KR101127779B1 - User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance - Google Patents
User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance Download PDFInfo
- Publication number
- KR101127779B1 KR101127779B1 KR1020057005323A KR20057005323A KR101127779B1 KR 101127779 B1 KR101127779 B1 KR 101127779B1 KR 1020057005323 A KR1020057005323 A KR 1020057005323A KR 20057005323 A KR20057005323 A KR 20057005323A KR 101127779 B1 KR101127779 B1 KR 101127779B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- data
- selection
- measurement data
- area
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
웨이퍼 뷰어 시스템이 웨이퍼 및 웨이퍼 시리즈의 그래픽 표현 및 분석을 위하여 제공된다. 더 상세하게는, 웨이퍼 뷰어 시스템은 웨이퍼를 디스플레이하기 위한 그래픽 유저 인터페이스, 분석을 위한 웨이퍼 영역의 그래픽적인 선택, 웨이퍼의 선택된 영역에 대한 분석 수행, 및 분석 결과를 디스플레이하는 것을 포함한다.A wafer viewer system is provided for graphical representation and analysis of wafers and wafer series. More specifically, the wafer viewer system includes a graphical user interface for displaying a wafer, graphical selection of a wafer area for analysis, performing an analysis on a selected area of the wafer, and displaying analysis results.
웨이퍼, 웨이퍼 불균일성 Wafer, wafer non-uniformity
Description
발명의 배경Background of the Invention
1. 발명의 기술분야1. Field of invention
본 발명은 일반적으로 후처리 (post-process) 웨이퍼 평가에 관한 것이다. 더 상세하게는, 본 발명은 후처리 웨이퍼 평가의 그래픽 표현 및 제어를 가능하게 하는 시스템에 관한 것이다.The present invention generally relates to post-process wafer evaluation. More particularly, the present invention relates to a system that enables graphical representation and control of post-process wafer evaluation.
2. 관련분야의 설명2. Description of related fields
반도체 웨이퍼는 반도체 제조 공정동안 많은 공정을 거친다. 레이어는 다른 웨이퍼들 사이에서 부가되고, 패턴 (pattern) 되고, 에칭되고, 제거되고, 그리고 연마될 수 있다. 각 공정 후에, 웨이퍼는 이전 공정이 수용가능한 레벨의 후처리 에러 또는 불균일성을 가지고 완성되었는지 확인하기 위해 통상적으로 검사된다. 임의의 변수 내의 임의의 변화들이 빠르게 식별되고 웨이퍼가 검사될 때 발견된 임의의 후처리 에러 또는 불균일성에 잠재적으로 상관될 수 있도록 웨이퍼 상에 수행되는 각 공정의 다양한 동작 변수들 (예를 들어, 이벤트 타이밍, 가스 압력, 농도, 온도 등) 이 기록된다.Semiconductor wafers go through many processes during the semiconductor manufacturing process. The layer can be added, patterned, etched, removed, and polished between other wafers. After each process, the wafer is typically inspected to ensure that the previous process has been completed with an acceptable level of post processing error or nonuniformity. Various operating variables (eg, events) of each process performed on the wafer such that any changes in any variable can be quickly identified and potentially correlated to any post processing errors or nonuniformities found when the wafer is inspected. Timing, gas pressure, concentration, temperature, etc.) are recorded.
후처리 불균일성을 기술하는 종래기술의 접근은, 환형 (annular) 불균일성에 대한 "센터-패스트" 또는 방위각 불균일성에 대한 "레프트-사이드-슬로우" 와 같은 주관적인 언어적 기술들을 포함한다. 센터-패스트는 웨이퍼의 주위 영역보다 웨이퍼의 중심 영역으로부터 더 많은 재료가 제거되는 후처리 웨이퍼 조건의 일반적 기술이다. 그러나, 센터-패스트는 불균일성의 특정한, 객관적인, 그리고 정량적인 기술을 제공하지 않는다. 유사하게, 레프트-사이드-슬로우는 웨이퍼 상의 잔존부보다 웨이퍼 상의 좌측 영역으로부터 더 적은 재료가 제거되는 후처리 웨이퍼 조건의 일반적 기술이다. 센터-패스트 기술에서처럼, 레프트-사이드-슬로우 기술은 불균일성의 특정한, 객관적인, 그리고 정량적인 기술을 제공하지 않는다.Prior art approaches to describing post-processing nonuniformity include subjective linguistic techniques such as "center-fast" for annular nonuniformity or "left-side-slow" for azimuth nonuniformity. Center-fast is a general technique of post-process wafer conditions where more material is removed from the center region of the wafer than the peripheral region of the wafer. However, center-fast does not provide specific, objective, and quantitative techniques of nonuniformity. Similarly, left-side-slow is a general technique of post-process wafer conditions where less material is removed from the left region on the wafer than the remainder on the wafer. As with the center-fast technique, the left-side-slow technique does not provide specific, objective, and quantitative techniques of non-uniformity.
후처리 불균일성의 기술은 선행하는 웨이퍼 공정 내의 에러 및 모순을 정정하는 피드백을 제공하는데 사용된다. 후처리 불균일성의 기술은 또한 후속하는 반도체 제조 공정 및 완성된 반도체 장치의 매트릭스 상의 불균일성의 영향을 추적하는데 사용된다 (예를 들어, 장치 수율, 성능 파라미터, 등). The technique of post processing heterogeneity is used to provide feedback to correct errors and contradictions in the preceding wafer process. The technique of post processing heterogeneity is also used to track the impact of nonuniformity on the subsequent semiconductor manufacturing process and the matrix of the finished semiconductor device (eg device yield, performance parameters, etc.).
후처리 불균일성이 작아짐에 따라 후처리 불균일성은 더 비대칭이 되고, 주관적인 언어적 기술로 정확하게 기술하기 더 어려워진다. 다음으로, 선행하는 웨이퍼 프로세싱 동작 내의 추가적인 개선이 성공적으로 구현될 수 있기 위해 후처리 불균일성을 정확하게 기술하기에는 주관적인 언어적 기술은 불충분하다. As the post-processing nonuniformity becomes smaller, the post-processing nonuniformity becomes more asymmetrical and more difficult to describe accurately with subjective linguistic techniques. Next, subjective linguistic techniques are insufficient to accurately describe post-processing nonuniformity so that further improvements in the preceding wafer processing operations can be successfully implemented.
전술한 바와 같이, 후처리 웨이퍼 조건의 상세한 그래픽 디스플레이 및 분석을 가능하게 하는 시스템이 필요하다.As mentioned above, there is a need for a system that enables detailed graphical display and analysis of post-process wafer conditions.
발명의 요약Summary of the Invention
일반적으로, 본 발명은, 웨이퍼의 그래픽 프리젠테이션 및 분석을 위한 웨이퍼 뷰어 시스템을 제공함으로써 이러한 필요를 충족시킨다. 더 상세하게는, 웨이퍼 뷰어 시스템은, 웨이퍼 디스플레이, 분석을 위한 웨이퍼 영역의 그래픽 선택, 웨이퍼의 선택된 영역에 대한 분석 수행, 및 분석 결과 디스플레이를 위한 그래픽 유저 인터페이스를 포함한다.In general, the present invention meets this need by providing a wafer viewer system for graphical presentation and analysis of wafers. More specifically, the wafer viewer system includes a wafer display, graphical selection of a wafer area for analysis, performing analysis on a selected area of the wafer, and graphical user interface for displaying analysis results.
일 실시형태에서, 웨이퍼 맵의 분석을 제어하기 위한 그래픽 유저 인터페이스가 개시된다. 유저 인터페이스는 통계적 분석을 위한 웨이퍼 맵의 영역을 선택하는 그래픽 선택 제어부를 제공한다. 유저 인터페이스는 선택된 영역에 대한 통계적인 데이터를 생성하도록 구성되어 통계적 분석을 완성한다. 그 후 그 통계적인 데이터는 선택된 영역에 대해 디스플레이된다. 디스플레이에 대한 통계적 데이터의 재생산이, 선택된 영역 내 변화의 검출에 따라 수행된다.In one embodiment, a graphical user interface for controlling analysis of a wafer map is disclosed. The user interface provides a graphical selection control for selecting areas of the wafer map for statistical analysis. The user interface is configured to generate statistical data for the selected area to complete the statistical analysis. The statistical data is then displayed for the selected area. Reproduction of statistical data for the display is performed in accordance with the detection of a change in the selected area.
또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 맵을 생성하는데 사용되는 데이터의 분석을 위한 그래픽 유저 인터페이스가 개시된다. 웨이퍼 맵은 에칭된 표면의 균일성 프로파일을 식별한다. 유저 인터페이스는, 표면의 균일성 프로파일과 관련된 부분 모집단 데이터를 선택하기 위한 공간 분포 옵션을 포함한다. 부분 모집단 데이터는, 전체 웨이퍼 표면보다 작은, 웨이퍼의 목표 영역이다. 인터페이스는 특정한 공간 분포 옵션의 그래픽 선택을 가능하게 하고, 영역의 그래픽 식별을 가능하게 한다. 그 영역은 부분 모집단 데이터에 대한 것이다. 유저 인터페이스는 그 영역에 대한 매트릭스를 디스플레이하고, 그 매트릭스는 영역의 그래픽 식별에서의 변화 검출에 따라 자동적으로 갱신된다.In yet another embodiment, a graphical user interface for analyzing data used to generate a wafer map is disclosed. The wafer map identifies the uniformity profile of the etched surface. The user interface includes a spatial distribution option for selecting subpopulation data associated with the uniformity profile of the surface. The subpopulation data is the target area of the wafer, which is smaller than the entire wafer surface. The interface allows graphical selection of specific spatial distribution options and graphical identification of regions. The area is for subpopulation data. The user interface displays a matrix for that area, which matrix is automatically updated upon detection of a change in the graphical identification of the area.
일 실시형태에서, 웨이퍼 측정 데이터를 분석하기 위한 그래픽 유저 인터페이스가 개시된다. 그래픽 유저 인터페이스는, 제 1 웨이퍼 측정 데이터 세트 및 제 2 웨이퍼 측정 데이터 세트를 선택하기 위한 제어부를 제공한다. 그래픽 유저 인터페이스는 또한, 제 1 웨이퍼 측정 데이터 세트와 제 2 웨이퍼 측정 데이터 세트 사이의 수학적인 연산을 수행하기 위한 제어부를 제공한다. 수학적 연산은 웨이퍼 데이터의 결과 세트를 생성한다. 그래픽 유저 인터페이스는 또한, 웨이퍼 데이터의 결과 세트의 디스플레이를 포함한다.In one embodiment, a graphical user interface for analyzing wafer measurement data is disclosed. The graphical user interface provides a control for selecting the first wafer measurement data set and the second wafer measurement data set. The graphical user interface also provides a control for performing mathematical operations between the first wafer measurement data set and the second wafer measurement data set. Mathematical operations generate a result set of wafer data. The graphical user interface also includes a display of the result set of wafer data.
또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 측정 데이터의 집합체를 관리하고 평가하기 위한 그래픽 유저 인터페이스가 공개된다. 그래픽 유저 인터페이스는 웨이퍼 측정 데이터의 집합체를 선택하기 위한 제어부를 제공한다. 또한 그래픽 유저 인터페이스는 웨이퍼 측정 데이터 집합체의 평가를 수행하기 위한 제어부를 제공하여 평가 결과의 세트를 생성한다. 또한 그래픽 유저 인터페이스는 평가 결과 세트의 디스플레이를 포함한다.In yet another embodiment, a graphical user interface for managing and evaluating a collection of wafer measurement data is disclosed. The graphical user interface provides a control for selecting a collection of wafer measurement data. The graphical user interface also provides a control for performing evaluation of the wafer measurement data collection to generate a set of evaluation results. The graphical user interface also includes the display of a set of evaluation results.
또 다른 실시형태에서, 프로파일 분석을 수행하는 그래픽 유저 인터페이스가 개시된다. 그래픽 유저 인터페이스는 전자현미경 이미지의 디스플레이를 포함한다. 전자현미경 이미지를 조정하기 위한 제어부가 제공된다. 또한, 그래픽 유저 인터페이스는 그래픽 측정제어부를 제공한다.In another embodiment, a graphical user interface for performing profile analysis is disclosed. The graphical user interface includes a display of electron microscope images. A control for adjusting the electron microscope image is provided. The graphical user interface also provides a graphical measurement control.
본 발명의 다른 양태 및 이점은, 첨부된 도면과 함께 취해진 본 발명의 예시의 형태로 기술되는 다음의 상세한 설명으로부터 명백해 진다.Other aspects and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description taken in the form of exemplary embodiments of the present invention taken in conjunction with the accompanying drawings.
도면의 간단한 설명Brief description of the drawings
또 다른 이점을 가진 본 발명은, 첨부된 도면과 함께 취해진 다음 설명을 참조하여 잘 이해될 수 있다.The invention with further advantages can be better understood with reference to the following description taken in conjunction with the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 웨이퍼 뷰어 시스템의 그래픽 유저 인터페이스 (GUI) 를 도시하는 도면이다.1 is a diagram illustrating a graphical user interface (GUI) of a wafer viewer system, according to one embodiment of the invention.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 디스플레이 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.FIG. 2 is a diagram showing a separation view of a wafer display area according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 데이터 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.3 is a diagram showing a separation view of a wafer data area according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 단면 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI를 도시하는 도면이다.4 is a diagram illustrating a GUI when a cross-sectional analysis option according to an embodiment of the present invention is selected.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 단면 분석 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.It is a figure which shows the isolation | separation degree of the cross-sectional analysis area which concerns on one Embodiment of this invention.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 히스토그램 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a separated view of a histogram region according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 7은 본 발명의 실시형태에 따른 분포 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI를 도시하는 도면이다.7 is a diagram illustrating a GUI when a distribution analysis option according to an embodiment of the present invention is selected.
도 8은 본 발명의 실시형태에 따른 반경/각도 분포 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing a separation of radius / angle distribution areas according to the embodiment of the present invention. FIG.
도 9는 본 발명의 실시형태에 따른 XSEM/프로파일 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI를 도시하는 도면이다.9 is a diagram illustrating a GUI when the XSEM / profile analysis option is selected according to the embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 실시형태에 따른 XSEM/프로파일 영역의 분리도를 도시하 는 도면이다.FIG. 10 is a diagram illustrating separation of XSEM / profile regions according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 11은 본 발명의 실시형태에 따른 시리즈 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI를 도시하는 도면이다.11 is a diagram illustrating a GUI when a series analysis option according to an embodiment of the present invention is selected.
도 12는 본 발명의 실시형태에 따른 시리즈 플롯 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.It is a figure which shows the isolation of the series plot area | region in accordance with embodiment of this invention.
도 13은 본 발명의 실시형태에 따른 공간 통계 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.FIG. 13 is a diagram showing a degree of separation of a spatial statistics area according to the embodiment of the present invention. FIG.
도 14는 본 발명의 실시형태에 따른 사이드-투-사이드 (side-to-side) 공간 분포 선택을 가진 공간 통계 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.FIG. 14 is a diagram illustrating a separation of spatial statistical regions with side-to-side spatial distribution selection in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
도 15는 본 발명의 실시형태에 따른 환형 공간 분포 선택을 가진 공간 통계 영역의 분리도를 도시하는 도면이다.FIG. 15 is a diagram showing a separation diagram of a spatial statistics area with annular spatial distribution selection according to an embodiment of the present invention. FIG.
바람직한 실시형태의 상세한 설명Detailed Description of the Preferred Embodiments
일반적으로, 본 발명은 그래픽 프리젠테이션 및 웨이퍼의 분석을 위한 웨이퍼 뷰어 시스템에 대해 개시된다. 더 상세하게, 웨이퍼 뷰어 시스템은 웨이퍼의 디스플레이, 분석에 대한 웨이퍼 영역의 그래픽 선택, 웨이퍼의 선택 영역에 대한 분석 수행, 및 분석 결과 디스플레이를 위한 그래픽 유저 인터페이스를 포함한다.In general, the present invention is directed to a wafer viewer system for graphical presentation and analysis of a wafer. More specifically, the wafer viewer system includes a graphical user interface for display of a wafer, graphical selection of a wafer area for analysis, performing an analysis on a selected area of a wafer, and displaying analysis results.
다음 설명에서, 본 발명의 완벽한 이해를 제공하기 위해 다양한 세부사항들이 기술된다. 그러나 이 세부사항들 없이도 본 발명이 실시될 수 있을 것임은 당업자에게 자명하다. 다른 예에서, 불필요하게 본 발명을 불명료하게 하지 않기 위해 공지의 프로세스 동작은 상세하게 기술하지 않았다.In the following description, numerous details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be apparent to one skilled in the art that the present invention may be practiced without these details. In other instances, well known process operations have not been described in detail in order not to unnecessarily obscure the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 뷰어 시스템의 그래픽 유저 인터페이스 (GUI) (10) 를 도시하는 도면이다. GUI (10) 는 다수의 작업을 수행하도록 활성화될 수 있는 다수의 활성화가능 아이콘들을 가진 메뉴바 (101) 를 포함한다.1 is a diagram illustrating a graphical user interface (GUI) 10 of a wafer viewer system according to one embodiment of the present invention.
웨이퍼/XSEM 삭제 아이콘 (clear wafer/XSEM icon) (103) 은 사용자가 현재 웨이퍼 뷰어에 로드되어 있는 웨이퍼 또는 XSEM/TEM 이미지를 삭제할 수 있도록 제공된다. 웨이퍼/XSEM 삭제 아이콘 (103) 은 웨이퍼 삭제 또는 XSEM/TEM 삭제 옵션을 프리젠테이션하는 드롭다운 메뉴를 제공한다.A clear wafer /
로드 데이터/XSEM 아이콘 (load data/XSEM icon) (105) 은 사용자가 웨이퍼 A, 웨이퍼 B, 또는 XSEM/TEM 이미지에 대한 데이터를 로드할 수 있도록 제공된다. 로드 데이터/XSEM 아이콘 (105) 은 데이터를 로드하기 위하여, 웨이퍼 A, 웨이퍼 B, 또는 XSEM/TEM 이미지 옵션을 프리젠테이션하는 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 뷰어는, 중간 프로세싱없이 계측 툴로부터 출력을 판독할 수 있다. 이 실시형태에서, 웨이퍼 뷰어는 관련되는 파일 확장자에 의해 파일 포맷을 인식한다. 예를 들어, Hitachi CD SEM, KLA-Tencor CD SEM, Optiprobe ellipsometer, Rudolph ellipsometer, F5x KLA-Tencor (ellipsometer 및 scatterometry formats) 및 NOVA scatterometer 와 같은 계측 툴로부터의 출력 파일들이 웨이퍼 뷰어에 의해 인식가능하다. 또한, 웨이퍼 뷰어는 사용자 정의된 파일을 로드할 수 있다. 개별 웨이퍼들 및 XSEM/TEM 이미지들에 대한 데이터를 로드할 뿐 아니라, 웨이퍼 뷰어는 또한 주어진 웨이퍼에 대한 다수의 레이어 또는 측정값을 가지는 다수의 웨이퍼들 또는 개별 웨이퍼에 대한 데이터를 포함하는 파일들의 로드를 지원한다.A load data /
데이터 저장 아이콘 (save data icon) (107) 은 사용자가 현재 디스플레이된 웨이퍼에 대응하는 숫자 데이터를 저장할 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 데이터 저장 아이콘 (107) 은 웨이퍼 데이터, 지름 데이터, 또는 광학 프로파일 데이터를 저장하기 위한 옵션을 프리젠테이션하는 드롭다운 메뉴를 제공한다.A
프린트 아이콘 (print icon) (109) 은 사용자가 웨이퍼 리포트를 프린트할 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 리포트는 (웨이퍼 이름, 날짜, 사이트의 수 등을 포함하는) 헤더, 웨이퍼 통계의 세트 (평균, 3-시그마, 범위, 최대값, 최소값), 웨이퍼 뷰어에 의해 현재 디스플레이된 웨이퍼 맵, 단면 통계의 세트 (평균, 3-시그마, 범위, 최대값, 최소값), 및 웨이퍼 뷰어에 의해 현재 디스플레이된 단면 그래프를 포함한다.A
클립보드로의 복사 아이콘 (copy to clipboard icon) (111) 은 사용자가, 다른 애플리캐이션으로의 전송을 위해 정보를 가상의 클립보드로 복사할 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 클립보드로의 복사 아이콘 (111) 은 가상의 클립보드로 복사될 수 있는 다양한 정보 옵션을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 예를 들어, 일 실시형태에서, 드롭다운 메뉴는 맵, 스케일, 및 통계 옵션, 웨이퍼 맵 옵션, 컬러 스케일 옵션, 지름 옵션, 반경 그래프 옵션, 방위각 그래프 옵션, 및 XSEM/광학 프로파일 픽쳐 옵션을 포함할 수 있다.A copy to
웨이퍼 사이트 복구 아이콘 (undelete wafer site icon) (113) 은 사용자가 이전에 삭제된 웨이퍼 사이트를 복구할 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 사이트 복구 아이콘 (113) 은 최종 포인트 옵션 및 모든 포인트 옵션을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 최종 포인트 옵션를 선택하면, 삭제된 최종 웨이퍼 사이트를 복구할 것이다. 모든 포인트 옵션을 선택하면 이전에 삭제된 웨이퍼 사이트 모두를 복구할 것이다.Undelete
웨이퍼 집합체 관리 아이콘 (wafer collection management icon) (115) 은 사용자가 웨이퍼 집합체를 생성하고 관리할 수 있도록 제공된다. 웨이퍼 집합체는 데이터 측정 사이트 ("사이트") 의 공통 패턴을 가지는 다수의 웨이퍼들에 대한 다수의 데이터 세트의 집합체를 표현한다. 데이터 세트뿐만 아니라, 웨이퍼 집합체는 관련된 웨이퍼 식별자, 날짜, 및 코멘트를 또한 포함한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 집합체 내의 웨이퍼의 수는 사이트의 패턴을 다르게 할 수 있다. 그러나 이 실시형태에서, 웨이퍼 집합체 내의 제 1 웨이퍼가 전체 웨이퍼 집합체에 대한 마스터 사이트 패턴을 결정할 것이다. 다음으로, 웨이퍼 집합체 내의 잔존하는 웨이퍼가 마스터 사이트 패턴과 매칭하도록 보간된 데이터를 가지게 될 것이다. 예를 들어, 삭제된 사이트를 가진 웨이퍼가 웨이퍼 집합체에 부가되면, 삭제된 사이트에 대해 데이터값이 보간된다. 또한, 이 실시형태는, 상이한 엣지 배제 영역 및/또는, 상이한 계측 툴로부터의 측정 데이터를 가진 (즉, 상이한 측정 사이트 패턴을 가진) 웨이퍼를 포함하는 웨이퍼 집합체의 분석에 관련된 문제들을 회피한다.Wafer
일 실시형태에서, 웨이퍼 집합체 관리 아이콘 (115) 은 웨이퍼 집합체 관리 옵션의 수를 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 웨이퍼를 집합체에 부가하고, 집합체로부터 웨이퍼를 삭제하고, 웨이퍼 롯 (lot) 으로부터 집합체를 만들고, 모든 웨이퍼 롯 특성들로부터 집합체를 만들고, 집합체 내에 웨이퍼를 삽입하고, 웨이퍼 집합체의 변화를 저장하기 위한 옵션들이 포함된다. 웨이퍼 롯으로부터 집합체를 만들기 위한 옵션은 사용자가, 다수의 웨이퍼에 대한 데이터의 공통의 타입을 포함하는 파일로부터 웨이퍼 집합체를 생성할 수 있도록 한다. 모든 웨이퍼 롯 특성들으로부터 집합체를 만들기 위한 옵션은 사용자가, 다수의 웨이퍼들에 대한 데이터의 다수의 타입들을 포함하는 파일로부터 다수의 웨이퍼 집합체들을 동시에 생성할 수 있도록 한다. 별개의 웨이퍼 집합체는 데이터 타입들의 수 각각에 대해 생성될 것이다. 별개의 웨이퍼 집합체들 중 각각은 다수의 웨이퍼들 중 각각에 대해 대응하는 데이터를 포함할 것이다.In one embodiment, wafer
도움 아이콘 (help icon) (129) 은 사용자가 GUI (10) 의 동작에 대한 도움을 얻을 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 도움 아이콘 (129) 은 일반적인 도움을 얻거나 또는 파일 입력 포맷들에 대한 도움을 얻기 위한 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다.A
이메일 기술 지원 아이콘 (email technical support icon)(131) 은 사용자가, 지정된 GUI (10) 기술 지원 이메일 주소로 이메일을 보낼 수 있도록 제공된다. 이메일 기술 지원 아이콘 (131) 의 활성화는 호스트 컴퓨터 시스템에 상주하는 이메일 프로그램의 새로운 이메일 준비 특성을 자동적으로 인스턴트화 (instantiate) 한다.An email technical support icon 131 is provided to allow a user to send an email to a designated
어바웃 아이콘 (about icon) (133) 은 사용자가 웨이퍼 뷰어 시스템에 대한 정보를 얻을 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 어바웃 아이콘 (133) 은 웨이퍼 뷰어 시스템에 대한 정보를 얻거나 웨이퍼 뷰어 시스템 웹사이트를 방문하기 위한 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 웨이퍼 뷰어 시스템 웹사이트를 방문하기 위한 옵션의 선택은, 호스트 컴퓨터 시스템에 상주하는 웹 브라우져를 자동적으로 인스턴트화하고, 미리 지정된 웨이퍼 뷰어 시스템 웹 페이지로 네비게이션한다.An about
등록 아이콘 (registration icon) (135) 은 사용자가 웨이퍼 뷰어 시스템을 등록할 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 뷰어 시스템의 등록은, 호스트 컴퓨터 시스템 상의 웨이퍼 뷰어 시스템의 분포 및 설치를 제어하는 보안 특성으로서 사용된다.A
이상 언급한 사용자 활성화가능 아이콘들뿐만 아니라, 메뉴바 (101) 는 또한 시리즈 분석 아이콘 (series analysis icon) (117), 지름/히스토그램 아이콘 (diameter/histogram icon) (119), 방위각/반경 분포 아이콘 (azimuthal/radical distribution icon) (121), XSEM/프로파일 아이콘 (XSEM/profile icon) (123), 히스토그램 아이콘 (histogram icon) (125) 및 웨이퍼 스프레드시트 아이콘 (wafer spreedsheet icon) (127) 을 포함한다. 이러한 부가적인 사용자 활성화가능 아이콘들을 이하 대응하는 웨이퍼 뷰어 시스템 특성과 관련하여 기술한다.In addition to the user activatable icons mentioned above, the
GUI (10) 는 제 1 웨이퍼 식별 및 선택 필드 (137) 및 제 2 웨이퍼 식별 및 선택 필드 (139) 를 더 포함한다. 제 1 및 제 2 웨이퍼 식별 및 선택 필드 (137 및 139) 각각은 웨이퍼 A 및 웨이퍼 B 에 대해 현재 로드된 웨이퍼 데이터 세 트에 대응하는 명칭을 각각 디스플레이한다. 또한, 제 1 및 제 2 웨이퍼 식별 및 선택 필드 (137 및 139) 각각은 웨이퍼 A 및 웨이퍼 B 에 대해 로드된 사용가능한 웨이퍼 데이터 세트를 선택하기 위한 드롭다운 메뉴를 각각 제공한다.The
GUI (10) 는 사용자가 웨이퍼 뷰어 시스템에 의해 디스플레이되고 분석된 웨이퍼 데이터 세트를 선택할 수 있도록 하는 디스플레이 제어 필드 (141) 를 더 포함한다. 일 실시형태에서, 디스플레이 제어 필드 (141) 는 디스플레이 및 분석을 위해 선택된 상이한 웨이퍼 데이터 세트들의 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 예를 들어, 드롭다운 메뉴는 다른 메뉴들 사이에, 웨이퍼 A, 웨이퍼 B, (웨이퍼 A - 웨이퍼 B), (웨이퍼 A + 웨이퍼 B), (웨이퍼 A x 웨이퍼 B), (웨이퍼 A / 웨이퍼 B), 및 [(1/웨이퍼 A) - (1/웨이퍼 B)] 에 대한 옵션들을 포함할 수 있다. 선택된 옵션은 웨이퍼 뷰어 시스템에 의해 현재 디스플레이되고 분석되는 웨이퍼 데이터를 결정할 것이다.
또한, 연산자 필드 (143) 및 피연산자 필드 (145) 의 사용을 통해, 추가적인 수학적 연산들이 디스플레이 제어 필드 (141) 에서 선택된 웨이퍼 데이터 상에서 또한 수행될 수 있다. 연산자 필드 (143) 는 디스플레이 제어 필드 (141) 에서 선택된 웨이퍼 데이터 상에서 수행되는 곱셈 (x), 나눗셈 (/), 덧셈 (+), 뺄셈 (-), 거듭제곱 (^) 및 회전 연산을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 피연산자 필드 (145) 는 사용자가 수, 평균, 또는 최소 피연산자 옵션을 선택할 수 있도록 하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 수 피연산자 옵션의 선택은 사용자가 피연산자 필드 (145) 로 피연산자로 사용되는 수를 입력할 수 있도록 한다. 평균 피연산자 옵션의 선택은, 디스플레이 제어 필드 (141) 에서 선택된 웨이퍼 데이터의 평균값이 피연산자로서 사용되게 할 것이다. 최소 피연산자 옵션의 선택은, 디스플레이 제어 필드 (141) 에서 선택된 웨이퍼 데이터의 최소값이 피연산자로서 사용되게 할 것이다. 연산자 필드 (143) 에 표시된 수학적 연산 (즉, x, +, -, /, 또는 ^) 은 피연산자 필드 (145) 에 입력된 피연산자를 사용하여 디스플레이 제어 필드 (141) 에서 선택된 웨이퍼 데이터 상에서 수행될 것이다. 수학적 연산으로부터의 데이터 결과는 웨이퍼 뷰어 시스템에 의해 디스플레이 및 분석을 위해 사용될 것이다. 연산자 필드 (143) 에서 회전 옵션이 선택된 경우, 피연산자 필드 (145) 에 입력된 피연산자는 현재 선택된 웨이퍼 데이터의 디스플레이를 위한 다수의 회전 각도들로서 사용될 것이다.In addition, through the use of the operator field 143 and the operand field 145, additional mathematical operations may also be performed on the wafer data selected in the
GUI (10) 는, 사용자가 웨이퍼 뷰어 시스템에 의해 현재 디스플레이되고 분석되는 웨이퍼 데이터에 관련된 측정 단위를 선택할 수 있도록 하는 단위 필드 (units field) (147) 를 더 포함한다. 일 실시형태에서, 사용가능한 측정 단위는 옹스트롬, 나노미터, 킬로옹스트롬, 마이크로미터, 섭씨 (Celsius), 옹스트롬/분, 나노미터/분, 킬로옹스트롬/분, 마이크로미터/분을 포함하거나 어느 것도 포함하지 않는다. 단위 필드 (147) 는 선택을 위해 사용가능한 다양한 측정 옵션들의 단위를 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다.The
미리 언급된 바와 같이, 데이터는 다수의 레이어들 또는 주어진 웨이퍼에 대한 측정값들에 대해 로드될 수 있다. 이러한 경우, GUI (10) 는 내부 웨이퍼 수학 선택 (149) 을 포함한다. 선택시에, 내부 웨이퍼 수학 선택 (149) 은 주어진 웨이퍼의 선택된 레이어 또는 측정값 데이터 세트들 사이에서 수행되는 수학적인 연산을 발생시킨다. 제 1 내부 수학 피연산자 필드 (151) 는 사용자가 내부 웨이퍼 수학 계산 내의 제 1 피연산자로서 사용되는 데이터 세트를 선택할 수 있도록 하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 제 2 내부 수학 피연산자 필드 (155) 는 사용자가 내부 웨이퍼 수학 계산 내의 제 2 피연산자로서 사용되는 데이터 세트를 선택할 수 있도록 하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 내부 수학 연산자 필드 (153) 는 사용자가 수행되는 내부 수학 연산 (즉, 뺄셈 (-), 덧셈 (+), 곱셈 (x), 나눗셈 (/)) 을 선택할 수 있도록 하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 선택된 내부 수학 연산은 선택된 제 1 및 제 2 내부 수학 피연산자들의 대응 데이터값들 사이에서 수행된다. 선택된 내부 수학 연산으로부터의 데이터 결과는 웨이퍼 뷰어 시스템에 의해 디스플레이 및 분석을 위해 사용될 것이다.As mentioned previously, data can be loaded for multiple layers or measurements for a given wafer. In this case,
GUI (10) 는 웨이퍼 설명 영역 (157) 을 더 포함한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 설명 영역 (157) 은 사이트 필드 (159), 엣지 필드 (161) 및 사이즈 필드 (163) 를 포함한다. 사이트 필드 (159) 는 현재 디스플레이되고 분석되는 웨이퍼 또는 웨이퍼들 내의 데이터 측정 사이트들의 수에 대한 정보를 제공한다. 엣지 필드 (161) 는 현재 디스플레이되고 분석되는 웨이퍼 또는 웨이퍼들의 엣지 배제 영역의 사이즈를 제공한다. 사이즈 필드 (163) 는 현재 디스플레이되고 분석되는 웨이퍼 또는 웨이퍼들의 지름 사이즈를 제공한다.The
GUI (10) 는 웨이퍼 정보 영역 (165) 을 더 포함한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 정보 영역 (165) 은 웨이퍼 식별자 필드 (167), 날짜 필드 (169), 레시피 필드 (171) 및 코멘트 필드 (173) 를 포함한다. 웨이퍼 식별자 필드 (167) 는 현재 디스플레이되고 분석되는 웨이퍼에 관련된 식별자를 디스플레이한다. 날짜 필드 (169) 는 현재 로드된 웨이퍼 데이터가 생성되거나 포함된 날짜를 디스플레이한다. 또한 날짜 필드 (169) 는 활성화될 때, 네비게이션가능한 달력이 디스플레이되도록 하는 드롭다운 제어부를 제공한다. 레시피 필드 (171) 는 현재 로드된 웨이퍼 데이터에 관련된 웨이퍼 프로세싱 레시피에 관한 정보를 디스플레이한다. 코멘트 필드 (173) 는 현재 로드된 웨이퍼 테이터에 제공되는 코멘트를 디스플레이한다. 코멘트 필드 (173) 는 수직 스크롤 제어부들로 구성된다. 확장 아이콘 (175) 은 또한 코멘트 필드 (173) 와 관련된다. 활성화시에, 확장 아이콘 (175) 은 코멘트 필드 (173) 가 더 큰 팝업 윈도우에서 디스플레이되도록 한다. 더 큰 팝업 윈도우는 팝업 윈도우를 닫도록 활성화될 수 있는 클로즈 (close) 아이콘을 제공한다.The
GUI (10) 는 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 및 공간 통계 영역 (301) 을 더 포함한다. GUI의 잔존 부분은 현재 선택된 분석 모드와 관련되는 특성을 디스플레이하도록 사용된다. 예를 들어, 도 1에서, 현재 선택된 분석 모드는 스프레드시트이다. 따라서, GUI의 잔존 부분은 스프레드시트 분석 모드와 관련되는 웨이퍼 데이터 영역 (401) 을 디스플레이하도록 사용된다. 웨이퍼 데이터 영역 (401) 및 다른 사용가능한 분석 모드 선택들 및 관련 특성을 이하 더 상세히 기술한다.The
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 은 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 를 포함한다. 직교좌표계가 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에 규정된다. 웨이퍼 이미지 (217) 는 실질적인 데이터 측정 사이트 위치 (219) 및 관련 측정 데이터값의 디스플레이를 포함한다.2 is a diagram showing a separation view of the
웨이퍼 이미지 (217) 는 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에 디스플레이된다. 웨이퍼 이미지 (217) 는 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에 규정되는 직교좌표계의 원점에 중심이 배치된다. 웨이퍼 이미지 (217) 는 실질적인 데이터 측정 사이트 위치 (219) 및 관련되는 측정 데이터값을 포함한다. 웨이퍼 이미지 (217) 는 또한 데이터 측정값들 사이의 수치적인 보간에 의해 렌더링되는 컬러 또는 단색 맵을 포함한다. 사용자가 마우스를 웨이퍼 이미지 (217) 위에서 이동시킴에 따라, 수직 가이드 (223), 수평 가이드 (221), 및 정보상자 (225) 가 마우스 위치에서 디스플레이된다. 정보상자 (225) 는 마우스 위치에 대응하는 직교좌표 세트 및 데이터값을 디스플레이한다. 수직 가이드 (223) 및 수평 가이드 (221) 는 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 의 하부 엣지에 제공되는 스케일 (227) 과 조합하여 사용되어 마우스를 원하는 위치로 정확하게 위치시킬 수 있다.
웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 은 또한 웨이퍼 이미지 (217) 에 걸쳐 디스플레이된 컬러 또는 단색 맵에 사용되는 다양한 색조 또는 음영에 대응하는 컬러 스케일 (229) 을 포함한다. 컬러 스케일 (229) 에 따라 색조 또는 음영의 변화는 데이터값 크기의 변화에 대응한다.
웨이퍼 뷰 선택 필드 (231) 는 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 웨이퍼 뷰 선택 필드 (231) 는 웨이퍼 디스플레이 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 디스플레이의 옵션들은 컬러 윤곽, 컬러 경사, 단색, 1-시그마, 및 사이트값을 포함한다. 컬러 윤곽 옵션은 컬러 스케일 (229) 을 별개의 수의 단계들로 분할한다. 일 실시형태에서, 컬러 윤곽 옵션은 컬러 스케일을 9 개의 별개의 단계들로 분할한다. 컬러 윤곽 옵션은 유사한 값들을 가진 웨이퍼 영역을 도시하는데 유용하다. 컬러 경사 옵션은 연속적인 경사를 사용하여 컬러 스케일 (229) 을 규정한다. 컬러 경사 옵션은 컬러 윤곽 옵션보다 더 세부적인 사항을 제공하는데 유용하다. 단색 옵션은 컬러 스케일 (229) 을 회색 스케일로 규정한다. 단색 옵션은 웨이퍼 이미지 (217) 를 흑백 프린터에 더 적합한 포맷으로 제공하는데 유용하다. 1-시그마 옵션은 1-시그마 이하의 데이터값을 제 1 컬러로, 마이너스 1-시그마와 플러스 1-시그마 사이의 데이터값을 제 2 컬러로, 1-시그마 이상의 데이터값을 제 3 컬러로 디스플레이한다. 1-시그마 옵션은 평균으로부터 멀리 떨어진 데이터값들을 디스플레이하는데 유용하다. 사이트값 옵션은 단지 실질적인 데이터 측정 사이트 위치 (219) 및 관련 측정 데이터값들만 디스플레이한다.
Wafer
포인트 밀도 선택 필드 (233) 는 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 포인트 밀도 선택 필드 (233) 는 보간 그리드를 규정하는데 사용되는 포인트 밀도 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 포인트 밀도 옵션들은 로우 (50 포인트 x 50 포인트 보간 그리드), 노멀 (100 포인트 x 100 포인트 보간 그리드) 및 하이 (200 포인트 x 200 포인트 보간 그리드) 를 포함한다. 예를 들어, 로우 (low) 옵션의 선택은, 보간 그리드가 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에서 50 개의 균일폭 열 및 50 개의 균일높이 행으로 규정되게 할 것이다. 노멀 (normal) 옵션의 선택은, 보간 그리드가 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에서 100 개의 균일폭 열 및 100 개의 균일높이 행으로 규정되게 할 것이다. 하이 (high) 옵션의 선택은, 보간 그리드가 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에서 200 개의 균일폭 열 및 200 개의 균일높이 행으로 규정되게 할 것이다. 데이터값은 규정된 보간 그리드 내의 각 포인트에 대해 보간된다. 따라서, 하이 옵션의 선택은 최고의 보간 해상도를 제공하고, 하이 옵션의 선택은 최저의 보간 해상도를 제공한다.The point
보간 선택 필드 (235) 는 웨이퍼 영역 (201) 내에 제공된다. 보간 선택 필드 (233) 는 선택된 보간 그리드에 따른 디스플레이를 위한 보간된 데이터값들을 계산하는데 사용되는 보간 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 보간 옵션은 소프트 (soft), 노멀 및 하쉬 (harsh) 를 포함한다. 보간은 (1/rn) 에 비례하는 가중 함수를 생성하는 역거리 (inverse distance) 알고리즘에 기초하며, 여기서 r은 데이터 측정 사이트 위치 (219) 와 보간되는 위치 사이의 거리이고, n은 2와 4 사이에서 최적값으로 조정가능한 파라미터이다. 더 큰 n 값은 더 적은 데이터 측정 사이트 위치에 더 적합하다. 반대로, 더 작은 n 값은 더 많은 데이터 측정 위치들에 더 적합하다. 소프트 옵션은 n 값을 2로 설정한다. 하쉬 옵션은 n 값을 4로 설정한다. 노멀 옵션은 n 값을 디스플레이된 데이터 측정 위치들의 수에 따라 계산한다.
사이트 표시 선택 (239) 은 웨이퍼 영역 (201) 내에 제공된다. 사이트 표시 선택 (239) 은 웨이퍼 이미지 (217) 로부터 데이터 측정 사이트 위치 (219) 를 디스플레이하고 제거하도록 토글될 수 있다.
값 표시 선택 (241) 은 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 값 표시 선택 (241) 은 웨이퍼 이미지 (217) 로부터 데이터 측정 사이트 위치 (219) 와 관련된 데이터 값들을 디스플레이하고 제거하도록 토글될 수 있다.The
척도 (ruler) 선택 표시 (263) 는 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 척도 선택 표시 (263) 는 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 의 측면으로부터 척도 점표시를 디스플레이하거나 제거하도록 토글될 수 있다.A
한계 경고 영역 (243) 은 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 한계 경고 영역 (243) 은 한계 경고 활성화 선택 (245), 상부 한계 경고 필드 (247), 및 하부 한계 경고 필드 (249) 를 포함한다. 한계 경고 활성화 선택 (245) 이 활성화되면, 상부 한계 경고 필드 (247) 값보다 높거나 하부 한계 경고 필드 (249) 값보다 낮은 관련 데이터값을 가지는 각 데이터 측정 사이트 위치 (219) 는 웨이퍼 이미지 (217) 에서 강조된다.The
스케일 한계 영역 (251) 은 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 스케일 한계 영역 (251) 은 스케일 한계 활성화 선택 (253) 및 상부 및 하부 스케일 한계를 설정하기 위한 옵션들을 제공하는 드롭다운 메뉴 (259) 를 포함한다. 드롭다운 메뉴 (259) 는 사용자 공급 옵션, 평균 퍼센트 옵션, 및 3-시그마 옵션을 포함한다. 사용자 공급 옵션의 선택은 상부 스케일 한계가 상부 스케일 한계 필드 (255) 에 입력될 수 있도록 하고, 하부 스케일 한계가 하부 스케일 한계 필드 (257) 에 입력될 수 있도록 한다. 평균 퍼센트의 선택은 퍼센트값이 값 필드 (261) 로 입력될 수 있도록 한다. 상부 및 하부 스케일 한계들은 대응하는 평균의 퍼센트로 계산된다. 3-시그마 옵션의 선택은 상부 및 하부 스케일 한계를 평균에 대한 표준편차의 3배로 설정한다.
다이 레이아웃 영역 (265) 는 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 제공된다. 다이 레이아웃 영역 (265) 은 다이 레이아웃 선택 표시 (267), 수평 다이 사이즈 필드 (269a), 수직 다이 사이즈 필드 (269b), 수평 다이 오프셋 필드 (271a), 수직 다이 오프셋 필드 (271b) 를 포함한다. 수평 다이 사이즈 필드 (269a) 및 수직 다이 사이즈 필드 (269b) 는 사용자가 단일한 다이의 디멘션을 제공할 수 있도록 한다. 수평 다이 오프셋 필드 (271a) 및 수직 다이 오프셋 필드 (271b) 는 사용자가 웨이퍼의 중심에 대한 다이 그리드 오프셋을 제공할 수 있도록 한다.Die
웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 은 또한 웨이퍼 통계 영역 (203) 을 포함한다. 웨이퍼 통계 영역 (203) 은 현재 디스플레이된 웨이퍼 데이터의 세트에 대응하는 평균값 (205), 3-시그마값 (207) (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (209) (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값 (211), 및 최소값 (213) 을 디스플레이한다.
웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 은 분석 선택 필드 (237) 를 더 포함한다. 분석 선택 필드 (237) 는 분석 모드 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 분석 모드 옵션들은 단면 분석 옵션, 분포 분석 옵션, XSEM/프로파일 분석 옵션, 스프레드시트 분석 옵션을 포함한다. 분석 옵션의 선택은 대응하는 특성의 세트 및 제어부가 GUI (10) 내에 디스플레이되도록 한다. 각각의 분석 모드 옵션들에 관련되는 특성들 및 제어부들이 이하 도 3 내지 도 13에 관해 기술된다.
도 2에서, 분석 선택 필드 (237) 는 스프레드시트 분석 옵션이 선택되는 것을 표시한다. 도 1로 돌아가서, 스프레드시트 분석 옵션 선택시에 웨이퍼 데이터 영역 (401) 이 디스플레이된다. 분석 선택 필드 (237) 를 사용할 뿐만 아니라, 메뉴바 (101) 에서 웨이퍼 스프레드시트 아이콘 (127) 을 활성화함으로써 스프레드시트 분석 옵션이 선택될 수도 있다.In FIG. 2,
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 웨이퍼 데이터 영역 (401) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 웨이퍼 데이터 영역 (401) 은 스프레드시트 디스플레이를 포함한다. 스프레드시트 디스플레이는 데이터 측정 사이트의 수를 입력하고/입력하거나 디스플레이하기 위한 사이트 열 (407) 을 포함한다. x-열 (409) 및 y-열 (411) 은 각각 대응하는 데이터 측정 사이트의 x 및 y 좌표를 입력하고/입력하거나 디스플레이하기 위해 포함된다. z-열 (413) 은 데이터 측정 사이트에 대응하는 웨이퍼 두께를 입력하고/입력하거나 디스플레이하기 위해 포함된다. 데이터는 각 데이터 측정 사이트를 별개의 열에 대해 입력되고/입력되거나 디스플레이된다. 사용자는 사이트 열 (407), x-열 (409), y-열 (411), 또는 z-열 (413) 의 헤더를 선택하여 각 열의 데이터에 의해 스프레드시트 디스플레이 내의 데이터를 정렬할 수 있다. 특정한 헤더의 연속적인 선택들은 오름차순과 내림차순 사이에서 정렬을 토글할 수 있다. 수직 스크롤 제어부는 스프레드시트 디스플레이를 통해 네비게이션을 할 수 있도록 제공된다. 또한, 새로운 사이트 추가 허용 선택 (405) 이 제공된다. 새로운 사이트 추가 허용 선택 (405) 의 활성화는 사용자가 스프레드시트 디스플레이 내의 새로운 데이터 측정 사이트에 대한 데이터를 수동으로 입력할 수 있도록 한다. 새로운 사이트 추가 허용 선택 (405) 이 활성화되지 않으면, 사용자는 스프레드시트 디스플레이 내의 데이터를 입력하거나 변경할 수 없다. 따라서, 스프레드시트 분석 옵션은 사용자가 현재의 웨이퍼의 데이터를 편집하거나 새로운 웨이퍼에 대한 데이터를 입력할 수 있도록 한다.3 is a diagram showing a separation view of the
웨이퍼 데이터 영역 (401) 은 또한 웨이퍼 사이즈 옵션들을 프리젠테이션하기 위한 드롭다운 메뉴를 제공하는 웨이퍼 사이즈 선택 필드 (403) 를 포함한다. 일 실시형태에서, 웨이퍼 사이즈 옵션들은 75mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm, 300mm, 및 450mm 의 지름의 웨이퍼를 포함한다. 특정한 웨이퍼 사이즈 옵션의 선택은 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 의 하부 엣지에 제공되는 스케일 (227) 을 조정한다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 단면 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI를 도시하는 도면이다. 단면 분석 옵션은 분석 선택 필드 (237), 지름/히스토그램 아이콘 (119), 또는 히스토그램 아이콘 (125) 으로 선택될 수 있다. 단면 분석 옵션 선택시에, GUI (10) 는 단면 영역 (501) 및 히스토그램 영역 (601) 을 디스플레이한다.4 is a diagram illustrating a GUI when a cross-sectional analysis option according to an embodiment of the present invention is selected. The cross-sectional analysis option may be selected with an
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 단면 영역 (501) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 단면 영역 (501) 은 단면 디스플레이 (523) 를 포함한다. 단면 디스플레이 (523) 는 웨이퍼의 중심을 횡단한 단면을 단면 제어부들의 세트에 따라 디스플레이한다. 단면 디스플레이 (523) 는 웨이퍼의 중심으로부터의 반경 거리를 표현하는 수평 스케일을 포함한다. 단면 디스플레이 (523) 는 또한 웨이퍼 두께를 표현하는 수직 스케일을 포함한다. 따라서, 단면 디스플레이 (523) 는 웨이퍼 두께 편차의 이미지를 웨이퍼 중심으로부터의 거리의 함수로서 프리젠테이션한다.FIG. 5 is a diagram showing a separation view of the
사용자가 단면 디스플레이 (523) 에서 디스플레이되는 정확한 단면을 선택할 수 있도록 단면 제어부의 세트가 제공된다. 단면 제어부의 세트는 각도 선택 그래픽 제어부 (515), 각도값 필드 (517), 컬러 선택 (519), 및 스케일 한계 동기화 선택 (521) 을 포함한다. 각도 선택 그래픽 제어부 (515) 및 각도값 필드 (517) 는 사용자에 의해 사용되어 분석될 정확한 단면을 선택할 수 있다. 사용자는 단면 제어 라인 (525) 을 선택하고 드래그하여 분석을 위한 원하는 단면을 얻을 수 있다. 단면 제어 라인 (525) 은 그래픽 제어부 (515) 의 중심 주위를 선회하도록 규정된다. 또한 사용자는 각도값 필드에서 직접 각도를 입력하여 분석을 위한 원하는 단면을 얻을 수 있다. 각도 선택 그래픽 제어부 (515) 가 사용되면, 대응하는 각도는 각도값 필드 (517) 에 디스플레이될 수 있다. 각도값이 각도값 필드 (517) 에 직접 입력되면, 각도 선택 그래픽 제어부 (515) 는 입력된 각도값을 반영하도록 조정될 수 있다. 컬러 선택 (519) 은 컬러 단면 디스플레이 (523) 와 라인-그래프 타입의 단면 디스플레이 (523) 사이에서 토글되도록 사용된다. 컬러 선택 (519) 이 활성화될 경우, 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 에서 디스플레이되는 컬러 스케일은 또한 컬러 단면 디스플레이 (523) 에 대해 사용된다. 스케일 한계 동기화 선택 (521) 은 스케일 한계 영역 (251) 에 입력될 때, 스케일 한계로 단면 디스플레이 (523) 의 수직 스케일을 동기화하도록 사용된다.A set of cross section controls is provided so that a user can select the exact cross section displayed on the
단면 영역 (501) 은 또한 단면 통계 영역 (503) 을 포함한다. 단면 통계 영역 (503) 은 단면 제어부 세트에 의해 설정될 때, 현재 선택되고 디스플레이된 단면에 대응하는, 평균값 (505), 3-시그마값 (507) (즉, 평균값에 대한 표준 편차의 3배), 범위값 (509) (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값 (511), 및 최소값 (513) 을 디스플레이한다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 히스토그램 영역 (601) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 히스토그램 영역 (601) 은 히스토그램 디스플레이 (605) 및 히스토그램 데이터 소스 선택 (603) 을 포함한다. 히스토그램 디스플레이 (605) 는 현재 선택되고 디스플레이된 웨이퍼 데이터값들의 가우시안 특성을 평가하는데 사용될 수 있다. 히스토그램 디스플레이 (605) 는 현재의 히스토그램 데이터 소스 선택 (603) 에 따른 데이터값들의 바 플롯을 포함한다. 바 플롯의 각 바는 평균에 대한 표준편차의 1/4를 표현한다. 히스토그램 디스플레이 (605) 는 또한 현재의 히스토그램 데이터 소스 선택 (603) 의 평균 및 표준편차에 기초한 이상적인 가우시안 분포 (607) 를 도시한다. 히스토그램 데이터 소스 선택 (603) 은 사용자가 히스토그램 디스플레이 (605) 를 생성하기 위한 데이터 소스를 선택할 수 있도록 하는 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 히스토그램 데이터 소스 옵션은 데이터 측정 사이트에 대응하는 데이터값들 또는 보간에 대응하는 데이터값들을 포함하며, 보간은 포인트 밀도 선택 필드 (233) 및 보간 선택 필드 (235) 에 의해 규정된다.FIG. 6 is a diagram showing a separation diagram of the
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 분포 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI (10) 를 도시하는 도면이다. 분포 분포 옵션은 분석 선택 필드 (237) 또는 방위각/반경 분포 아이콘 (121) 으로 선택될 수 있다. 분포 분석 옵션 선택시에, GUI (10) 는 반경/각도 분포 영역 (701) 을 디스플레이한다.FIG. 7 is a diagram showing a
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반경/각도 분포 영역 (701) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 반경/각도 분포 영역 (701) 은 반경 분포 디스플레이 (739), 각도 분포 디스플레이 (741), 반경 및 각도 분포 디스플레이 제어부의 세트, 반경 분포 통계 영역 (703), 및 각도 분포 통계 영역 (715) 을 포함한다.8 is a diagram showing a separation of the radius /
반경 분포 디스플레이 (739) 는 웨이퍼 두께의 플롯을 분포 중심으로부터 웨이퍼 엣지까지 프리젠테이션한다. 반경 분포 디스플레이 (739) 의 수직 스케일은 웨이퍼 두께값에 대응한다. 반경 분포 디스플레이 (739) 의 수평 스케일은 분포 중심으로부터 웨이퍼의 엣지까지의 거리에 대응한다. 반경 및 각도 분포 디스플레이 제어부 세트 내의 분포 선택 필드 (727) 를 통해, 사용자는 웨이퍼의 기하학적 중심 또는 웨이퍼의 질량중심에 분포의 중심을 설정하도록 선택할 수 있다. 반경 및 각도 분포 디스플레이 제어부의 세트 내의 그래픽 분포 제어부 (733) 를 통해 사용자는 반경 분포 제어 라인 (745) 을 선택하고 드래그하여 분석을 위한 원하는 반경 분포을 얻을 수 있다. 반경 분포 제어 라인 (745) 은 분포 선택 필드 (727) 내에서 선택된 분포 중심 주위를 선회하도록 규정된다. 또한, 사용자는 각도값 필드 (731) 내로 각도를 직접 입력하여 분석을 위한 원하는 반경 분포을 얻을 수 있다. 반경 분포 제어 라인 (745) 이 사용되면, 대응 각도는 각도값 필드 (731) 에 디스플레이된다. 각도값이 각도값 필드 (731) 에 직접 입력되면, 각도 분포 제어 라인 (745) 은 입력된 각도값을 반영하도록 조정된다.
각도 분포 디스플레이 (741) 는 웨이퍼의 환형 영역 주위의 웨이퍼 두께의 플롯을 표현한다. 각도 분포 디스플레이 (741) 의 수직 스케일은 웨이퍼 두께값에 대응한다. 각도 분포 디스플레이 (741) 의 수평 스케일은 분포 중심에 대한 출발점으로부터의 각도 거리 (즉, 0도 내지 360도) 에 대응한다. 분포 선택 필드 (727) 을 통해, 사용자는 분포 중심을 웨이퍼의 기하학적 중심이나 또는 웨이퍼의 질량중심에 설정하도록 선택할 수 있다. 그래픽 분포 제어부 (733) 를 통해, 사용자는 환형 분포 제어 라인 (743) 을 선택하고 드래그하여 분석을 위한 원하는 환형 분포 반경을 얻을 수 있다. 환형 분포 제어 라인 (743) 은 분포 선택 필드 (727) 에서 선택된 분포 중심 주위에 방사상으로 조정되도록 규정된다. 다른 방법으로, 사용자는 반경을 반경값 필드 (729) 에 직접 입력하여, 분석을 위한 원하는 환형 분포을 얻을 수 있다. 환형 분포 제어 라인 (743) 이 사용되면, 대응하는 반경이 반경값 필드 (729) 에 디스플레이된다. 반경값이 반경값 필드 (729) 에 직접 입력되면, 환형 분포 제어 라인 (743) 은 입력된 반경값을 반영하도록 조정된다.
컬러 선택 (735) 은 반경 분포 디스플레이 (739) 및 각도 분포 디스플레이 (741) 의 컬러 버젼과 라인-그래프 버젼 사이에서 토글되도록 사용된다. 컬러 선택 (735) 이 활성화되면, 웨이퍼 디스플레이 영역 (201) 내에 디스플레이된 컬러 스케일은 또한 반경 분포 디스플레이 (739) 및 각도 분포 디스플레이 (741) 의 컬러 버젼에 대해 사용될 수도 있다. 또한, 스케일 한계 영역 (251) 에 입력될때, 스케일 한계 동기화 선택 (737) 은 반경 분포 디스플레이 (739) 및 각도 분포 디스플레이 (741) 모두의 수직 스케일을 스케일 한계와 동기화하도록 사용된다.The
반경 분포 통계 영역 (703) 은, 반경 및 각도 분포 디스플레이 제어부의 세트에 의해 설정될 때, 현재 선택되고 디스플레이된 반경 분포에 대응하는, 평균값 (705), 3-시그마값 (707) (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (709) (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값 (711), 및 최소값 (713) 을 디스플레이한다. 유사하게, 각도 분포 통계 영역 (715) 은 반경 및 각도 분포 디스플레이 제어부의 세트에 의해 설정될 때, 현재 선택되고 디스플레이된 각도 분포에 대응하는, 평균값 (717), 3-시그마값 (719) (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (721) (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값 (723), 및 최소값 (725) 을 디스플레이한다. 반경 분포 디스플레이 (739) 및 반경 분포 통계 영역 (703) 은, 웨이퍼의 기하학적 중심 또는 웨이퍼의 질량중심으로부터 웨이퍼를 횡단하는 일정각에서 불균일성을 평가하는데 유용하다. 각도 분포 디스플레이 (741) 및 각도 분포 통계 영역 (715) 은 웨이퍼의 기하학적 중심 또는 웨이퍼의 질량중심으로부터 웨이퍼를 횡단하는 일정거리에서 불균일성을 평가하는데 유용하다.The radius distribution
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 XSEM/프로파일 분석 옵션이 선택된 경 우의 GUI (10) 를 도시하는 도면이다. XSEM/프로파일 분석 옵션은 분석 선택 필드 (237) 또는 XSEM/프로파일 아이콘 (123) 으로 선택될 수 있다. XSEM/프로파일 분석 옵션의 선택시에, GUI (10) 는 XSEM/프로파일 영역 (801) 을 디스플레이한다.9 is a diagram illustrating the
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 XSEM/프로파일 영역 (801) 의 분리도를 도시하는 도면이다. XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 은 XSEM/프로파일 영역 (801) 내에 제공된다. 사용자는 메뉴바 (101) 내의 로드 데이터/XSEM 아이콘 (105) 또는 XSEM/프로파일 영역 (801) 내의 파일 오픈 아이콘 (823) 을 사용하여, XSEM 또는 프로파일 화상을 오픈할 수 있다. 파일명 필드 (825) 는 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내에 현재 디스플레이된 화상의 파일명을 도시하도록 제공된다. 파일명 필드 (825) 는 또한 사용자가 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내에 디스플레이되도록 메모리에 현재 저장된 또다른 화상을 빠르게 선택할 수 있도록 하는 드롭다운 메뉴를 제공한다.FIG. 10 is a diagram showing a separation view of the XSEM /
줌 선택 필드 (817) 는 사용자가 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내에 현재 디스플레이된 화상의 사이즈 확대를 선택할 수 있도록 제공된다. 일 실시형태에서, 줌 선택 필드 (817) 는 디스플레이된 화상을 원 사이즈의 4배까지 확대하도록 사용될 수 있다. 회전 선택 필드 (819) 는 사용자가 디스플레이 영역 (803) 내에 현재 디스플레이된 화상을 회전시킬 수 있도록 제공된다. 회전 선택 필드 (819) 는 현재 디스플레이된 화상을 포착하는 동안 발생할 수 있는 각도 에러를 정정하는데 유용하다. 드리프트 선택 필드 (821) 는 사용자가 현재 디 스플레이된 화상을 포착하는 동안 발생할 수 있는 왜곡을 정정할 수 있도록 제공된다. 예를 들어, 드리프트 선택 필드 (821) 는 현재 디스플레이된 화상을 포착하는 경우 전자빔 스캐닝동안 단계 이동 (stage movement) 에 의해 발생하는 왜곡을 정정하는데 유용하다. 수평 슬라이더 (805) 및 수직 슬라이더 (807) 는 사용자가 현재 디스플레이된 화상을 좌,우,상,및 하로 쉬프트시킬 수 있도록 제공된다. 수평 슬라이더 (805) 및 수직 슬라이더 (807) 는 줌이 현재 디스플레이된 화상의 사이즈를 확대하는 동안 목표 특성을 센터링 (centering) 하는데 유용하다. 리셋 XSEM 설정 버튼 (827) 은 사용자가 수평 슬라이더 (805), 수직 슬라이더 (807), 줌 선택 필드 (817), 회전 선택 필드 (819), 및 드리프트 선택 필드 (821) 를 디폴트값으로 리셋할 수 있도록 제공된다. XSEM 제거 버튼 (829) 은 사용자가 현재 디스플레이된 화상을 메모리로부터 제거할 수 있도록 제공된다. 전체 제거 버튼 (831) 은 사용자가 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내에 디스플레이되도록 메모리 내에 현재 저장된 모든 화상을 제거할 수 있도록 제공된다. 프로파일 표시 선택 (833) 은 사용자가 현재 선택된 프로파일 화상을 빠르게 표시하고 제거할 수 있도록 제공된다. XSEM 표시 선택 (835) 은 사용자가 현재 선택된 XSEM 화상을 빠르게 표시하고 제거할 수 있도록 제공된다. 주축 (main axes) 표시 선택 (837) 은 사용자가 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 으로부터 수평축 (802) 및 수직축 (804) 을 디스플레이하고 제거할 수 있도록 제공된다.A
제 1 교정 슬라이더 (809) 및 제 2 교정 슬라이더 (811) 는 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내의 거리를 측정하기 위한 스케일을 교정하도록 사용된다. 교정 거리 선택 필드 (813) 는 사용자가 제 1 교정 슬라이더 (809) 와 제 2 교정 슬라이더 (811) 사이의 거리에 값을 할당할 수 있도록 제공된다. 교정 후에, 주축 표시 선택 (837) 에 의해 프리젠테이션될 때, 사용자는 마우스 포인터를 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내로 위치하여 수평축 및 수직축에 대한 마우스 포인터 위치에 대응하는 직교좌표의 세트를 얻을 수 있다. 직교좌표의 세트는 마우스 포인터 위치 다음에 있는 레이블 영역 (806) 에서 디스플레이된다. 사용자는 마우스 포인터를 클릭하여, 거리 측정의 출발 위치를 선택할 수 있다. 마우스 포인터를 누른 상태를 유지하여, 사용자는 마우스 포인터를 거리 측정의 말단 위치로 이동시킬 수 있다. 마우스 포인터 위치의 다음에 디스플레이된 레이블 영역 (806) 은 직선 거리와 수평 및 수직축 사이의 수평 거리값, 수직 거리값, 직선 거리값, 및 각도값을 디스플레이할 것이다. 레이블 영역 (806) 내에 디스플레이된 계산거리는 제 1 교정 슬라이더 (809), 제 2 교정 슬라이더 (811), 및 교정 거리 선택 필드 (813) 를 사용하여 설정된 교정에 대응한다. 또한, 사용자는 원하는 위치에서 마우스 포인터를 더블클릭함으로써, XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 내의 원하는 위치에서 라인의 마커 (marker) 세트를 드롭할 수 있다. 일 실시형태에서, XSEM/프로파일 분석 옵션은 사용자가 XSEM/프로파일 디스플레이 영역 (803) 에서 디스플레이된 XSEM 화상에 대한 프로파일 파라미터 결과를 사용하여 생성된 프로파일 (808) 을 오버레이할 수 있도록 한다. 이미 언급한 바와 같이, 프로파일 (808) 디스플레이는 프로파일 표시 선택 (833) 을 사용하여 온 및 오프로 토글될 수 있다.The
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 시리즈 분석 옵션이 선택된 경우의 GUI (10) 를 도시하는 도면이다. 시리즈 분석 옵션은 시리즈 분석 아이콘 (117) 으로 선택될 수 있다. 시리즈 분석 옵션의 선택시에, GUI (10) 는 시리즈 플롯 영역 (901) 을 디스플레이한다.FIG. 11 is a diagram showing a
도 12는 본 발명의 일 실시형태에 따른 시리즈 플롯 영역 (901) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 웨이퍼 집합체 관리 아이콘 (115) 에 대하여 이미 기술한 바와 같이, 웨이퍼 집합체는 데이터 측정 사이트의 공통의 패턴을 가지는 웨이퍼들의 수에 대한 다수의 데이터의 집합체를 표현한다. 웨이퍼 프로세스가 실행됨에 따라 웨이퍼 집합체는 다른 것들 중 프로세스 라이브러리, 통계 프로세스 제어 (SPC) 시리즈, 또는 툴 매칭 시리즈를 표현할 수 있다. 프로세스 라이브러리에서, 다수의 데이터 세트들의 집합체는 상이한 프로세스 조건에서의 결과를 표현한다. SPC 시리즈 내에서, 다수의 데이터 세트의 집합체는 상이한 시간에 동일한 툴에서의 동일한 프로세스에 대해 얻어진 결과를 표현한다. 툴 매칭 시리즈에서, 다수의 데이터 세트의 집합체는 상이한 툴에서 동일한 프로세스의 결과를 표현한다.FIG. 12 is a diagram showing a separated view of a
웨이퍼 집합체 내의 각 웨이퍼에 대한 데이터 세트는 분리되어 디스플레이되고 분석될 수 있다. 또한, 공간적으로 분해된 통계는 다수의 데이터 세트의 집합체에 대해 계산될 수 있다. 일 실시형태에서, 평균 웨이퍼 데이터 세트는 다수의 데이터 세트의 집합체에 기초하여 계산된다. 평균 웨이퍼 데이터 세트는 디스플레이되고 분석될 수 있다. 또한, 3-시그마값 웨이퍼 데이터 세트, 범위값 웨이퍼 데이터 세트, 최대값 데이터 세트, 및 최소값 데이터 세트는 다수의 데이터 세트의 집합체에 기초하여 계산되며, 디스플레이되고 분석될 수 있다.Data sets for each wafer in the wafer aggregate can be displayed separately and analyzed. In addition, spatially resolved statistics can be calculated for a collection of multiple data sets. In one embodiment, the average wafer data data is calculated based on a collection of multiple data sets. Average wafer data sets can be displayed and analyzed. In addition, the 3-sigma value wafer data set, range value wafer data set, maximum value data set, and minimum value data set may be calculated, displayed and analyzed based on a collection of multiple data sets.
시리즈 플롯 영역 (901) 은 현재 로드된 웨이퍼 집합체에 관한 정보를 디스플레이한다. 시리즈 플롯 영역 (901) 은 웨이퍼 집합체 내의 각 웨이퍼에 대한 데이터값 (905) 의 수의 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 를 포함한다. 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 는 그래프 스타일 선택 (907), 양 선택 (909), 데이터 소스 선택 (911), 및 시리즈 순서 선택 (913) 에 따라 렌더링된다. 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 는 웨이퍼 집합체 내의 각 웨이퍼에 대한 다수의 양 선택 (909) 을 프리젠테이션한다. 양 선택 (909) 은 사용자가 평균값, 3-시그마값 (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값, 또는 최소값을 선택할 수 있도록 하는 드롭다운 메뉴를 제공한다. 시리즈 순서 선택 (913) 은 사용자가 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 내의 웨이퍼 순서에 대한 웨이퍼 수 또는 웨이퍼 날짜를 선택할 수 있도록 한다. 그래프 스타일 선택 (907) 은 사용자가 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 에 대한 라인+원 포맷, 라인 포맷, 원 포맷 또는 바 포맷을 선택할 수 있도록 한다. 또한, 데이터 소스 선택 (911) 은 사용자가 양 선택 (909) 에서 선택된 값을 계산하는데 사용되는 데이터 포인트의 그룹을 선택할 수 있도록 한다. 일 실시형태에서, 데이터 포인트의 그룹은 모든 웨이퍼 데이터 포인트, 공간 통계 영역 (301) 내의 공간 흑색 영역, 또는 공간 통계 영역 (301) 내의 공간 백색 영역일 수 있다. 공간 통계 영역 (301) 내의 공간 흑색 및 백색 영역은 이하 공간 통계 영역 (301) 에 관련하여 기술된다.
제어 한계 표시 선택 (931) 은 사용자가 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 상에 제어 한계를 디스플레이할 수 있도록 제공된다. 제어 한계 선택 (915) 은 사용 자에게 제어 한계 선택을 위한 드롭다운 메뉴를 제공한다. 일 실시형태에서, 제어 한계 옵션은 1.5, 2, 2.5, 3, 3.5 및 4 시그마 (즉, 평균에 대한 표준편차) 를 포함한다. 이동 평균 표시 선택 (929) 은 또한 사용자가 평균의 이동 평균 및 평균에 대한 선택된 제어 한계를 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 상에 디스플레이할 수 있도록 한다.Control
일 실시형태에서, 사용자는 시리즈 플롯 디스플레이 (903) 로부터 웨이퍼를 선택하여, 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 에 디스플레이되는 대응하는 웨이퍼 데이터 세트를 가질 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 사용자는 시리즈 플롯 영역 (901) 내의 이동 버튼 (933) 을 활성화하여 웨이퍼 집합체 내의 각 웨이퍼 데이터 세트가 자동적으로 그리고 순차적으로 웨이퍼 디스플레이 윈도우 (215) 내에 디스플레이되도록 할 수 있다.In one embodiment, a user may select a wafer from
시리즈 플롯 영역 (901) 은 또한 시리즈 통계 영역 (917) 을 포함한다. 시리즈 통계 영역 (917) 은 현재 로드된 웨이퍼 집합체 및 데이터 소스 선택 (911) 에 대응하는 평균값, 3-시그마값 (921) (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (923) (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값 (925), 및 최소값 (927) 을 디스플레이한다.
도 13은 본 발명의 일 실시형태에 따른 공간 통계 영역 (301) 의 분리도를 도시하는 도면이다. 공간 통계 영역 (301) 은 통계적으로 분석되는 웨이퍼의 영역을 그래픽적으로 선택하는 공간 제어부 (303) 를 포함한다. 공간 분포 선택 (305) 은 공간 제어부 (303) 에서 사용될 공간 분포의 타입을 선택하기 위한 드롭다운 메뉴를 사용자에게 제공한다. 일 실시형태에서, 중심에서 엣지까지의 (center-to-edge) 공간 분포가 사용자에게 제공된다. 중심에서 엣지까지의 공간 분포 선택은 사용자가 제어 라인 (335) 을 선택하고 드래그하여 분석을 위한 원하는 중심에서 엣지까지의 영역을 얻을 수 있도록 한다. 중심에서 엣지까지의 영역은 웨이퍼의 중심으로부터 제어 라인 (335) 위치까지 외부로 연장되도록 규정된다. 중심에서 엣지까지의 영역은 통계 분석 목적을 위한 흑색 영역으로 불린다. 중심에서 엣지까지의 영역을 넘는 웨이퍼 영역의 잔여부는 통계 분석 목적을 위한 백색 영역으로 불린다. 중심에서 엣지까지의 실시형태는 제어 라인 (335) 이 위치되는 웨이퍼 중심으로부터의 반경 거리를 디스플레이하기 위한 반경 디스플레이 필드 (307) 를 더 포함한다. FIG. 13 is a diagram showing a separation diagram of the
일반적으로, 데이터 측정 포인트 zi의 세트는 x2+y2 ≤ R2 로 규정되는 웨이퍼를 횡단하는 위치 (xi, yi) 에 제공되고, 여기서 R은 웨이퍼의 반경이다. 전체 웨이퍼 통계는 모든 포인트 zi의 산입에 기초한다. 대안으로서, 공간 제어부 (303) 는 사용자가 웨이퍼의 부분 영역들 (즉, 흑색 영역 및 백색 영역) 에 대한 통계를 얻을 수 있도록 한다. 부분 영역의 각각에 대한 통계는 각 부분 영역 내의 데이터 포인트 zi만의 산입에 기초하여 계산된다.In general, the set of data measurement points z i is provided at a position (x i , y i ) across the wafer defined by x 2 + y 2 ≦ R 2 , where R is the radius of the wafer. Total wafer statistics are based on the calculation of all points z i . As an alternative, the
공간 통계 영역 (301) 은 흑색 영역 통계 영역 (309) 를 더 포함한다. 흑색 영역 통계 영역 (309) 는 현재 선택된 중심에서 엣지까지의 영역에 관련되는 흑색 영역에 대응하는 평균값 (311), 3-시그마값 (313) (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (315) (즉, 최대값과 최소값 사이에서의 차이), 최대값 (317), 및 최소값 (319) 을 디스플레이한다. 또한, 흑색 영역 통계 영역 (309) 은 선택된 흑색 영역 내에 포함된 데이터 측정 사이트의 수를 프리젠테이션하는 사이트 디스플레이 (321) 를 포함한다. 사용자가, 선택된 중심에서 엣지까지의 영역을 규정하는 제어 라인 (335) 를 조정함에 따라 흑색 영역 통계 영역 (309) 내에서 프리젠테이션되는 통계는 자동적으로 재계산된다.The
공간 통계 영역 (301) 은 백색 영역 통계 영역 (323) 을 더 포함한다. 백색 영역 통계 영역 (323) 은 현재 선택된 중심에서 엣지까지의 영역에 관련되는 백색 영역에 대응하는 평균값 (325), 3-시그마값 (327) (즉, 평균에 대한 표준편차의 3배), 범위값 (329) (즉, 최대값과 최소값 사이의 차이), 최대값 (331), 및 최소값 (333)을 디스플레이한다. 또한, 백색 영역 통계 영역 (323)은 선택된 백색 영역 내에 포함된 데이터 측정 사이트들의 수를 프리젠테이션하기 위한 사이트 디스플레이 (335) 를 포함한다. 사용자가 선택된 중심에서 엣지까지의 영역을 규정하는 제어 라인 (335) 을 조정함에 따라 백색 영역 통계 영역 (323) 내에서 프리젠테이션되는 통계는 자동적으로 재계산된다.
공간 통계 영역 (301) 은 질량중심 영역 (343) 을 더 포함한다. 질량중심 영역 (343) 은 웨이퍼의 질량중심에 대응하는 극좌표의 세트를 디스플레이한다. 극좌표의 세트는 웨이퍼의 질량중심 위치를 식별하기 위한 반경 디스플레이 (345) 및 각도 디스플레이 (347) 를 포함한다. 질량중심 표시자 (341) 는 또한 공간 제어부 (303) 에서 디스플레이된다.Spatial
도 14는 본 발명의 일 실시형태에 따른 사이드-투-사이드 공간 분포 선택으로 공간 통계 영역 (301) 의 분리도를 도시한 도면이다. 도 14의 실시형태에서, 사이드-투-사이드 공간 분포가 공간 분포 선택 (305) 에서 선택된다. 사이드-투-사이드 공간 분포의 선택은 공간 제어부 (303) 를 사이드-투-사이드 제어부로 변경시킨다. 사이드-투-사이드 제어부는 사용자가 제어 라인 (337) 을 선택하고 드래그하여 분석을 위한 원하는 영역을 얻을 수 있도록 한다. 사이드-투-사이드 영역은 웨이퍼의 중심을 통해 연장된 경계로 웨이퍼의 절반을 커버링하도록 규정된다. 제어 라인 (337) 을 조정함으로써, 사용자는 사이드-투-사이드 영역을 웨이퍼의 중심 주위에서 회전하게 할 수 있다. 흑색 영역 통계 영역 (309) 에서 프리젠테이션된 값들은 선택된 사이드-투-사이드 영역에 대응한다. 백색 영역 통계 영역 (323) 에서 프리젠테이션된 값들은 선택된 사이드-투-사이드 영역의 잔존부 (complement) 에 대응한다. 사이드-투-사이드 실시형태는 제어 라인 (337) 이 위치한 웨이퍼 중심에 대한 각도를 디스플레이하기 위한 각도 디스플레이 필드 (331) 를 더 포함한다. 또한 사이드-투-사이드 실시형태에서, 질량중심 영역 (343) 은 웨이퍼의 질량중심에 대응하는 극좌표의 세트를 디스플레이한다.FIG. 14 is a diagram illustrating the separation of
도 15 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 환형 공간 분포 선택을 가지는 공간 통계 영역 (301) 의 분리도를 나타낸다. 도 15 의 실시형태에서, 환형 공간 분포가 공간 분포 선택 (305) 에서 선택된다. 환형 공간 분포의 선택은 공간 제어부 (303) 를 환형 제어부로 변화시킨다. 환형 제어부는 사용자로 하여금 원하는 분석용 환형 영역을 얻을 수 있도록 제어라인 (339) 을 선택하고 드래그할 수 있도록 한다. 환형 영역은 웨이퍼의 중심 주변의 링으로서 규정된다. 제어라인 (339) 을 조정함으로써, 사용자는 웨이퍼의 중심쪽으로 또는 중심으로부터 멀리 환형 영역을 이동시킬 수 있다. 흑색 역역의 통계 영역 (309) 내에 나타낸 값은 선택된 환형 영역에 대응한다. 백색 영역의 통계 영역 (323) 내에 나타낸 값은 선택된 환형 영역의 잔존부에 대응한다. 환형 실시형태는 제어라인 (339) 이 위치한 웨이퍼 중심으로부터 방사상의 거리를 디스플레이하기 위한 반경 표시 필드 (333) 를 더 포함한다. 또한 환형 실시형태에서, 질량중심 영역 (343) 은 웨이퍼의 질량중심에 대응하는 극좌표 세트를 디스플레이한다.15 shows a separation of the
전술한 실시형태를 염두에 두었을 때, 본 발명은 컴퓨터 시스템에 저장된 데이터를 포함하는 다양한 컴퓨터-구현된 동작을 이용할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 이러한 동작들은 물리량의 물리적 조작을 요구하는 것들이다. 필수적이진 않지만 일반적으로, 이러한 값들은 저장, 전송, 결합, 비교, 또는 조작될 수 있는 전기적 또는 자기적 신호의 형태를 가진다. 또한, 수행되는 조작은 종종 생성, 식별, 결정, 또는 비교와 같은 용어로 불린다.With the foregoing embodiments in mind, it should be understood that the present invention may utilize various computer-implemented operations, including data stored in computer systems. These operations are those requiring physical manipulation of physical quantities. Generally, but not necessarily, these values take the form of electrical or magnetic signals that can be stored, transmitted, combined, compared, or manipulated. In addition, the manipulations performed are often referred to in terms, such as producing, identifying, determining, or comparing.
본 발명의 부분을 형성하는 여기에서 예시된 임의의 기능은 유용한 기계적 동작이다. 본 발명은 이러한 동작을 수행하기 위한 장치 또는 기구와도 관련된다. 그 기구는 요구된 목적을 위해 특별히 제작될 수도 있으며, 또는 그 컴퓨터 내에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 구성된 범용 컴퓨터일수도 있다. 특히, 여기에서의 교시에 따라 작성된 컴퓨터 프로그램과 함께 다양한 범용 기계가 이용될 수도 있으며, 또는 요구되는 동작을 수행하기 위해 더욱 특수화된 기구를 제조하는 것이 더 편리할 수도 있다.Any function illustrated herein to form part of the present invention is a useful mechanical operation. The invention also relates to an apparatus or apparatus for performing such an operation. The instrument may be specially designed for the required purpose, or it may be a general purpose computer selectively activated or configured by a computer program stored in the computer. In particular, various general purpose machines may be used with computer programs written in accordance with the teachings herein, or it may be more convenient to manufacture more specialized instruments to perform the required operations.
본 발명은 컴퓨터로 판독가능한 매체상의 컴퓨터로 판독가능한 코드로서도 구체화될 수 있다. 컴퓨터로 판독가능한 매체는 그 후에 컴퓨터 시스템에 의해 판독될 수 있는 데이터를 저장할 수 있는 임의의 저장 장치이다. 컴퓨터로 판독가능한 매체의 예로는 하드 드라이브, 네트워크 부착 저장장치 (NAS), 읽기전용 기억장치, 랜덤 액세스 기억장치, CD-ROMs, CD-Rs, CD-RWs, 자기 테이프 및 기타 광학적, 및 비광학적 데이터 저장장치를 포함한다. 컴퓨터로 판독가능한 매체는 네트워크로 결합된 컴퓨터 시스템 상에도 분포할 수 있어서 컴퓨터로 판독가능한 코드는 분포된 형태로 저장되고 실행된다.The invention can also be embodied as computer readable code on a computer readable medium. A computer readable medium is any storage device that can store data that can thereafter be read by a computer system. Examples of computer readable media include hard drives, network attached storage (NAS), read-only storage, random access storage, CD-ROMs, CD-Rs, CD-RWs, magnetic tapes and other optical, and non-optical Data storage. Computer-readable media can also be distributed over network coupled computer systems such that computer-readable code is stored and executed in distributed form.
본 발명이 몇몇의 실시형태의 관점에서 예시되었지만, 전술한 명세서를 읽고 그 도면을 검토한 그 기술의 당업자는 다양한 변경, 부가, 치환 및 그 등가물을 실현하리라는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 진정한 사상 및 범위 내에서 그러한 모든 변경, 부가, 치환, 및 등가물을 포함하는 것으로 의도되었다.Although the present invention has been illustrated in terms of some embodiments, it will be understood that those skilled in the art, having read the foregoing specification and reviewing the drawings, will realize various changes, additions, substitutions, and equivalents thereof. Accordingly, the present invention is intended to embrace all such alterations, additions, substitutions, and equivalents within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (23)
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41402102P | 2002-09-26 | 2002-09-26 | |
US60/414,021 | 2002-09-26 | ||
US10/331,194 US7239737B2 (en) | 2002-09-26 | 2002-12-24 | User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance |
US10/331,194 | 2002-12-24 | ||
US10/452,248 | 2003-05-30 | ||
US10/452,248 US7738693B2 (en) | 2002-12-24 | 2003-05-30 | User interface for wafer data analysis and visualization |
PCT/US2003/030456 WO2004030083A2 (en) | 2002-09-26 | 2003-09-24 | User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050084603A KR20050084603A (en) | 2005-08-26 |
KR101127779B1 true KR101127779B1 (en) | 2012-03-27 |
Family
ID=32045857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057005323A KR101127779B1 (en) | 2002-09-26 | 2003-09-24 | User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1543550A2 (en) |
JP (1) | JP2006515468A (en) |
KR (1) | KR101127779B1 (en) |
AU (1) | AU2003299056A1 (en) |
TW (1) | TWI229914B (en) |
WO (1) | WO2004030083A2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4290204B2 (en) * | 2007-02-13 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus setting operation support apparatus, setting operation support method, and storage medium for storing program |
JP5597056B2 (en) * | 2010-08-02 | 2014-10-01 | 株式会社キーエンス | Image measuring apparatus, image measuring method, and program for image measuring apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000228430A (en) | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Hitachi Ltd | Apparatus, system and method for inspecting circuit pattern |
US20010000460A1 (en) | 1989-07-12 | 2001-04-26 | Kazuko Ishihara | Semiconductor failure analysis system |
US20020051565A1 (en) | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Takashi Hiroi | Circuit pattern inspection method and apparatus |
JP2002148027A (en) | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for inspecting pattern |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5127726A (en) * | 1989-05-19 | 1992-07-07 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for low angle, high resolution surface inspection |
JP2941308B2 (en) * | 1989-07-12 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | Inspection system and electronic device manufacturing method |
US5448399A (en) * | 1992-03-13 | 1995-09-05 | Park Scientific Instruments | Optical system for scanning microscope |
US5761064A (en) * | 1995-10-06 | 1998-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Defect management system for productivity and yield improvement |
JPH1145919A (en) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor substrate |
JP4006119B2 (en) * | 1998-11-30 | 2007-11-14 | 株式会社日立製作所 | Circuit pattern inspection apparatus and circuit pattern inspection method |
US6477685B1 (en) * | 1999-09-22 | 2002-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for yield and failure analysis in the manufacturing of semiconductors |
JP3996728B2 (en) * | 2000-03-08 | 2007-10-24 | 株式会社日立製作所 | Surface inspection apparatus and method |
JP4526661B2 (en) * | 2000-06-28 | 2010-08-18 | 株式会社日立製作所 | Inspection apparatus and inspection method |
US6586263B2 (en) * | 2000-09-18 | 2003-07-01 | Neuristics Physics Laboratory, Inc. | Correction of overlay offset between inspection layers in integrated circuits |
-
2003
- 2003-09-24 EP EP03756878A patent/EP1543550A2/en not_active Withdrawn
- 2003-09-24 WO PCT/US2003/030456 patent/WO2004030083A2/en active Application Filing
- 2003-09-24 JP JP2005501992A patent/JP2006515468A/en active Pending
- 2003-09-24 AU AU2003299056A patent/AU2003299056A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-24 KR KR1020057005323A patent/KR101127779B1/en active IP Right Grant
- 2003-09-26 TW TW092126645A patent/TWI229914B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010000460A1 (en) | 1989-07-12 | 2001-04-26 | Kazuko Ishihara | Semiconductor failure analysis system |
JP2000228430A (en) | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Hitachi Ltd | Apparatus, system and method for inspecting circuit pattern |
US20020051565A1 (en) | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Takashi Hiroi | Circuit pattern inspection method and apparatus |
JP2002148027A (en) | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for inspecting pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI229914B (en) | 2005-03-21 |
WO2004030083A3 (en) | 2004-07-15 |
KR20050084603A (en) | 2005-08-26 |
WO2004030083A2 (en) | 2004-04-08 |
AU2003299056A1 (en) | 2004-04-19 |
JP2006515468A (en) | 2006-05-25 |
TW200414395A (en) | 2004-08-01 |
EP1543550A2 (en) | 2005-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7945085B2 (en) | User interface for wafer data analysis and visualization | |
JP5496955B2 (en) | User interface for non-uniformity quantification and significance illustration for wafers | |
US20210231583A1 (en) | Smart coordinate conversion and calibration system in semiconductor wafer manufacturing | |
US6388253B1 (en) | Integrated critical dimension control for semiconductor device manufacturing | |
Sendelbach et al. | Scatterometry measurement precision and accuracy below 70 nm | |
US7457736B2 (en) | Automated creation of metrology recipes | |
JP4158384B2 (en) | Semiconductor device manufacturing process monitoring method and system | |
KR20200014938A (en) | Systems and methods for predicting defects and critical dimensions using deep learning in semiconductor manufacturing processes | |
US8178837B2 (en) | Logical CAD navigation for device characteristics evaluation system | |
US20070156275A1 (en) | Automated metrology recipe generation | |
KR101127779B1 (en) | User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance | |
US7230239B2 (en) | Apparatus for inspecting three dimensional shape of a specimen and method of watching an etching process using the same | |
TW202418221A (en) | Improved method and apparatus for segmentation of semiconductor inspection images | |
Ridens et al. | Waferless pattern recognition recipe creation using StatTrax |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160224 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170307 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190228 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 9 |