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KR101125568B1 - Etching apparatus - Google Patents

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KR101125568B1
KR101125568B1 KR1020090124092A KR20090124092A KR101125568B1 KR 101125568 B1 KR101125568 B1 KR 101125568B1 KR 1020090124092 A KR1020090124092 A KR 1020090124092A KR 20090124092 A KR20090124092 A KR 20090124092A KR 101125568 B1 KR101125568 B1 KR 101125568B1
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blocking member
etching
outlet
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장석창
김창수
함윤식
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삼성모바일디스플레이주식회사
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Abstract

식각 장치는 기판이 유입 또는 배출될 수 있도록 개방된 개구를 갖는 복수 개의 챔버들과, 각 챔버 내부에 설치되며 약액을 분사하는 분사부재, 및 각 챔버의 개구와 인접하게 설치되며 개구로 유통하는 기체를 흡입하는 차단부재를 포함한다.The etching apparatus includes a plurality of chambers having an opening that is open to allow the substrate to be introduced or discharged therein, an injection member installed in each chamber to inject a chemical solution, and a gas installed adjacent to the opening of each chamber and flowing into the opening. It includes a blocking member for sucking the.

식각, 차단 부재, 흡입 홀, 덮개 Etch, Blocking Element, Suction Hole, Cover

Description

식각 장치{ETCHING APPARATUS}Etching Device {ETCHING APPARATUS}

본 발명은 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 습식 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an etching apparatus, and more particularly to a wet etching apparatus.

평판 디스플레이 패널 및 반도체의 제작에 있어서 식각 방법이 널리 사용되고 있다.Etching methods are widely used in the manufacture of flat panel displays and semiconductors.

식각 방법은 기판을 식각액에 담그어 식각하는 디핑 식각(Dipping Etching) 방식과, 기판에 식각액을 분사하여 식각하는 샤워 식각(Shower Etching) 방식을 예로 들 수 있다.The etching method may include, for example, a dipping etching method in which a substrate is immersed in an etchant, and a shower etching method in which an etching solution is sprayed onto the substrate for etching.

디핑 식각 방식은, 기판의 전체 면적에서 두께 균일도가 낮고, 초기 대비 식각율의 저하 속도가 크며, 식각액을 담는 액조가 크고, 이로 인하여 유지 보수가 어려우며, 발생된 슬러지의 제거가 어려운 단점을 가진다.The dipping etching method has a disadvantage in that the thickness uniformity is low in the entire area of the substrate, the deterioration rate of the etching rate is large compared to the initial stage, the liquid bath containing the etching solution is large, and thus, the maintenance is difficult and the sludge generated is difficult to remove.

또한 샤워 식각 방식은, 식각액이 균일하게 분사되지 못할 때, 오버 식각(over etching)이 발생하거나 기판에 얼룩이 발생하는 문제점을 가진다.In addition, the shower etching method has a problem in that over etching occurs or unevenness occurs in the substrate when the etching solution is not uniformly sprayed.

샤워 식각 장치는 버퍼(buffer) 챔버, 식각(etching) 챔버, 수세 챔버, 건조 챔버 등을 포함하여 구성될 수 있다. 식각 장치에서 사용되는 식각액은 무기산, 과 산화수소 등이 혼합된 것으로 식각 진행 시에 흄(fume)이 발생하게 된다. 종래의 식각 장치에는 흄을 제거하기 위해서 식각 구간별로 산배기부가 설치되어 있다. 그러나 복수 개의 식각 챔버를 갖는 식각 장치에 있어서 하나 또는 그 이상의 식각 챔버를 사용하지 않고 나머지 식각 챔버 만을 사용하는 경우가 있으며, 이 경우, 이웃하는 공정 진행 챔버로부터 사용하지 않는 챔버로 유입된 흄이 사용하지 않는 챔버의 구조물에 응결된 후, 낙하할 수 있다. 낙하한 흄이 기판으로 떨어지면 식각 불량을 유발한다. 또한, 보든 식각 챔버를 사용하는 경우에도 식각 구간 진입 전의 버퍼 챔버로 흄이 유입되어 식각 불량을 유발할 수 있다.The shower etching device may include a buffer chamber, an etching chamber, a flush chamber, a drying chamber, and the like. The etchant used in the etching apparatus is a mixture of inorganic acid, hydrogen peroxide, etc., and fumes are generated during the etching process. In the conventional etching apparatus, an acid exhaust unit is installed for each etching section to remove the fume. However, in an etching apparatus having a plurality of etching chambers, only one of the remaining etching chambers is used instead of one or more etching chambers, and in this case, fumes introduced into an unused chamber from neighboring process chambers are used. After condensing on the structure of the chamber, it may fall. Dropped fume falls onto the substrate, causing etching failure. In addition, even when the etching chamber is used, the fume may be introduced into the buffer chamber before entering the etching section, thereby causing an etching failure.

본 발명은 식각 공정에서 불량이 발생하는 것을 감소시킬 수 있는 식각 장치를 제공하고자 한다.The present invention is to provide an etching apparatus that can reduce the occurrence of defects in the etching process.

본 발명의 실시예에 따른 식각 장치는 기판이 유입 또는 배출될 수 있도록 개방된 개구를 갖는 복수 개의 챔버들과, 각 챔버 내부에 설치되며 약액을 분사하는 분사부재, 및 각 챔버의 상기 개구와 인접하게 설치되며 상기 개구로 유통하는 기체를 흡입하는 차단부재를 포함한다.An etching apparatus according to an embodiment of the present invention includes a plurality of chambers having an opening that is open to allow the substrate to be introduced or discharged therein, an injection member installed in each chamber and injecting a chemical liquid, and adjacent to the opening of each chamber. It is installed so as to include a blocking member for sucking the gas flowing through the opening.

상기 챔버의 내부에는 상기 챔버 내에서 발생된 흄(fume)을 흡입하는 산배기부가 설치될 수 있으며, 상기 차단부재는 복수 개의 흡입 홀이 형성된 파이프 형태로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 개구는 폭방향과 높이 방향을 갖는 사각 형태로 형성되며, 상기 차단부재는 상기 개구의 폭방향을 따라 이어져 배치되며, 상기 흡입 홀은 상기 개구의 폭방향을 따라 이격 배열될 수 있다.An acid exhaust unit for sucking fumes generated in the chamber may be installed in the chamber, and the blocking member may have a pipe shape in which a plurality of suction holes are formed. The opening may be formed in a quadrangular shape having a width direction and a height direction, the blocking member may be disposed to extend along the width direction of the opening, and the suction holes may be spaced apart along the width direction of the opening.

상기 차단부재는 상기 챔버의 내부에서 상기 개구의 위에 설치될 수 있으며, 상기 개구는 기판이 배출되는 출구를 포함하며, 상기 차단부재는 상기 출구와 인접하게 배치될 수 있다.The blocking member may be installed above the opening in the chamber, the opening may include an outlet through which the substrate is discharged, and the blocking member may be disposed adjacent to the outlet.

상기 개구는 기판이 유입되는 입구를 포함하며, 상기 차단부재는 상기 입구와 인접하게 배치될 수 있으며, 상기 개구는 기판이 유입되는 입구와 기판이 배출되는 출구를 포함하며, 상기 차단부재는 상기 입구 및 상기 출구와 인접한 부분에 각각 설치될 수 있다.The opening may include an inlet through which the substrate is introduced, and the blocking member may be disposed adjacent to the inlet, and the opening may include an inlet through which the substrate is introduced and an outlet through which the substrate is discharged. And a portion adjacent to the outlet.

상기 차단부재에는 상기 차단부재를 덮는 덮개가 설치될 수 있으며, 상기 덮개의 상면은 지면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다. 또한, 상기 챔버들은 식각 공정이 실시되는 식각 챔버와 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 챔버를 포함하고, 상기 식각 챔버와 상기 버퍼 챔버는 각각 기판이 유입되는 입구와 기판이 배출되는 출구를 포함하며, 상기 식각 챔버의 출구와 인접한 부분에 상기 차단부재가 설치되고, 상기 버퍼 챔버의 입구와 인접한 부분에 상기 차단부재가 설치될 수 있다.The blocking member may be provided with a cover covering the blocking member, and an upper surface of the cover may be inclined with respect to the ground. The chambers may include an etching chamber in which an etching process is performed and a buffer chamber in which a substrate is temporarily waited. The etching chamber and the buffer chamber may each include an inlet through which a substrate is introduced and an outlet through which the substrate is discharged. The blocking member may be installed at a portion adjacent to the outlet of the etching chamber, and the blocking member may be installed at a portion adjacent to the inlet of the buffer chamber.

상기 챔버들은 식각 공정이 실시되는 식각 챔버와 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 챔버를 포함하고, 상기 식각 챔버와 상기 버퍼 챔버는 각각 기판이 유입되는 입구와 기판이 배출되는 출구를 포함하며, 상기 식각 챔버의 입구와 출구에 인접한 부분에 상기 차단부재가 각각 설치되고, 상기 버퍼 챔버의 입구와 인접한 부분에 상기 차단부재가 설치될 수 있다.The chambers include an etching chamber in which an etching process is performed and a buffer chamber in which a substrate is temporarily waited. The etching chamber and the buffer chamber each include an inlet through which a substrate is introduced and an outlet through which the substrate is discharged. The blocking member may be installed at portions adjacent to the inlet and the outlet of the blocking member, and the blocking member may be installed at portions adjacent to the inlet of the buffer chamber.

본 발명의 실시예에 따르면, 식각 장치에 챔버 내부에 차단부재가 설치되어 이웃하는 챔버에서 발생된 흄이 다른 챔버로 유입되는 것을 차단하여 식각 불량이 발생하는 것을 감소시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a blocking member is installed inside the chamber in the etching apparatus, thereby preventing the fume generated in the neighboring chamber from being introduced into another chamber, thereby reducing the occurrence of the etching failure.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 본 기재에 있어서 “~상에”라 함은 대상부재의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력방향을 기준으로 상부에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise. In addition, in the present description, "on" means to be located above or below the target member, and does not necessarily mean to be located above the gravity direction.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing an etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 식각 장치(100)는 복수 개의 챔버들(101, 102, 103, 104)을 포함하며, 챔버(101, 102, 103, 104)는 순차적으로 배열된 제1 챔버(101)와, 제2 챔버(102), 제3 챔버(103) 및 제4 챔버(104)로 구성된다. 제1 챔버(101)는 식각 대상인 기판(121)이 대기하는 버퍼 챔버이며, 제2 챔버(102), 제3 챔버(103), 및 제4 챔버(104)는 식각이 실시되는 식각 챔버이다. 기판(121)은 제1 챔버(101)에서 제2 챔버(102)와 제3 챔버(103)를 거쳐서 제4 챔버(104)로 이송된다.The etching apparatus 100 according to the present exemplary embodiment includes a plurality of chambers 101, 102, 103, and 104, and the chambers 101, 102, 103, and 104 may include the first chamber 101 sequentially arranged. And a second chamber 102, a third chamber 103, and a fourth chamber 104. The first chamber 101 is a buffer chamber in which the substrate 121 to be etched is waiting, and the second chamber 102, the third chamber 103, and the fourth chamber 104 are etching chambers in which etching is performed. The substrate 121 is transferred from the first chamber 101 to the fourth chamber 104 via the second chamber 102 and the third chamber 103.

본 실시예에서는 제2 챔버(102)에서만 식각이 실시되고, 제3 챔버(103)와 제4 챔버(104)에서는 식각이 실시되지 않는 것으로 예시한다.In the present embodiment, the etching is performed only in the second chamber 102, and the etching is not performed in the third chamber 103 and the fourth chamber 104.

챔버들(101, 102, 103, 104)에는 챔버(101, 102, 103, 104) 내부로 약액을 분사하는 분사부재(150)와 챔버(101, 102, 103, 104) 내부로 유입되는 기체를 차단하는 차단부재(130)가 설치된다. 또한, 챔버(101, 102, 103, 104) 내에는 패턴의 형성을 위한 기판(121)이 설치된다. 기판(121)은 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등의 평판 디스플레이에 적용되는 기판일 수 있으며, 반도체 웨이퍼 등 다양한 종류의 기판이 적용될 수 있다.The chambers 101, 102, 103, and 104 are provided with an injection member 150 for injecting a chemical solution into the chambers 101, 102, 103, and 104 and a gas introduced into the chambers 101, 102, 103, and 104. Blocking member 130 for blocking is installed. In addition, a substrate 121 is formed in the chambers 101, 102, 103, 104 to form a pattern. The substrate 121 may be a substrate applied to a flat panel display such as an organic light emitting diode display and a liquid crystal display, and various kinds of substrates, such as a semiconductor wafer, may be applied.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 챔버를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 잘라 본 단면도이며, 도 4는 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라 본 단면도이다.2 is a perspective view illustrating a first chamber according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2, and FIG. 4 is taken along line IV-IV of FIG. 2. This is a cross-sectional view.

도 2 내지 도 4를 참조하여 설명하면, 제2 챔버(102), 제3 챔버(103), 및 제4 챔버(104)는 제1 챔버(101)와 동일한 구조로 이루어지므로 제1 챔버(101)에 대한 설명으로, 제2 챔버(102), 제3 챔버(103), 및 제4 챔버(104)에 대한 설명을 대체한다.2 to 4, the second chamber 102, the third chamber 103, and the fourth chamber 104 have the same structure as the first chamber 101, and thus, the first chamber 101. ), The description of the second chamber 102, the third chamber 103, and the fourth chamber 104 is replaced.

제1 챔버(101)의 내부에는 기판(121)을 이송시키는 이송부재(125)와, 기판(121)으로 약액을 분산하는 분사부재(150), 및 제1 챔버(101)로 유입되는 기체를 흡입하는 차단부재(130)를 포함한다.Inside the first chamber 101, a transfer member 125 for transferring the substrate 121, an injection member 150 for dispersing the chemical liquid to the substrate 121, and a gas introduced into the first chamber 101. It includes a blocking member 130 for suction.

제1 챔버(101)는 대략 사각형상의 방으로 이루어지며, 제1 챔버(101)에는 기 판(121)이 유입 또는 배출될 수 있도록 개구가 형성된다. 개구는 기판(121)이 유입되는 입구(112)와 기판이 배출되는 출구(113)를 포함한다. 입구(112)와 출구(113)에는 입구(112)와 출구(113)를 개폐하는 셔터(미도시)가 설치될 수 있다.The first chamber 101 is formed in a substantially rectangular room, and an opening is formed in the first chamber 101 to allow the substrate 121 to flow in or out. The opening includes an inlet 112 through which the substrate 121 is introduced and an outlet 113 through which the substrate is discharged. Shutters (not shown) for opening and closing the inlet 112 and the outlet 113 may be installed at the inlet 112 and the outlet 113.

입구(112)와 출구(113)는 폭방향과 높이 방향을 갖는 사각형으로 이루어지며, 폭방향은 중력 방향과 교차하는 방향이며, 높이 방향은 중력 방향과 평행한 방향이다.The inlet 112 and the outlet 113 are formed in a square having a width direction and a height direction, the width direction is a direction crossing the gravity direction, the height direction is a direction parallel to the gravity direction.

기판(121)은 사각판, 원판 등 다양한 형태로 이루어질 수 있다. 이송부재(125)는 원통형 막대로 이루어지며, 이송부재(125)에는 복수 개의 롤러(126)가 설치된다. 기판(121)의 아래에는 기판(121)을 이송시키는 복수 개의 이송부재(125)가 설치되는 바, 이송부재들(125)의 회전에 따라 기판(121)이 제1 챔버(101) 내부로 유입되거나 제1 챔버(101)의 외부로 배출될 수 있다.The substrate 121 may be formed in various forms such as a square plate and a disc. The conveying member 125 is formed of a cylindrical rod, and the conveying member 125 is provided with a plurality of rollers 126. A plurality of transfer members 125 are disposed below the substrate 121 to transfer the substrate 121. The substrate 121 flows into the first chamber 101 as the transfer members 125 rotate. Or may be discharged out of the first chamber 101.

분사부재(150)는 약액을 공급하는 약액 이송관(150a)과 약액 이송관(150a)에 설치된 복수 개의 노즐(152)을 포함한다. 약액 이송관(150a)은 복수 개가 나란하게 배열되며 끝단이 연결관(150b)에 의하여 서로 연통되어 약액을 공급받는다. 노즐(152)은 약액 이송관(150a)의 길이 방향을 따라 복수 개가 이격 배열되며 약액을 분산시켜서 기판(121)으로 약액을 분사한다. The injection member 150 includes a chemical liquid delivery tube 150a for supplying a chemical liquid and a plurality of nozzles 152 installed in the chemical liquid delivery tube 150a. A plurality of chemical delivery pipes (150a) are arranged side by side and the ends are in communication with each other by a connection pipe (150b) is supplied with a chemical solution. A plurality of nozzles 152 are arranged spaced apart along the longitudinal direction of the chemical liquid delivery pipe 150a to disperse the chemical liquid and spray the chemical liquid onto the substrate 121.

기판(121)으로 분사된 약액은 기판(121)을 식각하여 기판(121) 상에 미세 패턴을 형성한다.The chemical liquid sprayed onto the substrate 121 forms a fine pattern on the substrate 121 by etching the substrate 121.

한편, 챔버(101)의 벽면에는 약액의 분사로 발생된 흄이 배출될 수 있도록 산배기부(115)가 형성된다. 산배기부(115)는 챔버(101)의 벽면에 형성된 홀로 이루 어지며, 이 산배기부(115)는 배기라인과 연결되어 챔버(101) 내부에서 발생된 흄을 흡입하여 외부로 배출시킨다.On the other hand, the acid exhaust section 115 is formed on the wall surface of the chamber 101 so that the fumes generated by the injection of the chemical liquid can be discharged. The acid exhaust unit 115 is formed of a hole formed in the wall surface of the chamber 101, the acid exhaust unit 115 is connected to the exhaust line to suck the fumes generated in the chamber 101 to discharge to the outside.

도 3 내지 도 5를 참조하여 설명하면, 챔버(101)의 출구(113) 쪽에는 출구(113)와 인접하게 차단부재(130)가 설치된다. 차단부재(130)는 파이프로 이루어지며, 차단부재(130)에는 복수 개의 흡입 홀(132)이 형성되어 출구(113)를 통해서 유입되는 기체를 흡입한다. 차단부재(130)는 배기라인에 연결되고 배기라인에는 진공 펌프가 연결 설치된다. 이에 따라 차단부재(130)와 진공 펌프가 연통되고 흡입 홀(132)에는 흡입 압력이 발생하여 흡입 홀(132)을 통해서 기체를 흡입할 수 있다.3 to 5, the blocking member 130 is installed at the outlet 113 side of the chamber 101 adjacent to the outlet 113. The blocking member 130 is formed of a pipe, and a plurality of suction holes 132 are formed in the blocking member 130 to suck gas introduced through the outlet 113. The blocking member 130 is connected to the exhaust line and the vacuum pump is connected to the exhaust line. Accordingly, the blocking member 130 and the vacuum pump are in communication with each other, and suction pressure is generated in the suction hole 132 to suck the gas through the suction hole 132.

한편, 차단부재(130)는 중력 방향을 기준으로 출구(113)의 바로 위에 설치되며, 출구(113)의 폭방향을 따라 이어져 배치된다. 이에 따라 흡입 홀(132)은 복수 개가 출구(113)의 폭방향을 따라 이격 배치된다. 이웃하는 챔버에서 식각공정이 실시되고 본 실시예에 따른 챔버(101)에서는 식각공정이 실시되지 아니할 경우에, 이웃하는 챔버에서 발생된 흄이 출구(113)를 통해서 본 실시예에 따른 챔버(101) 내부로 유입될 수 있다. 챔버(101) 내부로 유입된 흄은 내부에 누적되고 응결되는 바, 응결된 약액이 기판(121)으로 낙하하면 기판(121)에 식각 불량을 야기할 수 있다. 본 실시예에 따른 차단부재(130)는 출구(113)를 통해서 유입되는 흄을 흡입하여 배출함으로써 챔버(101) 내부로 흄이 유입되어 누적되는 것을 차단한다. 이에 따라 이웃하는 챔버에서 유입되는 흄으로 인하여 식각 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, the blocking member 130 is installed directly above the outlet 113 on the basis of the gravity direction, it is disposed along the width direction of the outlet 113. Accordingly, a plurality of suction holes 132 are spaced apart along the width direction of the outlet 113. In the case where the etching process is performed in the neighboring chamber and the etching process is not performed in the chamber 101 according to the present embodiment, the fume generated in the neighboring chamber passes through the outlet 113 to the chamber 101 according to the present embodiment. ) Can flow into the interior. Since the fume introduced into the chamber 101 accumulates and condenses therein, when the condensed chemical liquid drops to the substrate 121, an etch failure may occur in the substrate 121. The blocking member 130 according to the present exemplary embodiment prevents the fume from entering and accumulating inside the chamber 101 by sucking and discharging the fume introduced through the outlet 113. Accordingly, it is possible to prevent the etching failure due to the fume flowing from the neighboring chamber.

차단부재(130)의 위에는 차단부재(130)를 덮는 덮개(140)가 설치된다. 덮 개(140)는 하부가 개방된 상자 형태로 이루어지며, 덮개(140)의 상판(141)은 지면에 대하여 경사지게 형성된다. 덮개(140)는 약액이 차단부재와 접촉하는 방지하며, 경사지게 형성된 상판(141)은 상판(141)에 약액이 누적되는 것을 방지한다.The cover 140 covering the blocking member 130 is installed on the blocking member 130. Cover 140 is formed in the form of a box with a lower opening, the top plate 141 of the cover 140 is formed to be inclined with respect to the ground. The cover 140 prevents the chemical liquid from contacting the blocking member, and the inclined upper plate 141 prevents the chemical liquid from accumulating on the upper plate 141.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이다.6 is a block diagram illustrating an etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 식각 장치(200)는 복수 개의 챔버들(201, 202, 203, 204)을 포함하며, 챔버(201, 202, 203, 204)는 제1 챔버(201)와, 제2 챔버(202), 제3 챔버(203) 및 제4 챔버(204)를 포함한다. 제1 챔버(201)는 기판(221)이 대기하는 버퍼 챔버이며, 제2 챔버(202), 제3 챔버(203), 및 제4 챔버(204)는 식각이 실시되는 식각 챔버이다.Referring to FIG. 6, the etching apparatus 200 according to the present embodiment includes a plurality of chambers 201, 202, 203, and 204, and the chambers 201, 202, 203, and 204 may be a first chamber. 201, a second chamber 202, a third chamber 203, and a fourth chamber 204. The first chamber 201 is a buffer chamber in which the substrate 221 is waiting, and the second chamber 202, the third chamber 203, and the fourth chamber 204 are etching chambers where etching is performed.

버퍼 챔버인 제1 챔버(201)의 내부에는 제1 챔버(201)의 출구와 인접하게 배치되어 제1 챔버(201)로 흄이 유입되는 것을 차단하는 제1 차단부재(231)가 설치된다.A first blocking member 231 is installed in the first chamber 201, which is a buffer chamber, adjacent to the outlet of the first chamber 201 to block the inflow of the fume into the first chamber 201.

한편, 제2 챔버(202)의 내부에는 기판(221)으로 약액을 분사하는 분사부재(250)와 제2 챔버(202)의 입구와 인접하게 배치되어 제2 챔버(202)의 외부로 흄이 배출되거나 외부에서 흄이 유입되는 것을 차단하는 제2 차단부재(232)가 설치된다. 제3 챔버(203)와 제4 챔버(204)는 제2 챔버(202)와 동일한 구조로 이루어지므로 제2 챔버(202)에 대한 설명으로 제3 챔버(203)와 제4 챔버(204)에 대한 설명을 대체한다.On the other hand, inside the second chamber 202 is disposed adjacent to the injection member 250 for injecting the chemical liquid to the substrate 221 and the inlet of the second chamber 202, the fume to the outside of the second chamber 202 The second blocking member 232 is installed to block the discharge or the inflow of the fume from the outside. Since the third chamber 203 and the fourth chamber 204 have the same structure as that of the second chamber 202, the third chamber 202 and the fourth chamber 204 will be described with reference to the second chamber 202. Replace the description.

제1 차단부재(231)와 제2 차단부재(232)는 상기한 제1 실시예의 차단부재와 동일하게 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성된 파이프를 포함한다.The first blocking member 231 and the second blocking member 232 include a pipe in which a suction hole for sucking gas is formed in the same manner as the blocking member of the first embodiment.

본 실시예와 같이 제1 챔버(201)에 제1 차단부재(231)를 설치하면 제1 챔버(201)로 흄이 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 제2 챔버(202), 제3 챔버(203), 제4 챔버(204)의 내부에 제2 차단부재(232)를 설치하면 입구를 통해서 챔버들(202, 203, 204)의 외부로 흄이 빠져나가거나 입구를 통해서 흄이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 인접하는 챔버로 흄이 유입되어 식각 불량이 발생하는 것을 안정적으로 방지할 수 있다.If the first blocking member 231 is installed in the first chamber 201 as in the present embodiment, the fume may be prevented from entering the first chamber 201, and the second chamber 202 and the third chamber ( 203, when the second blocking member 232 is installed in the fourth chamber 204, the fume escapes to the outside of the chambers 202, 203, and 204 through the inlet, or the fume flows through the inlet. It can prevent. Accordingly, it is possible to stably prevent the occurrence of etching defects due to the introduction of the fume into the adjacent chamber.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이다.7 is a configuration diagram illustrating an etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 7을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 식각 장치(300)는 복수 개의 챔버(301, 302, 303, 304)를 포함하며, 챔버들(301, 302, 303, 304)은 제1 챔버(301)와, 제2 챔버(302), 제3 챔버(303) 및 제4 챔버(304)를 포함한다. 제1 챔버(301)는 기판(321)이 대기하는 버퍼 챔버이며, 제2 챔버(302), 제3 챔버(303), 및 제4 챔버(304)는 식각이 실시되는 식각 챔버이다.Referring to FIG. 7, the etching apparatus 300 according to the present exemplary embodiment includes a plurality of chambers 301, 302, 303, and 304, and the chambers 301, 302, 303, and 304 may include a first chamber. 301, a second chamber 302, a third chamber 303, and a fourth chamber 304. The first chamber 301 is a buffer chamber in which the substrate 321 stands, and the second chamber 302, the third chamber 303, and the fourth chamber 304 are etching chambers where etching is performed.

제3 챔버(303)와 제4 챔버(304)는 제2 챔버(302)와 동일한 구조로 이루어지므로 제2 챔버(302)에 대한 설명으로 제3 챔버(303)와 제4 챔버(304)에 대한 설명을 대체한다.Since the third chamber 303 and the fourth chamber 304 have the same structure as the second chamber 302, the third chamber 302 and the fourth chamber 304 will be described with reference to the second chamber 302. Replace the description.

제2 챔버(302)의 내부에는 기판(321)으로 약액을 분사하는 분사부재(350)와 제2 챔버(302)의 출구와 인접하게 배치되어 출구를 통해서 제2 챔버(302)로 흄이 유입되거나 배출되는 것을 차단하는 제1 차단부재(331)와 제2 챔버(302)의 입구와 인접하게 배치되어 입구를 통해서 제2 챔버(302)의 외부로 흄이 배출되거나 유입되는 것을 차단하는 제2 차단부재(332)가 설치된다. 제1 차단부재(331)와 제2 차단부 재(332)는 상기한 제1 실시예의 차단부재와 동일하게 기체를 흡입하는 흡입 홀이 형성된 파이프를 포함한다. 제1 차단부재(331)와 제2 차단부재(332)는 입구 또는 출구를 통해서 유통하는 기체를 흡입한다. The second chamber 302 is disposed adjacent to the injection member 350 and the outlet of the second chamber 302 to inject the chemical liquid to the substrate 321, the fume flows into the second chamber 302 through the outlet. A second blocking member 331 disposed to block the discharge or discharge of the second chamber 302 and adjacent to the inlet of the second chamber 302 to prevent the fume from being discharged or introduced into the outside of the second chamber 302 through the inlet. The blocking member 332 is installed. The first blocking member 331 and the second blocking member 332 include a pipe in which a suction hole for sucking gas is formed in the same manner as the blocking member of the first embodiment. The first blocking member 331 and the second blocking member 332 suck the gas flowing through the inlet or the outlet.

본 실시예와 같이 제2 챔버(302), 제3 챔버(303), 및 제4 챔버(304)에 제1 차단부재(331)와 제2 차단부재(332)를 설치하면 입구 또는 출구를 통해서 챔버들(302, 303, 304)의 외부로 흄이 빠져나가는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 입구 또는 출구를 통해서 챔버들(302, 303, 304)의 내부로 흄이 유입되는 것을 방지할 수 있다.When the first blocking member 331 and the second blocking member 332 are installed in the second chamber 302, the third chamber 303, and the fourth chamber 304 as in the present embodiment, the inlet or the outlet In addition to preventing the fume from escaping to the outside of the chambers 302, 303, and 304, the fume may be prevented from entering the chambers 302, 303, and 304 through the inlet or the outlet.

식각 챔버 중에서도 일부의 식각 챔버만 식각 작업을 수행하는 경우가 있으므로 만일 제3 챔버(303)만 식각 작업을 수행하는 경우에는 제3 챔버(303)로부터 흄이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 제2 챔버(302) 및 제4 챔버(304)로 흄이 유입되는 것을 방지할 수 있다.Since only some of the etching chambers may perform an etching operation among the etching chambers, when only the third chamber 303 performs the etching operation, it is possible to prevent the fume from leaking from the third chamber 303 to the outside. In addition, the fume may be prevented from flowing into the second chamber 302 and the fourth chamber 304.

또한, 버퍼 챔버인 제1 챔버(301)에는 제1 챔버의 출구와 인접한 위치에 제1 차단부재(331)만 설치된다. 제1 챔버(301)의 내부에서는 식각 공정이 실시되지 아니하므로 제1 챔버(301)로 흄이 유입되는 것을 차단하는 것으로 충분하다. 이에 제1 차단부재(331)를 설치하여 흄이 제1 챔버(301)로 유입되는 것을 차단한다.In addition, only the first blocking member 331 is installed at a position adjacent to the outlet of the first chamber in the first chamber 301 which is the buffer chamber. Since the etching process is not performed inside the first chamber 301, it is sufficient to block the flow of the fume into the first chamber 301. The first blocking member 331 is installed to block the fume from flowing into the first chamber 301.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the present invention, but may be modified and practiced in various ways within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing an etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 챔버를 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing a first chamber according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에서 Ⅲ-Ⅲ선을 따라 잘라 본 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 2.

도 4는 도 2에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라 본 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 2.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 차단부재를 도시한 사시도이다.5 is a perspective view showing a blocking member according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이다.6 is a block diagram illustrating an etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이다.7 is a configuration diagram illustrating an etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 - -Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

100, 200, 300: 식각 장치 101, 201, 301: 제1 챔버100, 200, 300: etching apparatus 101, 201, 301: first chamber

102, 201, 301: 제2 챔버 103, 203, 303: 제3 챔버102, 201, 301: second chamber 103, 203, 303: third chamber

104, 204, 304: 제4 챔버 112: 입구104, 204, 304: fourth chamber 112: inlet

113: 출구 115: 산배기부113: exit 115: mountain exhaust

121, 221, 321: 기판 125: 이송부재121, 221, 321: substrate 125: transfer member

126: 롤러 130: 차단부재126: roller 130: blocking member

132: 흡입 홀 140: 덮개132: suction hole 140: cover

141: 상판 150, 250: 분사부재141: top plate 150, 250: injection member

150a: 약액 이송관 150b: 연결관150a: chemical delivery tube 150b: connector

152: 노즐 231, 331: 제1 차단부재152: nozzles 231, 331: first blocking member

232, 332: 제2 차단부재232 and 332: second blocking member

Claims (12)

기판이 유입 또는 배출될 수 있도록 개방된 개구를 갖는 복수 개의 챔버들;A plurality of chambers having an opening opened to allow the substrate to enter or exit; 상기 각 챔버 내부에 설치되며 약액을 분사하는 분사부재; 및An injection member installed inside each chamber to inject a chemical solution; And 상기 각 챔버의 상기 개구와 인접하여 상기 챔버 내부에 설치되며, 상기 개구로 유통하는 기체를 흡입하는 차단부재;A blocking member installed in the chamber adjacent to the openings of the respective chambers and sucking the gas flowing through the openings; 를 포함하고,Including, 상기 차단부재는 복수 개의 흡입 홀이 형성된 파이프 형태로 이루어지고,The blocking member is made of a pipe shape formed with a plurality of suction holes, 상기 개구는 폭방향과 높이 방향을 갖는 사각 형태로 형성되며,The opening is formed in a rectangular shape having a width direction and a height direction, 상기 차단부재는 상기 개구의 폭방향을 따라 이어져 배치되며, 상기 흡입 홀은 상기 개구의 폭방향을 따라 이격 배열되고,The blocking member is disposed to extend along the width direction of the opening, the suction hole is spaced apart along the width direction of the opening, 상기 차단부재는 상기 챔버의 내부에서 중력 방향을 기준으로 상기 개구의 위에 설치된 식각 장치.And the blocking member is installed on the opening on the basis of the direction of gravity within the chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버에 설치되어 상기 챔버 내에서 발생된 흄(fume)을 흡입하는 산배기부를 더욱 포함하는 식각 장치.And an acid exhaust unit installed in the chamber to suck fumes generated in the chamber. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구는 상기 기판이 배출되는 출구를 포함하며, 상기 차단부재는 상기 출구와 인접하게 배치된 식각 장치.The opening includes an outlet through which the substrate is discharged, and the blocking member is disposed adjacent to the outlet. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구는 상기 기판이 유입되는 입구를 포함하며, 상기 차단부재는 상기 입구와 인접하게 배치된 식각 장치.The opening includes an inlet through which the substrate is introduced, and the blocking member is disposed adjacent to the inlet. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구는 상기 기판이 유입되는 입구와 상기 기판이 배출되는 출구를 포함하며, 상기 차단부재는 상기 입구 및 상기 출구와 인접한 부분에 각각 설치된 식각 장치.The opening includes an inlet through which the substrate is introduced and an outlet through which the substrate is discharged, and the blocking member is disposed at a portion adjacent to the inlet and the outlet, respectively. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차단부재에는 상기 차단부재를 덮는 덮개가 설치된 식각 장치.The blocking member is an etching apparatus provided with a cover covering the blocking member. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 덮개의 상면은 지면에 대하여 경사지게 형성된 식각 장치.An upper surface of the cover is formed inclined with respect to the ground etching apparatus. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버들은 상기 기판의 식각 공정이 실시되는 식각 챔버와 상기 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 챔버를 포함하고, The chambers may include an etching chamber in which an etching process of the substrate is performed and a buffer chamber in which the substrate is temporarily waiting, 상기 식각 챔버와 상기 버퍼 챔버는 각각 상기 기판이 유입되는 입구와 상기 기판이 배출되는 출구를 포함하며,Each of the etching chamber and the buffer chamber includes an inlet through which the substrate is introduced and an outlet through which the substrate is discharged. 상기 식각 챔버의 입구와 인접한 부분에 상기 차단부재가 설치되고, 상기 버퍼 챔버의 출구와 인접한 부분에 상기 차단부재가 설치된 식각 장치.And the blocking member is disposed at a portion adjacent to the inlet of the etching chamber, and the blocking member is disposed at a portion adjacent to the outlet of the buffer chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버들은 상기 기판의 식각 공정이 실시되는 식각 챔버와 상기 기판이 일시적으로 대기하는 버퍼 챔버를 포함하고, The chambers may include an etching chamber in which an etching process of the substrate is performed and a buffer chamber in which the substrate is temporarily waiting, 상기 식각 챔버와 상기 버퍼 챔버는 각각 상기 기판이 유입되는 입구와 상기 기판이 배출되는 출구를 포함하며,Each of the etching chamber and the buffer chamber includes an inlet through which the substrate is introduced and an outlet through which the substrate is discharged. 상기 식각 챔버의 입구와 출구에 인접한 부분에 상기 차단부재가 각각 설치되고, 상기 버퍼 챔버의 출구와 인접한 부분에 상기 차단부재가 설치된 식각 장치.And a blocking member is provided at portions adjacent to the inlet and the outlet of the etching chamber, and the blocking member is disposed at portions adjacent to the outlet of the buffer chamber.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102256447B (en) * 2010-05-20 2013-08-07 富葵精密组件(深圳)有限公司 Etching device and circuit board etching method
KR102006878B1 (en) * 2012-12-27 2019-08-05 삼성디스플레이 주식회사 Multi-function apparatus for testing and etching substrate and substrate processing apparatus
KR102094943B1 (en) * 2013-03-22 2020-03-31 삼성디스플레이 주식회사 Etching apparatus
CN105044943B (en) * 2015-08-25 2018-02-23 深圳市华星光电技术有限公司 Etaching device
CN105870008B (en) * 2016-04-18 2018-10-23 武汉华星光电技术有限公司 Etching machines and engraving method
KR102068047B1 (en) * 2018-07-19 2020-01-20 (주)한빛테크놀로지 Etching apparatus having fume blocking function

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625484B1 (en) * 2005-11-09 2006-09-18 주식회사 디엠에스 Substrate Processing Equipment
KR20080054147A (en) * 2006-12-12 2008-06-17 세메스 주식회사 Chemical liquid injection device of wet equipment
KR20090035859A (en) * 2007-10-08 2009-04-13 세메스 주식회사 Gas exhaust system

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
AU772539B2 (en) * 1999-07-29 2004-04-29 Kaneka Corporation Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
TWI277694B (en) * 2002-02-28 2007-04-01 Teijin Seiki Co Ltd Vacuum exhausting apparatus
JP2003282525A (en) * 2002-03-25 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP4092971B2 (en) * 2002-07-24 2008-05-28 株式会社トッパンNecサーキットソリューションズ Surface treatment equipment for printed wiring boards
US6858085B1 (en) * 2002-08-06 2005-02-22 Tegal Corporation Two-compartment chamber for sequential processing
US20050022930A1 (en) * 2003-04-17 2005-02-03 Yoshihiro Moriguchi Substrate treatment apparatus, substrate treatment method and substrate manufacturing method
JP4398262B2 (en) * 2004-01-08 2010-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2006278606A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for processing substrate
US20070256934A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Perata Michael R Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation
JP4959457B2 (en) * 2007-07-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate transport module and substrate processing system
JP2009202088A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating device
JP2009076856A (en) * 2007-08-28 2009-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-treating equipment
JP2009213958A (en) * 2008-03-07 2009-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing equipment
US8460567B2 (en) * 2008-07-01 2013-06-11 Tokyo Electron Limited Method and system for etching a MEM device
US20120111835A1 (en) * 2009-07-23 2012-05-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Wet etching apparatus and method
CN101985752B (en) * 2009-07-28 2013-01-09 富葵精密组件(深圳)有限公司 Spray etching device
US20110024390A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-03 Fulton County Processing Apparatus and process for removing oxidation scale from metal

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625484B1 (en) * 2005-11-09 2006-09-18 주식회사 디엠에스 Substrate Processing Equipment
KR20080054147A (en) * 2006-12-12 2008-06-17 세메스 주식회사 Chemical liquid injection device of wet equipment
KR20090035859A (en) * 2007-10-08 2009-04-13 세메스 주식회사 Gas exhaust system

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