Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101440416B1 - 진공처리장치 - Google Patents

진공처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101440416B1
KR101440416B1 KR1020080048056A KR20080048056A KR101440416B1 KR 101440416 B1 KR101440416 B1 KR 101440416B1 KR 1020080048056 A KR1020080048056 A KR 1020080048056A KR 20080048056 A KR20080048056 A KR 20080048056A KR 101440416 B1 KR101440416 B1 KR 101440416B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
top lead
chamber body
cooling jacket
cooling
flow path
Prior art date
Application number
KR1020080048056A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090121903A (ko
Inventor
허현강
김형준
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020080048056A priority Critical patent/KR101440416B1/ko
Publication of KR20090121903A publication Critical patent/KR20090121903A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101440416B1 publication Critical patent/KR101440416B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 진공상태에서 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판에 대한 진공처리공정을 수행하는 진공처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와; 상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와; 상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와; 상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 개시한다.
진공처리, 쿨링자켓, 플라즈마

Description

진공처리장치 {Vacuum processing appartus}
본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 진공상태에서 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판에 대한 진공처리공정을 수행하는 진공처리장치에 관한 것이다.
진공처리장치는 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 지지대 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치를 말한다.
이때 상기 진공처리장치는 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 탑리드 및 챔버본체와, 탑리드의 하측에 설치되어 진공처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드와, 진공처리를 위한 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 구성된다.
그리고 상기 진공처리장치는 진공처리공정의 수행을 위하여 기판을 가열하기 위한 히터가 기판지지대에 설치되거나, 샤워헤드의 상측에 결합된다.
한편 종래의 진공처리장치는 고온을 요하는 고온공정을 수행하는 경우 고온 의 히터를 사용하므로 히터의 상측에 설치되는 샤워헤드가 히터의 복사열에 의하여 온도가 상승되어 변형되는 문제점이 있다.
특히 샤워헤드가 지나치게 과열되거나, 더 나아가 샤워헤드의 온도변화가 지나치게 큰 경우 원활한 진공처리의 수행을 저해할 수 있는 문제점이 있다.
따라서 종래의 진공처리장치는 샤워헤드의 상부에 냉각을 위한 냉각플레이트가 설치되거나, 탑리드의 상면에 냉매가 흐르는 파이프를 설치하고 있다.
그러나 종래의 진공처리장치는 냉각플레이트를 설치하는 경우 그 구조가 복잡하며 제조비용이 증가하는 문제점이 있으며, 탑리드의 상면에 냉매가 흐르는 파이프를 설치하는 경우 구조가 간단하고 설치가 용이하나, 파이프와 탑리드와의 접촉면에 적어 열전달 면적이 작아 냉각효율이 떨어질 뿐만 아니라 샤워헤드에 대한 온도제어가 용이하지 않은 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 쿨링자켓을 탑리드에 설치함으로써 구조가 간단할 뿐만 아니라 설치가 용이한 구조를 가지며 냉각성능을 향상시키는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 전열유체가 탑리드의 상면과 직접 접촉되고 접촉면적이 증가될 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 진공처리장치를 구성하는 탑리드 및 챔버본체 중 적어도 하나의 외면에 설치되어 탑리드 및 챔버본체 중 적어도 하나의 외면과 전열유체가 직접 접촉되고 접촉면적이 증가될 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와; 상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와; 상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와; 상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 개시한다.
상기 챔버본체의 외면 또는 탑리드의 상면에 설치될 수 있다.
상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성될 수 있다.
상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성될 수 있다.
상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결될 수 있으며, 상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성될 수 있다.
상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성할 수 있으며, 상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성할 수 있다.
상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성될 수 있다.
상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부를 포함할 수 있으며, 상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성될 수 있다.
또한 상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재로 구성될 수 있다.
한편 상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하도록 구성될 수 있다.
본 발명은 또한 쿨링자켓 내에 다양한 형태의 내부유로를 형성함으로써 열전달 효율을 향상시켜 탑리드를 통한 샤워헤드를 보다 효과적으로 냉각시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 또한 쿨링자켓을 탑리드의 상면에 설치하여 열전달 면적을 확대함으로써 샤웨헤드를 보다 효과적으로 냉각시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 또한 내부유로가 형성된 쿨링자켓을 직렬로 연결된 복수 개의 유로들을 형성함으로써 샤워헤드에 대한 온도제어를 효율적으로 수행할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 또한 저면이 개방된 쿨링자켓을 탑리드의 상면에 결합시킴으로써 전열유체가 탑리드에 직접 접촉됨으로써 열전달 효율을 향상시켜 샤워헤드에 대한 냉각 성능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 또한 진공처리장치의 탑리드 이외에 챔버본체 등에 결합시킴으로써 간단한 구조에 의하여 탑리드 및 챔버본체 중 적어도 어느 하나에 대하여 내부에 설치된 히터 등에 의하여 과열되는 것을 방지하거나 온도제어를 수행할 수 있는 이점이 있다.
이하, 본 발명에 따른 진공처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세 히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 진공처리장치의 단면도이다.
본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 탑리드(120)와, 샤워헤드(200), 기판지지대(300) 등을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 기판(1)의 표면을 식각하거나, 증착하는 등 진공처리를 수행하기 위한 장치로서, 반도체소자를 제조하기 위한 웨이퍼, 사각형상 등 각형으로 형성되는 LCD 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등의 표면을 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 진공처리를 수행한다.
이때 상기 진공처리장치는 기판(1)을 하나씩 진공처리를 수행하거나, 태양전지용 기판과 같이 복수 개의 기판(1)들에 대하여 한번에 진공처리를 수행할 수도 있으며, 특히 복수 개의 기판(1)들은 트레이(2)에 로딩된 상태로 이송될 수 있다.
상기 진공처리장치(100)는 처리공간(S)으로 가스를 공급하기 위하여 가스공급장치와 연결되는 가스공급관(130) 및 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 진공펌프와 연결되는 배기관(미도시)이 연결된다.
또한 상기 진공처리장치(100)는 처리공간(S)에 플라즈마를 형성하도록 전원이 인가되는데 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 RF전원이 인가되고, 기판지지대(300) 내에 전극부재(미도시)를 설치하고 전극부재가 접지될 수 있다.
또한 그 반대로 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 접지되고, 전극부재는 RF전 원이 인가될 수 있다.
또한 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 물론 전극부재 각각에 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 챔버본체(110)는 상측에 탑리드(120)와 결합되어 처리공간(S)을 형성하도록 구성되며, 측면에는 기판(1)의 입출을 위한 게이트(140)가 형성된다. 이때 상기 게이트(140)는 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐될 수 있으며, 기판(1)의 입출방식에 따라서 일측에만 형성되거나, 서로 대향되는 위치에 한 쌍으로 형성될 수 있다.
상기 탑리드(120)는 챔버본체(110)와 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 구성으로, 샤워헤드(200)와는 열전달 및 통전이 가능하도록 후술하는 샤워헤드(200)가 하부에 결합될 수 있다.
상기 샤워헤드(200)는 가스공급관(130)을 통하여 공급되는 가스를 처리공간(S)으로 분사하는 구성으로서, 가스의 종류 및 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지대(300)는 진공처리의 대상인 기판(1)을 지지하기 위한 구성으로서, 챔버본체(110)에 설치되며 전원인가를 위한 전극부재, 기판(1)의 온도제어를 위한 전열부재 등 다양한 설치물들이 설치될 수 있다.
또한 상기 기판지지대(300)는 기판(1)이 직접 안착되거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수개의 기판(1)들이 로딩된 트레이(2)가 안착될 수 있다.
도 2a는 도 1에 설치되는 쿨링자켓을 보여주는 사시도이고, 도 2b는 도 1에 설치되는 쿨링자켓의 다른 예를 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 쿨링자켓의 수평단면도이다.
한편 상기 진공처리장치(100)는 고온의 히터를 설치하여 고온의 환경을 형성하면서 공정을 수행하는 경우 히터에 의하여 발생되는 열이 샤워헤드(200)로 전달되어 샤워헤드(200)가 열변형되거나 샤워헤드(200)에서의 온도가 불균일하게 형성되어 원활한 공정수행을 저해할 수 있다.
따라서 상기 샤워헤드(200)가 과열되는 것을 방지하는 한편 그 온도가 일정한 범위 내로 유지할 필요가 있다.
따라서 상기 탑리드(120)의 상부에는 하나 이상의 유로(L; L1, L2, L3)를 형성하도록 내부유로(P)가 형성된 복수개의 쿨링자켓(400)들이 설치된다. 여기서 상기 내부유로(P)는 후술하는 격판(430) 등에 의하여 지그재그 등 냉각효율을 향상할 수 있도록 다양하게 형성될 수 있다.
상기 쿨링자켓(400)은 탑리드(120)의 상부에 설치되어 내부유로(P)에 전열유체가 흐르도록 구성되어, 탑리드(120)을 냉각하여 탑리드(120)와 결합된 샤워헤드(200)를 간접적으로 냉각하는 등 샤워헤드(200)에 대한 온도제어를 수행하게 된다. 이때 내부유로(P)에 흐르는 전열유체는 물, 냉각제(coolant) 등과 같은 유체가 사용될 수 있다.
상기 쿨링자켓(400)은 냉각 등 온도제어의 목적에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 제조 및 설치가 용이하도록 하나 이상의 플레이트부재로 구성될 수 있다. 이때 상기 쿨링자켓(400)은 용접 등에 의하여 탑리드(120)에 결합된다.
상기 쿨링자켓(400)은 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 열전달 효율을 높이기 위하여 내부에 흐르는 전열유체가 탑리드(120)와 직접 접촉될 수 있도록 탑리드(120)와 결합되는 면이 개방되도록 형성될 수 있다.
한편 상기 쿨링자켓(400)은 전열유체의 유입을 위한 유입구(410) 및 유출구(420)가 형성되며, 상기 유입구(410) 및 유출구(420)는 이웃하는 쿨링자켓(400)과의 연결 및 내부유로(P)를 고려하여 측면 중 적당한 위치에 형성된다.
이때 상기 복수개의 쿨링자켓(400)들 중 전열유체의 순환을 위한 전열유체순환장치(미도시)와 연결되는 유입단에 위치된 쿨링자켓(400)과 유출단에 위치된 쿨링자켓(400)은 용접 등에 의한 영향을 고려하여 각각 전열유체순환장치와 상면에서 유입관(401) 및 유출관(402)와 연결되는 것이 바람직하다.
따라서 유입단에 위치된 쿨링자켓(400)은 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 유입구(410)가 상면에 형성되고, 유출단에 위치된 쿨링자켓(400)은 그 유출구(420)이 상면에 형성되는 것이 바람직하다.
한편 상기 쿨링자켓(400)은 내부유로(P)를 형성함에 있어서, 하나 이상의 격판(430)에 의하여 형성될 수 있다. 이때 상기 격판(430)은 측벽 및 상측 내벽 등에 용접 등에 의하여 결합된다.
그리고 상기 격판(430)은 내부유로(P)가 소정의 패턴, 예를 들면 지그재그의 형상을 이루도록 다양하게 설치될 수 있으며, 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수 개가 평행하게 배치될 수 있다.
상기 쿨링자켓(400)의 유출구(420)는 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 이웃하는 쿨링자켓(400)의 유입구(410)와 탑리드(120)와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재(450)에 의하여 연결될 수 있다.
이때 상기 연결부재(450)는 용접 등에 의하여 결합되거나 하나의 부재로 형성되는 등 쿨링자켓(400)과 일체로 형성될 수 있다.
한편 상기 쿨링자켓(400)들은 물 등과 같은 전열유체가 고압으로 유입되며 전열유체의 유압으로 상측으로 부풀려지는 부풀림 현상이 발생될 수 있는바 이를 구조적으로 보강할 필요가 있다.
따라서 상기 쿨링자켓(400)은 내부유로(P)를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성될 수 있다.
상기 구조보강부는 구조상 쿨링자켓(400)의 중앙부분에서 발생되는 것이 일반적이므로, 중앙부분에서 탑리드(200)와의 결합을 위하여 쿨링자켓(400)을 상하로 통하도록 형성되는 내부결합부(460)로 구성될 수 있다. 이때 상기 내부결합부(460)는 내부유로(P)의 패턴에 따라서 위치가 정해진다.
상기 내부결합부(460)는 도 2a에 도시된 바와 같이, 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개된 형태로 형성될 수 있는 등 쿨링자켓(400)의 중앙부분에서 탑리드(200)와 결합될 수 있는 구성은 모두 가능하다.
상기 쿨링자켓(400)은 관통공(460)의 형성으로 인하여 중앙부분에서 탑리드(200)와 용접 등에 의하여 설치됨으로써 전열유체의 유압에 의한 부풀림이 방지될 수 있게 된다.
또한 상기 구조보강부는 다른예로서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 쿨링자 켓(400)의 외면에 형성되는 하나 이상의 보강부재(470)들로 구성될 수 있다.
상기 구조보강부는 상기와 같은 구성 이외에도 쿨링자켓(400)에 요철을 형성하는 등 다양한 방식에 의하여 구성될 수 있음은 물론이다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 복수 개의 쿨링자켓(400)들은 서로 연결되어 샤워헤드(200)의 냉각효율, 온도분포가 균일하지 않은 점 등을 고려하여 여러 가지 유로를 형성할 수 있다.
첫 번째 예로서, 상기 복수개의 쿨링자켓(400)들은 도 4a에 도시된 바와 같이, 직렬로 연결되어 하나의 전열유로(L)를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
두 번째 예로서, 상기 복수개의 쿨링자켓(400)들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 쿨링자켓(400)들은 직렬로 연결되는 전열유로(L1, L2, L3)를 형성할 수 있다.
상기와 같이 전열유로가 직렬인 하나의 유로로 형성되지 않고 병렬로 여러 개의 유로들로 구성되는 경우 진공처리장치(100)는 기판(1)에 대응되는 위치에 따라서 온도편차에 대응하는 등 온도제어가 보다 용이하게 할 수 있다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 과열방지가 필요한 경우 복수개의 쿨링자켓(400)들은 탑리드(200)의 상면 이외에도 탑리드(200) 및 챔버본체(110)의 외면 중 적어도 일부에 설치될 수 있음은 물론이다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설 명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 진공처리장치의 단면도이다.
도 2a는 도 1에 설치되는 쿨링자켓을 보여주는 사시도이다.
도 2b는 도 1에 설치되는 쿨링자켓의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 쿨링자켓의 수평단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2의 쿨링자켓이 형성하는 전열유로의 예들을 보여주는 평면도이다.
****** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *****
100 : 진공처리장치 110 : 챔버본체
120 : 탑리드 200 : 샤워헤드
300 : 기판지지대
400 : 쿨링자켓

Claims (23)

  1. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  2. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 복수개의 쿨링자켓들은 상기 탑리드의 상면에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  4. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  5. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  6. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 연결부재를 통해 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  7. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  8. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  9. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 구조보강부는
    상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  13. 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와;
    상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;
    상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와;
    상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하며,
    상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  14. 청구항 1 내지 청구항 3, 청구항 5 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  15. 청구항 1 내지 청구항 4, 청구항 6 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  16. 청구항 1 내지 청구항 5, 청구항 7 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 복수개의 쿨링자켓들은 연결부재를 통해 서로 연결되며,
    상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  17. 청구항 1 내지 청구항 6, 청구항 9 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  18. 청구항 1 내지 청구항 6, 청구항 9 내지 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  19. 청구항 1 내지 청구항 8, 청구항 13 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 구조보강부는
    상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  22. 청구항 19에 있어서,
    상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  23. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
KR1020080048056A 2008-05-23 2008-05-23 진공처리장치 KR101440416B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080048056A KR101440416B1 (ko) 2008-05-23 2008-05-23 진공처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080048056A KR101440416B1 (ko) 2008-05-23 2008-05-23 진공처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090121903A KR20090121903A (ko) 2009-11-26
KR101440416B1 true KR101440416B1 (ko) 2014-09-17

Family

ID=41604781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080048056A KR101440416B1 (ko) 2008-05-23 2008-05-23 진공처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101440416B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101201697B1 (ko) * 2010-09-20 2012-11-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 모노머 냉각트랩 및 이를 이용하는 모노머 증착장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11180796A (ja) * 1997-12-22 1999-07-06 Japan Energy Corp 気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11180796A (ja) * 1997-12-22 1999-07-06 Japan Energy Corp 気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090121903A (ko) 2009-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8741065B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20100103627A (ko) 기판의 온도를 제어하기 위한 방법 및 장치
TW201518538A (zh) 像素化冷卻溫度控制的基板支撐組件
JP2011508436A5 (ko)
KR20110011270A (ko) 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치
TW201408813A (zh) 基板處理裝置
KR100900318B1 (ko) 박막증착장치용 샤워헤드 및 박막증착장치 세정방법
KR101440416B1 (ko) 진공처리장치
KR101220307B1 (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR100666445B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 처리장치의 유전체 덮개 온도유지장치
KR102671334B1 (ko) 기판 적재부 및 기판처리 장치
TWI708864B (zh) 基板支撐組件、具有其之處理腔室、及控制其之溫度的方法
KR20100137795A (ko) 서셉터 및 이의 제조 방법 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR100521373B1 (ko) 냉각 장치 및 반도체 소자 제조 장치
KR101214954B1 (ko) 공정챔버로 공급되는 반응가스용 히팅장치
KR20090035788A (ko) 기판처리장치의 냉각시스템 및 이를 이용한 냉각방법
KR20200097021A (ko) 온도 조절 장치
JP2022016129A (ja) 載置台、基板を処理する装置、及び基板を温度調節する方法
KR100443857B1 (ko) 웨이퍼 가열장치의 냉각시스템
KR101255328B1 (ko) 기판 처리용 약액 온도 조절 장치
KR101387817B1 (ko) 열교환기 및 종형 열처리장치
JP2004311550A (ja) 基板処理装置
KR20230155835A (ko) 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
KR20240053368A (ko) 열매체공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR101994229B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20080523

PG1501 Laying open of application
N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20110118

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20130220

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20080523

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140330

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20140902

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20140904

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20140904

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170621

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180604

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190603

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200609

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210618

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220610

Start annual number: 9

End annual number: 9