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KR101194697B1 - Decive for cleaning buffer zone in wet station - Google Patents

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KR101194697B1
KR101194697B1 KR1020060101353A KR20060101353A KR101194697B1 KR 101194697 B1 KR101194697 B1 KR 101194697B1 KR 1020060101353 A KR1020060101353 A KR 1020060101353A KR 20060101353 A KR20060101353 A KR 20060101353A KR 101194697 B1 KR101194697 B1 KR 101194697B1
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cleaning
wet
substrate
zone
housing
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Inventor
이태우
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주식회사 케이씨텍
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

본 발명은 습식세정장비의 버퍼존 세정장치에 관한 것으로, 기판을 습식처리하는 습식세정존과 상기 습식세정존으로 투입될 기판이 대기하는 버퍼존을 포함하는 습식세정장비에 있어서, 상기 버퍼존에 설치되어 복수의 기판을 내부에 수납하는 하우징과, 상기 하우징 내부에 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지대와, 상기 하우징 내부 및 상기 기판지지대를 세정처리하는 세정기재를 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 버퍼존 내부가 청결한 상태를 유지하므로 버퍼존 내부에서 기판 오염이 방지되어 전체 기판 세정효율을 월등하게 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a buffer zone cleaning apparatus for wet cleaning equipment, comprising: a wet cleaning zone for wet treating a substrate and a buffer zone for waiting for a substrate to be introduced into the wet cleaning zone, wherein the buffer zone includes: A buffer of the wet cleaning equipment, comprising: a housing provided to receive the plurality of substrates therein; a substrate support provided in the housing to support the plurality of substrates; and a cleaning material to clean the interior of the housing and the substrate support. Provide zone cleaning device. According to the present invention, since the inside of the buffer zone is kept clean, substrate contamination is prevented in the buffer zone, thereby improving the overall substrate cleaning efficiency.

습식세정, 버퍼존, 습식세정존, 기판, 세정기재 Wet cleaning, buffer zones, wet cleaning zones, substrates, cleaning materials

Description

습식세정장비의 버퍼존 세정장치{Decive for cleaning buffer zone in wet station}Buffer zone cleaning device for wet cleaning equipment {Decive for cleaning buffer zone in wet station}

도 1은 종래 습식세정장비를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a conventional wet cleaning equipment.

도 2는 본 발명에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 개략적으로 나타낸 일실시 평면구성도이다.Figure 2 is a schematic plan view showing an embodiment of the buffer zone cleaning apparatus of the wet cleaning equipment according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 개략적으로 나타낸 일실시 사시구성도이다.Figure 3 is a schematic perspective view showing an embodiment of a buffer zone cleaning apparatus for wet cleaning equipment according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 개략적으로 나타낸 일실시 측단면구성도이다.Figure 4 is a side cross-sectional view schematically showing a buffer zone cleaning apparatus of the wet cleaning equipment according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

100 : 하우징 110 : 기판지지대100 housing 110 substrate support

120 : 드레인포트 200 : 세정기재120: drain port 200: cleaning substrate

210 : 분사수단 211 : 습식노즐210: injection means 211: wet nozzle

212 : 건식노즐 220 : 주행수단212: dry nozzle 220: driving means

221 : 가이드 222 : 슬라이더221: Guide 222: Slider

900 : 약액공급존 910 : 척크리너900: chemical supply zone 910: chuck cleaner

920 : 버퍼존 930 : 습식세정존920: buffer zone 930: wet cleaning zone

본 발명은 습식세정장비의 버퍼존 세정장치에 관한 것으로, 특히 약액에 의해 습식처리될 기판의 대기장소인 버퍼존을 세정하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a buffer zone cleaning apparatus for wet cleaning equipment, and more particularly, to a buffer zone cleaning apparatus for wet cleaning equipment for cleaning a buffer zone which is an atmosphere of a substrate to be wet treated with a chemical liquid.

일반적으로 반도체 장치의 제조를 위해 사용되는 반도체 기판 예컨데 실리콘 웨이퍼는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기물 등에 의해 오염되어 제품의 수율이나 신뢰성이 심각하게 저하될 수 있으므로, 반도체 장치의 제조공정에서는 반도체 기판에 부착된 상기한 오염물질을 제거해 내는 세정공정이 수행된다.In general, a semiconductor substrate used for manufacturing a semiconductor device, for example, a silicon wafer may be contaminated by various particles, metal impurities, organic matters, and so on, so that the yield and reliability of a product may be seriously degraded. A cleaning process is performed to remove the above contaminants.

특히, 반도체 장치 회로 패턴의 디자인 룰이 미세화됨에 따라 이러한 오염물질을 제거해 내는 세정공정이 더욱 중요시 되고 있다. 이와 같이 반도체 기판을 세정하는 방법에는 플라즈마 처리나 자외선 조사 등에 의한 건식(Dry)세정방식과, 세정액을 사용하는 습식(Wet)세정방식이 제안된 바 있다. In particular, as the design rule of the semiconductor device circuit pattern is refined, the cleaning process for removing such contaminants becomes more important. As such a method of cleaning a semiconductor substrate, a dry cleaning method by plasma treatment or ultraviolet irradiation, and a wet cleaning method using a cleaning solution have been proposed.

상기 건식세정방식은 기판에 대한 세정균일성이 우수하고, 오염물질의 재부착 가능성이 적으며, 다른 건식 프로세스와의 연속화 가능하다는 등의 장점을 가지고 있다. The dry cleaning method has advantages such as excellent uniformity for cleaning the substrate, less potential for reattachment of contaminants, and continuity with other dry processes.

그러나 상기 건식세정방식은 다량의 오염물질 제거에 적합하지 않고, 파티클 제거에 유리하지 못하며, 2차 오염의 염려를 완전히 불식할 수 없는 등의 한계를 갖는다.However, the dry cleaning method is not suitable for removing a large amount of contaminants, is not advantageous for removing particles, and has limitations such as not being able to completely eliminate the fear of secondary pollution.

또한 상기 건식세정방식은 공정처리 후에도 습식세정공정이나 순수를 이용한 린스처리공정 등을 재차 수행하여야 하는 상황 등이 발생될 수 있다는 불편함이 있다.In addition, the dry cleaning method is inconvenient that a situation such as a wet cleaning process or a rinse treatment process using pure water may be performed again after the process treatment.

이에 반해, 습식세정방식은 장치비용이 저렴하면서도 처리량이 우수하며, 여러 종류의 오염을 동시에 제거 가능하고, 설치방식에 따라 배치 처리나 전후면 동시 세정도 가능하다는 등의 이점을 가지고 있으므로 현재 반도체 프로세스에서 주류를 이루고 있다. On the other hand, the wet cleaning method is a semiconductor process because it has the advantages of low equipment cost and excellent throughput, simultaneous removal of various kinds of contamination, and simultaneous batch and front and rear cleaning depending on the installation method. In the mainstream.

특히, 반도체 기판에 비해 통상 5배 이상 큰 디자인 룰이 적용되는 축소투영 노광용의 포토마스크 기판의 세정에 있어서는 상기의 습식세정방식이 주로 채택되고 있다.In particular, in the cleaning of the photomask substrate for reduction projection exposure to which the design rule is generally applied five times or more larger than that of the semiconductor substrate, the above-described wet cleaning method is mainly adopted.

도 1은 종래 습식세정장비를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a conventional wet cleaning equipment.

도 1을 참조하면, 종래 습식세정장비는 예컨데 기판이 로딩되는 로딩부(11)와 기판이 언로딩되는 언로딩부(12)가 각각 구비되는 프런트 타입(front type)장비이며, 일측에 상기 로딩부(11)가 설치되고 타측에 상기 언로딩부(12)가 설치되어 로딩부(11)와 언로딩부(12)의 사이 구간에 습식처리진행방향을 복수의 습식세정존(23 내지 28)과, 상기 습식세정존(23 내지 28)의 배면측에 설치되어 습식세정을 위한 약액을 공급하는 약액공급존(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the conventional wet cleaning equipment is a front type device having, for example, a loading unit 11 on which a substrate is loaded and an unloading unit 12 on which a substrate is unloaded. A part 11 is installed and the unloading part 12 is installed on the other side, and a plurality of wet cleaning zones 23 to 28 provide a wet process progressing direction in a section between the loading part 11 and the unloading part 12. And a chemical liquid supply zone 20 installed at the rear side of the wet cleaning zones 23 to 28 to supply the chemical liquid for wet cleaning.

일례로 로딩부(11)에는 예컨데 25장 단위의 기판이 기수납되어 있는 풉(F; foub)이 로딩되고, 풉(F) 내부의 기판은 로딩부(11) 내의 다양한 반출수단(미도시) 에 의해 풉(F) 외부로 반출되어 예컨데 50장 단위로 기판반송로봇(30)에 파지되며, 풉(F)은 세정완료된 해당 기판을 다시 수납하도록 언로딩부(12)로 이송된다.For example, a load F (foub), in which 25 sheets of substrates are pre-loaded, is loaded on the loading part 11, and the substrate inside the pull F is loaded in various loading means (not shown) in the loading part 11. It is carried out to the outside of the pull (F) by, for example, is gripped by the substrate transport robot 30 in units of 50, the pull (F) is transferred to the unloading unit 12 to receive the cleaned substrate again.

이처럼 50장의 기판을 1단위로 하는 기판군이 기판반송로봇(30)에 파지된 상태에서 습식세정존(23 내지 28)에 각각 딥핑(deeping)되는 방식으로 순차 습식세정처리되며, 최종적으로 언로딩부(12)로 이송된다. As described above, the substrate group having 50 substrates as one unit is sequentially wet-cleaned by dipping in the wet cleaning zones 23 to 28 in the state of being held by the substrate transfer robot 30, and finally unloading. It is conveyed to the part 12.

일례로 상기 습식세정존(23 내지 28)은 각각 다양한 종류의 세정액을 저장하여 기판을 해당 세정액으로 습식세정처리하거나 린스처리할 수 있다.For example, the wet cleaning zones 23 to 28 may store various types of cleaning solutions, respectively, and wet or rinse the substrate with the cleaning solution.

기판이 반출된 풉(F)은 별도의 반송로를 통하여 언로딩부(12)로 이송되어 대기상태에 있으며 습식세정처리된 해당 기판군이 언로딩부(12)로 이송되면 언로딩부(12) 내의 다양한 수납수단(미도시)에 의해 수납된다.When the substrate F is taken out, the F is transferred to the unloading unit 12 through a separate conveying path and is in a standby state, and when the wet-cleaned substrate group is transferred to the unloading unit 12, the unloading unit 12 Is accommodated by various storage means (not shown) in

한편 습식세정존(28)과 언로딩부(12)의 사이에는 기판을 최종 건식처리하는 드라이존(29)을 포함할 수 있으며, 로딩부(11)와 습식세정존(23)의 사이에는 처리율(throughput)향상을 위해 적어도 1단위의 기판군이 대기할 수 있는 버퍼존(21)과 기판반송로봇(30)의 세척을 위한 척크리너(22)가 구비된다.On the other hand, between the wet cleaning zone 28 and the unloading portion 12 may include a dry zone 29 for the final dry processing of the substrate, the loading rate between the loading portion 11 and the wet cleaning zone (23) A buffer zone 21 for waiting at least one unit of substrate for improvement and a chuck cleaner 22 for cleaning the substrate transfer robot 30 are provided.

이러한 버퍼존(21)은 습식세정존(23 내지 28)과는 달리 기판이 대기하고 있는 장소임에도 불구하고 별도의 세정장치가 구비되지 않았다.Unlike the wet cleaning zones 23 to 28, the buffer zone 21 is not provided with a separate cleaning device even though it is a place where the substrate is waiting.

따라서 버퍼존(21)은 습식세정존(23 내지 28)에서 발생되는 흄(fume)이 습식세정존(23 내지 28)의 덮개(미도시) 개폐시 비산되어 유입될 수 있고, 습식세정존(23 내지 28)을 왕복하는 기판반송로봇(30)에서 파티클 등이 전이될 수도 있으며, 이와 같이 흄 및 파티클 등의 오염물질에 의해 그 내부가 오염된 상태에서 기 판이 수납되면 기판도 함께 오염될 수 있다는 문제점이 있었다.Therefore, the buffer zone 21 may be introduced by the fume generated in the wet clean zones 23 to 28 when the cover (not shown) of the wet clean zones 23 to 28 is opened and closed, and the wet clean zone ( Particles and the like may be transferred from the substrate transport robot 30 reciprocating 23 to 28, and the substrate may be contaminated together when the substrate is stored in a state in which the inside is contaminated by contaminants such as fumes and particles. There was a problem.

더욱이 버퍼존(21)은 그 내부에 기판 검출용 수,발광센서(미도시)가 설치되는데, 오염물질이 상기 수,발광센서를 정화시키기 위한 질소가스에 의해 기화되어 오염정도가 더욱 심화될 수 있는 문제점이 있었다.In addition, the buffer zone 21 has a water for detecting a substrate and a light emitting sensor (not shown) installed therein. The pollutants may be vaporized by nitrogen gas for purifying the water and the light emitting sensor, thereby further increasing the degree of contamination. There was a problem.

이와 같이, 버퍼존(21)이 오염되고 오염물질이 기화되어 다른 전장부위로 확산되면 장비의 노후화를 촉진시키는 단점이 있었다.As such, when the buffer zone 21 is contaminated and contaminants are vaporized and diffused to other electric field parts, there is a disadvantage of promoting aging of the equipment.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은, 기판이 대기하는 버퍼존 내부를 세정하여 기판 오염원인을 미연에 방지하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a buffer zone cleaning apparatus for wet cleaning equipment that cleans the inside of a buffer zone in which a substrate is waiting to prevent the cause of substrate contamination.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 복수의 습식세정존과, 상기 습식세정존으로 투입될 기판이 대기하는 버퍼존과, 상기 습식세정존으로 약액을 공급하는 약액공급존을 포함하는 습식세정장비에 있어서, 상기 버퍼존에 설치되어 복수의 기판을 내부에 수납하는 하우징과, 상기 하우징 내에서 복수의 기판을 지지하는 기판지지대와, 상기 하우징 내부를 주행하며 상기 기판지지대 및 상기 하우징 내부를 세정처리하는 세정기재를 포함한다.The present invention for achieving the above object, a wet type comprising a plurality of wet cleaning zones, a buffer zone for the substrate to be put into the wet cleaning zone, and a chemical liquid supply zone for supplying the chemical liquid to the wet cleaning zone. A cleaning apparatus comprising: a housing installed in the buffer zone to receive a plurality of substrates therein; a substrate support for supporting the plurality of substrates in the housing; and a substrate support and the inside of the housing while traveling inside the housing. And a cleaning substrate to be cleaned.

상기 세정기재는 상기 하우징 내부 및 상기 기판지지대에 세정처리용 유체를 분사하는 분사수단과, 상기 분사수단을 상기 하우징 내부에서 주행시키는 주행수단을 포함한다.The cleaning substrate includes injection means for injecting a cleaning fluid into the housing and the substrate support, and driving means for driving the injection means within the housing.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예을 상세하게 설명한다. 그러나 이하의 실시 예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며 , 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is limited to the embodiments described below. It is not. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 개략적으로 나타낸 일실시 평면구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 개략적으로 나타낸 일실시 사시구성도이며, 도 4는 본 발명에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치를 개략적으로 나타낸 일실시 측단면구성도이다.Figure 2 is a plan view showing one embodiment of the buffer zone cleaning device of the wet cleaning equipment according to the present invention, Figure 3 is a perspective view of one embodiment schematically showing the buffer zone cleaning device of the wet cleaning equipment according to the present invention Figure 4 is a side cross-sectional view schematically showing an embodiment of the buffer zone cleaning apparatus of the wet cleaning equipment according to the present invention.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 습식세정장비의 버퍼존 세정장치는 버퍼존(920)에 설치되어 복수의 기판을 내부에 수납하는 하우징(100)과, 상기 하우징(100) 내부에 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지대(110)와, 상기 하우징(100) 내부 및 상기 기판지지대(110)를 세정처리하는 세정기재(200)를 포함한다.2 to 4, the buffer zone cleaning apparatus of the wet cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention is installed in the buffer zone 920 and the housing 100 for receiving a plurality of substrates therein, and And a substrate support 110 installed in the housing 100 to support a plurality of substrates, and a cleaning substrate 200 for cleaning the interior of the housing 100 and the substrate support 110.

종래 기술에서 상술한 바와 같이, 상기 버퍼존(920)은 척크리너(910)와 습식세정존(930)의 사이에 설치될 수 있고, 상기 습식세정존(930)은 약액을 공급받도록 그 후방으로 약액공급존(900)이 더 설치될 수 있다.As described above in the related art, the buffer zone 920 may be installed between the chuck cleaner 910 and the wet cleaning zone 930, and the wet cleaning zone 930 may be rearward to receive the chemical liquid. The chemical supply zone 900 may be further installed.

상기 하우징(100)은 버퍼존(920)에 설치되는 구성부품으로 상면이 개구된 형태로 내부에 기판이 수납될 공간부가 형성된다. 이러한 하우징(100)의 내부 공간부 에는 예컨데 기판이 수직지지될 수 있도록 기판지지대(110)가 설치되고, 이러한 기판지지대(110)는 수매 내지 수십매 기판을 1단위로 하여 수직지지할 수 있다.The housing 100 is a component that is installed in the buffer zone 920 and has a space in which an upper surface thereof is opened to accommodate a substrate therein. For example, the substrate support 110 may be installed in the internal space of the housing 100 so that the substrate may be vertically supported, and the substrate support 110 may vertically support the substrate by several units.

일례로 기판지지대(110)는 기판을 페이스 투 페이스(face to face) 방식 즉 2매 1조 한쌍의 기판이 패턴 형성면이 상호 마주보도록 교번하여 배치되는 방식으로 1단위의 기판을 수직지지한다.For example, the substrate support 110 vertically supports one unit of the substrate in a face-to-face manner, that is, a pair of two substrates are alternately arranged so that the pattern forming surfaces face each other.

이와 같은 기판지지대(110) 및 하우징(100)에 오염물질이 포함될 경우 버퍼존(920) 내로 진입하여 대기하는 기판에 오염원이 전이될 수 있다. 따라서 본 일실시예에서는 하우징(100) 및 기판지지대(110)의 오염물질을 제거하는 세정기재(200)가 구비된다.When contaminants are included in the substrate support 110 and the housing 100, the contaminant may be transferred to the substrate waiting to enter the buffer zone 920. Therefore, in the present embodiment, a cleaning substrate 200 for removing contaminants of the housing 100 and the substrate support 110 is provided.

상기에서, 세정기재(200)는 하우징(100) 내부 및 기판지지대(110)에 세정처리용 유체를 분사하는 분사수단(210)과, 상기 분사수단(210)을 하우징(100) 내부에서 주행시키는 주행수단(220)을 포함하는 것이 바람직하다.In the above, the cleaning substrate 200 is the injection means 210 for injecting the cleaning fluid to the interior of the housing 100 and the substrate support 110, and the injection means 210 to run in the housing 100 It is preferable to include the driving means 220.

따라서 기판지지대(110) 및 하우징(100)은 세정처리용 유체에 의해 세정처리되고, 특히 분사수단(210)은 하우징(100) 내부를 주행하며 유체를 분사하므로 하징(100) 내부 및 기판지지대(110)의 각 부위가 빠짐없이 세정될 수 있다는 장점이 있다.Therefore, the substrate support 110 and the housing 100 are cleaned by a cleaning fluid, and in particular, the injection means 210 travels inside the housing 100 and injects fluid, so the inside of the housing 100 and the substrate support ( Each portion of 110) has the advantage that it can be cleaned without omission.

상기에서, 분사수단(210)은 세정용 액체를 분사하는 습식노즐(211)과, 건조용 기체를 분사하는 건식노즐(212)을 포함하는 것이 바람직하다.In the above, the injection means 210 preferably comprises a wet nozzle 211 for injecting a cleaning liquid, and a dry nozzle 212 for injecting a drying gas.

일례로 습식노즐(211)은 탈이온수(deionized water) 또는 순수(pure water) 등의 세정용 액체를 분사하고, 건식노즐(212)은 질소가스(N2 gas) 등의 세정용 기체를 분사하는 것이 더욱 바람직하다.For example, the wet nozzle 211 injects a cleaning liquid such as deionized water or pure water, and the dry nozzle 212 injects a cleaning gas such as nitrogen gas (N 2 gas). More preferred.

따라서 하우징(100) 내부 및 기판지지대(110)는 습식노즐(211)에 의해 습식세정처리될 수 있으며, 습식세정처리가 완료된 후 건조노즐에 의해 건조처리가 수행되어 잔류 세정액이 신속히 제거되므로, 세정에 소요되는 시간이 대폭 단축될 수 있다는 장점이 있다.Therefore, the inside of the housing 100 and the substrate support 110 may be wet-cleaned by the wet nozzle 211. After the wet-cleaning process is completed, the drying process is performed by the dry nozzle to quickly remove the residual cleaning liquid. There is an advantage that the time required for can be significantly shortened.

한편, 본 일실시예에서는 분사수단(210)이 습식노즐(211)과 건식노즐(212)이 각각 구비되는 것을 예시하였지만, 분사수단(210)이 단일의 노즐을 포함하고 상기 노즐에 세정용 액체만을 공급하여 분사하거나 세정용 기체만을 공급하여 분사하도록 구성할 수 있음은 물론이다. 더욱이 상기 노즐에 공급유체의 종류를 전환공급하는 방식 예컨데 세정용 액체를 공급하여 분사한 후 세정용 기체를 공급하여 분사하도록 구성하는 것도 고려될 수 있음은 물론이다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, the injection means 210 is provided with the wet nozzle 211 and the dry nozzle 212, respectively, but the injection means 210 includes a single nozzle and the cleaning liquid is disposed on the nozzle. Of course, it can be configured to supply only the injection or to supply only the cleaning gas for injection. In addition, the method of switching and supplying the type of supply fluid to the nozzle, for example, may be considered to be configured to supply and spray the cleaning gas after supplying and spraying the cleaning liquid.

이와 같이, 분사수단(210)은 단일의 상기 노즐에 세정용 액체나 건조용 기체를 상호 전환공급하여 교대로 분사함으로써 장비를 더욱 간소화 시킬 수 있는 장점이 있다. As such, the injection means 210 has an advantage that the equipment can be further simplified by alternately spraying the cleaning liquid or the drying gas to the single nozzle by alternately supplying the cleaning liquid or the drying gas.

상기에서, 주행수단(220)은 하우징(100) 내부를 가로지르는 방향으로 설치되는 가이드(221)와, 분사수단(210)과 결합되고 상기 가이드(221)를 따라 직선왕복주행되는 슬라이더(222)를 포함하는 것이 바람직하다.In the above, the driving means 220 is a guide 221 is installed in a direction crossing the inside of the housing 100, the slider 222 coupled to the injection means 210 and linearly reciprocating along the guide 221 It is preferable to include.

상기 슬라이더(222)는 상기 가이드(221)를 따라 직선왕복가능하도록 구성되 어야 하는데, 예컨데 가이드(221)는 통상의 LM 가이드(221)가 될 수도 있다. 이처럼 슬라이더(222)를 가이드(221)상에서 직선왕복시키기 위한 다양한 구동방식이 적용될 수 있으며, 일례로 일측면에 슬라이더(222)의 주행방향을 따라 고정자(미도시)를 설치하고 슬라이더(222)에는 상기 고정자에 대응하는 이동자(미도시)를 설치하여 슬라이더(222)를 가이드(221)상에서 직선왕복시키는 리니어모터 구동방식이 적용될 수도 있다. The slider 222 should be configured to be linearly reciprocated along the guide 221. For example, the guide 221 may be a conventional LM guide 221. As described above, various driving methods for linearly reciprocating the slider 222 on the guide 221 may be applied. For example, a stator (not shown) may be installed on one side of the slider 222 along the driving direction of the slider 222, and the slider 222 may be disposed on the guide 221. A linear motor driving method of installing a mover (not shown) corresponding to the stator to linearly reciprocate the slider 222 on the guide 221 may be applied.

또 다른 일례로 슬라이더(222)는 가이드(221)에 볼스쿠류방식으로 직선왕복구동되는 것도 고려될 수 있으며, 이처럼 슬라이더(222)와 가이드(221)는 일반 산업계에서 직선왕복 구동방식에 사용되는 다양한 구동방식이 적용될 수 있음은 물론이다.In another example, the slider 222 may be considered to be a linear reciprocating drive to the guide 221 in a ball screw method, and thus, the slider 222 and the guide 221 may be variously used in a linear reciprocating driving method in a general industry. Of course, the driving method can be applied.

이처럼 분사수단(210)은 비교적 간단한 구조의 주행수단(220)에 의해 하우징(100) 내부를 가로지르며 세정용 유체를 분사하므로 하우징(100) 내부 및 기판지지대(110)에 고르게 세정용 유체를 분사하여 세정효율을 향상시키는 장점이 있다.As such, the injection means 210 sprays the cleaning fluid across the inside of the housing 100 by the traveling means 220 having a relatively simple structure, and thus uniformly injects the cleaning fluid into the housing 100 and the substrate support 110. There is an advantage to improve the cleaning efficiency.

상기에서, 슬라이더(222)에 결합된 분사수단(210)은 약액공급존(900)에서 대기하는 것이 바람직하다.In the above, the injection means 210 coupled to the slider 222 preferably waits in the chemical supply zone 900.

구체적으로, 가이드(221)는 버퍼존(920)의 하우징(100) 내부를 가로질러 그 단부가 약액공급존(900)까지 연장설치되어, 슬라이더(222)에 결합된 분사수단(210)의 습식노즐(211) 및 건식노즐(212)이 약액공급존(900)에서 대기하도록 구성할 수 있다.Specifically, the guide 221 extends across the inside of the housing 100 of the buffer zone 920 to the chemical liquid supply zone 900, the wet of the injection means 210 coupled to the slider 222 The nozzle 211 and the dry nozzle 212 may be configured to stand by in the chemical supply zone 900.

따라서 분사수단(210)의 습식노즐(211) 및 건식노즐(212)은 반송로봇(30; 도 1 참조)의 이송경로상에서 후퇴하여 약액공급존(900)에서 대기하고 있으므로 상호 간섭현상이 회피될 수 있는 장점이 있다.Therefore, the wet nozzle 211 and the dry nozzle 212 of the injection means 210 retreat on the transfer path of the transfer robot 30 (see FIG. 1) and stand by in the chemical liquid supply zone 900, so that mutual interference may be avoided. There are advantages to it.

이러한 약액공급존(900)은 습식세정존(930)에 약액을 공급하기 위한 배관, 밸브, 펌프 등의 배관설비가 설치되는 공간이어서 상당한 여유공간이 존재하므로, 이러한 여유공간이 분사수단(210)의 평상시 대기위치로 이용될 수 있다.Since the chemical liquid supply zone 900 is a space in which piping facilities, such as a pipe, a valve, and a pump, are provided for supplying the chemical liquid to the wet cleaning zone 930, there is a considerable free space. It can be used as a normal standby position of.

일례로 분사수단(210)은 평상시 약액공급존(900)에서 대기하고 있는 상태이며, 버퍼존(920) 세정이 요구될 시에 버퍼존(920)측으로 전진하며 습식노즐(211)에서 세정용 액체를 분사하고, 최대 전진 위치(도 2에서 은선표시)에서 일정시간 대기시켜 세정용 액체와 하우징(100) 내벽면 및 기판지지대(110)의 오염물질을 상호 반응시켜 제거한다. For example, the injection means 210 is normally in the state of waiting in the chemical liquid supply zone 900, when the cleaning of the buffer zone 920 is advanced to the buffer zone 920 side and the liquid for cleaning in the wet nozzle (211) Spray and wait for a predetermined time at the maximum forward position (hidden line in FIG. 2) to remove the cleaning liquid and the contaminants of the inner wall surface of the housing 100 and the substrate support 110 by mutual reaction.

이처럼 하우징(100) 내벽면 및 기판지지대(110)의 오염물질이 세정용 액체에 의해 제거되면 분사수단(210)은 최대 전진 위치에서 약액공급존(900)측으로 후퇴복원되면서 건식노즐(212)에서 건조용 기체를 분사하여 버퍼존(920) 내의 잔류 액체를 제거한다.As such, when the contaminants of the inner wall surface of the housing 100 and the substrate support 110 are removed by the cleaning liquid, the injection means 210 is retracted and restored to the chemical supply zone 900 at the maximum forward position. The drying gas is sprayed to remove residual liquid in the buffer zone 920.

상기에서, 하우징(100)은 그 바닥면이 일측으로 경사지게 형성되어 최하단부에 드레인포트(120)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 따라서 분사수단(210)에서 분사된 세정용 액체가 하우징(100) 내부에 정체되지 않고 드레인포트(120)를 통하여 신속하게 배출될 수 있다는 장점이 있다. In the above, the housing 100 is preferably formed such that the bottom surface is inclined to one side further includes a drain port 120 at the bottom end. Therefore, there is an advantage that the cleaning liquid injected from the injection means 210 can be quickly discharged through the drain port 120 without being stagnated in the housing 100.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였 으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.Although the present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and the general knowledge in the technical field to which the present invention belongs without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the person having it.

상기한 바와 같이 본 발명은, 버퍼존 내부가 청결한 상태를 유지하므로 버퍼존 내부에서 기판 오염이 방지되어 전체 기판 세정효율을 월등하게 향상시키는 효과가 있다.As described above, the present invention maintains a clean state inside the buffer zone, thereby preventing substrate contamination inside the buffer zone, thereby improving the overall substrate cleaning efficiency.

또한 본 발명은, 분사수단이 하우징 내부를 주행하며 하우징 내부 및 기판지지대를 빠짐없이 세정할 수 있다는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that the injection means can travel in the housing and clean the inside of the housing and the substrate support without missing.

또한 본 발명은, 습식세정처리가 완료된 후 건조노즐에 의해 건조처리가 수행되어 잔류 세정액이 신속히 제거되므로 습식세정처리 후 건조시간이 대폭단축될 수 있다는 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage that the drying process is performed by the drying nozzle after the wet cleaning process is completed, so that the residual cleaning liquid is quickly removed, so that the drying time after the wet cleaning process can be significantly shortened.

또한 본 발명은, 분사수단이 반송로봇의 이송경로상에서 후퇴하여 약액공급존에서 대기하고 있으므로 상호 간섭현상이 회피될 수 있는 효가가 있다.In addition, the present invention has the advantage that the mutual interference phenomenon can be avoided because the injection means is retracted on the transport path of the transport robot and waiting in the chemical liquid supply zone.

또한 본 발명은, 분사수단에서 분사된 세정용 액체가 하우징 내부에 정체되지 않고 드레인포트를 통하여 신속하게 배출될 수 있다는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that the cleaning liquid injected from the injection means can be quickly discharged through the drain port without stagnant in the housing.

Claims (7)

기판을 습식처리하는 습식세정존과, 상기 습식세정존으로 투입될 기판이 대기하는 버퍼존을 포함하는 습식세정장비에 있어서,In a wet cleaning apparatus comprising a wet cleaning zone for wet-processing a substrate, and a buffer zone in which the substrate to be put into the wet cleaning zone stands by, 상기 버퍼존에 설치되어 복수의 기판을 내부에 수납하는 하우징; A housing installed in the buffer zone to accommodate a plurality of substrates therein; 상기 하우징 내부에 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지대; 및A substrate support installed in the housing to support a plurality of substrates; And 상기 하우징 내부 및 상기 기판지지대를 세정처리하는 세정기재를 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.And a cleaning substrate for cleaning the inside of the housing and the substrate support. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정기재는,The cleaning material, 상기 하우징 내부 및 상기 기판지지대에 세정처리용 유체를 분사하는 분사수단; 및Injection means for injecting a cleaning fluid into the housing and the substrate support; And 상기 분사수단을 상기 하우징 내부에서 주행시키는 주행수단을 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.The buffer zone cleaning device of the wet cleaning device comprising a driving means for driving the injection means in the housing. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 분사수단은,The injection means, 세정용 액체나 건조용 기체를 상호 전환공급받아 교대로 분사하는 단일의 노즐을 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.A buffer zone cleaning apparatus for wet cleaning equipment including a single nozzle for alternately supplying cleaning liquid or drying gas to be alternately supplied. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 분사수단은,The injection means, 세정용 액체를 분사하는 습식노즐; 및A wet nozzle for spraying a cleaning liquid; And 건조용 기체를 분사하는 건식노즐을 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.Buffer zone cleaning device for wet cleaning equipment comprising a dry nozzle for injecting a drying gas. 제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 주행수단은,The driving means, 상기 하우징 내부를 가로지르는 방향으로 설치되는 가이드; 및A guide installed in a direction crossing the inside of the housing; And 상기 분사수단과 결합되고 상기 가이드를 따라 직선왕복주행되는 슬라이더를 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.The buffer zone cleaning apparatus of the wet cleaning equipment comprising a slider coupled to the injection means and the linear reciprocating along the guide. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 습식세정장비는 상기 습식세정존으로 약액을 공급하도록 그 후방으로 약액공급존을 더 포함하며,The wet cleaning equipment further includes a chemical liquid supply zone to the rear to supply the chemical liquid to the wet cleaning zone, 상기 슬라이더에 결합된 상기 분사수단은 상기 약액공급존에서 대기하는 것을 특징으로 하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.And the spraying means coupled to the slider waits in the chemical supply zone. 제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 하우징은,The housing, 그 바닥면이 일측으로 경사지게 형성되어 최하단부에 드레인포트를 더 포함하는 습식세정장비의 버퍼존 세정장치.The bottom surface is formed to be inclined to one side, the buffer zone cleaning device of the wet cleaning equipment further comprises a drain port at the lower end.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001259543A (en) 2000-03-16 2001-09-25 Ses Co Ltd Substrate cleaning system
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001259543A (en) 2000-03-16 2001-09-25 Ses Co Ltd Substrate cleaning system
KR100625314B1 (en) 2004-07-01 2006-09-20 세메스 주식회사 Substrate cleaning equipment having a multilayer structure and substrate cleaning method using the same

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