KR101430745B1

KR101430745B1 - Electrostatic chuck and substrate treating apparatus

Info

Publication number: KR101430745B1
Application number: KR1020120158440A
Authority: KR
Inventors: 이원행
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2012-10-31
Filing date: 2012-12-31
Publication date: 2014-09-23
Also published as: KR20140055899A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 정전 척을 포함하는 기판 지지 어셈블리, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 하우징 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력을 인가하는 전원을 포함하되, 상기 정전 척은 정전기력으로 상기 기판을 흡착시키는 전극을 포함하는 유전판, 상기 유전판의 하부에 위치하고, 고주파 전원이 연결된 상기 금속판을 포함하는 몸체 및 상기 유전판과 상기 몸체 사이에 위치하고, 상기 유전판과 상기 몸체를 고정시키는 본딩 유닛을 포함하되, 상기 본딩 유닛은 다층막 구조로 제공된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a processing space therein, a substrate support assembly located in the chamber and including an electrostatic chuck for supporting a substrate, a gas supply unit for supplying gas into the chamber, And a power supply for applying a power to generate plasma from the gas supplied into the housing, wherein the electrostatic chuck includes a dielectric plate including an electrode for absorbing the substrate by an electrostatic force, a lower electrode disposed at a lower portion of the dielectric plate, A body including the metal plate, and a bonding unit positioned between the dielectric plate and the body and fixing the dielectric plate and the body, wherein the bonding unit is provided in a multilayer structure.

Description

[0001] ELECTROSTATIC CHUCK AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, a substrate is subjected to various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning to form a desired pattern on the substrate. In the etching process, wet etching and dry etching are used to remove a selected region of the film formed on the substrate.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform an etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

일반적으로 정전 척은 유전판과 금속 재질의 몸체를 포함한다. 유전판과 몸체는 실리콘이나 아크릴 중 어느 하나에 의해 서로 접합된다. 실리콘은 내열성은 우수하나 열저항이 낮다. 따라서 기판 처리 공정 중에 발생하는 열에도 손상되지 않지만 몸체와 유전판 사이에서 열의 이동을 효과적으로 차단하지 못하는 문제점이 있다. 아크릴은 열저항은 우수하나 내열성이 문제된다. 아크릴은 유전판과 몸체 사이에서 열손실을 방지할 수 있지만, 기판 처리 공정 중에 발생하는 열에 의하여 손상되는 문제점이 있다.Generally, the electrostatic chuck includes a dielectric plate and a metal body. The dielectric plate and the body are bonded to each other by either silicon or acrylic. Silicon has excellent heat resistance but low thermal resistance. Accordingly, heat generated during the substrate processing process is not damaged, but heat transfer between the body and the dielectric plate can not be effectively blocked. Acrylic has good heat resistance but heat resistance. Although acrylic can prevent heat loss between the dielectric plate and the body, there is a problem that it is damaged by heat generated during the substrate processing process.

본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에 사용되는 정전 척의 내부에서 열손실을 최소화하고, 내열성이 우수한 정전 척 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck and a substrate processing apparatus which minimize heat loss inside an electrostatic chuck used in a substrate processing process using plasma and have excellent heat resistance.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 정전 척을 포함하는 기판 지지 어셈블리, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 하우징 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력을 인가하는 전원을 포함하되, 상기 정전 척은 정전기력으로 상기 기판을 흡착시키는 전극을 포함하는 유전판, 상기 유전판의 하부에 위치하고, 고주파 전원이 연결된 상기 금속판을 포함하는 몸체 및 상기 유전판과 상기 몸체 사이에 위치하고, 상기 유전판과 상기 몸체를 고정시키는 본딩 유닛을 포함하되, 상기 본딩 유닛은 다층막 구조로 제공된다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a processing space therein, a substrate support assembly located in the chamber and including an electrostatic chuck for supporting a substrate, a gas supply unit for supplying gas into the chamber, And a power supply for applying a power for generating a plasma from the gas supplied into the housing, wherein the electrostatic chuck has a dielectric plate including an electrode for absorbing the substrate by an electrostatic force, a lower electrode disposed below the dielectric plate, A body including the metal plate, and a bonding unit positioned between the dielectric plate and the body and fixing the dielectric plate and the body, wherein the bonding unit is provided in a multilayer structure.

상기 다층막은 아크릴 층과 실리콘 층을 포함할 수 있다.The multi-layered film may include an acrylic layer and a silicon layer.

상기 실리콘 층은 상기 아크릴 층의 상부에 위치할 수 있다.The silicon layer may be located on top of the acrylic layer.

상기 다층막은 상기 실리콘 층과 상기 아크릴 층의 사이에 제공되어 상기 실리콘 층 및 상기 아크릴 층과 각각 접착되는 접착 매개층을 더 포함할 수 있다.The multi-layered film may further include an adhesive agent layer provided between the silicon layer and the acrylic layer and bonded to the silicon layer and the acrylic layer, respectively.

상기 다층막은 복수개의 실리콘 층 그리고 상기 복수개의 실리콘 층 사이에 제공되어 상기 복수개의 실리콘 층과 각각 접착되는 접착 매개층을 포함할 수 있다.The multilayered film may include a plurality of silicon layers and an adhesive medium layer provided between the plurality of silicon layers and bonded to the plurality of silicon layers, respectively.

상기 접착 매개층은 세라믹을 포함할 수 있다.The adhesive medium layer may comprise a ceramic.

상기 접착 매개층은 석영을 포함할 수 있다.The adhesive medium layer may comprise quartz.

상기 접착 매개층은 금속을 포함할 수 있다.The adhesive medium layer may comprise a metal.

또한, 본 발명은 정전 척을 제공한다.The present invention also provides an electrostatic chuck.

본 발명의 일 실시예에 따른 정전 척은 정전기력으로 상기 기판을 흡착시키는 전극을 포함하는 유전판, 상기 유전판의 하부에 위치하고, 고주파 전원이 연결된 상기 금속판을 포함하는 몸체 및 상기 유전판과 상기 몸체 사이에 위치하고, 상기 유전판과 상기 몸체를 고정시키는 본딩 유닛을 포함하되, 상기 본딩 유닛은 다층막 구조로 제공된다.An electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes a dielectric plate including an electrode for attracting the substrate by an electrostatic force, a body including the metal plate, which is located under the dielectric plate and connected to a high frequency power source, And a bonding unit for fixing the dielectric plate and the body, wherein the bonding unit is provided in a multi-layered structure.

상기 다층막은 아크릴 층, 실리콘 층 그리고 상기 실리콘 층과 상기 아크릴 층의 사이에 제공되어 상기 실리콘 층 및 상기 아크릴 층과 각각 접착되는 접착 매개층을 포함할 수 있다.The multi-layered film may include an acrylic layer, a silicon layer, and an adhesive medium layer provided between the silicon layer and the acrylic layer and bonded to the silicon layer and the acrylic layer, respectively.

본 발명의 일 실시 예에 의하면 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에 사용되는 정전 척의 내부에서 열손실을 최소화하고, 내열성이 우수한 정전 척 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide an electrostatic chuck and a substrate processing apparatus that minimize heat loss inside the electrostatic chuck used in a substrate processing process using plasma, and have excellent heat resistance.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 정전 척에 사용되는 본딩 유닛의 일 실시예를 확대하여 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 본딩 유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view showing an embodiment of a bonding unit used in the electrostatic chuck of FIG.
FIG. 3 is a view showing another embodiment of the bonding unit of FIG. 2. FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 어셈블리(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 플라즈마 소스, 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다. Referring to Fig. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a substrate support assembly 200, a showerhead 300, a gas supply unit 400, a plasma source, and a baffle unit 500.

챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 내부의 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압된다. The chamber 100 provides a processing space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 has an internal processing space and is provided in a closed configuration. The chamber 100 is made of a metal material. The chamber 100 may be made of aluminum. The chamber 100 may be grounded. On the bottom surface of the chamber 100, an exhaust hole 102 is formed. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the inner space of the chamber can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the chamber 100 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가진다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.According to one example, a liner 130 may be provided within the chamber 100. The liner 130 has a cylindrical shape with an upper surface and a lower surface opened. The liner 130 may be provided to contact the inner surface of the chamber 100. The liner 130 protects the inner wall of the chamber 100 and prevents the inner wall of the chamber 100 from being damaged by the arc discharge. Also, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the chamber 100. Optionally, the liner 130 may not be provided.

챔버(100)의 내부에는 기판 지지 어셈블리(200)가 위치한다. 기판 지지 어셈블리(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 어셈블리(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 어셈블리(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 어셈블리(200)에 대하여 설명한다.A substrate support assembly 200 is positioned within the chamber 100. The substrate support assembly 200 supports the substrate W. [ The substrate support assembly 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting a substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the substrate support assembly 200 may support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping. Hereinafter, the substrate support assembly 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

기판 지지 어셈블리(200)는 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함한다. 기판 지지 어셈블리(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. The substrate support assembly 200 includes an electrostatic chuck 210, a lower cover 250 and a plate 270. The substrate support assembly 200 is spaced upwardly from the bottom surface of the chamber 100 within the chamber 100.

정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스 링(240)을 포함한다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지한다.The electrostatic chuck 210 includes a dielectric plate 220, a body 230, and a focus ring 240. The electrostatic chuck 210 supports the substrate W.

유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다. The dielectric plate 220 is located at the top of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 220.

유전판(220)은 내부에 제1 전극(223), 히터(225) 그리고 제1 공급 유로(221)를 포함한다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.The dielectric plate 220 includes a first electrode 223, a heater 225, and a first supply path 221 therein. The first supply passage 221 is provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 210. A plurality of first supply passages 221 are formed to be spaced from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.The first electrode 223 is electrically connected to the first power source 223a. The first power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is provided between the first electrode 223 and the first power source 223a. The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a by turning on / off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the first electrode 223. An electrostatic force is applied between the first electrode 223 and the substrate W by the current applied to the first electrode 223 and the substrate W is attracted to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치한다. 히터(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. The heater 225 is located below the first electrode 223. The heater 225 is electrically connected to the second power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second power source 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 includes a helical coil.

유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치한다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 본딩 유닛(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.The body 230 is located below the dielectric plate 220. The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the body 230 may be bonded together by a bonding unit 236. The body 230 may be made of aluminum. The upper surface of the body 230 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The upper surface central region of the body 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and is bonded to the bottom surface of the dielectric plate 220. The body 230 has a first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 formed therein.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation channel 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 are formed at the same height.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation flow path 232 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. And each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow paths 232 are formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the body 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and connects the first circulation passage 231 to the first supply passage 221.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium through which the heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각한다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다. The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c is circulated along the second circulation channel 232 to cool the body 230. The body 230 is cooled while the dielectric plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가 받는다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.The body 230 may include a metal plate. According to one example, the entire body 230 may be provided as a metal plate. The body 230 may be electrically connected to the third power source 235a. The third power source 235a may be provided as a high frequency power source for generating high frequency power. The high frequency power source can be provided by an RF power source. The body 230 receives the high frequency power from the third power source 235a. This allows the body 230 to function as an electrode.

도 2는 도 1의 정전 척에 사용되는 본딩 유닛의 일 실시예를 확대하여 보여주는 도면이다.2 is an enlarged view showing an embodiment of a bonding unit used in the electrostatic chuck of FIG.

도 2를 참조하면, 본딩 유닛(2360)은 유전판(220)과 몸체(230) 사이에 위치한다. 본딩 유닛(2360)은 유전판(220) 및 몸체(230)와 각각 접착된다. 일 예에 의하면, 본딩 유닛(2360)은 다층막 구조로 제공된다. 본딩 유닛(2360)은 실리콘 층(2361)과 아크릴 층(2365)을 포함할 수 있다. 실리콘 층(2361)은 아크릴 층(2365)의 상부에 위치할 수 있다. Referring to FIG. 2, a bonding unit 2360 is positioned between the dielectric plate 220 and the body 230. The bonding unit 2360 is bonded to the dielectric plate 220 and the body 230, respectively. According to one example, the bonding unit 2360 is provided in a multilayer structure. The bonding unit 2360 may include a silicon layer 2361 and an acrylic layer 2365. The silicon layer 2361 may be located on top of the acrylic layer 2365.

실리콘 층(2361)과 아크릴 층(2365) 사이에는 접착 매개층(2363)이 제공될 수 있다. 실리콘 층(2361)과 아크릴 층(2365)은 서로 잘 접착되지 않는다. 이에 접착 매개층(2363)은 실리콘 층(2361)과 아크릴 층(2365)에 각각 접착된다. 이를 통하여 본딩 유닛(2360)의 다층막의 형태가 유지될 수 있다. 접착 매개층(2363)은 세라믹과 실리콘이 잘 접착되는 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 접착 매개층(2363)은 세라믹, 석영 그리고 금속 재질 중 하나로 제공될 수 있다. An adhesive medium layer 2363 may be provided between the silicon layer 2361 and the acrylic layer 2365. The silicon layer 2361 and the acrylic layer 2365 do not adhere well to each other. The adhesive medium layer 2363 is bonded to the silicon layer 2361 and the acrylic layer 2365, respectively. The shape of the multilayered film of the bonding unit 2360 can be maintained. The adhesive medium layer 2363 is made of a material in which ceramic and silicon are adhered well. According to one example, the adhesive medium layer 2363 may be provided in one of ceramic, quartz, and metal materials.

도 3은 도 2의 본딩 유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view showing another embodiment of the bonding unit of FIG. 2. FIG.

도 3을 참조하면, 본딩 유닛(3360)은 유전판(220)과 몸체(230) 사이에 위치한다. 본딩 유닛(3360)은 유전판(220) 및 몸체(230)와 각각 접착된다. 일 예에 의하면, 본딩 유닛(3360)은 다층막 구조로 제공된다. 본딩 유닛(3360)은 복수개의 실리콘 층(3361)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, a bonding unit 3360 is located between the dielectric plate 220 and the body 230. The bonding unit 3360 is bonded to the dielectric plate 220 and the body 230, respectively. According to one example, the bonding unit 3360 is provided in a multilayer structure. The bonding unit 3360 may include a plurality of silicon layers 3361.

복수개의 실리콘 층(3361)사이에는 접착 매개층(3363)이 제공된다. 실리콘은 내열성이 우수하나 열저항성이 떨어진다. 이에 실리콘의 두께를 두껍게 제공하면 일정한 열저항성에 도달할 수 있다. 그러나 실리콘은 일정한 두께 이상으로 제공되기 어려운 문제점이 있다. 일 예에 의하면, 실리콘 층(3361)을 복수개 제공한다. 복수개의 실리콘 층(3361) 사이에는 접착 매개층(3363)이 제공된다. 이러한 방식으로 기설정된 열저항성을 가지는 본딩 유닛(3360)을 제공할 수 있다. 일 예에 의하면, 접착 매개층(3363)은 세라믹, 석영 그리고 금속 재질 중 하나로 제공될 수 있다.Between the plurality of silicon layers 3361, an adhesive medium layer 3363 is provided. Silicon is excellent in heat resistance but low in heat resistance. Thus, providing a thick silicon layer can achieve constant thermal resistance. However, there is a problem that silicon is difficult to be provided over a certain thickness. According to one example, a plurality of silicon layers 3361 are provided. Between the plurality of silicon layers 3361, an adhesive medium layer 3363 is provided. In this way, it is possible to provide a bonding unit 3360 having a predetermined thermal resistance. According to one example, the adhesive medium layer 3363 may be provided in one of ceramic, quartz, and metal materials.

상술한 본 발명의 실시예 및 변형예에서, 본딩 유닛(3360)은 3층을 가지는 다층막 구조로 제공된다. 그러나 다층막은 3층 이상의 복수개의 층을 가질 수도 있다.In the above-described embodiments and modifications of the present invention, the bonding unit 3360 is provided in a multilayer structure having three layers. However, the multilayer film may have a plurality of layers of three or more layers.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W) 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어한다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the dielectric plate 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220. [ The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 supports an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 220. [ The outer side portion 240a of the focus ring 240 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ The focus ring 240 controls the electromagnetic field so that the density of the plasma is uniformly distributed over the entire area of the substrate W. Thereby, plasma is uniformly formed over the entire region of the substrate W, so that each region of the substrate W can be uniformly etched.

하부 커버(250)는 기판 지지 어셈블리(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(250)는 챔버(100)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. The lower cover 250 is located at the lower end of the substrate support assembly 200. The lower cover 250 is spaced upwardly from the bottom surface of the chamber 100. The lower cover 250 has a space in which an upper surface is opened. The outer radius of the lower cover 250 may be provided with a length equal to the outer radius of the body 230. A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external carrying member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 250. The bottom surface of the lower cover 250 may be made of a metal material.

하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 갖는다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(100)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판 지지 어셈블리(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(100)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 제3 전원(235a)과 연결되는 제3 전원라인(235c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(253)의 내부 공간을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장된다.The lower cover 250 has a connecting member 253. The connecting member 253 connects the outer surface of the lower cover 250 and the inner wall of the chamber 100. The connection members 253 may be provided on the outer surface of the lower cover 250 at a predetermined interval. The connection member 253 supports the substrate support assembly 200 inside the chamber 100. Further, the connection member 253 is connected to the inner wall of the chamber 100, so that the lower cover 250 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second power supply 225a, a third power supply line 235c connected to the third power supply 235a, A heat transfer medium supply line 231b connected to the heat transfer medium storage part 231a and a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid storage part 232a are connected to the lower cover 250 .

정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치한다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮는다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)를 전기적으로 절연시킨다. A plate 270 is positioned between the electrostatic chuck 210 and the lower cover 250. The plate 270 covers the upper surface of the lower cover 250. The plate 270 is provided with a cross-sectional area corresponding to the body 230. The plate 270 may comprise an insulator. The plate 270 electrically insulates the body 230 and the lower cover 250.

샤워 헤드(300)는 챔버(100) 내부에서 기판 지지 어셈블리(200)의 상부에 위치한다. 샤워 헤드(300)는 기판 지지 어셈블리(200)와 대향하도록 위치한다.The showerhead 300 is located within the chamber 100 at the top of the substrate support assembly 200. The showerhead 300 is positioned to face the substrate support assembly 200.

샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함한다. 가스 분산판(310)은 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분산판(310)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성된다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 기판 지지 어셈블리(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수개의 분사홀(311)을 포함한다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함한다. 가스 분산판(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 전원(351)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 분산판(310)은 전기적으로 접지될 수도 있다. 가스 분산판(310)은 제4 전원(351)과 전기적으로 연결되거나, 접지되어 전극으로서 기능할 수 있다.The shower head 300 includes a gas distributor plate 310 and a support portion 330. The gas distribution plate 310 is spaced apart from the upper surface of the chamber 100 by a predetermined distance. A uniform space is formed between the gas distributor 310 and the upper surface of the chamber 100. The gas distribution plate 310 may be provided in a plate shape having a constant thickness. The bottom surface of the gas distribution plate 310 may be polarized on its surface to prevent arcing by plasma. The cross-section of the gas distribution plate 310 may be provided to have the same shape and cross-sectional area as the substrate support assembly 200. The gas distribution plate 310 includes a plurality of injection holes 311. The injection hole 311 penetrates the upper and lower surfaces of the gas distribution plate 310 in the vertical direction. The gas distribution plate 310 includes a metal material. The gas distributor 310 may be electrically connected to the fourth power source 351. The fourth power source 351 may be provided as a high frequency power source. Alternatively, the gas distribution plate 310 may be electrically grounded. The gas distributor plate 310 may be electrically connected to the fourth power source 351 or may be grounded to function as an electrode.

지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지한다. 지지부(330)는 상단은 챔버(100)의 상면과 연결되고, 하단은 가스 분산판(310)의 측부와 연결된다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.The support portion 330 supports the side of the gas distributor plate 310. The upper end of the support part 330 is connected to the upper surface of the chamber 100, and the lower end is connected to the side of the gas distribution plate 310. The support portion 330 may include a non-metallic material.

가스 공급 유닛(400)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함한다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결한다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급한다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치된다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.A gas supply unit (400) supplies a process gas into the chamber (100). The gas supply unit 400 includes a gas supply nozzle 410, a gas supply line 420, and a gas storage unit 430. The gas supply nozzle 410 is installed at the center of the upper surface of the chamber 100. An injection port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 410. The injection port supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply line 420 connects the gas supply nozzle 410 and the gas storage unit 430. The gas supply line 420 supplies the process gas stored in the gas storage unit 430 to the gas supply nozzle 410. The gas supply line 420 is provided with a valve 421. The valve 421 opens and closes the gas supply line 420 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 420.

플라즈마 소스는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 본 발명의 실시예에서는, 플라즈마 소스로 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용된다. 용량 결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 샤워 헤드(300)로 제공되고, 하부 전극은 몸체(230)로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다.The plasma source excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. In an embodiment of the present invention, a capacitively coupled plasma (CCP) is used as a plasma source. The capacitively coupled plasma may include an upper electrode and a lower electrode inside the chamber 100. The upper electrode and the lower electrode may be arranged vertically in parallel with each other in the chamber 100. Either one of the electrodes can apply high-frequency power and the other electrode can be grounded. An electromagnetic field is formed in a space between both electrodes, and a process gas supplied to this space can be excited into a plasma state. A substrate processing process is performed using this plasma. According to an example, the upper electrode may be provided to the showerhead 300 and the lower electrode may be provided to the body 230. High-frequency power may be applied to the lower electrode, and the upper electrode may be grounded. Alternatively, high-frequency power may be applied to both the upper electrode and the lower electrode. As a result, an electromagnetic field is generated between the upper electrode and the lower electrode. The generated electromagnetic field excites the process gas provided inside the chamber 100 into a plasma state.

배플 유닛(500)은 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 어셈블리(200)의 사이에 위치된다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 챔버(100) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 500 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support assembly 200. The baffle 510 is provided in an annular ring shape. A plurality of through holes 511 are formed in the baffle 510. The process gas provided in the chamber 100 passes through the through holes 511 of the baffle 510 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the baffle 510 and the shape of the through holes 511. [

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다. Hereinafter, a process of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described.

기판 지지 어셈블리(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 전원(223a)으로부터 제1 전극(223)에 직류 전류가 인가된다. 제1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착된다.When the substrate W is placed on the substrate support assembly 200, a direct current is applied to the first electrode 223 from the first power source 223a. An electrostatic force is applied between the first electrode 223 and the substrate W by the DC current applied to the first electrode 223 and the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210 by the electrostatic force.

기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(410)을 통하여 챔버(100) 내부에 공정 가스가 공급된다. 공정 가스는 샤워 헤드(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(100)의 내부 영역으로 균일하게 분사된다. 제3 전원(235a)에서 생성된 고주파 전력은 하부 전극으로 제공되는 몸체(230)에 인가된다. 상부 전극으로 제공되는 샤워 헤드의 분사판(310)은 접지된다. 상부 전극과 하부 전극 사이에는 전자기력이 발생한다. 전자기력은 기판 지지 어셈블리(200)와 샤워 헤드(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킨다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리한다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210, the process gas is supplied into the chamber 100 through the gas supply nozzle 410. The process gas is uniformly injected into the interior region of the chamber 100 through the injection hole 311 of the shower head 300. [ The high frequency power generated by the third power supply 235a is applied to the body 230 provided as a lower electrode. The injection plate 310 of the showerhead provided as the upper electrode is grounded. Electromagnetic force is generated between the upper electrode and the lower electrode. The electromagnetic force excites the process gas between the substrate support assembly 200 and the showerhead 300 into the plasma. The plasma is provided to the substrate W to process the substrate W. [ The plasma may be subjected to an etching process.

본 발명의 일 실시예에 의한 정전 척(210)은 유전판(220)과 몸체(230)가 본딩 유닛(2360)으로 접합된다. 본딩 유닛(2360)은 다층막 구조로 제공된다. 본딩 유닛(2360) 실리콘 층(2361)과 아크릴 층(2365)을 포함한다. 실리콘 층은 내열성이 우수하고, 아크릴 층은 열저항성이 우수하다. 이를 통해 본딩 유닛(2360)은 내열성과 열저항성을 모두 가질 수 있다. 본딩 유닛(2360)은 유전판(220)에서 발생되는 열손실을 최소화시킬 수 있다. 이로 인하여 기판 처리 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.The electrostatic chuck 210 according to an embodiment of the present invention is bonded to the dielectric plate 220 and the body 230 with a bonding unit 2360. The bonding unit 2360 is provided in a multilayer structure. A bonding unit 2360, a silicon layer 2361 and an acrylic layer 2365. The silicon layer is excellent in heat resistance, and the acrylic layer is excellent in heat resistance. Through this, the bonding unit 2360 can have both heat resistance and heat resistance. The bonding unit 2360 can minimize the heat loss generated in the dielectric plate 220. Thus, the efficiency of the substrate processing process can be improved.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

10: 기판 처리 장치 100: 챔버
200: 기판 지지 어셈블리 230: 몸체
236: 본딩 유닛 300: 샤워 헤드
400: 가스 공급 유닛 500: 배플 유닛10: substrate processing apparatus 100: chamber
200: substrate support assembly 230: body
236: bonding unit 300: shower head
400: gas supply unit 500: baffle unit

Claims

A chamber having a processing space therein;
A substrate support assembly located within the chamber and including an electrostatic chuck for supporting a substrate;
A gas supply unit for supplying gas into the chamber; And
And a power source for applying power for generating a plasma from the gas supplied into the chamber,
The electrostatic chuck
A dielectric plate comprising an electrode for adsorbing the substrate with electrostatic force;
A body positioned below the dielectric plate and including a metal plate to which a high frequency power source is connected; And
And a bonding unit positioned between the dielectric plate and the body and fixing the dielectric plate and the body,
The bonding unit includes:
A first adhesive layer;
A second adhesive layer positioned below the first adhesive layer; And
And an adhesive agent layer provided between the first adhesive layer and the second adhesive layer and bonded to the first adhesive layer and the second adhesive layer, respectively,
Wherein the first adhesive layer is provided of a material superior in heat resistance to the second adhesive layer,
Wherein the second adhesive layer is provided with a material having a higher thermal resistance than the first adhesive layer.

The method according to claim 1,
Wherein the first adhesive layer is silicon.

The method according to claim 1,
Wherein the second adhesive layer is acrylic.

delete

The method according to claim 1,
Wherein the adhesive medium layer comprises a ceramic.

The method according to claim 1,
Wherein the adhesive medium layer comprises quartz.

The method according to claim 1,
Wherein the adhesive medium layer comprises a metal.

A dielectric plate comprising an electrode for adsorbing the substrate with electrostatic force;
A body positioned below the dielectric plate and including a metal plate to which a high frequency power source is connected; And
And a bonding unit positioned between the dielectric plate and the body and fixing the dielectric plate and the body,
The bonding unit includes:
A first adhesive layer;
A second adhesive layer positioned below the first adhesive layer; And
And an adhesive agent layer provided between the first adhesive layer and the second adhesive layer and bonded to the first adhesive layer and the second adhesive layer, respectively,
Wherein the first adhesive layer is provided of a material superior in heat resistance to the second adhesive layer,
Wherein the second adhesive layer is provided as a material having better heat resistance than the first adhesive layer.

10. The method of claim 9,
Wherein the first adhesive layer is silicon.

10. The method of claim 9,
And the second adhesive layer is acrylic.

delete

10. The method of claim 9,
Wherein the adhesive medium layer comprises a ceramic.

10. The method of claim 9,
Wherein the adhesive medium layer comprises quartz.

10. The method of claim 9,
Wherein the adhesive medium layer comprises a metal.