KR101434358B1 - 백색 유기발광소자 - Google Patents
백색 유기발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101434358B1 KR101434358B1 KR1020070074123A KR20070074123A KR101434358B1 KR 101434358 B1 KR101434358 B1 KR 101434358B1 KR 1020070074123 A KR1020070074123 A KR 1020070074123A KR 20070074123 A KR20070074123 A KR 20070074123A KR 101434358 B1 KR101434358 B1 KR 101434358B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting layer
- buffer layer
- green
- Prior art date
Links
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 16
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 6
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 4
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 22
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- -1 carbazole compound Chemical class 0.000 description 3
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- RQCBPOPQTLHDFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,3-oxazole Chemical compound C1=COC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RQCBPOPQTLHDFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYKHSBAVLOPISI-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,3-thiazole Chemical compound C1=CSC(C=2C=CC=CC=2)=N1 WYKHSBAVLOPISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSVXWCZFSFKRDO-UHFFFAOYSA-N triphenyl-(3-triphenylsilylphenyl)silane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Si](C=1C=C(C=CC=1)[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSVXWCZFSFKRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
백색 유기발광소자가 개시된다. 개시된 백색 유기발광소자는, 서로 이격되게 마련되는 애노드전극 및 캐소드전극; 애노드전극과 캐소드전극 사이에 순차적으로 형성되는 청색, 녹색 및 적색 발광층; 청색 발광층과 녹색 발광층 사이에 형성되는 것으로, HOMO-LUMO 에너지 갭(energy gap)이 인접한 발광층들보다 크거나 같은 제1 버퍼층; 및 녹색 발광층과 적색 발광층 사이에 형성되는 것으로, 상기 적색 발광층 보다 큰 LUMO 에너지 준위(energy level)를 가지는 제2 버퍼층;을 포함한다.
Description
본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로, 상세하게는 색재현성 및 발광 효율을 향상시킬 수 있는 백색 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광소자(OLED; Organic Light Emitting Device)는 유기 발광층에 전류 또는 전압을 인가하면 유기 발광층 내에서 전자와 정공이 결합함으로써 빛이 발생되는 현상을 이용한 발광소자이다. 이러한 유기발광소자는 보다 나은 발광특성을 얻기 위하여 애노드전극과 유기 발광층 사이에 정공주입층(HIL; Hole Injection Layer) 및 정공수송층(HTL; Hole Tranporting Layer)이 형성되고, 캐소드전극과 유기 발광층 사이에는 전자주입층(EIL; Electron Injection Layer) 및 전자수송층(ETL; Electron Transporting Layer)이 형성되는 다층막 구조를 가질 수 있다.
유기발광소자는 구동전압이 대략 5V 정도로 저전압 구동이 가능하고, 고휘도의 면 발광을 구현할 수 있으며, 응답속도가 매우 빠르며, 얇은 두께로 제작할 수 있다는 장점이 있다. 이외에도 색 재현성이 우수하고, 넓은 시야각을 가지며, 또한 형광물질의 적절한 선택에 의해 발광색상을 용이하게 변화시킬 수 있는 장점이 있다. 이에 따라, 유기발광소자는 풀 컬러(full color) 표시장치, 액정 디스플레 이(LCD)용 백라이트 유닛, 정보 표시기기, 차량 표시기기, 조명 기기 등과 같은 다양한 분야에 이용될 수 있다.
한편, 백색 유기발광소자는 백색광을 방출하는 유기발광소자로서, 그 내부에 소정 색상의 발광층들이 적층된 구조를 가지고 있다. 이러한 백색 유기발광소자는 박형 광원(paper-thin light source), 액정 디스플레이의 백라이트 유닛, 컬러 필터를 채용한 풀 컬러 표시장치 등과 같은 분야에 특히 유용하게 적용될 수 있다. 그러나, 백색 유기발광소자에서는 발광층들로부터 여러 가지 색상의 빛이 동시에 발광되기 때문에 색도(chromaticity) 조절에 어려움이 있다. 구체적으로, 백색 유기발광소자에서는 발광층들에 주입되는 전하의 양, 발광층들 내에서의 전하 이동도(charge mobility), 발광층들 사이의 에너지 준위(energy level)가 서로 다르게 때문에 색도를 조절하기 어려운 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 색도 조절을 용이하게 하여 색재현성을 향상시키고, 발광 효율을 증대시킬 수 있는 백색 유기발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 구현예에 따른 백색 유기발광소자는,
서로 이격되게 마련되는 애노드전극 및 캐소드전극;
상기 애노드전극과 캐소드전극 사이에 순차적으로 형성되는 청색, 녹색 및 적색 발광층;
상기 청색 발광층과 녹색 발광층 사이에 형성되는 것으로, HOMO-LUMO 에너지 갭(energy gap)이 인접한 발광층들보다 크거나 같은 제1 버퍼층; 및
상기 녹색 발광층과 적색 발광층 사이에 형성되는 것으로, 상기 적색 발광층 보다 큰 LUMO 에너지 준위(energy level)를 가지는 제2 버퍼층;을 포함한다.
여기서, 상기 제1 버퍼층은 정공 및 전자를 모두 전달할 수 있는 양극성(ambipolarity)을 가지며, 정공 전달속도보다 큰 전자 전달속도를 가진다. 그리고, 상기 제2 버퍼층은 정공 전달특성을 가지며, 상기 적색 발광층으로부터 주입되는 전자의 양을 제한하는 전자 저지특성을 가진다.
상기 제1 및 제2 버퍼층의 두께는 1 ~ 4nm가 될 수 있다.
상기 제1 버퍼층은 상기 청색 발광층에 사용되는 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 애노드전극과 청색 발광층 사이에는 정공수송층(HTL; Hole Tranporting Layer)이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 버퍼층은 상기 정공수송층과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 정공수송층은 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)으로 이루어질 수 있다.
상기 애노드전극과 정공수송층 사이에는 정공주입층(HIL; Hole Injection Layer)이 더 형성될 수 있다. 상기 정공주입층은 MTDATA(4,4',4"-tris(3- methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate)으로 이루어질 수 있다.
상기 청색 발광층 및 녹색 발광층 각각은 각각의 형광 호스트 물질에 청색 및 적색 도펀트를 각각 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 형광 호스트 물질은 안트라센(anthracene) 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체 및 페릴렌(perylene) 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 적색 발광층은 인광 호스트 물질에 적색 도펀트를 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 인광 호스트 물질은 카바졸계 화합물 또는 금속 착물로 이루어질 수 있다. 상기 카바졸계 화합물은 CBP(4,4-N,N'-dicarbazole-biphenyl), CBP 유도체, mCP(N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene) 또는 mCP 유도체가 될 수 있으며, 상기 금속 착물은 ZnPBO(phenyloxazole) 금속 착물 또는 ZnPBT(phenylthiazole) 금속 착물이 될 수 있다. 그리고, 상기 적색 도펀트는 이리듐(Ir) 또는 백금(Pt)의 금속 착물로 이루어질 수 있다.
상기 적색 발광층과 캐소드전극 사이에는 전자수송층(ETL; Electron Transporting Layer)이 더 형성될 수 있다. 여기서, 상기 전자수송층은 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난쓰롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 및 벤즈티아졸(benzthiazole) 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나로 이루어질 수 있다.
상기 전자수송층과 캐소드전극 사이에는 전자주입층(EIL; Electron Injection Layer)이 더 형성될 수 있다. 여기서, 상기 전자주입층은 LIF 또는 LiQ(lithium quinolate)으로 이루어질 수 있다.
상기 애노드전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2 또는 ZnO 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 캐소드전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 및 칼슘(Ca)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 백색 유기발광소자에서는 청색 발광층과 녹색 발광층 사이에 청색 발광 비율은 증대시키고 녹색 및 적색 발광 비율은 감소시키는 제1 버퍼층을 형성하고, 녹색 발광층과 적색 발광층 사이에 적색 발광 비율은 증대시키고 청색 및 녹색 발광 비율은 감소시키는 제2 버퍼층을 형성함으로서 목표로 하는 청색, 녹색 및 적색의 발광 비율을 얻을 수 있어 원하는 색좌표를 만족시킬 수 있으며, 또한 발광 효율의 저하도 방지할 수 있다. 따라서, 색도 조절이 용이하여 색재현성을 향상시킬 수 있으며, 고효율의 백색광을 구현할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면 상에서 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기발광소자를 개략적으로 도시한 단 면도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 각 물질층들의 에너지 준위를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기발광소자는 필수 구성요소로서, 서로 이격되게 마련되는 애노드전극(120) 및 캐소드전극(140), 상기 애노드전극(120)과 캐소드전극(140) 사이에 순차적으로 형성되는 청색, 녹색 및 적색 발광층(130B,130G,130R), 그리고, 상기 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(130G) 사이에 형성되는 제1 버퍼층(151) 및 상기 녹색 발광층(130G)과 적색 발광층(130R) 사이에 형성되는 제2 버퍼층(152)을 구비한다.
상기 애노드전극(120)은 기판(110) 상에 투명한 도전성 물질을 증착한 다음, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 기판(110)으로는 유리 기판 또는 투명한 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 애노드전극(120)은 전도성 및 일함수(work function)가 높은 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 애노드전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2 또는 ZnO 등으로 이루어질 수 있다.
상기 애노드전극(120) 상에는 정공의 주입을 용이하게 하기 위한 정공주입층(HIL; Hole Injection Layer,122)이 형성될 수 있다. 상기 정공주입층(122)은 예를 들면, MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 또는 PEDOT/PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiphene, polystyrene sulfonate) 등으로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 한정되지는 않는 다. 그리고, 상기 정공주입층(122) 상에는 정공의 수송을 용이하게 하기 위한 정공수송층(HTL; Hole Tranporting Layer,124)이 형성될 수 있다. 상기 정공수송층(124)은 예를 들면, TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine) 등으로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 한정되지는 않는다.
상기 정공수송층(124) 상에는 청색 발광층(130B)이 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층(130B)은 호스트 물질에 청색 도펀트를 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 청색 발광층(130B)에 사용되는 호스트 물질은 예를 들면, 안트라센(anthracene) 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체 및 페릴렌(perylene) 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 형광 호스트 물질이 될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 청색 발광층(130B) 상에는 제1 버퍼층(151)이 형성될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(151)은 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(130G) 사이에 형성되어 청색 발광 비율은 증대시키고, 녹색 및 적색 발광 비율은 감소시키는 역할을 한다. 본 실시예에서, 상기 제1 버퍼층(151)은 정공 및 전자를 모두 전달할 수 있는 양극성(ambipolarity)을 가지면서 전자 전달속도가 정공 전달속도보다 큰 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1 버퍼층(151)은 도 2에 도시된 바와 같이 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)-LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 갭(energy gap)이 인접한 발광층들, 즉 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(130G)보다 큰 물질로 이루어짐으로써 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 버퍼층(151)은 상기 청색 발광층(130B)에 사용된 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되지는 않는다. 이러한 제1 버퍼층(151)은 1 ~ 4nm 정도의 두께로 형성될 수 있다. 이와 같이, 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(130G) 사이에 상기 제1 버퍼층(151)을 형성하게 되면, 전자전달특성은 유지하면서 애노드전극(120)에서 캐소드전극(140) 쪽으로 이동하는 정공의 양을 감소시킴으로써 청색 발광 비율은 증대시키고 녹색 및 적색 발광 비율은 감소시킬 수 있다.
상기 제1 버퍼층(151) 상에는 녹색 발광층(130G)이 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광층(130G)은 호스트 물질에 녹색 도펀트를 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 녹색 발광층(130G)에 사용되는 호스트 물질은 청색 발광층(130B)에 사용되는 호스트 물질과 동일한 물질, 예를 들면, 안트라센(anthracene) 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체 및 페릴렌(perylene) 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 형광 호스트 물질이 될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 녹색 발광층(130G) 상에는 제2 버퍼층(152)이 형성될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(152)은 녹색 발광층(130G)과 적색 발광층(130R) 사이에 형성되어 적색 발광 비율은 증대시키고, 청색 및 녹색 발광 비율은 감소시키는 역할을 한다. 이를 위하여, 상기 제2 버퍼층(152)은 정공 전달 특성을 가지면서 적색 발광층(130R)으로부터 주입되는 전자의 양을 제한하는 전자 저지특성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제2 버퍼층(152)은 도 2에 도시된 바와 같이 적색 발광층(130R)보다 LUMO 에너지 준위가 높은 물질로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 버퍼층(152)은 상기 정공수송층(124)을 이루는 물질과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 버퍼층(152)은 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine) 또는 NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine) 등으로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 한정되지는 않는다. 이러한 제2 버퍼층(152)은 1 ~ 4nm 정도의 두께로 형성될 수 있다.
상기 제2 버퍼층(152) 상에는 적색 발광층(130R)이 형성될 수 있다. 상기 적색 발광층(130R)은 호스트 물질에 적색 도펀트를 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 적색 발광층(130R)에 사용되는 호스트 물질은 카바졸계 화합물 또는 금속 착물으로 이루어진 인광 호스트 물질이 될 수 있다. 상기 카바졸계 화합물은 CBP(4,4-N,N'-dicarbazole-biphenyl), CBP 유도체, mCP(N,N'-dicarbazolyl-3,5-benzene) 또는 mCP 유도체 등을 포함할 수 있으며, 상기 금속 착물은 ZnPBO(phenyloxazole) 금속 착물 또는 ZnPBT(phenylthiazole) 금속 착물 등을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 적색 도펀트는 이리듐(Ir) 또는 백금(Pt)의 금속 착물로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 적색 발광층(130R) 상에는 전자의 수송을 용이하게 하기 위한 전자수송층(ETL; Electron Transporting Layer,144)이 형성될 수 있다. 상기 전자수송층(144)은 예를 들면, 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난쓰롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 및 벤즈티아졸(benzthiazole) 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아 니다. 그리고, 상기 전자수송층(144) 상에는 전자의 주입을 용이하게 하기 위한 전자주입층(EIL; Electron Injection Layer,142)을 더 형성할 수 있다. 상기 전자주입층(142)은 예를 들면, LIF 또는 LiQ(lithium quinolate) 등으로 이루어질 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자주입층(142) 상에는 캐소드전극(140)이 형성될 수 있다. 상기 캐소드전극(140)은 낮은 일함수를 가지는 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 캐소드전극(140)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 또는 칼슘(Ca) 등과 같은 금속, 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기 발광소자에서는 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(130G) 사이에 청색 발광 비율은 증대시키고 녹색 및 적색 발광 비율은 감소시키는 제1 버퍼층(151)을 형성하고, 녹색 발광층(130G)과 적색 발광층(130R) 사이에 적색 발광 비율은 증대시키고 청색 및 녹색 발광 비율은 감소시키는 제2 버퍼층(152)을 형성함으로서 목표로 하는 청색, 녹색 및 적색의 발광 비율을 얻을 수 있어 원하는 색좌표를 만족시킬 수 있으며, 또한 발광 효율의 저하도 방지할 수 있다. 따라서, 색도 조절이 용이하여 색재현성을 향상시킬 수 있으며, 고효율의 백색광을 구현할 수 있다.
도 3은 도 1에서 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(103G) 사이에만 전술한 제1 버퍼층(151)이 형성된 백색 유기발광소자의 발광 스펙트럼 변화를 보여주는 도면이다. 도 3에는 제1 버퍼층(151)의 두께가 각각 0nm, 2nm, 3nm 인 경우의 발광 스펙트럼의 변화가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 제1 버퍼층(151)의 두께가 증가할수록 녹색 및 적색 발광 비율을 감소하고, 청색 발광 비율이 증가하는 것을 알 수 있다. 그리고, 도 4는 도 1에서 녹색 발광층(130G)과 적색 발광층(130R) 사이에만 전술한 제2 버퍼층(152)이 형성된 백색 유기발광소자의 발광 스펙트럼 변화를 보여주는 도면이다. 도 4에는 제2 버퍼층(152)의 두께가 각각 0nm, 1nm, 2nm, 3nm, 4nm 인 경우의 발광 스펙트럼의 변화가 도시되어 있다. 도 4를 참조하면, 제2 버퍼층(152)의 두께가 증가할수록 청색 및 녹색 발광 비율을 감소하고, 적색 발광 비율이 증가하는 것을 알 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기발광소자, 즉 청색 발광층(130B)과 녹색 발광층(130G) 사이에 전술한 제1 버퍼층(151)이 형성되고, 녹색 발광층(130G)과 적색 발광층(130R) 사이에 전술한 제2 버퍼층(152)이 형성된 백색 유기발광소자의 발광 스펙트럼 변화를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기발광소자에서는 원하는 청색, 녹색 및 적색의 발광 비율이 얻어질 수 있음을 알 수 있다. 이에 따라, 색도 조절이 용이한 백색광을 얻을 수 있으므로 색재현성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 설명되었지만, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기발광소자의 개략적인 단면을 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 각 물질층들의 에너지 준위를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 청색 발광층과 녹색 발광층 사이에 제1 버퍼층이 형성된 백색 유기발광소자의 발광 스펙트럼 변화를 보여주는 도면이다.
도 4는 녹색 발광층과 적색 발광층 사이에 제2 버퍼층이 형성된 백색 유기발광소자의 발광 스펙트럼 변화를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 백색 유기발광소자의 발광 스펙트럼을 보여주는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 기판 120... 애노드전극
122... 정공주입층(HIL) 124... 정공수송층(HTL)
130B... 청색 발광층 130G... 녹색 발광층
130R... 적색 발광층 140... 캐소드전극
142... 전자주입층(EIL) 144... 전자수송층(ETL)
151... 제1 버퍼층 152... 제2 버퍼층
Claims (33)
- 서로 이격되게 마련되는 애노드전극 및 캐소드전극;상기 애노드전극과 캐소드전극 사이에 순차적으로 형성되는 청색, 녹색 및 적색 발광층;상기 청색 발광층과 녹색 발광층 사이에 형성되어 청색 발광 비율은 증대하고 녹색 및 적색 발광 비율을 감소시키는 것으로, HOMO-LUMO 에너지 갭(energy gap)이 인접한 발광층들보다 크거나 같은 제1 버퍼층; 및상기 녹색 발광층과 적색 발광층 사이에 형성되어 적색 발광 비율은 증대하고 녹색 및 청색 발광 비율은 감소시키는 것으로, 상기 적색 발광층 보다 큰 LUMO 에너지 준위(energy level)를 가지는 제2 버퍼층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 정공 및 전자를 모두 전달할 수 있는 양극성(ambipolarity)을 가지며, 정공 전달속도보다 큰 전자 전달속도를 가지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 버퍼층은 정공 전달특성을 가지며, 상기 적색 발광층으로부터 주입되는 전자의 양을 제한하는 전자 저지특성을 가지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 상기 청색 발광층에 사용되는 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 애노드전극과 청색 발광층 사이에는 정공수송층(HTL; Hole Tranporting Layer)이 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 제2 버퍼층은 상기 정공수송층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 삭제
- 제 6 항에 있어서,상기 애노드전극과 정공수송층 사이에는 정공주입층(HIL; Hole Injection Layer)이 더 형성되는 것을 특징을 하는 백색 유기발광소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 청색 발광층 및 녹색 발광층은 각각은 각각의 형광 호스트 물질에 청색 및 적색 도펀트를 각각 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 형광 호스트 물질은 안트라센(anthracene) 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체 및 페릴렌(perylene) 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 적색 발광층은 인광 호스트 물질에 적색 도펀트를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 13 항에 있어서,상기 인광 호스트 물질은 카바졸계 화합물 또는 금속 착물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 삭제
- 삭제
- 제 13 항에 있어서,상기 적색 도펀트는 이리듐(Ir) 또는 백금(Pt)의 금속 착물로 이루어지는 것 을 특징으로 백색 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 적색 발광층과 캐소드전극 사이에는 전자수송층(ETL; Electron Transporting Layer)이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 18 항에 있어서,상기 전자수송층은 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole), 페난쓰롤린(phenanthroline), 벤족사졸(benzoxazole) 및 벤즈티아졸(benzthiazole) 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 18 항에 있어서,상기 전자수송층과 캐소드전극 사이에는 전자주입층(EIL; Electron Injection Layer)이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 20 항에 있어서,상기 전자주입층은 LIF 또는 LiQ(lithium quinolate)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 캐소드전극은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 24 항에 있어서,상기 캐소드전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 및 칼슘(Ca)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 애노드전극;상기 애노전극 상에 형성되는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 형성되는 청색 발광층;상기 청색 발광층 상에 형성되는 제1 버퍼층;상기 제1 버퍼층 상에 형성되는 녹색 발광층;상기 녹색 발광층 상에 형성되는 제2 버퍼층;상기 제2 버퍼층 상에 형성되는 적색 발광층;상기 적색 발광층 상에 형성되는 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 형성되는 캐소드전극;을 포함하고,상기 제1 버퍼층은 청색 발광 비율은 증대하고 녹색 및 적색 발광 비율을 감소시키는 것으로, HOMO-LUMO 에너지 갭(energy gap)이 인접한 발광층들보다 크거나 같으며, 상기 제2 버퍼층은 적색 발광 비율은 증대하고 녹색 및 청색 발광 비율은 감소시키는 것으로, 상기 적색 발광층 보다 큰 LUMO 에너지 준위(energy level)를 가지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 26 항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 정공 및 전자를 모두 전달할 수 있는 양극성(ambipolarity)을 가지며, 정공 전달속도보다 큰 전자 전달속도를 가지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 27 항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 상기 청색 발광층에 사용되는 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 26 항에 있어서,상기 제2 버퍼층은 정공 전달특성을 가지며, 상기 적색 발광층으로부터 주입되는 전자의 양을 제한하는 전자 저지특성을 가지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 제 29 항에 있어서,상기 제2 버퍼층은 상기 정공수송층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 유기발광소자.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070074123A KR101434358B1 (ko) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 백색 유기발광소자 |
US12/076,111 US7906900B2 (en) | 2007-07-24 | 2008-03-13 | White organic light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070074123A KR101434358B1 (ko) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 백색 유기발광소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090010761A KR20090010761A (ko) | 2009-01-30 |
KR101434358B1 true KR101434358B1 (ko) | 2014-09-23 |
Family
ID=40294675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070074123A KR101434358B1 (ko) | 2007-07-24 | 2007-07-24 | 백색 유기발광소자 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7906900B2 (ko) |
KR (1) | KR101434358B1 (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101359632B1 (ko) | 2007-01-19 | 2014-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
KR101352290B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2014-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시소자 |
KR101094282B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
US8933439B2 (en) | 2010-02-05 | 2015-01-13 | Nitto Denko Corporation | Organic light-emitting diode with enhanced efficiency |
KR20200019264A (ko) * | 2012-04-20 | 2020-02-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR102081209B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법, 및 그 유기 발광 표시 장치의 제조에 사용되는 도너 기판 및 도너 기판 세트 |
KR102104637B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR102104978B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2020-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
DE102014114224A1 (de) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauteil, Verwendung eines Zinkkomplexes als p-Dotierungsmittel für organische elektronische Matrixmaterialien |
CN106795166A (zh) * | 2014-10-17 | 2017-05-31 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 多种基质材料和包含所述基质材料的有机电致发光器件 |
KR101636310B1 (ko) | 2014-11-06 | 2016-07-05 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
KR102294413B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US9741956B2 (en) | 2014-11-25 | 2017-08-22 | Industrial Technology Research Institute | Organic light-emitting diode apparatus |
KR102273616B1 (ko) | 2014-12-08 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
CN105895819B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、oled显示面板 |
CN106450023A (zh) | 2016-12-26 | 2017-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光器件及有机发光显示器 |
CN113490976A (zh) * | 2019-02-26 | 2021-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块、电子设备及电视装置 |
CN112186115B (zh) * | 2020-09-28 | 2024-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN113257902B (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-21 | 南京晟芯半导体有限公司 | 一种具有抑制振荡效果的igbt器件及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030044188A (ko) * | 2001-11-29 | 2003-06-09 | 강명구 | 다층구조로 제작한 백색유기전계발광소자 |
KR20050087213A (ko) * | 2004-02-26 | 2005-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 방법 및 이를 수행하기 위한 유기 전계발광 장치 |
KR20050092932A (ko) * | 2004-03-17 | 2005-09-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치 |
JP2006190654A (ja) * | 2005-01-08 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子シャワー処理された正孔注入層を備える有機電界発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4060113B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2008-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
-
2007
- 2007-07-24 KR KR1020070074123A patent/KR101434358B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-03-13 US US12/076,111 patent/US7906900B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030044188A (ko) * | 2001-11-29 | 2003-06-09 | 강명구 | 다층구조로 제작한 백색유기전계발광소자 |
KR20050087213A (ko) * | 2004-02-26 | 2005-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 방법 및 이를 수행하기 위한 유기 전계발광 장치 |
KR20050092932A (ko) * | 2004-03-17 | 2005-09-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치 |
JP2006190654A (ja) * | 2005-01-08 | 2006-07-20 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子シャワー処理された正孔注入層を備える有機電界発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090026929A1 (en) | 2009-01-29 |
KR20090010761A (ko) | 2009-01-30 |
US7906900B2 (en) | 2011-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101434358B1 (ko) | 백색 유기발광소자 | |
KR101453874B1 (ko) | 백색 유기발광소자 | |
JP6219453B2 (ja) | 長寿命リン光発光有機発光デバイス(oled)構造 | |
KR101614403B1 (ko) | 청색 발광층을 갖는 백색 oled | |
TWI513076B (zh) | 有機發光二極體元件 | |
EP2892083B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP4895742B2 (ja) | 白色有機電界発光素子 | |
US9761823B2 (en) | Organic light emitting display device | |
US20150279909A1 (en) | Organic electroluminescence element and illumination device | |
CN1866536A (zh) | 层叠有机发光器件结构 | |
KR102146104B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치 | |
JP2010251585A (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR100594775B1 (ko) | 백색 유기발광소자 | |
KR20180062220A (ko) | 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치 | |
KR20180078637A (ko) | 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치 | |
KR20180077765A (ko) | 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 표시 장치 | |
KR20210005364A (ko) | 유기발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치 | |
KR20070101516A (ko) | 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR20160043200A (ko) | 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 | |
KR100760901B1 (ko) | 백색 유기 전계 발광 소자 | |
Jeong et al. | Four-wavelength white organic light-emitting diodes using 4, 4′-bis-[carbazoyl-(9)]-stilbene as a deep blue emissive layer | |
JP2006108190A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
CN100473247C (zh) | 电激发光元件 | |
CN112563423A (zh) | 一种具有交叠结构载流子传导特征的高品质全彩oled显示器件及其制备工艺 | |
KR20160082895A (ko) | 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180802 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190801 Year of fee payment: 6 |