KR101558283B1 - Cluster equipment for treating substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리용 클러스터 설비에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 클러스터 설비는 기판이 적재된 카세트가 위치하는 복수의 로드 포트들을 가지며, 상기 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇을 구비하는 설비 전방 단부 모듈; 상기 설비 전방 단부 모듈과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 복수의 로드락 챔버들; 상기 로드락 챔버들과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛을 구비하는 복수의 처리 모듈용 로드락 챔버들; 상기 처리 모듈용 로드락 챔버들의 상부에 배치되고, 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버들; 및 상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 상기 클러스터 설비의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부를 포함한다. The present invention relates to a cluster facility for substrate processing. The cluster facility for processing a substrate according to an embodiment of the present invention includes a facility front end module having a plurality of load ports in which a cassette on which a substrate is loaded is located and a first substrate transfer robot for transferring the substrate; A plurality of load lock chambers connected via the gate valve to the plant front end module and having an internal pressure selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure; A transfer chamber connected to the load lock chambers through a gate valve and having a second substrate transfer robot for transferring the substrate; Load lock chambers for the plurality of processing modules, which are connected via the gate valve to the transfer chamber and have a substrate loading unit in which the substrates are stacked; A plurality of process chambers disposed on top of the load lock chambers for the processing modules and processing the substrates loaded on the substrate loading unit; And controlling the operation of the cluster facility so that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out from the process chamber to the vacuum maintained space, And controlling the transfer of the removed dummy substrate to the process chamber when the post-process is completed.
Description
본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, a cluster facility for substrate processing, and a substrate processing method.
반도체 공정에서 여러 장의 웨이퍼를 적재하여 한꺼번에 처리하는 배치(batch) 타입 공정은 한 번에 한 장의 웨이퍼만을 처리하는 싱글 타입 공정에 비해 생산성이 높다. 배치 타입으로 공정을 수행할 시, 웨이퍼가 적재되는 적재 유닛의 슬랏 일부가 비어 있는 경우, 더미 웨이퍼(dummy wafer)로 채워 넣어 배치 단위로 공정이 진행되도록 한다.A batch type process that processes multiple wafers in a semiconductor process at the same time is more productive than a single type process that processes only one wafer at a time. When a batch type process is performed, when a part of a slot of a stacking unit on which a wafer is loaded is empty, the process is performed in a batch unit by filling the wafer with a dummy wafer.
종래에는 공정 챔버에서 웨이퍼의 처리가 완료된 경우, 상기 더미 웨이퍼를 공정 챔버로부터 더미 웨이퍼를 위한 버퍼로 반출하고 나서 공정 챔버를 세정한 뒤 다시 더미 웨이퍼를 공정 챔버로 반입하거나, 더미 웨이퍼를 공정 챔버 내에 남겨둔 채 세정 작업을 실시하였다.Conventionally, when processing of a wafer in a process chamber is completed, the dummy wafer is taken out of the process chamber to a buffer for the dummy wafer, and then the process chamber is cleaned and then the dummy wafer is transferred into the process chamber. The cleaning operation was performed.
하지만, 상기 버퍼는 더미 웨이퍼를 대기 상태에서 보관하기 때문에 더미 웨이퍼의 반출 및 재반입 과정에서 공정 챔버나 상기 공정 챔버에서 처리되는 다른 웨이퍼가 오염될 수 있다. 반면, 더미 웨이퍼를 버퍼로 반출하지 않고 공정 챔버 내에 남겨둔 채 세정 작업을 실시하더라도, 세정 작업 시 수반되는 더미 웨이퍼의 에칭으로 인해 공정 챔버 내에 파티클이 날려 챔버가 오염될 수 있다. 나아가, 세정 작업 시 더미 웨이퍼가 에칭되면 더미 웨이퍼에 균열이 발생될 수 있어 수명 단축을 초래할 수도 있다.However, since the buffer stores the dummy wafer in a standby state, the process chamber or other wafers processed in the process chamber may be contaminated in the process of removing and reloading the dummy wafer. On the other hand, even if the cleaning operation is carried out while leaving the dummy wafer in the process chamber without being taken out to the buffer, the etching of the dummy wafer involved in the cleaning operation may cause particles to be blown into the process chamber and contaminate the chamber. Further, when the dummy wafer is etched during the cleaning operation, cracks may be generated in the dummy wafer, which may shorten the life span.
본 발명의 실시예는 더미 웨이퍼로 인한 챔버 및 다른 웨이퍼의 오염을 방지하는 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus, a cluster facility for substrate processing, and a substrate processing method that prevent contamination of chambers and other wafers due to dummy wafers.
본 발명의 실시예는 챔버의 세정 공정으로 인한 더미 웨이퍼의 파손을 막아 더미 웨이퍼의 기대 수명을 늘릴 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a cluster facility for substrate processing, and a substrate processing method that can prevent the dummy wafer from being damaged due to the cleaning process of the chamber, thereby increasing the life expectancy of the dummy wafer.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 적재된 카세트를 수납하는 로드 포트; 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 로드락 챔버; 상기 로드 포트와 상기 로드락 챔버 간에 상기 기판을 이송하는 제 1 기판 이송 로봇; 상기 기판을 처리하는 프로세스 챔버를 갖는 공정 처리 모듈; 상기 로드락 챔버와 상기 공정 처리 모듈 간에 상기 기판을 이송하는 제 2 기판 이송 로봇; 및 상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 기판 처리 장치의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a load port for receiving a cassette on which a substrate is loaded; A load lock chamber in which the internal pressure can be selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure; A first substrate transfer robot for transferring the substrate between the load port and the load lock chamber; A process processing module having a process chamber for processing the substrate; A second substrate transfer robot for transferring the substrate between the load lock chamber and the process processing module; And controlling the operation of the substrate processing apparatus such that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out of the process chamber to the vacuum maintained space, And a control unit for carrying out the process and controlling the carry-out dummy substrate to be brought into the process chamber when the post-process is completed.
상기 후-공정은 세정 공정을 포함할 수 있다.The post-process may comprise a cleaning process.
상기 제어부는: 상기 기판의 처리가 완료되면 상기 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 상기 로드락 챔버로 반출하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 로드락 챔버로부터 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어할 수 있다.Wherein the control unit is configured to: move the dummy substrate from the process chamber to the load lock chamber held at a vacuum pressure when the substrate processing is completed; and when the post-process is completed, remove the removed dummy substrate from the load lock chamber So as to be brought into the process chamber.
상기 로드락 챔버는 상기 후-공정이 진행되는 동안 상기 더미 기판을 진공압 하에서 보관할 수 있다.The load lock chamber may store the dummy substrate under vacuum during the post-process.
상기 기판 처리 장치는, 상기 제 2 기판 이송 로봇을 수용하며, 내부 압력을 진공압으로 유지 가능한 트랜스퍼 챔버를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a transfer chamber accommodating the second substrate transfer robot and capable of maintaining internal pressure at a vacuum pressure.
상기 제어부는: 상기 기판의 처리가 완료되면 상기 제 2 기판 이송 로봇이 상기 더미 기판을 상기 트랜스퍼 챔버로 반출시킨 뒤, 상기 후-공정이 진행되는 동안 진공압으로 유지된 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 반출된 더미 기판을 보유하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 반입시키도록 제어할 수 있다.Wherein the controller transfers the dummy substrate to the transfer chamber after the second substrate transfer robot transfers the dummy substrate to the transfer chamber after the processing of the substrate is completed, And controls to carry the carried-out dummy substrate when the post-process is completed.
상기 제어부는: 상기 더미 기판의 반출 전, 처리가 완료된 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 상기 로드 포트로 이송하도록 제어할 수 있다.The control unit may control to transfer the processed substrate from the process chamber to the load port before the dummy substrate is unloaded.
상기 제어부는: 상기 더미 기판의 반입 후, 새로 처리될 기판을 상기 로드 포트로부터 상기 프로세스 챔버로 이송하도록 제어할 수 있다.The control unit may control to transfer the substrate to be newly processed from the load port to the process chamber after the dummy substrate is brought in.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 클러스터 설비는, 기판이 적재된 카세트가 위치하는 복수의 로드 포트들을 가지며, 상기 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇을 구비하는 설비 전방 단부 모듈; 상기 설비 전방 단부 모듈과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 복수의 로드락 챔버들; 상기 로드락 챔버들과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버와 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛을 구비하는 복수의 처리 모듈용 로드락 챔버들; 상기 처리 모듈용 로드락 챔버들의 상부에 배치되고, 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버들; 및 상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 상기 클러스터 설비의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.The cluster facility for processing a substrate according to an embodiment of the present invention includes a facility front end module having a plurality of load ports on which a cassette on which a substrate is placed is placed and a first substrate transfer robot for transferring the substrate; A plurality of load lock chambers connected via the gate valve to the plant front end module and having an internal pressure selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure; A transfer chamber connected to the load lock chambers through a gate valve and having a second substrate transfer robot for transferring the substrate; Load lock chambers for the plurality of processing modules, which are connected via the gate valve to the transfer chamber and have a substrate loading unit in which the substrates are stacked; A plurality of process chambers disposed on top of the load lock chambers for the processing modules and processing the substrates loaded on the substrate loading unit; And controlling the operation of the cluster facility so that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out from the process chamber to the vacuum maintained space, And controlling the transfer of the dummy substrate to the process chamber when the post-process is completed.
상기 후-공정은 세정 공정을 포함할 수 있다.The post-process may comprise a cleaning process.
상기 제어부는: 상기 기판의 처리가 완료되면 상기 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 로드락 챔버로 반출하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 로드락 챔버로부터 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어할 수 있다.Wherein the control unit is configured to: move the dummy substrate from the process chamber to a load lock chamber maintained at a vacuum pressure when processing of the substrate is completed; and when the post-process is completed, remove the dummy substrate from the load lock chamber And can be controlled to be brought into the process chamber.
상기 로드락 챔버는 상기 후-공정이 진행되는 동안 상기 더미 기판을 진공압 하에서 보관할 수 있다.The load lock chamber may store the dummy substrate under vacuum during the post-process.
상기 제어부는: 상기 기판의 처리가 완료되면 상기 제 2 기판 이송 로봇이 상기 더미 기판을 상기 트랜스퍼 챔버로 반출시킨 뒤, 상기 후-공정이 진행되는 동안 진공압으로 유지된 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 반출된 더미 기판을 보유하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 반입시키도록 제어할 수 있다.Wherein the controller transfers the dummy substrate to the transfer chamber after the second substrate transfer robot transfers the dummy substrate to the transfer chamber after the processing of the substrate is completed, And controls to carry the carried-out dummy substrate when the post-process is completed.
상기 제어부는: 상기 더미 기판의 반출 전, 처리가 완료된 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 상기 로드 포트로 이송하도록 제어할 수 있다.The control unit may control to transfer the processed substrate from the process chamber to the load port before the dummy substrate is unloaded.
상기 제어부는: 상기 더미 기판의 반입 후, 새로 처리될 기판을 상기 로드 포트로부터 상기 프로세스 챔버로 이송하도록 제어할 수 있다.The control unit may control to transfer the substrate to be newly processed from the load port to the process chamber after the dummy substrate is brought in.
상기 제어부는: 하나의 프로세스 챔버에서 기판의 처리가 완료되면 상기 더미 기판을 상기 처리가 완료된 프로세스 챔버로부터 비어 있는 다른 프로세스 챔버의 기판 적재 유닛으로 반출하도록 제어할 수 있다.The control unit may control the dummy substrate to be taken out from the processed process chamber to a substrate loading unit of another process chamber which is empty when processing of the substrate in one process chamber is completed.
상기 제어부는: 상기 처리가 완료된 프로세스 챔버에서 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 기판 적재 유닛으로부터 상기 후-공정이 완료된 프로세스 챔버로 반입하도록 제어할 수 있다.The control unit may control to transfer the removed dummy substrate from the substrate stacking unit to the post-process process chamber when the post-process is completed in the process chamber in which the process is completed.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 프로세스 챔버에서 기판의 처리가 완료되면, 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출하는 단계; 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하는 단계; 및 상기 후-공정이 완료되면, 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하는 단계;를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes the steps of: after the processing of the substrate in the process chamber is completed, bringing the dummy substrate out of the process chamber into a vacuum maintained space; Performing a post-process on the process chamber; And, when the post-process is completed, bringing the carried dummy substrate into the process chamber.
상기 후-공정을 진행하는 단계는: 상기 프로세스 챔버를 세정하는 단계를 포함할 수 있다.The step of performing the post-process may include: cleaning the process chamber.
상기 더미 기판을 반출하는 단계는: 상기 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 진공 상태로 유지된 로드락 챔버로 반출하는 단계;를 포함할 수 있다.The step of removing the dummy substrate may include: transferring the dummy substrate from the process chamber to a load lock chamber maintained in a vacuum state.
상기 더미 기판을 반출하는 단계는: 상기 더미 기판을 진공 상태로 유지된 트랜스퍼 챔버로 반출하는 단계; 및 기판 이송 로봇이 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 반출된 더미 기판을 보유하는 단계;를 포함할 수 있다.The step of removing the dummy substrate includes: carrying the dummy substrate to a transfer chamber maintained in a vacuum state; And holding the transported dummy substrate in the transfer chamber by the substrate transfer robot.
상기 기판 처리 방법은, 상기 더미 기판이 반출되기 전, 처리가 완료된 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 로드 포트로 이송하는 단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include transferring the processed substrate from the process chamber to the load port before the dummy substrate is taken out.
상기 기판 처리 방법은, 상기 더미 기판이 반입된 후, 새로 처리될 기판을 로드 포트로부터 상기 프로세스 챔버로 이송하는 단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include transferring the substrate to be newly processed from the load port to the process chamber after the dummy substrate is transferred.
상기 더미 기판을 반출하는 단계는: 상기 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 비어 있는 다른 프로세스 챔버의 기판 적재 유닛으로 반출하는 단계를 포함할 수 있다.The step of removing the dummy substrate may include: moving the dummy substrate from the process chamber to a substrate stacking unit of another process chamber which is empty.
상기 반출된 더미 기판을 프로세스 챔버로 반입하는 단계는: 상기 반출된 더미 기판을 상기 기판 적재 유닛으로부터 상기 후-공정이 완료된 프로세스 챔버로 반입하는 단계를 포함할 수 있다.The step of bringing the unloaded dummy substrate into the process chamber may include bringing the unloaded dummy substrate from the substrate stacking unit into the process chamber in which the post-process is completed.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 기록될 수 있다.The substrate processing method according to the embodiment of the present invention may be implemented as a computer-executable program and recorded on a computer-readable recording medium.
본 발명의 실시예에 따르면, 더미 웨이퍼로 인해 챔버 및 다른 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하여 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, contamination of the chambers and other wafers due to dummy wafers can be prevented, and the yield of products can be improved.
본 발명의 실시예에 따르면, 세정 공정으로 인한 더미 웨이퍼의 파손을 막아 더미 웨이퍼의 기대 수명을 늘릴 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent the dummy wafer from being damaged due to the cleaning process and to extend the life expectancy of the dummy wafer.
본 발명의 실시예에 따르면, 챔버의 세정 공정 시 더미 웨이퍼를 버퍼로 반출하는 것에 비해 공정 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the process time can be shortened and the productivity can be improved as compared with the case where the dummy wafer is taken out to the buffer during the cleaning process of the chamber.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 클러스터 설비를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 클러스터 설비를 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버를 나타내는 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 후-공정 및 그에 수반하는 기판의 반입 및 반출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 후-공정 및 그에 수반하는 기판의 반입 및 반출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 후-공정 및 그에 수반하는 기판의 반입 및 반출 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 기판을 처리하는 과정을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.1 is a plan view showing a cluster facility for substrate processing according to an embodiment of the present invention.
2 is a side view of a cluster facility for substrate processing according to one embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a process chamber according to one embodiment of the present invention.
FIGS. 4 to 7 are views for explaining a post-process and a subsequent substrate carry-in and carry-out process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a view for explaining a post-process and a subsequent substrate carry-in and carry-out process according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a view for explaining a post-process and a subsequent substrate carry-in and carry-out process according to another embodiment of the present invention.
10 is an exemplary flow chart for explaining a process of processing a substrate according to an embodiment of the present invention.
11 is an exemplary flowchart for explaining a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
12 is an exemplary flowchart for explaining a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.
13 is an exemplary flowchart for explaining a substrate processing method according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리용 클러스터 설비를 나타내는 평면도 및 측면도이다.1 and 2 are a plan view and a side view, respectively, of a cluster facility for substrate processing according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리용 클러스터 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(900), 로드락 챔버(200), 트랜스퍼 챔버(300) 및 공정 처리 모듈(400)을 포함한다.1 and 2, a
설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)(900)은 클러스터 설비(1)의 전면에 배치된다. 설비 전방 단부 모듈(900)은 카세트(C)가 로딩 및 언로딩되는 로드 포트(load port)(910)와, 카세트(C)로부터 기판을 인출하는 제 1 기판 이송 로봇(930)이 구비되어 카세트(C)와 로드락 챔버(200) 간에 기판을 이송하도록 하는 인덱스 챔버(920)를 포함한다. 여기서, 제 1 기판 이송 로봇(930)은 ATM(Atmosphere) 로봇이 사용된다.An Equipment Front End Module (EFEM) 900 is disposed in front of the
인덱스 챔버(920)는 로드 포트(910)와 로드락 챔버(200) 사이에 위치된다. 인덱스 챔버(920)는 전면 패널(922), 후면 패널(924) 그리고 양측면 패널(926)을 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 그 내부에는 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇(930)이 제공된다. 도시하지는 않았지만, 인덱스 챔버(920)는 내부 공간으로 입자 오염물이 유입되는 것을 방지하기 위하여, 벤트들(vents), 층류 시스템(laminar flow system)과 같은 제어된 공기 유동 시스템을 포함할 수 있다.The
인덱스 챔버(920)는 로드락 챔버(200)와 접하는 후면 패널(924)에 로드락 챔버(200)와의 웨이퍼 이송을 위한 통로가 게이트 밸브(GV1)에 의해 개폐된다.The
로드 포트(910)는 인덱스 챔버(920)의 전면 패널(922) 상에 일렬로 배치된다. 로드 포트(204)에는 카세트(C)가 로딩 및 언로딩된다. 카세트(C)는 전방이 개방된 몸체와 몸체의 전방을 개폐하는 도어를 갖는 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod)일 수 있다.The
인덱스 챔버(920)의 양측면 패널(926)에는 더미(dummy) 기판 저장부(940)가 제공된다. 더미 기판 저장부(940)는 더미 기판(DW)이 적층 보관되는 더미 기판 보관 용기(942)를 제공한다. 더미 기판 보관 용기(942)에 보관되는 더미 기판(DW)은 공정 처리 모듈(400)에서 기판이 부족할 경우 사용된다.A dummy
도시하지는 않았지만, 더미 기판 보관 용기(942)는 인덱스 챔버의 측면이 아닌 다른 챔버로 변경하여 제공될 수 있다. 일 예로, 더미 기판 보관 용기(942)는 트랜스퍼 챔버(300)에 설치될 수도 있다.Although not shown, the dummy
로드락 챔버(200)는 게이트 밸브(GV1)를 통해 설비 전방 단부 모듈(900)과 연결된다. 로드락 챔버(200)는 설비 전방 단부 모듈(900)과 트랜스퍼 챔버(300) 사이에 배치된다. 설비 전방 단부 모듈(900)과 트랜스퍼 챔버(300) 사이에는 3 개의 로드락 챔버(200)가 제공될 수 있다. 로드락 챔버(200)는 내부 공간이 대기압와 진공압으로 선택적 전환이 가능하다. 로드락 챔버(200)에는 기판이 적재되는 적재 용기(210)가 제공된다.The
트랜스퍼 챔버(300)는 게이트 밸브(GV2)를 통해 로드락 챔버(200)와 연결된다. 트랜스퍼 챔버(300)는 로드락 챔버(200)와 공정 처리 모듈(400) 사이에 배치된다. 트랜스퍼 챔버(300)는 직육면체의 박스 형상을 가지며, 그 내부에는 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇(330)이 제공된다. 제 2 기판 이송 로봇(330)은 로드락 챔버(200)와 공정 처리 모듈(400)의 처리 모듈용 로드락 챔버(410)에 구비된 기판 적재 유닛(130) 간에 기판을 이송한다. 제 2 기판 이송 로봇(330)은 1장의 기판 또는 5장의 기판을 반송할 수 있는 앤드 이펙터를 포함할 수 있다. 여기서, 제 2 기판 이송 로봇(330)은 진공 환경에서 기판을 이송시킬 수 있는 진공 로봇이 사용된다.The
트랜스퍼 챔버(300)에는 복수 개의 공정 처리 모듈(400)이 게이트 밸브(GV3)를 통해 연결될 수 있다. 일 예로, 트랜스퍼 챔버(300)에는 3 개의 공정 처리 모듈(400)이 연결될 수 있으며, 그 개수는 이에 제한되지 않는다.A plurality of
도 2를 참조하면, 클러스터 설비(1)는 진공 배기부(500)와 가스 공급부(600)를 포함한다. 진공 배기부(500)는 로드락 챔버(200), 트랜스퍼 챔버(300), 처리 모듈용 로드락 챔버(410) 그리고 프로세스 챔버(100) 각각에 연결되어 각 챔버에 진공압을 제공하는 진공 라인(510)을 포함한다. 가스 공급부(600)는 로드락 챔버(200), 트랜스퍼 챔버(300), 처리 모듈용 로드락 챔버(410) 그리고 프로세스 챔버(100) 간의 차압 형성을 위해 각각의 챔버에 가스를 공급하는 가스 공급라인(610)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the
또한, 인덱스 챔버(920)와 로드락 챔버(200), 로드락 챔버(200)와 트랜스퍼 챔버(300), 그리고 트랜스퍼 챔버(300)와 처리 모듈용 로드락 챔버(410)는 게이트밸브(GV1, GV2, GV3)를 통해 연결되어, 각각의 챔버 압력을 독립적으로 제어할 수 있다.In addition, the
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a
도 1 내지 도 3을 참조하면, 공정 처리 모듈(400)은 처리 모듈용 로드락 챔버(410)와 프로세스 챔버(100)를 포함한다.Referring to Figures 1 to 3, the
처리 모듈용 로드락 챔버(410)는 게이트 밸브(GV3)를 통해 트랜스퍼 챔버(300)와 연결된다. 처리 모듈용 로드락 챔버(410)에는 기판들이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛(130)을 프로세스 챔버(100)의 공정튜브(110)의 내부공간으로 로딩/언로딩시키기 위한 승강 부재(430)가 제공된다. 일 예로, 기판 적재 유닛(130)은 기판들이 25매, 50매씩 적재될 수 있도록 슬롯들을 구비한 보우트(boat)를 포함할 수 있다. 처리 모듈용 로드락 챔버(410)의 상부에는 프로세스 챔버(100)가 배치된다.The
프로세스 챔버(100)는 기판을 처리하기 위한 장치를 포함할 수 있다. 일 예로, 프로세스 챔버(100)는 공정 튜브(110), 히터 어셈블리(120), 기판 적재 유닛(130), 사이드 노즐부(140), 보트 회전부(160), 제어부(170) 및 공급부(190)를 포함할 수 있다.The
공정 튜브(110)는 기판 적재 유닛(130)이 수용되는 이너 튜브(112)와, 이너 튜브(112)를 감싸는 아우터 튜브(114)를 포함한다. 공정 튜브(110)는 기판이 적재된 기판 적재 유닛(130)이 로딩되어 기판에 처리가 진행되는 내부 공간을 제공한다. 공정 튜브(110)는 높은 온도에서 견딜 수 있는 재질, 예컨대 석영으로 제작될 수 있다. 이너 튜브(112)와 아우터 튜브(114)는 상부가 막혀 있는 원통관 형상으로 이루어진다. 특히, 이너 튜브(112)는 일측에 길이방향(수직한 방향)을 따라 절개부(113)가 형성된다. 절개부(113)는 슬롯형태로 제공된다. 절개부(113)는 면형상 노즐(142)과 일직선 상에 형성된다.The
절개부(113)는 하단에서 상단으로 갈수록 폭이 넓어지는 역삼각형 모양, 하단에서 상단으로 갈수록 폭이 좁아지는 삼각형 모양처럼 상하 대칭이 이루어지지 않는 모양으로 제공될 수 있다. 또한, 절개부(113)는 면형상 노즐(142)의 분사홀에 대향되게 개별 홀 형태로 제공될 수 있다. 또한, 절개부(113)는 상단에서 하단까지 동일한 폭으로 제공될 수 있다.The
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 공정 튜브(110)는 플랜지(118) 일측에 내부를 감압시키기 위해 내부 공기를 강제 흡입하여 배기하기 위한 배기 포트(119)와, 배기 포트(119) 반대편에 공정 튜브(110) 내부로 공정 가스를 주입하기 위한 사이드 노즐부(140) 장착을 위한 노즐 포트(118)가 제공된다. 배기 포트(119)는 공정 시 공정 튜브(110) 내 공기를 외부로 배출시키기 위해 제공된다. 배기 포트(119)에는 진공 배기 장치(미도시)가 연결되며, 배기 포트(119)를 통해 공정 튜브(110)로 공급되는 공정 가스의 배기 및 내부 감압이 이루어진다. 히터 어셈블리(120)는 공정튜브(110)를 둘러싸도록 설치된다.Referring again to FIGS. 1 to 3, the
기판 적재 유닛(130)은 복수 개(일 예로 50장)의 기판들이 삽입되는 슬롯들을 구비할 수 있다. 기판 적재 유닛(130)은 시일 캡(180) 상에 장착되며, 시일 캡(180)은 엘리베이터 장치인 승강부재(430)에 의해 공정 튜브(110) 안으로 로딩되거나 또는 공정 튜브(110) 밖으로 언로딩된다. 기판 적재 유닛(130)이 공정 튜브(110)에 로딩되면, 시일 캡(180)은 공정 튜브(110)의 플랜지(111)와 결합된다. 한편, 공정 튜브(110)의 플랜지(111)와 시일 캡(180)이 접촉하는 부분에는 실링(sealing)을 위한 오-링(O-ring)과 같은 밀폐 부재가 제공되어 공정가스가 공정 튜브(110)와 시일 캡(180) 사이에서 새어나가지 않도록 한다.The
한편, 보트 회전부(160)는 기판 적재 유닛(130)을 회전시키기 위한 회전력을 제공한다. 보트 회전부(160)는 모터가 사용될 수 있다. 보트 회전부(160)는 시일 캡(180) 상에 설치된다. 보트 회전부(160)는 기판 적재 유닛(130)의 회전 속도를 감지하기 위한 센서가 구비될 수 있다. 센서에 의해 감지된 기판 적재 유닛(130)의 회전 속도는 제어부(170)로 제공될 수 있다.On the other hand, the
제어부(170)는 보트 회전부(160)의 동작을 제어한다. 제어부(170)는 사이드 노즐부(140)의 노즐을 통해 공급되는 가스 공급 단계별 시간에 따라 보트 회전부(160)의 회전속도를 제어한다. 또한, 상기 제어부(170)는 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 전술한 클러스터 설비(1)의 동작을 제어할 수도 있다.The
본 발명의 실시예에 따르면, 프로세스 챔버(100)에서 기판의 처리가 완료되면 더미 기판(DW)은 상기 프로세스 챔버(100)로부터 진공 상태로 유지된 진공 공간으로 반출되고, 세정 공정과 같은 후-공정이 상기 프로세스 챔버(100)에 대해 수행될 수 있다. 그러고 나서, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판(DW)은 다시 상기 프로세스 챔버(100)로 반입될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, when the processing of the substrate in the
도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 후-공정 및 그에 수반하는 기판의 반입 및 반출 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 4 to 7 are views for explaining a post-process and a subsequent substrate carry-in and carry-out process according to an embodiment of the present invention.
전술한 바와 같이, 공정 처리 모듈(400)은 기판 처리 공정이 수행되는 프로세스 챔버(100)를 포함하며, 상기 프로세스 챔버(100)는 배치 방식으로 공정을 수행하기 위하여 다수의 기판을 수용할 수 있다. 도 3을 참조하면, 상기 프로세스 챔버(100)에 수용되는 기판은 처리 공정을 통해 제품으로 생산되는 기판(PW) 뿐만 아니라, 기판 적재 유닛(130)의 비어 있는 슬롯을 채우기 위한 더미 기판(DW)을 포함할 수 있다.As described above, the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 프로세스 챔버(100)에서 기판 처리 공정이 완료되면, 처리가 완료된 기판(PW)이 프로세스 챔버(100)로부터 로드 포트(910)로 이송될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the substrate processing process in the
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 처리가 완료된 기판(PW)은 먼저 프로세스 챔버(100)로부터 로드락 챔버(200)로 이송될 수 있다(도 4의 (i)). 상기 로드락 챔버(200)로 기판(PW)을 이송하는 공정은 제 2 기판 이송 로봇(330)에 의해 수행될 수 있다.4, the processed PW may be first transferred from the
그리고, 상기 로드락 챔버(200)로 이송된 기판(PW)은 로드 포트(910)로 이송될 수 있다(도 4의 (ii)). 상기 로드 포트(910)로 기판(PW)을 이송하는 공정은 제 1 기판 이송 로봇(930)에 의해 수행될 수 있다.Then, the substrate PW transferred to the
그러고 나서, 더미 기판(DW)이 프로세스 챔버(100)로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출될 수 있다.Then, the dummy substrate DW can be taken out of the
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 더미 기판(DW)은 프로세스 챔버(100)로부터 진공압으로 유지된 로드락 챔버(200)로 반출될 수 있다(도 5의 (iii)). 다시 말해, 이 실시예에서 상기 더미 기판(DW)이 반출되는 진공 공간은 로드락 챔버(200)이다.5, according to an embodiment of the present invention, the dummy substrate DW can be taken out of the
이 실시예에서, 상기 더미 기판(DW)은 처리가 완료된 기판(PW)이 이송된 로드락 챔버와 상이한 로드락 챔버로 반출될 수 있다.In this embodiment, the dummy substrate DW can be taken out to a load lock chamber different from the load lock chamber in which the processed PW is transferred.
예를 들어, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(200)가 다수 개인 경우, 처리가 완료된 기판(PW)은 다수의 로드락 챔버(200) 중 어느 하나(예컨대, 도 4에서 좌측 로드락 챔버)로 이송되고, 더미 기판(DW)은 다른 하나(예컨대, 도 5에서 중간 로드락 챔버)로 반출될 수 있다. 그러나, 상기 처리가 완료된 기판(PW) 및 더미 기판(DW)은 동일한 로드락 챔버로 이송될 수도 있으며, 특히 로드락 챔버가 하나만 구비된 경우에는 기판(PW) 및 더미 기판(DW)이 동일한 로드락 챔버로 이송된다.4 and 5, in the case where there are a plurality of
더미 기판(DW)이 프로세스 챔버(100)로부터 진공 공간으로 반출된 후, 상기 프로세스 챔버(100)에 대해 후-공정이 진행된다. 일 실시예에 따르면, 상기 후-공정은 세정 공정을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.After the dummy substrate DW is transferred from the
그러고 나서, 상기 후-공정이 완료되면, 반출된 더미 기판(DW)은 다시 프로세스 챔버(100)로 반입된다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(200)로 반출된 더미 기판(DW)은 후-공정 완료 후 프로세스 챔버(100)로 재반입될 수 있다.Then, when the post-process is completed, the carried dummy substrate DW is carried into the
상기 더미 기판(DW)이 반입된 후, 새로 처리될 기판(PW)이 로드 포트(910)로부터 프로세스 챔버(100)로 이송될 수 있다. 도 7을 참조하면, 로드 포트(910)에 적재된 새로운 기판(PW)은 로드락 챔버(200)로 이송되고(도 7의 (v)), 로드락 챔버(200)로부터 프로세스 챔버(100)로 이송될 수 있다(도 7의 (vi)).After the dummy substrate DW is loaded, the substrate PW to be newly processed can be transferred from the
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 새로 처리될 기판(PW)은 더미 기판(DW)이 반출된 로드락 챔버(예컨대, 도 6에서 중간 로드락 챔버)와 상이한 로드락 챔버(예컨대, 도 7에서 좌측 로드락 챔버)로 이송될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 동일한 로드락 챔버로 이송될 수도 있다.6 and 7, the substrate PW to be newly processed is transferred to a load lock chamber (for example, a load lock chamber in FIG. 6) different from the load lock chamber in which the dummy substrate DW is taken out 7 to the left load lock chamber), but may be transferred to the same load lock chamber without limitation thereto.
전술한 바와 같이, 기판 처리 공정이 완료된 후, 더미 기판(DW)은 더미 기판의 보관을 위한 버퍼(예컨대, 더미 기판 저장부(940))로 반출되거나 프로세스 챔버(100)에 남아있지 않고, 진공 상태로 유지된 진공 공간, 예컨대 로드락 챔버(200)로 반출된 뒤 후-처리 공정이 진행될 수 있다.As described above, after the substrate processing process is completed, the dummy substrate DW is not transferred to a buffer (for example, dummy substrate storage unit 940) for storing the dummy substrate or left in the
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 더미 기판(DW)은 트랜스퍼 챔버(300)로 반출되어 후-공정이 진행되는 동안 제 2 기판 이송 로봇(330)에 의해 보유될 수도 있다. 다시 말해, 이 실시예에서 더미 기판(DW)이 반출되는 진공 공간은 로드락 챔버(200)가 아닌 트랜스퍼 챔버(300)이다.According to another embodiment of the present invention, the dummy substrate DW may be held by the second
예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 더미 기판(DW)은 기판 처리 공정의 완료 후 제 2 기판 이송 로봇(330)에 의해 트랜스퍼 챔버(300)로 반출되고(도 8의 (iii)), 후-공정이 진행되는 동안 진공압으로 유지된 트랜스퍼 챔버(300) 내에서 제 2 기판 이송 로봇(330)에 의해 보유될 수 있다. 그러고 나서, 후-공정이 완료되면, 상기 더미 기판(DW)은 다시 프로세스 챔버(100)로 반입될 수 있다(도 8의 (iv)).8, the dummy substrate DW is transferred to the
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 더미 기판(DW)은 다수의 프로세스 챔버들 중 비어 있는 프로세스 챔버로 반출될 수도 있다. 다시 말해, 이 실시예에서 더미 기판(DW)이 반출되는 진공 공간은 로드락 챔버(200)나 트랜스퍼 챔버(300)가 아닌 다른 프로세스 챔버(100)이다.According to another embodiment of the present invention, the dummy substrate DW may be transferred to an empty process chamber among the plurality of process chambers. In other words, in this embodiment, the vacuum space from which the dummy substrate DW is taken out is the
예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 클러스터 설비(1)가 다수의 공정 처리 모듈(400)을 포함하는 경우, 하나의 프로세스 챔버(예컨대, 도 9에서 좌측 프로세스 챔버)에서 기판 처리 공정이 완료되면, 상기 더미 기판(DW)은 상기 처리가 완료된 프로세스 챔버로부터 비어 있는 다른 프로세스 챔버(예컨대, 도 9에서 중간 프로세스 챔버)의 기판 적재 유닛(130)으로 반출될 수 있다(도 9의 (iii)). 그러고 나서, 후-공정이 완료되면, 상기 더미 기판(DW)은 다시 기판 적재 유닛(130)으로부터 상기 후-공정이 완료된 프로세스 챔버(예컨대, 도 9에서 좌측 프로세스 챔버)로 반입될 수 있다(도 9의 (iv)).For example, as shown in FIG. 9, when the
처리가 완료된 기판(PW)의 로드락 챔버(300)로의 이송(도 4의 (i)), 처리가 완료된 기판(PW)의 로드 포트(910)로의 이송(도 4의 (ii)), 더미 기판(DW)의 진공 공간으로의 반출(도 5, 도 8 및 도 9의 (iii)), 더미 기판(DW)의 프로세스 챔버(100)로의 반입(도 6, 도 8 및 도 9의 (iv)), 새로 처리될 기판(PW)의 로드락 챔버(200)로의 이송(도 7의 (v)), 그리고 새로 처리될 기판(PW)의 프로세스 챔버(100)로의 이송(도 7의 (vi))은 순차적으로 수행될 수 있으나, 공정 순서는 이에 제한되지 않는다.The transfer of the processed substrate PW to the load lock chamber 300 (FIG. 4 (i)), the transfer of the processed substrate PW to the load port 910 (FIG. 4 (ii) The transfer of the substrate DW to the vacuum chamber (Figs. 5, 8, and 9 (iii)), the transfer of the dummy substrate DW to the process chamber 100 (Figs. 6, 8, (Fig. 7 (v)) of the substrate PW to be newly processed and the transfer to the
예를 들어, 더미 기판(DW)이 먼저 진공 공간으로 반출되고, 처리가 완료된 기판(PW)의 이송이 수행될 수도 있다. 또한, 새로 처리될 기판(PW)이 프로세스 챔버(100)로 이송된 뒤, 더미 기판(DW)이 프로세스 챔버(100)로 반입될 수도 있다.For example, the dummy substrate DW may be first taken out to the vacuum space, and the transfer of the processed PW may be performed. Further, after the substrate PW to be newly processed is transferred to the
나아가, 처리가 완료된 기판(PW)의 로드 포트(910)로의 이송(도 4의 (ii))과, 더미 기판(DW)의 진공 공간으로의 반출(도 5, 도 8 및 도 9의 (iii))은 동시에 수행될 수도 있다. 또한, 더미 기판(DW)의 프로세스 챔버(100)로의 반입(도 6, 도 8 및 도 9의 (iv))과, 새로 처리될 기판(PW)의 로드락 챔버(200)로의 이송(도 7의 (v)) 역시 동시에 수행될 수도 있다.4 (ii)) and the transfer of the dummy substrate DW to the vacuum space (the transfer of the processed substrate PW to the load port 910 (see (iii) in FIGS. 5, 8 and 9 ) May be performed simultaneously. 6, 8 and 9 (iv)) and the transfer of the substrate PW to be newly processed to the load lock chamber 200 (Fig. 7 (V) of FIG.
전술한 더미 기판(DW)을 반출 및 반입하는 공정은 로드 포트(910), 로드락 챔버(200), 공정 처리 모듈(400) 등이 복수 개 구비되는 클러스터 설비(1)를 기반으로 설명되었으나, 본 발명의 실시예에 따른 더미 기판(DW) 반출입 공정은 로드 포트, 로드락 챔버, 공정 처리 모듈 등이 하나씩만 구비된 기판 처리 장치에도 적용될 수 있다.The process of removing and loading the dummy substrate DW has been described on the basis of the
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 기판을 처리하는 과정을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.10 is an exemplary flow chart for explaining a process of processing a substrate according to an embodiment of the present invention.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법(700)은 프로세스 챔버(100)에서 기판의 처리가 완료되면, 더미 기판(DW)을 프로세스 챔버(100)로부터 진공압으로 유지된 진공 공간으로 반출하는 단계(S710), 상기 프로세스 챔버(100)에 대해 후-공정을 진행하는 단계(S720), 및 후-공정이 완료되면 반출된 더미 기판(DW)을 프로세스 챔버(100)로 반입하는 단계(S730)를 포함할 수 있다.10, a
상기 기판 처리 방법(700)은 전술한 본 발명의 실시예에 따른 클러스터 설비(1)에서 수행될 수 있다. 클러스터 설비(1)가 기판 처리 방법(700)에 따라 동작할 수 있도록 상기 제어부(170)는 상기 클러스터 설비를 구성하는 각 부분으로 미리 설정된 타이밍에 제어 신호를 생성하여 전송할 수 있다.The
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(700)을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.Figure 11 is an exemplary flow chart for illustrating a
도 11을 참조하면, 상기 기판 처리 방법(700)은, 상기 더미 기판(DW)이 반출되기 전에, 처리가 완료된 기판(PW)을 프로세스 챔버(100)로부터 로드 포트(910)로 이송하는 단계(S701)를 더 포함할 수 있다. 그리고, 상기 기판 처리 방법(700)은, 상기 더미 기판(DW)이 반입된 후에, 새로 처리될 기판(PW)을 로드 포트(910)로부터 프로세스 챔버(100)로 이송하는 단계(S740)를 더 포함할 수 있다. 그러나, 처리가 완료된 기판(PW)의 이송, 더미 기판(DW)의 반출과 반입, 그리고 새로 처리될 기판(PW)의 이송은 도 11에 도시된 순서로 제한되지는 않는다.11, the
또한, 도 11을 참조하면, 상기 더미 기판(DW)을 진공 공간으로 반출하는 단계(S710)는, 상기 더미 기판(DW)을 프로세스 챔버(100)로부터 진공압으로 유지된 로드락 챔버(200)로 반출하는 단계를 포함할 수 있다. 다시 말해, 이 실시예에서 더미 기판(DW)이 반출되는 진공 공간은 로드락 챔버이다.11, the dummy substrate DW is transferred to the vacuum chamber S710. The dummy substrate DW is transferred from the
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법(700)을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.12 is an exemplary flow chart for illustrating a
도 12를 참조하면, 상기 더미 기판(DW)을 진공 공간으로 반출하는 단계(S710)는, 상기 더미 기판(DW)을 진공압이 유지된 트랜스퍼 챔버(300)로 반출하는 단계(S712), 및 제 2 기판 이송 로봇(330)이 트랜스퍼 챔버(300) 내에서 더미 기판(DW)을 보유하는 단계(S713)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 이 실시예에서 더미 기판(DW)이 반출되는 진공 공간은 트랜스퍼 챔버이며, 후-공정이 진행되는 동안 상기 더미 기판(DW)은 트랜스퍼 챔버 내에서 기판 이송 로봇에 의해 보유될 수 있다.12, the step of transferring the dummy substrate DW to the vacuum space S710 includes the step of transferring the dummy substrate DW to the
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 방법(700)을 설명하기 위한 예시적인 흐름도이다.13 is an exemplary flow chart for illustrating a
도 13을 참조하면, 상기 더미 기판(DW)을 진공 공간으로 반출하는 단계(S710)는, 프로세스 챔버(100)가 복수 개 구비되어 있고, 이들 중 비어 있는 유휴 프로세스 챔버가 있는 경우((S714)에서 예), 상기 더미 기판(DW)을 처리 공정이 완료된 프로세스 챔버로부터 비어 있는 다른 프로세스 챔버의 기판 적재 유닛(130)으로 반출하는 단계(S715)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 이 실시예에서 더미 기판(DW)이 반출되는 진공 공간은 복수의 프로세스 챔버들 중 비어 있는 유휴 프로세스 챔버의 기판 적재 유닛이다.Referring to FIG. 13, in step S710, the dummy substrate DW is transferred to a vacuum space. When a plurality of
또한, 상기 반출된 더미 기판(DW)을 프로세스 챔버(100)로 반입하는 단계(S730)는, 상기 반출된 더미 기판(DW)을 기판 적재 유닛(130)으로부터 후-공정이 완료된 프로세스 챔버로 반입하는 단계를 포함할 수 있다.The step of transferring the dummy substrate DW to and from the
일 실시예에 따르면, 상기 후-공정을 진행하는 단계(S720)는, 프로세스 챔버(100)를 세정하는 단계를 포함할 수 있으나, 후-공정은 이에 제한되지는 않는다.According to one embodiment, the step S720 of performing the post-process may include cleaning the
전술한 기판 처리 방법(700)을 수행하기 위한 레시피는 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체에 저장될 수 있다. 상기 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 저장 장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있다. 상기 제어부(170)는 기록매체에 저장된 프로그램을 불러와 실행하여 레시피에 따라 상기 기판 처리 방법(700)을 수행하도록 클러스터 설비(1)의 각 부분에 제어 신호를 전송할 수 있다.The recipe for performing the above-described
이상, 처리 공정 완료 후 후-공정 진행 시, 프로세스 챔버로부터 진공 공간으로 더미 기판을 회피시켜 보관하는 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법이 설명되었다.The substrate processing apparatus, the cluster facility for substrate processing, and the substrate processing method for avoiding and storing the dummy substrate from the process chamber to the vacuum space after the completion of the process after the completion of the process process have been described.
전술한 본 발명의 실시예에 따르면, 더미 웨이퍼가 대기에 노출되거나 후-공정 시 챔버 내에 남아있게 되어 챔버 및 다른 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 후-공정으로 인해 더미 웨이퍼가 파손되는 것을 방지하여 더미 웨이퍼의 기대 수명을 늘릴 수 있다. 나아가, 후-공정 시 더미 웨이퍼를 버퍼로 반출 및 반입하는 방식에 비해 본 발명의 실시예는 더미 웨이퍼의 이동에 걸리는 시간이 줄어들어 공정 시간이 단축되고 생산성이 향상될 수 있다.According to the embodiment of the present invention described above, it is possible to prevent the dummy wafer from being exposed to the atmosphere or remaining in the chamber in the post-process to contaminate the chamber and other substrates. In addition, it is possible to prevent the dummy wafer from being damaged due to the post-process, thereby increasing the expected lifetime of the dummy wafer. Furthermore, the embodiment of the present invention can reduce the time taken to move the dummy wafer, thereby shortening the processing time and improving the productivity, as compared with a system in which the dummy wafer is taken out and carried into the buffer in the post-processing.
1: 클러스터 설비
100: 프로세스 챔버
200: 로드락 챔버
300: 트랜스퍼 챔버
330: 제 2 기판 이송 로봇
400: 공정 처리 모듈
910: 로드 포트
930: 제 1 기판 이송 로봇
DW: 더미 기판1: Cluster facility
100: Process chamber
200: load lock chamber
300: transfer chamber
330: second substrate transfer robot
400: process processing module
910: Load port
930: first substrate transfer robot
DW: dummy substrate
Claims (9)
기판이 적재된 카세트가 위치하는 복수의 로드 포트들을 가지며, 상기 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇을 구비하는 설비 전방 단부 모듈;
상기 설비 전방 단부 모듈과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 복수의 로드락 챔버들;
상기 로드락 챔버들과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버;
상기 트랜스퍼 챔버와 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛을 구비하는 복수의 처리 모듈용 로드락 챔버들;
상기 처리 모듈용 로드락 챔버들의 상부에 배치되고, 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버들; 및
상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 상기 클러스터 설비의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부를 포함하되;
상기 제어부는:
상기 기판의 처리가 완료되면 상기 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 로드락 챔버로 반출하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 로드락 챔버로부터 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 클러스터 설비.CLAIMS What is claimed is: 1. A cluster facility for processing substrates,
An apparatus front end module having a plurality of load ports on which a cassette loaded with a substrate is placed, and a first substrate transfer robot for transferring the substrate;
A plurality of load lock chambers connected via the gate valve to the plant front end module and having an internal pressure selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure;
A transfer chamber connected to the load lock chambers through a gate valve and having a second substrate transfer robot for transferring the substrate;
Load lock chambers for the plurality of processing modules, which are connected via the gate valve to the transfer chamber and have a substrate loading unit in which the substrates are stacked;
A plurality of process chambers disposed on top of the load lock chambers for the processing modules and processing the substrates loaded on the substrate loading unit; And
And controlling the operation of the cluster facility so that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out of the process chamber into a space maintained at a vacuum pressure, And controlling the transfer of the dummy substrate to the process chamber when the post-process is completed;
The control unit includes:
The dummy substrate is taken out from the process chamber to a load lock chamber maintained at a vacuum pressure when the substrate processing is completed, and when the post-process is completed, the taken out dummy substrate is transferred from the load lock chamber to the process chamber Cluster facility.
상기 후-공정은 세정 공정을 포함하는 클러스터 설비.The method according to claim 1,
Wherein the post-process comprises a cleaning process.
기판이 적재된 카세트가 위치하는 복수의 로드 포트들을 가지며, 상기 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇을 구비하는 설비 전방 단부 모듈;
상기 설비 전방 단부 모듈과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 복수의 로드락 챔버들;
상기 로드락 챔버들과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버;
상기 트랜스퍼 챔버와 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛을 구비하는 복수의 처리 모듈용 로드락 챔버들;
상기 처리 모듈용 로드락 챔버들의 상부에 배치되고, 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버들; 및
상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 상기 클러스터 설비의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부를 포함하되;
상기 로드락 챔버는 상기 후-공정이 진행되는 동안 상기 더미 기판을 진공압 하에서 보관하는 클러스터 설비.CLAIMS What is claimed is: 1. A cluster facility for processing substrates,
An apparatus front end module having a plurality of load ports on which a cassette loaded with a substrate is placed, and a first substrate transfer robot for transferring the substrate;
A plurality of load lock chambers connected via the gate valve to the plant front end module and having an internal pressure selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure;
A transfer chamber connected to the load lock chambers through a gate valve and having a second substrate transfer robot for transferring the substrate;
Load lock chambers for the plurality of processing modules, which are connected via the gate valve to the transfer chamber and have a substrate loading unit in which the substrates are stacked;
A plurality of process chambers disposed on top of the load lock chambers for the processing modules and processing the substrates loaded on the substrate loading unit; And
And controlling the operation of the cluster facility so that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out of the process chamber into a space maintained at a vacuum pressure, And controlling the transfer of the dummy substrate to the process chamber when the post-process is completed;
Wherein the load lock chamber stores the dummy substrate under vacuum during the post-process.
기판이 적재된 카세트가 위치하는 복수의 로드 포트들을 가지며, 상기 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇을 구비하는 설비 전방 단부 모듈;
상기 설비 전방 단부 모듈과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 복수의 로드락 챔버들;
상기 로드락 챔버들과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버;
상기 트랜스퍼 챔버와 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛을 구비하는 복수의 처리 모듈용 로드락 챔버들;
상기 처리 모듈용 로드락 챔버들의 상부에 배치되고, 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버들; 및
상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 상기 클러스터 설비의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부를 포함하되;
상기 제어부는:
상기 기판의 처리가 완료되면 상기 제 2 기판 이송 로봇이 상기 더미 기판을 상기 트랜스퍼 챔버로 반출시킨 뒤, 상기 후-공정이 진행되는 동안 진공압으로 유지된 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 반출된 더미 기판을 보유하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 반입시키도록 제어하는 클러스터 설비.CLAIMS What is claimed is: 1. A cluster facility for processing substrates,
An apparatus front end module having a plurality of load ports on which a cassette loaded with a substrate is placed, and a first substrate transfer robot for transferring the substrate;
A plurality of load lock chambers connected via the gate valve to the plant front end module and having an internal pressure selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure;
A transfer chamber connected to the load lock chambers through a gate valve and having a second substrate transfer robot for transferring the substrate;
Load lock chambers for the plurality of processing modules, which are connected via the gate valve to the transfer chamber and have a substrate loading unit in which the substrates are stacked;
A plurality of process chambers disposed on top of the load lock chambers for the processing modules and processing the substrates loaded on the substrate loading unit; And
And controlling the operation of the cluster facility so that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out of the process chamber into a space maintained at a vacuum pressure, And controlling the transfer of the dummy substrate to the process chamber when the post-process is completed;
The control unit includes:
The second substrate transfer robot transfers the dummy substrate to the transfer chamber and then transfers the transferred dummy substrate in the transfer chamber held in the vacuum pressure during the post- And when the post-process is completed, controls to carry out the carried-out dummy substrate.
상기 제어부는:
상기 더미 기판의 반출 전, 처리가 완료된 기판을 상기 프로세스 챔버로부터 상기 로드 포트로 이송하도록 제어하는 클러스터 설비.The method according to claim 1,
The control unit includes:
And transferring the processed substrate from the process chamber to the load port before transferring the dummy substrate.
상기 제어부는:
상기 더미 기판의 반입 후, 새로 처리될 기판을 상기 로드 포트로부터 상기 프로세스 챔버로 이송하도록 제어하는 클러스터 설비.The method according to claim 1,
The control unit includes:
And after transfer of the dummy substrate, a substrate to be newly processed is transferred from the load port to the process chamber.
기판이 적재된 카세트가 위치하는 복수의 로드 포트들을 가지며, 상기 기판을 이송하기 위한 제 1 기판 이송 로봇을 구비하는 설비 전방 단부 모듈;
상기 설비 전방 단부 모듈과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 내부 압력이 대기압과 진공압 간에 선택적으로 전환 가능한 복수의 로드락 챔버들;
상기 로드락 챔버들과 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판을 이송하기 위한 제 2 기판 이송 로봇을 구비하는 트랜스퍼 챔버;
상기 트랜스퍼 챔버와 게이트 밸브를 통해 연결되고, 상기 기판이 배치식으로 적재되는 기판 적재 유닛을 구비하는 복수의 처리 모듈용 로드락 챔버들;
상기 처리 모듈용 로드락 챔버들의 상부에 배치되고, 상기 기판 적재 유닛에 적재된 기판을 처리하는 복수의 프로세스 챔버들; 및
상기 기판을 처리하기 위한 공정이 수행되도록 상기 클러스터 설비의 동작을 제어하되, 상기 기판의 처리가 완료되면 더미 기판을 프로세스 챔버로부터 진공압으로 유지된 공간으로 반출한 뒤 상기 프로세스 챔버에 대해 후-공정을 진행하고, 상기 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 제어부를 포함하되;
상기 제어부는:
하나의 프로세스 챔버에서 기판의 처리가 완료되면 상기 더미 기판을 상기 처리가 완료된 프로세스 챔버로부터 비어 있는 다른 프로세스 챔버의 기판 적재 유닛으로 반출하도록 제어하는 클러스터 설비.CLAIMS What is claimed is: 1. A cluster facility for processing substrates,
An apparatus front end module having a plurality of load ports on which a cassette loaded with a substrate is placed, and a first substrate transfer robot for transferring the substrate;
A plurality of load lock chambers connected via the gate valve to the plant front end module and having an internal pressure selectively switched between atmospheric pressure and vacuum pressure;
A transfer chamber connected to the load lock chambers through a gate valve and having a second substrate transfer robot for transferring the substrate;
Load lock chambers for the plurality of processing modules, which are connected via the gate valve to the transfer chamber and have a substrate loading unit in which the substrates are stacked;
A plurality of process chambers disposed on top of the load lock chambers for the processing modules and processing the substrates loaded on the substrate loading unit; And
And controlling the operation of the cluster facility so that a process for processing the substrate is performed. When the processing of the substrate is completed, the dummy substrate is taken out of the process chamber into a space maintained at a vacuum pressure, And controlling the transfer of the dummy substrate to the process chamber when the post-process is completed;
The control unit includes:
And when the processing of the substrate in one process chamber is completed, transfers the dummy substrate from the processed process chamber to a substrate loading unit of another process chamber which is empty.
상기 제어부는:
상기 처리가 완료된 프로세스 챔버에서 후-공정이 완료되면 상기 반출된 더미 기판을 상기 기판 적재 유닛으로부터 상기 후-공정이 완료된 프로세스 챔버로 반입하도록 제어하는 클러스터 설비.9. The method of claim 8,
The control unit includes:
And when the post-process is completed in the process chamber in which the process has been completed, controls to bring the carried-out dummy substrate from the substrate stacking unit to the post-process process chamber.
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