Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101039930B1 - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101039930B1
KR101039930B1 KR1020090101227A KR20090101227A KR101039930B1 KR 101039930 B1 KR101039930 B1 KR 101039930B1 KR 1020090101227 A KR1020090101227 A KR 1020090101227A KR 20090101227 A KR20090101227 A KR 20090101227A KR 101039930 B1 KR101039930 B1 KR 101039930B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filler
light emitting
emitting device
light
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020090101227A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110044511A (ko
Inventor
김선경
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020090101227A priority Critical patent/KR101039930B1/ko
Priority to US12/909,098 priority patent/US9048395B2/en
Priority to EP10188574.7A priority patent/EP2315283B1/en
Priority to CN201010528649.2A priority patent/CN102074642B/zh
Publication of KR20110044511A publication Critical patent/KR20110044511A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101039930B1 publication Critical patent/KR101039930B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8511Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/819Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8515Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/872Periodic patterns for optical field-shaping, e.g. photonic bandgap structures

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 반도체 발광소자; 상기 반도체 발광소자 상에 제1 충진제; 및 상기 제1 충진제 상에 상기 제1 충진제의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 제2 충진제;를 포함할 수 있다.
발광소자, 고 효율

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
실시예는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device: LED)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. LED는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 되는 것이다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
백색 발광소자(White LED) 구현은 R,G,B 독립 광원을 혼합하는 방법과 청색 또는 자외선의 여기 광(pump beam)을 통해 형광체를 변환하는 방법으로 나눌 수 있다. 이때, 형광체 변환 방법은 제조 단가와 색온도 조절, 발광 효율 측면에서 장점이 있다.
한편, 형광체를 활용하여 White LED를 구현할 때, 모체가 되는 청색 또는 자외선의 일부의 빛은 형광체에 흡수되지 않고 외부로 추출되며, 나머지 빛은 형광체와 결합하여 모체의 빛보다 장파장의 색깔을 생성한다. 이 두 영역의 빛이 서로 혼합되면, 혼합 비율에 따라 다양한 색온도의 White LED가 구현된다.
그런데, 종래기술에 의하면 형광체를 충진제(Encapsulant)와 혼합하여 도포하거나 형광체 주위를 충진제가 감싸고 있는 패키지(package) 구조의 경우 충진제와 최종 관측 매질인 공기(Air) 사이의 굴절률 대비로 인해 생성된 빛의 일부는 다시 칩(Chip) 내부로 재 진입할 수 있다.
또한, 종래기술에 의하면 형광체(phosphor)에 의해 변환된 빛은 자발방출 과정에 의해 모든 방향의 빛을 생성하므로, 필연적으로 일부의 빛은 마찬가지로 칩(Chip) 내부로 재 진입하게 된다.
이에 따라 종래기술에 의하면 빛의 칩 내부로의 재 진입은 칩(Chip) 내부 흡수 손실을 통해 발광 효율의 감소로 이어지며, 칩(Chip) 내부의 신뢰성 열화를 야기할 수 있다. 따라서, 칩(Chip) 내부로의 빛의 재 진입을 억제하는 패키지(package) 설계가 필연적으로 요구된다.
실시예는 발광소자의 활성층에서 발생된 빛과 이 빛이 형광체(Phosphor)와 결합하여 변환된 빛이 칩(Chip) 내부로 재 진입하는 것을 억제할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 반도체 발광소자; 상기 반도체 발광소자 상에 제1 충진제; 및 상기 제1 충진제 상에 상기 제1 충진제의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 제2 충진제;를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 반도체 발광소자를 형성하는 단계; 상기 반도체 발광소자 상에 제1 충진제를 형성하는 단계; 및 상기 제1 충진제 상에 상기 제1 충진제의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 제2 충진제를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 발광소자 칩(LED Chip) 및 패키지(Package) 설계를 통해 발광소자의 활성층에서 발생된 빛과 이 빛이 형광체(Phosphor)와 결합하여 변환된 빛이 칩(Chip) 내부로 재 진입하는 것을 억제함으로써 고효율 백색 발광소자(White LED) 구현 및 칩(Chip)의 신뢰성의 개선효과가 있다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이며, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 일부분(A) 확대도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 반도체 발광소자(120)와, 상기 반도체 발광소자(120) 상에 형성된 제1 충진제(131) 및 상기 제1 충진제(131) 상에 상기 제1 충진제(131)의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖도록 형성된 제2 충진제(132)를 포함할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(C)를 포함하는 패키지 몸체(110), 상기 캐비티(C) 상에 형성된 발광소자(120), 상기 캐비티(C)를 일부 채우는 제1 충진제(131) 및 상기 제1 충진제(131) 상에 형성된 제2 충진제(132)를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 내부를 채우는 충진제(Encapsulant)를 두 단계 이상으로 나누어 구성할 수 있다.
예를 들어, 발광소자(120)와 맞닿아있는 제1 충진제(E1)(131)와 발광소자(120)와 공간적으로 분리되어 있는 제2 충진제(E2)(132)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 충진제(E1)(131)의 굴절률은 제2 충진제(E2)(132)의 굴절률보다 작으며, 형광체(P)는 제2 충진제(132) 영역에 속해 있을 수 있다.
실시예에 의하면 형광체(P)에서 발생한 빛의 일부는 제2 충진제(132)의 굴절률이 제1 충진제(131)의 굴절률보다 크므로 전반사 과정에 의해 발광소자(120) 내부로의 진입이 허용되지 않는다.
또한, 실시예에 의하면 제2 충진제(132)의 몰드 형태(mold shape)를 플랫(flat)이 아닌 위로 볼록한 돔(dome) 형태로 형성할 수 있으며 이 경우 추가적인 광량 향상효과가 있다.
또한, 실시예는 상기 제2 충진제(132) 상에 돔(dome) 형태의 제3 충진제(133)를 형성하여 광량 향상효과를 가져올 수 있다. 이때, 제3 충진제(133)의 굴절률은 제2 충진제(132)의 굴절률 값과 동일하거나 클 수 있다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 굴절률에 따른 광추출 효과 예시도이다.
예를 들어, 제2 충진제(E2)(132)의 굴절률이 1.4이고, 광추출 패턴(R)의 주기(a)가 약 1200nm인 경우 제1 충진제(E1)(131)의 굴절률의 변화에 따른 광추출 효과 예시도이다. 이때, 발광소자(120)의 굴절률은 약 2.46일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3과 같이 실시예에 의하면 발광소자(120) 상층부에 광추출 패턴(R), 예를 들어 광결정 구조가 도입되는 상황에서, 발광소자(120)와 맞닿아있는 제1 충진제(E1)(131)의 굴절률이 작아지면, 광 추출 효과가 향상된다. 그 이유는 광 추출 효과는 패턴을 구성하는 굴절률 대비에 의해 결정되기 때문이다.
예를 들어, 제1 충진제(E1)(131)의 굴절률이 제2 충진제(E2)(132)의 굴절률 1.4 보다 작은 경우에 상대적인 광 추출 효과가 향상된다.
즉, 발광소자의 반도체 굴절률이 고정된 상태에서 이를 둘러싸고 있는 제1 충진제(E1)(131)의 굴절률이 작아지면, 광추출 패턴(R)의 회절 효과가 증대된다. 따라서, 제1 충진제(E1)(131)의 굴절률이 작아지는 것은 전반사 과정을 통한 빛의 재 진입을 억제하는 것뿐만 아니라 광 추출효율을 향상시키는 역할을 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 칩(LED Chip) 및 패키지(Package) 설계를 통해 발광소자의 활성층에서 발생된 빛과 이 빛이 형광체(Phosphor)를 여기시켜 변환된 빛이 칩(Chip) 내부로 재 진입하는 것을 억제함으로써 고효율 백색 발광소자(White LED) 구현 및 칩(Chip)의 신뢰성의 개선효과가 있다.
이하, 도 4 내지 도 7을 참조하여 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명한다.
먼저, 도 4와 같이 캐비티(Cavity)(C)를 포함하는 패키지 몸체(110)를 형성한다. 상기 패키지 몸체(110)는 실리콘 기판 등일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 패키지 몸체(110)에 일부 식각을 통해 캐비티(C)을 형성할 수 있다. 캐비 티(C)는 바닥면과 경사진 측면을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
다음으로, 도 5와 같이 상기 캐비티(C) 상에 발광소자(120)를 형성한다. 예를 들어, 상기 캐비티(C)의 바닥면에 발광소자(120)을 실장할 수 있다. 이때, 상기 발광소자(120)는 수직형 발광소자 또는 수평형 발광소자 일 수 있다.
실시예에서의 발광소자(120)는 GaN, GaAs, GaAsP, GaP 등의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, Green~Blue LED는 GaN(InGaN), Yellow~Red LED는 InGaAIP, AIGaAs를 사용할 수 있으며, 물질의 조성의 변경에 따라 Full Color 구현도 가능하다.
또한, 상기 발광소자(120)는 광추출 패턴(R)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 3과 같이 실시예에 의하면 발광소자(120) 상층부에 광추출 패턴(R), 예를 들어 광결정 구조를 포함할 수 있다.
실시예에서의 광추출 패턴(R)은 혼합 주기 광결정(Photonic Crystal) 구조(미도시)일 수 있다. 혼합 주기 광결정(Photonic Crystal) 구조란 주기가 큰 첫 번째 광결정 구조의 공간 내를 주기가 작은 두 번째 광결정 구조로 채워진 구조를 의미한다.
실시예에 의하면 여러 주기가 섞여 있는 혼합 구조의 경우 하나의 주기로 이루어진 광결정에 비해 다양한 입사 각도에 대해 높은 회절 효율을 유지할 수 있다. 이는 곧, 추출효율의 상승으로 이어진다.
다음으로, 도 6과 같이 상기 캐비티(C)를 일부 채우는 제1 충진제(131)를 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 충진제(131)는 실리콘 겔일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에서 상기 제1 충진제(131)는 형광체를 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라 발광소자에서 발생한 빛이 제1 충진제(131)에서는 다른 파장의 빛으로 변화가 없이 통과하게 된다.
또한, 실시예에서 상기 제1 충진제(131)는 상기 발광소자(120)와 접하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광소자(120)의 굴절률이 상기 제1 충진제(131)의 굴절률 보다 클 수 있다. 이때, 발광소자(120) 상층부에는 광 추출 패턴(R)이 형성되어 있어 통상의 경우 전반사에 의해 반사될 빛이 광추출 패턴(R)에 의해 발광소자 외부로 광 추출이 발생할 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이 상기 제1 충진제(131) 상에 제2 충진제(132)를 형성한다.
상기 제2 충진제(132)는 상기 캐비티(C)를 메우도록 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 충진제(132)는 형광체(P)를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 발광소자(120)에서 나온 빛보다 형광체(P)를 여기시켜 나온 빛이 더 장파장이므로 상기 광추출패턴(R)에 의해 발광소자(120)로 재입사될 확률이 높아질 수 있으므로 형광체를 광추출패턴(R)과 이격하여 형성할 수 있다.
실시예에서 형광체를 이용하여 백색(White) LED를 구현하기 위해서는 청색 LED에 황색 형광체(YAG, TAG 등의 형광체를 사용)를 더하거나, UV LED에 적/녹/청 삼색 형광체를 사용할 수 있다.
예를 들어, 실시예는 청색 LED에 YAG, TAG 등의 황색 형광체를 사용하는 형태의 LED일 수 있다.
또한, 청색 LED에 황색 형광체를 조합하는 백색 LED와 유사한 방법으로 청색 LED에 2가지(노란색+적색)의 형광체 또는 3가지(노란색+적색+청색) 형광체를 이용하는 백색 LED 제조방법도 가능하다.
또한, 실시예는 UV LED에 2가지 또는 3가지(R,G,B) 형광물질을 이용하여 백색 LED 구현이 가능할 수 있다. 이는 자외선 LED에서 나오는 자외선을 모두 형광체가 흡수하여 가시광선 전 파장대의 빛을 발하여 백색광을 만드는 것을 원리로 이용한 것으로, 자외선 LED를 사용하는 경우 기존의 청색 LED의 형광체인 YAG형광체에 비하여 광 변환 효율이 매우 우수한 장점을 가지고 있다.
실시예에서 상기 제2 충진제(132)는 상기 발광소자(120)와 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 충진제(132)는 상기 제1 충진제(131)의 굴절률보다 큰 굴절률의 제2 충진제로 형성될 수 있다.
실시예에 의하면 형광체(P)에서 발생한 빛의 일부는 제2 충진제(132)의 굴절률이 제1 충진제(131)의 굴절률보다 크므로 전반사 과정에 의해 발광소자(120) 내부로의 진입이 허용되지 않는다.
또한, 실시예에 의하면 제2 충진제(132)의 몰드 형태(mold shape)를 플랫(flat)이 아닌 위로 볼록한 돔(dome) 형태로 형성할 수 있으며 이 경우 추가적인 광량 향상효과가 있다.
또한, 실시예는 상기 제2 충진제(132) 상에 돔(dome) 형태의 제3 충진 제(133)를 형성하여 광량 향상효과를 가져올 수 있다. 이때, 제3 충진제(133)의 굴절률은 제2 충진제(132)의 굴절률 값과 동일하거나 클 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 발광소자 칩(LED Chip) 및 패키지(Package) 설계를 통해 발광소자의 활성층에서 발생된 빛과 이 빛이 형광체(Phosphor)와 결합하여 변환된 빛이 칩(Chip) 내부로 재 진입하는 것을 억제함으로써 고효율 백색 발광소자(White LED) 구현 및 칩(Chip)의 신뢰성의 개선효과가 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대도.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 굴절률에 따른 광추출 효과 예시도.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정단면도.

Claims (19)

  1. 반도체 발광소자;
    상기 반도체 발광소자 상에 제1 충진제;
    상기 제1 충진제 상에 상기 제1 충진제의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 제2 충진제; 및
    상기 제2 충진제 상에 상부의 형태가 돔(dome) 형태인 제3 충진제;를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 충진제는,
    상기 발광소자와 접하여 형성되는 발광소자 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 충진제는,
    형광체를 포함하여 형성되는 발광소자 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 충진제는,
    상기 발광소자와 이격되어 형성되는 발광소자 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 충진제는,
    상부의 형태가 돔(dome) 형태인 발광소자 패키지.
  6. 삭제
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제3 충진제의 굴절률은 상기 제2 충진제의 굴절률 이상인 발광소자 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 상층부에는 광추출 패턴을 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 광추출 패턴은 상기 제1 충진제와 접하고, 상기 제2 충진제에 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 굴절률이 상기 제1 충진제의 굴절률 보다 큰 발광소자 패키 지.
  11. 반도체 발광소자를 형성하는 단계;
    상기 반도체 발광소자 상에 제1 충진제를 형성하는 단계;
    상기 제1 충진제 상에 상기 제1 충진제의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 제2 충진제를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 충진제 상에 상부의 형태가 돔(dome) 형태인 제3 충진제를 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 충진제를 형성하는 단계는,
    상기 발광소자와 접하여 제1 충진제를 형성하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 충진제를 형성하는 단계는,
    형광체를 포함하여 제2 충진제를 형성하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 충진제를 형성하는 단계는,
    상기 발광소자와 이격되어 형성되는 발광소자 패키지의 제조방법.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 충진제를 형성하는 단계는,
    상부의 형태가 돔(dome) 형태로 형성되는 발광소자 패키지의 제조방법.
  16. 삭제
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 제3 충진제의 굴절률은 상기 제2 충진제의 굴절률 이상인 발광소자 패키지의 제조방법.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 발광소자의 상층부에는 광 추출 패턴을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 광추출 패턴은 상기 제1 충진제와 접하고, 상기 제2 충진제에 형광체를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
KR1020090101227A 2009-10-23 2009-10-23 발광소자 패키지 및 그 제조방법 Expired - Fee Related KR101039930B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090101227A KR101039930B1 (ko) 2009-10-23 2009-10-23 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US12/909,098 US9048395B2 (en) 2009-10-23 2010-10-21 Light emitting device package, lighting module and lighting system
EP10188574.7A EP2315283B1 (en) 2009-10-23 2010-10-22 Light emitting device package, lighting module and lighting unit
CN201010528649.2A CN102074642B (zh) 2009-10-23 2010-10-25 发光器件封装、照明模块以及照明系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090101227A KR101039930B1 (ko) 2009-10-23 2009-10-23 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110044511A KR20110044511A (ko) 2011-04-29
KR101039930B1 true KR101039930B1 (ko) 2011-06-09

Family

ID=43589763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090101227A Expired - Fee Related KR101039930B1 (ko) 2009-10-23 2009-10-23 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9048395B2 (ko)
EP (1) EP2315283B1 (ko)
KR (1) KR101039930B1 (ko)
CN (1) CN102074642B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009028869A2 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and lighting apparatus using the same
WO2013054226A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting arrangement
CN103515516A (zh) * 2012-06-20 2014-01-15 鑫成科技(成都)有限公司 发光二极管封装结构
KR20140028768A (ko) * 2012-08-30 2014-03-10 현대모비스 주식회사 자동차의 조명장치 및 그것의 제조방법
CN103022310B (zh) * 2012-12-30 2016-03-23 佛山市国星半导体技术有限公司 Led发光芯片的光提取层及led装置
JP6582754B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 複合基板、発光装置、及び発光装置の製造方法
CN105304802A (zh) * 2015-10-12 2016-02-03 深圳万城节能股份有限公司 发光装置的制造方法
TWI624966B (zh) * 2015-11-23 2018-05-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100593941B1 (ko) * 2005-04-28 2006-06-30 삼성전기주식회사 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
KR20080030009A (ko) * 2008-03-18 2008-04-03 삼성전기주식회사 넓은 지향각을 갖는 발광다이오드 패키지
KR100826396B1 (ko) * 2007-01-18 2008-05-02 삼성전기주식회사 Led 칩 패키지
JP2009146924A (ja) 2007-12-11 2009-07-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光装置及び電子機器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6282352B1 (en) * 1997-04-08 2001-08-28 Hitachi, Ltd. Optical module, method for manufacturing optical module and optical communication apparatus
CN101393967A (zh) * 2000-08-23 2009-03-25 出光兴产株式会社 有机场致发光显示装置
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP2003197973A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオードおよびled表示装置
US20050211991A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
KR100576866B1 (ko) * 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
KR100665219B1 (ko) * 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
JP4778745B2 (ja) * 2005-07-27 2011-09-21 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2007116131A (ja) 2005-09-21 2007-05-10 Sanyo Electric Co Ltd Led発光装置
KR100867519B1 (ko) * 2006-02-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
KR100736623B1 (ko) * 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR100735432B1 (ko) * 2006-05-18 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20080032882A (ko) * 2006-10-11 2008-04-16 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
US20100032189A1 (en) * 2007-02-15 2010-02-11 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Led package and attachment structure of molded circuit component
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8022434B2 (en) * 2009-05-22 2011-09-20 Unity Opto Technology Co., Ltd. Light-emitting diode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100593941B1 (ko) * 2005-04-28 2006-06-30 삼성전기주식회사 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
KR100826396B1 (ko) * 2007-01-18 2008-05-02 삼성전기주식회사 Led 칩 패키지
JP2009146924A (ja) 2007-12-11 2009-07-02 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光装置及び電子機器
KR20080030009A (ko) * 2008-03-18 2008-04-03 삼성전기주식회사 넓은 지향각을 갖는 발광다이오드 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
EP2315283A3 (en) 2014-04-02
EP2315283A2 (en) 2011-04-27
US20110095319A1 (en) 2011-04-28
CN102074642B (zh) 2015-11-25
CN102074642A (zh) 2011-05-25
KR20110044511A (ko) 2011-04-29
US9048395B2 (en) 2015-06-02
EP2315283B1 (en) 2017-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101039930B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP6248431B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
KR102473424B1 (ko) 발광소자 패키지
JP2008172239A (ja) Ledパッケージ
US11552229B2 (en) Spacer layer arrangements for light-emitting diodes
US11894499B2 (en) Lens arrangements for light-emitting diode packages
CN109285932A (zh) 发光器件封装
CN103779373A (zh) 发光装置及其制造方法
CN109390449A (zh) 发光器件封装
JP6212989B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US20120313119A1 (en) Three dimensional light-emitting-diode (led) stack and method of manufacturing the same
TW202339309A (zh) 多晶片發光二極體封裝件的配置
US20230261154A1 (en) Light-emitting diode packages with selectively placed light-altering materials and related methods
TWI485844B (zh) 發光二極體模組
KR101723540B1 (ko) 발광 소자 및 이를 갖는 발광 소자 패키지
KR102544830B1 (ko) 반도체 소자 패키지
KR102564179B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102369821B1 (ko) 발광소자 패키지
JP6432654B2 (ja) 半導体発光装置
US20230387356A1 (en) Light-emitting diode packages with lead frame structures for flip-chip mounting of light-emitting diode chips
KR102644793B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102610607B1 (ko) 발광소자 패키지
US20230106479A1 (en) Lumiphoric material arrangements for multiple-junction light-emitting diodes
KR101071839B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102598476B1 (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20091023

PA0201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20101112

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20091023

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110125

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20110504

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20110601

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20110601

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140423

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140423

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150506

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150506

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160504

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160504

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170512

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170512

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180509

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180509

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190514

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190514

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200513

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210513

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220509

Start annual number: 12

End annual number: 12

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20250312