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KR101558393B1 - 마이크로폰 및 그 제조 방법 - Google Patents

마이크로폰 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR101558393B1
KR101558393B1 KR1020140141159A KR20140141159A KR101558393B1 KR 101558393 B1 KR101558393 B1 KR 101558393B1 KR 1020140141159 A KR1020140141159 A KR 1020140141159A KR 20140141159 A KR20140141159 A KR 20140141159A KR 101558393 B1 KR101558393 B1 KR 101558393B1
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KR
South Korea
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film
sloped
layer
substrate
sacrificial layer
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Application number
KR1020140141159A
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Inventor
유일선
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현대자동차 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰은 관통홀을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 관통홀을 덮고 있는 진동막, 그리고 상기 진동막 위에 배치되어 있고, 상기 진동막과 이격되어 있으며, 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 포함하고, 상기 진동막은 상기 기판 위에 배치되어 있고, 상기 관통홀을 덮고 있으며, 복수의 제1 슬롯을 포함하는 제1 부진동막 및 상기 제1 부진동막 위에 배치되어 상기 제1 부진동막과 연결되어 있으며, 연결부 및 복수의 제2 슬롯을 포함하는 제2 부진동막을 포함하고, 상기 제1 부진동막은 유연성을 가지고, 상기 제2 부진동막을 경직성을 가진다.

Description

마이크로폰 및 그 제조 방법{MICROPHONE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 마이크로폰 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
마이크로폰은 음성을 전기적인 신호로 변환하는 것으로, 최근 들어 점점 소형화되어 가고 있으며, 이에 따라 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 마이크로폰이 개발되고 있다.
이러한 MEMS 마이크로폰은 종래의 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰(ECM, Electret Condenser Microphone)이 비해 습기와 열에 대한 내성이 강하고, 소형화 및 신호처리 회로와의 집적화가 가능한 장점이 있다.
일반적으로 MEMS 마이크로폰은 정전용량형 방식의 MEMS 마이크로폰과 압전형 방식의 MEMS 마이크로폰으로 구분된다.
정전용량형 방식의 MEMS 마이크로폰은 고정 전극과 진동막으로 구성되어 있으며, 외부에서 음압이 진동막에 가해지면 고정 전극과 진동막 사이의 간격이 변하면서 정전용량 값이 변하게 된다. 이때 발생되는 전기적 신호로 음압을 측정하게 하는 것이다.
압전형 방식의 MEMS 마이크로폰은 진동막으로만 구성되어 있으며, 외부 음압에 의해 진동막이 변형될 때 압전(Piezoelectric)효과로 전기적 신호가 발생되어 음압을 측정하게 하는 것이다.
정전용량형 방식의 MEMS 마이크로폰은 감도를 높이기 위하여 많은 연구가 진행되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 입력되는 마이크로폰의 감도를 향상시키는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰은 관통홀을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 관통홀을 덮고 있는 진동막, 그리고 상기 진동막 위에 배치되어 있고, 상기 진동막과 이격되어 있으며, 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 포함하고, 상기 진동막은 상기 기판 위에 배치되어 있고, 상기 관통홀을 덮고 있으며, 복수의 제1 슬롯을 포함하는 제1 부진동막 및 상기 제1 부진동막 위에 배치되어 상기 제1 부진동막과 연결되어 있으며, 연결부 및 복수의 제2 슬롯을 포함하는 제2 부진동막을 포함하고, 상기 제1 부진동막은 유연성을 가지고, 상기 제2 부진동막을 경직성을 가진다.
상기 진동막은 상기 관통홀 위에 위치한 진동부 및 상기 기판 위에 위치한 고정부를 포함할 수 있다.
상기 제1 슬롯은 상기 관통홀 위에 배치되어 있을 수 있다.
상기 진동부에서의 상기 제2 부진동막은 상기 연결부를 통하여 상기 제1 부진동막과 연결되어 있을 수 있다.
상기 연결부는 상기 제2 부진동막으로부터 상기 제1 부진동막 방향으로 돌출되어 있을 수 있다.
상기 진동부에서의 상기 연결부가 배치된 부분을 제외한 부분에서는 상기 제1 부진동막과 상기 제2 부진동막이 서로 이격되어 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰은 상기 고정부 위에 배치되어 있으며, 상기 고정 전극을 지지하는 지지층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 부진동막 및 상기 제2 부진동막은 폴리실리콘 또는 전도성 물질로 이루어져 있을 수 있다.
상기 고정 전극은 폴리실리콘 또는 금속으로 이루어져 있을 수 있다.
상기 기판은 실리콘으로 이루어져 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법은 기판을 준비한 후, 상기 기판 위에 복수의 제1 슬롯을 포함하는 제1 부진동막을 형성하는 단계, 상기 제1 부진동막 위에 상기 제1 부진동막의 중앙 부분 및 가장자리를 노출하는 제1 희생층을 형성하는 단계, 상기 제1 부진동막 및 상기 제1 희생층 위에 연결부 및 복수의 제2 슬롯을 포함하는 제2 부진동막을 형성하는 단계, 상기 제2 부진동막 위에 제2 희생층을 형성하는 단계, 상기 제2 희생층 위에 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 형성하는 단계, 상기 기판의 배면을 식각하여 상기 제1 부진동막의 일부분을 노출하는 관통홀을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 희생층을 제거하고, 상기 제2 희생층의 일부를 제거하는 단계를 포함하고, 상기 제1 부진동막은 유연성을 가지고, 상기 제2 부진동막을 경직성을 가진다.
상기 연결부는 상기 제1 부진동막의 중앙 부분에 연결될 수 있다.
상기 제1 희생층을 제거하고, 상기 제2 희생층의 일부를 제거하는 단계는 상기 제1 슬롯을 통하여 습식 또는 건식 방법으로 제1 희생층을 제거하여 제1 공기층을 형성하는 단계 및 상기 제2 슬롯을 통하여 습식 또는 건식 방법으로 제2 희생층의 일부를 제거하여 제2 공기층 및 상기 고정 전극을 지지하는 지지층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 진동막이 유연성을 가지는 제1 부진동막과 경직성을 가지는 제2 부진동막을 포함함에 따라 마이크로폰의 감도 및 신호대잡음비가 향상되는 효과가 있다.
또한, 제1 부진동막과 제2 부진동막이 연결되어 있으므로, 노이즈가 감소하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 마이크로폰의 제1 부진동막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰과 종래의 마이크로폰의 감도를 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법을 도시한 도면이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
그러면, 도 1 및 도 2를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 마이크로폰의 제1 부진동막을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 마이크로폰은 기판(100), 진동막(150), 그리고 고정 전극(170)을 포함한다.
기판(100)은 실리콘(silicon)으로 이루어져 있을 수 있으며, 관통홀(110)이 형성되어 있다.
기판(100) 위에는 진동막(150)이 배치되어 있다. 진동막(150)은 관통홀(110)을 덮고 있다. 기판(100)과 진동막(150) 사이에는 산화막(120)이 배치되어 있다. 진동막(150)은 진동부(151)와 고정부(152)를 포함한다. 진동부(151)는 관통홀(110)을 덮고 있고, 고정부(152)는 산화막(120)이 배치되어 있다. 진동부(151)는 관통홀(110)에 의해 노출되어 있으므로, 외부로부터 전달되는 음향에 따라 진동하게 된다.
이러한 진동막(150)은 제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140)을 포함한다.
제1 부진동막(130)은 산화막(120) 위에 배치되어 있으며, 관통홀(110)을 덮고 있다. 이러한 제1 부진동막(130)은 유연성(flexible)을 가지며, 복수의 제1 슬롯(slot)(131)을 포함한다. 복수의 제1 슬롯(131)은 진동부(151)에 위치하며, 각각의 제1 슬롯(131)은 크기가 동일하거나 다를 수 있다.
제2 부진동막(140)은 제1 부진동막(130) 위에 배치되어 있으며, 제1 부진동막(130)과 연결하는 연결부(141) 및 복수의 제2 슬롯(142)을 포함한다. 이러한 제2 부진동막(140)은 경직성(rigid)을 가진다.
제1 부진동막(130)과 제2 부진동막(140)은 서로 접촉되어 물리적 및 전기적으로 연결되어 있다. 고정부(152)에서는 제2 부진동막(140)이 제1 부진동막(130) 위에 배치되어 있고, 진동부(151)에서는 제2 부진동막(140)은 제2 부진동막(140)으로부터 제1 부진동막(130) 방향으로 돌출된 연결부(141)를 통하여 연결되어 있다. 이에, 진동부(151)에서의 제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140) 사이에는 제1 공기층(138)이 존재한다. 즉, 진동부(151)에서의 연결부(141)가 배치되어 있는 부분을 제외한 부분에서는 제1 부진동막(130)과 제2 부진동막(140)은 소정의 간격만큼 떨어져 있다.
제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140)은 폴리실리콘(poly silicon)으로 이루어질 수 있다. 또한, 이에 한정하지 않고, 제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140)은 전도성을 가지는 물질로 이루어질 수도 있다.
진동막(150) 위에는 진동막(150)와 이격되어 있는 고정 전극(170)이 배치되어 있다. 고정 전극(170)은 지지층(161)에 위에 배치되어 있으며, 고정되어 있다. 지지층(161)은 제2 부진동막(140)의 가장자리 부분에 배치되어 있고, 고정 전극(170)을 지지한다. 여기서, 고정 전극(170)은 폴리실리콘 또는 금속으로 이루어질 수 있다.
고정 전극(170)과 제2 부진동막(140) 사이에는 제2 공기층(162)이 형성되어 있어, 고정 전극(170)과 제2 부진동막(140)은 소정의 간격만큼 떨어져 배치되어 있다. 또한, 고정 전극(170)에는 복수의 공기 유입구(171)가 배치되어 있다.
외부로부터의 음향은 고정 전극(170)에 형성된 공기 유입구(171)를 통하여 유입되어 진동막(150)을 자극시키게 되고, 이에 진동막(150)가 진동하게 된다.
이 때, 공기 유입구(171)을 통하여 유입된 음향은 제2 부진동막(140)의 제2 슬롯(142)을 통하여 제1 부진동막(130)을 자극시킨다. 이에, 유연성을 가진 제1 부진동막(130)이 진동하게 된다. 제1 부진동막(130)이 진동함에 따라 제1 부진동막(130)에 연결된 제2 부진동막(140)도 같이 진동하게 된다. 또한, 관통홀(110)을 통하여 음향이 유입될 경우, 음향은 제1 부진동막(130)을 직접적으로 자극시킬 수 있다.
외부로부터의 음향에 의하여 진동막(150)이 진동함에 따라, 제2 부진동막(140)과 고정 전극(170) 사이의 간격이 변하게 된다. 이에 따라, 제2 부진동막(140)과 고정 전극(170) 사이의 정전용량이 변하게 되고, 이렇게 변화된 정전용량을 고정 전극(170)에 연결된 제1 패드(181) 및 진동막(150)에 연결된 제2 패드(182)를 통하여 신호처리용 회로(도시하지 않음)에서 전기 신호로 바꾸어 외부로부터의 음향을 감지할 수 있게 된다.
종래의 마이크로폰은 유연성을 가지는 진동막 하나의 구조로 진동막의 진동 시, 고정 전극과 진동막 사이의 간격이 일정하지 않게 된다.
하지만, 본 실시예에 따른 마이크로폰은 진동막(150)이 유연성을 가지는 제1 부진동막(130)과 경직성을 가지는 제2 부진동막(140)을 포함하는 구조이다. 제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140)이 연결되어 있으므로, 제1 부진동막(130)이 진동할 때, 제2 부진동막(140) 또한, 상하로 움직이는데, 제2 부진동막(140)이 경직성을 가지므로, 고정 전극(170)과 제2 부진동막(140) 사이의 간격은 일정하게 된다. 이에 따라, 마이크로폰의 감도 및 신호대잡음비가 향상된다.
한편, 마이크로폰의 패키지(package) 방식에는 홀이 상부에 위치한 탑 포트(top port) 방식 및 홀이 하부에 위치한 바텀 포트(bottom port) 방식이 있는데, 음압이 진동막에 직접적으로 전달되는 바텀 포드 방식의 마이크로폰의 신호대잡음비가 탑 포트 방식의 마이크로폰의 신호대잡음비보다 더 우수하다. 본 실시예에서는 유연성을 가지는 제1 부진동막(130)이 경직성을 가지는 제2 부진동막(140)의 아래에 배치되어 있으므로, 바텀 포드 방식으로 패키지 될 경우, 외부로부터의 음압이 관통홀(110)을 통과하여 제1 부진동막(130)에 바로 전달되므로, 음압의 손실을 최소화할 수 있다. 이에, 본 실시예에 따른 마이크로폰의 성능이 향상된다.
또한, 본 실시예에 따른 마이크로폰은 제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140)이 연결되어 있으므로, 노이즈 발생을 감소하는 효과가 있다.
그러면, 도 3을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰과 종래의 마이크로폰의 감도 특성에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰과 종래의 마이크로폰의 감도를 나타낸 그래프이다. 도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 감도를 나타낸 그래프이고, 도 3(b)는 종래의 마이크로폰의 감도를 나타낸 그래프이다.
도 3에서 본 실시예에 따른 마이크로폰의 진동막은 제1 부진동막 및 제2 부진동막을 포함하는 구조이고, 종래의 마이크로폰의 진동막은 하나의 진동막의 구조이다. 여기서, 본 실시예에 따른 마이크로폰의 제1 부진동막 및 제2 부진동막, 그리고 종래의 마이크로폰의 진동막은 폴리실리콘으로 이루어져 있다.
도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 마이크로폰은 1KHz 에서 감도(fF/Pa)가 1.95으로나타났고, 종래의 마이크로폰은 1KHz에서 감도(fF/Pa)가 1으로 나타났다. 즉, 본 실시예에 따른 마이크로폰의 감도가 종래의 마이크로폰의 감도에 비해 약 2배 더 향상됨을 알 수 있다.
그러면, 도 4 내지 도 9 및 도 1을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로폰의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 4를 참고하면, 기판(100)을 준비한 후, 기판(100) 위에 산화막(120)을 형성한 다음, 산화막(120) 위에 복수의 제1 슬롯(131)을 가지는 제1 부진동막(130)을 형성한다. 여기서, 기판(100)은 실리콘으로 이루어질 수 있고, 제1 부진동막(130)은 폴리실리콘 또는 전도성이 있는 물질로 형성할 수 있다. 또한, 제1 부진동막(130)을 유연성을 가진다.
복수의 제1 슬롯(131)을 가지는 제1 부진동막(130)은 산화막(120) 위에 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층을 형성한 후, 패터닝하여 형성한다. 여기서, 폴리실리콘층 또는 금속층의 패터닝은 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층 위에 감광층을 형성한 후, 감광층을 노광 및 현상하여 감광층 패턴을 형성한 다음, 감광층 패턴을 마스크로하여 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층을 식각하여 실시할 수 있다.
도 5를 참고하면, 제1 부진동막(130) 위에 제1 희생층(135)을 형성한다. 제1 희생층(135)은 감광물질, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용하여 형성할 수 있다.
제1 희생층(135)의 형성은 제1 부진동막(130) 위에 감광물질층, 실리콘 산화물층 또는 실리콘 질화물층을 형성한 다음, 감광물질층, 실리콘 산화물층 또는 실리콘 질화물층을 패터닝하여 형성한다. 제1 희생층(135)은 제1 부진동막(130)의 제1 슬롯(131)을 덮고 있으며, 제1 부진동막(130)의 중앙 부분과 가장자리를 노출한다.
도 6을 참고하면, 제1 부진동막(130) 및 제1 희생층(135) 위에 연결부(141) 및 복수의 제2 슬롯(142)을 포함하는 제2 부진동막(140)을 형성한다. 제2 부진동막(140)은 폴리실리콘 또는 전도성이 있는 물질로 형성할 수 있다. 또한, 제2 부진동막(140)은 경직성을 가진다.
연결부(141) 및 복수의 제2 슬롯(142)을 포함하는 제2 부진동막(140)의 형성은 제1 부진동막(130) 및 제1 희생층(135) 위에 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층을 형성한 후, 패터닝 하여 형성한다. 여기서, 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층의 패터닝은 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층 위에 감광층을 형성한 후, 감광층을 노광 및 현상하여 감광층 패턴을 형성한 다음, 감광층 패턴을 마스크로하여 폴리실리콘층 또는 전도성이 있는 물질층을 식각하여 실시할 수 있다.
제2 부진동막(140)은 제1 부진동막(130)의 가장자리에서는 제1 부진동막(130) 위에 위치하고, 제1 부진동막(130)의 중앙 부분에서는 연결부(141)을 통하여 제1 부진동막(130)과 연결된다. 연결부(141)는 제2 부진동막(140)으로부터 제1 부진동막(130) 방향으로 돌출되어 있다.
이에, 제1 부진동막(130) 및 제2 부진동막(140)을 포함하는 진동막(150)이 형성된다.
도 7을 참고하면, 제2 부진동막(140) 위에 제2 희생층(160)을 형성한 후, 제2 희생층(160) 복수의 공기 유입구(171)를 포함하는 고정 전극(170)을 형성한다.
제2 희생층(160)은 감광물질, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용하여 형성할 수 있고, 고정 전극(170)은 폴리실리콘 또는 금속을 사용하여 형성할 수 있다.
복수의 공기 유입구(171)를 포함하는 고정 전극(170)은 제2 희생층(160) 위에 폴리실리콘층 또는 금속층을 형성한 후, 패터닝하여 형성한다. 여기서, 폴리실리콘층 또는 금속층의 패터닝은 폴리실리콘층 또는 금속층 위에 감광층을 형성한 후, 감광층을 노광 및 현상하여 감광층 패턴을 형성한 다음, 감광층 패턴을 마스크로하여 폴리실리콘층 또는 금속층을 식각하여 실시할 수 있다.
도 8을 참고하면, 고정 전극(170)에 연결되는 제1 패드(181)와 진동막(150)에 연결되는 제2 패드(182)를 형성한다.
제1 패드(181)는 고정 전극(170) 위에 형성하고, 제2 패드(182)는 제2 희생층(160) 및 제2 부진동막(140)의 일부분을 동시에 식각하여 제1 부진동막(130) 위에 형성한다.
도 9를 참고하면, 기판(100)에 관통홀(110)을 형성한다.
관통홀(110)은 기판(100)의 배면을 건식 식각 또는 습식 식각을 실시하여 형성한다. 이 때, 기판(100)의 배면의 식각 시, 산화막(120)의 일부를 식각하여 제1 부진동막(130)의 일부가 노출된다.
도 1을 참고하면, 제1 희생층(135)을 제거하여 제1 공기층(138)을 형성한다. 또한, 제2 희생층(160)을 일부 제거하여 제2 공기층(162) 및 지지층(161)을 형성한다. 이 때, 진동막(150)은 진동부(151) 및 고정부(152)를 포함하게 된다. 고정부(152)는 산화막(120)과 지지층(161) 사이에 위치하고, 진동부(151)는 관통홀(110)과 제2 공기층(162) 사이에 위치한다.
제1 희생층(135)은 제1 부진동막(130)의 제1 슬롯(131)을 통하여 식각액을 사용하는 습식 방법으로 제거할 수 있다. 또한, 제1 희생층(135)은 제1 부진동막(130)의 제1 슬롯(131)을 통하여 산소 플라즈마(O2 plazma)에 따른 애싱(ashing)과 같은 건식 방법으로 제거할 수 있다.
제2 희생층(160)은 공기 유입구(171)를 통하여 식각액을 사용하는 습식 방법으로 제거할 수 있다. 또한, 제2 희생층(160)은 공기 유입구(171)를 통하여 산소 플라즈마에 따른 애싱과 같은 건식 방법으로 제거할 수 있다. 습식 또는 건식 제거 방법을 통하여 제2 희생층(160)의 일부가 제거되어 고정 전극(170)과 제2 부진동막(140) 사이에 제2 공기층(162)을 형성하고, 제거되지 않은 제2 희생층(160)은 고정 전극(170)을 지지하는 지지층(161)을 형성한다. 지지층(161)은 고정부(152)의 제2 부진동막(140) 위에 형성된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판 110: 관통홀
130: 제1 부진동막 131: 제1 슬롯
135: 제1 공기층 140: 제2 부진동막
141: 연결부 142: 제2 슬롯
150: 진동막 151: 진동부
152: 고정부 160: 제2 희생층
161: 지지층 162: 제2 공기층
170: 고정 전극 171: 공기 유입구

Claims (18)

  1. 관통홀을 포함하는 기판,
    상기 기판 위에 배치되어 있으며, 상기 관통홀을 덮고 있는 진동막, 그리고
    상기 진동막 위에 배치되어 있고, 상기 진동막과 이격되어 있으며, 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 포함하고,
    상기 진동막은
    상기 기판 위에 배치되어 있고, 상기 관통홀을 덮고 있으며, 복수의 제1 슬롯을 포함하는 제1 부진동막 및
    상기 제1 부진동막 위에 배치되어 상기 제1 부진동막과 연결되어 있으며, 연결부 및 복수의 제2 슬롯을 포함하는 제2 부진동막을 포함하고,
    상기 제1 부진동막은 유연성을 가지고, 상기 제2 부진동막을 경직성을 가지는 마이크로폰.
  2. 제1항에서,
    상기 진동막은 상기 관통홀 위에 위치한 진동부 및 상기 기판 위에 위치한 고정부를 포함하는 마이크로폰.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 슬롯은 상기 관통홀 위에 배치되어 있는 마이크로폰.
  4. 제3항에서,
    상기 진동부에서의 상기 제2 부진동막은 상기 연결부를 통하여 상기 제1 부진동막과 연결되어 있는 마이크로폰.
  5. 제4항에서,
    상기 연결부는 상기 제2 부진동막으로부터 상기 제1 부진동막 방향으로 돌출되어 있는 마이크로폰.
  6. 제5항에서,
    상기 진동부에서의 상기 연결부가 배치된 부분을 제외한 부분에서는 상기 제1 부진동막과 상기 제2 부진동막이 서로 이격되어 있는 마이크로폰.
  7. 제2항에서,
    상기 고정부 위에 배치되어 있으며, 상기 고정 전극을 지지하는 지지층을 더 포함하는 마이크로폰.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 부진동막 및 상기 제2 부진동막은 폴리실리콘 또는 전도성 물질로 이루어져 있는 마이크로폰.
  9. 제8항에서,
    상기 고정 전극은 폴리실리콘 또는 금속으로 이루어져 있는 마이크로폰.
  10. 제9항에서,
    상기 기판은 실리콘으로 이루어져 있는 마이크로폰.
  11. 기판을 준비한 후, 상기 기판 위에 복수의 제1 슬롯을 포함하는 제1 부진동막을 형성하는 단계,
    상기 제1 부진동막 위에 상기 제1 부진동막의 중앙 부분 및 가장자리를 노출하는 제1 희생층을 형성하는 단계,
    상기 제1 부진동막 및 상기 제1 희생층 위에 연결부 및 복수의 제2 슬롯을 포함하는 제2 부진동막을 형성하는 단계,
    상기 제2 부진동막 위에 제2 희생층을 형성하는 단계,
    상기 제2 희생층 위에 복수의 공기 유입구를 포함하는 고정 전극을 형성하는 단계,
    상기 기판의 배면을 식각하여 상기 제1 부진동막의 일부분을 노출하는 관통홀을 형성하는 단계, 그리고
    상기 제1 희생층을 제거하고, 상기 제2 희생층의 일부를 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 부진동막은 유연성을 가지고, 상기 제2 부진동막을 경직성을 가지는 마이크로폰의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 연결부는 상기 제2 부진동막으로부터 상기 제1 부진동막 방향으로 돌출된 마이크로폰의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 연결부는 상기 제1 부진동막의 중앙 부분에 연결되는 마이크로폰의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 슬롯은 상기 관통홀 위에 위치하는 마이크로폰의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 희생층을 제거하고, 상기 제2 희생층의 일부를 제거하는 단계는
    상기 제1 슬롯을 통하여 습식 또는 건식 방법으로 제1 희생층을 제거하여 제1 공기층을 형성하는 단계 및
    상기 제2 슬롯을 통하여 습식 또는 건식 방법으로 제2 희생층의 일부를 제거하여 제2 공기층 및 상기 고정 전극을 지지하는 지지층을 형성하는 단계를 포함하는 마이크로폰의 제조 방법.
  16. 제11항에서,
    상기 제1 부진동막 및 상기 제2 부진동막은 폴리실리콘 또는 전도성 물질로 형성하는 마이크로폰의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 고정 전극은 폴리실리콘 또는 금속으로 형성하는 마이크로폰의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 기판은 실리콘으로 형성하는 마이크로폰의 제조 방법.
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