Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101292948B1 - 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법 - Google Patents

플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101292948B1
KR101292948B1 KR1020120022153A KR20120022153A KR101292948B1 KR 101292948 B1 KR101292948 B1 KR 101292948B1 KR 1020120022153 A KR1020120022153 A KR 1020120022153A KR 20120022153 A KR20120022153 A KR 20120022153A KR 101292948 B1 KR101292948 B1 KR 101292948B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
barrier layer
silicon
layer
film
display substrate
Prior art date
Application number
KR1020120022153A
Other languages
English (en)
Inventor
최도현
Original Assignee
최도현
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 최도현 filed Critical 최도현
Priority to KR1020120022153A priority Critical patent/KR101292948B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101292948B1 publication Critical patent/KR101292948B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/401—LASER
    • H01L2924/402—Type
    • H01L2924/403—Type being an Excimer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/401—LASER
    • H01L2924/402—Type
    • H01L2924/403—Type being an Excimer
    • H01L2924/40301—ArF LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/401—LASER
    • H01L2924/402—Type
    • H01L2924/403—Type being an Excimer
    • H01L2924/40304—KrF LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/40—Details of apparatuses used for either manufacturing connectors or connecting the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/401—LASER
    • H01L2924/402—Type
    • H01L2924/403—Type being an Excimer
    • H01L2924/40306—XeF LASER

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 플라스틱 기판에 영향을 주지 않고 배리어 층을 열처리하여 외부로부터 침투하는 수분이나 산소를 막을 수 있는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명 플라스틱 기판 상에 실리콘 계열의 절연물질로 구성되는 제1 배리어 층, 실리콘 박막 또는 실리콘 과잉 박막 중 하나로 구성되는 제2 배리어 층, 그리고 실리콘 계열의 절연물질로 구성되는 제3 배리어 층을 형성하는 단계와 상기 제2 배리어 층을 발열체 층으로 사용하여 상기 제1 배리어 층과 상기 제3 배리어 층을 동시에 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법{METHOD OF FABRICATING PLASTIC DISPLAY SUBSTRATE}
본 발명은 산소와 수분에 대해 배리어 특성(Barrier Characteristics)을 갖는 플라스틱 디스플레이 기판(Plastic Display Substrate)의 제조에 관한 것으로서, 특히 플라스틱 기판 상에 디스플레이를 제작할 때 표시소자의 신뢰성을 확보하기 위하여 실리콘 계열의 절연물질로 구성되는 제1 배리어 층(Barrier layer)과 제3 배리어 층 사이에 실리콘 박막 또는 실리콘 과잉 실리콘 질화막, 실리콘 과잉 실리콘 산화막, 실리콘 과잉 실리콘 질산화막과 같은 실리콘 과잉 박막(Silicon-rich Thin Film) 중 하나로 구성되는 제2 배리어 층이 개재된 3중층의 배리어 층을 형성한 후, 상기 제3 배리어 층을 투과하여 엑시머 레이저 빔을 조사(Irradiation)하여 상기 제2 배리어 층을 용융시켜 발열체층(Heating Unit Layer)이 되도록 하고, 상기 발열체층에서 발생하는 높은 온도의 열에너지로 상기 제1 배리어 층과 상기 제3 배리어 층 전체를 동시에 열처리하여 고밀도 균질막으로 변형시킴으로써, 산소 및 수분의 침투를 효과적으로 막을 수 있는 박막 배리어 층을 갖는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보통신분야에 있어서 소프트웨어 및 하드웨어의 비약적인 발전에 따라 컴퓨터, 전화기, TV 등의 기능을 하나의 단말기에 집적화하여 사용할 수 있는 스마트 기기의 수요가 폭발적으로 증가하고 있으며, 그 결과 이러한 스마트 기기를 통한 다양한 정보를 시각화하여 인간에게 전달해주는 디스플레이에 대한 요구도 다양해지고 있다.
이러한 다양한 요구에 따라 이들 전자 디스플레이 소자를 제작하는 기판의 경우에도 시간과 장소에 구애받지 않고 사용할 수 있으면서 대형화, 저가격화, 고성능화, 경량박형화 등과 같은 다양한 특성이 요구되고 있다.
현재 전자 디스플레이 소자의 제작에 널리 사용되고 있는 기판으로는 유리, 석영, 실리콘 웨이퍼, 사파이어 등으로 구성되는 경성기판(Rigid Substrate)과 박형 유리, 메탈 호일, 플라스틱 등으로 구성되는 플렉서블 기판(Flexible Substrate)이 있으나, 최근 플렉서블 기판 중에서 휴대가 간편하고 쉽게 깨지지 않으며 종이처럼 얇으면서 가볍고 유연한 플라스틱 기판을 사용한 플렉서블 디스플레이가 많은 주목을 받고 있다.
그러나 플라스틱 기판의 경우, 쉽게 깨지지 않으며 경량박형 등의 장점을 지니고 있음에도 불구하고, 플라스틱 기판 자체로는 대기 중의 수분이나 산소가 기판을 통해 쉽게 침투되기 때문에, 수분이나 산소에 취약한 디스플레이 소자의 기판으로 사용하기 위해서는 대기 중의 산소 및 수분의 침투가 없는 플라스틱 기판의 제조가 무엇보다 선결되어야만 한다.
일반적으로 전자소자를 대기 중의 수분 또는 산소의 침투로부터 보호하기 위 해서는 소정의 기판 상에 제작되는 소자의 종류에 따라 RFID 태그(Radio Frequency Identification Tags)의 경우에는 10-2 g/m2/day, LCD의 경우에는 10-3 g/m2/day, 태양전지의 경우에는 10-4 g/m2/day, 유기전계발광표시소자의 경우에는 10-5 ∼ 10-6 g/m2/day 정도의 수분투습도(Water Vapor Transmission Rate: WVTR)를 만족하는 기판을 사용해야만 한다.
따라서 일반적으로 수분투습도가 1 ∼ 10 g/m2/day 정도인 플라스틱 기판을 전자소자용으로 사용하기 위해서는 플라스틱 기판 상에 수분 및 산소의 침투를 효과적으로 막을 수 있는 배리어 층을 추가로 형성해야만 하며, 현재 많은 방법들이 연구 개발되고 있다.
일반적으로 저온에서 배리어 층을 한 종류의 물질만을 사용하여 단층으로 구성하는 경우에는 수분이나 산소에 대한 배리어 특성을 만족할 수 없기 때문에 다층(Multi-Layer)의 배리어 층을 사용하거나, 또는 고분자 및 무기재료를 번갈아 사용한 다층의 배리어 층을 사용하는 방법 등이 많이 연구되고 있다.
미국특허번호 제6,106,933호에서는 플라스틱 기판 상에 소수성(Hydrophobic Property)을 갖는 폴리에틸렌(Polyethylene) 필름을 라미네이트(Laminate) 등의 방법으로 적층하여 수분 및 산소의 침투를 막는 배리어 층을 형성하였으나, 수분투습도가 1.5 g/m2/day 정도밖에 되지 않기 때문에 유기전계발광표시소자용으로 사용하기 위해서는 더욱 개선이 필요한 실정이다.
그리고 고분자와 무기물질을 함께 혼합하여 하이브리드 형태(Hybrid Type)로 사용하는 미국 특허번호 제5,415,921호, 제5,426,131호, 제5,441,816호에서는 폴리비닐클로라이드(Polyvinylchloride), 주석 안정제(Tin Stabilizer), 칼슘 스테아레이트(Calcium Stearate), 부틸아크릴레이트 러버 그래프트 공중합고분자(Butylacrylate Rubber Graft Copolymer) 등의 물질에 산화티탄(TiO2)을 혼합하여 도포(Coating)한 후, UV로 경화하여 배리어 층을 형성하기도 한다.
그리고 무기물질만으로 배리어 층을 형성하는 미국특허번호 제5,508,075호, 제5,532,063호, 제11차 FPD 제조 컨퍼런스(11th FPD Manufacturing Conference, E1 Section, pp17, Tokyo, Japan)에서는 무기물질로 SiO2, SiNx(혹은 Si3N4), Si+SiO2, SiOxNy 등의 실리콘 계열의 절연물질이나 Ta2O5 등을 사용하는데, 단일막 형태로 사용하거나 아니면 이들 가운데 두 종류를 번갈아가면서 여러 층으로 적층하는 형태로 배리어 층을 형성하기도 한다.
상기 제11차 FPD 제조 컨퍼런스의 경우 스퍼터링(Sputtering) 방법으로 100 ℃에서 200 nm의 SiOxNy 막을 형성하였으나, 수분투습도에 대한 배리어 특성이 불량하여 유기전계발광표시소자용으로 사용하기 위해서는 더욱 개선이 필요한 실정이다.
그리고 먼저 고분자층(혹은 무기물층)을 형성한 후, 상기 고분자층 위에 무기물층(혹은 고분자층)을 형성하는 과정을 여러 번 되풀이하여 다층의 배리어 층을 형성하는 미국특허번호 제5,487,940호, 제5,593,794호, 제5,607,789호, 제 5,725,909호에서는 가교화된 아크릴레이트 고분자(Cross-linked Acrylate Polymer), 알데하이드로 가교화된 폴리비닐알콜(Polyvinylalchole Cross-linked with Aldehyde), 폴리폴로로카본계 고분자(Polyfluorocarbon Polymer) 등을 모노머(Monomer) 형태로 증착하여 고분자화하거나, 또는 액상의 프링트 법이나 딥핑(Dipping) 법 등으로 고분자층을 형성하고, 그리고 SiO2, Al2O3, SiNx, Al 등의 금속, 유리혼합물성분(SnO:SnF2:PbO:P2O5 = 32:37:8:23) 등으로 무기물층을 형성한다.
특히, 상기 미국특허번호 제5,487,940호에서는 폴리프로필렌 필름 위에 가교화된 0.04 mil인 폴리비닐알콜로 배리어 층을 형성한 경우에 0.02 cc/100in2/day 정도의 산소투과율을 나타내었으며, 상기 미국특허번호 제5,593,794호에서는 소수성의 플로로카본계 고분자 물질과 SiNx 혹은 SiO2와 같은 무기물질을 3번 이상 번갈아 적층하여 배리어 층을 형성한 경우 (고분자/SiNx)× 3의 경우에는 8 μg/100in2/day, (고분자/SiO2)× 3의 경우에는 240 μg/100in2/day 정도의 배리어 특성을 나타내었다.
상기에서와 같이 다층 구조로 배리어 층을 형성하는 경우에는 고분자 물질 및 실리콘 계열의 절연물질이나 금속으로 구성되는 무기물질을 최소 3번 이상 번갈아 가면서 적층하여 최소 6층 이상의 복합층을 쌓는 경우에만 수분 및 산소에 대한 우수한 배리어 특성을 보인다.
또한, 요구되는 배리어 특성을 얻기 위해서 금속 성분의 무기물질을 사용하 는 것이 효과적이지만, 디스플레이 소자나 조명용 소자와 같은 표시소자의 기판으로 사용하기 위해서는 기판이 투명해야 하기 때문에 이 방법은 플라스틱 디스플레이 기판 제조에는 사용할 수 없는 문제가 있다.
또한, 상기와 같이 다층 구조로 배리어 층을 형성하는 경우에는 층을 많이 쌓으면 쌓을수록 배리어 특성이 좋아지기 때문에, 하이브리드 형태를 사용하거나, 또는 고분자 물질이나 무기물질만을 사용해서 배리어 층을 형성하는 경우에 비해 배리어 특성은 우수하지만, 고분자 물질과 무기물질을 최소 6층 이상의 복합층으로 형성해야만 하기 때문에 제조시간이 길어 제조비용이 증가되는 문제가 있어 이를 획기적으로 줄일 수 있는 방안이나 최소의 층만으로 최대의 효과를 낼 수 있는 방안이 요구된다.
그래서 상기와 같은 문제들을 해결하기 위하여 플라스틱 기판 상에 저온에서 실리콘 질화막이나 실리콘 질산화막과 같은 절연물질로 배리어 층을 형성하는 방법(대한민국 등록특허 10-0523990)이 개발되었다.
도1은 종래 기술의 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1a는 종래 기술에서 배리어 층을 적층한 후, 엑시머 레이저 열처리 전의 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1b는 종래 기술에서 배리어 층을 적층한 후, 엑시머 레이저 열처리 후의 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1c는 종래 기술에서 결함이 존재하는 배리어 층에 엑시머 레이저로 열처리 공정을 진행한 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1a와 같이 종래 기술에서는 외부로부터 산소나 수분의 침투를 차단할 수 있는 배리어 층(110)을 형성하기 위하여 화학기상증착방법이나 스퍼터링 방법 등을 이용하여 투명 플라스틱 기판(100) 상에 실리콘 질화막이나 실리콘 질산화막과 같은 절연물질을 일정한 두께로 적층한다.
여기서 화학기상증착 방법으로 실리콘 계열의 절연물질을 사용하여 상기 베리어 층(110)을 형성하는 경우에는, 25 ℃ ∼ 300 ℃의 온도 범위에서 SiNx는 불활성 기체와 함께 반응가스로 SiH4, NH3, N2, 가스를 사용하고, SiOxNy는 불활성 기체와 함께 반응가스로 SiH4, N2O, NH3, N2 가스를 사용하여 공정을 실시한다.
여기서 스퍼터링 방법으로 상기 배리어 층(110)을 형성하는 경우에는, 25 ℃ ∼ 300 ℃의 온도 범위에서 불활성 기체를 이용하며, SiNx, SiOxNy는 각각 Si3N4, SiON 타겟을 이용하여 공정을 실시한다.
또는, 반응성 스퍼터링(Reactive Sputtering)을 이용하는 경우, 불활성 기체 외에 반응가스로서 SiNx를 증착할 경우에는 N2 가스를 주입하고, SiOxNy를 증착할 경우에는 N2 가스와 O2 가스를 주입하여 공정을 실시한다.
그리고 도1b와 같이 상기 배리어 층(110) 표면 전면에 Ar2(파장= 126 nm), Kr2(파장= 146 nm), F2(파장= 157 nm), Xe2(파장= 172 nm), ArF(파장= 193 nm), KrF(파장= 248 nm), XeCl(파장= 308 nm), XeF(파장= 351 nm)와 같은 엑시머 레이저(160)를 일정량 조사(Irradiation)하여, 레이저 빛이 대부분 흡수되는 상기 배리어 층(110)의 실리콘 질화막 또는 상기 실리콘 질산화막의 표면층(d2)만을 국부적으로 열처리하여 극히 얇은 고밀도 균질막 층(130)을 형성한다.
그러나 상기 종래 기술에서는 상기 배리어 층(110)을 구성하는 실리콘 질화막 또는 실리콘 질산화막의 표면층(d2)만이 엑시머 레이저(160)로 열처리되고 표면층(d2) 이외의 부분(d1-d2)은 열처리되지 않기 때문에, 최초 실리콘 질화막(d1) 내에 열처리로 막질 개선이 이루어진 얇은(d2) 고밀도 균질막 층(130)과 열처리되지 않고 최초 실리콘 질화막 상태를 그대로 유지하고 있는 두꺼운(d1-d2) 저밀도 저질막 층(120)이 연속하는 전체적으로 막질이 불균일한 2중층 구조로 상기 배리어 층(110)이 형성되는 문제가 있다.
또한, 도1c와 같이 열처리 공정 전에 이미 최초 실리콘 질화막(d1) 중에 막갈라짐(Crack)(121), 핀홀(Pin Hole)(122) 또는 먼지 입자(Particle)(123) 등과 같은 결함(Defect)이 존재하는 경우에 상기와 같이 엑시머 레이저(160)로 열처리 공정을 진행하면, 상기 결함이 존재하는 부분의 표면층(d2)은 열처리가 되지 않기 때문에 완전한 배리어 층을 형성할 수 없는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 플라스틱 기판을 통해 침투하는 수분이나 산소의 침투를 차단하여 유기전계발광표시소자용 기판으로까지 사용할 수 있는 플라스틱 기판을 제조하는데 있어서, 실리콘 계열의 무기물질만으로 3중층 구조의 배리어 층을 적층한 후, 엑시머 레이저를 사용하여 기판에 손상을 주지 않고 배리어 층 전체를 동시에 열처리하여 고밀도 균질막으로 변형시킴으로써, 산소 및 수분의 침투를 효과적으로 막을 수 있는 배리어 층을 갖는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 상기 종래 기술에서 실리콘 계열의 절연물질로 구성되는 플라스틱 디스플레이 기판의 배리어 층을 엑시머 레이저로 열처리할 때 발생하는 막질 불균일성을 개선할 수 있는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한, 상기 종래 기술에서 열처리된 영역이 극히 얇기 때문에 발생하는 막 중 결함에 약한 구조적인 약점을 개선할 수 있는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 다음과 같은 구성에 의해 달성된다.
(1) 본 발명에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법은 투명 플라스틱 기판 상에 실리콘 계열의 절연물질로 제1 배리어 층을 형성하는 단계; 상기 제1 배리어 층 상에 제2 배리어 층을 형성하는 단계; 상기 제2 배리어 층 상에 실리콘 계열의 절연물질로 제3 배리어 층을 형성하는 단계; 엑시머 레이저 빔으로 상기 제3 배리어 층을 투과하여 상기 제2 배리어 층을 열처리함으로써, 열처리된 상기 제2 배리어 층이 발열체층(Heating Unit Layer)으로 만들어지는 단계; 상기 발열체층에서 발생하는 열에너지로 상기 제1 배리어 층과 상기 제3 배리어 층을 동시에 전체 적으로 열처리하여 고밀도 균질막으로 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
(2) 상기 1)과 같은 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 계열의 절연물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화산화막, 그리고 실리콘 질화막 중 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
(3) 상기 1)과 같은 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제2 배리어 층은 실리콘 박막, 실리콘 과잉 실리콘 질화막(Silicon-Rich Silicon Nitride: SRSN), 실리콘 과잉 실리콘 산화막(Silicon-Rich Silicon Oxide: SRSO), 그리고 실리콘 과잉 실리콘 질산화막(Silicon-Rich Silicon Oxi-Nitride: SRSON) 중 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
(4) 상기 1)과 같은 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제2 배리어 층은 Ar2(파장= 126 nm), Kr2(파장= 146 nm), F2(파장= 157 nm), Xe2(파장= 172 nm), ArF(파장= 193 nm), KrF(파장= 248 nm), XeCl(파장= 308 nm), 그리고 XeF(파장= 351 nm) 엑시머 레이저 중 하나를 선택하여 적어도 한번은 열처리하는 것을 특징으로 한다.
(5) 상기 1)과 같은 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 제1 배리어 층, 상기 제2 배리어 층, 그리고 상기 제3 배리어 층의 3중층을 적어도 한번은 적층시키는 것을 특징으로 한다.
(6) 상기 1)과 같은 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 투명 플라스틱 기판 상에 상기 제1 배리어 층을 형성하기 전 및/또는 상기 제3 배리어 층을 형성한 후에 수지(Resin) 막을 적층시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 투명 플라스틱 기판 상에 실리콘 계열의 절연물질로 제1 배리어 층을, 실리콘 박막, 실리콘 과잉 실리콘 질화막(SRSN), 실리콘 과잉 실리콘 산화막(SRSO), 실리콘 과잉 실리콘 질산화막(SRSON) 중 하나로 구성되는 제2 배리어 층을, 그리고 실리콘 계열의 절연물질로 제3 배리어 층을 순차적으로 적층하여 3중층의 배리어 층을 형성한 후, 엑시머 레이저 빔으로 상기 제3 배리어 층을 투과하여 상기 제2 배리어 층을 열처리할 때, 상기 제2 배리어 층 내의 실리콘 성분이 용융되면서 상기 제2 보호층이 발열체층(Heating Unit Layer)으로 만들어지고, 그 때 발생하는 높은 열에너지로 상기 발열체층의 양쪽 면에 접한 상기 제1 배리어 층과 상기 제3 배리어 층을 동시에 전체적으로 열처리하여 고밀도 균질막으로 변형시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에서는 용융상태의 상기 발열체층으로 상기 제1 배리어 층과 상기 제3 배리어 층을 동시에 전체적으로 고온에서 열처리할 수 있기 때문에, 상기 종래 기술에서는 제거되지 않는 열처리되지 않은 영역에 존재하는 미결합수(Dangling Bond), 다공성(Porosity) 등과 같은 치명적인 결함들을 최소화시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 복합층으로 배리어 층을 구성하기 때문에 상기 종래 기술에서 열처리된 영역이 극히 얇기 때문에 발생할 수밖에 없는 구조적인 약점을 개선하여, 외부로부터 산소 및 수분 등의 침투를 더욱 효과적으로 억제할 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시례를 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도이다.
도2a는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판의 상면에 제1 배리어 층, 제2 배리어 층, 그리고 제3 배리어 층이 순차적으로 적층된 경우이다.
도2b는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판의 상면에 제1 배리어 층, 제2 배리어 층, 그리고 제3 배리어 층을 순차적으로 적층한 후, 엑시머 레이저로 열처리를 실시한 경우이다.
도2c는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판과 제1 배리어 층 사이에 수지막이 개재된 경우이다.
도2d는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 제3 배리어 층 상에 순차적으로 수지막이 적층된 경우이다.
도2e는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판과 제1 배리어 층 사이에 수지막이 개재되고, 그리고 제3 배리어 층 상에도 순차적으로 수지막이 적층된 경우이다.
도2f는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 결함이 존재하는 배리어 층에 엑시머 레이저로 열처리 공정을 진행한 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도2a와 같이 본 발명의 실시례에서는 투명 플라스틱 기판(200) 상에 외부의 수분이나 산소 등의 침투를 차단하기 위하여 스퍼터링 방법 또는 화학기상증착법 등의 방법으로 실리콘 질화막(Si3N4 또는 SiNx), 실리콘 질산화막(SiOxNy) 또는 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 실리콘 계열의 절연물질 중 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 전면 증착하여, 두께 30 Å ∼ 10,000 Å 정도의 제1 배리어 층(281)을 형성한다.
여기서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 상기 실리콘 계열의 절연막을 형성하는 경우에는 막형성 온도는 23 ℃ ∼ 300 ℃이며, 운송가스(Carrier Gas)로서 불활성 기체를 사용하고, SiNx, SiON, SiO2는 각각 Si3N4, SiON, SiO2 타겟을 사용한 다.
여기서 반응성 스퍼터링 방법으로 상기 실리콘 계열의 절연막을 형성하는 경우에는 막형성 온도 23 ℃ ∼ 300 ℃에서 실리콘(Si) 타겟을 사용하며, 불활성 기체인 운송가스 외에 반응가스(Reactive Gas)를 주입하는데, SiNx를 증착할 경우에는 N2 가스를 주입하고, SiOxNy를 증착할 경우에는 O2 가스와 N2 가스를 주입하며, SiO2를 증착할 경우에는 O2 가스를 각각 주입한다.
여기서 화학기상증착법을 사용하여 상기 실리콘 계열의 절연막을 형성하는 경우에는 막형성 온도는 23 ℃ ∼ 300 ℃이며, 운송가스로서 불활성 기체를 사용하고, SiNx는 SiH4, NH3, N2 가스를 반응가스로, SiO2는 SiH4, N2O 가스를 반응가스로, SiOxNy는 SiH4, N2O, NH3, N2 가스를 반응가스로 각각 사용하여 공정을 실시한다.
여기서 상기 화학기상증착법을 사용하여 적층된 실리콘 계열의 절연막은 막 중에 수소가 다량 포함되어 있어, 후술하는 엑시머 레이저(260) 열처리 시 수소 분출에 의한 막 파괴 현상을 방지하기 위하여, 엑시머 레이저(260)로 10 mJ/㎠ ∼ 500 mJ/㎠ 정도의 에너지 밀도에서 탈수소 공정을 실시하여 막 중의 수소를 제거할 수도 있다.
그리고 상기 제1 배리어 층(281)과 후술하는 제3 배리어 층(283)을 동시에 열처리하기 위하여, 상기 제1 배리어 층(281) 상에 스퍼터링 방법 또는 화학기상증착법 등의 방법으로 실리콘 박막, 실리콘 과잉 실리콘 질화막(SRSN), 실리콘 과잉 실리콘 산화막(SRSO), 그리고 실리콘 과잉 실리콘 질산화막(SRSON) 중 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 전면 적층하여, 두께 10 Å ∼ 1,500 Å 정도의 제2 배리어 층(282)을 형성한다.
여기서 상기 제2 배리어 층(282)을 형성하기 위하여 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용할 경우, 실리콘 박막은 막형성 온도 23 ℃ ∼ 300 ℃에서 운송가스로서 불활성 기체를 사용하고 Si 타겟을 사용하여 공정을 실시하고, 그리고 실리콘 과잉 실리콘 산화막(SRSO)과 실리콘 과잉 질화막(SRSN)은 막형성 온도 23 ℃ ∼ 300 ℃에서 운송가스로서 불활성 기체를 사용하고, SiOx와 SiNx 타겟을 각각 사용하여 막 중에 Si 성분이 과잉으로 존재하도록 공정을 실시한다.
여기서 상기 제2 배리어 층(282)을 형성하기 위하여 반응성 스퍼터링 방법을 사용할 경우, 막형성 온도 23 ℃ ∼ 300 ℃에서 운송가스로서 Ar과 같은 불활성 기체를 사용하고, 실리콘 과잉 실리콘 질화막(SRSN)은 Si 또는 Si3N4 타겟에 N2 가스를 반응가스로, 실리콘 과잉 실리콘 산화막(SRSO)은 Si 타겟에 O2 가스를 반응가스로, 그리고 실리콘 과잉 실리콘 질산화막(SRSON)은 SiNx 타겟에 O2 가스를 반응가스로 각각 사용하여 막 중에 Si 성분이 과잉으로 존재하도록 공정을 실시한다.
여기서 상기 제2 배리어 층(282)을 형성하기 위하여 화학기상증착법을 사용하는 경우, 막형성 온도는 23 ℃ ∼ 300 ℃이며, 운송가스로서 불활성 기체를 사용하며, 실리콘 박막은 반응가스로 SiH4, H2를 사용하고, 실리콘 과잉 실리콘 질화막 (SRSN)은 SiH4, NH3, N2 등을 사용하고, 실리콘 과잉 실리콘 산화막(SRSO)은 SiH4, N2O 등을 사용하고, 그리고 실리콘 과잉 실리콘 질산화막(SRSON)은 SiH4, N2O, NH3, N2 등의 가스를 사용하여 막 중에 Si 성분이 과잉으로 존재하도록 공정을 실시한다.
그리고 엑시머 레이저(260) 열처리 시, 상기 제2 배리어 층(282)을 보호하고, 외부로부터 산소 및 수분 등의 침투를 억제하기 위하여, 스퍼터링 방법 또는 화학기상증착법 등의 방법으로 상기 제2 배리어 층(282) 상에 실리콘 질화막(Si3N4 또는 SiNx), 실리콘 질산화막(SiOxNy) 또는 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 실리콘 계열의 절연물질 중에서 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 전면 증착하여, 두께 30 Å ∼ 10,000 Å 정도의 제3 배리어 층(283)을 형성하여 3중층(280) 구조의 배리어 층을 완성한다.
여기서 상기 제3 배리어 층(283)은 상기 제1 배리어 층(281) 형성 시와 같은 방법으로 공정을 실시하는 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 가스의 종류 및 유량, 압력, 온도 등의 공정 조건을 상기 제1 배리어 층(281) 형성 시와 다르게 하여 실시할 수도 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 제1 배리어 층(281), 상기 제2 배리어 층(282), 그리고 상기 제3 배리어 층(283)을 스퍼터링 장치 또는 PECVD 장치 중 하나를 이용하여 적층하는 경우, 생산성 향상을 위하여 동일한 공정 공간(챔버) 내에서 공정 조건 만을 변화시켜 상기 제1 배리어 층(281), 상기 제2 배리어 층(282) 그리고 상 기 제3 배리어 층(283)을 순차적으로 연속 증착하여 3중층(280) 구조의 배리어 층을 형성할 수도 있다.
여기서 상기 제1 배리어 층(281)과 제3 배리어 층(283)은 고온에서 열성장 방법에 의해 형성되지 않고 저온에서 형성되기 때문에, 막 내부에 실리콘과 질소 또는 산소 등의 불완전한 결합으로 인한 다수의 미결합수(Dangling Bond)와 다공성(Porosity) 등의 내부 결함들을 포함하고 있어 산소 및 수분 등이 쉽게 투과되므로, 이러한 수분 및 산소에 대한 배리어 특성을 향상시키기 위하여 상기 제1 배리어 층(281)과 제3 배리어 층(283)의 막질을 개선해야 한다.
여기서 상기 제1 배리어 층(281)과 제3 배리어 층(283) 내부의 결함들을 제거하기 위해서는 실제로 700 ℃ ∼ 1,100 ℃ 정도의 높은 열처리 온도가 요구되지만, 이러한 높은 온도는 상기 플라스틱 기판(200)에 치명적인 영향을 주기 때문에, 본 발명에서는 후술하는 엑시머 레이저를 이용한 열처리 방법으로 상기의 문제를 해결한다.
이어서 도2b와 같이 상기 제1 배리어 층(281)과 제3 배리어 층(283)의 막질 개선을 위하여, Ar2(파장= 126 nm), Kr2(파장= 146 nm), F2(파장= 157 nm), Xe2(파장= 172 nm), ArF(파장= 193 nm), KrF(파장= 248 nm), XeCl(파장= 308 nm), 그리고 XeF(파장= 351 nm) 엑시머 레이저(260) 중 하나를 선택하여, 50 mJ/㎠ ∼ 3,000 mJ/㎠ 정도의 에너지 밀도로 상기 제3 배리어 층(283)을 투과하여 상기 제2 배리어 층(282)을 적어도 한번은 열처리함으로써, 열처리된 상기 제2 배리어 층(282) 전체 가 발열체층(292)이 되도록 하고, 그리고 용융상태의 상기 발열체층(292)에서 발생하는 높은 열에너지로 상기 발열체층(292)의 양쪽 면에 접한 상기 제1 배리어 층(281)과 제3 배리어 층(283)을 동시에 전체적으로 양질의 박막으로 개질하여, 고밀도 균질막의 제1 배리어 층(291)과 고밀도 균질막의 제3 배리어 층(293)으로 변형시킨다.
여기서 상기 엑시머 레이저(260)는 고출력의 광 에너지로 극히 짧은 시간(대략 5 × 10-8초 정도) 안에 열처리 공정을 완료할 수 있기 때문에, 열과 빛 등에 의한 손상(Damage)을 상기 제1 배리어 층(291)의 아래 설치된 플라스틱 기판 쪽으로 전달하지 않고, 상온에서도 고온으로 상기 제1 배리어 층(291)과 제3 배리어 층(293)을 동시에 전체적으로 균일하게 열처리할 수 있다.
실리콘 계열의 절연물질로 구성되는 상기 제1 배리어 층(281)과 상기 제3 배리어 층(283) 사이에 실리콘 박막으로 구성되는 상기 제2 배리어 층(282)이 개재된 3중층(280)의 적층구조를 소정의 두께로 형성한 후, 상기 제3 배리어 층(283)을 투과하여 XeCl 또는 KrF 엑시머 레이저(260)를 조사하면, 상기 제2 배리어 층(282)의 실리콘 박막이 용융되면서 상기 제2 배리어 층(282)이 순간적으로 실리콘의 용융 온도까지 상승하여 상기 발열체층(292)으로 되는데, 이때 상기 발열체층(292)의 양쪽 면과 이웃한 상기 제1 배리어 층(291)과 상기 제3 배리어 층(293) 전체를 동시에 1,000 ℃ 이상의 고온으로 짧은 시간 안에 효과적으로 열처리할 수 있다.
여기서 실리콘 과잉 실리콘 질화막(SRSN), 실리콘 과잉 실리콘 산화막 (SRSO), 그리고 실리콘 과잉 실리콘 질산화막(SRSON) 중 하나를 상기 제2 배리어 층(282)으로 사용하는 경우에는, 막 중에 존재하는 과잉의 미세한 실리콘 입자들을 상기 엑시머 레이저(260)로 용융시켜 상기 발열체층(292)을 형성한다.
또한, 본 발명에서는 엑시머 레이저(260)의 종류와 상기 제1 배리어 층(281)과 상기 제3 배리어 층(283)을 구성하는 물질을 적절히 선정하면 열처리 효과를 더욱 증진시킬 수도 있다.
실리콘 질화막으로 구성되는 상기 제1 배리어 층(281)과 상기 제3 배리어 층(283) 사이에 실리콘 박막으로 구성되는 상기 제2 배리어 층(282)이 개재된 3중층(280)의 적층구조를 소정의 두께로 형성한 후, 상기 제3 배리어 층(283)을 투과하여 ArF 엑시머 레이저(260)를 조사하면, 엑시머 레이저(260) 빛의 일부는 상기 실리콘 질화막 표면에 흡수되어 상기 제3 배리어 층(283)의 표면층 일부를 800 ℃ 근처의 고온으로 열처리하는데 사용되고, 상기 제3 배리어 층(283)을 투과한 상기 엑시머 레이저 빛의 일부는 상기 제2 배리어 층(282)의 실리콘 박막을 용융시켜 상기 제1 배리어 층(281)과 상기 제3 배리어 층(283)을 전체적으로 동시에 1,000 ℃ 이상으로 열처리하는데 사용되고, 그리고 상기 제2 배리어 층(282)을 투과한 상기 엑시머 레이저 빛의 일부는 상기 제1 배리어 층(281)의 표면층 일부를 800 ℃ 근처의 고온으로 열처리하는데 사용될 수 있어, 빛 에너지와 열에너지에 의한 2중 열처리 효과를 얻을 수도 있다.
여기서 배리어 특성을 더욱 향상시키기 위해, 상기 제1 배리어 층(281), 상기 제2 배리어 층(282), 상기 제3 배리어 층(283)의 3중층(280)의 적층구조를 연속 적으로 적층하여, 상기 제1 배리어 층(281), 상기 제2 배리어 층(282), 상기 제3 배리어 층(283), 상기 제2 배리어 층(282), 상기 제3 배리어 층(283)으로 이루어진 복수개의 3중층(280)의 적층구조를 형성할 수도 있다. 여기서 제1 배리어 층(281)은 제3 배리어 층(283)으로, 제3 배리어 층(283)은 제1 배리어 층(281)으로 서로 대신하여 각각 형성할 수도 있다.
여기서 플라스틱 기판(200)은 폴리에테르설폰(Polyethersulphone: PES), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(Polyethylene Tetrephthanlate: PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate: PC), 폴리에틸렌(Polyethylene: PS), 폴리에틸렌나프티네이트(Polyethylene Naphthenate: PEN), 폴리올레핀(Polyolefin), 폴리스텔렌(Polystyrene: PS), 폴리비닐클로라이드(Polyvinylchloride: PVC), 폴리에스터(Polyester), 폴리아미드(Polyamide), 폴리노보넨(Polynorbonene: PNB), 폴리이미드(Polyimide: PI), 폴리아릴레이트(Polyarylate: PAR) 등을 포함하는 물질 중 하나를 선택하여 사용한다.
그리고 상기 제1 배리어 층(281), 상기 제2 배리어 층(282), 그리고 상기 제3 배리어 층(283)은 투명 플라스틱 기판(200)의 상면뿐만 아니라 하면에도 형성할 수도 있다.
또한, 도2c에서와 같이 상기 투명 플라스틱 기판(200)과 상기 제1 배리어 층(281) 사이에 수지 (Resin) 막(250)을 개재하거나, 도2d에서와 같이 상기 제3 배리어 층(283) 상에 수지막(250)을 순차적으로 적층하여 상기 3중층(280) 구조의 기계적 강도를 보강할 수도 있다.
또한, 도2e와 같이 상기 투명 플라스틱 기판(200)과 상기 제1 배리어 층(281) 사이에 수지막(250)을 개재하고, 그리고 상기 제3 배리어 층(283) 상에도 수지막(250)을 적층하여 상기 3중층(280) 구조의 기계적 강도를 보강할 수도 있다.
본 발명에서 언급한 수분 및 산소의 침투를 막는 배리어 층의 형성 방법은 투명한 디스플레이용 플라스틱 기판의 경우에 한정되는 것이 아니라, 이와 유사한 목적과 방법을 사용해 대기 중의 수분이나 산소를 차단하는 배리어 층을 형성하는 경우를 포함한다.
본 발명의 실시례에 의한 플라스틱 디스플레이 기판 제조방법은 용융상태의 상기 발열체층(292) 양면에 접한 상기 제1 배리어 층(291)과 상기 제3 배리어 층(293) 전체를 동시에 고온으로 균일하게 열처리할 수 있기 때문에, 상기 종래 기술에서는 제거되지 않는 열처리되지 않은 영역(120)에 존재하는 미결합수, 다공성 등과 같은 치명적인 결함들을 최소화시킨 우수한 배리어 층을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 디스플레이 소자 제작 시 소자의 수명 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 도2f에서와 같이 3중층(280)으로 배리어 층을 구성하기 때문에 상기 종래 기술에서 열처리된 영역(130)이 극히 얇기 때문에, 최초 실리콘 질화막(d1) 중에 막갈라짐(121), 핀홀(122) 또는 먼지 입자(123) 등과 같은 결함이 존재하는 경우에 발생할 수밖에 없는 구조적인 약점을 개선하여 외부로부터 산소 및 수분 등의 침투를 더욱 효과적으로 억제할 수 있는 우수한 배리어 층을 형성할 수 있는 장점 이 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시례는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도1은 종래 기술의 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1a는 종래 기술에서 배리어 층을 적층한 후, 엑시머 레이저 열처리 전의 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1b는 종래 기술에서 배리어 층을 적층한 후, 엑시머 레이저 열처리 후의 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도1c는 종래 기술에서 결함이 존재하는 배리어 층에 엑시머 레이저로 열처리 공정을 진행한 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도이다.
도2a는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판의 상면에 제1 배리어 층, 제2 배리어 층, 그리고 제3 배리어 층이 순차적으로 적층된 경우이다.
도2b는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판의 상면에 제1 배리어 층, 제2 배리어 층, 그리고 제3 배리어 층을 순차적으로 적층한 후, 엑시머 레이저로 열처리를 실시한 경우이다.
도2c는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판과 제1 배리어 층 사이에 수지막이 개재된 경우이다.
도2d는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 제3 배리어 층 상에 순차적으로 수지막이 적층된 경우이다.
도2e는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 플라스틱 기판과 제1 배리어 층 사이에 수지막이 개재되고, 그리고 제3 배리어 층 상에도 순차적으로 수지막이 적층된 경우이다.
도2f는 본 발명의 실시례에 따른 플라스틱 디스플레이 기판의 공정 단면도로서, 결함이 존재하는 배리어 층에 엑시머 레이저로 열처리 공정을 진행한 플라스틱 디스플레이 기판의 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100, 200: 투명 플라스틱 기판 110: 배리어 층 120: 저밀도 저질막 층
130: 고밀도 균질막 층 121: 막 갈라짐 122: 핀홀 123: 먼지 입자
250: 수지막 160, 260: 엑시머 레이저 280: 3중층 281: 제1 배리어 층
282: 제2 배리어 층 283: 제3 배리어 층 291: 열처리된 제1 배리어 층
292: 발열체층 293: 열처리된 제3 배리어 층

Claims (6)

  1. 투명 플라스틱 기판 상에 실리콘 계열의 절연물질로 제1 배리어 층을 형성하는 단계;
    상기 제1 배리어 층 상에 제2 배리어 층을 형성하는 단계;
    상기 제2 배리어 층 상에 실리콘 계열의 절연물질로 제3 배리어 층을 형성하는 단계;
    엑시머 레이저 빔으로 상기 제3 배리어 층을 투과하여 상기 제2 배리어 층을 열처리함으로써, 열처리된 상기 제2 배리어 층이 발열체층으로 만들어지는 단계;
    상기 발열체층에서 발생하는 열에너지로 상기 제1 배리어 층과 상기 제3 배리어 층을 동시에 전체적으로 열처리하여 고밀도 균질막으로 변형시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실리콘 계열의 절연물질은 실리콘 산화막, 실리콘 질화산화막, 그리고 실리콘 질화막 중 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 배리어 층은 실리콘 박막, 실리콘 과잉 실리콘 질화막, 실리콘 과 잉 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 과잉 실리콘 질산화막 중 하나를 선택하여 사용하거나 둘 이상의 복합층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 배리어 층은 Ar2, Kr2, F2, Xe2, ArF, KrF, XeCl, 그리고 XeF 엑시머 레이저 중 하나를 선택하여 적어도 한번은 열처리하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배리어 층, 상기 제2 배리어 층, 그리고 상기 제3 배리어 층의 3중층을 적어도 한 번은 적층시키는 것을 특징으로 하는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투명 플라스틱 기판 상에 상기 제1 배리어 층을 형성하기 전 및/또는 상기 제3 배리어 층을 형성한 후에 수지막을 적층시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법.
KR1020120022153A 2012-03-05 2012-03-05 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법 KR101292948B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120022153A KR101292948B1 (ko) 2012-03-05 2012-03-05 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120022153A KR101292948B1 (ko) 2012-03-05 2012-03-05 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101292948B1 true KR101292948B1 (ko) 2013-08-02

Family

ID=49219806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120022153A KR101292948B1 (ko) 2012-03-05 2012-03-05 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101292948B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101947381B1 (ko) * 2013-09-26 2019-02-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100523990B1 (ko) 2001-11-29 2005-10-26 대우전자서비스주식회사 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법
KR20070083363A (ko) * 2006-02-21 2007-08-24 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법
KR20110092542A (ko) * 2010-02-09 2011-08-18 삼성모바일디스플레이주식회사 실리콘 산화물막과 실리콘 리치 실리콘 질화물막을 포함하는 배리어층을 포함하는 유기 발광 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100523990B1 (ko) 2001-11-29 2005-10-26 대우전자서비스주식회사 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법
KR20070083363A (ko) * 2006-02-21 2007-08-24 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법
KR20110092542A (ko) * 2010-02-09 2011-08-18 삼성모바일디스플레이주식회사 실리콘 산화물막과 실리콘 리치 실리콘 질화물막을 포함하는 배리어층을 포함하는 유기 발광 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101947381B1 (ko) * 2013-09-26 2019-02-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7951726B2 (en) Organic/inorganic hybrid thin film passivation layer for blocking moisture/oxygen transmission and improving gas barrier property
US9728746B2 (en) Encapsulation structures, encapsulation methods, and display devices of organic electroluminescent devices
TWI688089B (zh) 有機發光二極體顯示器、包含該有機發光二極體顯示器之電子裝置、及製造該有機發光二極體顯示器之方法
CN107958924B (zh) 具有柔性基板的有机发光显示装置
JP5436640B2 (ja) Ｔｇ基体上の平滑層及びバリア層
US10608195B2 (en) Flexible OLED display panel and manufacturing method thereof
KR102146271B1 (ko) 플렉서블 컬러필터와 그를 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US20150044442A1 (en) Flexible substrate and method for preparing the same
CN110649071A (zh) 有机发光二极管显示器、包括其的电子装置及其制造方法
US20200365830A1 (en) Composite film and manufacturing method thereof, and encapsulation structure including the composite film
CN108962937A (zh) 柔性显示器件及其制备方法
WO2016006343A1 (ja) 封止積層体および有機電子装置
KR101562922B1 (ko) 봉지막 제조방법 및 이로부터 제조된 봉지막을 포함하는 전자소자
JP2005510757A (ja) プラスチック基板の製造方法
KR100523990B1 (ko) 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법
KR101292948B1 (ko) 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법
WO2017033823A1 (ja) 電子装置
JP4249519B2 (ja) ガスバリア性積層材の製造方法
KR102139077B1 (ko) 기체 차단용 필름 및 이의 제조방법
KR102199217B1 (ko) 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20140356567A1 (en) Substrate laminating lower film and substrate laminated structure and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US11864412B2 (en) Method for manufacturing hybrid moisture barrier layer
KR102396457B1 (ko) 플렉서블 기판, 이를 이용한 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101491779B1 (ko) 자기 치유성을 갖는 배리어 기판 및 이의 제조 방법
US20060121260A1 (en) Laminated sheet and a method for manufacturing the laminated sheet

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160716

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170725

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190826

Year of fee payment: 7