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KR101619831B1 - Solar cell and Method for manufacturing the same - Google Patents

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KR101619831B1
KR101619831B1 KR1020140182280A KR20140182280A KR101619831B1 KR 101619831 B1 KR101619831 B1 KR 101619831B1 KR 1020140182280 A KR1020140182280 A KR 1020140182280A KR 20140182280 A KR20140182280 A KR 20140182280A KR 101619831 B1 KR101619831 B1 KR 101619831B1
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KR
South Korea
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forming
lamp
insulating layer
electrode pattern
plating
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KR1020140182280A
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Inventor
송희은
강민구
강기환
정명상
이정인
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한국에너지기술연구원
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Abstract

The present invention relates to a solar cell. More specifically, the present invention relates to a solar cell for applying an insulating layer for rear electrode protection in a light induced plating (LIP), and a manufacturing method thereof not to occur a metal loss in a whole electrode.

Description

태양 전지 및 이의 제조 방법{Solar cell and Method for manufacturing the same} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell and a manufacturing method thereof,

본 발명은 태양 전지에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광 유도 도금(LIP: Light Induced Plating)에서 후면전극 보호용 절연층을 적용하는 태양 전지 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell, and more particularly, to a solar cell employing a back electrode protection insulating layer in a light induced plating (LIP) and a method of manufacturing the same.

현재 결정질 실리콘 태양전지 산업에서는 용이한 공정과 빠른 속도로 전극을 형성할 수 있는 스크린 프린팅 방법이 가장 널리 사용되고 있다. 스크린 프린팅 방식으로 제작된 태양전지의 효율을 향상시키기 위해서는 크게 전기적 손실과 광학적 손실을 줄이는 방법이 있다. In the crystalline silicon solar cell industry, screen printing methods capable of forming electrodes at high speed and easy process are most widely used. In order to improve the efficiency of the solar cell manufactured by the screen printing method, there is a method of greatly reducing electrical loss and optical loss.

스크린 프린팅에 사용되는 금속 페이스트는 소성을 거쳐 기판과 저항성 접촉 (ohmic contact)을 형성한다. 이 과정에서 페이스트의 성분들이 burn-out된 후, 재결정 과정에서 다공성(porous) 구조가 생성되고 이는 전기적 손실을 발생시키는 원인이 된다.The metal paste used for screen printing is fired to form an ohmic contact with the substrate. In this process, after the components of the paste are burned out, a porous structure is formed in the recrystallization process, which causes electrical loss.

이런 구조와 전극의 낮은 종횡비 (aspect ratio)는 전극의 저항을 높이는 요인으로 작용하여 태양전지의 효율을 저하시키는 원인이 된다. 이러한 전기적 손실을 줄이기 위하여 도금을 이용한 전극 형성 방법이 있다. Such a structure and a low aspect ratio of the electrode serve as a factor for increasing the resistance of the electrode, which causes a decrease in the efficiency of the solar cell. In order to reduce the electrical loss, there is a method of forming an electrode using plating.

이중 빛을 이용한 도금인 도 1은 일반적인 LIP 공정을 보여주는 개념도이다. 방식은 수용액 내 이온들의 산화/환원 반응을 이용한 방법으로 태양전지에 빛이 조사되면 태양전지 내부에서 전자/정공 쌍이 형성된다. 형성된 전자/정공 쌍은 내부 전계에 의해 전자와 홀이 분리되어 각각 전면과 후면으로 이동하게 된다. FIG. 1 is a conceptual view showing a general LIP process. Method is a method using oxidation / reduction reaction of ions in an aqueous solution. When a light is irradiated to a solar cell, an electron / hole pair is formed inside the solar cell. In the electron / hole pairs formed, electrons and holes are separated by the internal electric field and moved to the front and back surfaces, respectively.

이때 전면 전극 쪽으로 이동한 전자가 도금액 내의 Ag+ 이온과 반응되면서 전극 내부 및 표면에 Ag가 증착되는 방식이다. 태양전지의 전면 전극 열처리 후 LIP 공정 추가는 소성 후 전극의 빈공간을 채워줌으로써 실리콘과 전극 사이에 접촉 특성을 향상시키고 순수한 금속 이온으로 인해 전극의 저항을 개선할 수 있다.At this time, electrons moved toward the front electrode react with Ag + ions in the plating solution, and Ag is deposited on the inside and the surface of the electrode. The addition of the LIP process after the front electrode heat treatment of the solar cell can improve the contact property between the silicon and the electrode by filling the empty space of the electrode after firing and improve the resistance of the electrode due to the pure metal ion.

또한 이에 따른 단락전류 (short circuit current, Isc) 및 곡선 인자 (fill factor, FF)의 증가로 인한 태양전지의 효율 향상을 기대할 수 있다. 그런데, 이러한 광 유도 도금은 전기 공급 없이 빛에 의해 소자내에서 생성된 전자에 의해 금속이 도금된다. In addition, the efficiency of the solar cell can be expected to be improved due to an increase in the short circuit current (Isc) and the fill factor (FF). However, such a photo-induced plating is metal-plated by electrons generated in the device by light without supplying electricity.

따라서, 광 유도 도금 중 도금된 금속의 전하량에 대응하는 만큼의 후면 전극이 손실된다. 이를 개념적으로 보여주는 도면이 도 1에 도시된다. 도 1을 참조하면, 후면전극 전체에서 손실이 일어난다. 이에 따라 전극의 결합력이 감소하거나 전극을 구성하는 입자(particle)들이 떨어져나가면서 전극의 특성이 악화되는 문제점이 발생한다. 즉, 입자의 결합이 느슨해져서 전극 특성이 악화되는 경향이 있다.Therefore, the amount of the rear electrode corresponding to the amount of charge of the plated metal is lost during photoinduced plating. A diagram showing this conceptually is shown in Fig. Referring to FIG. 1, a loss occurs in the entire rear electrode. As a result, the bonding force of the electrode is reduced or the particles constituting the electrode are separated and the characteristics of the electrode are deteriorated. That is, the bonding of the particles is loosened and the electrode characteristics tend to deteriorate.

1. 한국특허등록 제10-1057124호1. Korean Patent Registration No. 10-1057124

본 발명은 위 배경기술에 따른 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로서, 전극 전체에서 금속의 손실이 일어나지 않도록 하는 태양 전지 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. It is an object of the present invention to provide a solar cell and a method of manufacturing the same that prevent metal loss from occurring in the entire electrode.

본 발명은 위에서 제시되 과제를 달성하기 위해, 전극 전체에서 금속의 손실이 일어나지 않도록 하는 태양 전지를 제공한다.In order to achieve the above-described object, the present invention provides a solar cell that prevents metal loss from occurring in the entire electrode.

상기 태양 전지는,In the solar cell,

기판;Board;

상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;An emitter section forming a p-n junction with the substrate;

상기 기판의 하단과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극 패턴; 및 A rear electrode pattern electrically connected to a lower end of the substrate; And

상기 후면 전극 패턴의 후면상에 형성되는 절연물의 절연층;을 포함할 수 있다.And an insulating layer of an insulator formed on a rear surface of the rear electrode pattern.

또한, 상기 태양전지는, 상기 절연층이 도포되어 있는 상태에서 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하기 위해 광 유도 도금(LIP: Light Induced Plating) 이 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the solar cell may be characterized in that a light induction plating (LIP) is performed to form a front electrode electrically connected to the emitter in a state in which the insulating layer is coated.

또한, 상기 절연물은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀 코팅 및 그라뷰어 프린팅 중 어느 하나에 의해 상기 후면 전극 패턴의 표면상에 도포되거나 필름 형태로 부착되는 것을 특징으로 특징으로 할 수 있다.The insulating material may be coated on the surface of the rear electrode pattern or attached in the form of a film by any one of inkjet printing, screen printing, spin coating, and gravure printing.

또한, 상기 태양 전지는, LED(Light Emitting Diodes) 램프,백열 전구, 형광등, 할로겐 램프 및 OLED(Organic LED) 중 어느 하나를 이용하여 빛을 조사함으로써 도금이 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.The solar cell may be formed by irradiating light using any one of an LED (Light Emitting Diode) lamp, an incandescent lamp, a fluorescent lamp, a halogen lamp, and an OLED (Organic LED).

다른 한편으로, 본 발명의 다른 일실시예는, 기판의 상단 및 하단과 각각 p-n 접합을 이루는 에미터부를 형성하는 단계; 상기 에미터부 위에 상단 및 하단 반사 방지막을 형성하는 단계; 상기 하단 반사 방지막의 표면상에 후면 전극 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 후면 전극 패턴의 표면상에 절연물을 도포하여 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.On the other hand, another embodiment of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming an emitter portion p-n junction with a top and a bottom of a substrate, respectively; Forming an upper and a lower anti-reflection film on the emitter; Forming a rear electrode pattern on the surface of the bottom anti-reflective film; And forming an insulating layer by applying an insulating material on the surface of the rear electrode pattern.

이때, 상기 태양 전지의 제조 방법은, 상기 절연층을 형성하는 단계이후,상기 절연층이 도포되어 있는 상태에서 광 유도 도금(LIP: Light Induced Plating)을 이용하여 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 단계;포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.At this time, in the method of manufacturing the solar cell, after the step of forming the insulating layer, a front surface electrically connected to the emitter portion by using a light induction plating (LIP) And forming an electrode.

본 발명에 따르면, 전극 전체에서 금속의 손실이 일어나지 않도록 포토레지스트 등과 같은 절연층 코팅을 수행함으로써 전극의 접착력(adhesion)이 감소하거나 입자(particle)들이 떨어져나가는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, adhesion of an electrode can be reduced or particles can be prevented from falling off by performing an insulating layer coating such as a photoresist so as not to cause metal loss in the entire electrode.

도 1은 일반적인 광 유도 도금(LIP: Light Induced Plating) 공정을 보여주는 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광 유도 도금(LIP) 공정만을 보여주는 개념도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 태양 전지의 제조 공정을 순차적으로 보여주는 단면도이다.
FIG. 1 is a conceptual view showing a general LIP (Light Induced Plating) process.
2 is a conceptual view showing only a photo induction plating (LIP) process according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3A to 3E are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a solar cell according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between.

반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. In addition, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means that it is formed not only on the entire surface (or the front surface) of the other portion but also on the edge portion.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 태양 전지 및 이의 제조 방법을 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, a solar cell and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 개념도이다. 도 2를 참조하면, 후면 전극층(50)에 절연층(350)을 적용한 후 램프(210)로 빛을 조사하여 도금을 수행하는 LIP(Light Induced Plating) 공정을 보여준다. 2 is a conceptual diagram according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, an LIP (Light Induced Plating) process is performed in which an insulating layer 350 is applied to the rear electrode layer 50, and light is irradiated to the lamp 210 to perform plating.

부연하면, 수용액 수조(201) 태양 전지(200)를 담근후 램프(210)로 조사한다. 따라서, 이러한 절연층(350)으로 인해, 절연층의 외곽부위만 공격을 받게 되므로 전극의 adhesion이 감소하거나 입자(particle)가 떨어져나가는 것을 막을 수 있다.More specifically, the solar cell 200 is immersed in the aqueous solution tank 201 and irradiated with the lamp 210. Therefore, due to the insulating layer 350, since only the outer portion of the insulating layer is attacked, it is possible to prevent the adhesion of the electrode and the particles from falling off.

물론, 태양 전지(200)에는 기판(100), 반사 방지막(130), 전면전극 패턴(40), 후면전극 패턴(50), 및 절연층(350) 등이 형성된다. 또한, 기판(100)은 제 1 불순물부(110)과 제 1 불순물부(110)의 상하에 위치하는 제 2 불순물부인 에미터부(120)가 형성된다.Of course, the substrate 100, the anti-reflection film 130, the front electrode pattern 40, the rear electrode pattern 50, and the insulating layer 350 are formed on the solar cell 200. The substrate 100 includes a first impurity region 110 and an emitter region 120 which is a second impurity region located above and below the first impurity region 110.

램프(210)는 LED(Light Emitting Diodes) 램프, 백열 전구, 형광등, 할로겐 램프 및 OLED(Organic LED) 등이 될 수 있다. 또한, 수용액 수조(201)에 주입되는 도금용 수용액은 AgCN, KCN, KOH 수용액 등이 될 수 있다. 또한, 도금 방식으로는 광 유도 도금(LIP) 방식이 사용될 수 있으나, 일부 변경 및/또는 수정을 통해 광 유도 무전해 도금 방식도 사용가능하다.The lamp 210 may be a light emitting diode (LED) lamp, an incandescent lamp, a fluorescent lamp, a halogen lamp, and an OLED (Organic LED). The aqueous plating solution to be injected into the aqueous solution tank 201 may be AgCN, KCN, KOH aqueous solution, or the like. In addition, as the plating method, a photo induction plating (LIP) method can be used, but a photo induced electroless plating method can also be used through some modification and / or modification.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일실시예에 따른 태양 전지의 제조 공정을 순차적으로 보여주는 단면도이다. 도 3a에 도시한 것처럼, 기판(100)은 제 1 불순물부(110)과 제 1 불순물(110)의 양단에 형성되는 에미터부(120)로 구성된다. p형 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 기판(100)에 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 포함하는 물질, 예를 들어, POCl3이나 H3PO4 등을 고온에서 열처리하여 5가 원소의 불순물을 기판(100)에 확산시켜 기판(100) 전체면, 즉, 전면, 후면 및 측면에 n형의 에미터부(120)를 형성한다. 3A to 3F are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of a solar cell according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3A, the substrate 100 includes a first impurity region 110 and an emitter region 120 formed at both ends of the first impurity region 110. a p-type single crystal or a material 5 comprises an impurity element such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb) on a substrate 100 made of polysilicon, for example, POCl 3 or H 3 PO 4 The n-type emitter layer 120 is formed on the entire surface of the substrate 100, that is, the front surface, the rear surface, and the side surface.

본 발명의 일실시예와 달리, 기판(100)의 도전성 타입이 n형일 경우, 3가 원소의 불순물을 포함하는 물질, 예를 들어, B2H6을 고온에서 열처리하거나 적층하여 기판(100) 전면에 p형의 에미터부를 형성할 수 있다. Unlike the embodiment of the present invention, when the conductive type of the substrate 100 is n-type, a material including an impurity of a trivalent element, for example, B 2 H 6 , is heat-treated or laminated at a high temperature, A p-type emitter portion can be formed on the whole surface.

그런 다음, p형 불순물 또는 n형 불순물이 기판(100) 내부로 확산됨에 따라 생성된 인을 포함하는 산화물(phosphorous silicate glass, PSG)이나 붕소를 포함하는 산화물(boron silicate glass, BSG)을 에칭 공정(달리 표현하면, 식각 공정)을 통해 제거한다. Then, a phosphorus silicate glass (PSG) or a boron silicate glass (BSG) containing phosphorus, which is generated as the p-type impurity or the n-type impurity diffuses into the substrate 100, (In other words, the etching process).

따라서, 에미터부(120) 형성 공정이 행해진 후, 기판(100)은 제1 불순물부(110)와 제2 불순물부인 에미터부(120)로 나눠진다. 필요할 경우, 에미터부(120)를 형성하기 전에, 기판(100)의 전면을 텍스쳐링하여, 요철면인 텍스쳐링 표면을 형성할 수 있다. Therefore, after the step of forming the emitter section 120 is performed, the substrate 100 is divided into the first impurity section 110 and the emitter section 120 which is the second impurity section. If necessary, the front surface of the substrate 100 may be textured to form a texturing surface, which is an uneven surface, before the emitter section 120 is formed.

이때, 기판(100)이 단결정 실리콘으로 이루어질 경우, KOH, NaOH 등의 염기 용액을 사용하여 기판(100)의 표면을 텍스쳐링한다. 이와 달리, 기판(100)이 다결정 실리콘으로 이루어질 경우, HF나 HNO3과 같은 산 용액을 사용하여 기판(100)의 표면을 텍스처링한다. At this time, when the substrate 100 is made of monocrystalline silicon, the surface of the substrate 100 is textured using a base solution such as KOH or NaOH. Alternatively, when the substrate 100 is made of polycrystalline silicon, the surface of the substrate 100 is textured using an acid solution such as HF or HNO 3 .

다음으로, 도 3b에 도시한 것처럼, 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 등과 같은 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 기판(100)의 전면 위에 반사 방지막(130)을 형성한다. 3B, an antireflection film 130 is formed on the entire surface of the substrate 100 by chemical vapor deposition (CVD) such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) .

반사 방지막(130)이 형성되면, 도 3c에 도시한 것처럼, 스크린 프린팅을 이용하여 기판(100) 후면에 알루미늄(Al)과 유기물을 함유한 페이스트를 도포한 후 건조시켜, 후면전극 패턴(50)을 형성한다. 3C, a paste containing aluminum (Al) and an organic material is applied to the rear surface of the substrate 100 by screen printing and then dried to form the rear electrode pattern 50, .

후면전극 페이스트는 알루미늄 대신 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. The rear electrode paste may be formed of a material selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Sn, Zn, In, Ti, Au, And at least one selected from the group consisting of

후면전극 패턴(50)이 형성되면, 도 3d에 도시한 것처럼, 후면전극 패턴(50)의 표면상에 절연층(350)을 형성한다. 이 절연층(350)은 절연물을 도포하여 형성된다. 절연물로는 코팅이 가능한 물질이면서 절연이 가능한 물질이면 가능하다. 예를 들면, 포토 레지스트(PR: PhotoResist), 왁스 등이 사용될 수 있다. 포토 레지스트는 일반적으로 포토 리소그라피에서 사용하는 유기물, 고분자 등의 물질이다.When the rear electrode pattern 50 is formed, an insulating layer 350 is formed on the surface of the rear electrode pattern 50, as shown in FIG. 3D. The insulating layer 350 is formed by applying an insulating material. Insulation is possible if it is a material which can be coated but can be insulated. For example, photoresist (PR: PhotoResist), wax and the like can be used. Photoresists are materials such as organic materials and polymers generally used in photolithography.

이러한 절연물의 도포는 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀 코팅, 및 그라뷰어 프린팅 등을 이용하여 수행된다. 물론, 이와 달리 필름 형태의 절연물을 부착하는 방식도 가능하다.The application of such insulating material is performed by using inkjet printing, screen printing, spin coating, gravimetric printing, or the like. Of course, it is also possible to attach a film-like insulating material.

이후, 도 3e에 도시한 것처럼, 레이저, 에칭 페이스트 등을 이용하여 반사 방지막(130)들 사이에 개구부(340)를 형성하기 위해 방지막을 제거한다. 물론, 도 3e에 도시된 공정은 이전 공정인 도 3d 이전에 수행될 수도 있다.Then, as shown in FIG. 3E, the barrier is removed to form the opening 340 between the anti-reflection films 130 by using a laser, an etching paste, or the like. Of course, the process shown in FIG. 3E may be performed before the previous process, FIG. 3D.

이후, 도 3e에 도시된 기판(100)을 수용액 수조(201)에 담근후 램프(210)로 조사하여, 전면 전극(40) 등을 형성한다. 이를 보여주는 도면이 도 2이다.Thereafter, the substrate 100 shown in FIG. 3E is immersed in the aqueous solution tank 201 and irradiated with the lamp 210 to form the front electrode 40 and the like. FIG. 2 is a view showing this.

부연하면, 수용액조(도 2의 201)의 수용액 내 이온들의 산화/환원 반응을 이용한 방법으로 후면전극 패턴(50)을 구비한 기판(100)에 빛이 조사되면 태양전지 내부에서 전자/정공 쌍이 형성된다. 이러한 도금용 수용액은 AgCN, KCN, KOH 수용액 등이 될 수 있다. 또한, 형성된 전자/정공 쌍은 내부 전계에 의해 전자와 홀이 분리되어 각각 전면과 후면으로 이동하게 된다. In addition, when light is irradiated onto the substrate 100 provided with the rear electrode pattern 50 by the method using the oxidation / reduction reaction of ions in the aqueous solution of the aqueous solution (201 in FIG. 2), the electron / hole pairs . Such an aqueous solution for plating may be AgCN, KCN, KOH aqueous solution, or the like. In the formed electron / hole pairs, electrons and holes are separated by the internal electric field and moved to the front surface and the rear surface, respectively.

이때 전면 전극 쪽으로 이동한 전자가 도금액 내의 Ag+ 이온 등과 반응되면서 전극 내부 및/또는 표면에 Ag가 증착되는 방식이다. 이러한 LIP 공정 추가는 실리콘과 전극 사이에 접촉 특성을 향상시키고 순수한 금속 이온으로 인해 전극의 저항을 개선한다. At this time, electrons moved toward the front electrode are reacted with Ag + ions in the plating solution, and Ag is deposited on the inside and / or the surface of the electrode. This LIP process addition improves contact properties between silicon and electrode and improves electrode resistance due to pure metal ions.

40: 전면전극
50: 후면전극 패턴
100: 기판
110: 제 1 불순물부
120: 에미터부
130: 반사 방지막
200: 태양 전지
201: 수용액 수조
210: 램프
350: 절연층
40: front electrode
50: Rear electrode pattern
100: substrate
110: first impurity part
120: Emitter section
130: antireflection film
200: Solar cell
201: aqueous solution tank
210: lamp
350: insulating layer

Claims (10)

기판;
상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;
상기 기판의 하단과 전기적으로 연결되어 있는 후면 전극 패턴; 및
상기 후면 전극 패턴의 후면상에 형성되는 절연물의 절연층;을 포함하며, 상기 절연물은 필름 형태로 부착되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
Board;
An emitter portion forming a pn junction with the substrate;
A rear electrode pattern electrically connected to a lower end of the substrate; And
And an insulating layer of an insulating material formed on a rear surface of the rear electrode pattern, wherein the insulating material is attached in a film form.
제 1 항에 있어서,
상기 절연층이 도포되어 있는 상태에서 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하기 위해 광 유도 도금(LIP: Light Induced Plating) 이 수행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein a light induction plating (LIP) is performed to form a front electrode electrically connected to the emitter in a state where the insulating layer is coated.
제 1 항에 있어서,
상기 절연물은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀 코팅 및 그라뷰어 프린팅 중 어느 하나에 의해 상기 후면 전극 패턴의 표면상에 도포되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
The method according to claim 1,
Wherein the insulating material is applied on the surface of the rear electrode pattern by any one of inkjet printing, screen printing, spin coating and gravure printing.
삭제delete 제 2 항에 있어서,
LED(Light Emitting Diodes) 램프, 백열 전구, 형광등, 할로겐 램프 및 OLED(Organic LED) 중 어느 하나를 이용하여 빛을 조사함으로써 도금이 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
3. The method of claim 2,
Wherein the plating is performed by irradiating light using any one of an LED (Light Emitting Diode) lamp, an incandescent lamp, a fluorescent lamp, a halogen lamp, and an OLED (Organic LED).
기판의 상단 및 하단과 각각 p-n 접합을 이루는 에미터부를 형성하는 단계;
상기 에미터부 위에 상단 및 하단 반사 방지막을 형성하는 단계;
상기 하단 반사 방지막의 표면상에 후면 전극 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 후면 전극 패턴의 표면상에 절연물을 도포하여 절연층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 절연물은 필름 형태로 부착되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
Forming an emitter portion pn junction with the top and bottom of the substrate, respectively;
Forming an upper and a lower anti-reflection film on the emitter;
Forming a rear electrode pattern on the surface of the bottom anti-reflective film; And
And forming an insulating layer by applying an insulating material on a surface of the rear electrode pattern, wherein the insulating material is attached in a film form.
제 6 항에 있어서,
상기 절연층을 형성하는 단계이후,
상기 절연층이 도포되어 있는 상태에서 광 유도 도금(LIP: Light Induced Plating)을 이용하여 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
After forming the insulating layer,
And forming a front electrode electrically connected to the emitter portion using a light induced plating (LIP) in a state in which the insulating layer is coated. .
제 6 항에 있어서,
상기 절연물은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀 코팅 및 그라뷰어 프린팅 중 어느 하나에 의해 상기 후면 전극 패턴의 표면상에 도포되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the insulating material is applied on the surface of the rear electrode pattern by any one of inkjet printing, screen printing, spin coating, and gravure printing.
삭제delete 제 6 항에 있어서,
LED(Light Emitting Diodes) 램프, 백열 전구, 형광등, 할로겐 램프 및 OLED(Organic LED) 중 어느 하나를 이용하여 빛을 조사함으로써 도금이 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the plating is performed by irradiating light using any one of a light emitting diode (LED) lamp, an incandescent lamp, a fluorescent lamp, a halogen lamp, and an OLED (Organic LED).
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