KR101315106B1 - Electrode paste for solar cell - Google Patents
Electrode paste for solar cell Download PDFInfo
- Publication number
- KR101315106B1 KR101315106B1 KR1020120029809A KR20120029809A KR101315106B1 KR 101315106 B1 KR101315106 B1 KR 101315106B1 KR 1020120029809 A KR1020120029809 A KR 1020120029809A KR 20120029809 A KR20120029809 A KR 20120029809A KR 101315106 B1 KR101315106 B1 KR 101315106B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- powder
- electrode paste
- paste composition
- filler
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 232
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 76
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 20
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 37
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 6
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 5
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- -1 popmalin Chemical compound 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
-
- H01L31/022425—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H01L31/042—
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 필러를 금속분말의 외면에 코팅분말을 피복시켜 필러를 형성함으로써 비용이 절감될 뿐만 아니라 낮은 비중을 갖기 때문에 도막밀도가 높아져 광변환효율이 증가되고, 무기바인더의 연화점 및 전이점을 변형시킴으로써 실리콘 기판과의 부착강도를 높임으로써 간단한 방법으로 고부가 가치를 창출할 수 있는 전극 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.The present invention not only reduces the cost by coating the filler on the outer surface of the metal powder to form a filler, but also has a low specific gravity, thereby increasing the film density to increase the light conversion efficiency and modifying the softening point and transition point of the inorganic binder. It is to provide an electrode paste composition that can create a high value in a simple manner by increasing the adhesion strength with the silicon substrate.
Description
본 발명은 태양전지의 전극을 형성하는 전극 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 상세하게로는 산화물분말 또는 글라스(Glass) 분말의 외면에 도전율이 높은 금속분말을 피복시켜 도전성 필러(Conductive Filler)를 구성함으로써 비용이 절감되고, 실리콘 웨이퍼 기재에 인쇄 및 소성 후 종횡비(선높이/선폭)가 증가될 뿐만 아니라 수축률이 낮아짐에 따라 시리즈저항(Rs) 및 션트저항(Rsh)이 개선되어 전극효율을 높이는 전극 페이스트 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode paste composition for forming an electrode of a solar cell, and more particularly, by forming a conductive filler by coating a metal powder having a high conductivity on the outer surface of an oxide powder or glass powder to form a conductive filler. Electrode paste composition for reducing electrode, increasing aspect ratio (line height / line width) after printing and firing on silicon wafer substrate, as well as improving series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) as shrinkage rate is lowered It is about.
태양전지(Solar cell)는 일반적으로 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 반도체 소자로서, 자원의 무한성, 설비의 간편성, 우수한 내구성 및 환경 친화성 등의 장점으로 인해 차세대 에너지원으로서 각광받고 있다. Solar cells are generally semiconductor devices that convert solar energy into electrical energy, and are being spotlighted as next-generation energy sources due to advantages such as infinite resources, simplicity of equipment, excellent durability, and environmental friendliness.
도 1은 태양전지를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a solar cell.
도 1에 도시된 바와 같이 태양전지는 220 ~ 330㎛ 두께를 갖는 p형 반도체기판(102)과, n형 실리콘 반도체로 형성되어 p형 반도체기판(101)의 일측면에 설치되는 에미터층(103)과, 입사되는 태양광의 반사손실을 방지하기 위한 에미터층(103)의 외측면에 도포되는 반사방지막(105)과, 반사방지막(105)의 외측면에 형성되는 전면전극(107)과, p형 반도체기판(101)의 타측면에 형성되는 후면전극(109)으로 이루어진다. 이때 상기 p형 반도체기판(102)과 상기 에미터층(103)은 반도체기판(101)이라고 하기로 한다.As shown in FIG. 1, the solar cell is formed of a p-
또한 태양전지(100)는 태양광이 입사되면 광기전력효과에 의해 불순물이 도핑된 반도체기판(101)에서 전자와 정공이 발생하고, 상세하게로는 에미터층(103)에서 복수개의 캐리어인 전자들이 발생되고, p형 반도체기판(102)에서 복수개의 캐리어인 정공들이 발생된다. In addition, when solar light is incident on the
이때 발생된 전자는 광기전력효과에 의해 에미터층(103)을 통해 전면전극(107)으로, 정공은 광기전력효과에 의해 p형 반도체기판(102)을 통해 후면전극(109)으로 이동된다. 즉 태양전지(100)는 전자가 수집된 전면전극(107)과 정공이 수집된 후면전극(109)을 전선으로 연결함으로써 전류가 이동되어 전기에너지가 발생하게 된다.The generated electrons are moved to the
또한 전면전극(107)은 제조된 전극 페이스트 조성물을 반사방지막(105)에 인쇄 후 반복소성(Firing)함으로써 형성되고, 이때 전극 페이스트 조성물(이하, 종래의 전극 페이스트 조성물이라고 하기로 함)은 통상적으로 은(Ag) 분말로 형성되는 도전성 필러(Conductive Filler)와, 전극 페이스트 조성물의 변형성 및 유동성을 부여하는 유기바인더(Organic Binder)와, 유기바인더를 녹이는 용매인 유기용매와, 반사방지막(105)의 표면에 용이하게 결합되도록 하는 무기바인더(Inorganic Binder)로 이루어진다.In addition, the
즉 이와 같이 구성되는 종래의 전극 페이스트 조성물을 반사방지막(105)에 패터닝(Patterning)한 후 소성공정을 반복적으로 수행함으로써 도전성 금속이 반도체층과 접촉하여 전극으로서의 기능을 갖는 전면전극(107)이 형성되게 된다. 이때 패터닝 공정은 스크린 인쇄(Screen process printing), 오프셋 인쇄(Offset printing) 및 포토리소그래피(Photolithography) 등과 같은 공지된 공정방법에 따라 이루어진다.That is, by patterning the conventional electrode paste composition configured as described above on the
또한 전면전극(105)은 소정의 길이를 갖는 막대형상으로 반사방지막(107)에 인쇄된다. 이때 전면전극(105)의 종횡비(선높이/선폭)가 낮으면 실제적으로 태양광 조사 시 전면전극(105)에 가려지는 비율인 차폐율(Shading Loss)이 높아지게 됨에 따라 결과적으로 태양전지(100)의 셀 효율이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다. 즉 태양전지(100)의 전극 성능은 전면전극(105)의 전기적 기능을 부여하는 전극 페이스트 조성물을 어떻게 제조할 것인가와, 제조된 전극 페이스트 조성물 인쇄 시 종횡비가 높게 인쇄되도록 하는 것인가에 따라 결정된다.In addition, the
그러나 종래의 전극 페이스트 조성물은 일반적으로 은(Ag), 금(Au) 및 팔라듐(Pd) 등으로 형성되기 때문에 전도율이 우수한 장점을 가지나 전술하였던 바와 같이 비싼 원자재 가격으로 인해 태양전지의 가격이 증가하는 문제점을 발생시킨다. However, conventional electrode paste compositions are generally formed of silver (Ag), gold (Au), and palladium (Pd), and thus have excellent conductivity. However, as described above, the price of solar cells increases due to high raw material prices. Cause problems.
또한 종래의 필러에 적용되는 귀금속 분말은 반복소성 후 수축률이 높아지게 되고, 수축률이 높아짐에 따라 전면전극(105)과 반사방지막(107) 사이에 딜라미네이션(Delamination) 현상이 발생되어 전도율을 떨어뜨리게 된다.In addition, the noble metal powder applied to the conventional filler increases the shrinkage rate after repeated firing, and as the shrinkage rate increases, a delamination phenomenon occurs between the
이러한 문제점을 극복하기 위하여 종래의 전극 페이스트 조성물 제조 시 귀금속 분말의 수축률을 억제시키기 위한 수축률 조절제를 첨가하고 있으나, 이러한 수축률 조절제는 전극의 시리즈 저항(Rs)을 증가시키며, 션트 저항(Rsh)을 떨어뜨려 전극의 효율이 떨어지게 된다.In order to overcome this problem, a shrinkage rate regulator for suppressing the shrinkage rate of the precious metal powder is added to the conventional electrode paste composition. However, the shrinkage rate modifier increases the series resistance (Rs) of the electrode and decreases the shunt resistance (Rsh). This lowers the efficiency of the electrode.
이러한 이유로 귀금속 분말 대신 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 등과 같은 금속분말로 대체하여 필러를 제조하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있으나 귀금속 분말의 사용량이 적어지는 경우 필러의 전기적 특성이 낮아지게 되고, 산화율이 높은 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 등의 금속분말의 특성 상 산화율이 증가하여 전극효율이 떨어지는 문제점이 발생된다.For this reason, various researches have been conducted to manufacture fillers by replacing metal powders such as copper (Cu), aluminum (Al), and nickel (Ni) instead of precious metal powders. As a result, the oxidation rate is increased due to the characteristics of metal powders such as copper (Cu), aluminum (Al), and nickel (Ni), which have high oxidation rates, resulting in a decrease in electrode efficiency.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로, 도전성 필러(Conductive Filer)를 금속분말이 피복된 산화물분말 또는 금속분말이 피복된 글라스분말로 구성함으로써 제조비용이 현저하게 절감되는 전극 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and to provide an electrode paste composition in which the manufacturing cost is significantly reduced by constructing the conductive filer as an oxide powder coated with a metal powder or a glass powder coated with a metal powder. will be.
또한 본 발명의 다른 해결과제는 필러를 금속코팅 산화물분말 또는 금속코팅 글라스분말로 형성함으로써 종래의 필러에 비해 중량이 줄어들기 때문에 단위무게 당 인쇄 횟수가 증가하게 되어 종횡비를 높일 수 있고, 이에 따라 시리즈 저항(Rs)이 낮아지며, 션트 저항(Rsh)이 높아짐에 따라 전극효율이 증가되는 전극 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.In addition, another object of the present invention is to reduce the weight compared to the conventional filler by forming the filler metal coating oxide powder or metal coating glass powder, the number of printing per unit weight can be increased, thereby increasing the aspect ratio, according to the series The lower the resistance (Rs), the higher the shunt resistance (Rsh) is to provide an electrode paste composition that the electrode efficiency is increased.
또한 본 발명의 또 다른 해결과제는 필러를 금속분말이 코팅된 산화물분말(이하, 금속코팅 산화물분말이라고 하기로 함) 또는 금속분말이 코팅된 글라스분말(이하, 금속코팅 글라스분말이라고 하기로 함)로 형성함으로써 수축률을 절감시켜 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)와의 딜라미네이션(Delamination)이 억제되어 전극효율이 증가하는 전극 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.In addition, another object of the present invention is to fill the filler metal powder coated oxide powder (hereinafter referred to as metal coating oxide powder) or metal powder coated glass powder (hereinafter referred to as metal coated glass powder) The present invention is to provide an electrode paste composition in which shrinkage is reduced to suppress delamination with a silicon wafer, thereby increasing electrode efficiency.
또한 본 발명의 또 다른 해결과제는 필러의 내부가 산화물분말 또는 글라스분말로 형성됨으로써 낮은 수축률을 갖기 때문에 별도의 수축률 조절제를 첨가하지 않아도 되고, 이에 따라 종래의 전극 페이스트 조성물이 수축률 조절제의 첨가로 인해 시리즈 저항(Rs)이 높아지고, 션트저항(Rsh)이 낮아져 광변환효율이 낮아지는 문제점을 개선할 수 있는 전극 페이스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.In addition, another problem of the present invention is that since the inside of the filler is formed of an oxide powder or a glass powder, and thus has a low shrinkage rate, it is not necessary to add a separate shrinkage rate regulator, and accordingly, a conventional electrode paste composition is added due to the addition of a shrinkage rate regulator. An object of the present invention is to provide an electrode paste composition capable of improving the problem of increasing the series resistance (Rs) and lowering the shunt resistance (Rsh), thereby lowering the light conversion efficiency.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 해결수단은 50.0 ~ 90.0 중량%의 도전성 필러와, 5.0 ~ 20.0 중량%의 무기바인더, 0.5 ~ 20.0 중량%의 유기바인더, 4.5 ~ 20.0 중량%의 유기용매를 포함하고, 상기 도전성 필러는 10.0 ~ 70.0 중량%의 산화물분말; 상기 산화물분말의 외면에 30.0 ~ 90.0 중량%로 피복되는 금속분말을 포함하는 것이다.Solution to Problem The present invention for solving the above problems comprises a conductive filler of 50.0 to 90.0% by weight, an inorganic binder of 5.0 to 20.0% by weight, an organic binder of 0.5 to 20.0% by weight, an organic solvent of 4.5 to 20.0% by weight And, the conductive filler is an oxide powder of 10.0 ~ 70.0% by weight; It comprises a metal powder coated on the outer surface of the oxide powder 30.0 ~ 90.0% by weight.
또한 본 발명에서 상기 산화물분말은 , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , 및 산화물들 중 어느 하나인 것이 바람직하다.In the present invention, the oxide powder is , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , And It is preferably one of the oxides.
또한 본 발명에서 상기 금속분말은 은(Ag) 분말, 니켈(Ni) 분말, 주석(Sn) 분말, 구리(Cu) 분말, 철(Fe) 분말, 팔라듐(Pd) 분말, 알루미늄(Al) 분말, 금(Au) 분말, 아연(Zn) 및 백금(Pt) 분말들 중 어느 하나인 것이 바람직하다.In the present invention, the metal powder is silver (Ag) powder, nickel (Ni) powder, tin (Sn) powder, copper (Cu) powder, iron (Fe) powder, palladium (Pd) powder, aluminum (Al) powder, It is preferably one of gold (Au) powder, zinc (Zn) and platinum (Pt) powders.
또한 본 발명에서 상기 무기바인더는 전이점이 300 ~ 600℃, 연화점이 330 ~ 650℃이며, , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , 및 산화물들 중 적어도 하나 이상이 혼합되는 혼합물을 용융 및 급랭시킨 유리 원료(Glass frit)인 것이 바람직하다.In the present invention, the inorganic binder has a transition point of 300 to 600 ℃, softening point of 330 ~ 650 ℃, , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , And It is preferred that the glass frit is a mixture of at least one of the oxides melted and quenched.
또한 본 발명에서 상기 도전성 필러의 평균직경은 0.1 ~ 30㎛인 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the average diameter of the conductive filler is preferably 0.1 ~ 30㎛.
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
삭제delete
상기 과제와 해결수단을 갖는 본 발명에 따르면 필러가 산화물분말 또는 글라스분말과, 상기 산화물분말 또는 상기 글라스분말의 외면에 기 설정된 두께로 피복되는 금속분말로 이루어지기 때문에 귀금속분말의 필러가 적용되는 종래의 전극 페이스트 조성물에 비해 제조비용이 현저하게 절감된다.According to the present invention having the above-mentioned problems and solutions, the filler of the precious metal powder is applied because the filler is composed of an oxide powder or a glass powder, and a metal powder coated with a predetermined thickness on the outer surface of the oxide powder or the glass powder. of The manufacturing cost is significantly reduced compared to the electrode paste composition.
또한 본 발명에 의하면 필러가 금속코팅 산화물분말 또는 금속코팅 글라스분말로 형성되기 때문에 수축률이 낮아지고, 이에 따라 실리콘 웨이퍼와의 딜라미네이션(Delamination)이 줄어들어 전극의 전극효율이 높아진다.In addition, according to the present invention, since the filler is formed of a metal coated oxide powder or a metal coated glass powder, the shrinkage rate is lowered, thereby reducing the delamination with the silicon wafer, thereby increasing the electrode efficiency of the electrode.
또한 본 발명에 의하면 수축률이 낮기 때문에 별도의 수축률 조절제를 첨가하지 않아도 되기 때문에 종래에 수축률 조절제 첨가로 인해 시리즈 저항(Rs)이 높아지고, 션트 저항(Rsh)이 낮아지는 문제점을 개선하여 전극의 전기적 특성이 높아진다.In addition, according to the present invention, since the shrinkage rate is low, it is not necessary to add a separate shrinkage rate regulator, thereby improving the problem of increasing the series resistance (Rs) and lowering the shunt resistance (Rsh) due to the conventional shrinkage rate regulator. Is higher.
또한 본 발명에 의하면 필러가 산화물분말로 형성되기 때문에 반복소성 작업이 수행되더라도 산화가 발생되지 않기 때문에 전극효율이 우수한 전극 페이스트 조성물을 제조할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, since the filler is formed of an oxide powder, no oxidation occurs even when repeated firing is performed, thereby making it possible to prepare an electrode paste composition having excellent electrode efficiency.
도 1은 태양전지를 나타내는 단면도이다.
도 2의(a)는 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물이 실리콘 웨이퍼 기재에 인쇄될 때의 단면도이고, (b)는 종래의 전극 페이스트 조성물이 실리콘 웨이퍼 기판에 인쇄될 때의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물에 적용되는 필러의 제조방법을 나타내는 플로차트이다.
도 4는 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물에 적용되는 유리프릿의 제조과정을 나타내는 플로차트이다.
도 5는 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물에 적용되는 도전성 필러의 제조방법을 나타내는 플로차트이다.1 is a cross-sectional view showing a solar cell.
2A is a cross-sectional view when an electrode paste composition, which is an embodiment of the present invention, is printed on a silicon wafer substrate, and (b) is a cross-sectional view when a conventional electrode paste composition is printed on a silicon wafer substrate.
3 is a flowchart illustrating a method of preparing a filler applied to an electrode paste composition according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a glass frit applied to an electrode paste composition according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a conductive filler applied to an electrode paste composition according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 일실시예인 태양전지용 전극 페이스트 조성물은 금속분말이 기 설정된 두께로 피복된 산화물분말로 형성되는 도전성 필러(Conductive filler)와, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)와의 접착강도를 증가시키기 위한 무기바인더(Inorganic Binder)와, 조성물의 점성을 증가시키는 유기바인더(Organic Binder)와, 유기바인더를 용해시키는 유기용매로 구성된다. 이때 전극 페이스트 조성물은 필러(Filler) 50.0 ~ 90.0 중량%, 무기바인더 5.0 ~ 20.0 중량%, 유기용매 4.5 ~ 20.0 중량% 및 유기바인더 0.5 ~ 10.0 중량%로 구성된다.In one embodiment, an electrode paste composition for a solar cell includes an inorganic binder for increasing adhesion strength between a conductive filler formed of an oxide powder coated with a metal powder and a silicon wafer. Inorganic Binder), an organic binder for increasing the viscosity of the composition, and an organic solvent for dissolving the organic binder. In this case, the electrode paste composition is composed of 50.0 to 90.0 wt% of a filler, 5.0 to 20.0 wt% of an inorganic binder, 4.5 to 20.0 wt% of an organic solvent, and 0.5 to 10.0 wt% of an organic binder.
도전성 필러(Filler)는 산화물분말과, 상기 산화물분말 각각의 외면에 기 설정된 두께로 피복되는 금속분말로 이루어진다. 이때 금속분말은 공지된 무전해 도금((Electroless plating) 공정을 통해 산화물분말의 외면에 피복된다. 이때 산화물분말의 외면에 금속분말이 피복되어 형성되는 필러의 제조방법은 후술되는 도 3에서 상세하게 설명하기로 한다.The conductive filler consists of an oxide powder and a metal powder coated on the outer surface of each of the oxide powders at a predetermined thickness. In this case, the metal powder is coated on the outer surface of the oxide powder through a known electroless plating process, in which the method of preparing a filler formed by coating the metal powder on the outer surface of the oxide powder is described in detail with reference to FIG. Let's explain.
또한 필러는 산화물분말이 10.0 ~ 70.0 중량%로, 산화물분말에 피복되는 금속분말이 30.0 ~ 90.0 중량%로 구성되는 것이 바람직하다. 만약 금속분말의 중량이 30.0 중량% 미만이면 산화물분말의 함량이 증가하여 전기적 특성이 감소하게 되며, 금속분말의 중량이 90.0 중량% 이상이면 산화물분말의 함량이 줄어들어 페이스트 제조 시 점도증가로 인해 인쇄특성이 저하된다.In addition, the filler is preferably composed of 10.0 to 70.0% by weight of the oxide powder, and 30.0 to 90.0% by weight of the metal powder coated on the oxide powder. If the weight of the metal powder is less than 30.0% by weight, the content of the oxide powder is increased to reduce the electrical properties. If the weight of the metal powder is more than 90.0% by weight, the content of the oxide powder is reduced. Is lowered.
또한 필러는 무정형, 구형, 판상형, 각형 등과 같이 다양한 형상의 입자로 형성될 수 있다.In addition, the filler may be formed of particles of various shapes such as amorphous, spherical, plate-shaped, and square.
또한 필러는 평균직경이 0.1㎛ ~ 30㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 만약 필러의 평균직경이 0.1㎛ 미만이면 전극 페이스트의 분산성이 절감되고, 만약 필러의 평균직경이 30㎛ 이상이면 소결도막의 밀도가 낮아져 전극의 시리즈저항(Rs)값이 증폭하게 된다.In addition, the filler is preferably formed to a thickness of 0.1㎛ ~ 30㎛ average diameter. If the average diameter of the filler is less than 0.1 μm, the dispersibility of the electrode paste is reduced. If the average diameter of the filler is 30 μm or more, the density of the sintered coating film is lowered, thereby amplifying the series resistance (Rs) of the electrode.
또한 필러의 금속분말은 산화물분말들 각각의 외면에 피복되며,은(Ag) 분말, 니켈(Ni) 분말, 주석(Sn) 분말, 구리(Cu) 분말, 철(Fe) 분말, 팔라듐(Pd) 분말, 알루미늄(Al) 분말, 금(Au) 분말, 아연(Zn) 및 백금(Pt) 분말들 중 하나로 형성된다.In addition, the metal powder of the filler is coated on the outer surface of each oxide powder, silver (Ag) powder, nickel (Ni) powder, tin (Sn) powder, copper (Cu) powder, iron (Fe) powder, palladium (Pd) It is formed of one of powder, aluminum (Al) powder, gold (Au) powder, zinc (Zn) and platinum (Pt) powder.
또한 필러의 산화물분말은 규소산화물(), 알루미늄산화물(), 티타늄산화물(), 칼슘산화물(CaO), 마그네슘산화물(MgO), 아연산화물(ZnO), 철산화물(), 주석산화물(), 망간산화물(), 코발트산화물(), 바륨산화물() 및 납산화물(PbO)들 중 어느 하나로 형성된다.In addition, the oxide powder of the filler is silicon oxide ( ), Aluminum oxide ( ), Titanium oxide ( ), Calcium oxide (CaO), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), iron oxide ( ), Tin oxide ( ), Manganese oxide ( ), Cobalt oxide ( ), Barium oxide ( ) And lead oxides (PbO).
이와 같이 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물은 필러를 금속분말이 피복된 산화물분말로 형성함으로써 은(Ag) 분말 및 금(Au) 분말 등과 같이 단일 귀금속분말로 형성되는 종래의 필러에 비교하여 제조비용이 절감된다.As described above, the electrode paste composition according to the embodiment of the present invention is prepared by forming a filler into an oxide powder coated with a metal powder, compared to a conventional filler formed of a single precious metal powder such as silver (Ag) powder and gold (Au) powder. The cost is reduced.
또한 전극 페이스트 조성물은 필러가 금속분말이 피복된 산화물분말로 형성되어 중량이 낮아짐에 따라 인쇄 시 종횡비 증가 및 차폐율 감소의 효과를 창출할 수 있고, 이에 따라 시리즈저항(Rs)을 떨어뜨리되 션트저항(Rsh)을 증가시킴으로써 태양전지의 광변환효율이 증가되도록 한다.In addition, the electrode paste composition may have the effect of increasing the aspect ratio and reducing the shielding rate during printing as the filler is formed of an oxide powder coated with a metal powder, thereby reducing the series resistance (Rs). Increasing the resistance (Rsh) to increase the light conversion efficiency of the solar cell.
또한 전극 페이스트 조성물은 필러가 산화물분말로 형성되기 때문에 반복 소성 시 금속의 산화가 낮아져 수축률이 절감되고, 이에 따라 실리콘 웨이퍼 기재와의 딜라미네이션(Delamination) 현상이 줄어들어 전지효율이 증가하게 된다.In addition, since the electrode paste composition is formed of the oxide powder, the oxidation rate of the metal is reduced during repeated firing, thereby reducing the shrinkage rate, thereby reducing the delamination with the silicon wafer substrate, thereby increasing battery efficiency.
도 2의(a)는 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물이 실리콘 웨이퍼 기재에 인쇄될 때의 단면도이고, (b)는 종래의 전극 페이스트 조성물이 실리콘 웨이퍼 기판에 인쇄될 때의 단면도이다.2A is a cross-sectional view when an electrode paste composition, which is an embodiment of the present invention, is printed on a silicon wafer substrate, and (b) is a cross-sectional view when a conventional electrode paste composition is printed on a silicon wafer substrate.
전극 페이스트 조성물은 필러가 귀금속분말에 비해 상대적으로 비중이 낮은 산화물분말로 형성되어 인쇄 시 동일중량 대비 인쇄 횟수가 증가되기 때문에 종횡비가 증가하게 되고, 이에 따라 전극의 차폐율이 감소되어 전지의 광흡수율이 증가하게 된다. 이때 종횡비는 선높이를 선폭으로 나눈값이며, 종횡비가 높을수록 전극이 실리콘 웨이퍼 기판이 태양광을 흡수하는 면적이 늘어나기 때문에 광흡수율이 증가하게 된다.In the electrode paste composition, the filler is formed of an oxide powder having a relatively low specific gravity compared to the precious metal powder, and thus the aspect ratio is increased because the number of times of printing increases with the same weight during printing, and thus the shielding rate of the electrode is reduced, thereby reducing the light absorption rate of the battery. Will increase. In this case, the aspect ratio is a value obtained by dividing the line height by the line width, and the higher the aspect ratio, the more the light absorption rate increases because the area where the electrode absorbs sunlight from the silicon wafer substrate increases.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물은 실리콘 웨이퍼 기판에 인쇄 시 도 2의 (b)에 도시된 종래의 전극 페이스 조성물의 선폭(w') 및 선높이(h')에 비교하여 선폭(w)은 줄고, 선높이(h)가 높아진 것을 알 수 있다.As shown in (a) of FIG. 2, the electrode paste composition of one embodiment of the present invention has a line width (w ′) and a line height of the conventional electrode face composition shown in FIG. 2 (b) when printed on a silicon wafer substrate. Compared with (h '), the line width w is reduced and the line height h is increased.
도 3은 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물에 적용되는 필러의 제조방법을 나타내는 플로차트이다.3 is a flowchart illustrating a method of preparing a filler applied to an electrode paste composition according to an embodiment of the present invention.
규소(Si), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 석회(Ca), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 주석(Sn), 망간(Mn), 코발트(Co), 바륨(Ba) 및 납(Pb)들 중 어느 하나를 산화시켜 금속산화물을 제조한다. 이때 금속산화물의 제조방법은 조성물 제조에 있어서 통상적인 기술이기 때문에 상세한 설명은 생략하기로 한다(S10).Silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), lime (Ca), magnesium (Mg), zinc (Zn), iron (Fe), tin (Sn), manganese (Mn), cobalt (Co), Metal oxide is prepared by oxidizing any one of barium (Ba) and lead (Pb). At this time, since the method for producing a metal oxide is a conventional technique in preparing a composition, detailed description thereof will be omitted (S10).
또한 단계 10(S10)에 의해 제조된 산화물분말을 히드라진, 포프말린, 글루코오스, 주석산, 롯셀염의 환원제가 첨가된 환원액에 투입하여 혼합시킴으로써 분산성이 확보된 산화물분말이 포함된 용액을 제조한다. 이때 산화물분말과 환원액의 혼합은 공지된 기술인 교판, 초음파, 가스 블로잉(Gas blowing) 등을 통해 이루어진다(S20).In addition, the oxide powder prepared in step 10 (S10) is added to a reducing solution to which a reducing agent of hydrazine, popmalin, glucose, tartaric acid, and loxate salt is added to prepare a solution containing an oxide powder having secured dispersibility. At this time, the mixing of the oxide powder and the reducing solution is made through a known technique, such as chess, ultrasonic, gas blowing (Gas blowing) (S20).
질산금속 혼합물이 용해된 질산금속 혼합물 수용액을 제조한다. 이때 질삼금속 혼합물은 질산()과, 필러의 산화물분말에 피복되는 금속분말의 성분을 혼합시킨 혼합물로 정의된다. 이때 금속분말은 은(Ag) 분말, 니켈(Ni) 분말, 주석(Sn) 분말, 구리(Cu) 분말, 철(Fe) 분말, 팔라듐(Pd) 분말, 알루미늄(Al) 분말, 금(Au) 분말, 아연(Zn) 및 백금(Pt) 분말들 중 어느 하나로 형성되며, 예를 들어 금속분말에 은(Ag) 분말이 적용될 때 질산금속 혼합물은 질산은(AgNO3)이 된다(S30).An aqueous metal nitrate mixture solution is prepared in which the metal nitrate mixture is dissolved. At this time, the nitrile metal mixture is nitric acid ( ) And a mixture of metal powder components coated on the oxide powder of the filler. At this time, the metal powder is silver (Ag) powder, nickel (Ni) powder, tin (Sn) powder, copper (Cu) powder, iron (Fe) powder, palladium (Pd) powder, aluminum (Al) powder, gold (Au) It is formed of any one of powder, zinc (Zn) and platinum (Pt) powder, for example, when the silver (Ag) powder is applied to the metal powder, the metal nitrate mixture becomes silver nitrate (AgNO3) (S30).
단계 30(S30)에서 제조된 질산금속 혼합물 수용액에 구연산, 호박산, 개미산, 살리실산들 중 하나 이상을 첨가함으로써 금속물-X계 복화합물인 중간체를 형성한다(S40).By adding one or more of citric acid, succinic acid, formic acid and salicylic acid to the aqueous metal nitrate mixture solution prepared in step 30 (S30) to form an intermediate of the metal-X complex compound (S40).
단계 40(S40)에 의해 제조된 중간체에 수산화나트륨(NaOH)을 투입하여 금속물계 복산화물을 생성한다(S50).Injecting sodium hydroxide (NaOH) into the intermediate prepared in step 40 (S40) to produce a metal-based complex oxide (S50).
단계 50(S50)에 의해 제조된 금속물계 복산화물에 암모니아수(NH4OH)를 투입하여 질산금속 암모니아 복화합물을 제조한다(S60).Ammonia water (NH 4 OH) is added to the metal complex oxide prepared in step 50 (S50) to prepare a metal ammonia complex compound (S60).
단계 20(S20)에서 제조된 금속산화물분말이 포함된 환원액에 단계 60(S60)을 통해 제조된 질산금속 암모니아 복화합물을 투입하며, 투입 후 공지된 무전해 도금(Electroless plating)방법에 따라 수세, 건조 및 권취 공정을 통해 금속분말이 피복된 산화물분말로 형성되는 필러가 제조된다(S70).Injecting the metal ammonia complex compound prepared in step 60 (S60) to the reducing solution containing the metal oxide powder prepared in step 20 (S20), washing with water according to a known electroless plating method after the addition, Through the drying and winding process, a filler formed of an oxide powder coated with metal powder is manufactured (S70).
이때 단계 70(S70)의 무전해 도금 법은 도금 공정에 있어서 통상적으로 사용되는 기술이기 때문에 상세한 설명은 생략하기로 한다.At this time, since the electroless plating method of step 70 (S70) is a technique commonly used in the plating process, a detailed description thereof will be omitted.
무기바인더는 필러의 코팅물의 접착강도를 증가시켜 실리콘 웨이퍼 기재에 용이하게 결합되도록 하며, 코팅물의 소결 특성을 향상시킴으로써 후 가공 공정이 용이하게 수행되도록 한다.The inorganic binder increases the adhesive strength of the coating of the filler to facilitate bonding to the silicon wafer substrate, and improves the sintering characteristics of the coating so that the post-processing process is easily performed.
또한 무기바인더는 공지된 글라스 프릿(Glass frits)(이하, 유리프릿이라고 하기로 함)인 것이 바람직하다.In addition, the inorganic binder is preferably glass frits (hereinafter, referred to as glass frits).
또한 유리프릿은 , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , 및 산화물들 중 어느 하나의 산화물이거나 또는 적어도 2개 이상의 산화물로 혼합되는 혼합물을 용융 및 급랭시켜 획득된다.Also, glass frits , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , And Obtained by melting and quenching a mixture that is an oxide of any of the oxides or is mixed with at least two or more oxides.
또한 유리프릿은 전극 페이스트의 5.0 ~ 20.0 중량%로 구성되도록 한다. 만약 유리프릿이 5.0 중량% 미만이면 접착강도가 약해져 실리콘 웨이퍼 기재와의 접착강도가 떨어지는 문제점이 발생되며, 만약 유리프릿이 20 중량% 이상이면 상대적으로 필러의 양이 줄어들게 되어 전도율이 전극 페이스트의 전도율이 떨어질 뿐만 아니라 전극의 선저항 및 접촉저항이 높아져 전극효율이 떨어지게 된다.In addition, the glass frit is composed of 5.0 to 20.0% by weight of the electrode paste. If the glass frit is less than 5.0% by weight, the adhesive strength is weakened, resulting in a decrease in the adhesive strength with the silicon wafer substrate. If the glass frit is more than 20% by weight, the amount of filler is relatively decreased, so that the conductivity is the conductivity of the electrode paste. Not only does this fall, but the line resistance and the contact resistance of the electrode increase, so that the electrode efficiency decreases.
또한 유리프릿은 물질의 상태가 다른 상태로 변화되는 온도인 전이온도(전이점)가 300 ~ 600℃ 크기를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 만약 전이온도가 300℃ 미만이면 전극 소성 시 유리프릿이 전극 주변으로 흘러내리게 되어 전극 형성을 방해하고, 전이점이 600℃ 이상이면 유리프릿의 연화(Softening)가 충분하게 발생하지 않는 문제점이 발생된다.In addition, the glass frit is preferably formed so that the transition temperature (transition point), which is the temperature at which the state of the material changes to another state, has a size of 300 to 600 ° C. If the transition temperature is less than 300 ℃ glass frit flows around the electrode when firing the electrode hinders the formation of the electrode, if the transition point is more than 600 ℃ softening of the glass frit (Softening) is not enough occurs.
또한 유리프릿은 고형의 물질이 열에 의하여 녹는 온도인 연화온도(연화점)가 330℃ ~ 650℃ 크기를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 만약 연화점이 330℃ 미만이면 수축률이 증가하기 때문에 전극의 엣지컬(Edge curl)이 커지는 문제점이 발생하고, 연화점이 650℃ 이상이면 은 코팅 금속분말의 소결이 충분히 일어나지 않아 저항값이 상승하는 문제점이 발생된다. In addition, the glass frit is preferably formed so that the softening temperature (softening point), which is the temperature at which the solid material melts by heat, has a size of 330 ° C to 650 ° C. If the softening point is less than 330 ° C, the shrinkage increases, so that the edge curl of the electrode becomes large. If the softening point is more than 650 ° C, the silver coating metal powder does not sufficiently sinter, resulting in a problem of increasing resistance. Is generated.
또한 유리프릿은 입자 형상이 특별히 한정되지 않으나 구형으로 형성되는 것이 바람직하고, 5.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 만약 유리프릿의 평균입경이 5.0㎛를 초과하면, 인쇄 도포작업 시 인쇄도막 패턴 및 소성도막 패턴의 직진성이 떨어지게 된다.The glass frit is not particularly limited in particle shape, but is preferably formed in a spherical shape, and is preferably 5.0 µm or less. If the average particle diameter of the glass frit exceeds 5.0㎛, the straightness of the print coating pattern and the plastic coating pattern during the printing coating operation is inferior.
도 4는 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물에 적용되는 유리프릿의 제조과정을 나타내는 플로차트이다.4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a glass frit applied to an electrode paste composition according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이 산화물분말을 1200 ~ 1500℃의 온도로 한 시간 동안 용융시킨 후 용융된 산화물분말을 급랭시켜 유리시편을 제조한다. 이때 산화물분말은 , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , 및 들 중 어느 하나로 형성된다(S110).As shown in FIG. 4, the oxide powder is melted at a temperature of 1200 to 1500 ° C. for one hour, and the molten oxide powder is quenched to prepare a glass specimen. At this time, the oxide powder , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , And It is formed of any one of them (S110).
단계 110(S110)을 통해 제조된 유리시편을 디스크 밀(Disk Mill) 장비를 이용하여 7000rpm이상에서 30분 동안 건식분쇄(Dry grinding)함으로써 평균입경 200㎛인 유리분말을 제조한다(S120). A glass powder having an average particle diameter of 200 μm is prepared by dry grinding the glass specimen prepared in step 110 (S110) using a disk mill for 30 minutes at 7000 rpm or more (S120).
단계 120(S120)에서 제조된 평균입경 200㎛인 유리분말 100g과, 직경 2mm인 지르코니아볼 600g과, 순수물 100g을 혼합한 후 혼합물을 모노 밀(Mono Mill) 장비를 이용하여 300rpm에서 30분간 습식분쇄(Wet grinding)함으로써 유리분말 슬러리를 제조한다(S130).100 g of the glass powder having an average particle diameter of 200 μm, 600 g of the zirconia ball having a diameter of 2 mm, and 100 g of pure water were mixed in step 120 (S120), and the mixture was wetted at 300 rpm for 30 minutes using a mono mill equipment. A glass powder slurry is prepared by wet grinding (S130).
단계 130(S130)을 통해 제조된 유리분말 슬러리를 100℃에서 12시간 건조하여 10㎛ 이하의 직경인 을 갖는 유리분말을 제조한다(S140).The glass powder slurry prepared through step 130 (S130) is dried at 100 ° C. for 12 hours to prepare a glass powder having a diameter of 10 μm or less (S140).
단계 140(S140)에서 제조된 10㎛ 이하의 직경을 갖는 유리분말 100g과, 직경 0.5mm의 지르코니아볼 600g과, 순수물 160g을 혼합하여 모노 밀 장비로 300rpm에서 30분간 습식분쇄 함으로써 유리분말 슬러리를 제조한다(S150).Glass powder slurry by mixing 100 g of the glass powder having a diameter of 10 μm or less prepared in step 140 (S140), 600 g of zirconia ball having a diameter of 0.5 mm, and 160 g of pure water, and wet grinding at 300 rpm for 30 minutes with a mono mill equipment. To manufacture (S150).
단계 150(S150)에서 제조된 유리분말 슬러리를 200℃ 이하에서 12시간 건조하여 평균직경 1㎛이하이며, 최대직경 3㎛이하인 유리분말을 제조한다(S160).The glass powder slurry prepared in step 150 (S150) is dried at 200 ° C. or less for 12 hours to prepare a glass powder having an average diameter of 1 μm or less and a maximum diameter of 3 μm or less (S160).
유기바인더는 필러와 유리프릿을 기계적으로 혼합시켜 페이스트 조성물의 점도(Consistency) 및 조성물의 변형과 흐름에 관한 특성인 유변학적 특성을 결정함으로써 페이스트 조성물이 기재에 용이하게 인쇄되도록 한다. The organic binder mechanically mixes the filler and the glass frit to determine the viscosity of the paste composition and the rheological properties that are characteristic of the deformation and flow of the composition so that the paste composition is easily printed onto the substrate.
또한 유기바인더는 열가소성 바인더 또는 열경화성 바인더들 중 하나로 이루어져도 무방하나 열처리 시 코팅분말에 유기바인더 성분이나 또는 그 분해 생성물의 양을 적게 발생시키는 열가소성 수지인 것이 바람직하다. 이때 열가소성 바인더는 아크릴(Acryl), 에틸 셀룰로오스(Ethyl cellulose), 폴리에스테르(Polyester), 폴리설폰(Polysulfone), 페녹시(Phenoxy), 폴리아미드계(Polyamide)들 중 하나이거나 또는 적어도 2개 이상의 혼합물로 구성될 수 있고, 열경화성 바인더는 아미노(Amino), 에폭시(Epoxy), 페놀(Phenol)들 중 하나이거나 또는 적어도 2개 이상의 혼합물로 구성될 수 있다.In addition, the organic binder may be made of one of a thermoplastic binder or a thermosetting binder. However, the organic binder is preferably a thermoplastic resin which generates a small amount of the organic binder component or its decomposition product in the coating powder during the heat treatment. In this case, the thermoplastic binder is one of acryl, ethyl cellulose, polyester, polysulfone, phenoxy, polyamide, or a mixture of at least two or more. The thermosetting binder may be one of amino, epoxy, phenol or a mixture of at least two or more.
또한 유기바인더는 전극 페이스트 조성물의 0.4 ~ 10.0 중량%로 구성되는 것이 바람직하다. 이때 만약 유기바인더가 0.4 중량% 미만이면 페이스트 조성물 제조 후 점도가 낮아질 뿐만 아니라 인쇄 및 건조 후에 접착력이 저하되는 문제점이 발생되며, 만약 유기바인더가 10.0 중량% 이상이면 소성 시 유기바인더의 양이 과다하여 유기바인더의 분해가 용이하게 이루어지지 않아 저항값이 높아질 뿐만 아니라 소성 시 유기바인더가 완전히 제거(Burn out)되지 않아 전극에 잔탄이 남는 문제점이 발생된다.In addition, the organic binder is preferably composed of 0.4 to 10.0% by weight of the electrode paste composition. At this time, if the organic binder is less than 0.4% by weight, not only the viscosity is lowered after the paste composition is manufactured but also the adhesive strength is lowered after printing and drying. If the organic binder is 10.0% by weight or more, the amount of the organic binder is excessive when firing. The organic binder is not easily decomposed, so that the resistance value is increased, and the organic binder is not completely burned out during firing, and thus residual coal remains in the electrode.
유기용매는 유기바인더를 용해시켜 전극 페이스트의 점성을 조절시키고, 일반적으로 방향족 탄화수소(Hydrocarbon)류, 에테르(Ether)류, 케톤(Ketone)류, 락톤(Lactone)류, 에테르 알콜(Ether alcohol)류, 에스트르(Ester)류 및 디에스테르류(Diester)들 중 하나이거나 또는 적어도 2개 이상의 혼합물로 이루어진다.The organic solvent dissolves the organic binder to control the viscosity of the electrode paste, and generally aromatic hydrocarbons, ethers, ketones, lactones, ether alcohols, etc. , Esters and diesters, or at least two or more mixtures.
또한 유기용매는 전극 페이스트의 4.5 ~ 20.0 중량%로 구성되는 것이 바람직하나 점도의 조절에 따라 다양한 중량으로 구성될 수 있다.In addition, the organic solvent is preferably composed of 4.5 ~ 20.0% by weight of the electrode paste may be composed of various weights according to the control of the viscosity.
도 5는 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물에 적용되는 도전성 필러의 제조방법을 나타내는 플로차트이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a conductive filler applied to an electrode paste composition according to an embodiment of the present invention.
도 3에서 전술하였던 방법에 따라 제조되는 금속분말이 피복된 산화물분말로 형성되는 50.0 ~ 90.0 중량%의 필러를 제조한다(S210).3 to 50.0 to 90.0% by weight of a filler formed of an oxide powder coated with a metal powder prepared according to the method described above in FIG. 3 is prepared.
또한 도 4에서 전술하였던 제조방법에 따라 전이점이 300 ~ 600℃, 연화점 330 ~ 650℃를 갖는 5 ~ 20 중량%의 유리프릿을 제조한다(S220).In addition, according to the manufacturing method described above in Figure 4 to prepare a glass frit of 5 to 20% by weight having a transition point 300 ~ 600 ℃, softening point 330 ~ 650 ℃ (S220).
유기바인더 0.5 ~ 10.0 중량%와, 유기용매 4.5 ~ 20 중량%를 혼합한 후 교반기(Planetary mixer)를 이용하여 용해시켜 비어클을 제조한다(S230).0.5 to 10.0 wt% of the organic binder and 4.5 to 20 wt% of the organic solvent are mixed, and then dissolved by using a planetary mixer to prepare a vehicle (S230).
단계 210(S210)을 통해 제조된 필러와, 단계 220(S220)을 통해 제조된 유리프릿과, 단계 230(S230)을 통해 제조된 비어클을 혼합 교반한다. 이때 소결이 억제되도록 첨가제 0.01 ~ 0.10 중량%를 포함하여 교반시키는 것이 바람직하다(S240).The filler prepared through the step 210 (S210), the glass frit manufactured through the step 220 (S220), and the mixing and stirring the vehicle manufactured via the step 230 (S230). At this time, it is preferable to include an additive 0.01 ~ 0.10% by weight so as to suppress sintering (S240).
3롤 밀(3-Roll Mill)을 이용하여 단계 240(S240)을 통해 혼합 교반된 중간체를 기계적으로 혼합한다(S250).Using a three-roll mill (3-Roll Mill) through the step 240 (S240) mixing the stirred and intermediate intermediate mechanically (S250).
필터링(Filtering)을 통해 불순물 및 입경이 큰 입자를 제거한다(S260).Impurities and particles having a large particle size are removed through filtering (S260).
단계 260(S260)을 통해 불순물이 제거된 페이스트 조성물을 탈포장치로 탈포하여 조성물 내의 기포를 제거함으로써 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물을 제조한다(S270).In step 260 (S260), the paste composition from which impurities are removed is degassed with a degassing apparatus to remove bubbles in the composition, thereby preparing an electrode paste composition according to an exemplary embodiment of the present invention (S270).
다음은 본 발명의 제2 실시예인 전극 페이스트 조성물(이하, 제2 전극 페이스트 조성물이라고 하기로 함)을 설명하기로 한다.Next, an electrode paste composition (hereinafter, referred to as a second electrode paste composition) as a second embodiment of the present invention will be described.
제2 전극 페이스트 조성물은 금속분말이 피복된 글라스분말로 형성되는 필러(이하, 제2 필러라고 하기로 함)와, 일실시예와 동일한 유리프릿, 유기바인더, 유기용매 및 첨가제들로 이루어진다. The second electrode paste composition comprises a filler formed of a metal powder coated glass powder (hereinafter referred to as a second filler), and the same glass frit, organic binder, organic solvent, and additives as in one embodiment.
또한 제2 전극 페이스트 조성물은 일실시예와 동일하게 제2 필러(Filler) 50.0 ~ 90.0 중량%, 무기바인더 5.0 ~ 20.0 중량%, 유기용매 4.5 ~ 20.0 중량% 및 유기바인더 0.5 ~ 10.0 중량%로 구성된다.In addition, the second electrode paste composition is composed of 50.0 to 90.0 wt% of the second filler, inorganic binder 5.0 to 20.0 wt%, organic solvent 4.5 to 20.0 wt%, and organic binder 0.5 to 10.0 wt% do.
제2 필러는 글라스분말과, 상기 글라스분말 각각의 외면에 기 설정된 두께로 피복되는 금속분말로 이루어진다. The second filler comprises a glass powder and a metal powder coated on the outer surface of each of the glass powders at a predetermined thickness.
또한 금속분말은 본 발명의 일실시예와 같이 은(Ag) 분말, 니켈(Ni) 분말, 주석(Sn) 분말, 구리(Cu) 분말, 철(Fe) 분말, 팔라듐(Pd) 분말, 알루미늄(Al) 분말, 금(Au) 분말, 아연(Zn) 및 백금(Pt) 분말들 중 하나로 형성된다.In addition, the metal powder is silver (Ag) powder, nickel (Ni) powder, tin (Sn) powder, copper (Cu) powder, iron (Fe) powder, palladium (Pd) powder, aluminum ( Al) powder, gold (Au) powder, zinc (Zn) and platinum (Pt) powder.
또한 제2 필러는 글라스분말이 10.0 ~ 70.0 중량%로, 금속분말이 30.0 ~ 90.0 중량%로 구성되는 것이 바람직하다. 만약 금속분말의 중량이 30.0 중량% 미만이면 전기 전도도가 감소하여 전기적 특성이 감소하게 되며, 금속분말의 중량이 90.0 중량% 이상이면 유기물 함량이 줄어들어 페이스트 제조 시 점도증가로 인해 인쇄특성이 저하된다.In addition, the second filler is preferably 10.0 ~ 70.0% by weight of the glass powder, 30.0 ~ 90.0% by weight of the metal powder. If the weight of the metal powder is less than 30.0% by weight The electrical conductivity is reduced and the electrical properties are reduced. If the weight of the metal powder is more than 90.0% by weight, the organic content is reduced and the printing property is reduced due to the increase in viscosity during paste production.
또한 글라스분말은 , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , 및 들 중 하나이거나 또는 적어도 2개 이상이 혼합된 혼합물을 용융 및 건조시킨 유리원료(Glass frit)로 형성된다. 이때 글라스분말의 제조방법은 도 4에서 전술하였기 때문에 상세한 설명은 생략하기로 한다.Also glass powder , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , And Either one or at least two or more of these mixtures are formed of glass frit from which the mixture is melted and dried. In this case, since the method of manufacturing the glass powder has been described above with reference to FIG. 4, a detailed description thereof will be omitted.
또한 글라스분말은 물질의 상태가 다른 상태로 변화되는 온도인 전이온도(전이점)가 300 ~ 1000℃ 크기를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 만약 전이온도가 300℃ 미만이면 전극 소성 시 유리프릿이 전극 주변으로 흘러내리게 되어 전극 형성을 방해하고, 전이점이 1000℃ 이상이면 유리프릿의 연화(Softening)가 충분하게 발생하지 않는 문제점이 발생된다.In addition, the glass powder is preferably formed so that the transition temperature (transition point), which is the temperature at which the state of the material changes to another state, has a size of 300 ~ 1000 ℃. If the transition temperature is less than 300 ℃ glass frit flows around the electrode when firing the electrode hinders the formation of the electrode, if the transition point is more than 1000 ℃ softening of the glass frit (Softening) is not enough occurs.
또한 글라스분말은 고형의 물질이 열에 의하여 녹는 온도인 연화온도(연화점)가 350℃ ~ 1100℃ 크기를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. 만약 연화점이 350℃ 미만이면 수축률이 증가하기 때문에 전극의 엣지컬(Edge curl)이 커지는 문제점이 발생하고, 연화점이 1100℃ 이상이면 은 코팅 금속분말의 소결이 충분히 일어나지 않아 저항값이 상승하는 문제점이 발생된다. In addition, the glass powder is preferably formed so that the softening temperature (softening point), which is the temperature at which the solid material is melted by heat, has a size of 350 ° C to 1100 ° C. If the softening point is less than 350 ℃, the shrinkage rate is increased, so that the edge curl of the electrode is increased, and if the softening point is 1100 ℃ or more, the sintering of the silver-coated metal powder does not occur enough to increase the resistance value Is generated.
이와 같이 본 발명의 제2 실시예인 전극 페이스트 조성물은 필러를 금속분말이 피복된 글라스분말로 형성함으로써 은(Ag) 분말 및 금(Au) 분말 등과 같은 귀금속분말로 이루어지는 종래의 필러에 비해 제조비용이 낮은 장점을 갖는다.As described above, the electrode paste composition according to the second embodiment of the present invention has a manufacturing cost compared to conventional fillers made of noble metal powder such as silver (Ag) powder and gold (Au) powder by forming the filler into glass powder coated with metal powder. Has a low advantage.
또한 전극 페이스트 조성물은 제2 필러가 금속분말이 피복된 글라스분말로 형성되어 중량이 낮아짐에 따라 인쇄 시 종횡비 증가 및 차폐율 감소의 효과를 창출할 수 있고, 이에 따라 시리즈저항(Rs)을 절감시키되 션트저항(Rsh)을 증가시킴으로써 태양전지의 광흡수율이 증가되도록 한다.In addition, the electrode paste composition may have the effect of increasing the aspect ratio and reducing the shielding rate during printing as the second filler is formed of glass powder coated with metal powder, thereby reducing the series resistance (Rs). By increasing the shunt resistance (Rsh) to increase the light absorption of the solar cell.
또한 전극 페이스트 조성물은 제2 필러가 글라스분말로 형성되기 때문에 수축률이 낮아지게 되고, 이러한 이유로 실리콘 웨이퍼와의 딜라미네이션(Delamination)을 억제시켜 전지효율이 증가하게 된다.In addition, since the second filler is formed of glass powder, the electrode paste composition may have a low shrinkage rate. For this reason, battery efficiency may be increased by suppressing delamination with a silicon wafer.
이하, 본 발명의 일실시예 및 제2 실시예인 전극 페이스트 조성물에 관해 실시예를 들어 더욱 상세하게 설명한다. 또한 다음의 실시예들은 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명의 보호범위를 제한하지 않는다.Hereinafter, an electrode paste composition as one embodiment and a second embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to Examples. The following embodiments are for illustrative purposes only and do not limit the scope of protection of the present invention.
다음은 본 발명의 전극 페이스트 조성물의 일실시예 및 제2 실시예에 적용되는 유리프릿의 제조방법을 나타낸다.The following shows a method for producing a glass frit applied to one embodiment and the second embodiment of the electrode paste composition of the present invention.
[비교예 제조방법][Comparative Example Manufacturing Method]
계 유리분말을 기본조성으로 한 유리 조성물을 백금도가니에 넣고, 1200-1500℃에서 한 시간 용융 시킨 후 급랭하여 유리시편을 제조 한다. 상기 제조된 유리시편을 Disk mill 장비를 이용하여 7000rpm 이상에서 건식 분쇄하여 최종 평균입경 200㎛ 크기를 갖는 유리분말을 제조한 다음 직경 2mm 지르코니아볼 600g, 순수물 200g과 유리분말 100g을 혼합한 뒤 Mono Mill 장비로 300rpm에서 30분간 습식 분쇄하여 유리분말 슬러리를 만들고, 100℃에서 12시간 건조하여 10㎛ 이하 크기의 유리분말을 제조한다. 상기 제조된 10㎛ 이하 크기의 유리분말을 다시 직경 0.5mm 지르코니아볼 600g, 순수물 160g과 혼합하여 Mono Mill 장비로 300rpm에서 30분간 습식 분쇄하고, 200℃이하에서 12시간 건조하여 최종 평균입자크기 1㎛ 이하, 최대 입자크기 3㎛이하의 유리분말을 제조하였다. A glass composition having a basic composition based on a glass powder is placed in a platinum crucible, melted at 1200-1500 ° C. for one hour, and then rapidly cooled to prepare a glass specimen. Dry pulverization of the prepared glass specimen at 7000rpm or more using a disk mill equipment to prepare a glass powder having a final average particle size of 200㎛ size after mixing 600g of diameter 2mm zirconia ball, 200g of pure water and 100g of glass powder Wet grinding for 30 minutes at 300rpm with a Mill equipment to make a glass powder slurry, and dried for 12 hours at 100 ℃ to produce a glass powder of 10㎛ size or less. The prepared glass powder having a size of 10 μm or less is mixed again with 600 g of zirconia ball diameter 600 g and 160 g of pure water, and wet pulverized at 300 rpm for 30 minutes with a mono mill equipment, and dried at 200 ° C. or lower for 12 hours to obtain a final average particle size 1 Glass powder having a maximum particle size of 3 μm or less was prepared.
상기와 같은 방법으로 제조한 유리분말의 조성, 유리전이온도(Tg) 및 연화점을 표 1에 도시하였다.Table 1 shows the composition, glass transition temperature (Tg) and softening point of the glass powder prepared in the same manner as described above.
표 1은 유리분말의 조성에 의한 전이온도(Tg) 및 연화점을 나타낸 것이다.Table 1 shows the transition temperature (Tg) and softening point by the composition of the glass powder.
* 상기 조성물의 함량은 중량% 임* The content of the composition is weight percent
표 1에 도시된 바와 같이 유리프릿 조성물의 적절한 조합으로 전이온도(Tg)를 300 ~ 600℃로 조절할 수 있다.As shown in Table 1, a suitable combination of the glass frit composition may adjust the transition temperature (Tg) to 300 to 600 ° C.
시료번호 GF1의 비교예를 살펴보면 산화납(PbO)의 함량이 증가함에 따라 글라스의 멜팅 포인트(Melting point)가 낮아지기 때문에 전이온도(Tg)가 300℃ 미만인 것을 알 수 있다.Looking at the comparative example of the sample number GF1 it can be seen that the melting point (Melting point) of the glass is lowered as the content of lead oxide (PbO) is increased, the transition temperature (Tg) is less than 300 ℃.
표 2는 필러가 금속분말이 피복된 산화물분말로 구성되는 경우 또는 수축률 조절제 첨가 여부에 따른 수축률을 나타내는 것이다.Table 2 shows the shrinkage rate when the filler is composed of an oxide powder coated with metal powder or whether a shrinkage modifier is added.
* 상기 조성물의 함량은 중량% 임* The content of the composition is weight percent
상기 표 2의 수축률은 실리콘 웨이퍼 기판에 전극 페이스트 조성물은 인쇄 및 소성한 후의 측정값이다.The shrinkage in Table 2 is a measured value after the electrode paste composition is printed and baked on a silicon wafer substrate.
비교예 1과 2의 전극 페이스트 조성물은 필러가 은(Ag) 분말로 형성되되 별도의 수축률 조절제가 첨가되지 않는 것으로 구성하였고, 비교예 3과 4의 전극 페이스트 조성물은 필러가 은(Ag) 분말로 형성되되 별도의 수축률 조절제가 첨가되는 것으로 구성하였다.In the electrode paste compositions of Comparative Examples 1 and 2, the filler was formed of silver (Ag) powder, but no shrinkage modifier was added, and the electrode paste compositions of Comparative Examples 3 and 4 were made of silver (Ag) powder. It was formed but consisted of a separate shrinkage modifier is added.
또한 실시예 1과 2의 전극 페이스트 조성물은 본 발명의 일실시예와 같이 필러가 은(Ag) 분말이 피복된 산화물분말로 형성되되 별도의 수축률 조절제가 첨가되지 않는 것으로 구성하였고, 실시예 3과 4의 전극 페이스트 조성물은 본 발명의 일실시예와 같이 필러가 은(Ag) 분말이 피복된 산화물분말로 형성되되 별도의 수축률 조절제가 검차되는 것으로 구성하였다.In addition, the electrode paste compositions of Examples 1 and 2 were formed of an oxide powder coated with silver (Ag) powder as in one embodiment of the present invention, but did not include a separate shrinkage modifier. 4, the electrode paste composition was formed of an oxide powder coated with silver (Ag) powder as in one embodiment of the present invention, but was configured to detect a separate shrinkage modifier.
상기 표 2의 비교예 1, 2와 비교예 3, 4를 비교하면 전극 페이스트 조성물에 수축률 조절제가 첨가될 때 수축률이 낮아지는 것을 알 수 있다.Comparing Comparative Examples 1 and 2 and Comparative Examples 3 and 4 of Table 2, it can be seen that the shrinkage rate is lowered when the shrinkage rate regulator is added to the electrode paste composition.
또한 비교예 1, 2와 실시예 1, 2를 비교하면 실시예 1, 2는 비교예 1, 2에 비교하여 수축률이 현저하게 절감되는 것을 알 수 있고, 비교예 3, 4와 실시예 1, 2를 비교하면 실시예 1, 2는 별도의 수축률 조절제가 첨가되지 않아도 수축률 조절제가 첨가된 비교예 3, 4에 비해 수축률이 더 낮은 것을 알 수 있다.In addition, when comparing Comparative Examples 1 and 2 with Examples 1 and 2, it can be seen that Examples 1 and 2 significantly reduced the shrinkage rate compared to Comparative Examples 1 and 2, and Comparative Examples 3, 4 and Examples 1, Comparing 2, it can be seen that in Examples 1 and 2, the shrinkage rate is lower than that in Comparative Examples 3 and 4 to which the shrinkage rate modifier is added, even if a separate shrinkage rate modifier is not added.
또한 비교예 3, 4와 실시예 3, 4를 비교하면 별도의 수축률 조절제가 첨가될 때 본 발명과 같이 필러를 금속분말이 피복된 산화물분말로 형성하는 경우 수축률이 더 낮은 것을 알 수 있다.Comparing Comparative Examples 3 and 4 with Examples 3 and 4, when a separate shrinkage modifier is added, it can be seen that when the filler is formed of an oxide powder coated with a metal powder as in the present invention, the shrinkage rate is lower.
즉 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물은 필러가 산화물분말과 상기 산화물분말에 피복되는 금속분말로 이루어짐으로써 소성 시 수축률이 현저하게 절감되고, 이에 따라 전극 페이스트 조성물이 실리콘 웨이퍼 기재에 인쇄 시 실리콘 웨이퍼와의 딜라미네이션(Delamination) 현상이 줄어들어 전극효율이 증가하게 된다.In other words, the electrode paste composition, which is an embodiment of the present invention, has a filler made of an oxide powder and a metal powder coated on the oxide powder. Shrinkage is significantly reduced, thereby reducing the delamination with the silicon wafer when the electrode paste composition is printed on the silicon wafer substrate, thereby increasing electrode efficiency.
표 3은 필러가 금속분말이 피복된 글라스분말로 형성되는 경우 또는 수축률 조절제 첨가여부에 따른 수축률을 나타내는 것이다.Table 3 shows the shrinkage rate when the filler is formed of a metal powder coated glass powder or whether the shrinkage rate regulator is added.
* 상기 조성물의 함량은 중량% 임* The content of the composition is weight percent
상기 표 3의 수축률 측정은 상기 표 2와 동일한 방법을 통해 이루어진다.Shrinkage rate measurement of Table 3 is performed through the same method as Table 2.
실시예 5와 6의 전극 페이스트 조성물은 본 발명의 제2 실시예와 같이 필러가 은(Ag) 분말이 피복된 글라스분말로 형성되되 별도의 수축률 조절제가 첨가되지 않는 것으로 구성하였다. 이때 글라스분말은 상기 표 1의 시료번호 GF10을 적용하였다.The electrode paste compositions of Examples 5 and 6 were formed of a glass powder coated with silver (Ag) powder as in the second embodiment of the present invention, but did not include a separate shrinkage modifier. At this time, the glass powder was applied to the sample number GF10 in Table 1.
또한 실시예 5와 6을 비교예 1과 2에 비교하면 실시예 5와 6은 비교예 1과 2에 비교하여 수축률이 현저하게 낮아지는 것을 알 수 있다.In addition, when Examples 5 and 6 are compared with Comparative Examples 1 and 2, it can be seen that Examples 5 and 6 have a significantly lower shrinkage rate than Comparative Examples 1 and 2.
또한 실시예 5와 6을 비교예 3과 4에 비교하면 실시예 5와 6은 별도의 수축률 첨가제가 첨가되지 않아도 수축률 조절제가 첨가된 비교예 3과 4에 비해 수축률이 낮아지는 것을 알 수 있다.In addition, when comparing Examples 5 and 6 with Comparative Examples 3 and 4, it can be seen that in Examples 5 and 6, the shrinkage rate is lower than that of Comparative Examples 3 and 4 to which the shrinkage rate modifier is added even when no additional shrinkage additive is added.
즉 본 발명의 제2 실시예인 전극 페이스트 조성물은 필러가 글라스분말과, 상기 글라스분말에 피복되는 금속분말로 이루어짐으로써 소성 시 수축률이 극명하게 낮아지게 된다.That is, in the electrode paste composition according to the second embodiment of the present invention, the filler is composed of a glass powder and a metal powder coated on the glass powder. Shrinkage is significantly lowered.
표 4는 본 발명의 일실시예 및 제2 실시예의 적용에 따른 시리즈저항(Rs), 션트저항(Rsh) 및 광변환효율의 개선효과를 나타내는 것이다.Table 4 shows the effect of improving the series resistance (Rs), shunt resistance (Rsh) and the light conversion efficiency according to the application of one embodiment and the second embodiment of the present invention.
표 4를 참조하여 비교예 1과 2, 비교예 3과 4, 실시예 1과 2, 실시예 3과 4 및 실시예 5와 6을 비교하면 동일 조성에 필러함량이 73 중량%로 구성되는 것에 비해 80 중량%로 구성될 때 광변환효율특성이 증가되는 것을 알 수 있다. When comparing Comparative Examples 1 and 2, Comparative Examples 3 and 4, Examples 1 and 2, Examples 3 and 4, and Examples 5 and 6 with reference to Table 4, the filler content is 73 wt%. When compared to 80% by weight it can be seen that the light conversion efficiency characteristics are increased.
또한 비교예 1, 2와 비교예 3, 4 또는 실시예 1, 2와 실시예 3, 4를 비교하면 별도의 수축률 조절제가 첨가되는 경우 션트저항(Rsh) 및 광변환효율이 높아지는 것을 알 수 있다.In addition, comparing Comparative Examples 1 and 2 with Comparative Examples 3 and 4 or Examples 1 and 2 and Examples 3 and 4, it can be seen that the shunt resistance (Rsh) and the light conversion efficiency are increased when a separate shrinkage modifier is added. .
또한 실시예 1와 비교예 3 또는 실시예 2와 비교예 4를 비교하면 비교예 3, 4는 별도의 수축률 조절제가 첨가되어 션트저항(Rsh)이 증가되어 광변환효율 또한 증가되었으나, 실시예 1, 2는 별도의 수축률 조절제를 첨가하지 않아도 수축률 조절제가 첨가된 비교예 3, 4에 비교하여 오히려 션트저항(Rsh) 및 광변환효율이 증가하는 것을 알 수 있다. 이때 비교예 3, 4와 같이 수축률 조절제가 첨가되는 경우 션트저항(Rsh) 뿐만 아니라 시리즈저항(Rs) 또한 높아지기 때문에 광변환효율이 떨어지게 되나 실시예 1, 2는 필러의 수축률이 자체적으로 작기 때문에 시리즈저항(Rs)이 증가되지 않아 광변환효율이 높아지게 된다.In addition, when comparing Example 1 with Comparative Example 3 or Example 2 and Comparative Example 4, Comparative Examples 3 and 4 were added with a separate shrinkage rate modifier to increase the shunt resistance (Rsh), but also increased the light conversion efficiency, Example 1 , 2 shows that the shunt resistance (Rsh) and the light conversion efficiency are increased in comparison with Comparative Examples 3 and 4 to which the shrinkage rate regulator is added even without the addition of a separate shrinkage rate regulator. In this case, when the shrinkage modifier is added as in Comparative Examples 3 and 4, not only the shunt resistance (Rsh) but also the series resistance (Rs) increases, so that the light conversion efficiency decreases. Since the resistance Rs is not increased, the light conversion efficiency is increased.
또한 실시예 5, 6을 비교예 3, 4에 비교하여도 동일한 결과가 측정되는 것을 알 수 있다.Moreover, it turns out that the same result is measured also when comparing Example 5, 6 with Comparative Examples 3, 4.
표 5는 본 발명의 일실시예에서 필러의 산화물분말의 조성에 따른 광변환효율의 증가효과를 나타내는 것이다.Table 5 shows the effect of increasing the light conversion efficiency according to the composition of the oxide powder of the filler in one embodiment of the present invention.
상기 표 5의 실시예 7 내지 18은 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물이며, 필러를 형성하는 산화물분말이 , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , 및 들 중 어느 하나로 이루어진다.Examples 7 to 18 of Table 5 are electrode paste compositions of one embodiment of the present invention, the oxide powder forming a filler , ZnO, , , CaO, , PbO, , , , , , , And It is made of any of these.
또한 실시예 7 내지 18을 비교예 2, 4와 비교하면, 실시예 7 내지 18은 비교예 2, 4에 비교하여 션트저항(Rsh) 및 광변환효율이 증가하는 것을 알 수 있다.In addition, when Examples 7 to 18 are compared with Comparative Examples 2 and 4, it can be seen that Examples 7 to 18 increase the shunt resistance (Rsh) and the light conversion efficiency compared to Comparative Examples 2 and 4.
표 6은 본 발명의 일실시예인 필러의 금속분말의 조성에 따른 광변환효율의 증가효과를 나타내는 것이다.Table 6 shows the effect of increasing the light conversion efficiency according to the composition of the metal powder of the filler of one embodiment of the present invention.
실시예 7과, 실시예 19 내지 26은 본 발명의 일실시예이며, 필러가 산화물분말()과, 산화물분말의 외면에 피복되는 금속분말로 구성되되 금속분말이 은(Ag) 분말, 니켈(Ni) 분말, 주석(Sn) 분말, 구리(Cu) 분말, 철(Fe) 분말, 팔라듐(Pd) 분말, 알루미늄(Al) 분말, 금(Au) 분말, 아연(Zn) 및 백금(Pt) 분말들 중 하나로 형성되는 전극 페이스트 조성물이다.Example 7 and Examples 19 to 26 are one embodiment of the present invention, the filler is an oxide powder ( ) And a metal powder coated on the outer surface of the oxide powder, wherein the metal powder is silver (Ag) powder, nickel (Ni) powder, tin (Sn) powder, copper (Cu) powder, iron (Fe) powder, palladium ( Pd) powder, aluminum (Al) powder, gold (Au) powder, zinc (Zn) and platinum (Pt) powder formed of one of the electrode paste composition.
실시예 7, 19 내지 26을 비교예 2에 비교하면 실시예 7, 19 내지 26은 비교예 2에 비해 금속분말의 함량이 적어 소성 시 낮은 수축률을 갖게 되고, 이에 따라 션트저항(Rsh) 및 광변환효율이 높아지는 것을 알 수 있다.When Examples 7, 19 to 26 are compared to Comparative Example 2, Examples 7 and 19 to 26 have a smaller content of metal powder than Comparative Example 2, and thus have a low shrinkage rate when firing, thereby shunt resistance (Rsh) and light It can be seen that the conversion efficiency is increased.
즉 상기 표 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예인 전극 페이스트 조성물은 산화물분말의 외면에 은(Ag) 분말, 니켈(Ni) 분말, 주석(Sn) 분말, 구리(Cu) 분말, 철(Fe) 분말, 팔라듐(Pd) 분말, 알루미늄(Al) 분말, 금(Au) 분말, 아연(Zn) 및 백금(Pt) 분말들 중 어느 하나의 금속분말을 피복시키더라도 종래에 비해 광변환효율이 증가하게 된다.That is, as shown in Table 6, the electrode paste composition according to the embodiment of the present invention has silver (Ag) powder, nickel (Ni) powder, tin (Sn) powder, copper (Cu) powder, iron ( Even if the metal powder of any one of Fe) powder, palladium (Pd) powder, aluminum (Al) powder, gold (Au) powder, zinc (Zn) and platinum (Pt) powder is coated, the light conversion efficiency is Will increase.
표 7은 본 발명의 제2 실시예인 필러의 금속분말의 조성에 따른 광변환효율의 증가효과를 나타내는 것이다.Table 7 shows the effect of increasing the light conversion efficiency according to the composition of the metal powder of the filler of the second embodiment of the present invention.
상기 표 7에서와 같이 실시예 6, 27 내지 34는 본 발명의 제2 실시예이며, 필러가 상기 표 1의 시료번호 GF10의 글라스분말과, 글라스분말의 외면에 피복되는 금속분말로 구성되되 금속분말이 은(Ag), 니켈(Ni), 주석(Sn), 구리(Cu), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 백금(Pt) 분말들 중 하나로 구성되는 전극 페이스트 조성물이다.Examples 6, 27 to 34 are the second embodiment of the present invention as shown in Table 7, wherein the filler is composed of a glass powder of sample No. GF10 of Table 1 and a metal powder coated on the outer surface of the glass powder. The powder is one of silver (Ag), nickel (Ni), tin (Sn), copper (Cu), iron (Fe), palladium (Pd), aluminum (Al), gold (Au) and platinum (Pt) powders. It is an electrode paste composition comprised.
실시예 6, 27 내지 34를 비교예 2에 비교하면 상기 표 6에서와 마찬가지로 션트저항(Rsh) 및 광변환효율이 증가하게 된다.Comparing Examples 6, 27 to 34 to Comparative Example 2, the shunt resistance (Rsh) and the light conversion efficiency are increased as in Table 6 above.
상기 표 8의 종횡비는 전극 페이스트 조성물의 인쇄 및 건조 후 3차원 현미경을 이용하여 측정하였다.The aspect ratio of Table 8 was measured using a three-dimensional microscope after printing and drying the electrode paste composition.
본 발명의 일실시예인 실시예 2와 비교예 2를 비교하면, 실시예 2는 비교예 2에 비교하여 선폭이 줄어들고, 선높이가 증가함에 따라 종횡비가 증가하는 것을 알 수 있다. 또한 종횡비가 증가함에 따라 실시예 2는 비교예 2에 비해 시리즈저항(Rs)이 낮아지게 될 뿐만 아니라 전극의 차폐율이 줄어들기 때문에 광변환효율이 증가하게 된다.Comparing Example 2 and Comparative Example 2, which is an embodiment of the present invention, Example 2 can be seen that the line width is reduced compared to Comparative Example 2, the aspect ratio increases as the line height increases. In addition, as the aspect ratio increases, in Example 2, not only the series resistance (Rs) is lower than that of Comparative Example 2, but also the shielding rate of the electrode is reduced, thereby increasing the light conversion efficiency.
또한 실시예 4와 비교예 4를 비교하면, 수축률 조절제가 첨가되더라도 실시예 4가 비교예 4에 비해 종횡비가 증가하는 것을 알 수 있다.In addition, comparing Example 4 and Comparative Example 4, it can be seen that even if the shrinkage modifier is added, the aspect ratio is increased in Example 4 compared to Comparative Example 4.
또한 실시예 2와 실시예 4를 비교하면, 전극 페이서트 조성물이 금속분말이 피복된 산화물분말로 형성되는 필러가 적용되는 경우 소량의 수축률조절제가 첨가되는 것이 종횡비를 더욱 증가시키는 것을 알 수 있다.In addition, when comparing the Example 2 and Example 4, it can be seen that the addition of a small amount of shrinkage modifier when the filler is formed of the oxide powder coated with the electrode powder composition further increases the aspect ratio.
또한 본 발명의 제2 실시예가 적용되는 실시예 6과 비교예2를 비교하더라도 실시예 6의 종횡비가 비교예 2에 비해 증가하는 것을 알 수 있다.In addition, it can be seen that the aspect ratio of Example 6 is increased compared to Comparative Example 2 even when Example 6 to which Example 2 of the present invention is applied is compared with Comparative Example 2.
Claims (10)
상기 도전성 필러는
10.0 ~ 70.0 중량%의 산화물분말;
상기 산화물분말의 외면에 30.0 ~ 90.0 중량%로 피복되는 금속분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 페이스트 조성물.50.0 to 90.0 wt% conductive filler, 5.0 to 20.0 wt% inorganic binder, 0.5 to 20.0 wt% organic binder, 4.5 to 20.0 wt% organic solvent,
The conductive filler is
Oxide powder in an amount of 10.0 to 70.0 wt%;
Electrode paste composition comprising a metal powder coated on the outer surface of the oxide powder in 30.0 ~ 90.0% by weight.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120029809A KR101315106B1 (en) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | Electrode paste for solar cell |
PCT/KR2012/002173 WO2013141426A1 (en) | 2012-03-23 | 2012-03-26 | Electrode paste composition for solar cell |
CN201280071694.7A CN104246908A (en) | 2012-03-23 | 2012-03-26 | Electrode paste composition for solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120029809A KR101315106B1 (en) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | Electrode paste for solar cell |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130107767A KR20130107767A (en) | 2013-10-02 |
KR101315106B1 true KR101315106B1 (en) | 2013-10-07 |
Family
ID=49222862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120029809A KR101315106B1 (en) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | Electrode paste for solar cell |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101315106B1 (en) |
CN (1) | CN104246908A (en) |
WO (1) | WO2013141426A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6804255B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-12-23 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | Electrode forming composition and electrodes and solar cells manufactured using the composition |
CN107331433B (en) * | 2017-06-30 | 2018-12-14 | 江苏瑞德新能源科技有限公司 | A kind of passivation emitter solar cell front side silver paste |
CN111145935B (en) * | 2019-12-16 | 2022-07-15 | 中国人民解放军国防科技大学 | Silver electrode slurry and preparation method and application thereof |
JP7424340B2 (en) * | 2021-04-02 | 2024-01-30 | 株式会社村田製作所 | Conductive paste, manufacturing method for multilayer ceramic capacitors, multilayer ceramic capacitors |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100895414B1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-05-07 | (주)창성 | The conductive paste composition for electrode including powder coated with silver and the manufacturing method thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275263A (en) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Taiyo Yuden Co Ltd | Conducting paste |
JP3589239B2 (en) * | 2003-07-28 | 2004-11-17 | 株式会社村田製作所 | Conductive paste and ceramic molding |
JP4551750B2 (en) * | 2004-12-09 | 2010-09-29 | 大研化学工業株式会社 | Electrode manufacturing method |
KR20090048286A (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-13 | 제일모직주식회사 | Composition for fabricating the electrode comprising silver coated aluminium powder and electrode made by the same |
JP5236400B2 (en) * | 2008-09-04 | 2013-07-17 | 太陽ホールディングス株式会社 | Conductive paste and electrode using the same |
US20110272019A1 (en) * | 2009-01-23 | 2011-11-10 | Takashi Watsuji | Paste composition and solar cell element using the same |
WO2011074888A2 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | 동우 화인켐 주식회사 | Electrode paste composition for rear surface of solar cell |
WO2012033303A2 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Zno-based glass frit composition and aluminum paste composition for back contacts of solar cell using the same |
-
2012
- 2012-03-23 KR KR1020120029809A patent/KR101315106B1/en active IP Right Grant
- 2012-03-26 WO PCT/KR2012/002173 patent/WO2013141426A1/en active Application Filing
- 2012-03-26 CN CN201280071694.7A patent/CN104246908A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100895414B1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-05-07 | (주)창성 | The conductive paste composition for electrode including powder coated with silver and the manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104246908A (en) | 2014-12-24 |
KR20130107767A (en) | 2013-10-02 |
WO2013141426A1 (en) | 2013-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101315105B1 (en) | Electrode paste for solar cell | |
CN101609849B (en) | Silver conductive paste used for positive electrode of solar battery and preparation technique thereof | |
JP5568001B2 (en) | Solar cell electrode paste and solar cell using the same | |
JP6242198B2 (en) | Conductive paste for forming conductive film of semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device | |
KR100895414B1 (en) | The conductive paste composition for electrode including powder coated with silver and the manufacturing method thereof | |
TWI537226B (en) | Zno-based glass frit composition and aluminum paste composition for back contacts of solar cell using the same | |
CN104979035B (en) | Lead-free composite glass adhesive solar battery positive silver paste | |
KR20120051761A (en) | Composition for printing conductor tracks and method for ppoducing solar cells | |
TWI778207B (en) | Glass, glass powder, conductive paste and solar cells | |
JP2011035034A (en) | Lead-free electrically conductive composition for solar cell electrode | |
JP5934411B1 (en) | Conductive paste containing lead-free glass frit | |
JP2014501445A (en) | Conductive paste composition containing lithium and article produced therefrom | |
KR101339845B1 (en) | Metal Paste Including Metal Nanowires for Electrode of Solar Cell | |
KR101315106B1 (en) | Electrode paste for solar cell | |
TWI447186B (en) | Paste composition for front electrode of solar cell, and solar cell including the same | |
KR101765185B1 (en) | Method of preparing silver coated glass frit and silver paste composition for solar cell using the same | |
US9847437B1 (en) | Method of forming conductive electrode grids over silicon wafer surfaces | |
TWI637403B (en) | Electrically conductive paste,method for producing the same,and method for producing solar cell | |
US20170232510A1 (en) | Silver-coated copper powder and method for producing same | |
CN112435772B (en) | Ohmic silver electrode slurry for PTC surface welding and preparation method thereof | |
KR101731675B1 (en) | Electro-conductive carbon-ball, composition for forming solar cell comprising the same and method for preparing the same | |
KR102316662B1 (en) | Method for forming solar cell electrode, solar cell electrode manufactured therefrom and solar cell | |
TW201419309A (en) | Thick film silver paste and its use in the manufacture of semiconductor devices | |
WO2009145386A1 (en) | Environment-friendly paste for electrode of solar cell and solar cell using the same | |
JP5362615B2 (en) | Silver powder and method for producing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160928 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170920 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180910 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190918 Year of fee payment: 7 |