KR101388419B1 - Apparatus for chemical bath deposion and method using the same - Google Patents
Apparatus for chemical bath deposion and method using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101388419B1 KR101388419B1 KR1020120063947A KR20120063947A KR101388419B1 KR 101388419 B1 KR101388419 B1 KR 101388419B1 KR 1020120063947 A KR1020120063947 A KR 1020120063947A KR 20120063947 A KR20120063947 A KR 20120063947A KR 101388419 B1 KR101388419 B1 KR 101388419B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solution
- temperature
- glass substrate
- heating
- hot water
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 19
- SIXIBASSFIFHDK-UHFFFAOYSA-N indium(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[In+3].[In+3] SIXIBASSFIFHDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 13
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 13
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 6
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- XHCIAXSWBHHQIL-UHFFFAOYSA-N ethanethioamide Chemical compound CC(N)=S.CC(N)=S XHCIAXSWBHHQIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 16
- 238000003287 bathing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- LMEZRNAEUMFZDX-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethanethioamide Chemical compound CC(O)=O.CC(N)=S LMEZRNAEUMFZDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1283—Control of temperature, e.g. gradual temperature increase, modulation of temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1287—Process of deposition of the inorganic material with flow inducing means, e.g. ultrasonic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/287—Chalcogenides
- C03C2217/288—Sulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 글래스 기판 증착장치에 관한 것이며, 본 발명의 글래스 기판 증착장치는 글래스 기판을 증착하기 위한 장치에 있어서, 상기 글래스 기판이 담겨지도록 인듐클로라이드(InCl3) 용액과 처리용액이 혼합되는 혼합액이 수용되는 반응조; 자력에 의하여 진동하여 상기 반응조 내부의 혼합액을 교반하는 교반부재; 상기 처리용액 또는 상기 혼합액의 온도를 측정하는 온도측정부재; 상기 반응조가 담겨지도록 내부에 중탕액을 수용하며, 상기 반응조가 간접적으로 가열되어 상기 처리용액과 상기 혼합액이 각각 제1온도 및 제2온도로 가열되도록 하는 중탕수조; 상기 반응조 내의 혼합액의 온도를 상승시켜 상기 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)이 증착되도록 상기 중탕수조를 가열하는 가열부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 중탕방식을 이용하여 기판 상에 인듐클로라이드(InCl3)를 용이하게 증착할 수 있는 글래스 기판 증착장치 및 이를 이용하는 글래스 기판 증착방법이 제공된다.The apparatus for depositing a glass substrate according to the present invention is a device for depositing a glass substrate, comprising a mixed solution in which an indium chloride (InCl 3 ) solution and a treatment solution are mixed so as to contain the glass substrate, A reaction tank to be accommodated; A stirring member which vibrates by a magnetic force to stir the mixed liquid in the reaction vessel; A temperature measuring member for measuring a temperature of the treatment solution or the mixed solution; A hot water tank for containing the hot water solution so that the reaction tank is contained therein, the reaction bath being indirectly heated so that the treatment solution and the mixed solution are heated to the first temperature and the second temperature, respectively; And a heating unit for heating the hot water tank to raise the temperature of the mixed solution in the reaction tank to deposit indium sulfide (In 2 S 3 ) on the glass substrate.
Accordingly, the present invention provides a glass substrate deposition apparatus capable of easily depositing indium chloride (InCl 3 ) on a substrate using a bathing method, and a glass substrate deposition method using the same.
Description
본 발명은 글래스 기판 증착장치 및 이를 이용하는 글래스 기판 증착방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)을 증착할 수 있는 글래스 기판 증착장치 및 이를 이용하는 글래스 기판 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a glass substrate deposition apparatus and a glass substrate deposition method using the same, and more particularly, to a glass substrate deposition apparatus capable of depositing indium sulfide (In 2 S 3 ) on a glass substrate and a glass substrate deposition method .
씨비디(CBD:Chemical Bath Deposition) 장치는 기판상에 박막을 증착시키는 증착 공정을 수행하기 위한 장비로서, 액상 또는 기체 상태의 약액이 실리콘 웨이퍼나 유리(glass)와 같은 기판과 화학 반응을 통해 기판상에 원하는 박막을 증착시키는 데 사용되는 장비이다.A chemical bath deposition (CBD) apparatus is a device for performing a deposition process for depositing a thin film on a substrate. The chemical liquid deposition is performed by chemical reaction with a substrate such as a silicon wafer or glass, Is the equipment used to deposit the desired thin film on the substrate.
씨비디 장치는 일반적으로 웨이퍼나 유리(glass) 또는 폴리머(polymer) 등의 기판상에 다수의 박막층이 적층 형성되는 태양전지(Solar Cell)의 제조에 있어서 증착 공정을 수행하는 데 사용되고 있다.SMBD devices are generally used to perform deposition processes in the manufacture of solar cells in which a plurality of thin film layers are laminated on a substrate such as a wafer or glass or polymer.
한편, 태양전지는 빛 에너지를 직접 전기 에너지로 변환하는 반도체 소자의 하나로서, 전력 생산을 위해 다수개의 모듈(module)과 태양전지 패널(panel)로 구성되는 태양전지 어레이(array)를 구성함으로써, 전기 에너지를 발전하게 되는 광전지의 하나이다.Meanwhile, a solar cell is a semiconductor device that converts light energy directly into electrical energy. By constructing a solar cell array composed of a plurality of modules and a solar panel for power generation, It is one of the photovoltaic cells that develop electric energy.
일반적으로 태양전지는 기판상에 배면전극, 광흡수층, 버퍼층, 투명전극층, 반사방지막, 및 그리드 등의 박막층이 적층 형성됨으로써, 하나의 단위 박막을 형성하기 때문에 상기와 같은 박막층을 형성시키기 위한 스퍼터 증착 챔버, 이베퍼 증착 챔버, 버퍼층 증착 챔버, 열처리 챔버 등 각각의 공정을 수행하기 위한 다수의 장비 등이 사용되고 있다.In general, a solar cell is formed by stacking thin film layers such as a back electrode, a light absorbing layer, a buffer layer, a transparent electrode layer, an antireflection film, and a grid on a substrate to form a single unit thin film. Therefore, A plurality of equipment for performing each process such as a chamber, an evaporation chamber, a buffer layer deposition chamber, and a heat treatment chamber are used.
상술한 씨비디 장치는 버퍼층 등을 기판 상에 증착시키기 위하여 증착 공정에 사용되는 것으로서, 챔버 내에 약액[황화카드뮴(CdS) 용액 등]을 투입한 후, 상기 약액에 기판이 잠기도록 하여 기판상에 버퍼층이 증착되도록 하는 것이다.The above-mentioned Schmidi apparatus is used in a deposition process for depositing a buffer layer or the like on a substrate. After the chemical solution (cadmium sulfide (CdS) solution or the like) is put into the chamber, the substrate is immersed in the chemical solution, So that the buffer layer is deposited.
다만, 종래의 씨비디 장비는 황화카드뮴(CdS) 용액을 증착하는데 최적화된 것으로서, 태양전지를 제작하는데 그외의 용액을 적용하는 장치 또는 공정에 대한 연구가 활발하지 못하였으며, 특히, 황화인듐(In2S3)을 기판에 증착하는 공정에 대한 연구가 미비한 실정이다.However, the conventional SIBDY equipment is optimized for depositing CdS solution, and research on the application of other solutions to the fabrication of solar cells has not been actively studied. Particularly, indium sulfide (In 2 S 3 ) is deposited on the substrate.
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 중탕형식을 이용하여 기판 상에 황화인듐(In2S3)을 용이하게 증착할 수 있는 글래스 기판 증착장치 및 이를 이용하는 글래스 기판 증착방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a glass substrate vapor deposition apparatus capable of easily depositing indium sulfide (In 2 S 3 ) on a substrate using a hot water type and a glass substrate And a deposition method.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 글래스 기판을 증착하기 위한 장치에 있어서,
상기 글래스 기판이 담겨지도록 인듐클로라이드(InCl3) 용액과 처리용액이 혼합되는 혼합액이 수용되는 반응조; 자력에 의하여 진동하여 상기 반응조 내부의 혼합액을 교반하는 교반부재; 상기 처리용액 또는 상기 혼합액의 온도를 측정하는 온도측정부재; 상기 반응조가 담겨지도록 내부에 중탕액을 수용하며, 상기 반응조가 간접적으로 가열되어 상기 처리용액과 상기 혼합액이 각각 제1온도 및 제2온도로 가열되도록 하는 중탕수조; 상기 반응조 내의 혼합액의 온도를 상승시켜 상기 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)이 증착되도록 상기 중탕수조를 가열하는 가열부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착장치에 의해 달성된다.The above object is achieved by an apparatus for depositing a glass substrate according to the present invention,
A reaction tank containing a mixed solution in which an indium chloride (InCl 3 ) solution and a treatment solution are mixed so as to contain the glass substrate; A stirring member which vibrates by a magnetic force to stir the mixed liquid in the reaction vessel; A temperature measuring member for measuring a temperature of the treatment solution or the mixed solution; A hot water tank for containing the hot water solution so that the reaction tank is contained therein, the reaction bath being indirectly heated so that the treatment solution and the mixed solution are heated to the first temperature and the second temperature, respectively; And a heating unit for heating the hot water tank to raise the temperature of the mixed solution in the reaction tank to deposit indium sulfide (In 2 S 3 ) on the glass substrate.
또한, 상기 처리용액은 증류수(Di Water)와 티오아세트아미드(ThioAcetamide)과 아세트산(Acetic acid)이 혼합될 수 있다.In addition, the treatment solution may be mixed with distilled water (Di Water), thioacetamide, and acetic acid.
또한, 상기 온도측정부재로부터 측정되는 처리용액 또는 혼합액의 온도정보를 제공받아 상기 가열부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The controller may further include a controller receiving the temperature information of the treatment solution or the mixed solution measured from the temperature measuring member and controlling the heating unit.
또한, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 중탕액이 수용된 중탕수조 내에 반응조를 수용하는 준비단계; 증류수와 티오아세트아미드(ThioAcetamide)와 아세트산(Acetic acid)이 혼합되는 처리용액을 상기 반응조 내에 수용시키는 처리용액 준비단계; 상기 처리용액 내에 글래스 기판을 담그는 글래스 기판 준비단계; 자력에 의하여 진동하는 교반부재를 이용하여 상기 반응조를 진동시킴으로써 상기 처리용액을 교반하는 상태에서, 가열부를 통하여 상기 중탕수조 내의 상기 중탕액을 가열하여 상기 반응조를 간접적으로 가열함으로써 상기 처리용액의 온도를 제1온도로 가열하는 제1가열단계; 제1온도의 처리용액에 인듐클로라이드(InCl3) 용액을 혼합하여 혼합액을 마련하는 혼합단계; 상기 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)이 증착되도록 상기 가열부를 통하여 상기 중탕수조 내의 상기 중탕액을 가열하여 상기 반응조를 간접적으로 가열함으로써 상기 혼합액의 온도를 제2온도로 가열하는 제2가열단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착방법에 의해 달성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for preparing a hot water bath, A treatment solution preparation step in which a treatment solution in which distilled water, thioacetamide, and acetic acid are mixed is accommodated in the reaction tank; A glass substrate preparation step of immersing a glass substrate in the treatment solution; The temperature of the treatment solution is heated by indirectly heating the hot water in the hot water tank through the heating part in a state in which the reaction solution is stirred using the stirring member which is vibrated by the magnetic force to stir the treatment solution, A first heating step of heating to a first temperature; A mixing step of mixing a solution of indium chloride (InCl 3 ) with a treatment solution at a first temperature to prepare a mixed solution; Heating the mixed solution in the hot water tank through the heating unit so that indium sulfide (In 2 S 3 ) is deposited on the glass substrate, indirectly heating the hot water tank to heat the mixed solution to a second temperature And a heating step of heating the glass substrate.
또한, 상기 제1온도 또는 상기 제2온도는 65℃ 내지 75℃ 의 범위 내일 수 있다.Also, the first temperature or the second temperature may be in the range of 65 占 폚 to 75 占 폚.
또한, 상기 제1가열단계 또는 상기 제2가열단계에서는 제어부가 온도측정부재로부터 측정되는 상기 처리용액 또는 상기 혼합액의 온도정보를 제공받아 상기 가열부를 제어할 수 있다.In addition, in the first heating step or the second heating step, the control unit may receive the temperature information of the treatment solution or the mixed solution measured from the temperature measuring member to control the heating unit.
본 발명에 따르면, 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)을 용이하게 증착할 수 있는 글래스 기판 증착장치 및 이를 이용하는 글래스 기판 증착방법이 제공된다.According to the present invention, a glass substrate deposition apparatus capable of easily depositing indium sulfide (In 2 S 3 ) on a glass substrate and a glass substrate deposition method using the same are provided.
또한, 중탕방식을 이용하여 더욱 안정적으로 황화인듐(In2S3) 증착공정을 진행할 수 있다.In addition, an indium sulfide (In 2 S 3 ) deposition process can be more stably carried out using a bathing method.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착장치의 개략적인 사시도이고,
도 2는 도 1의 글래스 기판 증착장치의 개략적인 분해사시도이고,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착방법의 공정 흐름도이고,
도 4는 도 3의 글래스 기판 증착방법의 처리용액 준비단계 공정을 개략적으로 도시한 것이고,
도 5는 도 3의 글래스 기판 증착방법의 글래스 기판 준비단계 공정을 개략적으로 도시한 것이고,
도 6은 도 3의 글래스 기판 증착방법의 혼합단계 공정을 개략적으로 도시한 것이다.1 is a schematic perspective view of a glass substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a schematic exploded perspective view of the glass substrate deposition apparatus of FIG. 1,
3 is a flowchart illustrating a method of depositing a glass substrate according to an embodiment of the present invention,
4 schematically shows a process step of preparing a glass substrate for the process solution preparation step of FIG. 3,
5 schematically shows a glass substrate preparation step of the glass substrate deposition method of FIG. 3,
Figure 6 schematically illustrates the mixing step of the glass substrate deposition process of Figure 3;
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착장치에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a glass substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착장치의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 글래스 기판 증착장치의 개략적인 분해사시도이다.FIG. 1 is a schematic perspective view of a glass substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic exploded perspective view of a glass substrate deposition apparatus of FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착장치(100)는 글래스 기판(S) 상에 황화인듐(In2S3)을 증착하기 위한 것으로서, 반응조(110)와 교반부재(120)와 온도측정부재(130)와 중탕수조(140)와 가열부(150)와 제어부(160)를 포함한다.1 and 2, a glass
상기 반응조(110)는 내부에서 글래스 기판(S)에 대한 증착공정이 직접적으로 이루어지는 공간을 형성하는 것으로서, 내부에 인듐클로라이드(InCl3)용액 및 처리용액(L)이 혼합된 혼합액(M)을 수용한다.The
반응조(110)의 내부공간은 처리 대상이 되는 글래스 기판(S)이 담겨질 수 있을 정도로 충분한 부피를 가지며, 특히, 후술하는 가열부(150)에 의하여 중탕가열 되는 경우에 내부공간이 진공상태를 유지할 수 있도록 견고하게 실링 되는 것이 바람직하다.The inner space of the
또한, 본 실시예에서의 반응조(110)의 형태는 내부로 함몰되어 수용공간을 형성되는 케이싱(111)과, 케이싱(111)의 상단과 결합하여 케이싱(111)의 내부 공간을 선택적으로 개폐하는 개폐부(112)를 포함하나, 반응조(110)가 이러한 형태에 제한되는 것은 아니다.In addition, the shape of the
한편, 반응조(110) 내부에 수용되는 처리용액(L)은 증류수(Di Water)와 티오아세트아미드(ThioAcetamide)과 아세트산(Acetic acid)가 혼합되는 용액으로서, 이에 대해서는 글래스 기판(S)을 증착하는 공정에서 후술한다.The treatment liquid L contained in the
상기 교반부재(120)는 상술한 반응조(110)의 내부공간에 수용된 상태에서, 혼합액(M)을 교반하기 위한 부재로서, 본 실시예에서는 자력에 의하여 진동하며 혼합액(M)을 교반하는 형태의 교반부재(120)가 이용되나, 이에 제한되는 것은 아니다.The stirring
상기 온도측정부재(130)는 반응조(110) 내부의 수용되는 혼합액(M)의 온도를 측정하기 위한 부재이다. 즉, 온도측정부재(130)는 반응조(110) 내부에서 혼합액(M)과 글래스 기판(S) 사이에서 발생하는 반응을 제어하기 위하여 온도를 측정한다.The
상기 중탕수조(140)는 반응조(110)를 중탕의 형태로 가열하기 위하여 마련되는 부재로서, 내부에 중탕액(B)을 수용하며 중탕액(B)에는 상술한 반응조(110)가 소정의 깊이로 담겨진다.The
한편, 본 실시예에서 중탕수조(140)는 상단이 개방된 상태로 형성되어, 반응조(110)가 상측으로부터 수용될 수 있도록 구성되며, 반응조(110)가 수용될 수 있을 정도의 너비와 깊이로 형성되는 것이 바람직하다.In the meantime, in the present embodiment, the
상기 가열부(150)는 중탕 방식을 이용하여 반응조(110)를 간접적으로 가열하기 위한 목적으로 중탕수조(140)를 직접 가열하는 것으로서, 중탕수조(140)의 하면과 접촉한다.The
한편, 본 실시예에서 가열부(150)는 중탕수조(140)와 직접적인 접촉을 통하여 가열하는 핫플레이트(hot-plate)의 형태로 마련되나, 중탕수조(140)를 가열할 수 있는 것이라면 이에 제한되는 것은 아니다.In the present embodiment, the
상기 제어부(160)는 온도측정부재(130) 및 가열부(150)와 전기적으로 연결되어 온도측정부재(130)로부터 측정되는 반응조(110) 내부의 처리용액(L) 또는 혼합액(M)의 온도정보를 제공받아, 가열부(150)를 제어하기 위한 부재이다.
The
지금부터는 상술한 글래스 기판 증착장치(100)의 일실시예를 이용하는 글래스 기판 증착방법(S100)에 대하여 설명한다.Hereinafter, a glass substrate deposition method (S100) using one embodiment of the above-described glass
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착방법의 공정 흐름도이다.3 is a process flow diagram of a method of depositing a glass substrate according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착장치(100)를 이용하는 글래스 기판 증착방법(S100)은 글래스 기판(S)에 황화인듐(In2S3)을 증착하는 공정에 관한 것으로서, 처리용액 준비단계(S110)와 글래스 기판 준비단계(S120)와 제1가열단계(S130)와 혼합단계(S140)와 제2가열단계(S150)와 세척단계(S160)를 포함한다.Referring to FIG. 3, a glass substrate deposition method (S100) using a glass
도 4는 도 3의 글래스 기판 증착방법의 처리용액 준비단계 공정을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 4 schematically illustrates a process solution preparation step of the glass substrate deposition method of FIG.
도 4를 참조하면, 상기 처리용액 준비단계(S110)는 반응조(110) 내에서 중탕의 형태로 간접 가열되는 처리용액(L)을 준비하는 단계이다.Referring to FIG. 4, the treatment solution preparation step (S110) is a step of preparing a treatment solution L indirectly heated in the form of a bath in the
본 단계에서 준비되는 처리용액(L)은 증류수(Di Water)와 티오아세트아미드(ThioAcetamide)와 아세트산(Acetic acid)를 혼합하여 마련된다.The treatment solution (L) prepared in this step is prepared by mixing distilled water (Di Water), thioacetamide (acetic acid) and acetic acid.
도 5는 도 3의 글래스 기판 증착방법의 글래스 기판 준비단계 공정을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 5 schematically shows a glass substrate preparation step of the glass substrate deposition method of FIG.
도 5를 참조하면, 상기 글래스 기판 준비단계(S120)는 반응조(110) 내에 글래스 기판(S)을 수용하여, 글래스 기판(S)의 증착대상이 되는 영역이 상술한 처리용액(L) 내에 담겨지도록 하는 단계이다.5, the glass substrate preparation step S120 includes the steps of accommodating the glass substrate S in the
한편, 본 단계에서는 케이싱(111)의 내부에 글래스 기판(S)이 수용된 상태에서 개폐부(112)를 이용하여 케이싱(111)의 개방된 상단을 견고히 밀폐함으로써, 반응조(110) 내부공간이 외부공간으로부터 완전히 차단되도록 한다. In this step, in the state that the glass substrate S is accommodated in the
또한, 필요에 따라서는, 반응조(110) 내부공간에 포함되는 공기를 외부로 강제배출함으로써, 반응이 일어나는 반응조 내부의 공간이 진공 상태가 되도록 할 수도 있다.In addition, if necessary, air contained in the inner space of the
상기 제1가열단계(S130)는 제어부(160)가 가열부(150)를 작동시켜 중탕수조(140)를 가열함으로써, 중탕방식으로 반응조(110) 내부가 가열되도록 하는 단계이다.In the first heating step S130, the
제어부(160)는 온도측정부재(130)로부터 반응조(110) 내부에 수용된 처리용액(L)의 온도를 실시간으로 모니터링하고, 제어부(160)는 처리용액의 온도가 제1온도에 도달하는 순간 가열부(150)의 동작을 중지한다. The
이때, 본 단계에서 처리되는 처리용액(L)의 제1온도는 65℃ 내지 75℃ 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 정확히 처리용액(L)의 온도가 70℃가 되는 경우에 제어부(160) 가열부(150)의 작동을 중단한다.At this time, the first temperature of the processing solution L to be treated in this step is preferably 65 to 75 ° C, more preferably, when the temperature of the processing solution L is 70 ° C, The operation of the
한편, 본 단계에서는 가열부(150)를 통한 반응조(110) 내의 가열공정 외에도 교반부재(120)를 작동하여 처리용액이 교반되도록 한다.Meanwhile, in this step, in addition to the heating process in the
도 6은 도 3의 글래스 기판 증착방법의 혼합단계 공정을 개략적으로 도시한 것이다.Figure 6 schematically illustrates the mixing step of the glass substrate deposition process of Figure 3;
도 6을 참조하면, 상기 혼합단계(S140)는 제1온도로 가열된 상태의 처리용액에 인듐클로라이드(InCl3) 용액을 혼합하여 혼합액(M)을 준비하는 단계이다.Referring to FIG. 6, in the mixing step (S140), a mixed solution (M) is prepared by mixing indium chloride (InCl 3 ) solution with a treatment solution heated to a first temperature.
본 단계에서는 반응조(110) 내에 인듐클로라이드(InCl3) 용액을 혼합하되, 온도측정부재(130)를 통하여 최종적으로 측정되는 혼합액(M)의 온도가 70℃가 될 때까지 인듐클로라이드(InCl3) 용액을 공급한다.In this step, but a mixed indium chloride (InCl 3) solution in the
상기 제2가열단계(S150)는 인듐클로라이드 용액을 포함하는 혼합액(M)이 반응조(110) 내에 수용된 상태에서 황화인듐(In2S3)이 글래스 기판(S) 상에 증착될 수 있도록 중탕 방식으로 반응조(110)를 간접 가열하는 단계이다.In the second heating step S150, a mixed solution M containing an indium chloride solution is accommodated in the
즉, 본 단계에서 제어부(160)는 가열부(150)를 작동시키되, 온도측정부재(130)로부터 측정되는 혼합액(M)의 온도정보를 제공받아 혼합액(M)의 온도가 제2온도를 유지하도록 가열부(150)를 제어한다. That is, in this step, the
이때, 본 단계에서 제어부에 의하여 제어, 처리되는 혼합액(M)의 제2온도는 65℃ 내지 75℃ 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 혼합액(M)의 온도가 70℃ 항온을 유지하도록 한다.At this time, the second temperature of the mixed liquid M to be controlled and processed by the control unit in this step is preferably 65 ° C to 75 ° C, and more preferably the temperature of the mixed liquid M is maintained at 70 ° C.
따라서, 제1가열단계(S130)에서 티오아세트아미드(ThioAcetamide)로부터 분해되는 황이 본 제2가열단계(S150)에서 인듐(In)과 결합함으로써, 황화인듐(In2S3)의 형태로 글래스 기판(S)에 증착된다.Therefore, the sulfur decomposed from thioacetamide in the first heating step (S130) is combined with indium (In) in the present second heating step (S150), so that the glass substrate is formed in the form of indium sulfide (In 2 S 3 ) (S).
상기 세척단계(S160)는 황화인듐(In2S3)이 증착된 기판을 세척하는 단계이다.
The cleaning step S160 is a step of cleaning a substrate on which indium sulfide (In 2 S 3 ) is deposited.
따라서, 본 실시예에 의하면, 중탕의 형태로 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)을 용이하게 증착할 수 있다.
Therefore, according to this embodiment, indium sulfide (In 2 S 3 ) can be easily deposited on the glass substrate in the form of a bath.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.
100 : 본 발명의 일실시예에 따른 글래스 기판 증착장치
110 : 반응조 120 : 교반부재
130 : 온도측정부재 140 : 중탕수조
150 : 가열부 160 : 제어부100: A glass substrate deposition apparatus according to an embodiment of the present invention
110: reaction tank 120: stirring member
130: Temperature measuring member 140:
150: heating section 160:
Claims (6)
상기 글래스 기판이 담겨지도록 인듐클로라이드(InCl3) 용액과 처리용액이 혼합되는 혼합액이 수용되는 반응조;
자력에 의하여 진동하여 상기 반응조 내부의 혼합액을 교반하는 교반부재;
상기 처리용액 또는 상기 혼합액의 온도를 측정하는 온도측정부재;
상기 반응조가 담겨지도록 내부에 중탕액을 수용하며, 상기 반응조가 간접적으로 가열되어 상기 처리용액과 상기 혼합액이 각각 제1온도 및 제2온도로 가열되도록 하는 중탕수조;
상기 반응조 내의 혼합액의 온도를 상승시켜 상기 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)이 증착되도록 상기 중탕수조를 가열하는 가열부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착장치.An apparatus for depositing a glass substrate,
A reaction tank containing a mixed solution in which an indium chloride (InCl 3 ) solution and a treatment solution are mixed so as to contain the glass substrate;
A stirring member which vibrates by a magnetic force to stir the mixed liquid in the reaction vessel;
A temperature measuring member for measuring a temperature of the treatment solution or the mixed solution;
A hot water tank for containing the hot water solution so that the reaction tank is contained therein, the reaction bath being indirectly heated so that the treatment solution and the mixed solution are heated to the first temperature and the second temperature, respectively;
And a heating unit for heating the hot water tank to raise the temperature of the mixed solution in the reaction tank to deposit indium sulfide (In 2 S 3 ) on the glass substrate.
상기 처리용액은 증류수(Di Water)와 티오아세트아미드(ThioAcetamide)과 아세트산(Acetic acid)이 혼합된 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment solution is a mixture of distilled water (Di Water), thioacetamide (ThioAcetamide) and acetic acid.
상기 온도측정부재로부터 측정되는 처리용액 또는 혼합액의 온도정보를 제공받아 상기 가열부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착장치.3. The method of claim 2,
Further comprising a control unit for receiving temperature information of the processing solution or the mixed solution measured from the temperature measuring member and controlling the heating unit.
증류수와 티오아세트아미드(ThioAcetamide)와 아세트산(Acetic acid)이 혼합되는 처리용액을 상기 반응조 내에 수용시키는 처리용액 준비단계;
상기 처리용액 내에 글래스 기판을 담그는 글래스 기판 준비단계;
자력에 의하여 진동하는 교반부재를 이용하여 상기 반응조를 진동시킴으로써 상기 처리용액을 교반하는 상태에서, 가열부를 통하여 상기 중탕수조 내의 상기 중탕액을 가열하여 상기 반응조를 간접적으로 가열함으로써 상기 처리용액의 온도를 제1온도로 가열하는 제1가열단계;
제1온도의 처리용액에 인듐클로라이드(InCl3) 용액을 혼합하여 혼합액을 마련하는 혼합단계;
상기 글래스 기판 상에 황화인듐(In2S3)이 증착되도록 상기 가열부를 통하여 상기 중탕수조 내의 상기 중탕액을 가열하여 상기 반응조를 간접적으로 가열함으로써 상기 혼합액의 온도를 제2온도로 가열하는 제2가열단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착방법.A preparation step of accommodating the reaction tank in a cooing bath containing a hot water solution;
A treatment solution preparation step in which a treatment solution in which distilled water, thioacetamide, and acetic acid are mixed is accommodated in the reaction tank;
A glass substrate preparation step of immersing a glass substrate in the treatment solution;
The temperature of the treatment solution is heated by indirectly heating the hot water in the hot water tank through the heating part in a state in which the reaction solution is stirred using the stirring member which is vibrated by the magnetic force to stir the treatment solution, A first heating step of heating to a first temperature;
A mixing step of mixing a solution of indium chloride (InCl 3 ) with a treatment solution at a first temperature to prepare a mixed solution;
Heating the mixed solution in the hot water tank through the heating unit so that indium sulfide (In 2 S 3 ) is deposited on the glass substrate, indirectly heating the hot water tank to heat the mixed solution to a second temperature And heating the glass substrate.
상기 제1온도 또는 상기 제2온도는 65℃ 내지 75℃ 의 범위 내인 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착방법.5. The method of claim 4,
Wherein the first temperature or the second temperature is in the range of 65 占 폚 to 75 占 폚.
상기 제1가열단계 또는 상기 제2가열단계에서는 제어부가 온도측정부재로부터 측정되는 상기 처리용액 또는 상기 혼합액의 온도정보를 제공받아 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 글래스 기판 증착방법.The method according to claim 4 or 5,
Wherein in the first heating step or the second heating step, the controller receives the temperature information of the processing solution or the mixed solution measured from the temperature measuring member, and controls the heating unit.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120063947A KR101388419B1 (en) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | Apparatus for chemical bath deposion and method using the same |
| PCT/KR2013/004902 WO2013187627A1 (en) | 2012-06-14 | 2013-06-04 | Apparatus for deposition on a glass substrate and method for deposition on a glass substrate using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120063947A KR101388419B1 (en) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | Apparatus for chemical bath deposion and method using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130140497A KR20130140497A (en) | 2013-12-24 |
| KR101388419B1 true KR101388419B1 (en) | 2014-05-12 |
Family
ID=49758406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120063947A KR101388419B1 (en) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | Apparatus for chemical bath deposion and method using the same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101388419B1 (en) |
| WO (1) | WO2013187627A1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110056541A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Martinez Casiano R | Cadmium-free thin films for use in solar cells |
| KR101035245B1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-05-19 | 주식회사 디엠에스 | Chemical bath deposition apparatus for manufacturing solar cell |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4055053B2 (en) * | 2002-03-26 | 2008-03-05 | 本田技研工業株式会社 | Compound thin film solar cell and manufacturing method thereof |
| CN103025910A (en) * | 2010-07-23 | 2013-04-03 | 第一太阳能有限公司 | Buffer layer formation |
| JP2012084678A (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Fujifilm Corp | Manufacturing method and manufacturing apparatus of buffer-layer |
-
2012
- 2012-06-14 KR KR1020120063947A patent/KR101388419B1/en not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-06-04 WO PCT/KR2013/004902 patent/WO2013187627A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110056541A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Martinez Casiano R | Cadmium-free thin films for use in solar cells |
| KR101035245B1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-05-19 | 주식회사 디엠에스 | Chemical bath deposition apparatus for manufacturing solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013187627A1 (en) | 2013-12-19 |
| KR20130140497A (en) | 2013-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10829864B2 (en) | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate | |
| US10138565B2 (en) | High-throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods | |
| TWI507567B (en) | Method and device for electroplating in cylindrical geometry | |
| TWI476299B (en) | Chemical bath deposition apparatuses and fabrication methods for compound thin films | |
| EP2652774B1 (en) | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate | |
| KR101388419B1 (en) | Apparatus for chemical bath deposion and method using the same | |
| CA2848103A1 (en) | Forming an oxide layer on a flat conductive surface | |
| KR101139587B1 (en) | Chemical Bath Deposition apparatus | |
| JP2009259938A (en) | Method of manufacturing chalcopyrite thin film solar cell, and apparatus therefor | |
| Wang et al. | Scaling-up of thin-film photoelectrodes for solar Water splitting based on atomic layer deposition | |
| KR101284704B1 (en) | Thermal Processing Apparatus and Method for Manufacturing Solar Cell and Method for Manufacturing Solar Cell using the same | |
| WO2016037110A1 (en) | Method and apparatus for forming porous silicon layers | |
| EP2619790B1 (en) | High-throughput batch porous silicon manufacturing equipment design and processing methods | |
| CN104508809B (en) | The method of bonded substrate | |
| KR100941331B1 (en) | Method for etching of solar cell using vapor etching and etching device for performing the same | |
| CN106367796B (en) | A kind of preparation method for being laminated shape titanium dioxide/cadmium selenide/gold laminated film | |
| US9890465B2 (en) | Apparatus and methods for uniformly forming porous semiconductor on a substrate | |
| KR101035245B1 (en) | Chemical bath deposition apparatus for manufacturing solar cell | |
| JP2013051281A (en) | Substrate processing apparatus | |
| CN112582553A (en) | Advanced special equipment for large-area preparation of perovskite solar cell | |
| KR101142417B1 (en) | Buffer layer deposition apparatus for thin-film solar cells and method for deposition of buffer layer using the same | |
| JP2013159545A (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing substrate for solar cell | |
| KR101297422B1 (en) | The apparatus for depositing the buffer layer of the solarcell | |
| CN105829221A (en) | Web based chemical bath deposition apparatus | |
| CN106702354B (en) | Cadmium sulphide membrane and its preparation method and application and prepare cadmium sulphide membrane device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |