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KR101520991B1 - Liquid processing method and liquid processing apparatus - Google Patents

Liquid processing method and liquid processing apparatus Download PDF

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KR101520991B1
KR101520991B1 KR1020110107928A KR20110107928A KR101520991B1 KR 101520991 B1 KR101520991 B1 KR 101520991B1 KR 1020110107928 A KR1020110107928 A KR 1020110107928A KR 20110107928 A KR20110107928 A KR 20110107928A KR 101520991 B1 KR101520991 B1 KR 101520991B1
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지로 히가시지마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 처리실 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있고, 기판을 액처리할 때에 비산된 약액 등의 분위기가 처리실 안에 잔존하지 않도록 할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
액처리 장치(10)에서, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50) 안의 분위기가 그 컵 외주통(50)의 외측으로 보내지게 된다. 또한, 처리실(20) 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 처리실(20) 안에서 컵 외주통(50)의 외측에 형성되어 있다. An object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method capable of improving the substitution property of the atmosphere in a processing chamber and preventing an atmosphere such as a chemical liquid scattered when the substrate is subjected to liquid processing from remaining in the processing chamber .
In the liquid processing apparatus 10, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 is sent to the outside of the cup outer cylinder 50. An exhaust portion 56 for exhausting the atmosphere in the processing chamber 20 is formed in the processing chamber 20 outside the cup outer cylinder 50.

Description

액처리 장치 및 액처리 방법{LIQUID PROCESSING METHOD AND LIQUID PROCESSING APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method,

본 발명은 기판을 수평 상태로 유지한 상태로 회전시키면서 그 기판에 처리액을 공급함으로써 기판의 세정 처리나 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 액처리를 행하는 액처리 장치 및 액처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid processing apparatus and a liquid processing method for performing liquid processing such as cleaning processing, etching processing, plating processing, and developing processing of a substrate by supplying a processing liquid to a substrate while rotating the substrate while keeping the substrate in a horizontal state will be.

종래부터, 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 웨이퍼라고도 함)을 수평 상태로 유지한 상태로 회전시키면서 그 기판의 표면이나 이면에 처리액을 공급함으로써 기판의 세정 처리나 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 액처리를 수행하는 액처리 장치로서, 여러 가지 종류의 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 등 참조). 특허문헌 1에는, 기판을 스핀척에 의해 수평으로 유지하여 회전시키고, 스핀척에 의해 유지되어 회전하는 기판 표면에 처리액을 공급하며, 기판을 1장씩 처리하는 매엽식 액처리 장치가 개시되어 있다. 또한, 이러한 매엽식 액처리 장치에서, 처리실의 위쪽에 FFU(팬 필터 유닛)를 설치하고, 이 FFU로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린 에어 등의 가스를 다운플로우로 처리실 안으로 보내는 기술이 알려져 있다. Background Art Conventionally, a process liquid is supplied to a front surface or back surface of a substrate while rotating a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter also referred to as a wafer) in a state in which the wafer is held in a horizontal state to perform a cleaning process, a plating process, (See, for example, Patent Document 1, etc.). Patent Document 1 discloses a single-wafer-type liquid processing apparatus in which a substrate is held horizontally by a spin chuck and rotated, and a process liquid is supplied to a rotating substrate surface held by a spin chuck and the substrates are processed one by one . Further, in such a single-wafer liquid processing apparatus, there is known a technique in which an FFU (fan filter unit) is provided above a treatment chamber, and a gas such as N 2 gas (nitrogen gas) or clean air is sent from the FFU into the treatment chamber have.

처리실의 위쪽에 FFU가 설치된 액처리 장치의 구성에 대해서 도 13 및 도 14를 이용하여 설명한다. 도 13은 종래의 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이고, 도 14는 도 13에 도시하는 종래의 액처리 장치의 평면도이다. 도 13 및 도 14에 도시하는 바와 같이, 종래의 액처리 장치(200)는 웨이퍼(W)가 수용되고 이 수용된 웨이퍼(W)의 액처리가 행해지는 처리실(챔버)(210)을 구비한다. 도 13 및 도 14에 도시하는 바와 같이, 처리실(210) 안에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키기 위한 유지부(220)가 설치되어 있고, 이 유지부(220) 주위에는 컵(230)이 배치되어 있다. 또한, 종래의 액처리 장치(200)에서는, 유지부(220)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 컵(230)의 위쪽으로부터 처리액을 공급하기 위한 노즐(240) 및 이 노즐(240)을 지지하는 아암(241)이 처리실(210) 안에 설치되어 있다. 또한, 아암(241)에는 대략 수직 방향으로 연장되는 아암 지지부(242)가 설치되어 있고, 이 아암 지지부(242)에 의해 아암(241)이 지지된다. 그리고, 아암 지지부(242)는 도시하지 않는 구동 기구에 의해 정/역 양방향으로 회전 구동되게 된다. 이것에 의해, 아암(241)은 아암 지지부(242)를 중심으로서 정/역 양방향으로 회전 가능해지고, 이 아암(241)은, 유지부(220)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 진출 위치(도 14의 실선 참조)와 컵(230)으로부터 후퇴한 후퇴 위치(도 14의 이점쇄선 참조) 사이에서 아암 지지부(242)를 중심으로 하여 회전 이동하게 된다(도 14의 화살표 참조). The configuration of the liquid processing apparatus provided with the FFU above the processing chamber will be described with reference to Figs. 13 and 14. Fig. FIG. 13 is a side view showing a schematic structure of a conventional liquid processing apparatus, and FIG. 14 is a plan view of a conventional liquid processing apparatus shown in FIG. As shown in Figs. 13 and 14, a conventional liquid processing apparatus 200 includes a processing chamber (chamber) 210 in which a wafer W is accommodated and liquid processing of the accommodated wafer W is performed. 13 and 14, a holding portion 220 for holding and rotating the wafer W is provided in the processing chamber 210. A cup 230 is provided around the holding portion 220 Respectively. In the conventional liquid processing apparatus 200, a nozzle 240 for supplying a process liquid from above the cup 230 to the wafer W held by the holding unit 220, and the nozzle 240 And an arm 241 supporting it is installed in the processing chamber 210. The arm 241 is provided with an arm support portion 242 extending in a substantially vertical direction. The arm 241 is supported by the arm support portion 242. Then, the arm support portion 242 is rotationally driven in forward and reverse directions by a driving mechanism (not shown). As a result, the arm 241 is rotatable in the forward / reverse directions about the arm supporting portion 242, and the arm 241 rotates the wafer W held by the holding portion 220 (See the solid line in Fig. 14) and the retracted position (see the dashed line in Fig. 14) retracted from the cup 230 (see the arrows in Fig. 14) ).

또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 처리실(210)의 위쪽에는 FFU(팬 필터 유닛)(250)가 설치되어 있고, 이 FFU(250)로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린 에어 등의 가스가 항상 다운플로우로 처리실(210) 안으로 보내지게 된다. 또한, 처리실(210)의 바닥부에는 배기부(260)가 형성되어 있고, 이 배기부(260)에 의해 처리실(210) 내의 분위기가 배기되게 된다. 이와 같이, FFU(250)로부터 처리실(210) 안에 클린 에어 등의 가스가 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 배기부(260)에 의해 배기됨으로써, 처리실(210) 안의 분위기가 치환되게 된다.13, an FFU (fan filter unit) 250 is provided above the processing chamber 210. From the FFU 250, a gas such as N 2 gas (nitrogen gas) or clean air Is always sent into the processing chamber 210 as a down flow. An exhaust section 260 is formed at the bottom of the process chamber 210. The atmosphere inside the process chamber 210 is exhausted by the exhaust section 260. As described above, a gas such as clean air is sent to the downflow from the FFU 250 into the process chamber 210, and this gas is exhausted by the exhaust unit 260, so that the atmosphere in the process chamber 210 is replaced.

일본 특허 공개 제2009-94525호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-94525

그러나, 도 13 및 도 14에 도시하는 바와 같은 종래의 액처리 장치(200)에서는, 노즐(240)을 지지하는 아암(241)이나 이 아암(241)을 지지하는 아암 지지부(242)가 처리실(210) 안에 설치되어 있기 때문에, 컵(230)의 외측 영역의 스페이스가 커지고, 이러한 컵(230)의 외측 영역에서는 처리실(210) 안의 분위기가 치환되기 어려워진다. 구체적으로는, 도 13 및 도 14에서 참조 부호 X로 표시되는 영역은 컵(230)의 외측에 위치하기 때문에, FFU(250)로부터 처리실(210) 안에 다운플로우로 보내진 가스가 체류되기 쉬워, 이러한 영역에서는 분위기가 적절히 치환되지 않을 우려가 있다. 이 때문에, 종래의 액처리 장치(200)에서는, 처리실(210) 안에서 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 참조 부호 X로 표시되는 영역에 약액 등이 비산되면, 이 약액의 분위기가 그 영역에서 잔존하여, 그 후의 웨이퍼(W)의 처리에서 이 잔존한 약액의 분위기에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 등의 악영향을 미칠 우려가 있다. 구체적으로는, 처리 후의 웨이퍼(W)를 포함하는 여러 가지 건조물에 대해 약액 등이 재부착되면, 파티클의 원인이 된다고 하는 문제가 있다. 또한, 잔존한 약액에서의 알칼리성이나 산성 분위기가 화학 반응을 일으킴으로써, 결정물이 생성되어, 파티클의 원인이 된다고 하는 문제가 있다. However, in the conventional liquid processing apparatus 200 as shown in Figs. 13 and 14, the arm 241 supporting the nozzle 240 and the arm supporting portion 242 supporting the arm 241 are connected to the processing chamber The space in the outer region of the cup 230 becomes larger and the atmosphere in the process chamber 210 becomes less likely to be displaced in the outer region of the cup 230. [ Specifically, since the area indicated by reference symbol X in Figs. 13 and 14 is located outside the cup 230, the gas sent from the FFU 250 to the down flow in the process chamber 210 is liable to stagnate, There is a possibility that the atmosphere is not appropriately substituted in the region. Therefore, in the conventional liquid processing apparatus 200, when the chemical liquid or the like is scattered in the area indicated by reference character X when the wafer W is subjected to liquid processing in the processing chamber 210, the atmosphere of the chemical liquid remains in the area And there is a fear that the wafers W may be adversely affected by the atmosphere of the remaining chemical liquid in the subsequent treatment of the wafers W, for example. Specifically, there is a problem that when the chemical solution or the like is reattached to various dried materials including the processed wafers W, it causes particles. Further, there is a problem in that the alkaline or acidic atmosphere in the remaining chemical liquid causes a chemical reaction, which results in the generation of a crystal and a cause of particles.

본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 처리실 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있고, 기판을 액처리할 때에 비산된 약액 등의 분위기가 처리실 안에 잔존하지 않도록 할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of this point, and it is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus and liquid processing apparatus capable of improving the substitution property of the atmosphere in the processing chamber and preventing the atmosphere, And a method thereof.

본 발명의 액처리 장치는 기판을 수평 상태로 유지하여 회전시키기 위한 기판 유지부 및 그 기판 유지부 주위에 배치되는 컵이 내부에 설치된 처리실과, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 대하여 처리액을 공급하기 위한 노즐과, 상기 노즐을 지지하고, 상기 처리실 안으로 진출한 진출 위치와 상기 처리실로부터 후퇴한 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 되어 있는 아암과, 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 그 처리실로부터 후퇴한 상기 아암이 대기하기 위한 아암 대기부와, 상기 처리실 안에서 상기 컵의 주위에 배치되어, 위쪽 위치와 아래쪽 위치 사이에서 승강 가능하게 되어 있는 컵 외주통을 구비하고, 상기 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통 안의 분위기가 그 컵 외주통의 외측으로 보내지도록 되어 있고, 상기 처리실 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부가 상기 처리실 안에서 상기 컵 외주통의 외측에 형성되는 것을 특징으로 한다. A liquid processing apparatus of the present invention includes a substrate holding portion for holding and rotating a substrate in a horizontal state, a process chamber having a cup disposed around the substrate holding portion, An arm supporting the nozzle and movable in a horizontal direction between an advancing position advancing into the processing chamber and a retracting position retracting from the processing chamber; and an arm extending from the processing chamber And a cup outer cylinder disposed around the cup in the processing chamber so as to be able to move up and down between the upper position and the lower position, The atmosphere in the cup outer cylinder is sent to the outside of the cup outer cylinder, And an exhaust part for exhausting the atmosphere of the reactor is formed outside the cup outer cylinder in the treatment chamber.

또한, 본 발명의 액처리 방법은, 처리실 내부에 설치된 기판 유지부에 의해 기판을 수평 상태로 유지시키는 공정과, 상기 처리실 안에서 컵 주위에 배치되어 있는 컵 외주통을 아래쪽 위치로부터 위쪽 위치로 이동시켜, 컵 외주통 안의 영역을 외부로부터 격리시키는 공정과, 노즐을 지지하는 아암을, 상기 처리실에 인접하여 설치된 아암 대기부로부터 상기 처리실 안으로 진출시키는 공정과, 상기 기판 유지부에 의해 기판을 회전시키고, 상기 처리실 안으로 진출한 아암의 노즐을 통해, 상기 기판 유지부에 의해 유지되어 회전하는 기판에 처리액을 공급하는 공정을 포함하고, 상기 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통 안의 분위기가 그 컵 외주통의 외측으로 보내지며, 상기 처리실 안에서 상기 컵 외주통의 외측에 형성되는 배기부에 의해, 상기 처리실 안의 분위기가 배기되는 것을 특징으로 한다. In addition, the liquid processing method of the present invention includes a step of holding a substrate in a horizontal state by a substrate holding section provided inside the processing chamber, and a step of moving the cup outer cylinder disposed in the vicinity of the cup from the lower position to the upper position A step of advancing the arm supporting the nozzle from the arm base portion provided adjacent to the processing chamber into the processing chamber; and a step of rotating the substrate by the substrate holding portion, And supplying the processing liquid to the substrate rotated and held by the substrate holding unit through the nozzle of the arm advancing into the processing chamber. When the cup outer cylinder is in the upper position, And is discharged to the outside of the cup outer cylinder, and is discharged by the discharge portion formed outside the cup outer cylinder in the processing chamber , And the atmosphere in the treatment chamber is evacuated.

이러한 액처리 장치 및 액처리 방법에 의하면, 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통 안의 분위기가 그 컵 외주통의 외측으로 보내지도록 되어 있고, 처리실 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부가 처리실 안에서 컵 외주통의 외측에 형성되기 때문에, 컵 외주통이 아래쪽 위치에 있을 때에는, 배기부에 의해 처리실 안 전체 분위기를 배기할 수 있고, 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에도, 컵 외주통 안의 분위기가 그 컵 외주통의 외측에 보내지기 때문에, 배기부에 의해 컵 외주통 안의 분위기를 배기할 수 있다. 이와 같이 하여, 전술한 바와 같이 액처리 장치 및 액처리 방법에 의하면, 처리실 안, 특히 컵 외주통 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있다. According to such a liquid processing apparatus and a liquid processing method, when the cup outer cylinder is in the upper position, the atmosphere in the outer cylinder of the cup is sent to the outside of the cup outer cylinder, and an exhaust part for exhausting the atmosphere inside the processing chamber When the cup outer cylinder is in the lower position, the atmosphere in the inside of the processing chamber can be exhausted by the exhaust portion, and even when the cup outer cylinder is in the upper position, the atmosphere in the cup outer cylinder It is sent to the outside of the cup outer cylinder, so that the atmosphere inside the cup outer cylinder can be exhausted by the exhaust part. As described above, according to the liquid processing apparatus and the liquid processing method as described above, the substitution property of the atmosphere in the processing chamber, especially in the cup outer cylinder, can be improved.

본 발명의 액처리 장치에서는, 상기 컵 외주통을 세정하기 위한 세정부를 더 구비하여도 좋다. The liquid processing apparatus of the present invention may further comprise a cleaning section for cleaning the cup outer cylinder.

이 때에, 상기 세정부는 세정액을 저류하기 위한 저류 부분을 가지며, 상기 컵 외주통이 아래쪽 위치에 있을 때에 그 컵 외주통이 상기 저류 부분에 저류된 세정액에 침지되고, 상기 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에 그 컵 외주통이 상기 저류 부분에 저류된 세정액으로부터 위쪽으로 이격되도록 되어 있어도 좋다. At this time, the cleaning section has a reservoir portion for reserving the cleaning liquid, and when the cup outer cylinder is in the lower position, the outer cylinder of the cup is immersed in the cleaning liquid stored in the reservoir portion, The cup outer cylinder may be spaced upward from the cleaning liquid stored in the storage portion.

본 발명의 액처리 장치에서는, 상기 컵 외주통에는 통기용 개구가 형성되고, 상기 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통 안의 분위기는 상기 통기용 개구를 통해 상기 컵 외주통의 외측으로 보내져 상기 배기부에 의해 배기되어도 좋다. In the liquid processing apparatus according to the present invention, the vent hole for the cup is formed in the cup outer cylinder, and when the cup outer cylinder is in the upper position, the atmosphere in the cup outer cylinder passes through the vent opening to the outside of the cup outer cylinder And may be exhausted by the exhaust unit.

본 발명의 액처리 장치에서는, 상기 처리실과 상기 아암 대기부 사이에는 수직 방향으로 연장되는 벽이 설치되어 있고, 상기 벽에는, 상기 아암이 통과 가능한 개구가 형성되어도 좋다. In the liquid processing apparatus of the present invention, a wall extending in the vertical direction is provided between the processing chamber and the arm base portion, and an opening through which the arm can pass may be formed in the wall.

본 발명의 액처리 장치 및 액처리 방법에 의하면, 처리실 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있고, 기판을 액처리할 때에 비산된 약액 등의 분위기가 처리실 안에 잔존하지 않도록 할 수 있다. According to the liquid processing apparatus and the liquid processing method of the present invention, the substitution property of the atmosphere in the processing chamber can be improved, and the atmosphere such as the chemical liquid scattered when the substrate is subjected to the liquid processing can be prevented from remaining in the processing chamber.

도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 평면도이다.
도 2a와 도 2b는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 2a와 도 2b에 도시하는 액처리 장치의 측면도이다.
도 4는 도 2a와 도 2b에 도시하는 액처리 장치의 구성의 세부 사항을 도시하는 종단면도로서, 컵 외주통이 아래쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 5는 도 2a와 도 2b에 도시하는 액처리 장치의 구성의 세부 사항을 도시하는 종단면도로서, 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시한 도면이다.
도 6은 도 4 등에 도시하는 액처리 장치에서의 컵 외주통의 구성을 도시하는 사시도이다.
도 7은 도 4 등에 도시하는 액처리 장치의 컵 외주통의 세정부의 구성을 도시하는 측단면도로서, (a)는 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하고, (b)는 컵 외주통이 아래쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 8은 컵 외주통이 아래쪽 위치에 있을 때의 처리실에서의 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 9는 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때의 처리실에서의 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명에 의한 액처리 장치에서의 컵 외주통의 다른 구성을 도시하는 사시도이다.
도 11은 도 10에 도시하는 컵 외주통을 이용한 경우에 있어서 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때의 처리실에서의 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 12는 도 10 등에 도시하는 액처리 장치의 컵 외주통의 세정부의 구성을 도시하는 측단면도로서, (a)는 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하고, (b)는 컵 외주통이 아래쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하는 도면이다.
도 13은 종래의 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이다.
도 14는 도 10에 도시하는 종래의 액처리 장치의 평면도이다. 1 is a plan view of a liquid processing system including a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention, as viewed from above.
2A and 2B are plan views showing a schematic structure of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a side view of the liquid processing apparatus shown in Figs. 2A and 2B.
Fig. 4 is a longitudinal sectional view showing the details of the configuration of the liquid processing apparatus shown in Figs. 2A and 2B, and shows the state when the cup outer cylinder is in the lower position. Fig.
Fig. 5 is a vertical sectional view showing the details of the configuration of the liquid processing apparatus shown in Figs. 2A and 2B, and shows the state when the cup outer cylinder is in the upper position. Fig.
Fig. 6 is a perspective view showing the configuration of the cup outer cylinder in the liquid processing apparatus shown in Fig. 4 and others.
Fig. 7 is a side cross-sectional view showing the configuration of the cleaning section of the cup outer cylinder of the liquid processing apparatus shown in Fig. 4 and others, in which Fig. 7A shows a state when the cup outer cylinder is in the upper position, And the cup outer cylinder is in the lower position. Fig.
8 is a view showing a flow of gas in the processing chamber when the cup outer cylinder is in the lower position.
9 is a view showing the flow of gas in the treatment chamber when the cup outer cylinder is in the upper position.
10 is a perspective view showing another configuration of the cup outer cylinder in the liquid processing apparatus according to the present invention.
11 is a view showing the flow of gas in the treatment chamber when the cup outer cylinder is in the upper position when the cup outer cylinder shown in Fig. 10 is used.
Fig. 12 is a side sectional view showing the configuration of the cleaning section of the cup outer cylinder of the liquid processing apparatus shown in Fig. 10 and others, in which (a) shows a state when the cup outer cylinder is in the upper position, And the cup outer cylinder is in the lower position. Fig.
13 is a side view showing a schematic structure of a conventional liquid processing apparatus.
14 is a plan view of the conventional liquid processing apparatus shown in Fig.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1 내지 도 9는 본 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 도면이다. 보다 상세하게는, 도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 평면도이다. 또한, 도 2a와 도 2b는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 평면도이며, 도 3은 도 2a와 도 2b에 도시하는 액처리 장치의 개략적인 구성을 도시하는 측면도이다. 또한, 도 4 및 도 5는 도 2a와 도 2b에 도시하는 액처리 장치의 구성의 세부 사항을 도시하는 종단면도이다. 도 6은 도 4 등에 도시하는 액처리 장치에서의 컵 외주통의 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 7은 도 4 등에 도시하는 액처리 장치의 컵 외주통의 세정부의 구성을 도시하는 측단면도이다. 도 8 및 도 9는 각각 컵 외주통이 아래쪽 위치 및 위쪽 위치에 있을 때의 처리실에서의 가스의 흐름을 도시한 도면이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 9 are diagrams showing a liquid processing apparatus according to the present embodiment. More specifically, FIG. 1 is a plan view of a liquid processing system including a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention as viewed from above. 2A and 2B are plan views showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig. 3 is a side view showing a schematic configuration of a liquid processing apparatus shown in Figs. 2A and 2B to be. 4 and 5 are longitudinal sectional views showing the details of the configuration of the liquid processing apparatus shown in Figs. 2A and 2B. Fig. 6 is a perspective view showing the configuration of the cup outer cylinder in the liquid processing apparatus shown in Fig. 4 and others. Fig. 7 is a side sectional view showing the configuration of the cleaning section of the cup outer cylinder of the liquid processing apparatus shown in Fig. 4 and others. 8 and 9 are views showing the flow of gas in the treatment chamber when the cup outer cylinder is in the lower position and the upper position, respectively.

먼저, 도 1을 이용하여, 본 실시형태에 의한 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템에 대해서 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 액처리 시스템은 외부로부터 피처리 기판인 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)[이하, 웨이퍼(W)라고도 함]을 수용한 캐리어를 배치하기 위한 배치대(101)와, 캐리어에 수용된 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 반송 아암(102)과, 반송 아암(102)에 의해 취출된 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 선반 유닛(103)과, 선반 유닛(103)에 배치된 웨이퍼(W)를 수취하고, 그 웨이퍼(W)를 액처리 장치(10) 안에 반송하는 반송 아암(104)을 구비한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 액처리 시스템에는, 반송 아암(104)을 갖는 반송로를 사이에 두고, 복수(도 1에 도시하는 양태에서는 4개)의 액처리 장치(10)가 설치되어 있다.First, a liquid processing system including a liquid processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to Fig. 1, the liquid processing system includes a mounting table 101 for placing a carrier containing a substrate W (hereinafter also referred to as a wafer W) such as a semiconductor wafer, which is a substrate to be processed from the outside, A transfer arm 102 for taking out the wafer W housed in the carrier, a shelf unit 103 for placing the wafer W taken out by the transfer arm 102, And a transfer arm 104 for receiving the wafer W and for transferring the wafer W into the liquid processing apparatus 10. As shown in Fig. 1, a plurality of liquid processing apparatuses 10 (four in the embodiment shown in Fig. 1) are provided in the liquid processing system via a transfer path having a transfer arm 104 therebetween .

다음에, 본 실시형태에 의한 액처리 장치(10)의 개략적인 구성에 대해서 도 2a와 도 2b 및 도 3을 이용하여 설명한다. Next, a schematic configuration of the liquid processing apparatus 10 according to the present embodiment will be described with reference to Figs. 2A, 2B, and 3. Fig.

도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 의한 액처리 장치(10)는 웨이퍼(W)가 수용되고 이 수용된 웨이퍼(W)의 액처리가 행해지는 처리실(챔버)(20)을 구비한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 안에는, 웨이퍼(W)를 수평 상태로 유지하여 회전시키기 위한 유지부(21)가 설치되어 있고, 이 유지부(21) 주위에는 링형의 회전컵(40)이 배치되어 있다. 또한, 도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 안에서 회전컵(40) 주위에는 원통형의 컵 외주통(50)이 배치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 이 컵 외주통(50)은 웨이퍼(W)의 처리 상황에 따라 승강 가능하게 되어 있다. 이들 유지부(21), 회전컵(40) 및 컵 외주통(50)의 구성의 세부 사항에 대해서는 후술한다. As shown in Figs. 2A, 2B, and 3, the liquid processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a processing chamber (chamber) in which a wafer W is accommodated and liquid processing of the accommodated wafer W 20). 3, a holding portion 21 for holding and rotating the wafer W in a horizontal state is provided in the treatment chamber 20. Around the holding portion 21, a ring-shaped rotating cup 40 are disposed. 2A, 2B, and 3, a cylindrical cup outer cylinder 50 is disposed around the rotating cup 40 in the processing chamber 20. As shown in FIG. As will be described later, the cup outer cylinder 50 is movable up and down according to the processing condition of the wafer W. The details of the configuration of the holding portion 21, the rotating cup 40 and the cup outer cylinder 50 will be described later.

또한, 액처리 장치(10)에는, 유지부(21)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 웨이퍼(W)의 위쪽으로부터 처리액을 공급하기 위한 노즐(82a) 및 이 노즐(82a)을 지지하는 노즐 아암(82)이 설치되어 있다. 도 2a와 도 2b에 도시하는 바와 같이, 하나의 액처리 장치(10)에는 복수(구체적으로는 예컨대 6개)의 노즐 아암(82)이 설치되고, 각 노즐 아암(82)의 선단에 노즐(82a)이 설치되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 아암(82)에는 아암 지지부(84)가 설치되어 있고, 각 아암 지지부(84)는 도시하지 않는 구동 기구에 의해 도 3의 좌우 방향으로 구동되도록 되어 있다. 이것에 의해, 각 노즐 아암(82)은 처리실(20) 안으로 진출한 진출 위치와, 처리실(20)로부터 후퇴한 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 직선 운동을 하도록 되어 있다[도 2a와 도 2b 및 도 3에서의 각 노즐 아암(82)에 표시된 화살표 참조]. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 노즐 아암(82)에는 표면 처리액 공급관(82m)이 설치되어 있고, 각 표면 처리액 공급관(82m)은 표면 처리액 공급부(89)에 접속된다. 그리고, 표면 처리액 공급부(89)로부터 각 표면 처리액 공급관(82m)을 통해 각 노즐 아암(82)의 노즐(82a)에 처리액이 공급되게 된다.The liquid processing apparatus 10 further includes a nozzle 82a for supplying the processing liquid from above the wafer W to the wafer W held by the holding unit 21 and a nozzle 82a for supporting the nozzle 82a And a nozzle arm 82 is provided. As shown in Figs. 2A and 2B, a plurality of (specifically, six, for example, six) nozzle arms 82 are provided in one liquid processing apparatus 10, and nozzles 82a. 3, each of the nozzle arms 82 is provided with a arm support portion 84. Each arm support portion 84 is driven in the lateral direction of Fig. 3 by a driving mechanism (not shown) have. As a result, each nozzle arm 82 performs a linear motion in the horizontal direction between the advancing position advancing into the process chamber 20 and the retracting position retracting from the process chamber 20 (Figs. 2A, 2B and 3 (See arrows displayed on each nozzle arm 82 in FIG. 3, each of the nozzle arms 82 is provided with a surface treatment liquid supply pipe 82m, and each of the surface treatment liquid supply pipes 82m is connected to the surface treatment liquid supply unit 89. As shown in Fig. The treatment liquid is supplied from the surface treatment liquid supply unit 89 to the nozzles 82a of the nozzle arms 82 via the respective surface treatment liquid supply pipes 82m.

도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(10)에서, 아암 대기부(80)는 처리실(20)에 인접하여 설치된다. 이 아암 대기부(80)에서, 처리실(20)로부터 후퇴한 노즐 아암(82)이 대기하게 된다. 또한, 아암 대기부(80)와 처리실(20) 사이에는 수직 방향으로 연장되는 벽(90)이 설치된다. 이 벽(90)은 각 노즐 아암(82)이 통과 가능한 개구(88a)가 형성된 아암 세정부(88)를 갖고 있다. 이 아암 세정부(88)에 의해 각 노즐 아암(82)이 세정된다.As shown in Figs. 2A, 2B, and 3, in the liquid processing apparatus 10, the arm base portion 80 is provided adjacent to the processing chamber 20. At this arm base portion 80, the nozzle arm 82 retracted from the processing chamber 20 is waiting. Further, a wall 90 extending in the vertical direction is provided between the arm base portion 80 and the processing chamber 20. The wall 90 has an arm cleaning portion 88 formed with an opening 88a through which each nozzle arm 82 can pass. Each arm arm 82 is cleaned by the arm cleaning portion 88.

또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 위쪽에는 FFU(팬 필터 유닛)(70)이 설치되어 있고, 이 FFU(70)로부터 N2 가스(질소 가스)나 클린 에어 등의 가스가 다운플로우로 처리실(20) 안으로 보내지게 된다. 또한, 도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20)의 바닥부에서의 컵 외주통(50)의 외측에는 배기부(56)가 형성되어 있고, 이 배기부(56)에 의해 처리실(20) 안의 분위기가 배기되도록 되어 있다. 이 배기부(56)에 의해, 처리실(20) 안에서의 컵 외주통(50) 외측의 분위기를 배기할 수 있다. 구체적으로는, 배기부(56)에 의해, 아암 대기부(80) 안의 분위기가 컵 외주통(50) 안에 들어가는 것이 억지된다. 또한, 이 배기부(56)에 의해, 컵 외주통(50) 안의 분위기가 아암 대기부(80)에 나오는 것이 억지된다. 또, 이 배기부(56)는 도 2b에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)을 따라 컵 외주통(50)의 외측에 원환형으로 형성되어도 된다. 배기부(56)가 원환형으로 형성됨으로써, 처리실(20) 안의 분위기를 컵 사방에서 균일하게 배기할 수 있다.3, an FFU (fan filter unit) 70 is provided above the processing chamber 20 and a gas such as N 2 gas (nitrogen gas) or clean air is supplied from the FFU 70 And is sent into the processing chamber 20 with a downflow. 2A, 2B, and 3, an exhaust portion 56 is formed outside the cup outer cylinder 50 at the bottom of the processing chamber 20, and the exhaust portion 56, So that the atmosphere in the processing chamber 20 is exhausted. The atmosphere outside the cup outer cylinder 50 in the processing chamber 20 can be exhausted by the exhaust portion 56. [ Specifically, the atmosphere in the arm base portion 80 is prevented from entering the cup outer cylinder 50 by the exhaust portion 56. Further, the exhaust portion 56 prevents the atmosphere in the cup outer cylinder 50 from coming out to the arm base portion 80. 2B, the exhaust portion 56 may be formed in an annular shape on the outer side of the cup outer cylinder 50 along the cup outer cylinder 50. In this case, Since the exhaust part 56 is formed in an annular shape, the atmosphere in the processing chamber 20 can be uniformly exhausted from the four sides of the cup.

또한, 도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 아암 대기부(80)의 바닥부에는 배기부(58)가 형성되어 있고, 이 배기부(58)에 의해 아암 대기부(80) 안의 분위기가 배기되게 된다. 구체적으로는, 각 노즐 아암(82)을 구동하기 위한 구동 기구(도시 생략)로부터 발생하는 파티클을 배기부(58)를 통해 빼낼 수 있다.As shown in Figs. 2A, 2B, and 3, an exhaust portion 58 is formed at the bottom of the arm base portion 80, and the arm base portion 80 is formed by the exhaust portion 58, The inside atmosphere is exhausted. Particularly, particles generated from a driving mechanism (not shown) for driving each nozzle arm 82 can be taken out through the exhaust part 58.

또한, 도 2a와 도 2b에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 및 아암 대기부(80)에는, 액처리 장치(10)의 외부로부터 액세스하기 위한 출입구가 형성되어 있고, 각각의 출입구에는 메인터넌스용의 셔터(60, 62)가 구비된다. 처리실(20) 및 아암 대기부(80)에 각각 메인터넌스용 셔터(60, 62)가 설치되어 있기 때문에, 이들 처리실(20) 안이나 아암 대기부(80) 안의 기기를 개별적으로 메인터넌스할 수 있다. 또한, 처리실(20) 안에서 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 중이어도, 셔터(62)를 개방함으로써 아암 대기부(80) 안의 기기를 메인터넌스할 수 있게 된다. As shown in Figs. 2A and 2B, the processing chamber 20 and the arm base portion 80 are provided with an entrance for accessing from the outside of the liquid processing apparatus 10, The shutters 60 and 62 are provided. Since the maintenance shutters 60 and 62 are provided in the treatment chamber 20 and the arm base portion 80 respectively, the devices in the treatment chamber 20 and the arm base portion 80 can be individually maintained. Further, even when the wafer W is being processed in the processing chamber 20, it is possible to maintain the apparatus in the arm base portion 80 by opening the shutter 62. [

또한, 도 2a와 도 2b에 도시하는 바와 같이, 처리실(20)의 반송로측의 측벽에는, 반송 아암(104)에 의해 처리실(20) 안으로 웨이퍼(W)를 반입하거나 처리실(20)로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 개구(94a)가 형성되어 있고, 이 개구(94a)에는, 그 개구(94a)를 개폐하기 위한 셔터(94)가 설치되어 있다. 2A and 2B, on the side wall of the processing chamber 20 on the transfer path side, the wafer W is carried into the processing chamber 20 by the transfer arm 104, A shutter 94 for opening and closing the opening 94a is provided in the opening 94a.

또한, 도 2a와 도 2b에 도시하는 액처리 장치(10)에서, 처리실(20) 안에서의 컵 외주통(50)의 내부 영역은 클린룸에 대하여 경미한 양압으로 되어 있고, 한편, 처리실(20) 안에서의 컵 외주통(50)의 외측 영역은 클린룸에 대하여 경미한 음압으로 되어 있다. 이 때문에, 처리실(20) 안에서, 컵 외주통(50)의 내부 영역의 기압은 컵 외주통(50)의 외측 영역의 기압보다 높다.2A and 2B, the inner region of the cup outer cylinder 50 in the processing chamber 20 has a slight positive pressure with respect to the clean room, The outside area of the cup outer cylinder 50 in the inside of the cup is at a slight negative pressure with respect to the clean room. Therefore, in the processing chamber 20, the air pressure in the inner region of the cup outer cylinder 50 is higher than the air pressure in the outer region of the cup outer cylinder 50.

다음에, 도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같은 액처리 장치(10)의 구성의 세부 사항에 대해서 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. Next, details of the configuration of the liquid processing apparatus 10 as shown in Figs. 2A, 2B, and 3 will be described with reference to Figs. 4 and 5. Fig.

도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 유지부(21)는 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 원판 형상의 유지 플레이트(26)와, 유지 플레이트(26) 위쪽에 설치된 원판 형상의 리프트핀 플레이트(22)를 구비한다. 리프트핀 플레이트(22)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 아래쪽으로부터 지지하기 위한 리프트핀(23)이 둘레 방향으로 등간격으로 3개 설치되어 있다. 또한, 도 4 및 도 5에서는 2개의 리프트핀(23)만을 표시하고 있다. 또한, 리프트핀 플레이트(22)의 아래쪽에는 피스톤 기구(24)가 설치되어 있고, 이 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)가 승강하도록 되어 있다. 보다 구체적으로는, 반송 아암(104)(도 1 참조)에 의해 웨이퍼(W)를 리프트핀(23) 위에 배치하거나 리프트핀(23) 위로부터 웨이퍼(W)를 취출할 때에는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)를 도 4 등에 도시하는 바와 같은 위치로부터 위쪽으로 이동시켜, 이 리프트핀 플레이트(22)는 회전컵(40)보다 위쪽에 위치하게 된다. 한편, 처리실(20) 안에서 웨이퍼(W)를 액처리할 때는, 피스톤 기구(24)에 의해 리프트핀 플레이트(22)를 도 4 등에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치로 이동시켜, 웨이퍼(W) 주위에 회전컵(40)이 위치하게 된다. 4 and 5, the holding portion 21 includes a disk-shaped holding plate 26 for holding the wafer W, and a disk-shaped lift pin plate (not shown) provided above the holding plate 26 22). On the upper surface of the lift pin plate 22, three lift pins 23 for supporting the wafers W from below are provided at equal intervals in the circumferential direction. 4 and 5, only two lift pins 23 are shown. A piston mechanism 24 is provided below the lift pin plate 22 and the lift pin plate 22 is moved up and down by the piston mechanism 24. More specifically, when the wafer W is placed on the lift pins 23 by the transfer arm 104 (see Fig. 1) or the wafers W are taken out from the lift pins 23, the piston mechanism 24 The lift pin plate 22 is moved upward from the position as shown in FIG. 4 and the like, so that the lift pin plate 22 is positioned above the rotary cup 40. On the other hand, when the wafer W is subjected to liquid processing in the processing chamber 20, the lift mechanism 24 moves the lift pin plate 22 to a lower position as shown in FIG. 4 and the like, The rotating cup 40 is positioned.

유지 플레이트(26)에는, 웨이퍼(W)를 측방에서 지지하기 위한 유지 부재(25)가 둘레 방향으로 등간격으로 3개 설치되어 있다. 또한, 도 4 및 도 5에서는 2개의 유지 부재(25)만을 표시하고 있다. 각 유지 부재(25)는 리프트핀 플레이트(22)가 위쪽 위치로부터 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치로 이동했을 때에 이 리프트핀(23) 위의 웨이퍼(W)를 유지하여, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시키도록 되어 있다. In the holding plate 26, three holding members 25 for holding the wafers W from the side are provided at regular intervals in the circumferential direction. In Figs. 4 and 5, only two holding members 25 are shown. Each holding member 25 holds the wafer W on the lift pin 23 when the lift pin plate 22 moves from the upper position to the lower position as shown in Figs. 4 and 5, So that the wafer W is slightly spaced from the lift pin 23.

또한, 리프트핀 플레이트(22) 및 유지 플레이트(26)의 중심 부분에는 각각 관통 구멍이 형성되어 있고, 이들 관통 구멍을 통과하도록 처리액 공급관(28)이 설치되어 있다. 이 처리액 공급관(28)은 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 약액이나 순수 등의 처리액을 공급하도록 되어 있다. 또한, 처리액 공급관(28)은 리프트핀 플레이트(22)와 연동하여 승강하도록 되어 있다. 처리액 공급관(28)의 상단에는, 리프트핀 플레이트(22)의 관통 구멍을 막도록 설치된 헤드 부분(28a)이 형성되어 있다. 또한, 도 4 등에 도시하는 바와 같이, 처리액 공급관(28)에는 처리액 공급부(29)가 접속되어 있고, 이 처리액 공급부(29)에 의해 처리액 공급관(28)에 처리액이 공급되게 된다.A through hole is formed in the central portion of the lift pin plate 22 and the holding plate 26, and a treatment liquid supply pipe 28 is provided so as to pass through these through holes. The treatment liquid supply pipe 28 is adapted to supply a treatment liquid such as a chemical solution or pure water to the back surface of the wafer W held by each holding member 25 of the holding plate 26. In addition, the treatment liquid supply pipe 28 is configured to move up and down in cooperation with the lift pin plate 22. At the upper end of the treatment liquid supply pipe 28, a head portion 28a provided so as to block the through hole of the lift pin plate 22 is formed. 4 and the like, the process liquid supply portion 29 is connected to the process liquid supply pipe 28, and the process liquid supply portion 29 supplies the process liquid to the process liquid supply pipe 28 .

도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 유지부(21) 주위에는 링형의 회전컵(40)이 배치되어 있다. 이 회전컵(40)은 유지 플레이트(26)에 부착되어 있고, 유지 플레이트(26)와 일체적으로 회전하도록 되어 있다. 보다 상세하게는, 회전컵(40)은 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 측방에서 둘러싸도록 설치되어 있고, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액을 수용하게 된다.As shown in Figs. 4 and 5, a ring-shaped rotating cup 40 is arranged around the holding portion 21. As shown in Fig. The rotating cup 40 is attached to the holding plate 26 and is adapted to rotate integrally with the holding plate 26. More specifically, the rotating cup 40 is provided so as to laterally surround the wafer W supported by the holding members 25 of the holding plate 26. When the wafer W is subjected to the liquid treatment, And the processing liquid scattered laterally from the wafer W is received.

또한, 회전컵(40)의 주위에는, 드레인컵(42), 제1 안내컵(43), 제2 안내컵(44) 및 제3 안내컵(45)이 위쪽으로부터 순서대로 설치되어 있다. 드레인컵(42) 및 각 안내컵(43, 44, 45)은 각각 링형으로 형성되어 있다. 여기서, 드레인컵(42)은 처리실(20)에 고정되어 있다. 한편, 각 안내컵(43, 44, 45)에는 각각 승강 실린더(도시 생략)가 연결되어 있고, 이들 안내컵(43, 44, 45)은 대응하는 승강 실린더에 의해 서로 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다. The drain cup 42, the first guide cup 43, the second guide cup 44, and the third guide cup 45 are provided in order from above on the periphery of the rotary cup 40. The drain cup 42 and each of the guide cups 43, 44, 45 are formed in a ring shape. Here, the drain cup 42 is fixed to the process chamber 20. On the other hand, elevating cylinders (not shown) are connected to the guide cups 43, 44 and 45, respectively, and these guide cups 43, 44 and 45 can be raised and lowered independently by the corresponding elevating cylinders .

도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45)의 아래쪽에는, 제1 처리액 회수용 탱크(46a), 제2 처리액 회수용 탱크(46b), 제3 처리액 회수용 탱크(46c) 및 제4 처리액 회수용 탱크(46d)가 각각 설치되어 있다. 그리고, 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향의 위치에 따라, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액이 이 처리액의 종류에 기초하여, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 어느 하나의 처리액 회수용 탱크에 선택적으로 보내지게 된다. 구체적으로는, 모든 안내컵(43, 44, 45)이 모두 위쪽 위치에 있을 때에는(도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같은 상태), 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액은 제4 처리액 회수용 탱크(46d)에 보내지게 된다. 한편, 제3 안내컵(45)만이 아래쪽 위치에 있을 때에는, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액은 제3 처리액 회수용 탱크(46c)에 보내지게 된다. 또한, 제2 안내컵(44) 및 제3 안내컵(45)이 아래쪽 위치에 있을 때에는, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액은 제2 처리액 회수용 탱크(46b)로 보내지게 된다. 또한, 모든 안내컵(43, 44, 45)이 아래쪽 위치에 있을 때에는, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 비산된 처리액은 제1 처리액 회수용 탱크(46a)로 보내지게 된다.As shown in Figs. 4 and 5, below the drain cup 42 and each of the guide cups 43, 44, and 45, a first treatment liquid recovery tank 46a, a second treatment liquid recovery tank 46b, a third treatment liquid recovery tank 46c, and a fourth treatment liquid recovery tank 46d. The processing liquid scattered sideways from the wafer W when the wafer W is subjected to the liquid processing depends on the position of the upper and lower guide cups 43, , And is selectively sent to any one of the four process fluid recovery tanks 46a, 46b, 46c, and 46d. Specifically, when all of the guide cups 43, 44 and 45 are in the upper position (the state shown in Figs. 4 and 5), the processing liquid scattered laterally from the wafer W is transferred to the fourth process And is sent to the liquid circulation tank 46d. On the other hand, when only the third guide cup 45 is in the lower position, the process liquid scattered laterally from the wafer W is sent to the third treatment liquid recovery tank 46c. When the second guide cup 44 and the third guide cup 45 are located at the lower positions, the processing liquid scattered laterally from the wafer W is sent to the second treatment liquid recovery tank 46b . When all of the guide cups 43, 44 and 45 are in the lower position, the processing liquid scattered laterally from the wafer W is sent to the first treatment liquid recovery tank 46a.

또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 제4 처리액 회수용 탱크(46d)의 내측에는 배기부(48)가 형성되어 있다. 그리고, 각 안내컵(43, 44, 45)의 상하 방향의 위치가 정해진 위치가 됨으로써, 웨이퍼(W) 주위의 분위기가 배기부(48)에 의해 배기되게 된다.4 and 5, an exhaust portion 48 is formed inside the fourth treatment liquid recovery tank 46d. The position of each of the guide cups 43, 44 and 45 in the vertical direction becomes a predetermined position so that the atmosphere around the wafer W is exhausted by the exhaust part 48. [

또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 처리실(20) 안에 있어서 드레인컵(42)이나 각 안내컵(43, 44, 45) 주위에 컵 외주통(50)이 설치되어 있다. 이 컵 외주통(50)은 도 4에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치와 도 5에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치 사이에서 승강 가능하게 된다. 또한, 도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)에는, 노즐 아암(82)이 통과 가능한 개구(50m)가 형성되어 있다. 컵 외주통(50)은 도 5에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치에 있을 때에, 컵 외주통(50) 안의 영역을 외부에 대하여 격리시킨다.In the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, a cup outer cylinder 50 is provided around the drain cup 42 and each of the guide cups 43, 44, and 45 in the processing chamber 20. The cup outer cylinder 50 can be raised and lowered between a lower position as shown in Fig. 4 and an upper position as shown in Fig. As shown in Figs. 2A, 2B, and 3, an opening 50m through which the nozzle arm 82 can pass is formed in the cup outer cylinder 50. Fig. When the cup outer cylinder 50 is in the upper position as shown in Fig. 5, the region in the cup outer cylinder 50 is isolated from the outside.

이러한 컵 외주통(50)의 구성의 세부 사항에 대해서 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은 컵 외주통(50)의 구성을 도시하는 사시도이다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)의 측면에는, 노즐 아암(82)이 통과 가능한 개구(50m)가, 노즐 아암(82)의 개수에 따라 형성되어 있다[예컨대 노즐 아암(82)이 6개인 경우, 6개의 개구(50m)가 형성된다]. 또한, 컵 외주통(50)의 상부에는, 이 컵 외주통(50)을 지지하기 위한 지지 부재(50a)가 연결되어 있고, 지지 부재(50a)에는 그 지지 부재(50a)를 승강시키는 구동 기구(50b)가 설치되어 있다. 그리고, 구동 기구(50b)에 의해 지지 부재(50a)를 승강시킴으로써, 이 지지 부재(50a)에 지지되는 컵 외주통(50)도 승강하게 된다.Details of the configuration of the cup outer cylinder 50 will be described with reference to Fig. Fig. 6 is a perspective view showing the configuration of the cup outer cylinder 50. Fig. 6, an opening 50m through which the nozzle arm 82 can pass is formed on the side surface of the cup outer cylinder 50 in accordance with the number of the nozzle arms 82 (for example, the nozzle arm 82 ), Six openings 50m are formed. A support member 50a for supporting the cup outer cylinder 50 is connected to an upper portion of the cup outer cylinder 50. A driving mechanism for moving the support member 50a up and down is connected to the support member 50a, (50b) are provided. The lifting and lowering of the support member 50a by the drive mechanism 50b also causes the cup outer cylinder 50 supported by the support member 50a to move up and down.

또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, FFU(70)에는 가이드 부재(51)가 부착되어 있다. 이 가이드 부재(51)는 도 5에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에, 이 컵 외주통(50)으로부터 내측에 약간 거리를 두고 위치하도록 배치된다. 또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 도 5에 도시하는 바와 같이 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에는, 컵 외주통(50) 안의 기압은 컵 외주통(50)의 외측 기압보다 높다. 이 때문에, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, FFU(70)에 의해 생기는 처리실(20) 안의 다운플로우의 가스가 가이드 부재(51)에 의해 컵 외주통(50)의 상단 근방에서 그 컵 외주통(50)의 내측으로부터 외측으로 안내되게 된다.4 and 5, a guide member 51 is attached to the FFU 70. As shown in Fig. As shown in Fig. 5, the guide member 51 is disposed so as to be located at a certain distance from the cup outer cylinder 50 when the cup outer cylinder 50 is in the upper position. 5, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the air pressure in the cup outer cylinder 50 is lower than the air pressure in the cup outer cylinder 50 Is higher than the outside air pressure. 9, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the downflow gas in the processing chamber 20 generated by the FFU 70 is guided by the guide member 51 to the outer periphery of the cup And is guided outwardly from the inside of the cup outer cylinder 50 in the vicinity of the upper end of the cylinder 50. [

또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 안에는, 컵 외주통(50)을 세정하기 위한 세정부(52)가 설치되어 있다. 이 세정부(52)는 순수 등의 세정액을 저류하기 위한 저류 부분(52a)을 갖고 있고, 도 4에 도시하는 바와 같이 컵 외주통(50)이 아래쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50)이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지되게 된다. 세정부(52)는 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 컵 외주통(50)이 침지됨으로써, 이 컵 외주통(50)을 세정하게 된다. 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액으로서는, 예컨대 실온 이상, 바람직하게는 40℃ 이상, 더 바람직하게는 60℃ 이상의 순수 등이 이용된다. 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액의 온도가 높은 경우에는, 컵 외주통(50)에 대한 세정 효과가 보다 커진다. 4 and 5, a cleaning section 52 for cleaning the cup outer cylinder 50 is provided in the processing chamber 20. As shown in FIG. The cleaning section 52 has a storage section 52a for storing cleaning liquid such as pure water. When the cup outer cylinder 50 is in the lower position as shown in FIG. 4, And is immersed in the cleaning liquid stored in the storage portion 52a. The cleaning section 52 cleans the cup outer cylinder 50 by immersing the cup outer cylinder 50 in the cleaning liquid stored in the storage section 52a. As the cleaning liquid to be stored in the storage portion 52a, for example, pure water at room temperature or higher, preferably 40 ° C or higher, more preferably 60 ° C or higher is used. When the temperature of the cleaning liquid stored in the storage portion 52a is high, the cleaning effect on the cup outer cylinder 50 becomes greater.

이러한 세정부(52)의 구성의 세부 사항에 대해서 도 7을 이용하여 설명한다. 도 7은 세정부(52)의 구성을 도시하는 측단면도이다. 구체적으로는, 도 7의 (a)는 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하고 있고, 도 7의 (b)는 컵 외주통(50)이 아래쪽 위치에 있을 때의 상태를 도시하고 있다. The details of the construction of the cleaning section 52 will be described with reference to FIG. 7 is a side sectional view showing the configuration of the cleaning section 52. As shown in Fig. More specifically, Fig. 7A shows the state in which the cup outer cylinder 50 is in the upper position, and Fig. 7B shows the state in which the cup outer cylinder 50 is in the lower position Respectively.

도 7에 도시하는 바와 같이, 세정액을 저류하기 위한 저류 부분(52a)에는 세정액 공급관(52b)이 접속되어 있고, 이 세정액 공급관(52b)에 의해 저류 부분(52a)에 세정액이 연속적으로 보내진다. 세정액 공급관(52b)에는 세정액 공급부(53)가 접속되고, 이 세정액 공급부(53)로부터 세정액 공급관(52b)에 세정액이 공급된다. 또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 세정액 공급관(52b)에는 가온 장치(53a)가 설치되어 있고, 이 가온 장치(53a)에 의해 세정액 공급관(52b) 안의 세정액이 가온된다. 또한, 저류 부분(52a)의 측부에는 드레인관(52c)이 설치되어 있고, 이 드레인관(52c)에 의해 저류 부분(52a) 안의 세정액이 배출되게 된다. 즉, 세정액 공급관(52b)에 의해 저류 부분(52a)에 세정액이 연속적으로 보내지고, 이 저류 부분(52a) 안의 세정액이 드레인관(52c)에 의해 배출됨으로써, 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액은 항상 청정한 상태로 유지된다. 또한, 저류 부분(52a)의 상부에는, 컵 외주통(50)이 통과 가능한 상부 개구(52d)가 형성되어 있다. As shown in Fig. 7, the cleaning liquid supply pipe 52b is connected to the storage portion 52a for storing the cleaning liquid, and the cleaning liquid is continuously sent to the storage portion 52a by the cleaning liquid supply pipe 52b. A cleaning liquid supply portion 53 is connected to the cleaning liquid supply pipe 52b and a cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply portion 53 to the cleaning liquid supply pipe 52b. 7, a heating device 53a is provided in the cleaning liquid supply pipe 52b, and the cleaning liquid in the cleaning liquid supply pipe 52b is heated by the heating device 53a. A drain pipe 52c is provided on the side of the storage portion 52a and the cleaning liquid in the storage portion 52a is discharged by the drain pipe 52c. That is, the cleaning liquid is continuously sent to the storage portion 52a by the cleaning liquid supply pipe 52b, and the cleaning liquid in the storage portion 52a is discharged by the drain pipe 52c, Is always maintained in a clean state. An upper opening 52d through which the cup outer cylinder 50 can pass is formed in the upper portion of the storage portion 52a.

도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)이 아래쪽 위치에 있을 때에는 이 컵 외주통(50)의 대부분이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지된다. 한편, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때는, 이 컵 외주통(50)은 저류 부분(52a)에 저류된 세정액으로부터 위쪽으로 이격된다. 이 때문에, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에는, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부 사이에서 간극이 형성되기 때문에, 이 간극을 통해 컵 외주통(50) 안의 분위기를 컵 외주통(50)의 외측으로 보낼 수 있게 된다. As shown in Fig. 7 (b), when the cup outer cylinder 50 is in the lower position, most of the cup outer cylinder 50 is immersed in the cleaning liquid stored in the storage portion 52a. On the other hand, as shown in Fig. 7 (a), when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the cup outer cylinder 50 is spaced upward from the cleaning liquid stored in the storage portion 52a. Therefore, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, a gap is formed between the cleaning liquid stored in the storage portion 52a and the lower portion of the cup outer cylinder 50, 50 can be sent to the outside of the cup outer cylinder 50.

또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)의 상단에는, 이 컵 외주통(50)이 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 있을 때에 저류 부분(52a)에 저류된 세정액을 덮는 덮개 부분(50c)이 설치되어 있다. 구체적으로는, 덮개 부분(50c)은 컵 외주통(50)이 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 있을 때에, 저류 부분(52a)의 상부 개구(52d)를 막게 된다. 세정부(52)에서, 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액의 온도가 고온(구체적으로는, 예컨대 60℃ 이상)인 경우에는, 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액은 증발하기 쉬워, 이 세정액의 증기가 예컨대 처리실(20) 안에서의 웨이퍼(W) 건조 처리 시에 웨이퍼(W) 등에 부착되면 건조 효율이 나빠진다고 하는 문제가 있다. 또한, 저류 부분(52a)에 저류되는 세정액의 온도가 40℃ 정도에서도, 이 세정액이 증발하여, 세정액의 증기가 예컨대 처리실(20) 안에서의 웨이퍼(W) 건조 처리 시에 웨이퍼(W) 등에 부착될 우려가 있다. 이것에 대하여, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에 의하면, 덮개 부분(50c)이 컵 외주통(50)의 상단에 설치되어 있기 때문에, 컵 외주통(50)이 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 있을 때에는, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액이 증발하여 이 세정액의 분위기가 처리실(20) 안이나 아암 대기부(80)에 들어가는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이 경우, 비록 저류 부분(52a)에 저류된 세정액이 증발하여 이 세정액의 분위기가 처리실(20) 안이나 아암 대기부(80)에 들어갔을 때라도, 처리실(20)의 바닥부에서의 컵 외주통(50)의 외측에 배기부(56)가 형성되어 있기 때문에, 이러한 세정액의 분위기는 배기부(56)에 의해 배기된다. 7, when the cup outer cylinder 50 is in the lower position as shown in FIG. 7 (b), the upper end of the cup outer cylinder 50 And a cover portion 50c covering the stored cleaning liquid is provided. Specifically, the lid portion 50c closes the upper opening 52d of the storage portion 52a when the cup outer cylinder 50 is at the lower position as shown in Fig. 7 (b). In the cleaning section 52, when the temperature of the cleaning liquid stored in the storage section 52a is high (specifically, for example, 60 ° C or more), the cleaning liquid stored in the storage section 52a is easily evaporated, There is a problem that the drying efficiency is deteriorated if the steam of the wafer W is adhered to the wafer W or the like during the drying processing of the wafer W in the processing chamber 20, for example. Even if the temperature of the cleaning liquid stored in the storage portion 52a is about 40 占 폚, the cleaning liquid evaporates and the vapor of the cleaning liquid adheres to the wafer W or the like during drying processing of the wafer W in the processing chamber 20 There is a concern. On the other hand, according to the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, since the lid portion 50c is provided at the upper end of the cup outer cylinder 50, The cleaning liquid stored in the storage portion 52a is evaporated to prevent the atmosphere of the cleaning liquid from entering the processing chamber 20 or the arm base portion 80. In this case, In this case, even when the cleaning liquid stored in the storage portion 52a evaporates and the atmosphere of the cleaning liquid enters the processing chamber 20 or the arm base portion 80, Since the exhaust portion 56 is formed outside the outer cylinder 50, the atmosphere of the cleaning liquid is exhausted by the exhaust portion 56. [

또한, 컵 외주통(50)이 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치에 있을 때에는, FFU(70)에 부착된 가이드 부재(51)는 이 컵 외주통(50)의 상단으로부터 내측에 약간 간극을 두고 위치하게 된다. 또한, 전술한 바와 같이, 컵 외주통(50)이 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치에 있을 때에는, 컵 외주통(50) 안의 기압이 컵 외주통(50)의 외측 기압보다 높다. 이 때문에, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, FFU(70)에 의해 생기는 처리실(20) 안의 다운플로우의 가스가 가이드 부재(51)에 의해 컵 외주통(50)의 상단 근방에서 그 컵 외주통(50)의 내측으로부터 외측으로 안내된다. 7 (a), the guide member 51 attached to the FFU 70 is inserted into the cup outer cylinder 50 from the upper end of the cup outer cylinder 50 With a slight gap therebetween. When the cup outer cylinder 50 is in the upper position as shown in FIG. 7A, the air pressure in the cup outer cylinder 50 is lower than the outer air pressure of the cup outer cylinder 50 high. 7 (a), the downflow gas in the process chamber 20 generated by the FFU 70 is guided by the guide member 51 in the vicinity of the upper end of the cup outer cylinder 50 And is guided outwardly from the inside of the cup outer cylinder 50.

또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 처리실(20) 안에서, 세정부(52)의 외측에는 처리실(20) 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 형성되어 있다. 이러한 배기부(56)가 형성되어 있기 때문에, 컵 외주통(50)이 도 4에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 있을 때에는, 처리실(20) 안 전체 분위기를 배기할 수 있다(도 8 참조). 또한, 컵 외주통(50)이 도 5에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치에 있을 때에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50) 안의 분위기는 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부 사이에서 형성된 간극을 통해 컵 외주통(50)의 외측으로 보내지고, 최종적으로 배기부(56)에 의해 배기된다. 이와 같이, 처리실(20) 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 처리실(20) 안에서 컵 외주통(50)의 외측에 형성되어 있는 경우에는, 컵 외주통(50) 안의 분위기를 적절히 배기할 수 있기 때문에, 컵 외주통(50) 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있다. 4 and 5, in the processing chamber 20, an exhaust portion 56 for exhausting the atmosphere in the processing chamber 20 is formed outside the cleaning portion 52. As shown in FIG. When the cup outer cylinder 50 is in the lower position as shown in Fig. 4, the entire atmosphere in the processing chamber 20 can be evacuated (see Fig. 8) because the exhaust portion 56 is formed. When the cup outer cylinder 50 is in the upper position as shown in Fig. 5, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 is separated from the cleaning liquid stored in the storage portion 52a, Is sent to the outside of the cup outer cylinder (50) through a gap formed between the lower part of the outer cylinder (50), and finally exhausted by the exhaust part (56). When the exhaust part 56 for exhausting the atmosphere in the processing chamber 20 is formed outside the cup outer cylinder 50 in the processing chamber 20 as described above, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 is appropriately exhausted The substitution property of the atmosphere in the cup outer cylinder 50 can be improved.

전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 하나의 액처리 장치(10)에 복수(구체적으로는 예컨대 6개)의 노즐 아암(82)이 설치되어 있고, 각 노즐 아암(82)의 선단에 노즐(82a)이 설치되어 있다. 구체적으로는, 각 노즐(82a)은, 각각 제1 약액(구체적으로는, 예컨대 산성 약액), 제2 약액(구체적으로는, 예컨대 알칼리성 약액), 순수, N2 가스, IPA(이소프로필 알코올), 순수의 미스트를 웨이퍼(W) 상면에 공급하게 된다.As described above, in the present embodiment, a plurality of (specifically, six, for example, six) nozzle arms 82 are provided in one liquid processing apparatus 10, and the nozzles 82a. Specifically, each of the nozzles (82a) are, respectively, a first liquid medicament (Specifically, for example, an acidic chemical solution), and the second chemical liquid (specifically, for example, alkaline chemical solution), pure water, N 2 gas, IPA (isopropyl alcohol) , The pure mist is supplied to the upper surface of the wafer W.

다음에, 이러한 구성을 포함하는 액처리 장치(10)의 동작에 대해서 설명한다. Next, the operation of the liquid processing apparatus 10 including such a configuration will be described.

우선, 유지부(21)에서의 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 위치로부터 위쪽으로 이동시키고, 처리실(20)의 개구(94a)에 설치된 셔터(94)를 이 개구(94a)로부터 후퇴시킴으로써 개구(94a)를 개방한다. 그리고, 액처리 장치(10)의 외부로부터 웨이퍼(W)가 반송 아암(104)에 의해 개구(94a)를 통해 처리실(20) 안으로 반송되어, 이 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 위에 배치되고, 그 후, 반송 아암(104)은 처리실(20)로부터 후퇴한다. 이 때에, 컵 외주통(50)은 도 4에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 위치하고 있다. 또한, 각 노즐 아암(82)은 처리실(20)로부터 후퇴한 후퇴 위치에 위치하고 있다. 즉, 각 노즐 아암(82)은 아암 대기부(80)에서 대기하고 있다. 또한, FFU(70)로부터 처리실(20) 안에 클린 에어 등의 가스가 항상 다운플로우로 보내지고, 이 가스가 컵 외주통(50)의 내부로부터 외부로 보내진 후, 배기부(56)에 의해 배기됨으로써, 처리실(20) 안의 분위기가 치환되게 된다.The lift pin plate 22 and the treatment liquid supply pipe 28 in the holding portion 21 are moved upward from the position shown in Fig. 4 and the shutter 94 provided in the opening 94a of the treatment chamber 20 is moved upward, The opening 94a is opened by retracting from the opening 94a. The wafer W is transferred from the outside of the liquid processing apparatus 10 to the processing chamber 20 through the opening 94a by the transfer arm 104 and the wafer W is transferred onto the surface of the lift pin plate 22 And then, the transfer arm 104 is retracted from the processing chamber 20. Then, as shown in Fig. At this time, the cup outer cylinder 50 is located at a lower position as shown in Fig. In addition, each nozzle arm 82 is located at a retreat position retracted from the process chamber 20. In other words, each nozzle arm 82 is standing by at the arm base portion 80. The gas such as clean air is always sent from the FFU 70 to the process chamber 20 through the downflow and this gas is sent from the inside of the cup outer cylinder 50 to the outside, The atmosphere in the processing chamber 20 is replaced.

다음에, 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 아래쪽으로 이동시켜, 이들 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 위치시킨다. 이 때에, 유지 플레이트(26)에 설치된 각 유지 부재(25)가 리프트핀(23) 위의 웨이퍼(W)를 지지하여, 이 웨이퍼(W)를 리프트핀(23)으로부터 약간 이격시킨다. Next, the lift pin plate 22 and the process liquid supply pipe 28 are moved downward, and these lift pin plates 22 and the process liquid supply pipe 28 are positioned at the lower positions as shown in FIG. At this time, the holding members 25 provided on the holding plate 26 support the wafers W on the lift pins 23 to slightly separate the wafers W from the lift pins 23.

그 후에, 또는 리프트핀 플레이트(22)의 하강중에, 컵 외주통(50)에 설치된 구동 기구(50b)에 의해, 이 컵 외주통(50)을 위쪽으로 이동시켜, 컵 외주통(50)을 도 5에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치에 위치시킨다. 그리고, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치로 이동한 후, 아암 대기부(80)에서 대기하고 있는 6개의 노즐 아암(82) 중 하나 또는 복수의 노즐 아암(82)이 벽(90)의 아암 세정부(88)의 개구(88a) 및 컵 외주통(50)의 개구(50m)를 통해 처리실(20) 안으로 진출한다. 이 때에, 노즐 아암(82)은 직선 운동을 한다. Thereafter, or while the lift pin plate 22 is being lowered, the cup outer cylinder 50 is moved upward by the driving mechanism 50b provided in the cup outer cylinder 50, so that the cup outer cylinder 50 And is located at an upper position as shown in Fig. One or a plurality of the nozzle arms 82 of the six nozzle arms 82 waiting in the arm base portion 80 after the cup outer cylinder 50 has moved to the upper position are moved to the arms And advances into the processing chamber 20 through the opening 88a of the cleaning section 88 and the opening 50m of the cup outer cylinder 50. [ At this time, the nozzle arm 82 performs linear motion.

다음에, 유지부(21)에서의 유지 플레이트(26) 및 리프트핀 플레이트(22)를 회전시킨다. 이것에 의해, 유지 플레이트(26)의 각 유지 부재(25)에 의해 지지되어 있는 웨이퍼(W)도 회전한다. 그리고, 웨이퍼(W)가 회전한 상태에서, 처리실(20) 안으로 진출한 노즐 아암(82)의 노즐(82a)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 처리액을 공급한다. 또한, 이 때에, 웨이퍼(W)의 하면(이면)을 향해 처리액 공급관(28)으로부터 약액이나 순수 등의 처리액을 공급한다. 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면 양쪽 모두에 처리액이 공급되어, 웨이퍼(W)의 액처리가 행해진다. 웨이퍼(W)에 공급된 처리액은 이 처리액의 종류에 기초하여, 각 안내컵(43, 44, 45)이 위쪽 위치 또는 아래쪽 위치에 각각 위치함으로써, 4개의 처리액 회수용 탱크(46a, 46b, 46c, 46d) 중 어느 하나의 처리액 회수용 탱크에 선택적으로 보내져 회수된다. Next, the holding plate 26 and the lift pin plate 22 in the holding portion 21 are rotated. As a result, the wafer W supported by the holding members 25 of the holding plate 26 also rotates. The processing liquid is supplied to the upper surface of the wafer W from the nozzle 82a of the nozzle arm 82 which has advanced into the processing chamber 20 while the wafer W is rotated. At this time, a treatment liquid such as a chemical solution or pure water is supplied from the treatment liquid supply pipe 28 toward the lower surface (back surface) of the wafer W. In this way, the treatment liquid is supplied to both the upper surface and the lower surface of the wafer W, and the liquid treatment of the wafer W is performed. The processing liquid supplied to the wafers W is located at the upper position or the lower position of each of the guide cups 43, 44 and 45 based on the type of the processing liquid, so that the four processing liquid recovery tanks 46a, 46b, 46c, and 46d, and is recovered.

그 후, 웨이퍼(W)의 액처리가 종료하면, 처리실(20)에 진출한 노즐 아암(82)은 이 처리실(20)로부터 후퇴하여 아암 대기부(80)에서 대기하게 된다. 그리고, 컵 외주통(50)에 설치된 구동 기구(50b)에 의해, 이 컵 외주통(50)을 아래쪽으로 이동시켜, 컵 외주통(50)을 도 4에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 위치시킨다. Thereafter, when the liquid processing of the wafer W is completed, the nozzle arm 82 advanced into the processing chamber 20 retracts from the processing chamber 20 and waits at the arm base portion 80. The cup outer cylinder 50 is moved downward by the driving mechanism 50b provided in the cup outer cylinder 50 to place the cup outer cylinder 50 at a lower position as shown in FIG. .

그 후, 유지부(21)에서의 리프트핀 플레이트(22) 및 처리액 공급관(28)을 도 4에 도시하는 위치로부터 위쪽으로 이동시킨다. 이 때에, 유지 플레이트(26)의 유지 부재(25)에 의해 지지된 웨이퍼(W)가 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 위에 전달된다. 다음에, 처리실(20)의 개구(94a)에 설치된 셔터(94)를 이 개구(94a)로부터 후퇴시킴으로써 개구(94a)를 개방하여, 액처리 장치(10)의 외부로부터 개구(94a)를 통해 반송 아암(104)을 처리실(20) 안으로 진출시키고, 이 반송 아암(104)에 의해 리프트핀 플레이트(22)의 리프트핀(23) 위의 웨이퍼(W)를 취출한다. 반송 아암(104)에 의해 취출된 웨이퍼(W)는 액처리 장치(10)의 외부에 반송된다. 이와 같이 하여, 일련의 웨이퍼(W)의 액처리가 완료된다. Thereafter, the lift pin plate 22 and the treatment liquid supply pipe 28 in the holding portion 21 are moved upward from the position shown in Fig. At this time, the wafer W supported by the holding member 25 of the holding plate 26 is transferred onto the lift pin 23 of the lift pin plate 22. Next, the shutter 94 provided in the opening 94a of the processing chamber 20 is retracted from the opening 94a to open the opening 94a, and from the outside of the liquid processing apparatus 10 through the opening 94a The transfer arm 104 is advanced into the processing chamber 20 and the wafer W on the lift pin 23 of the lift pin plate 22 is taken out by the transfer arm 104. The wafer W taken out by the transfer arm 104 is conveyed to the outside of the liquid processing apparatus 10. In this manner, the liquid processing of the series of wafers W is completed.

이상과 같이 본 실시형태의 액처리 장치(10)에 의하면, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50) 안의 분위기가 그 컵 외주통(50)의 외측으로 보내지고, 처리실(20) 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 처리실(20) 안에서 컵 외주통(50)의 외측에 설치되어 있다. 이에 의해, 컵 외주통(50)이 도 4에 도시하는 바와 같은 아래쪽 위치에 있을 때에는, 처리실(20) 안 전체의 분위기를 배기할 수 있다(도 8 참조). 또한, 컵 외주통(50)이 도 5에 도시하는 바와 같은 위쪽 위치에 있을 때에도, 컵 외주통(50) 안의 분위기가 그 컵 외주통(50)의 외측으로 보내지기 때문에, 배기부(56)에 의해 컵 외주통(50) 안의 분위기를 배기할 수 있다(도 9 참조). As described above, according to the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 is sent to the outside of the cup outer cylinder 50 And an exhaust part 56 for exhausting the atmosphere in the processing chamber 20 is provided outside the cup outer cylinder 50 in the processing chamber 20. [ Thus, when the cup outer cylinder 50 is in the lower position as shown in Fig. 4, the atmosphere in the entire processing chamber 20 can be evacuated (see Fig. 8). 5, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 is sent to the outer side of the cup outer cylinder 50. Therefore, even when the outlet 56 is in the upper position as shown in Fig. 5, The atmosphere in the cup outer cylinder 50 can be evacuated (see FIG. 9).

여기서, 처리실 안에서 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 이 처리실 안에서 약액 등이 비산되면, 이 약액의 분위기가 그 영역에서 잔존하고, 그 후의 웨이퍼(W)의 처리에서 이 잔존된 약액의 분위기에 의해 웨이퍼(W)가 오염되는 등의 악영향을 미칠 우려가 있다. 구체적으로는, 처리 후의 웨이퍼(W)를 포함하는 여러 가지 건조물에 대하여 약액 등이 재부착되면, 파티클의 원인이 된다고 하는 문제가 있다. 또한, 잔존된 약액에서의 알칼리성이나 산성의 분위기가 화학 반응을 일으킴으로써, 결정물이 생성되어, 파티클의 원인이 된다고 하는 문제가 있다. 그러나, 본실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 처리실(20) 안, 특히 컵 외주통(50) 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있을 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 비산된 약액 등의 분위기가 처리실(20) 안이나 아암 대기부(80)에 잔존하지 않도록 할 수 있다. Here, when the chemical liquid or the like is scattered in the treatment chamber when the wafer W is subjected to the liquid treatment in the treatment chamber, the atmosphere of the chemical liquid remains in the region, and the treatment of the wafer W thereafter The wafer W may be contaminated. Specifically, there is a problem that if a chemical solution or the like is reattached to various dried materials including the processed wafers W, it may cause particles. In addition, there is a problem in that a chemical reaction occurs in the alkaline or acidic atmosphere in the remaining chemical liquid, resulting in the generation of a crystal and a cause of particles. However, in the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, the substitution property of the atmosphere in the processing chamber 20, particularly the cup outer cylinder 50 can be improved. Therefore, when the wafer W is subjected to liquid processing It is possible to prevent an atmosphere such as a scattered chemical liquid from remaining in the treatment chamber 20 or the arm base portion 80. [

또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 전술한 바와 같이, 컵 외주통(50)을 세정하기 위한 세정부(52)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 컵 외주통(50)을 청정한 상태로 유지할 수 있어, 웨이퍼(W)를 액처리할 때에 비산된 약액 등이 컵 외주통(50)에 잔존하는 것을 방지할 수 있다. Further, in the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, as described above, a cleaning section 52 for cleaning the cup outer cylinder 50 is provided. This makes it possible to keep the cup outer cylinder 50 in a clean state and to prevent the liquid medicine or the like scattered when the wafer W is subjected to the liquid processing from remaining in the cup outer cylinder 50. [

또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에 있어서, 세정부(52)는 세정액을 저류하기 위한 저류 부분(52a)을 가지며, 컵 외주통(50)이 아래쪽 위치에 있을 때에 그 컵 외주통(50)이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지되게 된다. 이것에 의해, 세정부(52)는 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 컵 외주통(50)을 침지시킨다고 하는 간단한 방법으로 그 컵 외주통(50)을 세정할 수 있게 된다. In the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, the cleaning section 52 has a storage section 52a for storing the cleaning liquid, and when the cup outer cylinder 50 is in the lower position, (50) is immersed in the cleaning liquid stored in the storage portion (52a). As a result, the cleaning section 52 can clean the cup outer cylinder 50 by a simple method of immersing the cup outer cylinder 50 in the cleaning liquid stored in the storage section 52a.

또한, 본 실시형태의 액처리 장치(10)에서는, 도 2a와 도 2b 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리실(20)과 아암 대기부(80) 사이에는 수직 방향으로 연장되는 벽(90)이 설치되어 있고, 벽(90)의 아암 세정부(88)에는, 노즐 아암(82)이 통과 가능한 개구(88a)가 형성되어 있다.2A, 2B and 3, in the liquid processing apparatus 10 of the present embodiment, a wall 90 extending in the vertical direction is provided between the processing chamber 20 and the arm base portion 80, And the arm cleaning portion 88 of the wall 90 is formed with an opening 88a through which the nozzle arm 82 can pass.

또한, 본 실시형태에 의한 액처리 장치는 상기한 양태에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지의 변경을 가할 수 있다. 예컨대 처리실(20) 안으로 진출한 노즐 아암(82)의 노즐(82a) 및 처리액 공급관(28)에 의해 웨이퍼(W)의 상면 및 하면 양쪽 모두에 처리액을 공급할 필요는 없고, 노즐 아암(82)의 노즐(82a)을 통해 웨이퍼(W)의 상면에만 처리액을 공급하도록 되어 있어도 좋다. 또한, 본 실시형태에 의한 액처리 장치는 기판의 세정 처리 이외에, 에칭 처리, 도금 처리, 현상 처리 등의 처리에도 이용할 수 있다. Further, the liquid processing apparatus according to the present embodiment is not limited to the above-described aspects, but may be modified in various ways. It is not necessary to supply the treatment liquid to both the upper surface and the lower surface of the wafer W by the nozzle 82a of the nozzle arm 82 advanced into the treatment chamber 20 and the treatment liquid supply pipe 28, The process liquid may be supplied only to the upper surface of the wafer W through the nozzle 82a of the nozzle 82a. Further, the liquid processing apparatus according to the present embodiment can be used for processing such as etching treatment, plating treatment, developing treatment, etc., in addition to the cleaning treatment of the substrate.

또한, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50) 안의 분위기를 컵 외주통(50)의 외측으로 보내는 방법으로서, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같은, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부 사이에 간극을 형성해서, 이 간극을 통해 컵 외주통(50) 안의 분위기를 컵 외주통(50)의 외측으로 보내는 것에 한정되지 않는다. 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50) 안의 분위기를 컵 외주통(50)의 외측으로 보내는 다른 방법에 대해서 도 10 및 도 11을 이용하여 설명한다. 도 10은 본 발명에 의한 액처리 장치(20)에서의 컵 외주통(50)의 다른 구성을 도시하는 사시도이며, 도 11은 도 10에 도시하는 컵 외주통(50)을 이용한 경우에 있어서, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때의 처리실(20)에서의 가스의 흐름을 도시하는 도면이다. As a method of sending the atmosphere in the cup outer cylinder 50 to the outside of the cup outer cylinder 50 when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, A gap is formed between the cleaning liquid stored in the storage portion 52a and the lower portion of the cup outer cylinder 50 when the outer cylinder 50 is in the upper position, But is not limited to being sent outside the outer cylinder 50. Another method of feeding the atmosphere in the cup outer cylinder 50 to the outside of the cup outer cylinder 50 when the cup outer cylinder 50 is in the upper position will be described with reference to Figs. 10 and 11. Fig. Fig. 10 is a perspective view showing another configuration of the cup outer cylinder 50 in the liquid processing apparatus 20 according to the present invention. Fig. 11 shows a case where the cup outer cylinder 50 shown in Fig. 10 is used, And the flow of gas in the processing chamber 20 when the cup outer cylinder 50 is at the upper position.

도 10에 도시하는 바와 같이, 변형예에 따른 컵 외주통(50)에는, 아암(82)이 통과 가능한 개구(50m)에 추가로, 컵 외주통(50) 안의 분위기를 컵 외주통(50)의 외측으로 보내기 위한 통기용 개구(50n)가 복수개 형성되어 있다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 복수의 통기용 개구(50n)는 컵 외주통(50)의 측면에서 둘레 방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 10, in addition to the opening 50m through which the arm 82 can pass, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 is communicated with the cup outer cylinder 50 in the cup outer cylinder 50 according to the modified example, A plurality of vent openings 50n are formed. As shown in Fig. 10, the plurality of ventilation openings 50n are arranged at regular intervals in the circumferential direction on the side surface of the cup outer cylinder 50. As shown in Fig.

또한, 도 11에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통(50)의 하부가 저류 부분(52a)에 저류된 세정액에 침지되게 된다. 이 때문에, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에는, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부 사이에 시일이 이루어진다. 그리고, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에는, 도 11에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50) 안의 분위기가 이 컵 외주통(50)에 형성된 통기용 개구(50n)를 통해 컵 외주통(50)의 외측으로 보내지고, 최종적으로 배기부(56)에 의해 배기된다. 이와 같이, 처리실(20) 안의 분위기를 배기하기 위한 배기부(56)가 처리실(20) 안에서 컵 외주통(50)의 외측에 형성되는 경우라도, 통기용 개구(50n)를 통해 컵 외주통(50) 안의 분위기를 배기할 수 있기 때문에, 컵 외주통(50) 안의 분위기의 치환성을 향상시킬 수 있다. 11, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the lower portion of the cup outer cylinder 50 is immersed in the cleaning liquid stored in the storage portion 52a. Therefore, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the sealant is stored between the cleaning liquid stored in the storage portion 52a and the lower portion of the cup outer cylinder 50. When the cup outer cylinder 50 is in the upper position, as shown in Fig. 11, the atmosphere in the cup outer cylinder 50 flows through the opening 50n for ventilation formed in the cup outer cylinder 50, Is sent to the outside of the outer cylinder (50), and finally exhausted by the exhaust part (56). Even when the exhaust part 56 for exhausting the atmosphere in the processing chamber 20 is formed on the outside of the cup outer cylinder 50 in the processing chamber 20 as described above, 50 can be evacuated, the substitution property of the atmosphere in the cup outer cylinder 50 can be improved.

또, 변형예에 따른 컵 외주통(50)은 도 12에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태와 마찬가지로, 컵 외주통(50)의 상단에, 컵 외주통(50)이 아래쪽 위치에 있을 때에, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액을 덮는 덮개 부분(50c)이 설치되어도 된다. 또한, 컵 외주통(50)의 하단에는, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에 저류 부분(52a)에 저류된 세정액을 덮는 덮개 부분(50d)이 설치되어도 된다. 이와 같은 덮개 부분(50d)이 컵 외주통(50)의 하단에 설치되어 있기 때문에, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에도 저류 부분(52a)에 저류된 세정액이 증발하여 분위기가 처리실(20) 안이나 아암 대기부(80)에 들어가는 것을 방지할 수 있다.12, in the cup outer cylinder 50 according to the modified example, in the upper end of the cup outer cylinder 50, as in the present embodiment, when the cup outer cylinder 50 is in the lower position, A cover portion 50c for covering the cleaning liquid stored in the storage portion 52a may be provided. A lid portion 50d for covering the cleaning liquid stored in the storage portion 52a may be provided at the lower end of the cup outer cylinder 50 when the cup outer cylinder 50 is in the upper position. Since the cover portion 50d is provided at the lower end of the cup outer cylinder 50, even when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, the cleaning liquid stored in the storage portion 52a evaporates, 20 or the arm base portion 80 can be prevented.

또한, 도 10에 도시하는 바와 같은 컵 외주통(50)이 이용되는 경우에서, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에, 이 컵 외주통(50)이 저류 부분(52a)에 저류된 세정액으로부터 위쪽으로 이격하도록 되어 있어도 좋다. 이 경우에는, 컵 외주통(50)이 위쪽 위치에 있을 때에, 저류 부분(52a)에 저류된 세정액과 컵 외주통(50)의 하부 사이에 간극이 형성되기 때문에, 이 간극 및 컵 외주통(50)의 통기용 개구(50n)의 양쪽 모두를 통해 컵 외주통(50) 안의 분위기를 컵 외주통(50)의 외측으로 보낼 수 있게 된다. 7 (a), when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, when the cup outer cylinder 50 as shown in Fig. 10 is used, (50) may be spaced upward from the cleaning liquid stored in the storage portion (52a). In this case, when the cup outer cylinder 50 is in the upper position, a gap is formed between the cleaning liquid stored in the storage portion 52a and the lower portion of the cup outer cylinder 50, It is possible to send the atmosphere in the cup outer cylinder 50 to the outside of the cup outer cylinder 50 through both of the openings 50n for the ventilation of the cup 50.

20: 처리실
50: 컵 외주통
52: 세정부
52a: 저류 부분
56: 배기부
80: 아암 대기부
82: 노즐 아암
82a: 노즐
90: 벽20: Treatment room
50: cup outer cylinder
52: The three governments
52a: Retention portion
56:
80: Arm base donation
82: nozzle arm
82a: Nozzle
90: Wall

Claims (7)

기판을 수평 상태로 유지하여 회전시키는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판을 측방에서 둘러싸며, 기판으로부터 측방으로 비산된 처리액을 수용하는 컵과,
상기 기판 유지부 및 상기 컵이 설치된 처리실과,
상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 노즐과,
상기 기판 유지부에 지지된 기판의 주위에 있고, 상기 컵 내의 분위기를 배기하는 제1 배기부와,
상기 노즐을 지지하고, 상기 처리실 안으로 진출한 진출 위치와 상기 처리실로부터 후퇴한 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 되어 있는 아암과,
상기 처리실에 인접하여 설치되며, 그 처리실로부터 후퇴한 상기 아암이 대기하기 위한 아암 대기부와,
상기 처리실 안에서 상기 컵의 외측에 배치되며, 위쪽 위치와 아래쪽 위치 사이에서 승강 가능하게 되어 있는 컵 외주통과,
상기 처리실 내에서 상기 컵 외주통의 외측에 설치된 제2 배기부
를 구비하며,
상기 컵 외주통은 상기 위쪽 위치에 있을 때에, 상기 컵보다 높은 위치에 위치하고, 상기 처리실의 내부 공간 중 상기 기판 유지부 및 상기 컵의 위쪽 공간을 측방에서 둘러싸며,
상기 컵 외주통이 상기 위쪽 위치에 있을 때에, 상기 컵 외주통의 하부 또는 아래쪽에 형성된 통기로를 통해 상기 컵 외주통으로 둘러싸인 공간의 분위기가 상기 컵 외주통의 외측에 있는 상기 제2 배기부로 보내지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치. A substrate holding unit for holding and rotating the substrate in a horizontal state,
A cup that surrounds the substrate held by the substrate holding portion from the side and receives the processing solution scattered laterally from the substrate,
A processing chamber in which the substrate holding unit and the cup are installed,
A nozzle for supplying a process liquid to the substrate held by the substrate holding unit,
A first exhaust part located around the substrate supported by the substrate holding part and exhausting the atmosphere in the cup,
An arm supporting the nozzle and movable in a horizontal direction between an advanced position advanced into the treatment chamber and a retreat position retracted from the treatment chamber;
An arm base portion provided adjacent to the treatment chamber for waiting the arm retracted from the treatment chamber,
A cup outer circumferential passage disposed on the outer side of the cup in the treatment chamber and capable of being raised and lowered between an upper position and a lower position,
And a second exhaust part provided on the outer side of the cup outer cylinder in the treatment chamber,
And,
Wherein the cup outer cylinder is located at a higher position than the cup when in the upper position and surrounds the upper space of the substrate holding portion and the upper portion of the cup among the inner space of the processing chamber,
When the cup outer cylinder is in the upper position, an atmosphere of a space surrounded by the cup outer cylinder is sent to the second exhaust unit outside the cup outer cylinder through an air passage formed below or below the cup outer cylinder And the liquid processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 컵 외주통에 상기 아암이 통과 가능한 개구가 형성되고, 상기 아암에 지지된 상기 노즐을 상기 컵 외주통의 개구를 통해 상기 기판의 위쪽에 위치시키는 것을 특징으로 하는 액처리 장치. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein an opening through which the arm can pass is formed in the cup outer cylinder, and the nozzle supported by the arm is positioned above the substrate through the opening of the cup outer cylinder. Device. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 컵 외주통을 세정하기 위한 세정부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치. The liquid processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a cleaning section for cleaning the cup outer cylinder. 제3항에 있어서, 상기 세정부는 세정액을 저류하기 위한 저류 부분을 가지며,
상기 컵 외주통이 상기 아래쪽 위치에 있을 때에 그 컵 외주통은 상기 저류 부분에 저류된 세정액에 침지되고, 상기 컵 외주통이 위쪽 위치에 있을 때에 그 컵 외주통은 상기 저류 부분에 저류된 세정액으로부터 위쪽으로 이격되며, 상기 컵 외주통의 하단과 상기 저류 부분에 저류된 세정액의 액면 사이에, 상기 통기로를 이루는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치. 4. The washing machine according to claim 3, wherein the cleaning section has a storage section for storing the cleaning liquid,
When the cup outer cylinder is in the lower position, the cup outer cylinder is immersed in the cleaning liquid stored in the storage part, and when the cup outer cylinder is in the upper position, the cup outer cylinder is separated from the cleaning liquid stored in the storage part And a gap is formed between the lower end of the cup outer cylinder and the liquid level of the cleaning liquid stored in the storage portion, the gap forming the vent path. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 컵 외주통의 하부에는 상기 통기로를 이루는 통기용 개구가 형성되어 있고, 상기 컵 외주통이 상기 위쪽 위치에 있을 때에 이 컵 외주통 안의 분위기는 상기 통기용 개구를 통해 상기 컵 외주통의 외측으로 보내져서 상기 제2 배기부에 의해 배기되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치. 3. The container according to claim 1 or 2, wherein an opening for ventilation is formed in the lower portion of the cup outer cylinder, and when the cup outer cylinder is in the upper position, And the second exhaust part is sent out of the cup outer cylinder through the opening for exhausting the liquid. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리실과 상기 아암 대기부 사이에는 수직 방향으로 연장되는 벽이 설치되어 있고,
상기 벽에는, 상기 아암이 통과 가능한 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치. 3. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein a wall extending in a vertical direction is provided between the processing chamber and the arm-base portion,
And an opening through which the arm can pass is formed in the wall. 처리실의 내부에 설치된 기판 유지부에 의해 기판을 수평 상태로 유지시키고, 그 기판을 컵에 의해 측방에서 둘러싸는 상태로 하는 공정과,
상기 처리실 안에서 상기 컵의 외측에 배치되어 있는 컵 외주통을 아래쪽 위치로부터 위쪽 위치로 이동시켜, 이 위쪽 위치로 이동한 컵 외주통에 의해, 상기 처리실의 내부 공간 중 상기 기판 유지부 및 상기 컵의 위쪽 공간을 측방에서 둘러싸는 공정과,
노즐을 지지하는 아암을, 상기 처리실에 인접하여 설치된 아암 대기부로부터 상기 처리실 안으로 진출시켜, 상기 노즐을 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 위쪽에 위치시키는 공정과,
상기 기판 유지부에 의해 기판을 회전시키고, 상기 기판의 위쪽에 있는 노즐에 의해, 상기 기판 유지부에 의해 유지되어 회전하는 기판에 처리액을 공급하는 공정과,
상기 컵에 의해, 상기 노즐로부터 기판에 공급된 후에 기판으로부터 측방으로 비산된 처리액을 수용하고, 제1 배기부에 의해 상기 컵 내의 분위기를 배기하며, 또한, 상기 처리실 내에서 상기 컵 외주통의 외측에 설치된 제2 배기부에 의해, 상기 컵 외주통으로 둘러싸인 공간 내의 분위기를 상기 컵 외주통의 하부 또는 아래쪽에 형성된 통기로를 통해 배기하는 공정
을 포함하는 액처리 방법. A step of holding the substrate in a horizontal state by a substrate holding section provided inside the processing chamber and making the substrate to be surrounded by the cup laterally,
The cup outer cylinder disposed on the outer side of the cup in the processing chamber is moved from the lower position to the upper position and the cup outer cylinder moved to the upper position moves the substrate holding portion and the cup A step of laterally surrounding the upper space,
A step of advancing an arm for supporting the nozzle from the arm base portion provided adjacent to the processing chamber into the processing chamber and positioning the nozzle above the substrate held by the substrate holding portion;
A step of rotating the substrate by the substrate holding unit and supplying the process liquid to the substrate held by the substrate holding unit and rotated by the nozzle above the substrate,
And a second exhaust part for exhausting the atmosphere in the cup by the first evacuation part; and a second evacuation part for evacuating the inside of the cup by the first evacuation part, A step of discharging an atmosphere in a space surrounded by the cup outer cylinder through an air passage formed in the lower or lower side of the cup outer cylinder by the second exhaust part provided on the outer side of the cup,
≪ / RTI >
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Citations (1)

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Patent Citations (1)

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