜지스터(T1)를 통해 Q 노드의 전압이 방전되는 것을 방지함으로써 스테이지(STn)의 동작 안정성을 높인다.
The sixth transistor T61 and the sixth transistor T62 prevent the voltage at the node Q from discharging through the first transistor T1 during the first output period to thereby stabilize the operation stability of the stage STn Increase.
도 10은 도 6에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제3 예이다.Fig. 10 is a third example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in Fig.
도 10을 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 도 6 및 도 8을 통해 설명한 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2), 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2), 제1 내제 제5 트랜지스터들(T1~T5) 외에, 제7 트랜지스터(T7)를 더 구비한다.10, the n-th stage STn includes the pull-up transistors Tpu1 and Tpd2, the pull-down transistors Tpd1 and Tpd2, the first internal fifth transistors T1 to T5, , And a seventh transistor (T7).
제7 트랜지스터(T7)는 게이트 스타트 펄스(Vstart)에 응답하여 스위칭됨으로써 Q 노드와 제2 저전위 전압(VSS2)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제7 트랜지스터(T7)는 도 7과 같이 게이트 스타트 펄스(Vstart)가 게이트 하이 레벨(Vgh)로 유지되는 기간 동안 턴 온 됨으로써, 매 프레임의 초기 소정 기간마다 Q 노드의 전위를 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2)로 초기화시킨다. 그 결과, 스테이지(STn)의 동작 안정성이 보다 향상된다.
The seventh transistor T7 switches the current path between the Q node and the input terminal of the second low potential voltage VSS2 by being switched in response to the gate start pulse Vstart. The seventh transistor T7 is turned on during a period in which the gate start pulse Vstart is maintained at the gate high level Vgh as shown in FIG. 7, so that the potential of the Q node is set to the second gate low level (Vgl2). As a result, the operation stability of the stage STn is further improved.
도 11은 도 6에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제4 예이다.11 is a fourth example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in Fig.
도 11을 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 도 6 및 도 8을 통해 설명한 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2), 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2), 제1 내제 제5 트랜지스터들(T1~T5) 외에, 제6-1 트랜지스터(T61) 및 제6-2 트랜지스터(T62)와 제7 트랜지스터(T7)를 더 구비한다.11, the n-th stage STn includes the pull-up transistors Tpu1 and Tpu2, the pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 and the first and fifth transistors T1 to T5 The sixth transistor T61, the sixth transistor T62 and the seventh transistor T7 in addition to the first transistor T11.
제6-1 트랜지스터(T61) 및 제6-2 트랜지스터(T62)의 접속 구성 및 이들의 작용효과는 도 9의 설명과 실질적으로 동일하고, 제7 트랜지스터(T7)의 접속 구성 및 이의 작용효과는 도 10의 설명과 실질적으로 동일하다.
The connection structure of the sixth transistor T61 and the sixth transistor T62 and the operation and effects thereof are substantially the same as the description of Fig. 9, and the connection structure of the seventh transistor T7 and its operation effect Is substantially the same as the description of Fig.
도 12는 도 6에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제5 예이다.FIG. 12 is a fifth example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in FIG.
도 12를 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 도 6 및 도 8에서 설명한 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2), 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2), 제1, 제2 및 제5 트랜지스터들(T1,T2,T5)을 구비한다. 다만, 이 제n 스테이지(STn)는 도 8과 달리 제3 및 제4 트랜지스터(T3,T4)를 구비할 필요가 없다. 다시 말해, 이 제n 스테이지(STn)는 n 번째 클럭신호(CLKn)와 중첩되지 않는 클럭신호 예컨대, n+2 번째 클럭신호(CLK(n+2))를 이용하여 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2)의 스위칭 동작을 직접 제어함으로써, 별도의 제3 및 제4 트랜지스터(T3,T4)를 생략할 수 있게 된다. 이렇게 비 중첩 클럭신호를 이용하여 풀다운 트랜지스터들(Tpd1,Tpd2)의 스위칭 동작을 직접 제어하면, QB노드 전압의 불안정성으로 인해 발생할 수 있는 회로 오동작을 쉽게 방지할 수 있다.
12, the n-th stage STn includes the pull-up transistors Tpu1 and Tpd2, the pull-down transistors Tpd1 and Tpd2, the first, second and fifth transistors T1 and T2, , T2, T5. However, the n-th stage STn need not have the third and fourth transistors T3 and T4 unlike the configuration shown in Fig. In other words, the n-th stage STn uses pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 (n + 2) using a clock signal that does not overlap with the n-th clock signal CLKn, The third and fourth transistors T3 and T4 can be omitted. By directly controlling the switching operation of the pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 using the non-overlapping clock signal, it is possible to easily prevent a circuit malfunction that may occur due to instability of the QB node voltage.
도 13은 도 6에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 제6 예이다.FIG. 13 is a sixth example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in FIG.
도 13을 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 도 12의 구성 요소 외에, 제6-1 트랜지스터(T61) 및 제6-2 트랜지스터(T62)와 제7 트랜지스터(T7)를 더 구비한다.Referring to FIG. 13, the n-th stage STn further includes a sixth transistor T61, a sixth transistor T62 and a seventh transistor T7 in addition to the components shown in FIG.
제6-1 트랜지스터(T61) 및 제6-2 트랜지스터(T62)의 접속 구성 및 이들의 작용효과는 도 9의 설명과 실질적으로 동일하고, 제7 트랜지스터(T7)의 접속 구성 및 이의 작용효과는 도 10의 설명과 실질적으로 동일하다.
The connection structure of the sixth transistor T61 and the sixth transistor T62 and the operation and effects thereof are substantially the same as the description of Fig. 9, and the connection structure of the seventh transistor T7 and its operation effect Is substantially the same as the description of Fig.
도 14는 제2 실시예에 따른 제n 스테이지의 회로 구성을 개략적으로 보여준다. 도 15는 도 14에 공급되는 제어신호들의 파형을 보여준다.14 schematically shows the circuit configuration of the n-th stage according to the second embodiment. Fig. 15 shows the waveforms of the control signals supplied in Fig.
도 14 및 도 15를 참조하면, 제2 실시예에 따른 제n 스테이지(STn)는 QB 노드를 QB_O 노드 및 QB_E 노드로 쌍으로 구성하고, 제1 출력노드(No1)와 제1 저전위 전압(VSS1)의 입력단 사이에 접속된 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)를 쌍으로 구성하며, 제2 출력노드(No2)와 제2 저전위 전압(VSS2)의 입력단 사이에 접속된 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2)를 쌍으로 구성한다. 그리고, 소정 기간(예컨대, k(k는 양의 정수) 프레임)을 주기로 각 쌍들을 교번 동작시킨다. 즉, 제n 스테이지(STn)에서, QB 노드 쌍, 제1 풀다운 트랜지스터 쌍 및 제2 풀다운 트랜지스터 쌍 각각의 어느 하나가 정상 구동될 때 각각의 나머지 하나는 휴지 구동되며, 상기 소정 기간을 주기로 정상 구동과 휴지 구동을 교대한다. 이를 위해, 제n 스테이지(STn)에 입력되는 고전위 전압은, 도 15와 같이 소정 기간(T)을 주기로 전위가 반전되는 오드 고전위 전압(VDD_O) 및 이븐 고전위 전압(VDD_E)을 포함하여 교류 형태를 가질 수 있다. 오드 고전위 전압(VDD_O)이 게이트 하이 레벨(Vgh)로 입력되는 기간 동안 이븐 고전위 전압(VDD_E)은 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2)로 입력되고, 오드 고전위 전압(VDD_O)이 제2 게이트 로우 레벨(Vgl2)로 입력되는 기간 동안 이븐 고전위 전압(VDD_E)은 게이트 하이 레벨(Vgh)로 입력된다. 도 16과 같이, 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1) 쌍은 제1 오드 풀다운 트랜지스터(Tpd1_O)와 제1 이븐 풀다운 트랜지스터(Tpd1_E)를 포함하고, 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2) 쌍은 제2 오드 풀다운 트랜지스터(Tpd2_O)와 제2 이븐 풀다운 트랜지스터(Tpd2_E)를 포함한다. 이러한 교번 동작에 의해, 풀다운 트랜지스터쌍들을 포함한 해당 스위치들의 열화는 크게 줄어들게 된다.14 and 15, the n-th stage STn according to the second embodiment includes QB nodes as a pair of QB_O node and QB_E node, and a first output node No1 and a first low potential voltage A second pull-down transistor Tpd1 connected between the second output node No2 and the input terminal of the second low potential voltage VSS2, and a second pull-down transistor Tpd2 connected between the input terminal of the second low- . Then, each pair is alternately operated at a period of a predetermined period (e.g., k (k is a positive integer) frame). That is, in the n-th stage STn, when any one of the pair of QB node pairs, the first pull-down transistor pair, and the second pull-down transistor pair is normally driven, the other one of the pair is driven in the idle state, And idle drive. To this end, the high-potential voltage input to the n-th stage STn includes an odd high-potential voltage VDD_O and a even-high-potential voltage VDD_E whose potentials are inverted in a period of a predetermined period T as shown in FIG. It can have an alternating current form. The odd high potential voltage VDD_E is input to the second gate low level Vgl2 while the odd high potential voltage VDD_O is input to the gate high level Vgh, And the even high voltage (VDD_E) is input to the gate high level (Vgh) during the period of inputting to the low level (Vgl2). 16, the first pull-down transistor Tpd1 pair includes a first odd pull-down transistor Tpd1_O and a first unipulled transistor Tpd1_E and the second pull-down transistor Tpd2 pair includes a second odd pull- Tpd2_O) and a second even-numbered pull-down transistor (Tpd2_E). With this alternating operation, the degradation of the corresponding switches including the pull-down transistor pairs is greatly reduced.
상기 교번 동작을 위한 구성 및 작용효과 외에, 제n 스테이지(STn)는 도 6의 제1 실시예와 실질적으로 동일한 구성 및 작용효과를 갖는다. 이러한 제n 스테이지(STn)에서, Q 노드의 전위가 충전 레벨로 유지되는 제1 출력기간 동안, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트-소스 간 전압(Vgs) 및 제1 오드/이븐 풀다운 트랜지스터(Tpd1)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 각각 0V보다 낮으므로(Vgl2-Vgl1<0V), 제2 트랜지스터(T2) 및 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)에 의한 전류 누설은 발생되지 않는다. 또한, Q 노드의 전위가 충전 레벨로 유지되는 제1 출력기간 동안, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 각각 0V보다 낮으므로(Vgl2-Vgl1<0V), 제1 트랜지스터(T1) 에 의한 전류 누설은 발생되지 않는다. 그 결과, 제1 출력신호(Vout(n))는 도 3의 점선과 같은 양호한 레벨로 스캔라인(GLn)으로 출력될 수 있다.In addition to the configuration and operation effect for the alternate operation, the n-th stage STn has substantially the same configuration and operational effects as the first embodiment of Fig. In this n-th stage STn, during the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level, the gate-source voltage Vgs of the second transistor T2 and the gate voltage Vgs of the first odd- (Vgl2-Vgl1 < 0V), the current leakage due to the second transistor T2 and the first pull-down transistor Tpd1 does not occur since the gate-source voltage Vgs of the first transistor T2 is lower than 0V. During the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level, the gate-source voltage Vgs of the first transistor T1 is lower than 0 V (Vgl2-Vgl1 <0 V) The leakage of current by the first transistor T1 does not occur. As a result, the first output signal Vout (n) can be output to the scan line GLn at a good level as shown by the dotted line in Fig.
도 16은 도 14에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여주는 일 예이다.FIG. 16 is an example showing in detail the circuit configuration of the n-th stage shown in FIG.
도 16을 참조하면, 제n 스테이지(STn)는 제1 실시예의 제4 예(도 11 참조)에 교번 동작을 위한 구성을 추가한 것이다. 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2)와, 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)와, 제5 트랜지스터(T5)와, 제6-1 및 제6-2 트랜지스터(T61,T62)와, 제7 트랜지스터(T7)는 도 11의 구성과 실질적으로 동일하다.Referring to Fig. 16, the n-th stage STn adds a configuration for the alternating operation to the fourth example of the first embodiment (see Fig. 11). The pull-up transistors Tpu1 and Tpu2, the first and second transistors T1 and T2, the fifth transistor T5, the sixth and the sixth transistors T61 and T62, The transistor T7 is substantially the same as the configuration of Fig.
제n 스테이지(STn)는 교번 동작을 위해, 제3 및 제4 트랜지스터 각각을 쌍으로 구성한다. The n-th stage STn constitutes a pair of the third and fourth transistors for alternating operation.
기수번째 소정 기간들 마다, 제3 오드 트랜지스터(T3_O)는 Q 노드의 전위에 따라 QB_O 노드와 제2 저전위 전압(VSS2)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제4 오드 트랜지스터(T4_O)는 QB_O 노드에 오드 고전위 전압(VDD_O)을 인가한다. 제3 오드 트랜지스터(T3_O)는 Q 노드의 전위가 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지되는 제1 출력기간 동안 턴 온 됨으로써, QB_O 노드의 전위를 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지시키고, 반대로 Q 노드의 전위가 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지되는 제2 출력기간 동안 턴 오프 됨으로써 QB_O 노드의 전위를 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지시킨다. QB_O 노드의 전위는 제1 및 제2 오드 풀다운 트랜지스터들(Tpd1_O,Tpd2_O)의 스위칭 동작을 제어한다. 기수번째 소정 기간들에서, 제3 및 제4 이븐 트랜지스터(T3_E,T4_E)와 제1 및 제2 이븐 풀다운 트랜지스터들(Tpd1_E,Tpd2_E)은 휴지 구동된다.For each odd number of predetermined periods, the third odd transistor T3_O switches the current path between the QB_O node and the input terminal of the second low potential voltage VSS2 according to the potential of the Q node. The fourth odd transistor T4_O applies the odd high potential (VDD_O) to the QB_O node. The third odd transistor T3_O is turned on during the first output period in which the potential of the Q node is maintained at the charge level (gate high level (Vgh)), thereby switching the potential of the QB_O node to the discharge level (the second gate low level (The gate high level Vgh) by turning off the QB_O node potential during the second output period in which the potential of the Q node is maintained at the discharge level (the second gate low level Vgl2) . The potential of the QB_O node controls the switching operation of the first and second odd pull-down transistors Tpd1_O and Tpd2_O. In the odd-numbered predetermined periods, the third and fourth even-numbered transistors T3_E and T4_E and the first and second even-numbered pull-down transistors Tpd1_E and Tpd2_E are idle-driven.
우수번째 소정 기간들 마다, 제3 이븐 트랜지스터(T3_E)는 Q 노드의 전위에 따라 QB_E 노드와 제2 저전위 전압(VSS2)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 제4 이븐 트랜지스터(T4_E)는 QB_E 노드에 이븐 고전위 전압(VDD_E)을 인가한다. 제3 이븐 트랜지스터(T3_E)는 Q 노드의 전위가 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지되는 제1 출력기간 동안 턴 온 됨으로써, QB_E 노드의 전위를 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지시키고, 반대로 Q 노드의 전위가 방전 레벨(제2 게이트 로우 레벨(Vgl2))로 유지되는 제2 출력기간 동안 턴 오프 됨으로써 QB_E 노드의 전위를 충전 레벨(게이트 하이 레벨(Vgh))로 유지시킨다. QB_E 노드의 전위는 제1 및 제2 이븐 풀다운 트랜지스터들(Tpd1_E,Tpd2_E)의 스위칭 동작을 제어한다. 우수번째 소정 기간들에서, 제3 및 제4 오드 트랜지스터(T3_O,T4_O)와 제1 및 제2 오드 풀다운 트랜지스터들(Tpd1_O,Tpd2_O)은 휴지 구동된다.The third even-numbered transistors T3_E switch the current path between the QB_E node and the input terminal of the second low-potential voltage VSS2 according to the potential of the Q-node. The fourth even transistor T4_E applies the even higher potential voltage VDD_E to the QB_E node. The third even-numbered transistor T3_E is turned on during the first output period in which the potential of the Q-node is maintained at the charge level (gate high level (Vgh)), so that the potential of the QB_E node is set to the discharge level (The gate high level Vgh) by turning off the QB_E node during the second output period in which the potential of the Q node is maintained at the discharge level (the second gate low level Vgl2) . The potential of the QB_E node controls the switching operation of the first and second unipolar transistors Tpd1_E and Tpd2_E. In the odd second predetermined periods, the third and fourth odd transistors T3_O and T4_O and the first and second odd pull-down transistors Tpd1_O and Tpd2_O are idle-driven.
한편, 제2 실시예의 교번 동작 구성은 제1 실시예의 제1 내지 제3 예(도 8 내지 도 10 참조)에도 적용될 수 있다.
On the other hand, the alternating operation configuration of the second embodiment can also be applied to the first to third examples (see Figs. 8 to 10) of the first embodiment.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 드라이버 13 : 레벨 쉬프터
14 : 스캔 드라이버10: Display panel 11: Timing controller
12: Data driver 13: Level shifter
14: Scan driver
Claims (14)
제n 스테이지는,
Q 노드의 전위에 따라, 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀업 트랜지스터;
상기 Q 노드의 전위에 따라, 상기 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀업 트랜지스터;
QB 노드의 전위에 따라, 제1 게이트 로우 레벨의 제1 저전위 전압을 상기 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀다운 트랜지스터;
상기 QB 노드의 전위에 따라, 상기 제1 게이트 로우 레벨보다 낮은 제2 게이트 로우 레벨의 제2 저전위 전압을 상기 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀다운 트랜지스터;
상기 제n 스테이지의 앞에 배치된 전단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 전단 어느 하나의 제1 출력신호를 상기 Q 노드에 인가하는 제1 트랜지스터; 및
상기 제n 스테이지의 뒤에 배치된 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 제1 저전위 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제2 트랜지스터를 구비하고,
상기 제1 풀업 트랜지스터 및 상기 제1 풀다운 트랜지스터는 상기 n 번째 클럭신호의 입력단과 상기 제1 저전위 전압의 입력단 사이에서 제1 출력 노드를 통해 직렬 접속되고,
상기 제2 풀업 트랜지스터 및 상기 제2 풀다운 트랜지스터는 상기 n 번째 클럭신호의 입력단과 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이에서 제2 출력 노드를 통해 직렬 접속되는 쉬프트 레지스터.A shift register comprising a plurality of cascaded stages,
In the n-th stage,
A first pull-up transistor for outputting, as a first output signal, an nth clock signal of a gate high level in accordance with the potential of the Q node;
A second pull-up transistor for outputting the n-th clock signal of the gate high level as a second output signal in accordance with the potential of the Q node;
A first pull-down transistor for outputting the first low potential voltage of the first gate low level as the first output signal in accordance with the potential of the QB node;
A second pull-down transistor for outputting, as the second output signal, a second low potential voltage of a second gate low level lower than the first gate low level in accordance with the potential of the QB node;
A first transistor for applying a first output signal of the previous stage to the Q node according to a second output signal of any one of front stage stages arranged in front of the nth stage; And
And a second transistor for applying the first low potential voltage to the Q node according to a second output signal of any one of subsequent stages arranged behind the nth stage,
Wherein the first pull-up transistor and the first pull-down transistor are serially connected through a first output node between an input terminal of the n-th clock signal and an input terminal of the first low potential voltage,
Wherein the second pull-up transistor and the second pull-down transistor are serially connected through a second output node between an input terminal of the n-th clock signal and an input terminal of the second low potential voltage.
제1 출력 노드에 인가되는 제1 출력신호는 상기 게이트 하이 레벨과 상기 제1 게이트 로우 레벨 사이에서 스윙되고,
제2 출력 노드에 인가되는 제2 출력신호는 상기 게이트 하이 레벨과 상기 제2 게이트 로우 레벨 사이에서 스윙되는 쉬프트 레지스터.The method according to claim 1,
A first output signal applied to the first output node swings between the gate high level and the first gate low level,
And a second output signal applied to the second output node swings between the gate high level and the second gate low level.
상기 전단 스테이지들 중 어느 하나는 제n-2 스테이지이고, 상기 다음단 스테이지들 중 어느 하나는 제n+2 스테이지인 쉬프트 레지스터.3. The method of claim 2,
Wherein one of said front stage stages is an (n-2) stage, and one of said next stage stages is an (n + 2) stage.
상기 Q 노드의 전위에 따라, 상기 QB 노드와 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제3 트랜지스터;
상기 QB 노드에 고전위 전압을 인가하는 제4 트랜지스터; 및
n-1 번째 클럭신호에 따라 제n-1 스테이지의 제2 출력신호를 상기 Q 노드에 인가하는 제5 트랜지스터를 더 구비하는 쉬프트 레지스터.The method of claim 3,
A third transistor for switching a current path between the QB node and the input terminal of the second low potential voltage according to the potential of the Q node;
A fourth transistor for applying a high potential voltage to the QB node; And
and a fifth transistor for applying a second output signal of the (n-1) th stage to the Q node according to an (n-1) th clock signal.
상기 제n-2 스테이지의 제2 출력신호에 따라, 상기 제n-2 스테이지의 제1 출력 노드와 상기 제1 트랜지스터 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제6-1 트랜지스터; 및
상기 n 번째 클럭신호 또는 상기 제2 출력 노드의 전위에 따라, 상기 제6-1 트랜지스터와 상기 제1 트랜지스터를 연결하는 제1 노드와 상기 제2 출력 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제6-2 트랜지스터를 더 구비하는 쉬프트 레지스터.5. The method of claim 4,
A sixth transistor for switching a current path between the first output node of the (n-2) th stage and the first transistor according to a second output signal of the (n-2) th stage; And
And a sixth node for switching the current path between the first node connecting the sixth transistor and the first transistor and the second output node according to the nth clock signal or the potential of the second output node, A shift register further comprising a transistor.
게이트 스타트 펄스에 따라, 상기 Q 노드와 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제7 트랜지스터를 더 구비하는 쉬프트 레지스터.5. The method of claim 4,
And a seventh transistor for switching a current path between the Q node and the input terminal of the second low potential voltage according to a gate start pulse.
상기 제n-2 스테이지의 제2 출력신호에 따라, 상기 제n-2 스테이지의 제1 출력 노드와 상기 제1 트랜지스터 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제6-1 트랜지스터;
상기 n 번째 클럭신호에 따라, 상기 제6-1 트랜지스터와 상기 제1 트랜지스터를 연결하는 제1 노드와 상기 제2 출력 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제6-2 트랜지스터; 및
게이트 스타트 펄스에 따라, 상기 Q 노드와 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제7 트랜지스터를 더 구비하는 쉬프트 레지스터.5. The method of claim 4,
A sixth transistor for switching a current path between the first output node of the (n-2) th stage and the first transistor according to a second output signal of the (n-2) th stage;
A sixth transistor for switching a current path between a first node connecting the sixth transistor and the first transistor and the second output node according to the nth clock signal; And
And a seventh transistor for switching a current path between the Q node and the input terminal of the second low potential voltage according to a gate start pulse.
n-1 번째 클럭신호에 따라 제n-1 스테이지의 제2 출력신호를 상기 Q 노드에 인가하는 제5 트랜지스터를 더 구비하고;
상기 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터는 n+2 번째 클럭신호에 의해 제어되는 쉬프트 레지스터.The method of claim 3,
and a fifth transistor for applying a second output signal of the (n-1) -th stage to the Q-node according to an (n-1) -th clock signal;
And the first and second pull-down transistors are controlled by an (n + 2) -th clock signal.
상기 제n-2 스테이지의 제2 출력신호에 따라, 상기 제n-2 스테이지의 제1 출력 노드와 상기 제1 트랜지스터 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제6-1 트랜지스터;
상기 n 번째 클럭신호 또는 상기 제2 출력 노드의 전위에 따라, 상기 제6-1 트랜지스터와 상기 제1 트랜지스터를 연결하는 제1 노드와 상기 제2 출력 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제6-2 트랜지스터; 및
게이트 스타트 펄스에 따라, 상기 Q 노드와 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제7 트랜지스터를 더 구비하는 쉬프트 레지스터.9. The method of claim 8,
A sixth transistor for switching a current path between the first output node of the (n-2) th stage and the first transistor according to a second output signal of the (n-2) th stage;
And a sixth node for switching the current path between the first node connecting the sixth transistor and the first transistor and the second output node according to the nth clock signal or the potential of the second output node, transistor; And
And a seventh transistor for switching a current path between the Q node and the input terminal of the second low potential voltage according to a gate start pulse.
상기 QB 노드는 QB_O 노드와 QB_E 노드를 포함하고;
상기 제1 풀다운 트랜지스터는 상기 QB_O 노드의 전위에 따라 제어되는 제1 오드 풀다운 트랜지스터와 상기 QB_E 노드의 전위에 따라 제어되는 제1 이븐 풀다운 트랜지스터를 포함하고;
상기 제2 풀다운 트랜지스터는 상기 QB_O 노드의 전위에 따라 제어되는 제2 오드 풀다운 트랜지스터와 상기 QB_E 노드의 전위에 따라 제어되는 제2 이븐 풀다운 트랜지스터를 포함하고;
상기 제3 트랜지스터는 상기 QB_O 노드에 접속되는 제3 오드 트랜지스터와 상기 QB_E 노드에 접속되는 제3 이븐 트랜지스터를 포함하고;
상기 제4 트랜지스터는 상기 QB_O 노드에 접속되는 제4 오드 트랜지스터와 상기 QB_E 노드에 접속되는 제4 이븐 트랜지스터를 포함하며;
상기 제3 오드 트랜지스터 및 상기 제4 오드 트랜지스터와 상기 제3 이븐 트랜지스터 및 상기 제4 이븐 트랜지스터는 소정 기간을 주기로 교번 동작되는 쉬프트 레지스터.8. The method according to any one of claims 4 to 7,
The QB node includes a QB_O node and a QB_E node;
The first pull-down transistor includes a first odd pull-down transistor controlled according to a potential of the QB_O node and a first non-pull down transistor controlled according to a potential of the QB_E node;
The second pull-down transistor includes a second odd pull-down transistor controlled in accordance with a potential of the QB_O node and a second non-inverted pull-down transistor controlled according to a potential of the QB_E node;
The third transistor includes a third odd transistor connected to the QB_O node and a third even transistor connected to the QB_E node;
The fourth transistor includes a fourth odd transistor connected to the QB_O node and a fourth even transistor connected to the QB_E node;
And the third odd transistor and the fourth odd transistor, the third even transistor, and the fourth even transistor are alternately operated in a period of a predetermined period.
상기 데이터라인들에 데이터전압을 공급하는 데이터 드라이버; 및
캐스캐이드 접속된 다수의 스테이지들을 포함하여, 상기 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하는 스캔 드라이버를 구비하고,
상기 스캔 드라이버의 제n 스테이지는,
Q 노드의 전위에 따라, 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀업 트랜지스터;
상기 Q 노드의 전위에 따라, 상기 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀업 트랜지스터;
QB 노드의 전위에 따라, 제1 게이트 로우 레벨의 제1 저전위 전압을 상기 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀다운 트랜지스터;
상기 QB 노드의 전위에 따라, 상기 제1 게이트 로우 레벨보다 낮은 제2 게이트 로우 레벨의 제2 저전위 전압을 상기 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀다운 트랜지스터;
상기 제n 스테이지의 앞에 배치된 전단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 전단 어느 하나의 제1 출력신호를 상기 Q 노드에 인가하는 제1 트랜지스터; 및
상기 제n 스테이지의 뒤에 배치된 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 제1 저전위 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제2 트랜지스터를 구비하고,
상기 제1 풀업 트랜지스터 및 제1 풀다운 트랜지스터는 상기 n 번째 클럭신호의 입력단과 상기 제1 저전위 전압의 입력단 사이에서 제1 출력 노드를 통해 직렬 접속되고,
상기 제2 풀업 트랜지스터 및 제2 풀다운 트랜지스터는 상기 n 번째 클럭신호의 입력단과 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이에서 제2 출력 노드를 통해 직렬 접속되는 표시장치.A display panel including a plurality of pixels intersecting the data lines and the scan lines and arranged in a matrix form;
A data driver for supplying a data voltage to the data lines; And
And a scan driver for sequentially supplying scan pulses to the scan lines, the scan driver including a plurality of stages connected in cascade,
Wherein the n < th > stage of the scan driver comprises:
A first pull-up transistor for outputting, as a first output signal, an nth clock signal of a gate high level in accordance with the potential of the Q node;
A second pull-up transistor for outputting the n-th clock signal of the gate high level as a second output signal in accordance with the potential of the Q node;
A first pull-down transistor for outputting the first low potential voltage of the first gate low level as the first output signal in accordance with the potential of the QB node;
A second pull-down transistor for outputting, as the second output signal, a second low potential voltage of a second gate low level lower than the first gate low level in accordance with the potential of the QB node;
A first transistor for applying a first output signal of the previous stage to the Q node according to a second output signal of any one of front stage stages arranged in front of the nth stage; And
And a second transistor for applying the first low potential voltage to the Q node according to a second output signal of any one of subsequent stages arranged behind the nth stage,
Wherein the first pull-up transistor and the first pull-down transistor are serially connected through a first output node between an input terminal of the n-th clock signal and an input terminal of the first low potential voltage,
And the second pull-up transistor and the second pull-down transistor are connected in series through a second output node between an input terminal of the n-th clock signal and an input terminal of the second low potential voltage.
제1 출력 노드에 인가되는 제1 출력신호는 상기 게이트 하이 레벨과 상기 제1 게이트 로우 레벨 사이에서 스윙되고;
제2 출력 노드에 인가되는 제2 출력신호는 상기 게이트 하이 레벨과 상기 제2 게이트 로우 레벨 사이에서 스윙되는 표시장치.12. The method of claim 11,
A first output signal applied to the first output node is swung between the gate high level and the first gate low level;
And a second output signal applied to the second output node swings between the gate high level and the second gate low level.
제n 스테이지는,
Q 노드의 전위에 따라, 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀업 트랜지스터;
상기 Q 노드의 전위에 따라, 상기 게이트 하이 레벨의 n 번째 클럭신호를 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀업 트랜지스터;
QB 노드의 전위에 따라, 제1 게이트 로우 레벨의 제1 저전위 전압을 상기 제1 출력신호로서 출력하는 제1 풀다운 트랜지스터;
상기 QB 노드의 전위에 따라, 상기 제1 게이트 로우 레벨보다 낮은 제2 게이트 로우 레벨의 제2 저전위 전압을 상기 제2 출력신호로서 출력하는 제2 풀다운 트랜지스터;
상기 제n 스테이지의 앞에 배치된 전단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 전단 어느 하나의 제1 출력신호를 상기 Q 노드에 인가하는 제1 트랜지스터; 및
상기 제n 스테이지의 뒤에 배치된 다음단 스테이지들 중 어느 하나의 제2 출력신호에 따라, 상기 제1 저전위 전압을 상기 Q 노드에 인가하는 제2 트랜지스터를 구비하는 쉬프트 레지스터.A shift register comprising a plurality of cascaded stages,
In the n-th stage,
A first pull-up transistor for outputting, as a first output signal, an nth clock signal of a gate high level in accordance with the potential of the Q node;
A second pull-up transistor for outputting the n-th clock signal of the gate high level as a second output signal in accordance with the potential of the Q node;
A first pull-down transistor for outputting the first low potential voltage of the first gate low level as the first output signal in accordance with the potential of the QB node;
A second pull-down transistor for outputting, as the second output signal, a second low potential voltage of a second gate low level lower than the first gate low level in accordance with the potential of the QB node;
A first transistor for applying a first output signal of the previous stage to the Q node according to a second output signal of any one of front stage stages arranged in front of the nth stage; And
And a second transistor for applying the first low potential voltage to the Q node according to a second output signal of any one of the subsequent stages arranged behind the n-th stage.
제1 출력 노드에 인가되는 제1 출력신호는 상기 게이트 하이 레벨과 상기 제1 게이트 로우 레벨 사이에서 스윙되고;
제2 출력 노드에 인가되는 제2 출력신호는 상기 게이트 하이 레벨과 상기 제2 게이트 로우 레벨 사이에서 스윙되며;
상기 제1 풀업 트랜지스터 및 제1 풀다운 트랜지스터는 상기 n 번째 클럭신호의 입력단과 상기 제1 저전위 전압의 입력단 사이에서 상기 제1 출력 노드를 통해 직렬 접속되고;
상기 제2 풀업 트랜지스터 및 제2 풀다운 트랜지스터는 상기 n 번째 클럭신호의 입력단과 상기 제2 저전위 전압의 입력단 사이에서 상기 제2 출력 노드를 통해 직렬 접속되는 쉬프트 레지스터.14. The method of claim 13,
A first output signal applied to the first output node is swung between the gate high level and the first gate low level;
A second output signal applied to the second output node is swung between the gate high level and the second gate low level;
Wherein the first pull-up transistor and the first pull-down transistor are serially connected through the first output node between an input of the nth clock signal and an input of the first low potential voltage;
And the second pull-up transistor and the second pull-down transistor are serially connected through the second output node between the input terminal of the n-th clock signal and the input terminal of the second low potential voltage.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100021727A KR101678214B1 (en) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | Shift register and display device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100021727A KR101678214B1 (en) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | Shift register and display device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110102627A KR20110102627A (en) | 2011-09-19 |
KR101678214B1 true KR101678214B1 (en) | 2016-11-29 |
Family
ID=44954173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100021727A KR101678214B1 (en) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | Shift register and display device using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101678214B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190067435A (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driving circuit and display device comprising the same |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102682727B (en) * | 2012-03-09 | 2014-09-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | Shift register unit, shift register circuit, array substrate and display device |
KR101366877B1 (en) * | 2012-04-13 | 2014-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display Device |
KR101352289B1 (en) * | 2012-04-27 | 2014-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display Device |
KR102003439B1 (en) * | 2012-12-18 | 2019-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and display device using the same |
US9424950B2 (en) * | 2013-07-10 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102334428B1 (en) * | 2014-10-15 | 2021-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display Device and Driving Method therof |
KR102294690B1 (en) * | 2015-01-30 | 2021-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and display device using the same |
CN106486042B (en) * | 2015-09-02 | 2019-08-23 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | Shift register and display device |
CN105047174B (en) | 2015-09-16 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register cell and its driving method, gate drive apparatus and display device |
KR102565082B1 (en) * | 2015-12-16 | 2023-08-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display and Degradation Sensing Method of Organic Light Emitting Display |
KR102526292B1 (en) * | 2015-12-31 | 2023-05-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display and Device for driving the same |
CN105957556A (en) * | 2016-05-11 | 2016-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register unit, gate drive circuit, display apparatus, and driving method of shift register unit |
KR102328986B1 (en) * | 2017-07-18 | 2021-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate shift register and organic light emitting display device including the same |
KR102484502B1 (en) * | 2017-12-01 | 2023-01-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driver and display device including the same |
KR102579251B1 (en) * | 2017-12-04 | 2023-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driver and display device including the same, and driving method of the same |
US11749207B2 (en) * | 2021-10-08 | 2023-09-05 | Lg Display Co., Ltd. | Gate driving circuit and display device including 1HE same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007114781A (en) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Au Optronics Corp | Control signal output unit |
-
2010
- 2010-03-11 KR KR1020100021727A patent/KR101678214B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007114781A (en) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Au Optronics Corp | Control signal output unit |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190067435A (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driving circuit and display device comprising the same |
KR102430859B1 (en) * | 2017-12-07 | 2022-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driving circuit and display device comprising the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110102627A (en) | 2011-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101678214B1 (en) | Shift register and display device using the same | |
KR101324410B1 (en) | Shift register and display device using the same | |
US10102793B2 (en) | Built-in gate driver and display device using the same | |
KR102003439B1 (en) | Gate shift register and display device using the same | |
US8878765B2 (en) | Gate shift register and display device using the same | |
US8994629B2 (en) | Gate shift register and display device comprising the same | |
KR101679855B1 (en) | Gate shift register and display device using the same | |
KR101642992B1 (en) | Shift register and display device using the same | |
US10026354B2 (en) | Gate in panel (GIP) driving circuit and display device using the same | |
KR101720340B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
KR101352289B1 (en) | Display Device | |
US10217426B2 (en) | Display device | |
KR102686807B1 (en) | Display Device | |
KR20140042983A (en) | Liquid crystal display device | |
KR101366877B1 (en) | Display Device | |
KR20190079855A (en) | Shift register and display device including thereof | |
US10037738B2 (en) | Display gate driver circuits with dual pulldown transistors | |
KR20150077896A (en) | Gate driving circuit and organic light emitting diode display device using the same | |
KR20120044084A (en) | Gate shift register and display device using the same | |
KR20190032959A (en) | Shift Resiter and Organic Light Emitting Display having the Same | |
KR20140131448A (en) | Scan Driver and Display Device Using the same | |
KR102051389B1 (en) | Liquid crystal display device and driving circuit thereof | |
CN116386530A (en) | Gate driver circuit, display panel and display device including the same | |
KR102581724B1 (en) | Display Device | |
KR20140019920A (en) | Shift register and display device using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |