KR101579703B1

KR101579703B1 - Laminated ceramic electronic component

Info

Publication number: KR101579703B1
Application number: KR1020150010121A
Authority: KR
Inventors: 고따 젠자이; 준 이께다
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2015-01-21
Filing date: 2015-01-21
Publication date: 2015-12-31

Abstract

A purpose of the present invention is to provide a ceramic electronic component having strong adhesion between a conductive resin layer and a sintering metal layer. A multi-layered ceramic condenser (10) includes a ceramic body (12), as a multi-layered ceramic electronic component. The ceramic body (12) has internal electrodes (16a, 16b) embedded therein. External electrodes (20a, 20b) electrically connected to exposed units (18a, 18b) of the internal electrodes (16a, 16b) are formed in end unit surfaces (12e, 12f) of the ceramic body (12). The external electrodes include: sintering metal layers (22a, 22b), conductive resin layers (24a, 24b), and plating layers (26a, 26b). The number of recess units, which do not have a conductive resin formed in the sintering metal layer, within a range of 70 μm of the length of an interface of the sintering metal layer and the conductive resin layer in a cross section of the multi-layered condenser (10), is equal to two or less.

Description

[0001] LAMINATED CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT [0002]

본 발명은 적층 세라믹 전자 부품에 관한 것으로, 특히, 내부 전극이 매설된 세라믹 소체와 내부 전극에 전기적으로 접속되도록 세라믹 소체의 단부면에 형성된 외부 전극을 갖는, 예를 들어, 적층 세라믹 콘덴서, 적층 세라믹 인덕터, 적층 세라믹 서미스터, 적층 세라믹 압전 부품 등의 적층 세라믹 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to a multilayer ceramic electronic component, and particularly to a multilayer ceramic electronic component having a ceramic body having internal electrodes buried therein and external electrodes formed on end faces of the ceramic body so as to be electrically connected to the internal electrodes, An inductor, a multilayer ceramic thermistor, and a multilayer ceramic piezoelectric component.

종래의 적층 세라믹 전자 부품으로서, 예를 들어, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 내부 전극이 매설된 세라믹 소체의 표면에 있어서 내부 전극이 노출된 세라믹 소체의 양단부면에, 금속을 주성분으로서 함유하는 소결형 전극층과 소결형 전극층의 표면에 형성된 금속 입자를 함유하는 도전성 수지 전극층과 도전성 수지 전극층의 표면에 형성된 도금층을 갖는 외부 전극을 구비한 것이 알려져 있다. 이 적층 세라믹 전자 부품에서는, 소결형 전극층 및 도금층 사이에 도전성 수지 전극층이 형성되어 있으므로, 사용 시의 온도 사이클에서 세라믹 소체에 크랙이 발생하거나, 기판에 실장되어 있는 경우에 기판의 휨에 대해 강도적으로 약하다고 하는 결점이, 어느 정도 해소된다.As a conventional multilayer ceramic electronic component, for example, as disclosed in Patent Document 1, on both end faces of a ceramic body in which internal electrodes are exposed on the surface of a ceramic body embedded with an internal electrode, And an outer electrode having a conductive resin electrode layer containing metal particles formed on the surface of the sintered electrode layer and a plating layer formed on the surface of the conductive resin electrode layer. In this multilayer ceramic electronic component, since the conductive resin electrode layer is formed between the sintered electrode layer and the plating layer, cracks are generated in the ceramic body in the temperature cycle at the time of use, or when the ceramic body is mounted on the substrate, The weakness of weakness is solved to some extent.

일본 특허 공개 평10-284343호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-284343

그러나, 상술한 종래의 적층 세라믹 전자 부품에서는, 수지를 많이 포함하는 도전성 수지 전극층과 금속인 소결형 전극층 사이의 밀착력이 약하다. 그로 인해, 적층 세라믹 전자 부품이 실장된 기판의 휨이 도전성 수지 전극층에서 흡수되도록 되어 있지만, 도전성 수지 전극층과 소결형 전극층 사이의 밀착력이 약하면, 도전성 수지 전극층과 소결형 전극층이 박리되어 버린다고 하는 문제가 있다.However, in the above-described conventional multilayer ceramic electronic component, the adhesion between the conductive resin electrode layer containing a large amount of resin and the sintered electrode layer of metal is weak. As a result, although the warpage of the substrate on which the multilayer ceramic electronic component is mounted is absorbed by the conductive resin electrode layer, there is a problem that when the adhesion between the conductive resin electrode layer and the sintered electrode layer is weak, the conductive resin electrode layer and the sintered electrode layer are peeled off have.

그러므로, 본 발명의 주된 목적은, 도전성 수지 전극층과 소결형 전극층 사이의 밀착력이 큰 적층 세라믹 전자 부품을 제공하는 것이다.Therefore, a main object of the present invention is to provide a multilayer ceramic electronic component having high adhesion between a conductive resin electrode layer and a sintered electrode layer.

본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품은, 내부 전극이 매설되고, 제1 주면과, 제1 주면에 대향하는 제2 주면과, 제1 주면 및 제2 주면에 접속하는 제1 측면과, 제1 측면에 대향하는 제2 측면과, 제1 주면, 제2 주면, 제1 측면 및 제2 측면에 접속하는 제1 단부면과, 제1 단부면에 대향하는 제2 단부면을 갖는 세라믹 소체와, 내부 전극에 전기적으로 접속되도록, 세라믹 소체의 단부면 및 적어도 제1 주면 또는 제2 주면에 형성된 외부 전극을 구비한 적층 세라믹 전자 부품으로서, 외부 전극은 세라믹 소체의 단부면 및 적어도 제1 주면 또는 제2 주면에 형성되어 있고, 외부 전극은 세라믹 소체측으로부터 순서대로, 소결 금속층, 도전성 수지층 및 도금층을 구비하고, 도전성 수지층의 열경화성 수지와 금속 입자의 혼합물로 이루어지고, 제1 주면, 제2 주면, 제1 측면 및 제2 측면 중 어느 하나의 면으로부터 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 계면에서의 소결 금속층은 개구 치수보다 내부 치수가 큰 형상을 한 복수의 오목부를 구비하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품이다.A multilayer ceramic electronic component according to the present invention is a multilayer ceramic electronic component in which an internal electrode is embedded and includes a first main surface, a second main surface opposed to the first main surface, a first side connecting to the first main surface and the second major surface, , A ceramic body having a first end face connected to the first major face, the second major face, the first side face, and the second side face, and a second end face opposed to the first end face, And an outer electrode formed on at least a first major surface or a second major surface of the ceramic body so as to be electrically connected to the electrode, wherein the outer electrode has an end face of the ceramic body and at least a first major surface or a second major surface And the outer electrode comprises a sintered metal layer, a conductive resin layer, and a plated layer in this order from the ceramic body side, and is made of a mixture of the thermosetting resin of the conductive resin layer and the metal particles, , The first side The sintered metal layer at the interface is provided with a plurality of recesses having a larger inner dimension than the opening dimension, when the cross section including the interface between the sintered metal layer and the conductive resin layer is viewed from any one of the surfaces As shown in Fig.

본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품은, 별도의 국면에서는, 내부 전극이 매설되고, 제1 주면과, 제1 주면에 대향하는 제2 주면과, 제1 주면 및 제2 주면에 접속하는 제1 측면과, 제1 측면에 대향하는 제2 측면과, 제1 주면, 제2 주면, 제1 측면 및 제2 측면에 접속하는 제1 단부면과, 제1 단부면에 대향하는 제2 단부면을 갖는 세라믹 소체와, 내부 전극에 전기적으로 접속되도록, 세라믹 소체의 단부면 및 적어도 제1 주면 또는 상기 제2 주면에 형성된 외부 전극을 구비한 적층 세라믹 전자 부품으로서, 외부 전극은 세라믹 소체의 단부면 및 적어도 제1 주면 또는 제2 주면에 형성되어 있고, 외부 전극은 세라믹 소체측으로부터 순서대로, 소결 금속층, 도전성 수지층 및 도금층을 구비하고, 금속 입자는 Cu 분말이며, 편평 형상의 편평 입자와 구형 형상의 구형 입자로 이루어지고, 편평 입자의 수에 대한 구형 입자의 수의 비율이, 3/7 내지 7/3이며, 제1 주면, 제2 주면, 제1 측면 및 제2 측면 중 어느 하나의 면으로부터 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 계면에서의 소결 금속층은 개구 치수보다 내부 치수가 큰 형상을 한 복수의 오목부를 구비하고, 오목부 중 어느 하나에 상기 도전성 수지가 인입되어 있고, 도전성 수지가 인입된 오목부의 수는 상기 계면의 길이 70㎛의 범위에서 2개 이상이며, 제1 주면, 제2 주면, 제1 측면 및 제2 측면 중 어느 하나의 면으로부터 도전성 수지층과 도금층의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 계면에서의 도금층은, 도전성 수지층을 향해, 1.0㎛ 내지 7.0㎛의 높이와 볼록부를 구비하고, 볼록부는 계면의 길이 80㎛의 범위에서, 2개 이상인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 전자 부품이다.In another aspect of the present invention, an internal electrode is buried. The multilayer ceramic electronic component includes a first main surface, a second main surface opposed to the first main surface, a first main surface connected to the first main surface and the second major surface, A second side opposite to the first side, a first end surface connected to the first major surface, the second major surface, the first side and the second side, and a second end surface opposed to the first end surface, A multilayer ceramic electronic device comprising a ceramic body and an external electrode formed on an end face of the ceramic body and at least a first main face or an external electrode formed on the second main face so as to be electrically connected to the internal electrode, And the outer electrode has a sintered metal layer, a conductive resin layer and a plated layer in this order from the ceramic body side, the metal particles are Cu powder, and the flattened flat particles and the spherical shaped Old mouth Wherein the ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles is 3/7 to 7/3, and the ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles is 3/7 to 7/3, and from the surface of any one of the first major surface, And the conductive resin layer, the sintered metal layer at the interface has a plurality of recesses having a larger inner dimension than the opening dimension, and the conductive resin is introduced into one of the recesses , The number of concave portions into which the conductive resin is drawn is not less than two in the range of 70 mu m in the length of the interface, and the thickness of the conductive resin layer and the plating layer The plating layer at the interface has a height and a convex portion of 1.0 mu m to 7.0 mu m toward the conductive resin layer and the convex portion is at least two in the range of the interface length of 80 mu m Features A laminated ceramic electronic component.

본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품에서는, 도전성 수지층의 금속분은 Cu 또는 Ag은 포함하는 것이 바람직하다.In the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, the metal powder of the conductive resin layer preferably contains Cu or Ag.

본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품에서는, 소결 금속층은 Cu를 포함하는 것이 바람직하다.In the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, the sintered metal layer preferably contains Cu.

본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품에서는, 도금층은 Ni 도금층을 포함하는 것이 바람직하다.In the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, it is preferable that the plating layer includes a Ni plating layer.

적층 세라믹 전자 부품을 제작할 때에, 세라믹 소체의 단부면에 도전성 페이스트를 도포해서 베이킹함으로써, 소결 금속층이 형성된다. 이때, 소결 금속층의 표면에는, 다수의 오목부가 형성된다. 이들 오목부에 도전성 수지층을 구성하는 도전성 수지가 인입되면, 도전성 수지층과 소결 금속층 사이에 견고한 밀착력을 얻을 수 있지만, 오목부 내에 충분히 도전성 수지가 인입되지 않는 경우가 있다. 도전성 수지가 인입되지 않는 오목부가 많은 경우, 도전성 수지층과 소결 금속층 사이의 밀착력이 작아져, 도전성 수지층과 소결 금속층 사이에 박리가 발생하기 쉬워진다.When a multilayer ceramic electronic component is manufactured, a sintered metal layer is formed by applying a conductive paste to the end face of the ceramic body and baking the same. At this time, a plurality of concave portions are formed on the surface of the sintered metal layer. When the conductive resin constituting the conductive resin layer is drawn into these concave portions, a firm adhesion force can be obtained between the conductive resin layer and the sintered metal layer, but the conductive resin may not sufficiently enter the concave portion. When the concave portion in which the conductive resin does not enter is large, the adhesion between the conductive resin layer and the sintered metal layer becomes small, and peeling easily occurs between the conductive resin layer and the sintered metal layer.

본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품에서는, 도전성 수지층의 단면을 관찰하고, 도전성 수지층과 소결 금속층 사이의 계면의 길이 70㎛의 범위에서, 오목부에 도전성 수지가 인입되어 있지 않으면 도전성 수지층과 소결 금속층 사이에 만족할 수 있는 밀착력이 얻어지는 것이 발견되었다.In the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, when the cross section of the conductive resin layer is observed and the conductive resin is not drawn into the concave portion in the range of 70 mu m in the length of the interface between the conductive resin layer and the sintered metal layer, It has been found that a satisfactory adhesion force can be obtained between the sintered metal layers.

그리고, 본 발명에 따른 적층 세라믹 전자 부품에서는, 도전성 수지층과 소결 금속층 사이에 만족할 수 있는 밀착력을 얻을 수 있다.In the multilayer ceramic electronic component according to the present invention, satisfactory adhesion can be obtained between the conductive resin layer and the sintered metal layer.

본 발명에 의하면, 도전성 수지층과 소결 금속층 사이에 양호한 밀착력을 갖는 적층 세라믹 전자 부품이 얻어진다.According to the present invention, a multilayer ceramic electronic component having good adhesion between the conductive resin layer and the sintered metal layer is obtained.

본 발명의 상술한 목적, 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 도면을 참조하여 행하는 이하의 발명을 실시하기 위한 형태의 설명으로부터 한층 명백하게 될 것이다.The above and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of the embodiments with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 적층 세라믹 콘덴서의 도 1의 선 II-II에 있어서의 단면도이다.
도 3은 오목부가 형성된 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면을 나타내는 도해도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 적층 세라믹 콘덴서의 폭 방향에서의 중앙 부분의 단면을 나타내는 부분 확대도이다.
도 5는 Ni 도금층으로부터 도전성 수지층을 향해 볼록부가 형성된 Ni 도금층과 도전성 수지층의 계면을 나타내는 도해도이다.
도 6은 도 5에 도시하는 볼록부의 크기를 나타내는 도해도이다.
도 7은 도 1에 도시하는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서 외부 전극의 각 부분의 두께 T0, T1, T2, T3, T4, T5를 나타내는 도해도이다.1 is a perspective view showing an example of a multilayer ceramic capacitor according to the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in Fig. 1 of the multilayer ceramic capacitor shown in Fig.
Fig. 3 is a schematic diagram showing the interface between the sintered metal layer and the conductive resin layer in which the concave portion is formed.
4 is a partially enlarged view showing a cross section of a central portion in the width direction of the multilayer ceramic capacitor shown in Fig.
Fig. 5 is a diagram showing the interface between the Ni plated layer and the conductive resin layer in which the convex portions are formed from the Ni plated layer toward the conductive resin layer. Fig.
Fig. 6 is a diagram showing the size of the convex portion shown in Fig. 5;
FIG. 7 is a diagram showing thicknesses T0, T1, T2, T3, T4, and T5 of each portion of the external electrode in the multilayer ceramic capacitor shown in FIG.

도 1에 도시하는 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 예를 들어, 대략 직육면체 형상의 세라믹 소체(12)를 포함한다. 세라믹 소체(12)는, 복수의 적층된 세라믹층(14)을 포함하고, 서로 대향하는 제1 주면(12a) 및 제2 주면(12b)과, 서로 대향하는 제1 측면(12c) 및 제2 측면(12d)과, 서로 대향하는 제1 단부면(12e) 및 제2 단부면(12f)을 갖는다. 제1 측면(12c) 및 제2 측면(12d)은, 각각, 제1 주면(12a) 및 제2 주면(12b)에 접속한다. 제1 단부면(12e) 및 제2 단부면(12f)은, 각각, 제1 주면(12a), 제2 주면(12b), 제1 측면(12c) 및 제2 측면(12d)에 접속한다. 이 세라믹 소체(12)에는 코너부 및 귀퉁이부에 라운딩 처리되어 있다. 또한, 세라믹 소체(12)는, 다른 크기나 형상으로 형성되어도 좋다.The multilayer ceramic capacitor 10 shown in Fig. 1 includes, for example, a ceramic body 12 having a substantially rectangular parallelepiped shape. The ceramic body 12 includes a plurality of laminated ceramic layers 14 and includes a first main surface 12a and a second main surface 12b opposed to each other and first and second main surfaces 12b and 12c opposed to each other, A side face 12d, and a first end face 12e and a second end face 12f facing each other. The first side surface 12c and the second side surface 12d are connected to the first main surface 12a and the second main surface 12b, respectively. The first end face 12e and the second end face 12f are connected to the first major surface 12a, the second major surface 12b, the first side surface 12c and the second side surface 12d, respectively. The ceramic body 12 is rounded at corners and corners. Further, the ceramic body 12 may be formed in different sizes or shapes.

세라믹 소체(12)의 세라믹층(14)의 세라믹 재료로서는, 예를 들어, BaTiO₃, CaTiO₃, SrTiO₃, CaZrO₃ 등의 주성분으로 이루어지는 유전체 세라믹을 사용할 수 있다. 또한, 이들 주성분에 Mn 화합물, Fe 화합물, Cr 화합물, Co 화합물, Ni 화합물 등의 부성분을 첨가한 것을 사용해도 좋다. 또한, 세라믹 소체(12)의 세라믹층(14)의 두께는, 예를 들어, 0.5 ㎛ 내지 10㎛로 할 수 있다.As the ceramic material of the ceramic layer 14 of the ceramic element 12, for example, BaTiO _3, CaTiO _3, SrTiO _3, may be formed of the dielectric ceramic as a main component, such as CaZrO _3. It is also possible to use those obtained by adding a subcomponent such as a Mn compound, an Fe compound, a Cr compound, a Co compound, or a Ni compound to these main components. The thickness of the ceramic layer 14 of the ceramic body 12 may be, for example, 0.5 to 10 占 퐉.

세라믹 소체(12)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 대략 직사각 형상의 복수의 제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)이, 세라믹 소체(12)의 두께 방향을 따라서 등간격으로 교대로 배치되도록 매설되어 있다.A plurality of first and second internal electrodes 16a and 16b having a substantially rectangular shape for example are formed in the ceramic body 12 along the thickness direction of the ceramic body 12, So that they are alternately arranged at regular intervals.

제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)의 일단부에는, 세라믹 소체(12)의 제1 및 제2 단부면(12e, 12f)에 노출된 노출부(18a, 18b)를 갖는다. 구체적으로는, 제1 내부 전극(16a)의 일단부의 노출부(18a)는 세라믹 소체(12)의 제1 단부면(12e)에 노출되어 있다. 또한, 제2 내부 전극(16b)의 일단부의 노출부(18b)는 세라믹 소체(12)의 제2 단부면(12f)에 노출되어 있다.One end of each of the first and second internal electrodes 16a and 16b has exposed portions 18a and 18b exposed on the first and second end faces 12e and 12f of the ceramic body 12. [ Specifically, the exposed portion 18a at one end of the first internal electrode 16a is exposed to the first end face 12e of the ceramic body 12. [ The exposed portion 18b at one end of the second internal electrode 16b is exposed to the second end face 12f of the ceramic body 12. [

또한, 제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)의 각각은, 세라믹 소체(12)의 제1 및 제2 주면(12a, 12b)과 평행하다. 또한, 제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)은 세라믹 소체(12)의 두께 방향에서, 세라믹층(14)을 개재하여, 서로 대향하고 있다.Each of the first and second internal electrodes 16a and 16b is parallel to the first and second main surfaces 12a and 12b of the ceramic body 12. [ The first and second internal electrodes 16a and 16b are opposed to each other with the ceramic layer 14 interposed therebetween in the thickness direction of the ceramic body 12. [

제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)의 각각의 두께는, 예를 들어, 0.2 ㎛ 내지 2㎛로 할 수 있다. 그러나, 제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)의 각각의 두께도, 특별히 한정되지 않는다.The thickness of each of the first and second internal electrodes 16a and 16b may be, for example, 0.2 탆 to 2 탆. However, the thickness of each of the first and second internal electrodes 16a and 16b is not particularly limited.

제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)은, 예를 들어 비금속인 Ni를 도전성 재료로서 포함하고 있다. 또한, 제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)은, 예를 들어, Ni, Cu, Ag, Pd, Au 등의 금속이나, 이들 금속의 1종을 포함하는 예를 들어 Ag-Pd 합금 등의 합금에 의해 구성할 수 있다.The first and second internal electrodes 16a and 16b include, for example, Ni, which is a non-metal, as a conductive material. The first and second internal electrodes 16a and 16b may be formed of a metal such as Ni, Cu, Ag, Pd or Au or an Ag-Pd alloy containing one of these metals And the like.

세라믹 소체(12)의 제1 및 제2 단부면(12e, 12f)측에는, 제1 및 제2 외부 전극(20a, 20b)이 각각 형성되어 있다.First and second external electrodes 20a and 20b are formed on the first and second end faces 12e and 12f side of the ceramic body 12, respectively.

제1 외부 전극(20a)은 세라믹 소체(12)의 제1 단부면(12e)으로부터 제1 및 제2 주면(12a, 12b)과 제1 및 제2 측면(12c, 12d)에 걸쳐서 형성되어 있다. 이 경우, 제1 외부 전극(20a)은, 제1 내부 전극(16a)의 노출부(18a)와 전기적으로 접속된다.The first external electrode 20a is formed from the first end face 12e of the ceramic body 12 to the first and second main faces 12a and 12b and the first and second side faces 12c and 12d . In this case, the first external electrode 20a is electrically connected to the exposed portion 18a of the first internal electrode 16a.

또한, 제2 외부 전극(20b)은 세라믹 소체(12)의 제2 단부면(12f)으로부터 제1 및 제2 주면(12a, 12b)과 제1 및 제2 측면(12c, 12d)에 걸쳐서 형성되어 있다. 이 경우, 제2 외부 전극(20b)은, 제2 내부 전극(16b)의 노출부(18b)와 전기적으로 접속된다.The second external electrode 20b is formed from the second end face 12f of the ceramic body 12 to the first and second main faces 12a and 12b and the first and second side faces 12c and 12d . In this case, the second external electrode 20b is electrically connected to the exposed portion 18b of the second internal electrode 16b.

외부 전극(20a)은 세라믹 소체(12)측으로부터 순서대로, 소결 금속층(22a), 도전성 수지층(24a) 및 도금층(26a)을 구비한다. 마찬가지로, 외부 전극(20b)은 세라믹 소체(12)측으로부터 순서대로, 소결 금속층(22b), 도전성 수지층(24b) 및 도금층(26b)을 구비한다.The external electrode 20a includes a sintered metal layer 22a, a conductive resin layer 24a, and a plating layer 26a in this order from the ceramic body 12 side. Similarly, the external electrode 20b includes a sintered metal layer 22b, a conductive resin layer 24b, and a plating layer 26b in this order from the ceramic body 12 side.

소결 금속층(22a, 22b)은, 각각, 비금속인 Cu를 주성분으로서 함유하고 있고, 세라믹 소체(12)의 외표면에, 즉 제1 및 제2 단부면(12e, 12f) 등의 위에 형성되고, 제1 및 제2 내부 전극(16a, 16b)과 물리적 또한 전기적으로 접속된다. 소결 금속층(22a, 22b)은, 각각, Cu 분말 및 유리 분말을 함유하는 도전성 페이스트를 세라믹 소체(12)의 외표면에 도포해서 베이킹함으로써 형성되어 있다. 소결 금속층(22a, 22b)의 두께는, 각각, 예를 들어, 10㎛ 내지 30㎛이다.The sintered metal layers 22a and 22b each contain Cu as a main component and are formed on the outer surface of the ceramic body 12, that is, on the first and second end faces 12e and 12f, And is physically and electrically connected to the first and second internal electrodes 16a and 16b. The sintered metal layers 22a and 22b are formed by applying a conductive paste containing Cu powder and glass powder to the outer surface of the ceramic body 12 and baking them. The sintered metal layers 22a and 22b each have a thickness of, for example, 10 mu m to 30 mu m.

도전성 수지층(24a, 24b)은, 각각, 금속 입자를 도전성 재료로서 포함한다. 도전성 수지층(24a, 24b)은, 각각, 소결 금속층(22a, 22b) 상에, 소결 금속층(22a, 22b)을 덮도록 형성되어 있고, 금속 입자가 되는 Cu 또는 Ag의 제1 금속 분말과, 소정의 평균 입경을 갖는 제2 금속 분말과, 열경화성 수지의 혼합물을 가열해서 경화된 층이다.The conductive resin layers 24a and 24b each include metal particles as a conductive material. The conductive resin layers 24a and 24b are formed on the sintered metal layers 22a and 22b so as to cover the sintered metal layers 22a and 22b and are formed of a first metal powder of Cu or Ag, A second metal powder having a predetermined average particle diameter, and a thermosetting resin.

소결 금속층(22a, 22b)은 세라믹 소체(12)의 단부면에 도전 페이스트를 도포해서 베이킹함으로써 형성되지만, 이때, 도 3에 도시하는 바와 같이, 소결 금속층(22a, 22b)의 표면에는 복수의 오목부(25)가 형성된다. 소결 금속층(22a, 22b) 상에 도전성 수지층(24a, 24b)을 형성한 경우, 소결 금속층(22a, 22b)의 표면의 오목부(25)에 도전성 수지층(24a, 24b)을 구성하는 도전성 수지가 인입되는 경우와 인입되지 않는 경우가 있다. 즉, 오목부(25)는 도전성 수지가 인입된 오목부(25a)와 도전성 수지가 인입되어 있지 않은 공극 오목부(25b)를 포함한다. 소결 금속층(22a, 22b)의 오목부(25)에 도전성 수지가 인입되면, 앵커 효과에 의해 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b)의 고착 강도를 강하게 할 수 있다. 따라서, 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b)의 박리를 방지하기 위해서는, 도전성 수지가 인입되어 있지 않은 공극 오목부(25b)를 적게 하는 것이 바람직하다.The sintered metal layers 22a and 22b are formed by applying a conductive paste to the end face of the ceramic body 12 and baking. At this time, as shown in Fig. 3, A portion 25 is formed. When the conductive resin layers 24a and 24b are formed on the sintered metal layers 22a and 22b, the concave portions 25 on the surfaces of the sintered metal layers 22a and 22b have conductivity There is a case in which the resin is drawn in and a case in which the resin is not drawn in. That is, the concave portion 25 includes the concave portion 25a into which the conductive resin is drawn, and the concave portion 25b in which the conductive resin is not drawn. The adhesive strength between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b can be strengthened by the anchor effect when the conductive resin is drawn into the recessed portions 25 of the sintered metal layers 22a and 22b. Therefore, in order to prevent peeling of the sintered metal layers 22a, 22b and the conductive resin layers 24a, 24b, it is preferable to reduce the void recess 25b in which the conductive resin is not drawn.

소결 금속층(22a, 22b)의 표면의 오목부(25)의 관찰은, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분의 단면, 즉 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이 방향 및 두께 방향으로 이루어지는 면이며, 폭 방향의 중앙부까지 연마함으로써 노출시킨 단면이 사용된다. 이때, 연마 불균일 등이 생기지 않도록 표면 처리가 행해져, SEM을 사용해서, 배율 1000배로 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b)의 계면이 관찰된다. 오목부(25)는 소결 금속층측에 설치되어 있고, 도전성 수지층(24a, 24b)측에 개구되어 있다. 여기서 오목부(25)란, 오목부 내부의 내경 치수 d2는, 오목부의 입구 개구 치수 d1보다 큰 상태를 가리킨다. 또한, 그 내부에는 도전성 수지가 인입되어 있다. 또한, 내부 치수 d2는, 개구 치수 d1의 방향과 평행한 방향에서의, 오목부의 최대 치수라고 정의된다. 그리고, 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b) 사이에 강한 고착 강도를 얻기 위해서는, 계면의 길이 70㎛의 범위에서의 도전성 수지가 오목부(25a)의 수가 2개 이상인 것이 바람직하다. 이때, 오목부(25a)의 구경은 소결 금속층(22a, 22b)의 단면에서 볼 때, 1㎛ 내지 3㎛인 것이 바람직하다. 또한, 폭 방향 또는 두께 방향의 5개소 이상 계면에서, 오목부(25a)가 있는 것이 바람직하다.The concave portion 25 on the surface of the sintered metal layers 22a and 22b is observed by the cross section of the central portion in the width direction of the multilayer ceramic capacitor 10, And a cross section exposed by polishing to the central portion in the width direction is used. At this time, surface treatment is performed so as not to cause polishing unevenness, and the interface between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b is observed at a magnification of 1000 times using an SEM. The concave portion 25 is provided on the sintered metal layer side and is opened to the side of the conductive resin layers 24a and 24b. Here, the recess 25 refers to a state in which the inner diameter dimension d2 of the inside of the recess is larger than the inlet opening dimension d1 of the recess. Further, a conductive resin is drawn into the inside. The internal dimension d2 is defined as the maximum dimension of the recess in the direction parallel to the direction of the opening dimension d1. In order to obtain a strong adhesion strength between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b, it is preferable that the number of the concave portions 25a in the range of the interface length of 70 mu m is 2 or more desirable. At this time, it is preferable that the diameter of the concave portion 25a is 1 占 퐉 to 3 占 퐉 as viewed from the cross section of the sintered metal layers 22a and 22b. In addition, it is preferable that the concave portion 25a is present at the interface at five or more positions in the width direction or the thickness direction.

또한, 오목부(25)의 크기로서는, 상기 계면 방향을 따라서, 구경과 깊이로 정의된다. 여기서, 오목부(25)의 깊이로서는, 3㎛ 내지 5㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이 수치 이외에서는, 앵커 효과를 얻는 것이 어렵다.The size of the concave portion 25 is defined as a diameter and depth along the interface direction. Here, the depth of the concave portion 25 is preferably in the range of 3 탆 to 5 탆. Outside of this number, it is difficult to obtain an anchor effect.

도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자는, 편평 형상의 편평 입자와 구형 형상의 구형 입자를 포함한다. 금속 입자가 편평 형상인지 구형 형상인지에 대해서는, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분의 단면이며 도전성 수지층(24a, 24b)의 단면을 관찰하고, 도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자에 있어서 짧은 변에 대한 긴 변의 비율이 5/1 이상인 금속 입자를 편평 입자로 간주하고, 짧은 변에 대한 긴 변의 비율이 5/1 미만인 금속 입자를 구형 입자로 간주하고 있다. 도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자의 편평 입자는 외부 전극(20a, 20b)에 가해지는 응력을 완화하고, 도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자의 구형 입자는 전기적 접속을 담보한다.The metal particles contained in the conductive resin layers 24a and 24b include flat particles of a flat shape and spherical particles of a spherical shape. The cross section of the central portion in the width direction of the multilayer ceramic capacitor 10 and the cross section of the conductive resin layers 24a and 24b are observed and the conductive resin layers 24a and 24b are observed, Metal particles having a ratio of long sides to short sides of 5/1 or more are regarded as flat particles and metal particles having a ratio of long sides to short sides of less than 5/1 are regarded as spherical particles. The flat particles of the metal particles contained in the conductive resin layers 24a and 24b relax the stress applied to the outer electrodes 20a and 20b and the spherical particles of the metal particles contained in the conductive resin layers 24a and 24b are electrically Secure connection.

또한, 도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자의 편평 입자의 수에 대한 구형 입자의 수의 비율은, 3/7 내지 7/3이다. 그 비율에 대해서는, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분의 단면이며 도전성 수지층(24a, 24b)을 포함하는 단면을 관찰하고, 도전성 수지층(24a, 24b)의 단면에 있어서의 편평 입자의 수에 대한 구형상 입자의 수의 비율을, 편평 입자의 수에 대한 구형 입자의 수의 비율로 간주하고 있다.The ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles of the metal particles contained in the conductive resin layers 24a and 24b is 3/7 to 7/3. The cross section of the central portion in the width direction of the multilayer ceramic capacitor 10 and the cross section including the conductive resin layers 24a and 24b are observed and the ratio of the cross section of the conductive resin layers 24a and 24b The ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles is regarded as the ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles.

상술한 바와 같이 관찰되는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분의 단면은, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이 방향 및 두께 방향으로 이루어지는 면이며, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 수지로 단단히 하고, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분까지 내부 전극(16a, 16b) 및 외부 전극(20a, 20b)을 포함하는 부분에서 연마함으로써 노출시킨 단면을 사용한다. 또한, 연마 불균일 등이 생기지 않도록, 단면에 표면 처리를 행하고, SEM을 사용해서, 예를 들어 배율 1000배로 도전성 수지층(24a, 24b)의 단면을 관찰한다. 도 4는, 그 단면을 나타내는 부분 확대도이다.The cross section of the central portion in the width direction of the multilayer ceramic capacitor 10 observed as described above is a surface in the longitudinal direction and the thickness direction of the multilayer ceramic capacitor 10 and the multilayer ceramic capacitor 10 is made of resin And exposed to the central portion in the width direction of the multilayer ceramic capacitor 10 by polishing at a portion including the internal electrodes 16a and 16b and the external electrodes 20a and 20b. In addition, surface treatment is performed on the end face so as to prevent polishing unevenness and the like, and the cross section of the conductive resin layers 24a and 24b is observed, for example, at a magnification of 1000 times using an SEM. 4 is a partially enlarged view showing a section thereof.

도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자의 편평 입자의 수에 대한 구형 입자의 수의 비율을 3/7 내지 7/3으로 하는 것은, 그 비율이 7/3보다 큰 경우, 편평 입자의 수가 적고, 구형 입자의 수가 많은 상태이며, 전기적 접속은 확보할 수 있지만, 응력 완화가 충분히 행할 수 없어, 휨 응력에 대해 세라믹 소체에 균열이 생겨 버리기 쉽기 때문이다. 한편, 그 비율이 3/7보다 작은 경우, 편평 입자의 수가 많고, 구형 입자의 수가 적은 상태이며, 응력 완화를 행할 수 있지만, 전기적 접속을 확보할 수 없어 등가 직렬 저항이 증대하게 되기 때문이다.The ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles of the metal particles contained in the conductive resin layers 24a and 24b is set to 3/7 to 7/3 in the case where the ratio is larger than 7/3, The number of spherical particles is large and the number of spherical particles is large and electrical connection can be ensured. However, stress relaxation can not be sufficiently performed, and cracks tend to be generated in the ceramic body with respect to the bending stress. On the other hand, when the ratio is smaller than 3/7, the number of flat particles is small, the number of spherical particles is small, stress relaxation can be performed, but electrical connection can not be ensured and the equivalent series resistance is increased.

도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 제2 금속 분말로서, 비금속의 Ni 또는 Sn이 사용되고 있다. 제2 금속 분말의 형상은, 구형상, 인편 형상 등의 어느 쪽의 형상이어도 좋고, 평균 입경이 10㎛ 내지 50㎚ 정도이고, 매우 미소하다.As the second metal powder contained in the conductive resin layers 24a and 24b, Ni or Sn of a nonmetal is used. The shape of the second metal powder may be either spherical or flaky, and the average particle diameter is about 10 to 50 nm, which is very small.

도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 열경화성 수지로서는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 페놀 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다.The thermosetting resin contained in the conductive resin layers 24a and 24b is not particularly limited, and for example, a phenol resin, an acrylic resin, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like can be used.

외부 전극(20a)에 있어서, 소결 금속층(22a)과 도전성 수지층(24a)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 그 계면에서 소결 금속층(22a)의 표면에 유리가 존재하고, 그 계면을 따른 유리의 길이를 L1로 하고, 그 계면을 따른 소결 금속층(22a)의 유리 이외의 금속 부분의 길이를 L2로 한 경우, L1/L2가 0.2 이상 1.5 이하이다. 마찬가지로, 외부 전극(20b)에 있어서, 소결 금속층(22b)과 도전성 수지층(24b)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 그 계면에서 소결 금속층(22b)의 표면에 유리가 존재하고, 그 계면을 따른 유리의 길이를 L1로 하고, 그 계면을 따른 소결 금속층(22b)의 유리 이외의 금속 부분의 길이를 L2로 한 경우, L1/L2가 0.2 이상 1.5 이하이다.When the cross section including the interface between the sintered metal layer 22a and the conductive resin layer 24a is seen in the external electrode 20a, glass exists on the surface of the sintered metal layer 22a at the interface, When the length of the glass is L1 and the length of the metal portion other than the glass of the sintered metal layer 22a along the interface is L2, L1 / L2 is 0.2 or more and 1.5 or less. Likewise, when the cross section including the interface between the sintered metal layer 22b and the conductive resin layer 24b is seen in the external electrode 20b, glass exists on the surface of the sintered metal layer 22b at the interface, L2 is equal to or greater than 0.2 and equal to or less than 1.5 when the length of the glass along the interface of the sintered metal layer 22b is L2 and the length of the metal portion other than the glass of the sintered metal layer 22b along the interface is L2.

이와 같이 관찰되는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 단면은, 상술한 단면과 마찬가지로, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이 방향 및 두께 방향으로 이루어지는 면이며, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 수지로 단단히 하고, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분까지 내부 전극(16a, 16b) 및 외부 전극(20a, 20b)을 포함하는 부분에서 연마함으로써 노출시킨 단면을 사용한다. 또한, 상술한 경우와 마찬가지로, 연마 불균일 등이 생기지 않도록, 단면에 표면 처리를 행하고, SEM을 사용해서, 예를 들어 배율 1000배로 외부 전극(20a, 20b)의 단면을 관찰한다. 도 4는, 그 단면을 나타내는 부분 확대도이다.The cross-section of the multilayer ceramic capacitor 10 observed in this way is a surface in the longitudinal direction and the thickness direction of the multilayer ceramic capacitor 10 as in the above-mentioned cross section, and the multilayer ceramic capacitor 10 is made of resin, A section that is exposed by polishing at a portion including the internal electrodes 16a and 16b and the external electrodes 20a and 20b to the center portion in the width direction of the ceramic capacitor 10 is used. As in the case described above, surface treatment is performed on the end face so as not to cause polishing unevenness, and the cross section of the external electrodes 20a and 20b is observed, for example, at a magnification of 1000 times using an SEM. 4 is a partially enlarged view showing a section thereof.

외부 전극(20a, 20b)에 있어서, 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 그 계면에서 소결 금속층(22a, 22b)의 표면에 유리가 존재하고, 그 계면을 따른 유리의 길이를 L1로 하고, 그 계면을 따른 소결 금속층(22a, 22b)의 유리 이외의 금속 부분의 길이를 L2로 한 경우, L1/L2가 0.2 이상 1.5 이하인 것으로 하는 것은, L1/L2가 1.5보다 큰 경우, 그 계면에서 유리가 많아지고, 소결 금속층(22a, 22b) 및 도전성 수지층(24a, 24b) 사이의 저항값이 크게 되어 버리기 때문이다. 한편, L1/L2가 0.2 보다 작은 경우, 소결 금속층(22a, 22b) 중의 유리가 적어져, 소결 금속층(22a, 22b)과 세라믹 소체(12)의 고착 강도가 약해져 버리기 때문이다.In the case where the cross section including the interface between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b is seen in the external electrodes 20a and 20b, L1 / L2 is 0.2 or more and 1.5 or less when the length of the glass along the interface is L1 and the length of the metal portion of the sintered metal layers 22a, 22b along the interface is other than L2 This is because when the ratio L1 / L2 is larger than 1.5, the glass becomes larger at the interface, and the resistance value between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b becomes larger. On the other hand, when L1 / L2 is smaller than 0.2, the glass in the sintered metal layers 22a and 22b becomes smaller and the bonding strength between the sintered metal layers 22a and 22b and the ceramic sintered body 12 becomes weak.

또한, 소결 금속층(22a, 22b)과 세라믹 소체(12)의 고착 강도를 올리기 위해서는, 일정량 이상의 유리를 소결 금속층(22a, 22b)에 포함시킬 필요가 있고, 그 경우, 세라믹 소체(12)에 소결 금속층(22a, 22b)을 베이킹했을 때, 유리가 소결 금속층(22a, 22b)의 표면에 석출된다. 즉, 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b)의 계면에 유리가 석출되어 있고, 그 계면을 따른 유리의 길이는, 10㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 그 유리의 길이가 10㎛ 미만인 경우, 충분한 유리가 포함되어 있지 않다고 하는 것이며, 소결 금속층(22a, 22b)과 세라믹 소체(12) 사이의 고착 강도가 약해진다. 또한, 그 유리의 길이가 30㎛를 초과하는 경우, 소결 금속층(22a, 22b)의 도체와 도전성 수지층(24a, 24b)의 도체 사이의 접촉 면적을 확보할 수 없으므로, 그들 사이의 저항값이 높아져, 결과적으로, 등가 직렬 저항이 높아지는 경향이 있다. In order to increase the bonding strength between the sintered metal layers 22a and 22b and the ceramic sintered body 12, it is necessary to include a predetermined amount or more of glass in the sintered metal layers 22a and 22b. In this case, When the metal layers 22a and 22b are baked, the glass is deposited on the surfaces of the sintered metal layers 22a and 22b. That is, the glass is precipitated at the interface between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b, and the length of the glass along the interface is preferably 10 mu m or more and 30 mu m or less. When the length of the glass is less than 10 mu m, sufficient glass is not contained, and the bonding strength between the sintered metal layers 22a, 22b and the ceramic body 12 is weakened. If the length of the glass is more than 30 mu m, the contact area between the conductors of the sintered metal layers 22a and 22b and the conductors of the conductive resin layers 24a and 24b can not be ensured, And as a result, the equivalent series resistance tends to increase.

도금층(26a)은 Ni 도금층(28a) 및 Sn 도금층(30a)을 포함한다. 마찬가지로, 도금층(26b)은 Ni 도금층(28b) 및 Sn 도금층(30b)을 포함한다.The plating layer 26a includes a Ni plating layer 28a and a Sn plating layer 30a. Similarly, the plating layer 26b includes a Ni plating layer 28b and a Sn plating layer 30b.

Ni 도금층(28a, 28b)은 도전성 수지층(24a, 24b) 등의 표면을 Ni로 전해 도금 처리함으로써 형성되어 있고, 각각의 두께는, 예를 들어, 1㎛ 내지 5㎛이다. Ni 도금층(28a, 28b)은 배리어층으로서 기능한다.The Ni plating layers 28a and 28b are formed by electrolytically plating the surfaces of the conductive resin layers 24a and 24b with Ni and have a thickness of, for example, 1 m to 5 m. The Ni plating layers 28a and 28b function as a barrier layer.

여기서, 도전성 수지층(24a, 24b)은 소결 금속층(22a, 22b) 상에 도전성 수지를 도포해서 열경화시킴으로써 형성된다. 이때, 도전성 수지의 경화 조건을 조정함으로써, 도전성 수지층(24a, 24b)의 표면에 복수의 오목부를 형성할 수 있다. 또한, 도전성 수지층(24a, 24b)을 형성한 후, 샌드 블라스트 등의 물리적 외력을 가함으로써, 도전성 수지층(24a, 24b)의 표면에 오목부를 형성해도 좋다.Here, the conductive resin layers 24a and 24b are formed by applying a conductive resin on the sintered metal layers 22a and 22b and thermally curing them. At this time, by adjusting the curing conditions of the conductive resin, a plurality of recesses can be formed on the surface of the conductive resin layers 24a and 24b. After the conductive resin layers 24a and 24b are formed, a concave portion may be formed on the surfaces of the conductive resin layers 24a and 24b by applying a physical external force such as a sand blast or the like.

오목부가 형성된 도전성 수지층(24a, 24b) 상에, Ni 도금층(28a, 28b)이 형성된다. 이때, 도전성 수지층(24a, 24b)의 표면에 오목부가 형성되어 있으므로, 도 5에 도시하는 바와 같이, 오목부 내에 Ni 도금층(28a, 28b)이 인입되고, Ni 도금층(28a, 28b)으로부터 도전성 수지층(24a, 24b)측으로 연장되는 볼록부(29)가 도전성 수지층과 도금층의 계면에 형성된다. 이때, 도전성 수지층(24a, 24b)의 표면의 Ni 도금층(28a, 28b)으로부터 도전성 수지층(24a, 24b)의 오목부 내에 돌출된 볼록부(29)의 깊이는 1.0㎛ 내지 7.0㎛의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 볼록부(29)는 계면의 길이 80㎛의 범위에서, 2개 이상인 볼록부(29)의 깊이가 1.0㎛ 미만인 경우, Ni 도금층(28a, 28b)의 도전성 수지층(24a, 24b)에의 침투가 충분하지 않고, 충분한 앵커 효과를 얻을 수 없다. 또한, 볼록부(29)의 깊이가 7.0㎛를 초과하는 경우, Ni 도금이 도전성 수지층(24a, 24b)에 취해져 버리고, Ni 도금층(28a, 28b)의 표면이 오목해져, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 기판에의 실장성이 나빠진다. 이와 같은 오목부를 해소하기 위해서는, Ni 도금을 충분히 두껍게 하는 것을 생각할 수 있지만, 도금 두께를 두껍게 하기 위해서는 도금 시간을 길게 할 필요가 있어, 생산 효율상 바람직하지 않다. 또한, 폭 방향 또는 두께 방향에서 본 경우, 3개소 이상의 계면에서, 볼록부(29)가 있는 것이 바람직하다.Ni plating layers 28a and 28b are formed on the conductive resin layers 24a and 24b on which the concave portions are formed. 5, the Ni plating layers 28a and 28b are drawn into the recesses, and the Ni plating layers 28a and 28b are electrically connected to each other through the conductive resin layers 24a and 24b. A convex portion 29 extending toward the resin layers 24a and 24b is formed at the interface between the conductive resin layer and the plating layer. At this time, the depth of the convex portions 29 projecting from the Ni plating layers 28a and 28b on the surfaces of the conductive resin layers 24a and 24b into the concave portions of the conductive resin layers 24a and 24b is in the range of 1.0 mu m to 7.0 mu m . The convex portions 29 are formed so that the penetration of the Ni plating layers 28a and 28b into the conductive resin layers 24a and 24b is smaller than that of the concave portions 29 having a depth of less than 1.0 mu m It is not sufficient and sufficient anchor effect can not be obtained. When the depth of the convex portion 29 exceeds 7.0 占 퐉, Ni plating is taken on the conductive resin layers 24a and 24b and the surfaces of the Ni plating layers 28a and 28b are recessed to form the multilayer ceramic capacitor 10 ) On the substrate is deteriorated. In order to solve such a concave portion, it is conceivable to make the Ni plating sufficiently thick. However, in order to increase the plating thickness, it is necessary to lengthen the plating time, which is not preferable in terms of production efficiency. When viewed in the width direction or the thickness direction, it is preferable that the convex portions 29 are provided at three or more interfaces.

또한, Ni 도금층(28a, 28b)으로부터 도전성 수지층(24a, 24b)측으로 연장되는 볼록부(29)는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 단면에서 관찰된다. 단면은 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이 방향 및 두께 방향으로 이루어지는 면이며, 폭 방향 중앙부까지 연마함으로써 노출시킨 단면이 사용된다. 또한, 연마 불균일 등이 생기지 않도록, 표면 처리를 행하고, SEM을 사용해서, 배율 1000배로 도전성 수지층(24a, 24b)과 Ni 도금층(28a, 28b)의 계면이 관찰된다. 여기서, 볼록부(29)의 크기는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 볼록부(29)의 양측의 Ni 도금층면으로부터 측정한 볼록부(29)의 깊이 중 큰 쪽의 값으로 한다.The convex portions 29 extending from the Ni plating layers 28a and 28b to the conductive resin layers 24a and 24b are observed on the cross section of the multilayer ceramic capacitor 10. [ The cross section is a surface made in the longitudinal direction and the thickness direction of the multilayer ceramic capacitor 10, and a cross section exposed by polishing to the center in the width direction is used. In addition, surface treatment is performed so as not to cause polishing unevenness, and the interface between the conductive resin layers 24a and 24b and the Ni plating layers 28a and 28b is observed at a magnification of 1000 times using an SEM. Here, the size of the convex portion 29 is set to a larger value than the depth of the convex portion 29 measured from the Ni plating layer side on both sides of the convex portion 29, as shown in Fig.

또한, Sn 도금층(30a, 30b)은 Ni 도금층(28a, 28b)의 표면을 Sn으로 전해 도금 처리함으로써 형성되어 있고, 각각의 두께는, 예를 들어, 1㎛ 내지 5㎛이다. Sn 도금층(30a, 30b)은 납땜성을 향상시키도록 기능한다.The Sn plating layers 30a and 30b are formed by electrolytically plating the surfaces of the Ni plating layers 28a and 28b with Sn and have a thickness of, for example, 1 탆 to 5 탆. The Sn plating layers 30a and 30b function to improve the solderability.

외부 전극(20a)에 있어서, 도전성 수지층(24a)과 도금층(26a)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 도전성 수지층(24a)으로부터 금속 입자가 노출되어 있는 수는, 도전성 수지층(24a)과 도금층(26a)의 계면의 길이 1㎜당 50개 내지 250개이다. 마찬가지로, 외부 전극(20b)에 있어서, 도전성 수지층(24b)과 도금층(26b)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 도전성 수지층(24b)으로부터 금속 입자가 노출되어 있는 수는, 도전성 수지층(24b)과 도금층(26b)의 계면의 길이 1㎜당 50개 내지 250개이다.When the cross section including the interface between the conductive resin layer 24a and the plating layer 26a is seen in the external electrode 20a, the number of the metal particles exposed from the conductive resin layer 24a is equal to the number of the conductive resin layer 24a ) And the plating layer 26a is 50 to 250 per 1 mm of the interface length. Likewise, when the cross section including the interface between the conductive resin layer 24b and the plating layer 26b is viewed in the external electrode 20b, the number of the metal particles exposed from the conductive resin layer 24b is, 50 to 250 per 1 mm length of the interface between the plating layer 24b and the plating layer 26b.

이와 같이 관찰되는 적층 세라믹 콘덴서(10)의 단면은, 상술한 단면과 마찬가지로, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이 방향 및 두께 방향으로 이루어지는 면이며, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 수지로 단단히 하고, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 폭 방향에서의 중앙 부분까지 내부 전극(16a, 16b) 및 외부 전극(20a, 20b)을 포함하는 부분에서 연마함으로써 노출시킨 단면을 사용한다. 또한, 상술한 경우와 마찬가지로, 연마 불균일 등이 생기지 않도록, 단면에 표면 처리를 행하고, SEM을 사용해서, 예를 들어 배율 1000배로 도전성 수지층(24a, 24b)의 단면을 관찰한다. 도 4는, 그 단면을 나타내는 부분 확대도이다.The cross-section of the multilayer ceramic capacitor 10 observed in this way is a surface in the longitudinal direction and the thickness direction of the multilayer ceramic capacitor 10 as in the above-mentioned cross section, and the multilayer ceramic capacitor 10 is made of resin, A section that is exposed by polishing at a portion including the internal electrodes 16a and 16b and the external electrodes 20a and 20b to the center portion in the width direction of the ceramic capacitor 10 is used. In the same manner as described above, surface treatment is performed on the end face so as not to cause polishing unevenness, and the cross section of the conductive resin layers 24a and 24b is observed, for example, at a magnification of 1000 times using an SEM. 4 is a partially enlarged view showing a section thereof.

외부 전극(20a, 20b)에 있어서, 도전성 수지층(24a, 24b)과 도금층(26a, 26b)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 도전성 수지층(24a, 24b)으로부터 금속 입자가 노출되어 있는 수를, 도전성 수지층(24a, 24b)과 도금층(26a, 26b)의 계면의 길이 1㎜당 50개 내지 250개로 하는 것은, 그 수가 50개보다 적은 경우, 노출되어 있는 적은 금속 입자에 전해 집중이 발생하고, 물이 전기 분해되고, 수소가 발생하고, 이 수소에 의해 도금층(26a, 26b)에 결손이 생겨 버리는 경우가 있기 때문이다. 한편, 그 수가 250개보다 많은 경우, 도전성 수지층(24a, 24b) 중의 수지의 양이 적어져, 적층 세라믹 콘덴서(10)가 기판에 실장되어 있는 경우에 기판의 휨에 대해 적층 세라믹 콘덴서(10)가 강도적으로 약해져 버리는 경우가 있기 때문이다.When the cross section including the interface between the conductive resin layers 24a and 24b and the plating layers 26a and 26b is observed in the external electrodes 20a and 20b, metal particles are exposed from the conductive resin layers 24a and 24b The number of the conductive particles is set to 50 to 250 per 1 mm in the length of the interface between the conductive resin layers 24a and 24b and the plating layers 26a and 26b. If the number is less than 50, Water is electrolyzed, hydrogen is generated, and there is a possibility that the plating layer 26a or 26b is defected by the hydrogen. On the other hand, when the number is larger than 250, the amount of the resin in the conductive resin layers 24a and 24b is reduced, and when the multilayer ceramic capacitor 10 is mounted on the substrate, the multilayer ceramic capacitor 10 Is sometimes weakened in strength.

이 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 예를 들어, 길이 L이 1㎜, 폭 W가 0.5㎜, 두께 T가 0.15㎜의 대략 직육면체 형상으로 형성되어 있다.The multilayer ceramic capacitor 10 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having, for example, a length L of 1 mm, a width W of 0.5 mm, and a thickness T of 0.15 mm.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 내부 전극(16a, 16b)은 층형상이며, 세라믹 소체(12)의 주면(12a, 12b)끼리를 연결하는 방향으로 적층되어 있다.In the multilayer ceramic capacitor 10, the internal electrodes 16a and 16b are layered and stacked in a direction connecting the main surfaces 12a and 12b of the ceramic body 12. [

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 외부 전극(20a, 20b)을, 세라믹 소체(12)의 가장 주면(12a, 12b)측에 배치된 내부 전극(16a, 16b)의 위치에서, 내부 전극(16a, 16b)의 적층 방향에서 세라믹 소체(12)의 제1 주면(12a)측으로부터 순서대로, 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역의 3개의 영역으로 분할한 경우, 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 영역 및 제3 영역에서, 세라믹 소체(12)의 주면(12a, 12b)의 위치의 외부 전극(20a, 20b)의 두께를 T0으로 하고, 세라믹 소체(12)의 가장 주면(12a, 12b)측에 배치된 내부 전극(16a, 16b)의 위치의 소결 금속층(22a, 22b)의 두께를 T1로 하고, 세라믹 소체(12)의 가장 주면(12a, 12b)측에 배치된 내부 전극(16a, 16b)의 위치의 외부 전극(20a, 20b)의 두께를 T2로 하고, 제2 영역에서, 외부 전극(20a, 20b)의 가장 두꺼운 두께를 T3으로 하고, 소결 금속층(22a, 22b)의 가장 두꺼운 두께를 T4로 하고, 세라믹 소체(12)의 제1 주면(12a) 또는 제2 주면(12b)에 형성된 부분의 두께를 T5로 한다. 그리고, 두께 T0과 두께 T2의 차를 t1로 하고, 두께 T0과 두께 T3의 차를 t2로 하면, t1>t2이며, t1 및 t2는, 각각, 10㎛ 이상 40㎛ 이하의 관계를 만족한다. 또한, 두께 T5는 두께 T3보다 두껍다. 또한, 외부 전극(20a, 20b) 등의 두께 T0, T1, T2, T3, T4는, 각각, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 길이 방향에서의 두께이며, 외부 전극(20a, 20b)의 두께 T5는, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 두께 방향에서의 두께이다.In the multilayer ceramic capacitor 10, the external electrodes 20a and 20b are arranged at positions of the internal electrodes 16a and 16b disposed on the side of the major surfaces 12a and 12b of the ceramic body 12, The first region, the second region, and the third region in this order from the side of the first main surface 12a of the ceramic body 12 in the stacking direction of the ceramic bodies 12a, The thickness of the external electrodes 20a and 20b at the positions of the main surfaces 12a and 12b of the ceramic body 12 is T0 in the first region and the third region, The thickness of the sintered metal layers 22a and 22b at the positions of the internal electrodes 16a and 16b disposed on the side of the ceramic main bodies 12a and 12b is T1 and the thickness of the sintered metal layers 22a and 22b disposed on the side of the major surfaces 12a and 12b of the ceramic body 12 The thickness of the external electrodes 20a and 20b at the positions of the internal electrodes 16a and 16b is T2 and the maximum thickness of the external electrodes 20a and 20b at the second region is T3, 22b) The thickness is T4 and the thickness of the portion formed on the first major surface 12a or the second major surface 12b of the ceramic body 12 is T5. When the difference between the thickness T0 and the thickness T2 is t1 and the difference between the thickness T0 and the thickness T3 is t2, t1 > t2, and t1 and t2 satisfy the relation of 10 mu m or more and 40 mu m or less. Further, the thickness T5 is thicker than the thickness T3. The thicknesses T0, T1, T2, T3 and T4 of the external electrodes 20a and 20b are respectively the thickness in the longitudinal direction of the multilayer ceramic capacitor 10 and the thicknesses T5 of the external electrodes 20a and 20b are And the thickness of the multilayer ceramic capacitor 10 in the thickness direction.

이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 금속 입자의 편평 입자의 수에 대한 구형 입자의 수의 비율이 3/7 내지 7/3이므로, 응력의 완화와 전기적 접속의 균형이 잡힌다. 그로 인해, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 양호한 내성과 함께 양호한 전기적 특성이 얻어진다.In this multilayer ceramic capacitor 10, since the ratio of the number of spherical particles to the number of flat particles of the metal particles contained in the conductive resin layers 24a and 24b is 3/7 to 7/3, The connection is balanced. As a result, in this multilayer ceramic capacitor 10, good electrical characteristics are obtained with good resistance.

또한, 이 적층 세라믹 컨덴서(10)에서는, 적층 세라믹 콘덴서(10)의 단면에 있어서의 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b)의 계면에서, 계면의 길이 70㎛의 범위에서의 공극 오목부의 수를 6개 이하로 함으로써, 소결 금속층(22a, 22b)과 도전성 수지층(24a, 24b) 사이의 밀착성을 크게 할 수 있다.In this multilayer ceramic capacitor 10, at the interface between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b on the cross section of the multilayer ceramic capacitor 10, The adhesion between the sintered metal layers 22a and 22b and the conductive resin layers 24a and 24b can be increased.

이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, L1/L2가 0.2 이상 1.5 이하이므로, 소결 금속층(24a, 24b) 및 도전성 수지층(24a, 24b) 사이의 저항값을 낮게 억제할 수 있음과 함께, 소결 금속층(24a, 24b)과 세라믹 소체(12)의 고착 강도가 충분하다. 그로 인해, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는 등가 직렬 저항을 낮게 억제할 수 있다.In this multilayer ceramic capacitor 10, the resistance value between the sintered metal layers 24a and 24b and the conductive resin layers 24a and 24b can be suppressed to be low because L1 / L2 is not less than 0.2 and not more than 1.5, (24a, 24b) and the ceramic body 12 are sufficient. Therefore, in the multilayer ceramic capacitor 10, the equivalent series resistance can be suppressed to a low level.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 도전성 수지층(24a, 24b)과 도금층(26a, 26b)의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 그 계면의 도전성 수지층(24a, 24b) 상에 그 계면의 길이 1㎜당 금속 입자가 50개 내지 250개 존재하고 있으므로, 금속 입자에 전해 집중이 일어나지 않으므로, 수소의 발생을 억제할 수 있고, 도금층(26a, 26b)의 결손을 방지할 수 있고, 게다가, 기판에 실장되어 있는 경우에 기판의 휨에 대해 강도적으로 충분하다.In the multilayer ceramic capacitor 10, when the cross section including the interface between the conductive resin layers 24a and 24b and the plating layers 26a and 26b is viewed, the conductive resin layers 24a and 24b Since 50 to 250 metal particles are present per 1 mm in the length of the interface, electrolytic concentration does not occur in the metal particles, so that generation of hydrogen can be suppressed and the plating layers 26a and 26b can be prevented from being defective, In addition, when mounted on a substrate, the substrate has sufficient strength against bending.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, Ni 도금층(28a, 28b)으로부터 도전성 수지층(24a, 24b)측을 향해 볼록부가 형성되어 있으므로, 앵커 효과에 의해, 도전성 수지층(24a, 24b)과 Ni 도금층(28a, 28b) 사이에서 박리가 발생하기 어렵다. 그로 인해, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 기판에 실장하기 위해 리플로우 납땜을 행해도, 도전성 수지층(24a, 24b)에 포함되는 수분이 분출되지 않아, 땜납의 튐을 방지할 수 있다.In the multilayer ceramic capacitor 10, since the convex portions are formed from the Ni plating layers 28a and 28b toward the conductive resin layers 24a and 24b, the conductive resin layers 24a and 24b and And peeling is unlikely to occur between the Ni plating layers 28a and 28b. Therefore, even if reflow soldering is performed to mount the multilayer ceramic capacitor 10 on the substrate, moisture contained in the conductive resin layers 24a and 24b is not sputtered, and solder can be prevented from being scattered.

이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, t1>t2이며, t1 및 t2는, 각각, 10㎛ 이상 40㎛ 이하의 관계를 만족한다.In this multilayer ceramic capacitor 10, t1 > t2 and t1 and t2 satisfy the relationship of 10 mu m or more and 40 mu m or less, respectively.

그로 인해, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 외부 전극(20a, 20b)은 중앙부를 향해 두껍게 부풀어 오르는 형상으로 되어 있지만, 중앙부에서의 팽창량은 외층 부근의 팽창량에 비해 완만하게 되어 있다.Therefore, in the multilayer ceramic capacitor 10, the external electrodes 20a and 20b are formed to be thickly swollen toward the central portion, but the expansion amount at the central portion is gentler than the expansion amount in the vicinity of the external layer.

따라서, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 외부 전극(20a, 20b)을 얇고 평탄하게 형성할 수 있으므로, 등가 직렬 저항을 낮게 억제할 수 있다.Therefore, in the multilayer ceramic capacitor 10, the external electrodes 20a and 20b can be formed thin and flat, so that the equivalent series resistance can be suppressed to a low level.

또한, 적층 세라믹 콘덴서(10)에 있어서, 외부 전극(20a, 20b)의 팽창량이 지나치게 많아지면, 외부 전극(20a, 20b)이 두꺼워져, 등가 직렬 저항이 상승해버린다.In addition, in the multilayer ceramic capacitor 10, if the expansion amounts of the external electrodes 20a and 20b are excessively large, the external electrodes 20a and 20b become thick, and the equivalent series resistance rises.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 적층 세라믹 콘덴서(10)가 실장 기판에 실장되었을 때에, 인장 응력이 세라믹 소체(12)의 양단부의 외부 전극(20a, 20b)에 가해지지만, 외부 전극(20a, 20b)이 중앙부를 향해 팽창되어 있으므로, 응력을 완화하기 쉽다.In the multilayer ceramic capacitor 10, when the multilayer ceramic capacitor 10 is mounted on the mounting substrate, tensile stress is applied to the external electrodes 20a and 20b at both ends of the ceramic body 12, 20a, and 20b are expanded toward the central portion, the stress is easily alleviated.

또한, 적층 세라믹 콘덴서(10)에 있어서, 외부 전극(20a, 20b)이 완전히 평탄인 경우, 응력을 완화하기 어렵다.Further, in the multilayer ceramic capacitor 10, when the external electrodes 20a and 20b are completely flat, it is difficult to relax the stress.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 도전성 수지층(24a, 24b)의 금속 입자가 Cu 또는 Ag을 포함하므로, 도전성 수지층(24a, 24b)에 있어서 양호한 도전성이 확보된다.In this multilayer ceramic capacitor 10, since the metal particles of the conductive resin layers 24a and 24b contain Cu or Ag, good conductivity is ensured in the conductive resin layers 24a and 24b.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 소결 금속층(22a, 22b)이 Cu를 포함하므로, 소결 금속층(22a, 22b)에 있어서 양호한 도전성이 확보된다.In this multilayer ceramic capacitor 10, since the sintered metal layers 22a and 22b include Cu, good conductivity is ensured in the sintered metal layers 22a and 22b.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 도금층(26a, 26b)이 Ni 도금층(28a, 28b)을 포함하므로, Ni 도금층(28a, 28b)에 의해 도금층(26a, 26b)보다도 내부의 수분 등을 가둘 수 있고, 예를 들어 리플로우에 의한 실장 시에, 도금층(26a, 26b)보다도 내부의 수분 등이 땜납과 함께 외부로 튀는 땜납의 튐이 방지된다.Since the plating layers 26a and 26b include the Ni plating layers 28a and 28b in the multilayer ceramic capacitor 10, moisture and the like inside the plating layers 26a and 26b are formed by the Ni plating layers 28a and 28b For example, when the solder is mounted by reflow, moisture inside the plating layers 26a and 26b is prevented from leaking out of the solder together with the solder.

이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 외부 전극(20a, 20b)에 있어서, 세라믹 소체(12)의 제1 주면(12a) 또는 제2 주면(12b)에 형성된 부분의 두께 T5가 세라믹 소체(12)의 단부면(12e, 12f)에 형성된 부분의 두께 T3보다 두꺼우므로, 적층 세라믹 콘덴서(10)가 실장 기판에 실장되었을 때에, 실장 기판측의 외부 전극(20a, 20b)의 두께가 두꺼워지므로, 적층 세라믹 콘덴서(10)에 가해지는 응력을 완화하기 쉽다.In the multilayer ceramic capacitor 10, the thickness T5 of the portion formed on the first major surface 12a or the second major surface 12b of the ceramic body 12 in the external electrodes 20a, 20b is smaller than the thickness T5 of the ceramic body 12. [ The thickness of the external electrodes 20a and 20b on the side of the mounting board becomes thick when the multilayer ceramic capacitor 10 is mounted on the mounting board because the thickness T3 of the portion formed on the end faces 12e and 12f of the multilayer ceramic capacitor 10 is thick. The stress applied to the ceramic capacitor 10 can be relaxed easily.

또한, 이 적층 세라믹 전자 부품(10)에서는, 도금층(26a, 26b)이 Ni 도금층(28a, 28b)을 포함하고, Ni 도금층(28a, 28b)의 두께가 1㎛ 내지 5㎛이므로, 외부 전극(20a, 20b)이 어느 정도 평탄하지만, Ni 도금층(28a, 28b)이 두껍기 때문에, Ni 도금층(28a, 28b)에 의해 도금층(26a, 26b)보다도 내부의 수분 등을 가둘 수 있으므로, 예를 들어 리플로우에 의한 실장 시에, 도금층(26a, 26b)보다도 내부의 수분 등이 땜납과 함께 외부로 튀는 땜납의 튐이 방지된다.Since the plating layers 26a and 26b include Ni plating layers 28a and 28b and the thickness of the Ni plating layers 28a and 28b is 1 占 퐉 to 5 占 퐉 in the multilayer ceramic electronic component 10, Since the Ni plating layers 28a and 28b are somewhat flat and moisture of the inside of the plating layers 26a and 26b can be held by the Ni plating layers 28a and 28b because the Ni plating layers 28a and 28b are thick, The solder which is in contact with the solder along with moisture and the like inside the plated layers 26a and 26b is prevented from being blown out during mounting by the solder.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)는, 외부 전극(20a, 20b)이 세라믹 소체(12)의 제1 주면(12a) 및 제2 주면(12b)에 형성되어 있으므로, 제1 주면(12a) 및 제2 주면(12b) 중 어느 쪽의 주면을 실장면으로 해도 실장하기 쉽다.Since the external electrodes 20a and 20b are formed on the first major surface 12a and the second major surface 12b of the ceramic body 12, the first major surface 12a and the second major surface 12b of the multilayer ceramic capacitor 10, It is easy to mount any of the main surfaces of the second main surface 12b as a mounting surface.

또한, 이 적층 세라믹 콘덴서(10)에서는, 세라믹 소체(12)의 측면(12c, 12d)에도 외부 전극(20a, 20b)이 형성되어 있으므로, 내습 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.In the multilayer ceramic capacitor 10, since the external electrodes 20a and 20b are also formed on the side surfaces 12c and 12d of the ceramic body 12, the moisture resistance reliability is improved.

다음에, 상술한 적층 세라믹 콘덴서(10)를 제조하는 방법의 일례에 대해 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing the above-described multilayer ceramic capacitor 10 will be described.

우선, 세라믹 소체(12)[세라믹층(14)]를 구성하기 위한 세라믹 재료를 포함하는 세라믹 그린 시트를 준비한다.First, a ceramic green sheet containing a ceramic material for constituting the ceramic body 12 (ceramic layer 14) is prepared.

다음에, 그 세라믹 그린 시트 상에, 도전성 페이스트를 도포함으로써, 도전 패턴을 형성한다. 또한, 도전성 페이스트의 도포는, 예를 들어, 스크린 인쇄법 등의 각종 인쇄법에 의해 행할 수 있다. 도전성 페이스트는 도전성 미립자 외에, 공지된 바인더나 용제를 포함하고 있어도 좋다.Next, a conductive paste is applied on the ceramic green sheet to form a conductive pattern. The application of the conductive paste can be carried out by various printing methods such as screen printing. The conductive paste may contain a known binder or a solvent in addition to the conductive fine particles.

그리고, 도전 패턴이 형성되어 있지 않은 복수매의 세라믹 그린 시트와, 제1 또는 제2 내부 전극에 대응한 형상의 도전 패턴이 형성되어 있는 세라믹 그린 시트와, 도전 패턴이 형성되어 있지 않은 복수매의 세라믹 그린 시트를 이 순서대로 적층하고, 적층 방향으로 프레스함으로써, 마더 적층체를 제작한다.A plurality of ceramic green sheets on which conductive patterns are not formed, a ceramic green sheet on which conductive patterns having a shape corresponding to the first or second internal electrodes are formed, and a plurality of And a ceramic green sheet are stacked in this order and pressed in the lamination direction to produce a mother laminate.

그리고 나서, 마더 적층체 상의 가상의 컷트 라인을 따라서 마더 적층체를 컷팅함으로써, 마더 적층체로부터 복수의 미가공의 세라믹 적층체를 제작한다. 또한, 마더 적층체의 컷팅은 다이싱이나 가압 절단에 의해 행할 수 있다. 미가공의 세라믹 적층체에 대해서는, 배럴 연마 등을 실시하고, 능선부나 코너부를 둥글게 해도 좋다.Then, the mother laminates are cut along the virtual cut lines on the mother laminator to prepare a plurality of unfired ceramic laminate from the mother laminator. Further, the cutting of the mother laminator can be performed by dicing or press cutting. The raw ceramic laminate may be subjected to barrel polishing or the like to round the ridgeline portion or the corner portion.

그리고, 미가공의 세라믹 적층체의 소성을 행한다. 이 소성 공정에서, 제1 및 제2 내부 전극이 소성된다. 소성 온도는, 사용하는 세라믹 재료나 도전성 페이스트의 종류에 의해 적절히 설정할 수 있다. 소성 온도는, 예를 들어, 900℃ 내지 1300℃로 할 수 있다.Then, the raw ceramic laminate is sintered. In this firing step, the first and second internal electrodes are fired. The firing temperature can be appropriately set depending on the type of ceramic material or conductive paste to be used. The firing temperature may be, for example, 900 캜 to 1300 캜.

그리고 나서, 딥핑 등의 방법에 의해, 소성 후의 세라믹 적층체(세라믹 소체)의 양단부에 도전성 페이스트를 도포한다.Then, conductive paste is applied to both ends of the fired ceramic laminate (ceramic body) by a method such as dipping.

다음에, 세라믹 적층체에 도포한 도전성 페이스트를 예로 들어 60℃ 내지 180℃ 중에서 10분간 열풍 건조한다.Next, the conductive paste applied to the ceramic laminate is subjected to hot-air drying for 10 minutes, for example, at 60 ° C to 180 ° C.

그 후, 건조한 도전성 페이스트를 베이킹해서 소결 금속층을 형성한다. 이때, 소결 금속층을 얻기 위한 베이킹 온도를 바꿈으로써, 소결 금속층의 표면에 형성되는 오목부의 수를 변경할 수 있다. 그리고, 소결 금속층의 표면의 오목부의 구경 및 깊이를 조정함으로써, 오목부 내에 인입되는 도전성 수지를 조정할 수 있어, 소결 금속층과 도전성 수지층 사이에 큰 밀착성을 얻을 수 있다.Thereafter, the dried conductive paste is baked to form a sintered metal layer. At this time, by changing the baking temperature for obtaining the sintered metal layer, the number of the recesses formed on the surface of the sintered metal layer can be changed. By adjusting the diameter and depth of the concave portion on the surface of the sintered metal layer, the conductive resin introduced into the concave portion can be adjusted, and great adhesion can be obtained between the sintered metal layer and the conductive resin layer.

그리고, 소결 금속층 상에, 도전성 수지층의 금속 입자가 되는 Cu 또는 Ag의 제1 금속 분말과, 소정의 평균 입경을 갖는 제2 금속 분말과, 열경화성 수지의 혼합물을 가열해서 경화시킴으로써, 도전성 수지층을 형성한다.Then, a mixture of the first metal powder of Cu or Ag, which is to become the metal particles of the conductive resin layer, the second metal powder of the predetermined average particle diameter, and the thermosetting resin is heated and cured on the sintered metal layer to form the conductive resin layer .

이 경우, 도전성 수지층에 포함되는 금속 입자의 편평 입자의 수에 대한 구형 입자의 수의 비율을 3/7 내지 7/3으로 하기 위해서는, 예를 들어, 도전성 수지층의 재료에 있어서 편평 입자 및 구형 입자가 되는 재료의 비율을 조정하거나 도전성 수지층의 재료가 되는 혼합물의 가열 온도 등의 도전성 수지층 형성 조건을 조정하거나 함으로써 가능하다.In this case, in order to set the ratio of the number of the spherical particles to the number of the flat particles of the metal particles contained in the conductive resin layer to 3/7 to 7/3, for example, It is possible to adjust the ratio of the material to be the spherical particles or to adjust the conductive resin layer forming conditions such as the heating temperature of the mixture to be the material of the conductive resin layer.

또한, 이 경우, 도전성 수지층과 도금층의 계면을 포함하는 단면을 본 경우, 도전성 수지층으로부터 금속 입자가 노출되어 있는 수를, 도전성 수지층과 도금층의 계면의 길이 1㎜당 50개 내지 250개로 하기 위해서는, 예를 들어, 도전성 수지층의 재료에 있어서 제1 금속 분말, 제2 금속 분말 및 열경화성 수지의 비율을 조정하거나 도전성 수지층의 재료가 되는 혼합물의 가열 온도 등의 도전성 수지층 형성 조건을 조정하거나 함으로써 가능하다.In this case, when the cross section including the interface between the conductive resin layer and the plating layer is viewed, the number of the metal particles exposed from the conductive resin layer is set to 50 to 250 per 1 mm of the interface length between the conductive resin layer and the plating layer It is necessary to adjust the ratio of the first metal powder, the second metal powder and the thermosetting resin in the material of the conductive resin layer, or to set the conductive resin layer forming conditions such as the heating temperature of the mixture to be the material of the conductive resin layer Or the like.

마찬가지로, 도전성 수지층의 형성 조건을 조정함으로써, 도전성 수지층의 표면에 오목부를 형성할 수 있다. 또한, 샌드 블라스트 등의 물리적 외력에 의해서도, 도전성 수지층의 표면에 오목부를 형성할 수 있다.Likewise, by regulating the formation conditions of the conductive resin layer, it is possible to form a recess on the surface of the conductive resin layer. In addition, a concave portion can be formed on the surface of the conductive resin layer even by a physical external force such as a sandblast.

그리고 나서, 도전성 수지층 상에 전해 도금에 의해 도금층(Ni 도금층 및 Sn 도금층)을 실시함으로써, 적층 세라믹 콘덴서(10)를 제조할 수 있다. 또한, 도전성 수지층의 표면에 오목부를 형성함으로써, 오목부 내에 Ni 도금이 인입되고, Ni 도금층으로부터 도전성 수지층측을 향해 볼록부를 형성할 수 있다.Then, a multilayer ceramic capacitor 10 can be manufactured by applying a plating layer (Ni plating layer and Sn plating layer) on the conductive resin layer by electrolytic plating. Further, by providing the concave portion on the surface of the conductive resin layer, the Ni plating is drawn into the concave portion, and the convex portion can be formed from the Ni plating layer toward the conductive resin layer side.

(실험예)(Experimental Example)

우선, 실시예로서, 상술한 실시 형태에 의거한 적층 세라믹 콘덴서(10)를 20개 제작했다.First, as an example, 20 multilayer ceramic capacitors 10 according to the above-described embodiments were produced.

또한, 비교예로서, 적층 세라믹 콘덴서의 단면에 있어서의 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면에 있고, 계면의 길이 70㎛의 범위에서의 공극 오목부가 2개 미만인 적층 세라믹 콘덴서를 20개 제작했다. 또한, 공극 오목부의 수 이외는, 설계상 동일한 구조의 것이다.In addition, as a comparative example, 20 multilayer ceramic capacitors were prepared in the interface between the sintered metal layer and the conductive resin layer in the cross section of the multilayer ceramic capacitor, and the void recesses in the range of the interface length of 70 mu m were less than 2. Except for the number of cavity recesses, the structure is of the same structure.

이들 적층 세라믹 콘덴서를 기판 상에 실장하고, 기판에 휨을 발생시켰다. 이때, 비교예의 적층 세라믹 콘덴서에서는, 20개 중 5개에 소결 금속층과 도전성 수지층 사이에 박리가 발생했지만, 실시예의 적층 세라믹 콘덴서에서는 소결 금속층과 도전성 수지층의 계면에 휨이 발생했다.These multilayer ceramic capacitors were mounted on a substrate, and warpage was generated in the substrate. At this time, in the multilayer ceramic capacitor of the comparative example, peeling occurred between the sintered metal layer and the conductive resin layer in five of the twenty, but in the multilayer ceramic capacitor of the examples, the interface occurred between the sintered metal layer and the conductive resin layer.

상술한 실시 형태 및 실시예에서는, 외부 전극이 세라믹 소체의 측면에도 형성되어 있지만, 외부 전극은 세라믹 소체의 측면에는 형성되지 않아도 좋다. 외부 전극은 세라믹 소체의 단부면 및 적어도 제1 주면 또는 제2 주면에 형성되어 있으면 된다. 이와 같이 적층 세라믹 전자 부품의 외부 전극을 형성하면, 외부 전극을 형성한 제1 주면 또는 제2 주면을 실장면으로서 적층 세라믹 전자 부품을 실장하기 쉽다.In the above-described embodiments and examples, the external electrodes are formed on the side surfaces of the ceramic body, but the external electrodes may not be formed on the side surfaces of the ceramic body. The external electrode may be formed on the end face of the ceramic body and at least the first major surface or the second major surface. When the external electrode of the multilayer ceramic electronic component is formed in this way, it is easy to mount the multilayer ceramic electronic component with the first main surface or the second main surface on which the external electrode is formed as a mounting surface.

또한, 상술한 실시 형태 및 실시예에서는, 도금층이 Ni 도금층 및 Sn 도금층으로 구성되어 있지만, 도금층은 1층의 도금층 또는 3층 이상의 도금층으로 구성되어도 좋다.In the above-described embodiments and examples, the plating layer is composed of the Ni plating layer and the Sn plating layer, but the plating layer may be composed of one plating layer or three or more plating layers.

상술한 실시 형태 및 실시예에서는, 세라믹 소체의 재료로서 유전체 세라믹을 사용했지만, 이 발명에서는 적층 세라믹 전자 부품의 종류에 따라서는, 세라믹 소체의 재료로서, 페라이트 등의 자성체 세라믹, 스피넬계 세라믹 등의 반도체 세라믹, PZT계 세라믹 등의 압전체 세라믹을 사용할 수도 있다.In the above-described embodiments and examples, dielectric ceramics are used as the material of the ceramic body. However, in the present invention, depending on the type of the multilayer ceramic electronic part, a ceramic body such as ferrite or spinel ceramic Semiconductor ceramics, and PZT ceramics may be used.

적층 세라믹 전자 부품은 세라믹 소체로서, 자성체 세라믹을 사용한 경우에는 적층 세라믹 인덕터로서 기능하고, 반도체 세라믹을 사용한 경우에는 적층 세라믹 서미스터로서 기능하고, 압전체 세라믹을 사용한 경우에는 적층 세라믹 압전 부품으로서 기능한다. 단, 적층 세라믹 전자 부품을 적층 세라믹 인덕터로서 기능시키는 경우에는, 내부 전극은 코일 형상의 도체가 된다.The multilayer ceramic electronic component functions as a multilayer ceramic inductor when a magnetic ceramic is used, a multilayer ceramic thermistor when a semiconductor ceramic is used, and a multilayer ceramic piezoelectric component when a piezoelectric ceramic is used. However, when the multilayer ceramic electronic component functions as a multilayer ceramic inductor, the internal electrode becomes a coil-shaped conductor.

상술한 실시 형태 및 실시예에서는, 특정한 구성을 갖는 적층 세라믹 콘덴서를 예로 들어 설명했지만, 본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 구성은, 특허 청구의 범위에 의해 규정되는 구성의 범위 내에서 임의로 변경되어도 좋다.Although the multilayer ceramic capacitor having a specific configuration is described as an example in the above-described embodiments and examples, the multilayer ceramic capacitor according to the present invention may be arbitrarily changed within the range defined by the claims .

본 발명에 따른 세라믹 전자 부품은, 특히 예를 들어, 적층 세라믹 콘덴서, 적층 세라믹 인덕터, 적층 세라믹 서미스터, 적층 세라믹 압전 부품 등으로서 적절하게 사용된다.The ceramic electronic component according to the present invention is suitably used, for example, as a multilayer ceramic capacitor, a multilayer ceramic inductor, a multilayer ceramic thermistor, and a multilayer ceramic piezoelectric component.

10 : 적층 세라믹 콘덴서
12 : 세라믹 소체
12a, 12b : 주면
12c, 12d : 측면
12e, 12f : 단부면
14 : 세라믹층
16a, 16b : 내부 전극
18a, 18b : 노출부
20a, 20b : 외부 전극
22a, 22b : 소결 금속층
24a, 24b : 도전성 수지층
25 : 오목부
26a, 26b : 도금층
28a, 28b : Ni 도금층
29 : 볼록부
30a, 30b : Sn 도금층10: Multilayer Ceramic Capacitor
12: Ceramic body
12a, 12b:
12c, 12d: side
12e, 12f: end face
14: Ceramic layer
16a and 16b: internal electrodes
18a and 18b:
20a, 20b: external electrodes
22a and 22b: a sintered metal layer
24a, 24b: conductive resin layer
25:
26a and 26b:
28a and 28b: Ni plating layer
29:
30a and 30b: a Sn plating layer

Claims

A first side surface, a second side surface opposite to the first main surface, a first side connected to the first main surface and the second main surface, and a second side surface opposite to the first side, A ceramic body having a first end surface connected to the first main surface, the second major surface, the first side surface, and the second side surface, and a second end surface opposed to the first end surface;
And an external electrode formed on an end face of the ceramic body and at least on the first main face or the second main face so as to be electrically connected to the internal electrode,
Wherein the external electrode comprises a sintered metal layer, a conductive resin layer and a plated layer in this order from the ceramic body side,
Wherein the metal particles contained in the conductive resin layer are Cu powder and include flat particles of a flat shape and spherical particles of a spherical shape,
The ratio of the number of the spherical particles to the number of the flat particles is 3/7 to 7/3,
In a case where a cross section including the interface between the sintered metal layer and the conductive resin layer is viewed from any one of the first major surface, the second major surface, the first side surface, and the second side surface, Has a plurality of concave portions having a larger internal dimension than an opening dimension,
The conductive resin is drawn into one of the recesses,
The number of concave portions into which the conductive resin is drawn is not less than two in the range of the length of the interface of 70 mu m,
Wherein the plating layer on the interface includes a first conductive layer and a second conductive layer on the first main surface, the second main surface, the first side, and the second side, And a convex portion having a height of 1.0 mu m to 7.0 mu m toward the conductive resin layer, wherein the convex portion has two or more in the range of the interface length of 80 mu m,
Wherein when the cross section including the interface between the sintered metal layer and the conductive resin layer is viewed, glass is present on the surface of the sintered metal layer at the interface, the length of the glass along the interface is defined as L1, L2 / L2 is 0.2 or more and 1.5 or less when the length of a metal portion of the sintered metal layer other than the glass is L2.

The method according to claim 1,
Wherein the metal particles of the conductive resin layer comprise Cu or Ag.

3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the sintered metal layer comprises Cu.

3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plating layer includes a Ni plating layer.