KR101656487B1 - 엑스레이 검출기용 어레기 기판 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터가 형성되는 엑스레이 검출기용 어레기 기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본원발명의 엑스레이 검출기용 어레이 기판은, 기판 상에 형성되고 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선의 교차에 의해서 매트릭스 형태로 정의되는 다수의 화소영역에 있어서, 다수의 데이터 배선 각각의 타측으로 돌출되는 돌출부를 가지는 다수의 소스전극, 및 다수의 활성층 각각의 타단과 연결되는 다수의 드레인 전극을 포함하는 다수의 박막 트랜지스터를 구비하고,
다수의 드레인 전극 각각과 연결되는 다수의 광 다이오드와 다수의 광 다이오드에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스 배선과 다수의 상기 소스전극 각각의 상기 돌출부와 연결되는 다수의 독출배선을 포함하는 것을 특징으로 한다.
엑스레이 검출기, 박막 트랜지스터, 바이어스 배선, 독출배선
Description
본 발명은 박막 트랜지스터가 형성되는 엑스레이 검출기용 어레기 기판 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
엑스레이 소오스(X-Ray source)에서 방출되는 엑스레이가 피사체를 통과하면, 신틸레이터(scintillator)가 피사체의 밀도에 따라 엑스레이를 가시광선 영역인 그린(green) 광으로 변경한다. 그린 광이 광전변환 센서(sensor)를 통과하여 발생한 전하량을 검지하고, 검지된 전하량을 디지털(digital) 신호로 변화시켜 디지털 이미지(digital image)화하는 방식이 진단 방사선 사진법(diagnostic radiography)이다. 진단 방사선 사진법이 현재 널리 이용되고 있다. 진단 방사선 사진법은 영상 처리하는 방법 및 저장 매체로 구분되어 아날로그형(analogue)과 디지털형(digital) 방사선 사진법으로 구분된다.
아날로그형 방식은 의료 진단기기의 발전에 따라 현재는 그 사용량이 점차 감소되고 있는 추세이다. 디지털 진단 방사선 사진법은 사용하는 센서에 따라 컴퓨터 방사선 사진법(computed radiography: CR)과 디지털 방사선 사진법(digital radiography: DR)으로 나뉘게 된다.
의료 진단 장치의 근본적인 영상처리를 하기 위한 DR 방식은 신틸레이터에서 입사되는 그린 광을 변환시키는 센서의 종류에 따라 CCD(charge coupled device) DR, CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) DR, 및 FP(flat panel) DR로 구분된다. 3가지 형태의 DR은 디지털 영상 처리하는데 있어서 기본적인 원리는 같다.
DR 중 대형화 패널 및 이를 응용하여 포토 일렉트릭(photo-electric) 센서와 1:1로 상호 매칭하여 가장 우수한 엑스레이 이미지를 구현할 수 있는 방식이 바로 플랫 패널(flat panel) 글라스(glass) 를 이용하는 방식이다. 현재 가장 진보된 DR이 바로, 플랫 패널 엑스레이 검출(Flat Panel X Ray Detecting: FPXD) 방식이다. FPXD DR은 크게 직접(direct) 방식과 비직접(indirect) 방식으로 구분된다. 현재 가장 각광받고 있는 구조가 비직접 방식의 DR이다.
비직접 방식의 플랫 패널 부위를 보면, 엑스레이를 검출하기 위해 어레이 기판에 PIN 광 다이오드를 형성하고, PIN 광 다이오드 상부에 실틸레이터를 배치한 다. 엑스레이를 조사 받은 신틸레이터는 광 변환을 통해 PIN 광 다이오드에 가장 센시티브한 파장대의 광으로 변환시키며, 광 다이오드는 이를 전기적 신호로 변환한다. 이러한 전기적 신호는 트랜지스터를 통해 영상 신호로 송출된다.
이하에서는 도면을 참조하여 종래기술의 엑스레이 검출기용 어레이 기판 및 제조방법에 대하여 상세하게 살펴보기로 한다.
도 1은 종래기술에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 평면도이고, 도 2는 종래기술에 따른 어레이 기판의 단면도이고, 도 3a 내지 도 3g는 종래기술에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 도시한 공정 단면도이고, 도 4a 및 도 4b는 종래기술의 다른 예에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 도시한 공정 단면도이다.
도 1과 같이, 어레이 기판(10)은 다수의 데이터 배선(12), 다수의 게이트 배선(14), 다수의 데이터 배선(12) 및 다수의 게이트 배선(14)이 교차하여 정의하는 다수의 화소영역(PA), 다수의 화소영역(PA) 각각에 위치하고 광전 신호를 전기적 신호로 변환하는 다수의 광 다이오드(20) 및 다수의 광 다이오드(20)를 구동하기 위해 스위칭 기능을 다수의 박막 트랜지스터(18)를 포함하여 구성된다.
박막 트랜지스터(18)는 게이트 배선(14)과 연결되는 게이트 전극(22), 게이 트 전극(22) 상에 위치하는 활성층(24), 활성층(24)의 일단과 데이터 배선(12)을 연결하는 소스 전극(26a), 및 활성층(24)의 타단과 연결되는 드레인 전극(26b)을 포함하여 구성된다. 드레인 전극(26b)은 광 다이오드(20)과 연결된다.
어레이 기판(10)은 소스전극(26a)과 연결되는 독출배선(28), 광 다이오드(20)의 전자 또는 정공을 제어할 수 있는 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 배선(30), 및 데이터 배선(12)의 단부와 연결되고 외부로부터 화상신호가 인가되는 데이터 패드부(32), 및 게이트 배선(14)의 단부와 연결되고 외부로부터 주사신호가 인가되는 게이트 패드부(34)를 더욱 포함한다. 바이어스 배선(30)은 불투명한 금속물질로 형성되고 박막 트랜지스터(18)의 오동작을 방지하기 위하여 게이트 전극(22)을 차폐한다.
도 2는 도 1에서 박막 트랜지스터(18)를 I-I으로 절단한 단면도, 바이어스 배선(30)을 II-II으로 절단한 단면도, 게이트 패드부(34)를 III-III으로 절단한 단면도, 및 데이터 패드부(32)를 IV-IV로 절단한 단면도를 포함하여 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 어레이 기판(10)을 데이터 배선(12), 박막 트랜지스터(18), 광 다이오드(20), 데이터 패드부(32) 및 게이트 패드부(34) 각각이 형성되는 데이터 배선 영역(DA), 박막 트랜지스터 영역(TA), 광 다이오드 영역(DIA), 데이터 패드 영역(DPA), 게이트 패드 영역(GPA)으로 구분하여 어레이 기판(10)의 단면도를 도시한다.
박막 트랜지스터 영역(TA)에서, 도 1의 박막 트랜지스터(18)는 게이트 전극(22), 게이트 전극(22)을 포함한 절연기판(40) 상의 게이트 절연층(42), 게이트 전극(22)과 대응되는 게이트 절연층(42) 상의 활성층(24), 및 활성층(24)의 일단 및 타단과 연결되고 서로 이격되는 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)을 포함한다. 활성층(24)은 불순물로 도핑되지 않은 제 1 비정질 실리콘층(44a) 및 N 형 불순물로 도핑된 제 2 비정질 실리콘층(44b)을 포함하여 구성된다.
광 다이오드 영역(DIP)에서, 광 다이오드(20)는 박막 트랜지스터(18)의 드레인 전극(26a) 상에 형성되고 드레인 전극(26a)과 연결되는 하부전극(54), 하부전극(54) 상의 광 도전체층(52) 및 광 도전체층(52) 상의 상부전극(56)을 포함하여 구성된다. 광 도전체층(52)은 N 형의 불순물을 포함한 N 형 반도체층(52a), 불순물을 포함하지 않는 진성 반도체층(52b), 및 P 형의 불순물을 포함한 P 형 반도체층(52c)을 포함하여 구성된다.
박막 트랜지스터(18) 및 광 다이오드(20) 상에 제 1 보호층(58)이 형성되고, 제 1 보호층(58)에는 소스전극(26a)을 노출시키는 제 1 콘택홀(60)과 상부전극(56)을 노출시키는 제 2 콘택홀(62)이 형성된다. 제 1 콘택홀(60)을 통하여 소스전극(26a)과 독출배선(68)이 연결되고, 제 2 콘택홀(62)을 통하여 상부전극(56)과 바이어스 배선(70)이 연결된다. 그리고, 독출배선(68) 및 바이어스 배선(70)을 포함 한 제 1 보호층(58) 상에 제 2 보호층(76)이 형성된다.
게이트 패드 영역(GPA)에서, 게이트 패드부(34)는 게이트 패드(34a)와 게이트 패드 전극(34b)을 포함하고, 게이트 패드 전극(34b)은 게이트 패드 콘택홀(64)을 통하여 게이트 패드(34a)와 연결된다. 데이터 패드 영역(DPA)에서, 데이터 패드부(32)는 데이터 패드(32a)와 데이터 패드 전극(32b)을 포함하고, 데이터 패드 전극(32b)은 데이터 패드 콘택홀(66)을 통하여 데이터 패드(32a)와 연결된다.
도 3a 내지 도 3g를 참조하여, 종래기술에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다. 도 3a 내지 도 3g는 도 1에서 박막 트랜지스터(18)를 I-I으로 절단한 단면도, 바이어스 배선(30)을 II-II으로 절단한 단면도, 게이트 패드부(34)를 III-III으로 절단한 단면도, 및 데이터 패드부(32)를 IV-IV로 절단한 단면도를 포함하여 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 어레이 기판(10)을 데이터 배선(12), 박막 트랜지스터(18), 광 다이오드(20), 데이터 패드부(32) 및 게이트 패드부(34) 각각이 형성되는 데이터 배선 영역(DA), 박막 트랜지스터 영역(TA), 광 다이오드 영역(DIA), 데이터 패드 영역(DPA), 게이트 패드 영역(GPA)으로 구분하여 어레이 기판(10)의 단면도를 도시한다.
도 3a와 같이, 절연기판(40) 상에 알루미늄 계열을 포함하는 제 1 금속층(도시하지 않음)을 형성하고, 제 1 금속층을 선택적으로 식각하여 도 1의 게이트 배 선(14)과 도 3a에서 도시한 게이트 전극(22), 및 게이트 패드(34a)를 형성한다. 게이트 전극(22)는 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성되고, 게이트 패드(34a)는 게이트 패드 영역(GPA)에 형성된다.
도 3b와 같이, 게이트 배선(14), 게이트 전극(22) 및 게이트 패드(34a)를 포함하는 절연 기판(40) 상에 게이트 절연층(42)을 형성하고, 게이트 전극(22)과 대응되는 게이트 절연층(42) 상에 활성층(24)을 형성한다. 게이트 절연층(42)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용할 수 있다. 활성층(24)은 불순물이 도핑되지 않는 제 1 비정질 실리콘층(44a)과 N 형 불순물이 도핑된 제 2 비정질 실리콘층(44b)으로 구성된다.
도 3c와 같이, 활성층(24)을 포함한 게이트 절연층(42) 상에 제 2 금속층(50)을 형성한다. 제 2 금속층(50)을 단일층 또는 제 1 및 제 2 서브 금속층(50a, 50b)으로 구성되는 이중층으로 형성할 수 있다. 제 1 및 제 2 서브 금속층(50a, 50b) 각각은 알루미늄-네이듐(AlNd) 및 몰리브덴(Mo)으로 형성할 수 있다.
그리고, 화소영역(PA)의 제 2 금속층(50) 상에 광 다이오드(20)를 형성한다. 광 다이오드(20)는, 광 도전체층(52), 광 도전체층(52)과 금속층(50) 사이의 하부전극(54), 광 도전체층(52) 상의 상부전극(56)으로 구성된다. 광 도전체층(52)은 N 형의 불순물을 포함한 N 형 반도체층(52a), 불순물을 포함하지 않는 진성 반도체 층(52b), 및 P 형의 불순물을 포함한 P 형 반도체층(52c)을 포함하여 구성된다.
상부전극(56)은 어레이 기판(10)과 대향하는 상부 기판(도시하지 않음)에 형성되고, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 투명 도전 물질로 형성한다. 상부전극(56)은 엑스레이(X-ray)를 조사받아 파장을 변환시키는 기능을 하는 신틸레이터로부터 전달되는 광의 전달 효율을 증가시키기 위해, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 투명 도전 물질로 형성한다. 하부전극(54)은 몰리브덴(Mo)과 같은 금속층으로 형성한다.
광 다이오드(20)를 형성하는 방법은, 제 2 금속층(50) 상에 제 3 금속층(도시하지 않음), N 형 실리콘층(도시하지 않음), 진성 실리콘층(도시하지 않음), P 형의 실리콘층(도시하지 않음), 및 투명 도전 물질층(도시하지 않음)을 순차적으로 적층하고, 선택적으로 식각하여 형성한다.
도 3d와 같이, 제 1 금속층(50)을 선택적으로 식각하여, 도 1의 데이터 배선(12), 소스 및 드레인 전극(26a, 26b), 및 데이터 패드(32a)가 형성된다. 따라서, 박막 트랜지스터 영역(TA)에는 게이트 전극(22), 게이트 절연층(42), 활성층(24)과 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)으로 구성되는 도 1의 박막 트랜지스터(18)가 형성된다. 제 2 금속층(50)의 패터닝에 의해 데이터 패드 영역(DPA)에는 데이터 패드(32a)가 형성된다. 게이트 패드 영역(GPA)에서 제 2 금속층(50)은 제거 된다. 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)은 활성층(24)의 채널영역(CH)을 사이에 두고 서로 이격된다. 그리고, 채널영역(CH)의 제 2 비정질 실리콘층(44b)이 식각된다.
도 3e와 같이, 박막 트랜지스터(18)과 광 다이오드(20)를 포함하는 절연기판(40) 상에 제 1 보호층(58)이 형성된다. 제 1 보호층(58)은 무기 또는 유기절연물질로 형성할 수 있다. 무기 절연 물질은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용할 수 있다.
제 1 보호층(58)을 선택적으로 식각하여, 소스전극(26a)을 노출시키는 제 1 콘택홀(60)과 광 다이오드(20)의 상부전극(56)을 노출시키는 제 2 콘택홀(62)을 형성한다. 제 1 및 제 2 콘택홀(60, 62)의 형성과 동시에, 게이트 패드 영역(GPA)에서 제 1 보호층(58) 및 게이트 절연층(42)을 식각하여 게이트 패드(34a)을 노출시키는 게이트 패드 콘택홀(64)과 데이터 패드 영역(DPA)에서 제 1 보호층(58)을 식각하여 데이터 패드(32a)를 노출시키는 데이터 패드 콘택홀(66)을 형성한다.
제 1 보호층(58)에는 도 2의 독출배선(68)과 소스전극(26a)을 연결시키는 제 1 콘택홀(60) 및 도 2의 바이어스 배선(70)과 상부전극(56)을 연결시키는 제 2 콘택홀(62)이 형성되기 때문에, 신뢰성을 확보하기 위하여 제 1 보호층(58)을 충분히 두꺼운 약 4000Å 이상으로 형성한다.
도 3f와 같이, 제 1 및 제 2 콘택홀(60, 62)과 게이트 및 데이터 패드 콘택홀(64, 66)을 포함하는 제 1 보호층(58) 상에 제 4 금속층(도시하지 않음)을 형성하고 선택적으로 식각하여, 제 1 콘택홀(60)을 통하여 소스전극(26a)과 연결되는 독출배선(read-out line)(68), 제 2 콘택홀(62)을 통하여 광 다이오드(20)의 상부전극(56)과 연결되는 바이어스 배선(bias line)(70), 게이트 패드 콘택홀(64)을 통하여 게이트 패드(34a)와 연결되는 게이트 패드 전극(34b), 및 데이터 패드 콘택홀(66)을 통하여 데이터 패드(32a)와 연결되는 데이터 패드 전극(32b)을 형성한다. 이때, 바이어스 배선(70)은 박막 트랜지스터(18)의 오동작을 방지하기 위하여 게이트 전극(22)과 대응되는 제 1 보호층(58)의 상부를 지난다.
도 3g와 같이, 독출배선(68), 바이어스 배선(70)과 게이트 및 데이터 패드 전극(34b, 32b)을 포함한 제 1 보호층(58) 상에 제 2 보호층(76)을 형성하고, 게이트 및 데이터 패드 영역(GPA, DPA)의 제 2 보호층(76)을 제거한다.
상기와 같은 종래기술에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판 및 제조방법은 다음과 같은 문제가 있다.
첫번째, 광 다이오드(20)의 하부전극(54)을 형성하기 위하여, 제 3 금속층을 식각할 때, 제 3 금속층의 하부에 위치하고 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)으로 사용되는 제 2 금속층(50)이 손상될 수 있다.
도 3c와 같이, 광 다이오드(20)의 하부전극(54)을 형성하기 위하여 제 3 금속층을 식각할 때, 제 3 금속층의 하부에는 제 2 금속층(50)이 위치하다. 따라서, 제 2 금속층(50)과 제 3 금속층의 식각 선택비가 매우 적기 때문에, 제 3 금속층을 식각하여 하부전극(54)을 형성할 때, 제 2 금속층(50)이 손상될 수 있다. 제 2 금속층(50)을 알루미늄-네이듐(AlNd) 및 몰리브덴(Mo)의 제 1 및 제 2 서브 금속층(50a, 50b)와 같이 형성하여도, 몰리브덴으로 구성되는 제 3 금속층을 식각할 때, 제 3 금속층의 하부에 위치한 제 2 금속층(50)의 제 2 서브 금속층(50b)이 동시에 식각된다.
제 2 금속층(50)은 도 2의 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)으로 사용되고, 소스전극(26a)는 독출배선(68)과 연결된다. 따라서, 제 2 금속층(50)의 손상은 소스전극(26a)와 돌출배선(68) 사이의 접촉저항을 크게 하여 불량을 야기시킬 수 있다.
두번째, 제 1 및 제 제 2 보호층(58, 76)에 의해서, 광 도전체층(52)에 전달되는 광 효율이 감소될 수 있다.
도 2의 상부전극(56)은 어레이 기판(10)과 대향하는 상부기판(도시하지 않음)에 형성되고, 엑스레이(X-ray)를 조사받아 파장을 변환시키는 기능을 하는 신틸레이터로부터 광의 도달 효율을 증가시키기 위해, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 투명 도전 물질로 형성한다.
그런데, 제 1 보호층(58)은 도 2의 독출배선(68)과 소스전극(26a)을 연결시키는 제 1 콘택홀(60) 및 바이어스 배선(70)과 상부전극(56)을 연결시키는 제 2 콘택홀(62)의 신뢰성을 확보하기 위하여 충분히 두꺼운 약 4000Å 이상으로 형성한다. 따라서, 제 1 및 제 제 2 보호층(58, 76)으로 인해, 광 도전체층(52)에 전달되는 광 효율이 감소될 수 있다.
세번째, 데이터 배선(12)에 인접한 소스전극(26a) 상의 제 1 보호층(58)에 형성되고 독출배선(68)과 소스전극(26a)을 연결시키는 제 1 콘택홀(60)의 공정마진으로 인해, 박막 트랜지스터(18)과 광 다이오드(20) 사이에 도 1과 같이 불필요한 공간(A)이 생성되어 필 팩터를 감소시킨다.
도 1과 같이, 바이어스 배선(30)은 박막 트랜지스터(18)의 오동작을 방지하기 위하여, 게이트 배선(24)을 차폐한다. 따라서, 바이어스 배선(30)은 게이트 전극(22)을 지나는 직선배선의 형태를 가진다. 그리고, 데이터 배선(12)와 게이트 전극(22) 사이에는 박막 트랜지스터(18)의 소스전극(26a)과 독출배선(68)을 연결시키는 제 1 콘택홀(60)이 형성되는 영역이 제공되어야 한다. 따라서, 제 1 콘택홀(60)의 영역을 확보하기 위하여, 광 다이오드(20)과 박막 트랜지스터(18) 사이에 도 1의 A와 같이 불필요하게 낭비되는 공간이 존재하여 필 팩터를 감소시킨다.
상기와 같은 종래기술에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판 및 제조방법에 있어서, 도 3c 및 도 3d의 공정에서, 광 다이오드(20)의 하부전극(54)을 형성할 때, 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)의 형성을 위하여 적층되는 제 2 금속층(50)의 손상을 방지하기 위하여, 도 4a 및 도 4b와 같이, 제 2 금속층(50)과 제 3 금속층 사이에 층간 절연층(80)을 형성할 수 있다.
도 4a와 같이, 절연기판(40) 상에 게이트 전극(22)과 게이트 전극(22) 상에 게이트 절연층(42)을 형성하고, 게이트 전극(22)과 대응되는 게이트 절연층(42) 상에 제 1 및 제 2 비정질 실리콘층(44a, 44b)으로 구성되는 활성층(24)을 형성한다. 활성층(24)을 포함한 게이트 절연층(42) 상에 제 1 금속층(50)을 형성한다. 제 1 금속층(50) 상에 층간 절연층(80)을 형성하고, 층간 절연층(80)을 선택적으로 식각하여 제 1 금속층(50)을 노출시키는 드레인 콘택홀(82)을 형성한다.
제 2 금속층(50)을 단일층 또는 제 1 및 제 2 서브 금속층(50a, 50b)과 같이 이중층으로 형성할 수 있다. 제 1 및 제 2 서브 금속층(50a, 50b) 각각은 알루미늄-네이듐(AlNd) 및 몰리브덴(Mo)으로 형성할 수 있다. 층간 절연층(80)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성할 수 있다.
그리고, 광 다이오드 영역(DIA)에서, 드레인 콘택홀(82)을 통하여 제 2 금속 층(50)과 연결되는 광 다이오드(20)를 형성한다. 광 다이오드(20)는 광 도전체층(52), 광 도전체층(52)과 금속층(50) 사이의 하부전극(54), 광 도전체층(52) 상의 상부전극(56)으로 구성된다. 광 도전체층(52)은 N 형의 불순물을 포함한 N 형 반도체층(52a), 불순물을 포함하지 않는 진성 반도체층(52b), 및 P 형의 불순물을 포함한 P 형 반도체층(52c)을 포함하여 구성된다.
광 다이오드(20)를 형성하는 방법은, 드레인 콘택홀(82)을 포함하는 층간 절연층(80) 상에 제 2 금속층(도시하지 않음), N 형 실리콘층(도시하지 않음), 진성 실리콘층(도시하지 않음), P 형의 실리콘층(도시하지 않음), 및 투명 도전 물질층(도시하지 않음)을 순차적으로 적층하고, 선택적으로 식각하여 형성한다. 따라서, 광 다이오드(20)의 하부전극(54)을 형성할 때, 도 2의 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)을 형성하기 위하여 적층되는 제 2 금속층(50)이 손상되지 않는다.
도 4b와 같이, 층간 절연층(80) 및 제 2 금속층(50)을 선택적으로 식각하여, 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)을 형성한다. 따라서, 박막 트랜지스터 영역(TA)에는 게이트 전극(22), 게이트 절연층(42), 활성층(44)과 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)으로 구성되는 박막 트랜지스터(18)가 형성된다. 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)은 활성층(24)의 채널영역(CH)을 사이에 두고 서로 이격된다. 그리고, 채널영역(CH)의 제 2 비정질 실리콘층(44b)이 식각된다.
박막 트랜지스터(18)과 광 다이오드(20)를 포함하는 절연기판(40) 상에 제 1 보호층(58)을 형성하고, 제 1 보호층(58) 및 층간 절연층(80)을 선택적으로 식각하여, 소스전극(26a)을 노출시키는 제 1 콘택홀(60)과 광 다이오드(20)의 상부전극(56)을 노출시키는 제 2 콘택홀(62)을 형성한다.
그런데, 소스전극(26a) 상에는 제 1 보호층(58) 및 층간 절연층(80)이 형성되고, 상부전극(56) 상에는 제 1 보호층(58)이 형성된다. 따라서, 소스전극(26a) 상에 형성되는 제 1 콘택홀(60)과 비교하여 상부전극(56) 상에 형성되는 제 2 콘택홀(62)이 과도하게 식각된다. 따라서, 광 다이오드(20)의 하부전극(54)을 형성할 때, 소스 및 드레인 전극(26a, 26b)의 형성을 위하여 적층되는 제 1 금속층(50)의 손상을 방지하기 위하여, 도 4a 및 도 4b와 같이, 제 1 금속층(50)과 제 2 금속층 사이에 층간 절연층(80)을 형성하는 경우에, 제 2 콘택홀(62) 하부의 상부전극(56)이 손상될 수 있다. 상부전극(56)의 손상은 상부전극(56)과 바이어스 배선(30) 사이의 접촉저항을 증가시키고, 이로 인해 불량이 야기될 수 있다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 활성층의 일단과 데이터 배선의 일측을 연결하고 데이터 배선의 타측으로 돌출되는 소스전극의 돌출부를 독출배선에 연결함으로써 바이어스 배선을 데이터 배선에 근접 배치되고, 이로 인해 필 팩터를 개선할 수 있는 엑스레이 검출기용 어레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 광 다이오드의 상부전극과 접촉하는 바이어스 배선의 콘택영역을 데이터 배선과 마주보는 일측면에서 바이어스 배선의 배선부와 동일 직선으로 연장시키고, 바이어스 배선의 타측면에서 콘택영역을 배선부로부터 돌출시킴으로써, 데이터 배선과 바이어스 배선이 근접되어 필 팩터를 개선할 수 있는 엑스레이 검출기용 어레이 기판을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은, 광 다이오드의 상부전극 상에 형성되는 투명 도전 물질의 보호층에 있어서, 광 다이오드의 중앙부와 대응되는 보호층의 두께를 광 다이오드의 주변부와 대응되는 보호층의 두께보다 얇게 형성하여 상부전극으로 전달되는 광 전달 효율을 개선할 수 있는 엑스레이 검출기용 어레이 기판을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명은, 박막 트랜지스터의 소스전극 상에 절연층의 두께가 광 다이오드의 상부전극 상의 절연층의 두께보다 두껍게 형성된 경우, 절연층을 식각하여 소스전극을 노출시키는 제 1 콘택홀과 상부전극을 노출시키는 제 2 콘택홀을 형성할 때, 소스전극의 물질을 검출할 수 있는 종점 검출기를 사용하여, 제 2 콘택홀을 형성할 때 상부전극의 과도식각을 방지하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방 법을 제공하는 것을 별도의 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 엑스레이 검출기용 어레이 기판은, 기판 상에 형성되고 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선의 수직교차에 의해서 매트릭스 형태로 정의되는 다수의 화소영역; 상기 다수의 화소영역 각각에 위치하고, 상기 다수의 게이트 배선 각각과 연결되는 다수의 게이트 전극, 상기 다수의 게이트 전극 각각 상의 다수의 활성층, 상기 다수의 활성층 각각의 일단과 상기 다수의 데이터 배선 각각의 일측을 연결하고 상기 다수의 데이터 배선 각각의 타측으로 돌출되는 돌출부를 가지는 다수의 소스전극, 및 상기 다수의 활성층 각각의 타단과 연결되는 다수의 드레인 전극을 포함하는 다수의 박막 트랜지스터; 상기 다수의 드레인 전극 각각과 연결되는 다수의 광 다이오드; 상기 다수의 광 다이오드에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스 배선; 다수의 상기 소스전극 각각의 상기 돌출부와 연결되는 다수의 독출배선;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 광 다이오드 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 1 함몰부를 포함하고, 상기 다수의 화소영역 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 2 함몰부를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 바이어스 배선 각각은 배선부와 상기 다수의 광 다이오드 각각과 접촉하고 상기 배선부보다 넓은 너비를 가지는 콘택영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 데이터 배선과 마주보는 상기 다수의 바이어스 배선의 일측에서, 상기 배선부와 상기 콘택영역은 동일 직선으로 연장되고, 상기 일측과 대향하는 상기 다수의 바이어스 배선의 타측에서 상기 콘택영역은 상기 배선부로부터 돌출되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 바이어스 배선은 상기 다수의 게이트 전극을 차폐하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 광 다이오드 상에 보호층이 형성되고, 상기 다수의 광 다이오드 중앙부의 상기 다수의 광 다오이드 각각의 주변부와 대응되는 상기 보호층의 두께보다 얇은 두께를 가지는 광 전달 영역이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 게이트 및 데이터 배선과 연결되는 다수의 게이트 및 데이터 패드를 포함하고, 상기 다수의 게이트 및 데이터 패드 상에 투명 도전 물질로 구성되는 다수의 게이트 및 데이터 패드 전극이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판에 있어서, 상기 다수의 광 다이 오드 각각은, 상기 다수의 드레인 전극 각각과 연결되는 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성되는 광 도전체층, 및 상기 광 도전체층 상에 형성되는 상부전극을 포함하고, 상기 다수의 바이어스 배선 각각은 상기 상부전극과 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법은, 기판 상에 형성되는 다수의 게이트 배선 및 상기 다수의 게이트 배선과 연결되는 다수의 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 다수의 게이트 배선 및 상기 다수의 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 다수의 게이트 전극 각각과 대응되는 상기 게이트 절연층 상에 다수의 활성층, 다수의 데이터 배선, 상기 다수의 데이터 배선 각각의 일측과 상기 다수의 활성층 각각의 일단을 연결하고 상기 다수의 데이터 배선 각각의 타측으로 돌출되는 돌출부를 가지는 다수의 소스전극, 및 상기 다수의 활성층 각각의 타단과 연결되는 다수의 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 다수의 광 다이오드 각각과 연결되는 다수의 바이어스 배선과 상기 다수의 소스전극 각각과 연결되는 다수의 독출배선을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 데이터 배선과 상기 다수의 소스 및 드레인 전극을 포함한 상기 게이트 절연층 상에 층간 절연층을 형성하는 단계; 상기 층간 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 다수의 드레인 전극 각각을 노출시키는 다수의 드레인 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 층간 절연층 상에 상기 다수의 드레인 콘택홀 각각을 통하여 상기 다수의 드레인 전극과 연결되는 상기 다수의 광 다이오드를 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 층간 절연층 상에 상기 다수의 드레인 콘택홀 각각과 연결되는 다수의 하부전극을 형성하는 단계; 상기 다수의 하부전극을 포함한 상기 층간 절연층 상에 실리콘층과 상기 실리콘층 상에 투명 도전 물질층을 형성하는 단계; 상기 투명 도전 물질층 및 상기 실리콘층을 패터닝하여 다수의 상부전극 및 다수의 광 도전체층을 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 광 다이오드를 포함한 상기 층간 절연층 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층 및 상기 게이트 절연층을 선택적으로 식각하여, 상기 다수의 소스전극 각각이 노출되는 다수의 제 1 콘택홀과, 상기 다수의 광 다이오드 각각이 노출되는 다수의 제 2 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 다수의 제 1 콘택홀 각각을 통하여 상기 다수의 소스전극과 연결되는 상기 다수의 독출배선과 상기 다수의 제 2 콘택홀 각각을 통하여 상기 다수의 광 다이오드와 연결되는 상기 다수의 바이어스 배선을 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 바이어스 배선 각각은 배선부와 상기 다수의 제 2 콘택홀 각각과 대응되는 콘택영역을 포함하고, 상기 콘택영역의 너비는 상기 배선부보다 큰 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 데이터 배선 각각과 마주보는 상기 다수의 바이어스 배선의 일측에서, 상기 배선부와 상기 콘택영역은 동일 직선으로 연장되고, 상기 일측과 대향하는 상기 다수의 바이어스 배선 각각의 타측에서 상기 콘택영역은 상기 배선부로부터 돌출되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 소스전극은 최상층에 몰리브덴을 포함한 금속층으로 형성되고, 상기 다수의 상부전극은 ITO 또는 ZTO로 형성되고, 상기 보호층 및 상기 층간 절연층을 건식식각하여 상기 다수의 제 1 및 제 2 콘택홀을 형성하는 공정에 있어서, 종점 검출기에서 상기 몰리브덴이 검출되면 건식식각을 정지하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 게이트 및 데이터 배선 각각과 연결되는 다수의 게이트 및 데이터 패드를 형성 하는 단계; 상기 다수의 게이트 및 데이터 패드 각각 상에 다수의 제 1 게이트 및 데이터 패드 전극을 형성하는 단계; 상기 다수의 제 1 게이트 및 데이터 패드 전극 각각 상에 ITO 또는 ZTO로 구성되는 다수의 제 2 게이트 및 데이터 패드 전극을 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 광 다이오드 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 1 함몰부를 포함하고, 상기 다수의 게이트 및 데이터 배선은 서로 직교하여 상기 다수의 광 다이오드 각각이 위치하는 다수의 화소영역을 정의하고, 상기 다수의 화소영역 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 2 함몰부를 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 다수의 광 다이오드 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다수의 광 다이오드 중앙부의 상기 보호층의 두께는 상기 다수의 광 다이오드 주변부의 상기 보호층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 엑스레이 검출기용 어레이 기판 및 그의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 소스전극은, 박막 트랜지스터의 활성층 일단과 데이터 배선의 일측을 연결하고 데이터 배선의 타측으로 돌출되는 돌출부를 가진다. 소스전극의 돌출부를 독출배선과 연결하는 것에 의해, 바이어스 배선을 데이터 배선에 근접시킬 수 있어, 불필요한 공간의 생성을 방지하여 필 팩터를 개선할 수 있다.
본 발명은, 광 다이오드의 상부전극과 접촉하는 바이어스 배선의 콘택영역을 데이터 배선과 마주보는 일측면에서 바이어스 배선의 배선부와 동일 직선으로 연장시키고, 바이어스 배선의 타측면에서 콘택영역을 배선부로부터 돌출시킴으로써, 바이어스 배선을 데이터 배선과 근접시킬 수 있으므로, 필 팩터를 더욱 개선할 수 있다.
본 발명은, 광 다이오드의 상부전극 상에 형성된 투명 도전 물질의 보호층에 있어서, 광 다이오드의 중앙부와 대응되는 보호층의 두께를 광 다이오드의 주변부와 대응되는 보호층의 두께보다 얇게 형성하여 상부전극으로 전달되는 광 전달 효율을 개선할 수 있다.
본 발명의 엑스레이 검출용 어레이 기판에 있어서, 박막 트랜지스터의 소스전극 상에 층간 절연층과 보호층이 형성되고, 광 다이오드의 상부전극 상에는 보호층이 형성되어, 소스전극 상의 절연층의 두께는 상부전극 상의 절연층의 두께보다 두껍다. 서로 다른 두께의 절연층을 동시에 식각하여 소스전극을 노출시키는 제 1 콘택홀과 상부전극을 노출시키는 제 2 콘택홀을 형성할 때, 소스전극의 물질을 검출할 수 있는 종점 검출기를 사용하고, 소스전극의 물질이 검출되면 식각을 종료함으로써 제 2 콘택홀과 대응되는 상부전극의 과도 식각을 방지한다. 따라서, 바이어스 배선과 광 다이오드의 상부전극 사이의 콘택 저항을 개선할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 평면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 단면도이고, 도 7a 내지 도 7i는 종래기술에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 도시한 공정 단면도이다.
도 5와 같이, 어레이 기판(110)은 다수의 데이터 배선(112), 다수의 게이트 배선(114), 다수의 데이터 배선(112) 및 다수의 게이트 배선(114)이 교차하여 정의하는 다수의 화소영역(PA), 다수의 화소영역(PA) 각각에 위치하고 광전신호를 전기적 신호로 변환하는 다수의 광 다이오드(120) 및 다수의 광 다이오드(120)를 구동하기 위해 스위칭 기능을 다수의 박막 트랜지스터(118)를 포함하여 구성된다.
박막 트랜지스터(120)는 게이트 배선(114)과 연결되는 게이트 전극(122), 게이트 전극(122) 상에 게이트 절연층(도시하지 않음)을 개재하여 형성되는 활성층(124), 활성층(124)의 일단과 데이터 배선(112)을 연결하는 소스전극(126a), 및 활성층(124)의 타단과 광 다이오드(120)를 연결하는 드레인 전극(126b)을 포함하여 구성된다. 소스전극(126a)은 데이터 배선(112)의 일측과 활성층(124)의 일단을 연결하고, 데이터 배선(112)의 타측으로 돌출되는 돌출부(192)를 가진다.
광 다이오드(120)는 데이터 배선(112)의 타측으로 돌출되는 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 대응되는 제 1 함몰부(194)를 가진다. 화소영역(PA)은 데이터 배선(112)의 타측으로 돌출되는 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 대응되는 제 2 함몰부를 가진다.
어레이 기판(110)은 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 연결되는 독출배선(128), 광 다이오드(120)의 전자 또는 정공을 제어하는 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 배선(130), 및 데이터 배선(112)의 단부와 연결되고 외부로부터 화상신호가 인가되는 데이터 패드부(132), 및 게이트 배선(114)의 단부와 연결되고 외부로부터 주사신호를 인가받는 게이트 패드부(134)를 더욱 포함한다.
독출배선(128)은 데이터 배선(112)의 타측으로 돌출되는 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 연결된다. 바이어스 배선(130)은 배선부(130a)과 광 다이오드(120)와 접촉하는 콘택영역(130b)을 포함한다. 바이어스 배선(130)은 불투명한 금속물질로 형성되고 박막 트랜지스터(118)의 오동작을 방지하기 위하여 게이트 전극(122)을 차폐한다. 바이어스 배선(130)은 직선배선의 형태이고 게이트 전극(122)을 지난다. 콘택영역(130b)은 배선부(130a) 보다 큰 너비를 가진다. 데이터 배선(112)과 마주보는 바이어스 배선(130)의 일측면은 배선부(130a)와 콘택영역(130b)이 동일 직선으로 연장되고, 바이어스 배선(130)의 타측면에서는 배선부(130a)로부터 콘택영역(130b)이 돌출된다.
바이어스 배선(130)에서 콘택영역(130b)은 광 다이오드(120)와 연결시키는 공정마진을 확보하기 위하여 필요하다. 그리고, 바이어스 배선(130)을 가능하면 데이터 배선(112)과 근접하게 배치시키기 위하여, 콘택영역(130b)을 데이터 배선(112)과 마주보는 바이어스 배선(130)의 일측이 아닌 화소영역(PA)의 방향, 즉 바이어스 배선(130)의 타측에서 돌출시킨다. 따라서, 독출배선(128)이 데이터 배선(112)의 타측으로 돌출되는 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 연결되고, 바이어스 배선(130)의 콘택영역(130b)이 화소방향으로 돌출되기 때문에, 광 다이오드(120)과 박막 트랜지스터(118) 사이에서 발생하는 공간을 최소화시켜 필 팩터를 개선할 수 있다.
도 6은 도 5에서 데이터 배선(112), 박막 트랜지스터(118), 소스전극(126a) 의 돌출부(192)를 V-V로 절단한 단면도, 바이어스 배선(130)을 VI-VI로 절단한 단면도, 게이트 패드부(134)를 VII-VII으로 절단한 단면도, 및 데이터 패드부(132)를 VIII-VIII로 절단한 단면도를 포함하여 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 소스전극(126a)의 돌출부(192), 데이터 배선(112), 박막 트랜지스터(118), 광 다이오드(120), 게이트 패드부(134), 및 데이터 패드부(132) 각각이 형성되는 확장영역(EA), 데이터 배선 영역(DA), 박막 트랜지스터 영역(TA), 광 다이오드 영역(DIA), 게이트 패드 영역(GPA) 및 데이터 패드 영역(DPA)으로 구분하여 어레이 기판(110)의 단면도를 도시한다.
박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성되는 도 5의 박막 트랜지스터(118)는 게이트 전극(122), 게이트 전극(122)을 포함한 절연기판(140) 상의 게이트 절연층(142), 게이트 전극(122)과 대응되는 게이트 절연층(142) 상의 활성층(124), 및 활성층(124)의 일단 및 타단과 연결되고 서로 이격되는 소스 및 드레인 전극(126a, 126b)을 포함한다. 소스전극(126a)은 데이터 배선(112)의 일측과 활성층(124)의 일단을 연결한다. 데이터 배선 영역(DA)에는 데이터 배선(112)이 형성되고, 데이터 배선(112)의 일측은 박막 트랜지스터(118)의 소스전극(126a)과 연결된다. 확장영역(EA)에는 데이터 배선(112)의 타측과 연결되는 소스전극(126a)의 돌출부(192)가 형성된다.
활성층(124)은 불순물로 도핑되지 않은 제 1 비정질 실리콘층(144a) 및 N 형 불순물로 도핑된 제 2 비정질 실리콘층(144b)을 포함하여 구성된다.
광 다이오드 영역(DIA)에 형성되는 광 다이오드(120)는, 박막 트랜지스터(118)의 드레인 전극(126a)과 연결되는 하부전극(154), 하부전극(154) 상의 광 도전체층(152) 및 광 도전체층(152) 상의 상부전극(156)을 포함하여 구성된다. 광 도전체층(152)은 N 형의 불순물을 포함한 N 형 반도체층(152a), 불순물을 포함하지 않는 진성 반도체층(152b), 및 P 형의 불순물을 포함한 P 형 반도체층(152c)을 포함하여 구성된다.
광 다이오드(120)는, 박막 트랜지스터(118)의 소스 및 드레인 전극(126a, 126b)을 포함하는 게이트 절연층(140) 상에 드레인 콘택홀(182)을 가지는 층간 절연층(180)이 형성되고, 층간 절연층(180) 상에 드레인 콘택홀(182)을 통하여 드레인 전극(126b)과 연결되는 하부전극(154), 하부전극(154) 상에 광 도전체층(152), 및 광 도전체층(152) 상에 상부전극(156)이 형성된다.
광 다이오드(120)를 포함하는 층간 절연층(140) 상에 제 1 보호층(158)을 형성하고, 층간 절연층(140) 및 제 1 보호층(158)을 선택적으로 식각하여, 소스전극(126a)의 돌출부(192)를 노출시키는 제 1 콘택홀(160)과 상부전극(156)을 노출시키는 제 2 콘택홀(162)을 형성한다. 제 1 보호층(158) 상에 제 1 콘택홀(160)을 통하여 소스전극(126a)의 돌출부(192)과 연결되는 독출배선(168)과 제 2 콘택홀(162) 을 통하여 상부전극(156)과 연결되는 바이어스 배선(170)을 형성한다. 바이어스 배선(170)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄-네오듐(AlNd)와 같은 불투명한 금속물질로 형성되고 박막 트랜지스터(118)의 오동작을 방지하기 위하여 게이트 전극(122)의 상부와 중첩된다.
게이트 패드 영역(GPA)에 형성되는 게이트 패드부(134)는 게이트 배선(114) 및 게이트 배선(114)과 동시에 형성되는 제 1 게이트 패드(134a), 제 1 게이트 패드 콘택홀(164a)을 통하여 제 1 게이트 패드(134a)와 연결되고 제 2 게이트 패드(134b), 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b)을 통하여 제 2 게이트 패드(134b)와 연결되는 제 1 게이트 패드 전극(172a), 및 제 3 게이트 패드 콘택홀(164c)을 통하여 제 1 게이트 패드 전극(172a)과 연결되는 제 2 게이트 패드 전극(172b)을 포함하여 구성된다. 제 1 게이트 패드(134a)는 게이트 전극(122)과 동시에 형성되고, 제 2 게이트 패드(134b)는 소스 및 드레인 전극(126a, 126b)와 동시에 형성되고, 제 1 게이트 패드 전극(172a)은 독출배선(168) 및 바이어스 배선(170)과 동시에 형성된다.
데이터 패드 영역(DPA)에 형성되는 데이터 패드부(132)는, 제 1 데이터 패드(132a), 제 1 데이터 패드 콘택홀(166a)을 통하여 데이터 패드(132a)와 연결되는 제 1 데이터 패드 전극(174a), 및 제 2 데이터 패드 콘택홀(166b)을 통하여 제 1 데이터 패드 전극(174a)과 연결되는 제 2 데이터 패드 전극(174b)을 포함한다. 제 1 데이터 패드(132a)는 데이터 배선(112)과 동시에 형성되고, 제 1 데이터 패드 전극(174a)은 독출배선(168) 및 바이어스 배선(170)과 동시에 형성된다.
제 1 게이트 및 데이터 패드 전극(172a, 174a) 각각과 연결되는 제 2 게이트 및 데이터 패드 전극(172b, 174b)은 제 1 게이트 및 데이터 패드 전극(172a, 174a)의 부식을 방지하기 위해 투명 도전 물질, 예를 들면 ITO 또는 ZTO로 형성한다.
도 7a 내지 도 7j를 참조하여, 본 발명에 따른 어레이 기판(110)의 제조방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다. 도 7a 내지 도 7j는 도 5에서 소스전극(126a)의 돌출부(192), 데이터 배선(112), 및 박막 트랜지스터(118)를 V-V로 절단한 단면도, 바이어스 배선(130)을 VI-VI로 절단한 단면도, 게이트 패드(134)를 VII-VII으로 절단한 단면도, 및 데이터 패드(132)를 VIII-VIII로 절단한 단면도를 포함하여 도시한다. 설명의 편의를 위하여, 소스전극(126a)의 돌출부(192), 데이터 배선(112), 박막 트랜지스터(118), 광 다이오드(120), 게이트 패드부(134), 및 데이터 패드부(132) 각각이 형성되는 확장영역(EA), 데이터 배선 영역(DLA), 박막 트랜지스터 영역(TA), 광 다이오드 영역(DIA), 게이트 패드 영역(GPA) 및 데이터 패드 영역(DPA)으로 구분하여 어레이 기판(110)의 단면도를 도시한다.
도 7a과 같이, 절연기판(140) 상에 알루미늄 계열을 포함하는 제 1 금속층(도시하지 않음)을 형성하고, 제 1 금속층을 선택적으로 식각하여 도 5의 게이트 배선(114), 게이트 전극(122), 및 제 1 게이트 패드(134a)를 형성한다. 게이트 전극(122)은 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성되고, 제 1 게이트 패드(134a)는 게이트 패드 영역(GPA)에 형성된다.
도 7b와 같이, 게이트 배선(114), 게이트 전극(122) 및 제 1 게이트 패드(134a)를 포함하는 절연기판(140) 상에 게이트 절연층(142)을 형성하고, 게이트 전극(122)과 대응되는 게이트 절연층(142) 상에 활성층(124)을 형성한다. 게이트 절연층(142)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용할 수 있다. 활성층(124)은 불순물이 도핑되지 않는 제 1 비정질 실리콘층(144a)과 N 형 불순물이 도핑된 제 2 비정질 실리콘층(144b)으로 구성된다.
게이트 패드영역(GPA)에는 제 1 게이트 패드(134a)와 대응되는 게이트 절연층(142)을 식각하여 제 1 게이트 패드 콘택홀(164a)을 형성한다.
활성층(124) 및 제 1 게이트 패드 콘택홀(164a)을 포함한 게이트 절연층(142) 상에 제 2 금속층(150)을 형성한다. 제 2 금속층(150)을 제 1 내지 제 3 서브 금속층(150a, 150b, 150c)과 같이 삼중층으로 형성할 수 있다. 제 1 및 제 3 서브 금속층(150a, 150c)는 몰리브덴(Mo)으로 형성하고, 제 2 서브 금속층(150b)는 알루미늄-네이듐(AlNd)으로 형성할 수 있다.
도 7c와 같이, 제 2 금속층(150)을 선택적으로 식각하여, 도 5의 데이터 배선(112)과 도 7c에서 도시한 소스 및 드레인 전극(126a, 126b), 제 1 데이터 패드(132a) 및 제 2 게이트 패드(132b)가 형성된다.
박막 트랜지스터 영역(TA)에는 게이트 전극(122), 게이트 절연층(142), 활성층(124)과 소스 및 드레인 전극(126a, 126b)으로 구성되는 박막 트랜지스터(118)가 형성된다. 소스 및 드레인 전극(126a, 126b) 각각은 활성층(124)의 일단 및 타단과 연결된다. 소스 및 드레인 전극(126a, 126b)은 활성층(124)의 채널영역(CH)을 사이에 두고 서로 이격된다. 그리고, 채널영역(CH)의 제 2 비정질 실리콘층(144b)이 식각된다. 소스전극(126a)은 데이터 배선(112)과 연결되고, 도 5와 같이, 소스전극(126a)의 일부는 인접한 화소영역(PA)으로 돌출되는 제 1 돌출부(192)를 가진다. 도 5와 같이, 드레인 전극(126b)은 광 다이오드(120)와 연결된다.
제 2 금속층(150)의 패터닝에 의해 데이터 패드 영역(DPA)에는 제 1 데이터 패드(132a)가 형성되고, 게이트 패드 영역(GPA)에는 제 1 게이트 패드 콘택홀(164a)을 통하여 제 1 게이트 패드(134a)와 연결되는 제 2 게이트 패드(134b)가 형성된다.
소스 및 드레인 전극(126a, 126b), 제 1 데이터 패드(132a) 및 제 2 게이트 패드(134b)를 포함하는 게이트 절연층(142) 상에 층간 절연층(180)을 형성하고, 층 간 절연층(180)을 선택적으로 식각하여 드레인 전극(126b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(182)을 형성한다. 층간 절연층(180)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성할 수 있다.
도 7d와 같이, 드레인 콘택홀(182)을 포함하는 층간 절연층(180) 상에 제 3 금속층(도시하지 않음)을 형성하고, 제 3 금속층을 선택적으로 식각하여, 드레인 콘택홀(182)을 통하여 드레인 전극(126b)과 연결되는 도 6의 광 다이오드(120)의 하부전극(154)을 광 다이오드 영역(DIA)에 형성한다. 도 5와 같이, 광 다이오드(120)는 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 대응되어 제 1 함몰부(194)를 가진다. 하부전극(154)은 몰리브덴(Mo)과 같은 금속으로 형성할 수 있다.
도 7e와 같이, 하부전극(154)을 포함하는 층간 절연층(180) 상에 N 형 실리콘층(도시하지 않음), 진성 실리콘층(도시하지 않음), P 형의 실리콘층(도시하지 않음), 및 투명 도전 물질층(도시하지 않음)을 순차적으로 적층한다. 그리고, 투명 도전 물질층을 선택적으로 식각하여 도 6에서 도시한 광 다이오드(120)의 상부전극(156)을 형성한다. 상부전극(156)은 어레이 기판(110)과 대향하는 상부기판(도시하지 않음)에 형성되고, 엑스레이(X-ray)를 조사받아 파장을 변환시키는 기능을 하는 신틸레이터로부터 광의 도달 효율을 증가시키기 위해, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 투명 도전 물질로 형성한다. 계속해서, N 형 실리콘층, 진성 실리콘층, 및 P 형의 실리콘층을 선택적으로 식각하여, 도 5에 서 도시한 광 다이오드(120)의 광 도전체층(152)을 형성한다.
도 7d 및 도 7e의 단계에서, 박막 트랜지스터(118)의 드레인 전극(126b)과 연결되는 하부전극(154), 하부전극(154) 상의 광 도전체층(152), 및 광 도전체층(152) 상의 상부전극(156)으로 구성되는 광 다이오드(120)가 형성된다. 광 도전체층(152)은 N 형의 불순물을 포함한 N 형 반도체층(152a), 불순물을 포함하지 않는 진성 반도체층(152b), 및 P 형의 불순물을 포함한 P 형 반도체층(152c)을 포함하여 구성된다.
도 7f와 같이, 광 다이오드(120)를 포함한 층간 절연층(180) 상에 제 1 보호층(158)을 형성한다. 제 1 보호층(158) 및 층간 절연층(180)을 선택적으로 식각하여, 소스전극(126a)의 돌출부(192)를 노출시키는 제 1 콘택홀(160), 광 다이오드(120)의 상부전극(156)을 노출시키는 제 2 콘택홀(162), 제 2 게이트 패드(134b)를 노출시키는 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b), 및 제 1 데이터 패드(132a)를 노출시키는 제 1 데이터 패드 콘택홀(166a)을 형성한다.
제 1 보호층(158)은 무기 또는 유기절연물질로 형성할 수 있다. 무기 절연 물질은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용할 수 있다. 제 1 보호층(158)은 도 5의 독출배선(168)과 소스전극(126a)의 돌출부(192)을 연결시키는 제 1 콘택홀(160) 및 바이어스 배선(170)과 상부전극(156)을 연결시키는 제 2 콘택홀(162)의 신뢰성을 확보하기 위하여 충분히 두꺼운 약 4000Å 이상으로 형성한다.
소스전극(126a), 제 1 데이터 패드(132a) 및 제 2 게이트 패드(134b)의 상부에는 제 1 보호층(158) 및 층간 절연층(180)이 형성되어 있고, 광 다이오드(120)의 상부전극(156) 상에는 층간 절연층(180)이 형성되어 있다. 따라서, 제 2 콘택홀(162)을 형성할 때, 제 1 콘택홀(160), 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b) 및 제 1 데이터 패드 콘택홀(166a)과 비교하여 층간 절연층(180)이 과도 식각되어, 층간 절연층(180) 하부에 위치한 상부전극(156)이 손상될 수 있다. 따라서, 상부전극(156)의 손상을 방지하기 위하여, 종점 검출기(end point detector)(도시하지 않음)을 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 종점 검출기는 몰리브덴(Mo)을 검출할 수 있다. 도 7b와 같이, 제 1 금속층(150)은 제 1 내지 제 3 서브 금속층(150a, 150b, 150c)과 같이 삼중층으로 구성되고, 최상층에 위치한 제 3 서브 금속층(150c)은 몰리브덴(Mo)으로 구성된다. 제 1 금속층(150)의 선택적 식각에 의해서, 도 7c와 같이 소스전극(126a), 제 2 게이트 패드(134b) 및 제 1 데이터 패드(132a)가 형성된다.
도면으로 상세하게 도시하지 않았지만, 식각장치에서 종점 검출기를 설치하고, 제 1 보호층(158) 및 층간 절연층(180)을 식각하는 경우, 제 1 콘택홀(160), 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b) 및 제 1 데이터 패드 콘택홀(166a)의 형성되면, 그 하부에 위치한 소스전극(126a), 제 2 게이트 패드(134b) 및 제 1 데이터 패드(132a)의 최상층에 위치한 제 3 서브 금속층(150c)의 구성물질인 몰리브덴(Mo)이 검출되기 시작한다.
종점 검출기에서 몰리브덴(Mo)이 검출되면, 제 1 콘택홀(160), 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b) 및 제 1 데이터 패드 콘택홀(166a)의 하부의 소스전극(126a), 제 2 게이트 패드(134b) 및 제 1 데이터 패드(132a)가 완전히 노출된 것으로 판단하고, 식각공정을 중지한다. 따라서, 제 2 콘택홀(162)을 형성할 때, 층간 절연층(180)이 과도 식각되어, 층간 절연층(180) 하부에 위치한 상부전극(156)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 7g와 같이, 제 1 및 제 2 콘택홀(160, 162)과 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b) 및 제 1 데이터 패드 콘택홀(166a)을 포함하는 제 1 보호층(158) 상에 제 4 금속층(도시하지 않음)을 형성하고 선택적으로 식각하여, 제 1 콘택홀(160)을 통하여 소스전극(126a)의 돌출부(192)와 연결되는 독출배선(read-out line)(168), 제 2 콘택홀(162)을 통하여 광 다이오드(120)의 상부전극(156)과 연결되는 바이어스 배선(bias line)(170), 제 2 게이트 패드 콘택홀(164b)을 통하여 제 2 게이트 패드(134b)와 연결되는 제 1 게이트 패드 전극(172a), 및 데이터 패드 콘택홀(166)을 통하여 데이터 패드(132)와 연결되는 제 1 데이터 패드 전극(174a)을 형성한다.
도 7h와 같이, 광 다이오드(120)의 중앙부와 대응되는 제 1 보호층(158)을 식각한다. 제 1 보호층(158)은 도 6의 독출배선(168)과 소스전극(126a)을 연결시키는 제 1 콘택홀(160) 및 바이어스 배선(170)과 상부전극(156)을 연결시키는 제 2 콘택홀(162)의 신뢰성을 확보하기 위하여 충분히 두꺼운 약 4000Å 이상으로 형성한다. 따라서, 제 1 보호층(158)으로 인해, 광 도전체층(152)에 전달되는 광 효율이 감소될 수 있다. 따라서, 광 효율의 감소를 방지하기 위하여 제 1 보호층(158)을 식각하여 광 전달 영역(178)을 형성한다.
광 다이오드(120)과 대응되는 제 1 보호층(158)은 중앙부(157a) 및 바이어스 배선(170)을 포함하는 주변부(157b)을 포함하고, 광 효율을 개선하기 위하여 제 1 보호층(158)의 중앙부(157a)를 일정 깊이로 식각한다. 따라서, 제 1 보호층(158)의 중앙부(157a) 두께는 주변부(157b)의 두께보다 매우 얇게 된다.
도 7i와 같이, 독출배선(168), 바이어스 배선(170), 제 1 게이트 전극(174a), 및 제 1 데이터 패드 전극(172a)을 포함한 제 1 보호층(158) 상에 제 2 보호층(176)을 형성하고, 제 2 보호층(176)을 선택적으로 식각하여 제 1 게이트 패드 전극(174a)을 노출시키는 제 3 게이트 패드 콘택홀(164c) 및 제 1 데이터 패드 전극(172a)을 노출시키는 제 2 게이트 패드 콘택홀(166b)을 형성한다.
제 3 게이트 패드 콘택홀(164c) 및 제 2 게이트 패드 콘택홀(166b)을 포함하 는 제 2 보호층(176) 상에 투명 도전 물질층(도시하지 않음)을 형성하고, 선택적으로 식각하여 제 1 게이트 패드 전극(174a)과 연결되는 제 2 게이트 패드 전극(174b)과, 제 1 데이터 패드 전극(172a)과 연결되는 제 2 데이터 패드 전극(172b)을 형성한다. 제 2 게이트 및 데이터 패드 전극(172b, 174b)은 제 1 게이트 및 데이터 패드 전극(172a, 174a)의 부식을 방지하기 위하여, 투명 도전 물질인 ITO 또는 ZTO을 사용한다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변형 및 변경할 수 있다는 것은 자명한 사실일 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 평면도
도 2는 종래기술에 따른 어레이 기판의 단면도
도 3a 내지 도 3g는 종래기술에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 도시한 공정 단면도
도 4a 및 도 4b는 종래기술의 다른 예에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 도시한 공정 단면도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 평면도
도 6은 본 발명에 따른 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 단면도
도 7a 내지 도 7i는 종래기술에 따른 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 도시한 공정 단면도
Claims (18)
- 기판 상에 형성되고 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선의 교차에 의해서 매트릭스 형태로 정의되는 다수의 화소영역;상기 다수의 화소영역 각각에 위치하고, 상기 다수의 게이트 배선 각각과 연결되는 다수의 게이트 전극, 상기 다수의 게이트 전극 각각 상의 다수의 활성층, 상기 다수의 활성층 각각의 일단과 상기 다수의 데이터 배선 각각의 일측을 연결하고 상기 다수의 데이터 배선 각각의 타측으로 돌출되는 돌출부를 가지는 다수의 소스전극, 및 상기 다수의 활성층 각각의 타단과 연결되는 다수의 드레인 전극을 포함하는 다수의 박막 트랜지스터;상기 다수의 드레인 전극 각각과 연결되는 다수의 광 다이오드;상기 다수의 광 다이오드에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스 배선;다수의 상기 소스전극 각각의 상기 돌출부와 연결되는 다수의 독출배선;을 포함하며,상기 다수의 광 다이오드 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 1 함몰부를 포함하고, 상기 다수의 화소영역 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 2 함몰부를 가지는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 바이어스 배선 각각은 배선부와 상기 다수의 광 다이오드 각각과 접촉하고 상기 배선부보다 넓은 너비를 가지는 콘택영역을 포함하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 다수의 데이터 배선과 마주보는 상기 다수의 바이어스 배선의 일측에서, 상기 배선부와 상기 콘택영역은 동일 직선으로 연장되고, 상기 일측과 대향하는 상기 다수의 바이어스 배선의 타측에서 상기 콘택영역은 상기 배선부로부터 돌출되는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 바이어스 배선은 상기 다수의 게이트 전극을 차폐하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서상기 다수의 광 다이오드 상에 보호층이 위치하고, 상기 다수의 광 다이오드 중앙부의 상기 다수의 광 다오이드 각각의 주변부와 대응되는 상기 보호층의 두께보다 얇은 두께를 가지는 광 전달 영역이 구비되는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 게이트 및 데이터 배선과 연결되는 다수의 게이트 및 데이터 패드를 포함하고, 상기 다수의 게이트 및 데이터 패드 상에 투명 도전 물질로 구성되는 다수의 게이트 및 데이터 패드 전극이 구비되는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 다수의 광 다이오드 각각은, 상기 다수의 드레인 전극 각각과 연결되는 하부전극, 상기 하부전극 상에 위치하는 광 도전체층, 및 상기 광 도전체층 상에 형성되는 상부전극을 포함하고, 상기 다수의 바이어스 배선 각각은 상기 상부전극과 연결되는 엑스레이 검출기용 어레이 기판.
- 기판 상에 형성되는 다수의 게이트 배선 및 상기 다수의 게이트 배선과 연결되는 다수의 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 다수의 게이트 배선 및 상기 다수의 게이트 전극을 포함한 상기 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 다수의 게이트 전극 각각과 대응되는 상기 게이트 절연층 상에 다수의 활성층, 다수의 데이터 배선, 상기 다수의 데이터 배선 각각의 일측과 상기 다수의 활성층 각각의 일단을 연결하고 상기 다수의 데이터 배선 각각의 타측으로 돌출되는 돌출부를 가지는 다수의 소스전극, 및 상기 다수의 활성층 각각의 타단과 연결되는 다수의 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 다수의 광 다이오드 각각과 연결되는 다수의 바이어스 배선과 상기 다수의 소스전극 각각과 연결되는 다수의 독출배선을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 다수의 광 다이오드 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 1 함몰부를 포함하고,상기 다수의 게이트 및 데이터 배선은 서로 직교하여 상기 다수의 광 다이오드 각각이 위치하는 다수의 화소영역을 정의하고, 상기 다수의 화소영역 각각은 상기 다수의 소스전극 각각의 상기 돌출부와 대응되는 제 2 함몰부를 가지는 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 다수의 데이터 배선과 상기 다수의 소스 및 드레인 전극을 포함한 상기 게이트 절연층 상에 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 층간 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 다수의 드레인 전극 각각을 노출시키는 다수의 드레인 콘택홀을 형성하는 단계;상기 층간 절연층 상에 상기 다수의 드레인 콘택홀 각각을 통하여 상기 다수의 드레인 전극과 연결되는 상기 다수의 광 다이오드를 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 층간 절연층 상에 상기 다수의 드레인 콘택홀 각각과 연결되는 다수의 하부전극을 형성하는 단계;상기 다수의 하부전극을 포함한 상기 층간 절연층 상에 실리콘층과 상기 실리콘층 상에 투명 도전 물질층을 형성하는 단계;상기 투명 도전 물질층 및 상기 실리콘층을 패터닝하여 다수의 상부전극 및 다수의 광 도전체층을 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 다수의 광 다이오드를 포함한 상기 층간 절연층 상에 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층 및 상기 게이트 절연층을 선택적으로 식각하여, 상기 다수의 소스전극 각각이 노출되는 다수의 제 1 콘택홀과, 상기 다수의 광 다이오드 각각이 노출되는 다수의 제 2 콘택홀을 형성하는 단계;상기 다수의 제 1 콘택홀 각각을 통하여 상기 다수의 소스전극과 연결되는 상기 다수의 독출배선과 상기 다수의 제 2 콘택홀 각각을 통하여 상기 다수의 광 다이오드와 연결되는 상기 다수의 바이어스 배선을 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 다수의 바이어스 배선 각각은 배선부와 상기 다수의 제 2 콘택홀 각각과 대응되는 콘택영역을 포함하고, 상기 콘택영역의 너비는 상기 배선부보다 큰 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 다수의 데이터 배선 각각과 마주보는 상기 다수의 바이어스 배선의 일 측에서, 상기 배선부와 상기 콘택영역은 동일 직선으로 연장되고, 상기 일측과 대향하는 상기 다수의 바이어스 배선 각각의 타측에서 상기 콘택영역은 상기 배선부로부터 돌출되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 다수의 소스전극은 최상층에 몰리브덴을 포함한 금속층으로 형성되고, 상기 다수의 상부전극은 ITO 또는 ZTO로 형성되고, 상기 보호층 및 상기 층간 절연층을 건식식각하여 상기 다수의 제 1 및 제 2 콘택홀을 형성하는 공정에 있어서, 종점 검출기에서 상기 몰리브덴이 검출되면 건식식각을 정지하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출용 어레이 기판의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 다수의 게이트 및 데이터 배선 각각과 연결되는 다수의 게이트 및 데이터 패드를 형성하는 단계;상기 다수의 게이트 및 데이터 패드 각각 상에 다수의 제 1 게이트 및 데이터 패드 전극을 형성하는 단계;상기 다수의 제 1 게이트 및 데이터 패드 전극 각각 상에 ITO 또는 ZTO로 구성되는 다수의 제 2 게이트 및 데이터 패드 전극을 형성하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법.
- 삭제
- 제 9 항에 있어서상기 다수의 광 다이오드 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다수의 광 다이오드 중앙부의 상기 보호층의 두께는 상기 다수의 광 다이오드 주변부의 상기 보호층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 엑스레이 검출기용 어레이 기판의 제조방법.
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