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KR101357585B1 - 터치패널의 전극 패턴 및 그 제조 방법 - Google Patents

터치패널의 전극 패턴 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR101357585B1
KR101357585B1 KR1020110130646A KR20110130646A KR101357585B1 KR 101357585 B1 KR101357585 B1 KR 101357585B1 KR 1020110130646 A KR1020110130646 A KR 1020110130646A KR 20110130646 A KR20110130646 A KR 20110130646A KR 101357585 B1 KR101357585 B1 KR 101357585B1
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conductive
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electrode
pattern
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홍혁진
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 터치패널의 전극 패턴 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 터치패널의 전극 패턴은, 기판 상에 상호 이격되어 형성되는 복수개의 도전성 패턴 셀; 상기 도전성 패턴 셀 상에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층에 홀(Hole)을 생성한 후 상기 홀 상에 도전재료를 충진하여 형성되는 브리지(Bridge) 전극을 포함한다.

Description

터치패널의 전극 패턴 및 그 제조 방법{CONDUCTIVE PATTERN OF TOUCH PANEL AND FORMING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 터치패널의 전극 패턴 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 적은 비용으로 효율적으로 생산 가능한 터치패널의 전극 패턴 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
개인 휴대 정보 단말기(PDA: personal digital assistants), 노트북 컴퓨터, OA 기기, 의료기기 또는 카 네비게이션 시스템 등의 전자기기에서는, 이들 디스플레이에 입력수단(포인팅 디바이스: pointing device)을 함께 구비하기 위한 터치 패널이 널리 이용되고 있다. 대표적인 터치 패널에는 저항막 방식, 전자 유도 방식, 광학식 등 외에도 정전용량 방식(capacitive type)이 알려져 있다.
일반적으로 정전용량방식은 아날로그 방식과 디지털 방식으로 나뉜다.
아날로그 방식은 센서전극이 시트(Sheet)형태의 전극으로 센싱 동작영역내 패턴이 필요없는 반면, 디지털 방식은 센싱 동작영역내 센서용 전극의 패턴이 필요하다. 이러한 디지털 방식에 있어서, 용량성 터치 패널은 터치 위치가 확인될 수 있는 기초된 전류를 유도하기 위하여 인체의 정전기(electrostatics)와 투명 전극 사이에서 유발된 용량(capacitance)의 변화를 채용한다. 이러한 인체, 예를 들어, 손가락 또는 첨필(stylus)이 터치 패널을 터치한 위치를 검출하기 위하여, 다양한 용량성 터치 패널 기술들이 개발되고 있다.
하나의 예로서 미국 등록번호 6,970,160은 터치 감각면(touch-sensitive surface) 상의 터치 위치를 검출하기 위한 격자형 터치 센싱 시스템(lattice touch-sensing system)을 개시하고 있다. 상기 격자형 터치 센싱 시스템은 절연물질로 분리된 두 개의 용량성 센싱층(capacitive sensing layer)을 포함할 수 있고, 상기 각 층은 실질적으로 평행한 전도성 요소들(conducting elements)로 이루어지고, 상기 두 센싱 층의 전도성 요소들은 서로 실질적으로 직교한다. 각 요소는 협소한 용량성 정사각 스트립(narrow conductive rectangular strips)으로 서로 연결된 일련의 다이아몬드 형상의 패치로 구성될 수 있다. 주어진 센싱 층의 각 전도성 요소는 일단 또는 양단에서 대응되는 리드 라인(lead line) 세트의 리드 라인과 전기적으로 연결된다. 제어 회로가 또한 포함될 수 있으며, 상기 제어 회로는 여기 신호(excitation signal)를 상기 대응되는 리드 라인 세트를 통하여 전도성 요소들의 양 세트에 제공하고, 표면상에 터치가 발생되는 경우 센서 요소들로부터 발생되는 센싱 신호(sensing signal)를 수신하며, 각 층에서의 affected bars의 위치에 기초하여 상기 터치의 위치를 결정한다.
전술한 선행 기술들은 두 개의 용량성 센싱층(capacitive sensing layer)을 포함하는 구성으로 대부분 이루어지는데, 상기 두 개의 용량성 센싱층은 상기 층들 사이의 용량성 효과(capacitive effect)를 가져오기 위해 절연 물질로 상호 공간을 두고 형성된다.
도 1은 종래 기술에 따른 터치패널의 전극 패턴의 입체 사시도이다. 도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 터치패널의 전극 패턴은 기판(110), 및 기판 상에 형성된 제1축의 도전성 패턴(120) 및 제2축의 도전성 패턴(130)을 포함한다. 더욱 상세하게는, 제1축의 도전성 패턴(120)은 제1축의 도전성 패턴 셀(121)들과 이들을 연결하는 도전성 패턴 연결부(123)로 구성된다. 또한, 제2축의 도전성 패턴(130)은 제2축의 도전성 투명 패턴 셀(131)들과 이들을 연결하는 도전성 패턴 연결부(133)로 구성된다. 여기서, 도전성 투명 패턴 연결부(133)는 제1축의 패턴부상에 절연층(50)을 사이에 두고 형성된다.
도 2는 종래 기술에 따른 터치패널의 전극 패턴을 제조하기 위한 공정의 단면도이다.
도 2를 참조하면 기판(110) 상에 제1도전성 패턴을 형성할 부분을 제외하고 PR(10)을 형성한다(a 단계).
그 후, PR(10) 위에 도전성 투명 재료를 도포하여 도전성 투명 재료 도포층(122)을 형성하고(b단계), PR(10)을 제거하여 제1축 도전성 패턴(120)을 형성한다. 단 본 단면도에는 제1축 도전성 패턴 연결부(123)가 형성된 것으로 나타난다(c 단계).
그리고 도시된 바와 같이 PR(20)을 형성하고(d 단계), 그 위에 절연 재료를 도포하여 절연 재료 도포층(30)을 형성한 후(e 단계), PR(20)을 제거하여 절연층(140)을 형성한다(f 단계).
그 다음 기판(110)의 상면 중, 제2축 도전성 패턴이 형성될 부분 외의 부분에 PR(40)을 형성하고(g 단계), 그 위에 도전성 투명 재료를 도포하여 도전성 투명 재료 도포층(132)을 형성한 후(h 단계), PR(40)을 제거하여 제2축 도전성 패턴 (130)을 형성한다(i 단계).
도 3은 도 2의 공정에 따라 제조된 터치패널의 전극 패턴에 관한 상면도이다.
도 3를 참조하면, 제2도전성 패턴(130)은 별도의 브리지 전극 없이, 도전성 투명 재료에 의해 연결되어 있다. 이러한 제2도전성 패턴(130)은 각각 제2도전성 패턴 셀(131)과 이들을 연결하는 제2도전성 패턴 연결부(133)가 일체로 구성된다.
그러나, 종래 기술에 따르면 제2도전성 패턴(130)의 형성을 위하여 도전성 투명 재료를 한번에 도포하여 도전성 투명 재료 도포층(132)을 형성하므로 공정상의 효율성의 문제 및 비용상의 문제가 발생하였다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 하나의 기판 상에 도전성 패턴(Rx, Tx)들을 형성시에 보다 효율적으로 전극 패턴을 형성하고, 터치패널의 두께를 줄이고 투과율을 향상시키면서도 보다 적은 비용으로 하나의 기판에 제1도전성 패턴(Rx) 및 제2도전성 패턴(Tx)을 모두 형성하고자 한다.
전술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 터치 패널의 전극 패턴의 제조 방법은, 기판 상에 상호 이격되는 복수개의 도전성 패턴 셀을 형성하고, 상기 도전성 패턴 셀 상에 절연층을 형성하되, 상기 절연층에 홀(Hole)을 생성한 후 상기 홀 상에 도전재료를 충진하여 브리지(Bridge) 전극을 형성한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 복수개의 도전성 패턴 셀의 형성 시에는, 상기 기판 상에 제1축의 방향으로 배열되어 제1도전성 패턴 셀을 형성하고, 상기 제1축의 방향으로 도전 리드에 의해 제1도전성 패턴 셀이 상호 연결되도록 형성하며, 상기 제1축과 직교되는 제2축의 방향으로 배열되도록 제2도전성 패턴 셀을 복수개 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1도전성 패턴 셀 및 상기 제2도전성 패턴 셀은, ITO(Indium Tin Oxide)로 구성되거나, 탄소 나토 튜브 (CNT; carbon nano tube) 또는 은 나노-와이어 (Ag Nano wire)에 전도성 폴리머 중 어느 하나를 선택하여 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 절연층은 오프 셋(Off set) 또는 잉크 젯(Ink Jet) 공정을 통하여 상기 제1도전성 패턴 셀 및 상기 제2도전성 패턴 셀의 상부에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 브리지 전극은 상기 절연층의 상부 및 상기 홀에 도전 물질을 도포하여 도전 재료 도포층을 형성 한 후, 상기 도전 재료 도포층의 일부를 제거하여 상기 복수개의 제2도전성 패턴 셀을 상호 연결하도록 생성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 브리지 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)로 구성되거나, 탄소 나토 튜브 (CNT; carbon nano tube) 또는 은 나노-와이어 (Ag Nano wire)에 전도성 폴리머, 몰리브덴(Mo)과 은(Ag) 합금, 또는 니켈(Ni)과 크롬(Cr) 합금 중 어느 하나를 선택하여 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 절연층에 생성되는 홀은 상기 제2도전성 패턴 셀의 폭의 너비보다 좁게 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 절연층에 생성되는 홀은 상기 제2도전성 패턴 셀의 상부 표면이 노출되도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴은, 기판 상에 상호 이격되어 형성되는 복수개의 도전성 패턴 셀; 상기 도전성 패턴 셀 상에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층에 홀(Hole)을 생성한 후 상기 홀 상에 도전재료를 충진하여 형성되는 브리지(Bridge) 전극을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 복수개의 도전성 패턴 셀은 기판 상에 제1축의 방향으로 배열되며, 상기 제1축의 방향으로 도전 리드에 의해 상호 연결된 복수개의 제1도전성 패턴 셀; 및 상기 기판 상에 상기 제1축과 직교되는 제2축의 방향으로 배열되는 복수개의 제2도전성 패턴 셀을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 절연층은 오프 셋(Off set) 또는 잉크 젯(Ink Jet) 공정을 통하여 상기 제1도전성 패턴 셀 및 상기 제2도전성 패턴 셀의 상부에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 브리지 전극은 상기 절연층의 상부 및 상기 홀에 도전 물질을 도포하여 도전 재료 도포층을 형성 한 후, 상기 도전 재료 도포층의 일부를 제거하여 상기 복수개의 제2도전성 패턴 셀을 상호 연결하도록 생성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 브리지 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)로 구성되거나, 탄소 나토 튜브 (CNT; carbon nano tube) 또는 은 나노-와이어 (Ag Nano wire)에 전도성 폴리머, 몰리브덴(Mo)과 은(Ag) 합금, 또는 니켈(Ni)과 크롬(Cr) 합금 중 어느 하나를 선택하여 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 절연층에 생성되는 홀은 상기 제2도전성 패턴 셀의 폭의 너비보다 좁게 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 절연층에 생성되는 홀은 상기 제2도전성 패턴 셀의 상부 표면이 노출되도록 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면 하나의 기판 상에 도전성 패턴(Rx, Tx)들을 형성시에 종래 기술에 비하여 보다 효율적으로 전극 패턴을 형성하므로 터치패널의 두께를 줄이고 투과율을 향상시키면서도 보다 적은 비용으로 하나의 기판에 제1도전성 패턴(Rx) 및 제2도전성 패턴(Tx)을 모두 형성한 터치패널을 구성할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 터치패널의 전극 패턴의 입체 사시도이다.
도 2는 종래 기술의 따른 터치패널의 전극 패턴을 제조하기 위한 공정의 단면도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 터치패널의 전극 패턴에 관한 상면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴을 제조하기 위한 공정의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴의 브리지 전극을 형성하기 전을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴의 브리지 전극을 형성한 후를 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 일실시예에 따른 조명 부재에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 일실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴을 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴의 단면도를 도시한 도면이다.
도 4에서 전극 패턴 상에 절연층을 배치한 것이 도 5의 도면이며, 도 4 및 도 5에서 A-A'축을 기준으로 단면을 나타낸 것이 도 6이다.
구체적으로는, 도 4에 도시된 바와 같이 기판상에 제1축의 방향으로 연결된 셀(221)들로 구성된 제1도전성 패턴(220) 및 제2축의 방향으로 서로 이격된 제2도전성 패턴 셀(231)들을 형성한다. 제1도전성 패턴 셀(221)들은 도전 리드(223)에 의해 상호 연결되어 있다.
여기서 제1축과 제2축은 직교를 이루며 그에 따라 제1도전성 패턴(220)과 제2도전성 패턴(230)은 상호 직교를 이룬다. 이와 같은 도 4의 A-A'축을 기준으로한 단면은 도 6의 a에 도시된 바와 같다.
또한, 상기 제1도전성 패턴 셀(221) 또는 제2도전성 패턴 셀(231)의 재료는 ITO(Iidium Tin Oxide)로 구성되거나, 탄소 나토 튜브 (CNT; carbon nano tube) 또는 은 나노-와이어 (Ag Nano wire)에 전도성 폴리머 중 어느 하나를 선택하여 형성하는 것이 바람직하다.
이후, 제1도전성 패턴(220) 및 제2도전성 패턴(230) 상에 절연층을 배치하며, 이때 오프 셋(OFF-SET) 또는 잉크 젯(Ink-Jet) 공정을 이용하여 절연층(240)을 형성할 수 있다. 이와 같이 제1도전성 패턴(220) 및 제2도전성 패턴(230) 상에 절연층(240)을 배치한 단면도는 도 6의 b에 도시되어 있다.
절연층(240)을 배치한 이후에는 절연층(240)에 홀(Hole: 241)을 형성하며, 보다 상세하게 설명하면 제2도전성 패턴 셀(231)의 상부 표면이 노출되도록 상기 홀(241)을 형성하되 제2도전성 패턴 셀(231)의 폭의 너비보다 좁게 형성된다. 이와 같이 절연층(240)에 홀(241)을 형성한 단면도는 도 6의 c에 도시되어 있다. 이때, 홀(241)은 이후 제2도전성 패턴 셀(231)을 전기적으로 상호 연결하기 위한 것이므로 홀(241)은 상기 제2도전성 패턴 셀(231)에 각각 대응되는 위치에 형성한다.
이후, 상기 절연층(240) 및 홀(241) 상에 도전 물질을 도포하여 도전 재료 도포층(250)을 형성한다. 도 6의 d에 도시된 바와 같이 절연층(240) 및 홀(241) 상에 도전 물질을 도포함에 따라 홀(241) 상에 도전 물질이 유입되며 홀(241) 이외의 절연층(240) 상에는 도전 재료 도포층(250)이 형성된다.
여기서 도전 물질로는 탄소 나노 튜브(CNT; carbon nano tube) 또는 은 나노-와이어(Ag Nano-wire)에 전도성 폴리머, 몰리브덴(Mo)과 은(Ag) 합금, 또는 니켈(Ni)과 크롬(Cr) 합금 중 어느 하나를 선택하여 형성하는 것이 바람직하다.
이후, 상기 도전 재료 도포층(250)의 일부를 제거하여, 복수개의 제2도전성 패턴 셀(231)들을 상호 연결하는 브리지(Bridge) 전극(251)을 생성한다. 이와 같이 생성되는 브리지 전극(251)을 보다 상세하게 설명하면, 홀(241)을 통해 절연층(240)을 관통하여 제2전도성 패턴 셀(231)과 접속되는 기둥부(252)와 상기 기둥부(252)를 상호 연결하는 몸통부(253)로 구성된다. 기둥부(252)는 기판(210)의 수평 방향에 대하여 수직 방향으로 형성되며, 몸통부(253)는 기판(210)의 절연층(240)의 상부에 형성되며 이때 기판(210)의 수평 방향과 동일하게 수평 방향으로 형성된다
이와 같은 브리지 전극(251)은 전기 저항 특성을 감안하여 다양한 두께로 형성할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 터치패널의 전극 패턴의 브리지 전극(151)을 형성하기 전과 후를 도시한 도면이다.
보다 상세하게 설명하면, 도 7은 도 4의 일실시예에서 보다 많은 도전성 패턴들(220, 230)을 도시한 도면이고, 도 8은 도 7의 도전성 패턴들(220, 230) 상에 절연층(240)을 형성하여 배치하고, 절연층(240)의 홀을 통하여 브리지 전극(251)을 형성한 것을 도시한 도면이다.
도 8에서와 같이 브리지 전극(251)이 제2도전성 패턴(230)을 전기적으로 연결하는 구성임을 알 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면 하나의 기판 상에 제1도전성 패턴(Rx) 및 제2도전성 패턴(Tx)을 형성할 수 있다.
즉, 본 발명에 따르면 하나의 기판상에 제1도전성 패턴(Rx) 및 제2도전성 패턴(Tx)을 형성할 수 있으며, 그에 따라 상기 도전성 패턴 층들을 상호 접착하기 위한 별도의 접착층 또한 필요로 하지 않는다.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
210: 기판
220: 제1도전성 패턴
221: 제1도전성 패턴 셀
223: 도전 리드
230: 제2도전성 패턴
231: 제2도전성 패턴 셀
240: 절연층
241: 홀
250: 도전 재료 도포층
251: 브리지 전극

Claims (15)

  1. 기판 상에 복수개의 도전성 패턴 셀을 형성하고,
    상기 도전성 패턴 셀 상에 절연층을 형성하고,
    상기 절연층에 홀을 형성하고,
    상기 홀에 도전 재료를 충진하여, 상호 인접하는 한 쌍의 상기 도전성 패턴 셀들만을 연결하는 브리지 전극을 형성하고,
    상기 브리지 전극은 복수개로 구성되며, 상호간에 분리된 터치패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 도전성 패턴 셀의 형성 시에는,
    상기 기판 상에 제1축의 방향으로 배열되는 제1도전성 패턴 셀을 형성하고, 상기 제1축의 방향으로 도전 리드에 의해 제1도전성 패턴 셀이 상호 연결되도록 형성하며,
    상기 제1축과 직교되는 제2축의 방향으로 배열되도록 제2도전성 패턴 셀을 복수개 형성하는 전극 패턴의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1도전성 패턴 셀 및 상기 제2도전성 패턴 셀은,
    ITO(Indium Tin Oxide), 탄소 나노 튜브 (CNT; carbon nano tube), 은 나노-와이어 (Ag Nano wire) 및 전도성 폴리머 중 어느 하나로 형성되는 터치패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 절연층은,
    오프 셋(Off set) 또는 잉크 젯(Ink Jet) 공정을 통하여 상기 제1도전성 패턴 셀 및 상기 제2도전성 패턴 셀의 상부에 배치되는 터치 패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 브리지 전극은,
    상기 절연층의 상부 및 상기 홀에 도전 물질을 도포하여 도전 재료 도포층을 형성 한 후, 상기 도전 재료 도포층의 일부를 제거하여 상기 복수개의 제2도전성 패턴 셀을 상호 연결하도록 생성하는 터치패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 브리지 전극은,
    ITO(Indium Tin Oxide), 탄소 나노 튜브 (CNT; carbon nano tube), 은 나노-와이어 (Ag Nano wire), 전도성 폴리머, 몰리브덴(Mo)과 은(Ag) 합금, 및 니켈(Ni)과 크롬(Cr) 합금 중 어느 하나로 형성되는 터치패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 절연층에 생성되는 홀은,
    상기 제2도전성 패턴 셀의 폭의 너비보다 좁게 형성되는 터치패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 절연층에 생성되는 홀은,
    상기 제2도전성 패턴 셀의 상부 표면이 노출되도록 형성되는 터치패널의 전극 패턴의 제조 방법.
  9. 기판 상에 형성되는 복수개의 도전성 패턴 셀;
    홀을 포함하며, 상기 도전성 패턴 셀 상에 형성되는 절연층; 및
    상기 홀 내에 도전재료로 형성되어, 상호 인접하는 한 쌍의 상기 도전성 패턴 셀들만을 연결하는 브리지 전극;
    을 포함하고,
    상기 브리지 전극은 복수개로 구성되며, 상호간에 분리된 터치패널의 전극 패턴.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 복수개의 도전성 패턴 셀은,
    상기 기판 상에 제1축의 방향으로 배열되며, 상기 제1축의 방향으로 도전 리드에 의해 상호 연결된 복수개의 제1도전성 패턴 셀; 및
    상기 기판 상에 상기 제1축과 직교되는 제2축의 방향으로 배열되는 복수개의 제2도전성 패턴 셀
    을 포함하는 터치패널의 전극 패턴.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연층은,
    상기 제1도전성 패턴 셀 및 상기 제2도전성 패턴 셀의 상부에 배치되는 터치 패널의 전극 패턴.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 브리지 전극은,
    상기 복수개의 제2도전성 패턴 셀을 상호 연결하도록 생성하는 터치패널의 전극 패턴.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 브리지 전극은,
    ITO(Indium Tin Oxide), 탄소 나노 튜브 (CNT; carbon nano tube), 은 나노-와이어 (Ag Nano wire) 및 전도성 폴리머 중 어느 하나로 형성되는 터치패널의 전극 패턴.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 절연층에 생성되는 홀은,
    상기 제2도전성 패턴 셀의 폭의 너비보다 좁게 형성되는 터치패널의 전극 패턴.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 절연층에 생성되는 홀은,
    상기 제2도전성 패턴 셀의 상부 표면이 노출되도록 형성되는 터치패널의 전극 패턴.
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