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KR101600283B1 - 폐쇄 루프 피드백을 갖는 자동화된 필렛 검사 시스템 및 그 사용 방법 - Google Patents

폐쇄 루프 피드백을 갖는 자동화된 필렛 검사 시스템 및 그 사용 방법 Download PDF

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KR101600283B1
KR101600283B1 KR1020117000205A KR20117000205A KR101600283B1 KR 101600283 B1 KR101600283 B1 KR 101600283B1 KR 1020117000205 A KR1020117000205 A KR 1020117000205A KR 20117000205 A KR20117000205 A KR 20117000205A KR 101600283 B1 KR101600283 B1 KR 101600283B1
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KR
South Korea
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delete delete
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microelectronic device
dispensing
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스테판 에트네
알렉 바비아르츠
오웬 이콘 시트
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노드슨 코포레이션
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Publication date
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Abstract

지지 기판(16)에 부착된 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 하나 이상의 주연 에지(13a)를 따르는 필렛 형성을 자동적으로 검사하기 위한 시스템 및 방법이며, 이러한 시스템(10)은 필렛 형성을 제어하기 위한 피드백 루프를 포함한다. 보다 구체적으로, 상기 시스템(10)은 지지 기판(16) 상에 언더필 재료를 분배하도록 구성된 분배 시스템(16)을 포함한다. 시스템(19)은 또한 필렛(12)이 적절한 치수, 즉 크기 및 형상을 갖는지의 여부와 같은 필렛(12)의 측정 가능한 특성값을 결정하도록 구성된 자동화된 광학 검사(AOI) 시스템(19)을 포함한다. 피드백 루프(66)는 분배 시스템(18)과 자동화된 광학 검사 시스템(119) 사이에 포함된다.

Description

폐쇄 루프 피드백을 갖는 자동화된 필렛 검사 시스템 및 그 사용 방법{AUTOMATED FILLET INSPECTION SYSTEMS WITH CLOSED LOOP FEEDBACK AND METHODS OF USE}
본 출원은 그 전체 내용이 참조로서 본원에 포함된 문헌인 2008년 7월 10일자로 출원된 미국 가출원 제 61/079,547호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 필렛 형성을 검사하고 제어하기 위한 자동화된 시스템에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 지지 기판에 부착된 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지(들)를 따른 필렛 형성을 검사하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서, 공지된 분배 프로세스를 통해 지지 기판, 예를 들어 인쇄 회로 보드(PCB)에 부착된 패키지된 미세 전자 디바이스, 예를 들어, 볼 그리드 어레이(BGA), 칩 스케일 패키징(CSP) 또는 플립 칩의 코너부를 포함하는 하나 이상의 에지를 따라 필렛이 발견될 수 있다. 필렛은 기계적인 접속에 대한 강도를 부가하고 환경적인 손상에 대한 보호를 제공하기 위해 패키지된 미세 전자 디바이스와 지지 기판의 조립체 내에 합체되는 언더필 재료의 특성이다.
하나의 예에서, 한정된 양의 에폭시와 같은 경화 가능한 언더필 재료는 땜납 범프 상호 연결부 또는 PCB에 대한 다른 방식의 부착부에 미리 납땜되는 직사각형 형상의 패키지된 미세 전자 디바이스의 하나 이상의 에지를 따라 분배 장치로부터 분배된다. 모세관 작용으로, 재료는 패키지된 미세 전자 디바이스 아래의 갭으로 흘러들어가고, 패키지된 미세 전자 디바이스의 다른 에지의 외부로 유동함에 따라, 패키지된 미세 전자 디바이스를 언더필하고, 즉 패키지된 미세 전자 디바이스와 PCB 사이의 갭을 충진한다. 패키지된 미세 전자 디바이스 둘레에 필렛이 형성되고, 이러한 필렛은 패키지된 미세 전자 디바이스의 측으로부터 PCB로 연장한다. 달리 말하면, 필렛은 패키지된 미세 전자 디바이스 아래가 아니고, 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지를 따라 형성된다. 언더필 재료는 최종적으로 경화되고, 통상적으로 필렛 형성 후에 가열에 의해 열적으로 경화된다. 필렛은 균일하거나 균일하지 않을 수 있고, "시일 패스(seal pass)"로서 당업계에 공지된 2차 분배 프로세스에 의해 보다 더 개선될 수 있다.
다른 예에서, 분배 프로세스는 에지 본드 또는 코너 본드로서 각각 당업계에 공지된 필렛을 형성하기 위한 경화성 언더필 재료의 에지 또는 코너 본드 분배를 활용한다. 이러한 프로세스에서, 필렛은 패키지된 미세 전자 디바이스와 지지 기판 사이의 공간을 언더필하지 않고 패키지된 미세 전자 디바이스의 코너를 포함하는 하나 이상의 에지 또는 에지의 일부를 따라 직접적으로 형성된다. 코너 본드 분배에서, 분배된 재료는 본딩을 제공하기 위해 패키지된 미세 전자 디바이스 아래에서만 부분적으로만 유동할 수 있다. 다시, 언더필 재료는 필렛 형성 후에 최종적으로 경화된다.
플럭싱(fluxing) 또는 "비유동" 언더필 프로세스는 필렛을 형성하기 위한 또 다른 기술이다. 이러한 프로세스에서, 언더필 재료는 우선 지지 기판의 땜납 패드에 분배되고, 그 다음에 패키지된 미세 전자 디바이스가 언더필 재료의 상부에 위치된다. 패키지된 미세 전자 디바이스가 대응하는 땜납 패드 상에서 하향으로 압박됨에 따라, 패키지된 미세 전자 디바이스는 언더필 재료를 변형시킨다. 초과의 재료가 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지를 따라 필렛을 형성한다. 이러한 조립체는 오븐을 통과하도록 놓여져서 지지 기판에 패키지된 미세 전자 디바이스를 부착하고 동시에 언더필 재료를 경화시키도록 땜납을 재유동시킨다.
최종 조립체는 충격, 진동, 열주기 또는 의도된 사용에서의 다른 환경적인 스트레스를 받을 수 있다. 코너 본딩 재료를 포함하는 언더필 재료는 전술한 프로세스 각각에서 최종 조립체의 신뢰성과 동작 지속성을 개선하는 것을 돕는다.
다수의 변수가 필렛 형성에 영향을 미칠 수 있다. 이러한 변수는 예를 들어, 점성, 표면 장력, 체적 및/또는 언더필 재료의 온도뿐만 아니라 패키지된 미세 전자 디바이스와 지지 기판의 표면 특성 및 온도를 포함할 수 있다. 이들 변수는 예를 들어 온도가 점성 및/또는 동역학적으로, 즉 경시 변화에 영향을 미치는 것과 같이 상호 의존적일 수 있다. 변수의 정밀한 제어가 어렵기 때문에, 언더필 분배 프로세스의 품질 및 일관성 등을 달성하는 것뿐만 아니라 한번 달성한 것을 유지하는 것이 어려울 수 있다.
필렛 형성을 모니터링하기 위한 종래의 방법은 최종 필렛의 사람 검사를 수반한다. 예를 들어, 일 예에서, 사람 검사자는 단순히 필렛이 적절한 치수를 갖는지 여부를 결정하도록 지지 기판에 부착된, 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지(들)를 따라 형성된 필렛의 크기와 형상을 관찰한다. 필렛이 부적절한 치수를 갖는다면, 언더필 분배 프로세스의 동작 파라미터, 예를 들어 지지 기판의 온도 또는 언더필 재료의 양은 필렛 크기 및/또는 형상을 변경하도록 이에 따라 조정될 수 있다. 불행히도, 수동 검사는 다수의 제한을 나타낸다. 예를 들어, 필렛이 적절한 치수를 갖는지 여부를 평가하는 주관성은 조작자에 따라 달라진다. 또한, 추적성은 수동 검사 프로세스에서 부족하게 된다.
따라서 전술한 단점을 극복하는 필렛 형성을 검사하고 제어하기 위한 개선된 시스템 및 방법을 제공하는 것이 유리하다.
일 실시예에서, 지지 기판 상에 분배된 재료를 분석하기 위해 사용되는 자동화된 시스템이 제공된다. 시스템은 분배 시스템과 자동화된 광학 검사 시스템을 포함한다. 분배 시스템은 지지 기판 상에 재료를 분배하도록 구성된 분배 장치를 갖는다. 자동화된 광학 검사 시스템은 분배된 재료의 측정 가능한 특성값을 결정하기 위해 재료의 화상을 캡쳐하여 화상을 분석하도록 구성된다. 피드백 루프는 분배 시스템과 자동화된 광학 검사 시스템을 커플링한다. 자동화된 광학 검사 시스템은 갭의 주연 에지에서 분배된 재료의 측정 가능한 특성값을 피드백 루프 상에서 분배 시스템으로 통신하도록 구성된다.
다른 실시예에서, 지지 기판 상에 분배된 재료를 분석하는데 사용하기 위한 방법이 제공된다. 이러한 방법은 지지 기판 상에 재료를 분배하고, 그 다음에 분배 시스템으로부터 자동화된 광학 검사 시스템으로 지지 기판과 분배된 재료를 운반한다. 자동화된 광학 검사 시스템은 자동화된 광학 시스템으로부터 분배 시스템으로 통신된 분배된 재료의 측정 가능한 특성값을 결정하는데 사용된다.
본 명세서의 일부를 구성하며, 이에 포함된 첨부 도면은 본 발명의 실시예를 도시하고 상기에서 주어진 발명의 일반적인 설명 및 이하에서 주어지는 실시예들의 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하기 위해 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 필렛 형성을 검사하고 제어하기 위한 자동화된 시스템의 도식적인 도면이다.
도 1a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 필렛 형성을 검사하고 제어하기 위한 자동화된 시스템의 도 1과 유사한 도식적인 도면이다.
도 1b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 필렛 형성을 검사하고 제어하기 위한 자동화된 시스템의 도 1 및 도 1a와 유사한 도식적인 도면이다.
도 2는 부착된 패키지된 미세 전자 디바이스를 도시하는 지지 기판과 패키지된 미세 전자 디바이스를 도시하는 측면도이다.
도 3은 필렛을 형성하기 위한 언더필 분배 프로세스를 통해, 도 2의 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지를 따라 재료를 분배하는 분배 장치의 일부의 사시도이다.
도 3a는 비유동 분배 프로세스의 필렛 형성을 도시하는 측면도이다.
도 3b는 코너 본드 분배를 통해 형성된 필렛이 형성되지 않는 코너 본드를 도시하는 반도체 및 지지 기판의 확대도이다.
도 4는 도 3에서와 같이 형성된 필렛을 검사하기 위해 사용되며, 본 발명의 실시예에 따른 분배 시스템과 인터페이스되는 도 1의 자동화된 광학 검사 시스템의 도식적인 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하고, 본 발명의 실시예에 따른 자동화된 시스템(10)은 필렛(12)의 형성을 검사하고 제어하도록 구성된다. 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 지지 기판(16)에 직접적으로 장착된다. 필렛(12)은 분배 프로세스, 예를 들어 후술하는 언더필 분배 프로세스를 통해 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 하나 이상의 주연 에지(13a, 13b)를 따라 형성된다. 일 예에서, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 볼 그리드 어레이(BGA), 칩 스케일 패키지(CSP) 또는 플립 칩과 같은 표면 장착 패키지일 수 있고, 지지 기판(16)은 인쇄 배선 보드(PCB)일 수 있다. 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 하나 이상의 반도체 칩 또는 다이, 인터포저 기판, 또는 다이에 부착된 리드 프레임, 다이를 둘러싸는 성형된 외부 케이싱 및 지지 기판(16)과 다이를 커플링하기 위한 외부 단자를 포함할 수 있다. 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 패키징은 환경 및 취급 위험으로부터 다이를 보호하고, 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 내측의 다이가 지지 기판(16)에 전기적 및 기계적으로 부착되도록 한다.
각각의 실시예에서, 자동화된 시스템(10)은 언더필 분배 프로세스를 수행하는 분배 시스템(18)을 포함한다. 분배 시스템(18)은 컨트롤러(36)와, 컨트롤러(36)에 의해 공급되는 제어 신호의 제어 하에서 동작하는 분배 장치(21)를 포함한다. 분배 장치(21)는 언더필 재료(22)를 분배하도록 사용되는 분배 노즐(20)(부분적으로 도시됨)을 포함하고, 언더필 재료(22)는 모세관력에 의해, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16) 사이의 갭(24)에 스며들어 충진될 것이다.
일 실시예에서, 분배 시스템(18)에 사용되는 분배 장치는 지지 기판(16)과 유사한 기판 상에서 비접촉식으로 높은 유동성 재료를 소량 또는 액적으로 선택적으로 분배하기 위해 전자 산업에서 통상적으로 사용되는 "제트 사출(zetting)" 분배기일 수 있다. 제트 분배기의 하나의 형식은 배출 통로를 둘러싸는 밸브 시트와 밸브 시트에 대해 이동하도록 구성된 팁을 갖는 니들을 포함한다. 니들의 팁이 밸브 시트와 접촉하면, 배출 통로는 가압된 유동성 재료가 공급된 챔버로부터 격리된다. 분배 시스템(18)의 제트 사출 분배기로부터 유동성 재료의 액적을 분배하기 위해, 니들의 팁은 밸브 시트로부터 상승되어, 소량의 유동성 재료가 챔버로부터 밸브 시트를 통해 배출 통로로 유동한다. 그 다음에 니들의 팁은 유로를 폐쇄하기 위해 밸브쪽으로 신속히 이동하고, 배출 통로의 유동성 재료에 대한 운동 모멘트는 재료의 액적이 배출 통로의 출구로부터 토출되거나 또는 "제트 사출(zetting)"되도록 한다. 작은 개별 체적의 유동성 재료를 포함하는 액적은 회로 보드의 특정한 위치에서 탄도를 그리며 최종적으로 착탄하도록 진행한다.
분배 시스템(18)의 제트 분배기는 고정된 높이에서 지지 기판(16) 위에서 "비행(fly)"하여 비접촉 방식으로 의도된 도포 영역 상으로 재료를 사출(jet)하도록 구성된다. 그 결과, 분배 시스템의 제트 사출 분배기는 통상적으로 지지 기판(16)의 표면을 가로지르는 패턴으로 로봇(도시 안함)에 의해 이동된다. 컨트롤러(36)의 제어 하에서 "비행 중에(on the fly)" 재료를 신속하게 제트 사출함으로써(즉, 제트 사출 분배기가 이동하면서), 분배된 액적은 연속 라인을 형성하도록 연결될 수 있다. 따라서, 이러한 제트 사출 분배기는 언더필과 같은 유동성 재료를 원하는 패턴으로 분배하기 위해 분배 시스템(18)에서 사용하도록 신속하게 프로그래밍될 수 있다.
자동화된 시스템(10)에 의한 프로세스를 수신하기 전에, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)은 미리 조립, 예를 들어 함께 납땜됨으로써, 도 2에서 가장 잘 도시된 바와 같이 그 사이에 갭(24)을 형성한다. 일 실시예에서, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 패키지된 미세 전자 디바이스를 땜납 범프 상호접속부로 범프 결합(bumping)함으로써 지지 기판(16)에 부착된다. 칩을 범프 결합하기 위해, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 저부 표면은 전기 접속을 개선시키고 범프 재료로부터 패키지된 미세 전자 디바이스(14)를 보호하고, 범프의 크기 및 위치를 한정하기 위해, 언더범프 금속(UBM)의 영역으로 코팅될 수 있다. 지지 기판(16)에 패키지된 미세 전자 디바이스(14)를 기계적으로 부착하는 땜납 범프 상호접속부는 또한 전력 및 신호용의 전기 도전성 통로와 패키지된 미세 전자 디바이스(14)가 동작할 때 발생되는 열을 방산하기 위한 열 전도성 통로를 제공한다. 오븐(27), 예를 들어 리플로우 오븐 내의 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)의 조립체를 가열하는 것은 땜납을 용융시켜, 고화되었을 때 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)을 접속하도록 작용한다.
패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)으로 구성된 조립체는 적절한 상류 설비(26)로부터 분배 시스템(18)으로 공급된다. 상류 설비(26)는 인 라인 컨베이어 시스템과 같은 당업계에 공지된 로더 또는, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)을 포함하는 카세트를 통해 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)을 분배 시스템(18) 내로 운반 또는 공급하는 자동화된 로더를 포함할 수 있다. 대안적으로, 상류 설비(26)는 로더뿐만 아니라 오븐(27)을 포함할 수 있다.
분배 시스템(18) 내에 놓여지면, 미리 조립된 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 및/또는 지지 기판(16)은 당업자에게 공지된 바와 같은 가열 장치(29)를 통해 예열될 수 있다. 예열 후에, 분배 시스템(18)의 조립체의 일부는 언더필 재료(22)를 분배하기 전에 평가될 수 있다. 대안적으로, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)의 조립체는 오븐(27)에서 예열될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 언더필 재료(22)는 모세관 유동에 의해 갭(24)(도 2)을 충진하여 필렛(12)(도 4)을 형성하도록, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 주연 에지(13a) 중 적어도 하나를 따라 분배 장치(21)로부터 분배된다. 컨트롤러(36)의 제어 하에서 분배가 수행되는 주연 에지(13a)는 분배 주연 에지로 지칭될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 모세관 작용에 의해, 분배된 재료(22)는 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 아래로 흘러서, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 비분배 주연 에지(들)(13b) 또는 유동 에지 외측으로 유동함에 따라 갭(24)을 충진한다. I형상을 형성할 수 있는 분배 주연 에지(13a)를 따라 단일 통로 또는 다중 통로가 이루어질 수 있다. 예를 들어 L자형 통로 형상을 형성하도록 다중 주연 에지(13a, 13b)를 따라 분배가 이루어질 수 있다. 또한, 갭(24)이 충진된 후에, 부가의 시일 통로(도시 안함)가 필렛(12)을 완료하도록 분배 주연 에지(13b)에서 재료(22) 둘레에 적용될 수 있다(도 4). 갭을 충진하고 필렛(12)을 형성하도록 적응된 임의의 재료가 사용될 수 있다. 일 예에서, 언더필 재료(22)는 에폭시와 같은 경화 가능한 비도전성 중합체 재료이다. 언더필 재료(22)는 중합 가능한 단량체, 폴리우레탄 프리폴리머, 블록 공중합체 및 레이디얼 공중합체 뿐만 아니라 기폭제, 촉매, 가교 결합제, 안정화제 등과 같은 기재를 하나 이상 포함할 수 있다. 경화되어 경질이 되면, 이러한 중합체 재료(22)는 강하게 결합된 덩어리를 형성하도록 연쇄 또는 가교 결합된 분자를 포함한다.
대안적으로, 분배 시스템(18)은 또한 코너 또는 에지 본드 분배를 제공할 수 있고, 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 아래의 갭(24)을 언더필하지 않고 재료(22)는 주연 에지(13a)에서 또는 하나 이상의 코너부(31)에서만 필렛(12)을 형성한다. 코너 또는 에지 본드 분배의 경우에, 재료(22)의 분배는 필렛(12)을 형성하기 위해 에지(13a, 13b), 코너부(31) 또는 그 일부 중 하나 이상에서 이루어질 수 있다. 그리고, 코너 본드 분배에서, 도 3b에 도시된 바와 같이 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 하나 이상의 코너 본드(28)를 가질 수 있고, 필렛을 형성하지 않는다.
재료(22)가 분배된 후에, 필렛(12)을 형성하는 재료(22)를 수반한 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 및 지지 기판(16)은 가열 장치를 통해 가열될 수 있어서, 재료(22)는 젤리화(jellify) 된다. 젤리화는 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)이 AOI 시스템(19)에서 평가 전에 취급될 수 있도록 재료(22)의 안정화를 돕는다. 소정의 경우, 재료(22)의 안정화는 검사용으로 충분하여, 재료(22)는 먼저 젤리화되지 않는다.
유사한 도면부호는 도 1 내지 도 3의 유사한 특징부를 지시하며 대체 실시예에 따른 도 1a 및 도 3a를 참조하면, 자동화된 시스템(10)의 분배 시스템(18)은 비유동 언더필 분배 프로세스를 이용하도록 구성된다. 분배 시스템(18)은 지지 기판(17)의 땜납 패드(도시 안함) 상에 재료(22)를 분배하는 분배 장치(21)와 유사한 분배 장치를 포함한다. 비유동 프로세스용의 재료(22)는 일반적으로 플럭싱 및 에폭시 특성을 포함한다. 분배 후에, 재료(22)를 갖는 지지 기판(16)은 컨베이어 조립체 등을 통해서와 같이 분배 시스템(18)으로부터 픽 앤드 플레이스 기계(pick and place machine; 30)로 운송된다. 픽 앤드 플레이스 기계(30)에서, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 언더필 재료(22)의 상부에 위치된다. 당업자에게 공지된 임의의 적절한 픽 앤드 플레이스 기계(30)가 이러한 동작을 수행하기 위해 이용될 수 있다. 패키지된 미세 전자 디바이스(14)가 픽 앤드 플레이스 기계(30)에 의해 지지 기판(16) 상으로 하향 가압됨에 따라, 패키지된 미세 전자 디바이스(14)는 재료(22)를 변형시킨다. 초과 변형된 재료는 패키지된 미세 전자 디바이스(14)의 에지(13b)를 따라 필렛(12)을 형성한다. 필렛(12)과 함께 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)의 조립체는 픽 앤드 플레이스 기계(30)로부터 이하에서 보다 상세히 설명하는 AOI 시스템(19)으로 운송된다.
유사한 도면부호가 도 1 내지 도 3의 유사한 특징부를 지시하는 대체 실시예에 따른 도 1b를 참조하면, 자동화된 시스템(10)의 분배 시스템(18)과 AOI 시스템(19)은 단일 섀시 내로 합체될 수 있다. 이러한 합체된 기계 포맷에서, 컨트롤러(36, 50)는 이하에서 보다 상세히 설명하는 피드백 루프(66)에 의해 링크된다. 소정의 실시예에서, 컨트롤러(36, 50)는 개별 컨트롤러의 기능성을 갖는 단일 컨트롤러로 병합될 수 있다. 이러한 예에서, 패키지된 미세 전자 디바이스(14), 지지 기판(16) 및 재료(22)의 조립체는 재료(22)를 분배하기 위한 적절한 위치로부터 분배된 재료(22)를 검사하도록 적응된 다른 위치로 섀시에 대해 내부적으로 운송될 수 있거나 또는 분배 및 검사 위치가 공유될 수 있어서, 조립체는 이러한 동작 동안 고정될 수 있거나 또는 정확한 분배 및 촬상을 수용하기 위해 단지 작은 거리에 걸쳐 이동된다.
적절한 분배 시스템(18)의 일 예로서, 캘리포니아주 칼스베드 소재의 아심텍(Asymtek)사로부터 활용 가능한 애시엄(Axiom) X-1020 분배 시스템과 같은 애시엄 시리즈가 본 발명의 실시예에서 사용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 분배 프로세스로부터 형성된 필렛(12)(도 4)에 영향을 줄 수 있는 다수의 변수는 예를 들어, 점성, 표면 장력, 체적 및/또는 재료(22)의 온도뿐만 아니라 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 및 지지 기판(16)의 온도를 포함할 수 있다. 분배 시스템(18)은 일반적으로 소정의 다양한 변수, 예를 들어 지지 기판, 따라서 분배된 후의 언더필 재료(22)의 체적 또는 분배량 및 온도를 제어할 수 있는 하나 이상의 소프트웨어 구성부를 포함한다. 적절한 치수를 갖는 필렛(12)을 얻기 위해, 언더필 분배 시스템(18)용의 동작 파라미터는 필렛(12)뿐만 아니라 예를 들어 필렛(12)의 길이, 폭 및 높이인 원하는 크기 및 형상에 영향을 줄 수 있는 상이한 변수들을 고려하여 한정된다. 얻어진 동작 파라미터로, 이하에서 보다 상세히 설명하는 AOI 시스템(19)은 필렛(12)의 자동화된 분석을 제공하여, 이들 동작 파라미터가 모니터되고, 필렛(12)을 적절한 치수로 유지할 수 있다. 그 결과, 언더필 분배 프로세스의 품질 및 일관성이 실시간으로 유지될 수 있다. 특히, AOI 시스템(19)은 분배 시스템(18)으로 다시 직접적으로 정보를 송신 또는 반송할 수 있고, 분배 소프트웨어는 필렛(12)의 크기를 보정하기 위해 재료(22)의 체적과 같은 분배 파라미터를 조정할 수 있다.
도 1, 도 1a, 도 3, 도 3a 및 도 4를 다시 참조하여, 필렛(12)과 함께 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 및 지지 기판(16)은 그 다음에 언더필 분배 시스템(18)으로부터 직접 이동하거나 또는 비유동 분배의 경우에 픽 앤드 플레이스 기계(30)로부터 필렛(12)이 적절한 치수를 갖는지 여부를 결정하도록 구성된 AOI 시스템(19)으로 직접 이동할 수 있다. 도 1 및 1a의 시스템(10)은 당업계에 공지된 바와 같이 "고립된 자동화(island of automation)" 또는 인라인 시스템을 형성할 수 있다. 일반적으로, "고립된 자동화"는 임의의 다른 기계 또는 프로세스에 대해 독립적으로 기능하는 단일 로보틱 시스템 또는 다른 자동적으로 동작하는 기계를 나타낸다. 인라인 시스템은 조립되는 제품이 완료될 때까지 동작에서 동작까지 통과하는 설비의 구성이다. 따라서, AOI 시스템(19) 및 분배 시스템(18)은 고립된 자동화에 포함될 수 있거나 또는 대안적으로 AOI 시스템(19) 및 분배 시스템(18)은 서로에 대해 일렬로 배열되도록 고려될 수 있다. 인라인 또는 고립된 자동화 구성 모두에서, 도 1 및 도 1a의 AOI 시스템(19)은 필렛(12)을 갖는 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)의 조립체를 분배 시스템(18) 또는 픽 앤드 플레이스 기계(30)로부터 각각 기판 컨베이어 서브 조립체(34)를 통해 운송하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 분배 시스템(18) 또는 픽 앤드 플레이스 기계(30)는 필렛(12)을 갖는 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)을 포함하는 카세트를 AOI 시스템(19)으로 통과시키기 위해 로더(도시 안함) 또는 언로더(도시 안함)를 활용할 수 있다.
특히 도 4를 참조하면, AOI 시스템(19)은 일반적으로 자연 화상을 생성하도록 가시광, 예를 들어 백색 및/또는 다중색 광을 필렛(12) 상에 지시하는 적어도 하나의 광원을 갖는 조명 서브 시스템(40)을 포함한다. 조명 서브 시스템(40)은 컴퓨터 제어 하에서 필렛(12)을 조사할 수 있다. 광원은 장치의 기준 정렬, 바코드 판독 또는 광학 문자 인식(OCR)에 사용될 수 있다. 바코드 또는 OCR은 프로세스용의 추적성을 제공하는데 바람직할 수 있다.
AOI 시스템(19)은 또한 조명 서브 시스템(40)으로부터 그 위에 광이 조사될 때 필렛(12)의 하나 이상의 화상을 캡쳐하도록 위치된 광학계, 예를 들어 렌즈를 구비한 적어도 하나의 카메라를 갖는 카메라 서브 시스템(46)을 포함한다. 카메라(46)는, 필렛(12)의 하나 이상의 화상을 캡쳐하기 위해 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 위에 직접적으로 놓여진 것으로 각각의 실시예에서 도시된다. 그러나, 하나 이상의 카메라(46)는 그의 다양한 에지(13a, 13b)를 포함하는 필렛(12)의 화상을 캡쳐하기 위해 다양한 위치에서 제공될 수 있다는 점이 이해될 것이다. 캡쳐된 화상은 필렛(12)의 크기 및 형상, 즉 필렛(12)이 적절한 치수를 갖는지 여부를 결정하기 위해 화상 프로세싱 컴퓨터의 대표적인 형상을 가질 수 있는 컨트롤러(50)로 운반된다. 필렛(12)의 크기 및 형상은 목표가 되는, 또는 표준으로서 크기와 형상의 미리 결정된 값에 대해 비교하여, 언더필 분배 시스템(18)이 효과적으로 동작하는지 여부와 어떤 동작 파라미터가 조절에 필요한지 여부를 결정한다.
AOI 시스템(19)은 또한 분배 시스템(18)[또는 픽 앤드 플레이스 기계(30)]으로부터 지지 기판(16)을 반송하고, 필렛(12)의 검사 동안 지지 기판(16)을 보유하기 위한 기판 컨베이어 서브 시스템(52)을 포함한다. 기판 컨베이어 서브 시스템 대신에, 로더(도시 안함)가 필렛(12)을 갖는 패키지된 미세 전자 디바이스(14)와 지지 기판(16)을 기판 홀더 서브 시스템(도시 안함)에 위치시키도록 활용될 수 있다. 기판 홀더 서브 시스템은 예를 들어 지지 기판(16)이 확실히 놓여지도록 구성된 지지 핀을 이용함으로써 아래로부터 지지 기판(16)을 지지할 수 있다.
또한 AOI 시스템(19)의 일부로서 포함될 수 있는 운송 기구(56)는 필렛(12)의 검사를 돕기 위해 카메라에 연결되어 이를 이동시키는 XY-축 모터를 포함한다. 필요하다면 Z축 이동의 합체를 포함하지만 이에 제한되지 않는 다른 옵션이 고려된다.
AOI 시스템(19)의 컨트롤러(50)는 카메라 서브 시스템(46)뿐만 아니라 운송 시스템(56)의 XY 모터에 이동 지령을 제공하기 위한 운동 컨트롤러(60)에 커플링된다. 이러한 커플링은 예를 들어 카메라 서브 시스템(46)의 카메라로부터 컨트롤러(50)로의 화상의 표시를 통신하기 위한 광학 신호 또는 전기 신호에 의존할 수 있다. 컨트롤러(50)는 캡쳐된 화상에 나타낸 바와 같이 필렛(12)의 형상 및 크기를 평가하기 위한 기계 비전 알고리즘을 실행할 수 있는 하나 이상의 소프트웨어 프로그램을 포함한다. AOI 시스템(19)의 사용자 인터페이스는 컨트롤러(50)에 동작식으로 링크된, 일반적으로 도면부호 62로 도시된 바와 같은 컴퓨터 모니터, 키보드 및/또는 마우스를 포함할 수 있다.
필렛(12)의 자동화된 검사를 수행하기 위해 활용되는 하나의 이러한 AOI 시스템(19)은 캘리포니아주 산 클레멘토 소재의 YESTech Inc.사로부터 활용 가능한 F 또는 M 시리즈와 같은 YTV 시리즈 AOI이다.
AOI 시스템(19)용 검사 프로그램은 일반적으로 비교 표준으로서 적절한 치수의 필렛에서 개시한다. 필렛 치수는 AOI 시스템(19) 내로 수동으로 입력될 수 있거나, 또는 필렛(12)이 AOI 시스템(19)에 의해 자동적으로 검사될 수 있어서 화상 처리 소프트웨어가 자가 학습될 수 있다. 필렛 치수가 입력되거나 및/또는 학습 프로세스가 완료되면, 필렛(12)의 자동화된 검사가 AOI 시스템(19) 내에서 행해질 수 있다. 통상적으로 검사 프로세스의 일부로서 기준 정렬이 수행된다. 또한, 검사 프로세스는 분배 프로세스보다 빠르게 여러번 실행될 수 있다. 예를 들어, 검사 속도는 초당 1제곱인치 부근으로 필렛(12)에 대해 20 내지 30초일 수 있지만, 필렛(12)용의 필렛 재료(22)의 분배는 5분 정도 걸릴 것이다. 따라서, 하나의 대표적인 실시예에서, 전체 필렛, 예를 들어 필렛(12)의 전체 4개의 에지(13a, 13b)가 완전히 검사될 수 있다. 다른 대표적인 실시예에서, 하나 이상의 유동 에지(13b)에서의 필렛(12)의 형상 및 크기만이 검사된다.
자동화 시스템(10)은 자동화 광학 검사(AOI) 시스템(19)에 의해 이루어지는 측정에 의해 분배 시스템(18)의 폐쇄 루프 제어용 피드백 루프(66)를 포함한다. 피드백 루프(66)는 분배 시스템(18)에서 필렛 형성에 걸친 제어를 촉진하고, 즉 필렛(12)의 원하는 크기 및 형상을 유지한다. 피드백 루프(66)는 분배 시스템(18)의 컨트롤러(36)와 AOI 시스템(19)의 컨트롤러(50)을 연관시키거나 또는 접속시켜, AOI 시스템(19)과 분배 시스템(18) 사이에서 정보가 양방향으로 교환될 수 있거나 또는 AOI 시스템(19)으로부터 분배 시스템(18)으로 무방향성으로 통신될 수 있다. 교환된 또는 통신된 정보는 예를 들어 AOI 시스템(19)에서 결정된 형상, 치수 또는 다른 특성과 같은 필렛 재료(22)의 측정 가능한 특성값일 수 있다. 측정 가능한 특성값은 통상적으로 숫자이지만, 대체 실시예에서는 정성적(qualitative)인 것일 수 있다.
피드백 루프(66)를 제공하기 위한 적절한 인터페이싱은 공지된 기술을 이용하여 두 개의 시스템(18, 19)을 네트워킹함으로써 달성될 수 있다. AOI 시스템(19)의 컨트롤러(50)와 분배시스템(18)의 컨트롤러(36)를 커플링하는 피드백 루프(66)는 예를 들어 케이블인 통신 링크와, 동작 파라미터 조절을 용이하게 하기 위해 분배 시스템(18)에서 수행되는 알고리즘을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 피드백 루프(66)는 AOI 시스템(19)으로부터 얻어진 필렛 정보에 기초하여 언더필 분배 시스템(18)의 동작 파라미터를 조정하기 위해 수동으로 수행되는 분배 시스템(18)에서의 사람 조작자(도시 안함)에 의해 한정될 수 있다.
피드백 루프(66) 상에서 통신된 측정 가능한 특성값에 따라, 분배 시스템(18)은 필렛(12)의 적절한 치수가 유지되도록 하나 이상의 동작 파라미터를 조절하도록 구성된다. 이러한 통신 및 조정은 AOI 시스템(19) 및 분배 시스템(18) 사이의 폐쇄 루프 제어 시스템의 폐쇄 루프 피드백을 공급한다. 이러한 폐쇄 루프 제어 시스템에서, 필렛(12)의 측정 가능한 특성값은 기준으로서 AOI 시스템(19)의 컨트롤러(50)로부터 분배 시스템(18)의 컨트롤러(36)로 공급되어, 제어 에러를 최소화하거나 규제하기 위해 필요한 분배 시스템(18)의 재료 분배 동작으로의 제어 입력을 연속적으로 또는 간헐적으로 조절한다. 대안적으로, AOI 시스템(19)은 측정 가능한 특성으로부터 조절을 결정하고 분배 시스템(18)으로 이러한 조절을 통신할 수 있다. 분배 시스템(18)의 실제 성능의 AOI 시스템(19)으로부터의 피드백에 기초하여, 분배 시스템(18)은 형상 또는 치수의 변경과 같은 필렛(12)에 대한 변경을 야기하는 또는 필렛의 원치않는 형성을 야기할 수 있는 제어 시스템에 대한 교란을 동적으로 보상할 수 있다. 제어 시스템의 하나의 목적은 허용 가능한 동작 범위 내에서 필렛(12)의 제어된 분배 프로세스를 유지하기 위한 것이다.
예를 들어, 필렛(12)이 AOI 시스템(19)에 의해 부적절한 치수를 갖는 것으로 결정되면, 분배 시스템(18)의 동작 파라미터는 피드백 루프(66)에서 분배 시스템(18)으로의 정보 통신을 통해 이에 따라 조절될 수 있다. 하나의 특정한 예에서, 비정상적으로 작은 필렛 크기를 검출함에 따라, 컴퓨터(50)를 통해 분배 시스템(18)으로 정보가 자동적으로 통신될 수 있어서, 분배 장치(도시 안함)는 필렛 재료(22)의 분배 체적을 증가시켜 필렛 크기를 증가시킬 수 있다. 다른 예에서, 한도를 벗어난 측정은 언더필 분배 프로세스가 통제 불능인 것을 사람 조작자에게 경고하는 프로세스 경보를 트리거할 수 있어서, 언더필 분배 시스템(18)의 동작이 한도를 벗어난 측정을 발생시키는 조건을 교정하도록 수동 조절될 수 있다.
다른 예에서, 코너 본드 분배로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 코너 본드(28)를 형성하고 필렛(12)을 형성하지 않도록 패키지된 미세 전자 디바이스(14) 아래에서 재료(22)가 부분적으로 유동하도록 하는데 바람직할 수 있다. 따라서, 이러한 경우의 필렛(12)의 형성은 유해할 수 있다. 따라서, AOI 시스템(19)이 필렛(12)의 존재를 검출하면, 이것은 에러이고, 에러는 분배되는 재료의 양을 감소시키거나, 또는 지지 기판(16)을 가열하거나 또는 이들 모두를 행하도록 분배 시스템(18)에 피드백되어, 필렛(12)은 형성되지 않는다.
필렛(12)의 검사 후에, 최종 미세 전자 조립체(68)는 자동화된 언로더 또는 손, 즉 수동으로와 같은, 적절한 하류 설비(70)에 의해 AOI 시스템(19)으로부터 언로드될 수 있다. 적절한 자동화된 로더 및 언로더는 캘리포니아주 칼스베드 소재의 아심텍(Asymtek)사로부터 활용 가능하다. 다음에, 미세 전자 조립체(68)는 고정식 오븐과 같은 경화 장치(72)로 수동 또는 자동으로 운송될 수 있고, 언더필 재료(22)와 함께 미세 전자 조립체(68)는 그 안에 위치되어 경화되고, 즉 영구적인 형상으로 최종적으로 가교 결합된다. 경화 장치는 하류 설비(70)에 포함될 수 있다. 경화 후에, 미세 전자 조립체(68)는 또한 성형 프로세스, 볼 배치 프로세스, 컴포넌트 싱귤레이션 등을 포함하는 부가의 공지된 프로세스 및 기법이 가해질 수 있다.
따라서, 필렛 형성을 검사하고 제어하기 위한 개선된 시스템(10) 및 방법이 종래의 필렛 검사 시스템 및 프로세스의 단점을 극복하여 제공된다. 이를 달성하기 위해, 본 발명의 실시예의 자동화된 시스템(10) 및 방법은 빠르고, 신뢰성있고, 일관성있고, 반복 가능한 검사 결과를 제공한다. 또한, 언더필 일관성은 사람의 개입없이 실시간으로 분배 시스템(18)의 동작 파라미터를 연속적으로 조절할 수 있음으로써 개선될 수 있다. 따라서, 규격 외 조립체를 감소시킴으로써 제품 수율이 증가될 수 있다. 그리고, 임의의 제어 불능 상황이 신속하게 검출되고, 분배 프로세스가 중지 및/또는 조절되고, 이러한 문제점의 교정에 수반되는 사람의 개입 또는 자동화된 조절이 가능하다. 또한, 검사 프로세스는 개선된 추적성을 갖는다. 예를 들어, 보드의 일련 번호, 그 검사 결과 및 검사를 행하는 조작자의 로그인 정보가 추적될 수 있다. 최종적으로, AOI 시스템(19)은 분배 시스템(18)에 의해 처리되는 모든 미세 전자 조립체(68)의 모든 필렛(12)의 크기 및 형상을 기록한다.
본 발명은 다양한 실시예들의 설명에 의해 도시되었고, 이들 실시예는 상당한 상세 사항이 설명되었으나, 출원인은 이러한 상세 사항으로 첨부된 청구범위의 범주를 제한하거나 임의의 방식으로 한정하도록 의도하지 않는다. 부가의 장점 및 변형은 당업자들에게 손쉽게 보여질 것이다. 따라서, 넓은 양태의 본 발명은 특정한 상세 사항, 각각의 장치 및 방법 및 도시되고 설명된 예에 제한되지 않는다. 따라서, 출원인의 대체적인 신규한 개념의 사상 또는 범주로부터 벗어남없이 이러한 상세 사항으로부터 이탈되어 이루어질 수 있다.

Claims (20)

  1. 패키지된 미세 전자 디바이스(packaged microelectronic device)에 인접하여 지지 기판 상에 분배된 언더필 재료의 필렛의 치수를 제어하는 방법에 있어서,
    분배 시스템의 제트 사출 분배기(jetting dispenser)를 사용하여, 지지 기판에 부착된 패키지된 미세 전자 디바이스에 인접하여 연속 라인으로 언더필 재료의 액적(droplet)을 상기 지지 기판 상에 제트 분사시키고, 상기 패키지된 미세 전자 디바이스의 아래에서 상기 언더필 재료를 흐르게 하여, 상기 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지를 따라 필렛을 형성하는 단계;
    필렛 부착된 상기 패키지된 미세 전자 디바이스 및 상기 지지 기판을 언더필 분배 시스템으로부터 자동화된 광학 검사 시스템으로 이동시키는 단계;
    필렛 부착된 상기 패키지된 미세 전자 디바이스가 상기 언더필 분배 시스템으로부터 분리된 후에, 상기 자동화된 광학 검사 시스템을 사용하여 상기 필렛의 화상을 캡쳐하는 단계;
    상기 자동화된 광학 검사 시스템에 의해 캡쳐된 화상을 사용하여, 상기 필렛의 하나 이상의 치수를 치수 결정된 표준과 비교하는 단계;
    상기 분배 시스템의 폐루프 제어가 가능한 피드백 루프에 의해, 상기 필렛의 하나 이상의 치수와 치수 결정된 표준의 비교로부터 정보를 전달하는 단계;
    상기 피드백 루프에 의해 상기 분배 시스템에 전달된 정보에 응답하여, 상기 분배 시스템의 하나 이상의 동작 파라미터를 조절하는 단계; 및
    조절된 상기 하나 이상의 동작 파라미터를 사용하여, 다른 지지 기판에 부착된 다른 패키지된 미세 전자 디바이스에 인접하여 연속 라인으로 언더필 재료의 액적을 제트 분사시키고, 상기 패키지된 미세 전자 디바이스의 아래에서 상기 언더필 재료를 흐르게 하여, 상기 패키지된 미세 전자 디바이스의 에지를 따라 필렛을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 필렛 치수 제어 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 분배 시스템의 하나 이상의 동작 파라미터를 조절하는 단계는, 상기 재료 분배 시스템으로의 제어 입력을 조절하여, 에러를 최소한으로 억제 또는 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필렛 치수 제어 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 자동화된 광학 검사 시스템이 작은 필렛 치수를 검지한 것에 응답하여, 상기 자동화된 광학 시스템에 의해 정보를 상기 분배 시스템에 전달하여, 필렛 재료의 분배량을 증가시키고, 그것에 의해 필렛 치수를 증대시키는 것을 특징으로 하는 필렛 치수 제어 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 자동화된 광학 검사 시스템을 사용하여, 상기 분배 시스템에 의해 분배되고, 상기 지지 기판에 부착된 복수의 패키지된 미세 전자 디바이스의 필렛의 치수 및 형상을 기록하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필렛 치수 제어 방법.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101600283B1 (ko) * 2008-07-10 2016-03-07 노드슨 코포레이션 폐쇄 루프 피드백을 갖는 자동화된 필렛 검사 시스템 및 그 사용 방법
US8753713B2 (en) 2010-06-05 2014-06-17 Nordson Corporation Jetting dispenser and method of jetting highly cohesive adhesives
US9627346B2 (en) * 2013-12-11 2017-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Underfill pattern with gap
KR102153562B1 (ko) * 2014-03-20 2020-09-09 삼성전자주식회사 반도체 검사 장비 및 이를 이용한 반도체 소자의 검사 방법
KR102362654B1 (ko) 2015-07-03 2022-02-15 삼성전자주식회사 오븐
EP3185086B1 (fr) * 2015-12-21 2019-06-12 The Swatch Group Research and Development Ltd. Applique de cadran d'une pièce d'horlogerie
US9825008B1 (en) * 2016-04-29 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same
ES2865405T3 (es) * 2016-05-03 2021-10-15 Prec Valve & Automation Inc Determinación de una secuencia de unión automática para unión óptica
CN106370831B (zh) * 2016-08-29 2019-06-14 苏州奥普特克自动化科技有限公司 用于生物分子相互作用动态检测的检测芯片及制备方法
DE102017202150A1 (de) * 2017-02-10 2018-06-28 Siemens Healthcare Gmbh Füllfortschrittsbestimmung eines Zwischenschichtmaterials bei der Herstellung eines Röntgendetektors
US20210197225A1 (en) * 2017-11-10 2021-07-01 Nordson Corporation Systems and methods for enhanced coating dispensing controls
CN108198766A (zh) * 2017-12-29 2018-06-22 英特尔产品（成都）有限公司 芯片封装缺陷自动识别和处理方法、系统及存储设备
DE102018006760A1 (de) * 2018-08-27 2020-02-27 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Inspektion beim Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten zu einem zweiten Träger
KR102530763B1 (ko) 2018-09-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조방법
US12082344B2 (en) * 2019-01-04 2024-09-03 Jabil Inc. Apparatus, system, and method of providing underfill on a circuit board

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139452A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Fuji Mach Mfg Co Ltd 塗布状態検査方法および塗布状態検査装置
US20050134842A1 (en) 2000-10-04 2005-06-23 Orbotech, Ltd. Electrical circuit conductor inspection
JP2007194403A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Sony Corp 電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法、並びに、アンダーフィル材充填状態の検査装置及びアンダーフィル材充填状態の検査方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809308A (en) * 1986-02-20 1989-02-28 Irt Corporation Method and apparatus for performing automated circuit board solder quality inspections
US6412328B1 (en) * 1996-10-25 2002-07-02 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring the size of drops of a viscous material dispensed from a dispensing system
US6321591B1 (en) * 1999-02-22 2001-11-27 Electronic Controls Design, Inc. Method and apparatus for measuring spray from a liquid dispensing system
US6621566B1 (en) * 2000-10-02 2003-09-16 Teradyne, Inc. Optical inspection system having integrated component learning
US6567161B1 (en) * 2000-11-28 2003-05-20 Asti Holdings Limited Three dimensional lead inspection system
US20040148876A1 (en) 2002-06-13 2004-08-05 Mcmanus Kerry John Sound barrier
US20040148763A1 (en) * 2002-12-11 2004-08-05 Peacock David S. Dispensing system and method
US7204960B2 (en) * 2003-03-03 2007-04-17 Asm Assembly Automation Ltd. Apparatus and method for calibration of a dispensing system
US7171897B2 (en) 2003-06-05 2007-02-06 Georgia Tech Research Corporation System and methods for data-driven control of manufacturing processes
US20050095366A1 (en) 2003-10-31 2005-05-05 Liang Fang Method of conformal coating using noncontact dispensing
US7622311B1 (en) * 2005-11-30 2009-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Inspection of underfill in integrated circuit package
US7750482B2 (en) * 2006-02-09 2010-07-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including zero fillet resin
US8110438B2 (en) * 2006-08-11 2012-02-07 Texas Instruments Incorporated Thermal method to control underfill flow in semiconductor devices
JP4103921B2 (ja) * 2006-08-11 2008-06-18 オムロン株式会社 フィレット検査のための検査基準データの設定方法、およびこの方法を用いた基板外観検査装置
US7980197B2 (en) * 2006-11-03 2011-07-19 Illinois Tool Works, Inc. Method and apparatus for dispensing a viscous material on a substrate
KR101600283B1 (ko) * 2008-07-10 2016-03-07 노드슨 코포레이션 폐쇄 루프 피드백을 갖는 자동화된 필렛 검사 시스템 및 그 사용 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050134842A1 (en) 2000-10-04 2005-06-23 Orbotech, Ltd. Electrical circuit conductor inspection
JP2002139452A (ja) * 2000-11-01 2002-05-17 Fuji Mach Mfg Co Ltd 塗布状態検査方法および塗布状態検査装置
JP2007194403A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Sony Corp 電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法、並びに、アンダーフィル材充填状態の検査装置及びアンダーフィル材充填状態の検査方法

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Publication number Publication date
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