KR101128466B1 - 유기전계발광 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, (m)번째 데이터라인(D(m))에 연결된 소스, 제1노드(B)에 연결된 드레인, 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결된 게이트를 포함하는 제1스위치; 상기 (n)번째 스캔라인과 상기 제1스위치의 게이트에 연결된 소스, 상기 로우 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인을 포함하는 제2스위치; 제2캐패시터와 구동박막트랜지스터의 게이트 사이의 제2 노드(A)에 연결된 소스, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 상기 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트를 포함하는 제3스위치; 하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인에 연결된 게이트, 유기발광다이오드의 애노드에 연결된 드레인, 및 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 소스를 포함하는 제4스위치를 구비한다.
유기전계발광, 데이터구동, 충전 캐패시터, 데이터전압
Description
도 1은 종래 유기전계발광소자의 등가회로도.
도 2a는 (n-1)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광소자의 동작을 도시한 회로도.
도 2b는 도 2a의 구동 타이밍도.
도 3a는 (n)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광소자의 동작을 도시한 회로도.
도 3b는 도 3a의 구동 타이밍도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 등가회로도.
도 5는 도 4의 유기전계발광 표시장치의 구동 타이밍도.
본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED)는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자이었다. 이 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광 표시장치는, 액정 디스플레이장치와 같이 별도의 광원을 필요 로 하는 수동형 발광소자에 비하여 응답속도가 빠르고 직류구동전압이 낮고 초박막화가 가능하기 때문에 벽걸이형 또는 휴대용으로 응용이 가능하였다.
이와 같은 유기전계발광 표시장치는 적색, 청색, 녹색의 서브픽셀들이 하나의 색을 표현하는 픽셀들을 이용하여 컬러를 구현하였다. 유기전계발광 표시장치는 서브픽셀을 구동하는 방식으로 단순매트릭스형 유기전계발광 표시장치와, 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치로 나눌 수 있었다.
도 1은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.
종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치는 제 1 내지 제5박막트랜지스터(M1~M5) 및 제 1, 2 캐패시터(C1, C2), 유기발광다이오드(OLED)를 포함하고 있었다.
유기발광다이오드(OLED)는 인가되는 전류의 양에 대응하는 빛을 발광하였다.
제1박막트랜지스터(M1)는 전원전압(VDD)에 소스가 연결되고 제5박막트랜지스터(M5)의 소스에 드레인이 연결되어, 제2박막트랜지스터(M2)를 통하여 게이트에 인가되는 데이터전압에 대응하는 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급하였다.
제3박막트랜지스터(M3)는 소스가 전원전압(VDD)에 연결되고, 게이트가 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결되고, 드레인에 제2박막트랜지스터(M2)의 드레인과 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되어 인가되는 전원전압(VDD)을 전달하였다.
제4박막트랜지스터(M4)는 게이트가 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결되고, 드레인이 상기 제1박막트랜지스터(M1)의 드레인과 제5박막트랜지스터(M5)의 소스 사이에 연결되고, 소스는 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트와 제1캐패시터(C1) 사이에 연결되었다.
그리고 제5박막트랜지스터(M5)는 게이트에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))이 연결되고, 드레인에 유기발광다이오드(OLED)의 애노드가 연결되어, 제1박막트랜지스터(M1)로부터 인가되는 구동전류를 유기발광다이오드(OLED)에 전달하였다.
여기서, 도 1에 도시한 유기전계발광 표시장치에 따르면 제1박막트랜지스터(M1)와 제3, 4박막트랜지스터(M3, M4)는 PMOS형 박막트랜지스터, 제5박막트랜지스터(M5)는 NMOS형 트랜지스터로 구성되었다.
그리고 제1캐패시터(C1)는 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트와 제2박막트랜지스터(M1) 사이에 연결되어 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압을 충전하고, 제2캐패시터(C2)는 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트와 전원전압(VDD) 사이에 연결되어 제2박막트랜지스터(M2)에서 인가되는 데이터전압을 충전하였다.
아울러, 제2박막트랜지스터(M2)는 게이트가 스캔라인에 연결되고, 소스는 데이터라인과, 드레인은 제1캐패시터(C1)에 연결되었다.
도 2a는 (n-1)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광 표시장치의 동작을 도시한 회로도이며, 도 2b는 도 2a의 구동 타이밍도이다. 또한, 도 3a는 (n)번째 스캔신호가 인가되었을 때 종래 유기전계발광 표시장치의 동작을 도시한 회로도이며, 도 3b는 도 3a의 구동 타이밍도이다.
다음에는 도 1에 도시한 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 동작을 도 2a 내지 3b를 참조하여 설명한다.
도 2b와 같이, 일정시간(T(n-1))에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 로우(Low) 신호, n번째 스캔라인(S(n))에는 하이(High) 신호가 인가되면, 도 2a에 도시된 바와 같이 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제3박막트랜지스터(M3)와 제4박막트랜지스터(M4)는 턴온되어 쇼트(Short)가 되고, NMOS형 트랜지스터인 제5박막트랜지스터(M5)는 턴오프되어 오픈(open) 상태를 유지하였다. 또한, n번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제2박막트랜지스터(M2)도 턴오프되어 오픈상태를 유지하였다.
따라서, 제4박막트랜지스터(M4)가 턴온됨에 따라서 제1박막트랜지스터(M1)는 구동전압(Vdd)에 대해 다이오드 기능을 수행하므로써 전원전압(VDD)으로부터 출력된 전원전압이 제3박막트랜지스터(M3)를 통하여 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압에 해당되는 전압(Vth)이 제1캐패시터(C1)에 충전되었다.
아울러 제5박막트랜지스터(M5)는 상기와 같이 제1캐패시터(C1)가 충전되는 동안 턴오프되어 전류가 제1박막트랜지스터(M1)에서 유기발광다이오드(OLED)로 인가되는 것을 방지하였다.
이후, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))이 로우에서 하이로 변환되고, 일정 시간차를 두고 n번째 스캔라인(S(n))이 선택되어 로우신호를 출력하며 이는 도 3a 및 3b에 도시된 바와 같았다.
도 3a에 도시된 바와 같이 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS트랜지스터인 제3, 4박막트랜지스터(M3, M4)는 턴오프되어 오픈상태가 되고, NMOS형 트랜지스터인 제5박막트랜지스터(M5)는 턴온되어 쇼트상태를 유지하였다. 그리고, n번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 PMOS형 제3박막트랜지스터(M3)도 턴온되어 쇼트상태를 유지하였다.
또한, 스캔라인(S(n))이 로우신호로 변환된 이후, 데이터 선으로부터 화상신호가 출력됨에 따라 데이타전압(Vd)이 제2박막트랜지스터(M2)를 통하여 제2캐패시터(C2)에 충전되었다.
여기서, 제1박막트랜지스터(M1)의 게이트전압은 제1캐패시터(C1)의 문턱전압과, 제2캐패시터(C2)에 충전된 데이터전압의 합이 되므로 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)의 편차가 보상되었다. 즉, 제1캐패시터에(C1)는 문턱전압(Vth)의 편차 만큼 제1캐패시터(C1)에 전압이 충전되므로 각 화소에서 문턱전압의 편차가 발생되지 않았다.
또한, 상술한 바와 같이 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))이 로우에서 하이로 변환됨에 따라 제5박막트랜지스터(M5)는 턴온됨에 따라 제1박막트랜지스터(M1)로부터 상기 수학식1에 의한 연산결에 따른 전류를 상기 유기EL소자(OLED)에 전달하게 되었다. 그러므로 유기발광다이오드(OLED)는 인가되는 전류의 세기에 따라서 발광하였다.
Ioled는 유기발광다이오드에 흐르는 전류, β는 상수 값, Vdd는 전원전압, Vd는 데이터 전압을 나타낸다.
그러나, 종래 유기전계발광 표시장치는 구동박막트랜지스터에 해당하는 제1박막트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)의 편차를 보상하였으나, 전원전압의 전압강하를 보상하지 못하여 화질 불균일 문제를 여전히 야기하였다.
따라서, 구동박막트랜지스터의 문턱전압 뿐 아니라 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 전원전압의 전압강하를 보상하는 유기전계발광 표시장치의 필요성이 절실하였다.
상기 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로서, 본 발명은 구동박막트랜지스터의 문턱전압과 전원전압을 동시에 보상하여 화질 불균일을 개선할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 전원전압의 전압강하를 회로구조를 개선하여 보상할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 또다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 먹스 방식이나 아날로그 샘플링 방식의 구동이 가능한 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 또다른 목적이 있다.
본 발명의 유기전계발광 표시장치는 전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드; 전원전압을 발생하는 전원전압원과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되어 상기 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 구동박막트랜지스터; 제1노드(B)와 상기 전원전압원 사이에 연결되어 상기 전원전압과 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 충전하는 제1캐패시터; 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 상기 제1노드(B) 사이에 연결되어 (m)번째 데이터라인(D(m))의 데이터신호를 저장하는 제2캐패시터; 상기 (m)번째 데이터라인(D(m))에 연결된 소스, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인, 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결된 게이트를 포함하는 제1스위치; 상기 (n)번째 스캔라인과 상기 제1스위치의 게이트에 연결된 소스, 상기 로우 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인을 포함하는 제2스위치; 상기 제2캐패시터와 상기 구동박막트랜지스터의 게이트 사이의 제2 노드(A)에 연결된 소스, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 상기 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트를 포함하는 제3스위치; 하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인에 연결된 게이트, 상기 유기발광다이오드의 애노드에 연결된 드레인, 및 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 소스를 포함하는 제4스위치를 구비한다.
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이하 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 회로도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(20)는 PMOS형 트랜지스터인 제1 내지 제5박막트랜지스터(M1, S/W1 내지 S/W4) 및 제 1, 2 캐패시터(Cst, Cvth), 유기발광다이오드(OLED)를 포함하고 있다.
제1박막트랜지스터(M1)는 구동박막트랜지스터이며, 제2 내지 제5박막트랜지스터(S/W1 내지 S/W4)는 제1 내지 제4스위치이며, 제1, 2 캐패시터(Cst, Cvth)는 각각 데이터전압 및 문턱전압 저장 캐패시터이다. 유기발광다이오드(OLED)는 인가되는 전류의 양에 대응하는 빛을 발광한다.
구동박막트랜지스터(M1)는 전원전압(VDD)에 소스가 연결되고 제4스위치(S/W4)의 소스에 드레인이 연결되어, 제1스위치(S/W1)를 통하여 게이트에 인가되는 데이터전압에 대응하는 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급한다.
제1스위치(S/W1)의 게이트는 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결되고, 그 소스는 (m) 번째 데이터신호가 인가되는 (m)번째 데이터라인(D(m))과 연결된다. 제1스위치(S/W1)의 드레인은 제1, 2캐패시터(Cst, Cvth)의 공통노드인 B노드에 연결되어 있다.
제2스위치(S/W2)의 소스는 (n)번째 스캔라인(S(n))과 제1스위치(S/W1)의 게이트에 연결되고, 그 게이트는 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결된다. 제2스위치(S/W2)의 드레인은 제1스위치(S/W1)의 드레인과 1, 2 캐패시터(Cst, Cvth)의 공통노드인 B노드에 연결되어 있다.
제3스위치(S/W3)의 게이트는 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 연결되고, 제3스위치(S/W3)의 드레인은 구동박막트랜지스터(M1)의 드레인과 제4스위치(S/W4)의 소스 사이의 노드에 연결된다. 제3스위치(S/W3)의 소스는 구동박막트랜지스터(M1)의 게이트와 제2캐패시터(Cvth) 사이의 A노드에 연결되어 있다.
제4스위치(S/W4)의 게이트는 하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인(Em(n-1))에 연결되고, 제4스위치(S/W4)의 드레인은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드에 연결된다. 제4스위치(S/W4)의 소스는 구동박막트랜지스터(M1)의 드레인에 연결된다. 제4스위치(S/W4)는 (n-1)번째 스캔제어신호에 응답하여 구동박막트랜지스터(M1)와 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차단하고 (n)번째 스캔신호가 (n)번째 스캔라인(S(n))에 인가될 때 구동박막트랜지스터(M1)와 유기발광다이오드(OLED) 사이에 전류패스를 형성하여 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급한다.
제1캐패시터(Cst)는 전원전압(VDD)을 발생하는 전원전압원과, 제1스위치(S/W1)의 드레인과 제2캐패시터(Cvth) 사이의 B노드에 연결되어 전원전압(VDD)과 구동박막트랜지스터(M1)의 문턱전압을 충전한다. 제2캐패시터(Cvth)는 구동박막트랜지스터(M1)의 게이트와 B노드 사이에 연결되어 제1스위치(S/W1)에서 인가되는 데이터전압을 충전한다.
이하, 도 4에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치(20)를 도 4 및 도 4의 유기전계발광 표시장치의 구동 타이밍도를 도시한 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5의 T1 구간에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 로우(Low) 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호, (n-1)번째 스캔제어라인(Em(n-1))에는 로우(Low) 신호 레벨, (n)번째 스캔라인(S(n))에는 하이(High) 신호 레벨이 각각 인가되면, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))과 스캔제어라인 또는 인에이블제어라인(Em(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제2 내지 4스위치(S/W2 내지 S/W4)는 턴온되어 쇼트(Short)가 된다. 또한, (n)번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제1스위치(S/W1)는 턴오프되어 오픈상태를 유지하므로 A노드는 데이터전압을 저장하기 위해 준비한다.
도 5의 T2 구간에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 로우(Low) 신호 레벨의 스캔신호, (n-1) 번째 스캔제어라인(Em(n-1))에는 하이(High) 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호, (n)번째 스캔라인(S(n))에는 하이(High) 신호 레벨이 각각 인가되면, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제2, 3스위치(S/W2, S/W3)는 온 상태를 유지하지만, 스캔제어라인(Em(n-1))과 (n)번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제1,4스위치(S/W1, S/W4)은 턴오프되어 오픈상태를 유지하여 전류패스를 차단한다. (n-1)번째 스캔제어신호는 (n-1)번째 스캔신호에 비하여 T1 구간 만큼 지연되고, (n)번째 스캔신호보다 앞선 신호이다. 이때 A노드 전압은 VDD-Vth로 프로그램되며, B노드 전압은 게이트 하이전압인 Vref로 프로그램되어 제2캐패시터(Cvth)에는 Vref-(VDD-Vth)전압이 저장된다.
도 5의 T3 구간에 (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에는 하이(High) 신호 레벨, (n-1)번째 스캔제어라인(Em(n-1))에는 하이 신호 레벨의 스캔제어신호, (n)번째 스캔라인(S(n))에는 로우 신호 레벨의 스캔 신호가 각각 인가되면, (n-1)번째 스캔라인(S(n-1))에 게이트가 연결된 PMOS형 트랜지스터인 제2, 3스위치(S/W2, S/W3)는 턴오프되어 오픈되며, 스캔제어라인(Em(n-1))과 (n)번째 스캔라인(S(n))에 게이트가 연결된 제1,4스위치(S/W1, S/W4)은 턴온되어 쇼트된다. 이때 (m)번째 데이터라인(D(m))에 데이터전압이 B노드에 인가되면 A노드 전압은 Vd-[ Vref-(VDD-Vth)]으로 바뀌게 된다. 또한 구동박막트랜지스터(M1)의 소스-게이트전압 Vgs는 VDD-{Vd-[ Vref-(VDD-Vth)]}=Vref-Vd+Vth가 되어 전원전압이 보상된다.
마지막으로, 도 5의 T3 구간에 스캔제어라인(Em(n-1))에 로우(Low) 신호 레벨이 인가되면, 제4스위치(S/W4)는 턴온되어 구동박막트랜지스터(M1)를 통해 상기 수학식2에 의한 연산결에 따른 전류를 유기발광다이오드(OLED)에 공급한다.
결과적으로 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 전류는 구동박막트랜지스터(M1)의 문턱전압이나 전원전압(VDD)이 보상되게 된다.
Ioled는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류, β는 상수 값, Vgs는 구동박막트랜지스(M1)의 소스-게이트전압, Vth는 구동박막트랜지스(M1)의 문턱전압, Vref는 구동박막트랜지스(M1)의 게이트 하이 전압, Vd는 데이터 전압을 나타낸다.
이에 따라 구동박막트랜지터(M1)의 문턱전압과 전원전압(VDD)을 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 동시에 보상하여 화질 불균일을 개선할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이러한 구성에 의하여 본 발명은 구동박막트랜지터의 문턱전압과 전원전압을 동시에 보상하여 화질 불균일을 개선할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 별도의 레퍼런스라인을 추가하지 않고 전원전압의 전압강하 를 회로구조를 개선하여 보상할 수 있다.
또한, 본 발명은 먹스 방식이나 아날로그 샘플링 방식의 구동이 가능한 효과가 있다.
이에 따라 균일한 화질을 제공하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
Claims (7)
- 전류에 의해 발광하는 유기발광다이오드;전원전압을 발생하는 전원전압원과 상기 유기발광다이오드 사이에 접속되어 상기 유기발광다이오드에 전류를 공급하는 구동박막트랜지스터;제1노드(B)와 상기 전원전압원 사이에 연결되어 상기 전원전압과 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 충전하는 제1캐패시터;상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 상기 제1노드(B) 사이에 연결되어 (m)번째 데이터라인(D(m))의 데이터신호를 저장하는 제2캐패시터;상기 (m)번째 데이터라인(D(m))에 연결된 소스, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인, 로우 신호 레벨의 (n)번째 스캔신호가 인가되는 (n)번째 스캔라인(S(n))에 연결된 게이트를 포함하는 제1스위치;상기 (n)번째 스캔라인과 상기 제1스위치의 게이트에 연결된 소스, 상기 로우 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트, 상기 제1노드(B)에 연결된 드레인을 포함하는 제2스위치;상기 제2캐패시터와 상기 구동박막트랜지스터의 게이트 사이의 제2 노드(A)에 연결된 소스, 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 드레인, 상기 (n-1)번째 스캔라인에 연결된 게이트를 포함하는 제3스위치;하이 신호 레벨의 (n-1)번째 스캔제어신호가 인가되는 (n-1)번째 스캔제어라인에 연결된 게이트, 상기 유기발광다이오드의 애노드에 연결된 드레인, 및 상기 구동박막트랜지스터의 드레인에 연결된 소스를 포함하는 제4스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 구동박막트랜지스터와 상기 스위치들은 동일한 전도타입을 갖는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 구동박막트랜지스터와 상기 스위치들은 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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