KR101440416B1 - 진공처리장치 - Google Patents
진공처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101440416B1 KR101440416B1 KR1020080048056A KR20080048056A KR101440416B1 KR 101440416 B1 KR101440416 B1 KR 101440416B1 KR 1020080048056 A KR1020080048056 A KR 1020080048056A KR 20080048056 A KR20080048056 A KR 20080048056A KR 101440416 B1 KR101440416 B1 KR 101440416B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- top lead
- chamber body
- cooling jacket
- cooling
- flow path
- Prior art date
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 claims description 16
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N lead-200 Chemical compound [200Pb] WABPQHHGFIMREM-NOHWODKXSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 복수개의 쿨링자켓들은 상기 탑리드의 상면에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 연결부재를 통해 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 9에 있어서,상기 구조보강부는상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 10에 있어서,상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 9에 있어서,상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 3, 청구항 5 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 4, 청구항 6 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 5, 청구항 7 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 복수개의 쿨링자켓들은 연결부재를 통해 서로 연결되며,상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 6, 청구항 9 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 6, 청구항 9 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 8, 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 19에 있어서,상기 구조보강부는상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 20에 있어서,상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 19에 있어서,상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
- 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080048056A KR101440416B1 (ko) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | 진공처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080048056A KR101440416B1 (ko) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | 진공처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090121903A KR20090121903A (ko) | 2009-11-26 |
KR101440416B1 true KR101440416B1 (ko) | 2014-09-17 |
Family
ID=41604781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080048056A KR101440416B1 (ko) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | 진공처리장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101440416B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101201697B1 (ko) * | 2010-09-20 | 2012-11-15 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 모노머 냉각트랩 및 이를 이용하는 모노머 증착장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11180796A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Japan Energy Corp | 気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置 |
-
2008
- 2008-05-23 KR KR1020080048056A patent/KR101440416B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11180796A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Japan Energy Corp | 気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090121903A (ko) | 2009-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8741065B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20100103627A (ko) | 기판의 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치 | |
TW201518538A (zh) | 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件 | |
JP2011508436A5 (ko) | ||
KR20110011270A (ko) | 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치 | |
TW201408813A (zh) | 基板處理裝置 | |
KR100900318B1 (ko) | 박막증착장치용 샤워헤드 및 박막증착장치 세정방법 | |
KR101440416B1 (ko) | 진공처리장치 | |
KR101220307B1 (ko) | 서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
KR100666445B1 (ko) | 유도결합형 플라즈마 처리장치의 유전체 덮개 온도유지장치 | |
KR102671334B1 (ko) | 기판 적재부 및 기판처리 장치 | |
TWI708864B (zh) | 基板支撐組件、具有其之處理腔室、及控制其之溫度的方法 | |
KR20100137795A (ko) | 서셉터 및 이의 제조 방법 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
KR100521373B1 (ko) | 냉각 장치 및 반도체 소자 제조 장치 | |
KR101214954B1 (ko) | 공정챔버로 공급되는 반응가스용 히팅장치 | |
KR20090035788A (ko) | 기판처리장치의 냉각시스템 및 이를 이용한 냉각방법 | |
KR20200097021A (ko) | 온도 조절 장치 | |
JP2022016129A (ja) | 載置台、基板を処理する装置、及び基板を温度調節する方法 | |
KR100443857B1 (ko) | 웨이퍼 가열장치의 냉각시스템 | |
KR101255328B1 (ko) | 기판 처리용 약액 온도 조절 장치 | |
KR101387817B1 (ko) | 열교환기 및 종형 열처리장치 | |
JP2004311550A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20230155835A (ko) | 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치 | |
KR20240053368A (ko) | 열매체공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치 | |
KR101994229B1 (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20080523 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20110118 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20130220 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20080523 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20140330 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140902 |
|
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140904 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140904 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170621 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170621 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180604 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190603 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200609 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210618 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220610 Start annual number: 9 End annual number: 9 |