KR101245879B1 - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 드라이버 IC에 영향을 주지 않고 박막트랜지스터에 오프-스트레스 전압을 공급할 수 있는 액정표시장치가 개시된다.The present invention discloses a liquid crystal display device capable of supplying an off-stress voltage to a thin film transistor without affecting the driver IC.
본 발명에 따른 액정표시장치는 액정패널과, 상기 액정패널을 구동하는 드라이버 IC와, 상기 액정패널의 게이트라인과 평행하게 배열된 스토리지 라인와, 상기 스토리지 라인으로 오프-스트레스 전압을 공급하는 오프-스트레스 전압 생성부와, 상기 드라이버 IC의 상기 스토리지 라인 사이에 형성된 스위치 및 상기 스위치를 제어하는 스위치 제어신호를 생성하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The liquid crystal display according to the present invention includes a liquid crystal panel, a driver IC for driving the liquid crystal panel, a storage line arranged in parallel with a gate line of the liquid crystal panel, and an off-stress for supplying an off-stress voltage to the storage line. And a controller configured to generate a switch formed between the voltage generator, the storage line of the driver IC, and a switch control signal for controlling the switch.
오프 전류(off current), 오프-스트레스 Off current, off-stress
Description
도 1은 종래의 액정표시장치에서 오프 전류(off-current)를 억제하는 방법을 나타낸 도면.1 is a view illustrating a method of suppressing off-current in a conventional liquid crystal display.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면.2 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스위치를 나타낸 도면.3 shows a switch according to a first embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스위치를 나타낸 도면.4 shows a switch according to a second embodiment of the invention;
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
102:액정패널 104:게이트 드라이버102: liquid crystal panel 104: gate driver
106:데이터 드라이버 108:오프-스트레스 전압 생성부106: data driver 108: off-stress voltage generator
110:스위치 제어부 112, 212:스위치110:
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 드라이버 IC에 영향을 주지 않고 박막트랜지스터에 오프-스트레스 전압을 인가할 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of applying an off-stress voltage to a thin film transistor without affecting a driver IC.
일반적으로 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor:FET)란 전기전도에 기여하는 캐리어(Carrier) 역할을 전자 또는 정공 중 어느 하나가 담당하는 트랜지스터 소자로 잘 알려져 있다. 특히 근래에는 반도체 상에 산화막을 형성하고 그 위에 금속을 입히는 모스(Metal Oxide Semiconductor:MOS) 기술이 개발됨에 따라, 박막트랜지스터(TFT)등이 상용 가능하게 되었고, 이는 현재 액정표시장치 등 여러분야에서 스위칭 소자로 활용되고 있다. In general, field effect transistors (FETs) are well known as transistor elements in which either electrons or holes play a role of a carrier contributing to electrical conduction. In particular, with the development of metal oxide semiconductor (MOS) technology for forming an oxide film on a semiconductor and coating a metal on it, thin film transistors (TFTs) and the like have become commercially available. It is used as a switching element.
상기 박막트랜지스터(TFT)는 액티브층과 게이트 전극, 소스 전극 그리고 드레인 전극으로 구성되어 있으며, 상기 액티브층은 채널이 형성되는 곳으로 박막트랜지스터의 특성을 좌우한다.The thin film transistor TFT is composed of an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and the active layer is a channel where the characteristics of the thin film transistor are determined.
상기 액티브층은 일반적으로 비정질 실리콘이나 폴리 실리콘을 이용하는데, 최근 들어 박막트랜지스터(TFT)의 액티브층을 비정질 실리콘에서 폴리 실리콘으로 대체하고 있는데, 이는 폴리 실리콘이 비정질 실리콘에 비하여 전계이동도가 높고 빛 오프 전류(off current)가 거의 없으며 유리 기판 위에 회로를 제작할 수 있다(COG:Chip On Glass)는 장점을 가지고 있기 때문이다.The active layer generally uses amorphous silicon or polysilicon, and recently, the active layer of the thin film transistor (TFT) has been replaced from amorphous silicon to polysilicon, which has higher electric field mobility and light than polysilicon. This is because there is little off current and the chip on glass (COG) has an advantage.
한편, 상기 폴리 실리콘의 경우 원자구조가 정렬된 상태를 이루고 있어 전기 이동도가 비정질 실리콘에 비해 100배 이상 빠르지만, 결정입자 경계에서의 트랩의 영향으로 오프 전류(off current)가 큰 단점을 가지고 있다.On the other hand, the polysilicon has an atomic structure that is aligned, and thus the electrical mobility is 100 times faster than that of the amorphous silicon, but the off current is large due to the trapping effect at the grain boundary. have.
이와 같은 폴리 실리콘 재질에 의한 결함은 결국 상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off-current)를 증가시키고, 이로 인해 박막트랜지스터(TFT)가 오프(off) 상태에서도 드레인 전극과 소스 전극이 통전되는 현상이 빈번하게 발생된다. The defect caused by the polysilicon material eventually increases the off-current of the TFT, which causes the drain electrode and the source electrode to be energized even when the TFT is turned off. The phenomenon occurs frequently.
더욱이 상기 오프 전류(off-current)의 증가에 따른 문제점은 상기 박막트랜지스터(tft)의 온 전류(on-current)를 감소시켜 구동 신뢰성을 크게 저하시키게 된다. In addition, the problem caused by the increase of the off-current (off-current) is to reduce the on-current of the thin film transistor (tft) to significantly reduce the driving reliability.
도 1은 종래의 액정표시장치에서 오프 전류(off-current)를 억제하는 방법을 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a method of suppressing off-current in a conventional liquid crystal display.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 액정표시장치는 소정의 화상을 표시하는 액정패널(2)과, 상기 액정패널(2)을 구동하기 위한 게이트 드라이버 IC(4)와 데이터 드라이버 IC(6)를 포함한다.As shown in Fig. 1, a conventional liquid crystal display device includes a
상기 액정패널(2)은 박막트랜지스터(TFT)가 형성된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향되어 컬러필터가 형성된 제 2 기판과, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 있다. The
상기 액정패널(2)상에는 복수의 화소영역(P)을 정의하는 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn) 및 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되어 있고, 그 교차부에는 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다. A plurality of gate lines GL1 to GLn and data lines DL1 to DLm defining a plurality of pixel regions P are arranged on the
또한, 상기 화소영역(P)마다 상기 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된 화소전극(미도시), 그리고 액정층을 사이에 두고 상기 화소전극과 대향하는 공통전극을 포함하여 액정 캐패시터(Clc)를 이루고, 화소설계에 따른 기생용량을 해결하기 위한 스토리지 캐패시터(Cst)가 상기 액정 캐패시터(Clc)와 병렬 연결된다. Further, a liquid crystal capacitor Clc may be formed in each pixel region P including a pixel electrode (not shown) electrically connected to the thin film transistor TFT and a common electrode facing the pixel electrode with a liquid crystal layer interposed therebetween. In addition, a storage capacitor Cst for solving the parasitic capacitance according to the pixel design is connected in parallel with the liquid crystal capacitor Clc.
설명의 편의를 위해 별도의 스토리지 라인(STL1,,)이 구비되는 스토리지 온 컴온(Storage on common) 방식을 도시하였다.For convenience of description, a storage on common method in which a separate storage line STL1 is provided is illustrated.
그리고, 상기 액정패널(2)의 일 가장자리에는 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)을 구동하기 위한 게이트 드라이버 IC(4)가 위치하며, 이와 인접한 다른 가장자리에는 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)을 구동하기 위한 데이터 드라이버 IC(6)가 위치한다.In addition, a gate driver IC 4 for driving a plurality of gate lines GL1 to GLn is positioned at one edge of the
상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 평행하게 배열된 스토리지 라인(STL1,,)이 상기 액정패널(2) 상에 형성된다. 상기 스토리지 라인(STL1,,)은 상기 데이터 드라이버 IC(6)의 하나의 출력패드와 전기적으로 연결된다.Storage lines STL1 and, arranged in parallel with the plurality of gate lines GL1 to GLn, are formed on the
상기 데이터 드라이버 IC(6)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)은 액정표시장치의 공정상 특징으로 전기적으로 연결되어 있다. The
상기 박막트랜지스터(TFT)는 앞서 서술한 바와 같이, 폴리 실리콘으로 형성되어 소자의 특성상 오프 전류(off-current)가 증가한다.As described above, the thin film transistor TFT is formed of polysilicon to increase off-current due to characteristics of the device.
상기 오프 전류(off-current)의 증가를 억제하기 위해서 상기 액정패널(2)의 외부에는 오프-스트레스 전압 생성부(8)가 위치한다. In order to suppress an increase in the off-current, an off-
상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off-current)를 감소시키기 위해 상기 오프-스트레스 전압 생성부(8)는 오프-스트레스 전압을 생성하여 상기 액정패널(2) 상에 스토리지 라인(STL1)으로 공급한다. In order to reduce off-current of the TFT, the off-
이때, 상기 스토리지 라인(STL1)은 상기 데이터 드라이버 IC(6)와 전기적으로 연결되어 있으므로, 상기 오프-스트레스 전압 생성부(8)로부터 공급된 오프-스트레스 전압이 상기 스토리지 라인(STL1) 뿐만 아니라, 상기 데이터 드라이버 IC(6)로도 공급된다. In this case, since the storage line STL1 is electrically connected to the
상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off-current)는 상기 액정표시장치가 구동되면 지속적으로 증가하기 때문에 상기 오프 전류(off-current)를 감소시키기 위해서는 상기 오프-스트레스 전압을 상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 공급하게 된다. Since the off-current of the thin film transistor TFT increases continuously when the liquid crystal display is driven, the off-stress voltage is applied to the storage line STL1 in order to reduce the off-current. ,,).
상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 상기 오프-스트레스 전압이 지속적으로 공급되면 될수록 상기 데이터 드라이버 IC(6)로도 상기 오프-스트레스 전압이 지속적으로 공급된다. 이로인해, 상기 데이터 드라이버 IC(6)는 지속적으로 공급되는 오프-스트레스 전압에 의해 영향을 받아 오동작을 하는 등의 문제가 발생할 수 있다.As the off-stress voltage is continuously supplied to the storage line STL1,, the off-stress voltage is continuously supplied to the
본 발명은 드라이버 IC에 영향을 주지 않고 박막트랜지스터에 오프-스트레스 전압을 인가할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of applying an off-stress voltage to a thin film transistor without affecting the driver IC.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 액정패널과, 상기 액정패널을 구동하는 드라이버 IC와, 상기 액정패널의 게이트라인과 평행하게 배열된 스토리지 라인와, 상기 스토리지 라인으로 오프-스트레스 전압을 공급하는 오프-스트레스 전압 생성부와, 상기 드라이버 IC의 상기 스토리지 라인 사이에 형성된 스위치 및 상기 스위치를 제어하는 스위치 제어신호를 생성하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, a liquid crystal display device includes a liquid crystal panel, a driver IC for driving the liquid crystal panel, a storage line arranged in parallel with a gate line of the liquid crystal panel, and an off-stress voltage to the storage line. And a controller configured to supply an off-stress voltage generation unit, a switch formed between the storage line of the driver IC, and a switch control signal for controlling the switch.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a liquid crystal display device according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열된 액정패널(102)과, 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)을 구동하기 위한 게이트 드라이버 IC(104)와, 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)을 구동하기 위한 데이터 드라이버 IC(106)를 포함한다. As shown in FIG. 2, the liquid crystal display according to the present invention includes a
또한, 본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)의 교차부에 형성된 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off current)를 감소시키기 위해 오프-스트레스 전압을 생성하는 오프-스트레스 전압 생성부(108)와, 상기 액정패널(102) 상에 형성된 스위치부(112)를 제어하는 스위치 제어부(110)를 포함한다.In addition, the liquid crystal display according to the present invention reduces the off current of the thin film transistor TFT formed at the intersection of the plurality of gate lines GL1 to GLn and the plurality of data lines DL1 to DLm. And an off-
상기 오프-스트레스 전압은 상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off current)를 감소시키기 위한 전압으로 이는 널리 공지된 기술이므로 이에 대한 설명은 간략하게 한다.The off-stress voltage is a voltage for reducing the off current of the thin film transistor TFT, which is a well-known technique.
상기 액정패널(102)은 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열된 제 1 기판과, 적색, 녹색, 청색의 컬러필터를 구비한 제 2 기판과, 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어진다. The
상기 액정패널(102)에는 복수의 화소영역(P)을 정의하는 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 배열되어 있고, 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 평행하여 형성된 스토리지 라인(STL1,,)이 배열되어 있다. The
상기 스토리지 라인(STL1,,)은 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 동일한 재질로 이루어지며, 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)과 동일 공정을 통해 형성된다. The storage lines STL1 and are made of the same material as the gate lines GL1 to GLn and are formed through the same process as the gate lines GL1 to GLn.
상기 스토리지 라인(STL1,,)은 상기 액정패널(102) 상에 형성된 스위치부(112)에 의해 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 전기적으로 연결되어 있다. The storage line STL1 may be electrically connected to the data driver IC 106 by a
상기 스위치부(112)에 대한 상세한 설명은 도 3 및 도 4를 통해서 후술하기로 한다. A detailed description of the
상기 게이트 드라이버 IC(104)는 상기 액정패널(102)에 외부에 위치하는 타이밍 컨트롤러(미도시)로부터 공급된 게이트 제어신호에 따라 상기 복수의 게이트라인(GL1 ~ GLn)에 게이트 스캔신호 즉, 게이트 하이 전압(VGH) 및 게이트 로우 전압(VGL)을 순차적으로 공급한다. The gate driver IC 104 may include a gate scan signal, that is, a gate, on the plurality of gate lines GL1 to GLn according to a gate control signal supplied from a timing controller (not shown) located outside the
상기 데이터 드라이버 IC(106)는 상기 타이밍 컨트롤러로부터 공급된 데이터 전압을 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)으로 공급한다. 또한, 상기 데이터 드라이버 IC(106)의 하나의 출력 패드는 상기 스위치부(112)를 통해 상기 스토리지 라인(STL1,,)과 전기적으로 연결되거나 연결되지 않을 수 있다. The data driver IC 106 supplies the data voltage supplied from the timing controller to the plurality of data lines DL1 to DLm. In addition, one output pad of the data driver IC 106 may or may not be electrically connected to the storage line STL1 through the
상기 박막트랜지스터(TFT)는 액티브층과 게이트 전극, 소스 전극 그리고 드레인 전극으로 구성되어 있으며, 상기 액티브층은 채널이 형성되는 곳으로 박막트랜지스터의 특성을 좌우한다.The thin film transistor TFT is composed of an active layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and the active layer is a channel where the characteristics of the thin film transistor are determined.
상기 스위치 제어부(110)는 상기 타이밍 컨트롤러(미도시)로부터 공급된 수평동기신호를 이용해서 상기 액정패널(102) 상에 형성된 스위치부(112)를 제어하는 스위치 제어신호를 생성한다. The
즉, 상기 스위치 제어부(110)는 상기 수평동기신호의 하이(High) 구간동안 제 1 레벨의 스위치 제어신호를 생성하고 상기 수평동기신호의 로우(Low) 구간동안 제 2 레벨의 스위치 제어신호를 생성한다. 상기 스위치 제어부(110)에서 생성된 제 1 및 제 2 레벨의 스위치 제어신호는 상기 스위치부(112)로 공급된다. That is, the
또한, 상기 스위치 제어부(110)는 상기 타이밍 컨트롤러(미도시)로부터 공급된 데이터 이네이블(DE) 신호를 이용해서 상기 액정패널(102) 상에 형성된 스위치부(112)를제어하는 스위치 제어신호를 생성한다. In addition, the
상기 스위치부(112)는 상기 제 1 레벨의 스위치 제어신호에 의해 온(on)되고, 상기 제 2 레벨의 스위치 제어신호에 의해 오프(off) 된다. The
이때, 상기 수평동기신호의 하이(High) 구간은 정확히 하면, 상기 액정패널(102)에 배열된 게이트라인(GL1 ~ GLn)이 온(on) 되는 구간을 의미하고, 상기 수평동기신호의 로우(Low) 구간은 상기 게이트라인(GL1 ~ GLn)이 오프(off) 되는 구간을 의미한다. In this case, if the high section of the horizontal synchronization signal is correct, it means a section in which the gate lines GL1 to GLn arranged in the
또한, 상기 수평동기신호의 하이(High) 구간은 상기 액정패널(102) 상에 배열된 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 온(on) 되는 구간이고 상기 수평동기신호의 로우(Low) 구간은 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 오프(off) 되는 구간을 의미한다. In addition, the high section of the horizontal synchronization signal is a section in which a plurality of data lines DL1 to DLm arranged on the
따라서, 상기 스위치부(112)로 제 1 레벨의 스위치 제어신호가 공급되는 것은 상기 복수의 데이터라인(DL1 ~ DLm)이 온(on) 되는 것을 의미하고, 상기 스위치부(112)로 제 2 레벨의 스위치 제어신호가 공급되는 것은 상기 복수의 데이터라 인(DL1 ~ DLm)이 오프(off) 되는 것을 의미한다. Therefore, supply of the first level switch control signal to the
상기 스위치부(112)로 상기 제 1 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 스위치부(112)는 온(on)되고 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)이 전기적으로 연결된다. When the switch control signal of the first level is supplied to the
이때, 상기 데이터 드라이버 IC(106)가 구동되는 동안은 상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 오프-스트레스 전압을 공급하지 않는다. At this time, the off-stress voltage is not supplied to the storage line STL1, while the
상기 스위치부(112)로 상기 제 2 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 스위치부(112)는 오프(off)되고 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)은 전기적으로 연결되지 않는다. When the switch control signal of the second level is supplied to the
결국, 상기 오프-스트레스 전압 생성부(108)는 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)이 전기적으로 연결되지 않을때 오프-스트레스 전압을 상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 공급한다. As a result, the off-
상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 공급된 오프-스트레스 전압에 의해 상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off current)를 감소시킬 수 있다. The off current of the thin film transistor TFT may be reduced by the off-stress voltage supplied to the storage line STL1.
결국, 상기 데이터 드라이버 IC(106)가 구동되지 않을때에 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,) 사이에 위치하는 스위치부(112)가 오프(off) 상태가 되어 상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 오프-스트레스 전압이 공급된다. As a result, when the
이로인해, 상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off current)를 감소시킬 수 있다. As a result, the off current of the thin film transistor TFT may be reduced.
이때, 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)은 칩 온 글라스(COG) 형태의 액정표시장치에 있어서 공정상의 특징으로 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 상기 데이터 드라이버 IC(106)가 구동되는 동안에는 상기 스토리지 라인(STL1,,)과 상기 데이터 드라이버 IC(106)는 전기적으로 연결되어야 한다. In this case, the
이러한 특성으로 인해 상기 데이터 드라이버 IC(106)가 구동되지 않는 동안에 상기 스위치부(112)를 이용해서 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)이 전기적으로 연결되지 않도록 하여 상기 박막트랜지스터(TFT)의 오프 전류(off current)를 감소시킬 수 있다. Due to this characteristic, the thin film is prevented from being electrically connected to the
상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 오프-스트레스 전압을 공급할때 상기 데이터 드라이버 IC(106)는 상기 스토리지 라인(STL1,,)과 전기적으로 연결되지 않아서 상기 스토리지 라인(STL1,,)으로 오프-스트레스 전압을 공급할때 영향을 받지 않는다. 따라서, 상기 데이터 드라이버 IC(106)의 신뢰성이 종래의 액정표시장치에 비해 향상될 수 있다. When supplying the off-stress voltage to the storage line STL1 ,, the
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스위치를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a switch according to the first embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 스위치부(112)는 트랜지스터(T)로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 트랜지스터(T)는 게이트 단자(G)와 소스 및 드레인 단자(S, D)로 이루어진다. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the
상기 게이트 단자(G)는 상기 스위치 제어부(110)와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 소스 단자(S)는 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 드레인 단자(D)는 상기 스토리지 라인(STL1,,)과 전기적으로 연결되어 있 다. The gate terminal G is electrically connected to the
상기 게이트 단자(G)로 상기 스위치 제어부(110)로부터 제 1 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 게이트 단자(G)는 온(on) 되어 상기 소스 단자(S)와 상기 드레인 단자(D)는 전기적으로 연결된다. When the switch control signal of the first level is supplied from the
즉, 상기 게이트 단자(G)로 상기 제 1 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 소스 단자(S)와 상기 드레인 단자(D) 사이에는 전류가 흐르게 되어 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)이 전기적으로 연결된다. That is, when the switch control signal of the first level is supplied to the gate terminal G, a current flows between the source terminal S and the drain terminal D, so that the
상기 게이트 단자(G)로 상기 스위치 제어부(110)로부터 제 2 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 게이트 단자(G)는 오프(off) 되어 상기 소스 단자(S)와 상기 드레인 단자(D)는 전기적으로 연결되지 않는다. When the switch control signal of the second level is supplied from the
즉, 상기 게이트 단자(G)로 상기 제 2 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 소스 단자(S)와 상기 드레인 단자(D) 사이에는 전류가 흐르지 않게 되어 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,)은 전기적으로 연결되지 않는다. That is, when the switch control signal of the second level is supplied to the gate terminal G, no current flows between the source terminal S and the drain terminal D, so that the
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스위치를 나타낸 도면이다. 4 is a view showing a switch according to a second embodiment of the present invention.
도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 스위치부(112)는 하나의 스위치(sw)로 이루어질 수 있다. 상기 스위치(sw)의 일측은 상기 데이터 드라이버 IC(106)가 전기적으로 연결되어 있고, 상기 스위치(sw)의 타측은 상기 스토리지 라인(STL1,,)과 전기적으로 연결되어 있다. As illustrated in FIGS. 2 and 4, the
즉, 상기 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스토리지 라인(STL1,,) 사이에는 상기 스위치(sw)가 위치하여 상기 스위치 제어부(110)로부터 공급된 스위치 제어신호에 따라 전기적으로 연결되거나 혹은 전기적으로 연결되지 않게 된다. That is, the switch sw is positioned between the
상기 스위치(sw)로 상기 스위치 제어부(110)로부터 제 1 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 스위치(sw)는 온(on)된다. When the switch control signal of the first level is supplied from the
이러한 경우, 상기 스위치(sw)의 일측에 연결된 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스위치(sw)의 타측에 연결된 스토리지 라인(STL1,,)은 상기 온(on) 된 스위치(sw)에 의해 전기적으로 연결된다. In this case, the
상기 스위치(sw)로 상기 스위치 제어부(110)로부터 제 2 레벨의 스위치 제어신호가 공급되면 상기 스위치(sw)는 오프(off) 된다. When the switch control signal of the second level is supplied from the
이러한 경우, 상기 스위치(sw)의 일측에 연결된 데이터 드라이버 IC(106)와 상기 스위치(sw)의 타측에 연결된 스토리지 라인(STL1,,)은 상기 오프(off) 된 스위치(sw)에 전기적으로 연결되지 않는다. In this case, the
결국, 상기 스위치부(112)는 앞서 서술한 바와 같이, 트랜지스터(T)와 스위치(sw) 뿐만 아니라, 다이오드를 비롯해서 스위치 기능을 하는 모든 스위치 소자로 대체할 수 있다.As a result, as described above, the
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 스토리지 라인과 데이터 드라이버 IC 사이에 스위치부를 구비함으로써, 상기 데이터 드라이버 IC가 구동되는 동안에는 상기 스토리지 라인으로 공급되는 오프-스트레스 전압에 영향을 받지 않도록 할 수 있다. As described above, the liquid crystal display according to the present invention includes a switch unit between the storage line and the data driver IC so that the LCD driver is not affected by the off-stress voltage supplied to the storage line while the data driver IC is being driven. can do.
또한, 본 발명에 따른 액정표시장치는 상기 데이터 드라이버 IC가 오프-스트레스 전압에 영향을 받지 않으므로 상기 데이터 드라이버 IC의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, the liquid crystal display according to the present invention can improve the reliability of the data driver IC since the data driver IC is not affected by the off-stress voltage.
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KR1020060057519A KR101245879B1 (en) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | Liquid crystal display device |
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Family Applications (1)
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KR19990011727A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-18 | 윤종용 | Driving device of thin film transistor liquid crystal display |
KR20040078847A (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Display panel for reduction leakage current and bias aging method thereof |
-
2006
- 2006-06-26 KR KR1020060057519A patent/KR101245879B1/en active IP Right Grant
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KR19990011727A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-18 | 윤종용 | Driving device of thin film transistor liquid crystal display |
KR20040078847A (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Display panel for reduction leakage current and bias aging method thereof |
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