KR101106887B1

KR101106887B1 - 기판들을 열 처리하기 위한 방법 및 장치

Info

Publication number: KR101106887B1
Application number: KR1020067017693A
Authority: KR
Inventors: 베르너 자울러; 로타르 베르거; 크리스찬 크라우쓰; 로베르트 바이잉
Original assignee: 하마테크 에이피이 게엠베하 & 코. 카게
Priority date: 2004-11-17
Filing date: 2005-11-12
Publication date: 2012-01-25
Also published as: CA2554645C; US7842905B2; US20080217319A1; EP1812957A1; CA2554645A1; DE102004055449A1; TWI376723B; HK1099605A1; EP1812957B1; JP2008521223A; KR20070085074A; CN100555562C; DE102004055449B4; WO2006053690A1; DE502005011052D1; CN1918693A; JP4922180B2; TW200629353A; ATE500607T1

Abstract

본 발명은 기판들을 열처리하기 위한 장치에 관한 것으로서, 기판들은 기판으로부터 떨어져 대향하는 가열판의 측면상의 개별적으로 제어 가능한 다수의 가열 엘리먼트들을 통해 가열되는 가열판으로부터 좁게 이격되거나 접촉되도록 유지된다. 상기 가열판은 이로부터 이격된 프레임에 의해 적어도 그 평면상에서 둘러싸이고, 상기 프레임과 상기 가열판의 적어도 하나의 에지 사이의 갭을 통해 가스가 제어되는 방식으로 전달된다.

Description

기판들을 열 처리하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR THERMALLY TREATING SUBSTRATES}

본 발명은 기판들의 열처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체들의 제조에서 평면 기판들의 열처리를 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

반도체 산업의 분야에서 컴포넌트들을 제조할 때, 본 출원의 출원인으로부터 안출된 DE 100 59 665 C1 또는 상기 출원인으로부터 안출된 DE 199 07 497 C로부터 공지된 바와 같이, 가열 장치에서 기판들을 열적으로 처리하는 것이 공지되어 있다. 통상적인 처리 단계는 예를 들어, 래커링(lacquering) 이후 래커(lacquer)의 경화이고, 노광 이후 "화학적으로 증대된 레지스트들"(CAR)을 고정하기 위한 "후-노광 베이크(Post-Exposure Bake)"(PEB)로 불린다. 구조물들의 품질과 열처리의 결과에 대해, 기판, 특히 그 상부의 층으로 열의 평탄하고 균일한 공급이 결정적으로 중요하다. 이것은 기판의 가열 동안 에지들에 비해 중심에서 가열되는 양이 더 많아서 중심이 에지들에 비해 더 느리게 가열되기 때문에, 예를 들어 포토마스크들과 같은 큰 물질 두께를 갖는 각(angular) 기판들을 통해 용이하게 수행될 수 없다. 한편, 최종 온도에 도달한 이후, 에지들은 더 큰 표면으로 인해 중심에 비해 더 많은 열을 방출함으로써 최종 온도에 이른 후에 보다 신속히 냉각된다. 또한, 이와 동일한 문제는 원형 반도체 기판들에도 발생한다.

이러한 문제점을 극복하기 위해, DE 100 59 665 C1에 따른 셀프-최적화 제어 방법으로서 전술한 DE 199 07 497 C로부터 공지된 바와 같이, 과거에는 몇 가지 활성 조정되는 영역들을 갖는 가열 장치가 사용되었다. 이러한 가열 장치들에 의해, 가열 단계 동안 에지들에 비해 기판의 중심을 보다 강하게 가열할 수 있고, 최종 온도에 도달한 이후, 중심에 비해 보다 강하게 에지들을 가열할 수 있었다.

공지된 장치 및 공지된 제어 방법이 양호한 결과들을 제공하지만, 특히 차세대의 포토마스크들(65nm 노드)을 위해, 열처리 동안 온도 균일도를 추가로 증가시킬 필요가 여전히 있다.

공지된 종래기술로부터, 본 발명의 근간을 이루는 목적은 개선된 열처리 균일도가 달성될 수 있는 기판들의 열처리를 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 이러한 목적은 기판들의 열처리를 위한 방법에 의해 달성되며, 상기 기판들은 기판으로부터 떨어져 대향하는 가열판의 측면상의 개별적으로 제어 가능한 다수의 가열 엘리먼트들에 의해 가열되는 가열판으로부터 일정 거리만큼 떨어지거나 접촉되게 유지되고, 상기 가열판은 상기 가열판으로부터 이격된 프레임에 의해 적어도 그 평면에서, 즉 반경으로 둘러싸이며, 상기 프레임과 상기 가열판의 적어도 하나의 에지 사이의 갭을 통해 가스가 전달되고, 상기 가스의 온도 및/또는 유량은 가열판의 에지 온도에 영향을 주도록 제어된다. 프레임과 가열판 사이에 갭을 형성하고 이러한 갭을 통해 가스의 전달을 제어함으로써, 가열판의 에지 영역들의 활성 냉각에 의해 기판의 열처리 균일도를 개선할 수 있다. 갭을 통한 가스의 전달 제어는 다른 제어 파라미터들과 더불어, 적절하게 가열판의 에지 영역의 특정 냉각을 가능하게 하는데, 예를 들어, 가열 단계 동안 중심에 비해 기판을 덜 가열시키는 것이다. 활성 냉각은 특히 가열판의 에지 영역의 온도 감소와 같은 신속한 변화를 가능하게 한다. 가열판의 에지 영역에서 온도 감소는 예를 들어, 에지 영역에서 가열 엘리먼트들 중 하나로의 에너지 공급을 감소시킴으로써, 달성될 수 있는 것보다 실질적으로 더 신속하게 달성된다.

따라서, 본 발명에 따른 방법은 개선된 온도 균일도를 갖는 기판들의 열처리를 가능하게 할 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 가열판의 에지의 적어도 일부분 영역을 따르는 갭의 폭은 갭의 영역에서 플로우 레이트(flow rate)들을 조절하기 위하여 기판의 열처리 동안 및/또는 기판의 열처리 이전에 변화되고, 이에 따라 이러한 영역에서 냉각을 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 가열 장치의 냉각 상태의 비대칭도들을 균일하게 하기 위해 가열판의 에지 영역들의 특정한 비대칭 냉각이 달성될 수 있다. 이와 같이 함으로써, 상기 폭은 국부적으로 변화되고, 바람직하게는 0 내지 5mm 범위, 특히 1 내지 5mm 범위에서 변화된다.

가스의 양호한 전달을 위해, 가열판의 에지 영역에서 특정한 냉각을 제공하기 위해 갭에 진입하기 이전에 편향 엘리먼트에 의해 전환되는 것이 바람직하다. 본 발명의 특히 바람직한 실시예에서, 가스는 주변 공기이다. 주변 공기가 갭을 통해 가이드(guide)되기 때문에, 장치의 구조가 특히 간단하다. 상기 방법은 일반적으로 주변 공기가 제공되는 클린룸에서 수행되기 때문에, 주변 공기의 온도가 일반적으로 공지되고 일정하므로 주변 공기를 통해 양호하고 균일한 냉각이 달성될 수 있다.

선택적 실시예에서, 가스는 실질적으로 밀폐된 냉각 회로에서 순환하는 냉각 가스이다. 공기일 수도 있는, 실질적으로 밀폐된 냉각 회로에서 순환하는 냉각 가스의 사용은 갭을 통해 흐르는 가스의 양뿐만 아니라 가스의 온도를 제어하는 것을 가능하게 하고, 가열판의 에지 영역에서 냉각에 의해 더욱 양호하게 제어될 수 있다.

바람직하게는, 갭을 통해 전달되는 가스의 양, 갭의 폭 및/또는 가스의 온도는 상이한 처리 섹션들 동안 가열판의 에지 영역의 각각의 미리 결정된 냉각을 제공하기 위해 열처리 이전에 형성된 프로파일에 의해 제어된다.

본 발명의 추가적인 실시예에서, 온도는 가열판으로부터 떨어져 대향하는 기판의 측면상의 특정-위치에서 측정되고, 기판 표면상의 상이한 위치 지점들간의 온도 차이들이 임계값을 초과하는 경우, 열처리 이전에 형성된 갭을 통해 전달되는 가스의 양에 대한 프로파일, 갭의 폭 및/또는 가스의 온도는 기판상에서 측정되는 온도 분포에 따라 변화된다. 이러한 방식으로, 기판상의 온도 분포에 따라 가열판의 에지 영역의 온도의 급속 제어 및 조절이 가능할 수 있다. 바람직하게는, 갭을 통해 전달되는 가스의 양에 대한 열처리 동안 변화되는 프로파일, 갭의 폭 및/또는 가스의 온도는 저장되는 것이 바람직하고, 미리 결정된 프로파일의 셀프-최적화 및 예상 제어를 가능하게 하기 위하여 후속 처리를 위해 새롭게 형성되는 프로파일로서 사용된다.

선택적으로 또는 부가적으로, 상기 온도는 가열판으로부터 떨어지게 대향하는 기판의 측면상의 특정-위치에서 측정되고, 각 가열 엘리먼트의 온도가 측정되며, 각 가열 엘리먼트의 온도는 상기 가열 엘리먼트의 측정된 온도가 실제값으로서 입력되는 PID 제어 알고리즘을 이용하여 조절되고, 기판의 표면상의 상이한 위치들간의 온도 차이들이 임계값을 초과하는 경우, 열처리 이전에 결정된 PID 제어 알고리즘에 대한 온도의 목표값 프로파일은 기판상에서 측정된 온도에 따라 변화된다.

셀프-최적화 프로세스 제어를 제공하기 위해, 열처리 동안 변화되는 목표값 프로파일은 저장되는 것이 바람직하고, 새롭게 형성되는 목표값 프로파일로서 후속 처리를 위해 사용된다.

본 발명의 추가적인 실시예에 따라, 구조물 폭, 특히 래커 구조물 폭은 열처리 이후 기판의 표면상의 특정-위치에서 측정되고, 상기 측정에 의해 특정-위치 온도 프로파일은 열처리 동안 발생한 기판의 표면에 대해 계산되며, 갭을 통해 전달되는 가스의 양, 갭의 폭 및/또는 가스의 온도는 후속 열처리 프로세스를 위해 기판상에서 계산된 온도 프로파일에 따라 설정된다. 이러한 방식으로, 이전의 처리 프로세스에서 발생하는 불균일도는 순차적인 처리에 대한 제어 프로파일을 변화시킴으로써 고려될 수 있기 때문에, 프로세스의 셀프-최적화가 다시 한번 가능할 수 있다.

본 발명의 근간을 이루는 목적은 기판들의 열처리를 위한 장치로 달성되며, 상기 장치는 가열판; 상기 가열판으로부터 작은 거리만큼 떨어지거나 접촉되는 기판을 홀딩하기 위한 수단; 상기 기판으로부터 떨어져 대향하는 상기 가열판의 측면상에서 개별적으로 제어 가능한 다수의 가열 엘리먼트들; 상기 가열판을 그 평면으로, 즉 반경으로 둘러싸는 프레임 - 상기 프레임은 상기 가열판으로부터 이격되고 상기 가열판의 적어도 하나의 에지 영역 및 상기 프레임 사이에 적어도 하나의 갭을 형성함 -; 및 상기 갭을 통해 가스를 전달하기 위한 적어도 하나의 장치 - 상기 장치는 상기 갭을 통해 전달되는 가스의 양 및/또는 온도를 제어함 - 를 포함하고, 상기 수단은 상기 기판과 접촉되지 않도록 상기 가스를 전달하기 위해 제공된다. 상기 장치는 또한 상기 가열판 및 프레임 사이의 갭을 통해 제어 가능하게 전달되는 가스에 의해 상기 가열판의 에지 영역의 신속한 응답 온도 제어를 가능하게 한다.

개별적인 에지 영역들의 냉각을 제어할 수 있도록 하기 위해, 갭의 폭의 국부적인 조절을 위해 상기 프레임에 조절가능하게 장착되는 적어도 하나의 엘리먼트가 제공되는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 냉각 프로파일이 조절될 수 있으며, 특히 상기 가열판의 비대칭 가열을 받아치기(counter) 위해 상기 가열판의 적어도 하나의 에지를 따라 비대칭 냉각 프로파일이 달성될 수 있다. 바람직하게는, 갭은 0 내지 5mm, 특히 1 내지 5mm 범위에서 국부적으로 조절될 수 있다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 에지를 따라 상이한 냉각 프로파일들을 제공하기 위해 다수의 엘리먼트들이 가열판의 하나의 에지를 따라 제공된다. 상기 가열판을 향해 대향하는 상기 엘리먼트의 외형은 각각의 엘리먼트의 영역에서 실질적으로 일정한 갭을 형성하기 위하여 상기 가열판의 대향 에지의 외형과 상보적인 것이 바람직하다.

본 발명의 간단한 구조를 위해, 상기 프레임은 저면 벽과 적어도 하나의 측벽을 갖는 것이 바람직하고, 상기 적어도 하나의 측벽은 상기 가열판을 방사형으로 둘러싼다. 플로우(flow) 공간이 상기 갭에 접속되는 저면 벽 상부에 형성되고, 상기 갭을 통한 가스의 전달을 위해 제어 가능한 장치가 상기 프레임의 저면 벽의 개구부에 접속된다. 이에 따라, 가열판 아래에 형성된 플로우 공간에 의해 간단한 방식으로 갭을 통해 공기가 유입되거나 방출될 수 있고, 상기 프레임의 저면 벽과 상기 가열판 사이의 공간은 갭을 통한 공기의 유입 및 방출을 용이하게 하는 분배 공간으로서 작용한다.

바람직하게는, 편향 엘리먼트가 제공되어 그 상부측 상의 에지 영역에서 상기 가열판에 접촉되고, 상기 갭의 일 단부에서 플로우 채널을 형성한다. 이러한 방식으로, 갭을 통한 가스의 제어되는 전달 및 에지 영역에서 상기 가열판의 제어되는 냉각이 용이하게 된다.

상기 장치의 간단한 구조를 위해, 갭은 주변 공기가 냉각을 위해 상기 갭을 통해 전달되도록 주변 공기와 접촉하고 있다. 더욱 양호한 냉각 또는 냉각 제어를 달성하기 위해, 선택적 실시예에서, 갭은 냉각 및/또는 가열 장치가 배치되는 실질적으로 밀폐된 플로우 회로의 일부분을 형성한다.

바람직하게는, 가열판으로부터 떨어지게 대향하는 기판의 표면에 유도되는 특정-위치 온도 측정 장치, 상기 온도 측정 장치와 접속된 처리 제어 유닛, 및 상기 갭을 통해 가스를 전달하기 위한 제어 가능한 장치가 제공되어, 기판 표면상의 온도 분포를 형성하고 상기 온도 분포에 따라 갭을 통해 가스를 전달하기 위한 제어 가능한 장치를 제어한다. 이것은 열처리 프로세스 동안 기판 표면상의 온도 분포에 대한 냉각의 적응(adaptation)을 가능하게 한다.

개별적인 가열 엘리먼트들의 양호한 제어를 위해, 온도를 측정하도록 온도 센서가 각각의 가열 엘리먼트에 할당되는 것이 바람직하며, 더욱이 열처리 동안 개별적인 가열 엘리먼트들의 온도 조절을 가능하게 하도록 상기 가열 엘리먼트들과 할당된 온도 센서들에 접속되는, 적어도 하나의 PID 조절기가 제공된다. 바람직하게는, 본 발명에서 PID 조절기는 일정한 실시간 조절을 보장하기 위해 각각의 가열 엘리먼트에 대해 제공된다. 단지 하나의 PID 조절기가 제공되면, 개별적인 가열 엘리먼트들의 조절이 순차적으로 수행될 수 있다. 따라서, 모든 가열 엘리먼트들의 조절은 띄엄띄엄 한 시간 간격들 동안에 단일 PID 조절기로 가능할 수 있다.

바람직하게는, 처리 제어 유닛은 PID 조절기(들)에 접속되고 기판 표면상의 온도 분포에 따라, 개별적인 가열 엘리먼트들을 위한 목표된 온도값들을 형성하며, PID 조절기(들)와 이러한 온도값들을 통신한다. 이러한 방식으로, 기판 표면상의 온도 분포를 기반으로 개별적인 PID 조절기들에 대해 목표된 온도값들의 적응 및 외부의 조절이 가능할 수 있고, 이에 따라 온도 균일도의 조절이 개선될 수 있다.

특히 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 갭을 통해 가스를 전달하기 위한 제어 가능한 장치는 가열판의 측면 에지(들)에 대해 가스의 균일한 전달을 용이하게 하기 위해 가열판 아래의 중심에 배치된다. 갭을 통해 가스를 전달하기 위한 이러한 제어 가능한 장치는 예를 들어, 갭을 통해 주변 공기를 유입시키는 흡입 장치인 것이 바람직하다.

특히 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 갭을 통해 가스를 전달하기 위한 제어 가능한 장치는 갭을 통해 전달되는 가스의 양 및/또는 가스의 온도를 조절하기 위해 제어 유닛을 구비한다.

이하에서, 본 발명은 도면들을 참조로 보다 상세히 설명된다.

도 1은 본 발명의 가열 장치의 개략적인 상면도로서, 도시를 간략화하기 위해 특정 엘리먼트들이 생략되었다.

도 2는 도 1에 따른 장치의 개략적인 단면도이다.

도 3은 도 4의 라인 Ⅲ-Ⅲ을 따르는 본 발명에 따른 가열 장치의 선택적 실시예의 개략적인 단면도이다.

도 4는 도 3에 따른 장치의 개략적인 단면도이다.

도 5는 본 발명 및 비교가능한 방법에 따른 열처리 동안 기판의 표면상의 평균 온도를 나타내는 그래프이다.

도 6은 비교가능한 방법에 따른 열처리와 비교하여 본 발명에 따른 열처리에 의한 기판 표면상의 국부적인 온도 편차들을 나타내는 그래프이다.

도 7은 가열 프로그램의 자동 최적화를 위한 조절 회로를 도시한다.

도 8은 기판상의 래커 구조물 폭들을 고려하는 가열 프로그램의 자동 최적화를 위한 조절 회로의 선택예를 도시한다.

도 9는 본 발명에 따른 최적화된 가열 프로그램의 그래픽 도면이다.

도 10은 본 발명의 선택적인 가열 장치의 개략적인 상면도이다.

도 11은 상이한 위치에 나타낸 가열 장치의 조절가능한 엘리먼트들을 갖는 도 10에 따른 가열 장치의 개략적인 상면도이다.

도 12는 상이한 위치들에 나타낸 상기 가열 장치의 조절가능한 엘리먼트들을 갖는 도 10에 따른 가열 장치의 추가적인 개략적인 상면도이다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예의 제 1 예에 따라 기판들(2)의 처리를 위한 장치(1)의 개략적인 상면도 및 그 단면도를 도시한다. 그러나 도 1의 상면도에서, 도 2에 나타낸 특정 엘리먼트들은 본 발명의 명확화를 위해 생략되었다.

상면도에서, 장치(1)는 상면(6)과 후면(7)을 갖는 평탄한 사각형 가열판(4)을 갖는다. 후면(7)상에 가열 엘리먼트들(9)이 장착되고, 총 25개의 가열 엘리먼트들(9)이 도 1에 따른 상면도에 도시된 바와 같이 제공된다. 상기 가열판에서, 지지 엘리먼트들(11)이 제공되어 그 상부에 놓이는 기판(2)을 승강 또는 하강시키기 위해 고정되거나 높이 조절가능하다. 도 1의 상면도에 나타낸 것처럼, 총 8개의 지지 엘리먼트들(11)이 제공되고, 물론 이와 상이한 개수가 제공될 수 있다.

도 2에 따른 단면도에 나타낸 것처럼, 가열 엘리먼트들(9) 아래에 절연판(13)이 제공되어 좁은 공기 갭(15)에 의해 상기 가열 엘리먼트들로부터 분리된다. 공기 갭(15)은 가열 엘리먼트들(9)을 제어하기 위해 전기 케이블들 등을 위한 공급 공간으로서 작용한다. 그러나 선택적으로 절연 엘리먼트(13)는 가열 엘리먼트들(9)의 후면과 직접 접촉될 수도 있으며 해당 공급 라인들은 절연 엘리먼트에 제공된다. 더욱이, 예를 들어 각각의 가열 엘리먼트의 후면에 부착되는 온도 센서가 각각의 가열 엘리먼트에 할당된다.

가열판(4), 가열 엘리먼트들(9), 및 절연 엘리먼트(13)는 가열판 유닛(17)을 형성하기 위해 공지된 방식으로 서로 접속된다. 가열판 유닛(17)은 외부 프레임 엘리먼트(19)내에 수용되고, 엘리먼트들(미도시)을 홀딩함으로써 그 내부에서 지지된다. 프레임 엘리먼트(19)는 실질적으로 저면 벽(20)과 해당 측벽들(22)로 구성된다. 도시된 실시예에서, 4개의 측벽들(22)이 제공되어 사각형 프레임을 형성한다. 측벽들(22)의 상단에서, 수평 방향으로 조절가능한 총 5개의 엘리먼트들(24)이 각각 제공되고, 그 기능은 이하에서 더욱 상세히 설명될 것이다.

가열판 유닛(17)은 프레임 엘리먼트(19) 내에서 중심에 배치되고, 조절가능한 엘리먼트들(24)은 그 아래에 놓이는 가열 엘리먼트들(9)과 함께 가열판(4)의 높이에 배치된다.

조절가능한 엘리먼트들(24)을 갖는 측벽들(22)은 반경 방향으로 가열판 유닛(17)을 둘러싸므로, 가열판 유닛(17)과 측벽들(22) 사이에 갭(A)이 형성된다. 조절가능한 엘리먼트들(24)에 의해, 갭(A)의 폭은 0mm 내지 5mm 범위에서 국부적으로 변화될 수 있고, 즉 상기 갭은 에지 영역을 따라 냉각이 제공되지 않으면 국부적으로 완전히 밀폐될 수 있다. 그러나 이러한 갭 밀폐부만이 국부적인 섹션들에 제공된다. 그러나 바람직하게는, 갭 폭의 조절은 이하에서 더욱 상세히 기술되는 것처럼, 1mm 내지 5mm 범위에서만 수행된다. 엘리먼트들(24)의 사전-설정은 도 1에 따른 상면도에서 도시된 것처럼, 사각형 가열판의 코너들의 영역에서 갭(A)이 다른 영역들에서보다 더 크게 되도록 선택된다. 더욱이, 상기 프레임 엘리먼트의 저면 벽(22)과 상기 가열판 유닛의 하부면 사이에서, 갭(A)에 인접하는 플로우 공간(23)이 형성된다.

프레임의 일부로서, 편향 엘리먼트(26)가 제공되어, 그 상면(6)상의 가열판(4)과 접촉된다. 편향 엘리먼트(26)와 측벽(22)의 상면 사이에 플로우 개구부(B)가 제공된다. 편향 엘리먼트(26)의 경사진 부분(28)에 의해, 플로우 개구부(B)를 통해 갭(A)으로 흐르는 공기의 흐름은 편향되고, 갭(A)을 통해 상향하게 떠오르는 공기의 흐름은 외부를 향해 방사형으로 편향된다. 물론, 편향 엘리먼트(26)가 프레임(18)과 별도로 제공될 수도 있다. 편향 엘리먼트의 효과는 갭을 통해 흐르는 공기가 처리되는 기판과 접촉되지 않게 하는 것이다.

프레임 엘리먼트(19)의 저면 벽(20)은 흡입관(32)에 인접한 중심의 중간 개구부(30)를 갖는다. 흡입관(32)의 영역에서, 플로우 개구부(B), 갭(A) 및 플로우 공간(23)을 통해 가스, 바람직하게는 주변 공기를 흡입하고 흡입관을 통해 이를 배출시키기 위해 조절가능한 송풍기(34)가 제공된다.

도 2에 나타낸 것처럼, 장치(1)는 밀폐된 상태에서 가열판의 상면과 접촉되고 기판(2)을 위한 수용 공간(37)을 형성하는 커버(36)를 더 구비한다. 커버(36)는 가열판(4)의 상면(6)과 커버(36) 사이에 실질적으로 밀폐된 수용 공간(37)을 형성하기 위해, 프레임 엘리먼트(22)와 가열판 유닛(17)에 대해 적절한 방식으로 이동가능하다. 커버(36)에서, 온도 측정 장치(상세하게 도시되지 않음)가 제공되어 기판(2)의 상면상에서 특정-위치 온도 측정들을 수행한다. 이러한 형태의 온도 측정 결과들은 제어 장치(상세하게 도시되지 않음)에 제공된다.

이하에서, 도 1 및 도 2에 따른 가열 장치(1)의 동작이 보다 상세하게 기술 된다.

먼저, 커버(36)가 개방되고, 기판(2)이 지지 엘리먼트들(11)상에 놓인다. 그 다음, 커버(36)는 도 2에 도시된 바와 같이, 실질적으로 밀폐된 수용 공간(37)을 형성하기 위해 밀폐된다.

그 다음, 가열 엘리먼트들(9)이 예를 들어, 목표된 열처리 프로세스를 위한 보정 프로세스 동안 형성된 미리 결정된 송풍기 프로파일에 따른 송풍기 및 미리 결정된 가열 프로파일에 따라 제어된다. 가열 프로파일과 송풍기 프로파일을 갖는 해당 처리 프로그램은 도 9에 개략적으로 도시된다. 도 9는 열처리의 상이한 단계들 동안의 개별적인 가열 엘리먼트들 및 상이한 단계들 동안의 해당 송풍기 세팅을 위해 도달되는 온도를 나타낸다.

개별적인 가열 엘리먼트들(9)의 가열 프로파일은 가능한 가장 균일한 온도 분포가 가열판(14)으로부터 떨어져 대향하는 기판(2)의 상면상에서 달성되도록 설계된다. 개별적인 가열 엘리먼트들(9)은 PID 조절 알고리즘에 의해 제어되고, 각각의 가열 엘리먼트들(9)에 할당된 온도 센서들의 측정 결과들은 실제값들로서 입력되는 반면, 열처리의 상이한 단계들 동안 도 9에 나타낸 미리 결정된 온도들은 목표값들을 나타낸다.

이와 상응하게, 송풍기(34)는 플로우 채널(B)과 갭(A)을 통해 주변 공기를 흡입하기 위해 미리 결정된 송풍기 프로파일에 따라 제어되고, 이에 따라 가열판(4)의 외부 에지들과 외부에 위치된 가열 엘리먼트들(9)을 따라 공기가 흐른다. 송풍기는 또한 가열판(4)과 외부에 위치된 가열 엘리먼트들(9)의 상응하는 에지 냉각을 달성하기 위해 미리 결정된 방식으로 이전에 형성된 프로그램에 따라 제어된다.

후속 프로세스들에 대하여 한번 형성된 처리 프로그램이 임의의 변경 없이 사용될 수 있더라도, 도시된 실시예에서, 처리 결과들의 모니터링 및 적절하다면 처리 프로그램의 적응이 제공된다.

이러한 형태의 모니터링과 적응의 일 예로서, 도 7은 처리 프로그램의 자동 최적화를 위한 흐름도의 개념도를 나타낸다. 도 7에 따라, 블럭(40)에서 기판의 열처리가 미리 결정된 처리 프로그램을 이용하여 개시된다. 그 다음, 블럭(42)에서, 열처리 동안에 가열판으로부터 떨어져 대향하는 기판의 표면상의 온도가 특정 위치, 즉 상이한 위치 지점들에서 측정된다. 기판의 상면 상의 상이한 위치 지점들로부터 발생하는 측정 결과들로부터, δ로 나타낸 온도 분포의 균일도가 계산된다. 균일도 δ는 다음의 계수로 주어진다:

결정 블럭(44)에서, 계산된 균일도는 최대 허용 온도 편차를 나타내는 최대 균일도 값과 비교된다. 균일도 δ가 최대 허용 균일도 값 δ_max 미만이면, 처리 프로그램은 계속되고, 종료될 때까지 변경되지 않는다. 처리 프로그램의 종료시, 단계(46)에서 개별적인 가열 엘리먼트들(9)과 송풍기(34)의 제어가 종료된 다음, 기판(2)이 알려된 방식으로 언로딩(unload)된다.

그러나, 블럭(44)에서 균일도 δ가 최대 허용 균일도 값 δ_max를 초과한다고 결정되면, 단계(48)에서 처리 프로그램은 재계산되고, 가열 프로파일 및/또는 송풍기 프로파일이 기판 상부의 보다 균일한 온도 분포를 달성하기 위해 변경된다. 처리 프로그램을 재계산하는 경우, 개별적인 가열 엘리먼트들에 대해 이전에 결정된 목표값 프로파일들은 이들의 원래 성능조건(specification)에 대해 변경될 수 있다. 이러한 형태의 처리 제어는 반복을 피하기 위해 참조된 DE 199 07 497 C2의 가열 엘리먼트들의 제어에 기술된다. 이러한 형태의 처리 제어는 기판(2)의 표면 상에 개선된 온도 균일도를 달성하도록 작용한다.

선택적으로 또는 이와 더불어, 송풍기(34)의 제어는 가열판(4) 또는 외부에 위치된 가열 엘리먼트들(9)의 급속 에지 냉각을 제공하거나 이들에 덜 현저한 냉각을 제공하기 위해 미리 결정된 송풍기 프로파일에 대해 변경될 수도 있다. 가열판(4)의 주변 에지 또는 외부에 위치된 가열 엘리먼트들(9)을 따라 갭(A)의 폭을 변화시킬 수도 있다. 갭 폭의 이러한 변화는 단지 하나의 에지 또는 몇몇 에지들을 따라 제공될 수 있고, 조절이 제공되는 영역에서 공기 흐름에 의해 제공되는 냉각 동작을 특정하게 변화시키기 위해 부분 영역들에만 제공될 수 있다.

따라서, 기판(2)의 표면상에 온도의 균일도를 달성하기 위해 광범위한 가능성이 제공된다.

재계산되고 변경된 처리 프로그램은 열처리의 종료 이후 블럭(46)에서 저장되고, 후속 열처리를 위한 새로운 처리 프로그램으로서 마련된다. 이러한 방식으로, 열처리 동안 다수의 기판들(2)은 시스템의 셀프-최적화(self-optimisation)를 달성할 수 있다.

도 8은 가열 프로그램의 자동 최적화를 위한 선택적인 흐름도를 나타내고, 도 8에 따른 구역 C는 실질적으로 이전에 기술된 흐름도에 해당한다. 구역 C에서 도 7에서와 동일한 참조번호들이 사용된다. 그러나 이전에 처리된 기판상의 래커 구조물의 광학 측정은 구역 C의 상부에 부가된다. 이러한 광학 측정은 예를 들어 US 6,235,439 B에 기술된 것처럼, 열처리 동안 기판의 표면상의 국부적인 온도 프로파일에 대해 추론가능한 기판상의 래커 구조물 폭에 대해 국부적인 차이들을 형성하기 위한 특정-지점이다. 래커 구조물 폭의 광학 측정은 블럭(50)에서 수행된다. 이하의 단계(52)에서, 온도 프로파일은 이전의 열처리 동안 계산된 특정-위치이고, 최적화된 처리 프로그램은 온도 프로파일을 이용하여 형성되며, 그 목적은 기판상에 보다 균일한 온도 분포를 달성하는 것이다. 이러한 방식으로 최적화된 처리 프로그램은 그 다음 블럭(40)에서 시작 프로그램으로서 사용되고, 필요하면 열처리 동안 상술한 바와 같이 다시 한번 변경된 다음 저장된다.

도 5 및 도 6은 상술한 실시예의 일 예에 따라 제어되는 공기 흡입에 의한 열처리, 및 제어되는 공기 흡입 없는 열처리 사이의 기판 표면상의 온도 편차 ΔT(t) 또는 평균 온도 T(t)의 비교를 나타낸다. 도 5에서, 곡선(55)은 제어되는 공기 흡입에 의한 본 발명에 따른 열처리 동안의 시간에 다른 기판 표면상의 평균 온도 T(t)를 나타내고, 곡선(56)은 제어되는 공기 흡입 없는 처리 과정 동안 기판 표면상의 평균 온도 T(t)를 나타낸다. 곡선들(55, 56)은 거의 상이하지 않고, 따라서 제어되는 공기 흡입만이 기판 표면상의 평균 온도 T(t)에 작은 영향을 준다는 것을 알 수 있다.

도 6에서, 곡선(58)은 제어되는 공기 흡입에 의한 본 발명에 따른 열처리 동안 기판 표면상의 상이한 위치 지점들간의 온도 편차 ΔT(t)를 나타낸다. 반면에, 곡선(59)은 제어되는 공기 흡입 없는 열처리 동안 기판상의 해당 위치 지점들간의 온도 편차 ΔT(t)를 나타낸다. 도 6은 특히 본 발명에 따른 프로세스 동안 열처리 시작 시에 온도 균일도가 비교 프로세스 동안 보다 명백히 더 양호하다는 것을 명확하게 보여준다. 이것은 제어되는 공기 흡입에 의해, 가열판 및 외부에 위치된 가열 엘리먼트들의 에지 영역의 온도에 더 빨리 영향을 줄 수 있으므로 에지 효과들이 신속히 균등해질 수 있다. 더욱이, 도 6에 도시된 것처럼, 실질적으로 일정한 온도가 제공되어야 하는 영역에서 온도 편차가 두 개의 프로세스들에서 실질적으로 동일하므로, 특히 본 발명은 예를 들어 가열 단계에서, 즉 온도 변화 동안 균일도의 개선을 제공한다. 동일한 방식으로, 냉각 단계 동안 균일도의 개선을 예상할 수 있다.

도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 선택적인 가열 장치(1)를 나타낸다. 도 3 및 도 4에서, 지시되는 동일하거나 유사한 엘리먼트들에서 동일한 참조번호들이 사용된다. 도 3은 도 4의 라인 Ⅲ-Ⅲ을 따라 가열 장치(1)의 단면도를 도시하고, 도 4는 가열 장치(1)의 횡단면도를 도시한다.

도시를 간략화하기 위해, 도 2에 따른 커버(36)와 같은 커버가 도 3 및 도 4에 도시되지 않는다.

가열 장치(1)는 가열판(4), 가열 엘리먼트들(9) 및 절연판(13)을 갖는 가열 판 유닛(17)에 대해 도 1 및 도 2에 따른 가열 장치와 동일한 구조물을 실질적으로 구비한다. 다시 한번, 지지 엘리먼트들(11)은 가열판(4) 상부의 일정 거리에서 기판(2)을 홀딩하기 위해 제공된다.

저면 벽(20)과 측벽들(22), 및 그 상부에 조절가능하게 배치된 엘리먼트들(24)을 구비한 프레임 엘리먼트(19)가 또한 제공된다. 그러나 프레임 엘리먼트(19)는 저면 벽(62), 측벽들(64) 및 상부 벽(66)을 갖는 추가적인 프레임 엘리먼트(60)에 의해 둘러싸인다. 상부 벽(66)은 도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 그 에지 영역에서 가열판(4)의 상면과 접촉되게 위치되고, 제 1 실시예에 따른 편향 엘리먼트(26)와 동일한 기능을 실질적으로 갖는다. 프레임 엘리먼트(19)와 프레임 엘리먼트(60) 사이에, 플로우 챔버(68)가 형성되어 갭(C)에 의해 프레임 엘리먼트(19)와 가열판 유닛(17) 사이에 형성된 갭(A)에 접속된다. 프레임 엘리먼트(19)의 저면 벽(20)의 중간 개구부(30)에 의해, 가열판 유닛(17)의 저면과 프레임 엘리먼트(19)의 저면 벽(20) 사이에 형성된 플로우 공간(23)이 플로우 챔버(68)에 접속된다.

중간 개구부(30)의 영역에서, 플로우 공간(23)으로부터 공기를 흡입하고 플로우 챔버(68)로 공기를 전달하기 위해 송풍기(34)가 배치된 곳에 흡입관(32)이 다시 한번 제공된다. 이러한 방식으로, 도 4의 몇 개의 흐름 화살표들로 도시된 폐쇄된 플로우 회로가 2개의 프레임 엘리먼트들 및 가열판 유닛(17) 사이에 제공된다. 냉각/가열 장치(70)는 회로를 통해 순환되는 공기를 목표된 온도로 유도하기 위해 흡입관(32)의 영역에 배치된다. 가열판(4)의 에지 영역에서 갭(A)의 영역의 특정 냉각 및 외부에 위치된 가열 엘리먼트들(9)의 에지 영역의 냉각을 제공하기 위해, 상기 공기는 순환 동안 미리 결정된 온도로 냉각되는 것이 바람직하다.

본 발명의 동작은 실질적으로 이전에 기술된 동작에 상응하며, 부가적인 제어 파라미터로서 갭(A)을 통해 전달되는 공기의 온도를 제어하는 것이 가능할 수 있다.

본 분야의 당업자에게 명백한 것처럼, 도 4에 도시된 플로우 방향은 명백하게 역으로 성립될 수도 있고, 즉 송풍기(34)가 플로우 챔버(68)로부터 공기를 흡입하고, 플로우 챔버(23)로 공기를 전달할 수 있다. 공기 대신에, 다른 냉각 가스가 플로우 회로에 사용될 수도 있다.

도 10 내지 도 12는 본 발명의 추가적인 실시예에 따른 가열 장치(1)의 상이한 상면도들을 도시하고, 장치(1)의 조절가능한 엘리먼트들은 상이한 위치들에 나타낸다. 도 10 내지 도 12에 따른 실시예의 설명에서, 지시되는 동일하거나 등가적인 엘리먼트들이 사용되는 한 이전의 실시예들에서와 동일한 참조번호들이 사용된다.

가열 장치(1)는 원형 기판들의 열처리를 위해 제공되고 도시된 실시예의 상면도에서 원형인 가열판 유닛(17)을 구비한다. 가열판 유닛(17)은 실질적으로 이전의 실시예들에 다른 가열판 유닛(17)과 동일한 구조를 가지며, 상부 가열판과 도 10에서 일점-쇄선으로 개략적으로 도시된 이들 아래에 위치된 개별적인 가열 엘리먼트들(9)로 구성된다. 개별적인 가열 엘리먼트들(9)은 상이한 형태들을 가질 수 있고, 임의의 개수의 가열 엘리먼트들이 선택될 수도 있다. 그러나 가열 엘리먼트들(9)의 배치는 가능한 원형 대칭을 가져야 한다. 도시된 실시예의 일 예에 따라, 다수의 링 영역(segment) 형상의 가열 엘리먼트들(9)이 더욱더 작은 중심 링 영역들에 제공된다.

더욱이, 장치(1)는 반경 방향 및 그 후면 상에서 가열판 유닛(17)을 둘러싸는 프레임 엘리먼트(19)를 갖는다. 프레임 유닛(19)의 바닥 벽(상세하게 도시되지 않음)에서, 중간 개구부가 다시 한번 제공되어 흡입관과 그 내부에 배치된 송풍기에 접속된다.

프레임 엘리먼트(19)에서, 다수의 조절가능한 엘리먼트들(24)이 링 영역들의 형태로 다시 한번 제공된다. 각각의 조절가능한 엘리먼트들(24) 사이에 프레임 엘리먼트(19)의 고정부(74)가 조절가능한 엘리먼트들(24)의 높이에 상응하는 높이로 제공된다.

상기 조절가능한 엘리먼트들은 프레임 엘리먼트(19)와 가열판 유닛(17) 사이에 형성된 갭(A)을 변화시키기 위해, 도 10에 따른 최대 외부 이동 위치와 도 11에 다른 최대 내부 이동 위치 사이에서 조절가능하다. 그룹들로의 조절뿐만 아니라 엘리먼트들(24)의 개별적인 조절이 가능할 수 있다. 예를 들어 국부적인 온도 불균일도들을 균등하게 하기 위해, 상이한 갭 사이즈들(A)이 원둘레 방향으로 제공되도록 조절가능한 엘리먼트들(24)이 설정된 예가 도 12에 도시된다.

본 발명에 따른 가열 장치(1)의 동작은 실질적으로 이전의 실시예들에 따른 장치의 동작과 일치한다.

본 발명은 도시된 특정 실시예들로 제한됨이 없이 본 발명의 바람직한 실시예들을 이용하여 상세히 기술되었다. 상이한 실시예들의 특징들이 호환가능한 경우 예를 들어 서로 자유롭게 조합되고 교환될 수 있다. 더욱이, 가열판 유닛과 프 레임 유닛의 다른 형태들도 물론 안출될 수 있다. 예를 들어, 에어 컨디셔닝 시스템으로서 가스의 온도 제어를 가능하게 하는 가스 소스에 플로우 갭(B)이 접속되는 경우, 도 1 및 도 2에 따른 실시예에서 갭(A)을 통해 전달되는 가스의 온도 제어가 가능할 수도 있다.

Claims

기판으로부터 떨어져 대향하는 가열판의 측면상에 배치된 개별적으로 제어 가능한 다수의 가열 엘리먼트들에 의해 가열되는 상기 가열판으로부터 작은 거리만큼 떨어지거나 접촉되어 홀딩되는 기판들의 열처리를 위한 방법으로서,

상기 가열판은 상기 가열판으로부터 이격된 프레임에 의해 그 평면에서 둘러싸이고, 상기 프레임과 상기 가열판의 적어도 하나의 에지 사이의 갭(cap)을 통해 가스가 전달되며, 상기 가스는 상기 기판과 접촉되지 않도록 전달되고, 상기 갭을 통해 흐르는 가스의 양 및 온도 중 적어도 하나는 상기 가열판의 에지의 온도에 영향을 주도록 제어되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 가열판의 에지의 적어도 하나의 부분적인 영역을 따른 상기 갭의 폭이 기판의 열처리 이전에 또는 열처리 동안에 적어도 한번 변화되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 갭의 폭은 0 내지 5mm 범위에서 국부적으로(locally) 변화되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 갭의 폭은 1mm 내지 5mm 범위에서 국부적으로 변화되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 가스의 흐름은 상기 갭에 진입하기 이전에 편향 엘리먼트에 의해 편향되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 가스는 주변 공기인,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 가스는 폐쇄된 냉각 회로에서 순환하는 냉각 가스인,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 가스의 온도는 상기 갭으로 진입하기 이전에 제어되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 갭을 통해 전달되는 가스의 양, 상기 갭의 폭 및 상기 가스의 온도 중 적어도 하나는 상기 열처리 이전에 형성되는 프로파일에 의해 제어되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 9 항에 있어서,

상기 온도는 상기 가열판으로부터 떨어져 대향하는 상기 기판의 측면상의 특정 위치에서 측정되고, 상기 갭을 통해 전달되는 상기 가스의 양, 상기 갭의 폭 및 상기 가스의 온도 중 적어도 하나에 대해 상기 열처리 이전에 형성된 프로파일은 상기 기판의 표면상의 상이한 위치 지점들간의 온도 차이들이 임계값을 초과한다면, 상기 기판상에서 측정된 온도에 따라 변화되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 10 항에 있어서,

상기 갭을 통해 전달되는 상기 가스의 양, 상기 갭의 폭 및 상기 가스의 온도 중 적어도 하나에 대해 열처리 동안 변화된 프로파일은 저장되고 후속 처리를 위해 새롭게 형성된 프로파일로서 사용되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 가열판으로부터 떨어져 대향하는 상기 기판의 측면상의 온도의 특정 위치 측정, 각각의 가열 엘리먼트의 온도 측정, 및 상기 가열 엘리먼트의 측정된 온도가 실제값으로서 입력되는 PID 조절 알고리즘을 이용한 각 가열 엘리먼트의 온도 조절, 및 상기 열처리 이전에 결정된 상기 PID 조절 알고리즘을 위하여 요구되는 온도 프로파일(desired profile of the temperature)이 상기 기판 표면상의 상이한 위치 지점들 간의 온도 차이들이 임계값을 초과한다면, 상기 기판상에서 측정된 온도에 따라 변화되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 12 항에 있어서,

열처리 동안 변화된 요구되는 프로파일이 저장되고, 후속 처리를 위해 새롭게 형성된 요구되는 프로파일로서 사용되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 기판의 열처리 이후 상기 기판 표면상의 특정-위치에서 구조물 폭이 측정되고, 상기 측정에 의해 특정-위치 온도 프로파일이 상기 기판 표면에 대해 계산되며, 상기 갭을 통해 전달되는 가스의 양, 상기 갭의 폭, 상기 가스의 온도 및 상기 가열 엘리먼트들에 대한 제어 프로파일 중 적어도 하나는 상기 기판상에서 계산된 온도 프로파일에 따라 기판의 후속 열처리를 위해 설정되는,

기판들의 열처리를 위한 방법.
가열판(4), 상기 가열판(4)으로부터 작은 거리만큼 떨어지거나 접촉되도록 기판(2)을 홀딩하기 위한 수단(11), 및 상기 기판으로부터 떨어져 대향하는 상기 가열판(4)의 측면상에서 개별적으로 제어 가능한 다수의 가열 엘리먼트들(9)을 구비하는, 기판들(2)의 열처리를 위한 장치(1)로서,

상기 가열판(4)을 그 평면에서 둘러싸는 프레임(19) ― 상기 프레임(19)은 상기 가열판(4)으로부터 이격됨 ― ;

상기 프레임(19)과 상기 가열판(4)의 적어도 하나의 에지 사이에 형성되는 적어도 하나의 갭(A);

상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 적어도 하나의 장치(34) - 상기 장치(34)는 상기 갭(A)을 통해 전달되는 가스의 온도 및 가스의 양 중 적어도 하나를 제어함 -; 및

상기 가스가 상기 기판과 접촉되지 않도록 상기 가스를 전달하기 위한 수단

을 포함하는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항에 있어서,

적어도 하나의 엘리먼트(24)는 상기 갭(A)의 폭의 국부적 조절을 위하여 상기 프레임(19)에 조절가능하게 설치되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)의 폭은 0 내지 5mm 사이에서 국부적으로 조절가능한,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)의 폭은 1mm 내지 5mm 사이에서 국부적으로 조절가능한,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 16 항에 있어서,

상기 적어도 하나의 엘리먼트(24)는 상기 가열판(4)의 하나의 에지를 따라 제공되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 16 항에 있어서,

상기 가열판(4)을 향해 대향하는 상기 적어도 하나의 엘리먼트(24)의 외형은 상기 가열판(4)의 반대편 에지의 외형에 상보적인,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 프레임(19)은 저면 벽(20)과 적어도 하나의 측벽(22)을 갖고, 상기 적어도 하나의 측벽(22)은 그 평면에서 상기 가열판(4)을 둘러싸며, 상기 저면 벽(20)의 상부에 플로우 공간(23)이 형성되고, 상기 플로우 공간(23)은 상기 갭(A)과 연결되며, 상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 상기 장치(34)는 상기 프레임(19)의 저면 벽(20)의 개구부(30)에 연결되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

그 상측의 에지 영역에서 상기 가열판(4)과 접촉되고 상기 갭(A)의 일 단부에서 플로우 채널을 형성하는 편향 엘리먼트를 포함하는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)은 주변 공기와 접촉되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)은 냉각 장치 및 가열 장치(70) 중 적어도 하나가 배치된 폐쇄된 플로우 회로의 일부를 형성하는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 가열판(4)으로부터 떨어져 대향하는 상기 기판(2)의 표면에 정렬된 특정-위치 온도 측정 장치; 및

상기 특정-위치 온도 측정 장치로부터의 측정 데이터를 이용하여 상기 기판 표면상의 온도 분포를 형성하고, 상기 갭(A)을 통해 전달되는 상기 가스의 온도 및 상기 가스의 양 중 적어도 하나를 제어하도록 상기 온도 분포에 따라 상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 장치를 제어하기 위해, 상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 장치(34)와 상기 온도 측정 장치에 연결된 처리 제어 유닛을 포함하는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

온도를 측정하기 위해 각각의 가열 엘리먼트(9)에 온도 센서가 할당되고, 상기 가열 엘리먼트들(9)과 상기 할당된 온도 센서들에 연결된 적어도 하나의 PID 조절기가 제공되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 26 항에 있어서,

각각의 가열 엘리먼트(9)에 대해 PID 조절기가 제공되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 26 항에 있어서,

상기 PID 조절기(들)에 처리 제어 유닛이 접속되고, 상기 가열판(4)으로부터 떨어져 대향하는 상기 기판 표면상의 온도 분포에 따라 개별적인 가열 엘리먼트들(9)에 대한 요구되는 온도값들을 형성하여 형성된 온도값들을 상기 PID 조절기(들)로 전달하는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 장치(34)는 상기 가열판 아래의 중앙에 배치되는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 장치(34)는 흡입 장치인,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 갭(A)을 통해 가스를 전달하기 위한 장치(34)는 상기 갭을 통해 전달되는 가스의 온도 및 상기 가스의 양 중 적어도 하나를 조절하기 위한 제어 유닛을 갖는,

기판들의 열처리를 위한 장치.
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,

상기 기판 표면상의 구조물 폭의 특정-위치 측정을 위한 장치를 포함하는,

기판들의 열처리를 위한 장치.