Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101084532B1 - 엘이디 칩의 테스트장치 - Google Patents

엘이디 칩의 테스트장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101084532B1
KR101084532B1 KR1020110025428A KR20110025428A KR101084532B1 KR 101084532 B1 KR101084532 B1 KR 101084532B1 KR 1020110025428 A KR1020110025428 A KR 1020110025428A KR 20110025428 A KR20110025428 A KR 20110025428A KR 101084532 B1 KR101084532 B1 KR 101084532B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
block
blade
gold
turntable
Prior art date
Application number
KR1020110025428A
Other languages
English (en)
Inventor
이기현
심규열
홍성민
방지원
임정호
송준성
Original Assignee
강우테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 강우테크 주식회사 filed Critical 강우테크 주식회사
Priority to KR1020110025428A priority Critical patent/KR101084532B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101084532B1 publication Critical patent/KR101084532B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2632Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은 엘이디 칩(LED Chip)의 테스트장치에 관한 것으로, 생산 공정에서 생산된 웨이퍼로부터 분리된 엘이디 칩을 프로버를 이용하여 전기적인 테스트하는 과정에서 전류 인가방식을 달리하여 누설전류 유무 등과 같은 불량여부를 판단할 수 있도록 한 것이다.
이를 위해, 세라믹재질로 이루어지고 턴테이블(11)에 일정 각도 유지되게 고정되는 복수 개의 블록(12)과, 상기 블록의 상면에 위치되어 테스트할 LED 칩(13)이 로딩되는 골드블록(14)과, 상기 블록(12) 및 골드블록(14)에 관통되게 형성되어 진공압이 걸리는 진공 홀(15)과, 상기 턴테이블(11)의 상면에 설치되어 1개의 블레이드(17a)는 LED 칩(13)의 상면에 형성된 접속단자(18a)에 접속되고, 다른 1개의 블레이드(17b)는 LED 칩(13)이 로딩된 골드블록(14)의 상면에 접속되는 프로브 카드(16)로 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

엘이디 칩의 테스트장치 {LED CHIP OF TESTING APPARATUS}
본 발명은 엘이디 칩(LED Chip)의 테스트장치에 관한 것으로써, 좀더 구체적으로는 생산 공정에서 생산된 웨이퍼로부터 분리된 엘이디 칩을 프로버를 이용하여 전기적인 테스트하는 과정에서 전류 인가방식을 달리하여 누설전류 유무 등과 같은 불량여부를 판단할 수 있도록 하는 엘이디 칩(LED Chip)의 테스트장치에 관한 것이다.
일반적으로, 발광소자인 엘이디〔이하 "LED"(Light Emitting Diode)라 함〕는 최근 발광 효율의 향상으로 그 응용범위가 초기의 신호 표시용에서 휴대폰용 백라이트 유닛(Back Light Unit : BLU) 또는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)와 같은 대형 표시장치의 광원 및 조명용으로 더욱 넓어지고 있다.
그 이유는 LED가 종래의 조명인 전구나 형광등에 비해 소모전력이 적고 수명이 길기 때문이다.
이러한 발광소자인 LED는 통상, 기판 상에 서로 다른 도전형의 반도체층과 그 사이에 발광을 활성화하는 활성층을 성장시킨 후 각 반도체층에 전극을 형성하여 제조한다.
상기한 바와 같이 제조 공정을 거쳐 제조된 LED 칩(발광소자)은 전기적 특성 및 발광효율과 같은 성능을 검사하게 되는데, 성능 검사 중 특히 내부에서 발생하는 누설 전류는 소자의 안정성, 수명, 열화 등과 밀접한 연관이 있기 때문에 발광소자 제품의 신뢰성에 커다란 영향을 미치는 요인으로 평가된다.
따라서 LED의 제조 공정 자체에 칩 상태인 LED의 성능을 검사하기 위한 공정이 삽입되는데 이 과정을 통하여 누설 전류의 유무를 판단할 수 있게 된다.
이 때, 사용되는 장비는 프로버(prober)인데, 상기 프로버는 LED 칩에 투명전극과 본딩패드와 같은 전기적인 접촉이 형성된 상태에서 전압을 인가한 후 나타나는 전기적인 특성 및 광 특성을 측정할 수 있는 장비이다.
즉, 프로버를 사용하여 전압이 인가된 LED 칩의 전류 및 전압을 측정하여 LED 칩의 전기적 특성 및 광 밝기를 검사하게 된다.
도 1은 종래의 장치를 나타낸 종단면도로써, 상기 프로버에서, 측정될 LED 칩은 턴테이블(1)에 소정의 각도로 설치된 초경블럭(2)의 상면에 로딩(loading)되는데, 상기 초경블럭(2)의 내부에는 LED 칩(3)을 진공압력에 의해 고정시키기 위한 진공 홀(4)이 형성되어 있다.
그리고 상기 초경블럭(2)의 상부에는 다수 개의 블레이드(6)를 갖는 프로브 카드(probe card)(5)가 위치하는데, 상기 프로브는 LED 칩(3)에 전류/전압을 인가하는 전극으로써 기능을 하며, LED 칩(3)의 상면에는 도 2에 나타낸 바와 같이 블레이드(6)가 전기적으로 접촉하는 접속단자(7)가 2군데 형성되어 있다.
상기 LED 칩(3)은 인가전압이 증가하면 동작전류도 증가하는데, LED 칩(3)이 불량품인 경우 누설전류로 인하여 동작전류 값이 소정 값을 초과하게 되므로 기준이 되는 LED 칩(3)의 전압/전류곡선을 참조하여 불량품인 발광소자를 확인할 수 있게 된다.
따라서 턴테이블(1)에 설치된 각 초경블럭(2)의 상면에 픽커(pick)(도시는 생략함)를 이용하여 테스트할 LED 칩(3)을 로딩(loading)한 다음 진공 홀(4)을 통해 진공압을 걸면 LED 칩(3)이 초경블럭(2)의 상면에 흡착 고정된다.
이러한 상태에서 프로브 카드(5)가 하강하여 블레이드(6)가 LED 칩(3)의 각 접속단자(7)에 접속된 다음 전압을 인가하면 LED 칩(3)이 발광하게 되므로 테스터(도시는 생략함)에서 LED 칩(3)의 전기적인 특성 및 광 특성을 테스트하여 양품인지 불량품인지를 설정된 시간동안 테스트를 실시하게 된다.
그러나 이러한 종래의 장치는 테스트할 LED 칩을 초경블럭의 상면에 로딩한 상태에서 프로브 카드의 블레이드를 LED 칩의 형성된 각 접속단자에 접속하여 전기적인 특성 및 광 특성을 테스트하는 과정에서 초경블럭의 전기저항 때문에 LED 칩의 전기적인 특성이 저하됨은 물론이고 광의 밝기가 저하되어 테스트 품질이 떨어지는 치명적인 결함이 있었다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, LED 칩을 테스트하는 장치의 구조를 획기적으로 개선하여 LED 칩의 테스트 품질을 향상시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 세라믹재질로 이루어지고 턴테이블에 일정 각도 유지되게 고정되는 복수 개의 블록과, 상기 블록의 상면에 위치되어 테스트할 LED 칩이 로딩되는 골드블록과, 상기 블록 및 골드블록에 관통되게 형성되어 진공압이 걸리는 진공 홀과, 상기 턴테이블의 상면에 설치되어 1개의 블레이드는 LED 칩의 상면에 형성된 접속단자에 접속되고, 다른 1개의 블레이드는 LED 칩이 로딩된 골드블록의 상면에 접속되는 프로브 카드로 구성된 것을 특징으로 하는 엘이디 칩의 테스트장치가 제공된다.
본 발명은 전기저항이 '제로(0)'인 세라믹 블록의 상면에 전기전도도가 가장 높은 금속인 골드블록을 위치함과 동시에 LED 칩의 상, 하부에 접속단자를 형성하여 1개의 블레이드는 상면에 형성된 접속단자와 접속되도록 하고, 나머지 1개의 블레이드는 LED 칩의 하부에 형성된 접속단자와 밀착된 골드블록에 접속되도록 한 상태에서 LED 칩의 전기적인 특성 및 광 특성을 테스트하므로 전기적인 특성 및 광의 밝기를 높여 테스트에 따른 LED 칩의 불량률을 최소화할 수 있는 효과를 얻게 된다.
도 1은 종래의 장치를 나타낸 종단면도
도 2는 종래의 LCD 칩을 나타낸 평면도
도 3은 본 발명의 장치를 나타낸 종단면도
도 4는 본 발명에 적용되는 LED 칩을 나타낸 평면도
이하, 본 발명을 일 실시예로 도시한 도 3 및 도 4를 참고하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 장치를 나타낸 종단면도이고 도 4는 본 발명에 적용되는 LED 칩을 나타낸 평면도로써, 본 발명은 턴테이블(11)에 일정 각도 유지되게 고정되는 복수 개의 블록(12)이 절연체인 세라믹재질로 이루어져 있어 LED 칩(13)에 전원을 인가하여 테스트하는 동안 전기저항이 커지는 현상을 근본적으로 차단하도록 되어 있고 상기 블록(12)의 상면에는 테스트할 LED 칩(13)이 로딩되는 골드블록(14)이 위치되어 있다.
이 때, 상기 골드블록(14)의 상면은 연마 처리되어 있는데, 이는 반복 사용으로 골드블록(14)의 상면에 스크래치 등이 발생하여 저항 값이 커질 때 이를 연마하여 재 사용할 수 있도록 하기 위한 것이다.
본 발명의 블록(12) 및 골드블록(14)에는 종래와 마찬가지로 진공압이 걸려 LED 칩(13)을 테스트하는 동안 LED 칩이 유동되지 않도록 하는 진공 홀(15)이 관통되게 형성되어 있다.
그리고 상기 턴테이블(11)의 상면에 설치되는 프로브 카드(16)에서 1개의 블레이드(17a)는 종래와 마찬가지로 LED 칩(13)의 상면에 형성된 접속단자(18a)에 접속되도록 되어 있고, 다른 1개의 블레이드(17b)는 종래와는 달리 LED 칩(13)이 로딩된 골드블록(14)의 상면에 접속되어 LED 칩(13)의 저면에 형성되어 골드블록(14)에 접속되는 접속단자(18b)와 전기적으로 통하여지도록 구성되어 있다.
본 발명에 적용되는 LED 칩(13)은 상부에 2개소의 접속단자가 형성된 종래와는 달리 도 4에 나타낸 바와 같이 블레이드(17a)가 직접 접속되는 접속단자(18a)가 상면에 1개소, 그리고 골드블록(14)과 접속되는 1개소의 접속단자(18b)가 LED 칩(13)의 저면에 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 장치를 이용하여 LED 칩을 테스트하는 과정에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 턴테이블(11)의 회전으로 LED 칩(13)의 로딩 포지션(도시는 생략함)으로 골드블록(14)이 고정된 블록(12)이 위치하면 픽커(도시는 생략함)가 흡착된 테스트할 LED 칩(13)을 골드블록(14)의 상면에 로딩한 다음 진공압을 해제하게 되므로 LED 칩(13)의 로딩(loading)이 완료된다.
상기 LED 칩(13)의 로딩이 완료되고 나면 진공 홀(15)을 통해 진공압을 걸어 골드블록(14)의 상면에 LED 칩(13)이 흡착되도록 함으로써, LED 칩(13)의 이동간에 골드블록(14)에서 LED 칩(13)이 이탈되지 않는다.
이러한 LED 칩(13)의 로딩과정은 종래의 테스트 방법과 동일하게 이루어진다.
이와 같이 LED 칩(13)의 로딩 포지션에서 각 골드블록(14)의 상면에 로딩한 상태에서 턴테이블(11)이 소정의 각도만큼 회전을 하여 테스트 포지션으로 도달하면 프로브 카드(16)가 하강하여 1개의 블레이드(17a)는 LED 칩(13)의 상면에 형성된 접속단자(18a)에 접속됨과 동시에 다른 1개의 블레이드(17b)는 골드블록(14)에 접속되지만, LED 칩(13)의 저면에 형성된 접속단자(17b)는 전기저항이 가장 낮은 금속인 골드블록(14)에 접속되어 있어 LED 칩(13)에 전원이 인가된다.
이에 따라, LED 칩(13)이 최대한의 성능을 발휘하면서 발광하게 되므로 테스터(도시는 생략함)에서 LED 칩(13)의 전기적인 특성 및 광 특성을 테스트하여 양품인지 불량품인지를 설정된 시간동안 테스트를 실시하게 되는 것이다.
본 발명의 기술사상은 상기한 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다.
또한, 본 발명의 기술분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양하게 변화하여 실시할 수 있음은 이해 가능한 것이다.
11 : 턴테이블 12 : 블록
13 : LED 칩 14 : 골드블록
15 : 진공 홀 16 : 프로브 카드
17a, 17b : 블레이드 18a, 18b : 접속단자

Claims (2)

  1. 턴테이블(11)의 상면에 프로브 카드(16)를 설치하여 1개의 블레이드(17a)는 LED 칩(13)의 상면에 형성된 접속단자(18a)에 접속하고, 다른 1개의 블레이드(17b)는 LED 칩(13)이 로딩된 블록의 상면에 접속되도록 하여 LED 칩의 특성을 테스트하는 엘이디 칩의 테스트장치에 있어서, 턴테이블(11)에 세라믹재질로 이루어진 복수 개의 블록(12)을 일정 각도 유지되게 고정하고 상기 블록의 상면에는 테스트할 LED 칩(13)이 로딩됨과 동시에 상면을 연마하여 재사용하는 골드블록(14)을 고정하며 상기 블록(12) 및 공드블록(14)에는 진공압이 걸리는 진공 홀(15)을 관통되게 형성하여서 된 것을 특징으로 하는 엘이디 칩 테스트장치.
  2. 삭제
KR1020110025428A 2011-03-22 2011-03-22 엘이디 칩의 테스트장치 KR101084532B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110025428A KR101084532B1 (ko) 2011-03-22 2011-03-22 엘이디 칩의 테스트장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110025428A KR101084532B1 (ko) 2011-03-22 2011-03-22 엘이디 칩의 테스트장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101084532B1 true KR101084532B1 (ko) 2011-11-18

Family

ID=45397865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110025428A KR101084532B1 (ko) 2011-03-22 2011-03-22 엘이디 칩의 테스트장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101084532B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001506752A (ja) 1996-12-12 2001-05-22 ジージービー インダストリーズ,インコーポレーテッド 高速テスト用プローブカード
KR100969975B1 (ko) * 2010-04-05 2010-07-15 (주)큐엠씨 엘이디 칩 분류장치 및 그 보정유닛

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001506752A (ja) 1996-12-12 2001-05-22 ジージービー インダストリーズ,インコーポレーテッド 高速テスト用プローブカード
KR100969975B1 (ko) * 2010-04-05 2010-07-15 (주)큐엠씨 엘이디 칩 분류장치 및 그 보정유닛

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101101132B1 (ko) 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
JP5373043B2 (ja) Led用試験装置
KR100931322B1 (ko) 엘이디 칩 테스트장치 및 이를 이용한 테스트방법
WO2007084970B1 (en) Method and apparatus for nondestructively evaluating light-emitting materials
KR20120052812A (ko) Led 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
CN111201593B (zh) 一种led检测装置和方法
WO2021068539A1 (zh) 微发光二极管的检测装置及方法
KR20210077126A (ko) 마이크로 led 패키지의 검사 장치 및 방법
US11276614B2 (en) Testing of LED devices during pick and place operations
CN100479184C (zh) 有机电致发光显示器检查线的布线方法
KR20110013107A (ko) 엘이디 칩 분류장치
KR101084532B1 (ko) 엘이디 칩의 테스트장치
CN109342019B (zh) 一种用于测试cob-led光源光斑的夹具及测试cob-led光源光斑的方法
KR20130122821A (ko) 수직형 led 칩 테스터의 전원인가장치
KR20140074468A (ko) 반도체 검사 장치
KR20130019237A (ko) 발광 소자 검사 장치
KR101046057B1 (ko) 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
KR101184683B1 (ko) 엘이디 칩 검사장치
Wu et al. Failure modes and failure analysis of white LEDs
KR101074532B1 (ko) 엘이디 칩 분류장치 및 그 제거유닛
CN100371726C (zh) 芯片针测机
KR20110139812A (ko) 발광 다이오드 칩에 대한 정전 방전 시험 장치 및 양호한 발광 다이오드 칩 선별 방법
CN1956159A (zh) 发光二极管的晶圆级测试方法及构造
KR101293493B1 (ko) 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
KR101496050B1 (ko) 발광 소자 검사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110322

PA0201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20110405

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20110322

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110726

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20111026

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20111111

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20111111

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140703

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140703

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151110

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20151110

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170110

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170110

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20171219

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181101

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201110

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211110

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221110

Start annual number: 12

End annual number: 12